JP2002148132A - 微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システム - Google Patents
微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システムInfo
- Publication number
- JP2002148132A JP2002148132A JP2000341908A JP2000341908A JP2002148132A JP 2002148132 A JP2002148132 A JP 2002148132A JP 2000341908 A JP2000341908 A JP 2000341908A JP 2000341908 A JP2000341908 A JP 2000341908A JP 2002148132 A JP2002148132 A JP 2002148132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection
- pressure
- blood flow
- information
- flow system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Position Fixing By Use Of Radio Waves (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
- Measuring And Recording Apparatus For Diagnosis (AREA)
Abstract
供する。 【解決手段】 磁気部材の一部に磁歪部6を有して薄膜
技術等を用いて作製されるトンネル磁気抵抗効果素子
(TMR素子)2をセンサ部7に備え、磁歪部6の磁歪
に基づく磁気抵抗率の変化等を通じて検知対象物の圧力
変化を検知するように構成することで、小型・軽量化を
図れる上に、高感度な微小圧力検知素子1となる。
Description
子、この素子を用いた情報入力装置、血流系測定装置等
の装置及び健康監視システムに関する。
器具ないし装置としては、血圧計、心拍計、脈拍計、脈
波計等がある。例えば、脈波計としては、光電式脈波計
の他に圧電式脈波計等がある。圧電式の場合、圧電素子
により圧脈波を測定するもので、動脈上に圧電センサを
押付けて非観血式に脈波信号を読み取ることとなる。こ
の際、圧電センサは微小圧力センサ(微小圧力検知素
子)として機能するものであるが、このような微小圧力
センサとしては、磁歪素子を用いたセンサや電歪素子を
用いたセンサもある。血圧計、心拍計、脈拍計等に関し
ても基本的には同様である。
的或いは携帯性を有する利用形態が普及しつつあり、G
PSシステムや携帯電話等の通信システムとの組合わせ
による健康監視システムへの応用も図られている(例え
ば、特開平10−40483号公報、特開平5−252
284号公報、特開平6−14128号公報等参照)。
従来の微小圧力センサでは、小型・軽量化の点及び感度
的な面でまだ十分とはいえず、改良の余地が多分にあ
る。
微小圧力検知素子を提供することを目的とする。
ことで機能アップを図れる微小圧力検知素子を用いた装
置及び健康監視システムを提供することを目的とする。
小圧力検知素子は、磁気部材の一部に磁歪部を有する磁
気抵抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気
抵抗効果素子又は磁気インピーダンス素子を、検知対象
物の圧力変化を検知するためのセンサ部に備える。
気抵抗効果素子(MR素子)、巨大磁気抵抗効果素子
(GMR素子)、トンネル磁気抵抗効果素子(TMR素
子)又は磁気インピーダンス素子(MI素子)をセンサ部
に備え、磁歪部の磁歪に基づく磁気抵抗率の変化等を通
じて検知対象物の圧力変化を検知するように構成したの
で、小型・軽量化を図れる上に、高感度なセンサを提供
できる。
は、磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイル
を、検知対象物の圧力変化を検知するためのセンサ部に
備える。
え、磁歪部の磁歪に基づく電磁誘導の発生電圧の変化等
を通じて検知対象物の圧力変化を検知するように構成し
たので、小型・軽量化を図れる上に、高感度なセンサを
提供できる。
小圧力検知素子において、前記磁歪部だけを複数個並列
に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を持た
せた。
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
小圧力検知素子において、前記磁歪部を1本の共通電極
として形成するとともに、前記磁歪部に対して対をなす
他方の磁気素子を前記共通電極と交差するように複数個
並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を
持たせた。
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
小圧力検知素子において、前記磁歪部を複数本の共通電
極として並列に形成するとともに、前記磁歪部に対して
対をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差するよう
に複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の
検知点をマトリックス状に持たせ、マトリックス状の各
検知点にその検知動作をスイッチングする半導体スイッ
チ素子を有する。
で、2次元アレイ化、即ち、ドットマトリックス化を簡
単に図れ、利用用途を広げることができる。
々指で押圧操作される検知点がボタンキーに対応付けら
れた請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知
素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における
磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ボタンキーに対す
る入力操作を検知する。
載の微小圧力検知素子をボタンキーによる情報入力装置
に効果的に適用できる。
々指で押圧操作される検知点が表示装置のポインタ表示
座標に対応付けられた請求項5記載の微小圧力検知素子
を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における磁気
歪みによる圧力変化に基づき前記ポインタ表示座標に対
する入力操作を検知する。
載の微小圧力検知素子を表示装置のポインタ表示座標を
入力するための情報入力装置に効果的に適用できる。
請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知素子
を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における磁歪
による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈波、心拍又は脈
拍なる血流系測定項目を検知する。
縮により拍出された血液が血管内を循環している時に血
管壁に及ぼす血管内の圧力をいう。「脈波」とは、血液
が心臓の収縮により大動脈に押し出された時に発生した
血管内の圧力変化が末梢方向に伝搬する時の波動をい
い、この波動による血管内の圧力変化を捉えたものが圧
脈波となる。「心拍」とは、心臓の筋収縮に伴う鼓動で
あり、心拍数は筋収縮の速度を表す。「脈拍」とは、心
臓の筋収縮運動が、血管中に送られる血液によって動脈
に伝えられることにより周期的に生ずる鼓動をいう。こ
れらの何れの血流系測定項目も、圧力変化を伴う。
載の微小圧力検知素子を血圧、脈波、心拍又は脈拍なる
血流系測定項目を検知する血流系測定装置に効果的に適
用できる。
は、請求項8記載の血流系測定装置と、現在位置情報を
検知する位置情報検知手段と、前記血流系測定装置によ
り検出された血流系測定項目の情報と前記位置情報検知
