JP2002160089A - 気密端子およびその製造方法 - Google Patents
気密端子およびその製造方法Info
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- JP2002160089A JP2002160089A JP2000364783A JP2000364783A JP2002160089A JP 2002160089 A JP2002160089 A JP 2002160089A JP 2000364783 A JP2000364783 A JP 2000364783A JP 2000364783 A JP2000364783 A JP 2000364783A JP 2002160089 A JP2002160089 A JP 2002160089A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフローはんだ耐熱性を有する安価で信頼性
の高いPbフリーはんだを使った気密端子を実現する。 【解決手段】 気密端子リード線上にメッキ等によりB
i量30〜80at%の非共晶組成AgBi材を成膜
し、水晶振動子、SAW共振子等と溶融接合する。これ
らにより、リフローはんだ耐熱性を有する安価で信頼性
の高いPbフリーはんだを使った気密端子を実現する。
の高いPbフリーはんだを使った気密端子を実現する。 【解決手段】 気密端子リード線上にメッキ等によりB
i量30〜80at%の非共晶組成AgBi材を成膜
し、水晶振動子、SAW共振子等と溶融接合する。これ
らにより、リフローはんだ耐熱性を有する安価で信頼性
の高いPbフリーはんだを使った気密端子を実現する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、水晶振動子等に用いる
気密端子に関し、Pbフリーを実現する際に、信頼性が
高く安価な気密端子およびその製造方法に関するもので
ある。
気密端子に関し、Pbフリーを実現する際に、信頼性が
高く安価な気密端子およびその製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、電子部品は廃棄時に酸性雨等によ
り、基板や端子接続等に使用されているはんだ材中のP
bが溶け出し、土壌を汚染するという環境問題の懸念か
ら、いわゆるPbフリーはんだを使用した電子部品への
移行が進められている。ところで電子部品の素子である
水晶振動子やSAW共振子は気密性が保たれた気密端子
(ハーメチックシール)に封入され、重要な部品として多
用されている。この気密端子は密封されたパッケージの
中で水晶振動子又はSAW共振子とはんだ接続されてお
り、気密性は缶パッケージとステムを熱圧入することで
保たれている。
り、基板や端子接続等に使用されているはんだ材中のP
bが溶け出し、土壌を汚染するという環境問題の懸念か
ら、いわゆるPbフリーはんだを使用した電子部品への
移行が進められている。ところで電子部品の素子である
水晶振動子やSAW共振子は気密性が保たれた気密端子
(ハーメチックシール)に封入され、重要な部品として多
用されている。この気密端子は密封されたパッケージの
中で水晶振動子又はSAW共振子とはんだ接続されてお
り、気密性は缶パッケージとステムを熱圧入することで
保たれている。
【0003】このような目的のため気密端子の接合部に
は、あらかじめはんだメッキ膜が施してあり、水晶振動
子との接合は、このはんだ材によって行われる。はんだ
メッキ膜の溶融は一般に電気炉などの中に入れて、炉内
に流す熱風等によって行われる。熱風の温度の下限は、
耐熱はんだが完全溶融する温度、上限は水晶振動子、S
AW共振子が変質しない温度に限られる。具体的には3
50℃〜500℃である。気密パッケージされた水晶振
動子、SAW共振子は基板上に配置され、一般的にはリ
フローはんだ付けが行われる。
は、あらかじめはんだメッキ膜が施してあり、水晶振動
