JP2002141432A - 半導体光センサパッケージおよびその製造方法 - Google Patents

半導体光センサパッケージおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、プリント配線基板からなるパッケ
ージ基板に半導体光センサを実装した半導体光センサパ
ッケージおよびその製造方法に関し、半導体光センサを
ガラス板により容易，確実に保護することを目的とす
る。 【解決手段】 樹脂からなるプリント配線基板を用いた
パッケージ基板と、前記パッケージ基板の一面に実装さ
れる半導体光センサと、前記半導体光センサを囲んで配
置され前記パッケージ基板の前記一面に接着される枠体
と、前記枠体の前記パッケージ基板と反対側の面に接着
されるガラス板とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
からなるパッケージ基板に半導体光センサを実装した半
導体光センサパッケージおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体光センサを有する半導体集
積回路素子のパッケージとして、半導体光センサの光入
射部分に、ガラス等の透明部材を配置したセラミックス
製のパッケージが広く知られている。しかしながら、こ
のようなセラミックス製のパッケージは、その単価が高
くなるという問題がある。
【０００３】一方、従来、パッケージを使用しない半導
体素子の実装方法として、プリント配線基板に半導体素
子を直接実装するチップオンボード（ＣＯＢ）と呼ばれ
る方法が知られている。しかしながら、このようなチッ
プオンボードでは、半導体素子とその他の部品を、同一
のプリント配線基板に実装するため、組み立て後に、半
導体素子に問題が生じた場合には、プリント配線基板に
実装した他の部品が無駄になり、あるいは、他の部品に
問題が発生した場合には、半導体素子が無駄になるとい
う欠点がある。
【０００４】そこで、従来、例えば、特開平７−３０７
４０８号公報あるいは特開平９−１２９７８０号公報に
開示されるように、プリント配線基板に半導体素子を実
装し、これをパッケージとして使用する方法が開発され
ている。そして、これ等の公報には、半導体素子が半導
体光センサからなる時には、半導体光センサを光透過性
樹脂により封止して、半導体光センサの光入射面を保護
する技術が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプリント配線基板をパッケージ基板として使用した
パッケージでは、半導体光センサを光透過性樹脂により
封止しているため、光透過性樹脂の厚みを均一に形成す
ることが困難であり、ガラス板を使用する場合に比較し
て、半導体光センサの性能が低下するという問題があっ
た。
【０００６】本発明は、かかる従来の問題を解決するた
めになされたもので、プリント配線基板からなるパッケ
ージ基板に実装される半導体光センサをガラス板により
容易，確実に保護することができる半導体光センサパッ
ケージおよびその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体光セン
サパッケージは、樹脂からなるプリント配線基板を用い
たパッケージ基板と、前記パッケージ基板の一面に実装
される半導体光センサと、前記半導体光センサを囲んで
配置され前記パッケージ基板の前記一面に接着される枠
体と、前記枠体の前記パッケージ基板と反対側の面に接
着されるガラス板とを有することを特徴とする。
【０００８】請求項２の半導体光センサパッケージは、
請求項１記載の半導体光センサパッケージにおいて、前
記パッケージ基板が、不透明材料からなることを特徴と
する。請求項３の半導体光センサパッケージは、請求項
１または請求項２記載の半導体光センサパッケージにお
いて、前記枠体が、不透明材料からなることを特徴とす
る。
【０００９】請求項４の半導体光センサパッケージは、
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の半導体光
センサパッケージにおいて、前記枠体が、前記パッケー
ジ基板と同一の材料からなることを特徴とする。請求項
５の半導体光センサパッケージは、請求項１記載の半導
体光センサパッケージにおいて、前記パッケージ基板
に、前記パッケージ基板の前記一面と反対側の面からの
光を遮光する遮光層を形成してなることを特徴とする。
【００１０】請求項６の半導体光センサパッケージは、
請求項５記載の半導体光センサパッケージにおいて、前
記遮光層は、金属メッキにより形成されていることを特
徴とする。請求項７の半導体光センサパッケージは、請
求項５または請求項６記載の半導体光センサパッケージ
