JP2002154053A - 研磨装置及び研磨方法 - Google Patents
研磨装置及び研磨方法Info
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- JP2002154053A JP2002154053A JP2000334745A JP2000334745A JP2002154053A JP 2002154053 A JP2002154053 A JP 2002154053A JP 2000334745 A JP2000334745 A JP 2000334745A JP 2000334745 A JP2000334745 A JP 2000334745A JP 2002154053 A JP2002154053 A JP 2002154053A
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- polishing
- polished
- thickness
- time
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 適切な研磨時間を設定することにより半導体
ウェハ等の被研磨体を最適状態となるように研磨するこ
とが可能な研磨装置及び研磨方法を提供する。 【解決手段】 研磨装置は、被研磨体を研磨する研磨手
段と、研磨手段により研磨される被研磨体の研磨前の厚
さ、研磨時間及び研磨後の厚さを測定する測定手段と、
測定手段で得られたデータと被研磨体の厚さの目標値と
に基づき被研磨体の最適研磨時間を計算するプロセッサ
と、新たに研磨される被研磨体をプロセッサにより計算
された最適研磨時間だけ研磨するように研磨手段を制御
する制御手段とを備えている。このプロセッサは、被研
磨体の研磨前の厚さ、研磨時間、研磨後の厚さ及び被研
磨体の厚さの目標値を含むパラメータと演算子を用いて
任意に設定された計算式に従って被研磨体の最適研磨時
間を計算する。
ウェハ等の被研磨体を最適状態となるように研磨するこ
とが可能な研磨装置及び研磨方法を提供する。 【解決手段】 研磨装置は、被研磨体を研磨する研磨手
段と、研磨手段により研磨される被研磨体の研磨前の厚
さ、研磨時間及び研磨後の厚さを測定する測定手段と、
測定手段で得られたデータと被研磨体の厚さの目標値と
に基づき被研磨体の最適研磨時間を計算するプロセッサ
と、新たに研磨される被研磨体をプロセッサにより計算
された最適研磨時間だけ研磨するように研磨手段を制御
する制御手段とを備えている。このプロセッサは、被研
磨体の研磨前の厚さ、研磨時間、研磨後の厚さ及び被研
磨体の厚さの目標値を含むパラメータと演算子を用いて
任意に設定された計算式に従って被研磨体の最適研磨時
間を計算する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨装置及び研磨方
法に係り、特に、半導体ウェハ等の被研磨体の表面を平
坦な鏡面に研磨する研磨装置及び研磨方法に関する。
法に係り、特に、半導体ウェハ等の被研磨体の表面を平
坦な鏡面に研磨する研磨装置及び研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化により
回路配線が微細化しつつある。これに伴い、例えば、光
リソグラフィー等で回路が形成される場合、光の焦点が
浅くなるので、回路が形成される半導体ウェハの表面は
平坦化されていることが必要になる。このような半導体
ウェハ等の表面を平坦化する手段として、化学機械研磨
（ケミカルメカニカルポリッシング）が用いられてい
る。
回路配線が微細化しつつある。これに伴い、例えば、光
リソグラフィー等で回路が形成される場合、光の焦点が
浅くなるので、回路が形成される半導体ウェハの表面は
平坦化されていることが必要になる。このような半導体
ウェハ等の表面を平坦化する手段として、化学機械研磨
