JP2002092951A - Phase change optical disk and method of manufacturing the same - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To heighten the film deposition rate of a dielectric material protective film and to enhance manufacturing capacity of a phase change optical disk by optimizing a material which constitutes the dielectric material protective film protecting a phase change recording layer. SOLUTION: In the phase change optical disk 10, the dielectric material protective films 2 and 4 consisting of a mixed material of ZnS and TiO2, ZnS and Ta2O5 or ZnS and CeO2 and mixtures formed by adding ITO thereto, a recording film 3 and a reflection film 5 are respectively sputtered to a substrate 1. The mixed material containing ITO is capable of direct current sputtering, even though it is a dielectric material. Thus, tact time is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光ビームの照射
により非晶質と結晶との間で可逆的に相変化すること
で、記録／消去が可能な相変化光ディスクおよびその製
造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase-change optical disk capable of recording / erasing by reversibly changing phase between amorphous and crystalline by irradiation of a light beam, and a method of manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、大容量メモリとして、光ディスク
が注目をあびている。2. Description of the Related Art In recent years, optical disks have attracted attention as large-capacity memories.

【０００３】光ディスクは、ＣＤ（コンパクトディス
ク）に代表される再生専用型、ＣＤ−Ｒに代表される１
回追記型、コンピュータの外付けメモリ用向けのＣＤ−
ＲＷに代表される書き換え可能型の３種類に大別され
る。なお、書き換え可能型は、光磁気ディスクと相変化
ディスクに、さらに大別される。An optical disk is a read-only type represented by a CD (compact disk), and a 1-type represented by a CD-R.
Write-once, CD for external memory of computer
It is roughly classified into three types of rewritable type represented by RW. The rewritable type is further roughly classified into a magneto-optical disk and a phase change disk.

【０００４】相変化光ディスクは、レーザビームの照射
により非晶質と結晶との間で可逆的の相変化する記録膜
を用いて、記録用のパワーのレーザビームを照射するこ
とで記録膜を非晶質とした記録マークとバックグラウン
ドの結晶状態の反射率の差によって、情報を保持し、再
生用のパワーのレーザビームを照射することにより、記
録膜に記録されている情報が再生可能である。記録膜の
レーザビーム照射部分が、非晶質（記録マーク）になる
か結晶（消去状態）になるかは、レーザビームが照射さ
れた部分が膜を構成する材料の融点を越えるかまたは結
晶化温度を越えるかのみに依存するため、レーザビーム
の強弱および記録信号による強度変調によりオーバライ
トが可能である。A phase-change optical disk uses a recording film that reversibly changes phase between amorphous and crystalline by irradiation with a laser beam, and irradiates the recording film with a laser beam having a recording power so that the recording film is not changed. The information recorded on the recording film can be reproduced by irradiating a laser beam having a power for reproduction by holding the information by the difference between the reflectance of the crystalline recording mark and the crystal state of the background. . Whether the laser beam irradiated portion of the recording film becomes amorphous (recording mark) or crystalline (erased state) depends on whether the portion irradiated with the laser beam exceeds the melting point of the material constituting the film or crystallizes. Since it depends only on whether the temperature exceeds the temperature, overwriting is possible by the intensity modulation of the laser beam and the intensity of the recording signal.

【０００５】このため、相愛化光ディスクは、現在、Ｄ
ＶＤ規格に元づいたＤＶＤ−ＲＡＭやＤＶＤ−ＲＷディ
スクや、他規格の光ディスクにＲＷ（書き換え可能）の
特性を持たせた光ディスク等にも採用されている。[0005] For this reason, the loved optical disk is currently available in D
It is also used in DVD-RAM and DVD-RW discs based on the VD standard, optical discs of other standards having RW (rewritable) characteristics, and the like.

【０００６】図７に示すように、周知の相変化光ディス
ク１１０は、円盤状のプラスチック製基板１１１上に、
誘電体保護膜１１２、相変化記録膜１１３、誘電体保護
膜１１４、および金属反射膜１１５が順に積層されてお
り、金属反射膜１１５の上に、取り扱い上で生ずる傷等
を防止するためのＵＶ硬化製の樹脂膜１１６がオーバコ
ートされた構造を有している。As shown in FIG. 7, a well-known phase-change optical disk 110 is provided on a disc-shaped plastic substrate 111.
The dielectric protection film 112, the phase change recording film 113, the dielectric protection film 114, and the metal reflection film 115 are sequentially laminated, and UV on the metal reflection film 115 for preventing scratches or the like generated during handling. It has a structure in which a cured resin film 116 is overcoated.

【０００７】相変化記録膜１１３は、プラスチック製基
板１１１側から入射してくる記録用のパワーのレーザビ
ームが集光されることで膜が発熱し、膜を構成する材料
の融点を越えると、その部分は、レーザビーム照射後の
自然冷却により、非晶質の記録マークになる。また、消
去用のパワーのレーザビームが照射されることによる発
熱が記録膜材料の結晶化温度を越えるが融点より低い温
度でとどまった場合は、その部分は、自然冷却により、
結晶となり、消去状態になる。The phase-change recording film 113 generates heat when a laser beam of recording power incident from the plastic substrate 111 is condensed, and when the film exceeds the melting point of the material constituting the film, The portion becomes an amorphous recording mark by natural cooling after laser beam irradiation. If the heat generated by irradiating the laser beam with the erasing power exceeds the crystallization temperature of the recording film material but stays at a temperature lower than the melting point, the portion is cooled by natural cooling.
It becomes a crystal and becomes an erased state.

【０００８】非晶質部分（記録マーク）と結晶部分（消
去状態）では、再生用レーザビームに対して反射率が異
なるため、マーク部分を信号として取り出すことができ
る。Since the reflectance of the amorphous portion (recorded mark) and the crystalline portion (erased state) are different with respect to the reproducing laser beam, the mark portion can be extracted as a signal.

【０００９】一般に、この相変化記録膜の材料は、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭディスクでは、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金（融点６００℃、結晶化温度１６０℃）の３元合金が
利用され、ＤＶＤ−ＲＷディスクでは、例えば、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（融点６５０℃、結晶化温度２００
℃）の４元合金が利用される。Generally, the material of this phase change recording film is DV
For a D-RAM disk, for example, a ternary alloy of a Ge—Sb—Te alloy (melting point 600 ° C., crystallization temperature 160 ° C.) is used. For a DVD-RW disk, for example, an Ag—Sb—Te alloy is used.
In-Sb-Te (melting point 650 ° C, crystallization temperature 200
C) quaternary alloy is used.

【００１０】相変化記録膜１１３は、レーザビームの照
射によって、溶融または結晶化温度まで上昇できるため
に、その厚さは、通常、５〜１００ｎｍである。The thickness of the phase change recording film 113 is usually 5 to 100 nm because the phase change recording film 113 can be heated to a melting or crystallization temperature by laser beam irradiation.

【００１１】相変化記録膜１１３を挟む誘電体保護膜１
１２と１１４は、相変化記録膜１１３が、融点以上に昇
温されたときに相変化記録膜１１３が溶けて穴が開くこ
とを防止するために用いられる。言い換えると、相変化
記録膜１１３に穴が開くと、相変化ができず、元に戻ら
なくなるため、次の書き換え要求があった場合に記録マ
ークを消去できない問題が生じる。従って、誘電体保護
膜１１２，１１４を構成する材料は、通常融点が１００
０℃以上と高く、且つ物理的に固い材質が選択される。
また、誘電体保護膜１１２，１１４は、一方では、光学
的な干渉効果で、再生信号を増大させる（エンハンスす
る）効果を担っているため、通常は、レーザビームに対
して透明で（吸収が無く）、且つ屈折率の大きな材質が
利用される。Dielectric protection film 1 sandwiching phase change recording film 113
Reference numerals 12 and 114 are used to prevent the phase change recording film 113 from melting and opening holes when the temperature of the phase change recording film 113 is raised to a temperature equal to or higher than the melting point. In other words, if a hole is formed in the phase change recording film 113, the phase change cannot be performed and the phase change cannot be returned. Therefore, there is a problem that the recording mark cannot be erased when the next rewrite request is made. Therefore, the material forming the dielectric protection films 112 and 114 usually has a melting point of 100.
A material that is as high as 0 ° C. or higher and physically hard is selected.
On the other hand, since the dielectric protective films 112 and 114 have an effect of increasing (enhancing) a reproduced signal by an optical interference effect, the dielectric protective films 112 and 114 are usually transparent to a laser beam (absorbed). No) and a material having a large refractive index is used.

【００１２】このような、誘電体保護膜１１２，１１４
の材料としては、高融点で物理的に固い機能の部分を、
Ｓ_ｉ０_２に担わせ、高屈折率である部分をＺｎＳに担わ
せるようにした、ＺｎＳとＳ_ｉ０_２の混合膜が採用され
ている。なお、一般にＺｎＳとＳ_ｉ０_２の混合比は、Ｚ
ｎＳが２０％でＳ_ｉ０_２が８０％である。Such a dielectric protection film 112, 114
As for the material, the part of the function that is physically hard and has a high melting point,
Was borne on S _i 0 _2, the portion is a high refractive index so as to borne in ZnS, mixed film of ZnS and _S i _{0 2} is employed. The mixing ratio of the general ZnS and _S i _{0 2} is, Z
nS is ₂ 80% _S i ₀ at 20%.

【００１３】誘電体保護膜１１２，１１４の厚さは、そ
の機能によって決まるが基板１１１側の誘電体保護膜１
１２の厚さは、レーザビームの照射によって、相変化記
録膜１１３が融点と結晶化温度の繰り返し上昇しても、
基板１１１にダメージを与えない程度の厚さを必要とし
ており、一般には、３０〜２００ｎｍに設定される。ま
た、誘電体保護膜１１４の厚さは、物理的な固さと光学
的なエンハンス効果の他に、相変化記録膜１１３で発生
した熱を、熱伝導率の高い金属反射膜１１５の側にでき
るだけ短時間で逃がして急冷することで、相変化記録膜
１１３を、溶融液体の状態のまま凍結させて非晶質を形
成する効果を必要とすることから、金属反射膜１１５と
の間の距離をある程度狭く設定する目的で、通常、５〜
３０ｎｍと基板１１１側の誘電体保護膜１１２の厚さに
比較して薄く設定される。The thicknesses of the dielectric protection films 112 and 114 are determined by their functions, but the thickness of the dielectric protection film 1 on the substrate 111 is set.
The thickness of 12 is such that the phase change recording film 113 repeatedly rises in melting point and crystallization temperature by laser beam irradiation.
A thickness that does not damage the substrate 111 is required, and is generally set to 30 to 200 nm. Further, the thickness of the dielectric protection film 114 is such that, in addition to the physical rigidity and the optical enhancement effect, the heat generated in the phase change recording film 113 can be transferred to the metal reflection film 115 having high thermal conductivity as much as possible. Since the phase change recording film 113 is required to have an effect of freezing in a molten liquid state to form an amorphous state by being released in a short time and rapidly cooled, the distance between the phase change recording film 113 and the metal reflective film 115 is reduced. For the purpose of setting to some extent narrow, usually 5 to
The thickness is set to 30 nm, which is smaller than the thickness of the dielectric protection film 112 on the substrate 111 side.

【００１４】金属反射膜１１５は、相変化記録膜１１３
の記録マークと結晶状態との間の反射率の差である再生
信号を、光学的にエンハンスさせる効果を有することか
ら、反射率の高い材料が選択される。また、相変化記録
膜１１３で発生した熱を逃がす作用も受け持っているた
め、熱伝導率の高い材料が選択される。このような材料
としては、一般に、ＡｕやＡｌが考えられるが、Ａｕは
高価であるため、通常はＡｌが用いられる。しかしなが
ら、Ａｕの場合は、化学的に、極めて安定で問題はない
が、Ａｌは、高温多湿時に腐食される場合があるため、
Ａｌを用いる場合には、腐食防止のため、少量のＣｒや
Ｍｏを添加している。The metal reflection film 115 is a phase change recording film 113
Therefore, a material having a high reflectance is selected because it has an effect of optically enhancing a reproduction signal, which is a difference in reflectance between the recording mark and the crystalline state. Further, since it also has a function of releasing heat generated in the phase change recording film 113, a material having high thermal conductivity is selected. As such a material, Au or Al is generally considered, but since Au is expensive, Al is usually used. However, in the case of Au, although it is chemically very stable and there is no problem, Al may be corroded at high temperature and high humidity.
When Al is used, a small amount of Cr or Mo is added to prevent corrosion.

【００１５】金属反射膜１１５の厚さは、反射膜として
機能し、且つ熱を逃がす効果のために、通常、３０〜３
００ｎｍに設定される。The thickness of the metal reflecting film 115 is usually 30 to 3 to function as a reflecting film and to release heat.
It is set to 00 nm.

【００１６】なお、ＵＶ硬化型の樹脂のオーバコート保
護膜１１６は、傷や外部環境から相変化記録膜１１３を
保護する目的で設けられるので、通常、５〜数１０μｍ
の厚さに形成される。The UV-curable resin overcoat protective film 116 is provided for the purpose of protecting the phase-change recording film 113 from scratches and the external environment.
Formed to a thickness of

【００１７】図８および図９は、図７に示した相変化式
の光ディスクを製造する枚葉式のスパッタ装置１００１
の一例を示す概略図である。なお、図８は、スパッタ装
置１００１を上から見た平面図を示し、図９は、図８に
示した枚葉式のスパッタ装置１００１に設けられる複数
の真空チャンバ１０２１，１０３１，１０４１，１０５
１，１０６１，１０７１および１０８１の任意の１つを
示す側面図である。FIGS. 8 and 9 show a single-wafer sputtering apparatus 1001 for producing the phase-change optical disk shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example. 8 shows a plan view of the sputtering apparatus 1001 as viewed from above, and FIG. 9 shows a plurality of vacuum chambers 1021, 1031, 1041, 105 provided in the single-wafer sputtering apparatus 1001 shown in FIG.
FIG. 2 is a side view showing an arbitrary one of 1, 1061, 1071 and 1081.

【００１８】以下、図８および図９に示したスパッタ装
置により、相変化光ディスクを作製する方法を説明す
る。Hereinafter, a method of manufacturing a phase-change optical disk using the sputtering apparatus shown in FIGS. 8 and 9 will be described.

【００１９】図８に示したスパッタ装置１００１の本チ
ャンバ１０１１の周囲の所定の位置に設けられているロ
ード・ロックチャンバ１０１２の蓋１０１２Ａを開け、
回転可能に形成されているトレイ１０１１−１に、円盤
状のディスク基板１１１をセットする。この状態でロー
ド・ロックチャンバ１０１２の蓋１０１２Ａを閉め、ロ
ード・ロックチャンバ１０１２内の気圧を、本チャンバ
１０１１と同程度の真空まで減圧する。通常この真空度
は、１０^−５ｔｏｒｒ程度である。The lid 1012A of the load / lock chamber 1012 provided at a predetermined position around the main chamber 1011 of the sputtering apparatus 1001 shown in FIG.
A disk-shaped disk substrate 111 is set on a rotatable tray 1011-1. In this state, the lid 1012A of the load / lock chamber 1012 is closed, and the pressure in the load / lock chamber 1012 is reduced to the same level of vacuum as the main chamber 1011. Usually, the degree of vacuum is about 10 ⁻⁵ torr.

【００２０】ディスク基板１１１がセットされたロード
・ロックチャンバ１０１２内の回転トレイ１０１１−１
は、本チャンバ１０１１の中に移動され、１０１１Ａに
示される本チャンバ１０１１内の所定の位置に収容され
る。本チャンバ１０１１内では、図示しない駆動系によ
り、矢印Ａの方向に回転トレイ１０１１−１が移動さ
れ、回転トレイ１０１１−１は、１０１１Ｂの位置に移
動される。A rotating tray 1011-1 in the load / lock chamber 1012 in which the disk substrate 111 is set.
Is moved into the main chamber 1011 and accommodated in a predetermined position in the main chamber 1011 shown by 1011A. In the main chamber 1011, the rotating tray 1011-1 is moved in the direction of arrow A by a driving system (not shown), and the rotating tray 1011-1 is moved to a position of 1011B.

【００２１】この状態で、ディスク基板１１１がセット
された１０１１Ｂの位置に位置されたトレイ１０１１−
１は、図示しない駆動機構により、第１のスパッタリン
グチャンバ１０２１の中に移動される。In this state, the tray 1011 is located at the position 1011B where the disk substrate 111 is set.
1 is moved into the first sputtering chamber 1021 by a driving mechanism (not shown).

【００２２】図９に示すように、第１のスパッタリング
チャンバ１０２１の中に回転トレイ１０１１−１が搬送
されると、ディスク基板１１１を保持した回転トレイ１
０１１−１が、絶縁性の台１０２２に支持されているス
パッタ用電極１０２３上にセットされているスパッタ用
のターゲット材料１０２４と対向される。回転トレイ１
０１１−１がターゲット材料１０２４と対向されると、
電源１０２５から、１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波出
力）が、電極１０２３を通じてからターゲット材料１０
２４に供給される。なお、第１のスパッタリングチャン
バ１０２１において、ターゲット材料１０２４には、図
７に示した光ディスク１１０の１層めにあたる誘電体保
護膜１１２を成膜するために用いられるＺｎＳ２０％と
Ｓ_ｉ０_２８０％の混合材が利用される。As shown in FIG. 9, when the rotating tray 1011-1 is transported into the first sputtering chamber 1021, the rotating tray 1
011-1 faces the sputtering target material 1024 set on the sputtering electrode 1023 supported on the insulating base 1022. Rotating tray 1
When 011-1 faces the target material 1024,
13.56 MHz RF (high frequency output) is supplied from the power source 1025 through the electrode 1023 to the target material 10.
24. In the first sputtering chamber 1021, the target material 1024, ZnS20% and _S i ₀ 2 80% used for forming a dielectric protective film 112 corresponding to the first layer of the optical disc 110 shown in FIG. 7 Is used.

【００２３】詳細には、第１のスパッタリングチャンバ
１０２１は、回転トレイ１０１１−１がターゲット材料
１０２４と対向されることでロックされ、図示しない真
空ポンプによる吸引により１０^−６ｔｏｒｒまでさらに
減圧される。続いて、図示しないガス導入管からＡｒガ
スが導入され、Ａｒガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒ
になるようにガス流量が設定される。その後、ＲＦ電源
１０２５がオンされ、例えば３ＫＷのＲＦパワーがスパ
ッタ電極１０２３に印加される。これにより、Ａｒガス
プラズマが発生され、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金からなる誘
電体保護膜１１２の成膜が開始される。約１０秒後、Ｒ
Ｆ電源１０２５をオフにすることで、基板１１１側の誘
電体保護膜１１２のうちの所定厚さの部分１１２ａのス
パッタが完了する。なお、１０秒のスパッタ時間は、成
膜速度の遅いＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金を精一杯速く成膜可
能な時間である。言い換えると、これ以上のＲＦパワー
を印加して長時間成膜を行うと、発熱によってプラスチ
ック製のディスク基板１１１が変形してしまう。なお、
第１のチャンバ１０２１における、１０秒間の成膜で、
プラスチック基板１１１に成膜されるＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２
合金層１１２ａの厚さは、概ね３５ｎｍである。More specifically, the first sputtering chamber 1021 is locked by the rotating tray 1011-1 facing the target material 1024, and the pressure is further reduced to 10 ^-6 torr by suction by a vacuum pump (not shown). Subsequently, Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown), and the partial pressure of the Ar gas is reduced to 5 × 10 ⁻³ torr.
The gas flow rate is set so that Thereafter, the RF power supply 1025 is turned on, and RF power of, for example, 3 KW is applied to the sputter electrode 1023. Thus, Ar gas plasma is generated, the deposition of the dielectric protective film 112 made of _ZnS-S i _{0 2} alloy is started. After about 10 seconds, R
By turning off the F power supply 1025, the sputtering of the portion 112a having a predetermined thickness in the dielectric protection film 112 on the substrate 111 side is completed. Incidentally, 10 seconds sputtering time is slow _ZnS-S i _{0 2} utmost fast deposition time available alloys of deposition rate. In other words, when a film is formed for a long time by applying a higher RF power, the plastic disk substrate 111 is deformed by heat generation. In addition,
In the film formation for 10 seconds in the first chamber 1021,
_ZnS-S i _{0 2} which is deposited on a plastic substrate 111
The thickness of the alloy layer 112a is approximately 35 nm.

【００２４】次に、回転トレイ１０１１−１は、図示し
ない駆動機構により本チャンバ１０１１内部に引き戻さ
れ、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１１Ｃの位置に移動される。続いて、回転トレ
イ１０１１−１は、第２のスパッタリングチャンバ１０
３１内に移動され、チャンバ１０３１内の絶縁性の台１
０３２に支持されているスパッタ用電極１０３３上にセ
ットされているスパッタ用のターゲット材料１０３４と
対向される。回転トレイ１０１１−１がターゲット材料
１０３４と対向されると、先に説明したと同様にして、
チャンバ１０３１が図示しない真空ポンプによる吸引に
より１０^−６ｔｏｒｒまで減圧され、Ａｒガスの分圧が
５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるように図示しないガス導入
管からＡｒガスが導入される。その後、ＲＦ電源１０３
５がオンされ、例えば３ＫＷのＲＦパワーがスパッタ電
極１０３３に印加される。これにより、Ａｒガスプラズ
マが発生され、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金からなる誘電体保
護膜１１２の成膜が開始される。約１０秒後、ＲＦ電源
１０３５をオフにして基板１１１側の誘電体保護膜１１
２のうちの第２の部分１１２ｂのスパッタが完了する。
なお、１０秒のスパッタ時間は、第１のチャンバ１０２
１による成膜と同様に、成膜速度の遅いＺｎＳ−Ｓ_ｉ０
_２合金を精一杯速く成膜可能な時間である。これによ
り、第１のチャンバ１０２１における１０秒間の成膜
（３５ｎｍ，１１２ａ層）とあわせて、回転トレイ１０
１１−１にセットされたプラスチック基板１１１に、厚
さ７０ｎｍのＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金の膜１１２ａ＋１１
２ｂが成膜される。Next, the rotary tray 1011-1 is pulled back into the chamber 1011 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position of 1011C. Subsequently, the rotating tray 1011-1 is placed in the second sputtering chamber 10
31 is moved into the insulating base 1 in the chamber 1031.
It faces the target material 1034 for sputtering set on the electrode 1033 for sputtering supported by 032. When the rotating tray 1011-1 faces the target material 1034, in the same manner as described above,
The pressure of the chamber 1031 is reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown), and Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown) so that the partial pressure of Ar gas becomes 5 × 10 ⁻³ torr. Then, the RF power source 103
5 is turned on, and 3 KW of RF power is applied to the sputter electrode 1033, for example. Thus, Ar gas plasma is generated, the deposition of the dielectric protective film 112 made of _ZnS-S i _{0 2} alloy is started. After about 10 seconds, the RF power supply 1035 is turned off to turn off the dielectric protection film 11 on the substrate 111 side.
2 is completed.
Note that the sputtering time of 10 seconds corresponds to the first chamber 102.
As in the case of the film formation by No. 1, ZnS—S _i 0 having a low film formation rate
_This is the time during which the _two alloys can be formed as quickly as possible. Accordingly, the rotation tray 10 is formed together with the film formation (35 nm, 112a layer) for 10 seconds in the first chamber 1021.
A plastic substrate 111 that is set to 11-1, the thickness of 70nm _ZnS-S i _{0 2} alloy film 112a + 11
2b is deposited.

【００２５】次に、回転トレイ１０１１−１は、図示し
ない駆動機構により、本チャンバ１０１１内部に引き戻
されて、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転
されて、１０１１Ｄの位置に移動される。続いて、回転
トレイ１０１１−１は、第３のスパッタリングチャンバ
１０４１に移動されて、チャンバ１０４１内の絶縁性の
台１０４２に支持されているスパッタ用電極１０４３上
にセットされているスパッタ用のターゲット材料１０４
４と対向される。回転トレイ１０１１−１がターゲット
材料１０４４と対向されると、先に説明したと同様にし
て、チャンバ１０４１が図示しない真空ポンプによる吸
引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧され、Ａｒガスの分
圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるように図示しないガス
導入管からＡｒガスが導入される。その後、ＲＦ電源１
０４５がオンされ、例えば３ＫＷのＲＦパワーがスパッ
タ電極１０４３に印加される。これにより、Ａｒガスプ
ラズマが発生され、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金からなる誘電
体保護膜１１２の成膜が開始される。約１０秒後、ＲＦ
電源１０４５をオフすることで、基板１１１側の誘電体
保護膜１１２の第３の部分１１２ｃのスパッタが完了す
る。なお、１０秒のスパッタ時間は、第１のチャンバ１
０２１および第２のチャンバ１０３１による成膜と同様
に、成膜速度の遅いＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金を精一杯速く
成膜可能な時間である。これにより、第１および第２の
チャンバ１０２１，１０３１における１０秒間の成膜
（７０ｎｍ，１１２ａ＋１１２ｂ）とあわせて、回転ト
レイ１１Ａにセットされたプラスチック基板１１１に、
厚さ１０５ｎｍのＺｎＳ−Ｓ_ｉ０ _２合金の膜１１２が成
膜される。Next, the rotating tray 1011-1 is shown in the drawing.
Back into the chamber 1011 by no drive mechanism
And rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown).
Then, it is moved to the position of 1011D. Then rotate
Tray 1011-1 is a third sputtering chamber
1041 to move the insulating material in the chamber 1041.
On the sputtering electrode 1043 supported by the table 1042
Target material 104 for sputtering set to
4. Rotary tray 1011-1 is the target
Once facing material 1044, the same as described above is performed.
The chamber 1041 is suctioned by a vacuum pump (not shown).
10 by pull^-6The pressure was reduced to torr and the amount of Ar gas
Pressure is 5x10^-3Gas not shown so that torr
Ar gas is introduced from the introduction pipe. Then, RF power supply 1
045 is turned on, for example, 3 KW of RF power is
Is applied to the data electrode 1043. As a result, the Ar gas pump
Plasma is generated and ZnS-S_i0₂Dielectric made of alloy
The formation of the body protective film 112 is started. After about 10 seconds, RF
By turning off the power supply 1045, the dielectric on the substrate 111 side is turned off.
The sputtering of the third portion 112c of the protective film 112 is completed.
You. In addition, the sputtering time of 10 seconds corresponds to the first chamber 1
021 and the same as the film formation by the second chamber 1031
In addition, ZnS-S_i0₂Alloy fast
This is the time during which the film can be formed. This allows the first and second
10 second film formation in chambers 1021 and 1031
(70nm, 112a + 112b)
On the plastic substrate 111 set on the ray 11A,
105 nm thick ZnS-S_i0 ₂The alloy film 112 is formed.
Filmed.

【００２６】次に、回転トレイ１０１１−１は、図示し
ない駆動機構により、本チャンバ１０１１内部に引き戻
されて、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転
されて、１０１１Ｅの位置に移動される。続いて、回転
トレイ１０１１−１は、第４のチャンバ１０５１内に搬
送される。第４のチャンバ１０５１は、冷却チャンバで
あり、先に説明した第１ないし第３のチャンバ１０２
１，１０３１および１０４１で、合計１０５ｎｍのＺｎ
Ｓ−Ｓ_ｉ０_２合金の誘電体保護膜１１２が形成されたプ
ラスチック基板１１１を、例えばＮ_２ガスで冷却する。
なお、この第４のチャンバによる冷却時間も、概ね１０
秒である。Next, the rotating tray 1011-1 is pulled back into the chamber 1011 by a driving mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a driving system (not shown), and moved to the position of 1011E. . Subsequently, the rotating tray 1011-1 is transported into the fourth chamber 1051. The fourth chamber 1051 is a cooling chamber, and includes the first to third chambers 102 described above.
1, 1031 and 1041, a total of 105 nm of Zn
The _S-S i _{0 2} alloy plastic substrate 111 with a dielectric protective film 112 is formed, is cooled, for example, _{N 2} gas.
The cooling time of the fourth chamber is also approximately 10
Seconds.

【００２７】次に、回転トレイ１０１１−１は、図示し
ない駆動機構により、本チャンバ１０１１内部に引き戻
されて、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転
されて、１０１１Ｆの位置に移動される。続いて、回転
トレイ１０１１−１は、第５のチャンバ（第４のスパッ
タリングチャンバ）１０６１内に移動され、チャンバ１
０６１内の絶縁性の台１０６２に支持されているスパッ
タ用電極１０６３上にセットされているスパッタ用のタ
ーゲット材料１０６４と対向される。なお、この第４の
スパッタリングチャンバ（第５のチャンバ）１０６１に
セットされているスパッタ用のターゲット材料１０６４
は、相変化記録膜１１３に対応するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金の３元合金や、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元合金で
ある。Next, the rotating tray 1011-1 is pulled back into the chamber 1011 by a driving mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a driving system (not shown), and moved to the position of 1011F. . Subsequently, the rotating tray 1011-1 is moved into the fifth chamber (fourth sputtering chamber) 1061, and
It faces the sputtering target material 1064 set on the sputtering electrode 1063 supported on the insulating base 1062 in 061. Note that the sputtering target material 1064 set in the fourth sputtering chamber (fifth chamber) 1061
Is a ternary alloy of Ge—Sb—Te alloy corresponding to the phase change recording film 113 or a quaternary alloy of Ag—In—Sb—Te.

【００２８】チャンバ１０６１内で、回転トレイ１０１
１−１がターゲット材料１０６４と対向されると、先に
説明したと同様にして、チャンバ１０６１が図示しない
真空ポンプによる吸引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧
され、Ａｒガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるよ
うに図示しないガス導入管からＡｒガスが導入される。
その後、直流電源１０６５がオンされ、概ね、２秒間、
例えば１ＫＶの直流電圧が印加される。これにより、Ａ
ｒガスプラズマが発生され、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金であ
る３元合金や、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅである４元合金
がスパッタされて、誘電体保護膜１１２が形成されてい
るプラスチック基板１１１の誘電体保護膜１１２に重ね
て、相変化記録膜１１３が所定の厚さに、成膜される。
なお、このとき、誘電体保護膜１１２上に積層される相
変化記録膜１１３の厚さは、概ね２０ｎｍである。In the chamber 1061, the rotating tray 101
When 1-1 faces the target material 1064, the pressure of the chamber 1061 is reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown) and the partial pressure of Ar gas is reduced to 5 × 10 ⁻³ torr in the same manner as described above. Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown) so that
Thereafter, the DC power supply 1065 is turned on, and for about two seconds,
For example, a DC voltage of 1 KV is applied. Thus, A
An r gas plasma is generated, and a ternary alloy of Ge—Sb—Te or a quaternary alloy of Ag—In—Sb—Te is sputtered to form a plastic substrate 111 on which a dielectric protection film 112 is formed. A phase change recording film 113 is formed to a predetermined thickness on the dielectric protection film 112.
At this time, the thickness of the phase change recording film 113 laminated on the dielectric protection film 112 is approximately 20 nm.

【００２９】次に、回転トレイ１０１１−１は、図示し
ない駆動機構により、本チャンバ１０１１内部に引き戻
されて、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転
されて、１０１１Ｇの位置に移動される。続いて、回転
トレイ１０１１−１は、第６のチャンバ（第５のスパッ
タリングチャンバ）１０７１内に移動され、チャンバ１
０７１内の絶縁性の台１０７２に支持されているスパッ
タ用電極１０７３上にセットされているスパッタ用のタ
ーゲット材料１０７４と対向される。なお、この第５の
スパッタリングチャンバ（第６のチャンバ）１０７１に
セットされているスパッタ用のターゲット材料１０７４
は、先に成膜されている誘電体保護膜１１２とにより相
変化記録膜１１３を挟み込む第２の誘電体保護膜１１４
を成膜するためのＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金である。Next, the rotating tray 1011-1 is pulled back into the chamber 1011 by a driving mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a driving system (not shown), and moved to the position of 1011G. . Subsequently, the rotating tray 1011-1 is moved into the sixth chamber (fifth sputtering chamber) 1071, and
The sputtering target material 1074 set on the sputtering electrode 1073 supported on the insulating base 1072 in the substrate 071 is opposed to the sputtering target material 1074. Note that the sputtering target material 1074 set in the fifth sputtering chamber (sixth chamber) 1071
Is a second dielectric protection film 114 sandwiching the phase-change recording film 113 with the dielectric protection film 112 formed earlier.
Which is a _ZnS-S i _{0 2} alloy for forming.

【００３０】相変化記録膜１１３が所定厚さに成膜され
たプラスチック基板１１１（１１２＋１１３）がセット
された回転トレイ１０１１−１がターゲット材料１０７
４と対向されると、先に説明したと同様にして、チャン
バ１０７１が図示しない真空ポンプによる吸引により１
０^−６ｔｏｒｒまで減圧され、Ａｒガスの分圧が５ｘ１
０^−３ｔｏｒｒになるように図示しないガス導入管から
Ａｒガスが導入される。その後、ＲＦ電源１０７５がオ
ンされ、例えば３ＫＷのＲＦパワーがスパッタ電極１０
７３に印加される。これにより、Ａｒガスプラズマが発
生され、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金からなる誘電体保護膜１
１４の成膜が開始される。約４秒後、ＲＦ電源１０７５
がオフされ、記録膜１１３を挟み込む誘電体保護膜１１
４のスパッタが完了する。なお、４秒のスパッタ時間
は、先に説明したと同様の条件下で、速度の遅いＺｎＳ
−Ｓ_ｉ０_２合金を、概ね１５ｎｍの厚さに成膜できる。A rotating tray 1011-1 on which a plastic substrate 111 (112 + 113) on which a phase change recording film 113 is formed to a predetermined thickness is used as a target material 107.
4, the chamber 1071 is moved to 1 by suction by a vacuum pump (not shown) in the same manner as described above.
Until 0 ^-6 torr is reduced, the partial pressure of Ar gas 5x1
Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown) so that the pressure becomes 0 ^-3 torr. Thereafter, the RF power supply 1075 is turned on, and for example, 3 KW of RF power is applied to the sputtering electrode 10.
73 is applied. Thus, Ar gas plasma is generated, the dielectric protective layer 1 made of _ZnS-S i _{0 2} Alloy
14 is started. After about 4 seconds, RF power 1075
Is turned off, and the dielectric protection film 11 sandwiching the recording film 113 is turned off.
4 is completed. In addition, the sputtering time of 4 seconds is the same as that described above under the same conditions as described above.
The -S _i 0 ₂ alloy, can be formed generally in a thickness of 15 nm.

【００３１】次に、回転トレイ１０１１−１は、図示し
ない駆動機構により、本チャンバ１０１１内部に引き戻
されて、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転
されて、１０１１Ｈの位置に移動される。続いて、回転
トレイ１０１１−１は、第７のチャンバ（第６のスパッ
タリングチャンバ）１０８１内に移動され、チャンバ１
０８１内の絶縁性の台１０８２に支持されているスパッ
タ用電極１０８３上にセットされているスパッタ用のタ
ーゲット材料１０８４と対向される。なお、この第６の
スパッタリングチャンバ（第７のチャンバ）１０８１に
セットされているスパッタ用のターゲット材料１０８４
は、金属反射膜１１５に対応するＡｌ−Ｍｏ合金であ
る。Next, the rotating tray 1011-1 is pulled back into the chamber 1011 by a driving mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a driving system (not shown), and moved to the position of 1011H. . Subsequently, the rotating tray 1011-1 is moved into the seventh chamber (sixth sputtering chamber) 1081, and
The sputtering target material 1084 is set on the sputtering electrode 1083 supported on the insulating base 1082 in the inside of the substrate 81. The sputtering target material 1084 set in the sixth sputtering chamber (seventh chamber) 1081
Is an Al—Mo alloy corresponding to the metal reflection film 115.

【００３２】チャンバ１０８１内で、回転トレイ１０１
１−１がターゲット材料１０８４と対向されると、先に
説明したと同様にして、チャンバ１０８１が図示しない
真空ポンプによる吸引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧
され、Ａｒガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるよ
うに図示しないガス導入管からＡｒガスが導入される。
その後、直流電源１０８５がオンされ、概ね、４秒間、
例えば２ＫＶの直流電圧が印加される。これにより、Ａ
ｒガスプラズマが発生され、Ａｌ−Ｍｏ合金がスパッタ
されて、誘電体保護膜１１４が形成されているプラスチ
ック基板１１１の誘電体保護膜１１４に重ねて、金属反
射膜１１５が所定の厚さに、成膜される。なお、このと
き、反射膜１１５の厚さは、概ね１００ｎｍである。In the chamber 1081, the rotating tray 101
When 1-1 faces the target material 1084, the pressure of the chamber 1081 is reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown), and the partial pressure of Ar gas is reduced to 5 × 10 ⁻³ torr in the same manner as described above. Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown) so that
Thereafter, the DC power supply 1085 is turned on, and for about 4 seconds,
For example, a DC voltage of 2 KV is applied. Thus, A
An r gas plasma is generated, an Al-Mo alloy is sputtered, and a metal reflective film 115 is formed to a predetermined thickness on the dielectric protective film 114 of the plastic substrate 111 on which the dielectric protective film 114 is formed. A film is formed. At this time, the thickness of the reflection film 115 is approximately 100 nm.

【００３３】以上のような行程で、枚葉式のスパッタリ
ング装置１００１で複数の膜を成膜した相変化光ディス
ク１１０は、図７に示した通り、円盤状のプラスチック
基板１１１上に、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２誘電体膜１１２が１
０５ｎｍ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等の３元合金からなる相変
化記録膜１１３が２０ｎｍ，ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２誘電体膜
１１４が１５ｎｍ，およびＡｌ−Ｍｏ金属反射膜１１５
が１００ｎｍ、それぞれ、順に堆積された構成である。The phase-change optical disk 110 on which a plurality of films are formed by the single-wafer sputtering apparatus 1001 in the above-described process is provided on a plastic substrate 111 in the form of a disk, as shown in FIG. _i 0 ₂ Dielectric film 112 is 1
05nm, Ge-Sb-Te phase change recording film 113 is 20nm consisting ternary alloys such as, _ZnS-S i _{0 2} dielectric film 114 is 15nm and Al-Mo metal reflective film 115,
Are 100 nm, each of which is sequentially deposited.

【００３４】上記説明した通り、通常量産時には、全て
のチャンバ（１０２１，１０３１，１０４１，１０５
１，１０６１，１０７１，１０８１）におけるスパッタ
プロセス、ロードロックチャンバ１０１１でのディスク
基板の取り付け作業ならびに成膜後の相変化光ディスク
１１０の取り出し作業は、全て並行して行われるため、
枚葉式スパッタ装置１００１による相変化光ディスク１
１０の製造タクトを左右するのは、一番成膜速度が遅い
ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２誘電体膜の成膜時間である。As described above, during normal mass production, all the chambers (1021, 1031, 1041, 105
1, 1061, 1071, 1081), the work of mounting the disk substrate in the load lock chamber 1011 and the work of taking out the phase-change optical disk 110 after film formation are all performed in parallel.
Phase-change optical disk 1 by single-wafer sputtering apparatus 1001
To affect the 10 production tact is most deposition rate is slow ZnS-S _i 0 ₂ deposition time of the dielectric film.

【００３５】[0035]

【発明が解決しようとする課題】上述した相変化記録膜
１１３を構成するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金やＡｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅは、半導体または半金属である。また、金属
反射膜１１５に用いられるＡｌも金属であるため、真空
スパッタで成膜するときに、直流（ＤＣ）の電源によっ
て比較的短時間に成膜することができる。The Ge-Sb-Te alloy and the Ag-In-
Sb-Te is a semiconductor or semi-metal. Since Al used for the metal reflective film 115 is also a metal, it can be formed in a relatively short time by a direct current (DC) power supply when forming a film by vacuum sputtering.

【００３６】一方、誘電体保護膜１１２，１１４は、通
常、ＺｎＳとＳ_ｉ０_２の混合膜であり、特に８０％を占
めるＳ_ｉ０_２は、化学的にも物理的にも極めて安定なた
め、成膜速度が遅い欠点がある。言い換えると、ＺｎＳ
（２０％）とＳ_ｉ０_２（８０％）の混合ターゲットは、
当然誘電体であるため、電気的には絶縁物質であり、Ｄ
Ｃ電源によるスパッタリングは不可能であり、通常、１
３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）電源が用いられるが、
ＲＦパワーは、ロスも大きいため、特に、電気的に絶縁
性を示す誘電体のスパッタ速度は、相変化記録膜１１３
や金属反射膜１１５に対するＤＣスパッタリングでのス
パッタ速度に比較して、数倍〜数十倍の時間が必要にな
る。On the other hand, the dielectric protective layer 112 and 114 is typically a mixed film of ZnS and _S i _{0 2,} the _S i _{0 2} especially 80 percent, chemically and physically and extremely stable Therefore, there is a disadvantage that the film forming speed is low. In other words, ZnS
Mixed target (20%) and _S i ₀ 2 (80%), the
Naturally, since it is a dielectric, it is electrically an insulating material and D
Sputtering with a C power supply is not possible.
A 3.56 MHz RF (high frequency) power supply is used,
Since the RF power has a large loss, in particular, the sputtering speed of the dielectric material having an electrical insulation property is set to
And several to several tens of times as long as the sputtering speed of the DC sputtering for the metal reflective film 115.

【００３７】一方、誘電体保護膜１１２，１１４を高速
で成膜するために、ＲＦ出力を増大すると、ターゲット
に対して、過剰のパワーを投入することになり、ターゲ
ットの不所望な発熱を引き起こすことになる。この場
合、結果として、熱に弱いプラスチック製のディスク基
板１１１を変形させる問題が生じる。これに対して、Ｒ
Ｆ出力を抑えて、スパッタリングの時間を長時間とする
場合、同様に、ディスク基板１１１が発熱により変形す
ることが確認されている。On the other hand, if the RF output is increased in order to form the dielectric protection films 112 and 114 at a high speed, excessive power is applied to the target, causing undesired heat generation of the target. Will be. In this case, as a result, there is a problem in that the plastic disk substrate 111 that is weak to heat is deformed. In contrast, R
When the F output is suppressed and the sputtering time is extended, it has been confirmed that the disk substrate 111 is similarly deformed by heat generation.

【００３８】これらの問題点を考慮して、これまでは、
相変化光ディスクの量産において、一般には、誘電体保
護膜１１２，１１４を成膜する際に複数のチャンバに分
けて成膜する方法がとられている。しかしながら、これ
までの誘電体保護膜１１２，１１４を製膜する際に複数
のチャンバに分けて成膜する方法においても、相変化光
ディスクを量産するための各ターゲットからの金属、半
金属および誘電体の各層のスパッタリングに必要なタク
トタイムは、誘電体保護膜を所定厚さに成膜する工程に
より、制限を受ける問題がある。In consideration of these problems, until now,
In mass production of a phase change optical disk, generally, a method of forming the dielectric protection films 112 and 114 separately in a plurality of chambers is used. However, even in the conventional method of forming the dielectric protection films 112 and 114 separately in a plurality of chambers, the metal, metalloid and dielectric material from each target for mass-producing the phase change optical disk are also used. There is a problem that the tact time required for the sputtering of each layer is limited by the step of forming the dielectric protective film to a predetermined thickness.

【００３９】この発明は、上述した不具合点を解消する
目的でなされたもので、相変化記録層を保護する誘電体
保護膜を構成する材料を最適化して、誘電体保護膜の成
膜速度を高め、相変化光ディスクの量産性を向上させる
ことを目的とする。The present invention has been made for the purpose of solving the above-mentioned disadvantages, and optimizes the material constituting the dielectric protective film for protecting the phase change recording layer, thereby reducing the film forming speed of the dielectric protective film. The object is to increase the mass productivity of the phase change optical disk.

【００４０】[0040]

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した問
題点に基づきなされたもので、レーザビーム等の光ビー
ムの照射によって、非晶質と結晶との間で可逆的に相変
化をおこなう相変化光ディスクにおいて、相変化を行う
記録膜を挟む誘電体保護膜として、ＺｎＳとＴ _ｉ０_２を
含む混合膜を用いることを特徴とする相変化光ディスク
を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides the above-described problem.
This is based on the title, and is an optical beam such as a laser beam.
Reversible phase change between amorphous and crystalline
Phase change in phase change optical discs
ZnS and T as a dielectric protection film sandwiching the recording film _i0₂To
Phase-change optical disc characterized by using a mixed film containing
Is provided.

【００４１】またこの発明は、レーザビーム等の光ビー
ムの照射によって、非晶質と結晶との間で可逆的に相変
化をおこなう相変化光ディスクにおいて、相変化を行う
記録膜を挟む誘電体保護膜として、ＺｎＳとＴａ_２０_５
を含む混合膜を用いることを特徴とする相変化光ディス
を提供するものである。According to the present invention, there is provided a phase change optical disk in which a phase change between an amorphous state and a crystal state is reversibly performed by irradiation of a light beam such as a laser beam, and a dielectric protection layer sandwiching a recording film performing the phase change. As a film, ZnS and Ta ₂ O ₅
And a phase change optical disk characterized by using a mixed film containing:

【００４２】さらにこの発明は、レーザビーム等の光ビ
ームの照射によって、非晶質と結晶との間で可逆的に相
変化をおこなう相変化光ディスクにおいて、相変化を行
う記録膜を挟む誘電体保護膜として、ＺｎＳとＣｅ０_２
を含む混合膜を用いることを特徴とする相変化光ディス
クを提供するものである。Furthermore, the present invention is directed to a phase change optical disk in which a phase change between an amorphous phase and a crystal phase is reversibly performed by irradiation of a light beam such as a laser beam, and a dielectric protection layer sandwiching a recording film for performing a phase change. As a film, ZnS and CeO ₂
A phase change optical disk characterized by using a mixed film containing:

【００４３】またさらにこの発明は、レーザビーム等の
光ビームの照射によって、非晶質と結晶との間で可逆的
に相変化をおこなう相変化光ディスクを製造する方法に
おいて、ＺｎＳとＳ_ｉ０_２とＩＴＯを含む混合ターゲッ
ト材料を用い、直流スパッタにより、上記材料の誘電体
保護膜を成膜することを特徴とする相変化光ディスクの
製造方法を提供するものである。[0043] Furthermore the present invention is irradiated with light beam such as a laser beam, a method of manufacturing a phase change optical disc performs the reversible phase change between amorphous and crystalline, ZnS and S _i 0 ₂ It is intended to provide a method for manufacturing a phase-change optical disc, characterized in that a dielectric protection film of the above-mentioned material is formed by DC sputtering using a mixed target material containing ITO and ITO.

【００４４】さらにまたこの発明は、レーザビーム等の
光ビームの照射によって、非晶質と結晶との間で可逆的
に相変化をおこなう相変化光ディスクを製造する方法に
おいて、ＺｎＳとＴ_ｉ０_２とＩＴＯを含む混合ターゲッ
ト材料を用い、直流スパッタにより、上記材料の誘電体
保護膜を成膜することを特徴とする相変化光ディスクの
製造方法を提供するものである。[0044] Furthermore the present invention is irradiated with light beam such as a laser beam, a method of manufacturing a phase change optical disc performs the reversible phase change between amorphous and crystalline, ZnS and T _i 0 ₂ It is intended to provide a method for manufacturing a phase-change optical disc, characterized in that a dielectric protection film of the above-mentioned material is formed by DC sputtering using a mixed target material containing ITO and ITO.

【００４５】またさらにこの発明は、をレーザビーム等
の光ビームの照射によって、非晶質と結晶との間で可逆
的に相変化をおこなう相変化光ディスクを製造する方法
において、ＺｎＳとＴａ_２０_５とＩＴＯを含む混合ター
ゲット材料を用い、直流スパッタにより、上記材料の誘
電体保護膜を成膜することを特徴とする相変化光ディス
クの製造方法提供するものである。Further, the present invention relates to a method of manufacturing a phase change optical disk in which a phase change between an amorphous state and a crystal state is reversibly performed by irradiating a light beam such as a laser beam with ZnS and Ta _{20. The present} invention also provides a method for manufacturing a phase-change optical disk, characterized in that a dielectric protective film of the above material is formed by DC sputtering using a mixed target material containing No. ₅ and ITO.

【００４６】さらにまたこの発明は、レーザビーム等の
光ビームの照射によって、非晶質と結晶との間で可逆的
に相変化をおこなう相変化光ディスクを製造する方法に
おいて、ＺｎＳとＣｅ０_２とＩＴＯを含む混合ターゲッ
ト材料を用い、直流スパッタにより、上記材料の誘電体
保護膜を成膜することを特徴とする相変化光ディスクの
製造方法を提供するものである。[0046] Furthermore the present invention is irradiated with light beam such as a laser beam, a method of manufacturing a phase change optical disc performs the reversible phase change between amorphous and crystalline, ZnS and CeO ₂ and ITO The present invention provides a method for manufacturing a phase change optical disk, characterized in that a dielectric protective film of the above material is formed by DC sputtering using a mixed target material containing

【００４７】[0047]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【００４８】図１および図２は、この発明の実施の形態
が適用される枚葉式のスパッタ装置１００の一例を示す
概略図である。なお、図１は、スパッタ装置１００を上
から見た平面図を示し、図２は、図１に示した枚葉式の
スパッタ装置１００のメイン（本）チャンバ１０１の周
囲に設けられる複数の真空チャンバ１１，２１，３１，
４１，５１，６１および７１の任意の１つを示す側面図
である。また、図３に、図１および図２に示す枚葉式の
スパッタ装置１００により製造される相変化型の光ディ
スク１０の構成を説明する概略図である。FIGS. 1 and 2 are schematic diagrams showing an example of a single-wafer sputtering apparatus 100 to which the embodiment of the present invention is applied. FIG. 1 is a plan view of the sputtering apparatus 100 as viewed from above, and FIG. 2 is a view showing a plurality of vacuum chambers provided around a main (main) chamber 101 of the single-wafer sputtering apparatus 100 shown in FIG. Chambers 11, 21, 31,
It is a side view which shows arbitrary one of 41,51,61 and 71. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the configuration of a phase-change optical disk 10 manufactured by the single-wafer sputtering apparatus 100 shown in FIGS. 1 and 2.

【００４９】以下、図１および図２に示したスパッタ装
置により、相変化光ディスクを作製する方法を説明す
る。なお、図１および図２を用いて説明する各工程は、
図８および図９を用いて前に説明した周知の相変化光デ
ィスクの製造工程と実質的に同一の工程または段階を含
み、光ディスク１０のプラスチック基板１に第１の誘電
体保護膜２を形成する工程は、３チャンバにより３回の
タクトで形成されるものとする。Hereinafter, a method of manufacturing a phase-change optical disk using the sputtering apparatus shown in FIGS. 1 and 2 will be described. Each step described with reference to FIG. 1 and FIG.
The first dielectric protection film 2 is formed on the plastic substrate 1 of the optical disk 10 including substantially the same steps or steps as those of the well-known phase change optical disk described above with reference to FIGS. The process is formed by three chambers with three tacts.

【００５０】図１に示したスパッタ装置１００のメイン
チャンバ１０１の周囲の所定の位置に設けられているロ
ード・ロックチャンバ１０２の蓋１０２Ａを開け、回転
可能に形成されているトレイ１０１−１に、光ディスク
１０の基板となる円盤状のディスク基板１をセットす
る。この状態でロード・ロックチャンバ１０２の蓋１０
２Ａを閉め、ロード・ロックチャンバ１０２内の気圧
を、本チャンバ１０１と同程度の真空まで減圧する。通
常この真空度は、１０^−５ｔｏｒｒ程度である。The lid 102A of the load / lock chamber 102 provided at a predetermined position around the main chamber 101 of the sputtering apparatus 100 shown in FIG. 1 is opened, and the rotatable tray 101-1 is placed on the tray 101-1. A disk-shaped disk substrate 1 serving as a substrate of the optical disk 10 is set. In this state, the lid 10 of the load lock chamber 102 is
2A is closed, and the air pressure in the load / lock chamber 102 is reduced to the same level of vacuum as the main chamber 101. Usually, the degree of vacuum is about 10 ⁻⁵ torr.

【００５１】ディスク基板１がセットされたロード・ロ
ックチャンバ１０２内の回転トレイ１０１−１は、本チ
ャンバ１０１の中に移動され、１０１Ａに示すように、
本チャンバ１０１内の所定の位置に収容される。本チャ
ンバ１０１内では、図示しない駆動系により、矢印Ａの
方向に回転トレイ１０１−１が移動され、回転トレイ１
０１−１は、１０１Ｂの位置に移動される。The rotating tray 101-1 in the load / lock chamber 102 in which the disk substrate 1 is set is moved into the main chamber 101, and as shown in 101A,
It is housed in a predetermined position in the main chamber 101. In the main chamber 101, the rotating tray 101-1 is moved in the direction of arrow A by a driving system (not shown),
01-1 is moved to the position of 101B.

【００５２】この状態で、ディスク基板１がセットされ
た本チャンバ１０１の１０１Ｂの位置に位置されたトレ
イ１０１−１は、図示しない駆動機構により第１のスパ
ッタリングチャンバ１１の中に移動される。In this state, the tray 101-1 located at the position 101B of the main chamber 101 on which the disk substrate 1 is set is moved into the first sputtering chamber 11 by a drive mechanism (not shown).

【００５３】図２に示すように、第１のスパッタリング
チャンバ１１の中に回転トレイ１０１−１が搬送される
と、ディスク基板１を保持した回転トレイ１０１−１
が、絶縁性の台１２に支持されているスパッタ用電極１
３上にセットされているスパッタ用のターゲット材料１
４と対向される。回転トレイ１０１−１がターゲット材
料１４と対向されると、電源１５から、１３．５６ＭＨ
ｚのＲＦ（高周波出力）が、電極１３からターゲット材
料１４に供給される。なお、第１のスパッタリングチャ
ンバ１１において、ターゲット材料１４には、図３を用
いて説明する相変化光ディスク１０に設けられる複数の
薄層のうちの１層めにあたる誘電体保護膜２を成膜する
ために用いられるＺｎＳ（２０％）とＴ_ｉ０_２（８０
％）の混合材が利用される。なお、ＺｎＳ（２０％）と
混合される材料としては、同混合率のＴａ_２０_５（８０
％）もしくは同混合率のＣｅ０_２（８０％）が利用可能
である。As shown in FIG. 2, when the rotating tray 101-1 is transported into the first sputtering chamber 11, the rotating tray 101-1 holding the disk substrate 1 is rotated.
Is the sputtering electrode 1 supported on the insulating base 12
Target material 1 for sputtering set on 3
4. When the rotating tray 101-1 is opposed to the target material 14, 13.56 MH is supplied from the power supply 15.
An RF (high frequency output) of z is supplied from the electrode 13 to the target material 14. In the first sputtering chamber 11, the dielectric material protective film 2 corresponding to the first of a plurality of thin layers provided on the phase-change optical disk 10 described with reference to FIG. (20%) and _Ti 0 ₂ (80
%) Of the mixture is used. As a material mixed with ZnS (20%), Ta ₂ O ₅ (80
%) Or _CeO 2 (80% in the same mixing ratio) is available.

【００５４】詳細には、第１のスパッタリングチャンバ
１１は、回転トレイ１０１−１がターゲット材料１４と
対向されることでロックされ、図示しない真空ポンプに
よる吸引により１０^−６ｔｏｒｒまでさらに減圧され
る。続いて、図示しないガス導入管からＡｒガスが導入
され、Ａｒガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるよ
うにガス流量が設定される。その後、ＲＦ電源１５がオ
ンされ、例えば２ＫＷのＲＦパワーがスパッタ電極１３
に印加される。More specifically, the first sputtering chamber 11 is locked by the rotating tray 101-1 facing the target material 14, and the pressure is further reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown). Subsequently, Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown), and the gas flow rate is set so that the partial pressure of Ar gas becomes 5 × 10 ⁻³ torr. Thereafter, the RF power supply 15 is turned on, and the RF power of, for example, 2 KW is applied to the sputtering electrode 13.
Is applied to

【００５５】これにより、Ａｒガスプラズマが発生さ
れ、ＺｎＳ−Ｔ_ｉ０_２合金からなる誘電体保護膜２の成
膜が開始される。約７秒後、ＲＦ電源１５をオフするこ
とで、基板１側の誘電体保護膜２のうちの所定厚さの部
分２ａのスパッタが完了する。なお、約７秒のスパッタ
時間によりスパッタされたＺｎＳ−Ｔ_ｉ０_２合金の厚さ
は、電源１５の出力が２ＫＷに低減されているにもかか
わらず、概ね３５ｎｍである。これにより、図８および
図９に説明した周知の誘電体保護膜１０２を形成する場
合に比較して、タクトタイムを、概ね３０％低減できた
ことになる。[0055] Accordingly, Ar gas plasma is generated, the deposition of the dielectric protective film 2 made of _ZnS-T i _{0 2} alloy is started. After about 7 seconds, the RF power supply 15 is turned off to complete the sputtering of the portion 2a having a predetermined thickness in the dielectric protection film 2 on the substrate 1 side. The thickness of approximately 7 seconds sputtering time by sputtered _ZnS-T i _{0 2} alloy, the output of the power supply 15 despite being reduced to 2KW, is generally 35 nm. As a result, the tact time can be reduced by about 30% as compared with the case where the well-known dielectric protection film 102 described with reference to FIGS. 8 and 9 is formed.

【００５６】一方、ターゲット１４に、ＺｎＳ（２０
％）とＴａ_２０_５（８０％）を用いた場合には、ＲＦ電
源１５からのＲＦ出力が２ＫＷで、３５ｎｍの膜厚を得
るために要求されるスパッタ時間は、概ね６秒で、同様
に、ターゲット１４に、ＺｎＳ（２０％）とＣｅ０
_２（８０％）を用いた場合には、ＲＦ電源１５からのＲ
Ｆ出力が２ＫＷで、３５ｎｍの膜厚を得るために要求さ
れるスパッタ時間は、概ね６秒で、前に説明した周知の
誘電体保護膜１０２の１層めである誘電体１０２ａを形
成する場合に比較して、タクトタイムを、概ね４０％低
減できたことになる。On the other hand, ZnS (20
%) And Ta ₂ O ₅ (80%), the RF output from the RF power supply 15 is 2 KW, and the sputtering time required to obtain a film thickness of 35 nm is approximately 6 seconds. In the target 14, ZnS (20%) and Ce0
₂ (80%), the R from the RF power supply 15
The F output is 2 KW, and the sputtering time required to obtain a film thickness of 35 nm is approximately 6 seconds, which is required when forming the dielectric layer 102a which is the first layer of the well-known dielectric protective film 102 described above. In comparison, the tact time can be reduced by approximately 40%.

【００５７】また、第１のチャンバ１１において、ター
ゲット１４に、ＺｎＳ（２０％）とＳ_ｉ０_２（６０％）
に、ＩＴＯ（Indium Tin 0xide）等の導電性透明材を
２０％混合してターゲットとすることで、ＲＦ電源１５
からのＲＦ出力が２ＫＷで、３５ｎｍの膜厚を得るため
に要求されるスパッタ時間は、概ね５秒で、周知の誘電
体保護膜１０２の２層めである１０２ｂを形成する場合
に比較して、タクトタイムを、概ね１／２に低減できた
ことになる。なお、Ｔ_ｉ０_２やＴａ_２０_５あるいはＣｅ
０_２等の誘合体は、Ｓ_ｉ０_２と比べて、光学的要素であ
る屈折率が近く、また熱的にも融点が高く、化学的に安
定であるため、相変化光ディスクの誘電体に用いた時
に、Ｓ_ｉ０_２と比べて全くそん色がないことは言うまで
もない。[0057] In the first chamber 11, a target 14, ZnS (20%) and _S i ₀ 2 (60%)
In addition, a 20% conductive transparent material such as ITO (Indium Tin Oxide) is mixed and used as a target, so that the RF power supply 15
Is 2 KW, the sputtering time required to obtain a film thickness of 35 nm is approximately 5 seconds, and compared with the case of forming the second layer 102 b of the well-known dielectric protective film 102, This means that the tact time has been reduced to about half. In _addition, T i _{0 2} and _Ta 2 _{0 5} or Ce
誘合of 0 _2, etc., as compared to S _i 0 _2, the refractive index is close is an optical element, also thermally and high melting points, since it is chemically stable, the dielectric of the phase change optical disk when used, no at all inferior to the S _i 0 ₂ course.

【００５８】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｃの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第２のスパッタリングチャンバ２１に押
し込まれて、チャンバ２１内の絶縁性の台２２に支持さ
れているスパッタ用電極２３上にセットされているスパ
ッタ用のターゲット材料２４と対向される。回転トレイ
１０１−１がターゲット材料２４と対向されると、先に
説明したと同様にして、チャンバ２１が図示しない真空
ポンプによる吸引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧さ
れ、Ａｒガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるよう
に図示しないガス導入管からＡｒガスが導入される。そ
の後、ＲＦ電源２５がオンされ、例えば２ＫＷのＲＦパ
ワーがスパッタ電極２３に印加される。これにより、Ａ
ｒガスプラズマが発生され、ＺｎＳ−Ｔ_ｉ０_２合金から
なる誘電体保護膜２のうちの所定厚さの部分２ｂの成膜
が開始される。約７秒後、ＲＦ電源１５をオフすること
で、基板１側の誘電体保護膜２のうちの所定厚さの部分
２ｂのスパッタが完了する。なお、約７秒のスパッタ時
間によりスパッタされたＺｎＳ−Ｔ_ｉ０_２合金の厚さ
は、第１のチャンバ１１で説明したと同様にＲＦ電源２
５の出力が２ＫＷに低減されているにもかかわらず、概
ね３５ｎｍである。これにより、第１のチャンバ１１に
おける約７秒間の成膜で形成された３５ｎｍの１０２ａ
層とあわせて、回転トレイ１０１−１にセットされたプ
ラスチック基板１に、厚さ７０ｎｍのＺｎＳ−Ｔ_ｉ０_２
合金の膜２ａ＋２ｂが成膜される。このことは、図８お
よび図９に説明した周知の誘電体保護膜１０２の２層め
である保護膜１０２ｂを形成する場合に比較して、タク
トタイムを、概ね３０％低減できたことになる。Next, the rotating tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a driving mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a driving system (not shown), and moved to the position of 101C. Subsequently, the rotating tray 101-1 is pushed into the second sputtering chamber 21 and a sputtering target material set on a sputtering electrode 23 supported on an insulating table 22 in the chamber 21. 24. When the rotating tray 101-1 faces the target material 24, the pressure of the chamber 21 is reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown) in the same manner as described above, and the partial pressure of Ar gas is reduced to 5 × 10 ^−. Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown) so that the pressure becomes ³ torr. Thereafter, the RF power supply 25 is turned on, and RF power of, for example, 2 KW is applied to the sputter electrode 23. Thus, A
r gas plasma is generated, a predetermined thickness of the portion 2b deposition of the dielectric protective film 2 made of ZnS-T _i 0 ₂ alloy is started. After about 7 seconds, the RF power supply 15 is turned off to complete the sputtering of the portion 2b having a predetermined thickness in the dielectric protection film 2 on the substrate 1 side. The thickness of the sputtered ZnS-T _i 0 ₂ alloy by sputtering time of about 7 seconds, RF power supply 2 in the same manner as described in the first chamber 11
Although the output of No. 5 is reduced to 2 KW, it is approximately 35 nm. As a result, 35 nm 102a formed by film formation in the first chamber 11 for about 7 seconds.
Together with the layer, the plastic substrate 1 set in the carousel 101-1, a thickness of 70nm _ZnS-T i _{0 2}
An alloy film 2a + 2b is formed. This means that the tact time can be reduced by about 30% as compared with the case where the second protective film 102b of the well-known dielectric protective film 102 described with reference to FIGS. 8 and 9 is formed.

【００５９】なお、第１のチャンバ１１において、ター
ゲット２４に、ＺｎＳ（２０％）とＴａ_２０_５（８０
％）を用いた場合には、ＲＦ電源２５からのＲＦ出力が
２ＫＷで、３５ｎｍの膜厚を得るために要求されるスパ
ッタ時間は、概ね６秒で、同様にターゲット２４に、Ｚ
ｎＳ（２０％）とＣｅ０_２（８０％）を用いた場合に
は、ＲＦ電源２５からのＲＦ出力が２ＫＷで、３５ｎｍ
の膜厚を得るために要求されるスパッタ時間は、概ね６
秒で、前に説明した周知の誘電体保護膜１０２の２層め
である１０２ｂを形成する場合に比較して、タクトタイ
ムを、概ね４０％低減できたことになる。In the first chamber 11, ZnS (20%) and Ta ₂ O ₅ (80
%), The RF output from the RF power supply 25 is 2 KW, and the sputtering time required to obtain a film thickness of 35 nm is approximately 6 seconds.
When nS (20%) and CeO ₂ (80%) are used, the RF output from the RF power supply 25 is 2 KW and 35 nm.
The sputtering time required to obtain a film thickness of
In seconds, the tact time can be reduced by approximately 40% compared to the case of forming the second layer 102b of the well-known dielectric protective film 102 described above.

【００６０】また、第２のチャンバ２１において、ター
ゲット２４に、ＺｎＳ（２０％）とＳ_ｉ０_２（６０％）
に、ＩＴＯ等の導電性透明材を２０％混合してターゲッ
トとすることで、ＲＦ電源２５からのＲＦ出力が２ＫＷ
で、３５ｎｍの膜厚を得るために要求されるスパッタ時
間は、概ね５秒で、周知の誘電体保護膜１０２の２層め
である１０２ｂを形成する場合に比較して、タクトタイ
ムを、概ね１／２に低減できたことになる。In the second chamber 21, ZnS (20%) and S _i O ₂ (60%) are set in the target 24.
In addition, by mixing a 20% conductive transparent material such as ITO as a target, the RF output from the RF power supply 25 becomes 2 kW.
The sputtering time required to obtain a film thickness of 35 nm is approximately 5 seconds, and the tact time is approximately 1 compared with the case of forming the second layer 102b of the well-known dielectric protection film 102. / 2 has been reduced.

【００６１】以下、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｄの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第３のスパッタリングチャンバ３１に押
し込まれて、チャンバ３１内の絶縁性の台３２に支持さ
れているスパッタ用電極３３上にセットされているスパ
ッタ用のターゲット材料３４と対向される。Thereafter, the rotating tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a driving mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a driving system (not shown), and moved to the position of 101D. Subsequently, the rotating tray 101-1 is pushed into the third sputtering chamber 31, and the sputtering target material set on the sputtering electrode 33 supported on the insulating table 32 in the chamber 31. 34.

【００６２】この第３のチャンバ３３においては、第１
および第２のチャンバ１１，２１における工程と同様
に、誘電体保護膜２のうちの３層めの誘電体膜２ｃが、
２ＫＷのＲＦ出力により、スパッタ時間７秒で、厚さ３
５ｎｍに形成される。すなわち、プラスチック基板１の
誘電体保護膜２の第３の部分２ｃがスパッタされ、前に
説明した第１および第２のチャンバにより既に堆積され
ている第１の部分２ａと第２の部分２ｂとあわせて、回
転トレイ１０１−１にセットされたプラスチック基板１
に、厚さ１０５ｎｍのＺｎＳ−Ｔ_ｉ０_２合金の膜２が成
膜される。このことは、図８および図９に説明した周知
の誘電体保護膜１０２の２層めである保護膜１０２ｂを
形成する場合に比較して、タクトタイムを、概ね３０％
低減できたことになる。In the third chamber 33, the first
Similarly to the process in the second chambers 11 and 21, the third dielectric film 2c of the dielectric protective film 2 is
RF power of 2KW, sputtering time 7 seconds, thickness 3
It is formed to 5 nm. That is, the third portion 2c of the dielectric protection film 2 of the plastic substrate 1 is sputtered, and the first portion 2a and the second portion 2b already deposited by the first and second chambers described above are used. In addition, the plastic substrate 1 set on the rotating tray 101-1
, The film 2 of _ZnS-T i _{0 2} alloy thickness 105nm is deposited. This means that the tact time can be reduced by about 30% compared to the case where the second protective film 102b of the well-known dielectric protective film 102 described with reference to FIGS. 8 and 9 is formed.
This means that it has been reduced.

【００６３】なお、第１のチャンバ１１および第２のチ
ャンバ２１における工程で説明したと同様に、ターゲッ
ト３４に、ＺｎＳ（２０％）とＴａ_２０_５（８０％）を
用いた場合には、ＲＦ電源３５からのＲＦ出力が２ＫＷ
で、３５ｎｍの膜厚を得るために要求されるスパッタ時
間は、概ね６秒で、同様にターゲット３４に、ＺｎＳ
（２０％）とＣｅ０_２（８０％）を用いた場合には、Ｒ
Ｆ電源３５からのＲＦ出力が２ＫＷで、３５ｎｍの膜厚
を得るために要求されるスパッタ時間は、概ね６秒で、
前に説明した周知の誘電体保護膜１０２の２層めである
１０２ｂを形成する場合に比較して、タクトタイムを、
概ね４０％低減できたことになる。As described in the steps in the first chamber 11 and the second chamber 21, when ZnS (20%) and Ta ₂ O ₅ (80%) are used for the target 34, RF output from RF power supply 35 is 2KW
The sputtering time required to obtain a film thickness of 35 nm is approximately 6 seconds.
In the case of using the (20%) and _CeO 2 (80%) is, R
The RF output from the F power supply 35 is 2 KW, and the sputtering time required to obtain a film thickness of 35 nm is approximately 6 seconds.
Compared with the case of forming the second layer 102b of the well-known dielectric protective film 102 described above, the tact time is reduced.
In other words, it has been reduced by approximately 40%.

【００６４】また、第３のチャンバ３１において、ター
ゲット３４に、ＺｎＳ（２０％）とＳ_ｉ０_２（６０％）
に、ＩＴＯ等の導電性透明材を２０％混合してターゲッ
トとすることで、ＲＦ電源３５からのＲＦ出力が２ＫＷ
で、３５ｎｍの膜厚を得るために要求されるスパッタ時
間は、概ね５秒で、前に説明した周知の誘電体保護膜１
０２の２層めである１０２ｂを形成する場合に比較し
て、タクトタイムを、概ね１／２に低減できたことにな
る。Further, in the third chamber 31, ZnS (20%) and S _i O ₂ (60%) are set in the target 34.
In addition, by mixing a conductive transparent material such as ITO with 20% as a target, the RF output from the RF power source 35 becomes 2 kW.
The sputtering time required to obtain a film thickness of 35 nm is approximately 5 seconds, and the well-known dielectric protective film 1 described above is used.
This means that the tact time can be reduced to approximately 比較 compared to the case of forming the second layer 102b of No. 02.

【００６５】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｅの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第４のチャンバ４１内に搬送される。第
４のチャンバ４１は、冷却チャンバであり、先に説明し
た第１ないし第３のチャンバ１１，２１および３１で、
合計１０５ｎｍのＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金の誘電体保護膜
２が形成されたプラスチック基板１を、例えばＮ _２ガス
で冷却する。なお、この第４のチャンバによる冷却時間
は、第１ないし第３の各チャンバにおけるタクトタイム
に合わせて、概ね７秒に短縮されている。また、ＺｎＳ
（２０％）とＳ_ｉ０_２（６０％）に、ＩＴＯ等の導電性
透明材を２０％混合したターゲットを用いる場合には、
冷却時間は、概ね５秒となる。Next, the rotating tray 101-1 is not shown.
Back into the chamber 101 by the
And is rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown).
Is moved to the position of 101E. Next, the rotating tray
101-1 is transported into the fourth chamber 41. No.
The fourth chamber 41 is a cooling chamber, which is described above.
In the first to third chambers 11, 21 and 31,
ZnS-S of 105 nm in total_i0₂Alloy dielectric protective film
The plastic substrate 1 on which is formed the N. ₂gas
Cool with. The cooling time of the fourth chamber
Is the tact time in each of the first to third chambers
To 7 seconds. Also, ZnS
(20%) and S_i0₂(60%), conductive materials such as ITO
When using a target with 20% of transparent material mixed,
The cooling time is approximately 5 seconds.

【００６６】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｆの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第５のチャンバ（第４のスパッタリング
チャンバ）５１内に移動され、チャンバ５１内の絶縁性
の台５２に支持されているスパッタ用電極６３上にセッ
トされているスパッタ用のターゲット材料５４と対向さ
れる。なお、この第４のスパッタリングチャンバ（第５
のチャンバ）５１にセットされているスパッタ用のター
ゲット材料５４は、相変化記録膜３に対応するＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ合金の３元合金や、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの
４元合金である。Next, the rotary tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position 101F. Subsequently, the rotating tray 101-1 is moved into the fifth chamber (fourth sputtering chamber) 51, and is set on the sputtering electrode 63 supported by the insulating table 52 in the chamber 51. The target material 54 for sputtering. The fourth sputtering chamber (fifth sputtering chamber)
The sputtering target material 54 set in the (chamber) 51 is a Ge-S material corresponding to the phase-change recording film 3.
It is a ternary alloy of a b-Te alloy or a quaternary alloy of Ag-In-Sb-Te.

【００６７】チャンバ５１内で、回転トレイ１０１−１
がターゲット材料５４と対向されると、先に説明したと
同様にして、チャンバ５１が図示しない真空ポンプによ
る吸引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧され、Ａｒガス
の分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるように図示しない
ガス導入管からＡｒガスが導入される。その後、直流電
源５５がオンされ、概ね、２秒間、例えば１ＫＶの直流
電圧が印加される。これにより、Ａｒガスプラズマが発
生され、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金である３元合金や、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅである４元合金がスパッタされて、
誘電体保護膜２が形成されているプラスチック基板１の
誘電体保護膜２に重ねて、相変化記録膜３が所定の厚さ
に、成膜される。なお、このとき、誘電体保護膜２上に
積層される相変化記録膜３の厚さは、概ね２０ｎｍであ
る。In the chamber 51, the rotating tray 101-1
Is opposed to the target material 54, in the same manner as described above, the pressure of the chamber 51 is reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown) so that the partial pressure of Ar gas becomes 5 × 10 ⁻³ torr. Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown). Thereafter, the DC power supply 55 is turned on, and a DC voltage of, for example, 1 KV is applied for approximately 2 seconds. As a result, Ar gas plasma is generated, and a ternary alloy that is a Ge—Sb—Te alloy or Ag
-In-Sb-Te quaternary alloy is sputtered,
A phase change recording film 3 is formed to a predetermined thickness on the dielectric protection film 2 of the plastic substrate 1 on which the dielectric protection film 2 is formed. At this time, the thickness of the phase change recording film 3 laminated on the dielectric protection film 2 is approximately 20 nm.

【００６８】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｇの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第６のチャンバ（第５のスパッタリング
チャンバ）６１内に移動され、チャンバ６１内の絶縁性
の台６２に支持されているスパッタ用電極６３上にセッ
トされているスパッタ用のターゲット材料６４と対向さ
れる。なお、この第５のスパッタリングチャンバ（第６
のチャンバ）６１にセットされているスパッタ用のター
ゲット材料６４は、先に成膜されている誘電体保護膜２
とにより相変化記録膜３を挟み込む第２の誘電体保護膜
４を成膜するための誘電体保護膜２に用いたと同様のＺ
ｎＳ−Ｔ_ｉ０_２合金である。Next, the rotating tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position of 101G. Subsequently, the rotating tray 101-1 is moved into a sixth chamber (fifth sputtering chamber) 61 and set on a sputtering electrode 63 supported by an insulating table 62 in the chamber 61. The target material 64 for sputtering. Note that this fifth sputtering chamber (sixth
The target material 64 for sputtering set in the chamber 61) is the dielectric protection film 2 previously formed.
The same Z as that used for the dielectric protection film 2 for forming the second dielectric protection film 4 sandwiching the phase change recording film 3
It is a _nS-T i _{0 2} alloy.

【００６９】相変化記録膜３が所定厚さに成膜されたプ
ラスチック基板１（２＋３）がセットされた回転トレイ
１０１−１がターゲット材料６４と対向されると、先に
説明したと同様にして、チャンバ６１が図示しない真空
ポンプによる吸引により１０ ^−６ｔｏｒｒまで減圧さ
れ、Ａｒガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるよう
に図示しないガス導入管からＡｒガスが導入される。そ
の後、ＲＦ電源６５がオンされ、例えば３ＫＷのＲＦパ
ワーがスパッタ電極６３に印加される。これにより、Ａ
ｒガスプラズマが発生され、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２合金から
なる誘電体保護膜４の成膜が開始される。約３秒後、Ｒ
Ｆ電源６５がオフされ、記録膜３を挟み込む誘電体保護
膜４のスパッタが完了する。なお、３秒のスパッタ時間
は、先に説明したと同様の条件下で、ＺｎＳ−Ｔ_ｉ０_２
合金を、概ね１５ｎｍの厚さに成膜できる。このよう
に、図８および図９に説明した周知の誘電体保護膜１０
４を形成する場合に比較して、タクトタイムを、概ね３
０％低減できたことになる。A phase change recording film 3 having a predetermined thickness
Rotary tray on which plastic substrate 1 (2 + 3) is set
When 101-1 faces the target material 64,
In the same manner as described above, the chamber 61
10 by suction by pump ^-6Depressurized to torr
And the partial pressure of Ar gas is 5 × 10^-3to become torr
Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown). So
After that, the RF power supply 65 is turned on, and the RF power
Work is applied to the sputter electrode 63. Thus, A
r gas plasma is generated and ZnS-S_i0₂From alloy
The formation of the dielectric protection film 4 is started. After about 3 seconds, R
The F power supply 65 is turned off to protect the dielectric that sandwiches the recording film 3
The sputtering of the film 4 is completed. 3 seconds sputtering time
Under the same conditions as described above, ZnS-T_i0₂
The alloy can be deposited to a thickness of approximately 15 nm. like this
Next, the well-known dielectric protective film 10 described with reference to FIGS.
Compared to the case of forming No. 4, the tact time is about 3
This means that it has been reduced by 0%.

【００７０】一方、ターゲット６４に、ＺｎＳ（２０
％）とＴａ_２０_５（８０％）を用いた場合には、ＲＦ電
源６５からのＲＦ出力が２ＫＷで、１５ｎｍの膜厚を得
るために要求されるスパッタ時間は、概ね２．６秒で、
同様に、ターゲット６４に、ＺｎＳ（２０％）とＣｅ０
_２（８０％）を用いた場合には、ＲＦ電源６５からのＲ
Ｆ出力が２ＫＷで、１５ｎｍの膜厚を得るために要求さ
れるスパッタ時間は、概ね２．６秒で、前に説明した周
知の誘電体保護膜１０４を形成する場合に比較して、タ
クトタイムを、概ね４０％低減できたことになる。On the other hand, ZnS (20
%) And Ta ₂ O ₅ (80%), the RF output from the RF power supply 65 is 2 KW, and the sputtering time required to obtain a film thickness of 15 nm is approximately 2.6 seconds. ,
Similarly, ZnS (20%) and Ce0
₂ (80%), the R from the RF power supply 65
The sputtering time required to obtain a film thickness of 15 nm at an F output of 2 KW is approximately 2.6 seconds, which is shorter than the case of forming the well-known dielectric protective film 104 described above. Was reduced by approximately 40%.

【００７１】また、同様に、ターゲット６４に、ＺｎＳ
（２０％）とＳ_ｉ０_２（６０％）に、ＩＴＯ等の導電性
透明材を２０％混合してターゲットとすることで、ＲＦ
電源１５からのＲＦ出力が２ＫＷで、１５ｎｍの膜厚を
得るために要求されるスパッタ時間は、概ね２秒で、周
知の誘電体保護膜１０２の２層めである１０２ｂを形成
する場合に比較して、タクトタイムを、概ね１／２に低
減できたことになる。なお、Ｔ_ｉ０_２やＴａ_２０_５ある
いはＣｅ０_２等の誘合体は、Ｓ_ｉ０_２と比べて、光学的
要素である屈折率が近く、また熱的にも融点が高く、化
学的に安定であるため、相変化光ディスクの誘電体に用
いた時に、Ｓ_ｉ０_２と比べて全くそん色がないことは言
うまでもない。Similarly, ZnS is applied to the target 64.
(20%) and _Si 0 ₂ (60%) mixed with 20% of a conductive transparent material such as ITO to make RF
The RF output from the power supply 15 is 2 KW, and the sputtering time required to obtain a film thickness of 15 nm is about 2 seconds, which is compared with the case where the second dielectric protection film 102b 102b is formed. This means that the tact time can be reduced to about half. _{Incidentally,} T i _{0 2} and _Ta 2 _{0 5} or CeO ₂ or the like誘合_of, compared to S i _{0 2,} the refractive index is close is an optical element, also thermally and high melting point, chemically because of its stability, when used in the dielectric of the phase change optical disc, there is no completely inferior to the S _i 0 ₂ course.

【００７２】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｈの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第７のチャンバ（第６のスパッタリング
チャンバ）７１内に移動され、チャンバ７１内の絶縁性
の台７２に支持されているスパッタ用電極７３上にセッ
トされているスパッタ用のターゲット材料７４と対向さ
れる。なお、この第６のスパッタリングチャンバ（第７
のチャンバ）７１にセットされているスパッタ用のター
ゲット材料７４は、金属反射膜５に対応するＡｌ−Ｍｏ
合金である。Next, the rotating tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position 101H. Subsequently, the rotating tray 101-1 is moved into the seventh chamber (sixth sputtering chamber) 71, and is set on the sputtering electrode 73 supported by the insulating table 72 in the chamber 71. Facing the target material 74 for sputtering. The sixth sputtering chamber (seventh chamber)
The target material 74 for sputtering set in the chamber 71 is made of Al-Mo corresponding to the metal reflection film 5.
Alloy.

【００７３】チャンバ７１内で、回転トレイ１０１−１
がターゲット材料７４と対向されると、先に説明したと
同様にして、チャンバ７１が図示しない真空ポンプによ
る吸引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧され、Ａｒガス
の分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるように図示しない
ガス導入管からＡｒガスが導入される。その後、直流電
源７５がオンされ、概ね、４秒間、例えば２ＫＶの直流
電圧が印加される。これにより、Ａｒガスプラズマが発
生され、Ａｌ−Ｍｏ合金がスパッタされて、誘電体保護
膜４が形成されているプラスチック基板１の誘電体保護
膜４に重ねて、金属反射膜５が所定の厚さに、成膜され
る。なお、金属反射膜５の厚さは、概ね１００ｎｍであ
る。In the chamber 71, the rotating tray 101-1
Is opposed to the target material 74, the chamber 71 is depressurized to 10 ⁻⁶ torr by a vacuum pump (not shown) in the same manner as described above, so that the partial pressure of Ar gas becomes 5 × 10 ⁻³ torr. Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown). Thereafter, the DC power supply 75 is turned on, and a DC voltage of, for example, 2 KV is applied for approximately 4 seconds. As a result, Ar gas plasma is generated, the Al-Mo alloy is sputtered, and the metal reflection film 5 is formed to a predetermined thickness on the dielectric protection film 4 of the plastic substrate 1 on which the dielectric protection film 4 is formed. Now, a film is formed. Note that the thickness of the metal reflection film 5 is approximately 100 nm.

【００７４】以上のような行程で、枚葉式のスパッタリ
ング装置１００で複数の膜を成膜した相変化光ディスク
１０は、図３に示した通り、円盤状のプラスチック基板
１上に、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２誘電体膜２が１０５ｎｍ，Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等の３元合金からなる相変化記録膜３が
２０ｎｍ，ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２誘電体膜４が１５ｎｍ，お
よびＡｌ−Ｍｏ金属反射膜５が１００ｎｍ、それぞれ、
順に堆積された構成である。この構成において、図８お
よび図９に説明した周知の誘電体保護膜１０２，１０４
を形成する場合に比較して、タクトタイムを、概ね３０
％ないし４０％低減でき、誘電体保護膜２，４を成膜す
る際に、記録膜３および金属反射膜５の成膜に要求され
るタクトタイムに比較して、最大で２倍程度に短縮され
る。従って、相変化光ディスク１０の量産時の生産性が
向上される。The phase-change optical disk 10 on which a plurality of films are formed by the single-wafer sputtering apparatus 100 in the above-described process is provided on the plastic substrate 1 in the form of a disk, as shown in FIG. _i 0 ₂ Dielectric film 2 is 105 nm, G
e-Sb-Te phase change recording film 3 is 20nm consisting ternary alloys such as, _ZnS-S i _{0 2} dielectric film 4 is 15nm and Al-Mo metal reflective layer 5 is 100 nm,, respectively,
This is a configuration in which the layers are sequentially deposited. In this configuration, the well-known dielectric protection films 102 and 104 described in FIGS.
Compared with the case of forming
% When the dielectric protection films 2 and 4 are formed, which is at most twice as long as the tact time required for forming the recording film 3 and the metal reflection film 5. Is done. Therefore, productivity in mass production of the phase change optical disk 10 is improved.

【００７５】図４および図５は、この発明の実施の形態
が適用される枚葉式のスパッタ装置１００の別の例を示
す概略図である。なお、図４は、スパッタ装置１００を
上から見た平面図を示し、図５は、図４に示した枚葉式
のスパッタ装置１００のメイン（本）チャンバ１０１の
周囲に設けられる複数の真空チャンバ１１，２１，３
１，４１，５１，６１および７１の任意の１つを示す側
面図である。また、図６は、図４および図５に示す枚葉
式のスパッタ装置１００により製造される６層式の高速
消去可能な相変化型の光ディスク１０の構成を説明する
概略図である。FIGS. 4 and 5 are schematic views showing another example of the single-wafer sputtering apparatus 100 to which the embodiment of the present invention is applied. FIG. 4 is a plan view of the sputtering apparatus 100 as viewed from above, and FIG. 5 is a view showing a plurality of vacuums provided around the main (main) chamber 101 of the single-wafer sputtering apparatus 100 shown in FIG. Chambers 11, 21, 3
It is a side view which shows arbitrary one of 1,41,51,61 and 71. FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the configuration of a six-layer high-speed erasable phase-change optical disk 10 manufactured by the single-wafer sputtering apparatus 100 shown in FIGS.

【００７６】以下、図４および図５に示したスパッタ装
置により、相変化光ディスクを作製する方法を説明す
る。なお、図４および図５を用いて説明する各工程にお
いては、光ディスク１０のプラスチック基板１に第１の
誘電体保護膜２を形成する工程は、１チャンバによる１
回のタクトのみで形成可能である。Hereinafter, a method of manufacturing a phase change optical disk by using the sputtering apparatus shown in FIGS. 4 and 5 will be described. In each of the steps described with reference to FIGS. 4 and 5, the step of forming the first dielectric protection film 2 on the plastic substrate 1 of the optical disk 10 is performed by one chamber.
It can be formed with only one tact.

【００７７】図４に示したスパッタ装置１００のメイン
チャンバ１０１の周囲の所定の位置に設けられているロ
ード・ロックチャンバ１０２の蓋１０２Ａを開け、回転
可能に形成されているトレイ１０１−１に、光ディスク
１０の基板となる円盤状のディスク基板１をセットす
る。この状態でロード・ロックチャンバ１０２の蓋１０
２Ａを閉め、ロード・ロックチャンバ１０２内の気圧
を、本チャンバ１０１と同程度の真空まで減圧する。通
常この真空度は、１０^−５ｔｏｒｒ程度である。The lid 102A of the load / lock chamber 102 provided at a predetermined position around the main chamber 101 of the sputtering apparatus 100 shown in FIG. 4 is opened, and a rotatable tray 101-1 is placed on the tray 101-1. A disk-shaped disk substrate 1 serving as a substrate of the optical disk 10 is set. In this state, the lid 10 of the load lock chamber 102 is
2A is closed, and the air pressure in the load / lock chamber 102 is reduced to the same level of vacuum as the main chamber 101. Usually, the degree of vacuum is about 10 ⁻⁵ torr.

【００７８】ディスク基板１がセットされたロード・ロ
ックチャンバ１０２内の回転トレイ１０１−１は、本チ
ャンバ１０１の中に移動され、１０１Ａに示すように、
本チャンバ１０１内の所定の位置に収容される。本チャ
ンバ１０１内では、図示しない駆動系により、矢印Ａの
方向に回転トレイ１０１−１が移動され、回転トレイ１
０１−１は、１０１Ｂの位置に移動される。The rotating tray 101-1 in the load / lock chamber 102 in which the disk substrate 1 is set is moved into the main chamber 101, and as shown in 101A,
It is housed in a predetermined position in the main chamber 101. In the main chamber 101, the rotating tray 101-1 is moved in the direction of arrow A by a driving system (not shown),
01-1 is moved to the position of 101B.

【００７９】この状態で、ディスク基板１がセットされ
た本チャンバ１０１の１０１Ｂの位置に位置されたトレ
イ１０１−１は、図示しない駆動機構により第１のスパ
ッタリングチャンバ１１の中に移動される。In this state, the tray 101-1 located at the position 101B of the main chamber 101 on which the disk substrate 1 is set is moved into the first sputtering chamber 11 by a driving mechanism (not shown).

【００８０】図５に示すように、第１のスパッタリング
チャンバ１１の中に回転トレイ１０１−１が搬送される
と、ディスク基板１を保持した回転トレイ１０１−１
が、絶縁性の台１２に支持されているスパッタ用電極１
３上にセットされているスパッタ用のターゲット材料１
４と対向される。回転トレイ１０１−１がターゲット材
料１４と対向されると、電源１５から、所定電圧の直流
（ＤＣ）電圧が、電極１３に供給される。従って、ター
ゲット材料１４は、直流スパッタされる。なお、第１の
スパッタリングチャンバ１１において、ターゲット材料
１４には、図６を用いて説明する相変化光ディスク１０
に設けられる複数の薄層のうちの１層めにあたる誘電体
保護膜２を成膜するためのＺｎＳ（２０％）とＳ_ｉ０_２
（６０％）とＩＴＯ（Indium Tin 0xide）等の導電性
透明材を２０％混合した混合材が利用される。なお、Ｓ
_ｉ０_２（６０％）に換えてＴａ_２０_５を２０％またはＣ
ｅ０ _２を２０％混合した混合材も利用可能である。As shown in FIG. 5, the first sputtering
The rotating tray 101-1 is transported into the chamber 11
And a rotating tray 101-1 holding the disk substrate 1
Is the sputtering electrode 1 supported on the insulating base 12
Target material 1 for sputtering set on 3
4. The rotating tray 101-1 is the target material
When the power supply 15 is opposed, the power supply 15
A (DC) voltage is supplied to the electrode 13. Therefore,
Get material 14 is DC sputtered. Note that the first
In the sputtering chamber 11, the target material
The phase change optical disk 10 described with reference to FIG.
Dielectric layer corresponding to the first of a plurality of thin layers provided on the substrate
ZnS (20%) and S for forming the protective film 2_i0₂
(60%) and conductive such as ITO (Indium Tin 0xide)
A mixed material obtained by mixing 20% of a transparent material is used. Note that S
_i0₂(60%)₂0₅20% or C
e0 ₂Can also be used.

【００８１】詳細には、第１のスパッタリングチャンバ
１１は、回転トレイ１０１−１がターゲット材料１４と
対向されることでロックされ、図示しない真空ポンプに
よる吸引により１０^−６ｔｏｒｒまでさらに減圧され
る。続いて、図示しないガス導入管からＡｒガスが導入
され、Ａｒガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるよ
うにガス流量が設定される。その後、直流電源１５がオ
ンされ、例えば２ＫＶの直流電圧がスパッタ電極１３に
印加される。More specifically, the first sputtering chamber 11 is locked when the rotating tray 101-1 faces the target material 14, and the pressure is further reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown). Subsequently, Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown), and the gas flow rate is set so that the partial pressure of Ar gas becomes 5 × 10 ⁻³ torr. Thereafter, the DC power supply 15 is turned on, and a DC voltage of, for example, 2 KV is applied to the sputtering electrode 13.

【００８２】これにより、Ａｒガスプラズマが発生さ
れ、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２−ＩＴＯ合金からなる誘電体保護
膜２の成膜が開始される。約５秒後、直流電源１５をオ
フすることで、基板１側の誘電体保護膜２のスパッタが
完了する。なお、約５秒のスパッタ時間によりスパッタ
されたＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２−ＩＴＯ合金の厚さは、直流ス
パッタの利点により、周知のＲＦ電源を用いる方法に比
較して大幅に増大され、１回のスパッタのみで、概ね１
０５ｎｍに達する。一方、ターゲット１４に、ＺｎＳ
（２０％）とＴａ_２０_５（６０％）−ＩＴＯを用いた場
合には、同様に、直流電源１５から例えば２ＫＶが電極
１３に印加された場合、概ね４秒で、１０５ｎｍの膜厚
を得ることができ、ターゲット１４に、ＺｎＳ（２０
％）とＣｅ０_２（６０％）−ＩＴＯを用いた場合にも、
概ね４秒で、同等の膜厚の誘電体保護膜２が得られる。[0082] Accordingly, Ar gas plasma is _generated, the deposition of _ZnS-S i 0 2 consists -ITO alloy dielectric protective film 2 is started. After about 5 seconds, the DC power supply 15 is turned off to complete the sputtering of the dielectric protection film 2 on the substrate 1 side. Incidentally, a thickness of about 5 seconds sputtering time by sputtered ZnS-S _i 0 ₂ -ITO alloy, by virtue of the direct current sputtering, significantly is increased as compared to the method using a known RF power source, once About 1 spatter
Reaches 05 nm. On the other hand, ZnS
(20%) and Ta ₂ O ₅ (60%)-ITO, similarly, when, for example, 2 KV is applied to the electrode 13 from the DC power supply 15, the film thickness of 105 nm is reduced in approximately 4 seconds. Can be obtained, and ZnS (20
%) And _CeO 2 (60%) - even when using the ITO,
In about 4 seconds, the dielectric protection film 2 having the same thickness can be obtained.

【００８３】続いて、回転トレイ１０１−１は、図示し
ない駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｂの位置に移動される。これにより、回転ト
レイ１０１−１は、第２のチャンバ２１内に搬送され
る。第２のチャンバ２１は、冷却チャンバであり、先に
説明した第１のチャンバ１１で、１回のスパッタで、１
０５ｎｍのＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２−ＩＴＯ合金の誘電体保護
膜２が形成されたプラスチック基板１を、例えばＮ_２ガ
スで冷却する。なお、この第２のチャンバによる冷却時
間は、すべてのチャンバにおける最大時間のタクトに合
わせて定義される。Subsequently, the rotating tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position of 101B. Thereby, the rotating tray 101-1 is transported into the second chamber 21. The second chamber 21 is a cooling chamber, and in the first chamber 11 described above, one sputtering
The plastic substrate 1 a dielectric protective film 2 of _ZnS-S i 0 2 -ITO alloy 05nm was formed, cooled, for example _{N 2} gas. The cooling time of the second chamber is defined according to the tact of the maximum time in all the chambers.

【００８４】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｃの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第２のスパッタリングチャンバ（第３の
チャンバ）３１に押し込まれて、チャンバ３１内の絶縁
性の台３２に支持されているスパッタ用電極３３上にセ
ットされているスパッタ用のターゲット材料３４と対向
される。回転トレイ１０１−１が、例えばＧｅからなる
ターゲット材料３４と対向されると、先に説明したと同
様にして、チャンバ３１が図示しない真空ポンプによる
吸引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧され、Ａｒガスと
Ｎ_２ガスの混合ガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒにな
るように図示しないガス導入管からＡｒガスとＮ_２ガス
の混合ガスが導入される。その後、直流電源３５がオン
され、所定の電圧が、スパッタ電極３３に印加される。
これにより、ＡｒガスとＮ_２ガスのプラズマが発生さ
れ、Ｎ原子がＧｅ膜中に取り込まれて、ＧｅＮからなる
結晶化促進層３−１が成膜される。以下、所定時間経過
後、直流電源４５をオフすることで、基板１側の誘電体
保護膜２に、所定厚さの結晶化促進層３−１が形成され
る。なお、ＧｅＮ結晶化促進膜の膜厚は、例えば５ｎｍ
である。Next, the rotating tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a driving mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a driving system (not shown), and moved to the position of 101C. Subsequently, the rotating tray 101-1 is pushed into the second sputtering chamber (third chamber) 31 and set on the sputtering electrode 33 supported by the insulating table 32 in the chamber 31. The target material 34 for sputtering. When the rotating tray 101-1 faces the target material 34 made of, for example, Ge, the pressure of the chamber 31 is reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown) in the same manner as described above. A mixed gas of Ar gas and N ₂ gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown) such that the partial pressure of the mixed gas of N ₂ gas becomes 5 × 10 ⁻³ torr. Thereafter, the DC power supply 35 is turned on, and a predetermined voltage is applied to the sputter electrode 33.
Thereby, plasma of Ar gas and N ₂ gas is generated, N atoms are taken into the Ge film, and the crystallization promoting layer 3-1 made of GeN is formed. Thereafter, after a lapse of a predetermined time, the DC power supply 45 is turned off to form the crystallization promoting layer 3-1 having a predetermined thickness on the dielectric protection film 2 on the substrate 1 side. The thickness of the GeN crystallization promoting film is, for example, 5 nm.
It is.

【００８５】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｄの位置に移動される。Next, the rotary tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position of 101D.

【００８６】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｆの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第４のチャンバ（第３のスパッタリング
チャンバ）４１内に移動され、チャンバ４１内の絶縁性
の台４２に支持されているスパッタ用電極４３上にセッ
トされているスパッタ用のターゲット材料４４と対向さ
れる。なお、この第３のスパッタリングチャンバ（第４
のチャンバ）４１にセットされているスパッタ用のター
ゲット材料４４は、相変化記録膜３に対応するＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ合金の３元合金や、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの
４元合金である。Next, the rotating tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position 101F. Subsequently, the rotating tray 101-1 is moved into the fourth chamber (third sputtering chamber) 41 and set on the sputtering electrode 43 supported on the insulating table 42 in the chamber 41. The target material 44 for sputtering. Note that this third sputtering chamber (fourth
The sputtering target material 44 set in the chamber 41 is a Ge-S material corresponding to the phase-change recording film 3.
It is a ternary alloy of a b-Te alloy or a quaternary alloy of Ag-In-Sb-Te.

【００８７】チャンバ４１内で、回転トレイ１０１−１
がターゲット材料４４と対向されると、先に説明したと
同様にして、チャンバ４１が図示しない真空ポンプによ
る吸引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧され、Ａｒガス
の分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるように図示しない
ガス導入管からＡｒガスが導入される。その後、直流電
源４５がオンされ、概ね、２秒間、例えば１ＫＶの直流
電圧が印加される。これにより、Ａｒガスプラズマが発
生され、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金である３元合金や、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅである４元合金がスパッタされて、
誘電体保護膜２が形成されているプラスチック基板１の
誘電体保護膜２に堆積された結晶化促進膜３−１に重ね
て、相変化記録膜３が所定の厚さに、成膜される。な
お、このとき、相変化記録膜３の厚さは、例えば概ね２
０ｎｍである。In the chamber 41, the rotating tray 101-1
Is opposed to the target material 44, the chamber 41 is depressurized to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown) in the same manner as described above, so that the partial pressure of Ar gas becomes 5 × 10 ⁻³ torr. Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown). Thereafter, the DC power supply 45 is turned on, and a DC voltage of, for example, 1 KV is applied for approximately 2 seconds. As a result, Ar gas plasma is generated, and a ternary alloy that is a Ge—Sb—Te alloy or Ag
-In-Sb-Te quaternary alloy is sputtered,
The phase change recording film 3 is formed to a predetermined thickness on the crystallization accelerating film 3-1 deposited on the dielectric protection film 2 of the plastic substrate 1 on which the dielectric protection film 2 is formed. . At this time, the thickness of the phase change recording film 3 is, for example, approximately 2
0 nm.

【００８８】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｅの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第５のチャンバ（第４のスパッタリング
チャンバ）５１内に移動され、チャンバ５１内の絶縁性
の台５２に支持されているスパッタ用電極５３上にセッ
トされているスパッタ用のターゲット材料５４と対向さ
れる。なお、この第４のスパッタリングチャンバ（第５
のチャンバ）５１にセットされているスパッタ用のター
ゲット材料５４は、先に成膜されている結晶化促進膜３
−１と共同して相変化記録膜３の熱を高速に除去して相
変化記録膜３の結晶化を促進する（高速の消去を可能と
する）結晶化促進膜３−２を成膜するためのＧｅＮであ
る。Next, the rotating tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position of 101E. Subsequently, the rotating tray 101-1 is moved into a fifth chamber (fourth sputtering chamber) 51, and set on a sputtering electrode 53 supported by an insulating table 52 in the chamber 51. The target material 54 for sputtering. The fourth sputtering chamber (fifth sputtering chamber)
The target material 54 for sputtering set in the (chamber) 51 is a crystallization promoting film 3 previously formed.
In cooperation with -1, the heat of the phase change recording film 3 is removed at high speed to promote crystallization of the phase change recording film 3 (enabling high-speed erasure) to form a crystallization promoting film 3-2. GeN for

【００８９】相変化記録膜３が所定厚さに成膜されたプ
ラスチック基板１（２＋３−１）がセットされた回転ト
レイ１０１−１がＧｅのターゲット材料５４と対向され
ると、先に説明したと同様にして、チャンバ５１が図示
しない真空ポンプによる吸引により１０^−６ｔｏｒｒま
で減圧され、ＡｒガスとＮ_２ガスの混合ガスの分圧が５
ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるように図示しないガス導入管
からＡｒガスとＮ_２ガスの混合ガスが導入される。その
後、直流電源５５がオンされ、所定の電圧がスパッタ電
極５３に印加される。これにより、ＡｒガスとＮ_２ガス
のプラズマが発生され、ＧｅＮからなる結晶化促進膜３
−２の成膜が開始される。なお、ＧｅＮ結晶化促進膜の
膜厚は、例えば５ｎｍである。As described above, when the rotating tray 101-1 on which the plastic substrate 1 (2 + 3-1) on which the phase change recording film 3 is formed to a predetermined thickness faces the Ge target material 54, is described. In the same manner as described above, the pressure in the chamber 51 is reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown), and the partial pressure of the mixed gas of Ar gas and N ₂ gas becomes 5.
A mixed gas of Ar gas and N ₂ gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown) so as to be at x10 ⁻³ torr. Thereafter, the DC power supply 55 is turned on, and a predetermined voltage is applied to the sputter electrode 53. As a result, plasma of Ar gas and N ₂ gas is generated, and the crystallization promoting film 3 made of GeN is formed.
-2 is started. The thickness of the GeN crystallization promoting film is, for example, 5 nm.

【００９０】以下、所定時間経過後、電源５５がオフさ
れ、記録膜３を挟み込む結晶化促進膜３−２がスパッタ
される。Thereafter, after a predetermined time has elapsed, the power supply 55 is turned off, and the crystallization promoting film 3-2 sandwiching the recording film 3 is sputtered.

【００９１】続いて、回転トレイ１０１−１は、本チャ
ンバ１０１の中に移動され、１０１Ａに示すように、本
チャンバ１０１内の所定の位置に収容される。本チャン
バ１０１内では、図示しない駆動系により、矢印Ａの方
向に回転トレイ１０１−１が移動され、回転トレイ１０
１−１は、１０１Ｆの位置に移動される。Subsequently, the rotating tray 101-1 is moved into the main chamber 101, and is housed at a predetermined position in the main chamber 101 as shown by 101A. In the main chamber 101, the rotating tray 101-1 is moved in the direction of arrow A by a drive system (not shown),
1-1 is moved to the position of 101F.

【００９２】この状態で、回転トレイ１０１−１は、図
示しない駆動機構により第６のチャンバ（第５のスパッ
タリングチャンバ）６１内に移動され、絶縁性の台６２
に支持されているスパッタ用電極６３上にセットされて
いるスパッタ用のターゲット材料６４と対向される。回
転トレイ１０１−１がターゲット材料６４と対向される
と、電源６５から、所定電圧の直流（ＤＣ）電圧が、電
極６３に供給される。従って、ターゲット材料６４は、
直流スパッタされる。なお、第５のスパッタリングチャ
ンバ６１において、ターゲット材料６４には、１層めに
あたる誘電体保護膜２と同一組成で厚さの薄い誘電体保
護膜４成膜するためのＺｎＳ（２０％）とＳ_ｉ０_２（６
０％）とＩＴＯ等の導電性透明材を２０％混合した混合
材が利用される。なお、Ｓ_ｉ０_２（６０％）に換えてＴ
ａ_２０_５を２０％またはＣｅ０_２を２０％混合した混合
材も利用可能である。In this state, the rotating tray 101-1 is moved into the sixth chamber (fifth sputtering chamber) 61 by a driving mechanism (not shown),
Is opposed to a sputtering target material 64 set on a sputtering electrode 63 supported on the substrate. When the rotating tray 101-1 faces the target material 64, a direct current (DC) voltage of a predetermined voltage is supplied from the power supply 65 to the electrode 63. Therefore, the target material 64 is
DC sputtering is performed. In the fifth sputtering chamber 61, ZnS (20%) and S for forming the thin dielectric protection film 4 having the same composition as the dielectric protection film 2 as the first layer and having a small thickness are used as the target material 64. _i 0 ₂ (6
0%) and 20% of a conductive transparent material such as ITO. _{Incidentally,} T instead of S _i 0 2 (60%)
a ₂ 0 ₅ 20% or CeO ₂ mixed material obtained by mixing 20% are also available.

【００９３】以下、第５のスパッタリングチャンバ６１
は、回転トレイ１０１−１がターゲット材料６４と対向
されることでロックされ、図示しない真空ポンプによる
吸引により１０^−６ｔｏｒｒまでさらに減圧される。続
いて、図示しないガス導入管からＡｒガスが導入され、
Ａｒガスの分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるようにガ
ス流量が設定される。その後、直流電源６５がオンさ
れ、例えば２ＫＶの直流電圧がスパッタ電極６３に印加
される。Hereinafter, the fifth sputtering chamber 61 will be described.
Is locked when the rotating tray 101-1 faces the target material 64, and the pressure is further reduced to 10 ⁻⁶ torr by suction using a vacuum pump (not shown). Subsequently, Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown),
The gas flow rate is set so that the partial pressure of Ar gas is 5 × 10 ⁻³ torr. Thereafter, the DC power supply 65 is turned on, and a DC voltage of, for example, 2 KV is applied to the sputter electrode 63.

【００９４】これにより、Ａｒガスプラズマが発生さ
れ、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２−ＩＴＯ合金からなる誘電体保護
膜４が所定の厚さに成膜される。以下、所定時間経過
後、直流電源６５がオフされ、記録膜３を覆う結晶化促
進膜３−２を覆う誘電体保護膜４がスパッタされる。な
お、プラスチック基板１から離れた側のこの誘電体保護
膜４の厚さは、プラスチック基板１の次に体積される誘
電体保護膜２に比較して、概ね１／６程度であるから、
スパッタに要求される時間は、非常にわずかである。一
方、ターゲット１４に、ＺｎＳ（２０％）とＴａ_２０_５
（６０％）−ＩＴＯを用いることもできることは言うま
でもない。[0094] Accordingly, Ar gas plasma is _{occurred, ZnS-S} i 0 2 dielectric protective film 4 made of -ITO alloy is deposited to a predetermined thickness. Thereafter, after a lapse of a predetermined time, the DC power supply 65 is turned off, and the dielectric protection film 4 covering the crystallization promoting film 3-2 covering the recording film 3 is sputtered. Since the thickness of the dielectric protection film 4 on the side remote from the plastic substrate 1 is approximately 1/6 compared to the thickness of the dielectric protection film 2 which is next to the plastic substrate 1,
The time required for sputtering is very small. On the other hand, ZnS (20%) and Ta ₂ O ₅
It goes without saying that (60%)-ITO can also be used.

【００９５】次に、回転トレイ１０１−１は、図示しな
い駆動機構により本チャンバ１０１内部に引き戻され
て、図示しない駆動系により、矢印Ａの方向に回転され
て、１０１Ｈの位置に移動される。続いて、回転トレイ
１０１−１は、第７のチャンバ（第６のスパッタリング
チャンバ）７１内に移動され、チャンバ７１内の絶縁性
の台７２に支持されているスパッタ用電極７３上にセッ
トされているスパッタ用のターゲット材料７４と対向さ
れる。なお、この第６のスパッタリングチャンバ（第７
のチャンバ）７１にセットされているスパッタ用のター
ゲット材料７４は、金属反射膜５に対応するＡｌ−Ｍｏ
合金である。Next, the rotary tray 101-1 is pulled back into the chamber 101 by a drive mechanism (not shown), rotated in the direction of arrow A by a drive system (not shown), and moved to the position 101H. Subsequently, the rotating tray 101-1 is moved into the seventh chamber (sixth sputtering chamber) 71, and is set on the sputtering electrode 73 supported by the insulating table 72 in the chamber 71. Facing the target material 74 for sputtering. The sixth sputtering chamber (seventh chamber)
The target material 74 for sputtering set in the chamber 71 is made of Al-Mo corresponding to the metal reflection film 5.
Alloy.

【００９６】チャンバ７１内で、回転トレイ１０１−１
がターゲット材料７４と対向されると、先に説明したと
同様にして、チャンバ７１が図示しない真空ポンプによ
る吸引により１０^−６ｔｏｒｒまで減圧され、Ａｒガス
の分圧が５ｘ１０^−３ｔｏｒｒになるように図示しない
ガス導入管からＡｒガスが導入される。その後、直流電
源７５がオンされ、概ね、４秒間、例えば２ＫＶの直流
電圧が印加される。これにより、Ａｒガスプラズマが発
生され、Ａｌ−Ｍｏ合金がスパッタされて、誘電体保護
膜４が形成されているプラスチック基板１の誘電体保護
膜４に重ねて、金属反射膜５が所定の厚さに、成膜され
る。なお、金属反射膜５の厚さは、概ね１００ｎｍであ
る。In the chamber 71, the rotating tray 101-1
Is opposed to the target material 74, the chamber 71 is depressurized to 10 ⁻⁶ torr by a vacuum pump (not shown) in the same manner as described above, so that the partial pressure of Ar gas becomes 5 × 10 ⁻³ torr. Ar gas is introduced from a gas introduction pipe (not shown). Thereafter, the DC power supply 75 is turned on, and a DC voltage of, for example, 2 KV is applied for approximately 4 seconds. As a result, Ar gas plasma is generated, the Al-Mo alloy is sputtered, and the metal reflection film 5 is formed to a predetermined thickness on the dielectric protection film 4 of the plastic substrate 1 on which the dielectric protection film 4 is formed. Now, a film is formed. Note that the thickness of the metal reflection film 5 is approximately 100 nm.

【００９７】以上のような行程で、枚葉式のスパッタリ
ング装置１００で複数の膜を成膜した相変化光ディスク
１０は、図６に示した通り、円盤状のプラスチック基板
１上に、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２−ＩＴＯ合金またはＺｎＳ
（２０％）とＴａ_２０_５（６０％）−ＩＴＯ合金からな
る誘電体保護膜２、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等の３元合金また
はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅである４元合金からなる相変
化記録膜３、記録膜３を挟み込む結晶化促進膜３−１，
３−２、誘電体保護膜４および金属反射膜５が、それぞ
れ、順に堆積された構成である。The phase-change optical disk 10 on which a plurality of films have been formed by the single-wafer sputtering apparatus 100 in the above-described process is coated on a plastic substrate 1 in the form of ZnS-S _i 0 ₂ -ITO alloy or ZnS
(20%) and _Ta 2 ₀ 5 (60%) - phase consisting quaternary alloys are ternary alloy or Ag-In-Sb-Te dielectric protective film 2 made of ITO alloy, Ge-Sb-Te or the like Change recording film 3, crystallization promoting film 3-1 sandwiching recording film 3,
3-2, a dielectric protection film 4 and a metal reflection film 5 are sequentially deposited, respectively.

【００９８】この１回スパッタによる誘電体保護膜を含
む光ディスクの構成を採用すれば、近年、ＤＶＤ−ＲＡ
ＭやＤＶＤ−ＲＷディスクで求められている記録の高速
化を可能とするオーバライト（消去機能）を高速化する
ことのできる消去（結晶化）を促進するための結晶化促
進膜を有する光ディスクを量産するに際して、例えば現
在利用されている枚葉式スパッタ装置と同数のチャンバ
からなるスパッタ装置を用いて、図６に示すような６層
構成の光ディスクも製造可能となる。当然、チャンバの
数を多くして、誘電体保護膜を、複数回のスパッタによ
り構成しても、何ら問題は生じない。If the configuration of an optical disk including a dielectric protective film formed by single sputtering is adopted, recently, DVD-RA
An optical disk having a crystallization promoting film for promoting erasing (crystallization) capable of speeding up overwriting (erasing function) capable of speeding up recording required for M and DVD-RW disks. In mass production, for example, an optical disk having a six-layer structure as shown in FIG. 6 can be manufactured using a sputtering apparatus having the same number of chambers as a currently used single wafer type sputtering apparatus. Naturally, no problem occurs even if the number of chambers is increased and the dielectric protective film is formed by a plurality of sputterings.

【００９９】[0099]

【発明の効果】以上説明したように、本発明者は、相変
化型光ディスクの誘電体保護膜を形成するための材料と
して、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２混合膜のＳ_ｉ０_２の代わりに、
Ｔ_ｉ０ _２やＴａ_２０_５あるいはＣｅ０_２等の誘合体を用
いることで、ＲＦ電源を用いて、誘電体膜の成膜速度を
大幅に向上させた。As described above, the present inventor has proposed a phase change
For forming the dielectric protective film of the optical disk
And ZnS-S_i0₂S of mixed film_i0₂Instead of,
T_i0 ₂And Ta₂0₅Or Ce0₂Use an inviting body such as
By using an RF power source, the deposition rate of the dielectric film can be increased.
Significantly improved.

【０１００】また、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２を用いる場合に、
Ｓ_ｉ０_２を減らして、透明導電性材料のＩＴＯを混合す
ることで、誘電体保護膜を直流スパッタによりスパッタ
リング可能とし、成膜速度を数倍に高めることを達成し
ている。[0100] In addition, in the case of using a _ZnS-S i _{0 2,}
Reduce the S _i 0 _2, by mixing the ITO transparent conductive material, a dielectric protective layer to allow sputtering by DC sputtering, have achieved to increase the deposition rate several times.

【０１０１】さらに、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２混合膜のＳ_ｉ０
_２の代わりに、Ｔ_ｉ０_２と導電性透明材ＩＴ０の混合材
またはＴａ_２０_５とＩＴＯの混合材もしくはＣｅ０_２と
ＩＴＯの混合材をターゲット材として、高速の直流スパ
ッタを可能とし、誘電体保護膜の成膜速度を一層向上さ
せ、タクトタイムを低減して、量産性を向上させた。[0102] Further, _S i 0 of _ZnS-S i _{0 2} mixed film
_{2 instead,} the mixed material or _Ta 2 _{0 5} and admixture of ITO or CeO ₂ and admixture of ITO of T i _{0 2} and the conductive transparent material IT0 as a target material, and enables high-speed DC sputtering, a dielectric The deposition rate of the body protective film was further improved, the tact time was reduced, and the mass productivity was improved.

【０１０２】なお、Ｓ_ｉ０_２と比べてスパッタリングレ
ートが２倍程度速いだけであるが、一方、透明導電材Ｉ
ＴＯを混合したターゲット材では、一般的な誘電体と違
って半導電性を示すため、直流電源が使用可能となり、
そのためスパッタリング速度が増したものである。[0102] _Although the sputtering rate as compared to the S i _{0 2} is only fast about twice, while the transparent conductive material I
Since the target material mixed with TO shows semi-conductivity unlike a general dielectric, a DC power supply can be used,
Therefore, the sputtering speed is increased.

【０１０３】すなわち、ＲＦ電源で利用されるターゲッ
トに投入されるパワーは、ＡＣであり、積分値としては
かなりの損失があるが、直流の場合、効率よくスパッタ
されるからである。That is, the power supplied to the target used in the RF power supply is AC, and there is a considerable loss as an integrated value, but in the case of DC, it is efficiently sputtered.

【０１０４】なお、ＺｎＳ−Ｓ_ｉ０_２−ＩＴＯの混合材
の場合や、ＺｎＳ−Ｔａ_２０_５−ＩＴＯの混合材、Ｚｎ
Ｓ−Ｃｅ０_２−ＩＴＯの混合材の場合、１つのスパッタ
リングチャンバのみで、所定の膜厚の誘電体膜を成膜で
きるため、他の余分のチャンバで、ＤＶＤ−ＲＡＭやＤ
ＶＤ−ＲＷディスクに求められている高速記録を可能と
するためのオーバライト（消去機能）の高速化を達成す
ることのできる消去（結晶化）を促進するための結晶化
促進膜を、特別な大型の多くのチャンバを有するスパッ
タ装置を用いることなく、提供できる。[0104] In _the case of _using the mixed material of _ZnS-S i 0 2 -ITO and, _ZnS-Ta 2 0 5 -ITO admixture of, Zn
For admixture of _S-CeO 2-ITO, only one sputtering chamber, it is possible to deposit a predetermined film thickness of the dielectric film, in other extra chamber, DVD-RAM and D
A special crystallization-promoting film for promoting erasing (crystallization) capable of achieving high-speed overwriting (erasing function) for enabling high-speed recording required for VD-RW discs is provided. The present invention can be provided without using a sputtering apparatus having many large chambers.

【０１０５】このように、スパッタリングにより誘電体
である誘電体保護膜を成膜する速度を高速化させたこと
により、タクトタイムが低減され、相変化型光ディスク
の生産性が向上され、製造コストが低減される。As described above, by increasing the speed at which the dielectric protective film, which is a dielectric, is formed by sputtering, the tact time is reduced, the productivity of the phase change optical disk is improved, and the manufacturing cost is reduced. Reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】この発明の実施の形態である枚葉式のスパッタ
装置の一例を示す概略図。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a single-wafer sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】図１に示した枚葉式のスパッタ装置の本チャン
バの周囲に設けられる複数のスパッタ用チャンバの任意
の１つを示す側面図。FIG. 2 is a side view showing an arbitrary one of a plurality of sputtering chambers provided around the main chamber of the single-wafer sputtering apparatus shown in FIG. 1;

【図３】図１および図２に示す枚葉式のスパッタ装置に
より製造される相変化型光ディスクの構成を説明する概
略図。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of a phase-change optical disk manufactured by the single-wafer sputtering apparatus illustrated in FIGS. 1 and 2;

【図４】この発明の実施の形態である枚葉式のスパッタ
装置の平面図。FIG. 4 is a plan view of a single-wafer sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図５】図４に示した枚葉式のスパッタ装置の本チャン
バの周囲に設けられる複数のスパッタ用チャンバの任意
の１つを示す側面図。5 is a side view showing an arbitrary one of a plurality of sputtering chambers provided around the main chamber of the single-wafer sputtering apparatus shown in FIG. 4;

【図６】図４および図５に示す枚葉式のスパッタ装置に
より製造される６層式の高速消去可能な相変化型の光デ
ィスクの構成を説明する概略図。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a configuration of a six-layer high-speed erasable phase change optical disk manufactured by the single-wafer sputtering apparatus illustrated in FIGS. 4 and 5;

【図７】周知の相変化型光ディスクの製造に用いられる
枚用式のスパッタ装置の一例を示す概略図。FIG. 7 is a schematic view showing an example of a sheet type sputtering apparatus used for manufacturing a well-known phase change optical disk.

【図８】図７に示した枚葉式のスパッタ装置の本チャン
バの周囲に設けられる複数のスパッタ用チャンバの任意
の１つを示す側面図。8 is a side view showing an arbitrary one of a plurality of sputtering chambers provided around the main chamber of the single-wafer sputtering apparatus shown in FIG. 7;

【図９】図７および図８に示す枚葉式のスパッタ装置に
より製造される周知の相変化型光ディスクの構成を説明
する概略図。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating the configuration of a known phase-change optical disk manufactured by the single-wafer sputtering apparatus illustrated in FIGS. 7 and 8;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ・・・プラスチック基板、 ２ ・・・誘電体保護膜、 ２ａ・・・誘電体保護膜、 ２ｂ・・・誘電体保護膜、 ２ｃ・・・誘電体保護膜、 ３ ・・・記録膜、 ４ ・・・誘電体保護膜、 ５ ・・・金属反射層、 １０ ・・・相変化型光ディスク、 １５ ・・・直流電源、 ２５ ・・・直流電源、 ３５ ・・・直流電源、 ４５ ・・・直流電源、 ５５ ・・・直流電源、 １００ ・・・枚葉式スパッタリング装置。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plastic substrate, 2 ... Dielectric protection film, 2a ... Dielectric protection film, 2b ... Dielectric protection film, 2c ... Dielectric protection film, 3 ... Recording film, DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Dielectric protection film, 5 ... Metal reflective layer, 10 ... Phase change type optical disk, 15 ... DC power supply, 25 ... DC power supply, 35 ... DC power supply, 45 ... DC power supply 55 DC power supply 100 Single-wafer sputtering apparatus

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｃ２３Ｃ 14/34 Ａ Ｓ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C23C 14/34 C23C 14/34 AS G11B 7/26 531 G11B 7/26 531

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】レーザビーム等の光ビームの照射によっ
て、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化をおこなう相
変化光ディスクにおいて、 相変化を行う記録膜を挟む誘電体保護膜として、ＺｎＳ
とＴ_ｉ０_２を含む混合膜を用いることを特徴とする相変
化光ディスク。1. A phase-change optical disk in which a phase change between an amorphous phase and a crystal phase is reversibly performed by irradiation of a light beam such as a laser beam, as a dielectric protection film sandwiching a recording film performing a phase change. ZnS
A phase-change optical disc characterized by using a mixed film containing _{Ti and} O ₂ . 【請求項２】レーザビーム等の光ビームの照射によっ
て、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化をおこなう相
変化光ディスクにおいて、 相変化を行う記録膜を挟む誘電体保護膜として、ＺｎＳ
とＴａ_２０_５を含む混合膜を用いることを特徴とする相
変化光ディスク。2. A phase change optical disk in which a phase change between an amorphous state and a crystal state is reversibly performed by irradiation of a light beam such as a laser beam, as a dielectric protection film sandwiching a recording film performing a phase change. ZnS
Phase change optical disk, which comprises using a mixed film containing Ta ₂ 0 ₅ and. 【請求項３】レーザビーム等の光ビームの照射によっ
て、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化をおこなう相
変化光ディスクにおいて、 相変化を行う記録膜を挟む誘電体保護膜として、ＺｎＳ
とＣｅ０_２を含む混合膜を用いることを特徴とする相変
化光ディスク。3. A phase change optical disk in which a phase change between an amorphous state and a crystal state is reversibly performed by irradiation of a light beam such as a laser beam, as a dielectric protection film sandwiching a recording film performing a phase change. ZnS
When the phase change optical disk, which comprises using a mixed film containing CeO _2. 【請求項４】前記誘電体保護膜は、ＩＴＯをさらに含む
混合膜を用いることを特徴とする請求項１ないし３の相
変化光ディスク。4. The phase change optical disk according to claim 1, wherein said dielectric protection film is a mixed film further containing ITO. 【請求項５】レーザビーム等の光ビームの照射によっ
て、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化をおこなう相
変化光ディスクを製造する方法において、 ＺｎＳとＳ_ｉ０_２とＩＴＯを含む混合ターゲット材料を
用い、直流スパッタにより、上記材料の誘電体保護膜を
成膜することを特徴とする相変化光ディスクの製造方
法。By irradiation of 5. The light beam such as a laser beam, a method of manufacturing a phase change optical disc performs the reversible phase change between amorphous and crystalline, containing ZnS and S _i 0 ₂ and ITO A method for manufacturing a phase-change optical disk, comprising forming a dielectric protective film of the above material by DC sputtering using a mixed target material. 【請求項６】レーザビーム等の光ビームの照射によっ
て、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化をおこなう相
変化光ディスクを製造する方法において、 ＺｎＳとＴ_ｉ０_２とＩＴＯを含む混合ターゲット材料を
用い、直流スパッタにより、上記材料の誘電体保護膜を
成膜することを特徴とする相変化光ディスクの製造方
法。By irradiation of 6. The light beam such as a laser beam, a method of manufacturing a phase change optical disc performs the reversible phase change between amorphous and crystalline, containing ZnS and T _i 0 ₂ and ITO A method for manufacturing a phase-change optical disk, comprising forming a dielectric protective film of the above material by DC sputtering using a mixed target material. 【請求項７】レーザビーム等の光ビームの照射によっ
て、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化をおこなう相
変化光ディスクを製造する方法において、 ＺｎＳとＴａ_２０_５とＩＴＯを含む混合ターゲット材料
を用い、直流スパッタにより、上記材料の誘電体保護膜
を成膜することを特徴とする相変化光ディスクの製造方
法。By irradiation of 7. The light beam such as a laser beam, a method of manufacturing a phase change optical disc performs the reversible phase change between amorphous and crystalline, containing ZnS and Ta ₂ 0 ₅ and ITO A method for manufacturing a phase-change optical disk, comprising forming a dielectric protective film of the above material by DC sputtering using a mixed target material. 【請求項８】レーザビーム等の光ビームの照射によっ
て、非晶質と結晶との間で可逆的に相変化をおこなう相
変化光ディスクを製造する方法において、 ＺｎＳとＣｅ０_２とＩＴＯを含む混合ターゲット材料を
用い、直流スパッタにより、上記材料の誘電体保護膜を
成膜することを特徴とする相変化光ディスクの製造方
法。By irradiation of 8. The light beam such as a laser beam, a method of manufacturing a phase change optical disc performs the reversible phase change between an amorphous and crystalline mixed target containing ZnS and CeO ₂ and ITO A method for manufacturing a phase change optical disk, comprising forming a dielectric protective film of the above material by DC sputtering using the material. 【請求項９】前記誘電体保護膜は、記録膜との間に、Ｇ
ｅＮからなる結晶化促進層をさらに含むことを特徴とす
る請求項４の相変化光ディスク。9. The recording medium according to claim 1, wherein the dielectric protection film is provided between the dielectric protection film and the recording film.
5. The phase change optical disk according to claim 4, further comprising a crystallization promoting layer made of eN.