手段により検知された現在位置情報とが入力される制御
装置と、この制御装置に入力された血流系測定項目の情
報と現在位置情報とを関連付けてメモリに記憶させる記
憶手段と、を備えて携帯性を有する。
載の軽量・小型で高感度な微小圧力検知素子を有する請
求項8記載の血流系測定装置を、位置情報検知手段とと
もに備えて携帯性を有するので、任意の場所で血流系測
定項目の情報と現在位置情報とを関連付けてメモリで管
理する健康診断端末装置を提供できる。
は、請求項9記載の健康診断端末装置と、この健康診断
端末装置の前記メモリに記憶された血流系測定項目の情
報と現在位置情報とを送信出力する無線通信装置と、こ
の無線通信装置から送信された血流系測定項目の情報と
現在位置情報との入力を受けて当該健康診断端末装置所
有者の血流系測定項目と現在位置とを監視するホストコ
ンピュータと、を備える。
を備えるので、ホストコンピュータ側に健康診断端末装
置所有者の健康状況の把握を可能とするセンタ機能を持
たせることにより、健康診断端末装置所有者の健康状態
をその存在位置とともに常に監視でき、緊急事態発生等
の異常時には適宜伝える等の緊急対策を適正に採れる健
康監視システムを提供できる。
ないし図5に基づいて説明する。本実施の形態の磁歪に
よる微小圧力検知素子1は、TMR素子(トンネル磁気
抵抗効果素子)2をセンサ部に用いたもので、基本的に
は、図4に示すように絶縁性の基板3上に積層させた第
1層4と、絶縁膜による第2層5と、第3層6との所定
のパターンの接合構造により形成されて、第1層4から
第2層5を介して第3層6にトンネル電流が流れる構造
のTMR素子2をセンサ部7に備える。ここに、第3層
6が磁歪部及び電極として機能し、第1層4が磁歪部に
対して対をなす他方の磁気素子及び電極として機能す
る。
象、即ち、強磁性体と絶縁膜と強磁性体との接合構造に
より形成されて、両強磁性体の磁化の相対角度に依存し
てトンネル効果が現れる強磁性体トンネル効果という現
象を利用したもので、例えば、特開平10−91925
号公報、特開平10−255231号公報中にも記載さ
れているように、S.Maeksawa and V.Gafvert等
は、IEEE Trans.Magn.,MAG−18,707(1982)に
おいて、磁性体/絶縁体/磁性体結合で両磁性層の磁化
の相対角度に依存してトンネル効果が現れることを理論
的、実験的に示している。
をその作製方法を含めて説明する。まず、図1に示すよ
うに、石英、ガラス等の絶縁性の基板3上に第1層4と
して一般的な無磁歪組成のFe20−Ni80膜をスパ
ッタリング法により0.1μm膜厚で成膜する。Fe2
0−Ni80膜自体は磁気抵抗効果素子膜であり、他方
の磁気素子として機能するが、第1層4としては、スピ
ン偏磁率の高い導電性磁性部材であればFe20−Ni
80膜以外にNi−Fe膜、CuMoパーマロイ膜、C
oZrNbアモルファス膜等であってもよい。抗磁力の
ような磁気特性は、目的とする磁界強度に応じて選択す
ればよい。また、Fe20−Ni80膜に関しては、メ
ッキ法によっても作製できる。また、第1層4の膜厚を
0.1μmとしたが、感度その他必要な条件に応じて、
適宜膜厚に設定すればよい。
なフォトリソグラフィ技術とCF4+H2を用いたRIE
法(反応性イオンエッチング法)により、第1層4を図
2に示すようにパターン化する。ここでは、第1層4を
TMR素子2の一方の電極として機能させるため直線状
で、かつ、磁気抵抗効果素子として機能できるサイズで
ある幅10μm×長さ1mmのパターン形状とした。も
っとも、第1層4の寸法、形状は目的に応じて適宜変更
してもよい。また、エッチング処理としてはウェットエ
ッチング法であってもよく、この場合にはエッチング液
として王水を用いればよい。
第1層4の上に第2層5の絶縁膜としてAl2O3膜をス
パッタリング法により成膜する。この成膜にはEB法
(電子ビーム法)やCVD法(化学気相成長法)などを
用いてもよい。そして、第1層4の場合と同様に、一般
的なフォトリソグラフィ技術とCF4+H2を用いたRI
E法により第2層5をパターン化する。この第2層5の
絶縁材料としては、SiO2等の他の絶縁材料でも機能
するが、特性上はAl2O3膜が優れている。Alを成膜
した後で、大気中や真空中でプラズマ酸化させる方法で
あってもよい。絶縁層である第2層5のエッチングとし
ては、ウェットエッチングでもよいが、基板3もエッチ
ングされてしまう場合には基板3の裏面側をレジストな
どにより保護する必要がある。
板やPET(ポリエチレンテレフタレート)やポリイミ
ドなどを利用したフレキシブル絶縁基板であってもよ
い。設計ルールによっては、フォトリソグラフィ工程に
よらず、最初から金属マスクを用いて成膜させる工程に
よってもよい。
第2層5の上に、第3層6として磁歪定数の大きなFe
−Co50膜をスパッタ法により成膜し、第1層4の場
合と同様にフォトリソグラフィ法により第1層4のパタ
ーンに直交するパターンにパターン化する。この第3層
6は全面ではなく、その一部に磁歪定数の大きな部材を
設ける構成としてもよく、また、他の高磁歪薄膜であっ
てもよい。
MR素子2に対する検知回路構成例を図5に示す。各々
電極として機能する第1層4の一端と第3層6の一端と
の間に直流電源8を接続し、第1層4の他端と第3層6
の他端との間に微小電流計9を接続することで、第1層
4から第2層5を介して第3層6に直流のトンネル電流
を流した場合の電流の変化を微小電流計9により検出す
る構成である。この検出動作において、当該TMR素子
2には一様な外部磁界が印加される。ここに、当該TM
R素子2は微小圧力検知素子1においてセンサ部7に設
けられており、磁歪部として機能する第3層6が検知対
象物からの外部圧力印加を感じてその磁性が変化すると
(磁歪変化)、その変化に伴いTMR素子2としての磁
気抵抗の変化率(MR率)も変化することとなり、磁歪
による微小圧力の変化を高感度に検知できることとにな
る。
1によれば、磁歪部となる第3層6を一部に有するTM
R素子2をセンサ部7に用いることにより構成されてい
るので、センサの小型・軽量化を図れる上に、磁歪によ
る微小圧力の変化を高感度に検知することができる。よ
って、後述する情報入力装置や血流系測定装置等に適用
すると、極めて効果的となる。
MR素子2を備えた構成としたが、TMR素子2に限ら
ず、磁気部材の一部に磁歪部を有する素子、具体的には
磁気抵抗効果素子(MR素子)、巨大磁気抵抗効果素子
(GMR素子)又は磁気インピーダンス素子(MI素子)
であってもよく、同様の効果が得られる。また、磁気部
材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイルをセンサ部に
備えた構成としてもよい。この場合、磁歪部の磁歪に基
づく電磁誘導の発生電圧の変化等を通じて検知対象物の
圧力変化を検知することとなる。
に基づいて説明する。第一の実施の形態で説明した部分
と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する
(以降の各実施の形態でも順次同様とする)。
は、磁歪部として機能する第3層6を第3層6a〜6f
で示す如く複数個(例えば、6個)に分割しつつ並列に
配置させることで、センサ部7に関して、下層の第1層
4と交差する部分、例えば、6箇所に検知点12a〜1
2fを持たせたアレイ状構成としたものである。結果と
して、各第3層6a〜6f毎に第1層4との間でTMR
素子を構成することとなる。
合と同様に第1層4及び第2層5を形成した後、前述の
場合と同様に、磁歪定数の大きなFe−Co50膜をス
パッタリング法により成膜し、かつ、フォトリソグラフ
ィ法により複数に分割するパターン化処理により磁歪部
として機能する第3層6a〜6fを形成することにより
作製される。
検知回路構成例としては、図7に示すように、各々電極
としても機能する各第3層6a〜6fに対してスイッチ
ング回路13を介して微小電流計9が接続されており、
スイッチング回路13のスイッチング動作により各検知
点12a〜12f毎に個別に第3層6a〜6fによる磁
