JP2002190453A - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェーハの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な操作でＳＯＩ層欠陥密度を低減したＳ
ＩＭＯＸウェーハが得られる半導体ウェーハの製造方法
の提供。 【解決手段】 酸素イオン注入時のイオン電流密度を１
ｍＡ／ｃｍ2以下とすることでＳＯＩ層欠陥密度を低減
でき、このため所定量のイオン電流量で酸素イオン注入
を行うに際し、イオン電流量を変化させずにビームの照
射面積を拡大してイオン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ2以下
とする。
ＩＭＯＸウェーハが得られる半導体ウェーハの製造方法
の提供。 【解決手段】 酸素イオン注入時のイオン電流密度を１
ｍＡ／ｃｍ2以下とすることでＳＯＩ層欠陥密度を低減
でき、このため所定量のイオン電流量で酸素イオン注入
を行うに際し、イオン電流量を変化させずにビームの照
射面積を拡大してイオン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ2以下
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェー
ハ、特にＬＳＩ用半導体基板として利用される絶縁膜上
に単結晶シリコン層を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハの製造方法に関す
る。
ハ、特にＬＳＩ用半導体基板として利用される絶縁膜上
に単結晶シリコン層を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】携帯通信端末装置の発達、あるいはコン
ピューターシステムやアプリケーションソフトの肥大化
に伴って、次世代のＬＳＩには、高速かつ低消費電力と
いう特性が強く求められている。
ピューターシステムやアプリケーションソフトの肥大化
に伴って、次世代のＬＳＩには、高速かつ低消費電力と
いう特性が強く求められている。
【０００３】絶縁膜上にデバイスを形成する単結晶シリ
コン層を有する構成からなるＳＯＩウェーハは、従来の
ＬＳＩプロセス技術を大幅に改良することなく、高速か
つ低消費電力なＬＳＩを実現することができる次世代の
ウェーハとして、注目を集めている。
コン層を有する構成からなるＳＯＩウェーハは、従来の
ＬＳＩプロセス技術を大幅に改良することなく、高速か
つ低消費電力なＬＳＩを実現することができる次世代の
ウェーハとして、注目を集めている。
【０００４】種々あるＳＯＩウェーハの製造方法で、コ
ストの面から最も有力視されているのが、ＳＩＭＯＸ
（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ
ＯＸｙｇｅｎ）ウェーハの製造方法である。ＳＩＭＯＸ
ウェーハは、Ｓｉウェーハに酸素イオンを、例えば注入
エネルギー１８０ｋｅＶ、ドーズ量３〜４×１０17ｃｍ
-2程度で注入し、その後１３００℃以上の温度で数％の
Ａｒガス希釈酸素雰囲気にて、４〜６時間の熱処理を行
い、ウェーハ表層に単結晶シリコンを残したままウェー
ハ内に連続的な酸化膜を形成し、ＳＯＩ構造を得る技術
である。
ストの面から最も有力視されているのが、ＳＩＭＯＸ
（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ
ＯＸｙｇｅｎ）ウェーハの製造方法である。ＳＩＭＯＸ
ウェーハは、Ｓｉウェーハに酸素イオンを、例えば注入
エネルギー１８０ｋｅＶ、ドーズ量３〜４×１０17ｃｍ
-2程度で注入し、その後１３００℃以上の温度で数％の
Ａｒガス希釈酸素雰囲気にて、４〜６時間の熱処理を行
い、ウェーハ表層に単結晶シリコンを残したままウェー
ハ内に連続的な酸化膜を形成し、ＳＯＩ構造を得る技術
である。
【０００５】しかし、ＳＩＭＯＸウェーハでは、デバイ
スを作製する上部シリコン層（ＳＯＩ層という）に多数
の欠陥が残留することが知られている。その欠陥は、例
えばセコエッチとフッ酸による検出法（Ｓｅｃｃｏ Ｅ
ｔｃｈ＋ＨＦ法）や、エピタキシャル成長とセコエッチ
による検出法（Ｅｐｉ＋Ｓｅｃｃｏ Ｅｔｃｈ法）など
で検出できる。
スを作製する上部シリコン層（ＳＯＩ層という）に多数
の欠陥が残留することが知られている。その欠陥は、例
えばセコエッチとフッ酸による検出法（Ｓｅｃｃｏ Ｅ
ｔｃｈ＋ＨＦ法）や、エピタキシャル成長とセコエッチ
による検出法（Ｅｐｉ＋Ｓｅｃｃｏ Ｅｔｃｈ法）など
で検出できる。
【０００６】これらの欠陥は、ＳＯＩ層を貫通している
ＴＤ（Ｔｈｒｅａｄｉｎｇ Ｄｅｆｅｃｔ）と言われる
ものと、ＳＯＩ層と埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）界面に存
在するＭＦＤ（Ｍｕｌｔｉｐｌｙ−Ｆａｕｌｔｅｄ Ｄ
ｅｆｅｃｔ）であることが知られており、１×１０3ｃ
ｍ-2〜１×１０4ｃｍ-2程度の密度である。また、これ
らの欠陥は、素子の活性領域、特にＰＮ接合を横断する
ような位置に存在するとリーク電流不良等の歩留まり低
下を引き起こす。従って、欠陥密度の低下が切望されて
いる。
ＴＤ（Ｔｈｒｅａｄｉｎｇ Ｄｅｆｅｃｔ）と言われる
ものと、ＳＯＩ層と埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）界面に存
在するＭＦＤ（Ｍｕｌｔｉｐｌｙ−Ｆａｕｌｔｅｄ Ｄ
ｅｆｅｃｔ）であることが知られており、１×１０3ｃ
ｍ-2〜１×１０4ｃｍ-2程度の密度である。また、これ
らの欠陥は、素子の活性領域、特にＰＮ接合を横断する
ような位置に存在するとリーク電流不良等の歩留まり低
下を引き起こす。従って、欠陥密度の低下が切望されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】欠陥密度を低減するた
めに、一般にはドーズ（Ｄｏｓｅ）量を低減することが
効果があるとされている。しかし、ドーズ量を低減する
と埋め込み酸化膜の絶縁性の低下、あるいは不連続な埋
め込み酸化膜の形成を引き起こす可能性がある。
めに、一般にはドーズ（Ｄｏｓｅ）量を低減することが
効果があるとされている。しかし、ドーズ量を低減する
と埋め込み酸化膜の絶縁性の低下、あるいは不連続な埋
め込み酸化膜の形成を引き起こす可能性がある。
【０００８】さらにこの問題を解決するために、例えば
特開平１０−２２３５５１号公報には、１２５０℃以下
の温度で４０分以上熱処理を行い、引き続いて１３００
℃以上の高温熱処理を行うプロセスが提案されている。
これにより、２×１０17ｃｍ -2以下のドーズ量において
も連続な埋め込み酸化膜の形成が可能である。
特開平１０−２２３５５１号公報には、１２５０℃以下
の温度で４０分以上熱処理を行い、引き続いて１３００
℃以上の高温熱処理を行うプロセスが提案されている。
これにより、２×１０17ｃｍ -2以下のドーズ量において
も連続な埋め込み酸化膜の形成が可能である。
【０００９】また、埋め込み酸化膜の絶縁性を改善する
技術として、酸素注入、１３００℃以上の温度で数％の
Ａｒガス希釈酸素アニール処理の後に、１３００℃以上
で酸化性雰囲気の熱処理を行い、埋め込み酸化膜の絶縁
性を回復させるＩＴＯＸ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｔｈｅｒ
ｍａｌ ＯＸｉｄａｔｉｏｎ）技術がある。
技術として、酸素注入、１３００℃以上の温度で数％の
Ａｒガス希釈酸素アニール処理の後に、１３００℃以上
で酸化性雰囲気の熱処理を行い、埋め込み酸化膜の絶縁
性を回復させるＩＴＯＸ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｔｈｅｒ
ｍａｌ ＯＸｉｄａｔｉｏｎ）技術がある。
【００１０】しかし、いずれの方法においても、ＳＯＩ
層と埋め込み酸化膜界面付近には、依然として高密度の
転位が残存するのが現状であった。
層と埋め込み酸化膜界面付近には、依然として高密度の
転位が残存するのが現状であった。
【００１１】この発明は、従来のＳＩＭＯＸウェーハで
問題であったＳＯＩ層欠陥密度を低減することを目的と
し、また、簡単な操作でＳＯＩ層欠陥密度を低減したＳ
ＩＭＯＸウェーハが得られる半導体ウェーハの製造方法
の提供を目的としている。
問題であったＳＯＩ層欠陥密度を低減することを目的と
し、また、簡単な操作でＳＯＩ層欠陥密度を低減したＳ
ＩＭＯＸウェーハが得られる半導体ウェーハの製造方法
の提供を目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】発明者は、ＳＯＩ層の欠
陥密度を低減できる方法を目的に種々検討した結果、酸
素イオン注入時のイオン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ2以下
とすることでＳＯＩ層欠陥密度を低減できることに着目
し、注入方法としては、所定量のイオン電流量で酸素イ
オン注入を行うに際し、イオン電流量を変化させずにビ
ームの照射面積を変化してイオン電流密度を１ｍＡ／ｃ
ｍ2以下とすることで目的を達成できることを知見し、
この発明を完成した。
陥密度を低減できる方法を目的に種々検討した結果、酸
素イオン注入時のイオン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ2以下
とすることでＳＯＩ層欠陥密度を低減できることに着目
し、注入方法としては、所定量のイオン電流量で酸素イ
オン注入を行うに際し、イオン電流量を変化させずにビ
ームの照射面積を変化してイオン電流密度を１ｍＡ／ｃ
ｍ2以下とすることで目的を達成できることを知見し、
この発明を完成した。
【００１３】すなわち、この発明は、シリコン基板に酸
素イオンの注入と高温熱処理をして埋め込み酸化膜を有
する半導体ウェーハを製造する方法において、酸素イオ
ン注入時の電流量を一定にし、ビーム照射面積を変化さ
せてイオン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ2以下とすることを
特徴とする半導体ウェーハの製造方法である。
素イオンの注入と高温熱処理をして埋め込み酸化膜を有
する半導体ウェーハを製造する方法において、酸素イオ
ン注入時の電流量を一定にし、ビーム照射面積を変化さ
せてイオン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ2以下とすることを
特徴とする半導体ウェーハの製造方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】イオン注入装置におけるウェーハ
１とイオンビーム２の関係を説明する。まず、図２に一
般的な枚葉式イオン注入装置を示すように、イオン注入
装置チャンバー３内には円盤の円周方向に複数のウェー
ハ１を収納して回転並びに一直径方向に往復動可能に構
成されたウェーハホルダー４が配置されている。
１とイオンビーム２の関係を説明する。まず、図２に一
般的な枚葉式イオン注入装置を示すように、イオン注入
装置チャンバー３内には円盤の円周方向に複数のウェー
ハ１を収納して回転並びに一直径方向に往復動可能に構
成されたウェーハホルダー４が配置されている。
【００１５】図１に示すごとく、イオン注入装置におけ
るイオンビーム２との照射範囲は一ケ所に固定されてお
り、ウェーハホルダー４が所要パターンで運動してウェ
ーハ１側が図の左右方向の平行スキャン方向と図の略上
下方向の回転方向に動き、イオンビーム２をウェーハ１
全体に渡って照射することができる。
るイオンビーム２との照射範囲は一ケ所に固定されてお
り、ウェーハホルダー４が所要パターンで運動してウェ
ーハ１側が図の左右方向の平行スキャン方向と図の略上
下方向の回転方向に動き、イオンビーム２をウェーハ１
全体に渡って照射することができる。
【００１６】この発明は、ＳＩＭＯＸウェーハの製造方
法で、酸素イオン注入を行うに際し、設定されたイオン
電流量を変化させずにビームの照射面積を変化させてイ
オン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ2以下とする工程を特徴と
している。
法で、酸素イオン注入を行うに際し、設定されたイオン
電流量を変化させずにビームの照射面積を変化させてイ
オン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ2以下とする工程を特徴と
している。
【００１７】酸素イオン注入に際してイオン電流密度を
低くするのは、一般に電流値を低下するのが簡単である
が、それではスループットを著しく低下させてしまうた
め、イオンビーム２の照射面積を大きくすることが望ま
しい。ビーム２の照射面積は、イオン注入装置の後段加
速電極を適宜選択することによって、変化させることが
できる。
低くするのは、一般に電流値を低下するのが簡単である
が、それではスループットを著しく低下させてしまうた
め、イオンビーム２の照射面積を大きくすることが望ま
しい。ビーム２の照射面積は、イオン注入装置の後段加
速電極を適宜選択することによって、変化させることが
できる。
【００１８】ＳＩＭＯＸウェーハでのイオンにより発生
する欠陥は、ドーズ量の低減が効果的であるが、同じド
ーズ量の場合は、低イオン電流密度にして、イオンが照
射される回数を多くする方が、欠陥低減に効果がある。
低電流密度にすることは、あるイオンビーム照射領域に
一度に照射されるイオン数を少なくすることであり、結
果として、一回のイオンビーム照射時のイオンと基板シ
リコン原子との衝突回数を減少させることができる。
する欠陥は、ドーズ量の低減が効果的であるが、同じド
ーズ量の場合は、低イオン電流密度にして、イオンが照
射される回数を多くする方が、欠陥低減に効果がある。
低電流密度にすることは、あるイオンビーム照射領域に
一度に照射されるイオン数を少なくすることであり、結
果として、一回のイオンビーム照射時のイオンと基板シ
リコン原子との衝突回数を減少させることができる。
【００１９】また、一度にある特定領域に照射されるイ
オン数を少なくすることで、イオンが照射されていない
間に当該欠陥を回復させる効果も期待できるので、結果
として、低欠陥密度のＳＩＭＯＸウェーハを実現でき
る。
オン数を少なくすることで、イオンが照射されていない
間に当該欠陥を回復させる効果も期待できるので、結果
として、低欠陥密度のＳＩＭＯＸウェーハを実現でき
る。
【００２０】この発明において、イオン電流密度とは、
イオン電流量をイオンビーム面積で割ったものとする。
また、酸素イオン注入におけるイオン電流は１０ｍＡ〜
８０ｍＡ、酸素イオンドーズ量は１〜４×１０17ｃｍ-2
の範囲とすることが好ましい。
イオン電流量をイオンビーム面積で割ったものとする。
また、酸素イオン注入におけるイオン電流は１０ｍＡ〜
８０ｍＡ、酸素イオンドーズ量は１〜４×１０17ｃｍ-2
の範囲とすることが好ましい。
【００２１】イオン電流は、１０ｍＡ未満ではスループ
ットが著しく低下して好ましくなく、また、８０ｍＡを
超えると装置が大がかりとなり、生産設備として現実的
でないため、１０ｍＡ〜８０ｍＡの範囲が好ましい。
ットが著しく低下して好ましくなく、また、８０ｍＡを
超えると装置が大がかりとなり、生産設備として現実的
でないため、１０ｍＡ〜８０ｍＡの範囲が好ましい。
【００２２】酸素イオンドーズ量は、１×１０17ｃｍ-2
未満では、イオン注入後の熱処理によって連続的な埋め
込み酸化膜層が形成されないため好ましくなく、また、
５×１０17ｃｍ-2を超えると、埋め込み酸化膜中にシリ
コンの島が多数発生し、埋め込み酸化膜の絶縁性が低下
し、さらに貫通転位が増大して好ましくないため、１〜
５×１０17ｃｍ-2の範囲が好ましい。
未満では、イオン注入後の熱処理によって連続的な埋め
込み酸化膜層が形成されないため好ましくなく、また、
５×１０17ｃｍ-2を超えると、埋め込み酸化膜中にシリ
コンの島が多数発生し、埋め込み酸化膜の絶縁性が低下
し、さらに貫通転位が増大して好ましくないため、１〜
５×１０17ｃｍ-2の範囲が好ましい。
【００２３】
【実施例】実施例１ 図２に模式図を示すごとき市販の枚葉式イオン注入装置
に、８インチ、Ｐ型（１００）基板を搬送装着し、酸素
イオンを１８０ｋｅＶ、４×１０17ｃｍ-2の条件でイオ
ン注入した。イオン電流値は４０ｍＡで、ビーム照射面
積は半径４ｃｍのほぼ円形で約５０．２ｃｍ2であり、
電流密度は０．８０ｍＡ／ｃｍ2である。
に、８インチ、Ｐ型（１００）基板を搬送装着し、酸素
イオンを１８０ｋｅＶ、４×１０17ｃｍ-2の条件でイオ
ン注入した。イオン電流値は４０ｍＡで、ビーム照射面
積は半径４ｃｍのほぼ円形で約５０．２ｃｍ2であり、
電流密度は０．８０ｍＡ／ｃｍ2である。
【００２４】ビーム照射面積は、イオン注入器の後段加
速電極を選択して変更した。イオン注入時の基板温度は
５７５℃であった。イオン注入後、ウェーハに対して、
Ａｒ／Ｏ2＝０．５％の雰囲気で、１３５０℃、４時間
の熱処理を行った。
速電極を選択して変更した。イオン注入時の基板温度は
５７５℃であった。イオン注入後、ウェーハに対して、
Ａｒ／Ｏ2＝０．５％の雰囲気で、１３５０℃、４時間
の熱処理を行った。
【００２５】その後、ＳＯＩ層中の欠陥密度を評価する
ために、表層酸化膜をＨＦにより除去後、Ｓｅｃｃｏ＋
ＨＦ法による評価を行った。セコエッチングによるエッ
チング時間を変えて、ＳＯＩの残膜厚量を調整した。
ために、表層酸化膜をＨＦにより除去後、Ｓｅｃｃｏ＋
ＨＦ法による評価を行った。セコエッチングによるエッ
チング時間を変えて、ＳＯＩの残膜厚量を調整した。
【００２６】図３に、Ｓｅｃｃｏ＋ＨＦ法によるＳＯＩ
層膜深さと欠陥密度との関係のグラフ、すなわちＳＯＩ
層膜厚依存性のグラフを示す。また、比較例として、電
流密度２．５ｍＡ／ｃｍ2で、１８０ｋｅＶ、４×１０
17ｃｍ-2の条件で注入した場合の同様の測定結果を図３
のグラフに示す。
層膜深さと欠陥密度との関係のグラフ、すなわちＳＯＩ
層膜厚依存性のグラフを示す。また、比較例として、電
流密度２．５ｍＡ／ｃｍ2で、１８０ｋｅＶ、４×１０
17ｃｍ-2の条件で注入した場合の同様の測定結果を図３
のグラフに示す。
【００２７】図３より明らかなように、低電流密度で注
入を行った場合の方が、低欠陥密度であることが分か
る。特にＳＯＩ層と埋め込み酸化膜界面（ＳＯＩ／ＢＯ
Ｘ界面）付近に近づくに従って、欠陥密度の発生が抑制
されていることが分かる。
入を行った場合の方が、低欠陥密度であることが分か
る。特にＳＯＩ層と埋め込み酸化膜界面（ＳＯＩ／ＢＯ
Ｘ界面）付近に近づくに従って、欠陥密度の発生が抑制
されていることが分かる。
【００２８】実施例２ ８インチ、Ｐ型（１００）基板を用いて、酸素イオンを
１８０ｋｅＶ、４×１０17ｃｍ-2の条件でイオン注入し
た。イオン電流値３０ｍＡで、ビーム面積は約５０．２
ｃｍ2とした。電流密度は０．６０ｍＡ／ｃｍ2である。
イオン注入時の基板温度は５７５℃である。
１８０ｋｅＶ、４×１０17ｃｍ-2の条件でイオン注入し
た。イオン電流値３０ｍＡで、ビーム面積は約５０．２
ｃｍ2とした。電流密度は０．６０ｍＡ／ｃｍ2である。
イオン注入時の基板温度は５７５℃である。
【００２９】イオン注入後、ウェーハにＡｒ／Ｏ2＝
０．５％の雰囲気で、１３５０℃、４時間の熱処理を行
った。この場合も、ＳＯＩ／ＢＯＸ界面近傍、３０ｎｍ
