JP2002176062A

JP2002176062A - 表示装置用の基板の製造方法

Info

Publication number: JP2002176062A
Application number: JP2001263785A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Kawasaki; 清弘川崎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-02-04
Filing date: 2001-08-31
Publication date: 2002-06-21

Abstract

(57)【要約】【課題】チャネルエッチ型ＴＦＴの５枚マスクプロセ
スでは開口部形成時にドレイン電極上で過食刻が発生す
る。またパシベーション絶縁層の形成でトランジスタ特
性が劣化し易い。加えて製造工程が長くプロセスコスト
が下がらない。【解決手段】ソース配線とドレイン配線を陽極酸化可
能な耐熱金属とアルミニウム合金の積層とし、その表面
を陽極酸化するとともに、不純物を含む非晶質シリコン
層も光マスクを利用して酸化シリコン層に変換すること
でパシベーション絶縁層を不要とする。また露出した走
査線上に新たに絶縁層を形成することで半導体層の島化
工程と絶縁層への開口部形成工程を合理化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を使用した画
像を表示する装置、とりわけアクティブ型の液晶（画
像）表示装置用の基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の微細加工技術、液晶材料技術およ
び高密度実装技術等の進歩により、５〜５０ｃｍ対角の
液晶パネルでテレビジョン受像機や各種の画像表示機器
が商用ベースで大量に提供されている。また、液晶パネ
ルを構成する２枚のガラス基板の一方に赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層を形成しておくことによりカ
ラー表示も容易に実現している。特にスイッチング素子
を画素毎に内蔵させた、いわゆるアクティブ型の液晶パ
ネルではクロストークも少なくかつ高速応答で高いコン
トラスト比を有する画像が保証されている。

【０００３】これらの画像表示装置（液晶パネル）は走
査線としては２００〜１２００本、信号線としては２０
０〜１６００本程度のマトリクス編成が一般的である
が、最近は表示容量の増大に対応すべく大画面化と高精
細化とが同時に進行している。

【０００４】図１に、液晶パネルへの実装状態を示す。
本図では、液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基
板、例えばガラス基板２上に形成された走査線の電極端
子群６に駆動信号を供給する半導体集積回路チップ３を
導電性の接着剤を用いて接続するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ−Ｏ
ｎ−Ｇｌａｓｓ）方式や、例えばポリイミド系樹脂薄膜
をベースとし、金または半田メッキされた銅箔の端子
（図示せず）を有するＴＣＰフィルム４を信号線の電極
端子群５に導電性媒体を含む適当な接着剤で圧接して固
定するＴＣＰ（Ｔａｐｅ−Ｃａｒｒｉｅｒ−Ｐａｃｋａ
ｇｅ）方式などの実装手段によって電気信号が画像表示
部に供給される。ここでは便宜上二つの実装方式を同時
に図示しているが実際には何れかの方式が適宜選択され
る。

【０００５】７、８は液晶パネル１のほぼ中央部に位置
する画像表示部と信号線および走査線の電極端子５、６
との間を接続する配線路であり、これらは必ずしも電極
端子５、６と同一の導電材で構成される必要はない。９
は全ての液晶セルに共通する透明導電性の対向電極を対
向面上に有するもう１枚の透明性絶縁基板である対向ガ
ラス基板またはカラーフィルタ（カラーフィルタの付さ
れた基板）である。

【０００６】図２は、スイッチング素子として絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０を画素毎に配置したアクティブ型
液晶パネルの等価回路図を示す。本図において１１（図
１では８）は走査線であり、１２（図１では７）は信号
線であり、１３は液晶セルであり、この液晶セルは電気
的には容量素子として扱われる。実線で描かれた素子類
は液晶パネルを構成する一方のガラス基板２上に形成さ
れ、点線で描かれた全ての液晶セル１３に共通な対向電
極１４はもう一方のガラス基板９上に形成されている。
絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯＦＦ抵抗あるいは液
晶セル１３の抵抗が低い場合や表示画像の階調性を重視
する場合には、負荷としての液晶セル１３の時定数を大
きくするための補助の蓄積容量１５を液晶セル１３に並
列に加える等の回路的工夫が加味される。なお１６は蓄
積容量１５の共通母線である蓄積容量線である。

【０００７】図３は、液晶パネルの画像表示部の要部の
断面図を示す。液晶パネル１を構成する２枚のガラス基
板２、９は、樹脂性のファイバやビーズ等のスペーサ材
（図示せず）によって数μｍ程度の所定の距離を隔てて
形成され、その間隙（ギャップ）はガラス基板９の周縁
部において有機性樹脂よりなるシール材と封口材（何れ
も図示せず）とで封止された閉空間になっており、この
閉空間に液晶１７が充填されている。

【０００８】カラー表示をする場合には、ガラス基板９
の閉空間側に着色層（カラーフィルタ）１８と称する染
料または顔料のいずれか一方もしくは両方を含む厚さ１
〜２μｍ程度の有機薄膜が被着されて色表示機能が与え
られるので、その場合にはガラス基板９は別名カラーフ
ィルタ（ＣｏｌｏｒＦｉｌｔｅｒ、ＣＦとも略記され
る）と呼称される。そして液晶材料１７の性質によって
はガラス基板９の上面またはガラス基板２の下面の何れ
かもしくは両面上に偏光板１９が貼付され、液晶パネル
１は各画素毎に電気光学素子として機能する。現在、市
販されている大部分の液晶パネルでは液晶材料にＴＮ
（ツイスト・ネマチック）系の物を用いており、偏光板
１９は通常２枚必要である。更に図示はしないが、本図
に示す様な透過型液晶パネルでは光源として裏面光源が
配置され、下方より白色光が照射される。

【０００９】本図において、液晶１７に接して２枚のガ
ラス基板２，９上に形成された例えば厚さ０．１μm 程
度のポリイミド系樹脂薄膜２０は液晶分子を決められた
方向に配向させるための配向膜である。２１は絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０のドレインと透明導電性の画素電
極２２とを接続するドレイン電極（配線）であり、信号
線（ソース線）１２と同時に形成されることが多い。信
号線１２とドレイン電極２１との間に位置するのは半導
体層２３であり詳細は後述する。カラーフィルタ９上で
隣り合った着色層１８の境界に形成された厚さ０．１μ
m 程度のＣｒ薄膜層２４は半導体層２３と走査線１１及
び信号線１２に外部光が入射するのを防止するための光
遮蔽で、いわゆるブラックマトリクス（ＢｌａｃｋＭ
ａｔｒｉｘ、ＢＭとも略記される）として定着化した技
術である。

【００１０】ここで、通常は画素部のスイッチング素子
として絶縁ゲート型トランジスタが採用されるが，この
構造と製造方法に関して説明する。絶縁ゲート型トラン
ジスタには２種類のものが現在多用されており、そのう
ちの一つを従来例（エッチ・ストップ型と呼称される）
として紹介する。図４は従来の液晶パネルを構成するア
クティブ基板（表示装置用の基板）の単位画素の平面図
である。本図のＡ−Ａ’部断面の構造の進展に伴う変化
を図５に示す。以下、本図５を中心にその製造工程を簡
単に説明する。なお、走査線１１に形成された突起部５
０と画素電極２２とがゲート絶縁層を介して重なってい
る領域５１（右下がり斜線部）が図２の蓄積容量１５を
形成しているが、ここではその詳細な説明は省略する。

【００１１】先ず、図５（ａ）に示したように耐熱性と
耐薬品性と透明性が高い絶縁性基板として厚さ０．５〜
１．１ｍｍ程度のガラス基板２、例えばコーニング社製
の商品名１７３７の一主面上にＳＰＴ（スパッタ）等の
真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第
１の金属層として、例えばＣｒ、Ｔａ（タンタル）、Ｍ
ｏ（モリブデン）等あるいはそれらの合金やシリサイド
（硅素化合物）を被着して微細加工技術により走査線も
兼ねるゲート電極１１を選択的に形成する。走査線の材
質は耐熱性と耐薬品性と耐弗酸性と導電性とを総合的に
勘案して選択すると良い。

【００１２】液晶パネルの大画面化に対応して走査線の
抵抗値を下げるためには走査線の材料としてＡＬ（アル
ミニウム）が用いられるが、ＡＬは単体では耐熱性が低
いので上記した耐熱金属であるＣｒ、Ｔａ、Ｍｏまたは
それらのシリサイドと積層化したり、あるいはＡＬの表
面に陽極酸化で酸化層（ＡＬ₂Ｏ₃）を付加することも
現在では一般的な技術である。すなわち、走査線１１は
１層以上の金属層で構成される。

【００１３】次に、図５（ｂ）（なお、これ以降自明な
場合には、「図５」等の記載は略する）に示したように
ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイデ
ィ）装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮ_X層
（シリコン窒化層）３０、不純物をほとんど含まず絶縁
ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シ
リコン（ａ−Ｓｉ）層３６、及びチャネルを保護する絶
縁層となる第２のＳｉＮ_X層３２と３種類の薄膜層を、
例えば０．３、０．０５、０．１μｍ程度の膜厚で順次
被着する。

【００１４】なお、ノウハウ的な技術としてゲート絶縁
層３０の形成に当り他の種類の絶縁層（例えばＴａＯ_X
やＳｉＯ₂等、若しくは先述したＡＬ₂Ｏ₃）と積層し
たり、あるいはＳｉＮ_X層を２回に分けて製膜し途中で
洗浄工程を付与する等の歩留向上対策が行われることも
多く、ゲート絶縁層は１種類あるいは単層とは限らな
い。

【００１５】続いて微細加工技術によりゲート１１電極
上の第２のＳｉＮ_X層をゲート電極１１よりも幅細く選
択的に残して３２’として第１の非晶質シリコン層３１
を露出し、同じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に不純物と
して例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例え
ば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、（ｃ）に示し
たようにゲート電極１１の近傍上にのみ第１の非晶質シ
リコン層３１と第２の非晶質シリコン層３３とを島状３
１’、３３’に残してゲート絶縁層３０を露出する。

【００１６】引き続き、（ｄ）に示したようにＳＰＴ等
の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の
透明導電層として例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、微細加工技術により画素電極
２２をゲート絶縁層３０上に選択的に（必要な領域のみ
に）形成する。

【００１７】さらに（ｅ）に示したように走査線１１へ
の電気的接続に必要な画像表示部の周辺部での走査線１
１上のゲート絶縁層３０への選択的開口部６３形成を行
った後、（ｆ）に示したようにＳＰＴ等の真空製膜装置
を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として、例え
ばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の耐熱金属薄膜層３４を、低抵抗
配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５を順
次被着し微細加工技術により耐熱金属層３４’と低抵抗
配線層３５’との積層よりなり画素電極２２を含んで絶
縁ゲート型トランジスタのドレイン配線２１と信号線も
兼ねるソース配線１２とを選択的に形成する。

【００１８】この選択的パターン形成に用いられる感光
性樹脂パターンをマスクとしてソース・ドレイン配線１
２，２１間の第２の非晶質シリコン層３３’を除去して
第２のＳｉＮ_X層３２’を露出するとともに、その他の
領域では第１の非晶質シリコン層３1 ’をも除去してゲ
ート絶縁層３０を露出する。この工程はチャネルの保護
層である第２のＳｉＮ_X層３２’が存在するために第２
の非晶質シリコン層３３’の食刻（エッチング）が自動
的に終了することからエッチ・ストップと呼称される所
以である。

【００１９】絶縁ゲート型トランジスタがオフセット構
造とならぬようソース・ドレイン電極１２，２１はゲー
ト電極１１と一部平面的に重なって（約５〜６μｍ）形
成される。この重なりは寄生容量として電気的に作用す
るので小さいほど良いが、露光機の合わせ精度とマスク
の精度とガラス基板の膨張係数及び露光時のガラス基板
温度で決定され、実用的な数値は精々２μｍ程度であ
る。なお、画像表示部の周辺部で走査線１１上の開口部
６３を含んで信号線１２と同時に走査線側の電極端子
６、または走査線１１と走査線側の電極端子６とを接続
する配線路８を形成することも一般的なパターン設計で
ある。

