JP2002190649A - Semiconductor laser and method of manufacturing it - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装
置、特に２種類の半導体レーザを集積して２波長のレー
ザを出力する半導体レーザ装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device, and more particularly to a semiconductor laser device which integrates two types of semiconductor lasers and outputs a laser beam having two wavelengths.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、コンパクトディスク（ＣＤ）用の
光源として用いられる発振波長が７００ｎｍ帯（例え
ば、７８０ｎｍ）の赤外半導体レーザと、デジタルビデ
オディスク（ＤＶＤ）用の光源として用いられる発振波
長が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の赤色半導体
レーザとを集積した２波長の半導体レーザ装置は、低コ
スト、小型化という観点から新しい光ピックアップの光
源として注目されており、特開平０１―２７２１７７や
特開平１１―１８６６５１などに開示されている。2. Description of the Related Art At present, an infrared semiconductor laser having an oscillation wavelength of 700 nm (for example, 780 nm) used as a light source for a compact disk (CD) and an oscillation wavelength used as a light source for a digital video disk (DVD) are known. A two-wavelength semiconductor laser device in which a red semiconductor laser in the 600 nm band (for example, 650 nm) is integrated has attracted attention as a light source of a new optical pickup from the viewpoint of low cost and miniaturization. 11-186651 and the like.
【０００３】以下、従来の２波長の半導体レーザ装置に
ついて図６を参照しながら説明する。Hereinafter, a conventional two-wavelength semiconductor laser device will be described with reference to FIG.
【０００４】図６（ａ）は、従来の２波長の半導体レー
ザ装置を示す外観斜視図であり、図６（ｂ）は、その従
来の２波長の半導体レーザ装置をヒートシンクに実装し
たときの外観斜視図である。FIG. 6A is an external perspective view showing a conventional two-wavelength semiconductor laser device, and FIG. 6B is an external view when the conventional two-wavelength semiconductor laser device is mounted on a heat sink. It is a perspective view.
【０００５】図６（ａ）に示すように、従来の２波長の
半導体レーザ装置１０１は、ｎ型のＧａＡｓからなる基
板１０２上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎ
Ｐ系材料からなる赤色半導体レーザ１０３と発振波長が
７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ系材料からなる赤外半導体レー
ザ１０４が分離溝１０５を介して集積されている。As shown in FIG. 1A, a conventional two-wavelength semiconductor laser device 101 has an AlGaIn having an oscillation wavelength of 650 nm on a substrate 102 made of n-type GaAs.
A red semiconductor laser 103 made of a P-based material and an infrared semiconductor laser 104 made of a GaAs-based material having an oscillation wavelength of 780 nm are integrated via a separation groove 105.
【０００６】赤色半導体レーザ１０３は、ｎ型のＧａＡ
ｓからなる基板１０２上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰから
なるクラッド層１０６、活性層１０７、ｐ型のＡｌＧａ
ＩｎＰからなるクラッド層１０８、ｎ型のＧａＡｓから
なる電流ブロック層１０９及びｐ型の電極１１０が順次
積層されて形成されている。The red semiconductor laser 103 is an n-type GaAs
An n-type AlGaInP cladding layer 106, an active layer 107, and a p-type AlGa
A cladding layer 108 made of InP, a current blocking layer 109 made of n-type GaAs, and a p-type electrode 110 are sequentially laminated.
【０００７】一方、赤外半導体レーザ１０４において
は、基板１０２上に、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなるクラ
ッド層１１１、活性層１１２、ｐ型のＡｌＧａＡｓから
なるクラッド層１１３、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなる電
流ブロック層１１４及びｐ型の電極１１５が順次積層さ
れて形成されている。On the other hand, in the infrared semiconductor laser 104, a cladding layer 111 made of n-type AlGaAs, an active layer 112, a cladding layer 113 made of p-type AlGaAs, and a current block made of n-type AlGaAs are formed on a substrate 102. The layer 114 and the p-type electrode 115 are sequentially laminated.
【０００８】また、基板１０２の半導体レーザが形成さ
れていない側の面には、ｎ型の電極１１６が形成されて
いる。An n-type electrode 116 is formed on the surface of the substrate 102 on which the semiconductor laser is not formed.
【０００９】以上のような２波長の半導体レーザ装置１
０１は、赤色半導体レーザ１０３のチップ幅Ｗと赤外半
導体レーザ１０４のチップ幅Ｗが同じになるように、分
離溝１０５が設けられている。分離溝１０５により、同
一基板上に結晶成長により形成した赤色半導体レーザ部
分と赤外半導体レーザ部分とがエッチングにより電気的
に分離している。The above-described two-wavelength semiconductor laser device 1
In No. 01, a separation groove 105 is provided so that the chip width W of the red semiconductor laser 103 and the chip width W of the infrared semiconductor laser 104 are the same. Due to the separation groove 105, a red semiconductor laser portion and an infrared semiconductor laser portion formed by crystal growth on the same substrate are electrically separated by etching.
【００１０】また、図６（ｂ）に示すように、赤色半導
体レーザ１０３及び赤外半導体レーザ１０４のそれぞれ
に対応した放熱材であるヒートシンク１１７、１１８の
上にジャンクションダウンで実装することでそれぞれの
半導体レーザの独立駆動を可能としている。Further, as shown in FIG. 6B, each of the red semiconductor laser 103 and the infrared semiconductor laser 104 is mounted junction-down on heat sinks 117 and 118 which are heat radiation materials corresponding to the respective semiconductor lasers. The semiconductor laser can be driven independently.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に半導
体レーザは、温度上昇に伴って光出力が低下するという
特性を有する。従って、半導体レーザの駆動時における
半導体レーザ自身が発生する熱を十分に放熱させる必要
があるため、熱伝導率の高いヒートシンクにジャンクシ
ョンダウンで実装される。その際、ヒートシンクに接し
ている半導体レーザの面積が大きいほど放熱が良くなる
ことは明らかであるが、２波長の半導体レーザ装置の場
合、２つの半導体レーザを単に接触して並べたのでは、
２つの半導体レーザが電気的に接続されてしまうため、
２つの半導体レーザの間には、分離溝を設ける必要があ
る。しかし、２つの半導体レーザを並べたものと同じ寸
法の２波長の半導体レーザ装置を作製すると、その分離
溝により放熱する面積が低減し、放熱の効率が低下して
しまうという問題があった。Generally, a semiconductor laser has a characteristic that an optical output decreases with an increase in temperature. Therefore, since it is necessary to sufficiently radiate the heat generated by the semiconductor laser itself when the semiconductor laser is driven, the semiconductor laser is mounted on a heat sink having a high thermal conductivity in a junction-down manner. At this time, it is clear that the larger the area of the semiconductor laser in contact with the heat sink, the better the heat radiation. However, in the case of a two-wavelength semiconductor laser device, if two semiconductor lasers are simply arranged in contact with each other,
Because two semiconductor lasers are electrically connected,
It is necessary to provide a separation groove between the two semiconductor lasers. However, when a two-wavelength semiconductor laser device having the same size as that of two semiconductor lasers is manufactured, there is a problem that the heat radiation area is reduced due to the separation groove, and the heat radiation efficiency is reduced.
