JP2002164613A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JP2002164613A JP2002164613A JP2000359552A JP2000359552A JP2002164613A JP 2002164613 A JP2002164613 A JP 2002164613A JP 2000359552 A JP2000359552 A JP 2000359552A JP 2000359552 A JP2000359552 A JP 2000359552A JP 2002164613 A JP2002164613 A JP 2002164613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- switching element
- switching
- static electricity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＬＤを保護することができ、ＬＤの組み込み工
程や、ＬＤの扱いを容易にする半導体レーザ装置を提供
する。 【解決手段】通常状態では、ｎチャネルＦＥＴ２がオン
であり、ＬＤ１のアノードとカソードがＦＥＴ２を通じ
て実質的に短絡されている。このため、静電気が端子３
に加わっても、この静電気の殆どがＦＥＴ２に流れる。
これにより、ＬＥＤ１が静電気から保護される。ＬＤ１
を発光駆動するときには、ＦＥＴ２のゲートに接続され
ている端子４に制御電圧（負電位）を印加して、ＦＥＴ
２をオフにする。この状態では、駆動電流を端子３に供
給すると、この駆動電流がＬＤ１に流れ、ＬＤ１が発光
する。
程や、ＬＤの扱いを容易にする半導体レーザ装置を提供
する。 【解決手段】通常状態では、ｎチャネルＦＥＴ２がオン
であり、ＬＤ１のアノードとカソードがＦＥＴ２を通じ
て実質的に短絡されている。このため、静電気が端子３
に加わっても、この静電気の殆どがＦＥＴ２に流れる。
これにより、ＬＥＤ１が静電気から保護される。ＬＤ１
を発光駆動するときには、ＦＥＴ２のゲートに接続され
ている端子４に制御電圧（負電位）を印加して、ＦＥＴ
２をオフにする。この状態では、駆動電流を端子３に供
給すると、この駆動電流がＬＤ１に流れ、ＬＤ１が発光
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
を含む半導体レーザ装置に関する。
を含む半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子（レーザダイオード）
は、その静電耐圧が他の素子と比較して低い。これは、
レーザダイオード（以下ＬＤと称す）そのものがＧａＡ
ｌＡｓ等の材質からなる単一のダイオードチップであっ
て、その構造が他の素子とは全く異なるためである。ま
た、ＬＤに対して高速応答性が要求される場合は、その
静電容量を小さくされることも、静電耐圧の低下の要因
になっている。
は、その静電耐圧が他の素子と比較して低い。これは、
レーザダイオード（以下ＬＤと称す）そのものがＧａＡ
ｌＡｓ等の材質からなる単一のダイオードチップであっ
て、その構造が他の素子とは全く異なるためである。ま
た、ＬＤに対して高速応答性が要求される場合は、その
静電容量を小さくされることも、静電耐圧の低下の要因
になっている。
【０００３】この様なＬＤを静電対策が施されていない
集積回路に搭載したり、ＬＤの端子が集積回路から外部
へと直接引き出されていると、静電気がＬＤに印加され
易く、ＬＤが静電破壊されるという事態を招く。
集積回路に搭載したり、ＬＤの端子が集積回路から外部
へと直接引き出されていると、静電気がＬＤに印加され
易く、ＬＤが静電破壊されるという事態を招く。
【０００４】このため、ＬＤを各種の電子機器に組み込
む工程においては、静電気がＬＤに印加されない様に、
細心の注意がはらわれる。例えば、ＬＤは、コンパクト
ディスクやビデオディスク等の光ディスクに対する情報
の読み出しや書き込むを行う光ピックアップに組み込ま
れる。この組み立て工程においては、例えば半田ごての
こて先に漏洩電流が流れない様に半田ごてをアースに接
続したり、作業者にアースバンドを着用させて、作業者
の体電位を低くしたり、ＬＤはもとより、その端子に直
接触れない様にしたり、その周辺の光学部品に対しても
十分な配慮を必要とした。
む工程においては、静電気がＬＤに印加されない様に、
細心の注意がはらわれる。例えば、ＬＤは、コンパクト
ディスクやビデオディスク等の光ディスクに対する情報
の読み出しや書き込むを行う光ピックアップに組み込ま
れる。この組み立て工程においては、例えば半田ごての
こて先に漏洩電流が流れない様に半田ごてをアースに接
続したり、作業者にアースバンドを着用させて、作業者
の体電位を低くしたり、ＬＤはもとより、その端子に直
接触れない様にしたり、その周辺の光学部品に対しても
十分な配慮を必要とした。
【０００５】また、ＬＤに接続される基板上において
は、コンデンサ、抵抗及びコイル等の素子を用いて、Ｌ
Ｄを静電気から保護する回路を形成することもある。
は、コンデンサ、抵抗及びコイル等の素子を用いて、Ｌ
Ｄを静電気から保護する回路を形成することもある。
【０００６】図７は、従来の回路の一例を示している。
この回路では、ＬＤ１０１とコンデンサ１０２を並列接
続している。コンデンサ１０２の容量は、ＬＤ１０１の
容量よりも十分に大きくされている。このため、パルス
状の静電気のほとんどがコンデンサ１０２側に流れ、Ｌ
Ｄ１０１が静電気から保護される。
この回路では、ＬＤ１０１とコンデンサ１０２を並列接
続している。コンデンサ１０２の容量は、ＬＤ１０１の
容量よりも十分に大きくされている。このため、パルス
状の静電気のほとんどがコンデンサ１０２側に流れ、Ｌ
Ｄ１０１が静電気から保護される。
【０００７】図８は、従来の回路の他の例を示してい
る。ここでは、プリント配線基板１１１上に、ＬＤ（図
示せず）のアノード及びカソードが接続される各端子１
１２，１１３を設け、これらの端子１１２，１１３をそ
れぞれの配線パターン１１４，１１５に接続している。
各配線パターン１１２，１１３は、短絡ピン等（図示せ
ず）により短絡される。これにより、ＬＤのアノード及
びカソード間が短絡され、ＬＤが静電気から保護され
る。
る。ここでは、プリント配線基板１１１上に、ＬＤ（図
示せず）のアノード及びカソードが接続される各端子１
１２，１１３を設け、これらの端子１１２，１１３をそ
れぞれの配線パターン１１４，１１５に接続している。
各配線パターン１１２，１１３は、短絡ピン等（図示せ
ず）により短絡される。これにより、ＬＤのアノード及
