JP2002151383A - 電子線描画装置および電子線描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子線描画装置において、描画パターンの描
画順序を最適化しつつ整定時間を短縮する。 【解決手段】 偏向領域分割手段１は、偏向領域６を複
数の照射領域Ｓ１〜Ｓ５に分割する。描画順序決定手段
２は、偏向領域分割手段１によって生成された各照射領
域Ｓ１〜Ｓ５に含まれる描画パターンの描画順序を決定
する。整定時間決定手段３は、描画順序決定手段２によ
って決定された描画順序に応じて整定時間を決定する。
描画手段４は、描画順序決定手段２によって決定された
描画順序に従って、また、整定時間決定手段３によって
決定された整定時間にて偏向領域６に対して描画パター
ンを電子線により描画する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子線描画装置およ
び電子線描画方法に関し、特に、ステージに載置された
材料に電子線を照射して所定のパターンを描画する電子
線描画装置および電子線描画方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子線描画技術は、フォトマスクの作製
に使用されており、近年ではウエハ上に電子線で直接描
画するいわゆる直接描画技術も実用化されている。

【０００３】電子線描画では、ＣＡＤ（Computer Aided
Design）データに基づく図形をひとつひとつ描画する
ので、スループットがあまり高くないという問題点があ
る。なお、描画に要する時間としては、ステージ移動時
間およびビーム照射時間の他に、ビーム偏向時間および
整定時間（セトリングタイム）がある。

【０００４】ここで、整定時間とは、ビームを偏向した
際に、ビームの位置が安定するまでに要する時間をい
う。ビームの所定位置への変更は、ディジタル描画位置
データに基づくアナログ信号を静電偏向器に印加するこ
とで行われる。

【０００５】例えば、図１０に示す電子ビーム偏向領域
Ｗにおいて、描画パターンＣから描画パターンＤに電子
ビームを偏向させる場合、描画パターンＤに移動した後
も、電子ビームの照射位置は図１１に示すようにしばら
くの間は変動している。描画する際には、電子ビームが
安定している必要があるので、安定するまでしばらく待
っている必要があり、これを整定時間と呼ぶ。

【０００６】なお、整定時間は、偏向される距離が大き
いほど、長い時間が必要とされる。従って、図１０に示
すように、描画パターンＡから描画パターンＢへ偏向さ
せる方が、描画パターンＣから描画パターンＤへ偏向さ
せるよりも大きな整定時間を必要とする。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで従来、電子ビ
ーム偏向領域内の整定時間は一定（予想される最大時
間）に設定していたが、スループットを向上させるため
に、移動距離が短い場合には、整定時間も短くすること
が望ましい。

【０００８】そこで、特願昭６１−１１３７１４号公報
や、特願平２−１８３３７８号公報に開示されているよ
うに、電子ビームの偏向距離に応じて整定時間を決定す
る方法が提案されている。

【０００９】しかしながら、これらの方法では、電子ビ
ームの移動距離に応じて整定時間を最適化するのみであ
るので、描画順序に関しては最適化されず、その結果、
更なるスループットの向上を期待できないという問題点
があった。

【００１０】そこで、描画する前に、電子ビーム偏向領
域内の全ての描画パターンについて、描画順序を最適化
することも考えられるが、電子ビーム偏向領域内には、
数十万以上の描画パターンが存在するので、これらの全
てについて最適化するためには、多大な処理時間を要す
るという問題点があった。

【００１１】本発明は、以上のような点に鑑みてなされ
たものであり、トータルの整定時間を短縮するととも
に、描画パターンの描画順序を最適化して、更なるスル
ープットの向上を可能とする電子線描画装置および電子
線描画方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、ステージに載置された材料に電子線を照
射して所定のパターンを描画する電子線描画装置におい
て、前記電子ビーム偏向領域を複数の照射領域に分割す
る偏向領域分割手段と、前記偏向領域分割手段によって
生成された各照射領域に含まれる描画パターンの描画順
序を決定する描画順序決定手段と、前記描画順序決定手
段によって決定された描画順序に応じて整定時間を決定
する整定時間決定手段と、前記描画順序決定手段によっ
て決定された描画順序に従って、また、前記整定時間決
定手段によって決定された整定時間にて前記材料に対し
て描画パターンを電子線により描画する描画手段と、を
有することを特徴とする電子線描画装置が提供される。