歪部の圧力感知に伴う磁性変化が個別のTMR素子のM
R率の変化として確実かつ高感度に検知される。
11によれば、検知点12a〜12fが複数点としてア
レイ状に配列されているので、第一の実施の形態の場合
と同様の効果が得られる上に、利用用途を適宜広げるこ
とができ、より実用的となる。
に基づいて説明する。本実施の形態の微小圧力検知素子
21は、端的には、微小圧力検知素子11の場合と、T
MR素子部分のパターン構成を逆にしたものである。即
ち、表面側に位置して磁歪部として機能する第3層6を
1本の共通電極として形成するとともに、下層側に位置
して他方の磁気素子及び電極として機能する第1層4を
第1層4a〜4gとして第3層6に交差するよう並列に
配置させたパターンとして形成されている。これによ
り、センサ部7に関して、下層の第1層4a〜4gと表
層の第3層6とが交差する部分、例えば7箇所に検知点
22a〜22gを持たせたアレイ状構成とされている。
結果として、各第1層4a〜4g毎に表層の第3層6と
の間でTMR素子を構成することとなる。
合と同様に基板3上にFe20−Ni80膜を成膜した
後、フォトリソグラフィ法によりパターン化して第1層
4a〜4gを形成する。この後、前述の場合と同様に、
第2層5、第3層6の成膜・パターニングを行なうこと
により作製される。
検知回路構成例としては、図9に示すように、各々電極
としても機能する各第1層4a〜4gに対してスイッチ
ング回路23を介して微小電流計9が接続されており、
スイッチング回路23のスイッチング動作により各検知
点22a〜22g毎に個別に第3層6の磁歪部における
圧力感知に伴う磁性変化が個別のTMR素子のMR率の
変化として確実かつ高感度に検知される。
21によれば、検知点22a〜22gが複数点としてア
レイ状に配列されているので、第一の実施の形態の場合
と同様の効果が得られる上に、利用用途を適宜広げるこ
とができ、より実用的となる。
11に基づいて説明する。本実施の形態の微小圧力検知
素子31は、端的には、微小圧力検知素子11と微小圧
力検知素子21とを組合わせた構成としたものである。
即ち、表面側に位置して磁歪部として機能する第3層6
を例えば6本の共通電極なる第3層6a〜6fとして分
割して並列に形成するとともに、下層側に位置して他方
の磁気素子として機能する第1層4も第1層4a〜4g
として第3層6a〜6fの各々に交差するよう並列に配
置させたマトリックス状パターンとして形成されてい
る。これにより、センサ部7に関して、下層の第1層4
a〜4gと表層の第3層6a〜6fとが交差する部分、
例えば42箇所に検知点を持たせた2次元アレイ状=ド
ットマトリックス状構成とされている。結果として、4
2箇所の各検知点毎にTMR素子を構成することとな
る。ここに、各検知点について第1層4a〜4gの下層
には半導体スイッチ素子としてのダイオードスイッチ3
2が介在されている。
ターン33a〜33gをスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法によりパターニングして形
成する。これらのAl配線パターン33a〜33g上に
アモルファスSiを作製することによりダイオードスイ
ッチ32a〜32gを設ける。シランガスを用いた一般
的なCVD法による成膜と一般的なフォトリソグラフィ
法によればよく、P層に対してはボロンをドープし、N
層にはリンをドープすることで、PNジャンクションを
形成することで、ダイオードスイッチとした。もっと
も、アモルファスSi以外にZnO薄膜やSiGe薄膜
等を利用しダイオードを形成するようにしてもよい。さ
らに、第三の実施の形態の場合と同様に、ダイオードス
イッチ32a〜32f上に、Fe20−Ni80膜を成
膜した後、フォトリソグラフィ法によりパターン化して
第1層4a〜4fを形成する。この後、第2層5を成膜
し、さらに、第二の実施の形態の場合と同様に、磁歪定
数の大きなFe−Co50膜をスパッタリング法により
成膜し、かつ、フォトリソグラフィ法により複数に分割
するパターン化処理により磁歪部として機能する第3層
6a〜6fを形成することにより作製される。
検知回路構成例としては、図11に示すように、直流電
源8に対してスイッチング回路34を介して各Al配線
パターン33a〜33f(第1層4a〜4f)が接続さ
れ、スイッチング回路35を介して各第3層6a〜6f
が接続され、各検知点に位置するダイオードスイッチ3
2a〜32fのスイッチングを経て選択された任意の1
箇所の検知点(TMR素子)に対してのみ電圧印加が可
能とされている。一方、微小電流計9に対しては、スイ
ッチング回路36を介して各Al配線パターン33a〜
33f(第1層4a〜4f)が接続され、スイッチング
回路37を介して各第3層6a〜6fが接続され、各検
知点に位置するダイオードスイッチ32a〜32fのス
イッチングを経て選択された任意の1箇所の検知点(T
MR素子)における電流のみを検知可能とされている。
31によれば、検知点が複数点として2次元アレイ状=
ドットマトリックス状に配列されているので、第一の実
施の形態の場合と同様の効果が得られる上に、第二、第
三の実施の形態の場合よりもより一層利用用途を適宜広
げることができ、より実用的となる。特に、2次元セン
サアレイとして利用できるので、ドット状の各検知点毎
により高精度な圧力測定が可能となる。
いて説明する。本実施の形態以降の各実施の形態は、前
述したような微小圧力検知素子の適用例を例示するもの
である。
11を指操作によるキーボード代わりの情報入力装置4
1として利用した情報端末42への適用例を示す。この
情報端末42においては、ハンディタイプの当該端末筐
体の表面に情報入力装置41の操作面が露出状態で設け
られている他、表示装置の表示部43も露出状態で設け
られている。さらに、情報入力装置41からの信号の入
力を受けたり表示装置による表示部43の表示を制御す
るマイコン構成の処理装置44が内蔵されている。ここ
に、情報入力装置41を構成する微小圧力検知素子11
にあっては、アレイ状配置の各検知点12a〜12fに
対応させて押印ボタンキー45a〜45fが割り当てら
れている。
が押印ボタンキー45a〜45fの何れかの個所を指で
押圧操作すると、対応する検知点において前述した微小
圧力検知素子11における磁歪による圧力変化として検
知されるので、キーボード代わりの情報入力装置41と
して機能し得る。この際、処理装置44にあっては、微
小圧力検知素子11の各検知点12a〜12fから得ら
れる信号について予め設定されている平均的な押圧操作
パターン信号と比較することにより、実際に押圧操作が
されたか否かを判断しており、誤動作なく押圧している
真の押圧操作による押印ボタンキー45a〜45fのみ
を検知して入力信号とすることができる。入力判定され
た押印ボタンキー45a〜45fの何れかの入力情報は
表示部43においてキー入力情報として表示される。
いて説明する。本実施の形態は、例えば検知点を2次元
アレイ状=ドットマトリックス状に有する微小圧力検知
素子31を指操作によるポインタ代わりの情報入力装置
51として利用した情報端末52への適用例を示す。こ
の情報端末52においては、ハンディタイプの当該端末
筐体の表面に情報入力装置51の操作面が露出状態で設
けられている他、表示装置の表示部53も露出状態で設
けられている。さらに、情報入力装置51からの信号の
入力を受けたり表示装置による表示部53の表示を制御
するマイコン構成の処理装置54が内蔵されている。こ
こに、情報入力装置51を構成する微小圧力検知素子3
1にあっては、アレイ状配置の各検知点が存在するセン
サ部7の領域が指押圧操作による入力エリアとして設定
されている。
がセンサ部7による入力エリア内の何れかの個所を指で
押圧操作しながら動かすと、対応する検知点において前
述した微小圧力検知素子31における磁歪による圧力変
化として順次検知されるので、ポインタ代わりの情報入
力装置52として機能し得る。この際、処理装置54に
あっては、微小圧力検知素子31の各検知点から得られ
る信号について予め設定されている平均的な押圧操作パ
ターン信号と比較することにより、実際に押圧操作がさ