（ケミカルメカニカルポリッシング）が用いられてい
る。
【０００３】化学機械研磨を行うための研磨装置は、表
面に研磨パッドが貼着された研磨プラテンと、被研磨体
を被研磨面が研磨プラテンに対向するように保持する研
磨ヘッドとを備えている。そして、研磨プラテン及び研
磨ヘッドは、それぞれ、回転軸に連結され回転可能とな
っている。
面に研磨パッドが貼着された研磨プラテンと、被研磨体
を被研磨面が研磨プラテンに対向するように保持する研
磨ヘッドとを備えている。そして、研磨プラテン及び研
磨ヘッドは、それぞれ、回転軸に連結され回転可能とな
っている。
【０００４】このような研磨装置においては、研磨ヘッ
ドに保持された半導体ウェハは研磨プラテン表面の研磨
パッドに押圧され、これと共に研磨プラテン及び研磨ヘ
ッドが回転される。これによって、研磨ヘッドに保持さ
れた半導体ウェハは研磨パッドにより研磨される。
ドに保持された半導体ウェハは研磨プラテン表面の研磨
パッドに押圧され、これと共に研磨プラテン及び研磨ヘ
ッドが回転される。これによって、研磨ヘッドに保持さ
れた半導体ウェハは研磨パッドにより研磨される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような研磨装置
においては、被研磨体が所望の平坦度又は厚さまで研磨
されたときに研磨を終了させる必要がある。従来は、研
磨の最中に被研磨体を研磨装置から取り外し、研磨が所
望の平坦度又は厚さまで行われているかを評価し、研磨
が不十分な場合、被研磨体を再度研磨装置に戻して研磨
を続行するということが行われていた。しかし、このよ
うな方法は時間及び手間を必要とするという問題があっ
た。また、研磨が過剰に行われると、その被研磨体は使
用不可能となるため、材料のロスが大きいという問題も
あった。
においては、被研磨体が所望の平坦度又は厚さまで研磨
されたときに研磨を終了させる必要がある。従来は、研
磨の最中に被研磨体を研磨装置から取り外し、研磨が所
望の平坦度又は厚さまで行われているかを評価し、研磨
が不十分な場合、被研磨体を再度研磨装置に戻して研磨
を続行するということが行われていた。しかし、このよ
うな方法は時間及び手間を必要とするという問題があっ
た。また、研磨が過剰に行われると、その被研磨体は使
用不可能となるため、材料のロスが大きいという問題も
あった。
【０００６】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、適切な研磨時間を設定すること
により半導体ウェハ等の被研磨体を所望の厚さ又は平坦
度まで研磨することが可能な研磨装置及び研磨方法を提
供することを目的とする。
になされたものであり、適切な研磨時間を設定すること
により半導体ウェハ等の被研磨体を所望の厚さ又は平坦
度まで研磨することが可能な研磨装置及び研磨方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明の研磨装置は、被研磨体を研磨する研磨手段
と、該研磨手段により研磨された被研磨体の研磨前の状
態、研磨時間及び研磨後の状態を測定する測定手段と、
該測定手段で得られたデータと前記被研磨体の最適研磨
状態を表すデータとに基づいて、予め設定された計算式
に従って、前記被研磨体の最適研磨時間を計算するプロ
セッサと、新たに研磨される被研磨体を前記プロセッサ
により計算された最適研磨時間だけ研磨するように前記
研磨手段を制御する制御手段とを備えるように構成し
た。
め、本発明の研磨装置は、被研磨体を研磨する研磨手段
と、該研磨手段により研磨された被研磨体の研磨前の状
態、研磨時間及び研磨後の状態を測定する測定手段と、
該測定手段で得られたデータと前記被研磨体の最適研磨
状態を表すデータとに基づいて、予め設定された計算式
に従って、前記被研磨体の最適研磨時間を計算するプロ