びカソード間が短絡され、ＬＤが静電気から保護され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示す従来の回路では、コンデンサ１０２として、μＦ単
位の大きな容量のものを適用するのが望ましいが、それ
程に大きな容量のものを適用することは困難である。ま
た、ＬＤの可干渉性を低減するために、ＬＤの入力電流
に対して、高周波電流を重畳する（入力電流を高周波変
調する）場合は、コンデンサ１０２に高周波電流の殆ど
が流れるという不都合を招く。
示す従来の回路では、コンデンサ１０２として、μＦ単
位の大きな容量のものを適用するのが望ましいが、それ
程に大きな容量のものを適用することは困難である。ま
た、ＬＤの可干渉性を低減するために、ＬＤの入力電流
に対して、高周波電流を重畳する（入力電流を高周波変
調する）場合は、コンデンサ１０２に高周波電流の殆ど
が流れるという不都合を招く。
【０００９】また、図８に示す従来の回路では、ＬＤを
プリント配線基板１１１の各端子１１２，１１３に接続
した後に、各配線パターン１１２，１１３間を切断する
作業が必要となる。このときにも、先に述べたＬＤを組
み込む工程と同様に、十分な配慮が必要とされ、非常に
煩雑な作業を行う必要がある。
プリント配線基板１１１の各端子１１２，１１３に接続
した後に、各配線パターン１１２，１１３間を切断する
作業が必要となる。このときにも、先に述べたＬＤを組
み込む工程と同様に、十分な配慮が必要とされ、非常に
煩雑な作業を行う必要がある。
【００１０】更に、これまでの説明では、ＬＤを組み込
む工程での問題点を指摘したが、ＬＤの製造工程、つま
りＬＤをマウントに搭載したり、これを出荷するときに
も、静電気に関しては細心の注意が要求され、工程管理
及び組み立て装置等に対しても、静電気の対策を施すこ
とが必須条件であった。
む工程での問題点を指摘したが、ＬＤの製造工程、つま
りＬＤをマウントに搭載したり、これを出荷するときに
も、静電気に関しては細心の注意が要求され、工程管理
及び組み立て装置等に対しても、静電気の対策を施すこ
とが必須条件であった。
【００１１】そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑
みてなされたものであり、ＬＤを保護することができ、
ＬＤの組み込み工程や、ＬＤの扱いを容易にする半導体
レーザ装置を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、ＬＤを保護することができ、
ＬＤの組み込み工程や、ＬＤの扱いを容易にする半導体
レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記従来の課題を解決す
るために、本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ
素子と、半導体レーザ素子に並列接続されたスイッチン
グ素子とを備え、スイッチング素子により、半導体レー
ザ素子のアノードとカソード間を導通している。
るために、本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ
素子と、半導体レーザ素子に並列接続されたスイッチン
グ素子とを備え、スイッチング素子により、半導体レー
ザ素子のアノードとカソード間を導通している。
【００１３】この様な構成の本発明によれば、スイッチ
ング素子により、半導体レーザ素子のアノードとカソー
ド間を導通しているので、静電気のほとんどがスイッチ
ング素子に流れ、半導体レーザ素子が静電気から保護さ
れる。
ング素子により、半導体レーザ素子のアノードとカソー
ド間を導通しているので、静電気のほとんどがスイッチ
ング素子に流れ、半導体レーザ素子が静電気から保護さ
れる。
【００１４】また、本発明においては、スイッチング素
子は、ノーマリーオンのｎチャネル電界効果トランジス
タである。このスイッチング素子は、通常状態で、オン
となり、半導体レーザ素子のアノードとカソード間を接
続する。
子は、ノーマリーオンのｎチャネル電界効果トランジス
タである。このスイッチング素子は、通常状態で、オン
となり、半導体レーザ素子のアノードとカソード間を接
続する。
【００１５】次に、本発明の半導体レーザ装置は、半導
体レーザ素子と、半導体レーザ素子に並列接続されたス
イッチング素子と、半導体レーザ素子のアノードとカソ
ード間の電圧に応答して、スイッチング素子をオンにす
る切換え手段とを備えている。
体レーザ素子と、半導体レーザ素子に並列接続されたス
イッチング素子と、半導体レーザ素子のアノードとカソ
ード間の電圧に応答して、スイッチング素子をオンにす
る切換え手段とを備えている。
【００１６】この様な構成の本発明によれば、半導体レ
ーザ素子のアノードとカソード間の電圧に応答して、ス
イッチング素子がオンにされ、半導体レーザ素子のアノ
ードとカソード間がスイッチング素子を介して接続され
る。この状態では、静電気のほとんどがスイッチング素
子に流れるので、半導体レーザ素子が静電気から保護さ
れる。
ーザ素子のアノードとカソード間の電圧に応答して、ス
イッチング素子がオンにされ、半導体レーザ素子のアノ
ードとカソード間がスイッチング素子を介して接続され
る。この状態では、静電気のほとんどがスイッチング素
子に流れるので、半導体レーザ素子が静電気から保護さ
れる。
【００１７】また、本発明においては、スイッチング素
子は、ノーマリーオフのｐチャネル電界効果トランジス
タである。
子は、ノーマリーオフのｐチャネル電界効果トランジス
タである。
【００１８】次に、本発明の半導体レーザ装置は、半導
体レーザ素子と、半導体レーザ素子に直列接続され、非
動作時にオフとなるスイッチング素子とを備えている。
体レーザ素子と、半導体レーザ素子に直列接続され、非
動作時にオフとなるスイッチング素子とを備えている。
【００１９】この様な構成の本発明によれば、通常、ス
イッチング素子がオフあるため、半導体レーザ素子に電
流が流れることはなく、半導体レーザ素子が静電気から
保護される。
イッチング素子がオフあるため、半導体レーザ素子に電
流が流れることはなく、半導体レーザ素子が静電気から
保護される。
【００２０】また、本発明においては、スイッチング素
子は、ノーマリーオフのｎチャネル電界効果トランジス
タである。このスイッチング素子は、通常状態で、オフ
となり、半導体レーザ素子への電流経路を遮断する。
子は、ノーマリーオフのｎチャネル電界効果トランジス
タである。このスイッチング素子は、通常状態で、オフ
となり、半導体レーザ素子への電流経路を遮断する。
【００２１】一方、本発明においては、スイッチング素
子は、半導体レーザ素子をマウントしたパッケージに収
納される。あるいは、スイッチング素子は、半導体レー
ザ素子のヒートシンクに一体化される。また、スイッチ
ング素子は、半導体レーザ素子及び受光素子を含む光検
出用集積回路に搭載される。
子は、半導体レーザ素子をマウントしたパッケージに収
納される。あるいは、スイッチング素子は、半導体レー
ザ素子のヒートシンクに一体化される。また、スイッチ
ング素子は、半導体レーザ素子及び受光素子を含む光検
出用集積回路に搭載される。
【００２２】この様にパッケージ、ヒートシンク、光検
出用集積回路に、スイッチング素子を組み込めば、それ
ぞれの状態において、半導体レーザ素子が静電気から保
護される。
出用集積回路に、スイッチング素子を組み込めば、それ
ぞれの状態において、半導体レーザ素子が静電気から保
護される。
【００２３】また、本発明においては、スイッチング素
子は、該スイッチング素子を切り換えるための入力端子
を有している。
子は、該スイッチング素子を切り換えるための入力端子
を有している。
【００２４】この入力端子を通じてスイッチング素子を
切り換え、電流を半導体レーザ素子に流して、半導体レ
ーザ素子を発光駆動することができる。
切り換え、電流を半導体レーザ素子に流して、半導体レ
ーザ素子を発光駆動することができる。
【００２５】更に、本発明においては、半導体レーザ素
子への電圧印加のときに、入力端子を通じてスイッチン
グ素子を切り換えている。
子への電圧印加のときに、入力端子を通じてスイッチン
グ素子を切り換えている。
【００２６】この様に半導体レーザ素子への電圧印加の
ときに、スイッチング素子を切り換えれば、必要なとき
にだけ、半導体レーザ素子に電流が流れる。
ときに、スイッチング素子を切り換えれば、必要なとき
にだけ、半導体レーザ素子に電流が流れる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００２８】図１は、本発明の半導体レーザ装置の第１
実施形態を示す回路図である。本実施形態の装置では、
半導体レーザ素子（以下ＬＤと称す）１と、ノーマリー
オンのｎチャネル電界効果トランジスタ（以下ｎチャネ
ルＦＥＴ又はＦＥＴと称す）２とを並列接続している。
実施形態を示す回路図である。本実施形態の装置では、
半導体レーザ素子（以下ＬＤと称す）１と、ノーマリー
オンのｎチャネル電界効果トランジスタ（以下ｎチャネ
ルＦＥＴ又はＦＥＴと称す）２とを並列接続している。
【００２９】通常状態では、ｎチャネルＦＥＴ２がオン
であり、ＬＤ１のアノードとカソードがＦＥＴ２を通じ
て実質的に短絡されている。このため、静電気が端子３
に加わっても、この静電気の殆どがＦＥＴ２に流れる。
これにより、ＬＥＤ１が静電気から保護される。
であり、ＬＤ１のアノードとカソードがＦＥＴ２を通じ
て実質的に短絡されている。このため、静電気が端子３
に加わっても、この静電気の殆どがＦＥＴ２に流れる。
これにより、ＬＥＤ１が静電気から保護される。
【００３０】ＬＤ１を発光駆動するときには、ＦＥＴ２
のゲートに接続されている端子４に制御電圧（負電位）
を印加して、ＦＥＴ２をオフにする。この状態では、駆
動電流を端子３に供給すると、この駆動電流がＬＤ１に
流れ、ＬＤ１が発光する。
のゲートに接続されている端子４に制御電圧（負電位）
を印加して、ＦＥＴ２をオフにする。この状態では、駆
動電流を端子３に供給すると、この駆動電流がＬＤ１に
流れ、ＬＤ１が発光する。
【００３１】図２は、本発明の半導体レーザ装置の第２
実施形態を示す回路図である。本実施形態の装置では、
ＬＤ１と、ノーマリーオフのｐチャネルＦＥＴ（以下ｐ
チャネルＦＥＴ又はＦＥＴと称す）１１と、コンデンサ
１２とを並列接続している。
実施形態を示す回路図である。本実施形態の装置では、
ＬＤ１と、ノーマリーオフのｐチャネルＦＥＴ（以下ｐ
チャネルＦＥＴ又はＦＥＴと称す）１１と、コンデンサ
１２とを並列接続している。
【００３２】通常状態では、ｐチャネルＦＥＴ１１がオ
フである。静電気が端子３に加わると、コンデンサ１２
が充電され、コンデンサ１２の端子電圧が上昇する。こ
れに伴い、ＦＥＴ１１のゲート側が負電位となり、ＦＥ
Ｔ１１がオンとなる。これにより、ＬＤ１のアノードと
カソードがＦＥＴ１１を通じて実質的に短絡されて、端
子３からの静電気の殆どがＦＥＴ１１に流れ、ＬＥＤ１
が静電気から保護される。
フである。静電気が端子３に加わると、コンデンサ１２
が充電され、コンデンサ１２の端子電圧が上昇する。こ
れに伴い、ＦＥＴ１１のゲート側が負電位となり、ＦＥ
Ｔ１１がオンとなる。これにより、ＬＤ１のアノードと
カソードがＦＥＴ１１を通じて実質的に短絡されて、端
子３からの静電気の殆どがＦＥＴ１１に流れ、ＬＥＤ１
が静電気から保護される。
【００３３】ただし、ＬＤ１及びコンデンサ１２の端子
電圧がＬＤ１の耐電圧に達する前に、ＦＥＴ１１がオン
になる必要がある。
電圧がＬＤ１の耐電圧に達する前に、ＦＥＴ１１がオン
になる必要がある。
【００３４】ＬＤ１を発光駆動するときには、ＦＥＴ１
１のゲートに接続されている端子４に制御電圧（接地電
位）を印加して、ＦＥＴ１１をオフにすると、端子３か
らの駆動電流がＬＤ１に流れて、ＬＤ１が発光する。
１のゲートに接続されている端子４に制御電圧（接地電
位）を印加して、ＦＥＴ１１をオフにすると、端子３か
らの駆動電流がＬＤ１に流れて、ＬＤ１が発光する。
【００３５】図３は、本発明の半導体レーザ装置の第３
実施形態を示す回路図である。本実施形態の装置では、
ＬＤ１と、ノーマリーオフのｎチャネルＦＥＴ２１とを
直列接続し、またＬＤ１と抵抗２２を並列接続してい
る。
実施形態を示す回路図である。本実施形態の装置では、
ＬＤ１と、ノーマリーオフのｎチャネルＦＥＴ２１とを
直列接続し、またＬＤ１と抵抗２２を並列接続してい
る。
【００３６】通常状態では、ｎチャネルＦＥＴ２１がオ
フである。このため、静電気が端子３に加わっても、電
流がＬＤ１に流れることはなく、ＬＤ１が静電気から保
護される。あるいは、オフのＦＥＴ２１を通じて電流が
流れたとしても、ＦＥＴ２１のドレイン−ソース間の抵
抗が十分に高いので、ＬＤ１に加わる電圧が十分に下降
し、この結果としてＬＤ１が保護される。
フである。このため、静電気が端子３に加わっても、電
流がＬＤ１に流れることはなく、ＬＤ１が静電気から保
護される。あるいは、オフのＦＥＴ２１を通じて電流が
流れたとしても、ＦＥＴ２１のドレイン−ソース間の抵
抗が十分に高いので、ＬＤ１に加わる電圧が十分に下降
し、この結果としてＬＤ１が保護される。
【００３７】ＬＤ１を発光駆動するときには、ＦＥＴ１
１のゲートに接続されている端子４に制御電圧（正電
位）を印加して、ＦＥＴ１１をオンにすると、端子３か
らの駆動電流がＬＤ１に流れて、ＬＤ１が発光する。
１のゲートに接続されている端子４に制御電圧（正電
位）を印加して、ＦＥＴ１１をオンにすると、端子３か
らの駆動電流がＬＤ１に流れて、ＬＤ１が発光する。
【００３８】ここで、端子４の制御電圧として、電圧源
からＬＤ１の駆動回路に供給される電圧を適用しても良
い。これにより、ＬＤ１の駆動と同時に、ＦＥＴ１１を
オンにすることができる。
からＬＤ１の駆動回路に供給される電圧を適用しても良
い。これにより、ＬＤ１の駆動と同時に、ＦＥＴ１１を
オンにすることができる。
【００３９】尚、第１、第２及び第３実施形態におい
て、それぞれの回路の動作が損なわれない程度に、受動
素子等を適宜に追加しても構わない。また、図１乃至図
３において、同様の作用を果たす部位には同じ符号を付
している。
て、それぞれの回路の動作が損なわれない程度に、受動
素子等を適宜に追加しても構わない。また、図１乃至図
３において、同様の作用を果たす部位には同じ符号を付
している。
【００４０】図４は、第１乃至第３実施形態のいずれか
の半導体レーザ装置を搭載した電子部品を示している。
この電子部品では、接地ピン３１、図１乃至図３の端子
３に対応する入力ピン３２、及び図１乃至図３の端子４
に対応する制御ピン３３をステム３４に設け、プリント
配線基板３５及びＬＤ１をステム３４上に突設された柱
部３６に取り付けている。プリント配線基板３５上の回
路は、それぞれのワイヤー（金線）３７を介してＬＤ
１、入力ピン３２及び制御ピン３３等に接続されてお
り、ＬＤ１、入力ピン３２及び制御ピン３３と共に第１
乃至第３実施形態のいずれかの装置を構成する。また、
この電子部品は、図示されないパッケージにより覆われ
る。
の半導体レーザ装置を搭載した電子部品を示している。
この電子部品では、接地ピン３１、図１乃至図３の端子
３に対応する入力ピン３２、及び図１乃至図３の端子４
に対応する制御ピン３３をステム３４に設け、プリント
配線基板３５及びＬＤ１をステム３４上に突設された柱
部３６に取り付けている。プリント配線基板３５上の回
路は、それぞれのワイヤー（金線）３７を介してＬＤ
１、入力ピン３２及び制御ピン３３等に接続されてお
り、ＬＤ１、入力ピン３２及び制御ピン３３と共に第１
乃至第３実施形態のいずれかの装置を構成する。また、
この電子部品は、図示されないパッケージにより覆われ
る。
【００４１】図５は、第１乃至第３実施形態のいずれか
の半導体レーザ装置を搭載した他の電子部品を示してい
る。ここでも、接地ピン３１、入力ピン３２、及び制御
ピン３３をステム３４に設けている。また、ヒートシン
ク３８をステム３４上に突設された柱部３６に取り付
け、このヒートシンク３８にＬＤ１を取り付けている。
このヒートシンク３８は、シリコンからなり、この内部
に回路が形成されている。ヒートシンク３８内の回路
は、それぞれのワイヤー３７を介してＬＤ１、入力ピン
３２及び制御ピン３３等に接続されており、ＬＤ１、入
力ピン３２及び制御ピン３３と共に第１乃至第３実施形
態のいずれかの装置を構成する。また、この電子部品
は、図示されないパッケージにより覆われる。
の半導体レーザ装置を搭載した他の電子部品を示してい
る。ここでも、接地ピン３１、入力ピン３２、及び制御
ピン３３をステム３４に設けている。また、ヒートシン
ク３８をステム３４上に突設された柱部３６に取り付
け、このヒートシンク３８にＬＤ１を取り付けている。
このヒートシンク３８は、シリコンからなり、この内部
に回路が形成されている。ヒートシンク３８内の回路
は、それぞれのワイヤー３７を介してＬＤ１、入力ピン
３２及び制御ピン３３等に接続されており、ＬＤ１、入
力ピン３２及び制御ピン３３と共に第１乃至第３実施形
態のいずれかの装置を構成する。また、この電子部品
は、図示されないパッケージにより覆われる。
【００４２】尚、図４及び図５において、同様の作用を
果たす部位には同じ符号を付している。
果たす部位には同じ符号を付している。
【００４３】図６は、第１乃至第３実施形態のいずれか
の半導体レーザ装置を搭載した光検出用集積回路を示し
ている。図６（ａ）は、光検出用集積回路の側面図であ
り、図６（ｂ）は、光検出用集積回路の平面図である。
の半導体レーザ装置を搭載した光検出用集積回路を示し
ている。図６（ａ）は、光検出用集積回路の側面図であ
り、図６（ｂ）は、光検出用集積回路の平面図である。
【００４４】この光検出用集積回路は、コンパクトディ
スクやビデオディスク等の光ディスクに対する情報の読
み出しや書き込むを行う光ピックアップに組み込まれる
ものであって、レーザー光を光ディスクに照射し、光デ
ィスクで反射された光を受光して、この光を電気信号に
変換する。
スクやビデオディスク等の光ディスクに対する情報の読
み出しや書き込むを行う光ピックアップに組み込まれる
ものであって、レーザー光を光ディスクに照射し、光デ
ィスクで反射された光を受光して、この光を電気信号に
変換する。
【００４５】この光検出用集積回路では、半導体チップ
４１上に、ＬＤ１と、ＬＤ１から出射されたレーザー光
を光ディスクの方向へ反射するミラー４２と、光ディス
クで反射された光を受光して、この光を電気信号に変換
する受光素子４３と、図１乃至図３の端子３に対応する
入力電極４４と、図１乃至図３の端子４に対応する制御
電極４５とを設けている。入力電極４４、制御電極４５
及び他の電極は、それぞれのワイヤー４６を介して各外
部端子４７に接続されている。また、半導体チップ４１
には、回路が作り込まれている。この半導体チップ４１
内の回路は、ＬＤ１、入力電極４４、制御電極４５等に
接続されており、ＬＤ１、入力電極４４、制御電極４５
と共に第１乃至第３実施形態のいずれかの装置を構成す
る。
４１上に、ＬＤ１と、ＬＤ１から出射されたレーザー光
を光ディスクの方向へ反射するミラー４２と、光ディス
クで反射された光を受光して、この光を電気信号に変換
する受光素子４３と、図１乃至図３の端子３に対応する
入力電極４４と、図１乃至図３の端子４に対応する制御
電極４５とを設けている。入力電極４４、制御電極４５
及び他の電極は、それぞれのワイヤー４６を介して各外
部端子４７に接続されている。また、半導体チップ４１
には、回路が作り込まれている。この半導体チップ４１
内の回路は、ＬＤ１、入力電極４４、制御電極４５等に
接続されており、ＬＤ１、入力電極４４、制御電極４５
と共に第１乃至第３実施形態のいずれかの装置を構成す
る。
【００４６】また、第３実施形態の装置を光検出用集積
回路に組み込む場合は、制御電極４５の制御電圧とし
て、集積回路の電源電圧を適用することができる。これ
により、集積回路の起動と同時に、ＦＥＴ２１がオンと
なり、駆動電流を入力電極４４を通じてＬＤ１に供給
し、ＬＤ１を発光駆動することが可能になる。
回路に組み込む場合は、制御電極４５の制御電圧とし
て、集積回路の電源電圧を適用することができる。これ
により、集積回路の起動と同時に、ＦＥＴ２１がオンと
なり、駆動電流を入力電極４４を通じてＬＤ１に供給
し、ＬＤ１を発光駆動することが可能になる。
【００４７】この様な図４及び図５に示す電子部品及び
図６に示す光検出用集積回路では、各ワイヤーによる接
続が終了した時点で、第１乃至第３実施形態の装置が組
み込まれ、ＬＤ１の静電破壊の予防措置が完了する。こ
れ以降の工程では、ＬＤ１が静電気から保護されるの
で、静電破壊の発生頻度が大幅に低減する。従って、こ
れらの電子部品や光検出用集積回路を電子機器に組み込
む製造工程においては、ＬＤの静電破壊を格別に意識す
る必要がなく、作業環境の管理が容易になる。例えば、
従来の様に、配線パターンを利用して、ＬＤのアノード
とカソード間を短絡したり遮断するという作業を必要と
せず、大掛かりな静電気防止対策を必要としない。ま
た、静電気によるダメージをＬＤに与えずに済み、ＬＤ
の特性劣化を未然に防止することができる。
図６に示す光検出用集積回路では、各ワイヤーによる接
続が終了した時点で、第１乃至第３実施形態の装置が組
み込まれ、ＬＤ１の静電破壊の予防措置が完了する。こ
れ以降の工程では、ＬＤ１が静電気から保護されるの
で、静電破壊の発生頻度が大幅に低減する。従って、こ
れらの電子部品や光検出用集積回路を電子機器に組み込
む製造工程においては、ＬＤの静電破壊を格別に意識す
る必要がなく、作業環境の管理が容易になる。例えば、
従来の様に、配線パターンを利用して、ＬＤのアノード
とカソード間を短絡したり遮断するという作業を必要と
せず、大掛かりな静電気防止対策を必要としない。ま
た、静電気によるダメージをＬＤに与えずに済み、ＬＤ
の特性劣化を未然に防止することができる。
【００４８】また、図５に示す電子部品と同様に、ＬＤ
及び回路をヒートシンクに組み込み、静電破壊の予防措
置を施せば、このヒートシンクそのものを製品として提
供することが可能であり、従来は困難と考えられていた
ベアチップに近い状態での製品形態を実現することがで
きる。
及び回路をヒートシンクに組み込み、静電破壊の予防措
置を施せば、このヒートシンクそのものを製品として提
供することが可能であり、従来は困難と考えられていた
ベアチップに近い状態での製品形態を実現することがで
きる。
【００４９】尚、本発明は、上記各実施形態に限定され
るものでなく、多様に変形することができる。例えば、
多様な種類のＦＥＴを適用することが可能であり、また
他の種類のスイッチング素子を適用しても構わない。
るものでなく、多様に変形することができる。例えば、
多様な種類のＦＥＴを適用することが可能であり、また
他の種類のスイッチング素子を適用しても構わない。
【００５０】
【発明の効果】以上説明した様に本発明の半導体レーザ
装置によれば、スイッチング素子により、半導体レーザ
素子のアノードとカソード間を導通しているので、静電
気のほとんどがスイッチング素子に流れ、半導体レーザ
素子が静電気から保護される。
装置によれば、スイッチング素子により、半導体レーザ
素子のアノードとカソード間を導通しているので、静電
気のほとんどがスイッチング素子に流れ、半導体レーザ
素子が静電気から保護される。
【００５１】例えば、スイッチング素子は、ノーマリー
オンのｎチャネル電界効果トランジスタである。このス
イッチング素子は、通常状態で、オンとなり、半導体レ
ーザ素子のアノードとカソード間を接続する。
オンのｎチャネル電界効果トランジスタである。このス
イッチング素子は、通常状態で、オンとなり、半導体レ
ーザ素子のアノードとカソード間を接続する。
【００５２】また、本発明の半導体レーザ装置によれ
ば、半導体レーザ素子のアノードとカソード間の電圧に
応答して、スイッチング素子をオンにして、半導体レー
ザ素子のアノードとカソード間をスイッチング素子を介
して接続している。この状態では、静電気のほとんどが
スイッチング素子に流れるので、半導体レーザ素子が静
電気から保護される。
ば、半導体レーザ素子のアノードとカソード間の電圧に
応答して、スイッチング素子をオンにして、半導体レー
ザ素子のアノードとカソード間をスイッチング素子を介
して接続している。この状態では、静電気のほとんどが
スイッチング素子に流れるので、半導体レーザ素子が静
電気から保護される。
【００５３】例えば、スイッチング素子は、ノーマリー
オフのｐチャネル電界効果トランジスタである。
オフのｐチャネル電界効果トランジスタである。
【００５４】また、本発明の半導体レーザ装置によれ
ば、半導体レーザ素子に、非動作時にオフとなるスイッ
チング素子を直列接続している。通常、スイッチング素
子がオフあるため、半導体レーザ素子に電流が流れるこ
とはなく、半導体レーザ素子が静電気から保護される。
ば、半導体レーザ素子に、非動作時にオフとなるスイッ
チング素子を直列接続している。通常、スイッチング素
子がオフあるため、半導体レーザ素子に電流が流れるこ
とはなく、半導体レーザ素子が静電気から保護される。
【００５５】例えば、スイッチング素子は、ノーマリー
オフのｎチャネル電界効果トランジスタである。このス
イッチング素子は、通常状態で、オフとなり、半導体レ
ーザ素子への電流経路を遮断する。
オフのｎチャネル電界効果トランジスタである。このス
イッチング素子は、通常状態で、オフとなり、半導体レ
ーザ素子への電流経路を遮断する。
【００５６】一方、本発明によれば、スイッチング素子
は、半導体レーザ素子をマウントしたパッケージに収納
される。あるいは、スイッチング素子は、半導体レーザ
素子のヒートシンクに一体化される。また、スイッチン
グ素子は、半導体レーザ素子及び受光素子を含む光検出
用集積回路に搭載される。
は、半導体レーザ素子をマウントしたパッケージに収納
される。あるいは、スイッチング素子は、半導体レーザ
素子のヒートシンクに一体化される。また、スイッチン
グ素子は、半導体レーザ素子及び受光素子を含む光検出
用集積回路に搭載される。
【００５７】この様にパッケージ、ヒートシンク、光検
出用集積回路に、スイッチング素子を組み込めば、それ
ぞれの状態において、半導体レーザ素子が静電気から保
護される。
出用集積回路に、スイッチング素子を組み込めば、それ
ぞれの状態において、半導体レーザ素子が静電気から保
護される。
【００５８】また、本発明によれば、スイッチング素子
は、該スイッチング素子を切り換えるための入力端子を
有している。この入力端子を通じてスイッチング素子を
切り換え、電流を半導体レーザ素子に流して、半導体レ
ーザ素子を発光駆動することができる。
は、該スイッチング素子を切り換えるための入力端子を
有している。この入力端子を通じてスイッチング素子を
切り換え、電流を半導体レーザ素子に流して、半導体レ
ーザ素子を発光駆動することができる。
【００５９】更に、本発明によれば、半導体レーザ素子
への電圧印加のときに、入力端子を通じてスイッチング
素子を切り換えているので、必要なときにだけ、半導体
レーザ素子に電流が流れる。
への電圧印加のときに、入力端子を通じてスイッチング
素子を切り換えているので、必要なときにだけ、半導体
レーザ素子に電流が流れる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の第１実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】本発明の半導体レーザ装置の第２実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図３】本発明の半導体レーザ装置の第３実施形態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図４】第１乃至第３実施形態のいずれかの半導体レー
ザ装置を搭載した電子部品を概略的に示す側面図であ
る。
ザ装置を搭載した電子部品を概略的に示す側面図であ
る。
【図５】第１乃至第３実施形態のいずれかの半導体レー
ザ装置を搭載した他の電子部品を概略的に示す側面図で
ある。
ザ装置を搭載した他の電子部品を概略的に示す側面図で
ある。
【図６】（ａ）は第１乃至第３実施形態のいずれかの半
導体レーザ装置を搭載した光検出用集積回路を示す側面
図であり、（ｂ）は光検出用集積回路を示す平面図であ
る。
導体レーザ装置を搭載した光検出用集積回路を示す側面
図であり、（ｂ）は光検出用集積回路を示す平面図であ
る。
【図７】従来の半導体レーザ装置を示す回路図である。
【図８】半導体レーザ素子が搭載される従来のプリント
配線基板を例示する図である。
配線基板を例示する図である。
１ 半導体レーザ素子（ＬＤ） ２，２１ ｎチャネル電界効果トランジスタ ３，４ 端子 １１ ｐチャネル電界効果トランジスタ １２ コンデンサ ２２ 抵抗 ３１ 接地ピン ３２ 入力ピン ３３ 制御ピン ３４ ステム ３５ プリント配線基板 ３６ 柱部 ３７，４６ ワイヤー ３８ ヒートシンク ４１ 半導体チップ ４２ ミラー ４３ 受光素子 ４４ 入力電極 ４５ 制御電極 ４７ 外部端子
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子
に並列接続されたスイッチング素子とを備え、スイッチ
ング素子により、半導体レーザ素子のアノードとカソー
ド間を導通したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 スイッチング素子は、ノーマリーオンの
ｎチャネル電界効果トランジスタであることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子
に並列接続されたスイッチング素子と、半導体レーザ素
子のアノードとカソード間の電圧に応答して、スイッチ
ング素子をオンにする切換え手段とを備えることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 スイッチング素子は、ノーマリーオフの
ｐチャネル電界効果トランジスタであることを特徴とす
る請求項３に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子
に直列接続され、非動作時にオフとなるスイッチング素
子とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 スイッチング素子は、ノーマリーオフの
ｎチャネル電界効果トランジスタであることを特徴とす
る請求項５に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 スイッチング素子は、半導体レーザ素子
をマウントしたパッケージに収納されたことを特徴とす
る請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項８】 スイッチング素子は、半導体レーザ素子
のヒートシンクに一体化されたことを特徴とする請求項
１乃至６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 スイッチング素子は、半導体レーザ素子
及び受光素子を含む光検出用集積回路に搭載されたこと
を特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体
レーザ装置。 - 【請求項１０】 スイッチング素子は、該スイッチング
素子を切り換えるための入力端子を有することを特徴と
する請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項１１】 半導体レーザ素子への電圧印加のとき
に、入力端子を通じてスイッチング素子を切り換えるこ
とを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導
体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000359552A JP2002164613A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 半導体レーザ装置 |
| US09/993,709 US20020064198A1 (en) | 2000-11-27 | 2001-11-27 | Semiconductor laser device having a circuit for protecting semiconductor laser element from static electricity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000359552A JP2002164613A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164613A true JP2002164613A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18831302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000359552A Pending JP2002164613A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020064198A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002164613A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005033019A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
| JP2006073851A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2009105337A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ保護回路、光ピックアップ装置、光モジュールおよび情報記録再生装置 |
| JP2011210961A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Yokogawa Electric Corp | 半導体発光素子制御回路 |
| JP2013207244A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | レーザポインタ |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3996780B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2007-10-24 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US20100243891A1 (en) * | 2005-06-15 | 2010-09-30 | Timothy Day | Compact mid-ir laser |
| US7492806B2 (en) * | 2005-06-15 | 2009-02-17 | Daylight Solutions, Inc. | Compact mid-IR laser |
| US7535656B2 (en) * | 2005-06-15 | 2009-05-19 | Daylight Solutions, Inc. | Lenses, optical sources, and their couplings |
| US7796659B2 (en) * | 2005-07-19 | 2010-09-14 | Mediatek Inc. | Pickup head circuits |
| US7535936B2 (en) * | 2005-08-05 | 2009-05-19 | Daylight Solutions, Inc. | External cavity tunable compact Mid-IR laser |
| US20070188951A1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Crews Darren S | Optoelectronic device ESD protection |
| US7424042B2 (en) | 2006-09-22 | 2008-09-09 | Daylight Solutions, Inc. | Extended tuning in external cavity quantum cascade lasers |
| US7920608B2 (en) * | 2007-03-12 | 2011-04-05 | Daylight Solutions, Inc. | Quantum cascade laser suitable for portable applications |
| US20090028197A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Daylight Solutions Inc | Fixed wavelength mid infrared laser source with an external cavity |
| US7848382B2 (en) | 2008-01-17 | 2010-12-07 | Daylight Solutions, Inc. | Laser source that generates a plurality of alternative wavelength output beams |
| US8565275B2 (en) | 2008-04-29 | 2013-10-22 | Daylight Solutions, Inc. | Multi-wavelength high output laser source assembly with precision output beam |
| US8774244B2 (en) | 2009-04-21 | 2014-07-08 | Daylight Solutions, Inc. | Thermal pointer |
| WO2011156033A2 (en) * | 2010-03-15 | 2011-12-15 | Daylight Solutions, Inc. | Laser source that generates a rapidly changing output beam |
| US8335413B2 (en) | 2010-05-14 | 2012-12-18 | Daylight Solutions, Inc. | Optical switch |
| US8467430B2 (en) | 2010-09-23 | 2013-06-18 | Daylight Solutions, Inc. | Continuous wavelength tunable laser source with optimum orientation of grating and gain medium |
| US9225148B2 (en) | 2010-09-23 | 2015-12-29 | Daylight Solutions, Inc. | Laser source assembly with thermal control and mechanically stable mounting |
| US9042688B2 (en) | 2011-01-26 | 2015-05-26 | Daylight Solutions, Inc. | Multiple port, multiple state optical switch |
| US9059562B2 (en) | 2011-06-23 | 2015-06-16 | Daylight Solutions, Inc. | Control system for directing power to a laser assembly |
| US9093813B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-07-28 | Daylight Solutions, Inc. | Mounting base for a laser system |
| US9625671B2 (en) | 2013-10-23 | 2017-04-18 | Lasermax, Inc. | Laser module and system |
| US9859680B2 (en) | 2013-12-17 | 2018-01-02 | Lasermax, Inc. | Shock resistant laser module |
| AT515100B1 (de) | 2013-12-20 | 2015-06-15 | F & S Vermögensverwaltungs Gmbh | Trägermodul mit Überbrückungselement für ein Halbleiterelement |
| CN104485577A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-04-01 | 中国科学院半导体研究所 | 可充电电池供电的便携式量子级联激光器驱动电源 |
| CN114389143B (zh) * | 2020-10-20 | 2023-12-29 | 中国科学院半导体研究所 | 相干性可调的半导体激光器及应用 |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000359552A patent/JP2002164613A/ja active Pending
-
2001
- 2001-11-27 US US09/993,709 patent/US20020064198A1/en not_active Abandoned
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005033019A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
| JP2006073851A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2009105337A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ保護回路、光ピックアップ装置、光モジュールおよび情報記録再生装置 |
| JP2011210961A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Yokogawa Electric Corp | 半導体発光素子制御回路 |
| JP2013207244A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | レーザポインタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020064198A1 (en) | 2002-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002164613A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP0168552B1 (en) | Mos transistor ciruit with breakdown protection | |
| JP3587300B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| US20050145880A1 (en) | Strobe light control circuit and IGBT device | |
| KR950002137A (ko) | 모듈레이터 직접 분포형 귀환 레이저 다이오드 모듈 및 이를 사용한 장치 | |
| US6980409B2 (en) | Protective circuit for semiconductor device | |
| KR100194312B1 (ko) | 정전 파괴 보호 회로를 구비한 반도체 디바이스 | |
| US6753204B1 (en) | Method for assembling integrated circuits with protection of the circuits against electrostatic discharge | |
| JP2589938B2 (ja) | 半導体集積回路装置の静電破壊保護回路 | |
| JP2001169594A (ja) | モータ駆動装置 | |
| CN111316514A (zh) | 用于产生激光脉冲的装置和方法 | |
| JPH10270805A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2001281687A (ja) | 液晶表示装置の実装構造及びその製造方法 | |
| EP0687068A2 (en) | Output driver for use in semiconductor integrated circuit | |
| JPH1197598A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002299544A (ja) | 半導体装置 | |
| US7333310B2 (en) | ESD bonding pad | |
| KR970072387A (ko) | 반도체 장치 | |
| JP2001339031A (ja) | 半導体装置 | |
| US20220201851A1 (en) | Printed circuit board for gallium nitride elements | |
| KR100306252B1 (ko) | 번인테스트용회로를갖는하이브리드아이씨 | |
| JPH055698Y2 (ja) | ||
| JPH0587024B2 (ja) | ||
| KR19990062213A (ko) | 반도체장치의 내부전압 발생기 | |
| JP2004303949A (ja) | Ｍｏｓトランジスタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050307 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050315 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050705 |