JP2002148132A - 微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システム - Google Patents
微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システムInfo
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- JP2002148132A JP2002148132A JP2000341908A JP2000341908A JP2002148132A JP 2002148132 A JP2002148132 A JP 2002148132A JP 2000341908 A JP2000341908 A JP 2000341908A JP 2000341908 A JP2000341908 A JP 2000341908A JP 2002148132 A JP2002148132 A JP 2002148132A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型・軽量で高感度な微小圧力検知素子を提
供する。 【解決手段】 磁気部材の一部に磁歪部６を有して薄膜
技術等を用いて作製されるトンネル磁気抵抗効果素子
（ＴＭＲ素子）２をセンサ部７に備え、磁歪部６の磁歪
に基づく磁気抵抗率の変化等を通じて検知対象物の圧力
変化を検知するように構成することで、小型・軽量化を
図れる上に、高感度な微小圧力検知素子１となる。
供する。 【解決手段】 磁気部材の一部に磁歪部６を有して薄膜
技術等を用いて作製されるトンネル磁気抵抗効果素子
（ＴＭＲ素子）２をセンサ部７に備え、磁歪部６の磁歪
に基づく磁気抵抗率の変化等を通じて検知対象物の圧力
変化を検知するように構成することで、小型・軽量化を
図れる上に、高感度な微小圧力検知素子１となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小圧力検知素
子、この素子を用いた情報入力装置、血流系測定装置等
の装置及び健康監視システムに関する。
子、この素子を用いた情報入力装置、血流系測定装置等
の装置及び健康監視システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、健康診断器具、特に血流系測定
器具ないし装置としては、血圧計、心拍計、脈拍計、脈
波計等がある。例えば、脈波計としては、光電式脈波計
の他に圧電式脈波計等がある。圧電式の場合、圧電素子
により圧脈波を測定するもので、動脈上に圧電センサを
押付けて非観血式に脈波信号を読み取ることとなる。こ
の際、圧電センサは微小圧力センサ（微小圧力検知素
子）として機能するものであるが、このような微小圧力
センサとしては、磁歪素子を用いたセンサや電歪素子を
用いたセンサもある。血圧計、心拍計、脈拍計等に関し
ても基本的には同様である。
器具ないし装置としては、血圧計、心拍計、脈拍計、脈
波計等がある。例えば、脈波計としては、光電式脈波計
の他に圧電式脈波計等がある。圧電式の場合、圧電素子
により圧脈波を測定するもので、動脈上に圧電センサを
押付けて非観血式に脈波信号を読み取ることとなる。こ
の際、圧電センサは微小圧力センサ（微小圧力検知素
子）として機能するものであるが、このような微小圧力
センサとしては、磁歪素子を用いたセンサや電歪素子を
用いたセンサもある。血圧計、心拍計、脈拍計等に関し
ても基本的には同様である。
【０００３】これらの血流系測定器具に関しては、家庭
的或いは携帯性を有する利用形態が普及しつつあり、Ｇ
ＰＳシステムや携帯電話等の通信システムとの組合わせ
による健康監視システムへの応用も図られている（例え
ば、特開平１０−４０４８３号公報、特開平５−２５２
２８４号公報、特開平６−１４１２８号公報等参照）。
的或いは携帯性を有する利用形態が普及しつつあり、Ｇ
ＰＳシステムや携帯電話等の通信システムとの組合わせ
による健康監視システムへの応用も図られている（例え
ば、特開平１０−４０４８３号公報、特開平５−２５２
２８４号公報、特開平６−１４１２８号公報等参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の微小圧力センサでは、小型・軽量化の点及び感度
的な面でまだ十分とはいえず、改良の余地が多分にあ
る。
従来の微小圧力センサでは、小型・軽量化の点及び感度
的な面でまだ十分とはいえず、改良の余地が多分にあ
る。
【０００５】そこで、本発明は、小型・軽量で高感度な
微小圧力検知素子を提供することを目的とする。
微小圧力検知素子を提供することを目的とする。
【０００６】併せて、上記微小圧力検知素子を利用する
ことで機能アップを図れる微小圧力検知素子を用いた装
置及び健康監視システムを提供することを目的とする。
ことで機能アップを図れる微小圧力検知素子を用いた装
置及び健康監視システムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の微
小圧力検知素子は、磁気部材の一部に磁歪部を有する磁
気抵抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気
抵抗効果素子又は磁気インピーダンス素子を、検知対象
物の圧力変化を検知するためのセンサ部に備える。
小圧力検知素子は、磁気部材の一部に磁歪部を有する磁
気抵抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気
抵抗効果素子又は磁気インピーダンス素子を、検知対象
物の圧力変化を検知するためのセンサ部に備える。
【０００８】従って、薄膜技術等を用いて作製される磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、巨大磁気抵抗効果素子
（ＧＭＲ素子）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素
子）又は磁気インピーダンス素子(ＭＩ素子)をセンサ部
に備え、磁歪部の磁歪に基づく磁気抵抗率の変化等を通
じて検知対象物の圧力変化を検知するように構成したの
で、小型・軽量化を図れる上に、高感度なセンサを提供
できる。
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、巨大磁気抵抗効果素子
（ＧＭＲ素子）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素
子）又は磁気インピーダンス素子(ＭＩ素子)をセンサ部
に備え、磁歪部の磁歪に基づく磁気抵抗率の変化等を通
じて検知対象物の圧力変化を検知するように構成したの
で、小型・軽量化を図れる上に、高感度なセンサを提供
できる。
【０００９】請求項２記載の発明の微小圧力検知素子
は、磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイル
を、検知対象物の圧力変化を検知するためのセンサ部に
備える。
は、磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイル
を、検知対象物の圧力変化を検知するためのセンサ部に
備える。
【００１０】従って、電磁誘導コイルをセンサ部に備
え、磁歪部の磁歪に基づく電磁誘導の発生電圧の変化等
を通じて検知対象物の圧力変化を検知するように構成し
たので、小型・軽量化を図れる上に、高感度なセンサを
提供できる。
え、磁歪部の磁歪に基づく電磁誘導の発生電圧の変化等
を通じて検知対象物の圧力変化を検知するように構成し
たので、小型・軽量化を図れる上に、高感度なセンサを
提供できる。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１記載の微
小圧力検知素子において、前記磁歪部だけを複数個並列
に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を持た
せた。
小圧力検知素子において、前記磁歪部だけを複数個並列
に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を持た
せた。
【００１２】従って、請求項１記載の発明を実現する上
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
【００１３】請求項４記載の発明は、請求項１記載の微
小圧力検知素子において、前記磁歪部を１本の共通電極
として形成するとともに、前記磁歪部に対して対をなす
他方の磁気素子を前記共通電極と交差するように複数個
並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を
持たせた。
小圧力検知素子において、前記磁歪部を１本の共通電極
として形成するとともに、前記磁歪部に対して対をなす
他方の磁気素子を前記共通電極と交差するように複数個
並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を
持たせた。
【００１４】従って、請求項１記載の発明を実現する上
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
【００１５】請求項５記載の発明は、請求項１記載の微
小圧力検知素子において、前記磁歪部を複数本の共通電
極として並列に形成するとともに、前記磁歪部に対して
対をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差するよう
に複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の
検知点をマトリックス状に持たせ、マトリックス状の各
検知点にその検知動作をスイッチングする半導体スイッ
チ素子を有する。
小圧力検知素子において、前記磁歪部を複数本の共通電
極として並列に形成するとともに、前記磁歪部に対して
対をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差するよう
に複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の
検知点をマトリックス状に持たせ、マトリックス状の各
検知点にその検知動作をスイッチングする半導体スイッ
チ素子を有する。
【００１６】従って、請求項１記載の発明を実現する上
で、２次元アレイ化、即ち、ドットマトリックス化を簡
単に図れ、利用用途を広げることができる。
で、２次元アレイ化、即ち、ドットマトリックス化を簡
単に図れ、利用用途を広げることができる。
【００１７】請求項６記載の発明の情報入力装置は、各
々指で押圧操作される検知点がボタンキーに対応付けら
れた請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知
素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における
磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ボタンキーに対す
る入力操作を検知する。
々指で押圧操作される検知点がボタンキーに対応付けら
れた請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知
素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における
磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ボタンキーに対す
る入力操作を検知する。
【００１８】従って、請求項１ないし５の何れか一に記
載の微小圧力検知素子をボタンキーによる情報入力装置
に効果的に適用できる。
載の微小圧力検知素子をボタンキーによる情報入力装置
に効果的に適用できる。
【００１９】請求項７記載の発明の情報入力装置は、各
々指で押圧操作される検知点が表示装置のポインタ表示
座標に対応付けられた請求項５記載の微小圧力検知素子
を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における磁気
歪みによる圧力変化に基づき前記ポインタ表示座標に対
する入力操作を検知する。
々指で押圧操作される検知点が表示装置のポインタ表示
座標に対応付けられた請求項５記載の微小圧力検知素子
を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における磁気
歪みによる圧力変化に基づき前記ポインタ表示座標に対
する入力操作を検知する。
【００２０】従って、請求項１ないし５の何れか一に記
載の微小圧力検知素子を表示装置のポインタ表示座標を
入力するための情報入力装置に効果的に適用できる。
載の微小圧力検知素子を表示装置のポインタ表示座標を
入力するための情報入力装置に効果的に適用できる。
【００２１】請求項８記載の発明の血流系測定装置は、
請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知素子
を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における磁歪
による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈波、心拍又は脈
拍なる血流系測定項目を検知する。
請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知素子
を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部における磁歪
による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈波、心拍又は脈
拍なる血流系測定項目を検知する。
【００２２】本発明において、「血圧」とは、心臓の伸
縮により拍出された血液が血管内を循環している時に血
管壁に及ぼす血管内の圧力をいう。「脈波」とは、血液
が心臓の収縮により大動脈に押し出された時に発生した
血管内の圧力変化が末梢方向に伝搬する時の波動をい
い、この波動による血管内の圧力変化を捉えたものが圧
脈波となる。「心拍」とは、心臓の筋収縮に伴う鼓動で
あり、心拍数は筋収縮の速度を表す。「脈拍」とは、心
臓の筋収縮運動が、血管中に送られる血液によって動脈
に伝えられることにより周期的に生ずる鼓動をいう。こ
れらの何れの血流系測定項目も、圧力変化を伴う。
縮により拍出された血液が血管内を循環している時に血
管壁に及ぼす血管内の圧力をいう。「脈波」とは、血液
が心臓の収縮により大動脈に押し出された時に発生した
血管内の圧力変化が末梢方向に伝搬する時の波動をい
い、この波動による血管内の圧力変化を捉えたものが圧
脈波となる。「心拍」とは、心臓の筋収縮に伴う鼓動で
あり、心拍数は筋収縮の速度を表す。「脈拍」とは、心
臓の筋収縮運動が、血管中に送られる血液によって動脈
に伝えられることにより周期的に生ずる鼓動をいう。こ
れらの何れの血流系測定項目も、圧力変化を伴う。
【００２３】従って、請求項１ないし５の何れか一に記
載の微小圧力検知素子を血圧、脈波、心拍又は脈拍なる
血流系測定項目を検知する血流系測定装置に効果的に適
用できる。
載の微小圧力検知素子を血圧、脈波、心拍又は脈拍なる
血流系測定項目を検知する血流系測定装置に効果的に適
用できる。
【００２４】請求項９記載の発明の健康診断端末装置
は、請求項８記載の血流系測定装置と、現在位置情報を
検知する位置情報検知手段と、前記血流系測定装置によ
り検出された血流系測定項目の情報と前記位置情報検知
手段により検知された現在位置情報とが入力される制御
装置と、この制御装置に入力された血流系測定項目の情
報と現在位置情報とを関連付けてメモリに記憶させる記
憶手段と、を備えて携帯性を有する。
は、請求項８記載の血流系測定装置と、現在位置情報を
検知する位置情報検知手段と、前記血流系測定装置によ
り検出された血流系測定項目の情報と前記位置情報検知
手段により検知された現在位置情報とが入力される制御
装置と、この制御装置に入力された血流系測定項目の情
報と現在位置情報とを関連付けてメモリに記憶させる記
憶手段と、を備えて携帯性を有する。
【００２５】従って、請求項１ないし５の何れか一に記
載の軽量・小型で高感度な微小圧力検知素子を有する請
求項８記載の血流系測定装置を、位置情報検知手段とと
もに備えて携帯性を有するので、任意の場所で血流系測
定項目の情報と現在位置情報とを関連付けてメモリで管
理する健康診断端末装置を提供できる。
載の軽量・小型で高感度な微小圧力検知素子を有する請
求項８記載の血流系測定装置を、位置情報検知手段とと
もに備えて携帯性を有するので、任意の場所で血流系測
定項目の情報と現在位置情報とを関連付けてメモリで管
理する健康診断端末装置を提供できる。
【００２６】請求項１０記載の発明の健康監視システム
は、請求項９記載の健康診断端末装置と、この健康診断
端末装置の前記メモリに記憶された血流系測定項目の情
報と現在位置情報とを送信出力する無線通信装置と、こ
の無線通信装置から送信された血流系測定項目の情報と
現在位置情報との入力を受けて当該健康診断端末装置所
有者の血流系測定項目と現在位置とを監視するホストコ
ンピュータと、を備える。
は、請求項９記載の健康診断端末装置と、この健康診断
端末装置の前記メモリに記憶された血流系測定項目の情
報と現在位置情報とを送信出力する無線通信装置と、こ
の無線通信装置から送信された血流系測定項目の情報と
現在位置情報との入力を受けて当該健康診断端末装置所
有者の血流系測定項目と現在位置とを監視するホストコ
ンピュータと、を備える。
【００２７】従って、請求項９記載の健康診断端末装置
を備えるので、ホストコンピュータ側に健康診断端末装
置所有者の健康状況の把握を可能とするセンタ機能を持
たせることにより、健康診断端末装置所有者の健康状態
をその存在位置とともに常に監視でき、緊急事態発生等
の異常時には適宜伝える等の緊急対策を適正に採れる健
康監視システムを提供できる。
を備えるので、ホストコンピュータ側に健康診断端末装
置所有者の健康状況の把握を可能とするセンタ機能を持
たせることにより、健康診断端末装置所有者の健康状態
をその存在位置とともに常に監視でき、緊急事態発生等
の異常時には適宜伝える等の緊急対策を適正に採れる健
康監視システムを提供できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
ないし図5に基づいて説明する。本実施の形態の磁歪に
よる微小圧力検知素子１は、ＴＭＲ素子（トンネル磁気
抵抗効果素子）２をセンサ部に用いたもので、基本的に
は、図４に示すように絶縁性の基板３上に積層させた第
１層４と、絶縁膜による第２層５と、第３層６との所定
のパターンの接合構造により形成されて、第１層４から
第２層５を介して第３層６にトンネル電流が流れる構造
のＴＭＲ素子２をセンサ部７に備える。ここに、第３層
６が磁歪部及び電極として機能し、第１層４が磁歪部に
対して対をなす他方の磁気素子及び電極として機能す
る。
ないし図5に基づいて説明する。本実施の形態の磁歪に
よる微小圧力検知素子１は、ＴＭＲ素子（トンネル磁気
抵抗効果素子）２をセンサ部に用いたもので、基本的に
は、図４に示すように絶縁性の基板３上に積層させた第
１層４と、絶縁膜による第２層５と、第３層６との所定
のパターンの接合構造により形成されて、第１層４から
第２層５を介して第３層６にトンネル電流が流れる構造
のＴＭＲ素子２をセンサ部７に備える。ここに、第３層
６が磁歪部及び電極として機能し、第１層４が磁歪部に
対して対をなす他方の磁気素子及び電極として機能す
る。
【００２９】ＴＭＲ素子は、近年において見出された現
象、即ち、強磁性体と絶縁膜と強磁性体との接合構造に
より形成されて、両強磁性体の磁化の相対角度に依存し
てトンネル効果が現れる強磁性体トンネル効果という現