【００１３】ここで、偏向領域分割手段は、電子ビーム
偏向領域を複数の照射領域に分割する。描画順序決定手
段は、偏向領域分割手段によって生成された各照射領域
に含まれる描画パターンの描画順序を決定する。整定時
間決定手段は、描画順序決定手段によって決定された描
画順序に応じて整定時間を決定する。描画手段は、描画
順序決定手段によって決定された描画順序に従って、ま
た、整定時間決定手段によって決定された整定時間にて
材料に対して描画パターンを電子線により描画する。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の動作原理を説明
する原理図である。この図に示すように、本発明に係る
電子線描画装置は、偏向領域分割手段１、描画順序決定
手段２、整定時間決定手段３、および、描画手段４によ
って構成されている。

【００１５】ここで、偏向領域分割手段１は、加工対象
となる偏向領域６を複数の照射領域に分割する。描画順
序決定手段２は、偏向領域分割手段１によって生成され
た各照射領域に含まれる描画パターンの描画順序を決定
する。

【００１６】整定時間決定手段３は、描画順序決定手段
２によって決定された描画順序に応じて整定時間を決定
する。描画手段４は、描画順序決定手段２によって決定
された描画順序に従って、また、整定時間決定手段３に
よって決定された整定時間にて、偏向領域６に対して描
画パターンを電子線により描画する。

【００１７】次に、以上の原理図の動作について説明す
る。偏向領域６に対するパターンの描画が開始される
と、偏向領域分割手段１は、偏向領域６の照射面を、複
数の短冊状の領域Ｓ１〜Ｓ５に分割する。

【００１８】描画順序決定手段２は、偏向領域分割手段
１による分割によって生成された、複数の短冊状の領域
Ｓ１〜Ｓ５のそれぞれに属する描画パターンの描画順序
をそれぞれ決定する。このとき、電子ビームは、波線で
囲繞された部分に示すように、蛇行するように各短冊状
の領域を走査されるので、描画パターンの描画順序とし
ては、電子ビームの走査に応じて行き当たる順で描画す
ることが望ましい。

【００１９】従って、短冊状の領域Ｓ１については、図
の左から右に走査した場合に行き当たる順番で描画パタ
ーンを描画する。また、短冊状の領域Ｓ２については、
図の右から左に走査した場合に行き当たる順番で描画パ
ターンを描画する。以下、同様とする。

【００２０】整定時間決定手段３は、描画順序決定手段
２によって決定された描画順序に応じて、整定時間を決
定する。例えば、各短冊状の領域において、最も長い移
動距離に応じた整定時間を設定する。

【００２１】描画手段４は、描画順序決定手段２によっ
て決定された描画順序に従って、また、整定時間決定手
段３によって決定された整定時間にて、偏向領域６に対
して描画パターンを電子線により描画する。具体的に
は、描画手段４は、図１の波線で囲繞された領域に示す
ように、左から右、右から左へと蛇行するように、偏向
領域６を走査するとともに、各短冊状の領域に含まれる
描画パターンを順に描画する。また、整定時間に関して
は、各短冊状の領域に含まれている最も長い偏向時間に
応じた整定時間を、各短冊状の領域の描画を開始する前
に設定する。

【００２２】以上に説明したように、本発明に係る電子
線描画装置によれば、偏向領域６を複数の短冊状の領域
に分割し、それぞれの領域毎に最適な描画順序を決定す
るとともに、最適な整定時間にて描画するようにしたの
で、スループットを向上させることが可能となる。

【００２３】また、分割されたそれぞれの領域毎に描画
パターンの描画順序を計算するようにしたので、偏向領
域６全体に対して最適化を行う場合に比較し、対象数を
減少させることが可能となるので、計算時間を大幅に減
少させることが可能となる。

【００２４】図２は、本発明の実施の形態の構成例を示
す図である。この図に示すように、本実施の形態は、Ｃ
ＰＵ（Central Processing Unit）２０、描画制御回路
２１、ブランキング制御回路２２、整定時間制御回路２
３、主偏向制御回路２４、副偏向制御回路２５、およ
び、カラム２６によって構成されている。