【００１２】また、放熱を良くしようと各々の半導体レ
ーザの面積を大きくしてしまうと、小型化が可能である
という２波長の半導体レーザ装置の特徴が失われてしま
う。If the area of each semiconductor laser is increased in order to improve heat radiation, the feature of a two-wavelength semiconductor laser device that can be reduced in size is lost.
【００１３】特に、この分離溝を設けて放熱面積を小さ
くすることによる放熱効率の低下は、赤色半導体レーザ
のように半導体材料の熱伝導率が小さい場合などは深刻
である。In particular, the reduction of the heat radiation efficiency due to the provision of the separation groove to reduce the heat radiation area is serious when the thermal conductivity of the semiconductor material is small as in a red semiconductor laser.
【００１４】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、分離溝の形成位置を工夫し、集積され
た複数の半導体レーザの他の装置との電気的接続部分で
ある接続面積を互いに変えることで、低コスト、小型で
かつ放熱の良い２波長の半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the position of a separation groove is devised so that a plurality of integrated semiconductor lasers have a connection area which is an electrical connection portion with another device. It is an object of the present invention to provide a two-wavelength semiconductor laser device that is low in cost, small in size, and has good heat radiation by changing each other.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の半導
体レーザ装置は、半導体層で構成される第１の半導体レ
ーザと第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置
であって、前記第１の半導体レーザが他の装置と接続さ
れる第１部位を有し、前記第２の半導体レーザが他の装
置と接続される第２部位を有し、前記第１部位と他の装
置とが接続する接続面積をＳ１、前記第２部位と他の装
置とが接続する接続面積をＳ２、前記第１の半導体レー
ザの熱伝導率をκ１、前記第２の半導体レーザの熱伝導
率をκ２とすると、κ１≦κ２、かつ、Ｓ１＞Ｓ２の関
係が成立することを特徴とするものである。A first semiconductor laser device according to the present invention is a semiconductor laser device having a first semiconductor laser and a second semiconductor laser each composed of a semiconductor layer, One semiconductor laser has a first portion connected to another device, the second semiconductor laser has a second portion connected to another device, and the first portion and another device are connected to each other. The connection area for connection is S1, the connection area for connection between the second portion and another device is S2, the thermal conductivity of the first semiconductor laser is κ1, and the thermal conductivity of the second semiconductor laser is κ2. Then, the relationship of κ1 ≦ κ2 and S1> S2 is established.
【００１６】第１の半導体レーザ装置では、熱伝導率が
小さい材料で構成されている方の半導体レーザの部位の
接続面積を熱伝導率が大きい材料で構成されている方の
半導体レーザの部位よりも大きくすることで、半導体レ
ーザ装置全体の大きさを大きくすることなく、集積され
た２つの半導体レーザとも十分に放熱することができ
る。In the first semiconductor laser device, the connection area of the portion of the semiconductor laser made of a material having a small thermal conductivity is made larger than that of the semiconductor laser made of the material having a high thermal conductivity. By increasing the size of the semiconductor laser device, it is possible to sufficiently radiate heat from both of the two integrated semiconductor lasers without increasing the size of the entire semiconductor laser device.
【００１７】本発明に係る第２の半導体レーザ装置は、
半導体層で構成される第１の半導体レーザと第２の半導
体レーザとを有する半導体レーザ装置であって、前記第
１の半導体レーザが他の装置と接続される第１部位を有
し、前記第２の半導体レーザが他の装置と接続される第
２部位を有し、前記第１部位と他の装置とが接続する接
続面積をＳ３、前記第２部位と他の装置とが接続する接
続面積をＳ４、ある電流値に対する前記第１の半導体レ
ーザの光出力値をＰ１、前記電流値に対する前記第２の
半導体レーザの光出力値をＰ２とすると、Ｐ１≧Ｐ２、
かつ、Ｓ３＞Ｓ４の関係が成立することを特徴とするも
のである。A second semiconductor laser device according to the present invention comprises:
A semiconductor laser device including a first semiconductor laser and a second semiconductor laser each including a semiconductor layer, wherein the first semiconductor laser has a first portion connected to another device, The second semiconductor laser has a second portion connected to another device, the connection area where the first portion is connected to another device is S3, and the connection area where the second portion is connected to another device is S3. Let S4 be the optical output value of the first semiconductor laser for a certain current value, and P2 the optical output value of the second semiconductor laser for the current value, P1 ≧ P2,
In addition, the relationship of S3> S4 is established.
【００１８】第２の半導体レーザ装置では、ある電流値
に対して動作電流が大きい方の半導体レーザの部位の面
積を動作電流の小さい方の半導体レーザの部位の接続面
積よりも大きくすることで、集積された２つの半導体レ
ーザとも十分に放熱させることができる。In the second semiconductor laser device, the area of the portion of the semiconductor laser having the larger operating current for a certain current value is made larger than the connection area of the portion of the semiconductor laser having the smaller operating current. Both of the two integrated semiconductor lasers can sufficiently dissipate heat.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体レーザ装置
における実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the semiconductor laser device of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２０】（第１の実施形態）以下、第１の実施形態
に係る半導体レーザ装置について、図１を参照しながら
説明する。なお、図１は、第１の実施形態に係る半導体
レーザ装置１の外観斜視図である。(First Embodiment) A semiconductor laser device according to a first embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is an external perspective view of the semiconductor laser device 1 according to the first embodiment.