象を利用したもので、例えば、特開平１０−９１９２５
号公報、特開平１０−２５５２３１号公報中にも記載さ
れているように、Ｓ．Ｍaeksawa and Ｖ．Ｇafvert等
は、ＩＥＥＥ Ｔrans.Ｍagn.,ＭＡＧ−18,707(1982)に
おいて、磁性体／絶縁体／磁性体結合で両磁性層の磁化
の相対角度に依存してトンネル効果が現れることを理論
的、実験的に示している。
象、即ち、強磁性体と絶縁膜と強磁性体との接合構造に
より形成されて、両強磁性体の磁化の相対角度に依存し
てトンネル効果が現れる強磁性体トンネル効果という現
象を利用したもので、例えば、特開平１０−９１９２５
号公報、特開平１０−２５５２３１号公報中にも記載さ
れているように、Ｓ．Ｍaeksawa and Ｖ．Ｇafvert等
は、ＩＥＥＥ Ｔrans.Ｍagn.,ＭＡＧ−18,707(1982)に
おいて、磁性体／絶縁体／磁性体結合で両磁性層の磁化
の相対角度に依存してトンネル効果が現れることを理論
的、実験的に示している。
【００３０】このようなＴＭＲ素子２に関する詳細構成
をその作製方法を含めて説明する。まず、図１に示すよ
うに、石英、ガラス等の絶縁性の基板３上に第１層４と
して一般的な無磁歪組成のＦｅ２０−Ｎｉ８０膜をスパ
ッタリング法により０．１μｍ膜厚で成膜する。Ｆｅ２
０−Ｎｉ８０膜自体は磁気抵抗効果素子膜であり、他方
の磁気素子として機能するが、第１層４としては、スピ
ン偏磁率の高い導電性磁性部材であればＦｅ２０−Ｎｉ
８０膜以外にＮｉ−Ｆｅ膜、ＣｕＭｏパーマロイ膜、Ｃ
ｏＺｒＮｂアモルファス膜等であってもよい。抗磁力の
ような磁気特性は、目的とする磁界強度に応じて選択す
ればよい。また、Ｆｅ２０−Ｎｉ８０膜に関しては、メ
ッキ法によっても作製できる。また、第１層４の膜厚を
０．１μｍとしたが、感度その他必要な条件に応じて、
適宜膜厚に設定すればよい。
をその作製方法を含めて説明する。まず、図１に示すよ
うに、石英、ガラス等の絶縁性の基板３上に第１層４と
して一般的な無磁歪組成のＦｅ２０−Ｎｉ８０膜をスパ
ッタリング法により０．１μｍ膜厚で成膜する。Ｆｅ２
０−Ｎｉ８０膜自体は磁気抵抗効果素子膜であり、他方
の磁気素子として機能するが、第１層４としては、スピ
ン偏磁率の高い導電性磁性部材であればＦｅ２０−Ｎｉ
８０膜以外にＮｉ−Ｆｅ膜、ＣｕＭｏパーマロイ膜、Ｃ
ｏＺｒＮｂアモルファス膜等であってもよい。抗磁力の
ような磁気特性は、目的とする磁界強度に応じて選択す
ればよい。また、Ｆｅ２０−Ｎｉ８０膜に関しては、メ
ッキ法によっても作製できる。また、第１層４の膜厚を
０．１μｍとしたが、感度その他必要な条件に応じて、
適宜膜厚に設定すればよい。
【００３１】次に、半導体製造工程に用いられる一般的
なフォトリソグラフィ技術とＣＦ4＋Ｈ2を用いたＲＩＥ
法（反応性イオンエッチング法）により、第１層４を図
２に示すようにパターン化する。ここでは、第１層４を
ＴＭＲ素子２の一方の電極として機能させるため直線状
で、かつ、磁気抵抗効果素子として機能できるサイズで
ある幅１０μｍ×長さ１ｍｍのパターン形状とした。も
っとも、第１層４の寸法、形状は目的に応じて適宜変更
してもよい。また、エッチング処理としてはウェットエ
ッチング法であってもよく、この場合にはエッチング液
として王水を用いればよい。
なフォトリソグラフィ技術とＣＦ4＋Ｈ2を用いたＲＩＥ
法（反応性イオンエッチング法）により、第１層４を図
２に示すようにパターン化する。ここでは、第１層４を
ＴＭＲ素子２の一方の電極として機能させるため直線状
で、かつ、磁気抵抗効果素子として機能できるサイズで
ある幅１０μｍ×長さ１ｍｍのパターン形状とした。も
っとも、第１層４の寸法、形状は目的に応じて適宜変更
してもよい。また、エッチング処理としてはウェットエ
ッチング法であってもよく、この場合にはエッチング液
として王水を用いればよい。
【００３２】つづいて、図３に示すように、このような
第１層４の上に第２層５の絶縁膜としてＡｌ2Ｏ3膜をス
パッタリング法により成膜する。この成膜にはＥＢ法
（電子ビーム法）やＣＶＤ法（化学気相成長法）などを
用いてもよい。そして、第１層４の場合と同様に、一般
的なフォトリソグラフィ技術とＣＦ4＋Ｈ2を用いたＲＩ
Ｅ法により第２層５をパターン化する。この第２層５の
絶縁材料としては、ＳｉＯ2等の他の絶縁材料でも機能
するが、特性上はＡｌ2Ｏ3膜が優れている。Ａｌを成膜
した後で、大気中や真空中でプラズマ酸化させる方法で
あってもよい。絶縁層である第２層５のエッチングとし
ては、ウェットエッチングでもよいが、基板３もエッチ
ングされてしまう場合には基板３の裏面側をレジストな
どにより保護する必要がある。
第１層４の上に第２層５の絶縁膜としてＡｌ2Ｏ3膜をス
パッタリング法により成膜する。この成膜にはＥＢ法
（電子ビーム法）やＣＶＤ法（化学気相成長法）などを
用いてもよい。そして、第１層４の場合と同様に、一般
的なフォトリソグラフィ技術とＣＦ4＋Ｈ2を用いたＲＩ
Ｅ法により第２層５をパターン化する。この第２層５の
絶縁材料としては、ＳｉＯ2等の他の絶縁材料でも機能
するが、特性上はＡｌ2Ｏ3膜が優れている。Ａｌを成膜
した後で、大気中や真空中でプラズマ酸化させる方法で
あってもよい。絶縁層である第２層５のエッチングとし
ては、ウェットエッチングでもよいが、基板３もエッチ
ングされてしまう場合には基板３の裏面側をレジストな
どにより保護する必要がある。
【００３３】また、基板３としては、石英以外の絶縁基
板やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やポリイミ
ドなどを利用したフレキシブル絶縁基板であってもよ
い。設計ルールによっては、フォトリソグラフィ工程に
よらず、最初から金属マスクを用いて成膜させる工程に
よってもよい。
板やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やポリイミ
ドなどを利用したフレキシブル絶縁基板であってもよ
い。設計ルールによっては、フォトリソグラフィ工程に
よらず、最初から金属マスクを用いて成膜させる工程に
よってもよい。
【００３４】この後、図４に示すように、絶縁層である
第２層５の上に、第３層６として磁歪定数の大きなＦｅ
−Ｃｏ５０膜をスパッタ法により成膜し、第１層４の場
合と同様にフォトリソグラフィ法により第１層４のパタ
ーンに直交するパターンにパターン化する。この第３層
６は全面ではなく、その一部に磁歪定数の大きな部材を
設ける構成としてもよく、また、他の高磁歪薄膜であっ
てもよい。
第２層５の上に、第３層６として磁歪定数の大きなＦｅ
−Ｃｏ５０膜をスパッタ法により成膜し、第１層４の場
合と同様にフォトリソグラフィ法により第１層４のパタ
ーンに直交するパターンにパターン化する。この第３層
６は全面ではなく、その一部に磁歪定数の大きな部材を
設ける構成としてもよく、また、他の高磁歪薄膜であっ
てもよい。
【００３５】このような微小圧力検知素子１におけるＴ
ＭＲ素子２に対する検知回路構成例を図５に示す。各々
電極として機能する第１層４の一端と第３層６の一端と
の間に直流電源８を接続し、第１層４の他端と第３層６
の他端との間に微小電流計９を接続することで、第１層
４から第２層５を介して第３層６に直流のトンネル電流
を流した場合の電流の変化を微小電流計９により検出す
る構成である。この検出動作において、当該ＴＭＲ素子
２には一様な外部磁界が印加される。ここに、当該ＴＭ
Ｒ素子２は微小圧力検知素子１においてセンサ部７に設
けられており、磁歪部として機能する第３層６が検知対
象物からの外部圧力印加を感じてその磁性が変化すると
（磁歪変化）、その変化に伴いＴＭＲ素子２としての磁
気抵抗の変化率（ＭＲ率）も変化することとなり、磁歪
による微小圧力の変化を高感度に検知できることとにな
る。
ＭＲ素子２に対する検知回路構成例を図５に示す。各々
電極として機能する第１層４の一端と第３層６の一端と
の間に直流電源８を接続し、第１層４の他端と第３層６
の他端との間に微小電流計９を接続することで、第１層
４から第２層５を介して第３層６に直流のトンネル電流
を流した場合の電流の変化を微小電流計９により検出す
る構成である。この検出動作において、当該ＴＭＲ素子
２には一様な外部磁界が印加される。ここに、当該ＴＭ
Ｒ素子２は微小圧力検知素子１においてセンサ部７に設
けられており、磁歪部として機能する第３層６が検知対
象物からの外部圧力印加を感じてその磁性が変化すると
（磁歪変化）、その変化に伴いＴＭＲ素子２としての磁
気抵抗の変化率（ＭＲ率）も変化することとなり、磁歪
による微小圧力の変化を高感度に検知できることとにな
る。
【００３６】従って、本実施の形態の微小圧力検知素子
１によれば、磁歪部となる第３層６を一部に有するＴＭ
Ｒ素子２をセンサ部７に用いることにより構成されてい
るので、センサの小型・軽量化を図れる上に、磁歪によ
る微小圧力の変化を高感度に検知することができる。よ
って、後述する情報入力装置や血流系測定装置等に適用
すると、極めて効果的となる。
１によれば、磁歪部となる第３層６を一部に有するＴＭ
Ｒ素子２をセンサ部７に用いることにより構成されてい
るので、センサの小型・軽量化を図れる上に、磁歪によ
る微小圧力の変化を高感度に検知することができる。よ
って、後述する情報入力装置や血流系測定装置等に適用
すると、極めて効果的となる。
【００３７】なお、本実施の形態では、センサ部７にＴ
ＭＲ素子２を備えた構成としたが、ＴＭＲ素子２に限ら
ず、磁気部材の一部に磁歪部を有する素子、具体的には
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、巨大磁気抵抗効果素子
（ＧＭＲ素子）又は磁気インピーダンス素子(ＭＩ素子)
であってもよく、同様の効果が得られる。また、磁気部
材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイルをセンサ部に
備えた構成としてもよい。この場合、磁歪部の磁歪に基