【００２５】カラム２６は、電子銃２６ａ、第１アパー
チャ２６ｂ、第１転写レンズ２６ｃ、可変成形偏向板２
６ｄ、第２転写レンズ２６ｅ、第２アパーチャ２６ｆ、
ブランキング板２６ｇ、ブランク絞り２６ｈ、縮小レン
ズ２６ｉ、主偏向板２６ｊ、副偏向板２６ｋ、および、
対物レンズ２６ｍによって構成されており、加工対象と
なる材料２７に対して描画パターンを描画する。

【００２６】ここで、電子銃２６ａから出射された電子
ビームは、第１アパーチァ２６ｂ、転写レンズ２６ｃ，
２６ｅ、可変成形偏向板２６ｄ、第２アパーチャ２６
ｆ、ブランキング板２６ｇ、ブランク絞り２６ｈ、縮小
レンズ２６ｉ、主偏向板２６ｊ、副偏向板２６ｋ、対物
レンズ２６ｍ等を通過し、材料２７上に照射される。各
種偏向器は、ＣＰＵ２０と描画制御回路２１によって発
生する指令に基づき任意に動作する主偏向制御回路２４
および副偏向制御回路２５等の偏向信号、及び、整定時
間制御回路２３、ブランキング制御回路２２によって制
御される。整定時間制御回路２３は、各偏向制御回路の
偏向信号より、偏向量に応じて最終目標精度までの整定
時間を検出し、ブランキング制御回路２２と描画制御回
路２１に最適な整定待ち時間信号を供給する。ブランキ
ング制御回路２２では、描画制御回路２１と整定時間制
御回路２３の制御信号タイミングでブランキング板２６
ｇを制御し、ＣＰＵ２０で露光時間制御を行いながら任
意のパターン描画を行う機能を有する。

【００２７】次に、以上の実施の形態の動作について説
明する。加工対象となる材料２７が載置されると、ＣＰ
Ｕ２０は、偏向領域内の描画データを図３に示すよう
に、複数の短冊状の領域Ｓ１〜Ｓ９に分割し、それぞれ
の領域に含まれる描画パターンを特定する。

【００２８】描画パターンの分割が完了すると、ＣＰＵ
２０は、描画パターンの描画順序を決定する。例えば、
短冊状の領域Ｓ１に対して、図４に示すように、描画パ
ターンＰ１〜Ｐ７が配置されているとすると、Ｘ座標の
座標値が小さい順に描画順序を決定する。その結果、こ
の例では、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７
の順に描画されることになる。なお、他の領域Ｓ２〜Ｓ
９についても、描画方向を考慮しつつ、同様にして描画
順序を決定する。

【００２９】描画順序が決定されると、ＣＰＵ２０は、
描画制御回路２１に対して制御信号を送り、描画処理を
開始する。描画処理が開始されると、主偏向制御回路２
４および副偏向制御回路２５によってビームが偏向され
るとともに、ブランキング制御回路２２によって露光量
が制御されつつ、描画パターンの描画が行われる。ま
た、そのとき、整定時間制御回路２３は、次の描画パタ
ーンに移動する前に、その描画パターンまでの移動距離
を算出し、その算出された移動距離に応じた最適な整定
時間を設定する。

【００３０】以上のような動作により、図３に示すよう
に、材料２７の短冊状の領域Ｓ１〜Ｓ９に露光パターン
が順次描画されることになる。以上に説明したように、
本発明の実施の形態では、描画データを複数の短冊状の
領域Ｓ１〜Ｓ９に分割し、それぞれの領域毎に描画パタ
ーンの描画順序を最適化するようにしたので、電子ビー
ム偏向領域全体の描画パターについて最適化を行う場合
に比較して、処理対象を減少させることにより、計算時
間を大幅に短縮することが可能となる。

【００３１】また、本実施の形態では、短冊状の領域Ｓ
１〜Ｓ９を蛇行するように描画するようにしたので、電
子ビームの移動距離を最短にすることが可能となるの
で、スループットを向上させることが可能となる。

【００３２】なお、以上の実施の形態では、描画データ
を複数の短冊状の領域に分割するようにしたが、描画制
御回路２１により、材料２７を仮想的に複数の短冊状の
領域に分割することも可能である。

【００３３】また、以上の実施の形態では、９つの短冊
状の領域に分割するようにしたが、本発明はこのような
場合に限定されるものではなく、材料２７のサイズ等に
応じてこれ以外の分割数に設定することも可能である。