【００２１】図１に示すように、同じｎ型のＧａＡｓか
らなる基板２上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａ
ＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ（第１の半導体
レーザ）３と発振波長が７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ系材料
からなる赤外半導体レーザ（第２の半導体レーザ）４と
が形成されている。赤色半導体レーザ３と赤外半導体レ
ーザ４とは分離溝５を介して形成されている。As shown in FIG. 1, on a substrate 2 made of the same n-type GaAs, an AlGa having an oscillation wavelength of 650 nm band is formed.
A red semiconductor laser (first semiconductor laser) 3 made of an InP material and an infrared semiconductor laser (second semiconductor laser) 4 made of a GaAs material having an oscillation wavelength of 780 nm are formed. The red semiconductor laser 3 and the infrared semiconductor laser 4 are formed via a separation groove 5.
【００２２】赤色半導体レーザ３は、ｎ型のＧａＡｓか
らなる基板２上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラ
ッド層６、ＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎＰからなる多重
量子井戸構造の活性層７及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰから
なるクラッド層８が順次積層されて形成されている。ま
た、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層８中には
ストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌ
ＩｎＰからなる電流ブロック層９が設けられ、活性層７
に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。The red semiconductor laser 3 comprises an n-type GaAs substrate 2, a n-type AlGaInP cladding layer 6, an active layer 7 having a multiple quantum well structure of AlGaInP and GaInP, and a p-type AlGaInP. The cladding layers 8 are formed by being sequentially laminated. Also, in the cladding layer 8 made of p-type AlGaInP, n-type AlGaInP is formed so that a stripe-shaped current path is formed.
A current blocking layer 9 made of InP is provided.
A structure for narrowing the current injected into the semiconductor device is formed.
【００２３】一方、赤外半導体レーザ４は、基板２上
に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０、ＡｌＧ
ａＡｓ及びＧａＡｓからなる多重量子井戸構造の活性層
１１、及びｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２
が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧ
ａＡｓからなるクラッド層１２中にはストライプ状の電
流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＧａＡｓからなる
電流ブロック層１３が設けられ、活性層１１に注入され
る電流を狭窄する構造が形成されている。On the other hand, the infrared semiconductor laser 4 has a cladding layer 10 made of n-type AlGaAs,
Active layer 11 having a multiple quantum well structure composed of aAs and GaAs, and cladding layer 12 composed of p-type AlGaAs
Are sequentially laminated. Also, p-type AlG
A current blocking layer 13 made of n-type AlGaAs is provided in the cladding layer 12 made of aAs so as to form a stripe-shaped current path, and a structure for narrowing a current injected into the active layer 11 is formed. I have.
【００２４】また、基板１における赤色半導体レーザ３
及び赤外半導体レーザ４が形成されていない側の面に
は、ＡｕＧｅ／Ｎｉからなるｎ型の電極１４が形成され
ている。さらに、赤色半導体レーザ３のクラッド層８の
上には、ｐ型の電極１５が形成され、赤外半導体レーザ
４のクラッド層１２の上には、ｐ型の電極１６が形成さ
れている。ｐ型の電極１５、１６は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ
からなる。The red semiconductor laser 3 on the substrate 1
An n-type electrode 14 made of AuGe / Ni is formed on the surface on which the infrared semiconductor laser 4 is not formed. Further, a p-type electrode 15 is formed on the cladding layer 8 of the red semiconductor laser 3, and a p-type electrode 16 is formed on the cladding layer 12 of the infrared semiconductor laser 4. The p-type electrodes 15 and 16 are made of Cr / Pt / Au
Consists of
【００２５】また、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体
レーザ４の各半導体層におけるＡｌ組成及び膜厚を表１
に示す。なお、赤色半導体レーザ３では（ＡｌXＧ
ａ1-X）0.5Ｉｎ0.5ＰのＡｌ組成、赤外半導体レーザ４
ではＡｌXＧａ1-XのＡｌ組成を示している。Table 1 shows the Al composition and film thickness of each semiconductor layer of the red semiconductor laser 3 and the infrared semiconductor laser 4.
Shown in In the red semiconductor laser 3, (Al X G
a 1-X ) 0.5 In 0.5 P Al composition, infrared semiconductor laser 4
Shows the Al composition of Al X Ga 1 -X .
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】次に、上述のように構成された半導体レー
ザ装置１をジャンクションダウンにより放熱材であるヒ
ートシンクに実装した場合の放熱について説明する。こ
のとき、第１部位となる赤色半導体レーザ３のｐ型の電
極１５及び第２部位となる赤外半導体レーザ４のｐ型の
電極１６のそれぞれがヒートシンク（放熱材）に接続さ
れる。Next, heat radiation when the semiconductor laser device 1 configured as described above is mounted on a heat sink as a heat radiating material by junction down will be described. At this time, each of the p-type electrode 15 of the red semiconductor laser 3 serving as the first portion and the p-type electrode 16 of the infrared semiconductor laser 4 serving as the second portion is connected to a heat sink (radiator).
【００２８】ここで、第１部位及び第２部位とは、半導
体レーザ装置とヒートシンクあるいは半導体レーザが接
続されるその他の装置（以下、「ヒートシンク等」とい
う）とを接続するときにおける両半導体レーザのヒート
シンク等と接続される部分のことをいう。第１の実施形
態における部位は、前述のように、電極１５（第１部
位）及び電極１６（第２部位）をいう。Here, the first portion and the second portion are defined as the two portions of the semiconductor laser device when the semiconductor laser device is connected to a heat sink or another device to which the semiconductor laser is connected (hereinafter referred to as "heat sink or the like"). Refers to a portion connected to a heat sink or the like. The parts in the first embodiment refer to the electrodes 15 (first parts) and the electrodes 16 (second parts) as described above.
【００２９】また、部位とは、各半導体レーザから発生
する熱を半導体レーザの外部に放熱する部分をいい、接
続面積とは、その部位とヒートシンク等とが接続されて
接触する実質的な接触面積のことをいう。赤色半導体レ
ーザ３から発生する熱を放熱する電極１５の接続面積Ｓ
１は、赤色半導体レーザ３における共振器長をＬ１、チ
ップ幅をＷ１とするとＬ１とＷ１の積で表される。さら
に、赤外半導体レーザ４から発生する熱を放熱する電極
１６の接続面積Ｓ２は、赤外半導体レーザ４における共
振器長をＬ２、チップ幅をＷ２とするとＬ２とＷ２の積
で表される。The term "part" refers to a part for radiating heat generated from each semiconductor laser to the outside of the semiconductor laser, and the term "connection area" refers to a substantial contact area where the part is connected to a heat sink or the like. Means Connection area S of electrode 15 for radiating heat generated from red semiconductor laser 3
1 is represented by the product of L1 and W1, where L1 is the resonator length of the red semiconductor laser 3 and W1 is the chip width. Furthermore, the connection area S2 of the electrode 16 that radiates heat generated from the infrared semiconductor laser 4 is represented by the product of L2 and W2, where L2 is the resonator length and W2 is the chip width.
