JP2002137547A - 光記録媒体およびポルフィセン化合物 - Google Patents
光記録媒体およびポルフィセン化合物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長300〜500nmおよび/または50
0〜700nmのレーザーで良好な記録および再生が可
能な追記型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 金属錯体化していてもよいポルフィセン
化合物より、少なくとも1種以上の化合物を選択して記
録層に含有してなる光記録媒体。
0〜700nmのレーザーで良好な記録および再生が可
能な追記型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 金属錯体化していてもよいポルフィセン
化合物より、少なくとも1種以上の化合物を選択して記
録層に含有してなる光記録媒体。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、染料、顔料、光電
機能材料、及び記録・記憶材料として、殊に青色および
/または赤色レーザー光により情報の記録・再生が可能
な大容量追記型光記録媒体の記録用色素として有用なポ
ルフィセン化合物に関するものである。また、本発明
は、該ポルフィセン化合物を含有してなる光記録媒体に
関する。
機能材料、及び記録・記憶材料として、殊に青色および
/または赤色レーザー光により情報の記録・再生が可能
な大容量追記型光記録媒体の記録用色素として有用なポ
ルフィセン化合物に関するものである。また、本発明
は、該ポルフィセン化合物を含有してなる光記録媒体に
関する。
【0002】加えて、本発明は、特に波長400〜41
0nmの青紫色レーザーで記録を施す高密度記録可能な
記録層を有する光情報記録媒体に関する。
0nmの青紫色レーザーで記録を施す高密度記録可能な
記録層を有する光情報記録媒体に関する。
【0003】
【従来の技術】コンパクトディスク(以下、CDと略
す)規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R
(CD−Recordable)が提案・開発されてい
ることは公知であり、音楽再生用や情報端末用として広
く普及している。
す)規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R
(CD−Recordable)が提案・開発されてい
ることは公知であり、音楽再生用や情報端末用として広
く普及している。
【0004】この光記録媒体の記録・再生には一般に7
70nm〜830nmの近赤外半導体レーザーを用いて
おり、基板上の有機色素等からなる記録層に、ヒートモ
ードで信号記録が行われる。すなわち、記録層にレーザ
ー光が照射されると、有機色素は光吸収により熱を発生
し、この発生した熱により記録層にピットが形成され
る。そして、記録信号は、レーザー光を照射したとき
の、当該ピットが形成された部分とされていない部分と
の反射率の違いによって検知される。
70nm〜830nmの近赤外半導体レーザーを用いて
おり、基板上の有機色素等からなる記録層に、ヒートモ
ードで信号記録が行われる。すなわち、記録層にレーザ
ー光が照射されると、有機色素は光吸収により熱を発生
し、この発生した熱により記録層にピットが形成され
る。そして、記録信号は、レーザー光を照射したとき
の、当該ピットが形成された部分とされていない部分と
の反射率の違いによって検知される。
【0005】そして、レッドブックやオレンジブック等
のCDの規格に準拠しているため、CDプレーヤーやC
D−ROMプレーヤーと互換性を有するという特徴を有
する。しかし上記の既存媒体の記録容量は680MB程
度であり、動画の記録を考慮すると容量が十分でなく、
情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密
度化・大容量化の要求が高まっている。
のCDの規格に準拠しているため、CDプレーヤーやC
D−ROMプレーヤーと互換性を有するという特徴を有
する。しかし上記の既存媒体の記録容量は680MB程
度であり、動画の記録を考慮すると容量が十分でなく、
情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密
度化・大容量化の要求が高まっている。
【0006】記録媒体の高密度化を行う手段としては、
記録・再生に用いるレーザー波長の短波長化及び対物レ
ンズの開口数(N.A.:Numerical Aperture)を大き
くすることにより、ビームスポットを小さくすることが
挙げられる。そして、光ディスクシステムに利用される
波長680nm、670nm、660nm、650n
m、635nm等の短波長レーザーが実用化されてき
た。こうして半導体レーザーの短波長化、対物レンズの
開口数大化、データ圧縮技術等により、動画記録及び大
容量の情報の記録を可能にした光記録媒体の作製が可能
となり、そこで上記レーザーに対応した追記型光記録媒
体として開発されたのが、追記型のデジタル多目的ディ
スク(以下、DVD−Rと略す)である。DVD−R
は、3.9GBあるいは4.7GBの記録容量を有する
一度書き込み可能な光記録媒体であり、この容量に合っ
た記録特性良好な光ディスクの開発が更に要望されてい
る。その際に用いられている赤色レーザーの波長は、5
50nm〜700nm、好ましくは635nm〜660
nm前後であり、この状況の中で提案されている光記録
媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カル
コゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等が
ある。これらの中で、安価かつプロセス上容易であると
いう点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有すると考
えられる。
記録・再生に用いるレーザー波長の短波長化及び対物レ
ンズの開口数(N.A.:Numerical Aperture)を大き
くすることにより、ビームスポットを小さくすることが
挙げられる。そして、光ディスクシステムに利用される
波長680nm、670nm、660nm、650n
m、635nm等の短波長レーザーが実用化されてき
た。こうして半導体レーザーの短波長化、対物レンズの
開口数大化、データ圧縮技術等により、動画記録及び大
容量の情報の記録を可能にした光記録媒体の作製が可能
となり、そこで上記レーザーに対応した追記型光記録媒
体として開発されたのが、追記型のデジタル多目的ディ
スク(以下、DVD−Rと略す)である。DVD−R
は、3.9GBあるいは4.7GBの記録容量を有する
一度書き込み可能な光記録媒体であり、この容量に合っ
た記録特性良好な光ディスクの開発が更に要望されてい
る。その際に用いられている赤色レーザーの波長は、5
50nm〜700nm、好ましくは635nm〜660
nm前後であり、この状況の中で提案されている光記録
媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カル
コゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等が
ある。これらの中で、安価かつプロセス上容易であると
いう点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有すると考
えられる。
【0007】色素を記録層とし、且つ反射率を大きくす
るために、記録層の上に反射層を設けた追記可能な光記
録媒体は、例えば、Optical Data Storage 1989 Techni
calDigest Series Vol. 1, 45(’89)に開示されて以
来、記録層にシアニン系色素やフタロシアニン系色素を
用いた追記型コンパクトディスク(Compact Disc Record
able: CDR)媒体として広く市場に供されている。これら
の媒体は780nmの半導体レーザーで記録することが
でき、且つ、780nmの半導体レーザーを搭載し、市
場に広く普及している市販のCDプレーヤーやCD−R
OMプレーヤーで再生できるという特徴を有している。
るために、記録層の上に反射層を設けた追記可能な光記
録媒体は、例えば、Optical Data Storage 1989 Techni
calDigest Series Vol. 1, 45(’89)に開示されて以
来、記録層にシアニン系色素やフタロシアニン系色素を
用いた追記型コンパクトディスク(Compact Disc Record
able: CDR)媒体として広く市場に供されている。これら
の媒体は780nmの半導体レーザーで記録することが
でき、且つ、780nmの半導体レーザーを搭載し、市
場に広く普及している市販のCDプレーヤーやCD−R
OMプレーヤーで再生できるという特徴を有している。
【0008】又、最近では、CDよりも高密度でTV品
質並の動画の記録・再生が可能な光記録媒体としては、
発振波長635〜660nmの赤色半導体レーザーで記
録を施し、普及しつつある市販のDVDビデオプレーヤ
ーやDVD−ROMプレーヤーで再生できる、片面4.
7GB容量のDVD−R媒体が市場に供給され始めてい
る。該DVD−R媒体も、シアニン系色素、アゾ系色素
などを記録層に用い、反射層を設けた積層構造を採用し
ており、0.6mm厚の基板を2枚貼り合わせたディス
ク構造を特徴としている。
質並の動画の記録・再生が可能な光記録媒体としては、
発振波長635〜660nmの赤色半導体レーザーで記
録を施し、普及しつつある市販のDVDビデオプレーヤ
ーやDVD−ROMプレーヤーで再生できる、片面4.
