JP2002160940A - 隔壁形成用ガラス - Google Patents
隔壁形成用ガラスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマディスプレイパネル等の隔壁形成に用
いられるガラスであって、鉛を含有せず、かつ誘電率が
低いガラスの提供。 【解決手段】質量百分率表示で、Bi2O3:20〜60
%、B2O3:20〜55%、SiO2:0〜15%、A
l2O3:0〜15%、SrO:0〜30%、BaO:0
〜30%、Li2O:0〜6%、Na2O:0〜8%、K
2O:0〜10%、CuO:0〜3%、CeO2:0〜3
%、からなる隔壁形成用ガラス。
いられるガラスであって、鉛を含有せず、かつ誘電率が
低いガラスの提供。 【解決手段】質量百分率表示で、Bi2O3:20〜60
%、B2O3:20〜55%、SiO2:0〜15%、A
l2O3:0〜15%、SrO:0〜30%、BaO:0
〜30%、Li2O:0〜6%、Na2O:0〜8%、K
2O:0〜10%、CuO:0〜3%、CeO2:0〜3
%、からなる隔壁形成用ガラス。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(PDP)、蛍光表示管(VFD)等の隔壁
形成に用いられるガラスに関する。
レイパネル(PDP)、蛍光表示管(VFD)等の隔壁
形成に用いられるガラスに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、薄型の平板型カラー表示装置であ
るPDP、VFD等が注目されている。PDP、VFD
等のパネル構造の特徴のひとつとして、画素を区切る隔
壁が挙げられる。前記隔壁は画面全域に等間隔で形成さ
れ、その幅、高さはPDPではたとえば、それぞれ80
μm、150μmである。隔壁形成材料としては、隔壁
形状保持のための低膨張セラミックスフィラー、色調調
整のための耐熱顔料、および固着材としてのガラス粉
末、等からなるガラスセラミックス組成物が用いられて
いる。
るPDP、VFD等が注目されている。PDP、VFD
等のパネル構造の特徴のひとつとして、画素を区切る隔
壁が挙げられる。前記隔壁は画面全域に等間隔で形成さ
れ、その幅、高さはPDPではたとえば、それぞれ80
μm、150μmである。隔壁形成材料としては、隔壁
形状保持のための低膨張セラミックスフィラー、色調調
整のための耐熱顔料、および固着材としてのガラス粉
末、等からなるガラスセラミックス組成物が用いられて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記ガラス粉末には軟
化点が低いことが求められ、従来、鉛含有ガラスが広く
用いられていた。しかし、近年、前記ガラス粉末として
鉛を含有しないガラス(無鉛ガラス)が強く求められて
いる。一方、従来知られている無鉛ガラスは誘電率が高
く、そのためにPDP、VFD等の消費電力が大きくな
る問題があった。本発明は、以上の課題を解決する隔壁
形成用ガラスの提供を目的とする。
化点が低いことが求められ、従来、鉛含有ガラスが広く
用いられていた。しかし、近年、前記ガラス粉末として
鉛を含有しないガラス(無鉛ガラス)が強く求められて
いる。一方、従来知られている無鉛ガラスは誘電率が高
く、そのためにPDP、VFD等の消費電力が大きくな
る問題があった。本発明は、以上の課題を解決する隔壁
形成用ガラスの提供を目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記酸化物基
準の質量百分率表示で、 Bi2O3 20〜60%、 B2O3 20〜55%、 SiO2 0〜15%、 Al2O3 0〜15%、 SrO 0〜30%、 BaO 0〜30%、 Li2O 0〜6%、 Na2O 0〜8%、 K2O 0〜10%、 CuO 0〜3%、 CeO2 0〜3%、 から本質的になる隔壁形成用ガラス(以下質量百分率表
示の本発明のガラスという。)を提供する。
準の質量百分率表示で、 Bi2O3 20〜60%、 B2O3 20〜55%、 SiO2 0〜15%、 Al2O3 0〜15%、 SrO 0〜30%、 BaO 0〜30%、 Li2O 0〜6%、 Na2O 0〜8%、 K2O 0〜10%、 CuO 0〜3%、 CeO2 0〜3%、 から本質的になる隔壁形成用ガラス(以下質量百分率表
示の本発明のガラスという。)を提供する。