【００３０】なお、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体
レーザ４の各々の接続面積の大きさは、赤色半導体レー
ザ３及び赤外半導体レーザ４の間の分離溝５の形成位置
を変えることで決定される。The size of the connection area between the red semiconductor laser 3 and the infrared semiconductor laser 4 is determined by changing the position of the separation groove 5 between the red semiconductor laser 3 and the infrared semiconductor laser 4. You.
【００３１】また、赤色半導体レーザ３の熱抵抗をＲ
th1、赤外半導体レーザ４の熱抵抗をＲth2とする。一般
的に、薄膜材料の熱抵抗Ｒthは材料の熱伝導率をκ、膜
厚をｄ、面積をＳとすると、Ｒth=（１／κ）×（ｄ／
Ｓ）と定義され、特に半導体レーザの場合には、主な発
熱源である活性層からヒートシンクまでの各層の熱抵抗
の和で近似される。なお、赤色半導体レーザ３における
熱抵抗Ｒth1、Ｓ１、膜厚の和ｄ１から求められる赤色
半導体レーザ３の熱伝導率κ１は、赤外半導体レーザ３
の各半導体層の熱伝導率の平均値であり、実質的な赤色
半導体レーザ３の熱伝導率である。同様に、赤外半導体
レーザ４における熱抵抗Ｒth2、Ｓ２、膜厚の和ｄ２か
ら求められる赤外半導体レーザ４の熱伝導率κ２は、赤
外半導体レーザ４の各半導体層の熱伝導率の平均値であ
り、実質的な赤外半導体レーザ４の熱伝導率である。The thermal resistance of the red semiconductor laser 3 is represented by R
th1 and the thermal resistance of the infrared semiconductor laser 4 is Rth2 . In general, the thermal resistance R th of a thin film material is R th = (1 / κ) × (d /, where κ is the thermal conductivity of the material, d is the film thickness, and S is the area.
S), and particularly in the case of a semiconductor laser, is approximated by the sum of the thermal resistance of each layer from the active layer, which is the main heat source, to the heat sink. The thermal conductivity κ1 of the red semiconductor laser 3 obtained from the thermal resistance R th1 , S1 and the sum d1 of the film thickness of the red semiconductor laser 3 is the infrared semiconductor laser 3
Is the average value of the thermal conductivity of each semiconductor layer, and is substantially the thermal conductivity of the red semiconductor laser 3. Similarly, the thermal conductivity κ2 of the infrared semiconductor laser 4 obtained from the thermal resistance R th2 , S2 and the sum d2 of the film thickness of the infrared semiconductor laser 4 is the thermal conductivity κ2 of each semiconductor layer of the infrared semiconductor laser 4. This is the average value, which is the substantial thermal conductivity of the infrared semiconductor laser 4.
【００３２】このときの各半導体レーザの接続面積Ｓ
１、Ｓ２と熱抵抗Ｒth1、Ｒth2の関係を図２に示す。な
お、横軸は赤色半導体レーザ３の接続面積Ｓ１と赤色及
び赤外半導体レーザ３、４の接続面積の和（Ｓ１＋Ｓ
２）との面積比である。At this time, the connection area S of each semiconductor laser
FIG. 2 shows the relationship between S1 and S2 and the thermal resistances Rth1 , Rth2 . The horizontal axis is the sum of the connection area S1 of the red semiconductor laser 3 and the connection area of the red and infrared semiconductor lasers 3 and 4 (S1 + S
2) area ratio.
【００３３】図２において、面積比が０．５、即ちＳ１
＝Ｓ２の場合、赤色半導体レーザ３の熱抵抗Ｒth1の値
はＡ点で示され、赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2の
値はＢ点で示される。この場合、Ｒth1＞Ｒth2となって
いるが、これは赤色半導体レーザ３を構成するＡｌＧａ
ＩｎＰ系の材料の熱伝導率（例えば、ＧａＩｎＰの熱伝
導率は０．０５３Ｗ／Ｋｃｍである）が、赤外半導体レ
ーザ４を構成するＧａＡｓ系の材料の熱伝導率（例え
ば、ＧａＡｓの熱伝導率は０．４８Ｗ／Ｋｃｍ）よりも
小さいためである。従って、Ｓ１＝Ｓ２となるように分
離溝５を形成した場合、赤色半導体レーザ３の熱抵抗が
大きくなるので、駆動時の発熱を十分に放熱できず光出
力が低下してしまうことになる。In FIG. 2, the area ratio is 0.5, ie, S1
In the case of = S2, the value of the thermal resistance R th1 of the red semiconductor laser 3 is indicated by point A, and the value of the thermal resistance R th2 of the infrared semiconductor laser 4 is indicated by point B. In this case, R th1 > R th2 , but this is due to AlGa constituting the red semiconductor laser 3.
The thermal conductivity of the InP-based material (for example, the thermal conductivity of GaInP is 0.053 W / Kcm) is different from the thermal conductivity of the GaAs-based material constituting the infrared semiconductor laser 4 (for example, the thermal conductivity of GaAs). This is because the rate is smaller than 0.48 W / Kcm). Therefore, when the separation groove 5 is formed so that S1 = S2, the thermal resistance of the red semiconductor laser 3 increases, so that heat generated during driving cannot be sufficiently dissipated, and the light output decreases.