れたか否かを判断しており、誤動作なく押圧している真
の押圧操作を受けた個所のみを検知してポインタ入力信
号とすることができる。入力判定された押圧個所の入力
情報は表示部53においてポインタ入力情報として表示
される。
いて説明する。本実施の形態は、例えば微小圧力検知素
子1を指先での押圧操作に基づき測定対象者の脈波を検
知する脈波計なる血流系測定装置61として利用した情
報端末62への適用例を示す。この情報端末62におい
ては、ハンディタイプの当該端末筐体の表面に血流系測
定装置61のセンサ部7が押圧測定面として露出状態で
設けられている他、表示装置の表示部63も露出状態で
設けられている。さらに、血流系測定装置61からの信
号の入力を受けて演算処理を行ったり表示装置による表
示部63の表示を制御するマイコン構成の処理装置64
が内蔵されている。
がセンサ部7を指先で所定時間押圧操作していると、そ
の押圧操作に伴い測定対象者の指先での脈波が前述した
微小圧力検知素子1における磁歪による圧力変化として
検知され、その情報が処理装置64に取り込まれる。こ
の際、処理装置64にあっては、微小圧力検知素子1か
ら得られる信号について予め設定されている平均的な脈
波の圧力変動パターン信号と比較することにより、当該
測定対象者の脈波を算出し、その結果を測定結果として
表示部63に表示させる。
定項目としたが、血圧或いは脈拍を血流系測定象項目と
して脈波に基づき測定するようにしてもよい。さらに
は、心拍を血流系測定項目として測定するようにしても
よい。
いて説明する。本実施の形態は、前述の情報端末62中
の処理装置64を制御装置として利用するとともに、例
えばGPS(Global Positioning System)のGPS
信号を受信して現在位置情報を検知するGPS受信装置
を利用した位置情報検知手段65と、メモリ66とが付
加されて、携帯性を有するハンディタイプの健康診断端
末装置67として構成されている。位置情報検知手段6
5は詳細は略すが周知の如くGPS信号の受信に基づき
当該健康診断端末装置67の所在位置、即ち、測定対象
者の地球上での現在位置を認識するものである。GPS
利用に限らず、方位センサ等を利用した位置情報検知手
段65であってもよい。処理装置64は前述の第七の実
施の形態で説明したように血流系測定装置61により測
定された血流系測定項目の情報と位置情報検知手段65
により随時検知される現在位置情報とを測定時点によっ
て両者を関連付けてメモリ66に記憶させる記憶手段の
機能も果たす。
測定対象者が適宜携帯しながら任意の時点、場所で、或
いは、定期的に、血流系測定装置61を利用して脈波等
の血流系測定項目の測定を行うこととなる。そして、そ
の測定時の場所(現在位置)は位置情報検知手段65に
より検知される。これらの情報はメモリ66に格納され
る。これにより、血流系測定項目の測定結果をその測定
時点の場所と関連付けて管理できる健康診断端末装置6
7を提供できる。特に、後述するように携帯電話等と組
合せて健康監視システムを構成すると、より効果的とな
る。
いて説明する。本実施の形態は、前述の健康診断端末装
置67を利用して健康監視システム71を構築したもの
である。本実施の形態の健康監視システム71は、事業
者と健康診断端末装置67を所有している加入者との間
の契約関係により構築されるシステムであって、事業者
側では監視センタ72にホストコンピュータ73を所有
し、加入者の健康診断端末装置67とは無線通信装置7
4を利用して無線で接続されている。即ち、無線通信装
置74の通信部75と監視センタ72側の通信部76と
の間で情報の通信が行われる。通信部75を備える無線
通信装置74としては、携帯電話等であってもよい。ま
た、ホストコンピュータ73には分析センタ77内の分
析用コンピュータ78に接続されている。
ば、健康診断端末装置67のメモリ66に蓄えられた情
報(血流系測定項目の情報と現在位置情報)は無線通信
装置74によって適宜監視センタ72に送信され、ホス
トコンピュータ73管理の下にメモリに蓄えられるとと
もに、異常値等が検知された場合には通信部76を経由
して該当する加入者の健康診断端末装置67に対してそ
の旨が報告される。このとき、契約によっては、監視の
報告に加えて、分析用コンピュータ78による分析結果
を加えて、当該加入者の健康診断端末装置67を通じて
健康管理のアドバスを送信出力するといった健康管理サ
ービスや、緊急時のバックアップサービスを提供するこ
とが可能となる。
によれば、磁気部材の一部に磁歪部を有して薄膜技術等
を用いて作製される磁気抵抗効果素子(MR素子)、巨
大磁気抵抗効果素子(GMR素子)、トンネル磁気抵抗
効果素子(TMR素子)又は磁気インピーダンス素子
(MI素子)をセンサ部に備え、磁歪部の磁歪に基づく磁
気抵抗率の変化等を通じて検知対象物の圧力変化を検知
するように構成したので、小型・軽量化を図れる上に、
高感度なセンサを提供することができる。
よれば、磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイ
ルをセンサ部に備え、磁歪部の磁歪に基づく電磁誘導の
発生電圧の変化等を通じて検知対象物の圧力変化を検知
するように構成したので、小型・軽量化を図れる上に、
高感度なセンサを提供することができる。
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部だけを複数
個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点
を持たせたので、請求項1記載の発明を実現する上で、
アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることができ
る。
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部を1本の共
通電極として形成するとともに、前記磁歪部に対して対
をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差するように
複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検
知点を持たせたので、請求項1記載の発明を実現する上
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部を複数本の
共通電極として並列に形成するとともに、前記磁歪部に
対して対をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差す
るように複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数
箇所の検知点をマトリックス状に持たせ、マトリックス
状の各検知点にその検知動作をスイッチングする半導体
スイッチ素子を有するので、請求項1記載の発明を実現
する上で、2次元アレイ化、即ち、マトリックス化を簡
単に図れ、利用用途を広げることができる。
ば、各々指で押圧操作される検知点がボタンキーに対応
付けられた請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧
力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部に
おける磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ボタンキー
に対する入力操作を検知するようにしたので、請求項1
ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知素子をボタン
キーによる情報入力装置に効果的に適用できる。
ば、各々指で押圧操作される検知点が表示装置のポイン
タ表示座標に対応付けられた請求項5記載の微小圧力検
知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部におけ
る磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ポインタ表示座
標に対する入力操作を検知するようにしたので、請求項
1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知素子を表示
装置のポインタ表示座標を入力するための情報入力装置
に効果的に適用できる。
れば、請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検
知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部におけ
る磁歪による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈波、心拍
又は脈拍なる血流系測定項目を検知するようにしたの
で、請求項1ないし5の何れか一に記載の微小圧力検知
素子を血圧、脈波、心拍又は脈拍なる血流系測定項目を
検知する血流系測定装置に効果的に適用できる。
よれば、請求項1ないし5の何れか一に記載の軽量・小
型で高感度な微小圧力検知素子を有する請求項8記載の
血流系測定装置を、位置情報検知手段とともに備えて携
帯性を有するので、任意の場所で血流系測定項目の情報
と現在位置情報とを関連付けてメモリで管理する健康診
断端末装置を提供することができる。
によれば、請求項9記載の健康診断端末装置を備えるの
で、ホストコンピュータ側に健康診断端末装置所有者の
健康状況の把握を可能とするセンタ機能を持たせること
により、健康診断端末装置所有者の健康状態をその存在
位置とともに常に監視でき、緊急事態発生等の異常時に
は適宜伝える等の緊急対策を適正に採れる健康監視シス
テムを提供することができる。
された基板の縦断正面図である。
図、(b)は縦断正面図である。
示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
子を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図であ
る。
正面図である。
正面図である。
正面図である。
正面図である。
ムを示す概略システム構成図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 磁気部材の一部に磁歪部を有する磁気抵
抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗
効果素子又は磁気インピーダンス素子を、検知対象物の
圧力変化を検知するためのセンサ部に備える微小圧力検
知素子。 - 【請求項2】 磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘
導コイルを、検知対象物の圧力変化を検知するためのセ
ンサ部に備える微小圧力検知素子。 - 【請求項3】 前記磁歪部だけを複数個並列に配置させ
て、前記センサ部に複数箇所の検知点を持たせた請求項
1記載の微小圧力検知素子。 - 【請求項4】 前記磁歪部を1本の共通電極として形成
するとともに、前記磁歪部に対して対をなす他方の磁気
素子を前記共通電極と交差するように複数個並列に配置
させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を持たせた請
求項1記載の微小圧力検知素子。 - 【請求項5】 前記磁歪部を複数本の共通電極として並
列に形成するとともに、前記磁歪部に対して対をなす他
方の磁気素子を前記共通電極と交差するように複数個並
列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点をマ
トリックス状に持たせ、マトリックス状の各検知点にそ
の検知動作をスイッチングする半導体スイッチ素子を有
する請求項1記載の微小圧力検知素子。 - 【請求項6】 各々指で押圧操作される検知点がボタン
キーに対応付けられた請求項1ないし5の何れか一に記
載の微小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子の
センサ部における磁気歪みによる圧力変化に基づき前記
ボタンキーに対する入力操作を検知する情報入力装置。 - 【請求項7】 各々指で押圧操作される検知点が表示装
置のポインタ表示座標に対応付けられた請求項5記載の
微小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセン
サ部における磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ポイ
ンタ表示座標に対する入力操作を検知する情報入力装
置。 - 【請求項8】 請求項1ないし5の何れか一に記載の微
小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ
部における磁歪による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈
波、心拍又は脈拍なる血流系測定項目を検知する血流系
測定装置。 - 【請求項9】 請求項8記載の血流系測定装置と、 現在位置情報を検知する位置情報検知手段と、 前記血流系測定装置により検出された血流系測定項目の
情報と前記位置情報検知手段により検知された現在位置
情報とが入力される制御装置と、 この制御装置に入力された血流系測定項目の情報と現在
位置情報とを関連付けてメモリに記憶させる記憶手段
と、を備えて携帯性を有する健康診断端末装置。 - 【請求項10】 請求項9記載の健康診断端末装置と、 この健康診断端末装置の前記メモリに記憶された血流系
測定項目の情報と現在位置情報とを送信出力する無線通
信装置と、 この無線通信装置から送信された血流系測定項目の情報
と現在位置情報との入力を受けて当該健康診断端末装置
所有者の血流系測定項目と現在位置とを監視するホスト
コンピュータと、を備える健康監視システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000341908A JP4355439B2 (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000341908A JP4355439B2 (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002148132A true JP2002148132A (ja) | 2002-05-22 |
JP4355439B2 JP4355439B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=18816559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000341908A Expired - Fee Related JP4355439B2 (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4355439B2 (ja) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004005842A1 (ja) * | 2002-07-05 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 読み取り装置とこれを用いた認証器 |
US7031186B2 (en) | 2002-12-21 | 2006-04-18 | Hynix Semiconductor Inc. | Biosensor and sensing cell array using the same |
EP1708291A2 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-04 | TDK Corporation | Tunneling effect element and physical quantity to electrical quantity transducer |
JP2008107323A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Headway Technologies Inc | 磁性膜センサおよびその製造方法 |
JP2011244938A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 血圧センサ |
JP2012176294A (ja) * | 2012-06-19 | 2012-09-13 | Toshiba Corp | 血圧センサ |
JP2013073374A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | タッチパネル及び表示装置 |
JP2013070732A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 脈波伝播速度計測装置及び脈波伝播速度計測方法 |
CN103180705A (zh) * | 2010-11-03 | 2013-06-26 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于测量力的微机电传感器以及对应的方法 |
JP2013165977A (ja) * | 2013-04-09 | 2013-08-29 | Toshiba Corp | Mems圧力センサシステム |
US8760154B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensor element and blood pressure sensor |
JP2015061057A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
JP2015061059A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
JP2015061056A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
EP2066231A4 (en) * | 2006-09-15 | 2015-05-27 | Nanyang Polytechnic | PACKAGING OF A UNIT FOR NON-INVASIVE DETECTION OF PULSE FREQUENCY AND BLOOD FLOW ANOMALIES |
US9046549B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing pressure sensing device |
TWI500910B (zh) * | 2013-09-20 | 2015-09-21 | Toshiba Kk | 聲感測器及聲感測器系統 |
JP2015217144A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | Tdk株式会社 | 生体情報分析装置 |
US9422150B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure sensor |
US9654883B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US9651432B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US9853209B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing pressure sensor, deposition system, and annealing system |
JP2018006769A (ja) * | 2017-09-14 | 2018-01-11 | 株式会社東芝 | センサ、マイクロフォン、血圧センサおよびタッチパネル |
JP2018061043A (ja) * | 2017-11-08 | 2018-04-12 | 株式会社東芝 | 歪検出素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
US10048150B2 (en) | 2014-07-02 | 2018-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain detection element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US10145751B2 (en) | 2015-09-04 | 2018-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor, electronic device, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US10473685B2 (en) | 2016-09-21 | 2019-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor and sensor package |
US11141074B2 (en) | 2016-04-27 | 2021-10-12 | Omron Healthcare Co., Ltd. | Pulse wave detector, biological information measurement device, pulse wave detection method and storage medium |
CN114190909A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-18 | 上海平脉科技有限公司 | 脉搏波检测装置及其控制方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6074344B2 (ja) | 2013-09-20 | 2017-02-01 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
KR102074275B1 (ko) * | 2018-02-12 | 2020-02-06 | 주식회사 삼원바이오텍 | 고령자의 건강한 생활 관리를 위한 ai 스피커를 이용한 사물인터넷 기반의 지능형 매트 플랫폼 |
-
2000
- 2000-11-09 JP JP2000341908A patent/JP4355439B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004005842A1 (ja) * | 2002-07-05 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 読み取り装置とこれを用いた認証器 |
US8174879B2 (en) | 2002-12-21 | 2012-05-08 | Hynix Semiconductor Inc. | Biosensor and sensing cell array using the same |
US7031186B2 (en) | 2002-12-21 | 2006-04-18 | Hynix Semiconductor Inc. | Biosensor and sensing cell array using the same |
US7333361B2 (en) | 2002-12-21 | 2008-02-19 | Hynix Semiconductor Inc. | Biosensor and sensing cell array using the same |
US7609547B2 (en) | 2002-12-21 | 2009-10-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Biosensor and sensing cell array using the same |