セッサと、新たに研磨される被研磨体を前記プロセッサ
により計算された最適研磨時間だけ研磨するように前記
研磨手段を制御する制御手段とを備えるように構成し
た。
【０００８】また、本発明の研磨方法は、研磨手段によ
り被研磨体を研磨する研磨ステップと、該研磨ステップ
で研磨される被研磨体の研磨前の状態、研磨時間及び研
磨後の状態を測定する測定ステップと、該測定ステップ
で得られたデータと前記被研磨体の最適研磨状態を表す
データとに基づいて予め設定された計算式に従って前記
被研磨体の最適研磨時間を計算する計算ステップと、新
たに研磨される被研磨体を前記プロセッサにより計算さ
れた最適研磨時間だけ研磨するように前記研磨手段を制
御する制御ステップとを含むように構成した。
り被研磨体を研磨する研磨ステップと、該研磨ステップ
で研磨される被研磨体の研磨前の状態、研磨時間及び研
磨後の状態を測定する測定ステップと、該測定ステップ
で得られたデータと前記被研磨体の最適研磨状態を表す
データとに基づいて予め設定された計算式に従って前記
被研磨体の最適研磨時間を計算する計算ステップと、新
たに研磨される被研磨体を前記プロセッサにより計算さ
れた最適研磨時間だけ研磨するように前記研磨手段を制
御する制御ステップとを含むように構成した。
【０００９】本発明の研磨装置及び研磨方法によれば、
被研磨体の最適研磨状態、既に研磨された被研磨体の研
磨前の状態、研磨後の状態、実際の研磨時間を含むパラ
メータから最適研磨時間を求め、新たに研磨される被研
磨体は、この研磨時間だけ研磨されるようにしたので、
被研磨体を最適状態に研磨することができる。
被研磨体の最適研磨状態、既に研磨された被研磨体の研
磨前の状態、研磨後の状態、実際の研磨時間を含むパラ
メータから最適研磨時間を求め、新たに研磨される被研
磨体は、この研磨時間だけ研磨されるようにしたので、
被研磨体を最適状態に研磨することができる。
【００１０】また、研磨時間を計算するための計算式
を、上記のパラメータ及び＋、−、×、÷等の演算子を
用いて使用者が自由に設定できるようにすることによ
り、被研磨体の種類、研磨装置の状態、使用環境等に応
じて適切な最適研磨時間を求めることができ、被研磨体
が最適状態となるように研磨することが可能になる。
を、上記のパラメータ及び＋、−、×、÷等の演算子を
用いて使用者が自由に設定できるようにすることによ
り、被研磨体の種類、研磨装置の状態、使用環境等に応
じて適切な最適研磨時間を求めることができ、被研磨体
が最適状態となるように研磨することが可能になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の一実施形
態に係る研磨装置１０を示す。この研磨装置１０は、半
導体ウェハ等の被研磨体Ｗを研磨するための研磨装置本
体２０と、研磨装置本体２０により研磨される被研磨体
の研磨前厚さ、研磨時間及び研磨後厚さを測定する測定
装置３０と、被研磨体Ｗの目標厚さと測定装置３０で得
られたデータとに基づき適切な研磨時間を計算するため
のプロセッサ４０と、このプロセッサ４０により計算さ
れた研磨時間だけ被研磨体Ｗを研磨するように研磨装置
本体２０を制御する制御装置５０と、被研磨体Ｗを搬送
する搬送装置６０と、上記構成要素の動作をモニタリン
グするモニター７０とを備えている。これらの要素はネ
ットワークを形成するように連結されている。
施の形態について説明する。図１は、本発明の一実施形
態に係る研磨装置１０を示す。この研磨装置１０は、半
導体ウェハ等の被研磨体Ｗを研磨するための研磨装置本
体２０と、研磨装置本体２０により研磨される被研磨体
の研磨前厚さ、研磨時間及び研磨後厚さを測定する測定
装置３０と、被研磨体Ｗの目標厚さと測定装置３０で得
られたデータとに基づき適切な研磨時間を計算するため
のプロセッサ４０と、このプロセッサ４０により計算さ
れた研磨時間だけ被研磨体Ｗを研磨するように研磨装置
本体２０を制御する制御装置５０と、被研磨体Ｗを搬送
する搬送装置６０と、上記構成要素の動作をモニタリン
グするモニター７０とを備えている。これらの要素はネ
ットワークを形成するように連結されている。
【００１２】研磨装置本体２０は、図２に示されるよう
に、表面に研磨パッド２２が貼着された研磨プラテン２
１と、被研磨体Ｗを保持する研磨ヘッド２３とを備えて
いる。研磨ヘッド２３は、回転軸２４に連結され回転可
能となっている。また、この回転軸２４は、平行移動ア
ーム２５に連結され、研磨プラテン２１の一端から他端
まで移動可能となっている。
に、表面に研磨パッド２２が貼着された研磨プラテン２
１と、被研磨体Ｗを保持する研磨ヘッド２３とを備えて
いる。研磨ヘッド２３は、回転軸２４に連結され回転可
能となっている。また、この回転軸２４は、平行移動ア
ーム２５に連結され、研磨プラテン２１の一端から他端
まで移動可能となっている。
【００１３】研磨プラテン２１は、回転軸に連結され回
転可能となっている。また、研磨パッド２２の下面に
は、発砲ウレタン等で形成された弾性マット２６が設け
られており、この弾性マット２６を介して研磨パッド２
２が保持される。
転可能となっている。また、研磨パッド２２の下面に
は、発砲ウレタン等で形成された弾性マット２６が設け
られており、この弾性マット２６を介して研磨パッド２
２が保持される。
【００１４】このような研磨装置本体２０においては、
研磨ヘッド２３に保持された被研磨体Ｗは研磨プラテン
２１上の研磨パッド２２に押圧され、これと共に研磨プ
ラテン２１及び研磨ヘッド２３が回転される。このと
き、研磨パッド２２には、水酸化カリウム等のアルカリ
成分及びシリカ粒子等の微粒子を含む研磨剤が供給さ
れ、被研磨体Ｗはアルカリ成分による化学的作用と微粒
子による機械的作用により研磨される。
研磨ヘッド２３に保持された被研磨体Ｗは研磨プラテン
２１上の研磨パッド２２に押圧され、これと共に研磨プ
ラテン２１及び研磨ヘッド２３が回転される。このと
き、研磨パッド２２には、水酸化カリウム等のアルカリ
成分及びシリカ粒子等の微粒子を含む研磨剤が供給さ
れ、被研磨体Ｗはアルカリ成分による化学的作用と微粒
子による機械的作用により研磨される。
【００１５】測定装置３０は、研磨装置本体２０により
研磨される被研磨体Ｗの研磨前厚さ、研磨後厚さ等の被
研磨体の状態や実際の研磨時間を測定する。このような
測定装置３０において、被研磨体の厚さが測定される場
合、例えば、光干渉式膜厚測定器等を用いることができ
る。
研磨される被研磨体Ｗの研磨前厚さ、研磨後厚さ等の被
研磨体の状態や実際の研磨時間を測定する。このような
測定装置３０において、被研磨体の厚さが測定される場
合、例えば、光干渉式膜厚測定器等を用いることができ
る。
【００１６】プロセッサ４０は、測定装置３０により測
定されデータ及び被研磨体の最適状態を示すデータに基
づき予め定められた計算式により最適研磨時間を計算す
る。本発明に係る研磨装置１０においては、この計算式
は、図３に示されるように、研磨前の厚さ、研磨後の厚
さ、研磨時間、研磨レート、目標研磨量、補正定数等の
パラメータと、＋、−、×、÷等の演算子を適宜用いる
ことにより使用者が自由に設定することがでる。
定されデータ及び被研磨体の最適状態を示すデータに基
づき予め定められた計算式により最適研磨時間を計算す
る。本発明に係る研磨装置１０においては、この計算式
は、図３に示されるように、研磨前の厚さ、研磨後の厚
さ、研磨時間、研磨レート、目標研磨量、補正定数等の
パラメータと、＋、−、×、÷等の演算子を適宜用いる
ことにより使用者が自由に設定することがでる。
【００１７】例えば、既に研磨された被研磨体Ｗの研磨
前の厚さ、研磨後の厚さ、実際の研磨時間及び目標厚さ
から研磨レート及び目標研磨量は以下の式により求める
ことができる。
前の厚さ、研磨後の厚さ、実際の研磨時間及び目標厚さ
から研磨レート及び目標研磨量は以下の式により求める
ことができる。
【数１】
【数２】 次いで、上式により得られた研磨レート及び目標研磨量
に基づき最適研磨時間は以下の式により求めることがで
きる。
に基づき最適研磨時間は以下の式により求めることがで
きる。
【数３】
【００１８】上記式によれば、例えば、研磨前の厚さが
１５０００Å、研磨後の厚さが６５００Å、実際の研磨
時間が６０秒で、目標厚さが５０００Åの場合、最適研
磨時間は７０．６秒になる。本発明に係る研磨装置１０
においては、上記のような計算式は、被研磨体Ｗの種
類、研磨装置１０の状態、使用環境等に応じて使用者が
自由に設定することができる。
１５０００Å、研磨後の厚さが６５００Å、実際の研磨
時間が６０秒で、目標厚さが５０００Åの場合、最適研
磨時間は７０．６秒になる。本発明に係る研磨装置１０
においては、上記のような計算式は、被研磨体Ｗの種
類、研磨装置１０の状態、使用環境等に応じて使用者が
自由に設定することができる。
【００１９】制御装置５０は、プロセッサ４０により計
算された最適研磨時間だけ被研磨体が研磨されるよう
に、研磨装置本体２０の研磨ヘッド２３及び研磨プラテ
ン２１等を制御する。搬送装置６０は、研磨装置本体２
０と測定装置３０との間で被研磨体を搬送する。また、
モニター７０は、上述した各構成の動作をモニタリング
できるように構成されている。
算された最適研磨時間だけ被研磨体が研磨されるよう
に、研磨装置本体２０の研磨ヘッド２３及び研磨プラテ
ン２１等を制御する。搬送装置６０は、研磨装置本体２
０と測定装置３０との間で被研磨体を搬送する。また、
モニター７０は、上述した各構成の動作をモニタリング
できるように構成されている。
【００２０】次に、上記の研磨装置を用いた研磨方法に
ついて、図４を参照して説明する。まず、所定の研磨時
間を設定し（Ｓ１）、研磨装置本体２０によりこの研磨
時間だけ被研磨体の研磨を行う（Ｓ２）。
ついて、図４を参照して説明する。まず、所定の研磨時
間を設定し（Ｓ１）、研磨装置本体２０によりこの研磨
時間だけ被研磨体の研磨を行う（Ｓ２）。
【００２１】そして、この研磨された被研磨体Ｗの厚さ
を測定装置３０により測定し（Ｓ３）、プロセッサ４０
はこの測定された厚さが所定の目標厚さ範囲内か否かを
判断する（Ｓ４）。
を測定装置３０により測定し（Ｓ３）、プロセッサ４０
はこの測定された厚さが所定の目標厚さ範囲内か否かを
判断する（Ｓ４）。
【００２２】この測定された厚さが目標範囲内の場合、
上記の研磨時間を最適研磨時間として、新たな被研磨体
Ｗの研磨を行う。この測定された厚さが目標範囲内とな
っていない場合、プロセッサ４０は研磨された被研磨体
Ｗの研磨前厚さ、研磨後厚さ、研磨時間及び目標厚さ等
のパラメータ及び演算子を適宜用いて使用者が自由に設
定した計算式により、最適研磨時間を計算する（Ｓ
５）。
上記の研磨時間を最適研磨時間として、新たな被研磨体
Ｗの研磨を行う。この測定された厚さが目標範囲内とな
っていない場合、プロセッサ４０は研磨された被研磨体
Ｗの研磨前厚さ、研磨後厚さ、研磨時間及び目標厚さ等
のパラメータ及び演算子を適宜用いて使用者が自由に設
定した計算式により、最適研磨時間を計算する（Ｓ
５）。
【００２３】そして、上記の方法で得られた最適研磨時
間を研磨時間として、研磨装置本体２０により新たな被
研磨体Ｗの研磨が行われる。以下、このようなステップ
が被研磨体毎に繰り返される。
間を研磨時間として、研磨装置本体２０により新たな被
研磨体Ｗの研磨が行われる。以下、このようなステップ
が被研磨体毎に繰り返される。
【００２４】上記のような研磨装置１０及び研磨方法に
よれば、被研磨体Ｗの目標厚さ、既に研磨された被研磨
体Ｗの研磨前の厚さ、研磨後の厚さ及び実際の研磨時間
等を含むパラメータから最適研磨時間を求め、新たに研