【００３４】図２に示すように、赤色半導体レーザ３の
熱抵抗Ｒth1を小さくするためには、面積比を大きく
（Ｓ１＞Ｓ２）すればよい。この場合、逆に赤外半導体
レーザ４の熱抵抗Ｒth2は大きくなってしまうが、赤外
半導体レーザ４の熱抵抗は元々小さいので、赤外半導体
レーザ４の熱抵抗Ｒth2があまり大きくならない範囲で
熱抵抗Ｒth2を選べばよい。例えば図２におけるＣ点
（Ｒth1＝Ｒth2）はそのような場合の一例である。Ｃ点
における各半導体レーザの接続面積を選択することによ
り、赤色半導体レーザ３の熱抵抗を赤外半導体レーザ４
の熱抵抗と同程度まで低減でき、十分な放熱特性を実現
できる。As shown in FIG. 2, in order to reduce the thermal resistance R th1 of the red semiconductor laser 3, the area ratio may be increased (S1> S2). In this case, on the contrary, the thermal resistance R th2 of the infrared semiconductor laser 4 becomes large, but since the thermal resistance of the infrared semiconductor laser 4 is originally small, the thermal resistance R th2 of the infrared semiconductor laser 4 is not so large. Then, the thermal resistance R th2 may be selected. For example, point C (R th1 = R th2 ) in FIG. 2 is an example of such a case. By selecting the connection area of each semiconductor laser at the point C, the thermal resistance of the red semiconductor laser 3 is reduced.
Can be reduced to about the same as the thermal resistance of the above, and sufficient heat radiation characteristics can be realized.
【００３５】なお、図２に示すように、面積比は、０．
５から０．８の範囲となるようにすれば、従来における
半導体レーザ装置（面積比をＳ１＝Ｓ２とした場合）よ
りも優れた効果が現れていることが分かる。Note that, as shown in FIG.
It can be seen that an effect superior to that of the conventional semiconductor laser device (when the area ratio is set to S1 = S2) appears when the ratio is set in the range of 5 to 0.8.
【００３６】次に、ｐ型の電極１５あるいは電極１６の
厚さと熱抵抗の関係について、図３を用いて説明する。
図３は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型の電極の厚さと
熱抵抗の関係を示す図である。Next, the relationship between the thickness of the p-type electrode 15 or the electrode 16 and the thermal resistance will be described with reference to FIG.
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the thickness of the p-type electrode made of Cr / Pt / Au and the thermal resistance.
【００３７】図３に示すように、電極の厚さが約１μｍ
より厚い領域では、前述の熱抵抗の定義Ｒth=（１／
κ）×（ｄ／Ｓ）により決まるように、電極の厚さｄに
比例して熱抵抗が大きくなっていることがわかる。しか
し、電極の主要材料であるＡｕの熱伝導率（３．２Ｗ／
Ｋｃｍ） は、半導体層の材料に比べて１桁以上大きい
ので電極の厚さの増加による熱抵抗の増加は全体の熱抵
抗に比して小さく無視できる。ところが図３に示すよう
に、電極の厚さが約１μｍより薄くなってくると、放熱
効果の大きい（熱伝導率の大きい）金属電極による放熱
が十分行われなくなるので、熱抵抗としては逆に大きく
なり無視できなくなってくる。従って、電極の厚さとし
ては約１μｍ以上が望ましい。As shown in FIG. 3, the thickness of the electrode is about 1 μm.
In the thicker region, the above-described definition of the thermal resistance R th = ( 1/1)
It can be seen that the thermal resistance increases in proportion to the electrode thickness d as determined by κ) × (d / S). However, the thermal conductivity of Au, the main material of the electrode (3.2 W /
Kcm) is at least one order of magnitude greater than the material of the semiconductor layer, so that the increase in thermal resistance due to the increase in electrode thickness is negligible compared to the overall thermal resistance. However, as shown in FIG. 3, when the thickness of the electrode becomes thinner than about 1 μm, the heat radiation by the metal electrode having a large heat radiation effect (high heat conductivity) cannot be sufficiently performed. It grows larger and cannot be ignored. Therefore, the thickness of the electrode is desirably about 1 μm or more.
【００３８】以上より、熱伝導率が小さい赤色半導体レ
ーザ３の接続面積Ｓ１を、赤外半導体レーザ４の接続面
積Ｓ２よりも大きくするように分離溝５の形成位置を変
えることにより、半導体レーザ装置１の大きさを大きく
することなく熱抵抗による弊害を改善し、熱伝導率の良
い赤外半導体レーザ４と同程度の放熱特性を有する２波
長の半導体レーザ装置を実現することができる。As described above, the position of the separation groove 5 is changed so that the connection area S1 of the red semiconductor laser 3 having a small thermal conductivity is larger than the connection area S2 of the infrared semiconductor laser 4, so that the semiconductor laser device It is possible to improve the adverse effect due to the thermal resistance without increasing the size of 1 and realize a two-wavelength semiconductor laser device having the same heat radiation characteristics as the infrared semiconductor laser 4 having good thermal conductivity.
【００３９】また、第１の実施形態において部位となる
ｐ型の電極１５、１６の厚さを１μｍ以上とすることで
熱抵抗の増加を防ぎ、低熱抵抗特性を維持することがで
きるという利点がある。Further, by setting the thickness of the p-type electrodes 15 and 16 serving as portions in the first embodiment to 1 μm or more, it is possible to prevent an increase in thermal resistance and maintain low thermal resistance characteristics. is there.
【００４０】（第２の実施形態）以下、第２の実施形態
に係る半導体レーザ装置について、図４を参照しながら
説明する。なお、図４は、第２の実施形態に係る半導体
レーザ装置１７の外観斜視図である。(Second Embodiment) A semiconductor laser device according to a second embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 4 is an external perspective view of the semiconductor laser device 17 according to the second embodiment.
【００４１】第２の実施形態では、同じｎ型のＧａＡｓ
からなる基板１８上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌ
ＧａＩｎＰ系材料からなる高出力の赤色半導体レーザ
（第１の半導体レーザ）１９及び低出力の赤色半導体レ
ーザ（第２の半導体レーザ）２０が分離溝２１を介して
形成されている。In the second embodiment, the same n-type GaAs
On a substrate 18 made of Al having an oscillation wavelength of 650 nm band.
A high-output red semiconductor laser (first semiconductor laser) 19 and a low-output red semiconductor laser (second semiconductor laser) 20 made of a GaInP-based material are formed via a separation groove 21.
【００４２】高出力の赤色半導体レーザ１９は、ｎ型の
ＧａＡｓからなる基板１８上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ
からなるクラッド層２２、ＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎ
Ｐからなる多重量子井戸構造の活性層２３及びｐ型のＡ
ｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２４が順次積層されて
形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなる
クラッド層２４中にはストライプ状の電流経路が形成さ
れるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層２
５が設けられ、活性層２３に注入される電流を狭窄する
構造が形成されている。A high-output red semiconductor laser 19 is provided on an n-type GaAs substrate 18 on an n-type AlGaInP.
