JP2002151398A - Method for correcting electron beam and electron beam exposure system - Google Patents
Method for correcting electron beam and electron beam exposure systemInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム補正方
法及び電子ビーム露光装置に関する。特に本発明は、所
定の電子ビームの照射位置の検出することにより、当該
電子ビーム以外の電子ビームの照射位置を補正する電子
ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置に関する。The present invention relates to an electron beam correction method and an electron beam exposure apparatus. In particular, the present invention relates to an electron beam correction method and an electron beam exposure apparatus for correcting the irradiation position of an electron beam other than the electron beam by detecting the irradiation position of a predetermined electron beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】複数の電子ビームを用いてウェハに露光
処理を行う従来の電子ビーム露光装置は、電子ビームの
照射位置の補正を行う場合に、全ての電子ビームの照射
位置を検出して、全ての電子ビームのそれぞれの照射位
置の補正値を求めていた。2. Description of the Related Art A conventional electron beam exposure apparatus that performs exposure processing on a wafer using a plurality of electron beams detects all the irradiation positions of the electron beams when correcting the irradiation positions of the electron beams. The correction value of each irradiation position of all the electron beams has been obtained.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体デバイス
の微細化に伴い、電子ビーム露光装置の半導体デバイス
の量産での利用に向け、露光処理や電子ビーム照射位置
の補正処理の高速化が望まれている。With the recent miniaturization of semiconductor devices, it has been desired to increase the speed of exposure processing and electron beam irradiation position correction processing for use in mass production of semiconductor devices of electron beam exposure apparatuses. ing.
【０００４】しかしながら、従来の電子ビーム露光装置
では、全ての電子ビームの照射位置を補正するために全
ての電子ビームの照射位置を検出しなくてはならないた
め、非常に長い時間を要し、短時間で電子ビームの照射
位置を補正する方法が望まれている。However, in the conventional electron beam exposure apparatus, it is necessary to detect all the irradiation positions of the electron beams in order to correct the irradiation positions of all the electron beams. There is a demand for a method of correcting the irradiation position of the electron beam with time.
【０００５】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置
を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規
定する。Accordingly, an object of the present invention is to provide an electron beam correction method and an electron beam exposure apparatus which can solve the above problems. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. The dependent claims define further advantageous embodiments of the present invention.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の形
態によると、２つ以上の電子ビームにより、ウェハを露
光する電子ビーム露光装置において、２つ以上の電子ビ
ームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法であっ
て、２つ以上の電子ビームのうちの少なくとも１つの電
子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する
検出段階と、検出された座標に基づいて、座標が検出さ
れた１つの電子ビーム以外の少なくとも１つの他の電子
ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階
とを備える。According to a first aspect of the present invention, an irradiation position of two or more electron beams is corrected in an electron beam exposure apparatus for exposing a wafer with two or more electron beams. A detecting step of detecting at least one of coordinates of an irradiation position of at least one of the two or more electron beams, and detecting coordinates based on the detected coordinates. Calculating a correction value for correcting the irradiation position of at least one other electron beam other than the one electron beam.
【０００７】電子ビーム露光装置は、１つの電子ビーム
と他の電子ビームとの位置関係を予め格納する格納手段
を備え、算出段階は、格納手段に格納された位置関係を
用いて他の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算
出してもよい。The electron beam exposure apparatus includes storage means for storing a positional relationship between one electron beam and another electron beam in advance, and the calculating step uses the positional relationship stored in the storage means to store another electron beam. A correction value for correcting the irradiation position may be calculated.
【０００８】電子ビーム露光装置は、２つ以上の電子ビ
ームを発生する電子ビーム発生部と、２つ以上の電子ビ
ームのそれぞれが通過する２つ以上の開口部を有する部
材とを備え、検出段階は、２つ以上の電子ビームのうち
の１つの電子ビームの照射位置の座標の１つを検出し、
算出段階は、検出された座標に基づいて、電子ビーム露
光装置の部材の全体均等伸縮及び回転の一方による、照
射位置の１つの座標が検出された電子ビーム以外の電子
ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出しても
よい。The electron beam exposure apparatus includes an electron beam generator for generating two or more electron beams, and a member having two or more openings through which each of the two or more electron beams passes. Detects one of the coordinates of the irradiation position of one of the two or more electron beams,
In the calculation step, based on the detected coordinates, one of the entire uniform expansion and contraction and rotation of the member of the electron beam exposure apparatus is used to calculate a shift of the irradiation position of the electron beam other than the electron beam at which one coordinate of the irradiation position is detected. A correction value to be corrected may be calculated.
【０００９】検出段階は、１つの座標が検出された電子
ビームの照射位置を検出し、算出段階は、検出された照
射位置に基づいて、電子ビーム露光装置の部材の全体均
等伸縮及び回転による、照射位置が検出された電子ビー
ム以外の電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値
を算出してもよい。In the detecting step, the irradiation position of the electron beam at which one coordinate is detected is detected, and the calculating step is based on the detected irradiation position by uniformly expanding and contracting and rotating the whole members of the electron beam exposure apparatus. A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than the electron beam whose irradiation position is detected may be calculated.
【００１０】検出段階は、１つの座標が検出された電子
ビームの照射位置を検出し、算出段階は、検出された照
射位置に基づいて、電子ビーム露光装置の部材の平行移
動による、照射位置が検出された電子ビーム以外の電子
ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出しても
よい。In the detecting step, the irradiation position of the electron beam at which one coordinate is detected is detected. In the calculating step, the irradiation position is determined based on the detected irradiation position by the parallel movement of the member of the electron beam exposure apparatus. A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than the detected electron beam may be calculated.
【００１１】電子ビーム発生部は、３つ以上の電子ビー
ムを発生し、部材は、３つ以上の電子ビームのそれぞれ
が通過する３つ以上の開口部を有し、検出段階は、３つ
以上の電子ビームのうちの２つの電子ビームの照射位置
を検出する段階を含み、算出段階は、２つの電子ビーム
の照射位置に基づいて、電子ビーム露光装置の部材の全
体均等伸縮、回転、及び平行移動による、２つの電子ビ
ーム以外の電子ビームの照射位置のずれを補正する補正
値を算出してもよい。The electron beam generating section generates three or more electron beams, the member has three or more openings through which the three or more electron beams pass, and the detecting step includes three or more. Detecting the irradiation positions of two electron beams of the electron beams, and calculating, based on the irradiation positions of the two electron beams, the entire uniform expansion and contraction, rotation, and parallelism of the members of the electron beam exposure apparatus. A correction value for correcting a shift of an irradiation position of an electron beam other than the two electron beams due to the movement may be calculated.
【００１２】電子ビーム発生部は、４つ以上の電子ビー
ムを発生し、部材は、４つ以上の電子ビームのそれぞれ
が通過する４つ以上の開口部を有し、検出段階は、４つ
以上の電子ビームのうちの３つの電子ビームの照射位置
を検出する段階を含み、算出段階は、３つの電子ビーム
の照射位置に基づいて、電子ビーム露光装置の部材の回
転、平行移動、及び直交する２つの方向のそれぞれに対
する伸縮による、３つの電子ビーム以外の電子ビームの
照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。The electron beam generator generates four or more electron beams, the member has four or more openings through which each of the four or more electron beams passes, and the detecting step includes four or more openings. Detecting the irradiation positions of three electron beams among the three electron beams, and calculating, based on the irradiation positions of the three electron beams, the rotation, translation, and orthogonalization of the members of the electron beam exposure apparatus. A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than the three electron beams due to expansion and contraction in each of the two directions may be calculated.
【００１３】電子ビーム発生部は、５つ以上の電子ビー
ムを発生し、部材は、５つ以上の電子ビームのそれぞれ
が通過する５つ以上の開口部を有し、検出段階は、５つ
以上の電子ビームのうちの少なくとも４つの電子ビーム
の照射位置を検出する段階を含み、算出段階は、少なく
とも４つの電子ビームの照射位置に基づいて、電子ビー
ム露光装置の部材の回転、平行移動、非線形伸縮、及び
直交する２つの方向のそれぞれに対する伸縮による、少
なくとも４つの電子ビーム以外の電子ビームの照射位置
のずれを補正する補正値を算出してもよい。[0013] The electron beam generator generates five or more electron beams, the member has five or more openings through which each of the five or more electron beams passes, and the detecting step includes five or more electron beams. Detecting the irradiation positions of at least four of the electron beams of the electron beam, and calculating, based on the irradiation positions of the at least four electron beams, rotation, translation, and non-linear rotation of the members of the electron beam exposure apparatus. A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than at least four electron beams due to expansion and contraction and expansion and contraction in each of two orthogonal directions may be calculated.
【００１４】１つの電子ビームの照射位置の座標の少な
くとも１つを再度検出する再検出段階と、検出段階にお
いて検出された座標と、再検出段階において検出された
座標とに基づいて、補正値を再度算出する再算出段階と
をさらに備えてもよい。A re-detection step of re-detecting at least one of the coordinates of the irradiation position of one electron beam, a correction value based on the coordinates detected in the detection step, and the coordinates detected in the re-detection step. A recalculation step of calculating again may be further provided.
【００１５】２つ以上の電子ビームのそれぞれを校正す
る校正段階をさらに備え、算出段階は、校正された２つ
以上の電子ビームの校正照射位置に基づいて、補正値を
算出してもよい。The method may further include a calibration step of calibrating each of the two or more electron beams, and the calculating step may calculate a correction value based on the calibrated irradiation positions of the two or more calibrated electron beams.