EP1708291A2 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-04 | TDK Corporation | Tunneling effect element and physical quantity to electrical quantity transducer |
US7743666B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-06-29 | Tdk Corporation | Tunneling effect element and physical quantity to electrical quantity transducer |
EP2066231A4 (en) * | 2006-09-15 | 2015-05-27 | Nanyang Polytechnic | PACKAGING OF A UNIT FOR NON-INVASIVE DETECTION OF PULSE FREQUENCY AND BLOOD FLOW ANOMALIES |
JP2011247897A (ja) * | 2006-10-24 | 2011-12-08 | Headway Technologies Inc | 磁性膜センサ |
US8174261B2 (en) | 2006-10-24 | 2012-05-08 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic film sensor with a deformable part |
JP2008107323A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Headway Technologies Inc | 磁性膜センサおよびその製造方法 |
JP2011244938A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 血圧センサ |
US10342439B2 (en) | 2010-09-30 | 2019-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensor element and blood pressure sensor |
US9999356B2 (en) | 2010-09-30 | 2018-06-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensor element and blood pressure sensor |
US9131856B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensor element and blood pressure sensor |
US8760154B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensor element and blood pressure sensor |
US9066661B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensor element and blood pressure sensor |
US9021898B2 (en) | 2010-11-03 | 2015-05-05 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical sensor for measuring a force, and corresponding method |
CN103180705A (zh) * | 2010-11-03 | 2013-06-26 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于测量力的微机电传感器以及对应的方法 |
JP2013070732A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 脈波伝播速度計測装置及び脈波伝播速度計測方法 |
US9445731B2 (en) | 2011-09-27 | 2016-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pulse wave velocity measuring device and pulse wave velocity measurement method |
JP2013073374A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | タッチパネル及び表示装置 |
US8933909B2 (en) | 2011-09-27 | 2015-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Touch panel and display device |
US9046549B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing pressure sensing device |
JP2012176294A (ja) * | 2012-06-19 | 2012-09-13 | Toshiba Corp | 血圧センサ |
JP2013165977A (ja) * | 2013-04-09 | 2013-08-29 | Toshiba Corp | Mems圧力センサシステム |
US10444085B2 (en) | 2013-09-20 | 2019-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US9872624B2 (en) | 2013-09-20 | 2018-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US9342179B2 (en) | 2013-09-20 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
JP2015061059A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
US10413198B2 (en) | 2013-09-20 | 2019-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US9581571B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Acoustic sensor and acoustic sensor system |
JP2015061056A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
US9654883B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US10190923B2 (en) | 2013-09-20 | 2019-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US10448845B2 (en) | 2013-09-20 | 2019-10-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, having a first and second magnetic layer and a third layer that is antiferrimagnetic |
US9651432B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US9897494B2 (en) | 2013-09-20 | 2018-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensing element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