Layer 22 made of AlGaInP and GaIn
An active layer 23 having a multiple quantum well structure composed of P and a p-type A
The cladding layers 24 made of lGaInP are sequentially laminated. The current blocking layer 2 made of n-type AlInP is formed in the cladding layer 24 made of p-type AlGaInP so that a stripe-shaped current path is formed.
5 is provided, and a structure for narrowing the current injected into the active layer 23 is formed.
【００４３】一方、低出力の赤色半導体レーザ２０は、
基板１８上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド
層２６、ＡｌＧａＩｎＰからなるバルク活性層２７及び
ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２８が順次積
層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ
からなるクラッド層２８中にはストライプ状の電流経路
が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロ
ック層２９が設けられ、バルク活性層２７に注入される
電流を狭窄する構造が形成されている。On the other hand, the low output red semiconductor laser 20
On a substrate 18, a cladding layer 26 made of n-type AlGaInP, a bulk active layer 27 made of AlGaInP, and a cladding layer 28 made of p-type AlGaInP are formed in this order. Also, p-type AlGaInP
A current block layer 29 made of n-type AlInP is provided in the clad layer 28 made of Al such that a stripe-shaped current path is formed. I have.
【００４４】また、基板１８における赤色半導体レーザ
１９、２０が形成されていない側の面には、ＡｕＧｅ／
Ｎｉからなるｎ型の電極３０が形成されている。さら
に、高出力の赤色半導体レーザ１９のクラッド２４の上
には、第１部位であるｐ型の電極３１が形成され、低出
力の赤色半導体レーザ２０のクラッド層２８の上には、
第２部位であるｐ型の電極３２が形成されている。ｐ型
の電極３１、３２は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなる。On the surface of the substrate 18 on which the red semiconductor lasers 19 and 20 are not formed, AuGe /
An n-type electrode 30 made of Ni is formed. Further, a p-type electrode 31 as a first portion is formed on the cladding 24 of the high-output red semiconductor laser 19, and on the cladding layer 28 of the low-output red semiconductor laser 20,
A p-type electrode 32 as a second portion is formed. The p-type electrodes 31, 32 are made of Cr / Pt / Au.
【００４５】ここで、第１部位及び第２部位とは、半導
体レーザ装置とヒートシンク等とを接続するときにおけ
る両半導体レーザのヒートシンク等と接続される部分の
ことをいう。第２の実施形態における部位は、電極３１
（第１部位）及び電極３２（第２部位）をいう。Here, the first portion and the second portion refer to portions connected to the heat sinks and the like of both semiconductor lasers when connecting the semiconductor laser device to the heat sink and the like. The part in the second embodiment is the electrode 31
(First part) and the electrode 32 (second part).
【００４６】また、第２の実施形態に係る高出力の赤色
半導体レーザ１９から発生する熱を放熱する電極３１の
接続面積Ｓ３は、赤色半導体レーザ１９における共振器
長をＬ３、チップ幅をＷ４とするとＬ３とＷ４の積で表
される。さらに、低出力の赤色半導体レーザ２０から発
生する熱を放熱する電極３２の接続面積Ｓ４は、赤色半
導体レーザ２０における共振器長をＬ４、チップ幅をＷ
４とするとＬ４とＷ４の積で表される。The connection area S3 of the electrode 31 for radiating heat generated from the high-output red semiconductor laser 19 according to the second embodiment is such that the resonator length of the red semiconductor laser 19 is L3 and the chip width is W4. Then, it is represented by the product of L3 and W4. Further, the connection area S4 of the electrode 32 for radiating heat generated from the low-power red semiconductor laser 20 is such that the resonator length of the red semiconductor laser 20 is L4 and the chip width is W.
If it is 4, it is represented by the product of L4 and W4.
【００４７】なお、高出力の赤色半導体レーザ１９及び
低出力の赤色半導体レーザ２０の各々の接続面積の大き
さは、赤色半導体レーザ１９及び赤色半導体レーザ２０
の間の分離溝２１の形成位置を変えることで決定され
る。The size of the connection area of each of the high-output red semiconductor laser 19 and the low-output red semiconductor laser 20 depends on the size of the red semiconductor laser 19 and the red semiconductor laser 20.
Is determined by changing the position at which the separation groove 21 is formed.
【００４８】次に、第２の実施形態に係る半導体レーザ
装置１７の動作について図５を参照しながら説明する。
図５は、高出力の赤色半導体レーザ１９及び低出力の赤
色半導体レーザ２０の光出力―電流特性を示す図であ
る。Next, the operation of the semiconductor laser device 17 according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 5 is a diagram showing the light output-current characteristics of the high-output red semiconductor laser 19 and the low-output red semiconductor laser 20.
【００４９】バルク活性層を有する低出力の赤色半導体
レーザ２０の電流の閾値は３０ｍＡであり、光出力が約
９ｍＷ程度で熱飽和している。この低出力の赤色半導体
レーザ２０は、光ディスクシステムの読み出し用に用い
られ、通常５ｍＷの光出力で用いられる。図５に示すよ
うに、光出力が５ｍＷのときの動作電流は５０ｍＡであ
る。The current threshold of the low-power red semiconductor laser 20 having a bulk active layer is 30 mA, and the light output is about 9 mW and is thermally saturated. The low-output red semiconductor laser 20 is used for reading out an optical disk system, and is usually used with an optical output of 5 mW. As shown in FIG. 5, when the light output is 5 mW, the operating current is 50 mA.
【００５０】一方、多重量子井戸活性層を有する高出力
の赤色半導体レーザ１９の電流の閾値は２０ｍＡであ
り、３０ｍＷ以上の高い光出力を得ることができる。こ
の高出力の赤色半導体レーザ２０は、光ディスクシステ
ムの書き込み用に用いられ、通常３５ｍＷの光出力で用
いられる。図５に示すように、光出力が３５ｍＷのとき
の動作電流は５８ｍＡである。On the other hand, the threshold value of the current of the high-output red semiconductor laser 19 having the multiple quantum well active layer is 20 mA, and a high optical output of 30 mW or more can be obtained. This high-output red semiconductor laser 20 is used for writing in an optical disk system, and is usually used with an optical output of 35 mW. As shown in FIG. 5, when the light output is 35 mW, the operating current is 58 mA.