【００１６】電子ビーム露光装置は、ウェハが載置され
るウェハステージをさらに備え、ウェハステージは、２
つの電子ビームの照射位置を検出するためのマーク部を
有し、検出段階は、２つの電子ビームのそれぞれの照射
位置を、同一のマーク部を用いて検出してもよい。The electron beam exposure apparatus further includes a wafer stage on which a wafer is placed, and the wafer stage has two wafers.
There may be a mark portion for detecting the irradiation position of one electron beam, and the detecting step may detect the irradiation position of each of the two electron beams by using the same mark portion.
【００１７】本発明の第２の形態によると、２つ以上の
電子ビームにより、ウェハを露光する電子ビーム露光装
置であって、２つ以上の電子ビームを発生させる電子銃
と、２つ以上の電子ビームをそれぞれ独立に偏向させる
偏向部と、ウェハが載置されるウェハステージと、ウェ
ハステージに設けられ、２つ以上の電子ビームのうちの
少なくとも１つの電子ビームの照射位置を検出するため
のマーク部と、マーク部に照射された少なくとも１つの
電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の
量に対応する検出信号を出力する電子検出部と、検出信
号に基づいて、少なくとも１つの電子ビームの照射位置
の座標の少なくとも１つを検出する位置検出部と、検出
された座標に基づいて、座標が検出された電子ビーム以
外の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する
算出部と、補正値に基づいて、座標が検出された電子ビ
ーム以外の電子ビームを偏向させるように偏向部を制御
する偏向制御部とを備える。According to a second aspect of the present invention, there is provided an electron beam exposure apparatus for exposing a wafer with two or more electron beams, comprising: an electron gun for generating two or more electron beams; A deflecting unit for independently deflecting the electron beam, a wafer stage on which the wafer is mounted, and a wafer stage provided for detecting an irradiation position of at least one of the two or more electron beams. A mark section, an electron detection section that detects reflected electrons of at least one electron beam applied to the mark section, and outputs a detection signal corresponding to the amount of the detected reflected electrons; A position detection unit that detects at least one of the coordinates of the irradiation positions of the two electron beams, and an electron beam other than the electron beam whose coordinates are detected based on the detected coordinates. Comprising a calculation unit for calculating a correction value for correcting the elevation position, based on the correction value, and a deflection control unit which coordinates control of the deflection unit to deflect the electron beam other than the detected electron beam.
【００１８】２つ以上の電子ビームのそれぞれの断面形
状を成形する２つ以上のスリットを有するスリット部
と、２つ以上の電子ビームのそれぞれを集束させる２つ
以上の電子レンズを有する電子レンズ部とをさらに備
え、算出部は、検出された座標に基づいて、偏向部、ス
リット部、及び電子レンズ部の少なくとも１つの伸縮、
回転、及び平行移動の少なくとも１つによる、座標が検
出された電子ビーム以外の電子ビームの照射位置のずれ
を補正する補正値を算出してもよい。A slit portion having two or more slits for shaping respective cross-sectional shapes of two or more electron beams, and an electron lens portion having two or more electron lenses for focusing each of the two or more electron beams. The calculating unit further includes at least one of a deflecting unit, a slit unit, and an electronic lens unit based on the detected coordinates.
A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than the electron beam whose coordinates have been detected due to at least one of rotation and translation may be calculated.
【００１９】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。The above summary of the present invention does not list all of the necessary features of the present invention, and sub-combinations of these features can also be invented.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the present invention. However, the following embodiments do not limit the claimed invention and have the features described in the embodiments. Not all combinations are essential to the solution of the invention.
【００２１】図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置
１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処
理を施す露光部１５０と、露光部１５０に含まれる各構
成の動作を制御する制御系１４０を備える。FIG. 1 shows the configuration of an electron beam exposure apparatus 100 according to one embodiment of the present invention. The electron beam exposure apparatus 100 includes an exposure unit 150 that performs a predetermined exposure process on the wafer 44 with an electron beam, and a control system 140 that controls the operation of each component included in the exposure unit 150.
【００２２】露光部１５０は、筐体８内部において複数
の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に
成形する電子ビーム成形手段１１０と、複数の電子ビー
ムをウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビ
ームに対して独立に切替える照射切替手段１１２と、ウ
ェハ４４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを
調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系を備え
る。また、露光部１５０は、パターンを露光すべきウェ
ハ４４を載置するウェハステージ４６と、ウェハステー
ジ４６を駆動するウェハステージ駆動部４８とを含むス
テージ系を備える。さらに、露光部１５０は、ウェハス
テージ４６に設けられたマーク部５６に照射された電子
ビームによりマーク部５６から放射された２次電子や反
射電子等を検出する電子検出部４０を備える。電子検出
部４０は、検出した反射電子の量に対応した検出信号を
反射電子処理部９４に出力する。The exposure section 150 generates a plurality of electron beams inside the housing 8 and forms an electron beam forming means 110 for shaping the cross-sectional shape of the electron beam as desired, and determines whether to irradiate the wafer 44 with the plurality of electron beams. And an electron optical system including a wafer projection system 114 for adjusting the direction and size of the image of the pattern transferred to the wafer 44. The exposure unit 150 includes a stage system including a wafer stage 46 on which the wafer 44 on which a pattern is to be exposed is mounted, and a wafer stage driving unit 48 for driving the wafer stage 46. Further, the exposure section 150 includes an electron detection section 40 that detects secondary electrons, reflected electrons, and the like emitted from the mark section 56 by an electron beam applied to the mark section 56 provided on the wafer stage 46. The electron detector 40 outputs a detection signal corresponding to the detected amount of backscattered electrons to the backscattered electron processor 94.
【００２３】電子ビーム成形手段１１０は、複数の電子
ビームを発生させる電子ビーム発生部１０と、電子ビー
ムを通過させることにより、照射された電子ビームの断
面形状を成形する複数の開口部を有する第１成形部材１
４および第２成形部材２２と、複数の電子ビームをそれ
ぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する
第１多軸電子レンズ１６と、第１成形部材１４を通過し
た複数の電子ビームを独立に偏向する第１成形偏向部１
８および第２成形偏向部２０とを有する。The electron beam shaping means 110 has an electron beam generator 10 for generating a plurality of electron beams, and a plurality of openings for shaping the cross-sectional shape of the irradiated electron beam by passing the electron beams. 1 molded member 1
4 and the second shaping member 22, a first multi-axis electron lens 16 for independently focusing the plurality of electron beams and adjusting the focus of the plurality of electron beams, and a plurality of electron beams passing through the first shaping member 14. Forming deflection unit 1 for independently deflecting
8 and a second shaping deflection unit 20.
【００２４】電子ビーム発生部１０は、複数の電子銃１
０４と、電子銃１０４が形成される基材１０６とを有す
る。電子銃１０４は、熱電子を発生させるカソード１２
と、カソード１２を囲むように形成され、カソード１２
で発生した熱電子を安定させるグリッド１０２とを有す
る。カソード１２とグリッド１０２とは、電気的に絶縁
されるのが望ましい。本実施例において、電子ビーム発
生部１０は、基材１０６に、複数の電子銃１０４を、所
定の間隔に有することにより、電子銃アレイを形成す
る。The electron beam generator 10 includes a plurality of electron guns 1
04 and a substrate 106 on which the electron gun 104 is formed. The electron gun 104 includes a cathode 12 for generating thermoelectrons.
And the cathode 12
And a grid 102 for stabilizing the thermoelectrons generated in the above. It is desirable that the cathode 12 and the grid 102 be electrically insulated. In this embodiment, the electron beam generator 10 forms an electron gun array by providing a plurality of electron guns 104 on a base material 106 at predetermined intervals.
【００２５】照射切替手段１１２は、複数の電子ビーム
を独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
２多軸電子レンズ２４と、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に偏向させることにより、それぞれの電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビーム
に対して独立に切替えるブランキング電極アレイ２６
と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブラ
ンキング電極アレイ２６で偏向された電子ビームを遮蔽
する電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。他の例におい
てブランキング電極アレイ２６は、ブランキング・アパ
ーチャ・アレイ・デバイスであってもよい。The irradiation switching means 112 independently focuses the plurality of electron beams, adjusts the focal points of the plurality of electron beams, and independently deflects the plurality of electron beams. A blanking electrode array 26 for independently switching whether each electron beam is irradiated on the wafer 44 or not for each electron beam.
And an electron beam shielding member 28 that includes a plurality of openings through which the electron beam passes and shields the electron beam deflected by the blanking electrode array 26. In another example, blanking electrode array 26 may be a blanking aperture array device.