【００２０】最後に、ガラス基板２の全面に透明性の絶
縁層として、ゲート絶縁層３０と同様にＰＣＶＤ装置を
用いて０．３〜０．７μｍ程度の膜厚のＳｉＮ_X層を被
着してパシベーション絶縁層３７とし、（ｇ）に示した
ように画素電極２２上に開口部３８を形成して画素電極
２２の大部分を露出してアクティブ基板の製造工程が終
了する。この時、走査線の電極端子６上と信号線の電極
端子５（図１）上にも開口部を形成して大部分の電極端
子も露出する。

【００２１】信号線１２の配線抵抗が問題とならない場
合にはＡＬよりなる低抵抗配線層３５は必ずしも必要で
はなく、その場合にはＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の耐熱金属材
料を選択すればソース・ドレイン配線１２，２１を単層
化することが可能である。なお、絶縁ゲート型トランジ
スタの耐熱性については先行例である特開平７−７４３
６８号公報に詳細が記載されている。

【００２２】画素電極２２上のパシベーション絶縁層３
７を除去する理由は、一つには液晶セルに印可される実
効電圧の低下を防止するためと、もう一つはパシベーシ
ョン絶縁層３７の膜質が一般的に劣悪で、パシベーショ
ン絶縁層３７内に電荷が蓄積されて表示画像の焼き付け
を生じることを回避するためである。これは絶縁ゲート
型トランジスタの耐熱性が余り高くないため、パシベー
ション絶縁層３７の製膜温度がゲート絶縁層３０と比較
して数１０℃以上低く２５０℃以下の低温製膜にならざ
るを得ないからである。

【００２３】以上述べたアクティブ基板の製造工程は写
真食刻（フォトソグラフィ）工程が７回必要で、７枚マ
スク工程と称されるほぼ標準的な製造方法である。液晶
パネルの低価格化を実現し、さらなる需要の増大に対応
していくためにも製造工程数の削減は液晶パネルメーカ
にとっては重要な命題であり、このためにチャネルエッ
チ型のトランジスタを使用する合理化された通称５枚マ
スク工程が最近は定着してきた。

【００２４】図６は５枚マスクに対応したアクティブ基
板の単位画素の平面図である。本図のＡ−Ａ’線上の断
面の製造工程に伴う変化の様子を図７に示す。以下、そ
の製造工程を、簡単に説明する。なお、蓄積容量線１６
とドレイン配線２１とがゲート絶縁層を介して重なって
いる領域５２（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を形成
しているが、ここではその詳細な説明は省略する。

【００２５】先ず、従来例と同様に図７（ａ）に示した
ようにガラス基板２の一主面上に、ＳＰＴ等の真空製膜
装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の耐熱金属層
を被着し、微細加工技術により走査線も兼ねるゲート電
極１１と蓄積容量線１６とを選択的に形成する。

【００２６】次に、（ｂ）に示したようにガラス基板２
の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となるＳｉ
Ｎ_X層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トラ
ンジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３
１、及び不純物を含み絶縁ゲート型トランジスタのソー
ス・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種
類の薄膜層を、例えば０．３、０．２、０．０５μｍ程
度の膜厚で順次被着する。

【００２７】そして、（ｃ）に示したようにゲート電極
１１上に第１と第２の非晶質シリコン層よりなる半導体
層を島状３１’、３３’に残してゲート絶縁層３０を露
出する。

【００２８】引き続き、（ｄ）に示したようにＳＰＴ等
の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属
層として例えばＴｉ薄膜層３４を、低抵抗配線層として
膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５を、膜厚０．１μ
ｍ程度の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６を順次
被着し、微細加工技術により絶縁ゲート型トランジスタ
のドレイン配線２１と信号線も兼ねるソース配線１２と
を選択的に形成する。この選択的パターン形成は、ソー
ス・ドレイン配線の形成に用いられる感光性樹脂パター
ンをマスクとしてＴｉ薄膜層３６、ＡＬ薄膜層３５、Ｔ
ｉ薄膜層３４、第２の非晶質シリコン層３３’及び第１
の非晶質シリコン層３１’を順次食刻する。この際、図
５（ｅ）と異なり、第１の非晶質シリコン層３１’は
０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することによりな
されるので、チャネル・エッチと呼称される。

【００２９】ソース・ドレイン配線１２，２１が３層と
複雑になる理由は、透明導電層であるＩＴＯと低抵抗配
線層としてのＡＬ薄膜層３５とが直接、接しているとア
ルカリ系の現像液やレジスト剥離液で電食反応が生じて
これらの電極が消失するのを防止するために中間導電層
としてのＴｉ薄膜層３６を介在させるためである。

【００３０】更に、上記感光性樹脂パターンを除去した
後、図７（ｅ）に示したようにガラス基板２の全面に透
明性の絶縁層として、ゲート絶縁層と同様にＰＣＶＤ装
置を用いて０．３μｍ程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着し
てパシベーション絶縁層３７とし、ドレイン電極２１上
に開口部６２と走査線１１の電極端子６が形成される位
置上に開口部６３を形成して走査線１１の一部分を露出
する。図示はしないが信号線の電極端子５が形成される
位置上にも開口部を形成して信号線１２の一部分を露出
する。

【００３１】最後に、（ｆ）に示したようにＳＰＴ等の
真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透
明導電層として例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−
Ｏｘｉｄｅ）を被着し、微細加工技術により開口部６２
内のドレイン配線２１を含んでパシベーション絶縁層３
７上に画素電極２２を選択的に形成してアクティブ基板
２として完成する。開口部６３内の露出している走査線
１１の一部を電極端子６としても良く、図示したように
開口部６３を含んでパシベーション絶縁層３７上にＩＴ
Ｏよりなる電極端子６’を選択的に形成しても良い。

【００３２】このように５枚マスク工程は、コンタクト
形成工程と半導体層の島化工程が合理化されることで２
回の写真食刻工程を削除することができている。また、
画素電極２２がアクティブ基板２の最上層に位置するた
め、パシベーション絶縁層３７に加えて透明性の樹脂薄
膜を用いて例えば１．５μｍ以上に厚く形成しておけ
ば、画素電極２２が走査線１１や信号線１２と重なり合
っても静電容量による干渉が小さく、画質の劣化が避け
られるので画素電極２２を大きく形成できて開口率が向
上する等の利点も多い。

【００３３】

【発明が解決しようとする課題】以上の説明で判る様
に、５枚マスク工程においては、ドレイン配線と走査線
へのコンタクト形成工程が同時になされるため、それら
に対応した開口部６２，６３内の絶縁層の厚さと種類が
異ならざるを得ない。既に述べたようにパシベーション
絶縁層３７はゲート絶縁層３０に比べると膜質が劣悪で
弗酸系のエッチング液による食刻では食刻速度が夫々数
１０００Å／分、数１００Å／分と１桁も異なり、ドレ
イン配線２１上の開口部６２の断面形状は上部に余りに
も過食刻が生じて穴径が制御できないので、弗素系のガ
スを用いたドライエッチを採用せざるを得ない。

【００３４】しかしながら、ドライエッチを採用しても
ドレイン配線２１上の開口部６２はパシベーション絶縁
層３７のみであるので、走査線１１上の開口部６３と比
較して過食刻になるのは避けられず、中間導電層３６’
が食刻ガスによって膜減りする。

【００３５】また、食刻終了後の感光性樹脂パターンの
除去に当たり、まずは弗素化された表面のポリマー除去
のために酸素プラズマ灰化で感光性樹脂パターンの表面
を０．１〜０．３μｍ程削り、その後に有機剥離液、例
えば東京応化製の剥離液１０６等を用いた薬液処理がな
されるのが一般的であるが、中間導電層３６’が膜減り
して下地のアルミニウム層３５’が露出した状態になっ
ていると、酸素プラズマ灰化処理でアルミニウム３５’
の表面に絶縁体であるＡＬ₂Ｏ₃が形成されて、画素電
極２２との間で電圧と電流間に線型性の成立するオーミ
ック接触が得られなくなる。そこで中間導電層３６’が
膜減りしてもいいように、当初から膜厚を例えば０．２
μｍと厚く設定することでこの問題から逃れようとして
いる。

【００３６】しかしながら、これら薄膜の基板内の面内
均一性が良好でないとこの取組みも必ずしも有効に作用
するわけではなく、また食刻速度の面内均一性が良好で
ない場合にも全く同様である。開口部６２，６３内に露
出する走査線１１とドレイン配線２３の表面は、いずれ
にせよ食刻ガスによる膜減りと酸素ガスプラズマによる
酸化の問題から逃れることは困難である。

【００３７】また、ソース配線とドレイン配線のパシベ
ーションのためにパシベーション絶縁層が合理化された
５枚マスクプロセスでも採用されているが、絶縁ゲート
型トランジスタの耐熱性との関係でパシベーション絶縁
層３７の製膜温度がゲート絶縁層３０と比較して数１０
℃以上低く、２５０℃以下の低温製膜でもなにがしかの
影響を受けることは避けられず、特にＯＮ電流が１０〜
３０％程度低下することは避けられない。絶縁ゲート型
トランジスタの電流駆動能力の低下は、大画面・高精細
の液晶パネルを得るためには配線抵抗の増大とともに大
きな障害となってくる。

【００３８】加えてチャネル・エッチ型の絶縁ゲート型
トランジスタではチャネル領域の不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層はどうしても厚めに（チャネル・エ
ッチ型では通常０．２μｍ）被着しておかないと、ガラ
ス基板の面内均一性に大きく影響されてトランジスタ特
性が不揃いになりがちである。このことはＰＣＶＤの稼
働率とパーティクル発生状況と大きな相関があり、生産
コストの観点からも非常に重要な事項である。

【００３９】このため、コンタクト形成時の不具合を回
避し、かつ絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性の低さを
補うパシベーション層の形成技術が望まれていた。

【００４０】また、液晶パネルの低価格化を実現し、需
要の増大に対応していくためにも製造工程数の更なる削
減が望まれていた。

【００４１】

【課題を解決するための手段】本発明においては、絶縁
ゲート型トランジスタにチャネル保護層を付与するため
に先行技術である特開平４−３０２４３８号公報に開示
されている不純物を含む半導体層を陽極酸化により酸化
シリコン層に変換する技術と、ソース配線とドレイン配
線のみを有効にパシベーションするために先行技術であ
る特開平２−２１６１２９号公報に開示されているアル
ミニウムよりなるソース配線とドレイン配線の表面に絶
縁層を形成する陽極酸化技術に、更に画素電極とソース
配線とドレイン配線との接続に工夫を凝らした技術とを
融合させてプロセスの合理化と低温化を実現せんとする
ものである。

【００４２】また、半導体層の島化工程とゲート絶縁層
への開口部形成工程とを合理化したものである。

【００４３】更に、先行技術である特願平５−２６８７
２６号公報に開示されている画素電極の形成工程を合理
化したものを採用している。

【００４４】先ず、第１の発明は、表示装置（特に液晶
を使用した表示装置）用の基板の製造方法から見たもの
であって、絶縁基板上の１主面上（表示部の形成される
部分上）に１層以上の金属層よりなり絶縁ゲート型トラ
ンジスタのゲート電極も兼ねる走査線を形成するステッ
プと、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層との合計３種の物質層を順次被着（形成）するステ
ップと、少なくともスイッチング素子としてのトランジ
スタ形成領域に第２と第１の非晶質シリコン層とゲート
絶縁層とを選択的に残して（他の部分のは除去して）、
当該部の絶縁基板を露出するステップと、少なくとも画
像表示部内の露出している走査線とゲート電極上（上と
あるも、壁側面をも含む）に絶縁層を形成するステップ
と、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート
電極と一部重なるように第２の非晶質シリコン層を含ん
で絶縁基板上にソース配線（信号線）とドレイン配線を
形成するステップと、ドレイン配線を含んで絶縁基板上
に透明導電性の画素電極を形成するステップと、画素電
極の（材料の）選択的パターン形成（必要な部分のみを
残すこと）に用いられた感光性樹脂パターンをマスクと
して画素電極を保護しつつ光を照射しながらソース配線
とドレイン配線、及びソース配線とドレイン配線間の第
２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層の一部
（理論上は、こちらは陽極酸化しなくても良いが、現実
の問題として一部）とを陽極酸化するステップとを有す
ることを特徴とする。