【００３４】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。本発明の第２の実施の形態では、図５に示す
ように、偏向領域内の描画データを、複数の矩形領域Ｆ
１〜Ｆ８１に分割し、それぞれの領域に含まれる描画パ
ターンの描画順序を最適化した後、描画処理を実行す
る。

【００３５】図６は、矩形領域Ｆ１に含まれている描画
パターンの一例を示す図である。この例では、矩形領域
Ｆ１には３つの描画パターンＰ６〜Ｐ８が配置されてい
る。ここで、これらを描画する順番は、₃Ｐ₂＝６通りの
場合の数が存在するが、矩形領域Ｆ１については、左か
ら右へ電子ビームが走査されるとすると、電子ビームの
移動距離が最も短くなる順番は、Ｐ６，Ｐ７，Ｐ８であ
る。従って、ＣＰＵ２０は、矩形領域Ｆ１については、
この順番で描画することを決定する。

【００３６】また、図７に示すように、矩形領域Ｆ１，
Ｆ２が隣接している場合について考えると、矩形領域Ｆ
１を上述の順番で描画した後、最初に描画する描画パタ
ーンは、矩形領域Ｆ１において最後に描画した描画パタ
ーンＰ８から最も近い位置に存在する描画パターンＰ１
１であることが望ましい。

【００３７】そして、それ以降は、描画パターンＰ９，
Ｐ１０、および、Ｐ１２〜Ｐ１４の５つについて電子ビ
ームのトータルの移動距離が最短になるように、描画順
序を決定する。なお、この決定方法としては、全ての場
合について総移動距離を算出し、最短の移動距離となる
場合を選択する。この結果、描画の順番として、例え
ば、Ｐ１１，Ｐ１０，Ｐ９，Ｐ１３，Ｐ１２，Ｐ１４が
決定されることになる。

【００３８】なお、矩形領域に関する描画の順序として
は、矩形領域Ｆ１，Ｆ２に続いて、矩形領域Ｆ３〜Ｆ９
が描画され、矩形領域Ｆ１８に移動した後、矩形領域Ｆ
１７〜Ｆ１０が描画され、更に、矩形領域Ｆ１９に移動
する、といった順序で矩形領域が描画される。

【００３９】このようにして、全ての矩形領域Ｆ１〜Ｆ
８１について最適な描画順序が決定されると、ＣＰＵ２
０は、描画制御回路２１に対して指令を送り、決定され
た順序で描画パターンの描画処理を実行させる。

【００４０】描画処理が開始されると、前述のように、
副偏向制御回路２５および主偏向制御回路２４によって
ビームが偏向されるとともに、ブランキング制御回路２
２によって露光量が制御されつつ、描画パターンの描画
が行われる。また、そのとき、整定時間制御回路２３
は、次の描画パターンに移動する前に、描画データから
移動量を算出し、その移動量に応じた整定時間を設定す
る。

【００４１】その結果、図５に示すように、偏向領域Ｗ
内の矩形領域Ｆ１〜Ｆ８１に露光パターンが順次描画さ
れることになる。以上に説明したように、本発明の第２
の実施の形態では、偏向領域を複数の矩形領域Ｆ１〜Ｆ
８１に分割し、それぞれの矩形領域毎に描画パターンの
最適化を行った後、蛇行するように描画処理を実行する
ようにしたので、前述の場合と同様に、描画パターンの
描画順序を簡易に決定することが可能となるので、スル
ープットを向上させることが可能となる。

【００４２】なお、以上の実施の形態では、描画データ
を複数の矩形領域に分割した後に描画するようにした
が、描画制御回路２１によって材料２７を仮想的に複数
の矩形の領域に分割して描画するようにしてもよい。

【００４３】更に、以上の実施の形態では、次の描画パ
ターンに移動する前に、移動量に応じて整定時間を決定
するようにしたが、例えば、各矩形領域の対角線の長さ
に対応する整定時間が最大となるので、これを整定時間
とすることも可能である。その場合には、整定時間を固
定化することが可能となるので、整定時間の変更に係る
構成を省略することにより、装置を簡略化することが可
能となる。

【００４４】最後に、図８および図９を参照して、本発
明の第１および第２の実施の形態において実行されるフ
ローチャートの一例について説明する。図８は、本発明
の第１の実施の形態に対応するフローチャートである。
このフローチャートが開始されると、以下のステップが
実行される。 ［Ｓ１０］ＣＰＵ２０は、描画データを入力する。 ［Ｓ１１］ＣＰＵ２０は、偏向領域を複数の短冊状の領
域に分割する。 ［Ｓ１２］ＣＰＵ２０は、処理回数をカウントする変数
ｉおよび変数ｊのそれぞれを１に初期設定する。 ［Ｓ１３］ＣＰＵ２０は、次に描画する描画パターンま
での移動距離を描画データから算出し、この移動距離に
応じた整定時間を設定する。 ［Ｓ１４］ＣＰＵ２０は、第ｉ番目の短冊状の領域の第
ｊ番目の描画パターンを描画する。 ［Ｓ１５］ＣＰＵ２０は、変数ｊの値を１だけインクリ
メントする。 ［Ｓ１６］ＣＰＵ２０は、第ｉ番目の短冊状の領域に未
描画の描画パターンが存在するか否かを判定し、存在す
る場合にはステップＳ１４に戻って同様の処理を繰り返
し、それ以外の場合にはステップＳ１７に進む。 ［Ｓ１７］ＣＰＵ２０は、変数ｉの値を１だけインクリ
メントする。 ［Ｓ１８］ＣＰＵ２０は、変数ｊの値を１に再設定す
る。 ［Ｓ１９］ＣＰＵ２０は、未描画の短冊状の領域がまだ
存在するか否かを判定し、存在する場合にはステップＳ
２０に進み、それ以外の場合には処理を終了する。 ［Ｓ２０］ＣＰＵ２０は、第ｉ番目の短冊状領域に移動
した後、ステップＳ１４に進む。

【００４５】図９は、本発明の第２の実施の形態に対応
するフローチャートである。このフローチャートが開始
されると、以下のステップが実行される。 ［Ｓ３０］ＣＰＵ２０は、描画データを入力する。 ［Ｓ３１］ＣＰＵ２０は、偏向領域を複数の矩形領域に
分割する。 ［Ｓ３２］ＣＰＵ２０は、処理回数をカウントする変数
ｉ，ｊをそれぞれ１に初期設定する。 ［Ｓ３３］ＣＰＵ２０は、次に描画する描画パターンま
での移動距離を描画データから算出し、この移動距離に
応じた整定時間を設定する。 ［Ｓ３４］ＣＰＵ２０は、第ｉ番目の矩形領域の描画パ
ターンの描画順序を決定する。なお、描画順序の決定方
法としては、考えられる全ての順序を列挙し、それぞれ
の順序におけるトータルの移動距離を算出し、移動距離
が最も短いものを最適な描画順序として採択する。 ［Ｓ３５］ＣＰＵ２０は、ステップＳ３４において決定
された描画順序に従って、第ｉ番目の矩形領域の第ｊ番
目の描画パターンを描画する。 ［Ｓ３６］ＣＰＵ２０は、変数ｊの値を１だけインクリ
メントする。 ［Ｓ３７］ＣＰＵ２０は、第ｉ番目の矩形領域に未描画
の描画パターンが存在するか否かを判定し、存在する場
合にはステップＳ３５に戻り、それ以外の場合にはステ
ップＳ３８に進む。 ［Ｓ３８］ＣＰＵ２０は、変数ｉの値を１だけインクリ
メントする。 ［Ｓ３９］ＣＰＵ２０は、変数ｊに値１を設定する。 ［Ｓ４０］ＣＰＵ２０は、未描画の矩形領域が存在する
か否かを判定し、存在する場合にはステップＳ４１に進
み、それ以外の場合には処理を終了する。 ［Ｓ４１］ＣＰＵ２０は、第ｉ番目の矩形領域に移動す
る。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、ステー
ジに載置された材料に電子線を照射して所定のパターン
を描画する電子線描画装置において、電子ビーム偏向領
域を複数の照射領域に分割する偏向領域分割手段と、偏
向領域分割手段によって生成された各照射領域に含まれ
る描画パターンの描画順序を決定する描画順序決定手段
と、描画順序決定手段によって決定された描画順序に応
じて整定時間を決定する整定時間決定手段と、描画順序
決定手段によって決定された描画順序に従って、また、
整定時間決定手段によって決定された整定時間にて材料
に対して描画パターンを電子線により描画する描画手段
と、を設けるようにしたので、製品のスループットの向
上に寄与することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の動作原理を説明する原理図である。

【図２】本発明の実施の形態の構成例を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態における描画データ
の分割の態様を示す図である。

【図４】図３に示す短冊状の領域に描画パターンの一例
を示す図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態における描画データ
の分割の態様を示す図である。

【図６】図５に示す矩形領域に描画される描画パターン
の一例を示す図である。

【図７】図５に示す２つの矩形領域に描画される描画パ
ターンの一例を示す図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態に対応するフローチ
ャートの一例である。

【図９】本発明の第２の実施の形態に対応するフローチ
ャートの一例である。

【図１０】電子ビームの偏向の様子を示す図である。

【図１１】整定時間を説明する図である。

【符号の説明】

１…偏向領域分割手段，２…描画順序決定手段，３…整
定時間決定手段，４…描画手段，２０…ＣＰＵ，２１…
描画制御回路，２２…ブランキング制御回路，２３…整
定時間制御回路，２４…主偏向制御回路，２５…副偏向
制御回路，２６…カラム，２６ａ…電子銃，２６ｂ…第
１アパーチャ，２６ｃ…第１転写レンズ，２６ｄ…可変
成形偏向板，２６ｅ…第２転写レンズ，２６ｆ…第２ア
パーチャ，２６ｇ…ブランキング板，２６ｈ…ブランク
絞り，２６ｉ…縮小レンズ，２６ｊ…副偏向板，２６ｋ
…主偏向板，２６ｍ…対物レンズ，２７…ウエハ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ステージに載置された材料に電子線を照
   射して所定のパターンを描画する電子線描画装置におい
   て、 電子ビーム偏向領域を複数の照射領域に分割する偏向領
   域分割手段と、 前記偏向領域分割手段によって生成された各照射領域に
   含まれる描画パターンの描画順序を決定する描画順序決
   定手段と、 前記描画順序決定手段によって決定された描画順序に応
   じて整定時間を決定する整定時間決定手段と、 前記描画順序決定手段によって決定された描画順序に従
   って、また、前記整定時間決定手段によって決定された
   整定時間にて前記材料に対して描画パターンを電子線に
   より描画する描画手段と、 を有することを特徴とする電子線描画装置。
2. 【請求項２】 前記偏向領域分割手段は、前記電子ビー
   ム偏向領域を複数の短冊状の領域に分割し、 前記描画手段は、各短冊状の領域に含まれている描画パ
   ターンを長手方向に順次描画し、所定の短冊状の領域の
   描画が終了した場合には、隣接する他の未描画の短冊状
   の領域を長手方向について逆方向に描画する、 ことを特徴とする請求項１記載の電子線描画装置。
3. 【請求項３】 前記偏向領域分割手段は、前記電子ビー
   ム偏向領域を複数の矩形の領域に分割し、 前記描画手段は、各矩形の領域に含まれている描画パタ
   ーンを、総偏向距離が最短になるように描画するととも
   に、所定の矩形領域の描画が終了した場合には、隣接す
   る他の未描画の矩形の領域を描画する、 ことを特徴とする請求項１記載の電子線描画装置。
4. 【請求項４】 前記描画手段は、所定の矩形の領域の描
   画が終了した場合には、次の矩形領域において、最後に
   描画した描画パターンから最も近い描画パターンを最初
   に描画することを特徴とする請求項３記載の電子線描画
   装置。
5. 【請求項５】 前記整定時間決定手段は、前記矩形の領
   域の対角線の長さに応じた時間を整定時間として決定す
   ることを特徴とする請求項３記載の電子線描画装置。
6. 【請求項６】 ステージに載置された材料に電子線を照
   射して所定のパターンを描画する電子線描画方法におい
   て、 前記電子ビーム偏向領域を複数の照射領域に分割する分
   割ステップと、 前記分割ステップによって生成された各照射領域に含ま
   れる描画パターンの描画順序を決定する描画順序決定ス
   テップと、 前記描画順序決定ステップによって決定された描画順序
   に応じて整定時間を決定する整定時間決定ステップと、 前記描画順序決定ステップによって決定された描画順序
   に従って、また、前記整定時間決定ステップによって決
   定された整定時間にて前記材料に対して描画パターンを
   電子線により描画する描画ステップと、 を有することを特徴とする電子線描画方法。