づく電磁誘導の発生電圧の変化等を通じて検知対象物の
圧力変化を検知することとなる。
ＭＲ素子２を備えた構成としたが、ＴＭＲ素子２に限ら
ず、磁気部材の一部に磁歪部を有する素子、具体的には
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、巨大磁気抵抗効果素子
（ＧＭＲ素子）又は磁気インピーダンス素子(ＭＩ素子)
であってもよく、同様の効果が得られる。また、磁気部
材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイルをセンサ部に
備えた構成としてもよい。この場合、磁歪部の磁歪に基
づく電磁誘導の発生電圧の変化等を通じて検知対象物の
圧力変化を検知することとなる。
【００３８】本発明の第二の実施の形態を図６及び図７
に基づいて説明する。第一の実施の形態で説明した部分
と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する
(以降の各実施の形態でも順次同様とする)。
に基づいて説明する。第一の実施の形態で説明した部分
と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する
(以降の各実施の形態でも順次同様とする)。
【００３９】本実施の形態の微小圧力検知素子１１で
は、磁歪部として機能する第３層６を第３層６ａ〜６ｆ
で示す如く複数個（例えば、６個）に分割しつつ並列に
配置させることで、センサ部７に関して、下層の第１層
４と交差する部分、例えば、６箇所に検知点１２ａ〜１
２ｆを持たせたアレイ状構成としたものである。結果と
して、各第３層６ａ〜６ｆ毎に第１層４との間でＴＭＲ
素子を構成することとなる。
は、磁歪部として機能する第３層６を第３層６ａ〜６ｆ
で示す如く複数個（例えば、６個）に分割しつつ並列に
配置させることで、センサ部７に関して、下層の第１層
４と交差する部分、例えば、６箇所に検知点１２ａ〜１
２ｆを持たせたアレイ状構成としたものである。結果と
して、各第３層６ａ〜６ｆ毎に第１層４との間でＴＭＲ
素子を構成することとなる。
【００４０】製造方法としては、第一の実施の形態の場
合と同様に第１層４及び第２層５を形成した後、前述の
場合と同様に、磁歪定数の大きなＦｅ−Ｃｏ５０膜をス
パッタリング法により成膜し、かつ、フォトリソグラフ
ィ法により複数に分割するパターン化処理により磁歪部
として機能する第３層６ａ〜６ｆを形成することにより
作製される。
合と同様に第１層４及び第２層５を形成した後、前述の
場合と同様に、磁歪定数の大きなＦｅ−Ｃｏ５０膜をス
パッタリング法により成膜し、かつ、フォトリソグラフ
ィ法により複数に分割するパターン化処理により磁歪部
として機能する第３層６ａ〜６ｆを形成することにより
作製される。
【００４１】この場合の微小圧力検知素子１１に対する
検知回路構成例としては、図７に示すように、各々電極
としても機能する各第３層６ａ〜６ｆに対してスイッチ
ング回路１３を介して微小電流計９が接続されており、
スイッチング回路１３のスイッチング動作により各検知
点１２ａ〜１２ｆ毎に個別に第３層６ａ〜６ｆによる磁
歪部の圧力感知に伴う磁性変化が個別のＴＭＲ素子のＭ
Ｒ率の変化として確実かつ高感度に検知される。
検知回路構成例としては、図７に示すように、各々電極
としても機能する各第３層６ａ〜６ｆに対してスイッチ
ング回路１３を介して微小電流計９が接続されており、
スイッチング回路１３のスイッチング動作により各検知
点１２ａ〜１２ｆ毎に個別に第３層６ａ〜６ｆによる磁
歪部の圧力感知に伴う磁性変化が個別のＴＭＲ素子のＭ
Ｒ率の変化として確実かつ高感度に検知される。
【００４２】従って、本実施の形態の微小圧力検知素子
１１によれば、検知点１２ａ〜１２ｆが複数点としてア
レイ状に配列されているので、第一の実施の形態の場合
と同様の効果が得られる上に、利用用途を適宜広げるこ
とができ、より実用的となる。
１１によれば、検知点１２ａ〜１２ｆが複数点としてア
レイ状に配列されているので、第一の実施の形態の場合
と同様の効果が得られる上に、利用用途を適宜広げるこ
とができ、より実用的となる。
【００４３】本発明の第三の実施の形態を図８及び図９
に基づいて説明する。本実施の形態の微小圧力検知素子
２１は、端的には、微小圧力検知素子１１の場合と、Ｔ
ＭＲ素子部分のパターン構成を逆にしたものである。即
ち、表面側に位置して磁歪部として機能する第３層６を
１本の共通電極として形成するとともに、下層側に位置
して他方の磁気素子及び電極として機能する第１層４を
第１層４ａ〜４ｇとして第３層６に交差するよう並列に
配置させたパターンとして形成されている。これによ
り、センサ部７に関して、下層の第１層４ａ〜４ｇと表
層の第３層６とが交差する部分、例えば７箇所に検知点
２２ａ〜２２ｇを持たせたアレイ状構成とされている。
結果として、各第１層４ａ〜４ｇ毎に表層の第３層６と
の間でＴＭＲ素子を構成することとなる。
に基づいて説明する。本実施の形態の微小圧力検知素子
２１は、端的には、微小圧力検知素子１１の場合と、Ｔ
ＭＲ素子部分のパターン構成を逆にしたものである。即
ち、表面側に位置して磁歪部として機能する第３層６を
１本の共通電極として形成するとともに、下層側に位置
して他方の磁気素子及び電極として機能する第１層４を
第１層４ａ〜４ｇとして第３層６に交差するよう並列に
配置させたパターンとして形成されている。これによ
り、センサ部７に関して、下層の第１層４ａ〜４ｇと表
層の第３層６とが交差する部分、例えば７箇所に検知点
２２ａ〜２２ｇを持たせたアレイ状構成とされている。
結果として、各第１層４ａ〜４ｇ毎に表層の第３層６と
の間でＴＭＲ素子を構成することとなる。
【００４４】製造方法としては、第一の実施の形態の場
合と同様に基板３上にＦｅ２０−Ｎｉ８０膜を成膜した
後、フォトリソグラフィ法によりパターン化して第１層
４ａ〜４ｇを形成する。この後、前述の場合と同様に、
第２層５、第３層６の成膜・パターニングを行なうこと
により作製される。
合と同様に基板３上にＦｅ２０−Ｎｉ８０膜を成膜した
後、フォトリソグラフィ法によりパターン化して第１層
４ａ〜４ｇを形成する。この後、前述の場合と同様に、
第２層５、第３層６の成膜・パターニングを行なうこと
により作製される。
【００４５】この場合の微小圧力検知素子２１に対する
検知回路構成例としては、図９に示すように、各々電極
としても機能する各第１層４ａ〜４ｇに対してスイッチ
ング回路２３を介して微小電流計９が接続されており、
スイッチング回路２３のスイッチング動作により各検知
点２２ａ〜２２ｇ毎に個別に第３層６の磁歪部における
圧力感知に伴う磁性変化が個別のＴＭＲ素子のＭＲ率の
変化として確実かつ高感度に検知される。
検知回路構成例としては、図９に示すように、各々電極
としても機能する各第１層４ａ〜４ｇに対してスイッチ
ング回路２３を介して微小電流計９が接続されており、
スイッチング回路２３のスイッチング動作により各検知
点２２ａ〜２２ｇ毎に個別に第３層６の磁歪部における
圧力感知に伴う磁性変化が個別のＴＭＲ素子のＭＲ率の
変化として確実かつ高感度に検知される。
【００４６】従って、本実施の形態の微小圧力検知素子
２１によれば、検知点２２ａ〜２２ｇが複数点としてア
レイ状に配列されているので、第一の実施の形態の場合
と同様の効果が得られる上に、利用用途を適宜広げるこ
とができ、より実用的となる。
２１によれば、検知点２２ａ〜２２ｇが複数点としてア
レイ状に配列されているので、第一の実施の形態の場合
と同様の効果が得られる上に、利用用途を適宜広げるこ
とができ、より実用的となる。
【００４７】本発明の第四の実施の形態を図１０及び図
１１に基づいて説明する。本実施の形態の微小圧力検知
素子３１は、端的には、微小圧力検知素子１１と微小圧
力検知素子２１とを組合わせた構成としたものである。
即ち、表面側に位置して磁歪部として機能する第３層６
を例えば６本の共通電極なる第３層６ａ〜６ｆとして分
割して並列に形成するとともに、下層側に位置して他方
の磁気素子として機能する第１層４も第１層４ａ〜４ｇ
として第３層６ａ〜６ｆの各々に交差するよう並列に配
置させたマトリックス状パターンとして形成されてい
る。これにより、センサ部７に関して、下層の第１層４
ａ〜４ｇと表層の第３層６ａ〜６ｆとが交差する部分、
例えば４２箇所に検知点を持たせた２次元アレイ状＝ド
ットマトリックス状構成とされている。結果として、４
２箇所の各検知点毎にＴＭＲ素子を構成することとな
る。ここに、各検知点について第１層４ａ〜４ｇの下層
には半導体スイッチ素子としてのダイオードスイッチ３
２が介在されている。
１１に基づいて説明する。本実施の形態の微小圧力検知
素子３１は、端的には、微小圧力検知素子１１と微小圧
力検知素子２１とを組合わせた構成としたものである。
即ち、表面側に位置して磁歪部として機能する第３層６
を例えば６本の共通電極なる第３層６ａ〜６ｆとして分
割して並列に形成するとともに、下層側に位置して他方
の磁気素子として機能する第１層４も第１層４ａ〜４ｇ
として第３層６ａ〜６ｆの各々に交差するよう並列に配
置させたマトリックス状パターンとして形成されてい
る。これにより、センサ部７に関して、下層の第１層４
ａ〜４ｇと表層の第３層６ａ〜６ｆとが交差する部分、
例えば４２箇所に検知点を持たせた２次元アレイ状＝ド
ットマトリックス状構成とされている。結果として、４
２箇所の各検知点毎にＴＭＲ素子を構成することとな
る。ここに、各検知点について第１層４ａ〜４ｇの下層
には半導体スイッチ素子としてのダイオードスイッチ３
２が介在されている。
【００４８】製造方法としては、基板３上にＡｌ配線パ
ターン３３ａ〜３３ｇをスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法によりパターニングして形
成する。これらのＡｌ配線パターン３３ａ〜３３ｇ上に
アモルファスＳｉを作製することによりダイオードスイ
ッチ３２ａ〜３２ｇを設ける。シランガスを用いた一般