子との接合は、このはんだ材によって行われる。はんだ
メッキ膜の溶融は一般に電気炉などの中に入れて、炉内
に流す熱風等によって行われる。熱風の温度の下限は、
耐熱はんだが完全溶融する温度、上限は水晶振動子、S
AW共振子が変質しない温度に限られる。具体的には3
50℃〜500℃である。気密パッケージされた水晶振
動子、SAW共振子は基板上に配置され、一般的にはリ
フローはんだ付けが行われる。
【0004】リフローはんだ付作業時の部品ピーク温度
は、リフロー炉の加熱が主に温風加熱による加熱方式で
あるので、部品熱容量によってピーク温度が変わる。し
かもPbフリーリフローはんだは、通常のSnPbはん
だより融点が高いという理由で、220℃〜260℃に
なり、このリフローピーク温度でも気密端子内のはんだ
接合された水晶振動子、SAW共振子が脱落しないよう
に気密端子はんだメッキ膜は、通常のSnPbはんだよ
りも固相温度(金属材料の溶融が始まる下限温度)が高く
設定される。このはんだメッキ膜は、耐熱はんだと呼ば
れるはんだ材料が使用されている。さらに耐熱はんだは
一般的にはPb90アトミック%(以下at%と略する)
前後のSnPb材を使用して耐熱特性を実現している。
は、リフロー炉の加熱が主に温風加熱による加熱方式で
あるので、部品熱容量によってピーク温度が変わる。し
かもPbフリーリフローはんだは、通常のSnPbはん
だより融点が高いという理由で、220℃〜260℃に
なり、このリフローピーク温度でも気密端子内のはんだ
接合された水晶振動子、SAW共振子が脱落しないよう
に気密端子はんだメッキ膜は、通常のSnPbはんだよ
りも固相温度(金属材料の溶融が始まる下限温度)が高く
設定される。このはんだメッキ膜は、耐熱はんだと呼ば
れるはんだ材料が使用されている。さらに耐熱はんだは
一般的にはPb90アトミック%(以下at%と略する)
前後のSnPb材を使用して耐熱特性を実現している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術を説明
したように、耐熱はんだメッキ膜の施された気密端子
は、Pb含有量が高く、Pbフリーを実現しようとする
時代の流れに反するという問題がある。Pbフリーで耐
熱性のある接合材としてはAuSnがあるが、Auの価
格は非常に高く、気密端子の製造に使用した場合には、
電子部品としての気密端子が非常に高価になってしまう
という問題がある。
したように、耐熱はんだメッキ膜の施された気密端子
は、Pb含有量が高く、Pbフリーを実現しようとする
時代の流れに反するという問題がある。Pbフリーで耐
熱性のある接合材としてはAuSnがあるが、Auの価
格は非常に高く、気密端子の製造に使用した場合には、
電子部品としての気密端子が非常に高価になってしまう
という問題がある。
【0006】本発明の目的は、安価で信頼性の高い、P
bフリー耐熱はんだメッキの施された気密端子、および
その製造方法を提供することにある。
bフリー耐熱はんだメッキの施された気密端子、および
その製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、耐熱特性を有
するPbフリーメッキ膜の採用検討を重ねた結果、Bi
含有量が30〜80at%のAgBiメッキ膜がPbフ
リー耐熱はんだに適していることを見出したことに基づ
いてなされたものである。
するPbフリーメッキ膜の採用検討を重ねた結果、Bi
含有量が30〜80at%のAgBiメッキ膜がPbフ
リー耐熱はんだに適していることを見出したことに基づ
いてなされたものである。
【0008】本発明によると、AgBi合金膜の膜厚に
特に制限はないが、5〜20μm程度が好ましい。その
理由はAgBi合金以下になると気密端子のリードと素
子である水晶振動子を接合するはんだ量が少なくなって
しまい、AgBi合金接合強度が、低下してしまうから
である。他方AgBi合金膜厚が20μm以上になる
と、はんだ流性の効果は損なわないものの、膜厚の製作