7GB容量のDVD−R媒体が市場に供給され始めてい
る。該DVD−R媒体も、シアニン系色素、アゾ系色素
などを記録層に用い、反射層を設けた積層構造を採用し
ており、0.6mm厚の基板を2枚貼り合わせたディス
ク構造を特徴としている。
【0009】さらに、将来的にはより高密度な記録が求
められることが予想され、その情報量は15〜30GB
にも達すると予想される。その記録密度を実現する為の
手段として、より波長の短いレーザーを使用することは
避けられない。従って、将来の有機色素系光記録媒体に
用いる記録用色素としては、300nm〜500nmの
波長範囲において良好な記録特性を有する色素が望まれ
る。
められることが予想され、その情報量は15〜30GB
にも達すると予想される。その記録密度を実現する為の
手段として、より波長の短いレーザーを使用することは
避けられない。従って、将来の有機色素系光記録媒体に
用いる記録用色素としては、300nm〜500nmの
波長範囲において良好な記録特性を有する色素が望まれ
る。
【0010】ところで、有機色素を記録層としたDVD
−Rよりも高密度記録可能な媒体に関して、特開平10
−302310号公報には、発振波長680nm以下の
レーザーを用い、記録容量8GB異常の密度を達成した
との開示がある。該公報の提案では、10〜177μm
厚さの光透過層越しに0.7以上の高開口数を有する対
物レンズで680nm以下のレーザー光を収束すること
で、8GB以上の大容量記録を達成している。
−Rよりも高密度記録可能な媒体に関して、特開平10
−302310号公報には、発振波長680nm以下の
レーザーを用い、記録容量8GB異常の密度を達成した
との開示がある。該公報の提案では、10〜177μm
厚さの光透過層越しに0.7以上の高開口数を有する対
物レンズで680nm以下のレーザー光を収束すること
で、8GB以上の大容量記録を達成している。
【0011】その一方で、ここ近年、青色レーザーとし
てGaN系材料を用いた410nmのレーザーや、半導
体レーザーと光導波路素子の組合せによる波長425n
mのSHGレーザーが開発されてきており〔例えば、日
経エレクトロニクス、No.708、p.117、19
98年1月26日号〕、このようなレーザーに合わせた
青色半導体レーザー対応色素の開発が現在展開されてい
る。
てGaN系材料を用いた410nmのレーザーや、半導
体レーザーと光導波路素子の組合せによる波長425n
mのSHGレーザーが開発されてきており〔例えば、日
経エレクトロニクス、No.708、p.117、19
98年1月26日号〕、このようなレーザーに合わせた
青色半導体レーザー対応色素の開発が現在展開されてい
る。
【0012】更に、1999年初頭から発振波長390
〜430nmの青紫色発光のGaN系半導体レーザーが
試供(日亜化学工業)されるに当たり、片面15GB以
上の更なる高密度容量を有するHDTV(high definiti
on television)放送並の画質で、2時間程度の動画の記
録が可能となる媒体(以下、HD−DVD−R媒体と称
す)の検討が始められている。この様な高密度容量を有
するHD−DVD−R媒体では、現行放送並の画質であ
れば6時間程度の録画も可能であるため、家庭用VTR
に代わる新しい記録メディアとしても注目されている。
すでに、相変化系の無機記録膜を用いた提案として、日
経エレクトロニクス1999年9月6日号(No.75
1)の117頁に技術概要が紹介されている。
〜430nmの青紫色発光のGaN系半導体レーザーが
試供(日亜化学工業)されるに当たり、片面15GB以
上の更なる高密度容量を有するHDTV(high definiti
on television)放送並の画質で、2時間程度の動画の記
録が可能となる媒体(以下、HD−DVD−R媒体と称
す)の検討が始められている。この様な高密度容量を有
するHD−DVD−R媒体では、現行放送並の画質であ
れば6時間程度の録画も可能であるため、家庭用VTR
に代わる新しい記録メディアとしても注目されている。
すでに、相変化系の無機記録膜を用いた提案として、日
経エレクトロニクス1999年9月6日号(No.75
1)の117頁に技術概要が紹介されている。
【0013】現在まで、400nm〜500nmの青色
レーザーで記録できる色素として、例えば、特開平4−
74690号公報および特開平6−40161号公報記
載のシアニン系色素化合物や、特開平7−304256
号公報、特開平7−304257号公報、特開平8−1
27174号公報ならびに特開平11−334207号
公報に記載のポルフィリン系色素化合物の他、特開平4
−78576号公報および特開平4−89279号公報
記載のポリエン系色素化合物、特開平11−33420
4号公報および特開平11−334205公報記載のア
ゾ系色素化合物、特開平11−304206号公報記載
のジシアノビニルフェニル色素化合物、特開2000−
43423号公報のクマリン化合物、特開2000−1
63799のピリミジン化合物等が挙げられる。
レーザーで記録できる色素として、例えば、特開平4−
74690号公報および特開平6−40161号公報記
載のシアニン系色素化合物や、特開平7−304256
号公報、特開平7−304257号公報、特開平8−1
27174号公報ならびに特開平11−334207号
公報に記載のポルフィリン系色素化合物の他、特開平4
−78576号公報および特開平4−89279号公報
記載のポリエン系色素化合物、特開平11−33420
4号公報および特開平11−334205公報記載のア
ゾ系色素化合物、特開平11−304206号公報記載
のジシアノビニルフェニル色素化合物、特開2000−
43423号公報のクマリン化合物、特開2000−1
63799のピリミジン化合物等が挙げられる。
【0014】また、記録層形成用の有機色素としてポル
フィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層お
よび銀を主体とする金属反射層の2層が構成された特開
平11−53758号公報に記載の光記録媒体や、媒体
構成に工夫したものとして、青色レーザーに感応するシ
アニン系色素を含有した青色レーザー感応色素層ならび
に赤色レーザー感応色素層を有することで、2波長領域
の記録を可能とする特開平11−203729号公報記
載の光記録媒体や、青色レーザー用色素および赤色レー
ザー用色素の2種の色素を混合することで2波長領域の
記録を可能とするインジゴイド系色素化合物を用いた特
開平11−78239号公報記載の光記録媒体、シアノ
エテン系色素を用いた特開平11−105423号公報
記載の光記録媒体、スクアリリウム系色素化合物を用い
た特開平11−110815号公報記載の光記録媒体な
どが提案されている。
フィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層お
よび銀を主体とする金属反射層の2層が構成された特開
平11−53758号公報に記載の光記録媒体や、媒体
構成に工夫したものとして、青色レーザーに感応するシ
アニン系色素を含有した青色レーザー感応色素層ならび
に赤色レーザー感応色素層を有することで、2波長領域
の記録を可能とする特開平11−203729号公報記
載の光記録媒体や、青色レーザー用色素および赤色レー
ザー用色素の2種の色素を混合することで2波長領域の
記録を可能とするインジゴイド系色素化合物を用いた特
開平11−78239号公報記載の光記録媒体、シアノ
エテン系色素を用いた特開平11−105423号公報
記載の光記録媒体、スクアリリウム系色素化合物を用い
た特開平11−110815号公報記載の光記録媒体な
どが提案されている。
【0015】一方、400〜500nmの青色領域で有
機色素膜を記録に行う例として、特開平7−30425
6号公報、特開平7−304257号公報では、ポルフ
ィリン系化合物の中心金属に配位する分子化合物および
高分子、あるいは中心金属を配位する分子構造を側鎖に
有する高分子と混合することで、該ポルフィリン系化合
物のソーレー(Soret)帯を長波長側にシフトさせて、4
88nmのArレーザーに対応させると共に、スピンコ
ーティングによる成膜を可能ならしめて製造コストの低
減を図る提案がなされている。又、特開平4−7857
6号公報、特開平4−89279号公報などに開示のポ
リエン系色素化合物は、本発明者らの検討によれば、光
安定性が悪く、実用化にはクエンチャーのブレンド等の
工夫が必要である。
機色素膜を記録に行う例として、特開平7−30425
6号公報、特開平7−304257号公報では、ポルフ
ィリン系化合物の中心金属に配位する分子化合物および
高分子、あるいは中心金属を配位する分子構造を側鎖に
有する高分子と混合することで、該ポルフィリン系化合
物のソーレー(Soret)帯を長波長側にシフトさせて、4
88nmのArレーザーに対応させると共に、スピンコ
ーティングによる成膜を可能ならしめて製造コストの低
減を図る提案がなされている。又、特開平4−7857
6号公報、特開平4−89279号公報などに開示のポ
リエン系色素化合物は、本発明者らの検討によれば、光
安定性が悪く、実用化にはクエンチャーのブレンド等の
工夫が必要である。
【0016】更には、両方の波長領域レーザーに対して
記録可能な光記録媒体として、特開平10−10195
3号公報に記載のポルフィリン系化合物や、特開平11
−144312号公報に記載のテトラアザポルフィリン
系色素化合物を用いた光記録媒体等がある。すなわち、
ポルフィリン系化合物ならびに類似構造を有するアザポ
ルフィリン系色素については,可視領域の長波長側にQ
バンドと称する吸収、ならびにソーレー帯と称する可視
領域の短波長側領域にも強い吸収を有する特徴があり、
用途として染料、顔料、光電機能材料等、幅広く利用さ
れているポルフィリン等の環状有機化合物について、該
公報では、DVD−R用色素として、かつ、15〜30
GB対応の高密度の記録が可能な光記録媒体用色素とし
ての特性を有する化合物として提案されている。
記録可能な光記録媒体として、特開平10−10195
3号公報に記載のポルフィリン系化合物や、特開平11
−144312号公報に記載のテトラアザポルフィリン
系色素化合物を用いた光記録媒体等がある。すなわち、
ポルフィリン系化合物ならびに類似構造を有するアザポ
ルフィリン系色素については,可視領域の長波長側にQ
バンドと称する吸収、ならびにソーレー帯と称する可視
領域の短波長側領域にも強い吸収を有する特徴があり、
用途として染料、顔料、光電機能材料等、幅広く利用さ
れているポルフィリン等の環状有機化合物について、該
公報では、DVD−R用色素として、かつ、15〜30
GB対応の高密度の記録が可能な光記録媒体用色素とし
ての特性を有する化合物として提案されている。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】最近の状況として、波
長400nm〜410nmの青紫色半導体レーザーの実
用化に目処がついたことで、該レーザーを用いた大容量
追記型光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良
好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれている。
長400nm〜410nmの青紫色半導体レーザーの実
用化に目処がついたことで、該レーザーを用いた大容量
追記型光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良
好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれている。
【0018】しかしながら、前述の青色半導体レーザー
用光記録媒体では波長400nm〜410nmのレーザ
ー光に対して十分に適応していないのが実情である。す
なわち、前述の有機色素を使用した媒体では、記録した
信号の再生について、搬送波と雑音の比(C/N)が必
ずしも良好な値でないために、信号の読み出しが必ずし
も満足に行えないなどの問題を我々は見い出した。この
問題を克服し、波長400nm〜410nmのレーザー
光で高密度記録・再生可能な光記録媒体の開発が急務と
なっていた。さらに、デジタル動画像の記録再生用媒体
として要望の強い4.7GB容量DVD−Rに対応する
場合には、該媒体の記録層中に、レーザー波長635n
m〜660nmに感応する有機色素を有することが必須
である。そのためには上述の青色レーザー波長専用の記
録用色素のみでは目的を達しえない。
用光記録媒体では波長400nm〜410nmのレーザ
ー光に対して十分に適応していないのが実情である。す
なわち、前述の有機色素を使用した媒体では、記録した
信号の再生について、搬送波と雑音の比(C/N)が必
ずしも良好な値でないために、信号の読み出しが必ずし
も満足に行えないなどの問題を我々は見い出した。この
問題を克服し、波長400nm〜410nmのレーザー
光で高密度記録・再生可能な光記録媒体の開発が急務と
なっていた。さらに、デジタル動画像の記録再生用媒体
として要望の強い4.7GB容量DVD−Rに対応する
場合には、該媒体の記録層中に、レーザー波長635n
m〜660nmに感応する有機色素を有することが必須
である。そのためには上述の青色レーザー波長専用の記
録用色素のみでは目的を達しえない。
【0019】さらには、青色レーザー波長領域ならびに
赤色レーザー波長領域の2波長領域での記録・再生が可
能な特開平11−203729号公報記載の光記録媒体
は記録層を多層とすること、特開平11−78239号
