JP2002190137A - Laminated body and optical disc using it - Google Patents
Laminated body and optical disc using itInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、熱膨張による残留
応力の小さい積層体、及びその積層体を層構成の一部と
して含む光ディスクに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminate having a small residual stress due to thermal expansion, and an optical disk including the laminate as a part of a layer structure.
【0002】[0002]
【従来の技術】相変化記録層を備えた光ディスクが、既
にデジタル信号記録用として製造あるいは販売されてい
る。例えば、CD−RW(リライタブル)、DVD(デ
ジタル・バーサタイル・ディスク)−RWやRAM(ラ
ンダム・アクセス・メモリー)がそれに当たる。これら
は一般に、プラスチック基板/ZnS・SiO2/カル
コゲン系相変化記録媒体/ZnS・SiO2/Al系合
金のような4層構成の膜構成を持っている。相変化型記
録層を備えた光ディスクは、記録材料の結晶層に光を照
射して光照射部を非晶質層に変化させることにより記録
する。従って、記録層は初期状態(光記録が可能な状
態)において「結晶層」でなければならない。この記録
層は一般にスパッタリング等により100℃程度の温度
で成膜されるため、製造された段階では「非晶質層」で
あり、記録層を全面的に結晶化する「初期結晶化」が必
要である。2. Description of the Related Art Optical disks having a phase change recording layer have already been manufactured or sold for recording digital signals. For example, a CD-RW (rewritable), a DVD (digital versatile disk) -RW, and a RAM (random access memory) correspond thereto. They generally have a film structure of a four-layer structure such as a plastic substrate / ZnS · SiO 2 / chalcogen-based phase-change recording medium / ZnS · SiO 2 / Al alloy. An optical disc having a phase change type recording layer performs recording by irradiating a crystal layer of a recording material with light to change a light irradiation part to an amorphous layer. Therefore, the recording layer must be a “crystal layer” in an initial state (a state where optical recording is possible). Since this recording layer is generally formed at a temperature of about 100 ° C. by sputtering or the like, it is an “amorphous layer” at the time of manufacture, and “initial crystallization” for crystallizing the entire recording layer is necessary. It is.
【0003】光ディスクの製造工程では、スパッタ成膜
時に基板表面全面が100℃程度の温度になるし、相変
化型光ディスクの製造では、更に初期結晶化プロセス時
にレーザースポットサイズの領域が100℃以上に温度
上昇する。安価なプラスチック基板を用いる光ディスク
の場合、スパッタリング成膜時の基板表面と裏面との温
度差、及び相変化型光ディスクにおける初期結晶化プロ
セス時の高温処理により基板が大きく反ってしまう。記
録密度の高いDVD−RW基板の場合は、その厚さが従
来のCD−RWに比べて1/2の厚さの0.6mmであ
るため更に深刻な問題となる。In the manufacturing process of an optical disk, the entire surface of the substrate is brought to a temperature of about 100 ° C. during the film formation by sputtering. The temperature rises. In the case of an optical disk using an inexpensive plastic substrate, the substrate is greatly warped due to the temperature difference between the front and back surfaces of the substrate during sputtering film formation and the high temperature treatment during the initial crystallization process in the phase change optical disk. In the case of a DVD-RW substrate having a high recording density, the thickness is 0.6 mm, which is half the thickness of a conventional CD-RW, which poses a more serious problem.
【0004】熱膨張による残留応力を緩和する従来技術
としては、例えば、特開平07−240570号公報
に、ハイブリッドICにおいて、金属基板上にアルミナ
薄膜を形成する際に、中間層として、金属基板よりも熱
膨張係数が小さく、かつ、アルミナよりも熱膨張係数が
大きい薄膜を設ける事により、アルミナ薄膜の剥離を防
ぐことが開示されている。しかしこの技術では、基板が
金属、薄膜がセラミック材料に限定されているし、基板
の熱膨張係数が薄膜の熱膨張係数よりも小さい場合には
適用不可能である。光ディスクの分野では、相変化記録
時の記録層の熱膨張については問題とされてきたが、本
発明が解決しようとしている製造プロセス後の残留応力
の問題について解決策を提示した発明は見当たらない。
記録時の熱膨張緩和の方法として、特開平5−3252
61号公報に、上部誘電体層と反射層の間に、中間層と
して反射層よりも熱膨張係数の小さい金属材料からなる
薄膜を設けることが開示されている。しかし、この方法
では、中間層の熱膨張係数が上部誘電体層のそれよりも
更に小さい場合は逆効果となる。[0004] As a conventional technique for relieving residual stress due to thermal expansion, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 07-240570 discloses a hybrid IC in which an alumina thin film is formed on a metal substrate as an intermediate layer. It is also disclosed that a thin film having a small coefficient of thermal expansion and a larger coefficient of thermal expansion than alumina is provided to prevent peeling of the alumina thin film. However, this technique is not applicable when the substrate is limited to a metal and the thin film is a ceramic material, and when the coefficient of thermal expansion of the substrate is smaller than the coefficient of thermal expansion of the thin film. In the field of optical discs, thermal expansion of the recording layer during phase change recording has been regarded as a problem, but no invention has been found that proposes a solution to the problem of residual stress after the manufacturing process that the present invention is trying to solve.
JP-A-5-3252 discloses a method for alleviating thermal expansion during recording.
No. 61 discloses that a thin film made of a metal material having a smaller coefficient of thermal expansion than the reflective layer is provided as an intermediate layer between the upper dielectric layer and the reflective layer. However, this method has the opposite effect if the coefficient of thermal expansion of the intermediate layer is even smaller than that of the upper dielectric layer.
【0005】そもそも反りは、基板と機能性薄膜の間の
熱膨張係数に差がある事に起因する。両者に熱膨張係数
の差があるので、基板が高温から室温まで冷却する際に
必ず残留応力が生じ、その応力によって基板が反るので
ある。例えば、既に量産されている相変化型光ディスク
の場合には、高温におけるポリカーボネート基板の伸び
が、下部誘電体薄膜の伸びよりも大きい事が反りの原因
である。[0005] In the first place, the warpage is caused by a difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the functional thin film. Since there is a difference in thermal expansion coefficient between the two, a residual stress always occurs when the substrate is cooled from a high temperature to room temperature, and the substrate warps due to the stress. For example, in the case of mass-produced phase change optical disks, the cause of warpage is that the elongation of the polycarbonate substrate at a high temperature is greater than the elongation of the lower dielectric thin film.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、熱膨張によ
る残留応力の小さい積層体、及びその積層体を用いた光
ディスクの提供を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a laminated body having a small residual stress due to thermal expansion and an optical disk using the laminated body.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明では、基板と機能
性薄膜(例えば下部誘電体層)の間に、両者の中間の熱
膨張係数を持つ応力緩和層を設けることにより熱膨張に
よる残留応力を小さくする事ができる。即ち、上記課題
は、次の1)〜7)の発明(以下、本発明1〜7とい
う)によって解決される。 1) 基板上に2層以上の機能性薄膜を有する積層体で
あって、前記基板に接する機能性薄膜(応力緩和層)の
熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数と前記応力緩和層
に続いて積層される機能性薄膜の熱膨張係数の中間の大
きさであることを特徴とする積層体。 2) 1)記載の積層体を層構成の一部として含む光デ
ィスク。 3) 基板、応力緩和層に続く機能性薄膜が下部誘電体
層であり、更にその上に相変化記録層/上部誘電体層/
反射放熱層が積層されている2)記載の光ディスク。 4) 下部誘電体層が応力緩和層を兼ねる3)記載の光
ディスク。 5) 下部誘電体層が2層からなり、その内の基板に近
い方の層が応力緩和層を兼ねる4)記載の光ディスク。 6) 応力緩和層又は応力緩和層を兼ねる部分が、Zn
S及びSiO2を主成分とし、ホウ素、リン、ヒ素から
選ばれる少なくとも1種の元素を含む3)〜5)の何れ
かに記載の光ディスク。 7) 下部誘電体層の主成分もZnS及びSiO2であ
る6)記載の光ディスク。According to the present invention, a residual stress due to thermal expansion is provided between a substrate and a functional thin film (for example, a lower dielectric layer) by providing a stress relaxation layer having a thermal expansion coefficient intermediate between the two. Can be reduced. That is, the above problems are solved by the following inventions 1) to 7) (hereinafter, referred to as inventions 1 to 7). 1) A laminate having two or more functional thin films on a substrate, wherein the thermal expansion coefficient of the functional thin film (stress relaxation layer) in contact with the substrate is the same as the thermal expansion coefficient of the substrate and the stress relaxation layer. A laminate having an intermediate value of the coefficient of thermal expansion of a functional thin film to be subsequently laminated. 2) An optical disk including the laminate according to 1) as a part of a layer structure. 3) The functional thin film following the substrate and the stress relaxation layer is a lower dielectric layer, and further thereon a phase change recording layer / upper dielectric layer /
The optical disc according to 2), wherein the reflective heat dissipation layer is laminated. 4) The optical disc according to 3), wherein the lower dielectric layer also serves as a stress relaxation layer. 5) The optical disc according to 4), wherein the lower dielectric layer is composed of two layers, and a layer closer to the substrate also serves as a stress relaxation layer. 6) The stress relaxation layer or the portion also serving as the stress relaxation layer is made of Zn.
The optical disc according to any one of 3) to 5), wherein S and SiO 2 are main components and at least one element selected from boron, phosphorus, and arsenic. 7) The optical disc according to 6), wherein the main component of the lower dielectric layer is also ZnS and SiO 2 .
【0008】以下、本発明について詳しく説明する。本
発明では、通常透明基板を用いる。その材料の例として
は、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リオレフィン、各種ガラスなどが挙げられる。応力緩和
層の材料としては、基板の熱膨張係数と機能性薄膜(例
えば下部誘電体層)の熱膨張係数の中間の熱膨張係数を
持つ種々のものから選択することができる。その例とし
ては、MgF2、PbS、TeO2、TiO2、Mg
O、In2O 3、TiN、CeO2、ZnS、SiO2
などが挙げられる。中でも、ZnS及びSiO2を主成
分とし、ホウ素、リン、ヒ素などの元素をドープしたも
のが好ましく、ZnS・SiO2中のSiの一部がホウ
素と置き換わる事によりその部分で結合が弱くなるの
で、下部誘電体層のZnS・SiO2よりも熱膨張係数
を大きくすることができる。ドープ材料としては、上記
の元素だけでなく、一般にSiよりも電気陰性度が大き
い材料ならば、程度の差はあるが何らかの効果が得られ
る。Hereinafter, the present invention will be described in detail. Book
In the invention, a transparent substrate is usually used. As an example of that material
Are polycarbonate, polymethyl methacrylate,
Examples include polyolefins and various glasses. Stress relaxation
The material of the layer includes the coefficient of thermal expansion of the substrate and the functional thin film (eg,
For example, the lower coefficient of thermal expansion of the lower dielectric layer)
You can choose from various things that you have. As an example
The MgF2, PbS, TeO2, TiO2, Mg
O, In2O 3, TiN, CeO2, ZnS, SiO2
And the like. Among them, ZnS and SiO2The main
And doped with elements such as boron, phosphorus and arsenic
Preferably, ZnS.SiO2Some of the Si inside is ho
Replacement with elementary weakens the bond at that part
Then, ZnS · SiO of the lower dielectric layer2Thermal expansion coefficient than
Can be increased. As the dope material,
Not only elements but also generally have higher electronegativity than Si
Material is more or less effective.
You.
【0009】下部誘電体層の材料としては、例えばZn
S、SiO2、Al2O3、Si3N4、ZnSeなど
の金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、金属セレン化
物、又はそれらの混合物などを用いることができる。記
録層としては、特に限定されるものではないが、各種合
金が好ましく用いられる。その具体例としては、In−
Sb−Te、Ag−In−Sb−Te、Se−Sb−T
e、In−Se−Te、Sn−Se−Te、In−Sb
−Se、Bi−Sb−Se、Ge−Sb−Te、In−
Ge−Sb−Te、Pd−Ge−Sb−Te、Ni−G
e−Sb−Te、Co−Ge−Sb−Te、Ge−Te
−Bi、Ge−Te−Bi−Se、Ge−Te−Sn、
Ge−Te−Sn−Auなどが挙げられるが、特に消去
部が溶融再結晶による結晶であるため、高密度記録に適
するAg−In−Sb−Teが好ましい。上部誘電体層
は保護層の機能も兼ねるものであることが好ましく、そ
の材料としては、下部誘電体層と同様のものを用いるこ
とができる。反射放熱層としては、Al、Au、Ag、
Cuなどの金属、及びこれらの合金が好ましく用いられ
るが、特にこれらに限られるわけではない。さらに必要
に応じて、反射放熱層上に保護層を設けてもよい。その
材料としては紫外線硬化型樹脂などが用いられる。As a material for the lower dielectric layer, for example, Zn
A metal sulfide such as S, SiO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , ZnSe, a metal oxide, a metal nitride, a metal selenide, or a mixture thereof can be used. The recording layer is not particularly limited, but various alloys are preferably used. As a specific example, In-
Sb-Te, Ag-In-Sb-Te, Se-Sb-T
e, In-Se-Te, Sn-Se-Te, In-Sb
-Se, Bi-Sb-Se, Ge-Sb-Te, In-
Ge-Sb-Te, Pd-Ge-Sb-Te, Ni-G
e-Sb-Te, Co-Ge-Sb-Te, Ge-Te
-Bi, Ge-Te-Bi-Se, Ge-Te-Sn,
Ge-Te-Sn-Au may be mentioned, but Ag-In-Sb-Te suitable for high-density recording is particularly preferable because the erased portion is a crystal formed by melt recrystallization. It is preferable that the upper dielectric layer also functions as a protective layer, and the same material as that of the lower dielectric layer can be used. Al, Au, Ag,
Metals such as Cu and alloys thereof are preferably used, but are not particularly limited thereto. Further, if necessary, a protective layer may be provided on the reflective heat dissipation layer. As the material, an ultraviolet curable resin or the like is used.
【0010】[0010]
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例により限定されるもので
はない。EXAMPLES The present invention will be described below in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0011】実施例1 まず射出成形により直径120cm、厚さ0.6mmの
ポリカーボネート基板を作成した。次いでこの基板上
に、図1に上面図を示したスパッタ装置により下記の各
層の製膜を行った。今回の製膜では6チャンバーを有す
る装置で行ったが、チャンバー数は6個に限らず、4個
以上あれば生産可能である。次に各製膜室における各層
の材料の内訳を示す。 製膜室1:ZnS・SiO2(B、P、Asドープ)
(応力緩和層) 製膜室2:ZnS・SiO2(下部誘電体層) 製膜室3:ZnS・SiO2(下部誘電体層) 製膜室4:AgInSbTe(記録層) 製膜室5:ZnS・SiO2(上部誘電体層) 製膜室6:Al(反射放熱層) 次に、各製膜室のスパッタ条件を示す。製膜室1では、
次の条件によりZnS・SiO2(Bドープ)膜をスパ
ッタリング法で形成した。 ターゲット材:SiO2(19.5モル%)、ZnS
(79.5モル%)、B(1.0モル%) 投入電力:RF4kW/8インチターゲット ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:90nm 製膜室2及び製膜室3では、次の条件によりZnS・S
iO2膜を形成した。 ターゲット材:SiO2(20.5モル%)、ZnS
(79.5モル%) 投入電力:RF4kW/8インチターゲット、 ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:50nm 製膜室4では、次の条件によりAgInSbTe膜を形
成した。 投入電力:DC0.4kW/8インチターゲット ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:20nm 製膜室5では、次の条件によりZnS・SiO2膜を形
成した。 投入電力:RF4kW/8インチターゲット ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:20nm 製膜室6では、次の条件によりAl膜を形成した。 投入電力:DC5kW/8インチターゲット ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:140nm 最後に紫外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外光を照射し
て保護層を形成し、光ディスクを得た。この光ディスク
に、1μm×96μmの大きさでフォーカスされたレー
ザービームを次の条件で照射して、AgInSbTe記
録層を結晶化した。 結晶化条件(回転線速:4m/s、レーザー送り速度:
50μm/回転、レーザー投入パワー800mW)Example 1 First, a polycarbonate substrate having a diameter of 120 cm and a thickness of 0.6 mm was prepared by injection molding. Next, the following layers were formed on this substrate by a sputtering apparatus whose top view was shown in FIG. The film formation in this case was performed using an apparatus having six chambers. However, the number of chambers is not limited to six, and production can be performed with four or more chambers. Next, the breakdown of the material of each layer in each film forming chamber is shown. Film forming chamber 1: ZnS · SiO 2 (B, P, As doped)
(Stress relaxation layer) Film forming chamber 2: ZnS.SiO 2 (lower dielectric layer) Film forming chamber 3: ZnS.SiO 2 (lower dielectric layer) Film forming chamber 4: AgInSbTe (recording layer) Film forming chamber 5: ZnS.SiO 2 (upper dielectric layer) Film forming chamber 6: Al (reflective heat dissipation layer) Next, sputtering conditions in each film forming chamber will be described. In the film forming chamber 1,
Under the following conditions, a ZnS.SiO 2 (B-doped) film was formed by a sputtering method. Target material: SiO 2 (19.5 mol%), ZnS
(79.5 mol%), B (1.0 mol%) Input power: RF 4 kW / 8 inch target Gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 90 nm In the film forming chamber 2 and the film forming chamber 3, the following conditions were satisfied. By ZnS ・ S
An iO 2 film was formed. Target material: SiO 2 (20.5 mol%), ZnS
(79.5 mol%) Input power: RF 4 kW / 8 inch target, gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 50 nm In the film forming chamber 4, an AgInSbTe film was formed under the following conditions. Input power: DC 0.4 kW / 8 inch target Gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 20 nm In the film forming chamber 5, a ZnS.SiO 2 film was formed under the following conditions. Input power: RF 4 kW / 8 inch target Gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 20 nm In the film forming chamber 6, an Al film was formed under the following conditions. Input power: DC 5 kW / 8 inch target Gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 140 nm Finally, after applying an ultraviolet curable resin, a protective layer was formed by irradiating ultraviolet light to obtain an optical disk. The optical disk was irradiated with a laser beam focused at a size of 1 μm × 96 μm under the following conditions to crystallize the AgInSbTe recording layer. Crystallization conditions (rotational linear velocity: 4 m / s, laser feed rate:
50 μm / rotation, laser input power 800 mW)
【0012】比較例1 以下のようにして従来技術による光ディスクを製造し
た。まず射出成形により直径120cm、厚さ0.6m
mのポリカーボネート基板を形成した。次いでこの基板
上に、製膜室2及び製膜室3において、次の条件により
ZnS・SiO2膜を形成した。 投入電力:RF4kW/8インチターゲット ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:63nm 製膜室4では、次の条件によりAgInSbTe膜を形
成した。 投入電力:DC0.4kW/8インチターゲット ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:20nm 製膜室5では、次の条件によりZnS・SiO2膜を形
成した。 投入電力:RF4kW/8インチターゲット ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:20nm 製膜室6では、次の条件によりAl膜を形成した。 投入電力:DC5kW/8インチターゲット ガス圧力:2mTorr ガス種:Ar 膜厚:140nm 最後に紫外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外光を照射し
て保護層を形成し、光ディスクを得た。この光ディスク
に、1μm×96μmの大きさでフォーカスされたレー
ザービームを次の条件で照射して、AgInSbTe記
録層を結晶化した。結晶化条件(回転線速:4m/s、
レーザー送り速度:50μm/回転、レーザー投入パワ
ー800mW)Comparative Example 1 An optical disk according to the prior art was manufactured as follows. First, diameter 120cm, thickness 0.6m by injection molding
m of the polycarbonate substrate was formed. Next, a ZnS.SiO 2 film was formed on the substrate in the film forming chambers 2 and 3 under the following conditions. Input power: RF 4 kW / 8 inch target Gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 63 nm In the film forming chamber 4, an AgInSbTe film was formed under the following conditions. Input power: DC 0.4 kW / 8 inch target Gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 20 nm In the film forming chamber 5, a ZnS.SiO 2 film was formed under the following conditions. Input power: RF 4 kW / 8 inch target Gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 20 nm In the film forming chamber 6, an Al film was formed under the following conditions. Input power: DC 5 kW / 8 inch target Gas pressure: 2 mTorr Gas type: Ar Film thickness: 140 nm Finally, after applying an ultraviolet curable resin, a protective layer was formed by irradiating ultraviolet light to obtain an optical disk. This optical disk was irradiated with a laser beam focused at a size of 1 μm × 96 μm under the following conditions to crystallize the AgInSbTe recording layer. Crystallization conditions (rotational linear velocity: 4 m / s,
(Laser feed speed: 50 μm / rotation, laser input power 800 mW)
【0013】上記実施例1の応力緩和層では、ZnS・
SiO2中のSiの一部がBと置き換わる事によりその
部分で結合が弱くなるので、下部誘電体層のZnS・S
iO 2よりも熱膨張係数が大きくなる。即ち、応力緩和
層の熱膨張係数は、ポリカーボネート基板と下部誘電体
層の間の大きさである。この時、ドープする材料は、B
の他に、P又はAsでも同じ効果が得られる。実施例1
における0.6mmポリカーボネート基板の反りは1.
5degであり、比較例1の反りは2.2degであっ
て、BドープZnS・SiO2を応力り、比較例1の反
りは2.2degであって、BドープZnS・SiO2
を応力緩和層として設けた実施例1の方が、ポリカーボ
ネート基板に直接ZnS・SiO2を形成した比較例よ
りも明らかに優れている。ここで、「deg」とは、図
2に示したように、記録媒体を水平保持した場合に、そ
の接線が水平線となす角度の最大値のことである。In the stress relaxation layer of the first embodiment, ZnS.
SiO2By replacing some of the Si inside with B
Since the coupling becomes weaker at the portion, the ZnS.S
iO 2The thermal expansion coefficient becomes larger than that. That is, stress relaxation
The coefficient of thermal expansion of the layer is based on the polycarbonate substrate and the lower dielectric
The size between the layers. At this time, the material to be doped is B
Besides, the same effect can be obtained with P or As. Example 1
Of the 0.6 mm polycarbonate substrate in 1.
5 deg, and the warpage of Comparative Example 1 was 2.2 deg.
And B-doped ZnS / SiO2In the comparative example 1
Is 2.2 deg and B-doped ZnS · SiO2
Example 1 in which is provided as a stress relieving layer,
ZnS / SiO directly on the substrate2From the comparative example
Is clearly superior. Here, "deg" refers to the figure
As shown in Fig. 2, when the recording medium is held horizontally,
Is the maximum value of the angle between the tangent and the horizontal.
【0014】[0014]
【発明の効果】本発明1によれば、熱膨張による残留応
力の小さい積層体を提供することができる。本発明2、
3によれば、熱膨張による残留応力の小さい光ディスク
を提供することができる。本発明4によれば、下部誘電
体層が応力緩和層であるため製造における高温プロセス
後の熱膨張による残留応力の小さい光ディスクを提供す
ることができる。本発明5によれば、誘電体層に応力緩
和部分を含む事により熱膨張による残留応力の小さい光
ディスクを提供することができる。本発明6、7によれ
ば、ケイ素原子の一部をホウ素、リン、ヒ素の何れかで
置換することにより、その部分の結合が弱くなるため、
熱膨張による残留応力の小さい光ディスクを提供するこ
とができる。According to the first aspect of the present invention, a laminate having a small residual stress due to thermal expansion can be provided. Invention 2,
According to 3, an optical disk with small residual stress due to thermal expansion can be provided. According to the fourth aspect, since the lower dielectric layer is a stress relaxation layer, it is possible to provide an optical disk having small residual stress due to thermal expansion after a high-temperature process in manufacturing. According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to provide an optical disk having small residual stress due to thermal expansion by including a stress relaxation portion in the dielectric layer. According to the present inventions 6 and 7, by replacing a part of the silicon atom with one of boron, phosphorus and arsenic, the bond of the part is weakened.
An optical disk with small residual stress due to thermal expansion can be provided.
【図1】スパッタ製膜装置の上面図である。FIG. 1 is a top view of a sputtering film forming apparatus.
【図2】「deg」を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining “deg”.
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Claims (7)
積層体であって、前記基板に接する機能性薄膜(応力緩
和層)の熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数と前記応
力緩和層に続いて積層される機能性薄膜の熱膨張係数の
中間の大きさであることを特徴とする積層体。1. A laminate having two or more functional thin films on a substrate, wherein a functional thin film (stress relaxation layer) in contact with the substrate has a coefficient of thermal expansion that is equal to the coefficient of thermal expansion of the substrate and the stress of the substrate. A laminate having an intermediate value of the coefficient of thermal expansion of a functional thin film laminated after the relaxation layer.
して含む光ディスク。2. An optical disc comprising the laminate according to claim 1 as a part of a layer structure.
部誘電体層であり、更にその上に相変化記録層/上部誘
電体層/反射放熱層が積層されている請求項2記載の光
ディスク。3. The functional thin film following the substrate and the stress relaxation layer is a lower dielectric layer, on which a phase-change recording layer / upper dielectric layer / reflective heat dissipation layer is laminated. optical disk.
項3記載の光ディスク。4. The optical disk according to claim 3, wherein the lower dielectric layer also functions as a stress relaxation layer.
基板に近い方の層が応力緩和層を兼ねる請求項4記載の
光ディスク。5. The optical disk according to claim 4, wherein the lower dielectric layer comprises two layers, and a layer closer to the substrate also serves as a stress relaxation layer.
が、ZnS及びSiO2を主成分とし、ホウ素、リン、
ヒ素から選ばれる少なくとも1種の元素を含む請求項3
〜5の何れかに記載の光ディスク。6. A stress relaxation layer or a portion which also serves as a stress relaxation layer contains ZnS and SiO 2 as main components, and contains boron, phosphorus,
4. The composition according to claim 3, comprising at least one element selected from arsenic.
6. The optical disc according to any one of claims 1 to 5,
O2である請求項6記載の光ディスク。7. The lower dielectric layer is mainly composed of ZnS and Si.
O 2 The optical disc of claim 6, wherein.
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