【００２６】ウェハ用投影系１１４は、複数の電子ビー
ムをそれぞれ独立に集束し、電子ビームの照射径を縮小
する第３多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームをそ
れぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整す
る第４多軸電子レンズ３６と、複数の電子ビームをウェ
ハ４４の所望の位置に、それぞれの電子ビームに対して
独立に偏向する偏向部３８と、ウェハ４４に対する対物
レンズとして機能し、複数の電子ビームをそれぞれ独立
に集束する第５多軸電子レンズ５２とを有する。The wafer projection system 114 independently focuses a plurality of electron beams and reduces the irradiation diameter of the electron beam, and the third multi-axis electron lens 34 independently focuses the plurality of electron beams. A fourth multi-axis electron lens 36 for adjusting the focus of the electron beam, a deflecting unit 38 for deflecting the plurality of electron beams to desired positions on the wafer 44 independently for each electron beam, and an object for the wafer 44. A fifth multi-axis electron lens 52 that functions as a lens and independently focuses a plurality of electron beams;
【００２７】制御系１４０は、統括制御部１３０及び個
別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、成形
偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６
と、偏向制御部９２と、反射電子処理部９４と、ウェハ
ステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、
算出部１３２と、メモリ１３４と、位置検出部１３６と
を有する。また、統括制御部１３０は、例えばワークス
テーションであって、個別制御部１２０に含まれる各制
御部を統括制御する。電子ビーム制御部８０は、電子ビ
ーム発生部１０を制御する。多軸電子レンズ制御部８２
は、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２
４、第３多軸電子レンズ３４、第４多軸電子レンズ３６
および第５多軸電子レンズ５２に供給する電流を制御す
る。The control system 140 includes an overall control unit 130 and an individual control unit 120. The individual control unit 120 includes an electron beam control unit 80, a multi-axis electron lens control unit 82, a shaping deflection control unit 84, and a blanking electrode array control unit 86.
, A deflection control unit 92, a reflected electron processing unit 94, and a wafer stage control unit 96. The overall control unit 130
It has a calculation unit 132, a memory 134, and a position detection unit 136. The general control unit 130 is, for example, a workstation, and performs general control of each control unit included in the individual control unit 120. The electron beam controller 80 controls the electron beam generator 10. Multi-axis electron lens controller 82
Are the first multi-axis electron lens 16 and the second multi-axis electron lens 2
4. Third multi-axis electron lens 34, fourth multi-axis electron lens 36
And the current supplied to the fifth multi-axis electron lens 52 is controlled.
【００２８】成形偏向制御部８４は、第１成形偏向部１
８および第２成形偏向部２０を制御する。ブランキング
電極アレイ制御部８６は、ブランキング電極アレイ２６
に含まれる偏向電極に印加する電圧を制御する。偏向制
御部９２は、偏向部３８に含まれる複数の偏向器が有す
る偏向電極に印加する電圧を制御する。反射電子処理部
９４は、電子検出部４０から出力された検出信号に基づ
いて反射電子の量を検出し、統括制御部１３０に通知す
る。ウェハステージ制御部９６は、ウェハステージ駆動
部４８を制御し、ウェハステージ４６を所定の位置に移
動させる。The shaping / deflecting control unit 84 includes the first shaping / deflecting unit 1.
8 and the second shaping deflection unit 20 are controlled. The blanking electrode array controller 86 controls the blanking electrode array 26
To control the voltage applied to the deflection electrode included in the. The deflection control unit 92 controls the voltage applied to the deflection electrodes of the plurality of deflectors included in the deflection unit 38. The backscattered electron processing unit 94 detects the amount of backscattered electrons based on the detection signal output from the electron detection unit 40 and notifies the general control unit 130. The wafer stage control unit 96 controls the wafer stage drive unit 48 to move the wafer stage 46 to a predetermined position.
【００２９】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
０の動作について説明する。まず、ウェハステージ４６
に設けられたマーク部５６を用いて、複数の電子ビーム
の照射位置の補正処理を行う。当該補正処理では、例え
ば伸縮、回転、平行移動等による電子ビーム露光装置１
００の各部材の変形等により生じる複数の電子ビームの
照射位置のずれを補正する補正値を算出する。An electron beam exposure apparatus 10 according to this embodiment
The operation of 0 will be described. First, the wafer stage 46
The correction processing of the irradiation positions of the plurality of electron beams is performed using the mark section 56 provided in the. In the correction processing, for example, the electron beam exposure apparatus 1 by expansion, contraction, rotation, translation, etc.
Then, a correction value for correcting a shift of the irradiation position of the plurality of electron beams caused by the deformation of each member of No. 00 is calculated.
【００３０】まず、照射位置の検出に用いる所定の電子
ビームをウェハステージ４６に設けられたマーク部５６
に照射させる。電子検出部４０は、マーク部５６に照射
された電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射
電子の量に対応する検出信号を出力する。そして、統括
制御部１３０において、位置検出部１３６は、電子検出
部４０によって出力された検出信号に基づいて、電子ビ
ームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する。そ
して、算出部１３２は、検出された電子ビームの照射位
置の座標に基づいて、照射位置の検出に用いられた電子
ビーム以外の電子ビームの照射位置を補正する補正値を
算出する。また、メモリ１３４は、位置検出部１３６に
よって検出された電子ビームの照射位置、及び算出部１
３２によって検出された他の電子ビームの照射位置が格
納される。First, a predetermined electron beam used for detecting an irradiation position is applied to a mark portion 56 provided on the wafer stage 46.
Irradiated. The electron detection unit 40 detects reflected electrons of the electron beam applied to the mark unit 56 and outputs a detection signal corresponding to the detected amount of reflected electrons. Then, in the overall control unit 130, the position detection unit 136 detects at least one of the coordinates of the irradiation position of the electron beam based on the detection signal output by the electron detection unit 40. Then, the calculating unit 132 calculates a correction value for correcting the irradiation position of an electron beam other than the electron beam used for detecting the irradiation position, based on the coordinates of the detected irradiation position of the electron beam. The memory 134 stores the irradiation position of the electron beam detected by the position detection unit 136 and the calculation unit 1.
The irradiation position of the other electron beam detected by 32 is stored.
【００３１】当該算出部１３２は、複数の開口部の有す
る部材である第１成形部材１４、第２成形部材２２、第
１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３
多軸電子レンズ３４、第４多軸電子レンズ３６、第５多
軸電子レンズ５２、第１成形偏向部１８、第２成形偏向
部２０、偏向部３８等の伸縮、回転、及び平行移動等に
よる電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算
出することが好ましい。The calculating section 132 includes a first forming member 14, a second forming member 22, a first multi-axis electronic lens 16, a second multi-axis electronic lens 24, and a third forming member 14 having a plurality of openings.
The expansion, contraction, rotation, and parallel movement of the multi-axis electron lens 34, the fourth multi-axis electron lens 36, the fifth multi-axis electron lens 52, the first shaping / deflecting unit 18, the second shaping / deflecting unit 20, the deflecting unit 38, and the like. It is preferable to calculate a correction value for correcting a shift of the irradiation position of the electron beam.
【００３２】以上の動作により、電子ビーム照射位置を
補正値を算出した後、当該補正値を用いてウェハ４４に
露光処理を行う。以下、露光処理における電子ビーム露
光装置１００の動作について説明するが、上述した補正
処理においてマーク部５６に電子ビームを照射する動作
は、露光処理においてウェハ４４に電子ビームを照射す
る動作と略同一であってよい。After the correction value for the electron beam irradiation position is calculated by the above operation, the wafer 44 is exposed using the correction value. Hereinafter, the operation of the electron beam exposure apparatus 100 in the exposure process will be described. The operation of irradiating the mark section 56 with the electron beam in the above-described correction process is substantially the same as the operation of irradiating the wafer 44 with the electron beam in the exposure process. May be.
【００３３】電子ビーム発生部１０は、複数の電子ビー
ムを生成する。第１成形部材１４は、電子ビーム発生部
１０により発生し、第１成形部材１４に照射された複数
の電子ビームを、第１成形部材１４に設けられた複数の
開口部を通過させることにより成形する。他の例におい
ては、電子ビーム発生部１０において発生した電子ビー
ムを複数の電子ビームに分割する手段を更に有すること
により、複数の電子ビームを生成してもよい。The electron beam generator 10 generates a plurality of electron beams. The first forming member 14 is formed by passing a plurality of electron beams generated by the electron beam generator 10 and applied to the first forming member 14 through a plurality of openings provided in the first forming member 14. I do. In another example, a plurality of electron beams may be generated by further including a unit that divides the electron beam generated in the electron beam generation unit 10 into a plurality of electron beams.
【００３４】第１多軸電子レンズ１６は、矩形に成形さ
れた複数の電子ビームを独立に集束し、第２成形部材２
２に対する電子ビームの焦点を、電子ビーム毎に独立に
調整する。第１成形偏向部１８は、第１成形部材１４に
おいて矩形形状に成形された複数の電子ビームを、第２
成形部材における所望の位置に照射するように、それぞ
れ独立に偏向する。The first multi-axis electron lens 16 independently focuses a plurality of rectangularly shaped electron beams and forms the second shaped member 2.
The focus of the electron beam for 2 is adjusted independently for each electron beam. The first shaping / deflecting unit 18 converts the plurality of electron beams shaped into a rectangular shape in the first shaping member 14 into second shaped beams.
The deflection is performed independently so as to irradiate a desired position on the molded member.
【００３５】第２成形偏向部２０は、第１成形偏向部１
８で偏向された複数の電子ビームを、第２成形部材２２
に対して略垂直な方向にそれぞれ偏向し、第２成形部材
２２に照射する。そして矩形形状を有する複数の開口部
を含む第２成形部材２２は、第２成形部材２２に照射さ
れた矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェ
ハ４４に照射すべき所望の断面形状を有する電子ビーム
にさらに成形する。The second shaping / deflecting unit 20 includes the first shaping / deflecting unit 1
The plurality of electron beams deflected at 8 are transmitted to the second forming member 22.
And irradiates the second molding member 22. Then, the second forming member 22 including the plurality of openings having a rectangular shape is configured such that a plurality of electron beams having a rectangular cross-sectional shape applied to the second forming member 22 have a desired cross-sectional shape to be applied to the wafer 44. It is further shaped into an electron beam.
【００３６】第２多軸電子レンズ２４は、複数の電子ビ
ームを独立に集束して、ブランキング電極アレイ２６に
対する電子ビームの焦点を、それぞれ独立に調整する。
そして、第２多軸電子レンズ２４により焦点がそれぞれ
調整された複数の電子ビームは、ブランキング電極アレ
イ２６に含まれる複数のアパーチャを通過する。The second multi-axis electron lens 24 independently focuses a plurality of electron beams, and adjusts the focus of the electron beam on the blanking electrode array 26 independently.
The plurality of electron beams whose focus has been adjusted by the second multi-axis electron lens 24 pass through a plurality of apertures included in the blanking electrode array 26.
【００３７】ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブ
ランキング電極アレイ２６における各アパーチャの近傍
に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御す
る。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に印加さ
れる電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に照射さ
せるか否かを切替える。The blanking electrode array controller 86 controls whether or not to apply a voltage to the deflection electrodes provided near each aperture in the blanking electrode array 26. The blanking electrode array 26 switches whether or not to irradiate the wafer 44 with the electron beam based on the voltage applied to the deflection electrode.
【００３８】ブランキング電極アレイに２６により偏向
されない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４を通過
する。そして第３多軸電子レンズ３４は、第３多軸電子
レンズ３４を通過する電子ビームの電子ビーム径を縮小
する。縮小された電子ビームは、電子ビーム遮蔽部材２
８に含まれる開口部を通過する。また、電子ビーム遮蔽
部材２８は、ブランキング電極アレイ２６により偏向さ
れた電子ビームを遮蔽する。電子ビーム遮蔽部材２８を
通過した電子ビームは、第４多軸電子レンズ３６に入射
される。そして第４多軸電子レンズ３６は、入射された
電子ビームをそれぞれ独立に集束し、偏向部３８に対す
る電子ビームの焦点をそれぞれ調整する。第４多軸電子
レンズ３６により焦点が調整された電子ビームは、偏向
部３８に入射される。The electron beam not deflected by the blanking electrode array 26 passes through the third multi-axis electron lens 34. Then, the third multi-axis electron lens 34 reduces the diameter of the electron beam passing through the third multi-axis electron lens 34. The reduced electron beam is supplied to the electron beam shielding member 2.
8 through the opening. Further, the electron beam shielding member 28 shields the electron beam deflected by the blanking electrode array 26. The electron beam that has passed through the electron beam shielding member 28 enters a fourth multi-axis electron lens 36. Then, the fourth multi-axis electron lens 36 independently focuses the incident electron beams, and adjusts the focus of the electron beams with respect to the deflection unit 38, respectively. The electron beam whose focus has been adjusted by the fourth multi-axis electron lens 36 enters the deflection unit 38.
【００３９】偏向制御部９２は、算出部１３２によって
算出された補正値に基づいて、偏向部３８に含まれる複
数の偏向器を制御し、偏向部３８に入射されたそれぞれ
の電子ビームを、ウェハ４４に対して照射すべき位置に
それぞれ独立に偏向する。第５多軸電子レンズ５２は、
第５多軸電子レンズ５２を通過するそれぞれの電子ビー
ムのウェハ４４に対する焦点を調整する。そしてウェハ
４４に照射すべき断面形状を有するそれぞれの電子ビー
ムは、ウェハ４４に対して照射すべき所望の位置に照射
される。The deflection control unit 92 controls a plurality of deflectors included in the deflection unit 38 based on the correction value calculated by the calculation unit 132, and converts each electron beam incident on the deflection unit 38 into a wafer. 44 are independently deflected to positions to be irradiated. The fifth multi-axis electron lens 52
The focus of each electron beam passing through the fifth multi-axis electron lens 52 with respect to the wafer 44 is adjusted. Each electron beam having a cross-sectional shape to be irradiated on the wafer 44 is irradiated to a desired position to be irradiated on the wafer 44.
【００４０】露光処理中、ウェハステージ駆動部４８
は、ウェハステージ制御部９６からの指示に基づき、一
定方向にウェハステージ４６を連続移動させるのが好ま
しい。そして、ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビー
ムの断面形状をウェハ４４に照射すべき形状に成形し、
ウェハ４４に照射すべき電子ビームを通過させるアパー
チャを定め、さらに偏向部３８によりそれぞれの電子ビ
ームをウェハ４４に対して照射すべき位置に偏向させる
ことにより、ウェハ４４に所望の回路パターンを露光す
ることができる。During the exposure process, the wafer stage driving unit 48
Preferably, the wafer stage 46 is continuously moved in a certain direction based on an instruction from the wafer stage control unit 96. Then, in accordance with the movement of the wafer 44, the cross-sectional shape of the electron beam is formed into a shape to be irradiated on the wafer 44,
An aperture through which an electron beam to be irradiated on the wafer 44 is passed is defined, and each electron beam is deflected to a position to be irradiated on the wafer 44 by the deflecting unit 38, thereby exposing a desired circuit pattern on the wafer 44. be able to.
【００４１】図２は、本実施形態に係る電子ビーム露光
装置１００の動作全体のフローチャートである。Ｓ１０
で本フローチャートが開始する。ステージ位置校正段階
（Ｓ２０）で、マーク部５６が設けられたウェハステー
ジ４６のステージ位置の校正を行う。照射位置構成段階
（Ｓ３０）で、全ての電子ビームをマーク部５６に照射
することにより全ての電子ビームの照射位置を検出し
て、個々の電子ビームのそれぞれの照射位置の校正を行
う。露光処理段階（Ｓ４０）で、ステージ位置校正段階
（Ｓ２０）及び照射位置校正段階（Ｓ３０）において決
定された校正値に基づいて、所定回数の露光処理を行
う。Ｓ５０で、所望回数の露光処理が完了したか否かを
判断する。Ｓ５０で所望回数の露光処理が完了していな
いと判断された場合、照射位置補正段階（Ｓ６０）で、
所定の電子ビームの照射位置を検出して露光処理に用い
る電子ビームの照射位置の補正を行う。ステージ位置校
正段階（Ｓ２０）及び照射位置校正段階（Ｓ３０）にお
いて決定された校正値を用いて検出用の電子ビームをマ
ーク部５６に照射することにより、複数の電子ビームの
照射位置のずれを補正する補正値を算出する。そして、
露光処理段階（Ｓ４０）で、照射位置補正段階（Ｓ６
０）において算出された補正値に基づいて、所定の露光
処理を行う。Ｓ５０で所望回数の露光処理が完了したと
判断した場合、Ｓ７０で本フローチャートを終了する。
照射位置補正段階（Ｓ６０）による電子ビームの照射位
置の補正は、例えばロット毎やウェハ毎に行うことが好
ましい。FIG. 2 is a flowchart of the entire operation of the electron beam exposure apparatus 100 according to the present embodiment. S10
This starts the flowchart. In the stage position calibration step (S20), the stage position of the wafer stage 46 provided with the mark portion 56 is calibrated. In the irradiation position configuration step (S30), the irradiation positions of all the electron beams are detected by irradiating all the electron beams to the mark portion 56, and the irradiation positions of the individual electron beams are calibrated. In the exposure processing step (S40), a predetermined number of exposure processings are performed based on the calibration values determined in the stage position calibration step (S20) and the irradiation position calibration step (S30). In S50, it is determined whether the desired number of exposure processes has been completed. If it is determined in S50 that the desired number of exposure processes have not been completed, in the irradiation position correction step (S60),
The irradiation position of a predetermined electron beam is detected, and the irradiation position of the electron beam used for the exposure processing is corrected. By using the calibration values determined in the stage position calibration step (S20) and the irradiation position calibration step (S30), the mark section 56 is irradiated with an electron beam for detection, thereby correcting the displacement of the irradiation positions of the plurality of electron beams. Is calculated. And
In the exposure processing step (S40), the irradiation position correction step (S6
A predetermined exposure process is performed based on the correction value calculated in 0). If it is determined in step S50 that the desired number of exposure processes have been completed, the flow chart ends in step S70.
The correction of the irradiation position of the electron beam in the irradiation position correction step (S60) is preferably performed, for example, for each lot or each wafer.
【００４２】図３は、照射位置補正段階（Ｓ６０）にお
ける、電子ビーム露光装置１００の動作のフローチャー
トである。照射位置検出段階（Ｓ８０）で、露光処理に
用いる複数の電子ビームのうちの所定の電子ビームであ
る検出用の電子ビームをマーク部５６に照射して、当該
検出用の電子ビームの照射位置の座標を検出する。照射
位置格納段階（Ｓ９０）で、検出された照射位置の座標
を統括制御部１３０のメモリ１３４に格納する。Ｓ１０
０で、必要な電子ビームの照射位置の座標が検出された
か否かを判断する。Ｓ１００で必要な電子ビームの照射
位置の座標が検出されていないと判断した場合、照射位
置検出段階（Ｓ８０）に戻り、他の検出用の電子ビーム
の照射位置の座標を検出し、照射位置格納段階（Ｓ９
０）で、検出された照射位置の座標を格納する。Ｓ１０
０で必要な電子ビームの照射位置の座標が検出されたと
判断した場合、補正値算出段階（Ｓ１１０）で、検出さ
れた座標に基づいて、検出用の電子ビーム以外の電子ビ
ームの照射位置を補正する補正値を算出する。本実施例
において、統括制御部１３０のメモリ１３４は、それぞ
れの電子ビームの照射位置の位置関係を格納しており、
補正値算出段階（Ｓ１１０）で、メモリ１３４に格納さ
れた当該位置関係を用いて他の電子ビームの照射位置を
補正する補正値を算出してもよい。FIG. 3 is a flowchart of the operation of the electron beam exposure apparatus 100 in the irradiation position correction step (S60). In the irradiation position detection step (S80), a detection electron beam, which is a predetermined electron beam of the plurality of electron beams used for the exposure processing, is irradiated on the mark section 56 to determine the irradiation position of the detection electron beam. Detect coordinates. In the irradiation position storing step (S90), the coordinates of the detected irradiation position are stored in the memory 134 of the overall control unit 130. S10
At 0, it is determined whether or not the coordinates of the required irradiation position of the electron beam have been detected. If it is determined in S100 that the coordinates of the required irradiation position of the electron beam have not been detected, the process returns to the irradiation position detection step (S80), and the coordinates of the irradiation position of another detection electron beam are detected and stored. Step (S9
In step 0), the coordinates of the detected irradiation position are stored. S10
If it is determined that the coordinates of the required irradiation position of the electron beam are detected at 0, the irradiation position of the electron beam other than the detection electron beam is corrected based on the detected coordinates in the correction value calculation step (S110). Is calculated. In this embodiment, the memory 134 of the overall control unit 130 stores the positional relationship between the irradiation positions of the respective electron beams,
In the correction value calculation step (S110), a correction value for correcting the irradiation position of another electron beam may be calculated using the positional relationship stored in the memory 134.
【００４３】なお、電子ビーム露光装置１００の複数の
開口部を有する部材の変形は、全体均等伸縮、回転、平
行移動、非線形伸縮、直交する２つの方向のそれぞれに
対する伸縮等があり、統括制御部１３０は、考慮すべき
当該変形の組み合わせに応じて、検出する電子ビームの
照射位置の座標の数を定めることが好ましい。具体的に
は、照射位置検出段階（Ｓ８０）で、１つの電子ビーム
の照射位置の座標の１つ、例えば、露光処理中、ウェハ
ステージ４６を連続移動させる方向をｘ方向、またｘ方
向と略垂直な方向をｙ方向とするｘｙ座標系において、
基準点に対する照射位置のｘ座標又はｙ座標を検出し、
補正値算出段階（Ｓ１１０）で、検出された座標に基づ
いて、電子ビーム露光装置１００の複数の開口部を有す
る部材の全体均等伸縮及び回転の一方による、照射位置
の１つの座標が検出された電子ビーム以外の電子ビーム
の照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。The deformation of the member having a plurality of openings of the electron beam exposure apparatus 100 includes uniform expansion and contraction, rotation, parallel movement, nonlinear expansion and contraction, expansion and contraction in each of two orthogonal directions, and the like. It is preferable that the number 130 determines the number of coordinates of the irradiation position of the electron beam to be detected in accordance with the combination of the deformations to be considered. Specifically, in the irradiation position detection step (S80), one of the coordinates of the irradiation position of one electron beam, for example, the direction in which the wafer stage 46 is continuously moved during the exposure processing is substantially equal to the x direction or the x direction. In an xy coordinate system where the vertical direction is the y direction,
Detecting the x coordinate or y coordinate of the irradiation position with respect to the reference point,
In the correction value calculating step (S110), one coordinate of the irradiation position is detected based on the detected coordinates by one of uniform expansion and contraction and rotation of the member having the plurality of openings of the electron beam exposure apparatus 100. A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than the electron beam may be calculated.
【００４４】また、照射位置検出段階（Ｓ８０）で、１
つの電子ビームの照射位置、例えば、上述のｘｙ座標系
においてｘ座標及びｙ座標を検出し、補正値算出段階
（Ｓ１１０）で、検出された照射位置に基づいて、電子
ビーム露光装置１００の複数の開口部を有する部材の全
体均等伸縮及び回転による、照射位置が検出された電子
ビーム以外の電子ビームの照射位置のずれを補正する補
正値を算出してもよい。In the irradiation position detection step (S80), 1
An irradiation position of one electron beam, for example, an x-coordinate and a y-coordinate in the above-mentioned xy coordinate system are detected, and in a correction value calculating step (S110), a plurality of electron beam exposure devices 100 are detected based on the detected irradiation positions. A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than the electron beam whose irradiation position has been detected due to the uniform uniform expansion and contraction and rotation of the member having the opening may be calculated.
【００４５】また、照射位置検出段階（Ｓ８０）で、１
つの電子ビームの照射位置を検出し、補正値算出段階
（Ｓ１１０）で、検出された照射位置に基づいて、電子
ビーム露光装置１００の複数の開口部を有する部材の平
行移動による、照射位置が検出された電子ビーム以外の
電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出し
てもよい。In the irradiation position detecting step (S80), 1
The irradiation positions of the two electron beams are detected, and in the correction value calculation step (S110), the irradiation positions are detected based on the detected irradiation positions by the parallel movement of the member having the plurality of openings of the electron beam exposure apparatus 100. A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than the electron beam may be calculated.
【００４６】また、照射位置検出段階（Ｓ８０）で、２
つの電子ビームの照射位置を検出し、補正値算出段階
（Ｓ１１０）で、２つの電子ビームの照射位置に基づい
て、電子ビーム露光装置１００の複数の開口部を有する
部材の全体均等伸縮、回転、及び平行移動による、２つ
の電子ビーム以外の電子ビームの照射位置のずれを補正
する補正値を算出してもよい。In the irradiation position detecting step (S80), 2
The irradiation positions of the two electron beams are detected, and in a correction value calculating step (S110), the entire uniform expansion and contraction, rotation, and rotation of the member having the plurality of openings of the electron beam exposure apparatus 100 are performed based on the irradiation positions of the two electron beams. Alternatively, a correction value for correcting a shift in the irradiation position of the electron beam other than the two electron beams due to the parallel movement may be calculated.
【００４７】また、照射位置検出段階（Ｓ８０）で、３
つの電子ビームの照射位置を検出し、補正値算出段階
（Ｓ１１０）で、３つの電子ビームの照射位置に基づい
て、電子ビーム露光装置１００の複数の開口部を有する
部材の回転、平行移動、及び直交する２つの方向のそれ
ぞれに対する伸縮による、３つの電子ビーム以外の電子
ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出しても
よい。In the irradiation position detecting step (S80), 3
The irradiation positions of the three electron beams are detected, and in the correction value calculation step (S110), the rotation, the parallel movement, and the rotation of the member having the plurality of openings of the electron beam exposure apparatus 100 are performed based on the irradiation positions of the three electron beams. A correction value for correcting a shift in the irradiation position of an electron beam other than the three electron beams due to expansion and contraction in each of two orthogonal directions may be calculated.
【００４８】また、照射位置検出段階（Ｓ８０）で、少
なくとも４つの電子ビームの照射位置を検出し、補正値
算出段階（Ｓ１１０）で、少なくとも４つの電子ビーム
の照射位置に基づいて、電子ビーム露光装置１００の複
数の開口部を有する部材の回転、平行移動、非線形伸
縮、及び直交する２つの方向のそれぞれに対する伸縮に
よる、少なくとも４つの電子ビーム以外の電子ビームの
照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。In the irradiation position detection step (S80), the irradiation positions of at least four electron beams are detected. In the correction value calculation step (S110), the electron beam exposure is performed based on the irradiation positions of the at least four electron beams. A correction value for correcting a shift of an irradiation position of an electron beam other than at least four electron beams due to rotation, translation, nonlinear expansion and contraction of a member having a plurality of openings of the apparatus 100, and expansion and contraction in each of two orthogonal directions. May be calculated.
【００４９】また、照射位置校正段階（Ｓ３０）の後の
１回目の照射位置補正段階（Ｓ６０）において統括制御
部１３０は、ステージ位置校正段階（Ｓ２０）及び照射
位置校正段階（Ｓ３０）において決定された校正値に基
づいて、検出用の電子ビームを照射することにより照射
位置を検出し、補正値を算出することが好ましい。ま
た、照射位置校正段階（Ｓ３０）の後の複数回目である
所定回目の照射位置補正段階（Ｓ６０）において統括制
御部１３０は、当該所定回目の前回の照射位置補正段階
（Ｓ６０）において算出された補正値に基づいて、検出
用の電子ビームを照射することにより照射位置を検出
し、補正値を算出することが好ましい。In the first irradiation position correction step (S60) after the irradiation position calibration step (S30), the overall control unit 130 determines in the stage position correction step (S20) and the irradiation position correction step (S30). It is preferable that an irradiation position is detected by irradiating a detection electron beam based on the corrected calibration value, and a correction value is calculated. In addition, in the predetermined irradiation position correction step (S60), which is a plurality of times after the irradiation position calibration step (S30), the overall control unit 130 calculates in the previous irradiation position correction step (S60) of the predetermined time. Preferably, the irradiation position is detected by irradiating a detection electron beam based on the correction value, and the correction value is calculated.