的なＣＶＤ法による成膜と一般的なフォトリソグラフィ
法によればよく、Ｐ層に対してはボロンをドープし、Ｎ
層にはリンをドープすることで、ＰＮジャンクションを
形成することで、ダイオードスイッチとした。もっと
も、アモルファスＳｉ以外にＺｎＯ薄膜やＳｉＧｅ薄膜
等を利用しダイオードを形成するようにしてもよい。さ
らに、第三の実施の形態の場合と同様に、ダイオードス
イッチ３２ａ〜３２ｆ上に、Ｆｅ２０−Ｎｉ８０膜を成
膜した後、フォトリソグラフィ法によりパターン化して
第１層４ａ〜４ｆを形成する。この後、第２層５を成膜
し、さらに、第二の実施の形態の場合と同様に、磁歪定
数の大きなＦｅ−Ｃｏ５０膜をスパッタリング法により
成膜し、かつ、フォトリソグラフィ法により複数に分割
するパターン化処理により磁歪部として機能する第３層
６ａ〜６ｆを形成することにより作製される。
ターン３３ａ〜３３ｇをスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法によりパターニングして形
成する。これらのＡｌ配線パターン３３ａ〜３３ｇ上に
アモルファスＳｉを作製することによりダイオードスイ
ッチ３２ａ〜３２ｇを設ける。シランガスを用いた一般
的なＣＶＤ法による成膜と一般的なフォトリソグラフィ
法によればよく、Ｐ層に対してはボロンをドープし、Ｎ
層にはリンをドープすることで、ＰＮジャンクションを
形成することで、ダイオードスイッチとした。もっと
も、アモルファスＳｉ以外にＺｎＯ薄膜やＳｉＧｅ薄膜
等を利用しダイオードを形成するようにしてもよい。さ
らに、第三の実施の形態の場合と同様に、ダイオードス
イッチ３２ａ〜３２ｆ上に、Ｆｅ２０−Ｎｉ８０膜を成
膜した後、フォトリソグラフィ法によりパターン化して
第１層４ａ〜４ｆを形成する。この後、第２層５を成膜
し、さらに、第二の実施の形態の場合と同様に、磁歪定
数の大きなＦｅ−Ｃｏ５０膜をスパッタリング法により
成膜し、かつ、フォトリソグラフィ法により複数に分割
するパターン化処理により磁歪部として機能する第３層
６ａ〜６ｆを形成することにより作製される。
【００４９】この場合の微小圧力検知素子３１に対する
検知回路構成例としては、図１１に示すように、直流電
源８に対してスイッチング回路３４を介して各Ａｌ配線
パターン３３ａ〜３３ｆ（第１層４ａ〜４ｆ）が接続さ
れ、スイッチング回路３５を介して各第３層６ａ〜６ｆ
が接続され、各検知点に位置するダイオードスイッチ３
２ａ〜３２ｆのスイッチングを経て選択された任意の１
箇所の検知点（ＴＭＲ素子）に対してのみ電圧印加が可
能とされている。一方、微小電流計９に対しては、スイ
ッチング回路３６を介して各Ａｌ配線パターン３３ａ〜
３３ｆ（第１層４ａ〜４ｆ）が接続され、スイッチング
回路３７を介して各第３層６ａ〜６ｆが接続され、各検
知点に位置するダイオードスイッチ３２ａ〜３２ｆのス
イッチングを経て選択された任意の１箇所の検知点（Ｔ
ＭＲ素子）における電流のみを検知可能とされている。
検知回路構成例としては、図１１に示すように、直流電
源８に対してスイッチング回路３４を介して各Ａｌ配線
パターン３３ａ〜３３ｆ（第１層４ａ〜４ｆ）が接続さ
れ、スイッチング回路３５を介して各第３層６ａ〜６ｆ
が接続され、各検知点に位置するダイオードスイッチ３
２ａ〜３２ｆのスイッチングを経て選択された任意の１
箇所の検知点（ＴＭＲ素子）に対してのみ電圧印加が可
能とされている。一方、微小電流計９に対しては、スイ
ッチング回路３６を介して各Ａｌ配線パターン３３ａ〜
３３ｆ（第１層４ａ〜４ｆ）が接続され、スイッチング
回路３７を介して各第３層６ａ〜６ｆが接続され、各検
知点に位置するダイオードスイッチ３２ａ〜３２ｆのス
イッチングを経て選択された任意の１箇所の検知点（Ｔ
ＭＲ素子）における電流のみを検知可能とされている。
【００５０】従って、本実施の形態の微小圧力検知素子
３１によれば、検知点が複数点として２次元アレイ状＝
ドットマトリックス状に配列されているので、第一の実
施の形態の場合と同様の効果が得られる上に、第二、第
三の実施の形態の場合よりもより一層利用用途を適宜広
げることができ、より実用的となる。特に、２次元セン
サアレイとして利用できるので、ドット状の各検知点毎
により高精度な圧力測定が可能となる。
３１によれば、検知点が複数点として２次元アレイ状＝
ドットマトリックス状に配列されているので、第一の実
施の形態の場合と同様の効果が得られる上に、第二、第
三の実施の形態の場合よりもより一層利用用途を適宜広
げることができ、より実用的となる。特に、２次元セン
サアレイとして利用できるので、ドット状の各検知点毎
により高精度な圧力測定が可能となる。
【００５１】本発明の第五の実施の形態を図１２に基づ
いて説明する。本実施の形態以降の各実施の形態は、前
述したような微小圧力検知素子の適用例を例示するもの
である。
いて説明する。本実施の形態以降の各実施の形態は、前
述したような微小圧力検知素子の適用例を例示するもの
である。
【００５２】本実施の形態は、例えば微小圧力検知素子
１１を指操作によるキーボード代わりの情報入力装置４
１として利用した情報端末４２への適用例を示す。この
情報端末４２においては、ハンディタイプの当該端末筐
体の表面に情報入力装置４１の操作面が露出状態で設け
られている他、表示装置の表示部４３も露出状態で設け
られている。さらに、情報入力装置４１からの信号の入
力を受けたり表示装置による表示部４３の表示を制御す
るマイコン構成の処理装置４４が内蔵されている。ここ
に、情報入力装置４１を構成する微小圧力検知素子１１
にあっては、アレイ状配置の各検知点１２ａ〜１２ｆに
対応させて押印ボタンキー４５ａ〜４５ｆが割り当てら
れている。
１１を指操作によるキーボード代わりの情報入力装置４
１として利用した情報端末４２への適用例を示す。この
情報端末４２においては、ハンディタイプの当該端末筐
体の表面に情報入力装置４１の操作面が露出状態で設け
られている他、表示装置の表示部４３も露出状態で設け
られている。さらに、情報入力装置４１からの信号の入
力を受けたり表示装置による表示部４３の表示を制御す
るマイコン構成の処理装置４４が内蔵されている。ここ
に、情報入力装置４１を構成する微小圧力検知素子１１
にあっては、アレイ状配置の各検知点１２ａ〜１２ｆに
対応させて押印ボタンキー４５ａ〜４５ｆが割り当てら
れている。
【００５３】このような情報端末４２において、ユーザ
が押印ボタンキー４５ａ〜４５ｆの何れかの個所を指で
押圧操作すると、対応する検知点において前述した微小
圧力検知素子１１における磁歪による圧力変化として検
知されるので、キーボード代わりの情報入力装置４１と
して機能し得る。この際、処理装置４４にあっては、微
小圧力検知素子１１の各検知点１２ａ〜１２ｆから得ら
れる信号について予め設定されている平均的な押圧操作
パターン信号と比較することにより、実際に押圧操作が
されたか否かを判断しており、誤動作なく押圧している
真の押圧操作による押印ボタンキー４５ａ〜４５ｆのみ
を検知して入力信号とすることができる。入力判定され
た押印ボタンキー４５ａ〜４５ｆの何れかの入力情報は
表示部４３においてキー入力情報として表示される。
が押印ボタンキー４５ａ〜４５ｆの何れかの個所を指で
押圧操作すると、対応する検知点において前述した微小
圧力検知素子１１における磁歪による圧力変化として検
知されるので、キーボード代わりの情報入力装置４１と
して機能し得る。この際、処理装置４４にあっては、微
小圧力検知素子１１の各検知点１２ａ〜１２ｆから得ら
れる信号について予め設定されている平均的な押圧操作
パターン信号と比較することにより、実際に押圧操作が
されたか否かを判断しており、誤動作なく押圧している
真の押圧操作による押印ボタンキー４５ａ〜４５ｆのみ
を検知して入力信号とすることができる。入力判定され
た押印ボタンキー４５ａ〜４５ｆの何れかの入力情報は
表示部４３においてキー入力情報として表示される。
【００５４】本発明の第六の実施の形態を図１３に基づ
いて説明する。本実施の形態は、例えば検知点を２次元
アレイ状＝ドットマトリックス状に有する微小圧力検知
素子３１を指操作によるポインタ代わりの情報入力装置
５１として利用した情報端末５２への適用例を示す。こ
の情報端末５２においては、ハンディタイプの当該端末
筐体の表面に情報入力装置５１の操作面が露出状態で設
けられている他、表示装置の表示部５３も露出状態で設
けられている。さらに、情報入力装置５１からの信号の
入力を受けたり表示装置による表示部５３の表示を制御
するマイコン構成の処理装置５４が内蔵されている。こ
こに、情報入力装置５１を構成する微小圧力検知素子３
１にあっては、アレイ状配置の各検知点が存在するセン
サ部７の領域が指押圧操作による入力エリアとして設定
されている。
いて説明する。本実施の形態は、例えば検知点を２次元
アレイ状＝ドットマトリックス状に有する微小圧力検知
素子３１を指操作によるポインタ代わりの情報入力装置
５１として利用した情報端末５２への適用例を示す。こ
の情報端末５２においては、ハンディタイプの当該端末
筐体の表面に情報入力装置５１の操作面が露出状態で設
けられている他、表示装置の表示部５３も露出状態で設
けられている。さらに、情報入力装置５１からの信号の
入力を受けたり表示装置による表示部５３の表示を制御
するマイコン構成の処理装置５４が内蔵されている。こ
こに、情報入力装置５１を構成する微小圧力検知素子３
１にあっては、アレイ状配置の各検知点が存在するセン
サ部７の領域が指押圧操作による入力エリアとして設定
されている。
【００５５】このような情報端末５２において、ユーザ
がセンサ部７による入力エリア内の何れかの個所を指で
押圧操作しながら動かすと、対応する検知点において前
述した微小圧力検知素子３１における磁歪による圧力変
化として順次検知されるので、ポインタ代わりの情報入
力装置５２として機能し得る。この際、処理装置５４に
あっては、微小圧力検知素子３１の各検知点から得られ
る信号について予め設定されている平均的な押圧操作パ
ターン信号と比較することにより、実際に押圧操作がさ
れたか否かを判断しており、誤動作なく押圧している真
の押圧操作を受けた個所のみを検知してポインタ入力信
号とすることができる。入力判定された押圧個所の入力
情報は表示部５３においてポインタ入力情報として表示
される。
がセンサ部７による入力エリア内の何れかの個所を指で
押圧操作しながら動かすと、対応する検知点において前
述した微小圧力検知素子３１における磁歪による圧力変
化として順次検知されるので、ポインタ代わりの情報入
力装置５２として機能し得る。この際、処理装置５４に
あっては、微小圧力検知素子３１の各検知点から得られ
る信号について予め設定されている平均的な押圧操作パ
ターン信号と比較することにより、実際に押圧操作がさ
れたか否かを判断しており、誤動作なく押圧している真
の押圧操作を受けた個所のみを検知してポインタ入力信
号とすることができる。入力判定された押圧個所の入力
情報は表示部５３においてポインタ入力情報として表示
される。
【００５６】本発明の第七の実施の形態を図１４に基づ
いて説明する。本実施の形態は、例えば微小圧力検知素
子１を指先での押圧操作に基づき測定対象者の脈波を検
知する脈波計なる血流系測定装置６１として利用した情
報端末６２への適用例を示す。この情報端末６２におい
ては、ハンディタイプの当該端末筐体の表面に血流系測
定装置６１のセンサ部７が押圧測定面として露出状態で
設けられている他、表示装置の表示部６３も露出状態で
設けられている。さらに、血流系測定装置６１からの信
号の入力を受けて演算処理を行ったり表示装置による表
示部６３の表示を制御するマイコン構成の処理装置６４
が内蔵されている。
いて説明する。本実施の形態は、例えば微小圧力検知素
子１を指先での押圧操作に基づき測定対象者の脈波を検
知する脈波計なる血流系測定装置６１として利用した情
報端末６２への適用例を示す。この情報端末６２におい
ては、ハンディタイプの当該端末筐体の表面に血流系測
定装置６１のセンサ部７が押圧測定面として露出状態で
設けられている他、表示装置の表示部６３も露出状態で
設けられている。さらに、血流系測定装置６１からの信
号の入力を受けて演算処理を行ったり表示装置による表
示部６３の表示を制御するマイコン構成の処理装置６４
が内蔵されている。
【００５７】このような情報端末６２において、ユーザ
がセンサ部７を指先で所定時間押圧操作していると、そ
の押圧操作に伴い測定対象者の指先での脈波が前述した
微小圧力検知素子１における磁歪による圧力変化として
検知され、その情報が処理装置６４に取り込まれる。こ
の際、処理装置６４にあっては、微小圧力検知素子１か
ら得られる信号について予め設定されている平均的な脈
波の圧力変動パターン信号と比較することにより、当該
測定対象者の脈波を算出し、その結果を測定結果として
表示部６３に表示させる。
がセンサ部７を指先で所定時間押圧操作していると、そ
の押圧操作に伴い測定対象者の指先での脈波が前述した
微小圧力検知素子１における磁歪による圧力変化として
検知され、その情報が処理装置６４に取り込まれる。こ
の際、処理装置６４にあっては、微小圧力検知素子１か
ら得られる信号について予め設定されている平均的な脈
波の圧力変動パターン信号と比較することにより、当該
測定対象者の脈波を算出し、その結果を測定結果として
表示部６３に表示させる。
【００５８】なお、本実施の形態では、脈波を血流系測
定項目としたが、血圧或いは脈拍を血流系測定象項目と
して脈波に基づき測定するようにしてもよい。さらに
は、心拍を血流系測定項目として測定するようにしても
よい。
定項目としたが、血圧或いは脈拍を血流系測定象項目と
して脈波に基づき測定するようにしてもよい。さらに
は、心拍を血流系測定項目として測定するようにしても
よい。
【００５９】本発明の第八の実施の形態を図１５に基づ
いて説明する。本実施の形態は、前述の情報端末６２中
の処理装置６４を制御装置として利用するとともに、例
えばＧＰＳ（Ｇlobal Ｐositioning Ｓystem）のＧＰＳ
信号を受信して現在位置情報を検知するＧＰＳ受信装置
を利用した位置情報検知手段６５と、メモリ６６とが付
加されて、携帯性を有するハンディタイプの健康診断端
末装置６７として構成されている。位置情報検知手段６
５は詳細は略すが周知の如くＧＰＳ信号の受信に基づき
当該健康診断端末装置６７の所在位置、即ち、測定対象
者の地球上での現在位置を認識するものである。ＧＰＳ
利用に限らず、方位センサ等を利用した位置情報検知手
段６５であってもよい。処理装置６４は前述の第七の実
施の形態で説明したように血流系測定装置６１により測
定された血流系測定項目の情報と位置情報検知手段６５
により随時検知される現在位置情報とを測定時点によっ
て両者を関連付けてメモリ６６に記憶させる記憶手段の
機能も果たす。
いて説明する。本実施の形態は、前述の情報端末６２中
の処理装置６４を制御装置として利用するとともに、例
えばＧＰＳ（Ｇlobal Ｐositioning Ｓystem）のＧＰＳ
信号を受信して現在位置情報を検知するＧＰＳ受信装置
を利用した位置情報検知手段６５と、メモリ６６とが付
加されて、携帯性を有するハンディタイプの健康診断端
末装置６７として構成されている。位置情報検知手段６
５は詳細は略すが周知の如くＧＰＳ信号の受信に基づき
当該健康診断端末装置６７の所在位置、即ち、測定対象
者の地球上での現在位置を認識するものである。ＧＰＳ
利用に限らず、方位センサ等を利用した位置情報検知手
段６５であってもよい。処理装置６４は前述の第七の実
施の形態で説明したように血流系測定装置６１により測
定された血流系測定項目の情報と位置情報検知手段６５
により随時検知される現在位置情報とを測定時点によっ
て両者を関連付けてメモリ６６に記憶させる記憶手段の
機能も果たす。
【００６０】これにより、当該健康診断端末装置６７は
測定対象者が適宜携帯しながら任意の時点、場所で、或
いは、定期的に、血流系測定装置６１を利用して脈波等
の血流系測定項目の測定を行うこととなる。そして、そ
の測定時の場所（現在位置）は位置情報検知手段６５に
より検知される。これらの情報はメモリ６６に格納され
る。これにより、血流系測定項目の測定結果をその測定
時点の場所と関連付けて管理できる健康診断端末装置６
７を提供できる。特に、後述するように携帯電話等と組
合せて健康監視システムを構成すると、より効果的とな
る。
測定対象者が適宜携帯しながら任意の時点、場所で、或
いは、定期的に、血流系測定装置６１を利用して脈波等
の血流系測定項目の測定を行うこととなる。そして、そ
の測定時の場所（現在位置）は位置情報検知手段６５に
より検知される。これらの情報はメモリ６６に格納され
る。これにより、血流系測定項目の測定結果をその測定
時点の場所と関連付けて管理できる健康診断端末装置６
７を提供できる。特に、後述するように携帯電話等と組
合せて健康監視システムを構成すると、より効果的とな
る。
【００６１】本発明の第九の実施の形態を図１６に基づ
いて説明する。本実施の形態は、前述の健康診断端末装
置６７を利用して健康監視システム７１を構築したもの
である。本実施の形態の健康監視システム７１は、事業
者と健康診断端末装置６７を所有している加入者との間
の契約関係により構築されるシステムであって、事業者
側では監視センタ７２にホストコンピュータ７３を所有
し、加入者の健康診断端末装置６７とは無線通信装置７
４を利用して無線で接続されている。即ち、無線通信装
置７４の通信部７５と監視センタ７２側の通信部７６と
の間で情報の通信が行われる。通信部７５を備える無線
通信装置７４としては、携帯電話等であってもよい。ま
た、ホストコンピュータ７３には分析センタ７７内の分
析用コンピュータ７８に接続されている。
いて説明する。本実施の形態は、前述の健康診断端末装
置６７を利用して健康監視システム７１を構築したもの
である。本実施の形態の健康監視システム７１は、事業
者と健康診断端末装置６７を所有している加入者との間
の契約関係により構築されるシステムであって、事業者
側では監視センタ７２にホストコンピュータ７３を所有
し、加入者の健康診断端末装置６７とは無線通信装置７
４を利用して無線で接続されている。即ち、無線通信装
置７４の通信部７５と監視センタ７２側の通信部７６と
の間で情報の通信が行われる。通信部７５を備える無線
通信装置７４としては、携帯電話等であってもよい。ま
た、ホストコンピュータ７３には分析センタ７７内の分
析用コンピュータ７８に接続されている。
【００６２】従って、このようなシステム構成によれ
ば、健康診断端末装置６７のメモリ６６に蓄えられた情
報（血流系測定項目の情報と現在位置情報）は無線通信
装置７４によって適宜監視センタ７２に送信され、ホス
トコンピュータ７３管理の下にメモリに蓄えられるとと
もに、異常値等が検知された場合には通信部７６を経由
して該当する加入者の健康診断端末装置６７に対してそ
の旨が報告される。このとき、契約によっては、監視の
報告に加えて、分析用コンピュータ７８による分析結果
を加えて、当該加入者の健康診断端末装置６７を通じて
健康管理のアドバスを送信出力するといった健康管理サ
ービスや、緊急時のバックアップサービスを提供するこ
とが可能となる。
ば、健康診断端末装置６７のメモリ６６に蓄えられた情
報（血流系測定項目の情報と現在位置情報）は無線通信
装置７４によって適宜監視センタ７２に送信され、ホス
トコンピュータ７３管理の下にメモリに蓄えられるとと
もに、異常値等が検知された場合には通信部７６を経由
して該当する加入者の健康診断端末装置６７に対してそ
の旨が報告される。このとき、契約によっては、監視の
報告に加えて、分析用コンピュータ７８による分析結果
を加えて、当該加入者の健康診断端末装置６７を通じて
健康管理のアドバスを送信出力するといった健康管理サ
ービスや、緊急時のバックアップサービスを提供するこ
とが可能となる。
【００６３】
【発明の効果】請求項１記載の発明の微小圧力検知素子