TWI500910B (zh) * | 2013-09-20 | 2015-09-21 | Toshiba Kk | 聲感測器及聲感測器系統 |
JP2015061057A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
US9853209B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing pressure sensor, deposition system, and annealing system |
US9422150B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure sensor |
JP2015217144A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | Tdk株式会社 | 生体情報分析装置 |
US10048150B2 (en) | 2014-07-02 | 2018-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain detection element, pressure sensor, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US10145751B2 (en) | 2015-09-04 | 2018-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor, electronic device, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US10481027B2 (en) | 2015-09-04 | 2019-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor, electronic device, microphone, blood pressure sensor, and touch panel |
US11141074B2 (en) | 2016-04-27 | 2021-10-12 | Omron Healthcare Co., Ltd. | Pulse wave detector, biological information measurement device, pulse wave detection method and storage medium |
US10473685B2 (en) | 2016-09-21 | 2019-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sensor and sensor package |
JP2018006769A (ja) * | 2017-09-14 | 2018-01-11 | 株式会社東芝 | センサ、マイクロフォン、血圧センサおよびタッチパネル |
JP2018061043A (ja) * | 2017-11-08 | 2018-04-12 | 株式会社東芝 | 歪検出素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
CN114190909A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-18 | 上海平脉科技有限公司 | 脉搏波检测装置及其控制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4355439B2 (ja) | 2009-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002148132A (ja) | 微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システム | |
US10928950B2 (en) | Pressure-sensitive touch panel | |
Zheng et al. | Magnetoresistive sensor development roadmap (non-recording applications) | |
EP3394714B1 (en) | Pressure-sensitive touch panel | |
JP5198608B2 (ja) | 半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ、そのフレキシブルな力または圧力センサアレイの製造方法、及びそのフレキシブルな力または圧力センサアレイを用いた力または圧力測定方法 | |
Zuo et al. | Ultrasensitive magnetoelectric sensing system for pico-tesla magnetomyography | |
KR100730385B1 (ko) | 자성박막을 이용한 맥진 센서 | |
JP5367877B2 (ja) | Mems圧力センサ | |
US9153114B2 (en) | Fall detection method and system | |
JP4695325B2 (ja) | 磁気検出素子とその製造方法及び該素子を用いた携帯機器 | |
JP5607204B2 (ja) | Mems圧力センサシステムおよびmems圧力センサ | |
JP2012528372A (ja) | 接触又は近接検知インターフェース | |
JPH07174649A (ja) | 磁気式面圧入力パネル | |
JP2007505413A (ja) | 静電容量検出タッチパッドで使用するためのつながれたスタイラス | |
KR20180040506A (ko) | 얇은 전자기 햅틱 액추에이터 | |
JP2013070732A (ja) | 脈波伝播速度計測装置及び脈波伝播速度計測方法 | |
KR100899155B1 (ko) | 착용형 맥진기와 이를 이용한 원격 맥진 시스템 및 그 방법 | |
JP3964167B2 (ja) | 位置・姿勢検出装置及びそれを用いたコンピュータ情報入力装置 | |
JP4480305B2 (ja) | 磁界ベクトルセンサ及びセンサシステム | |
JP4084036B2 (ja) | 磁気センサ及びこの磁気センサを用いた方位検知システム | |
WO2014015095A1 (en) | Finger sensor including magnetic field sensing pixels and corresponding method of sensing finger characteristics | |
JP4575602B2 (ja) | 磁気検知素子 | |
KR100649781B1 (ko) | 교류자기저항 센서를 이용한 3축 자기센서와, 이를 이용한전방위 자기센서 | |
KR100888560B1 (ko) | 착용형 맥진기와 이를 이용한 원격 맥진 시스템 및 그 방법 | |
JP2004045119A (ja) | 磁気センサ、この磁気センサを用いた方位検知システム及び携帯通信端末 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050603 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050609 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20061130 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090803 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150807 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150807 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |