JP2002190511A - 半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体 - Google Patents
半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体Info
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Abstract
成されたポリマーをフォトレジスト除去過程で同時に除
去する半導体装置のアッシング設備のチャックプレート
とこれを用いたチャック組立体を提供する。 【解決手段】 半導体装置のアッシング設備のチャック
プレート36aは、上面がポリマーが形成された領域d
を除いたウェーハWの底面内側部位を密着支持するよう
に形成された支持部Aと、支持部Aの上面から下側方向
へ段差をなしその上面がポリマーが形成された領域dを
含んだウェーハWの底面縁部に対向するように形成され
た段差部Bとを備えている。
Description
においてウェーハの底面に形成されたポリマーをフォト
レジスト除去過程で一緒に除去することができる半導体
装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用
いたチャック組立体に関する。
において、フォトレジストパターンから露出したウェー
ハの所定部位を除去するための工程である。食刻工程で
は、投入される工程ガスをプラズマ状態に変換させて、
このプラズマを用いて所定の部位で反応させるプラズマ
食刻が主に利用されている。
その工程の実行過程で副産物のポリマーが生成される。
生成される副産物、即ち、ポリマーは食刻チャンバー内
部の全面だけでなくウェーハの底面などの部位に選択性
なしに蒸着される。このようにウェーハWの底面に形成
されるポリマーP’は食刻工程を行う過程でウェーハW
の底面がカソードに密着された状態において、図10に
示したようにウェーハWの縁部からその内側方向へ約8
〜10mm程度の領域dに形成されるのが一般的であ
る。
ハWは、図12に示したようにストリッピング(stripp
ing)またはアッシング(ashing)過程を通じてウェー
ハW上に塗布されたフォトレジスト(PR)(P)の除
去過程を経て、更に残存するPRの残留物または各種パ
ーチクルを除去するための洗浄工程が追加的に実施され
る。
めの過程中におけるアッシング工程では、図11に示し
たアッシング設備10からわかるように、密閉されたチ
ャンバー12の内部にドアー手段14を通してウェーハ
Wが投入された状態で酸素O 2、窒素N2などのアッシン
グガスGが供給される。このときに供給されるアッシン
グガスGは高周波パワーの影響でプラズマ状態、即ち、
イオン(ラジカル)状態にある。
スGは加熱雰囲気のPRと反応して気化され、気化状態
のPRは真空圧形成手段(図示されず)と連通する排気
管24を通して排出される。このとき、ウェーハWの底
面に形成されたポリマーP’はチャック組立体16を構
成するチャックプレート18の上面に密着され、上側ガ
ス供給部22から供給される酸素ラジカルと反応するこ
とが困難となる。また、その下部のヒーティング手段2
0からチャックプレート18を通して伝導される熱はポ
リマーP’に含有されたPRなどの成分を焼成しカーボ
ン化させチャックプレート18及びウェーハWの汚染な
どを誘発する。
ハWの底面に存在するポリマーP’は以後のエッチャン
トなどに収容されて洗浄過程を経るが、この過程で容易
に除去することができず、且つ、その洗浄時間を延長さ
せる。ポリマーP’が除去されていない状態で次の工程
を行う場合、それに従う工程不良で製造収率が低下する
という問題点があった。
ーハの底面に形成されるポリマーをフォトレジスト除去
過程で一緒に除去し、洗浄時間が短縮されるとともに工
程不良が防止され、製造収率が向上する半導体装置のア
ッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャ
ック組立体を提供することにある。
るため本発明の半導体装置のアッシング設備のチャック
プレートにおいては、上面がポリマー形成領域部位を除
いたウェーハの底面の内側部位を密着して支持するよう
に形成された支持部と、前記支持部の上面から下側方向
へ段差をなしその上面が前記ポリマー形成領域を含んだ
ウェーハ底面縁部に対向するように形成された段差部
と、から構成される。
の段差の程度は0.3〜0.5mm範囲で設定すること
が好ましく、前記段差部の上面は少なくとも前記支持部
に支持されるウェーハ縁部の垂直に対応する位置よりも
外側へ拡張されるように形成することが好ましい。そし
て、前記段差部の外側に前記段差部の上面から上側へ突
出された形状をなす突出部をさらに具備した構成により
形成され、前記突出部の上側部位は前記支持部の上面と
水平線上にあるように形成するのが効果的である。
は少なくとも前記支持部に支持されるウェーハ縁部と所
定の間隔の隙間をなすように形成するのが好ましく、そ
の隙間は0.5〜1.5mmの範囲内にあるようにする
のが好ましい。また、前記支持部と突出部の内側壁との
間の間隔は、前記ポリマー形成領域が8〜10mmの範
囲に形成されるのに対応して10.5〜12.5mm程
度に形成するのが好ましい。
前記段差部と突出部との間に傾斜面をもつように形成す
るのが効果的である。一方、前記支持部と段差部及び突
出部のうち少なくともいずれの一つは分離及び結合が可
能に形成され、また、前記支持部と段差部及び突出部を
一体形に形成することもできる。
または前記突出部の上面の内側端部の形状はウェーハフ
ラットゾーンを含んだ縁部の垂直に対応する位置から水
平方向に一定間隔に離隔されるようにウェーハ形状に形
成することが好ましい。これは前記支持部の上面の外側
端部の形状と前記段差部の上面の内外側端部の形状及び
前記突出部の上面の内側端部の形状は、ウェーハのフラ
ットゾーンを含んだ縁部が前記段差部の上面に垂直に対
応する位置にあるように円形状に形成することができ
る。
体装置のアッシング設備のチャック組立体の構成は、ポ
リマー形成領域部位を除いたウェーハ底面を支持するよ
うに形成された支持部と、前記支持部上面と段差をなし
てウェーハ底面の縁部に所定間隔で対向するように形成
されたチャックプレートと、前記チャックプレートの外
側部位を覆う形状に昇降可能に設置され、上側部位にエ
レベーター手段によるウェーハローディング位置を案内
する傾斜部をもつ突出部と、前記チャックプレートの下
部に設置されるヒーティング手段と、から構成される。
そして、前記傾斜部は前記突出部の上側にそって延長さ
れて形成される。
ャック組立体とこれを用いる半導体装置のアッシング設
備に対し添付された図を参照して説明する。図1は、本
発明の一実施例によるチャックプレートとこれを用いた
チャック組立体が設置されるアッシング設備の構成及び
その駆動関係を概略的に示す断面図であり、図2から図
7は図1に示したチャックプレートの各実施例による構
成を概略的に示した断面図であり、図8及び図9はチャ
ックプレートの平面形状を概略的に示した図であり、従
来例の説明と同一な部分に対し同一の符号を付与し、そ
れに従う詳しい説明は省略する。
1に示したように密閉された空間を形成するチャンバー
32を備えている。このチャンバ32の一側部には、内
部にウェーハWがローディングまたはアンローディング
するために開閉されるドア手段14が設けられている。
の残留ガスを含んだ空気を排出するための排気管24の
一方の端部が連通連結されている。排気管24の他方の
端部はチャンバ32の内部を真空にするための真空圧形
成手段(図面の単純化のため省略する)と通常の方法に
より連通連結されている。
位置には外部から所定のアッシングガスGが投入される
ガス供給部22が形成されている。ガス供給部22に対
向する所定位置にはウェーハWの底面を支持するチャッ
ク組立体34が設置されている。
は、図1に示したように、投入されるウェーハWの底面
を密着支持する所定の厚さと面積を有するチャックプレ
ート18を備えている。チャックプレート18の中心部
には外部のロボット(図面の単純化のため省略する)に
より移送されたウェーハWを受け取って下降し、チャッ
クプレート36に安着させるエレベーター手段が貫通し
て設置されている。
下部にはチャックプレート36の上面に安着されるウェ
ーハW、ならびにウェーハWを通じてフォトレジストP
及びポリマーP’を活性化させるために所定温度で加熱
するヒーティング手段20を備えている。
ウェーハWが安着されるチャックプレート36の構成に
ついて詳細に説明する。図2に示したチャックプレート
36aは、上面がウェーハWの縮小された形状をなす支
持部Aが形成されている。支持部Aは、安着されるウェ
ーハWの底面中心部位、即ち、ウェーハWのフラットゾ
ーンF部位を含んだ底面縁部に形成されるポリマー形成
領域dを除いたその内側部位に対応して密着支持する。
また、支持部Aの外側に支持部A上面と所定間隔の段差
tをなす段差部Bが形成されている。
Bの上面とがなす段差tの大きさ、即ち、支持部Aによ
り支持されるウェーハWの底面縁部とこれに対向する段
差部Bの上面との間の間隔は、下部に設置されるヒーテ
ィング手段20の熱が段差部Bの上面からポリマーP’
に伝達されるように近接して位置すること、ならびにウ
ェーハWの底面縁部と段差部Bの上面との間へのチャン
バ32の内部に投入されるアッシングガスGの流入が確
保されることを互いに折衷した間隔が要求される。その
結果、その段差tは約0.3〜0.5mm程度の範囲に
設定される。
底面縁部のポリマーP’に近接して熱を容易に伝達させ
るため、その上面の外側端の部位が少なくとも安着され
るウェーハWの縁部の垂直に対応した位置よりも外側に
あるように拡張形成する。また、段差部Bの上面、即
ち、ウェーハWの縁部に垂直に対応する位置から拡張さ
れた所定の部位には複数個のガイドフィン40が設けら
れている。ガイドフィン40は、エレベーター手段によ
り下降するウェーハWの縁部位を支持して正確に安着支
持されるように案内する。さらに、支持部Aの上面の外
側部とこれに近接する段差部Bの上面との間には所定角
度の傾斜面を形成してもよい。
ることにより外部からロボットがウェーハWを投入して
安着させる。このとき、エレベーター手段は昇降駆動さ
れてロボットからウェーハWを受け取ることになる。以
後、ロボットがチャンバ32の外側へ退くに従い、ドア
手段14はチャンバ32の内部を気密するように閉塞さ
れる。次いでエレベータ手段は下降することによりその
上端部に支持されるウェーハWを漸次チャックプレート
36aに安着させる。
ェーハWの縁部の所定部位を支持することにより、ウェ
ーハWがチャックプレート36aの中心に安着されるよ
うに、即ち、チャックプレート36aを構成する支持部
Aの上面がウェーハW底面の縁部位に形成されたポリマ
ーP’形成領域dの内側部位に密着するように案内す
る。
の形成領域dは段差部の上面と所定間隔をなして対向
し、ヒーティング手段20から熱を受ける。この状態で
ガス供給部22はアッシングガスGを供給する。供給さ
れたアッシングガスGはウェーハW上のフォトレジスト
Pと反応して気化させるだけでなく、ウェーハWの縁部
の底面と段差部Bの上面との間に流動してポリマーP’
と反応して気化させる。このように気化されるPRとポ
リマーP’は真空圧が提供される排気管24を通して継
続して排出され、一連の過程を経る。
bは、上述した図2に示しチャックプレート36aと同
様に、支持部Aと0.3〜0.5mm程度の段差tをな
す段差部Bが形成されている。ここで段差部Bの上面の
外側部位はウェーハWの縁部の垂直に対応する位置から
所定範囲内にあり、この段差部Bの上面の外側部位で上
側に突出した形状をなす突出部Cが形成されている。
ト36cの構成から分かるように、段差部Bの上面の外
側部位から垂直に突出しその上面が支持部Aの上面に対
応して水平線上にあるように形成されている。また、突
出部Cは、図5に示したチャックプレート36dの構成
から分かるように、その部位で外側方向に所定角度の傾
斜面Tをなしその上面が支持部A上面に対応して水平線
上にあるように形成されている。このときに安着される
ウェーハWの縁部とこれに対し水平線上に対応する突出
部Cの内壁とは互いに隙間Sをなし、その隙間は0.5
〜1.5mmの範囲内にある。
に示したようにウェーハWのフラットゾーンFを含んだ
縁部にそってポリマーP’が形成された領域dに近接し
てウェーハ形状に形成されている。また、支持部Aの上
面の形状を図9に示したように、ウェーハWのフラット
ゾーンFのポリマーが形成された領域dを基準にして近
接する円形状に形成してもよい。
と支持部Aの上面の外側部位との間の間隔は、支持部A
の外側形状と突出部Cの内側形状とがウェーハ形状に形
成されていることに対応して、ウェーハWのフラットゾ
ーンFを含んだ縁部に対応してウェーハ縁部と突出部C
の上面内側とがなす隙間Sと、約8〜10mm程度のポ
リマーが形成された領域dの幅とを合わせた間隔に設定
されている。
側形状とが図9に示したように円形状に形成される場
合、その間隔はウェーハWの円弧部位の延長線からフラ
ットゾーンFの中心まで至るその間の間隔をさらに合算
した間隔に設定される。ここでは、上述した支持部A外
側と突出部C内側との間の間隔を約10.5〜12.5
mm程度に設定している。
上面と水平線上にあるように平坦に形成される場合、図
4または図5に示したように、その上面の所定位置には
エレベーター手段によるウェーハWの安着位置を案内す
るためのガイドフィン40が設けられる。
プレート36eから分かるように、突出部Cの上側の部
位が支持部Aの上面の高さよりも上側へ突出して形成さ
れている場合、突出部Cの内側壁がエレベーター手段に
よるウェーハWの安着を案内可能とする傾斜面を形成す
るようにしてもよい。
出部Cとは、図3から図6に示したように、それぞれが
一体の形状に形成されている。上述した段差部Bはウェ
ーハWの縁部に対応して所定の幅及び深さ並びに形状を
有する溝から形成され、これらのそれぞれは互いに分離
または組立の可能な構成としてもよい。
6fは、支持部Aと段差部B及び突出部Cのうち少なく
ともいずれの一つとがそれぞれ分離または結合される構
成の一例を概略的に示した図である。段差部Bの上面の
外側部位がウェーハWの縁部に垂直に対応する位置の内
側に位置し、段差部Bの外側壁には分離された管形状の
突出部Cが段差部Bの外側壁にそってスライディング昇
降可能に設置された構成である。
程チャンバ内部に投入されるアッシングガスがウェーハ
全面のフォトレジストと段差部により露出されるポリマ
ーと反応するに従い、フォトレジストと共にポリマーな
どの副産物が同時に分解除去されて以後の洗浄時間が短
縮され、その後の工程不良が防止され、それに従う半導
体装置の製造収率が向上されるという効果がある。
しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で変形及
び変更できることは本発明が属する分野の当業者には明
白なものであるが、そのような変形及び変更は本発明の
特許請求範囲に属するといえる。
グ設備のチャックプレートを適用したアッシング設備を
概略的に示す断面図である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
るガス流入溝形状を概略的に示した平面図である。
ガス流入溝形状を概略的に示した平面図である。
リマーの形成領域を示した底面図である。
に示した断面図である。
ロック図である。
Claims (17)
- 【請求項1】 半導体装置のアッシング設備のチャック
プレートであって、 上面がポリマー形成領域部位を除いたウェーハ底面内側
部位を密着支持するように形成された支持部と、前記支
持部の上面から下側方向へ段差をなしその上面が前記ポ
リマー形成領域を含んだウェーハ底面縁部に対向するよ
うに形成された段差部と、を備えることを特徴とする半
導体装置のアッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項2】 前記支持部の上面と前記段差部の上面と
の間の段差は0.3〜0.5mmの範囲に設定されるこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のアッシン
グ設備のチャックプレート。 - 【請求項3】 前記段差部の上面は少なくとも前記支持
部に支持されるウェーハ縁部の垂直に対応する位置より
も外側に拡張されるように形成されることを特徴とする
請求項1に記載の半導体装置のアッシング設備のチャッ
クプレート。 - 【請求項4】 前記段差部の上面の前記支持部に支持さ
れるウェーハ縁部の垂直に対応する所定位置に設けられ
ている円錐形状のガイドフィンをさらに備えることを特
徴とする請求項1に記載の半導体装置のアッシング設備
のチャックプレート。 - 【請求項5】 前記段差部の外側に前記段差部の上面か
ら上側へ突出した形状をなす突出部が形成されることを
特徴とする請求項1に記載の半導体装置のアッシング設
備のチャックプレート。 - 【請求項6】 前記突出部の上側と前記支持部の上面と
は水平線上にあるように形成されることを特徴とする請
求項5に記載の半導体装置のアッシング設備のチャック
プレート。 - 【請求項7】 前記突出部の上面の内側端部は、少なく
とも前記支持部に支持されるウェーハ縁部と所定間隔の
隙間をなすように形成されることを特徴とする請求項5
に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレー
ト。 - 【請求項8】 前記突出部の上面の内側端部と前記支持
部に支持されているウェーハ縁部との隙間は0.5〜
1.5mmの範囲内の間隔に形成されることを特徴とす
る請求項7に記載の半導体装置のアッシング設備のチャ
ックプレート。 - 【請求項9】 前記支持部の外側壁と前記突出部の内側
壁との間の間隔は、ウェーハのフラットゾーン部位を含
んだ縁部に対応して前記突出部の上面内側がなす隙間と
前記ポリマー形成領域の幅長さとを合算した間隔を基準
にして、約0〜1mmの範囲の値をさらに加えた間隔に
設定されることを特徴とする請求項8に記載の半導体装
置のアッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項10】 前記支持部の外側壁と前記突出部の内
側壁との間の間隔は10.5〜12.5mm程度に設定
されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の
アッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項11】 前記支持部と前記段差部との間または
前記段差部と前記突出部との間に傾斜面が形成されるこ
とを特徴とする請求項5に記載の半導体装置のアッシン
グ設備のチャックプレート。 - 【請求項12】 前記支持部と前記段差部又は前記突出
部のうち何れ一つとは分離又は結合が可能に形成される
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置のアッシ
ング設備のチャックプレート。 - 【請求項13】 前記支持部と前記段差部又は前記突出
部とは一体に形成されることを特徴とする請求項5に記
載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項14】 前記支持部の上面の外側端部の形状ま
たは前記突出部上面の内側端部の形状はウェーハフラッ
トゾーンを含んだ縁部の垂直に対応する位置から水平方
向に一定間隔に離隔されるようにウェーハ形状に形成さ
れることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置のア
ッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項15】 前記支持部の上面の外側端部の形状と
前記段差部の上面の内外側端部の形状及び前記突出部の
上面の内側端部の形状とはウェーハのフラットゾーンを
含んだ縁部が前記段差部の上面に垂直に対応する位置に
あるように円形状に形成されることを特徴とする請求項
5に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレ
ート。 - 【請求項16】 ポリマ形成領域部位を除いたウェーハ
底面を支持するように形成された支持部と、前記支持部
の上面と段差をなして前記ウェーハ底面の縁部に所定間
隔で対向するように形成されたチャックプレートと、前
記チャックプレートの外側の部位を覆う形状に昇降可能
に設置され上側部位にエレベーター手段によるウェーハ
ローディング位置を案内する傾斜部を有する突出部と、
前記チャックプレートの下部に設置されるヒーティング
手段と、を備えることを特徴とする半導体装置のアッシ
ング設備のチャック組立体。 - 【請求項17】 前記傾斜部は、前記突出部の上側にそ
って延長されて形成されることを特徴とする請求項16
に記載の半導体装置のアッシング設備のチャック組立
体。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035948A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
KR101063588B1 (ko) | 2008-11-05 | 2011-09-07 | 주식회사 디엠에스 | 커버 링의 수명을 연장하고 플라즈마 반응기의 식각 성능을향상시키기 위한 구조를 가지는 정전 척 어셈블리 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100481180B1 (ko) * | 2002-09-10 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거방법 |
US20040137745A1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-07-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for removing backside edge polymer |
US7024105B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-04-04 | Applied Materials Inc. | Substrate heater assembly |
KR100987675B1 (ko) * | 2003-12-08 | 2010-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 디스플레이의 베이킹 장치 |
KR100688747B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-03-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 에지 식각 장치 및 방법 |
KR100685136B1 (ko) * | 2005-09-05 | 2007-02-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 가열 척 |
US8999106B2 (en) | 2007-12-19 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber |
JP2010045200A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2010101191A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法 |
US10629416B2 (en) * | 2017-01-23 | 2020-04-21 | Infineon Technologies Ag | Wafer chuck and processing arrangement |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121530A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 静電チヤツク |
JPH05206022A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH06340333A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-13 | Hitachi Ltd | 気流搬送装置 |
JPH0857296A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-03-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH08222621A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Fujitsu Ltd | 円形基板の位置決めユニットと位置決め方法 |
JPH08227800A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-09-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH09213683A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-15 | Sony Corp | プラズマエッチング装置 |
JPH1140654A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板保持構造 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5758320A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-08 | Hitachi Ltd | Work mounting stage in plasma asher device |
JPH04307734A (ja) * | 1991-04-04 | 1992-10-29 | Japan Storage Battery Co Ltd | アッシング装置 |
US5275683A (en) * | 1991-10-24 | 1994-01-04 | Tokyo Electron Limited | Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same |
JPH05347281A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-12-27 | Sony Corp | アッシング方法及びアッシング装置 |
US5376213A (en) * | 1992-07-28 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
KR100260587B1 (ko) * | 1993-06-01 | 2000-08-01 | 히가시 데쓰로 | 정전척 및 그의 제조방법 |
KR100302167B1 (ko) * | 1993-11-05 | 2001-11-22 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법 |
US5556476A (en) * | 1994-02-23 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Controlling edge deposition on semiconductor substrates |
US5606485A (en) * | 1994-07-18 | 1997-02-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved erosion resistance |
KR19990004453U (ko) * | 1997-07-03 | 1999-02-05 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 에싱장치 |
US6104596A (en) * | 1998-04-21 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same |
-
2000
- 2000-12-04 KR KR20000072878A patent/KR100384060B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-09-20 US US09/956,458 patent/US6531686B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-17 JP JP2001319834A patent/JP4181764B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121530A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 静電チヤツク |
JPH05206022A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH06340333A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-13 | Hitachi Ltd | 気流搬送装置 |
JPH0857296A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-03-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH08227800A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-09-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH08222621A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Fujitsu Ltd | 円形基板の位置決めユニットと位置決め方法 |
JPH09213683A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-15 | Sony Corp | プラズマエッチング装置 |
JPH1140654A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板保持構造 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035948A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP4705816B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US8187485B2 (en) | 2005-07-27 | 2012-05-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus including etching processing apparatus and ashing processing apparatus and plasma processing method using plasma processing apparatus |
US8197635B2 (en) | 2005-07-27 | 2012-06-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus including etching processing apparatus and ashing processing apparatus and plasma processing method using plasma processing apparatus |
US8491751B2 (en) | 2005-07-27 | 2013-07-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
KR101063588B1 (ko) | 2008-11-05 | 2011-09-07 | 주식회사 디엠에스 | 커버 링의 수명을 연장하고 플라즈마 반응기의 식각 성능을향상시키기 위한 구조를 가지는 정전 척 어셈블리 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4181764B2 (ja) | 2008-11-19 |
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