公報、特開平11−105423号公報、特開平11−
110815号公報記載の光記録媒体は、記録用色素を
必ず2種以上用いなければならないなど媒体作製が煩雑
であり、記録特性も未だ改善の余地がある。また、特開
平11−101953号公報および特開平11−144
312号公報に記載の光記録媒体は、400nm〜41
0nmおよび635nm〜660nmの双方の波長範囲
から選択される各々のレーザー光での記録再生について
は未だ最適化には至っていないのが現状である。
赤色レーザー波長領域の2波長領域での記録・再生が可
能な特開平11−203729号公報記載の光記録媒体
は記録層を多層とすること、特開平11−78239号
公報、特開平11−105423号公報、特開平11−
110815号公報記載の光記録媒体は、記録用色素を
必ず2種以上用いなければならないなど媒体作製が煩雑
であり、記録特性も未だ改善の余地がある。また、特開
平11−101953号公報および特開平11−144
312号公報に記載の光記録媒体は、400nm〜41
0nmおよび635nm〜660nmの双方の波長範囲
から選択される各々のレーザー光での記録再生について
は未だ最適化には至っていないのが現状である。
【0020】本発明者らは、追記型光記録媒体に適した
記録材料について検討したところ、次の2点の知見を得
た。 (1)大容量追記型光記録媒体は、記録の書き込み及び
読み出しに300〜500nm及び/または500〜7
00nmのレーザー光を利用するので記録材料としては
レーザー波長近傍における吸光係数、屈折率、反射率の
制御が重要である。 (2)上記のように、該レーザーを用いた大容量追記型
光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良好な高
速記録特性を有する色素の開発が望まれているにもかか
わらず、両波長領域のレーザー光に対して記録・再生が
可能な記録材料として前述の色素化合物は、今だ十分な
特性が得られておらず、改善の余地があるのが現状であ
る。また、記録膜形成が簡便なスピンコート法等の塗布
法による媒体製造の際には、有利な特性の1つとして、
塗布溶媒への高溶解性を有することが挙げられ、この点
についても配慮することが必要である。
記録材料について検討したところ、次の2点の知見を得
た。 (1)大容量追記型光記録媒体は、記録の書き込み及び
読み出しに300〜500nm及び/または500〜7
00nmのレーザー光を利用するので記録材料としては
レーザー波長近傍における吸光係数、屈折率、反射率の
制御が重要である。 (2)上記のように、該レーザーを用いた大容量追記型
光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良好な高
速記録特性を有する色素の開発が望まれているにもかか
わらず、両波長領域のレーザー光に対して記録・再生が
可能な記録材料として前述の色素化合物は、今だ十分な
特性が得られておらず、改善の余地があるのが現状であ
る。また、記録膜形成が簡便なスピンコート法等の塗布
法による媒体製造の際には、有利な特性の1つとして、
塗布溶媒への高溶解性を有することが挙げられ、この点
についても配慮することが必要である。
【0021】また一般に、記録容量の増大を図るには、
より高密度に記録を行う必要があり、そのため、記録に
使用する光学ビームを絞るための対物レンズの開口数を
高め、光学系のレーザー波長をより短波長化することが
必須となる。ところが、絞り込んだ光学ビームは回折限
界でその最小のビーム径が定められる。
より高密度に記録を行う必要があり、そのため、記録に
使用する光学ビームを絞るための対物レンズの開口数を
高め、光学系のレーザー波長をより短波長化することが
必須となる。ところが、絞り込んだ光学ビームは回折限
界でその最小のビーム径が定められる。
【0022】ところで、記録はビーム強度がある閾値を
超えたところで成されるので、図6(a)に示すよう
に、絞り込んだビームスポットよりも小さな記録ピット
が得られる。この記録ピットの周囲はビームの強度ピー
クのすそ野にあたるが、より短波長化が進む現況では、
記録ピットの周囲でも記録層の光化学反応を助長し、殊
に、前述の青紫色レーザーの波長領域では、有機化合物
の光化学反応が容易に生じる波長領域となるため、記録
時にはピットエッジが劣化し、信号特性が悪化するとい
う問題がある。すなわち、図6(b)に示すように、本
来矩形波に対応して形成せねばならない記録情報(図6
(b)の実線)が、ピットエッジの劣化によりブロード
な波形(図6(b)の破線部)となってしまう。又、記
録時と同一の青紫色レーザー波長で再生を行うと、再生
光のような微弱な光照射でも光反応が促進され、再生の
度に劣化が進むという問題もあり、前記特開平7−30
4256号公報、特開平7−304257号公報でも、
記録光と再生光とを異なる波長、実質的には、再生光を
記録光よりも長波長とする対策を講じねばならなくな
り、結果として、十分な高密度化の要求に応えられない
のが現状である。又、記録波長と再生光波長を異ならし
めることは、記録装置と再生装置を個別に用意するか、
1つの装置に2つの光学系及びその制御系を設けなけれ
ばならず、光記録媒体としての用途が限定されたり、装
置の大型化、コストの増大を招き、汎用性の乏しいもの
となってしまう。また、従来、CD−Rなどの光記録媒
体においては、有機色素膜の融点、昇華点、相転移点或
いは熱分解点などの物性上の明確な熱的閾値を境に記録
のオン・オフが成されてきたものに対し、青紫色レーザ
ー励起による光劣化モードの介在は、このコントラスト
を曖昧にし、とりわけ光学ビームよりも小さい細密記録
ピットを形成せねばならない高密度記録系においては、
著しく記録信号品位を損なう懸念があった。
超えたところで成されるので、図6(a)に示すよう
に、絞り込んだビームスポットよりも小さな記録ピット
が得られる。この記録ピットの周囲はビームの強度ピー
クのすそ野にあたるが、より短波長化が進む現況では、
記録ピットの周囲でも記録層の光化学反応を助長し、殊
に、前述の青紫色レーザーの波長領域では、有機化合物
の光化学反応が容易に生じる波長領域となるため、記録
時にはピットエッジが劣化し、信号特性が悪化するとい
う問題がある。すなわち、図6(b)に示すように、本
来矩形波に対応して形成せねばならない記録情報(図6
(b)の実線)が、ピットエッジの劣化によりブロード
な波形(図6(b)の破線部)となってしまう。又、記
録時と同一の青紫色レーザー波長で再生を行うと、再生
光のような微弱な光照射でも光反応が促進され、再生の
度に劣化が進むという問題もあり、前記特開平7−30
4256号公報、特開平7−304257号公報でも、
記録光と再生光とを異なる波長、実質的には、再生光を
記録光よりも長波長とする対策を講じねばならなくな
り、結果として、十分な高密度化の要求に応えられない
のが現状である。又、記録波長と再生光波長を異ならし
めることは、記録装置と再生装置を個別に用意するか、
1つの装置に2つの光学系及びその制御系を設けなけれ
ばならず、光記録媒体としての用途が限定されたり、装
置の大型化、コストの増大を招き、汎用性の乏しいもの
となってしまう。また、従来、CD−Rなどの光記録媒
体においては、有機色素膜の融点、昇華点、相転移点或
いは熱分解点などの物性上の明確な熱的閾値を境に記録
のオン・オフが成されてきたものに対し、青紫色レーザ
ー励起による光劣化モードの介在は、このコントラスト
を曖昧にし、とりわけ光学ビームよりも小さい細密記録
ピットを形成せねばならない高密度記録系においては、
著しく記録信号品位を損なう懸念があった。
【0023】本発明の目的は、光による情報の記録・再
生に最適な色素化合物を創出し、該化合物を用いること
で、優れた光記録および再生が可能な光記録媒体を提供
することにある。
生に最適な色素化合物を創出し、該化合物を用いること
で、優れた光記録および再生が可能な光記録媒体を提供
することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、
【0025】(1): 金属錯体化していてもよいポル
フィセン化合物より、少なくとも1種以上の化合物を選
択して記録層に含有してなる光記録媒体;
フィセン化合物より、少なくとも1種以上の化合物を選
択して記録層に含有してなる光記録媒体;
【0026】(2): 基板上に記録層として有機色素
層を有する光記録媒体において、該有機色素層中に、上
記化合物より少なくとも1種以上の化合物を選択して含
有する前記光記録媒体;
層を有する光記録媒体において、該有機色素層中に、上
記化合物より少なくとも1種以上の化合物を選択して含
有する前記光記録媒体;
【0027】(3): 前記化合物が一般式(1)で表
される前記光記録媒体
される前記光記録媒体
【0028】
【化7】 〔式中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、X1、X2、X3、
X4、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
ン基を表し、Mは2個の水素原子、置換基または配位子
を有していてもよい2〜4価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子を表す。〕;
していてもよいピロール環を表し、X1、X2、X3、
X4、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
ン基を表し、Mは2個の水素原子、置換基または配位子
を有していてもよい2〜4価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子を表す。〕;
【0029】(4): 前記化合物が一般式(2)で表
される前記光記録媒体
される前記光記録媒体
【0030】
【化8】
【0031】〔式中、R1〜R12はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R1〜R12
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M1は2個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい2〜4価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R1〜R12
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M1は2個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい2〜4価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕
【0032】(5): 前記化合物が一般式(3)で表
される前記光記録媒体
される前記光記録媒体
【0033】
【化9】
【0034】〔式中、R13〜R24はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R13〜R24
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M2はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および/または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する2〜4価の金属原子を表す。〕;
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R13〜R24
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M2はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および/または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する2〜4価の金属原子を表す。〕;
【0035】(6): 波長300nm〜500nmお
よび/または500nm〜700nmの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体;
よび/または500nm〜700nmの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体;
【0036】(7): 波長400nm〜500nmお
よび/または600nm〜700nmの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体;
よび/または600nm〜700nmの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体;
【0037】(8): 波長400nm〜410nmお
よび/または635nm〜660nmの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体;
よび/または635nm〜660nmの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体;
【0038】(9): 一般式(1)で表される化合物
【0039】
【化10】 〔式中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、X1、X2、X3、
X4、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
