JP2002184696A - Method of manufacturing gallium nitride layer - Google Patents
Method of manufacturing gallium nitride layerInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、原料を昇華させて
基板上に窒化ガリウム(GaN)層を成長させる方法に
関する。The present invention relates to a method for growing a gallium nitride (GaN) layer on a substrate by sublimating a raw material.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、GaN系半導体素子は発光素子と
して広く用いられている。GaN結晶を基板上に形成す
る技術としては、MOCVD法の他、アンモニアなどの
原料ガス雰囲気下でGaを含む原料を昇華させ、加熱し
た基板上で昇華した原料と原料ガスとを反応させてGa
Nを成長させる方法が知られている。2. Description of the Related Art In recent years, GaN-based semiconductor devices have been widely used as light emitting devices. As a technique for forming a GaN crystal on a substrate, in addition to the MOCVD method, a source material containing Ga is sublimated in a source gas atmosphere such as ammonia, and the sublimated source material is reacted with the source gas on a heated substrate to obtain a Ga.
Methods for growing N are known.
【0003】図6には、特開2000−233993号
公報に開示されたGaN結晶の製造方法(以下、DSM
(Direct Synthesis Method)
と称する)で用いられる装置構成が示されている。反応
容器1内に基板2及び原料4を対向配置し、原料ガスを
導入して基板2と原料(GaNxHy:x、yは正の実
数)をヒータ7で加熱して原料を昇華させ、原料ガスと
反応させて基板2上にGaN結晶を成長させている。な
お、基板2と原料4との間に障壁5を設け、障壁5の通
気孔により原料ガスの原料4への流入を規制し、原料4
の変質を抑制することができる。DSMは成長速度が早
く、原料4の使用効率も高いので100ミクロン以上の
GaNを安価に製造できる利点がある。FIG. 6 shows a method of manufacturing a GaN crystal disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-233993 (hereinafter referred to as DSM).
(Direct Synthesis Method)
) Is shown. The substrate 2 and the raw material 4 are arranged opposite to each other in the reaction vessel 1, and the raw material gas is introduced, and the substrate 2 and the raw material (GaNxHy: x, y is a positive real number) are heated by the heater 7 to sublime the raw material. And a GaN crystal is grown on the substrate 2. In addition, a barrier 5 is provided between the substrate 2 and the raw material 4, and the flow of the raw material gas into the raw material 4 is regulated by the ventilation hole of the barrier 5, and
Can be suppressed. Since DSM has a high growth rate and a high use efficiency of the raw material 4, there is an advantage that GaN of 100 microns or more can be produced at low cost.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法でサファイア基板2上にGaNを直接成長させる
と、サファイア基板2上にランダムに比較的大きな(1
ミクロン程度)核が発生しこれらが融合して連続膜とな
るため、成長したGaN層の表面に凹凸が発生してしま
う問題がある。これを防止するためには、MOCVD法
等でサファイア基板上に2ミクロン程度のGaNを予め
形成したものを基板2として用いる、あるいはスパッタ
法等でZnO等のバッファ層をサファイア基板上に形成
したものを基板2として用いる等の手法が考えられる。
すなわち、これらの方法では、GaNと濡れ性(格子整
合)の良いMOCVD−GaN(MOCVDで形成され
たGaN)やZnOの表面にDSMでGaNを形成する
ため、平坦性に優れたGaN層を形成することができ
る。However, when GaN is directly grown on the sapphire substrate 2 by the above method, a relatively large (1)
Since nuclei are generated and fused to form a continuous film, there is a problem that irregularities are generated on the surface of the grown GaN layer. In order to prevent this, a substrate in which GaN of about 2 microns is formed in advance on a sapphire substrate by MOCVD or the like is used as the substrate 2, or a buffer layer of ZnO or the like is formed on the sapphire substrate by sputtering or the like. Is used as the substrate 2.
That is, in these methods, since GaN is formed on the surface of MOCVD-GaN (GaN formed by MOCVD) or ZnO having good wettability (lattice matching) with GaN by DSM, a GaN layer having excellent flatness is formed. can do.