【００５０】さらに、複数回目である所定回目の照射位
置補正段階（Ｓ６０）において統括制御部１３０は、当
該所定回目の前回の照射位置検出段階（Ｓ８０）におい
て照射位置を検出した電子ビームと同様の電子ビームの
照射位置の座標を再度検出し、補正値算出段階（Ｓ１１
０）で、当該所定回目の前回の照射位置検出段階（Ｓ８
０）において検出した座標と、当該所定回目の照射位置
検出段階（Ｓ８０）において検出した座標とに基づい
て、補正値を再度算出することが好ましい。このとき、
当該所定回目の前回の照射位置検出段階（Ｓ８０）にお
いて検出された座標は、統括制御部１３０のメモリ１３
４から抽出する。Further, in the irradiation position correcting step (S60) of the predetermined times, which is a plurality of times, the overall control unit 130 performs the same operation as the electron beam whose irradiation position is detected in the previous irradiation position detection step (S80) of the predetermined times. The coordinates of the irradiation position of the electron beam are detected again, and the correction value is calculated (S11).
0), the last irradiation position detection step of the predetermined time (S8).
It is preferable that the correction value be calculated again based on the coordinates detected in 0) and the coordinates detected in the predetermined irradiation position detection step (S80). At this time,
The coordinates detected in the previous irradiation position detection step (S80) of the predetermined time are stored in the memory 13 of the overall control unit 130.
Extract from 4.
【００５１】また、複数の検出用の電子ビームの照射位
置を検出する場合、同一のマーク部５６を用いて複数の
電子ビームの照射位置を検出することが好ましい。同一
のマーク部５６を用いて電子ビームの照射位置を検出す
ることにより、各マーク部５６間の特性に基づく補正値
の誤差を低減させることができる。When detecting the irradiation positions of a plurality of detection electron beams, it is preferable to detect the irradiation positions of the plurality of electron beams using the same mark portion 56. By detecting the irradiation position of the electron beam using the same mark portion 56, it is possible to reduce the error of the correction value based on the characteristic between the mark portions 56.
【００５２】図４は、電子銃１０４の配列例及びウェハ
ステージ４６の一例を示す。図４（ａ）は、６９個の電
子銃１０４が配置された基材１０６を示す。図４（ｂ）
に示すように、ウェハステージ４６は、マーク部５６及
びミラー部５８を有する。また、電子ビーム露光装置１
００は、ウェハステージ４６の外部にレーザ干渉計６０
をさらに備え、ミラー部５８とレーザ干渉計６０とを用
いてウェハステージ４６の位置を校正する。図４（ａ）
及び図４（ｂ）を用いて、図２のステージ位置校正段階
（Ｓ２０）においてウェハステージの位置を校正する動
作について説明する。レーザ干渉計６０は、ウェハステ
ージ４６に設けられたミラー５８に複数のレーザを照射
して、当該レーザの反射光を受け取り、照射したレーザ
と反射光との光路差に基づいて、ウェハステージ４６の
位置及び傾き、ミラー５８の傾き及び反り等のパラメー
タを検出する。統括制御部１３０は、当該パラメータに
基づいてウェハステージ５８のステージ位置を校正する
校正値を算出し、以後、ウェハステージ４６を当該校正
値を用いて所望の位置に移動させる。なお、露光処理
中、ウェハステージ４６を連続移動させる方向をｘ方
向、またｘ方向と略垂直な方向をｙ方向とする。FIG. 4 shows an example of the arrangement of the electron guns 104 and an example of the wafer stage 46. FIG. 4A shows a substrate 106 on which 69 electron guns 104 are arranged. FIG. 4 (b)
As shown in (1), the wafer stage 46 has a mark section 56 and a mirror section 58. Also, the electron beam exposure apparatus 1
00 is a laser interferometer 60 outside the wafer stage 46.
And the position of the wafer stage 46 is calibrated using the mirror unit 58 and the laser interferometer 60. FIG. 4 (a)
The operation of calibrating the position of the wafer stage in the stage position calibration step (S20) of FIG. 2 will be described with reference to FIG. The laser interferometer 60 irradiates the mirror 58 provided on the wafer stage 46 with a plurality of lasers, receives the reflected light of the laser, and based on the optical path difference between the irradiated laser and the reflected light, the laser interferometer 60 Parameters such as the position and inclination, the inclination and warpage of the mirror 58 are detected. The overall control unit 130 calculates a calibration value for calibrating the stage position of the wafer stage 58 based on the parameters, and thereafter moves the wafer stage 46 to a desired position using the calibration value. During the exposure processing, the direction in which the wafer stage 46 is continuously moved is defined as the x direction, and the direction substantially perpendicular to the x direction is defined as the y direction.
【００５３】図５は、照射位置検出段階（Ｓ８０）にお
ける、電子ビームの照射位置検出方法の一例を示す。本
例においては、３つの電子ビームの照射位置を検出し、
当該３つの電子ビーム以外の電子ビームの照射位置の算
出する場合について説明する。図５（ａ）、図５
（ｂ）、及び図５（ｃ）に示すように、同一のマーク部
５６を用いて、３つの電子ビームの照射位置を検出す
る。同一のマーク部５６を用いて複数の電子ビームの照
射位置を検出することにより、複数の電子ビーム間の相
対位置を精度よく測定することができる。また他の例に
おいては、複数のマーク部を用いて、複数の電子ビーム
の照射位置を検出してもよく、また照射位置検出用のウ
ェハに設けられたマークを用いて電子ビームの照射位置
を検出してもよい。FIG. 5 shows an example of an electron beam irradiation position detection method in the irradiation position detection step (S80). In this example, the irradiation positions of the three electron beams are detected,
The case where the irradiation positions of the electron beams other than the three electron beams are calculated will be described. FIG. 5 (a), FIG.
As shown in FIG. 5B and FIG. 5C, the irradiation positions of the three electron beams are detected using the same mark portion 56. By detecting the irradiation positions of a plurality of electron beams using the same mark portion 56, the relative position between the plurality of electron beams can be accurately measured. In another example, the irradiation positions of a plurality of electron beams may be detected using a plurality of mark portions, and the irradiation positions of the electron beams may be detected using marks provided on a wafer for detecting the irradiation position. It may be detected.
【００５４】次に、検出用の電子ビームの照射位置に基
づいて、当該検出用の電子ビーム以外の電子ビームの照
射位置を算出する方法の一例について説明する。第１成
形部材１４、第２成形部材２２、第１多軸電子レンズ１
６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ３
４、第４多軸電子レンズ３６、第５多軸電子レンズ５
２、第１成形偏向部１８、第２成形偏向部２０、偏向部
３８等の伸縮、回転、及び平行移動による１つの電子ビ
ームの照射位置の変動量ΔＶｘ、ΔＶｙを、Next, an example of a method of calculating the irradiation position of an electron beam other than the detection electron beam based on the irradiation position of the detection electron beam will be described. First molded member 14, second molded member 22, first multi-axis electron lens 1
6, second multi-axis electron lens 24, third multi-axis electron lens 3
4. Fourth multi-axis electron lens 36, fifth multi-axis electron lens 5
2. The variation amounts ΔVx and ΔVy of the irradiation position of one electron beam due to expansion, contraction, rotation, and parallel movement of the first shaping / deflecting unit 18, the second shaping / deflecting unit 20, the deflecting unit 38, etc.
【００５５】 ΔＶｘ ＝ ｇｘ＊Ｃｘ ＋ ｒｘ＊Ｃｙ ＋ ｏｘ ・・・（１） ΔＶｙ ＝ ｇｙ＊Ｃｙ ＋ ｒｙ＊Ｃｘ ＋ ｏｙ ・・・（２） とする。ΔＶｘ、ΔＶｙは、当該電子ビームが照射すべ
き位置と、検出された電子ビームの照射位置との変位で
ある。Ｃｘ、Ｃｙは、複数の電子銃１０４の相対的な座
標であり、既知の値である。また、ｇｘ、ｇｙは未知の
伸縮係数、ｒｘ、ｒｙは未知の回転係数、ｏｘ、ｏｙは
未知の平行移動係数である。ここで本実施例において、
複数の電子ビームのそれぞれに独立に生じる電子ビーム
の照射位置のずれは変動量ΔＶｘ、ΔＶｙと比較して小
さいため、統括制御部１３０の算出部１３２は、式
（１）及び（２）に基づいて、電子ビームの照射位置を
補正する補正値を算出する。したがって、３つの電子ビ
ームの照射位置を検出することにより、６つの未知数の
値が求められ、当該３つの電子ビーム以外の複数の電子
ビームの照射位置を算出できる。そして、算出された複
数の電子ビームの照射位置に基づいて、それぞれの電子
ビームの照射位置を補正する補正値を算出できる。ΔVx = gx * Cx + rx * Cy + ox (1) ΔVy = gy * Cy + ry * Cx + oy (2) ΔVx and ΔVy are displacements between a position to be irradiated with the electron beam and a detected irradiation position of the electron beam. Cx and Cy are relative coordinates of the plurality of electron guns 104 and are known values. Further, gx and gy are unknown expansion and contraction coefficients, rx and ry are unknown rotation coefficients, and ox and oy are unknown translation coefficients. Here, in this embodiment,
Since the deviation of the irradiation position of the electron beam independently occurring for each of the plurality of electron beams is smaller than the fluctuation amounts ΔVx and ΔVy, the calculation unit 132 of the overall control unit 130 calculates the deviation based on the equations (1) and (2). Then, a correction value for correcting the irradiation position of the electron beam is calculated. Accordingly, by detecting the irradiation positions of the three electron beams, six unknown values are obtained, and the irradiation positions of a plurality of electron beams other than the three electron beams can be calculated. Then, a correction value for correcting the irradiation position of each electron beam can be calculated based on the calculated irradiation positions of the plurality of electron beams.