程度のところで、１×１０2ｃｍ-2のＳｅｃｃｏ欠陥密
度が得られた。
０．５％の雰囲気で、１３５０℃、４時間の熱処理を行
った。この場合も、ＳＯＩ／ＢＯＸ界面近傍、３０ｎｍ
程度のところで、１×１０2ｃｍ-2のＳｅｃｃｏ欠陥密
度が得られた。
【００３０】またさらに、イオン電流密度とＳｅｃｃｏ
欠陥密度の関係を詳細に調べた結果、電流密度が１ｍＡ
／ｃｍ2以下であれば、欠陥密度の抑制に効果があるこ
とを確認した。
欠陥密度の関係を詳細に調べた結果、電流密度が１ｍＡ
／ｃｍ2以下であれば、欠陥密度の抑制に効果があるこ
とを確認した。
【００３１】
【発明の効果】この発明によれば、従来のＳＩＭＯＸウ
ェーハの製造上の問題である、ＳＯＩ層欠陥密度の低減
が可能であり、ビーム照射面積を拡大して１ｍＡ／ｃｍ
2以下の低電流密度イオン注入を用いることによって、
低欠陥密度のＳＩＭＯＸを提供することができる。
ェーハの製造上の問題である、ＳＯＩ層欠陥密度の低減
が可能であり、ビーム照射面積を拡大して１ｍＡ／ｃｍ
2以下の低電流密度イオン注入を用いることによって、
低欠陥密度のＳＩＭＯＸを提供することができる。
【００３２】また、この発明によれば、イオン電流量を
変えずに、ビーム面積を変えて低電流密度にするという
簡単な操作で、スループットの低下を招くことなく、Ｓ
ＯＩ層欠陥密度を低減したＳＩＭＯＸウェーハが得られ
る。
変えずに、ビーム面積を変えて低電流密度にするという
簡単な操作で、スループットの低下を招くことなく、Ｓ
ＯＩ層欠陥密度を低減したＳＩＭＯＸウェーハが得られ
る。
【図１】ウェーハとイオンビームの関係を示すウェーハ
の上面説明図である。
の上面説明図である。
【図２】イオン注入装置にウェーハをセットした状態で
のスキャン方向と回転方向の関係を示す、該装置の概略
説明図である。
のスキャン方向と回転方向の関係を示す、該装置の概略
説明図である。
【図３】セコエッチング欠陥密度のＳＯＩ膜厚依存性を
示すグラフである。
示すグラフである。
１ ウェーハ ２ イオンビーム ３ イオン注入装置チャンバー ４ ウェーハホルダー
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板に酸素イオンの注入と高温
熱処理をして埋め込み酸化膜を有する半導体ウェーハを
製造する方法において、酸素イオン注入時の電流量を一
定にし、ビーム照射面積を変化させてイオン電流密度を
１ｍＡ／ｃｍ 2以下にする工程を含む半導体ウェーハの
製造方法。 - 【請求項２】 酸素イオン注入時のイオン電流が１０ｍ
Ａ以上、酸素イオンドーズ量は１〜５×１０17ｃｍ-2の
範囲である請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000389933A JP2002190453A (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000389933A JP2002190453A (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190453A true JP2002190453A (ja) | 2002-07-05 |
Family
ID=18856386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000389933A Pending JP2002190453A (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002190453A (ja) |
-
2000
- 2000-12-22 JP JP2000389933A patent/JP2002190453A/ja active Pending
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