【００５１】以上のように、ある電流値に対する高出力
の赤色半導体レーザ１９の光出力の値（光出力値）Ｐ１
とその電流値に対する低出力の赤色半導体レーザ２０の
光出力値Ｐ２を比べると、高出力半導体レーザ１９の方
がその光出力値が大きい（Ｐ１＞Ｐ）ことがわかる。ま
た、高出力の赤色半導体レーザ１９の方が低出力の赤色
半導体レーザ２０よりも動作電流は大きくなる。As described above, the light output value (light output value) P1 of the high-output red semiconductor laser 19 with respect to a certain current value
When comparing the light output value P2 of the low-output red semiconductor laser 20 with respect to the current value, the light output value of the high-output semiconductor laser 19 is larger (P1> P). The operating current of the high-output red semiconductor laser 19 is larger than that of the low-output red semiconductor laser 20.
【００５２】従って、高出力の赤色半導体レーザ１９の
方が低出力の赤色半導体レーザ２０よりも発熱が大きく
なるので、高出力の赤色半導体レーザ１９の接続面積Ｓ
３よりも低出力の半導体レーザ２０の接続面積Ｓ４を大
きくする（Ｓ３＞Ｓ４）ような位置に分離溝２１を形成
する。Accordingly, since the high-output red semiconductor laser 19 generates more heat than the low-output red semiconductor laser 20, the connection area S of the high-output red semiconductor laser 19 is increased.
The separation groove 21 is formed at a position where the connection area S4 of the semiconductor laser 20 having a lower output than that of S3 is increased (S3> S4).
【００５３】このように、分離溝２１の形成位置を変え
て２つの半導体レーザの接続面積の大きさを変えること
により、半導体レーザ装置１７の大きさを大きくするこ
となく、高出力の赤色半導体レーザ１９の方の熱抵抗を
下げることができ、高出力の赤色半導体レーザ１９の放
熱特性は、低出力の赤色半導体レーザ２０の放熱特性よ
りも良くすることが可能となる。As described above, by changing the formation area of the separation groove 21 and changing the size of the connection area between the two semiconductor lasers, it is possible to increase the size of the semiconductor laser device 17 without increasing the size of the semiconductor laser device 17. The heat resistance of the high-output red semiconductor laser 19 can be made better than that of the low-output red semiconductor laser 20.
【００５４】なお、第２の実施形態では、赤色半導体レ
ーザにおける高出力用半導体レーザと低出力用半導体レ
ーザについて説明したが、赤色半導体レーザに限らず、
赤外半導体レーザ、青紫色半導体レーザ等のその他の半
導体レーザにおける高出力用、低出力用の半導体レーザ
にも応用できる。In the second embodiment, the high-power semiconductor laser and the low-power semiconductor laser in the red semiconductor laser have been described. However, the present invention is not limited to the red semiconductor laser.
The present invention can be applied to high-output and low-output semiconductor lasers of other semiconductor lasers such as an infrared semiconductor laser and a blue-violet semiconductor laser.
【００５５】また、第１の実施形態と同様に、部位とな
るｐ型の電極３１、３２の厚さを１μｍ以上とすること
で熱抵抗の増加を防ぎ、低熱抵抗特性を維持することが
できるという利点がある。Further, similarly to the first embodiment, by setting the thickness of the p-type electrodes 31 and 32 as portions to 1 μm or more, an increase in thermal resistance can be prevented and low thermal resistance characteristics can be maintained. There is an advantage.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、熱伝導率
がκ１の半導体材料で構成された第１の半導体レーザの
接続面積Ｓ１が、熱伝導率がκ１よりも大きい熱伝導率
κ２の半導体材料で構成された第２の半導体レーザの接
続面積Ｓ２より大きくすることで、半導体レーザ装置全
体の放熱性を良くすることができる。従って、一方の半
導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣化す
ることを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装置を
実現することができる。As described above, according to the present invention, the connection area S1 of the first semiconductor laser made of a semiconductor material having a thermal conductivity of κ1 is equal to the thermal conductivity κ2 of which the thermal conductivity is larger than κ1. By making the connection area S2 larger than the connection area S2 of the second semiconductor laser made of the semiconductor material described above, the heat radiation of the entire semiconductor laser device can be improved. Therefore, it is possible to prevent one semiconductor laser from deteriorating faster than the other semiconductor laser, and to realize a semiconductor laser device having a long life.
【００５７】また、動作電流が大きくなる高出力の半導
体レーザの接続面積Ｓ３が、低出力の半導体レーザの接
続面積Ｓ４よりも大きくすることでも、半導体レーザ装
置全体の放熱性を良くすることができる。従って、一方
の半導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣
化することを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装
置を実現することができる。Also, the heat dissipation of the entire semiconductor laser device can be improved by setting the connection area S3 of the high-power semiconductor laser at which the operating current is large to be larger than the connection area S4 of the low-output semiconductor laser. . Therefore, it is possible to prevent one semiconductor laser from deteriorating faster than the other semiconductor laser, and to realize a semiconductor laser device having a long life.
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装
置の外観斜視図FIG. 1 is an external perspective view of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】半導体レーザの放熱面の面積と熱抵抗との関係
を示す特性図FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between the area of a heat radiation surface of a semiconductor laser and thermal resistance.
【図３】ｐ型の電極の厚さと熱抵抗の関係を示す特性図FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between the thickness of a p-type electrode and thermal resistance.
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装
置の外観斜視図FIG. 4 is an external perspective view of a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】高出力の赤色半導体レーザ及び低出力の赤色半
導体レーザの光出力―電流特性を示す図FIG. 5 is a diagram showing light output-current characteristics of a high-output red semiconductor laser and a low-output red semiconductor laser.
【図６】（ａ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を
示す外観斜視図 （ｂ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を実装した
ときの外観斜視図FIG. 6A is an external perspective view showing a conventional two-wavelength semiconductor laser device, and FIG. 6B is an external perspective view when the conventional two-wavelength semiconductor laser device is mounted.
１、１７、１０１ 半導体レーザ装置 ２、１８、１０２ 基板 ３、１９、２０、１０３ 赤色半導体レーザ ４、１０４ 赤外半導体レーザ ５、２１、１０５ 分離溝 ６、８、１０、１２、２２、２４、２６、２８、１０
６、１０８、１１１、１１３ クラッド層 ７、１１、２３、１０７、１１２ 活性層 ９、１３、２５、２９、１０９、１１４ 電流ブロック
層 １４、１５、１６、３０、３１、３２、１１０、１１
５、１１６ 電極 ２７ バルク活性層 １１７、１１８ ヒートシンク1, 17, 101 Semiconductor laser device 2, 18, 102 Substrate 3, 19, 20, 103 Red semiconductor laser 4, 104 Infrared semiconductor laser 5, 21, 105 Separation groove 6, 8, 10, 12, 22, 24, 26, 28, 10
6, 108, 111, 113 Cladding layers 7, 11, 23, 107, 112 Active layers 9, 13, 25, 29, 109, 114 Current blocking layers 14, 15, 16, 30, 31, 32, 110, 11
5, 116 electrode 27 bulk active layer 117, 118 heat sink
Claims (10)
ザと第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置で
あって、 前記第１の半導体レーザが他の装置と接続される第１部
位を有し、 前記第２の半導体レーザが他の装置と接続される第２部
位を有し、 前記第１部位と他の装置とが接続する接続面積をＳ１、 前記第２部位と他の装置とが接続する接続面積をＳ２、 前記第１の半導体レーザの熱伝導率をκ１、 前記第２の半導体レーザの熱伝導率をκ２とすると、 κ１≦κ２、かつ、Ｓ１＞Ｓ２の関係が成立することを
特徴とする半導体レーザ装置。1. A semiconductor laser device having a first semiconductor laser and a second semiconductor laser each including a semiconductor layer, wherein a first portion where the first semiconductor laser is connected to another device is provided. The second semiconductor laser has a second portion connected to another device, and the connection area where the first portion is connected to another device is S1, and the second portion is connected to another device. If the connection area of the first semiconductor laser is S2, the thermal conductivity of the first semiconductor laser is κ1, and the thermal conductivity of the second semiconductor laser is κ2, a relationship of κ1 ≦ κ2 and S1> S2 is established. A semiconductor laser device characterized by the above-mentioned.
体層がＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料であり、前記第２の
半導体レーザを構成する半導体層がＡｌＧａＡｓ系半導
体材料であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
レーザ装置。2. The semiconductor layer forming the first semiconductor laser is made of an AlGaInP-based semiconductor material, and the semiconductor layer forming the second semiconductor laser is made of an AlGaAs-based semiconductor material. 3. The semiconductor laser device according to claim 1.
１の半導体レーザの共振器長とチップ幅の積であり、 前記第２部位の接続面積Ｓ２が、前記第２の半導体レー
ザの共振器長とチップ幅の積であることを特徴とする請
求項１に記載の半導体レーザ装置。3. A connection area S1 of the first portion is a product of a resonator length of the first semiconductor laser and a chip width, and a connection area S2 of the second portion is a product of the second semiconductor laser. 2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the product is a product of a cavity length and a chip width.
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ
装置。4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said first portion and said second portion are electrodes.
ザと第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置で
あって、 前記第１の半導体レーザが他の装置と接続される第１部
位を有し、 前記第２の半導体レーザが他の装置と接続される第２部
位を有し、 前記第１部位と他の装置とが接続する接続面積をＳ３、 前記第２部位と他の装置とが接続する接続面積をＳ４、 ある電流値に対する前記第１の半導体レーザの光出力値
をＰ１、 前記電流値に対する前記第２の半導体レーザの光出力値
をＰ２とすると、Ｐ１≧Ｐ２、かつ、Ｓ３＞Ｓ４の関係
が成立することを特徴とする半導体レーザ装置。5. A semiconductor laser device having a first semiconductor laser and a second semiconductor laser each composed of a semiconductor layer, wherein a first portion where the first semiconductor laser is connected to another device is provided. The second semiconductor laser has a second portion connected to another device, the connection area where the first portion is connected to another device is S3, and the second portion is connected to another device. S1 is the connection area to connect, the optical output value of the first semiconductor laser for a certain current value is P1, and the optical output value of the second semiconductor laser for the current value is P2, P1 ≧ P2, and A semiconductor laser device, wherein a relationship of S3> S4 is satisfied.
１の半導体レーザの共振器長とチップ幅の積であり、 前記第２部位の接続面積Ｓ４が、前記第２の半導体レー
ザの共振器長とチップ幅の積であることを特徴とする請
求項３に記載の半導体レーザ装置。6. The connection area S3 of the first portion is a product of a resonator length of the first semiconductor laser and a chip width, and the connection area S4 of the second portion is a product of the second semiconductor laser. 4. The semiconductor laser device according to claim 3, wherein the product is a product of a cavity length and a chip width.
であることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ
装置。7. The semiconductor laser device according to claim 3, wherein said first portion and said second portion are electrodes.
前記第２の半導体レーザに設けられた電極の厚みが１μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項４又は請求項７に
記載の半導体レーザ装置。8. An electrode provided on the first semiconductor laser and / or the second semiconductor laser has a thickness of 1 μm.
The semiconductor laser device according to claim 4, wherein m is not less than m.
半導体レーザとが同一の基板の上に形成され、前記基板
の上に設けられる分離溝の位置によって、前記第１の半
導体レーザの接続面積及び前記第２の半導体レーザの接
続面積が決定されることを特徴とする請求項１又は請求
項５に記載の半導体レーザ装置。9. The first semiconductor laser and the second semiconductor laser are formed on the same substrate, and the connection of the first semiconductor laser depends on the position of a separation groove provided on the substrate. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein an area and a connection area of the second semiconductor laser are determined.
レーザ装置のうち、前記第１の半導体レーザ及び前記第
２の半導体レーザとが同一の基板の上に形成された半導
体レーザ装置の製造方法であって、 前記第１の半導体レーザ及び前記第２の半導体レーザを
分離する分離溝の形成位置により、前記第１の半導体レ
ーザの接続面積及び前記第２の半導体レーザの接続面積
の大きさを決定することを特徴とする半導体レーザ装置
の製造方法。10. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the first semiconductor laser and the second semiconductor laser are formed on the same substrate. The method according to claim 1, wherein a size of a connection area of the first semiconductor laser and a size of a connection area of the second semiconductor laser are determined by a formation position of a separation groove separating the first semiconductor laser and the second semiconductor laser. A method for manufacturing a semiconductor laser device, comprising:
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