磨される被研磨体がこの研磨時間だけ研磨されるので、
被研磨体Ｗが目標の厚さとなるように研磨することがで
きる。
よれば、被研磨体Ｗの目標厚さ、既に研磨された被研磨
体Ｗの研磨前の厚さ、研磨後の厚さ及び実際の研磨時間
等を含むパラメータから最適研磨時間を求め、新たに研
磨される被研磨体がこの研磨時間だけ研磨されるので、
被研磨体Ｗが目標の厚さとなるように研磨することがで
きる。
【００２５】また、研磨時間を計算するための計算式
を、上記のパラメータ及び演算子を用いて使用者が自由
に設定することができるようにしたので、被研磨体の種
類、研磨装置の状態、使用環境等に応じた適切な最適研
磨時間を求めることができ、被研磨体が目標厚さとなる
ように研磨することが可能になる。
を、上記のパラメータ及び演算子を用いて使用者が自由
に設定することができるようにしたので、被研磨体の種
類、研磨装置の状態、使用環境等に応じた適切な最適研
磨時間を求めることができ、被研磨体が目標厚さとなる
ように研磨することが可能になる。
【００２６】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではなく、適宜変更することが可能である。例え
ば、最適研磨時間を計算するためのパラメータとして
は、上述したものの他、被研磨体に対する研磨割合、日
常点検時の研磨割合、薄膜形成時の研磨割合、装置固有
の割合等を用いてもよい。また、上述した形態では、被
研磨体の厚さに基づいて最適研磨時間が計算されている
が、例えば、被研磨体の平坦度等に基づいて最適研磨時
間を計算できるようにしてもよい。
るものではなく、適宜変更することが可能である。例え
ば、最適研磨時間を計算するためのパラメータとして
は、上述したものの他、被研磨体に対する研磨割合、日
常点検時の研磨割合、薄膜形成時の研磨割合、装置固有
の割合等を用いてもよい。また、上述した形態では、被
研磨体の厚さに基づいて最適研磨時間が計算されている
が、例えば、被研磨体の平坦度等に基づいて最適研磨時
間を計算できるようにしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、発明の
研磨装置及び研磨方法によれば、被研磨体の最適研磨状
態、被研磨体の研磨前の状態、研磨後の状態及び実際の
研磨時間を含むパラメータから最適研磨時間を求め、新
たに研磨される被研磨体はこの最適研磨時間だけ研磨さ
れるようにしたので、被研磨体を最適状態となるように
研磨することが可能になる。
研磨装置及び研磨方法によれば、被研磨体の最適研磨状
態、被研磨体の研磨前の状態、研磨後の状態及び実際の
研磨時間を含むパラメータから最適研磨時間を求め、新
たに研磨される被研磨体はこの最適研磨時間だけ研磨さ
れるようにしたので、被研磨体を最適状態となるように
研磨することが可能になる。
【００２８】また、研磨時間を計算するための計算式
を、上記のパラメータ及び演算子を用いて使用者が自由
に設定できるようにすることにより、被研磨体の種類、
研磨装置の状態、使用環境等に応じた適切な最適研磨時
間を求めることが可能になる。
を、上記のパラメータ及び演算子を用いて使用者が自由
に設定できるようにすることにより、被研磨体の種類、
研磨装置の状態、使用環境等に応じた適切な最適研磨時
間を求めることが可能になる。
【図１】本発明の一実施形態に係る研磨装置の概略を示
す図である。
す図である。
【図２】図１の研磨装置の研磨装置本体の概略を示す図
である。
である。
【図３】最適研磨時間を計算するための計算式の設定方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図４】本発明に係る研磨方法の概略を示すフローチャ
ートである。
ートである。
１０ 研磨装置 ２０ 研磨装置本体 ３０ 測定装置 ４０ プロセッサ ５０ 制御装置 Ｗ 被研磨体
フロントページの続き (72)発明者 ラジャラム サンジェイ 千葉県成田市新泉14−３ 野毛平工業団地 内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 堀 康浩 千葉県成田市新泉14−３ 野毛平工業団地 内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 3C034 AA13 BB73 BB93 CA02 CA05 CA13 CA15 CA22 CB01 DD07 DD10 3C058 AA07 AB04 AC02 BA02 BA09 BB09 BC02 CB01 DA17
Claims (6)
- 【請求項１】 被研磨体を研磨する研磨手段と、 該研磨手段により研磨される被研磨体の研磨前の状態、
研磨時間及び研磨後の状態を測定する測定手段と、 該測定手段で得られたデータと前記被研磨体の最適研磨
状態を表すデータとに基づいて、予め設定された計算式
に従って、前記被研磨体の最適研磨時間を計算するプロ
セッサと、 新たに研磨される被研磨体を前記プロセッサにより計算
された最適研磨時間だけ研磨するように前記研磨手段を
制御する制御手段とを備えた研磨装置。 - 【請求項２】 被研磨体を研磨する研磨手段と、 該研磨手段により研磨される被研磨体の研磨前の厚さ、
研磨時間及び研磨後の厚さを測定する測定手段と、 該測定手段で得られたデータと前記被研磨体の厚さの目
標値とに基づき前記被研磨体の最適研磨時間を計算する
プロセッサと、 新たに研磨される被研磨体を前記プロセッサにより計算
された最適研磨時間だけ研磨するように前記研磨手段を
制御する制御手段とを備え、 前記プロセッサは、前記被研磨体の研磨前の厚さ、研磨
時間、研磨後の厚さ及び前記被研磨体の厚さの目標値を
含むパラメータと演算子とを用いて任意に設定された計
算式に従って、前記被研磨体の最適研磨時間を計算する
研磨装置。 - 【請求項３】 前記プロセッサは、前記被研磨体の研磨
前の厚さ、研磨時間及び研磨後の厚さから前記被研磨体
の研磨レートを計算し、該研磨レートを用いて前記被研
磨体の最適研磨時間を計算する請求項１又は２記載の研
磨装置。 - 【請求項４】 研磨手段により被研磨体を研磨する研磨
ステップと、 該研磨ステップで研磨される被研磨体の研磨前の状態、
研磨時間及び研磨後の状態を測定する測定ステップと、 該測定ステップで得られたデータと前記被研磨体の最適
研磨状態を表すデータとに基づいて、予め設定された計
算式に従って、前記被研磨体の最適研磨時間を計算する
計算ステップと、 新たに研磨される被研磨体を、前記プロセッサにより計
算された最適研磨時間だけ研磨するように、前記研磨手
段を制御する制御ステップとを含む研磨方法。 - 【請求項５】 研磨手段により被研磨体を研磨する研磨
ステップと、 該研磨ステップにより研磨される被研磨体の研磨前の厚
さ、研磨時間及び研磨後の厚さを測定する測定ステップ
と、 該測定ステップで得られたデータと前記被研磨体の厚さ
の目標値とに基づき前記被研磨体の最適研磨時間を計算
する計算ステップと、 新たに研磨される被研磨体を、前記計算ステップにより
計算された最適研磨時間だけ研磨するように、前記研磨
手段を制御する制御ステップとを含み、 前記計算ステップでは、前記被研磨体の研磨前の厚さ、
研磨時間、研磨後の厚さ及び前記被研磨体の厚さの目標
値を含むパラメータと演算子とを用いて任意に設定され
た計算式に従って、前記被研磨体の最適研磨時間を計算
する研磨方法。 - 【請求項６】 前記計算ステップは、前記被研磨体の研
磨前の厚さ、研磨時間及び研磨後の厚さから前記被研磨
体の研磨レートを計算し、該研磨レートを用いて前記被
研磨体の最適研磨時間を計算する請求項４又は５記載の
研磨方法。
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