によれば、磁気部材の一部に磁歪部を有して薄膜技術等
を用いて作製される磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、巨
大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、トンネル磁気抵抗
効果素子（ＴＭＲ素子）又は磁気インピーダンス素子
(ＭＩ素子)をセンサ部に備え、磁歪部の磁歪に基づく磁
気抵抗率の変化等を通じて検知対象物の圧力変化を検知
するように構成したので、小型・軽量化を図れる上に、
高感度なセンサを提供することができる。
によれば、磁気部材の一部に磁歪部を有して薄膜技術等
を用いて作製される磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、巨
大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、トンネル磁気抵抗
効果素子（ＴＭＲ素子）又は磁気インピーダンス素子
(ＭＩ素子)をセンサ部に備え、磁歪部の磁歪に基づく磁
気抵抗率の変化等を通じて検知対象物の圧力変化を検知
するように構成したので、小型・軽量化を図れる上に、
高感度なセンサを提供することができる。
【００６４】請求項２記載の発明の微小圧力検知素子に
よれば、磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイ
ルをセンサ部に備え、磁歪部の磁歪に基づく電磁誘導の
発生電圧の変化等を通じて検知対象物の圧力変化を検知
するように構成したので、小型・軽量化を図れる上に、
高感度なセンサを提供することができる。
よれば、磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘導コイ
ルをセンサ部に備え、磁歪部の磁歪に基づく電磁誘導の
発生電圧の変化等を通じて検知対象物の圧力変化を検知
するように構成したので、小型・軽量化を図れる上に、
高感度なセンサを提供することができる。
【００６５】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部だけを複数
個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点
を持たせたので、請求項１記載の発明を実現する上で、
アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることができ
る。
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部だけを複数
個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点
を持たせたので、請求項１記載の発明を実現する上で、
アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることができ
る。
【００６６】請求項４記載の発明によれば、請求項１記
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部を１本の共
通電極として形成するとともに、前記磁歪部に対して対
をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差するように
複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検
知点を持たせたので、請求項１記載の発明を実現する上
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部を１本の共
通電極として形成するとともに、前記磁歪部に対して対
をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差するように
複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検
知点を持たせたので、請求項１記載の発明を実現する上
で、アレイ化を簡単に図れ、利用用途を広げることがで
きる。
【００６７】請求項５記載の発明によれば、請求項１記
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部を複数本の
共通電極として並列に形成するとともに、前記磁歪部に
対して対をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差す
るように複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数
箇所の検知点をマトリックス状に持たせ、マトリックス
状の各検知点にその検知動作をスイッチングする半導体
スイッチ素子を有するので、請求項１記載の発明を実現
する上で、２次元アレイ化、即ち、マトリックス化を簡
単に図れ、利用用途を広げることができる。
載の微小圧力検知素子において、前記磁歪部を複数本の
共通電極として並列に形成するとともに、前記磁歪部に
対して対をなす他方の磁気素子を前記共通電極と交差す
るように複数個並列に配置させて、前記センサ部に複数
箇所の検知点をマトリックス状に持たせ、マトリックス
状の各検知点にその検知動作をスイッチングする半導体
スイッチ素子を有するので、請求項１記載の発明を実現
する上で、２次元アレイ化、即ち、マトリックス化を簡
単に図れ、利用用途を広げることができる。
【００６８】請求項６記載の発明の情報入力装置によれ
ば、各々指で押圧操作される検知点がボタンキーに対応
付けられた請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧
力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部に
おける磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ボタンキー
に対する入力操作を検知するようにしたので、請求項１
ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知素子をボタン
キーによる情報入力装置に効果的に適用できる。
ば、各々指で押圧操作される検知点がボタンキーに対応
付けられた請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧
力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部に
おける磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ボタンキー
に対する入力操作を検知するようにしたので、請求項１
ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知素子をボタン
キーによる情報入力装置に効果的に適用できる。
【００６９】請求項７記載の発明の情報入力装置によれ
ば、各々指で押圧操作される検知点が表示装置のポイン
タ表示座標に対応付けられた請求項５記載の微小圧力検
知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部におけ
る磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ポインタ表示座
標に対する入力操作を検知するようにしたので、請求項
１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知素子を表示
装置のポインタ表示座標を入力するための情報入力装置
に効果的に適用できる。
ば、各々指で押圧操作される検知点が表示装置のポイン
タ表示座標に対応付けられた請求項５記載の微小圧力検
知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部におけ
る磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ポインタ表示座
標に対する入力操作を検知するようにしたので、請求項
１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知素子を表示
装置のポインタ表示座標を入力するための情報入力装置
に効果的に適用できる。
【００７０】請求項８記載の発明の血流系測定装置によ
れば、請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検
知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部におけ
る磁歪による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈波、心拍
又は脈拍なる血流系測定項目を検知するようにしたの
で、請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知
素子を血圧、脈波、心拍又は脈拍なる血流系測定項目を
検知する血流系測定装置に効果的に適用できる。
れば、請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検
知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ部におけ
る磁歪による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈波、心拍
又は脈拍なる血流系測定項目を検知するようにしたの
で、請求項１ないし５の何れか一に記載の微小圧力検知
素子を血圧、脈波、心拍又は脈拍なる血流系測定項目を
検知する血流系測定装置に効果的に適用できる。
【００７１】請求項９記載の発明の健康診断端末装置に
よれば、請求項１ないし５の何れか一に記載の軽量・小
型で高感度な微小圧力検知素子を有する請求項８記載の
血流系測定装置を、位置情報検知手段とともに備えて携