において、前記遮光層は、前記パッケージ基板の肉厚方
向の中間に形成されていることを特徴とする。
【００１１】請求項８の半導体光センサパッケージは、
請求項５記載の半導体光センサパッケージにおいて、前
記遮光層は、前記パッケージ基板の表面を保護するため
の保護層を不透明材料により形成してなることを特徴と
する。請求項９の半導体光センサパッケージは、請求項
１ないし請求項８のいずれか１項記載の半導体光センサ
パッケージにおいて、前記パッケージ基板の前記枠体の
内側となる位置に空気抜き穴が形成され、前記空気抜き
穴が封止部材により封止されていることを特徴とする。
【００１２】請求項１０の半導体光センサパッケージ
は、請求項９記載の半導体光センサパッケージにおい
て、前記空気抜き穴がスルーホールからなり、半田によ
り封止されていることを特徴とする。請求項１１の半導
体光センサパッケージの製造方法は、樹脂からなるプリ
ント配線基板をスルーホールの位置において切断工具に
より切断しパッケージ基板を得る工程と、前記パッケー
ジ基板を洗浄する工程と、前記洗浄されたパッケージ基
板の一面に半導体光センサを実装する工程と、前記洗浄
されたパッケージ基板の一面の前記半導体光センサを囲
む位置に枠体を接着する工程と、前記パッケージ基板に
接着された枠体にガラス板を接着する工程とを有するこ
とを特徴とする。
【００１３】請求項１２の半導体光センサパッケージの
製造方法は、請求項１１記載の半導体光センサパッケー
ジの製造方法において、前記枠体は、樹脂からなる基板
を加工工具により所定形状に加工して形成され、洗浄後
に、前記パッケージ基板に接着されることを特徴とす
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。
【００１５】（第１の実施形態）図１および図２は、本
発明の半導体光センサパッケージの第１の実施形態を示
している。この半導体光センサパッケージは、パッケー
ジ基板１１の上面に枠体１３を接着し、枠体１３の上面
にガラス板１５を接着して構成されている。
【００１６】パッケージ基板１１は、ガラスエポキシ樹
脂からなるプリント配線基板により形成されている。パ
ッケージ基板１１は、四角形状をしており、その中心に
は、四角形状の半導体光センサ１７がダイボンドされて
いる。半導体光センサ１７の電極パッド１７ａは、パッ
ケージ基板１１の配線電極１１ａに、金線等のボンディ
ングワイヤ１９により電気的に接続されている。
【００１７】パッケージ基板１１は、ガラスエポキシ樹
脂のプリント配線基板に配線電極１１ａ等を形成し、表
面に保護用のレジスト層を形成した後に、切り離し加工
されている。配線電極１１ａの表面は、金線等のボンデ
ィングワイヤ１９がワイヤボンドできるように金メッキ
加工されている。
【００１８】パッケージ基板１１の中央には、ワイヤボ
ンドのためのボンディングワイヤ接続部分１１ｂが形成
されている。パッケージ基板１１の外側には、半円状の
スルーホール１１ｃが直線状に間隔を置いて形成され、
ランド部１１ｄを備えたスルーホールパターンにより外
部接続電極１１ｅが形成されている。
【００１９】そして、ボンディングワイヤ接続部分１１
ｂ，ランド部１１ｄ及び外部接続電極１１ｅを除いた部
分に、保護用レジスト樹脂が塗布されている。パッケー
ジ基板１１の上面には、半導体光センサ１７を囲んで四
角形状の枠体１３が接着されている。
【００２０】この枠体１３は、ガラスエポキシ樹脂製の
板材からなり、四角形状の穴部１３ａが形成されてい
る。そして、穴部１３ａの内側部分が、半導体光センサ
１７が実装されるチップキャビティとなる。この枠体１
３の上面には、矩形状のガラス板１５が接着されてい
る。
【００２１】そして、この実施形態では、パッケージ基
板１１および枠体１３が、不透明材料により形成され、
後に詳述する迷光対策が施されている。また、パッケー
ジ基板１１および枠体１３が同一の材料により形成され
ている。より具体的には、通常プリント配線基板に使用
されているＮＥＭＡグレードのＦＲ−４あるいはＦＲ−
５等の乳白色半透明基板材料に置き換えて、Ｇ−１０と
呼ばれる不透明黒色の基板材料が、パッケージ基板１１
および枠体１３の材料として使用されている。
【００２２】上述した半導体光センサパッケージは、本
発明の半導体光センサパッケージの製造方法の一実施形
態により以下述べるようにして製造される。この製造方
法では、パッケージ基板１１は、ガラスエポキシ樹脂か
らなるプリント配線基板を円形状のスルーホールの中心
を通る直線に沿って、ダイシング装置により切断するこ
とにより製造される。
【００２３】すなわち、プリント配線基板には、パッケ
ージ基板１１に必要なパターンが複数形成されており、
プリント配線基板をスルーホールの位置から切断するこ
とにより、複数のパッケージ基板１１を得ることができ
る。また、枠体１３は、図３に示すように、ガラスエポ
キシ樹脂製の板材に、ルータにより四角形状の穴加工を
施し穴部１３ａを形成した後、所定の外形形状に切断す
ることにより製造される。
【００２４】そして、この後、パッケージ基板１１およ
び枠体１３が洗浄され、パッケージ基板１１および枠体
１３の切断面等に付着した微細な塵が除去される。次
に、洗浄されたパッケージ基板１１の上面に半導体光セ
ンサ１７が実装される。次に、洗浄されたパッケージ基
板１１の上面の半導体光センサ１７を囲む位置に枠体１
３が接着される。
【００２５】そして、パッケージ基板１１に接着された
枠体１３にガラス板１５を接着することにより、所定の
半導体光センサパッケージが製造される。上述した半導
体光センサパッケージでは、パッケージ基板１１に半導
体光センサ１７を囲んで枠体１３を接着し、この枠体１
３にガラス板１５を接着するようにしたので、プリント
配線基板からなるパッケージ基板１１に実装される半導
体光センサ１７をガラス板１５により容易，確実に保護
することができる。
【００２６】すなわち、パッケージ基板１１にプリント
配線基板を使用する場合には、パッケージ基板１１に実
装される半導体光センサ１７が、パッケージ基板１１の
表面から突出するため、半導体光センサ１７をガラス板
１５により保護することが困難になる。しかしながら、
上述した半導体光センサパッケージでは、パッケージ基
板１１に半導体光センサ１７を囲んで枠体１３を接着
し、この枠体１３にガラス板１５を接着するようにした
ので、枠体１３とガラス板１５により半導体光センサ１
７を収容する密閉空間を容易，確実に形成することが可
能になり、半導体光センサ１７を容易，確実に保護する
ことができる。
【００２７】また、上述した半導体光センサパッケージ
では、パッケージ基板１１を不透明材料により形成した
ので、パッケージ基板１１における半導体光センサ１７
と反対側の面からの光がパッケージ基板１１を透過する
ことを確実に阻止することができる。すなわち、上述し
た半導体光センサパッケージでは、パッケージがＣＣ
Ｄ，ＣＭＯＳセンサ等のイメージセンサ、あるいは、そ
の他の半導体光センサ１７のパッケージと使用され、レ
ンズ等からの入射光を受光するため半導体光センサ１７
の受光面（センサ面）１７ｂがガラス板１５により覆わ
れ保護される。
【００２８】一方、受光面１７ｂ以外からの漏光は、半
導体光センサ１７の光学性能を低下させるため、漏光を
極力防止する必要がある。この場合に、当然カバーある
いはケース等により遮光を施すことも可能であるが、半
導体光センサパッケージ自体に、裏面からの漏光を防止
する機能を持たせることにより、より簡単にしかも低コ
ストで遮光を達成することができる。
【００２９】また、上述した半導体光センサパッケージ
では、枠体１３を不透明材料により形成したので、光が
枠体１３を透過し、半導体光センサ１７の受光面１７ｂ
に達することを確実に阻止することができる。そして、
上述した半導体光センサパッケージでは、枠体１３をパ
ッケージ基板１１と同一の材料にしたので、枠体１３と
パッケージ基板１１とを確実に接着することができる。
【００３０】すなわち、この場合には、パッケージ基板
１１と枠体１３との熱膨張係数が同じになるため、パッ
ケージ基板１１への枠体１３の接着が容易になり、ま
た、接着後の熱応力によるパッケージ基板１１および枠
体１３の反りあるいは剥がれを防止することが可能にな
り、結果として半導体光センサパッケージの信頼性を高
めることができる。
【００３１】そして、上述した半導体光センサパッケー
ジの製造方法では、パッケージ基板１１および枠体１３
を洗浄するようにしたので、パッケージ基板１１および
枠体１３の切断面の微細な塵を確実に除去することが可
能になり、これにより半導体光センサ１７の受光面１７
ｂに塵が付着することを防止することができる。すなわ
ち、ガラスエポキシ樹脂のプリント配線基板を切断して
得られたパッケージ基板１１、および、ガラスエポキシ
樹脂の板材を切断して得られた枠体１３の切断面には、
ガラスエポキシ樹脂の繊維にからみつくようにして微細
な切り屑が付着しており、これらの切り屑は、吸引等の
手段では、取り除くのが困難である。
【００３２】そして、パッケージ基板１１および枠体１
３に付着している切り屑が、組立時あるいは組立終了後
に、パッケージ基板１１あるいは枠体１３から離脱し、
半導体光センサ１７の受光面１７ｂあるいは受光面１７
ｂの上方のガラス板１５に付着する場合がある。このよ
うにして受光面１７ｂあるいは受光面１７ｂの上方のガ
ラス板１５に付着した塵は、ガラス板１５を通して半導
体光センサ１７に入射される光線を遮り、半導体光セン
サパッケージの光学性能が損なわれることになる。
【００３３】そこで、上述したようにパッケージ基板１
１および枠体１３を洗浄することにより、半導体光セン
サ１７の受光面１７ｂ、あるいは、受光面１７ｂの上方
のガラス板１５に塵が付着することを有効に防止するこ
とができる。そして、特に、パッケージ基板１１および
枠体１３の切断時に、切断面にからみつくようにして付
着した微細な塵を取り除くためには、超音波洗浄器を用
いて洗浄を行う方法が有効である。
【００３４】超音波洗浄器を用いた洗浄を行うことによ
り、切断面の塵を確実に取り除くことが可能になり、半
導体光センサ１７の特性低下を防ぎ、半導体光センサパ
ッケージの組立時の歩留まり低下を押さえることが可能
になる。なお、洗浄方法には、超音波洗浄による方法の
他に、高圧水流による方法や、界面活性剤を使用した洗
浄が適用可能であり、また、これ等の方法を組み合わせ
た方法によることも可能である。
【００３５】また、この実施形態の半導体光センサパッ
ケージの製造方法では、パッケージ基板１１に半導体光
センサ１７を実装した後に、パッケージ基板１１に枠体
１３を接着した例について説明したが、本発明はかかる
実施形態に限定されるものではなく、パッケージ基板１
１に枠体１３を接着した後に、半導体光センサ１７を実
装しても良い。
【００３６】（第２の実施形態）図４は、本発明の半導
体光センサパッケージの第２の実施形態を示している。
この第２の実施形態では、パッケージ基板１１Ａが、通
常プリント配線基板に使用されているＮＥＭＡグレード
のＦＲ−４あるいはＦＲ−５等の乳白色半透明基板材料
により形成されている。
【００３７】そして、パッケージ基板１１Ａの裏面に、
裏面側からの光を遮光する遮光層１１ｆが形成されてい
る。この遮光層１１ｆは、パッケージ基板１１Ａの裏面
の金属層に対して表面のパターン形成と同一の工程でパ
ターン形成され、表面と同様に金メッキされる。遮光層
１１ｆは、パッケージ基板１１Ａの裏面の略全面にわた
って、外部接続電極１１ｅのランド部１１ｈに接続しな
いように、ランド部１１ｈから所定距離を置いて形成さ
れている。
【００３８】そして、遮光層１１ｆの一部がランド部１
１ｈ側に突出形成され、突出部１１ｉが接地電位となる
ランド部１１ｈに接続されている。なお、この第２の実
施形態において、他の部分の構成は、第１の実施形態と
同様であるため、第１の実施形態と同一の部材には、同
一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３９】この実施形態の半導体光センサパッケージ
では、パッケージ基板１１Ａに遮光層１１ｆを形成した
ので、パッケージ基板１１Ａの裏面側からの光がパッケ
ージ基板１１Ａを透過することを確実に阻止することが
できる。また、遮光層１１ｆを裏面金属層により形成し
たので、遮光層１１ｆを容易，確実に形成することがで
きる。
【００４０】そして、遮光層１１ｆの一部を、接地電位
となるランド部１１ｈに接続したので、パッケージ基板
１１Ａの裏面側からの電磁波ノイズを有効にシールドす
ることができる。 （第３の実施形態）図５は、本発明の半導体光センサパ
ッケージの第３の実施形態を示している。
【００４１】この第３の実施形態では、パッケージ基板
１１Ｂが、通常プリント配線基板に使用されているＮＥ
ＭＡグレードのＦＲ−４あるいはＦＲ−５等の乳白色半
透明基板材料により形成されている。そして、遮光層１
１ｊが、パッケージ基板１１Ｂの肉厚方向の中間に形成
されている。
【００４２】このパッケージ基板１１Ｂは、プリント配
線基板を積層してなり、基板の積層前に、遮光層部分の
パターンが形成されている。遮光層１１ｊは、図５に点
線で示すように、パッケージ基板１１Ｂの略全面にわた
って、外部接続電極１１ｅに接続しないように、外部接
続電極１１ｅから所定距離を置いて形成されている。
【００４３】なお、この第３の実施形態において、他の
部分の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第１
の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付して詳細
な説明を省略する。この実施形態の半導体光センサパッ
ケージでは、遮光層１１ｊをパッケージ基板１１Ｂの肉
厚方向の中間に形成したので、より確実に遮光を行うこ
とができる。
【００４４】そして、この実施形態においても、遮光層
１１ｊの一部を、接地電位となる外部接続電極１１ｅに
接続することにより、パッケージ基板１１Ｂの裏面側か
らの電磁波ノイズを有効にシールドすることができる。 （第４の実施形態）図６は、本発明の半導体光センサパ
ッケージの第４の実施形態を示している。
【００４５】この第４の実施形態では、パッケージ基板
１１Ｃが、通常プリント配線基板に使用されているＮＥ
ＭＡグレードのＦＲ−４あるいはＦＲ−５等の乳白色半
透明基板材料により形成されている。そして、パッケー
ジ基板１１Ｃの裏面に、裏面側からの光を遮光する遮光
層１１ｋが形成されている。
【００４６】この遮光層１１ｋは、パッケージ基板１１
Ｃの裏面を保護するための保護層を、黒色の不透明材料
にすることにより形成されている。なお、この第４の実
施形態において、他の部分の構成は、第１の実施形態と
同様であるため、第１の実施形態と同一の部材には、同
一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４７】この実施形態の半導体光センサパッケージ
では、パッケージ基板１１Ｃの表面を保護するための保
護層を不透明材料により形成して遮光層１１ｋとしたの
で、別途遮光層を形成する必要がなくなり、工数を低減
することができる。すなわち、一般に、パッケージ基板
１１Ｃの半導体光センサ１７が実装される表面には、図
１に示したように、ボンディングワイヤ接続部分１１ｂ
および外部接続電極１１ｅを除いた部分に保護用レジス
トが塗布される。
【００４８】一方、パッケージ基板１１Ｃの裏面には、
外部接続電極１１ｅを除いた部分の全面にわたって保護
用レジストが塗布される。従って、このパッケージ基板
１１Ｃの裏面の保護用レジストを、不透明材料により形
成して遮光層１１ｋとすることにより、別途遮光層を形
成する必要がなくなり、工数を低減することができる。
【００４９】（第５の実施形態）図７は、本発明の半導
体光センサパッケージの第５の実施形態を示している。
この第５の実施形態では、パッケージ基板１１Ｄにおけ
る枠体１３の内側となる位置に空気抜き穴１１ｍが形成
され、空気抜き穴１１ｍが封止部材により封止されてい
る。
【００５０】そして、この実施形態では、空気抜き穴１
１ｍがスルーホールからなり、半田により封止されてい
る。なお、この第５の実施形態において、他の部分の構
成は、第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形
態と同一の部材には、同一の符号を付して詳細な説明を
省略する。
【００５１】この実施形態の半導体光センサパッケージ
では、パッケージ基板１１Ｄの枠体１３の内側となる位
置に空気抜き穴１１ｍを形成したので、枠体１３へのガ
ラス板１５の接着時に、枠体１３内に空気が密閉される
ことがなくなり、枠体１３にガラス板１５を確実に接着
することができる。また、空気抜き穴１１ｍをスルーホ
ールにより形成したので、半田により容易，確実に封止
することができる。
【００５２】すなわち、本発明の半導体光センサパッケ
ージは、図２に示したように、パッケージ基板１１上に
ダイボンディングされた半導体光センサ１７を、枠体１
３とガラス板１５とにより密閉する構造となっている。
パッケージ基板１１および枠体１３を構成するガラスエ
ポキシ樹脂と、ガラス板１５の通気性は充分に低いと考
えられ、半導体光センサパッケージの気密性で問題とな
るのは、パッケージ基板１１と枠体１３、および、枠体
１３とガラス板１５の接着部分で、特に後者である。
【００５３】パッケージ基板１１と枠体１３、および、
枠体１３とガラス板１５の接着工程では、接着部分に接
着用樹脂を塗布し２つの部材を貼りあわせ、クリップ等
を用いて接着面を加圧しながらオーブン等で熱硬化させ
て接着を行う。パッケージ基板１１と枠体１３との接着
の際には問題とならないが、枠体１３とガラス板１５と
の貼り合わせ段階においては、枠体１３とガラス板１５
の内側に空気が閉じこめられる。
【００５４】枠体１３とガラス板１５の内側に空気を閉
じこめながら、接着用樹脂を熱硬化させた場合、内部に
閉じこめられた空気は、熱膨張により体積が増えるた
め、完全に硬化する前の接着用樹脂を押しのけて外部に
出ようとする。一方、接着面は、クリップ等により加圧
されているため、接着用樹脂が硬化していなければ、空
気が出る際にできた隙間には再び未硬化の接着用樹脂が
供給される。
【００５５】しかし、空気の逃げ道となった隙間以外の
部分の接着用樹脂が、既に硬化を始めていると、隙間部
分は、更に加圧されることが無くなるため再度接着用樹
脂が供給されることは期待できない。結局、枠体１３と
ガラス板１５との間の接着面に、細い空気の通り道が形
成される結果となり、枠体１３とガラス板１５の内側の
気密性を充分に確保することが困難となる。
【００５６】しかしながら、この実施形態の半導体光セ
ンサパッケージでは、パッケージ基板１１Ｄの枠体１３
の内側となる位置に空気抜き穴１１ｍを形成したので、
枠体１３へのガラス板１５の接着時に、枠体１３内に空
気が密閉されることがなくなり、枠体１３にガラス板１
５を確実に接着することができる。すなわち、この実施
形態では、枠体１３へのガラス板１５の接着時において
も、内部の空気は、空気抜き穴１１ｍを通じて外部に排
出されるため、枠体１３にガラス板１５を確実に接着す
ることができる。
【００５７】そして、枠体１３へのガラス板１５の接着
後に、半田により空気抜き穴１１ｍを塞ぐことにより、
気密性を確実に確保することができる。そして、半田付
けの場合には、局所的に加熱する作業が可能であるた
め、内部の空気を殆ど膨張することなく容易に気密性を
確保することができる。なお、この実施形態では、空気
抜き穴１１ｍをスルーホールにより形成し半田により封
止した例について説明したが、本発明はかかる実施形態
に限定されるものではなく、パッケージ基板１１Ｄに単
に貫通穴を形成して空気抜き穴１１ｍとし、この空気抜
き穴１１ｍを接着剤等により封止するようにしても良
い。
【００５８】（第６の実施形態）図８は、本発明の半導
体光センサパッケージの第６の実施形態を示している。
この第６の実施形態では、枠体１３Ａの枠幅Ｗが、第１
の実施形態の枠体１３の枠幅より充分に小さくされてい
る。すなわち、第１の実施形態では、枠体１３の枠幅が
２〜３ｍｍ程度とされていたが、この実施形態では、枠
体１３Ａの枠幅Ｗが１ｍｍ以下の寸法とされている。
【００５９】また、第１の実施形態と同様に、枠体１３
Ａの外径Ｌ１が、ガラス板１５の外径Ｌ２より多少大き
くされている。なお、この第６の実施形態において、他
の部分の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第
１の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付して詳
細な説明を省略する。
【００６０】すなわち、通常、枠体１３Ａの枠幅は、大
きい方が、接着面の面積が増えるために、気密性が高く
なると考えられる。実際に、接着面の全体が確実に接着
されている場合には、接着面の幅が大きい方が信頼性が
高いと考えられる。しかしながら、接着面の幅が大きい
場合には、均一に接着させることが困難となる。
【００６１】そこで、この実施形態では、逆に枠体１３
Ａの枠幅Ｗを小さくすることで接着のムラを無くすこと
が可能となった。また、接着時の加圧も、枠幅が大きく
接着面の面積が広い場合に比較して、枠幅が小さい方
が、均一にしかも強い圧力を加えることが可能になる。
これらの理由により、枠体１３Ａの枠幅Ｗを小さくする
ことにより、隙間の出来にくい接着を行うことが可能と
なる。
【００６２】そして、具体的には、２ｍｍ以上の枠幅
を、１．５ｍｍ以下の枠幅Ｗにすることにより充分な効
果を確認することができた。また、枠体１３Ａの外径Ｌ
１を、ガラス板１５の外径Ｌ２より多少大きくしたの
で、枠体１３Ａとガラス板１５との気密性をより向上す
ることが可能となった。すなわち、枠体１３Ａの外径Ｌ
１を、ガラス板１５の外径Ｌ２より多少大きくしたの
で、枠体１３Ａの上面からはみ出した接着用樹脂Ｓが、
枠体１３Ａの上面とガラス板１５の側面の作る角部に溜
まるようになる。
【００６３】そして、これにより、枠体１３Ａとガラス
板１５との間から吐出した接着用樹脂Ｓが流れ出るのが
防止され、枠体１３Ａにガラス板１５をより確実に接着
することができる。 （第７の実施形態）図９は、本発明の半導体光センサパ
ッケージの第７の実施形態を示している。
【００６４】この第７の実施形態では、ダイパット１１
ｎの外径が、半導体光センサ１７の外径より大きくさ
れ、パッケージ基板１１の中央に形成されるダイパット
１１ｎの中央に、半導体光センサ１７を配置した時に、
半導体光センサ１７の外側とダイパット１１ｎの外側と
の間に、０．５ｍｍ以下の寸法の間隔Ｗ１が形成されて
いる。
【００６５】なお、この第７の実施形態において、他の
部分の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第１
の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付して詳細
な説明を省略する。すなわち、半導体光センサパッケー
ジは、図１に示したように、パッケージ基板１１上に、
半導体光センサ１７および枠体１３を接着し、枠体１３
の上面にガラス板１５を接着した構造となっており、半
導体光センサ１７の接着位置の精度が重要な意味を持
つ。
【００６６】そこで、この実施形態では、ダイパット１
１ｎの外径が、半導体光センサ１７の外径より大きくさ
れ、半導体光センサ１７をダイパット１１ｎに配置した
時に、半導体光センサ１７の外側に０．５ｍｍ以下の幅
でダイパット１１ｎが見えるようにされている。この結
果、ダイパット１１ｎに対する半導体光センサ１７の位
置ズレを容易に確認することが可能になり、半導体光セ
ンサ１７のダイパット１１ｎへの実装時における位置合
わせを容易に行うことができる。
【００６７】（第８の実施形態）図１０は、本発明の半
導体光センサパッケージの第８の実施形態を示してい
る。この第８の実施形態では、パッケージ基板１１Ｅの
外部接続電極１１ｅのランド部１１ｄの内側端１１ｐ
が、一直線Ｌ上に位置するように形成されている。そし
て、枠体１３Ｂの外径が、上述した直線Ｌの間の中央に
枠体１３Ｂを配置した時に、直線Ｌとの間に、０．５ｍ
ｍ以下の間隔Ｗ２が形成されるように小さくされてい
る。
【００６８】なお、この第８の実施形態において、他の
部分の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第１
の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付して詳細
な説明を省略する。この実施形態の半導体光センサパッ
ケージでは、パッケージ基板１１Ｅに枠体１３Ｂを配置
した場合に、パッケージ基板１１Ｅに対する枠体１３Ｂ
の位置ズレを容易に確認することが可能になり、枠体１
３Ｂとパッケージ基板１１Ｅとの位置合わせを容易に行
うことができる。
【００６９】
【発明の効果】以上述べたように、請求項１の半導体光
センサパッケージでは、パッケージ基板に半導体光セン
サを囲んで枠体を接着し、この枠体にガラス板を接着す
るようにしたので、プリント配線基板からなるパッケー
ジ基板に実装される半導体光センサをガラス板により容
易，確実に保護することができる。
【００７０】請求項２の半導体光センサパッケージで
は、パッケージ基板を不透明材料により形成したので、
パッケージ基板における半導体光センサと反対側の面か
らの光がパッケージ基板を透過することを確実に阻止す
ることができる。請求項３の半導体光センサパッケージ
では、枠体を不透明材料により形成したので、光が枠体
を透過することを確実に阻止することができる。
【００７１】請求項４の半導体光センサパッケージで
は、枠体をパッケージ基板と同一の材料にしたので、枠
体とパッケージ基板とを確実に接着することができる。
請求項５の半導体光センサパッケージでは、パッケージ
基板に遮光層を形成したので、パッケージ基板における
半導体光センサと反対側の面からの光がパッケージ基板
を透過することを確実に阻止することができる。
【００７２】請求項６の半導体光センサパッケージで
は、遮光層を金属メッキにより形成したので、遮光層を
容易，確実に形成することができる。請求項７の半導体
光センサパッケージでは、遮光層をパッケージ基板の肉
厚方向の中間に形成したので、より確実に遮光を行うこ
とができる。請求項８の半導体光センサパッケージで
は、パッケージ基板の表面を保護するための保護層を不
透明材料により形成して遮光層としたので、別途遮光層
を形成する必要がなくなり、工数を低減することができ
る。
【００７３】請求項９の半導体光センサパッケージで
は、パッケージ基板の枠体の内側となる位置に空気抜き
穴を形成したので、枠体へのガラス板の接着時に、枠体
内に空気が密閉されることがなくなり、枠体にガラス板
を確実に接着することができる。請求項１０の半導体光
センサパッケージでは、空気抜き穴をスルーホールによ
り形成したので、半田により容易，確実に封止すること
ができる。
【００７４】請求項１１の半導体光センサパッケージの
製造方法では、パッケージ基板を洗浄するようにしたの
で、パッケージ基板の切断面の微細な塵を確実に除去す
ることができ、これにより半導体光センサのセンサ面に
塵が付着することを防止することができる。請求項１２
の半導体光センサパッケージの製造方法では、枠体を洗
浄後にパッケージ基板に接着するようにしたので、半導
体光センサのセンサ面に塵が付着することをより確実に
防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体光センサパッケージの第１の実
施形態を示す分解斜視図である。
【図２】図１の半導体光センサパッケージを示す側面図
である。
【図３】図１の枠体の製造方法を示す説明図である。
【図４】本発明の半導体光センサパッケージの第２の実
施形態を示す底面図である。
【図５】本発明の半導体光センサパッケージの第３の実
施形態を示す底面図である。
【図６】本発明の半導体光センサパッケージの第４の実
施形態を示す底面図である。
【図７】本発明の半導体光センサパッケージの第５の実
施形態のパッケージ基板を示す上面図である。
【図８】本発明の半導体光センサパッケージの第６の実
施形態を示す側面図である。
【図９】本発明の半導体光センサパッケージの第７の実
施形態のダイパットと半導体光センサとの関係を示す説
明図である。
【図１０】本発明の半導体光センサパッケージの第８の
実施形態のパッケージ基板と枠体との関係を示す説明図
である。
【符号の説明】
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ パッ
ケージ基板 １１ｃ スルーホール １１ｅ 外部接続電極 １１ｆ，１１ｊ，１１ｋ 遮光層 １１ｍ 空気抜き穴 １３，１３Ａ，１３Ｂ 枠体 １５ ガラス板 １７ 半導体光センサ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂からなるプリント配線基板を用いた
    パッケージ基板と、 前記パッケージ基板の一面に実装される半導体光センサ
    と、 前記半導体光センサを囲んで配置され前記パッケージ基
    板の前記一面に接着される枠体と、 前記枠体の前記パッケージ基板と反対側の面に接着され
    るガラス板と、 を有することを特徴とする半導体光センサパッケージ。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体光センサパッケー
    ジにおいて、 前記パッケージ基板が、不透明材料からなることを特徴
    とする半導体光センサパッケージ。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の半導体光
    センサパッケージにおいて、 前記枠体が、不透明材料からなることを特徴とする半導
    体光センサパッケージ。
  4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項
    記載の半導体光センサパッケージにおいて、 前記枠体が、前記パッケージ基板と同一の材料からなる
    ことを特徴とする半導体光センサパッケージ。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の半導体光センサパッケー
    ジにおいて、 前記パッケージ基板に、前記パッケージ基板の前記一面
    と反対側の面からの光を遮光する遮光層を形成してなる
    ことを特徴とする半導体光センサパッケージ。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体光センサパッケー
    ジにおいて、 前記遮光層は、金属メッキにより形成されていることを
    特徴とする半導体光センサパッケージ。
  7. 【請求項７】 請求項５または請求項６記載の半導体光
    センサパッケージにおいて、 前記遮光層は、前記パッケージ基板の肉厚方向の中間に
    形成されていることを特徴とする半導体光センサパッケ
    ージ。
  8. 【請求項８】 請求項５記載の半導体光センサパッケー
    ジにおいて、 前記遮光層は、前記パッケージ基板の表面を保護するた
    めの保護層を不透明材料により形成してなることを特徴
    とする半導体光センサパッケージ。
  9. 【請求項９】 請求項１ないし請求項８のいずれか１項
    記載の半導体光センサパッケージにおいて、 前記パッケージ基板の前記枠体の内側となる位置に空気
    抜き穴が形成され、前記空気抜き穴が封止部材により封
    止されていることを特徴とする半導体光センサパッケー
    ジ。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体光センサパッケ
    ージにおいて、 前記空気抜き穴がスルーホールからなり、半田により封
    止されていることを特徴とする半導体光センサパッケー
    ジ。
  11. 【請求項１１】 樹脂からなるプリント配線基板をスル
    ーホールの位置において切断工具により切断しパッケー
    ジ基板を得る工程と、 前記パッケージ基板を洗浄する工程と、 前記洗浄されたパッケージ基板の一面に半導体光センサ
    を実装する工程と、 前記洗浄されたパッケージ基板の一面の前記半導体光セ
    ンサを囲む位置に枠体を接着する工程と、 前記パッケージ基板に接着された枠体にガラス板を接着
    する工程と、 を有することを特徴とする半導体光センサパッケージの
    製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体光センサパッ
    ケージの製造方法において、 前記枠体は、樹脂からなる基板を加工工具により所定形
    状に加工して形成され、洗浄後に、前記パッケージ基板
    に接着されることを特徴とする半導体光センサパッケー
    ジの製造方法。
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