【００４５】この構成により、必要なパターン｛スクリ
ーン（マスク）｝は、ゲート電極（ＧＥ）用、アモルフ
ァスシリコン用（ＡＳ）、ソース電極とドレイン電極用
（ＳＤ）及びＩＴＯ用のパターンの４種で済む。また、
半導体層の島化工程とゲート絶縁層への開口部形成工程
とが合理化され（同一のフォトマスクを使用可能とな
り）、４枚のフォトマスクでデバイス作製が可能とな
る。またソース配線（トランジスタからみればソース電
極）とドレイン配線（同じくドレイン電極）間のチャネ
ル上には不純物を含む酸化シリコン層が形成されてチャ
ネルを保護するとともに、ソース配線（信号線）の表面
は陽極酸化可能な金属層の陽極酸化層が形成されて絶縁
化され、ドレイン配線の表面も透明導電層で覆われた領
域を除いて同じく陽極酸化可能な金属層の陽極酸化層が
形成されて絶縁化され、パシベーション機能が付与され
る。

【００４６】また第２の発明も、表示用装置用の基板の
を製造方法であって、絶縁基板上の主面上に１層以上の
金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極
も兼ねる走査線と接続層とを形成するステップと、１層
以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シ
リコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層とを順
次被着するステップと、少なくともトランジスタ形成領
域に第２と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを
選択的に残して絶縁基板を露出するステップと、少なく
とも画像表示部内の露出している走査線とゲート電極上
に絶縁層を形成するステップと、１層以上の陽極酸化可
能な金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるように第
２の非晶質シリコン層を含んで絶縁基板上にソース配線
（信号線）と接続層の一部を含んでドレイン配線とを形
成するステップと、前記接続層の一部を含んで絶縁基板
上に透明導電性の画素電極を形成するステップと、前記
画素電極の選択的パターン形成に用いられた感光性樹脂
パターンをマスクとして画素電極を保護しつつ光を照射
しながらソース配線とドレイン配線、及びソース配線と
ドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶
質シリコン層の一部とを陽極酸化するステップとを有す
ることを特徴とする。

【００４７】この構成により、必要なマスクパターン
は、ゲート電極用を小変更したもの（ＧＥ’）とＡＳと
ＳＤとＩＴＯ用パターンの４種となる。先に記載の製造
方法と同様の効果が得られる。さらに信号線の構成が若
干ではあるが簡素化され、２層で良いこととなる。

【００４８】また第３の発明も、表示装置用の基板の製
造方法であって、絶縁基板上の主面上に１層以上の金属
層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
ねる走査線を形成するステップと、１層以上のゲート絶
縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と不純
物を含む第２の非晶質シリコン層とを順次被着するステ
ップと、少なくともトランジスタ形成領域に第２と第１
の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを選択的に残して
絶縁基板を露出するステップと、少なくとも画像表示部
内の露出している走査線とゲート電極上に絶縁層を形成
するステップと、絶縁基板上に透明導電性の画素電極を
形成するステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層
を被着後、ゲート電極と一部重なるように第２の非晶質
シリコン層を含んで絶縁基板上にソース配線（信号線）
と画素電極の一部を含んでドレイン配線とを形成するス
テップと、光を照射しながらソース配線とドレイン配
線、及びソース配線とドレイン配線間の第２の非晶質シ
リコン層と第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化
するステップとを有することを特徴とする。

【００４９】この構成により、必要なマスクパターン
は、ＧＥ、ＡＳ、ＩＴＯ、ＳＤ（用）の４種となり、先
に記載の表示装置用の基板の製造方法と同様の効果が得
られる。

【００５０】また第４の発明も表示装置用の基板の製造
方法であって、絶縁基板上の１主面上に１層以上の金属
層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
ねる走査線を形成するステップと、１層以上のゲート絶
縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と不純
物を含む第２の非晶質シリコン層とを順次被着するステ
ップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲ
ート電極と一部重なるように第２の非晶質シリコン層上
にソース配線（信号線）とドレイン配線を形成するステ
ップと、ソース配線とドレイン配線下とトランジスタ形
成領域に第２と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層
とを選択的に残して絶縁基板を露出する工程と、少なく
とも画像表示部内の露出している走査線とゲート電極上
に絶縁層を形成するステップと、ドレイン配線を含んで
絶縁基板上に透明導電性の画素電極を形成するステップ
と、画素電極の選択的パターン形成に用いられた感光性
樹脂パターンをマスクとして画素電極を保護しつつ光を
照射しながらソース配線とドレイン配線、及びソース配
線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と第１の
非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化するステップとを
有することを特徴とする。

【００５１】この構成により、必要なマスクパターン
は、ＣＥ、ＳＤ、ＡＳ、ＩＴＯの４種となり、第１の発
明の製造方法と同様の効果が得られる。

【００５２】また第５の発明も、表示装置用の基板の製
造方法であって、絶縁性基板上の１主面上に透明導電層
と金属層との積層よりなり絶縁ゲート型トランジスタの
ゲート電極も兼ねる走査線と擬似画素電極とを形成する
ステップと、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を
含まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の
非晶質シリコン層とをこの順で順次重ねて被着するステ
ップと、少なくともトランジスタ形成領域に第２と第１
との非晶質シリコン層を選択的に残してゲート絶縁層を
露出するステップと、擬似画素電極上のゲート絶縁層と
プラズマ保護層とを除去して擬似画素電極を露出するス
テップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、
ゲート電極と一部重なるように第２の非晶質シリコン層
を含んでゲート絶縁層上にソース配線（信号線）と擬似
画素電極の一部を含んでドレイン配線とを形成するステ
ップと、擬似画素電極上の金属層を除去するステップ
と、光を照射しながらソース配線とドレイン配線、及び
ソース配線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層
と第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化するステ
ップとを有することを特徴とする。

【００５３】この構成により、必要なマスクパターンは
ＧＥ、ＡＳ、ＣＷ（コンタクトウィンドウ）、ＳＤの４
種となり、画素電極と走査線の形成工程が合理化され、
４枚のフォトマスクでデバイス作製が可能となり、第２
番目の製造方法の発明と同様の効果が得られる。

【００５４】また第６の発明も、表示装置用の基板の製
造方法であって、絶縁性基板上の１主面上に透明導電層
と金属層との積層よりなり絶縁ゲート型トランジスタの
ゲート電極も兼ねる走査線と擬似画素電極とを形成する
ステップと、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を
含まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の
非晶質シリコン層とを順次被着するステップと、少なく
ともトランジスタ形成領域に第２と第１との非晶質シリ
コン層を選択的に残してゲート絶縁層を露出するステッ
プと、擬似画素電極上のゲート絶縁層とプラズマ保護層
とを除去して擬似画素電極を露出するステップと、擬似
画素電極上の金属層を除去するステップと、１層以上の
陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極と一部重な
るように第２の非晶質シリコン層を含んでゲート絶縁層
上にソース配線（信号線）と画素電極の一部を含んでド
レイン配線とを形成するステップと、光を照射しながら
ソース配線とドレイン配線、及びソース配線とドレイン
配線間の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコ
ン層の一部とを陽極酸化するステップとを有することを
特徴とする。

【００５５】この構成により、必要なマスクパターンは
ＧＥ、ＡＳ、ＣＷ（コンタクトウィンドウ）、ＳＤの４
種となり、第５番目の製造方法と同様の効果が得られ
る。

【００５６】また第７の発明も、表示装置用の基板の製
造方法であって、絶縁性基板上の１主面上に透明導電層
と金属層との積層よりなり絶縁ゲート型トランジスタの
ゲート電極も兼ねる走査線と擬似画素電極とを形成する
ステップと、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を
含まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の
非晶質シリコン層とを順次被着するステップと、少なく
ともトランジスタ形成領域に第２と第１の非晶質シリコ
ン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層とを選択的に残し
て絶縁基板を露出するステップと、少なくとも画像表示
部内の露出している走査線とゲート電極上に絶縁層を形
成するステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を
被着後、ゲート電極と一部重なるように第２の非晶質シ
リコン層を含んで絶縁基板上にソース配線（信号線）と
擬似画素電極の一部を含んでドレイン配線とを形成する
ステップと、擬似画素電極上の金属層を除去するステッ
プと、光を照射しながらソース配線とドレイン配線、及
びソース配線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン
層と第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化するス
テップとを有することを特徴とする。

【００５７】この構成により、半導体層の島化工程とゲ
ート絶縁層への開口部形成工程とが合理化され、さらに
画素電極と走査線の形成工程が合理化されて写真食刻工
程数の削減が推進される結果、３枚のフォトマスクでデ
バイス作製が可能となる。そして第２番目の製造方法の
発明と同様の効果が得られる。

【００５８】また第８の発明も、表示装置用の基板の製
造方法であって、絶縁性基板上の１主面上に透明導電層
と金属層との積層よりなり絶縁ゲート型トランジスタの
ゲート電極も兼ねる走査線と擬似画素電極とを形成する
ステップと、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を
含まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の
非晶質シリコン層とを順次被着するステップと、少なく
ともトランジスタ形成領域に第２と第１の非晶質シリコ
ン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層とを選択的に残し
て絶縁基板を露出するステップと、擬似画素電極上の金
属層を除去するステップと、少なくとも画像表示部内の
露出している走査線とゲート電極上に絶縁層を形成する
ステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着
後、ゲート電極と一部重なるように第２の非晶質シリコ
ン層を含んで絶縁基板上にソース配線（信号線）と画素
電極の一部を含んでドレイン配線とを形成するステップ
と、光を照射しながらソース配線とドレイン配線、及び
ソース配線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層
と第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化するステ
ップとを有することを特徴とする。

【００５９】この構成により、第７番目に記載の製造方
法の発明と同様の効果が得られる。

【００６０】また第９の発明は、第１、２、３、４及び
７の発明において陽極酸化可能な金属層をゲート電極と
し、絶縁層をこの金属の陽極酸化膜で形成することを特
徴とする。

【００６１】この構成により、半導体層の島化工程とゲ
ート絶縁層への開口部形成工程とが同時に行えて製造工
程の削減がなされると共に、露出した走査線上にも再び
新たな絶縁層が形成され液晶表示装置として機能させる
ことが可能となる。

【００６２】また第１０の発明は、第１、２、３、４、
７及び８の発明において、絶縁層の形成を有機絶縁層物
の電着により形成することを特徴とする。

【００６３】この構成により、第５の発明と同様の効果
が得られるだけでなく、走査線の材質の制約が緩和され
る。

【００６４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、その実施の形態
に基づいて説明する。

【００６５】（第１の実施の形態）図８に本実施の形態
の表示装置用の基板（ＴＦＴの配列されたアクティブ基
板）の（画素部の）平面を示し、図９に図８のＡ−Ａ’
線上とＢ−Ｂ’線上の製造工程の進展に伴う断面の変化
を示す。なお、従来の技術で説明したのと同一の部位に
ついては、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。

【００６６】本実施の形態の表示装置用の基板（アクテ
ィブ基板）の製造方法では、先ず図９（ａ）に示したよ
うにガラス基板２の１主面上に、ＳＰＴ（スパッタ）等
の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の
第１の金属層を被着して微細加工技術により走査線も兼
ねるゲート電極１１（と共通容量線１６と）を選択的に
形成する。低抵抗性を考慮するとＡＬの採用が望ましい
がＡＬ単体では耐熱性が乏しいことを考慮すると、走査
線の構成としてはＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、ＡＬ（Ｚｒ、Ｔ
ａ）合金等の単層構成が簡便である。なおＡＬ（Ｚｒ、
Ｔａ）はＺｒ、Ｔａ等が添加されたＡＬ合金を意味して
いる。