帯性を有するので、任意の場所で血流系測定項目の情報
と現在位置情報とを関連付けてメモリで管理する健康診
断端末装置を提供することができる。
よれば、請求項１ないし５の何れか一に記載の軽量・小
型で高感度な微小圧力検知素子を有する請求項８記載の
血流系測定装置を、位置情報検知手段とともに備えて携
帯性を有するので、任意の場所で血流系測定項目の情報
と現在位置情報とを関連付けてメモリで管理する健康診
断端末装置を提供することができる。
【００７２】請求項１０記載の発明の健康監視システム
によれば、請求項９記載の健康診断端末装置を備えるの
で、ホストコンピュータ側に健康診断端末装置所有者の
健康状況の把握を可能とするセンタ機能を持たせること
により、健康診断端末装置所有者の健康状態をその存在
位置とともに常に監視でき、緊急事態発生等の異常時に
は適宜伝える等の緊急対策を適正に採れる健康監視シス
テムを提供することができる。
によれば、請求項９記載の健康診断端末装置を備えるの
で、ホストコンピュータ側に健康診断端末装置所有者の
健康状況の把握を可能とするセンタ機能を持たせること
により、健康診断端末装置所有者の健康状態をその存在
位置とともに常に監視でき、緊急事態発生等の異常時に
は適宜伝える等の緊急対策を適正に採れる健康監視シス
テムを提供することができる。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す第１層が成膜
された基板の縦断正面図である。
された基板の縦断正面図である。
【図２】第1層のパターン形状を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は縦断正面図である。
図、（ｂ）は縦断正面図である。
【図３】第１層上に成膜された第２層のパターン形状を
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。
【図４】第２層上に成膜された第３層のパターン形状を
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。
【図５】測定回路を示す平面図である。
【図６】本発明の第二の実施の形態の微小圧力検知素子
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。
【図７】測定回路を示す平面図である。
【図８】本発明の第三の実施の形態の微小圧力検知素子
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図である。
【図９】測定回路を示す平面図である。
【図１０】本発明の第四の実施の形態の微小圧力検知素
子を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図であ
る。
子を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断正面図であ
る。
【図１１】測定回路を示す平面図である。
【図１２】本発明の第五の実施の形態の端末装置を示す
正面図である。
正面図である。
【図１３】本発明の第六の実施の形態の端末装置を示す
正面図である。
正面図である。
【図１４】本発明の第七の実施の形態の端末装置を示す
正面図である。
正面図である。
【図１５】本発明の第八の実施の形態の端末装置を示す
正面図である。
正面図である。
【図１６】本発明の第九の実施の形態の健康監視システ
ムを示す概略システム構成図である。
ムを示す概略システム構成図である。
１ 微小圧力検知素子 ２ トンネル磁気効果抵抗素子 ６ 磁歪部 ７ センサ部 １１ 微小圧力検知素子 １２ 検知点 ２１ 微小圧力検知素子 ２２ 検知点 ３１ 微小圧力検知素子 ３２ ダイオードスイッチ ４１ 情報入力装置 ４５ ボタンキー ５１ 情報入力装置 ６１ 血流系測定装置 ６５ 位置情報検知手段 ６６ メモリ ６７ 健康診断端末装置 ７３ ホストコンピュータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/08 Ａ６１Ｂ 5/02 ３１０Ｍ // Ｇ０１Ｓ 5/14 ３４０Ｃ Ｆターム(参考） 2F055 AA05 BB14 CC60 DD01 EE29 FF11 GG01 GG11 4C017 AA02 AA08 AA09 AA10 AA11 AC05 FF17 5J062 AA08 BB05 CC07
Claims (10)
- 【請求項１】 磁気部材の一部に磁歪部を有する磁気抵
抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗
効果素子又は磁気インピーダンス素子を、検知対象物の
圧力変化を検知するためのセンサ部に備える微小圧力検
知素子。 - 【請求項２】 磁気部材の一部に磁歪部を有する電磁誘
導コイルを、検知対象物の圧力変化を検知するためのセ
ンサ部に備える微小圧力検知素子。 - 【請求項３】 前記磁歪部だけを複数個並列に配置させ
て、前記センサ部に複数箇所の検知点を持たせた請求項
１記載の微小圧力検知素子。 - 【請求項４】 前記磁歪部を１本の共通電極として形成
するとともに、前記磁歪部に対して対をなす他方の磁気
素子を前記共通電極と交差するように複数個並列に配置
させて、前記センサ部に複数箇所の検知点を持たせた請
求項１記載の微小圧力検知素子。 - 【請求項５】 前記磁歪部を複数本の共通電極として並
列に形成するとともに、前記磁歪部に対して対をなす他
方の磁気素子を前記共通電極と交差するように複数個並
列に配置させて、前記センサ部に複数箇所の検知点をマ
トリックス状に持たせ、マトリックス状の各検知点にそ
の検知動作をスイッチングする半導体スイッチ素子を有
する請求項１記載の微小圧力検知素子。 - 【請求項６】 各々指で押圧操作される検知点がボタン
キーに対応付けられた請求項１ないし５の何れか一に記
載の微小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子の
センサ部における磁気歪みによる圧力変化に基づき前記
ボタンキーに対する入力操作を検知する情報入力装置。 - 【請求項７】 各々指で押圧操作される検知点が表示装
置のポインタ表示座標に対応付けられた請求項５記載の
微小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセン
サ部における磁気歪みによる圧力変化に基づき前記ポイ
ンタ表示座標に対する入力操作を検知する情報入力装
置。 - 【請求項８】 請求項１ないし５の何れか一に記載の微
小圧力検知素子を備え、前記微小圧力検知素子のセンサ
部における磁歪による脈波の圧力変化に基づき血圧、脈
波、心拍又は脈拍なる血流系測定項目を検知する血流系
測定装置。 - 【請求項９】 請求項８記載の血流系測定装置と、 現在位置情報を検知する位置情報検知手段と、 前記血流系測定装置により検出された血流系測定項目の
情報と前記位置情報検知手段により検知された現在位置
情報とが入力される制御装置と、 この制御装置に入力された血流系測定項目の情報と現在
位置情報とを関連付けてメモリに記憶させる記憶手段
と、を備えて携帯性を有する健康診断端末装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の健康診断端末装置と、 この健康診断端末装置の前記メモリに記憶された血流系
測定項目の情報と現在位置情報とを送信出力する無線通
信装置と、 この無線通信装置から送信された血流系測定項目の情報
と現在位置情報との入力を受けて当該健康診断端末装置
所有者の血流系測定項目と現在位置とを監視するホスト
コンピュータと、を備える健康監視システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000341908A JP4355439B2 (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000341908A JP4355439B2 (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 微小圧力検知素子、この素子を用いた装置及び健康監視システム |
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|---|---|
| JP2002148132A true JP2002148132A (ja) | 2002-05-22 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP4355439B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4355439B2 (ja) | 2009-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050603 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050609 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20061130 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061204 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090626 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090803 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150807 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150807 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |