JP2002141364A - 機械的応力を減少させる緩衝素子の製造方法 - Google Patents
機械的応力を減少させる緩衝素子の製造方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 緩衝素子をより簡単に製造する方法、及びよ
り安定した緩衝素子を提供する。 【解決手段】 異なる熱膨張係数を有する二つの材料間
の機械的応力を低減させために、互いに本質的に独立し
て膨張及び又は収縮の可能である領域を有する自己支持
緩衝素子を製造する方法において、三次元構造体
（１’，１”）を互いに本質的に独立して膨張及び又は
収縮の可能である領域に分割するように、金属シート
（１）を三次元構造体（１’，１”）に変形させ、その
結果、三次元構造体（１’，１”）をプレスし、且つ構
造プレート（Ｐ）を形成するように加工する。この方法
は、緩衝素子を製造するのに使用することができ、緩衝
素子は、簡単に製造され、特に半導体技術の用途に関し
て、安定して、簡単に扱われる。
り安定した緩衝素子を提供する。 【解決手段】 異なる熱膨張係数を有する二つの材料間
の機械的応力を低減させために、互いに本質的に独立し
て膨張及び又は収縮の可能である領域を有する自己支持
緩衝素子を製造する方法において、三次元構造体
（１’，１”）を互いに本質的に独立して膨張及び又は
収縮の可能である領域に分割するように、金属シート
（１）を三次元構造体（１’，１”）に変形させ、その
結果、三次元構造体（１’，１”）をプレスし、且つ構
造プレート（Ｐ）を形成するように加工する。この方法
は、緩衝素子を製造するのに使用することができ、緩衝
素子は、簡単に製造され、特に半導体技術の用途に関し
て、安定して、簡単に扱われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気電子分野に関
する。本発明は、請求項１の前文による異なる熱膨張係
数を有する二つの材料間の機械的応力を減少させる緩衝
素子の製造方法、及び請求項１４の前文による緩衝素子
に関する。
する。本発明は、請求項１の前文による異なる熱膨張係
数を有する二つの材料間の機械的応力を減少させる緩衝
素子の製造方法、及び請求項１４の前文による緩衝素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】このタイプの緩衝素子は、半導体素子と
プレート形状の金属電極との間の熱誘導による機械的応
力を最小にするために、高出力半導体デバイスに使用さ
れる。機械的応力は、半導体素子と金属電極との間の結
合層の疲労につながり、その結果、半導体デバイスの電
気的挙動を害し、半導体デバイスの破損につながること
がある。
プレート形状の金属電極との間の熱誘導による機械的応
力を最小にするために、高出力半導体デバイスに使用さ
れる。機械的応力は、半導体素子と金属電極との間の結
合層の疲労につながり、その結果、半導体デバイスの電
気的挙動を害し、半導体デバイスの破損につながること
がある。
【０００３】したがって、従来技術において、これに対
する１つの応答は、半導体チップと金属電極を、はんだ
層を使用せずに外部ばね要素によって互いに押す、プレ
スパックモジュールとして知られているものを使用する
ことがある。これは、一般の認めるところでは、熱誘導
によるいかなる機械的応力をも受けない滑り電気接触を
生ずる。しかしながら、これらの接触は比較的高い熱抵
抗を有し、その結果、デバイスの機能能力が制限される
ことが不利である。
する１つの応答は、半導体チップと金属電極を、はんだ
層を使用せずに外部ばね要素によって互いに押す、プレ
スパックモジュールとして知られているものを使用する
ことがある。これは、一般の認めるところでは、熱誘導
によるいかなる機械的応力をも受けない滑り電気接触を
生ずる。しかしながら、これらの接触は比較的高い熱抵
抗を有し、その結果、デバイスの機能能力が制限される
ことが不利である。
【０００４】また、機械的応力を吸収するために、半導
体チップと金属電極との間に緩衝素子を配置することが
知られている。半導体デバイスの機能能力を害さないた
めに、緩衝素子は、良好な熱伝導率及び導電率を有しな
ければならない。
体チップと金属電極との間に緩衝素子を配置することが
知られている。半導体デバイスの機能能力を害さないた
めに、緩衝素子は、良好な熱伝導率及び導電率を有しな
ければならない。
【０００５】ジェームス・バージェスら，「パワーパッ
ケージにおけるはんだの疲労問題」，アメリカ電気・電
子通信学会報部品編，ハイブリットと製造技術，第７
巻，第４号，１９８４年１２月，４０５頁−４１０頁，
は、ここでは「構造銅」と呼ばれる、先に述べたタイプ
の緩衝素子を述べている。銅のこの緩衝素子は、互いに
独立に移動でき、連続して配置された非常に多数の銅線
のピースからなる。それらの銅線のピースを異なる熱膨