【0005】また、本発明は、下記酸化物基準のモル%
表示で、 Bi2O3 6〜22%、 B2O3 35〜80%、 SiO2 0〜30%、 Al2O3 0〜20%、 SrO 0〜40%、 BaO 0〜30%、 Li2O 0〜9%、 Na2O 0〜9%、 K2O 0〜9%、 CuO 0〜5%、 CeO2 0〜5%、 から本質的になる隔壁形成用ガラス(以下モル%表示の
本発明のガラスという。)を提供する。
表示で、 Bi2O3 6〜22%、 B2O3 35〜80%、 SiO2 0〜30%、 Al2O3 0〜20%、 SrO 0〜40%、 BaO 0〜30%、 Li2O 0〜9%、 Na2O 0〜9%、 K2O 0〜9%、 CuO 0〜5%、 CeO2 0〜5%、 から本質的になる隔壁形成用ガラス(以下モル%表示の
本発明のガラスという。)を提供する。
【0006】
【発明の実施の形態】質量百分率表示の本発明のガラス
およびモル%表示の本発明のガラスを、あわせて単に本
発明のガラスをいう。本発明のガラスは通常は粉末状に
して使用される。本発明のガラスの粉末は、たとえば、
低膨張セラミックスフィラー、耐熱顔料等と混合され、
次にペースト化される。このガラスペーストは下地のガ
ラス所定部位に塗布され、焼成される。前記下地のガラ
スはガラス基板等であるが、ガラス基板の上に透明導電
膜、不透明導電膜等が被覆されているものも含む。ま
た、前記ビヒクルは通常は樹脂を溶剤に溶解したもので
ある。本発明のガラスをPDP、VFD等の隔壁に使用
する場合、本発明のガラスの粉末は、低膨張セラミック
スフィラーおよび耐熱顔料の少なくともいずれか一方と
混合して使用することが好ましい。
およびモル%表示の本発明のガラスを、あわせて単に本
発明のガラスをいう。本発明のガラスは通常は粉末状に
して使用される。本発明のガラスの粉末は、たとえば、
低膨張セラミックスフィラー、耐熱顔料等と混合され、
次にペースト化される。このガラスペーストは下地のガ
ラス所定部位に塗布され、焼成される。前記下地のガラ
スはガラス基板等であるが、ガラス基板の上に透明導電
膜、不透明導電膜等が被覆されているものも含む。ま
た、前記ビヒクルは通常は樹脂を溶剤に溶解したもので
ある。本発明のガラスをPDP、VFD等の隔壁に使用
する場合、本発明のガラスの粉末は、低膨張セラミック
スフィラーおよび耐熱顔料の少なくともいずれか一方と
混合して使用することが好ましい。
【0007】前記低膨張セラミックスフィラーは所望の
隔壁形状を得るための成分であって、隔壁の強度を高め
る効果も有し、その50〜350℃における平均線膨張
係数αは典型的には70×10- 7/℃以下である。アル
ミナ、ムライト、ジルコン、コージェライト、チタン酸
アルミニウム、β−スポジュメン、α−石英、溶融石
英、β−石英固溶体およびβ−ユークリプタイトから選
ばれる1種以上の粉末であることが、取り扱いやすさま
たは入手しやすさの点から好ましい。
隔壁形状を得るための成分であって、隔壁の強度を高め
る効果も有し、その50〜350℃における平均線膨張
係数αは典型的には70×10- 7/℃以下である。アル
ミナ、ムライト、ジルコン、コージェライト、チタン酸
アルミニウム、β−スポジュメン、α−石英、溶融石
英、β−石英固溶体およびβ−ユークリプタイトから選
ばれる1種以上の粉末であることが、取り扱いやすさま
たは入手しやすさの点から好ましい。
【0008】前記耐熱顔料は色調調整成分であり、たと
えばチタニア等の白色顔料、Fe−Mn複酸化物系、F
e−Co−Cr複酸化物系、Fe−Mn−Al複酸化物
系等の黒色顔料が挙げられる。前記ビヒクルとしては、
エチルセルロース、ニトロセルロース、等の樹脂を、α
-テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、酢
酸イソペンチル、等の溶剤に溶解したものが通常用いら
れる。
えばチタニア等の白色顔料、Fe−Mn複酸化物系、F
e−Co−Cr複酸化物系、Fe−Mn−Al複酸化物
系等の黒色顔料が挙げられる。前記ビヒクルとしては、
エチルセルロース、ニトロセルロース、等の樹脂を、α
-テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、酢
酸イソペンチル、等の溶剤に溶解したものが通常用いら
れる。
【0009】前記焼成が行われる焼成温度TBは500
