JP2002166209A - 膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
布液供給手段を有する基板の膜形成装置を提供する。 【解決手段】 ウェハW上にレジスト液を吐出する吐出
ノズル85は,略円筒形の内ボディー96と,この下面
を閉鎖する円盤状のノズルプレート95とを有する。こ
のノズルプレート95の中心には吐出口94が形成され
る。このノズルプレート95は,内ボディー96の外側
で螺着する外ボディー97によって,内ボディー96の
下面に対して,密着固定される。レジスト液は溶剤によ
って希釈したものを使用し,濃度は1.0〜7.0%の
ものが好ましい。
Description
に関する。
おけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し,レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理,ウェハにパターンを露光する露光処理,露光後の
ウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ,ウェハ
に所定の回路パターンを形成する。
置において,ウェハにレジスト液を吐出する塗布液吐出
ノズルは,一般に樹脂製で先細のものが用いられてい
る。この先細の塗布液吐出ノズルは,射出成型加工を用
いて形成されているため,この穴径は,加工技術の限界
から,2mm程度である。
半導体技術の進歩に伴い,さらに細い回路パターンの線
幅が要求されてきており,この塗布液吐出ノズルの吐出
口の穴径が,そのまま塗布液の径となるため,より小さ
い穴の形成が望まれている。また,レジスト液の無駄な
吐出を抑制するためには,径の小さいのもが好ましい。
であり,塗布液が吐出される吐出口の穴径をより小さく
することが可能な塗布液吐出手段を有する膜形成装置を
提供することをその目的としている。
ば,塗布液吐出手段から基板に塗布液を供給してこの基
板表面に膜を形成する膜形成装置であって,前記塗布液
吐出手段は,略筒状の支持部材と,前記支持部材の基板
側の面を閉塞する薄板を有し,前記薄板には,基板に塗
布液を吐出する所定径の吐出口が設けられていることを
特徴とする基板の膜形成装置が提供される。
通って薄板の吐出口から吐出されることになるが,レー
ザー加工等により薄板には,従来の射出成型加工よりも
微小な穴を形成することが可能である。したがって,本
発明によれば,極めて微小な吐出口から塗布液を塗布す
ることが可能である。その結果,やむ終えず基板外に吐
出される塗布液の量が減少される。また,吐出口の径を
小さくできることから塗布液の吐出量や吐出部分を厳格
に制御することができる。
のように,外方から薄板を前記支持部材に対して固定す
る押さえ部材を有するようにしてもよい。このように,
前記薄板を押さえることにより,塗布液に印可される圧
力により,前記薄板が前記支持部材からはずれることが
より確実に防止される。また,塗布液の前記吐出口以外
からの流出も防止される。この場合,薄板を前記押さえ
部材と一体にして,「薄板部」とした構造にしてもよ
い。
基板側の面の周縁部は,基板に近づくにつれて,前記吐
出口の径が大きくなるようなテーパ状に形成されている
ことを特徴としている。したがって,塗布液が前記吐出
口から吐出される際に,前記薄板との接触面積が減少
し,表面張力等の影響が抑制されるため,滑らかに吐出
される。また,吐出口周縁部に塗布液が付着して,表面
張力によって,吐出に影響を与えることも抑制される。
おける基板側の面の逆側の面の周縁部は,基板に近づく
につれて,前記吐出口の径が小さくなるように形成され
ていることを特徴としている。このように,前記吐出口
の基板に対して逆側の面の周縁部をテーパ形状とするこ
とにより,塗布液がこの薄板を通過する際に,余計な圧
力損失が抑制され,滑らかに吐出される。また,吐出口
周縁部に塗布液が付着して,表面張力によって,吐出に
影響を与えることも抑制される。
る基板側の面の周縁部の周辺部に凹部を形成してもよ
い。このように,前記基板側の面の周縁部の周辺部を凹
ませることにより,塗布液が前記吐出口から吐出する際
に,吐出口周縁部に塗布液が付着して,表面張力の変動
することによる影響を抑制させることができる。
布液に対する撥水処理を施してもよい。このように撥水
処理を施すことにより,塗布液が前記吐出口に対して撥
水し吐出口から滑らかに吐出される。したがって,基板
に安定した所定の塗布液を供給することができる。
に対して,着脱自在であることを特徴としている。この
ように前記薄板を着脱自在にすることにより,前記吐出
口の径を変えて吐出する場合,薄板が汚染した場合等
に,薄板を容易に交換することができる。したがって,
前述の場合に速やかに対応できるうえ,他種類の穴径が
使用可能となる。
口を複数個設けるようにしてもよい。このように,前記
吐出口を複数個設けることにより,穴径の小さな吐出口
を有する薄板を用いた場合においても,必要な場合に
は,基板への吐出量を増やすことが可能となる。
は,基板に対して,相対的に水平方向に移動自在である
ことを特徴とする基板の膜形成装置が提供される。
動自在にすることにより,例えば,基板上を移動しなが
ら,塗布液を吐出し,いわゆる一筆書きの要領で基板上
に塗布膜を形成する場合にも応用できる。このように,
いわゆる一筆書きの要領で塗布液を吐出することによ
り,基板全面に渡り,均一に塗布液が供給されるため,
斑のない厚みの均一な塗布膜が形成される。
節可能とする温度調節手段を有することを特徴とする基
板の膜形成装置が提供される。
することにより,薄板の温度を所定の温度に維持するこ
とが可能となる。こうすることにより,前記薄板に形成
された吐出口の径が一定する。また,前記吐出口内を流
れる塗布液の温度を所定の温度に維持することができ
る。従って,塗布液の粘度,表面張力が一定し,安定し
た塗布液を基板に供給することができる。
温度調節可能な流体が流れる流路が設けられていること
を特徴としている。かかる構成により,前記支持部材に
接した前記薄板や塗布液の温度を所定の温度に維持する
ことができる。したがって,前記薄板の吐出口の径,塗
布液の粘度等が一定し,安定した塗布液が基板に供給さ
れる。
のように前記押さえ部材に設けてもよい。したがって,
上述したように前記薄板の吐出口の径や塗布液の粘度等
が安定し,所定の塗布液を基板に供給することができ
る。
15のように,前記温度調節手段として電子冷熱素子を
使用し,この電子冷熱素子を前記支持部材又は前記押さ
え部材に接触して設けるようにしてもよい。
モモジュールにより前記薄板の温度を一定の温度に維持
することにより,前記薄板に設けられた吐出口の径を一
定に維持することができる。また,前記吐出口内を流れ
る塗布液の温度を所定の温度に維持することができるた
め,その塗布液の粘度等を所定の温度に維持することが
でき,所定の塗布液が基板に供給される。また,支持部
材等に流路を形成する加工も不要となる。
ンコーティング法で塗布される塗布液よりも例えば溶剤
等で希釈して,粘度がより低くなったものが適してい
る。例えば粘度については,2cP〜7cPが好まし
い。具体的には,例えば塗布液がフォトレジスト形成用
の塗布液である場合には,当該塗布液中のフォトレジス
ト膜形成成分の分量(容積百分率)が,塗布液の1.0
%〜7.0%,とりわけ1.5%程度が適している。ま
た例えば塗布液が層間絶縁膜形成用の塗布液である場合
には,当該塗布液中の層間絶縁膜形成成分の分量は,塗
布液の1.0〜8.0%,とりわけ4.0%程度が適し
ている。
希釈して使用することにより,吐出口からの吐出が円滑
に行われる。しかも後述の実施の形態で説明するよう
に,吐出ノズルから吐出した際,ピッチ間の塗布液が濡
れ性でくっつき,均一な塗布が容易である。
ることにより,複数の塗布液吐出手段を並列して使用す
る場合に,押さえ部材を安定して接合させることが可能
になる。
態について説明する。図1は,本実施の形態にかかるレ
ジスト塗布装置を有する塗布現像処理システム1の平面
図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図で
あり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図であ
る。
うに,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセ
ットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットス
テーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション3と,この処理ステーション3に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハWの受け
渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構
成を有している。
るカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセット
CをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在とな
っている。そして,このカセット配列方向(X方向)と
カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z
方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が
搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセッ
トCに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処
理装置群G3に属するエクステンション装置32に対して
もアクセスできるように構成されている。
搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム1においては,
4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第
1及び第2の処理装置群G1,G2は現像処理システム1の
正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットス
テーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4
は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。
さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群
G5を背面側に別途配置可能となっている。
すように,本実施の形態にかかるレジスト塗布装置17
と,ウェハWに現像液を供給して処理する現像処理装置
18が下から順に2段に配置されている。第2の処理装
置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置19と,現像
処理装置20とが下から順に2段に積み重ねられている
すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置3
0,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置31,ウェハWを待機させるエクステ
ンション装置32,レジスト液中の溶剤を減圧乾燥させ
るバキュームドライング装置33,プリベーキング装置
34及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング
装置35,36等が下から順に例えば7段に重ねられて
いる。
グ装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置41,エクステンション装
置42,クーリング装置43,露光処理後の加熱処理を
行うポストエクスポージャーベーキング装置44,4
5,ポストベーキング装置46,47等が下から順に例
えば8段に積み重ねられている。
搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50は
X方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移
動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在
にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置41,エクス
テンション装置42,周辺露光装置51及び図示しない
露光装置に対してアクセスできるように構成されてい
る。
について説明するが,ここでは,レジスト液を吐出する
レジスト液吐出手段がウェハWに対して,相対的に移動
しながらレジスト液を塗布する,いわゆる一筆書きの要
領の塗布方式を実施可能なレジスト塗布装置を採用す
る。
には,図4,図5に示すように,Y方向(図5中の上下
方向)に長い略箱形の外容器61が設けられており,こ
の外容器61は,上面が開口している。この外容器61
内には,その中でウェハWを処理する内容器62が設け
られている。この内容器62は,上面が開口しており,
また,外容器61の底面上に設けられたY方向に伸びる
2本のレール63上を内容器駆動機構64により移動自
在に構成されている。したがって,ウェハWを内容器6
2に搬入,搬出する場合には,内容器62が外容器61
のY方向正方向側(図5中の上方)の搬送部Lに移動
し,ウェハWを塗布処理する場合には,Y方向負方向側
(図5中の下方)の処理部Rに移動することができる。
また,ウェハWに対してレジスト液を塗布中においても
内容器62を所定のタイミングで所定の距離だけY方向
に移動させることが可能となる。
を吸着して保持する載置台65が設けられており,その
下方には,この載置台65を回転自在とする回転駆動6
6が設けられている。また,この載置台65には,例え
ば超音波振動子67が取り付けられており,載置台65
を高周波数で振動させることができる。内容器62の底
面には,内容器62内を所定濃度の溶剤雰囲気に維持す
るための溶剤を貯留する溶剤タンク68が設けられてい
る。
が設けられており,ここからの排気により内容器62内
に気流を発生させてウェハW周辺を所定の溶剤濃度に維
持することができるようになっている。
布範囲を限定するマスク部材70をがウェハW上方に設
けられており,このマスク部材70は,内容器62の内
側壁に設けられているマスク支持部材71で支持され
る。また,マスク部材70は,図示しない搬送機構によ
りX方向に搬送可能になっている。したがって,マスク
部材70を外容器61のX方向負方向側(図5中の左方
向)の洗浄部に待機させておき,ウェハWを有する内容
器62が処理部Rに移動した後に,前記搬送機構によ
り,マスク部材70を内容器62内のマスク支持部材7
1上に搬入することが可能となる。
理部R側に蓋をする蓋体80が固定して取り付けられて
おり,内容器62が処理部R側に移動したときに,その
上方が蓋体80で覆われると,所定の雰囲気を維持しや
すくなる。また,この蓋体80には,X方向に伸びるス
リット80aが設けられており,このスリット80a内
を後述する塗布液吐出手段としての吐出ノズル85がX
方向に移動する。
設けられた蓋体80のスリット80aには,本発明にか
かるレジスト液を吐出する吐出ノズル85が下方のウェ
ハWに吐出可能に設けられている。この吐出ノズル85
は,ノズル保持部材のホルダ91に固定され,このホル
ダ91は,X方向に伸びるタイミングベルト86に取り
付けられている。このタイミングベルト86は,蓋体8
0上に設けられたプーリ88,89間に掛けられ,プー
リ88は,図示しないモータなどの回転機構によって正
転・反転される。その結果,タイミングベルト86によ
り,この吐出ノズル85は,蓋体80のスリット80a
内を往復移動できる。したがって,吐出ノズル85が下
方のウェハWに対して相対的に移動ながら,レジスト液
を吐出し,さらに内容器62がY方向に間欠的に移動す
ることにより,いわゆる一筆書きの要領でウェハWにレ
ジスト液を供給することができる。
説明する。吐出ノズル85は,図6に示すように,支持
部材としての略円筒形の内ボディー96と,この下面を
閉鎖する薄板としてのノズルプレート95とを有し,こ
のノズルプレート95の中心に吐出口94が形成されて
いる。このノズルプレート95は,内ボディー96の外
側で螺着する押さえ部材としての外ボディー97によっ
て,内ボディー96の下面に対して,密着固定されてい
る。
度の金属材,例えばステンレス材が用いられ,その外形
は円形に加工されている。このノズルプレート95の中
心には,直径が10μmから200μmの範囲の所定の
大きさの吐出口94が形成されている。また,図7に示
すように,この吐出口94の上面周縁部94aは,下方
に行くにつれて径が小さくなるようなテーパ形状に形成
されており,一方,吐出口94の下面周縁部94bは,
下方に行くにつれ径が大きくなるようなテーパ形状に形
成されている。さらに,この吐出口94には,使用され
るレジスト液に対する撥水処理,例えば無電解ニッケル
処理がされている。なお,ノズルプレート95の材質と
して,PTFE等の樹脂やセラミックを利用してもよ
い。
り,上端部には,図示しないレジスト液供給源からレジ
スト液が供給される供給口96aを有している。この内
ボディー96の下端部は,開口端であるが,前記ノズル
プレート95によって閉鎖されている。したがって,供
給口96aから内ボディー96内に供給されたレジスト
液は,内ボディー96内を通過し,下端部のノズルプレ
ート95の吐出口94からウェハW上に吐出される。
である。この外ボディー97の内側の形状は,内ボディ
ー96の外形に対応しており,内ボディー96の下端面
96bと外ボディー97の内側底面とでノズルプレート
95を下から押さえながら,内ボディー96を外から覆
うように構成されている。このボディー97の下端に
は,レジスト液を吐出するのを妨げないように穴が設け
られている。さらに,外ボディー97の外壁には,図示
しない温度制御装置に制御される電子冷熱素子としての
例えばペルチェ素子100が接触して取り付けられてお
り,外ボディー97を介して,ノズルプレート95及び
レジスト液の温度を調節可能としている。
ー97の内側面には,ねじが切られており,内ボディー
97から外ボディー97を取り外すことにより,ノズル
プレート95を取り外すことができる。したがって,ノ
ズルプレート95が汚染された場合やノズルプレート9
5を種種の材質,形状等の他の径のものに交換する場合
等に迅速かつ容易に対応できる。
ト塗布装置17の作用について,塗布現像処理システム
1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共
に説明する。
処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に
属するアドヒージョン装置31に搬入する。そして,レ
ジスト液の密着性を向上させる例えばHMDSを塗布された
ウェハWは,主搬送装置13によって,クーリング装置
30に搬送され,所定の温度に冷却される。その後,ウ
ェハWは,レジスト塗布装置17又は19に搬送され
る。
述するいわゆる一筆書きの要領でレジスト液が塗布され
たウェハWは,その後,主搬送装置13により,バキュ
ームドライング装置33,プリベーキング装置34,ク
ーリング装置40に順次搬送される。その後ウェハW
は,各処理装置において露光処理,現像処理等の一連の
所定の処理が行われ,塗布現像処理が終了する。
いて詳しく説明すると,先ず,クーリング装置30にお
いて所定の温度に冷却されたウェハWが主搬送値13に
より,レジスト塗布装置17のケーシング60内に搬入
される。このとき外容器61内の内容器62は予め搬送
位置Lで待機しており,ウェハWは,主搬送装置13に
より直接載置台65に載置され,吸着保持される。ここ
で,回転機構66により,図示しないアライメント機構
によりウェハWのノッチ又はオリフラを検出し,ウェハ
Wは所定の位置に位置決めされる。次に,内容器駆動機
構64により内容器62を処理位置Rに移動させる。そ
の後洗浄部に待機されていたマスク部材70が,図示し
ない搬送機構により,外容器61外から内容器内に搬送
され,マスク支持部材71上に載置される。
を所定速度で排気し,内容器62内を所定の雰囲気に維
持する。そして,この内容器62内において,吐出ノズ
ル85がウェハWに対して相対的に移動しながら,レジ
スト液を塗布し,ウェハW上にレジスト膜を形成する。
例えば,図8に示すように,先ず吐出ノズル85が,S
TART位置からX方向正方向(図8の右方向)に所定
の速度で移動しながら,レジスト液をウェハW上に吐出
する。このとき,吐出ノズル85では,図示しないレジ
スト液供給源から所定の圧力で圧送されたレジスト液が
内ボディー96の上端部96aから供給され,ボディー
96内を通過し,ノズルプレート95の吐出口94から
吐出されている。また,ノズルプレート95は外ボディ
ー97に取り付けられているペルチェ素子100により
所定の温度に保たれているため,吐出口94の径が変化
せず,ノズルプレート95からは,所定の径の糸状にレ
ジスト液が吐出される。
釈されたものを使用することが好ましい。例えばレジス
ト膜形成成分がレジスト液中に占める容積が1.5%と
なるように希釈して使用するのが好ましい。このように
希釈することで,吐出口94からの吐出が円滑に行え
る。
径分よりも長い距離,すなわち常にウェハW端部より外
側に出た位置まで進み,マスク部材70上で一旦停止す
る。このときもレジスト液は吐出され続け,このウェハ
W以外の場所に吐出されたレジスト液はマスク部材70
により受け止められ排液される。そして,内容器駆動機
構64により内容器62がY方向に所定距離ずらされ,
ウェハWもY方向にずれる。その後,吐出ノズル85
は,折り返して,引き続きレジスト液を塗布しながら,
X方向負方向に移動し,同様にして,ウェハW外方まで
進み停止する。そして,ウェハWが所定距離Y方向にず
れ,再び吐出ノズル85は,折り返しウェハWにレジス
ト液を塗布する。
が,図8に示すEND位置まで来たところで吐出を停止
し,塗布が終了する。これによって,吐出ノズル85の
軌跡は図8に示した通りになり,ウェハWの全面にいわ
ゆる一筆書きの要領でレジスト液が塗布される。その後
載置台65に取り付けられている高周波振動子67によ
り,ウェハWが振動され,ウェハW上のレジスト液が平
坦化される。そして最終的に,ウェハW上の塗布範囲に
は,レジスト液が斑なく塗布され,所定の膜厚のレジス
ト膜が形成される。
が1.5%に希釈されたものを使用しているので,ウェ
ハWが所定距離Y方向にずれるように塗布しても,その
濡れ性によって塗布されたレジスト液の盛り上がり低
く,かつピッチを空けて隣に塗布されたレジスト液とく
っつき,全体として平坦性が良好で均一なレジスト膜を
形成することが可能である。
0が図示しない搬送機構により,外容器61内から搬出
され,その後,内容器62が内容器駆動機構64によ
り,搬送部Lに移動される。そして,主搬送装置13に
より,ケーシング60内から搬出され,次工程が行われ
るバキュームドライング装置33に搬送され,減圧乾燥
処理される。
は,ステンレスの薄板であるノズルプレート95を使用
することにより,加工が容易であるため直径10μmか
ら200μm程度の小さな吐出口を有している。その結
果,ウェハWの塗布範囲以外でのレジスト液の塗布量が
減少するため,ウェハWのレジスト塗布に必要なレジス
ト液の量が減少する。また,より細かく吐出量或いは吐
出範囲を制御できることから,歩留まりの向上につなが
る。なお,上述したノズルプレート95には,ステンレ
スを用いたがその他の金属,例えば,アルミニウム,黄
銅等でもよいし,PTFE樹脂,セラミック等の非金属
材料でもよい。
両面周縁部94a,94bにテーパを設け,撥水処理を
施すことにより,より滑らかにレジスト液が吐出され,
レジスト液の吐出線の直径や吐出方向が安定するので,
所定のレジスト液が適切に塗布される。なお,このよう
に吐出口94の両面周縁部94a,94bにテーパを設
ける場合の他,図9に示すように,上面周縁部だけ(図
9の(a)),下面周縁部だけ(図9の(b))でもよ
い。さらに,図9の(c)のように,吐出口94の下面
周縁部の周辺部に,凹部95aを形成してもよい。こう
することにより,吐出されるレジスト液がノズルプレー
ト95の下面との間に働く表面張力の影響を抑制するこ
とができるため,レジスト液の吐出方向を安定させてウ
ェハWに供給することができる。
ー97にペルチェ素子100を取り付けることにより,
ノズルプレート95と内ボディー96内を流れるレジス
ト液が所定の温度に維持されるため,ノズルプレート9
5の吐出口の径と,レジスト液の粘性等の物性が安定
し,所定のレジスト液が適切に塗布される。
内ボディー96と外ボディー97とを取り外すことによ
り,着脱自在であるため,ノズルプレート95を洗浄す
る場合や径の異なるノズルプレート95を使用する場合
に吐出ノズル85自体を交換する必要が無く便利であ
る。
95とレジスト液の温度を維持させるために,ペルチェ
素子100を使用したが,その他の方法例えばサーモモ
ジュールで温度調節してもよい。
7に温度調節されたガス又は液体を流す流路105を設
けて温度調節するようにしてもよい。また,この流路1
05を内ボディー96に取り付けるようにしてもよい。
さらに,上述したペルチェ素子等の電子冷熱素子を内ボ
ディー96に取り付けてもよい。また,ノズルプレート
95に直接電子冷熱素子を取り付けるようにしてもよ
い。
処理は,材質がアルミニウムのノズルプレートにテフロ
ン加工したり,アルマイト,クロメート,金メッキ,銀
メッキしても,同様の効果が得られ,レジスト液を滑ら
かに吐出させることができる。ノズルプレート95の吐
出口94は,一つだけ設けられていたが,複数個でもよ
い。こうすることにより,径を小さくすることによる塗
布速度の低下が回避され,スループットの向上が図られ
る。
ズルプレート95を採用せず,セラミックス製の外ボデ
ィー97の下面に,突出部97aを形成し,突出部97
aの下面に薄板部97bを採用し,この薄板部97bに
吐出口94を形成したものである。PTFEからなる内
ボディー96の下端面96bには,環状溝98が形成さ
れ,この環状溝98内には,Oリング98aがはめられ
ている。
製のノズルプレートを採用しておらず,しかも内ボディ
ー96,外ボディー97とも金属材料ではないので,全
体として金属汚染を引き起こさない。またノズルプレー
トを採用していないので,部品数も低減している。なお
吐出口94の種々の形態については,前出各実施の形態
の吐出口の変形例をそのまま採用できる。
ついては,図12に示したように,四角形が適してい
る。外ボディー97の外形を四角形にすることで,他の
吐出ノズル85と接触して並列使用する際,両吐出ノズ
ル85を固定しやすく,また安定した固定状態を実現で
きる。
ト液をウェハWに対して上方から吐出していたが,本発
明はウェハWの表面を下面にした状態で,このウェハW
の下方から上方に向けて吐出し,レジスト膜を形成する
場合にも適用できる。いわゆる一筆書きの要領でレジス
ト液を塗布していたがその他の方式例えば,ウェハWを
回転させてレジスト液を塗布するスピンコーティング方
式等で塗布する場合にも応用可能である。
レジスト液を塗布し,レジスト膜を形成する膜形成装置
であったが,絶縁膜等の他の膜形成装置においても応用
できる。また,ウェハW以外の基板例えばLCD基板の
膜形成装置にも応用される。
吐出口を形成した構成を採用しているので,従来よりも
径の小さい吐出口を提供することができる。その結果,
塗布液の無駄が減少し,コストダウンに繋がる。また,
塗布液の吐出量や吐出部分を厳格に制御できるため,歩
留まりの向上が図られる。
り,薄板を基板側の面から押さえることにより,塗布液
にかかる圧力が大きくても,薄板が薄板を支持する支持
部材からはずれることが防止される。また,塗布液の薄
板の吐出口以外からの流出が防止される。
出口から滑らかに吐出され,塗布液の吐出方向が安定す
る。したがって,塗布が適切に行われ,歩留まりの向上
が図られる。また薄板と押さえ部材とを一体化すると,
部材数の低減が図れ,取り扱いも容易になる。
に対する撥水処理を施すことにより,塗布液が前記吐出
口に対して滑らかに流れる。したがって,基板に安定し
た塗布液を供給することができるため,歩留まりの向上
が図られる。
ことにより,穴径の異なる薄板を使用する場合,薄板が
汚染した場合等に,薄板を容易に交換することができ
る。したがって,前述の場合に速やかに対応できるので
スループットの向上に繋がる。
設けることにより,穴径の小さな吐出口を有する薄板を
用いた場合においても,基板への吐出量を増やすことが
可能となりスループットの向上が図られる。
動自在にすることにより,例えば,基板上を移動しなが
ら,塗布液を吐出し,いわゆる一筆書きの要領で基板上
に塗布膜を形成する場合にも応用できる。このように,
いわゆる一筆書きの要領で塗布液を吐出することによ
り,基板全面に渡り,均一に塗布液が供給されるため,
斑のない厚みの均一な塗布膜が形成され,歩留まりの向
上が図られる。
能とすることにより,薄板の温度を所定の温度に維持す
ることが可能となる。こうすることにより,前記薄板に
形成された吐出口の径が一定し,また薄板の吐出口内を
流れる塗布液の粘度,表面張力が一定するため,安定し
た塗布液を基板に供給することができ,歩留まりの向上
が図られる。
板と塗布液の温度を維持することができる。したがっ
て,薄板の吐出口の径,塗布液の粘度等が一定し,安定
した塗布液が基板に供給され,歩留まりの向上が図られ
る。
り,比較的容易に薄板と塗布液の温度を維持することが
できる。したがって,薄板の吐出口の径,塗布液の粘度
等が一定し,安定した塗布液が基板に供給され,歩留ま
りの向上が図られる。
定の範囲にまで希釈した塗布液を使用すれば,吐出口か
らの吐出が円滑に行われ,さらにまた前記実施の形態で
説明したいわゆる一筆書きの要領で基板上に塗布液を塗
布した際,均一でより薄い膜の塗布を実現することが可
能である。請求項17のよう,押さえ部材の外形を四角
形とすれば,複数の塗布液吐出手段を並べて使用する
際,各塗布液吐出手段相互を安定して固定接続できる。
塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
面の説明図である。
面の説明図である。
断面を示す説明図である。
である。
示す説明図である。
示した縦端面の拡大図である。
図である。
ノズルの縦断面を示す説明図である。
吐出ノズルを接続固定した様子を示す斜視図である。
Claims (17)
- 【請求項1】 塗布液吐出手段から基板に塗布液を供給
してこの基板表面に膜を形成する膜形成装置であって,
前記塗布液吐出手段は,略筒状の支持部材と,前記支持
部材の基板側の面に支持され,この基板側の面を閉塞す
る薄板を有し,前記薄板には,前記基板に塗布液を吐出
する所定径の吐出口が設けられていることを特徴とす
る,基板の膜形成装置。 - 【請求項2】 さらに,外方から前記薄板を前記支持部
材に対して固定する押さえ部材を有することを特徴とす
る,請求項1に記載の基板の膜形成装置。 - 【請求項3】 前記薄板は,前記押さえ部材と一体とな
った構造を有していることを特徴とする,請求項2に記
載の基板の膜形成装置。 - 【請求項4】 前記薄板の吐出口における基板側の面の
周縁部は,前記基板に近づくにつれて,前記吐出口の径
が大きくなるように形成されていることを特徴とする,
請求項1,2又は3のいずれかに記載の基板の膜形成装
置。 - 【請求項5】 前記薄板の吐出口における前記基板側の
面の逆側の面の周縁部は,前記基板に近づくにつれて,
前記吐出口の径が小さくなるように形成されていること
を特徴とする,請求項1,2,3又は4のいずれかに記
載の基板の膜形成装置。 - 【請求項6】 前記薄板の吐出口における基板側の面の
周縁部の周辺部には,凹部が形成されていることを特徴
とする,請求項1,2,3,4又は5のいずれかに記載
の基板の膜形成装置。 - 【請求項7】 少なくとも前記薄板の吐出口は,前記塗
布液に対する撥水処理がなされていることを特徴とす
る,請求項1,2,3,4,5又は6のいずれかに記載
の基板の膜形成装置。 - 【請求項8】 前記薄板は,前記支持部材に対して,着
脱自在であることを特徴とする,請求項1,2,3,
4,5,6又は7のいずれかに記載の基板の膜形成装
置。 - 【請求項9】 前記薄板の吐出口が複数個設けられてい
ることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,
7又は8のいずれかに記載の基板の膜形成装置。 - 【請求項10】 前記塗布液吐出手段は,基板に対し
て,相対的に水平に移動自在であることを特徴とする,
請求項1,2,3,4,5,6,7,8又は9のいずれ
かに記載の基板の膜形成装置。 - 【請求項11】 前記薄板を温度調節可能とする温度調
節手段を有することを特徴とする,請求項1,2,3,
4,5,6,7,8,9又は10のいずれかに記載の基
板の膜形成装置。 - 【請求項12】 前記支持部材には,温度調節用の流体
が流れる流路が設けられていることを特徴とする,請求
項1,2,3,4,5,6,7,8,9又は10のいず
れかにに記載の基板の膜形成装置。 - 【請求項13】 前記押さえ部材には,温度調節用の流
体が流れる流路が設けられていることを特徴とする,請
求項1,2,3,4,5,6,7,8,9又は10のい
ずれかに記載の基板の膜形成装置。 - 【請求項14】 前記温度調節手段は,電子冷熱素子で
あって,この電子冷熱素子は,前記支持部材又は前記押
さえ部材に接触して設けられていることを特徴とする,
請求項11に記載の基板の膜形成装置。 - 【請求項15】 前記塗布液は,フォトレジスト形成用
の塗布液であって,当該塗布液中のフォトレジスト膜形
成成分の分量は,塗布液の1.0%〜7.0%であるこ
とを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,
8,9,10,11,12,13又は14のいずれかに
記載の基板の膜形成装置。 - 【請求項16】 前記塗布液は,層間絶縁膜形成用の塗
布液であって,当該塗布液中の層間絶縁膜形成成分の分
量は,塗布液の1.0〜8.0%であることを特徴とす
る,請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9,1
0,11,12,13又は14のいずれかに記載の基板
の膜形成装置。 - 【請求項17】 前記押さえ部材の側周面は,四角形で
あることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,
6,7,8,9,10,11,12,13,14,15
又は16のいずれかに記載の基板の膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000382705A JP2002166209A (ja) | 1999-12-16 | 2000-12-15 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35787499 | 1999-12-16 | ||
JP2000290230 | 2000-09-25 | ||
JP2000-290230 | 2000-09-25 | ||
JP11-357874 | 2000-09-25 | ||
JP2000382705A JP2002166209A (ja) | 1999-12-16 | 2000-12-15 | 膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002166209A true JP2002166209A (ja) | 2002-06-11 |
Family
ID=27341564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000382705A Pending JP2002166209A (ja) | 1999-12-16 | 2000-12-15 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002166209A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004322091A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 洗浄ユニット、これを有するコーティング装置及び方法 |
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JP2021008970A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社アルバック | 凍結乾燥用ノズル、凍結乾燥装置、および、造粒方法 |
-
2000
- 2000-12-15 JP JP2000382705A patent/JP2002166209A/ja active Pending
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