【００５６】また、複数の開口部を有する部材の平行移
動を考慮しない場合、式（１）及び（２）は、 ΔＶｘ ＝ ｇｘ＊Ｃｘ ＋ ｒｘ＊Ｃｙ ・・・（３） ΔＶｙ ＝ ｇｙ＊Ｃｙ ＋ ｒｙ＊Ｃｘ ・・・（４） となり、２つの電子ビームの照射位置を検出することに
より、４つの未知数の値が求められ、当該２つの電子ビ
ーム以外の複数の電子ビームの照射位置を算出できる。
また、２つの電子ビームの照射位置を検出することによ
り、伸縮及び回転による電子ビームの照射位置のずれを
補正する補正値を算出できる。同様に、１つの電子ビー
ムの照射位置と検出することにより、伸縮、回転、及び
平行移動のうちの１つによる電子ビームの照射位置のず
れを補正する補正値を算出できる。When the parallel movement of a member having a plurality of openings is not taken into account, equations (1) and (2) are given by: ΔVx = gx * Cx + rx * Cy (3) ΔVy = gy * Cy + Ry * Cx (4), and the values of the four unknowns are determined by detecting the irradiation positions of the two electron beams, and the irradiation positions of a plurality of electron beams other than the two electron beams are calculated. it can.
Further, by detecting the irradiation positions of the two electron beams, it is possible to calculate a correction value for correcting a shift of the irradiation position of the electron beam due to expansion and contraction and rotation. Similarly, by detecting the irradiation position of one electron beam, a correction value for correcting a shift of the irradiation position of the electron beam due to one of expansion, contraction, rotation, and translation can be calculated.
【００５７】本実施形態の電子ビーム補正方法及び電子
ビーム露光装置１００によれば、数少ない電子ビームの
照射位置の検出することにより、多くの電子ビームの照
射位置を算出することができる。したがって、多くの電
子ビームの照射位置を検出することなく、短時間で多く
の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出するこ
とができる。According to the electron beam correction method and the electron beam exposure apparatus 100 of this embodiment, it is possible to calculate the irradiation positions of many electron beams by detecting the irradiation positions of a few electron beams. Therefore, it is possible to calculate a correction value for correcting the irradiation positions of many electron beams in a short time without detecting the irradiation positions of many electron beams.
【００５８】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiment. Various changes or improvements can be added to the above embodiment. It should be noted that such modified or improved embodiments may be included in the technical scope of the present invention.
It is clear from the description of the claims.
【００５９】[0059]
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、所定の電子ビームの照射位置の検出することに
より、当該電子ビーム以外の電子ビームの照射位置を補
正する電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置を提
供することができる。As is apparent from the above description, according to the present invention, an electron beam correction method for correcting an irradiation position of an electron beam other than the electron beam by detecting a predetermined irradiation position of the electron beam. An electron beam exposure apparatus can be provided.
【図１】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置
１００の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an electron beam exposure apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
【図２】電子ビーム露光装置１００の動作全体のフロー
チャートである。FIG. 2 is a flowchart of the entire operation of the electron beam exposure apparatus 100.
【図３】照射位置補正段階（Ｓ６０）における、電子ビ
ーム露光装置１００の動作のフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of an operation of the electron beam exposure apparatus 100 in an irradiation position correction step (S60).
【図４】電子銃１０４の配列例及びウェハステージ４６
の一例を示す図である。FIG. 4 shows an example of an arrangement of electron guns 104 and a wafer stage 46.
It is a figure showing an example of.
【図５】照射位置検出段階（Ｓ８０）における、電子ビ
ームの照射位置検出方法の一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of a method for detecting an irradiation position of an electron beam in an irradiation position detection step (S80).
８・・筐体、１０・・電子ビーム発生部、１４・・第１
成形部材、１６・・第１多軸電子レンズ、１８・・第１
成形偏向部、２０・・第２成形偏向部、２２・・第２成
形部材、２４・・第２多軸電子レンズ、２６・・ブラン
キング電極アレイ、２８・・電子ビーム遮蔽部材、３４
・・第３多軸電子レンズ、３６・・第４多軸電子レン
ズ、３８・・偏向部、４０・・電子検出部、４４・・ウ
ェハ、４６・・ウェハステージ、４８・・ウェハステー
ジ駆動部、５６・・マーク部、５８・・ミラー部、６０
・・レーザ干渉計、５２・・第５多軸電子レンズ、８０
・・電子ビーム制御部、８２・・多軸電子レンズ制御
部、８４・・成形偏向制御部、８６・・ブランキング電
極アレイ制御部、９２・・偏向制御部、９４・・反射電
子処理部、９６・・ウェハステージ制御部、１００・・
電子ビーム露光装置、１０４・・電子銃、１１０・・電
子ビーム成形手段、１１２・・照射切替手段、１１４・
・ウェハ用投影系、１２０・・個別制御系、１３０・・
統括制御部、１３２・・算出部、１３４・・メモリ、１
３６・・位置検出部、１４０・・制御系、１５０・・露
光部8... Housing, 10... Electron beam generator, 14.
Molded member, 16 first multi-axis electron lens, 18 first
Forming deflector, 20 second deflector, 22 second member, 24 second multi-axis electron lens, 26 blanking electrode array, 28 electron beam shielding member, 34
..Third multi-axis electron lens, 36..4th multi-axis electron lens, 38..deflection unit, 40..electron detection unit, 44..wafer, 46..wafer stage, 48..wafer stage drive unit , 56 mark part, 58 mirror part, 60
..Laser interferometer, 52.5th multi-axis electron lens, 80
.. an electron beam controller, 82. a multi-axis electron lens controller, 84. a molding deflection controller, 86. a blanking electrode array controller, 92. a deflection controller, 94. 96 wafer stage controller, 100
Electron beam exposure apparatus, 104, electron gun, 110, electron beam forming means, 112, irradiation switching means, 114
・ Wafer projection system, 120 ・ ・ Individual control system, 130 ・ ・
General control unit, 132, calculation unit, 134, memory, 1
36 ·· Position detector, 140 ·· Control system, 150 ·· Exposure unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｄ ５４１Ｗ Ｆターム(参考） 2H097 CA16 EA01 KA02 KA13 KA20 KA28 LA10 5C001 AA01 AA08 CC06 5C033 GG03 GG04 5C034 BB01 BB04 BB06 BB07 5F056 AA33 BA08 CC02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 37/305 H01L 21/30 541D 541W F term (Reference) 2H097 CA16 EA01 KA02 KA13 KA20 KA28 LA10 5C001 AA01 AA08 CC06 5C033 GG03 GG04 5C034 BB01 BB04 BB06 BB07 5F056 AA33 BA08 CC02
Claims (13)
露光する電子ビーム露光装置において、前記２つ以上の
電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法で
あって、 前記２つ以上の電子ビームのうちの少なくとも１つの電
子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する
検出段階と、 検出された前記座標に基づいて、前記座標が検出された
前記１つの電子ビーム以外の少なくとも１つの他の電子
ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階
とを備えることを特徴とする電子ビーム補正方法。In an electron beam exposure apparatus for exposing a wafer with two or more electron beams, an electron beam correction method for correcting an irradiation position of the two or more electron beams, comprising: Detecting at least one of the coordinates of the irradiation position of at least one of the beams of the electron beam; and, based on the detected coordinates, at least one other than the one electron beam whose coordinates have been detected. A calculating step of calculating a correction value for correcting another irradiation position of the electron beam.
電子ビームと前記他の電子ビームとの位置関係を予め格
納する格納手段を備え、 前記算出段階は、前記格納手段に格納された前記位置関
係を用いて前記他の電子ビームの前記照射位置を補正す
る前記補正値を算出することを特徴とする請求項１に記
載の電子ビーム補正方法。2. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, further comprising: a storage unit configured to store a positional relationship between the one electron beam and the other electron beam in advance, wherein the calculating includes calculating the position stored in the storage unit. 2. The electron beam correction method according to claim 1, wherein the correction value for correcting the irradiation position of the another electron beam is calculated using a relationship.
電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、前記２つ以
上の電子ビームのそれぞれが通過する２つ以上の開口部
を有する部材とを備え、 前記検出段階は、前記２つ以上の電子ビームのうちの１
つの電子ビームの照射位置の座標の１つを検出し、 前記算出段階は、検出された前記座標に基づいて、前記
電子ビーム露光装置の前記部材の全体均等伸縮及び回転
の一方による、前記照射位置の前記１つの前記座標が検
出された電子ビーム以外の前記電子ビームの照射位置の
ずれを補正する前記補正値を算出することを特徴とする
請求項１に記載の電子ビーム補正方法。3. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, further comprising: an electron beam generating unit configured to generate two or more electron beams; and a member having two or more openings through which the two or more electron beams pass. Wherein said detecting comprises: detecting one of said two or more electron beams.
Detecting one of the coordinates of the irradiation positions of the two electron beams; and calculating the irradiation position based on one of the entire uniform expansion and contraction and rotation of the member of the electron beam exposure apparatus based on the detected coordinates. 2. The electron beam correction method according to claim 1, wherein the correction value for correcting a shift of an irradiation position of the electron beam other than the electron beam whose one of the coordinates is detected is calculated.