張係数を有する二つの材料間のリンクとして使用するな
らば、銅線のピースの移動の自由により、銅線のピース
は機械的応力を結合における他の要素に伝達することな
く機械的応力を吸収することが可能である。
ケージにおけるはんだの疲労問題」，アメリカ電気・電
子通信学会報部品編，ハイブリットと製造技術，第７
巻，第４号，１９８４年１２月，４０５頁−４１０頁，
は、ここでは「構造銅」と呼ばれる、先に述べたタイプ
の緩衝素子を述べている。銅のこの緩衝素子は、互いに
独立に移動でき、連続して配置された非常に多数の銅線
のピースからなる。それらの銅線のピースを異なる熱膨
張係数を有する二つの材料間のリンクとして使用するな
らば、銅線のピースの移動の自由により、銅線のピース
は機械的応力を結合における他の要素に伝達することな
く機械的応力を吸収することが可能である。
【０００６】ホーマーＨら，「構造銅：シリコン出力デ
バイスに結合するための可撓性高電導度材料」，アメリ
カ電気・電子通信学会報部品編，ハイブリットと製造技
術，第６巻，第４号，１９８３年１２月，４６０頁−４
６６頁，は、いかにして上述したタイプの「構造銅」素
子を製造するかを述べている。典型的には０．０２５ｍ
ｍの直径を有する、細い、被膜銅フィラメントを、互い
にある距離をおいて配置された二本の棒のまわりに巻き
付ける。この方法で得られたコイルを、線引き台を通し
て引かれた銅管の中へ押し込む。その後、管をコイルと
一緒に数回プレスし、ついには１６００本／ｃｍ2まで
の巻線密度を成し遂げる。結論として言えば、管を切断
して、ディスクにする。銅製リングによって一緒に保持
された、銅線のばらのピースからなるディスクを得る。
リングを取り外す場合には、例えば、銅線のピースの一
端を一緒にはんだ付けしたりして、互いに連結しなけれ
ばならない。
バイスに結合するための可撓性高電導度材料」，アメリ
カ電気・電子通信学会報部品編，ハイブリットと製造技
術，第６巻，第４号，１９８３年１２月，４６０頁−４
６６頁，は、いかにして上述したタイプの「構造銅」素
子を製造するかを述べている。典型的には０．０２５ｍ
ｍの直径を有する、細い、被膜銅フィラメントを、互い
にある距離をおいて配置された二本の棒のまわりに巻き
付ける。この方法で得られたコイルを、線引き台を通し
て引かれた銅管の中へ押し込む。その後、管をコイルと
一緒に数回プレスし、ついには１６００本／ｃｍ2まで
の巻線密度を成し遂げる。結論として言えば、管を切断
して、ディスクにする。銅製リングによって一緒に保持
された、銅線のばらのピースからなるディスクを得る。
リングを取り外す場合には、例えば、銅線のピースの一
端を一緒にはんだ付けしたりして、互いに連結しなけれ
ばならない。
【０００７】このタイプの「構造銅」素子は、米国特許
第４３８５３１０号にも記述されている。
第４３８５３１０号にも記述されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】構造銅のこれらの緩衝
素子は、一般の認めるところでは成功であると証明し
た。しかしながら、不幸にして、それらの緩衝素子の製
造は、時間がかかり、それゆえ、コスト高である。さら
に、これらの緩衝素子は、ばらの線ピースのためにもろ
く、扱いが難しい。
素子は、一般の認めるところでは成功であると証明し
た。しかしながら、不幸にして、それらの緩衝素子の製
造は、時間がかかり、それゆえ、コスト高である。さら
に、これらの緩衝素子は、ばらの線ピースのためにもろ
く、扱いが難しい。
【０００９】従って、本発明の目的は、緩衝素子をより
簡単に製造する方法、及びより安定した緩衝素子を提供
することである。
簡単に製造する方法、及びより安定した緩衝素子を提供
することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、請求項
１の特徴を有する製造方法と、請求項１４の特徴を有す
る緩衝素子とによって成し遂げられる。
１の特徴を有する製造方法と、請求項１４の特徴を有す
る緩衝素子とによって成し遂げられる。
【００１１】本発明によれば、初めに金属シートを選
び、金属シートを互いに本質的に独立して膨張及び又は
収縮のできる領域に分割するように金属シートを三次元
的に変形させ、金属シートを引き続くプレスによって構
造プレートの形態の緩衝素子に変形させ、その結果、こ
の緩衝素子は、互いに本質的に独立して膨張及び又は収
縮の可能である領域を有する。
び、金属シートを互いに本質的に独立して膨張及び又は
収縮のできる領域に分割するように金属シートを三次元
的に変形させ、金属シートを引き続くプレスによって構
造プレートの形態の緩衝素子に変形させ、その結果、こ
の緩衝素子は、互いに本質的に独立して膨張及び又は収
縮の可能である領域を有する。
【００１２】銅線のかわりに金属シートを選択すること
によって、製造を大変簡単にする。構造プレートを製造
するには、３つ乃至４つの簡単な作業工程で十分であ
る。
によって、製造を大変簡単にする。構造プレートを製造
するには、３つ乃至４つの簡単な作業工程で十分であ
る。
【００１３】本発明による緩衝素子は、少なくともほぼ
ワンピースとして形成され、従って、外部固定手段によ
って一緒に保持される必要はない。本発明による緩衝素
子は、周知の「構造銅」素子よりもずっと安定していて
扱いやすく、自己支持する。さらなる利点は、線の小さ
な部分から構成された周知の「構造銅」素子よりもずっ
と小さな厚みを有する緩衝素子を製造することができる
ことである。
ワンピースとして形成され、従って、外部固定手段によ
って一緒に保持される必要はない。本発明による緩衝素
子は、周知の「構造銅」素子よりもずっと安定していて
扱いやすく、自己支持する。さらなる利点は、線の小さ
な部分から構成された周知の「構造銅」素子よりもずっ
と小さな厚みを有する緩衝素子を製造することができる
ことである。
【００１４】本方法の好ましい第１実施例では、金属シ
ートを深絞りによって構造化し、次いで金属シートを横
方向及び好ましくは垂直方向のプレスによって少なくと
もほぼ平面と平行な構造プレートに変形させる。
ートを深絞りによって構造化し、次いで金属シートを横
方向及び好ましくは垂直方向のプレスによって少なくと
もほぼ平面と平行な構造プレートに変形させる。
【００１５】本方法の好ましい第２実施例では、シート
を折り曲げ、折り曲げた状態のシートをロールに巻き上
げ、その後、ロールをその長手方向軸線に関して垂直な
方向にプレスする。このロールをその長手方向軸線に沿
って切断してディスクにし、ディスクは、次いで、好ま
しくは垂直方向のプレス後、所望のプレート形状の緩衝
素子を形成する。
を折り曲げ、折り曲げた状態のシートをロールに巻き上
げ、その後、ロールをその長手方向軸線に関して垂直な
方向にプレスする。このロールをその長手方向軸線に沿
って切断してディスクにし、ディスクは、次いで、好ま
しくは垂直方向のプレス後、所望のプレート形状の緩衝
素子を形成する。
【００１６】本方法のさらなる有利な変形例及び有利な
実施例が、特許請求の範囲によって明らかになる。
実施例が、特許請求の範囲によって明らかになる。
【００１７】本発明の主題を、添付図面に示された好ま
しい例示の実施形態に基づいて、以下に、より詳細に説
明する。
しい例示の実施形態に基づいて、以下に、より詳細に説
明する。
【００１８】本発明による方法では、初めに金属シート
１を選ぶ。これは、好ましくは、銅又はアルミニウムの
シートである。シートは、好ましくは、０．１ｍｍ乃至
２ｍｍまでの厚さを有する。シートは、破断せずにこれ
を簡単方法で変形させられる程軟質であるべきである。
四角形、特に正方形のシートの使用が好ましい。
１を選ぶ。これは、好ましくは、銅又はアルミニウムの
シートである。シートは、好ましくは、０．１ｍｍ乃至
２ｍｍまでの厚さを有する。シートは、破断せずにこれ
を簡単方法で変形させられる程軟質であるべきである。
四角形、特に正方形のシートの使用が好ましい。
【００１９】本発明によれば、第１製造工程では、シー
ト１を変形させて、互いに本質的に独立して膨張及び又
は収縮のできる領域に分割しうる三次元構造体１’，
１”にする。
ト１を変形させて、互いに本質的に独立して膨張及び又
は収縮のできる領域に分割しうる三次元構造体１’，
１”にする。
【００２０】第２工程では、この三次元構造体１’，
１”をプレスし、次の工程で所定厚さの構造プレートＰ
に加工する。その結果、緩衝素子は、曲がりくねった形
態を有するプレス加工シートからなる構造プレートの形
態を有する。
１”をプレスし、次の工程で所定厚さの構造プレートＰ
に加工する。その結果、緩衝素子は、曲がりくねった形
態を有するプレス加工シートからなる構造プレートの形
態を有する。
【００２１】図１ａ乃至図１ｆに、本発明による製造方
法の第１実施例を示す。図１ａに、上述したシート１を
示す。図１ｂによる第１製造工程では、シート１を深絞
りし、シート平面１０の外に突出するフィンガー１１が
プレスすることによってシート面１０に形成される。こ
れは、例えば、対応して形成されたダイストライカー２
０を有するダイ２によって行われる。この作業では、好
ましくは、フィンガー１１は、シート平面１０の両側を
プレスすることによって、例えば、両面から互いに対し
て同時にプレスされるダイ２によって、シート平面１０
に形成される。
法の第１実施例を示す。図１ａに、上述したシート１を
示す。図１ｂによる第１製造工程では、シート１を深絞
りし、シート平面１０の外に突出するフィンガー１１が
プレスすることによってシート面１０に形成される。こ
れは、例えば、対応して形成されたダイストライカー２
０を有するダイ２によって行われる。この作業では、好
ましくは、フィンガー１１は、シート平面１０の両側を
プレスすることによって、例えば、両面から互いに対し
て同時にプレスされるダイ２によって、シート平面１０
に形成される。
【００２２】図１ｃに示すように、曲がりくねった横断
面を有する三次元構造体１’を製造する。図１ｃでは、
矩形のフィンガー１１が表わされている。しかしなが
ら、その形態は、成し遂げようとする緩衝素子の特性に
より選択される、使用されるダイ２のタイプで決まる。
特に、フィンガー１１は円形表面を有していても良い。
この例では、構造体１’は、図１ｄに最も良くにわかる
ように、平面図においてチェック模様を有する。ここ
に、黒い領域は下方に突出したフィンガー１１を示し、
白い領域は上方に突出したフィンガー１１を示す。しか
しながら、他の形態が可能である。
面を有する三次元構造体１’を製造する。図１ｃでは、
矩形のフィンガー１１が表わされている。しかしなが
ら、その形態は、成し遂げようとする緩衝素子の特性に
より選択される、使用されるダイ２のタイプで決まる。
特に、フィンガー１１は円形表面を有していても良い。
この例では、構造体１’は、図１ｄに最も良くにわかる
ように、平面図においてチェック模様を有する。ここ
に、黒い領域は下方に突出したフィンガー１１を示し、
白い領域は上方に突出したフィンガー１１を示す。しか
しながら、他の形態が可能である。
【００２３】図１ｄに示す次の製造工程では、三次元構
造体１’を横方向に、シート平面１０と平行にプレスす
る。この作業では、第１プレスストライカー３を少なく
とも２つの側面、ここでは４つの側面からシート平面の
構造体に当てる。このプレス加工は、好ましくは、４つ
の側面すべてから一様に行われる。ここでは、構造体
１’がシート平面１０に関して垂直な方向に過度にはず
れることがないことを確保しなければならない。これ
は、好ましくは、構造体１’を二つのカウンタープレー
ト（ここでは図示せず）の間に置くことによって防止さ
れる。構造体１’を、その後の使用に応じて、所望の密
度までプレスする。プレス後、構造体１’は、好ましく
は７０％乃至９９％の密度を有する。
造体１’を横方向に、シート平面１０と平行にプレスす
る。この作業では、第１プレスストライカー３を少なく
とも２つの側面、ここでは４つの側面からシート平面の
構造体に当てる。このプレス加工は、好ましくは、４つ
の側面すべてから一様に行われる。ここでは、構造体
１’がシート平面１０に関して垂直な方向に過度にはず
れることがないことを確保しなければならない。これ
は、好ましくは、構造体１’を二つのカウンタープレー
ト（ここでは図示せず）の間に置くことによって防止さ
れる。構造体１’を、その後の使用に応じて、所望の密
度までプレスする。プレス後、構造体１’は、好ましく
は７０％乃至９９％の密度を有する。
【００２４】図１ｅによる最終工程では、三次元構造体
１’を垂直に、すなわちシート平面１０に関して垂直な
方向にプレスする。このことは、各側面に一つずつ、当
てられる二つのプレスストライカー４によって行われ
る。
１’を垂直に、すなわちシート平面１０に関して垂直な
方向にプレスする。このことは、各側面に一つずつ、当
てられる二つのプレスストライカー４によって行われ
る。
【００２５】この最終の方法工程を、横方向のプレスと
同時に行ってもよい。さらに、第３ダイ４をカウンター
プレートとして使用してもよい。
同時に行ってもよい。さらに、第３ダイ４をカウンター
プレートとして使用してもよい。
【００２６】図１ｆでは、得られた緩衝素子を横断面で
表わしている。それは、曲がりくねった横断面を有する
プレートＰからなり、その曲がりくねりは、密集したパ
ックにプレスされていたが、それにもかかわらず、曲が
りくねりの枝部を互いに独立して大きく移動させる。
表わしている。それは、曲がりくねった横断面を有する
プレートＰからなり、その曲がりくねりは、密集したパ
ックにプレスされていたが、それにもかかわらず、曲が
りくねりの枝部を互いに独立して大きく移動させる。
【００２７】図２ａ乃至図２ｆに、本発明による方法の
第２変形例を示す。図２ａによれば、初めに出発材料と
して再び金属シート１を選ぶ。第１方法工程では、金属
シート１を折り曲げ装置５の中に通し、二つの星形折り
曲げローラー５０及び二つの搬送ローラー５１が図２ｂ
に概略的に示されている。シート１を二つの折り曲げロ
ーラー５０間で折り曲げる。ここに示す例では、シート
１を等間隔に曲げ、尖ったエッジを有する波形シート１
２を製造する。しかしながら、他の折り曲げ形態、特に
丸いエッジも可能である。続いて配置された搬送ローラ
ー５１では、波形シート１２を所望のポイント間隔ｄで
巻取装置６に送り込む。折り曲げた出発材料をこの巻取
装置６に巻いて、星形の横断面を有する構造ロール１”
にする。この作業では、シート１の折り曲げた構造を保
持するのを確保する。すなわち、巻取速度及び送りの張
力を適当に選ばなければならない。
第２変形例を示す。図２ａによれば、初めに出発材料と
して再び金属シート１を選ぶ。第１方法工程では、金属
シート１を折り曲げ装置５の中に通し、二つの星形折り
曲げローラー５０及び二つの搬送ローラー５１が図２ｂ
に概略的に示されている。シート１を二つの折り曲げロ
ーラー５０間で折り曲げる。ここに示す例では、シート
１を等間隔に曲げ、尖ったエッジを有する波形シート１
２を製造する。しかしながら、他の折り曲げ形態、特に
丸いエッジも可能である。続いて配置された搬送ローラ
ー５１では、波形シート１２を所望のポイント間隔ｄで
巻取装置６に送り込む。折り曲げた出発材料をこの巻取
装置６に巻いて、星形の横断面を有する構造ロール１”
にする。この作業では、シート１の折り曲げた構造を保
持するのを確保する。すなわち、巻取速度及び送りの張
力を適当に選ばなければならない。
【００２８】このようにロール１”の形態に製造された
三次元構造体を、図２ｃによる次の方法工程でその長手
方向軸線に関して少なくともほぼ垂直な方向にプレスす
る。好ましくは、構造ロール１”をプレスして、四角
形、特に正方形の横断面形態にする。このため、プレス
ストライカー３’を再び使用する。好ましくは、プレス
ストライカー３’をロール１”に少なくとも二つの両側
から同時に当てるが、カウンタープレート４’はその他
方の両側にある。
三次元構造体を、図２ｃによる次の方法工程でその長手
方向軸線に関して少なくともほぼ垂直な方向にプレスす
る。好ましくは、構造ロール１”をプレスして、四角
形、特に正方形の横断面形態にする。このため、プレス
ストライカー３’を再び使用する。好ましくは、プレス
ストライカー３’をロール１”に少なくとも二つの両側
から同時に当てるが、カウンタープレート４’はその他
方の両側にある。
【００２９】図２ｄに、プレスされた立方体のロール
１'''を示す。それは、意図した用途に適合した密度を
有する。そのロール１'''を高出力半導体素子における
半導体チップと金属プレートとの中間層として使用する
場合、その密度は、好ましくは７０％から９０％であ
る。
１'''を示す。それは、意図した用途に適合した密度を
有する。そのロール１'''を高出力半導体素子における
半導体チップと金属プレートとの中間層として使用する
場合、その密度は、好ましくは７０％から９０％であ
る。
【００３０】図２ｅによる次の方法工程では、プレスさ
れたロール１'''をその長手方向軸線に沿って切断して
ディスク１２にする。
れたロール１'''をその長手方向軸線に沿って切断して
ディスク１２にする。
【００３１】最終の方法工程では、ディスク１２を好ま
しくはそのディスク平面に関して垂直にプレスして、で
きるだけ平らな面を得る。このプレスを各ディスクにつ
いて個々に、或いは多数のディスクについて共同して行
ない、好ましくは、中間層を後者の場合に使用する。こ
れにより、再び、ワンピースのらせん巻シートからなる
構造プレートＰの形態の緩衝素子が生じ、らせんは、曲
がりくねった方法で延びる巻線を有する。
しくはそのディスク平面に関して垂直にプレスして、で
きるだけ平らな面を得る。このプレスを各ディスクにつ
いて個々に、或いは多数のディスクについて共同して行
ない、好ましくは、中間層を後者の場合に使用する。こ
れにより、再び、ワンピースのらせん巻シートからなる
構造プレートＰの形態の緩衝素子が生じ、らせんは、曲
がりくねった方法で延びる巻線を有する。
【００３２】本発明による緩衝素子は一般的に、異なる
熱膨張係数を有する二つの材料のための連結素子として
適当である。しかしながら、好ましい適用分野は半導体
技術にある。
熱膨張係数を有する二つの材料のための連結素子として
適当である。しかしながら、好ましい適用分野は半導体
技術にある。
【図１ａ】本発明による方法の第１変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図１ｂ】本発明による方法の第１変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図１ｃ】本発明による方法の第１変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図１ｄ】本発明による方法の第１変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図１ｅ】本発明による方法の第１変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図１ｆ】本発明による方法の第１変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図２ａ】本発明による方法の第２変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図２ｂ】本発明による方法の第２変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図２ｃ】本発明による方法の第２変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図２ｄ】本発明による方法の第２変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図２ｅ】本発明による方法の第２変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
【図２ｆ】本発明による方法の第２変形例における緩衝
素子の製造工程の一部を示す。
素子の製造工程の一部を示す。
１ 金属シート １’ 三次元構造体 １” 構造ロール １''' プレスされたロール ２ ダイ ３ 第１プレスストライカー ３’ プレスストライカー ４ 第２プレスストライカー ４’ カウンタープレート ５ 折り曲げ装置 ６ 巻取装置 ７ 第３プレスストライカー １０ シート平面 １１ フィンガー １２ 波形シート ２０ ダイストライカー ５０ 折り曲げローラー ５１ 搬送ローラー ｄ ポイント間隔 Ｐ 構造プレート
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F044 LL13 5F047 AA19 AB03 AB06 BC31 JA07 JB07
Claims (16)
- 【請求項１】 異なる熱膨張係数を有する二つの材料間
の機械的応力を減少させる自己支持緩衝素子の製造方法
であって、その緩衝素子は、互いに本質的に独立して膨
張及び又は収縮の可能である領域を有し、 金属シート（１）を三次元構造体（１’，１”）に変形
させて、前記三次元構造体（１’，１”）を、互いに本
質的に独立して膨張及び又は収縮の可能である領域に分
割し、 前記三次元構造体（１’，１”）を、プレスし且つ加工
して、構造プレート（Ｐ）を形成する、ことを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項２】 銅又はアルミニウムのシート（１）を使
用することを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 ０．１ｍｍ乃至２ｍｍの厚さを有するシ
ート（１）を使用することを特徴とする請求項１に記載
の方法。 - 【請求項４】 三次元構造体（１”）を形成するため
に、シート（１）を深絞りし、シート平面（１０）の外
に突出するフィンガー（１０）をプレスによって前記シ
ート平面（１０）に形成し、前記三次元構造体（１”）
をシート平面（１０）と平行に、且つシート平面（１
０）と垂直に、プレスすることと、を特徴とする請求項
１に記載の方法。 - 【請求項５】 フィンガー（１１）をシート（１）の両
側面にプレスによって形成することを特徴とする請求項
４に記載の方法。 - 【請求項６】 シート平面（１０）の三次元構造体
（１’）を少なくとも二方向、特に四方向にプレスする
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項７】 三次元構造体（１’）をシート平面（１
０）と平行に、７０％乃至９９％の密度にプレスするこ
とを特徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項８】 三次元構造体（１’）をシート平面（１
０）と垂直に０％乃至３０％の密度に締め固めることを
特徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項９】 三次元構造体を形成するために、金属プ
レート（１）を折り曲げ、ロール（１”）に巻き上げ、
前記ロール（１”）をその長手方向軸線に関して垂直方
向にプレスし、プレート（Ｐ）を形成するために、プレ
スされたロール（１'''）をその軸線方向に沿って切断
し、ディスク（１２）にすることと、を特徴とする請求
項１に記載の方法。 - 【請求項１０】 折り曲げのために、金属プレート
（１）を規則正しい間隔で曲げ、ロール（１”）が星形
形状の横断面を有するように巻取りを行う、ことを特徴
とする請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 ロール（１”）を四角形、特に正方形
の横断面形状にプレスすることを特徴とする請求項９に
記載の方法。 - 【請求項１２】 ロール（１”）を長手方向軸線と垂直
な方向に、７０％乃至９０％の密度にプレスすることを
特徴とする請求項９に記載の方法。 - 【請求項１３】 ディスク（１２）をディスク面と垂直
な方向にプレスすることを特徴とする請求項９に記載の
方法。 - 【請求項１４】 異なる熱膨張係数を有する二つの材料
間の機械的応力を減少させる緩衝素子であって、該緩衝
素子は、プレートの形態に設計され、プレスされた曲が
りくねった形態を有するワンピースの金属シートからな
ることを特徴とする緩衝素子。 - 【請求項１５】 金属シートを、緩衝素子の表面積に垂
直な方向に曲がりくねった方法で折り曲げることを特徴
とする請求項１４に記載の緩衝素子。 - 【請求項１６】 シートを緩衝素子の表面積に延びる本
質的らせんの形態に巻き、前記らせんは、曲がりくねっ
た方法で延びる巻線を有することを特徴とする請求項１
４に記載の緩衝素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00810742A EP1182701A1 (de) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | Verfahren zur Herstellung eines Pufferelementes zur Verminderung von mechanischen Spannungen |
| EP00810742.7 | 2000-08-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141364A true JP2002141364A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=8174862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001249801A Pending JP2002141364A (ja) | 2000-08-21 | 2001-08-21 | 機械的応力を減少させる緩衝素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020020913A1 (ja) |
| EP (1) | EP1182701A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002141364A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009101551A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1057241B (de) * | 1955-12-12 | 1959-05-14 | Siemens Ag | Gleichrichteranordnung mit Halbleiterelement |
| US3295089A (en) * | 1963-10-11 | 1966-12-27 | American Mach & Foundry | Semiconductor device |
| DE2860441D1 (en) * | 1977-12-23 | 1981-02-26 | Ibm | A thermal interface between surfaces of a heat source and heat sink |
| US4385310A (en) * | 1978-03-22 | 1983-05-24 | General Electric Company | Structured copper strain buffer |
| DE2937049A1 (de) * | 1979-09-13 | 1981-04-02 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungs-halbleiterbauelement |
| SE420964B (sv) * | 1980-03-27 | 1981-11-09 | Asea Ab | Kompositmaterial och sett for dess framstellning |
| US5510650A (en) * | 1994-09-02 | 1996-04-23 | General Motors Corporation | Low mechanical stress, high electrical and thermal conductance semiconductor die mount |
-
2000
- 2000-08-21 EP EP00810742A patent/EP1182701A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-08-14 US US09/928,487 patent/US20020020913A1/en not_active Abandoned
- 2001-08-21 JP JP2001249801A patent/JP2002141364A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1182701A1 (de) | 2002-02-27 |
| US20020020913A1 (en) | 2002-02-21 |
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