ン基を表し、Mは2個の水素原子、置換基または配位子
を有していてもよい2〜4価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子を表す。〕;
していてもよいピロール環を表し、X1、X2、X3、
X4、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
ン基を表し、Mは2個の水素原子、置換基または配位子
を有していてもよい2〜4価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子を表す。〕;
【0040】(10): 一般式(2)で表される前記
化合物
化合物
【0041】
【化11】
【0042】〔式中、R1〜R12はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R1〜R12
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M1は2個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい2〜4価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R1〜R12
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M1は2個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい2〜4価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕
【0043】(11): 一般式(3)で表される前記
化合物。
化合物。
【0044】
【化12】
【0045】〔式中、R13〜R24はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R13〜R24
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M2はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および/または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する2〜4価の金属原子を表す。〕に関
する。
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R13〜R24
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M2はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および/または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する2〜4価の金属原子を表す。〕に関
する。
【0046】
【発明の実施の形態】本発明は、光記録媒体の記録層中
に金属錯体化していてもよいポルフィセン化合物を含有
することを特徴とする光記録媒体に関し、特に波長30
0nm〜500nmおよび/または500nm〜700
nm、更には波長400nm〜500nmおよび/また
は600nm〜700nm、殊に波長400nm〜41
0nmおよび/または635nm〜660nmの範囲か
ら選択されるレーザー光により記録および再生が可能で
ある新規な光記録媒体に関するものである。ここで、金
属錯体化してもよいポルフィセン化合物とは、環中心金
属及び/又は環置換基に含まれる金属元素が錯体化して
いても良いことを意味する。
に金属錯体化していてもよいポルフィセン化合物を含有
することを特徴とする光記録媒体に関し、特に波長30
0nm〜500nmおよび/または500nm〜700
nm、更には波長400nm〜500nmおよび/また
は600nm〜700nm、殊に波長400nm〜41
0nmおよび/または635nm〜660nmの範囲か
ら選択されるレーザー光により記録および再生が可能で
ある新規な光記録媒体に関するものである。ここで、金
属錯体化してもよいポルフィセン化合物とは、環中心金
属及び/又は環置換基に含まれる金属元素が錯体化して
いても良いことを意味する。
【0047】本発明に係る光記録媒体とは、情報を記録
して再生することのできる光記録媒体を示すものであ
る。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層
を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。尚、以
下の説明では、光記録媒体として、光ディスクであっ
て、支持基板上に例えば案内溝と、この案内溝上に反射
膜と有機色素を主成分とする記録層を有し、波長300
〜500nmの紫外・青色レーザー光を照射して信号の
記録再生を行う媒体に関して説明するが、本発明の光記
録媒体は、この様な形状や構成に限定されるものではな
く、カード状、シート状等その他各種の形状のもの、
又、反射層を有さないもの、更に将来開発されるであろ
うより短波長のレーザーでの記録再生にも適用し得るも
のである。
して再生することのできる光記録媒体を示すものであ
る。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層
を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。尚、以
下の説明では、光記録媒体として、光ディスクであっ
て、支持基板上に例えば案内溝と、この案内溝上に反射
膜と有機色素を主成分とする記録層を有し、波長300
〜500nmの紫外・青色レーザー光を照射して信号の
記録再生を行う媒体に関して説明するが、本発明の光記
録媒体は、この様な形状や構成に限定されるものではな
く、カード状、シート状等その他各種の形状のもの、
又、反射層を有さないもの、更に将来開発されるであろ
うより短波長のレーザーでの記録再生にも適用し得るも
のである。
【0048】本発明の光記録媒体は、例えば、図1に示
すような基板1、記録層2、反射層3、及び保護層4が
順次積層している4層構造を有しているか、図2に示す
ような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板1上に
記録層2が形成されており、その上に密着して反射層3
が設けられており、さらにその上に接着層5を介して保
護層4が貼り合わされている。但し、記録層2の下また
は上に別の層があっても良く、反射層3の上に別の層が
あっても構わない。また、図3に示すように基板1、反
射層3、記録層2、保護層4の順に積層し、保護層側か
ら記録再生する構造であっても良い。また、特開平10
−326435号公報記載のように光透過層の厚みが、
光学系のN.A.及びレーザー波長λにより規定された
媒体構造であっても構わない。また、本発明の光記録媒
体は、必要に応じて特開平11−203729号公報記
載のように記録層を2種以上有する構造であっても構わ
ない。
すような基板1、記録層2、反射層3、及び保護層4が
順次積層している4層構造を有しているか、図2に示す
ような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板1上に
記録層2が形成されており、その上に密着して反射層3
が設けられており、さらにその上に接着層5を介して保
護層4が貼り合わされている。但し、記録層2の下また
は上に別の層があっても良く、反射層3の上に別の層が
あっても構わない。また、図3に示すように基板1、反
射層3、記録層2、保護層4の順に積層し、保護層側か
ら記録再生する構造であっても良い。また、特開平10
−326435号公報記載のように光透過層の厚みが、
光学系のN.A.及びレーザー波長λにより規定された
媒体構造であっても構わない。また、本発明の光記録媒
体は、必要に応じて特開平11−203729号公報記
載のように記録層を2種以上有する構造であっても構わ
ない。
【0049】また、本発明を光ディスクに適用した例と
して、図4に示すような、基板11、記録層12、反射
層13及び保護層14がこの順で積層され、更に接着層
を兼ねる保護層14上にダミー基板15を貼り合わせた
ものが挙げられる。もちろん、基板15の無い構成であ
っても良く、基板11と記録層12の間、記録層12と
反射層13の間、反射層13と保護層14との間、保護
層14とダミー基板15との間に、他の層が存在してい
ても良い。図4の光ディスクにおいては、基板11側か
ら記録再生が行われる。
して、図4に示すような、基板11、記録層12、反射
層13及び保護層14がこの順で積層され、更に接着層
を兼ねる保護層14上にダミー基板15を貼り合わせた
ものが挙げられる。もちろん、基板15の無い構成であ
っても良く、基板11と記録層12の間、記録層12と
反射層13の間、反射層13と保護層14との間、保護
層14とダミー基板15との間に、他の層が存在してい
ても良い。図4の光ディスクにおいては、基板11側か
ら記録再生が行われる。
【0050】又、別の実施形態として、特開平10−3
02310号公報に開示の構成、例えば、図5に示すよ
うに、案内溝の形成された支持基板11’上に、反射層
13’、有機色素を主成分とする記録層12’がこの順
で成膜され、この記録層12’上に任意に形成される透
明保護層14’を介して光透過層15’が形成され、情
報の記録及び再生は、光透過層15’側から実施され
る。尚、逆に光透過層15’側に案内溝を形成し、その
上に透明保護層14’、記録層12’、反射層13’を
積層し、支持基板11’と貼り合わせる構成としても良
い。
02310号公報に開示の構成、例えば、図5に示すよ
うに、案内溝の形成された支持基板11’上に、反射層
13’、有機色素を主成分とする記録層12’がこの順
で成膜され、この記録層12’上に任意に形成される透
明保護層14’を介して光透過層15’が形成され、情
報の記録及び再生は、光透過層15’側から実施され
る。尚、逆に光透過層15’側に案内溝を形成し、その
上に透明保護層14’、記録層12’、反射層13’を
積層し、支持基板11’と貼り合わせる構成としても良
い。
【0051】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、金属錯体化していてもよいポ
ルフィセン化合物、好ましくは一般式(1)、更に好ま
しくは一般式(2)、特に好ましくは一般式(3)で示
される化合物を少なくとも1種含有するものである。そ
して波長300nm〜500nmおよび/または500
nm〜700nmから選択される記録レーザー波長およ
び再生レーザー波長に対して記録・再生が可能である。
中でも、波長400nm〜500nmおよび/または6
00nm〜700nm、更には波長400nm〜410
nmおよび/または635nm〜660nmの範囲から
選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に
対して良好なC/N比を得ることができ、また、再生光
安定性も良く、高品位な信号特性が得られる光記録媒体
である。
るが、本発明の記録層は、金属錯体化していてもよいポ
ルフィセン化合物、好ましくは一般式(1)、更に好ま
しくは一般式(2)、特に好ましくは一般式(3)で示
される化合物を少なくとも1種含有するものである。そ
して波長300nm〜500nmおよび/または500
nm〜700nmから選択される記録レーザー波長およ
び再生レーザー波長に対して記録・再生が可能である。
中でも、波長400nm〜500nmおよび/または6
00nm〜700nm、更には波長400nm〜410
nmおよび/または635nm〜660nmの範囲から
選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に
対して良好なC/N比を得ることができ、また、再生光
安定性も良く、高品位な信号特性が得られる光記録媒体
である。
【0052】本発明記載の一般式(1)、更に好ましく
は一般式(2)、特に好ましくは一般式(3)で表され
る化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状
態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光
の波長において、記録層に必要な光学定数を満足するこ
とのできる極めて有用な有機色素である。
は一般式(2)、特に好ましくは一般式(3)で表され
る化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状
態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光
の波長において、記録層に必要な光学定数を満足するこ
とのできる極めて有用な有機色素である。
【0053】以下、本発明について、さらに詳細を述べ
る。
る。
【0054】本発明記載の一般式(1)で表される化合
物について、環A、B、C、Dで示される置換基を有し
ていてもよいピロール環について、具体的な置換基の例
としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、メル
カプト基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラル
キルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モ
ノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニ
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置
換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘ
テロアリール基またはヘテロアリールオキシ基等が挙げ
られる。
物について、環A、B、C、Dで示される置換基を有し
ていてもよいピロール環について、具体的な置換基の例
としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、メル
カプト基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラル
キルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モ
ノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニ
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置
換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘ
テロアリール基またはヘテロアリールオキシ基等が挙げ
られる。
【0055】また、一般式(1)のポルフィセン骨格の
X1、X2、X3、X4で示される、置換基を有していても
よいメチン基の具体的な例としては、それぞれ式
(4)、式(5)、式(6)、式(7)
X1、X2、X3、X4で示される、置換基を有していても
よいメチン基の具体的な例としては、それぞれ式
(4)、式(5)、式(6)、式(7)
【0056】
【化13】 〔式中、G1、G2、G3、G4は前記ピロール環上に置換
しても良い各置換基と同等の意味を示す。〕で示される
置換していてもよいメチン基等が挙げられる。
しても良い各置換基と同等の意味を示す。〕で示される
置換していてもよいメチン基等が挙げられる。
【0057】また、ピロール環上に置換する上記の置換
基、X1、X2、X3、X4で表されるメチン基上の置換基
においては、連結基を介してピロール環上の各置換基同
士あるいはピロール環上の置換基と隣接するメチン基上
の置換基とが連結してもよく、具体的には脂肪族縮合あ
るいは、芳香族縮合による環の形成、または連結基がヘ
テロ原子、あるいは金属錯体残基等のヘテロ原子を含む
複素環の形成等が挙げられる。
基、X1、X2、X3、X4で表されるメチン基上の置換基
においては、連結基を介してピロール環上の各置換基同
士あるいはピロール環上の置換基と隣接するメチン基上
の置換基とが連結してもよく、具体的には脂肪族縮合あ
るいは、芳香族縮合による環の形成、または連結基がヘ
テロ原子、あるいは金属錯体残基等のヘテロ原子を含む
複素環の形成等が挙げられる。
【0058】さらに一般式(1)で表されるMは2個の
水素原子あるいは置換基を有していてもよい2〜4価の
金属原子または半金属原子を表す。金属原子または半金
属原子の具体的な例としては、2価の金属原子、置換基
を有する3価あるいは4価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子等が挙げられる。
水素原子あるいは置換基を有していてもよい2〜4価の
金属原子または半金属原子を表す。金属原子または半金
属原子の具体的な例としては、2価の金属原子、置換基
を有する3価あるいは4価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子等が挙げられる。
【0059】本発明においては、一般式(1)で示され
る化合物としては、一般式(2)で例示される化合物が
好ましい例として挙げられる。
る化合物としては、一般式(2)で例示される化合物が
好ましい例として挙げられる。
【0060】
【化14】
【0061】〔式中、R1〜R12はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R1〜R12
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M1は2個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい2〜4価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R1〜R12
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M1は2個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい2〜4価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕
【0062】本発明の一般式(2)で表される化合物に
おいて、R1〜R12の具体例としては、水素原子;フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲ
ン原子;ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ
基、カルボキシル基、メルカプト基等が挙げられる。
おいて、R1〜R12の具体例としては、水素原子;フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲ
ン原子;ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ
基、カルボキシル基、メルカプト基等が挙げられる。
【0063】R1〜R12の置換または無置換のアルキル
基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
so−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、i
so−ペンチル基、2−メチルブチル基、1−メチルブ
チル基、ネオペンチル基、1,2−ジメチルプロピル
基、1,1−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、
n−ヘキシル基、4−メチルペンチル基、3−メチルペ
ンチル基、2−メチルペンチル基、1−メチルペンチル
基、3,3−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチ
ル基、1,3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブ
チル基、1,2−ジメチルブチル基、1,1−ジメチル
ブチル基、3−エチルブチル基、2−エチルブチル基、
1−エチルブチル基、1,2,2−トリメチルブチル
基、1,1,2−トリメチルブチル基、1−エチル−2
−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル
基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4
−メチルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、2,4−
ジメチルペンチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキ
シル基、2,5−ジメチルヘキシル基、2,5,5−ト
リメチルペンチル基、2,4−ジメチルヘキシル基、
2,2,4−トリメチルペンチル基、3,5,5−トリ
メチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基、4−
エチルオクチル基、4−エチル−4,5−メチルヘキシ
ル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、1,3,
5,7−テトラエチルオクチル基、4−ブチルオクチル
基、6,6−ジエチルオクチル基、n−トリデシル基、
6−メチル−4−ブチルオクチル基、n−テトラデシル
基、n−ペンタデシル基、3,5−ジメチルヘプチル
基、2,6−ジメチルヘプチル基、2,4−ジメチルヘ
プチル基、2,2,5,5−テトラメチルヘキシル基、
1−シクロペンチル−2,2−ジメチルプロピル基、1
−シクロヘキシル−2,2−ジメチルプロピル基などの
炭素数1〜15の無置換の直鎖、分岐または環状のアル
キル基;
基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
so−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、i
so−ペンチル基、2−メチルブチル基、1−メチルブ
チル基、ネオペンチル基、1,2−ジメチルプロピル
基、1,1−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、
n−ヘキシル基、4−メチルペンチル基、3−メチルペ
ンチル基、2−メチルペンチル基、1−メチルペンチル
基、3,3−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチ
ル基、1,3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブ
チル基、1,2−ジメチルブチル基、1,1−ジメチル
ブチル基、3−エチルブチル基、2−エチルブチル基、
1−エチルブチル基、1,2,2−トリメチルブチル
基、1,1,2−トリメチルブチル基、1−エチル−2
−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル
基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4
−メチルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、2,4−
ジメチルペンチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキ
シル基、2,5−ジメチルヘキシル基、2,5,5−ト
リメチルペンチル基、2,4−ジメチルヘキシル基、
2,2,4−トリメチルペンチル基、3,5,5−トリ
メチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基、4−
エチルオクチル基、4−エチル−4,5−メチルヘキシ
ル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、1,3,
5,7−テトラエチルオクチル基、4−ブチルオクチル
基、6,6−ジエチルオクチル基、n−トリデシル基、
6−メチル−4−ブチルオクチル基、n−テトラデシル
基、n−ペンタデシル基、3,5−ジメチルヘプチル
基、2,6−ジメチルヘプチル基、2,4−ジメチルヘ
プチル基、2,2,5,5−テトラメチルヘキシル基、
1−シクロペンチル−2,2−ジメチルプロピル基、1
−シクロヘキシル−2,2−ジメチルプロピル基などの
炭素数1〜15の無置換の直鎖、分岐または環状のアル
キル基;
【0064】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、2,2,
2−トリクロロエチル基、1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数1〜10のアルキル基;
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、2,2,
2−トリクロロエチル基、1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数1〜10のアルキル基;
【0065】ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチ
ル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシブチ
ル基、2−ヒドロキシ−3−メトキシプロピル基、2−
ヒドロキシ−3−クロロプロピル基、2−ヒドロキシ−
3−エトキシプロピル基、3−ブトキシ−2−ヒドロキ
シプロピル基、2−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルオ
キシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、2−ヒド
ロキシブチル基、4−ヒドロキシデカリル基などのヒド
ロキシル基で置換した炭素数1〜10のアルキル基;
ル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシブチ
ル基、2−ヒドロキシ−3−メトキシプロピル基、2−
ヒドロキシ−3−クロロプロピル基、2−ヒドロキシ−
3−エトキシプロピル基、3−ブトキシ−2−ヒドロキ
シプロピル基、2−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルオ
キシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、2−ヒド
ロキシブチル基、4−ヒドロキシデカリル基などのヒド
ロキシル基で置換した炭素数1〜10のアルキル基;
【0066】ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシ
エトキシエチル基、2−(2’−ヒドロキシ−1’−メ
チルエトキシ)−1−メチルエチル基、2−(3’−フ
ルオロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル基、2−
(3’−クロロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル
基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロ
キシアルコキシ基で置換した炭素数2〜10のアルキル
基;
エトキシエチル基、2−(2’−ヒドロキシ−1’−メ
チルエトキシ)−1−メチルエチル基、2−(3’−フ
ルオロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル基、2−
(3’−クロロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル
基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロ
キシアルコキシ基で置換した炭素数2〜10のアルキル
基;
【0067】ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒ
ドロキシエトキシエトキシエチル基、[2’−(2’−
ヒドロキ−1’−メチルエトキシ)−1’−メチルエト
キシ]エトキシエチル基、[2’−(2’−フルオロ−
1’−ヒドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキシ]
エトキシエチル基、[2’−(2’−クロロ−1’−ヒ
ドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキシ]エトキシ
エチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置
換した炭素数3〜10のアルキル基;
ドロキシエトキシエトキシエチル基、[2’−(2’−
ヒドロキ−1’−メチルエトキシ)−1’−メチルエト
キシ]エトキシエチル基、[2’−(2’−フルオロ−
1’−ヒドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキシ]
エトキシエチル基、[2’−(2’−クロロ−1’−ヒ
ドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキシ]エトキシ
エチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置
換した炭素数3〜10のアルキル基;
【0068】シアノメチル基、2−シアノエチル基、3
−シアノプロピル基、4−シアノブチル基、2−シアノ
−3−メトキシプロピル基、2−シアノ−3−クロロプ
ロピル基、2−シアノ−3−エトキシプロピル基、3−
ブトキシ−2−シアノプロピル基、2−シアノ−3−シ
クロヘキシルプロピル基、2−シアノプロピル基、2−
シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数2〜1
0のアルキル基;
−シアノプロピル基、4−シアノブチル基、2−シアノ
−3−メトキシプロピル基、2−シアノ−3−クロロプ
ロピル基、2−シアノ−3−エトキシプロピル基、3−
ブトキシ−2−シアノプロピル基、2−シアノ−3−シ
クロヘキシルプロピル基、2−シアノプロピル基、2−
シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数2〜1
0のアルキル基;
【0069】メトキシメチル基、エトキシメチル基、プ
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、n−ヘキシルオキシエチル基、(4−メチル
ペントキシ)エチル基、(1,3−ジメチルブトキシ)
エチル基、(2−エチルヘキシルオキシ)エチル基、n
−オクチルオキシエチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキシルオキシ)エチル基、(2−メチル−1−iso
−プロピルプロポキシ)エチル基、(3−メチル−1−
iso−プロピルブチルオキシ)エチル基、2−エトキ
シ−1−メチルエチル基、3−メトキシブチル基、
(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)エチル基、
(3,3,3−トリクロロプロポキシ)エチル基などの
アルコキシ基で置換した炭素数2〜15のアルキル基;
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、n−ヘキシルオキシエチル基、(4−メチル
ペントキシ)エチル基、(1,3−ジメチルブトキシ)
エチル基、(2−エチルヘキシルオキシ)エチル基、n
−オクチルオキシエチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキシルオキシ)エチル基、(2−メチル−1−iso
−プロピルプロポキシ)エチル基、(3−メチル−1−
iso−プロピルブチルオキシ)エチル基、2−エトキ
シ−1−メチルエチル基、3−メトキシブチル基、
(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)エチル基、
(3,3,3−トリクロロプロポキシ)エチル基などの
アルコキシ基で置換した炭素数2〜15のアルキル基;
【0070】メトキシメトキシメチル基、メトキシエト
キシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシ
エトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロ
ヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロ
ポキシエトキシ基、(1,2−ジメチルプロポキシ)エ
トキシエチル基、(3−メチル−1−iso−ブチルブ
トキシ)エトキシエチル基、(2−メトキシ−1−メチ
ルエトキシ)エチル基、(2−ブトキシ−1−メチルエ
トキシ)エチル基、2−(2’−エトキシ−1’−メチ
ルエトキシ)−1−メチルエチル基、(3,3,3−ト
リフルオロプロポキシ)エトキシエチル基、(3,3,
3−トリクロロプロポキシ)エトキシエチル基などのア
ルコキシアルコキシ基で置換した炭素数3〜15のアル
キル基;
キシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシ
エトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロ
ヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロ
ポキシエトキシ基、(1,2−ジメチルプロポキシ)エ
トキシエチル基、(3−メチル−1−iso−ブチルブ
トキシ)エトキシエチル基、(2−メトキシ−1−メチ
ルエトキシ)エチル基、(2−ブトキシ−1−メチルエ
トキシ)エチル基、2−(2’−エトキシ−1’−メチ
ルエトキシ)−1−メチルエチル基、(3,3,3−ト
リフルオロプロポキシ)エトキシエチル基、(3,3,
3−トリクロロプロポキシ)エトキシエチル基などのア
ルコキシアルコキシ基で置換した炭素数3〜15のアル
キル基;
【0071】メトキシメトキシメトキシメチル基、メト
キシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエト
キシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シ
クロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポ
キシプロポキシプロポキシエチル基、(2,2,2−ト
リフルオロエトキシ)エトキシエトキシエチル基、
(2,2,2−トリクロロエトキシ)エトキシエトキシ
エチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置
換した炭素数4〜15のアルキル基;
キシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエト
キシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シ
クロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポ
キシプロポキシプロポキシエチル基、(2,2,2−ト
リフルオロエトキシ)エトキシエトキシエチル基、
(2,2,2−トリクロロエトキシ)エトキシエトキシ
エチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置
換した炭素数4〜15のアルキル基;
【0072】ホルミルメチル基、2−オキソブチル基、
3−オキソブチル基、4−オキソブチル基、2,6−ジ
オキソシクロヘキサン−1−イル基、2−オキソ−5−
t−ブチルシクロヘキサン−1−イル基等のアシル基で
置換した炭素数2〜10のアルキル基;
3−オキソブチル基、4−オキソブチル基、2,6−ジ
オキソシクロヘキサン−1−イル基、2−オキソ−5−
t−ブチルシクロヘキサン−1−イル基等のアシル基で
置換した炭素数2〜10のアルキル基;
【0073】ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチ
ル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシ
エチル基、バレリルオキシエチル基、(2−エチルヘキ
サノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメ
チルヘキサノイルオキシ)ヘキシル基、(3−フルオロ
ブチリルオキシ)エチル基、(3−クロロブチリルオキ
シ)エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数2
〜15のアルキル基;
ル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシ
エチル基、バレリルオキシエチル基、(2−エチルヘキ
サノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメ
チルヘキサノイルオキシ)ヘキシル基、(3−フルオロ
ブチリルオキシ)エチル基、(3−クロロブチリルオキ
シ)エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数2
〜15のアルキル基;
【0074】ホルミルオキシメトキシメチル基、アセト
キシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエ
チル基、バレリルオキシエトキシエチル基、(2−エチ
ルヘキサノイルオキシ)エトキシエチル基、(3,5,
5−トリメチルヘキサノイル)オキシブトキシエチル
基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイルオキシ)エ
トキシエチル基、(2−フルオロプロピオニルオキシ)
エトキシエチル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)
エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置
換した炭素数3〜15のアルキル基;
キシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエ
チル基、バレリルオキシエトキシエチル基、(2−エチ
ルヘキサノイルオキシ)エトキシエチル基、(3,5,
5−トリメチルヘキサノイル)オキシブトキシエチル
基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイルオキシ)エ
トキシエチル基、(2−フルオロプロピオニルオキシ)
エトキシエチル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)
エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置
換した炭素数3〜15のアルキル基;
【0075】アセトキシメトキシメトキシメチル基、ア
セトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシ
エトキシエチル基、(2−エチルヘキサノイルオキシ)
エトキシエトキシエチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルオキシ)エトキシエトキシエチル基、(2
−フルオロプロピオニルオキシ)エトキシエトキシエチ
ル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)エトキシエト
キシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ
基で置換した炭素数5〜15のアルキル基;
セトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシ
エトキシエチル基、(2−エチルヘキサノイルオキシ)
エトキシエトキシエチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルオキシ)エトキシエトキシエチル基、(2
−フルオロプロピオニルオキシ)エトキシエトキシエチ
ル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)エトキシエト
キシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ
基で置換した炭素数5〜15のアルキル基;
【0076】メトキシカルボニルメチル基、エトキシカ
ルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル
基、ブトキシカルボニルエチル基、(p−エチルシクロ
ヘキシルオキシカルボニル)シクロヘキシル基、(2,
2,3,3−テトラフルオロプロポキシカルボニル)メ
チル基、(2,2,3,3−テトラクロロプロポキシカ
ルボニル)メチル基などのアルコキシカルボニル基で置
換した炭素数3〜15のアルキル基;
ルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル
基、ブトキシカルボニルエチル基、(p−エチルシクロ
ヘキシルオキシカルボニル)シクロヘキシル基、(2,
2,3,3−テトラフルオロプロポキシカルボニル)メ
チル基、(2,2,3,3−テトラクロロプロポキシカ
ルボニル)メチル基などのアルコキシカルボニル基で置
換した炭素数3〜15のアルキル基;
【0077】フェノキシカルボニルメチル基、フェノキ
シカルボニルエチル基、(4−t−ブチルフェノキシカ
ルボニル)エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル
基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリー
ルオキシカルボニル基で置換した炭素数8〜15のアル
キル基;
シカルボニルエチル基、(4−t−ブチルフェノキシカ
ルボニル)エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル
基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリー
ルオキシカルボニル基で置換した炭素数8〜15のアル
キル基;
【0078】ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベン
ジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカル
ボニルメチル基、(4−シクロヘキシルオキシベンジル
オキシカルボニル)メチル基などのアラルキルオキシカ
ルボニル基で置換した炭素数9〜15のアルキル基;
ジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカル
ボニルメチル基、(4−シクロヘキシルオキシベンジル
オキシカルボニル)メチル基などのアラルキルオキシカ
ルボニル基で置換した炭素数9〜15のアルキル基;
【0079】ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニル
オキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメ
チル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル
基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニル
オキシカルボニル基で置換した炭素数4〜10のアルキ
ル基;
オキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメ
チル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル
基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニル
オキシカルボニル基で置換した炭素数4〜10のアルキ
ル基;
【0080】メトキシカルボニルオキシメチル基、メト
キシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオ
キシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、
(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニルオキ
シ)エチル基、(2,2,2−トリクロロエトキシカル
ボニルオキシ)エチル基などのアルコキシカルボニルオ
キシ基で置換した炭素数3〜15のアルキル基;
キシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオ
キシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、
(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニルオキ
シ)エチル基、(2,2,2−トリクロロエトキシカル
ボニルオキシ)エチル基などのアルコキシカルボニルオ
キシ基で置換した炭素数3〜15のアルキル基;
【0081】メトキシメトキシカルボニルオキシメチル
基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基、(2,2,2−トリフ
ルオロエトキシ)エトキシカルボニルオキシエチル基、
(2,2,2−トリクロロエトキシ)エトキシカルボニ
ルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニ
ルオキシ基で置換した炭素数4〜15のアルキル基;
基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基、(2,2,2−トリフ
ルオロエトキシ)エトキシカルボニルオキシエチル基、
(2,2,2−トリクロロエトキシ)エトキシカルボニ
ルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニ
ルオキシ基で置換した炭素数4〜15のアルキル基;
【0082】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−n−ブチルアミノメチル基、ジ−n−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−n−オクチルアミノメチル
基、ジ−n−デシルアミノメチル基、N−イソアミル−
N−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
(メトキシメチル)アミノメチル基、ジ(メトキシエチ
ル)アミノメチル基、ジ(エトキシメチル)アミノメチ
ル基、ジ(エトキシエチル)アミノメチル基、ジ(プロ
ポキシエチル)アミノメチル基、ジ(ブトキシエチル)
アミノメチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチ
ル)アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−n−ブチルアミノエチル基、ジ
−n−ヘキシルアミノエチル基、ジ−n−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−n−デシルアミノエチル基、N−イソ
アミル−N−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ(メトキシメチル)アミノエチル基、ジ(メトキ
シエチル)アミノエチル基、ジ(エトキシメチル)アミ
ノエチル基、ジ(エトキシエチル)アミノエチル基、ジ
(プロポキシエチル)アミノエチル基、ジ(ブトキシエ
チル)アミノエチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキ
シエチル)アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−n−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−n−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
n−オクチルアミノプロピル基、ジ−n−デシルアミノ
プロピル基、N−イソアミル−N−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ(メトキシメチル)ア
ミノプロピル基、ジ(メトキシエチル)アミノプロピル
基、ジ(エトキシメチル)アミノプロピル基、ジ(エト
キシエチル)アミノプロピル基、ジ(プロポキシエチ
ル)アミノプロピル基、ジ(ブトキシエチル)アミノプ
ロピル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチル)ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−n−ブチルアミノブチル基、ジ−n
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−n−オクチルアミノブ
チル基、ジ−n−デシルアミノブチル基、N−イソアミ
ル−N−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ(メトキシメチル)アミノブチル基、ジ(メトキシエ
チル)アミノブチル基、ジ(エトキシメチル)アミノブ
チル基、ジ(エトキシエチル)アミノブチル基、ジ(プ
ロポキシエチル)アミノブチル基、ジ(ブトキシエチ
ル)アミノブチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシ
エチル)アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数3〜20のアルキル基;
メチル基、ジ−n−ブチルアミノメチル基、ジ−n−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−n−オクチルアミノメチル
基、ジ−n−デシルアミノメチル基、N−イソアミル−
N−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
(メトキシメチル)アミノメチル基、ジ(メトキシエチ
ル)アミノメチル基、ジ(エトキシメチル)アミノメチ
ル基、ジ(エトキシエチル)アミノメチル基、ジ(プロ
ポキシエチル)アミノメチル基、ジ(ブトキシエチル)
アミノメチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチ
ル)アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−n−ブチルアミノエチル基、ジ
−n−ヘキシルアミノエチル基、ジ−n−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−n−デシルアミノエチル基、N−イソ
アミル−N−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ(メトキシメチル)アミノエチル基、ジ(メトキ
シエチル)アミノエチル基、ジ(エトキシメチル)アミ
ノエチル基、ジ(エトキシエチル)アミノエチル基、ジ
(プロポキシエチル)アミノエチル基、ジ(ブトキシエ
チル)アミノエチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキ
シエチル)アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−n−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−n−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
n−オクチルアミノプロピル基、ジ−n−デシルアミノ
プロピル基、N−イソアミル−N−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ(メトキシメチル)ア
ミノプロピル基、ジ(メトキシエチル)アミノプロピル
基、ジ(エトキシメチル)アミノプロピル基、ジ(エト
キシエチル)アミノプロピル基、ジ(プロポキシエチ
ル)アミノプロピル基、ジ(ブトキシエチル)アミノプ
ロピル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチル)ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−n−ブチルアミノブチル基、ジ−n
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−n−オクチルアミノブ
チル基、ジ−n−デシルアミノブチル基、N−イソアミ
ル−N−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ(メトキシメチル)アミノブチル基、ジ(メトキシエ
チル)アミノブチル基、ジ(エトキシメチル)アミノブ
チル基、ジ(エトキシエチル)アミノブチル基、ジ(プ
ロポキシエチル)アミノブチル基、ジ(ブトキシエチ
ル)アミノブチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシ
エチル)アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数3〜20のアルキル基;
【0083】アセチルアミノメチル基、アセチルアミノ