〜620℃であることが好ましい。500℃未満では、
隔壁に樹脂成分が一部残留し、PDP、VFD等におい
てパネルを封着した後に該樹脂成分が隔壁から放出され
るおそれがある。620℃超ではガラス基板が変形する
おそれがある。
〜620℃であることが好ましい。500℃未満では、
隔壁に樹脂成分が一部残留し、PDP、VFD等におい
てパネルを封着した後に該樹脂成分が隔壁から放出され
るおそれがある。620℃超ではガラス基板が変形する
おそれがある。
【0010】本発明のガラスの軟化点TSは450〜6
50℃であることが好ましい。450℃未満では、焼成
時にガラスが流動しすぎ、所望の隔壁形状が得られなく
なるおそれがある。より好ましくは500℃以上であ
る。650℃超では、焼成時のガラスの流動性が低下
し、緻密な隔壁が得られなくなるおそれがある。より好
ましくは620℃以下、特に好ましくは600℃未満で
ある。
50℃であることが好ましい。450℃未満では、焼成
時にガラスが流動しすぎ、所望の隔壁形状が得られなく
なるおそれがある。より好ましくは500℃以上であ
る。650℃超では、焼成時のガラスの流動性が低下
し、緻密な隔壁が得られなくなるおそれがある。より好
ましくは620℃以下、特に好ましくは600℃未満で
ある。
【0011】本発明のガラスの、1MHzにおける比誘
電率εは10.5以下であることが好ましい。10.5
超ではPDP、VFD等の消費電力が大きくなるおそれ
がある。より好ましくは10以下である。
電率εは10.5以下であることが好ましい。10.5
超ではPDP、VFD等の消費電力が大きくなるおそれ
がある。より好ましくは10以下である。
【0012】本発明のガラスのαは65×10-7〜85
×10-7/℃であることが好ましい。この範囲外では、
下地のガラス(αは典型的には65×10-7〜85×1
0-7/℃)との膨張マッチングが困難となる。より好ま
しくは70×10-7〜80×10-7/℃である。
×10-7/℃であることが好ましい。この範囲外では、
下地のガラス(αは典型的には65×10-7〜85×1
0-7/℃)との膨張マッチングが困難となる。より好ま
しくは70×10-7〜80×10-7/℃である。
【0013】次に、質量百分率表示の本発明のガラスに
ついて質量百分率表示で、モル%表示の本発明のガラス
についてモル%表示で、あわせて説明する。モル%表示
の本発明のガラスの説明にかかるモル%表示の含有量
は、大括弧[・・%]で示す。Bi2O3はTSを低下さ
せ、またはαを大きくする効果を有し、必須である。6
0%[22%]超ではαが大きくなる、またはεが大き
くなる。好ましくは55%[20%]以下、より好まし
くは53%[18%]以下である。20%[6%]未満
ではTSが高くなる。好ましくは30%[10%]以
上、より好ましくは35%[11%]以上である。
ついて質量百分率表示で、モル%表示の本発明のガラス
についてモル%表示で、あわせて説明する。モル%表示
の本発明のガラスの説明にかかるモル%表示の含有量
は、大括弧[・・%]で示す。Bi2O3はTSを低下さ
せ、またはαを大きくする効果を有し、必須である。6
0%[22%]超ではαが大きくなる、またはεが大き
くなる。好ましくは55%[20%]以下、より好まし
くは53%[18%]以下である。20%[6%]未満
ではTSが高くなる。好ましくは30%[10%]以
上、より好ましくは35%[11%]以上である。
【0014】B2O3はガラスを安定化させる効果を有
し、必須である。55%[80%]超ではTSが高くな
る、または分相する。好ましくは45%[70%]以
下、より好ましくは40%[65%]以下である。20
%[35%]未満では、Bi2O3が多くなりすぎ黄色着
色が顕著になる。好ましくは24%[40%]以上であ
る。
し、必須である。55%[80%]超ではTSが高くな
る、または分相する。好ましくは45%[70%]以
下、より好ましくは40%[65%]以下である。20
%[35%]未満では、Bi2O3が多くなりすぎ黄色着
色が顕著になる。好ましくは24%[40%]以上であ
る。
【0015】SiO2は必須ではないが、ガラスを安定
化させるために15%[30%]まで含有してもよい。
15%[30%]超ではTSが高くなるおそれがある。
好ましくは10%[20%]以下である。SiO2を含
有する場合、その含有量は2%[4%]以上であること
が好ましい。より好ましくは4%[8%]以上である。
化させるために15%[30%]まで含有してもよい。
15%[30%]超ではTSが高くなるおそれがある。
好ましくは10%[20%]以下である。SiO2を含
有する場合、その含有量は2%[4%]以上であること
が好ましい。より好ましくは4%[8%]以上である。
【0016】Al2O3は必須ではないが、ガラスを安定
化させるために15%[20%]まで含有してもよい。
15%[20%]超では失透するおそれがある。好まし
くは10%[15%]以下である。Al2O3を含有する
場合、その含有量は0.5%[1%]以上であることが
好ましい。より好ましくは2%[3%]以上である。
化させるために15%[20%]まで含有してもよい。
15%[20%]超では失透するおそれがある。好まし
くは10%[15%]以下である。Al2O3を含有する
場合、その含有量は0.5%[1%]以上であることが
好ましい。より好ましくは2%[3%]以上である。
【0017】SrOは必須ではないが、耐水性向上また
は分相抑制のために30%[40%]まで含有してもよ
い。30%[40%]超では失透するおそれがある。好
ましくは25%[30%]以下、特に好ましくは15%
[20%]以下である。
は分相抑制のために30%[40%]まで含有してもよ
い。30%[40%]超では失透するおそれがある。好
ましくは25%[30%]以下、特に好ましくは15%
[20%]以下である。
【0018】BaOは必須ではないが、耐水性を向上さ
せるために、または分相を抑制するために30%[30
%]まで含有してもよい。30%[30%]超では失透
するおそれがある。好ましくは25%[20%]以下、
より好ましくは20%[15%]以下である。BaOを
含有する場合、その含有量は5%[3%]以上であるこ
とが好ましい。より好ましくは9%[6%]以上であ
る。
せるために、または分相を抑制するために30%[30
%]まで含有してもよい。30%[30%]超では失透
するおそれがある。好ましくは25%[20%]以下、
より好ましくは20%[15%]以下である。BaOを
含有する場合、その含有量は5%[3%]以上であるこ
とが好ましい。より好ましくは9%[6%]以上であ
る。
【0019】SrOおよびBaOのいずれか1種以上を
含有する場合、SrOおよびBaOの含有量の合計は5
%[5%]〜20%[15%]であることが好ましい。
含有する場合、SrOおよびBaOの含有量の合計は5
%[5%]〜20%[15%]であることが好ましい。
【0020】Li2O、Na2OおよびK2Oはいずれも
必須ではないが、TSを低下させるために、それぞれ6
%[9%]、8%[9%]、10%[9%]まで含有し
てもよい。それを超えて含有すると電気絶縁性が低下す
るおそれがある。好ましくはそれぞれ2%[5%]以
下、3%[5%]以下、3%[5%]以下である。電気
絶縁性を向上させたい場合、Li2O、Na2OおよびK
2Oの含有量の合計は0%[0%]〜2%[5%]とす
ることが好ましい。より好ましくは0%[0%]〜1%
[2%]であり、Li2O、Na2OおよびK2Oのいず
れも含有しないことが特に好ましい。
必須ではないが、TSを低下させるために、それぞれ6
%[9%]、8%[9%]、10%[9%]まで含有し
てもよい。それを超えて含有すると電気絶縁性が低下す
るおそれがある。好ましくはそれぞれ2%[5%]以
下、3%[5%]以下、3%[5%]以下である。電気
絶縁性を向上させたい場合、Li2O、Na2OおよびK
2Oの含有量の合計は0%[0%]〜2%[5%]とす
ることが好ましい。より好ましくは0%[0%]〜1%
[2%]であり、Li2O、Na2OおよびK2Oのいず
れも含有しないことが特に好ましい。
【0021】CuOおよびCeO2はいずれも必須では
ないが、Bi2O3含有に伴う着色を低減させるためにそ
れぞれ3%[5%]まで含有してもよい。3%[5%]
超ではCuOまたはCeO2に起因する着色が顕著にな
る。好ましくはそれぞれ2%[3%]以下、より好まし
くはそれぞれ0.5%[1%]以下である。CuOまた
はCeO2を含有する場合、CuO含有量またはCeO2
含有量はそれぞれ0.1%[0.1%]以上であること
が好ましい。
ないが、Bi2O3含有に伴う着色を低減させるためにそ
れぞれ3%[5%]まで含有してもよい。3%[5%]
超ではCuOまたはCeO2に起因する着色が顕著にな
る。好ましくはそれぞれ2%[3%]以下、より好まし
くはそれぞれ0.5%[1%]以下である。CuOまた
はCeO2を含有する場合、CuO含有量またはCeO2
含有量はそれぞれ0.1%[0.1%]以上であること
が好ましい。
【0022】Bi2O3を35%[11%]〜55%[2
0%]、B2O3を24%[40%]〜40%[65
%]、SiO2を2%[4%]〜10%[20%]、A
l2O3を2%[3%]〜10%[15%]、SrOおよ
びBaOのいずれか1種以上を合計で5%[5%]〜2
0%[15%]、CeO2を0.1%[0.1%]〜
0.5%[0.5%]含有することが好ましい。
0%]、B2O3を24%[40%]〜40%[65
%]、SiO2を2%[4%]〜10%[20%]、A
l2O3を2%[3%]〜10%[15%]、SrOおよ
びBaOのいずれか1種以上を合計で5%[5%]〜2
0%[15%]、CeO2を0.1%[0.1%]〜
0.5%[0.5%]含有することが好ましい。
【0023】本発明のガラスは本質的に上記成分からな
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該他の成分の含有量の合計は、好ましくは
10%[10%]以下、より好ましくは5%[5%]以下で
ある。前記他の成分として以下のようなものが例示され
る。すなわち、TSの調整、αの調整、ガラスの安定性
向上、化学的耐久性の向上等のために、ZnO、TiO
2、ZrO2、La2O3等を含有してもよい。また、TS
を低下させるために、電気絶縁性を阻害しない範囲でF
等のハロゲンを含有してもよい。
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該他の成分の含有量の合計は、好ましくは
10%[10%]以下、より好ましくは5%[5%]以下で
ある。前記他の成分として以下のようなものが例示され
る。すなわち、TSの調整、αの調整、ガラスの安定性
向上、化学的耐久性の向上等のために、ZnO、TiO
2、ZrO2、La2O3等を含有してもよい。また、TS
を低下させるために、電気絶縁性を阻害しない範囲でF
等のハロゲンを含有してもよい。
【0024】
【実施例】表1のBi2O3からCeO2までの欄に質量
百分率で示す組成となるように、原料を調合して混合
し、1200〜1350℃の電気炉中で白金ルツボを用
いて1時間溶融した。次に、溶融ガラスを薄板状ガラス
に成形し、該薄板状ガラスをボールミルで粉砕して平均
粒径が2.0μmのガラス粉末とした。例1〜3は実施
例、例4、5は比較例である。なお、例1〜5のモル%
表示組成を表2に示す。
百分率で示す組成となるように、原料を調合して混合
し、1200〜1350℃の電気炉中で白金ルツボを用
いて1時間溶融した。次に、溶融ガラスを薄板状ガラス
に成形し、該薄板状ガラスをボールミルで粉砕して平均
粒径が2.0μmのガラス粉末とした。例1〜3は実施
例、例4、5は比較例である。なお、例1〜5のモル%
表示組成を表2に示す。
【0025】例1〜5のTS(単位:℃)、α(単位:
10-7/℃)およびεを下記方法で測定した。結果を表
1に示す。 TS:示差熱分析計を用いて測定した。 α:ガラス粉末を加圧成形後、表1に示す焼成温度TB
(単位:℃)で10分間焼成して得た焼成体を直径5m
m、長さ2cmの円柱状に加工してサンプルとし、50
〜350℃における平均線膨張係数αを測定した。 ε:前記焼成体を50mm×50mm×厚さ5mmに加
工し、その表面に電極を蒸着して周波数1MHzで比誘
電率εを測定した。
10-7/℃)およびεを下記方法で測定した。結果を表
1に示す。 TS:示差熱分析計を用いて測定した。 α:ガラス粉末を加圧成形後、表1に示す焼成温度TB
(単位:℃)で10分間焼成して得た焼成体を直径5m
m、長さ2cmの円柱状に加工してサンプルとし、50
〜350℃における平均線膨張係数αを測定した。 ε:前記焼成体を50mm×50mm×厚さ5mmに加
工し、その表面に電極を蒸着して周波数1MHzで比誘
電率εを測定した。
【0026】次に、例1〜5のそれぞれのガラス粉末を
77質量部、平均粒径が3.0μmのアルミナ粉末を1
7質量部、平均粒径が0.1μmのチタニア粉末を6質
量部の割合で混合したガラスセラミックス組成物100
gを、23〜27gのα−テルピネオールと1〜5gの
エチルセルロースからなるビヒクルと混練してガラスペ
ーストとした。
77質量部、平均粒径が3.0μmのアルミナ粉末を1
7質量部、平均粒径が0.1μmのチタニア粉末を6質
量部の割合で混合したガラスセラミックス組成物100
gを、23〜27gのα−テルピネオールと1〜5gの
エチルセルロースからなるビヒクルと混練してガラスペ
ーストとした。
【0027】このガラスペーストを、100mm×10
0mm×厚さ2.8mmのソーダライムシリカガラス基
板にブレードコートし、120℃で30分間乾燥し、膜
厚200μmの未焼成隔壁層を得た。
0mm×厚さ2.8mmのソーダライムシリカガラス基
板にブレードコートし、120℃で30分間乾燥し、膜
厚200μmの未焼成隔壁層を得た。
【0028】この未焼成隔壁層の上にドライフィルムレ
ジストをラミネートした後、隔壁パターンの露光マスク
をセットして露光した。その後、濃度3g/Lの炭酸ナ
トリウム水溶液で現像して、ライン幅100μm、スペ
ース幅150μmの隔壁パターンを前記未焼成隔壁層の
上に形成した。
ジストをラミネートした後、隔壁パターンの露光マスク
をセットして露光した。その後、濃度3g/Lの炭酸ナ
トリウム水溶液で現像して、ライン幅100μm、スペ
ース幅150μmの隔壁パターンを前記未焼成隔壁層の
上に形成した。
【0029】次に、サンドブラストを行って不要部を切
削して未焼成隔壁を得た。該未焼成隔壁の上に残ってい
たドライフィルムを、濃度10g/Lの水酸化ナトリウ
ム水溶液によって除去後、TBで焼成して隔壁を得た。
削して未焼成隔壁を得た。該未焼成隔壁の上に残ってい
たドライフィルムを、濃度10g/Lの水酸化ナトリウ
ム水溶液によって除去後、TBで焼成して隔壁を得た。
【0030】隔壁パターンのラインと直交する向きに前
記隔壁を切断し、得られた隔壁断面について3μm以上
の大きさの空隙の有無を電子顕微鏡により調べた。結果
を表1に示す。空隙の有無は隔壁の緻密性の指標であ
り、空隙のないことが好ましい。また、前記隔壁断面に
ついて、隔壁の1/2の高さにおける幅Wと隔壁の高さ
Hを測定した。結果を表1に示す。W/Hは0.7未満
であることが好ましい。0.7以上では隔壁形状が保持
されないおそれがある。
記隔壁を切断し、得られた隔壁断面について3μm以上
の大きさの空隙の有無を電子顕微鏡により調べた。結果
を表1に示す。空隙の有無は隔壁の緻密性の指標であ
り、空隙のないことが好ましい。また、前記隔壁断面に
ついて、隔壁の1/2の高さにおける幅Wと隔壁の高さ
Hを測定した。結果を表1に示す。W/Hは0.7未満
であることが好ましい。0.7以上では隔壁形状が保持
されないおそれがある。
【0031】
【表1】
【0032】
【表2】
【0033】
【発明の効果】本発明のガラスを用いることにより、P
DP、VFD等における隔壁を無鉛化でき、また、緻密
にできる。また、隔壁のεを低くでき、PDP、VFD
等の消費電力を削減できる。
DP、VFD等における隔壁を無鉛化でき、また、緻密
にできる。また、隔壁のεを低くでき、PDP、VFD
等の消費電力を削減できる。
フロントページの続き Fターム(参考) 4G062 AA08 AA09 AA15 BB01 BB05 BB08 DA01 DA02 DA03 DA04 DB01 DB02 DB03 DB04 DC04 DC05 DC06 DC07 DD01 DE01 DF01 EA01 EA02 EA03 EA10 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 ED01 EE01 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 FL02 FL03 GA03 GA04 GA05 GA06 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM07 NN26 NN29 PP13 PP16 5C040 GF18 KA10 KB03 KB19 KB28 MA12 MA30
Claims (8)
- 【請求項1】下記酸化物基準の質量百分率表示で、 Bi2O3 20〜60%、 B2O3 20〜55%、 SiO2 0〜15%、 Al2O3 0〜15%、 SrO 0〜30%、 BaO 0〜30%、 Li2O 0〜6%、 Na2O 0〜8%、 K2O 0〜10%、 CuO 0〜3%、 CeO2 0〜3%、 から本質的になる隔壁形成用ガラス。
- 【請求項2】Bi2O3を質量百分率表示で30〜60%
含有する請求項1に記載の隔壁形成用ガラス。 - 【請求項3】Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量の
合計が、質量百分率表示で0〜2%である請求項1また
は2に記載の隔壁形成用ガラス。 - 【請求項4】質量百分率表示で、Bi2O3を35〜55
%、B2O3を24〜40%、SiO 2を2〜10%、A
l2O3を2〜10%、SrOおよびBaOのいずれか1
種以上を合計で5〜20%、CeO2を0.1〜0.5
%含有する請求項1、2または3に記載の隔壁形成用ガ
ラス。 - 【請求項5】下記酸化物基準のモル%表示で、 Bi2O3 6〜22%、 B2O3 35〜80%、 SiO2 0〜30%、 Al2O3 0〜20%、 SrO 0〜40%、 BaO 0〜30%、 Li2O 0〜9%、 Na2O 0〜9%、 K2O 0〜9%、 CuO 0〜5%、 CeO2 0〜5%、 から本質的になる隔壁形成用ガラス。
- 【請求項6】Bi2O3をモル%表示で10〜22%以上
含有する請求項5に記載の隔壁形成用ガラス。 - 【請求項7】Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量の
合計が、モル%表示で0〜5%である請求項5または6
に記載の隔壁形成用ガラス。 - 【請求項8】モル%表示で、Bi2O3を11〜20%、
B2O3を40〜65%、SiO2を4〜20%、Al2O
3を3〜15%、SrOおよびBaOのいずれか1種以
上を合計で5〜15%、CeO2を0.1〜0.5%含
有する請求項5、6または7に記載の隔壁形成用ガラ
ス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000353339A JP2002160940A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 隔壁形成用ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000353339A JP2002160940A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 隔壁形成用ガラス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002160940A true JP2002160940A (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=18826116
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000353339A Pending JP2002160940A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 隔壁形成用ガラス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002160940A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006298735A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Central Glass Co Ltd | 無鉛低融点ガラス |
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JP2008088046A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-04-17 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 支持枠形成用ガラス組成物および支持枠形成材料 |
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-
2000
- 2000-11-20 JP JP2000353339A patent/JP2002160940A/ja active Pending
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