【００６７】次に、（ｂ）に示したようにガラス基板２
の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１
のＳｉＮ_X（シリコン窒化）層３０、不純物をほとんど
含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１
の非晶質シリコン層３１、及び不純物を含み絶縁ゲート
型トランジスタのソース・ドレイン（ソース領域とドレ
イン領域）となる第２の非晶質シリコン層３３と３種類
の薄膜層を、例えば各々０．３、０．１、０．０５μｍ
程度の膜厚で順次被着する。（なお、このように第１の
非晶質シリコン層３１を従来と比べて薄く被着できるこ
とも本発明の特長の一つである。）続いて、（ｃ）に示
したように少なくともトランジスタ形成領域であるゲー
ト電極上とのそ近傍１０２（と蓄積容量１５を形成する
蓄積容量線１６上その近傍１０７）を除いて第２と第１
の非晶質シリコン層３３，３１及びゲート絶縁層３０を
選択的に除去してガラス基板２を露出する。この工程に
おいては複数種の薄膜を食刻するのでガスを用いた乾式
食刻（ドライエッチ若しくはドライエッチング）の採用
が合理的である。走査線１１と信号線１２との交点近傍
１０１については必ずしも第２と第１の非晶質シリコン
層３３，３１とゲート絶縁層３０とを残す必要はない
が、一般的には残した方が走査線１１と信号線１２との
間の絶縁耐圧が高くなり歩留が向上する。（蓄積容量線
１６と信号線１２との交点近傍についても同様であ
る。）本発明の実施の形態においては、個々のトランジ
スタの半導体部を形成するための半導体層の島化（孤立
化）工程が半導体層とゲート絶縁層との同時食刻によっ
て実施されるが、半導体層はゲート電極よりも小さくな
いと裏面からの照射光で絶縁ゲート型トランジスタが光
リークして動作に支障が生じる。また走査線上に半導体
層が存在すると寄生トランジスタや浮遊容量の変動を生
じる恐れが高い。そこで半導体層をゲート電極よりも小
さく形成し、また走査線上の半導体層を除去する結果、
ゲート電極の一部分１０５と走査線の大半１０６は露出
してしまう（後述するように前段走査線との間で蓄積容
量を構成する場合の蓄積容量形成領域は除く）。ところ
が走査線１１は液晶パネル状態において対向電極１４と
の間で常時直流バイアスが印加されるので、走査線１１
が露出した状態では液晶デバイスとして使えない。

【００６８】そこで少なくとも画像表示部（液晶パネ
ル）内の露出した走査線１０６とゲート電極１０５上に
は適当な手段により絶縁層７１を形成する必要がある。
その膜厚は０．１〜０．５μｍ有れば十分である。好ま
しくは走査線の電極端子６形成領域の近傍まで絶縁層７
１を形成するとよい。

【００６９】絶縁層７１の形成方法の一つとして（請求
項９に記載されているように、）走査線１１に陽極酸化
可能な材料を用い、露出した走査線１１上に陽極酸化に
よって絶縁層を形成する方法を取上げる。陽極酸化可能
な金属層として単体ではＴａやＡＬが挙げられ、あるい
はＴａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ等の高融点金属とＳｉとの合金
であるシリサイドでも良い。低抵抗性を考慮するとＡＬ
が圧倒的に好ましいがＡＬ単体では耐熱性が乏しいこと
を考慮すると、走査線の低抵抗化のために走査線の構成
としては先述したようにＡＬ（Ｚｒ、Ｔａ）合金等の単
層構成あるいはＡＬ／Ｔａ、Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ、ＡＬ／
ＡＬ（Ｚｒ、Ｔａ）等の積層構成が選択可能である。例
えば、走査線材にＡＬ／ＡＬ（Ｔａ）を用いて露出した
走査線１１を陽極酸化すると図２（ｃ’）に示したよう
に露出した走査線１１の表面に絶縁層であるアルミナ
（ＡＬ₂Ｏ₃）層７１を選択的に形成することができ
る。

【００７０】この陽極酸化工程で第２の非晶質シリコン
層３３’が酸化されることはなく、逆にゲート電極１１
上のゲート絶縁層３０’と第１の非晶質シリコン層３
１’及び第２の非晶質シリコン層３３’を貫通するよう
なピンホールが発生していても陽極酸化で埋められるの
でゲート電極（走査線）１１と信号線１２との間の層間
短絡が減少し、歩留が向上する副次的な効果も生じてく
る。

【００７１】ただし、露出した走査線１０６とゲート電
極１０５の陽極酸化の実施に当たり感光性樹脂パターン
をマスクとした選択的陽極酸化工程は製造工程数の増大
をもたらすので、本発明者が先に出願した基板内選択的
化学処理装置（アクティブ基板の検査と修復、ＰＣＴ／
ＪＰ／００／０７２５０）の採用が好ましい。上記化学
処理装置は、例えば図１０に示したように、水平なステ
ージ９０上にガラス基板２を保持し、その一端に樹脂製
のオーリング９１を埋めこんだ絶縁性の枠状容器９２を
ガラス基板２に押し付け、枠状容器９２内に化成液９３
を注入し、昇降可能な支持棒９７に固定された電極板９
４とガラス基板２との間に直流電源９５より電流計９６
を介して直流電圧を印可することで陽極酸化を行う装置
である。図２０では４面付けされたデバイスの走査線１
１を陽極酸化するために、走査線１１を並列にまとめて
接続した端子９７が形成されており、電極板９４に直流
電源９５より−（マイナス）電位を、また端子９７に＋
（プラス）電位を与えている。このように枠状容器９２
とオーリング９１の大きさを適宜設定することと、陽極
酸化したい複数の電極線（走査線または信号線）をまと
めた端子９７または電極線を電気的にまとめる機構を枠
状容器９２より外周側に設置することでガラス基板２内
を選択的に陽極酸化することが可能である。

【００７２】絶縁層７１の形成方法の一つとして更に
（請求項１０に記載されているように）、走査線１１上
に電着によって有機絶縁層を形成する方法を取上げる。
デバイスとして必要な絶縁特性を確保できる有機絶縁薄
膜として電着形成が可能な材料の中から、文献である電
学論Ｃ−１１２巻１２号、平成４年にも記載されている
ように、ポリアミック酸塩を０．０１％程度含む溶液を
電着液とし、走査線１１に＋（プラス）電位を与えて電
着を行えば、図２（ｃ’）に示したように露出した走査
線１１の表面にポリイミド層７１を選択的に形成するこ
とができる。電着電圧は数Ｖ程度でポリイミド層５１の
厚みを０．５μｍ以上とするのは容易である。

【００７３】なお、ポリイミド層７１の形成後に好まし
くは２００〜３００℃、数分〜数１０分の熱処理を施し
てポリイミド層７１の絶縁特性と耐薬品性（例えば後続
する工程で感光性樹脂パターンの除去工程があり、有機
絶縁薄膜はレジスト剥離液等の薬品に対する耐性が必要
とされる）とを高めると良いが、必要とされる絶縁特性
は絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性と液晶材料の組成
によって支配されるので、加熱条件は最適値を実験的に
決めれば良い。ただし、露出した走査線１０６とゲート
電極１０５上に有機絶縁層７１を形成するに当たり感光
性樹脂パターンをマスクとした選択的陽極酸化工程は製
造工程数の増大をもたらすので、先述したように基板内
選択的化学処理装置の採用を奨める。

【００７４】露出した走査線上に電着または陽極酸化に
よって絶縁層を形成するに当たり留意すべき事項は、全
ての走査線は陽極酸化のためには電気的に並列または直
列に形成されている必要があるが、後に続く製造工程の
何処かでこの直並列を解除しないとアクティブ基板２の
電気検査のみならず、液晶表示装置としての実動作に支
障がある。そのため、解除がなされるが、その手段とし
ては、ガラス基板２の切断もしくは割断、あるいはレー
ザ光のような高エネルギー線を照射して直並列に形成さ
れた配線路を蒸散させる方法が挙げられる。

【００７５】露出した走査線１０６とゲート電極１０５
上に絶縁層７１を形成した後、図９の（ｄ）に示したよ
うにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程
度の陽極酸化可能な耐熱金属層として例えば，Ｔａ、Ｔ
ｉ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして低抵抗配線層とし
て膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５をさらに膜厚
０．１μｍ程度の陽極酸化可能な中間導電層としてＴａ
等の耐熱金属薄膜層３６を順次被着する。そしてこれら
３層の金属層を微細加工技術により感光性樹脂パターン
を用いて順次食刻して絶縁ゲート型トランジスタのドレ
イン配線２１とソース配線も兼ねる信号線１２とを選択
的に形成する。ソース・ドレイン配線１２、２１に要求
される抵抗値によっては複雑な３層ではなく、例えば膜
厚０．３μｍ程度のＴａ薄膜の単層を採用することも可
能であり、この方がコスト的には有利である。

【００７６】ソース・ドレイン配線１２、２１の選択的
パターン形成に当たり、従来のように不純物を含む第２
の非晶質シリコン層３３’と不純物を含まない第１の非
晶質シリコン層３１’の食刻は不要である。なお、ソー
ス・ドレイン配線１２、２１の形成と同時に画像表示部
外の領域で露出している走査線１１を含んで走査線の電
極端子６も同時に形成する。あるいは、この工程では走
査線の電極端子６を形成せず、後続の画素電極２２の形
成工程で透明導電性の電極端子６’を形成することも可
能である。なお好ましくは、走査線１１の露出を最低限
度に止めるため、電極端子６は走査線１１上に形成され
た絶縁層７１を含んで形成するべきである。

【００７７】更に、（ｅ）に示したようにガラス基板２
の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜
０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、微細加工技
術によりドレイン配線２１の一部を含んでガラス基板２
上に画素電極２２を選択的に形成する。そして画素電極
２２の選択的パターン形成に用いられた感光性樹脂パタ
ーン６５をマスクとして光を照射しながらソース・ドレ
イン配線１２、２１を陽極酸化して酸化層を形成すると
ともにソース・ドレイン配線１２、２１間に露出してい
る不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３’と不純物
を含まない第１の非晶質シリコン層３１’の一部を陽極
酸化して絶縁層である２酸化シリコン層（ＳｉＯ₂）６
６、６７を形成する。

【００７８】ソース・ドレイン配線１２、２１の上面に
はＴａ、同じく側面にはＴａ、ＡＬ、Ｔｉの積層が露出
しており、陽極酸化によってＴａは絶縁層である５酸化
タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）６８、ＡＬは絶縁層であるアル
ミナ（ＡＬ₂Ｏ₃）６９、Ｔｉは高抵抗の半導体である
酸化チタン（ＴｉＯ₂）７０に変質する。酸化チタン
（ＴｉＯ₂）７０は厳密に言うと絶縁層ではないが膜厚
が極めて薄いのでパシベーション上はまず問題とならな
い。耐熱金属薄膜層３４もＴａを選択しておくことが望
ましいものの、ＴａはＴｉと異なり下地の表面酸化層を
吸収してオーミック接触を容易にする機能に欠けること
に注意する必要がある。

【００７９】不純物を含む第２の非晶質シリコン層３
３’は厚み方向に全て完全に絶縁層化しないと絶縁ゲー
ト型トランジスタのリーク電流の増大をもたらす。そこ
で光を照射しながら陽極酸化を実施することが陽極酸化
工程の重要なポイントとなる。なぜならば不純物を含む
第２の非晶質シリコン層３３’は化成液に接している表
面から酸化シリコン層６６に変質していくが、陽極酸化
が進行すると不純物を含む第２の非晶質シリコン層３
３’の膜厚が減少して不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層３３’とドレイン配線２１を陽極酸化するに十分な
電流を流すことができなくなるからである。

【００８０】光を照射しながら陽極酸化を実施すると、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３’に接してい
る不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１’が光
電効果により殆ど電流が流れない高抵抗状態から必要な
電流を流せるだけの低抵抗状態に変化させることができ
る。具体的には１万ルックス程度の十分強力な光を照射
して絶縁ゲート型トランジスタのリーク電流がμＡを越
えれば、ソース・ドレイン配線１２，２１間のチャネル
部とドレイン配線２１の面積から計算して１０ｍＡ／ｃ
ｍ²（ミリアンペア／平方センチ）程度の良好な膜質を
得るための電流密度が得られる。