が困難となり、経済性が低下してしまい実施不能の公算
大となる。本発明では、AgBi合金膜を、気密端子の
はんだ付け接続部に成膜させる時に、熱風を吹きつけて
成膜させるが、吹着付けの際の水晶振動子等の電子部品
の耐熱温度としては、500℃以下が望ましい。500
℃以下とする理由は、通常の電子部品耐熱温度が、50
0℃以下だからである。一方吹着付けの際のAgBi合
金膜の固相温度が、図2の固液相線S3が組成領域S2
の30〜80at%にある下限温度から350℃となる
ので、はんだ付け接続部に成膜させる時に、熱風を吹き
つけて成膜させる温度下限は、350℃である。また本
発明では、AgBi合金膜の成膜をさせる手段として
は、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着
などを適宜選択して差し支えなく、さらに、条件によっ
ては、AgBi合金箔にして、気密端子のリ−ド線と、
ボンディングパッドの間に挟み込み溶融して接合しても
よい。しかし、この水晶振動子用気密端子のように異形
である場合、スパッタリング、蒸着法で金属部分だけに
選択的に均一に成膜させることは、現在の技術では難し
いので、電解メッキがより望ましい。AgBi合金膜の
下には、密着性向上を考慮して、Cu、Cr、Ni、T
i等の下地層を適宜設定すると良い。
特に制限はないが、5〜20μm程度が好ましい。その
理由はAgBi合金以下になると気密端子のリードと素
子である水晶振動子を接合するはんだ量が少なくなって
しまい、AgBi合金接合強度が、低下してしまうから
である。他方AgBi合金膜厚が20μm以上になる
と、はんだ流性の効果は損なわないものの、膜厚の製作
が困難となり、経済性が低下してしまい実施不能の公算
大となる。本発明では、AgBi合金膜を、気密端子の
はんだ付け接続部に成膜させる時に、熱風を吹きつけて
成膜させるが、吹着付けの際の水晶振動子等の電子部品
の耐熱温度としては、500℃以下が望ましい。500
℃以下とする理由は、通常の電子部品耐熱温度が、50
0℃以下だからである。一方吹着付けの際のAgBi合
金膜の固相温度が、図2の固液相線S3が組成領域S2
の30〜80at%にある下限温度から350℃となる
ので、はんだ付け接続部に成膜させる時に、熱風を吹き
つけて成膜させる温度下限は、350℃である。また本
発明では、AgBi合金膜の成膜をさせる手段として
は、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着
などを適宜選択して差し支えなく、さらに、条件によっ
ては、AgBi合金箔にして、気密端子のリ−ド線と、
ボンディングパッドの間に挟み込み溶融して接合しても
よい。しかし、この水晶振動子用気密端子のように異形
である場合、スパッタリング、蒸着法で金属部分だけに
選択的に均一に成膜させることは、現在の技術では難し
いので、電解メッキがより望ましい。AgBi合金膜の
下には、密着性向上を考慮して、Cu、Cr、Ni、T
i等の下地層を適宜設定すると良い。
【0009】
【発明の実施の態様】図2はAgBi2元系合金の状態
図である。合金の組成は共晶組成(Bi95.3at%)
点、S0から外れた、Bi量組成領域S2が30〜80
at%のAgBi合金あるいは、この組成のAgBiを
主成分としたAgBi+α(α:残部)合金を、気密端子
メッキはんだとして使うことで、262℃の耐熱安定性
を確保し得るものである。
図である。合金の組成は共晶組成(Bi95.3at%)
点、S0から外れた、Bi量組成領域S2が30〜80
at%のAgBi合金あるいは、この組成のAgBiを
主成分としたAgBi+α(α:残部)合金を、気密端子
メッキはんだとして使うことで、262℃の耐熱安定性
を確保し得るものである。
【0010】
【実施例】図1に基づいて実施例の気密端子の説明を行
う。図1(a)は、水晶振動子を搭載するための気密端子の
リード導入端子部の1例である。金属外環1の内側に、電
気的にショートせず、さらに気密性を保つために2本の
外部導入リード2が、あらかじめ気密封止のために、ガ
ラス3でモールドされている。このリード導入端子部の
金属外環1と外部導入リード2の金属部分に、はんだめ
っきが施されている。図1(b)は、この外部導入リード
2と水晶振動子4の電極が、外部導入リード2上にめっ
きされたはんだ膜を溶融して接合した状態の実施例であ
る。
う。図1(a)は、水晶振動子を搭載するための気密端子の
リード導入端子部の1例である。金属外環1の内側に、電
気的にショートせず、さらに気密性を保つために2本の
外部導入リード2が、あらかじめ気密封止のために、ガ
ラス3でモールドされている。このリード導入端子部の
金属外環1と外部導入リード2の金属部分に、はんだめ
っきが施されている。図1(b)は、この外部導入リード
2と水晶振動子4の電極が、外部導入リード2上にめっ
きされたはんだ膜を溶融して接合した状態の実施例であ
る。
【0011】図1(c)は、この水晶振動子4とはんだ接
合されたリード導入端子部を真空雰囲気中でケース5
を、リード導入端子部の金属外環1と冷間圧入してあ
る。金属外環1と金属ケース5との気密性は、比較的柔
らかく、延性のある金属外環1のまわりに施されたはん
だ膜の金属特性を利用して、この気密端子の気密性を保
っている。
合されたリード導入端子部を真空雰囲気中でケース5
を、リード導入端子部の金属外環1と冷間圧入してあ
る。金属外環1と金属ケース5との気密性は、比較的柔
らかく、延性のある金属外環1のまわりに施されたはん
だ膜の金属特性を利用して、この気密端子の気密性を保
っている。
【0012】本発明では、金属外環1と外部導入リード
2に施されたはんだめっき膜としてリフローはんだ耐熱
性のある電解AgBiめっきが使用されている。図1
(d)は、水晶振動子4と外部導入リード2とのはんだ接
合を説明するための側面図である。水晶振動子4上にパ
ターニングされた配線板の電極6上にはんだめっきされ
た外部導入リード2が冶具等で固定されている。この状
態で外部導入リード2と電極6の接合部に熱風等を吹き
付け、リード2上のAgBi+α(α:残部)合金はんだ
膜7を溶融し、リード2と電極6をはんだ接合する。
2に施されたはんだめっき膜としてリフローはんだ耐熱
性のある電解AgBiめっきが使用されている。図1
(d)は、水晶振動子4と外部導入リード2とのはんだ接
合を説明するための側面図である。水晶振動子4上にパ
ターニングされた配線板の電極6上にはんだめっきされ
た外部導入リード2が冶具等で固定されている。この状
態で外部導入リード2と電極6の接合部に熱風等を吹き
付け、リード2上のAgBi+α(α:残部)合金はんだ
膜7を溶融し、リード2と電極6をはんだ接合する。
【0013】前述のとおり、図2はAgBi2元系合金
の状態図である。この図を使ってAgBi合金膜の耐熱
特性についての説明を行う。AgBi合金膜は、典型的
な共晶合金である。固相温度S1は262℃であり、2
62℃までは溶融することは、ありえない。気密パッケ
ージされた水晶振動子、SAW共振子は基板上に配置さ
れ、一般的にはリフローはんだ付けが行われる。リフロ
ーはんだ時の部品ピーク温度は220〜260℃にな
り、このリフローピーク温度でも気密端子内のはんだ接
合された水晶振動子、SAW共振子が脱落しないように
気密端子はんだメッキ膜は使用温度範囲が220〜26
0℃になり、この範囲に耐える耐熱特性が要求される。
本提案のAgBi材は上記のように固相温度S2が26
2℃であり、リフロー温度に対して耐熱性のあることが
わかる。
の状態図である。この図を使ってAgBi合金膜の耐熱
特性についての説明を行う。AgBi合金膜は、典型的
な共晶合金である。固相温度S1は262℃であり、2
62℃までは溶融することは、ありえない。気密パッケ
ージされた水晶振動子、SAW共振子は基板上に配置さ
れ、一般的にはリフローはんだ付けが行われる。リフロ
ーはんだ時の部品ピーク温度は220〜260℃にな
り、このリフローピーク温度でも気密端子内のはんだ接
合された水晶振動子、SAW共振子が脱落しないように
気密端子はんだメッキ膜は使用温度範囲が220〜26
0℃になり、この範囲に耐える耐熱特性が要求される。
本提案のAgBi材は上記のように固相温度S2が26
2℃であり、リフロー温度に対して耐熱性のあることが
わかる。
【0014】通常のSnPbはんだ材料は、固相温度S
1と液相温度S2が離れるとはんだ作業性が悪くなるの
で、固相温度と液相温度とが一致する共晶組成あたりで
使用される。本実施例のAgBi合金膜の場合、共晶組
成点S0はBi95.3at%であり、耐熱特性はある
が、このようなBi量の高い組成では、合金自体が非常
に脆くなるため、AgBi合金がはんだ材として使用さ
れることは無かったのである。
1と液相温度S2が離れるとはんだ作業性が悪くなるの
で、固相温度と液相温度とが一致する共晶組成あたりで
使用される。本実施例のAgBi合金膜の場合、共晶組
成点S0はBi95.3at%であり、耐熱特性はある
が、このようなBi量の高い組成では、合金自体が非常
に脆くなるため、AgBi合金がはんだ材として使用さ
れることは無かったのである。
【0015】本発明に用いるAgBi合金膜の組成は共
晶組成(Bi95.3at%)から外れた、Bi量組成領
域S2が30〜80at%のAgBi合金あるいは、こ
の組成のAgBiを主成分としたAg−Bi−α(α:
残部)合金である。AgBi合金はBi量の組成領域が
80at%以上になっても固相温度S1は262℃と耐
熱特性は保証されるが、Bi量が多くなることでAgB
i合金は非常に脆くなり、引っ張り強度が急激に劣化す
るため水晶振動子と気密端子の接合強度が弱く、信頼性
に欠ける。また、Bi量の組成領域が30at%以下に
なっても、やはり固相温度S1は262℃と耐熱温度は
保証されるが、液相温度S2が500℃以上になってし
まい、電子部品としての耐熱温度保証が得られない。な
ぜなら、一般的に水晶振動子等の電子部品の耐熱温度は
500℃以下である。500℃以下のはんだ作業でBi
量30at%以下のAgBi合金を使用すると、AgB
i合金に溶け残りが生じ、やはり水晶振動子と気密端子
の接合強度が急激に悪くなる。また、このBi量(30
〜80at%)組成領域S2では、固液相線S3の傾き
が比較的緩やかであるため、組成が少々ずれても特性上
のばらつきは小さいがBi量が80at%以上、あるい
は30at%以下では、図2からわかるように、液相の
固液相線S4の温度勾配の傾きが大きくなり液相温度が
組成変動に敏感になってしまうため、組成調整を厳しく
制御しなければならないという問題も生じる。
晶組成(Bi95.3at%)から外れた、Bi量組成領
域S2が30〜80at%のAgBi合金あるいは、こ
の組成のAgBiを主成分としたAg−Bi−α(α:
残部)合金である。AgBi合金はBi量の組成領域が
80at%以上になっても固相温度S1は262℃と耐
熱特性は保証されるが、Bi量が多くなることでAgB
i合金は非常に脆くなり、引っ張り強度が急激に劣化す
るため水晶振動子と気密端子の接合強度が弱く、信頼性
に欠ける。また、Bi量の組成領域が30at%以下に
なっても、やはり固相温度S1は262℃と耐熱温度は
保証されるが、液相温度S2が500℃以上になってし
まい、電子部品としての耐熱温度保証が得られない。な
ぜなら、一般的に水晶振動子等の電子部品の耐熱温度は
500℃以下である。500℃以下のはんだ作業でBi
量30at%以下のAgBi合金を使用すると、AgB
i合金に溶け残りが生じ、やはり水晶振動子と気密端子
の接合強度が急激に悪くなる。また、このBi量(30
〜80at%)組成領域S2では、固液相線S3の傾き
が比較的緩やかであるため、組成が少々ずれても特性上
のばらつきは小さいがBi量が80at%以上、あるい
は30at%以下では、図2からわかるように、液相の
固液相線S4の温度勾配の傾きが大きくなり液相温度が
組成変動に敏感になってしまうため、組成調整を厳しく
制御しなければならないという問題も生じる。
【0016】他の実施例としては、AgBiはんだ層の
下には密着性向上のためCuの他に、例えば、Cr、T
i、Ni等の下地層があっても良い。またAgBi表面
に酸化防止等の保護のための保護膜があっても良い。一
般にはんだ材として使われているSnをベースとしたS
nPb、SnCu、SnAg等の材料は材料中に圧縮応
力がかかると応力緩和のためにウィスカーと呼ばれる特
殊な再結晶過程が起こり、電気的ショート等のトラブル
の原因となるが、本提案のAgBi合金はSnを使用し
ていないため、このような問題が生じることもない。
下には密着性向上のためCuの他に、例えば、Cr、T
i、Ni等の下地層があっても良い。またAgBi表面
に酸化防止等の保護のための保護膜があっても良い。一
般にはんだ材として使われているSnをベースとしたS
nPb、SnCu、SnAg等の材料は材料中に圧縮応
力がかかると応力緩和のためにウィスカーと呼ばれる特
殊な再結晶過程が起こり、電気的ショート等のトラブル
の原因となるが、本提案のAgBi合金はSnを使用し
ていないため、このような問題が生じることもない。
【0017】Agの材料費はSnベースの材料費よりも
若干高くなるが、AuSnほどは高くならず、AgBi
合金材料費が気密端子原価に占めるコストの割合は、そ
れほど高くならず安価に作製可能である。本発明のAg
Bi膜厚は、特に制限されないが5μm以下になるとA
gBi溶融量が少なすぎるため、接合強度が落ちる。2
0μm以上になっても成膜時間がかかりムダが多くなる
だけなので、5〜20μm厚くらいが好ましい。AgB
iはメッキ、スパッタリング、蒸着等によって成膜され
ても良いし、あるいは箔にして気密端子のリード線とボ
ンディングパッドの間に挟み込み溶融して接合してもよ
い。
若干高くなるが、AuSnほどは高くならず、AgBi
合金材料費が気密端子原価に占めるコストの割合は、そ
れほど高くならず安価に作製可能である。本発明のAg
Bi膜厚は、特に制限されないが5μm以下になるとA
gBi溶融量が少なすぎるため、接合強度が落ちる。2
0μm以上になっても成膜時間がかかりムダが多くなる
だけなので、5〜20μm厚くらいが好ましい。AgB
iはメッキ、スパッタリング、蒸着等によって成膜され
ても良いし、あるいは箔にして気密端子のリード線とボ
ンディングパッドの間に挟み込み溶融して接合してもよ
い。
【0018】次に本発明について水晶振動子の接合強度
とBi組成依存性の関係について、実験データを用いて
説明する。なお実験に用いた気密端子リード線径は、φ
0.3mmであり、このリード線上にCu2μm下地層
/AgBi(Bi:at%)10μmをメッキ成膜し
た。それに対しボンディングパッドはAuメッキされた
0.3×0.2mm2の大きさの水晶振動子を用い、4
50℃温度でAgBiを接合し、接合強度を調べた。図
3はBi量組成領域S22(xat%)を変えていったと
きの接合強度依存性の実験グラフである。接合強度規格
700g/mm2以上に対し、共晶組成からはずれたB
i30〜80at%で規格を満足する密着強度が得られ
ることがわかる。Biが30%(S20)以下のときに
は、AgBi状態図から明らかなように、液相温度が5
50℃以上であるため450℃接合温度では、AgBi
合金が全溶融しないため密着強度が下がり、他方Bi8
0あt%以上(S90)では、Bi量が多くなりAgBi
合金自体が脆くなるため、密着強度が、やはり下がって
しまったと考えられる。なお、図3のBi組成−密着強
度特性線図は、各Bi量に対し50個ずつ測定した密着
力の分散を考慮したグラフになっている。
とBi組成依存性の関係について、実験データを用いて
説明する。なお実験に用いた気密端子リード線径は、φ
0.3mmであり、このリード線上にCu2μm下地層
/AgBi(Bi:at%)10μmをメッキ成膜し
た。それに対しボンディングパッドはAuメッキされた
0.3×0.2mm2の大きさの水晶振動子を用い、4
50℃温度でAgBiを接合し、接合強度を調べた。図
3はBi量組成領域S22(xat%)を変えていったと
きの接合強度依存性の実験グラフである。接合強度規格
700g/mm2以上に対し、共晶組成からはずれたB
i30〜80at%で規格を満足する密着強度が得られ
ることがわかる。Biが30%(S20)以下のときに
は、AgBi状態図から明らかなように、液相温度が5
50℃以上であるため450℃接合温度では、AgBi
合金が全溶融しないため密着強度が下がり、他方Bi8
0あt%以上(S90)では、Bi量が多くなりAgBi
合金自体が脆くなるため、密着強度が、やはり下がって
しまったと考えられる。なお、図3のBi組成−密着強
度特性線図は、各Bi量に対し50個ずつ測定した密着
力の分散を考慮したグラフになっている。
【0019】
【発明の効果】以上、作用および実施例にて説明したよ
うに本発明によれば、リフローはんだ耐熱性を有する安
価で信頼性の高いPbフリーはんだを使った気密端子が
生産できる。
うに本発明によれば、リフローはんだ耐熱性を有する安
価で信頼性の高いPbフリーはんだを使った気密端子が
生産できる。
【0020】
【図1】 本発明の実施例を説明するの気密端子の斜視
図である。
図である。
【図2】 本発明の実施例のAgBi合金膜を説明する
ためのAgBi合金状態図である。
ためのAgBi合金状態図である。
【図3】 本発明の実施例のAgBi合金膜についての
Bi組成−密着強度特性線図である。
Bi組成−密着強度特性線図である。
1 金属外環 2 外部導出リード 3 ガラス 4 素子(水晶振動子) 5 金属ケース 6 電極 7 AgBiめっき膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H03H 9/02 H03H 9/02 E Fターム(参考) 5J108 BB02 CC04 CC06 EE02 EE07 EE19 FF15 GG04 GG15 GG17 GG20 KK03 KK04 MM06
Claims (4)
- 【請求項1】電子部品の素子と外部導出するリード線と
をはんだ接続する気密端子のはんだ付け接続部にBi組
成比が30〜80at%である非共晶Ag−Bi合金、
およびこの組成比のAg−Biが主成分であるAg−B
i−α(残部)合金が成膜されていることを特徴とする気
密端子。 - 【請求項2】請求項1において、AgBi合金膜下にC
u、Cr、Ti、Ni等の下地層が成膜されていること
を特徴とする気密端子。 - 【請求項3】請求項1において、AgBi合金膜が電解メ
ッキによって成膜することを特徴とする気密端子、およ
びその製造方法。 - 【請求項4】請求項1において、気密端子のはんだ付接続
部に350〜500℃の熱風を吹き付け、AgBi合金
を溶かし接合することを特徴とする気密端子、およびそ
の製造方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000364783A JP2002160089A (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 気密端子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2000364783A JP2002160089A (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 気密端子およびその製造方法 |
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-
2000
- 2000-11-30 JP JP2000364783A patent/JP2002160089A/ja not_active Withdrawn
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