された前記電子ビームの前記照射位置を検出し、 前記算出段階は、検出された前記照射位置に基づいて、
前記電子ビーム露光装置の前記部材の全体均等伸縮及び
回転による、前記照射位置が検出された前記電子ビーム
以外の電子ビームの照射位置のずれを補正する前記補正
値を算出することを特徴とする請求項３に記載の電子ビ
ーム補正方法。4. The detecting step detects the irradiation position of the electron beam at which the one coordinate is detected, and the calculating step calculates a position of the electron beam based on the detected irradiation position.
The correction value for correcting a deviation of an irradiation position of an electron beam other than the electron beam whose irradiation position is detected due to uniform expansion, contraction, and rotation of the member of the electron beam exposure apparatus is calculated. Item 4. An electron beam correction method according to Item 3.
された前記電子ビームの前記照射位置を検出し、 前記算出段階は、検出された前記照射位置に基づいて、
前記電子ビーム露光装置の前記部材の平行移動による、
前記照射位置が検出された前記電子ビーム以外の電子ビ
ームの照射位置のずれを補正する前記補正値を算出する
ことを特徴とする請求項３に記載の電子ビーム補正方
法。5. The detecting step detects the irradiation position of the electron beam at which the one coordinate is detected, and the calculating step calculates a position of the electron beam based on the detected irradiation position.
By parallel movement of the member of the electron beam exposure apparatus,
4. The electron beam correction method according to claim 3, wherein the correction value for correcting a shift of an irradiation position of an electron beam other than the electron beam whose the irradiation position is detected is calculated.
子ビームを発生し、前記部材は、前記３つ以上の電子ビ
ームのそれぞれが通過する３つ以上の開口部を有し、 前記検出段階は、前記３つ以上の電子ビームのうちの２
つの電子ビームの照射位置を検出する段階を含み、 前記算出段階は、前記２つの電子ビームの前記照射位置
に基づいて、前記電子ビーム露光装置の前記部材の全体
均等伸縮、回転、及び平行移動による、前記２つの電子
ビーム以外の電子ビームの照射位置のずれを補正する前
記補正値を算出するをことを特徴とする請求項３に記載
の電子ビーム補正方法。6. The electron beam generating unit generates three or more electron beams, the member has three or more openings through which each of the three or more electron beams passes, The step comprises two of the three or more electron beams.
Detecting the irradiation positions of the two electron beams, wherein the calculating step is based on the irradiation positions of the two electron beams, and is performed by uniformly expanding, contracting, rotating, and translating the entire member of the electron beam exposure apparatus. 4. The electron beam correction method according to claim 3, wherein the correction value for correcting a shift of an irradiation position of an electron beam other than the two electron beams is calculated.
子ビームを発生し、前記部材は、前記４つ以上の電子ビ
ームのそれぞれが通過する４つ以上の開口部を有し、 前記検出段階は、前記４つ以上の電子ビームのうちの３
つの電子ビームの照射位置を検出する段階を含み、 前記算出段階は、前記３つの電子ビームの前記照射位置
に基づいて、前記電子ビーム露光装置の前記部材の回
転、平行移動、及び直交する２つの方向のそれぞれに対
する伸縮による、前記３つの電子ビーム以外の電子ビー
ムの照射位置のずれを補正する前記補正値を算出するを
ことを特徴とする請求項３に記載の電子ビーム補正方
法。7. The electron beam generating section generates four or more electron beams, the member has four or more openings through which each of the four or more electron beams passes, The step comprises three of the four or more electron beams.
Detecting the irradiation positions of the three electron beams, wherein the calculating step includes, based on the irradiation positions of the three electron beams, rotation, translation, and two orthogonal movements of the member of the electron beam exposure apparatus. 4. The electron beam correction method according to claim 3, wherein the correction value for correcting a shift of an irradiation position of an electron beam other than the three electron beams due to expansion and contraction in each of the directions is calculated.
子ビームを発生し、前記部材は、前記５つ以上の電子ビ
ームのそれぞれが通過する５つ以上の開口部を有し、 前記検出段階は、前記５つ以上の電子ビームのうちの少
なくとも４つの電子ビームの照射位置を検出する段階を
含み、 前記算出段階は、前記少なくとも４つの電子ビームの前
記照射位置に基づいて、前記電子ビーム露光装置の前記
部材の回転、平行移動、非線形伸縮、及び直交する２つ
の方向のそれぞれに対する伸縮による、前記少なくとも
４つの電子ビーム以外の電子ビームの照射位置のずれを
補正する前記補正値を算出するをことを特徴とする請求
項３に記載の電子ビーム補正方法。8. The electron beam generating section generates five or more electron beams, the member has five or more openings through which each of the five or more electron beams passes, The step includes detecting an irradiation position of at least four electron beams of the five or more electron beams, and the calculating step includes determining the irradiation position of the electron beam based on the irradiation positions of the at least four electron beams. Calculating a correction value for correcting a shift of an irradiation position of an electron beam other than the at least four electron beams due to rotation, translation, non-linear expansion and contraction of the member of the exposure apparatus in each of two orthogonal directions; The electron beam correction method according to claim 3, wherein:
座標の少なくとも１つを再度検出する再検出段階と、 前記検出段階において検出された前記座標と、前記再検
出段階において検出された前記座標とに基づいて、前記
補正値を再度算出する再算出段階とをさらに備えること
を特徴とする請求項１に記載の電子ビーム補正方法。9. A re-detection step of re-detecting at least one of the coordinates of the irradiation position of the one electron beam; the coordinates detected in the detection step; and the coordinates detected in the re-detection step 2. The electron beam correction method according to claim 1, further comprising: recalculating the correction value based on the above.
を校正する校正段階をさらに備え、 前記算出段階は、校正された前記２つ以上の電子ビーム
の校正照射位置に基づいて、前記補正値を算出すること
を特徴とする請求項１に記載の電子ビーム補正方法。10. The method according to claim 10, further comprising: a calibration step of calibrating each of the two or more electron beams. The calculating step calculates the correction value based on the calibrated irradiation positions of the two or more electron beams. The electron beam correction method according to claim 1, wherein the calculation is performed.
ハが載置されるウェハステージをさらに備え、 前記ウェハステージは、前記２つの電子ビームの照射位
置を検出するためのマーク部を有し、 前記検出段階は、前記２つの電子ビームのそれぞれの前
記照射位置を、同一の前記マーク部を用いて検出するこ
とを特徴とする請求項６に記載の電子ビーム補正方法。11. The electron beam exposure apparatus further includes a wafer stage on which the wafer is mounted, wherein the wafer stage has a mark unit for detecting irradiation positions of the two electron beams, 7. The electron beam correction method according to claim 6, wherein in the detecting step, the irradiation positions of the two electron beams are detected using the same mark.
を露光する電子ビーム露光装置であって、 前記２つ以上の電子ビームを発生させる電子銃と、 前記２つ以上の電子ビームをそれぞれ独立に偏向させる
偏向部と、 前記ウェハが載置されるウェハステージと、 前記ウェハステージに設けられ、前記２つ以上の電子ビ
ームのうちの少なくとも１つの電子ビームの照射位置を
検出するためのマーク部と、 前記マーク部に照射された前記少なくとも１つの電子ビ
ームの反射電子を検出し、検出された前記反射電子の量
に対応する検出信号を出力する電子検出部と、 前記検出信号に基づいて、前記少なくとも１つの電子ビ
ームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する位置
検出部と、 検出された前記座標に基づいて、前記座標が検出された
前記電子ビーム以外の電子ビームの照射位置を補正する
補正値を算出する算出部と、 前記補正値に基づいて、前記座標が検出された前記電子
ビーム以外の前記電子ビームを偏向させるように前記偏
向部を制御する偏向制御部とを備えることを特徴とする
電子ビーム露光装置。12. An electron beam exposure apparatus for exposing a wafer with two or more electron beams, comprising: an electron gun for generating the two or more electron beams; A deflecting unit for deflecting, a wafer stage on which the wafer is mounted, and a mark unit provided on the wafer stage for detecting an irradiation position of at least one of the two or more electron beams. An electron detection unit that detects reflected electrons of the at least one electron beam applied to the mark unit, and outputs a detection signal corresponding to an amount of the detected reflected electrons, based on the detection signal, A position detection unit that detects at least one of coordinates of an irradiation position of at least one electron beam; and the coordinates are detected based on the detected coordinates. A calculating unit that calculates a correction value for correcting an irradiation position of an electron beam other than the electron beam; and, based on the correction value, deflecting the electron beam other than the electron beam whose coordinates are detected. An electron beam exposure apparatus, comprising: a deflection control unit that controls a unit.
の断面形状を成形する２つ以上のスリットを有するスリ
ット部と、 前記２つ以上の電子ビームのそれぞれを集束させる２つ
以上の電子レンズを有する電子レンズ部とをさらに備
え、 前記算出部は、検出された前記座標に基づいて、前記偏
向部、前記スリット部、及び前記電子レンズ部の少なく
とも１つの伸縮、回転、及び平行移動の少なくとも１つ
による、前記座標が検出された前記電子ビーム以外の前
記電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出
することを特徴とする請求項１２に記載の電子ビーム露
光装置。13. A slit section having two or more slits for shaping respective cross-sectional shapes of the two or more electron beams, and two or more electron lenses for focusing each of the two or more electron beams. An electronic lens unit having at least one of expansion, contraction, rotation, and translation of at least one of the deflection unit, the slit unit, and the electronic lens unit based on the detected coordinates. 13. The electron beam exposure apparatus according to claim 12, wherein a correction value for correcting a shift of an irradiation position of the electron beam other than the electron beam whose coordinates have been detected is calculated.
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