【００８１】また不純物を含む第２の非晶質シリコン層
３３’を陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層（Ｓ
ｉＯ₂）６６に変質させるに足る化成電圧１００Ｖ超よ
り１０Ｖ程度、化成電圧を高く設定することで形成され
た不純物を含む酸化シリコン層（ＳｉＯ₂）６６に接す
る不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１’の一
部（１００Å程度）まで不純物を含まない酸化シリコン
層（ＳｉＯ₂）６７に変質させることで、ソース・ドレ
イン配線１２、２１間の電気的な分離は完全なものとす
ることができる。

【００８２】陽極酸化で形成される５酸化タンタル（Ｔ
ａ₂Ｏ₅）６８、アルミナ（ＡＬ₂Ｏ₃）６９、酸化チ
タン（ＴｉＯ₂）７０の各酸化層の膜厚は配線のパシベ
ーションとしては０．１〜０．２μｍ程度で十分であ
り、エチレングリコール等の化成液を用いて印加電圧は
同じく１００Ｖ超で実現する。ソース・ドレイン配線１
２、２１の陽極酸化に当たって留意すべき事項は、全て
の信号線１２は電気的に並列または直列に形成されてい
る必要があり、後に続く製造工程の何処かでこの直並列
を解除しないとアクティブ基板２の電気検査のみなら
ず、液晶表示装置としての実動作に支障があることは言
うまでもないだろう。あるいは図１０に示したように基
板内選択的電気化学装置のように電極端子をまとめるよ
うな機構、例えば複数の電極端子に異方性導電性ゴム４
１を介して金属電極４２を押し付けるような機構が必要
である。

【００８３】画素電極２２を感光性樹脂パターン６５で
覆っておくのは、画素電極２２を陽極酸化する必要がな
いだけでなく、絶縁ゲート型トランジスタを経由してド
レイン電極２１に流れる化成電流を必要以上に大きく確
保しなくて済むためである。なお、陽極酸化時に走査線
１１の電極端子６上は電気的にフローティング（中立）
しているので陽極酸化層が形成されることはない。ガラ
ス基板２内の選択的陽極酸化を実施すれば、図８に示し
たように画像表示部外の領域で信号線１２の一部を電極
端子５とすることができる。ガラス基板２全体を化成液
中に浸漬するような従来の陽極酸化方法であれば適当な
マスク材の併用が無い限りソース・ドレイン配線１２、
２１を選択的に陽極酸化することはできず、別に図示し
たように画像表示部外の領域で透明導電層よりなる電極
端子５’は信号線１２の一部を含んで形成されることに
なる。この構成は図９の（ｆ）に示した画素電極２２と
ドレイン配線２１との接続形態と同一である。最後に、
前記感光性樹脂パターン６５を除去して（ｆ）に示した
ようにアクティブ基板２として完成する。このようにし
て得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り
合わせ、更に必要な工程を経て液晶パネルが完成する。

【００８４】蓄積容量１５の構成に関しては、蓄積容量
線１６と画素電極２２とがゲート絶縁層３０と不純物を
含まない非晶質シリコン層３１と不純物を含む非晶質シ
リコン層３３とを介して構成している例を図８に示して
おり、蓄積容量線１６上とその近傍１０７にはゲート絶
縁層３０と不純物を含まない非晶質シリコン層３１と不
純物を含む非晶質シリコン層３３（信号線１２に近いほ
ど酸化されて酸化シリコン層６６になっている）とが必
要な場所のみに選択的に形成されている。なおソース・
ドレイン配線１２，２１の形成時に蓄積容量線１６上に
ソース・ドレイン配線材で蓄積電極５５を形成しておく
と蓄積容量１５の特性が安定することを念のため記して
おく。蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではな
く、画素電極２２と前段の走査線１１との間にゲート絶
縁層３０を含む絶縁層を介して構成しても良い。また、
その他の構成も可能であるが詳細な説明は省略する。

【００８５】（第２の実施の形態）本実施の形態では、
画素電極とドレイン配線との接続に新たに接続層を導入
して、ソース・ドレイン配線を２層構造とすることに特
徴がある。本実施の形態の液晶表示装置の画素部の平面
を図１１に、その要部の工程の進展に伴う断面の変化の
様子を図１２に示す。本実施の形態の（請求項２に記載
された）アクティブ基板の製造方法では、先ず図１２
（ａ）に示したようにガラス基板２の１主面上に、ＳＰ
Ｔ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜
０．３μｍ程度の陽極酸化可能な金属層として先述した
ようにＴａ、ＡＬ／Ｔａ等を被着して微細加工技術によ
り走査線も兼ねるゲート電極１１と接続層８０とを選択
的に形成する。

【００８６】次に、（ｂ）に示したようにガラス基板２
の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１
のＳｉＮ_X層（シリコン窒化層）３０、不純物をほとん
ど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第
１の非晶質シリコン層、及び不純物を含み絶縁ゲート型
トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シ
リコン層３２と３種類の薄膜層を、例えば各々０．３、
０．１、０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着する。

【００８７】続いて、（ｃ）に示したように少なくとも
トランジスタ形成領域１０２（と蓄積容量線１６上とそ
の周囲１０７）を除いて第２と第１の非晶質シリコン層
３３，３１とゲート絶縁層３０とを選択的に除去してガ
ラス基板２を露出する。この工程においては複数種の薄
膜を食刻するので、ガスを用いた乾式食刻（ドライエッ
チ）の採用が合理的であることは既に述べた通りであ
る。

【００８８】そして露出した走査線１１とゲート電極１
０５上には陽極酸化により陽極酸化層７１、または電着
により有機絶縁層７１を形成する。この際、接続層８０
は孤立して電気的に浮いているので、接続層８０上に絶
縁層７１が形成されることはない。

【００８９】その後、（ｄ）に示したようにＳＰＴ等の
真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層
として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４と低抵
抗配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５と
を順次被着する。そしてこれら２層の金属層を微細加工
技術により感光性樹脂パターンを用いて順次食刻して絶
縁ゲート型トランジスタのソース配線も兼ねる信号線１
２と接続層８０の一部を含んでドレイン配線２１とを選
択的に形成する。なお、ソース・ドレイン配線１２，２
１の形成と同時に画像表示部外の領域で露出している走
査線１１を含んで走査線の電極端子６も同時に形成す
る。あるいは、この工程では走査線の電極端子６を形成
せず、後続の画素電極２２の形成工程で透明導電性の電
極端子６’を形成することも可能である。さらには透明
導電性の電極端子６’を形成せず、露出した走査線の一
部を電極端子６とすることも可能である。

【００９０】続いて、（ｅ）に示したようにＳＰＴ等の
真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透
明導電層としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉ
ｄｅ）をガラス基板２上に被着し、微細加工技術により
接続層８０の一部を含んで画素電極２２を選択的に形成
する。

【００９１】引き続き、画素電極２２の選択的パターン
形成に用いられた感光性樹脂パターン６５をマスクとし
て光を照射しながらソース・ドレイン配線１２，２１を
陽極酸化して酸化層を形成するとともにソース・ドレイ
ン配線１２，２１間に露出している不純物を含む第２の
非晶質シリコン層３３’と不純物を含まない第１の非晶
質シリコン層３１’の一部を陽極酸化して絶縁層である
酸化シリコン層（ＳｉＯ₂）６６，６７を形成する。ソ
ース・ドレイン配線１２，２１の上面にはＡＬが、ソー
ス・ドレイン配線１２，２１の側面にはＡＬ、Ｔｉ（ま
たはＴａ）の積層が露出しており、陽極酸化によってＡ
Ｌは絶縁層であるアルミナ（ＡＬ₂Ｏ₃）６９に、同じ
くＴｉは半導体である酸化チタン（ＴｉＯ₂）７０に変
質する（Ｔａは絶縁層である酸化タンタルＴａ₂Ｏ₅に
変質する）。また、ドレイン配線２１と画素電極２２と
で覆われていない接続層８０の表面にも陽極酸化層７２
が形成されるので、接続層８０も陽極酸化可能な金属層
またはシリサイド層等で形成しておく必要がある。

【００９２】ガラス基板２内の選択的陽極酸化を実施す
れば、図１１に示したように画像表示部外の領域で信号
線１２の一部を電極端子５とすることができる。あるい
は透明導電層を介在させず、接続層８０’を電極端子と
しても良い。そうでなければ別に図示したように画像表
示部外の領域で透明導電層よりなる電極端子５’は接続
層８０’の一部を含んで形成されることになる。この構
成は図１２の（ｆ）に示した画素電極２２とドレイン配
線２１との接続形態と同一である。最後に、前記感光性
樹脂パターン６５を除去して（ｆ）に示したようにアク
ティブ基板２として完成する。このようにして得られた
アクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液
晶パネルを製造する。

【００９３】（第３の実施の形態）本実施の形態は、主
要製造工程である半導体層の島化工程と、ソース・ドレ
イン配線の形成工程と、画素電極の形成工程とを前後さ
せて異種構成の絶縁ゲート型トランジスタを得るもので
ある。本実施の形態の表示装置用の基板の画素の平面を
図１３に、その要部の断面の変化を図１４に示す。

【００９４】本実施形態、（すなわち請求項３に記載さ
れたアクティブ基板の製造方法）では、図１４（ｃ）に
示した半導体層とゲート絶縁層との島化工程とそれに続
く露出した走査線１１とゲート電極１０５上への絶縁層
７１の形成工程までは、先の第１の実施形態と同一の製
造工程と同じである。ただし、電着により有機絶縁層７
１を形成する選択枝もあるので、走査線１１に陽極酸化
可能でない金属層としてＣｒ，Ｍｏ等を用いることが可
能であることは既に述べた通りである。

【００９５】その後、図１４（ｄ）に示したようにＳＰ
Ｔ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程
度の透明導電層としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−
Ｏｘｉｄｅ）をガラス基板２上に被着し、微細加工技術
により画素電極２２を選択的に形成する。なお、この時
に画像表示部外の領域の露出している走査線１１も透明
導電層７４で覆っておくと後の工程で電池効果による副
作用が回避し易いがこの工程で透明導電層を残さず、後
続のソース・ドレイン配線の形成工程でソース・ドレイ
ン配線材と同一の電極端子６を形成することも可能であ
る。さらにはソース・ドレイン配線材も残さず露出して
いる走査線１１の一部を電極端子６とすることも可能で
ある。

【００９６】続いて、（ｅ）に示したようにＳＰＴ等の
真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層
として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４、そし
て低抵抗配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層
３５を順次被着する。そしてこれら２層の金属層を微細
加工技術により感光性樹脂パターンを用いて順次食刻し
て（不必要な部分を除去して）絶縁ゲート型トランジス
タのソース配線も兼ねる信号線１２と画素電極２２の一
部を含んでドレイン配線２１とを選択的に形成する。

【００９７】引き続き、（ｆ）に示したように光を照射
しながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化し
てその表面に酸化層６９，７０（または６８）を形成す
るとともにソース・ドレイン配線１２，２１間に露出し
ている不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３’と不
純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１’の一部を
陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層（ＳｉＯ₂）
６６、６７を形成する。

【００９８】ガラス基板２内の選択的陽極酸化を実施す
れば、図５に示したように画像表示部外の領域で信号線
１２の一部を電極端子５とすることができる。そうでな
ければ別に図示したように画像表示部外の領域で信号線
１２は透明導電層よりなる電極端子５’の一部を含んで
形成されることになる。この構成は図１４の（ｆ）に示
した画素電極２２とドレイン電極２１との接続形態と同
一である。このようにして得られたアクティブ基板２と
カラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化する。

【００９９】本実施の形態では、このように、ソース・
ドレイン配線１２，２１を耐熱金属層とアルミニウム合
金層との２層で構成することが可能であるが、ソース・
ドレイン配線１２，２１と第２の非晶質シリコン層３
３’の陽極酸化時にドレイン配線２１と電気的に繋がっ
ている画素電極２２も露出しているため、画素電極２２
も同時に陽極酸化される点が第１及び第２の実施形態と
大きく異なる。このため透明導電層２２の膜質によって
は陽極酸化によって抵抗値が増大することもあり、その
場合には、透明導電層２２の製膜条件を適宜変更して酸
素不足の膜質としておく必要があるが、陽極酸化で透明
導電層２２の透明度が低下することはない。また、ドレ
イン配線２１と画素電極２２を陽極酸化するための電流
も絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを通って供給さ
れるが、画素電極２２の面積が大きいために大きな化成
電流が必要となり、いくら強い外光を照射してもチャネ
ル部の抵抗が障害となり、ドレイン配線２１上にソース
配線１２と同等の膜質と膜厚のアルミナ層６９を形成す
ることは化成時間の延長だけでは対応困難である。

【０１００】しかしながら、ドレイン配線２１上に形成
されるアルミナ層６９が多少不完全であっても実用上は
支障の無い信頼性が得られることが多い。なぜならば、
液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、
対向電極１４とソース・ドレイン１２，２１配線との間
には直流電圧成分が少ないからである。フリッカ（直流
電圧成分）が最小となるように対向電極１４にオフセッ
ト電圧を与えるのはアクティブ型液晶パネルの基本的な
駆動方法であり、ドレイン配線２１（画素電極２２）上
には必ずしもパシベーションは必須ではないことから第
３の実施形態の有用性が理解される。

【０１０１】また、不純物を含む第２の非晶質シリコン
層３３’を陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層
（ＳｉＯ₂）６６に変質させるに当たり、チャネル方向
に均一な膜厚の酸化シリコン層（ＳｉＯ₂）６６が形成
されている方が望ましいが、ソース・ドレインの分離の
観点からは信号線１２に近い領域ほど陽極酸化を第１の
非晶質シリコン層３１’まで到達させることは簡単なの
で、チャネル方向に不均一な膜厚の酸化シリコン層（Ｓ
ｉＯ₂）６６が形成されていても絶縁ゲート型トランジ
スタのリーク電流を測定することで、絶縁ゲート型トラ
ンジスタの評価は可能である。チャネル部のパシベーシ
ョン能力に関しても同様のことが言え、絶縁ゲート型ト
ランジスタ単体あるいは液晶画像表示装置として信頼性
試験結果で評価することができる。

【０１０２】（第４の実施の形態）本実施の形態も、先
の第３の実施の形態と同様に半導体層の島化とソース・
ドレイン配線の形成と画素電極の形成に関する。

【０１０３】本実施の形態（すなわち請求項４に記載さ
れたアクティブ基板の製造方法）を、図１５と図１６に
示す。

【０１０４】図１６（ｂ）に示した不純物を含む第２の
半導体層の製膜工程までは先の第１の実施形態と同一の
製造工程で進行する。その後、（ｃ）に示したようにＳ
ＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の陽
極酸化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ、Ｔａ等の耐
熱金属薄膜層３４を、そして低抵抗配線層として膜厚
０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５をさらに膜厚０．１μ
ｍ程度の陽極酸化可能な中間導電層としてＴａ等の耐熱
金属薄膜層３６を順次被着する。そしてこれら３層の金
属層を微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いて
順次食刻して絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線
２１とソース配線も兼ねる信号線１２とを選択的に形成
する。

【０１０５】続いて、（ｄ）に示したように少なくとも
トランジスタ形成領域の近傍１０２を除いて第２と第１
の非晶質シリコン層３３，３１とゲート絶縁層３０とを
選択的に除去してガラス基板２を露出する。この工程に
おいてはソース・ドレイン配線１２，２１がマスクとし
て機能し、ソース・ドレイン配線１２，２１下の第２と
第１の非晶質シリコン層３３，３１とゲート絶縁層３０
は除去されない。そして露出した走査線１１とゲート電
極１０５上には陽極酸化により陽極酸化層７１、または
電着により有機絶縁層７１を形成する。

【０１０６】引き続き、（ｅ）に示したようにＳＰＴ
（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜
０．２μｍ程度の透明導電層としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）をガラス基板２上に被着し、
微細加工技術によりドレイン配線２１の一部を含んでガ
ラス基板２上に画素電極２２を選択的に形成する。な
お、画素電極２２の形成と同時に画像表示部外の領域で
露出している走査線１１を含んで走査線の電極端子６’
も同時に形成する。そして画素電極２２の選択的パター
ン形成に用いられた感光性樹脂パターン６５をマスクと
して光を照射しながらソース・ドレイン配線１２，２１
を陽極酸化してその表面に絶縁層を形成するとともにソ
ース・ドレイン配線１２，２１間に露出している不純物
を含む第２の非晶質シリコン層３３’と不純物を含まな
い第１の非晶質シリコン層３１’の一部とを陽極酸化し
て絶縁層である酸化シリコン層６６、６７を形成する。

【０１０７】ソース・ドレイン配線１２，２１の上面に
はＴａが、ソース・ドレイン配線１２、２１の側面には
Ｔａ、ＡＬ、Ｔｉの積層が露出しており、陽極酸化によ
ってＴａの露出した表面には絶縁層である５酸化タンタ
ル６８が、同じくＡＬ部は絶縁層であるアルミナ６９
が、同じくＴｉ部は半導体である酸化チタン７０が形成
される。またソース配線１２下の側面に露出している不
純物を含む第１の非晶質シリコン層３３’と不純物を含
まない第２の非晶質シリコン層３１’にもおのおの酸化
層である酸化シリコン層６６と酸化シリコン層６７が形
成される。

【０１０８】ガラス基板２内の選択的陽極酸化を実施す
れば、図１５に示したように画像表示部外の領域で信号
線１２の一部を電極端子５とすることができる。そうで
なければ別に図示したように画像表示部外の領域で透明
導電層よりなる電極端子５’は信号線１２の一部を含ん
で形成されることになる。この構成は図１６の（ｆ）に
示した画素電極２２とドレイン配線２１との接続形態と
同一である。最後に、前記感光性樹脂パターン６５を除
去して（ｆ）に示したようにアクティブ基板２として完
成する。このようにして得られたアクティブ基板２とカ
ラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化する。

【０１０９】蓄積容量線１６は走査線１１と同様に扱う
ことが容易であり、露出した蓄積容量線１６上に絶縁層
７１を形成することで、蓄積容量線１６と画素電極２２
とが絶縁層７１を介して蓄積容量１５を構成している例
を図８に例示しているが、その他の構成も可能であるこ
とは言うまでも無い。

【０１１０】（第５の実施の形態）本実施の形態では、
従来の半導体層の島化工程は存続させ、画素電極と走査
線とを同時に形成して写真食刻工程の削減を図るもので
ある。以下、図１７と図１８を用いて本実施の形態を説
明する。

【０１１１】本実施の形態（請求項５に記載されたアク
ティブ基板の製造方法）では、先ず、図１８（ａ）に示
したようにガラス基板２の一主面上に、ＳＰＴ等の真空
製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導
電層８１として例えばＩＴＯと、膜厚０．１〜０．３μ
ｍ程度の陽極酸化可能な第１の金属層８２、例えばＴａ
あるいＴａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のシリサイドの単層構成ある
いはＡＬ／Ｔａ、Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ等の積層構成とを被
着し、微細加工技術により透明導電層８１’と第１の金
属層８２’との積層よりなる走査線も兼ねるゲート電極
１１と擬似画素電極７５とを選択的に形成する。ゲート
絶縁層を介して信号線との絶縁耐圧を向上させ、歩留を
高めるためにはこれらの電極は乾式食刻による断面形状
のテーパ制御を行うことが望ましい。

【０１１２】次に、図１８（ｂ）に示したようにガラス
基板２の全面にプラズマ保護層となる透明絶縁層、例え
ばＴａＯ_XやＳｉＯ₂を０．１μｍ程度の膜厚で被着し
て７６とする。このプラズマ保護層７６は後続のＰＣＶ
Ｄ装置によるＳｉＮ_X形成時に、ゲート電極１１と擬似
画素電極７５のエッジ部に露出している透明導電層８
１’が還元されてＳｉＮ_Xの膜質が変動するために必要
であり、その詳細は先行例である特開昭５９−９９６２
号公報を参照されたい。

【０１１３】プラズマ保護層７６の被着後は、他の実施
形態と同様にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる
第１のＳｉＮ_X層（シリコン窒化層）、不純物をほとん
ど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第
１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層、及び及び不純物を
含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとな
る第２の非晶質シリコン層と３種類の薄膜層を、例えば
０．３、０．１、０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着し
て３０、３１、３３とする。

【０１１４】続いて、図１８の（ｃ）に示したようにゲ
ート１１電極上とその近傍に第１と第２の非晶質シリコ
ン層よりなる半導体層を島状３１’，３３’に残してゲ
ート絶縁層３０を露出する。

【０１１５】引き続いて、（ｄ）に示したように走査線
１１への電気的接続に必要な画像表示部の周辺部での走
査線１１上の積層絶縁層への開口部６３と擬似画素電極
７５を露出するための開口部３８を形成するため、第２
と第１の非晶質シリコン層３３，３１及びゲート絶縁層
３０とプラズマ保護層７６とを選択的に除去する。

【０１１６】さらに、（ｅ）に示したようにＳＰＴ等の
真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層
として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４、低抵
抗配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５を
順次被着し、微細加工技術により耐熱金属層３４’と低
抵抗配線層３５’との積層よりなり信号線も兼ねる絶縁
ゲート型トランジスタのソース配線１２と、擬似画素電
極７５の一部を含んでドレイン配線２１と（蓄積電極５
５と）を選択的に形成する。さらに上記選択的パターン
形成に用いられた感光性樹脂パターンをマスクとして擬
似画素電極７５上の第１の金属層８２’を除去して透明
導電層８１’を露出することで画素電極２２が形成され
る。なお、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同
時に、開口部６３内に露出している第１の金属層８２’
を含んで走査線の電極端子６も同時に形成する。あるい
は開口部６３内に露出している第１の金属層８２’を電
極端子としても良い。

【０１１７】最後に、（ｆ）に示したように光を照射し
ながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化して
その表面に絶縁層６９，７０（または６８）を形成する
とともにソース・ドレイン配線１２，２１間に露出して
いる不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３’と不純
物を含まない第１の非晶質シリコン層３１’の一部を陽
極酸化して絶縁層である酸化シリコン層６６，６７を形
成する。ガラス基板２内の選択的陽極酸化を実施すれ
ば、図１７に示したように画像表示部外の領域で信号線
１２の一部を電極端子５とすることができる。そうでな
ければ別に図示したように画像表示部外の領域で信号線
１２は金属層８２’を介して透明導電層よりなる電極端
子５’の一部を含んで形成されることになる。この構成
は図１８の（ｆ）に示した画素電極２２とドレイン電極
２１との接続形態と同一である。このようにして得られ
たアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて
液晶パネル化する。

【０１１８】なお、本実施の形態では、図１７に示した
ように、蓄積容量１５は走査線１１の突起部５０と蓄積
電極５５とがゲート絶縁層３０とプラズマ保護層７６と
を介して構成され、蓄積電極５５は画素電極２２の一部
を含んで突起部５０上に形成される構成を例示してい
る。蓄積容量線１６を用いた蓄積容量１５を構成するこ
とも可能であるが、走査線１１と画素電極２２とを同時
に形成するため、共通容量線１６を配置すると画素電極
２２が蓄積容量線１６によって上下に２分割される点に
留意されたい。

【０１１９】（第６の実施の形態）本実施の形態は、先
の第５の実施の形態の改良に関する。

【０１２０】さて、先の第５の実施形態ではソース・ド
レイン配線１２，２１の形成後に擬似画素電極７５上の
第１の金属層８２’を除去しなければならないが、ソー
ス・ドレイン配線１２，２１間に不純物を含む非晶質シ
リコン層３３’が存在するので、第１の金属層８２’と
の選択比が重要であり、第１の金属層８２’の材質に制
約が生じる恐れが高い。そこで、本実施の形態では第５
の実施形態のわずかな製造工程の変更により上記制約を
解除せんとするものである。以下、図１９と図２０を参
照しつつ、本実施の形態を説明する。

【０１２１】本実施の形態（請求項６に記載されたアク
ティブ基板の製造方法）では、図２０（ｄ）に示したよ
うに走査線１１への電気的接続に必要な画像表示部の周
辺部での走査線１１上の積層絶縁層への開口部６３と擬
似画素電極７５を露出するための開口部３８を形成する
ため、第２と第１の非晶質シリコン層３３，３１及びゲ
ート絶縁層３０とプラズマ保護層７６とを選択的に除去
するまでは第５の実施形態と同一の製造工程を進行す
る。

【０１２２】この開口部形成工程で選択的パターン形成
に用いられる感光性樹脂パターンを用いて引き続き第１
の金属層８２’を除去し透明導電層８１’を露出する。
その結果、開口部３８内には透明導電性の画素電極２２
が形成される。

【０１２３】その後、前記感光性樹脂パターンを除去
し、（ｅ）に示したようにＳＰＴ等の真空製膜装置を用
いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴ
ｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４、低抵抗配線層として
膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５を順次被着し、微
細加工技術により耐熱金属層３４’と低抵抗配線層３
５’との積層よりなり信号線も兼ねる絶縁ゲート型トラ
ンジスタのソース配線１２と、画素電極２２の一部を含
んでドレイン配線２１と（蓄積電極５５と）を選択的に
形成する。なお、ソース・ドレイン配線１２，２１の形
成と同時に、開口部６３内に露出している透明導電層を
含んで走査線の電極端子６も同時に形成する。

【０１２４】最後に、（ｆ）に示したように光を照射し
ながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化して
その表面に絶縁層６９，７０（または６８）を形成する
とともにソース・ドレイン配線１２，２１間に露出して
いる不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３’と不純
物を含まない第１の非晶質シリコン層３１’の一部を陽
極酸化して絶縁層である酸化シリコン層６６，６７を形
成する。このようにして得られたアクティブ基板２とカ
ラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化する。

【０１２５】（第７の実施の形態）本実施の形態では、
画素電極の形成と走査線の形成とを同時に行うことに加
えて半導体層の島化工程とゲート絶縁層への開口部形成
工程とを合理化することによりさらに製造工程の削減を
図るものである。

【０１２６】以下、図２１と図２２を参照しつつ、本実
施の形態を説明する。本実施の形態（請求項７に記載さ
れたアクティブ基板の製造方法）では、図２２（ｂ）に
示した半導体層の製膜工程までは第５の実施形態と同一
の製造工程で進行する。

【０１２７】その後、（ｃ）に示したように少なくとも
トランジスタ形成領域のゲート電極上とその近傍１０２
と蓄積容量を形成するために走査線１１上とその近傍１
０４とを除いて第２と第１の非晶質シリコン層３３，３
１及びゲート絶縁層３０とプラズマ保護層７６とを食刻
してガラス基板２を露出する。そして露出した走査線１
１（１０６）とゲート電極１０５上には陽極酸化により
陽極酸化層または電着により有機絶縁層を形成する。こ
の時、擬似画素電極７５は孤立して電気的に浮いている
ので、擬似画素電極７５上に絶縁層７１が形成されるこ
とはない。

【０１２８】続いて、（ｄ）に示したようにＳＰＴ等の
真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層
として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そ
して低抵抗配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜
層３５を順次被着する。そしてこれら２層の金属層を微
細加工技術により感光性樹脂パターンを用いて順次食刻
して絶縁ゲート型トランジスタのソース配線も兼ねる信
号線１２と、擬似画素電７５の一部を含んでドレイン配
線２１とを選択的に形成する。さらに上記選択的パター
ン形成に用いられる感光性樹脂パターンをマスクとして
擬似画素電極７５上の第１の金属層８２’を除去して透
明導電層８１’を露出することで画素電極２２が形成さ
れる。

【０１２９】最後に、（ｅ）に示したように光を照射し
ながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化して
その表面に絶縁層６９，７０（または６８）を形成する
とともにソース・ドレイン配線１２，２１間に露出して
いる不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３’と不純
物を含まない第１の非晶質シリコン層３１’の一部を陽
極酸化して絶縁層である酸化シリコン層（ＳｉＯ₂）６
６，６７を形成する。ガラス基板２内の選択的陽極酸化
を実施すれば、図１９に示したように画像表示部外の領
域で信号線１２の一部を電極端子５とすることができ
る。そうでなければ別に図示したように画像表示部外の
領域で信号線１２は金属層８２’を介して透明導電層よ
りなる電極端子５’の一部を含んで形成されることにな
る。この構成は図２２（ｅ）に示した画素電極２２とド
レイン電極２１との接続形態と同一である。このように
して得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼
り合わせて液晶パネル化する。

【０１３０】（第８の実施の形態）本実施の形態は、先
の第７の実施の形態の改良である。

【０１３１】第７の実施の形態でも第５の実施形態と同
様にソース・ドレイン配線１２，２１の形成後に擬似画
素電極７５上の第１の金属層８２’を除去しなければな
らないが、ソース・ドレイン配線１２，２１間に不純物
を含む非晶質シリコン層３３’が存在するので、第１の
金属層８２’との選択比が重要であり、第１の金属層８
２’の材質に制約が生じる恐れが高い。そこで第８の実
施形態では第７の実施形態のわずかな製造工程の変更に
より上記制約を解除せんとするものである。

【０１３２】以下、図２３と図２４を参照しつつ、本実
施の形態を説明する。本実施の形態（請求項７に記載さ
れたアクティブ基板の製造方法）では、図２４（ｃ）に
示したように少なくともトランジスタ形成領域のゲート
電極上とその近傍１０２と蓄積容量を形成するために走
査線１１上とその近傍１０４とを除いて第２と第１の非
晶質シリコン層３３，３１及びゲート絶縁層３０とプラ
ズマ保護層７６とを食刻してガラス基板２を露出するま
では第７の実施形態と同一の製造工程を進行する。この
選択的パターン形成に用いられる感光性樹脂パターンを
用いて引き続き第１の金属層８２’を除去し透明導電層
８１’を露出する。その結果、絶縁基板２上には透明導
電性の画素電極２２が形成される。

【０１３３】その後、感光性樹脂パターンを除去し、露
出した走査線１１（１０６）とゲート電極１０５上に絶
縁層を形成するのであるが、第１の金属層金属層８２’
が除去されているので露出した走査線１１は透明導電層
のみであり、しかも透明導電層は第１の金属層金属層８
２’とは異なり陽極酸化によって陽極酸化層を形成して
も絶縁層が得られない。そこで電着により有機絶縁層７
１を形成する。この時、画素電極２２は孤立して電気的
に浮いているので、画素電極２２上に絶縁層７１が形成
されることはない。

【０１３４】続いて、図２４（ｄ）に示したようにＳＰ
Ｔ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱
金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４
を、そして低抵抗配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡ
Ｌ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の金属
層を微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いて順
次食刻して絶縁ゲート型トランジスタのソース配線も兼
ねる信号線１２と、画素電２２の一部を含んでドレイン
配線２１とを選択的に形成する。

【０１３５】最後に、（ｅ）に示したように光を照射し
ながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化して
その表面に絶縁層６９，７０（または６８）を形成する
とともにソース・ドレイン配線１２，２１間に露出して
いる不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３’と不純
物を含まない第１の非晶質シリコン層３１’の一部を陽
極酸化して絶縁層である酸化シリコン層６６，６７を形
成する。このようにして得られたアクティブ基板２とカ
ラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明
の第８の実施形態が完了する。

【０１３６】（第９の実施の形態）本実施の形態は、透
過と反射兼用型や反射型の液晶表示装置に応用した場合
である。

【０１３７】この場合には、図５の２２にて示す透明画
素電極に換えて半透過型の画素電極（透過と反射兼用型
の場合）やミラー兼画素電極（反射型の場合）が形成さ
れることになる。

【０１３８】なお、その他の構成については、今までの
実施の形態とほぼ同様なので、説明を略する。

【０１３９】以上、本発明をその幾つかの実施の形態に
基づいて説明してきたが、本実施は何もこれに限定され
ないのは勿論である。

【０１４０】すなわち、本発明の要点は、チャネル・エ
ッチ型の絶縁ゲート型トランジスタにおいて、陽極酸化
可能なソース・ドレイン配線材を用いて不純物を含む非
晶質シリコン層と同時にソース・ドレイン配線表面も陽
極酸化して絶縁層化する点と、露出した走査線の表面に
陽極酸化または電着により新たな絶縁層を形成する点に
ある。このため、それ以外の構成の相違、例えば画素電
極やゲート絶縁層等の材質や膜厚等が異なっている、そ
れらの製造方法が相違する、横電界方式やＩＰＳ（Ｉｎ
−Ｐｌａｉｎ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装
置としている、更には反射型の液晶表示装置、また画素
電極が透明電極と金属反射電極の２種類を有する半透過
型の液晶表示装置等であっても本発明の適用に支障は無
い。更にまた、絶縁ゲート型トランジスタの半導体層も
非晶質シリコンに限定されるものでなく、微結晶シリコ
ン、多結晶シリコン等あるいはこれらの混晶体としてい
る等は全て本発明に含まれるのは勿論である。

【０１４１】

【発明の効果】以上の説明で判るように、本発明によれ
ば、絶縁ゲート型トランジスタのチャネル部を保護する
不純物を含む酸化シリコン層と、ソース・ドレイン配線
を保護する５酸化タンタルまたは酸化アルミニウム層等
の絶縁層とは陽極酸化で同時に形成されるので、製造工
程の削減、そしてコストの低下となる。

【０１４２】また、パシベーション形成は格別の加熱工
程を伴わないので非晶質シリコン層を半導体層とする絶
縁ゲート型トランジスタに過度の耐熱性を必要とせず、
このためパシベーション形成で電気的な性能の劣化を生
じない。

【０１４３】そして、絶縁ゲート型トランジスタのソー
ス・ドレインとなる１対の不純物を含む非晶質シリコン
層の絶縁分離が不純物を含む非晶質シリコン層を陽極酸
化で変質させる電気化学的な手法でなされるため、従来
のようにチャネル半導体層の食刻時の損傷によって絶縁
ゲート型トランジスタの電気的な特性が劣化する恐れも
無く、チャネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン
層を最適の膜厚まで減じて製膜することができるので、
ＰＣＶＤ装置の稼働率とパーティクル発生状況に関して
も著しい改善がなされる。

【０１４４】更に、露出した走査線上に陽極酸化により
走査線の陽極酸化層あるいは電着により有機絶縁層を形
成することで半導体層の島化工程とゲート絶縁層への開
口部形成工程と同時に行うこと、擬似画素電極の導入に
より画素電極と走査線を同時に形成する等のことによ
り、写真食刻工程数を従来の５回より４回、３回とさら
に削減できて製造コストの削減がなされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶パネルへの駆動回路等の実装の状態を示
す図である。

【図２】液晶パネルの等価回路を示す図である。

【図３】従来の液晶パネルの画素部の断面を示す図で
ある。

【図４】従来のアクティブ（マトリクス）基板の画素
部の平面を示した図である。

【図５】従来のアクティブ基板の画素部の製造工程の
進展に伴う断面の変化を示した図である。

【図６】チャネル・エッチ型ボトムゲートＴＦＴを使
用したアクティブ基板の平面図である。

【図７】上記アクティブ基板の製造工程の進展に伴う
断面の変化を示した図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態の（液晶）表示装
置の画素部の平面図である。

【図９】上記実施の形態の（液晶）表示装置用の基板
の製造工程の進展に伴う断面の変化を示す図である。

【図１０】基板内選択的電気化学処理装置の概要を示
した図である。

【図１１】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置
の画素部の平面図である。

【図１２】上記実施の形態の（液晶）表示装置用の基
板の製造工程の進展に伴う断面の変化を示す図である。

【図１３】本発明の第３の実施の形態の液晶表示装置
の画素部の平面図である。

【図１４】上記実施の形態の（液晶）表示装置用の基
板の製造工程の進展に伴う断面の変化を示す図である。

【図１５】本発明の第４の実施の形態の液晶表示装置
の画素部の平面図である。

【図１６】上記実施の形態の（液晶）表示装置用の基
板の製造工程の進展に伴う断面の変化の様子を示す図で
ある。

【図１７】本発明の第５の実施の形態の液晶表示装置
の画素部の平面図である。

【図１８】上記実施の形態の（液晶）表示装置用の基
板の製造工程の進展に伴う断面の変化の様子を示す図で
ある。

【図１９】本発明の第６の実施の形態の液晶表示装置
の画素部の平面図である。

【図２０】上記実施の形態の（液晶）表示装置用の基
板の製造工程の進展に伴う断面の変化の様子を示す図で
ある。

【図２１】本発明の第７の実施の形態の液晶表示装置
の画素部の平面図である。

【図２２】上記実施の形態の（液晶）表示装置用の基
板の製造工程の進展に伴う断面の変化の様子を示す図で
ある。

【図２３】本発明の第８の実施の形態の液晶表示装置
用の画素部の平面である。

【図２４】上記実施の形態の（液晶）表示装置用の基
板の製造工程の進展に伴う断面の変化の様子を示す図で
ある。

【符号の説明】

１液晶パネル２アクティブ基板（絶縁基板、ガラス基板）３半導体集積回路チップ４ＴＣＰフィルム５、６電極端子９カラーフィルタ（対向するガラス基板）１０絶縁ゲート型トランジスタ１１走査線（ゲート電極）１２信号線（ソース配線、ソース電極）１６蓄積容量線１７液晶１９偏光板２０配向膜２１ドレイン配線（電極）２２（透明導電性の）画素電極３０ゲート絶縁層３１不純物を含まない（第１の）非晶質シリコ
ン層３３不純物を含む（第２の）非晶質シリコン層３４（陽極酸化可能な）耐熱金属層３５低抵抗金属層（ＡＬ）３６（陽極酸化可能な）中間導電層３７パシベーション絶縁層３８（画素電極上のパシベーション絶縁層に形
成された）開口部５５蓄積電極６２（パシベーション絶縁層に形成されたドレ
イン電極上の）開口部６３（走査線上の）開口部６５（画素電極形成の）感光性樹脂パターン６６不純物を含む酸化シリコン層６７不純物を含まない酸化シリコン層６８５酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）６９アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）７０酸化チタン（ＴｉＯ₂）７１絶縁層（陽極酸化層または有機絶縁層）７２（接続層の）酸化層７６プラズマ保護層８０接続層８１透明導電層８２第１の金属層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/28 ３０１Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｍ 21/3205 ６１９Ａ 29/786 21/88 ＮＦターム(参考） 2H092 GA60 JA21 JA34 JA37 JA41 JB22 KA05 MA24 NA27 NA29 PA01 PA08 4M104 AA09 BB02 BB13 BB16 BB17 BB24 BB26 BB27 BB28 CC05 DD37 DD65 DD89 EE05 EE16 FF13 GG20 5C094 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB02 5F033 HH08 HH19 HH20 HH21 HH28 HH29 HH30 JJ01 JJ21 KK08 KK19 KK21 KK28 KK29 KK30 MM05 PP15 QQ08 QQ09 QQ11 QQ89 RR03 RR04 RR06 RR22 SS25 SS26 SS30 VV06 VV15 XX33 XX34 5F110 AA14 AA16 AA17 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE06 EE14 EE23 EE44 FF01 FF02 FF03 FF09 FF30 GG02 GG13 GG14 GG15 GG25 GG35 GG45 HK03 HK04 HK05 HK06 HK07 HK09 HK16 HK21 HK22 HK33 HK35 HK42 NN03 NN04 NN22 NN27 NN33 NN38 NN73 QQ09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に１層以上の金属層よりな
り、一部が絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
ねる走査線を形成するゲート配線等形成ステップと、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層と
を順次被着する積層ステップと、少なくともトランジスタの形成領域に、上記形成された
第２と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを選択
的に残して絶縁基板を露出する基板露出ステップと、少なくとも画像表示部内の露出している走査線とゲート
電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極
と一部重なるように第２の非晶質シリコン層を含んで絶
縁基板上にソース配線（信号線）とドレイン配線を形成
する配線形成ステップと、上記形成されたドレイン配線を含んで絶縁基板上に透明
導電性の画素電極を形成する画素電極形成ステップと、上記画素電極の選択的パターン形成に用いられた感光性
樹脂パターンをマスクとして画素電極を保護しつつ光を
照射しながらソース配線と、ドレイン配線と、ソース配
線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と、第１
の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化する光利用シリ
コン陽極酸化ステップとを有していることを特徴とする
表示装置用の基板の製造方法。
【請求項２】絶縁基板上に１層以上の金属層よりな
り、一部が絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
ねる走査線と接続層とを形成するゲート配線等形成ステ
ップと、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層と
を順次被着する積層ステップと、少なくともトランジスタ形成領域に、上記形成された第
２と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを選択的
に残して絶縁基板を露出する基板露出ステップと、少なくとも画像表示部内の露出している走査線とゲート
電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極
と一部重なるように第２の非晶質シリコン層を含んで絶
縁基板上にソース配線（信号線）と接続層の一部を含ん
でドレイン配線とを形成する配線形成ステップと、上記接続層の一部を含んで絶縁基板上に透明導電性の画
素電極を形成する画素電極形成ステップと、上記画素電極の選択的パターン形成に用いられた感光性
樹脂パターンをマスクとして画素電極を保護しつつ光を
照射しながらソース配線と、ドレイン配線と、ソース配
線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と、第１
の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化する光利用シリ
コン陽極酸化ステップとを有していることを特徴とする
表示装置用の基板の製造方法。
【請求項３】絶縁基板上に１層以上の金属層よりなり
絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線
を形成するゲート配線等形成ステップと、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層と
を順次被着する積層ステップと、少なくともトランジスタ形成領域に上記形成された第２
と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを選択的に
残して絶縁基板を露出する基板露出ステップと、少なくとも画像表示部内の露出している走査線とゲート
電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、絶縁基板上に透明導電性の画素電極を形成する画素電極
形成ステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極
と一部重なるように第２の非晶質シリコン層を含んで絶
縁基板上にソース配線（信号線）と画素電極の一部を含
んでドレイン配線とを形成する配線形成ステップと、光を照射しながらソース配線と、ドレイン配線と、ソー
ス配線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層全部
と、第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化する光
利用陽極酸化ステップとを有していることを特徴とする
表示装置用の基板の製造方法。
【請求項４】絶縁基板上に１層以上の金属層よりな
り、一部が絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
ねる走査線を形成するゲート配線等形成ステップと、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層と
を順次被着する積層ステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極
と一部重なるように第２の非晶質シリコン層上にソース
配線（信号線）とドレイン配線を形成する配線形成ステ
ップと、上記形成されたソース配線とドレイン配線下とトランジ
スタ形成領域に第２と第１の非晶質シリコン層とゲート
絶縁層とを選択的に残して絶縁基板を露出する基板露出
ステップと、少なくとも画像表示部内の露出している走査線とゲート
電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、上記ドレイン配線を含んで絶縁基板上に透明導電性の画
素電極を形成する画素電極形成ステップと、上記画素電極の選択的パターン形成に用いられた感光性
樹脂パターンをマスクとして画素電極を保護しつつ光を
照射しながらソース配線と、ドレイン配線と、ソース配
線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と、第１
の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化する光利用陽極
酸化ステップとを有していることを特徴とする表示装置
用の基板の製造方法。
【請求項５】絶縁性基板上に透明導電層と金属層との
積層よりなり、一部が絶縁ゲート型トランジスタのゲー
ト電極も兼ねる走査線と擬似画素電極とを形成するゲー
ト配線等形成ステップと、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着する積層ステップと、少なくともトランジスタ形成領域に第２と第１との非晶
質シリコン層を選択的に残してゲート絶縁層を露出する
ゲート絶縁膜露出ステップと、擬似画素電極上のゲート絶縁層とプラズマ保護層とを除
去して擬似画素電極を露出する疑似画素電極露出ステッ
プと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極
と一部重なるように第２の非晶質シリコン層を含んでゲ
ート絶縁層上にソース配線（信号線）と擬似画素電極の
一部を含んでドレイン配線とを形成するソース配線とド
レイン配線形成ステップと、上記形成された擬似画素電極上の金属層を除去する画素
電極露出ステップと、光を照射しながらソース配線と、ドレイン配線と、ソー
ス配線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と、
第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化する光利用
陽極酸化ステップとを有していることを特徴とする表示
装置用の基板の製造方法。
【請求項６】絶縁性基板上に透明導電層と金属層との
積層よりなり、一部が絶縁ゲート型トランジスタのゲー
ト電極も兼ねる走査線と擬似画素電極とを形成するゲー
ト配線等形成ステップと、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着する積層ステップと、少なくともトランジスタ形成領域に第２と第１の非晶質
シリコン層を選択的に残してゲート絶縁層を露出するゲ
ート絶縁層露出ステップと、擬似画素電極上のゲート絶縁層とプラズマ保護層とを除
去して擬似画素電極を露出する疑似画素電極露出ステッ
プと、上記擬似画素電極上に形成された金属層を除去する金属
層除去ステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極
と一部重なるように第２の非晶質シリコン層を含んでゲ
ート絶縁層上にソース配線（信号線）と画素電極の一部
を含んでドレイン配線とを形成するソース配線とドレイ
ン配線形成ステップと、光を照射しながらソース配線と、ドレイン配線と、ソー
ス配線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と、
第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化する光利用
陽極酸化ステップとを有していることを特徴とする表示
装置用の基板の製造方法。
【請求項７】絶縁性基板上に透明導電層と金属層との
積層よりなり、一部が絶縁ゲート型トランジスタのゲー
ト電極も兼ねる走査線と擬似画素電極とを形成するゲー
ト配線等形成ステップと、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着する積層ステップと、少なくともトランジスタ形成領域に第２と第１の非晶質
シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層とを選択的
に残して絶縁基板を露出する基板露出ステップと、少なくとも画像表示部内の露出している走査線とゲート
電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極
と一部重なるように第２の非晶質シリコン層を含んで絶
縁基板上にソース配線（信号線）と擬似画素電極の一部
を含んでドレイン配線とを形成するソース配線とドレイ
ン配線形成ステップと、上記擬似画素電極上に形成された金属層を除去する金属
層除去ステップと、光を照射しながらソース配線と、ドレイン配線と、ソー
ス配線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と、
第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化する光利用
陽極酸化ステップとを有していることを特徴とする表示
装置用の基板の製造方法。
【請求項８】絶縁性基板上に透明導電層と金属層との
積層よりなり、一部が絶縁ゲート型トランジスタのゲー
ト電極も兼ねる走査線と擬似画素電極とを形成するゲー
ト配線等形成ステップと、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着する積層ステップと、少なくともトランジスタ形成領域に第２と第１の非晶質
シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層とを選択的
に残して絶縁基板を露出する基板露出ステップと、上記擬似画素電極上に形成された金属層を除去する金属
層除去ステップと、少なくとも画像表示部内の露出している走査線とゲート
電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、ゲート電極
と一部重なるように第２の非晶質シリコン層を含んで絶
縁基板上にソース配線（信号線）と画素電極の一部を含
んでドレイン配線とを形成するソース配線とドレイン配
線形成ステップと、光を照射しながらソース配線と、ドレイン配線と、ソー
ス配線とドレイン配線間の第２の非晶質シリコン層と、
第１の非晶質シリコン層の一部とを陽極酸化する光利用
陽極酸化ステップとを有していることを特徴とする表示
装置用の基板の製造方法。
【請求項９】絶縁層を陽極酸化によって形成すること
を特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４
若しくは請求項７に記載の表示装置用の基板の製造方
法。
【請求項１０】絶縁層が有機絶縁物の電着によって付
着形成されることを特徴とする請求項１、請求項２、請
求項３、請求項４、請求項７若しくは請求項８に記載の
表示装置用の基板の製造方法。