【0005】ところが、これらの方法では、DSMの前
にサファイア基板の表面にMOCVD法やスパッタ法を
用いてGaNやZnOを形成する必要があるため、手間
がかかり、結果として製造コストを高くしてしまう問題
がある。また、基板にGaNやZnOを形成する前処理
の段階で基板を汚染してしまうおそれもあり、結晶の品
質を低下させる問題もある。However, in these methods, it is necessary to form GaN or ZnO on the surface of the sapphire substrate by using the MOCVD method or the sputtering method before the DSM. There is a problem. In addition, the substrate may be contaminated at the stage of pretreatment for forming GaN or ZnO on the substrate, and there is a problem that the quality of the crystal is reduced.
【0006】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みなされたものであり、その目的は、基板上に比較的安
価に高品質のGaN層を成長させることができる方法を
提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the related art, and has as its object to provide a method for growing a high-quality GaN layer on a substrate at relatively low cost. .
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、原料を昇華させて原料ガス存在下におい
て加熱基板上にGaN層を成長させる方法であって、前
記基板を900度以下で加熱してGaN層を成長させる
第1ステップと、前記第1ステップ後に前記基板を10
00度以上で加熱してGaN層を成長させる第2ステッ
プとを有することを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a method of sublimating a raw material and growing a GaN layer on a heated substrate in the presence of a raw material gas. A first step of growing a GaN layer by heating below, and after the first step,
A second step of growing the GaN layer by heating at a temperature of not less than 00 degrees.
【0008】一般に、MOCVD法では、サファイア基
板の上にGaNを成長させる際に発生する結晶核は、基
板温度が高いほど密度は低く結晶核は大きくなることが
知られている。これは、サファイアとGaNとの濡れ性
が良くなく、かつサファイア上でGaNの成長種のマイ
グレーション長が温度が高い程長いためである。温度が
高いと成長種は基板表面の広い範囲で動き、安定な点を
見つけてそこで結晶化する。一方、基板温度が低いと成
長種はあまり動くことができないので狭い範囲を動いた
後、そこで結晶化する。その結果、高温成長では大きな
核が少しできるのに対し、低温成長では小さな核が多数
できることになる。そこで、本発明ではこのことに着目
し、原料を昇華させて原料ガスと反応させる昇華法にお
いて基板を900度以下に加熱してGaNを成長させる
ことで、小さな結晶核を多数形成させ、これにより10
00度以上で成長させるGaN層を平坦化させることが
できる。本方法によれば、基板温度を2段階に変化させ
るだけで済むので、基板の前処理が不要となり、製造コ
ストを低下させることができる。また、基板温度を変化
させるだけでよいので、前処理時の汚染の問題もなく、
高品質のGaN層を得ることができる。In general, in MOCVD, it is known that crystal nuclei generated when GaN is grown on a sapphire substrate have a lower density and a larger crystal nucleus as the substrate temperature is higher. This is because the wettability between sapphire and GaN is not good, and the migration length of GaN grown on sapphire is longer as the temperature is higher. At higher temperatures, the grown species move over a large area of the substrate surface, find a stable point and crystallize there. On the other hand, when the substrate temperature is low, the grown species cannot move much, so they move in a narrow range and then crystallize there. As a result, while large nuclei are formed a little in high-temperature growth, many small nuclei are formed in low-temperature growth. In view of this, the present invention focuses on this, and in the sublimation method in which the raw material is sublimated and reacted with the raw material gas, the substrate is heated to 900 ° C. or less to grow GaN, thereby forming many small crystal nuclei. 10
A GaN layer grown above 00 degrees can be planarized. According to the present method, since only the substrate temperature needs to be changed in two stages, the pretreatment of the substrate is not required, and the manufacturing cost can be reduced. Also, since it is only necessary to change the substrate temperature, there is no problem of contamination during pre-processing,
A high quality GaN layer can be obtained.
【0009】ここで、前記第1ステップでは、前記基板
を700度以上、特に740度以上850度以下で加熱
することが好適である。あまり低温とすると、昇華した
原料と原料ガスの反応が進まず、GaN層を形成できな
いからであり、700度以上とすることで、反応を起こ
させてGaNを成長させるとともに、その結晶核の密度
を増大させることができる。Here, in the first step, it is preferable that the substrate is heated at 700 ° C. or more, particularly, 740 ° C. to 850 ° C. If the temperature is too low, the reaction between the sublimated raw material and the raw material gas does not progress, and a GaN layer cannot be formed. By setting the temperature to 700 ° C. or more, the reaction is caused to grow GaN, and the density of the crystal nuclei is increased. Can be increased.
【0010】また、本発明において、前記第2ステップ
では、前記基板を1040度以上で加熱することが好適
である。In the present invention, it is preferable that in the second step, the substrate is heated at 1040 ° C. or more.
【0011】また、本発明において、前記基板はサファ
イア基板とすることができる。In the present invention, the substrate may be a sapphire substrate.
【0012】本発明の製造方法により得られたGaN層
は、短波長LED等の発光素子に適用することができ
る。The GaN layer obtained by the manufacturing method of the present invention can be applied to a light emitting device such as a short wavelength LED.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】本実施形態においては、既述したDSMを
基本とする。装置構成は図6と同様であり、石英の反応
容器1内にカーボン、BNあるいは石英等の密閉容器6
が設けられており、この密閉容器6の中に固体原料4と
してGaNxHy(x、yは正の実数)が配置される。
GaNxHyは、Ga金属をアンモニアガス流通下で高
温(1000度以上)で1時間程度加熱処理することで
得られる。GaNxHyはGaあるいはGaNに比べ
て、水素Hが結合している分だけ蒸発し易く、成長速度
を高めることができる。The present embodiment is based on the DSM described above. The apparatus configuration is the same as that shown in FIG. 6, and a closed vessel 6 made of carbon, BN, quartz, or the like is placed in a quartz reaction vessel 1.
GaNxHy (x and y are positive real numbers) are disposed as the solid raw material 4 in the closed container 6.
GaNxHy can be obtained by subjecting Ga metal to heat treatment at a high temperature (1000 ° C. or higher) for about one hour under a flow of ammonia gas. GaNxHy is more likely to evaporate than Ga or GaN due to the bonding of hydrogen H, and can increase the growth rate.
【0015】一方、密閉容器6の一面にはポーラスカー
ボンやポーラス石英等から構成される障壁5が形成され
ており、この障壁5を挟むように支持台3を介して基板
2が配置されている。ポーラスカーボンやポーラス石英
には、直径が1〜50ミクロン程度の通気孔が多数形成
されており、この通気孔を通ってアンモニア等の原料ガ
スが密閉容器6内に流入するとともに、原料4から昇華
したGaNxHyが通気孔を通って基板2に到達する。
この障壁5の存在により、原料4に流入するアンモニア
等の原料ガスの量が制限され、かつ、原料4であるGa
NxHyの蒸発量も制限される。原料ガスの流入量は、
通気孔の径を制御することで調整できる。On the other hand, a barrier 5 made of porous carbon, porous quartz, or the like is formed on one surface of the sealed container 6, and the substrate 2 is arranged via the support 3 so as to sandwich the barrier 5. . Porous carbon or porous quartz is provided with a large number of vents having a diameter of about 1 to 50 microns. Through the vents, a raw material gas such as ammonia flows into the closed vessel 6 and sublimates from the raw material 4. The GaNxHy reaches the substrate 2 through the air holes.
Due to the presence of the barrier 5, the amount of the raw material gas such as ammonia flowing into the raw material 4 is limited, and Ga as the raw material 4
The amount of evaporation of NxHy is also limited. The inflow of raw material gas is
It can be adjusted by controlling the diameter of the ventilation hole.
【0016】さらに、反応容器1にはヒータ7が形成さ
れており、基板2及び原料4のGaNxHyを加熱する
ことができる。支持台3をサセプタとし、ヒータ7をR
Fコイルとして誘導加熱により基板2及び原料4を加熱
することも可能である。なお、ヒータ7は基板2と原料
4とを個別に加熱できることが好ましい。Further, a heater 7 is formed in the reaction vessel 1, and can heat the substrate 2 and the raw material 4 GaNxHy. The support 3 is used as a susceptor, and the heater 7 is
It is also possible to heat the substrate 2 and the raw material 4 by induction heating as an F coil. Preferably, the heater 7 can individually heat the substrate 2 and the raw material 4.
【0017】このような構成において、従来においては
基板としてMOCVD−GaNやZnOが予め形成され
たサファイア基板を用い、基板2及び原料4を950度
〜1150度に加熱してGaN層を成長させていたが、
本実施形態では基板2としてサファイア基板を用いると
ともに、2段階に分けてGaN層を成長させる。In such a configuration, conventionally, MOCVD-GaN or a sapphire substrate on which ZnO is formed in advance is used as the substrate, and the substrate 2 and the raw material 4 are heated to 950 to 1150 degrees to grow the GaN layer. But
In this embodiment, a sapphire substrate is used as the substrate 2 and a GaN layer is grown in two stages.
【0018】図1には、本実施形態に係る製造方法の処
理フローチャートが示されている。まず、サファイア基
板2及び原料4を所定位置にセットする(S101)。
次に、原料4を加熱して昇華させるとともに、基板2を
900度以下の低温で加熱し、アンモニアガスと反応さ
せてGaN層を成長する(S102)。揮発性の成長種
を金属Gaとアンモニアガスの反応で形成するために
は、ある程度の温度が必要であり、基板2の温度をあま
り低くすると成長が起こらない。従来においては、この
点を考慮して基板2を950度〜1150度で加熱して
成長させていたのであるが、本実施形態では詳細な実験
の結果、成長速度は遅いものの、900度以下の低温で
も成長できることを見出している。そして、後述するよ
うに、GaNを900度以下、例えば800度程度の温
度で成長させることで、1000度以上の高温で成長さ
せた場合に比べて結晶の核を小さく、かつその密度を増
大させることができる。そして、基板2を900度以下
で加熱してGaNを成長させた後、基板2を1000度
以上に加熱し、従来と同様にGaN層を成長させる(S
103)。FIG. 1 shows a processing flowchart of the manufacturing method according to the present embodiment. First, the sapphire substrate 2 and the raw material 4 are set at predetermined positions (S101).
Next, the raw material 4 is heated and sublimated, and the substrate 2 is heated at a low temperature of 900 ° C. or less and reacted with ammonia gas to grow a GaN layer (S102). In order to form volatile growth species by the reaction between metallic Ga and ammonia gas, a certain temperature is required. If the temperature of substrate 2 is too low, growth does not occur. Conventionally, the substrate 2 is grown by heating at 950 to 1150 degrees in consideration of this point. In the present embodiment, as a result of a detailed experiment, the growth rate is low, but the growth rate is 900 degrees or less. They have found that they can grow even at low temperatures. Then, as described later, by growing GaN at a temperature of 900 degrees or less, for example, about 800 degrees, the nucleus of the crystal is reduced and its density is increased as compared with the case of growing at a high temperature of 1000 degrees or more. be able to. Then, after the substrate 2 is heated at 900 ° C. or less to grow GaN, the substrate 2 is heated to 1000 ° C. or more, and a GaN layer is grown as in the related art (S
103).
【0019】図2には、本実施形態の方法により製造さ
れたGaN層が模式的に示されている。サファイア基板
2上に900度以下の低温で成長させた第1層のGaN
層100が例えば100nm以下の厚さで形成され、そ
の上に高温(1000度以上)で成長させた第2層のG
aN層102が例えば50μm形成される。低温で成長
させた第1層のGaN層は小さな結晶核が多数形成され
るためその表面が平坦になる。そして、この平坦なGa
N層100の上に高温のGaN層102を形成すること
で、GaN層102を平坦化させるとともに、高温で形
成する場合の良好な特性も同時に得られることになる。FIG. 2 schematically shows a GaN layer manufactured by the method of the present embodiment. GaN of the first layer grown on the sapphire substrate 2 at a low temperature of 900 degrees or less
The layer 100 is formed to a thickness of, for example, 100 nm or less, and the second layer G, which is grown thereon at a high temperature (1000 °
The aN layer 102 is formed, for example, to have a thickness of 50 μm. The surface of the first GaN layer grown at a low temperature is flat because many small crystal nuclei are formed. And this flat Ga
By forming the high-temperature GaN layer 102 on the N layer 100, the GaN layer 102 can be flattened, and good characteristics when formed at a high temperature can be obtained at the same time.
【0020】表1には、第1層の成長温度をそれぞれ7
00度、750度、850度とし、1時間GaN層10
0を成長させた試料の特性を評価した結果が示されてい
る。Table 1 shows that the growth temperature of the first layer was 7
00 degree, 750 degree, 850 degree, GaN layer 10 for 1 hour
The results of evaluating the characteristics of the sample grown with 0 are shown.
【0021】[0021]
【表1】 [Table 1]
【0022】表1において、第1層の成長温度が700
度の場合には、針状の結晶が観測される。第1層の成長
温度が750度及び850度の場合には、結晶核の発生
が観測され、結晶核の密度は750度の方が大きい。こ
のことより、GaNの連続膜を得るためには750度が
好ましいことが分かる。In Table 1, the growth temperature of the first layer is 700
In the case of degrees, needle-like crystals are observed. When the growth temperature of the first layer is 750 degrees and 850 degrees, generation of crystal nuclei is observed, and the density of the crystal nuclei is higher at 750 degrees. This indicates that 750 degrees is preferable for obtaining a continuous GaN film.
【0023】なお、参考までに、第1層の成長温度を7
00度、750度、850度として1時間GaNを成長
させた場合のAFM(原子間力顕微鏡)写真を図3〜図
5に示す。図3は700度、図4は750度、図5は8
50度の場合である。For reference, the growth temperature of the first layer is 7
FIGS. 3 to 5 show AFM (atomic force microscope) photographs when GaN is grown at 00 degrees, 750 degrees, and 850 degrees for one hour. 3 is 700 degrees, FIG. 4 is 750 degrees, and FIG.
This is the case of 50 degrees.
【0024】そして、第1層の上に第2層を成長温度1
050度で30分間形成した場合、表に示されるように
第1層を750度で成長させた場合には第2層の表面は
鏡面が得られ、850度の場合にも同様に鏡面が得られ
たが表面の荒れは750度の場合よりも劣化している。
さらに、第1層を700度で成長させた場合には第2層
の表面は第1層を形成せずに直接サファイア基板上に形
成した場合と同程度の荒れが生じている。なお、表には
示されていないが、本願出願人は、第1層の成長温度を
900度として第2層を形成した場合に、その表面の荒
れが850度の場合よりもさらに劣化していることを確
認している。Then, a second layer is formed on the first layer at a growth temperature of 1.
When formed at 050 degrees for 30 minutes, as shown in the table, when the first layer is grown at 750 degrees, the surface of the second layer has a mirror surface, and at 850 degrees, a mirror surface is similarly obtained. However, the surface roughness is worse than that at 750 degrees.
Furthermore, when the first layer is grown at 700 degrees, the surface of the second layer is as rough as when formed directly on the sapphire substrate without forming the first layer. Although not shown in the table, the applicant of the present application has found that when the growth temperature of the first layer is 900 ° C. and the second layer is formed, the surface roughness is further deteriorated as compared with the case where the surface roughness is 850 ° C. Make sure you have
【0025】第1層の成長温度はあまり低温にするとG
aNが成長しないので、その下限としては700度程度
である。また、あまり高温にすると結晶核が大きくなっ
て密度が低下する。このことから、第1層の成長温度
(基板の加熱温度)としては、700度以上900度以
下、好ましくは740度以上850度以下、さらに好ま
しくは750度近傍であり、第2層の成長温度としては
1000度以上、好ましくは1040度以上であること
が分かる。If the growth temperature of the first layer is too low, G
Since aN does not grow, its lower limit is about 700 degrees. On the other hand, if the temperature is too high, the crystal nuclei increase and the density decreases. From this, the growth temperature of the first layer (the heating temperature of the substrate) is 700 to 900 degrees, preferably 740 to 850 degrees, and more preferably around 750 degrees. Is 1000 ° or more, preferably 1040 ° or more.
【0026】このように、本実施形態では、DSMによ
りGaN層を成長させる前にMOCVD法やスパッタ法
等を用いて基板を前処理する必要が無く、DSMで成長
温度を2段階に変化させるのみで平坦なGaN層を得る
ことができるので、製造コストを増加させることなく、
また基板を汚染することなく、安価で高品質の厚膜Ga
N結晶を得ることができる。As described above, in the present embodiment, it is not necessary to pretreat the substrate by MOCVD or sputtering before growing the GaN layer by DSM, but only by changing the growth temperature in two steps by DSM. And a flat GaN layer can be obtained without increasing the manufacturing cost.
In addition, a low-cost, high-quality thick film Ga can be used without contaminating the substrate.
N crystals can be obtained.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低廉な製造コストで高品質のGaN層を得ることがで
き、発光素子に適用することで低価格かつ高品質の発光
素子を得ることができる。As described above, according to the present invention,
A high-quality GaN layer can be obtained at low manufacturing cost, and a low-cost and high-quality light-emitting element can be obtained by applying to a light-emitting element.
【図1】 実施形態の製造方法フローチャートである。FIG. 1 is a flowchart of a manufacturing method according to an embodiment.
【図2】 実施形態の方法により製造されるGaN層の
説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a GaN layer manufactured by the method of the embodiment.
【図3】 第1層の成長温度が700度の場合の図面代
用顕微鏡写真である。FIG. 3 is a micrograph as a substitute for a drawing when the growth temperature of the first layer is 700 ° C.
【図4】 第1層の成長温度が750度の場合の図面代
用顕微鏡写真である。FIG. 4 is a micrograph as a substitute for a drawing when the growth temperature of the first layer is 750 ° C.
【図5】 第1層の成長温度が850度の場合の図面代
用顕微鏡写真である。FIG. 5 is a micrograph as a substitute for a drawing when the growth temperature of the first layer is 850 ° C.
【図6】 製造装置の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a manufacturing apparatus.
2 サファイア基板、100 第1層GaN層、102
第2層GaN層。2 Sapphire substrate, 100 First layer GaN layer, 102
Second GaN layer.
フロントページの続き Fターム(参考) 4K030 AA13 BA38 BB13 CA05 EA01 FA10 JA10 LA14 5F041 AA40 CA40 CA46 CA64 5F045 AA03 AC12 AD04 AD05 AD06 AD07 AD08 AD09 AD10 AD11 AD12 AD13 AD14 AD15 AD16 AD17 AD18 BB08 CA09 5F052 AA11 CA02 DA04 DB06 GA02 JA07 KA01 5F073 CA07 DA04 DA35 Continued on the front page F-term (reference) 4K030 AA13 BA38 BB13 CA05 EA01 FA10 JA10 LA14 5F041 AA40 CA40 CA46 CA64 5F045 AA03 AC12 AD04 AD05 AD06 AD07 AD08 AD09 AD10 AD11 AD12 AD13 AD14 AD15 AD16 AD17 AD18 BB08 CA09 5F0207 AA KA01 5F073 CA07 DA04 DA35
Claims (5)
て加熱基板上に窒化ガリウム層を成長させる方法であっ
て、 前記基板を900度以下で加熱して窒化ガリウム層を成
長させる第1ステップと、 前記第1ステップ後に前記基板を1000度以上で加熱
して窒化ガリウム層を成長させる第2ステップと、 を有することを特徴とする窒化ガリウム層の製造方法。1. A method for growing a gallium nitride layer on a heated substrate in the presence of a raw material gas by sublimating a raw material, the method comprising: heating the substrate at 900 ° C. or less to grow the gallium nitride layer; A second step of growing the gallium nitride layer by heating the substrate at 1000 ° C. or higher after the first step.
することを特徴とする窒化ガリウム層の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein, in the first step, the substrate is heated at 700 ° C. or higher.
度以下で加熱することを特徴とする窒化ガリウム層の製
造方法。3. The method according to claim 2, wherein, in the first step, the substrate is tilted by 740 degrees to 850 degrees.
A method for producing a gallium nitride layer, characterized in that the gallium nitride layer is heated at a temperature equal to or lower than the temperature.
おいて、 前記第2ステップでは、前記基板を1040度以上で加
熱することを特徴とする窒化ガリウム層の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein in the second step, the substrate is heated at 1040 ° C. or more.
おいて、 前記基板はサファイア基板であることを特徴とする窒化
ガリウム層の製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the substrate is a sapphire substrate.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261191A (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
US7176663B2 (en) | 2002-08-22 | 2007-02-13 | Fujitsu Limited | Control circuit for DC/DC converter |
JP2011140425A (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method for producing thin sheet glass strip and organic electroluminescent element |
-
2000
- 2000-12-13 JP JP2000404170A patent/JP2002184696A/en active Pending
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