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、p−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数3〜10のアルキル基;
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、p−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数3〜10のアルキル基;
【0084】メチルスルホンアミノメチル基、メチルス
ルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル
基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホ
ンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置
換した炭素数2〜10のアルキル基;
ルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル
基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホ
ンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置
換した炭素数2〜10のアルキル基;
【0085】メチルスルホニルメチル基、エチルスルホ
ニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスル
ホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルス
ルホニルエチル基、2−エチルヘキシルスルホニルエチ
ル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルスルホ
ニルメチル基、2,2,3,3−テトラクロロプロピル
スルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換
した炭素数2〜10のアルキル基;
ニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスル
ホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルス
ルホニルエチル基、2−エチルヘキシルスルホニルエチ
ル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルスルホ
ニルメチル基、2,2,3,3−テトラクロロプロピル
スルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換
した炭素数2〜10のアルキル基;
【0086】ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンス
ルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベ
ンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル
基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニル
プロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンス
ルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシ
レンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル
基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数7〜1
2のアルキル基;
ルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベ
ンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル
基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニル
プロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンス
ルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシ
レンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル
基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数7〜1
2のアルキル基;
【0087】チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル
基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミ
ダゾリジノメチル基、オキサゾリルメチル基、トリアゾ
リノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチ
ル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチ
ル基などの複素環基で置換した炭素数2〜13のアルキ
ル基;
基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミ
ダゾリジノメチル基、オキサゾリルメチル基、トリアゾ
リノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチ
ル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチ
ル基などの複素環基で置換した炭素数2〜13のアルキ
ル基;
【0088】フェロセニルメチル基、フェロセニルエチ
ル基、フェロセニル−n−プロピル基、フェロセニル−
iso−プロピル基、フェロセニル−n−ブチル基、フ
ェロセニル−iso−ブチル基、フェロセニル−sec
−ブチル基、フェロセニル−t−ブチル基、フェロセニ
ル−n−ペンチル基、フェロセニル−iso−ペンチル
基、フェロセニル−2−メチルブチル基、フェロセニル
−1−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、
フェロセニル−1,2−ジメチルプロピル基、フェロセ
ニル−1,1−ジメチルプロピル基、フェロセニルシク
ロペンチル基、フェロセニル−n−ヘキシル基、フェロ
セニル−4−メチルペンチル基、フェロセニル−3−メ
チルペンチル基、フェロセニル−2−メチルペンチル
基、フェロセニル−1−メチルペンチル基、フェロセニ
ル−3,3−ジメチルブチル基、フェロセニル−2,3
−ジメチルブチル基、フェロセニル−1,3−ジメチル
ブチル基、フェロセニル−2,2−ジメチルブチル基、
フェロセニル−1,2−ジメチルブチル基、フェロセニ
ル−1,1−ジメチルブチル基、フェロセニル−3−エ
チルブチル基、フェロセニル−2−エチルブチル基、フ
ェロセニル−1−エチルブチル基、フェロセニル−1,
2,2−トリメチルブチル基、フェロセニル−1,1,
2−トリメチルブチル基、フェロセニル−1−エチル−
2−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル
基、フェロセニル−n−ヘプチル基、フェロセニル−2
−メチルヘキシル基、フェロセニル−3−メチルヘキシ
ル基、フェロセニル−4−メチルヘキシル基、フェロセ
ニル−5−メチルヘキシル基、フェロセニル−2,4−
ジメチルペンチル基、フェロセニル−n−オクチル基、
フェロセニル−2−エチルヘキシル基、フェロセニル−
2,5−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−2,5,
5−トリメチルペンチル基、フェロセニル−2,4−ジ
メチルヘキシル基、フェロセニル−2,2,4−トリメ
チルペンチル基、フェロセニル−3,5,5−トリメチ
ルヘキシル基、フェロセニル−n−ノニル基、フェロセ
ニル−n−デシル基、
ル基、フェロセニル−n−プロピル基、フェロセニル−
iso−プロピル基、フェロセニル−n−ブチル基、フ
ェロセニル−iso−ブチル基、フェロセニル−sec
−ブチル基、フェロセニル−t−ブチル基、フェロセニ
ル−n−ペンチル基、フェロセニル−iso−ペンチル
基、フェロセニル−2−メチルブチル基、フェロセニル
−1−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、
フェロセニル−1,2−ジメチルプロピル基、フェロセ
ニル−1,1−ジメチルプロピル基、フェロセニルシク
ロペンチル基、フェロセニル−n−ヘキシル基、フェロ
セニル−4−メチルペンチル基、フェロセニル−3−メ
チルペンチル基、フェロセニル−2−メチルペンチル
基、フェロセニル−1−メチルペンチル基、フェロセニ
ル−3,3−ジメチルブチル基、フェロセニル−2,3
−ジメチルブチル基、フェロセニル−1,3−ジメチル
ブチル基、フェロセニル−2,2−ジメチルブチル基、
フェロセニル−1,2−ジメチルブチル基、フェロセニ
ル−1,1−ジメチルブチル基、フェロセニル−3−エ
チルブチル基、フェロセニル−2−エチルブチル基、フ
ェロセニル−1−エチルブチル基、フェロセニル−1,
2,2−トリメチルブチル基、フェロセニル−1,1,
2−トリメチルブチル基、フェロセニル−1−エチル−
2−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル
基、フェロセニル−n−ヘプチル基、フェロセニル−2
−メチルヘキシル基、フェロセニル−3−メチルヘキシ
ル基、フェロセニル−4−メチルヘキシル基、フェロセ
ニル−5−メチルヘキシル基、フェロセニル−2,4−
ジメチルペンチル基、フェロセニル−n−オクチル基、
フェロセニル−2−エチルヘキシル基、フェロセニル−
2,5−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−2,5,
5−トリメチルペンチル基、フェロセニル−2,4−ジ
メチルヘキシル基、フェロセニル−2,2,4−トリメ
チルペンチル基、フェロセニル−3,5,5−トリメチ
ルヘキシル基、フェロセニル−n−ノニル基、フェロセ
ニル−n−デシル基、
【0089】コバルトセニルメチル基、コバルトセニル
エチル基、コバルトセニル−n−プロピル基、コバルト
セニル−iso−プロピル基、コバルトセニル−n−ブ
チル基、コバルトセニル−iso−ブチル基、コバルト
セニル−sec−ブチル基、コバルトセニル−t−ブチ
ル基、コバルトセニル−n−ペンチル基、コバルトセニ
ル−iso−ペンチル基、コバルトセニル−2−メチル
ブチル基、コバルトセニル−1−メチルブチル基、コバ
ルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−1,2−
ジメチルプロピル基、コバルトセニル−1,1−ジメチ
ルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバ
ルトセニル−n−ヘキシル基、コバルトセニル−4−メ
チルペンチル基、コバルトセニル−3−メチルペンチル
基、コバルトセニル−2−メチルペンチル基、コバルト
セニル−1−メチルペンチル基、コバルトセニル−3,
3−ジメチルブチル基、コバルトセニル−2,3−ジメ
チルブチル基、コバルトセニル−1,3−ジメチルブチ
ル基、コバルトセニル−2,2−ジメチルブチル基、コ
バルトセニル−1,2−ジメチルブチル基、コバルトセ
ニル−1,1−ジメチルブチル基、コバルトセニル−3
−エチルブチル基、コバルトセニル−2−エチルブチル
基、コバルトセニル−1−エチルブチル基、コバルトセ
ニル−1,2,2−トリメチルブチル基、コバルトセニ
ル−1,1,2−トリメチルブチル基、コバルトセニル
−1−エチル−2−メチルプロピル基、コバルトセニル
シクロヘキシル基、コバルトセニル−n−ヘプチル基、
コバルトセニル−2−メチルヘキシル基、コバルトセニ
ル−3−メチルヘキシル基、コバルトセニル−4−メチ
ルヘキシル基、コバルトセニル−5−メチルヘキシル
基、コバルトセニル−2,4−ジメチルペンチル基、コ
バルトセニル−n−オクチル基、コバルトセニル−2−
エチルヘキシル基、コバルトセニル−2,5−ジメチル
ヘキシル基、コバルトセニル−2,5,5−トリメチル
ペンチル基、コバルトセニル−2,4−ジメチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−2,2,4−トリメチルペンチ
ル基、コバルトセニル−3,5,5−トリメチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−n−ノニル基、コバルトセニル
−n−デシル基、
エチル基、コバルトセニル−n−プロピル基、コバルト
セニル−iso−プロピル基、コバルトセニル−n−ブ
チル基、コバルトセニル−iso−ブチル基、コバルト
セニル−sec−ブチル基、コバルトセニル−t−ブチ
ル基、コバルトセニル−n−ペンチル基、コバルトセニ
ル−iso−ペンチル基、コバルトセニル−2−メチル
ブチル基、コバルトセニル−1−メチルブチル基、コバ
ルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−1,2−
ジメチルプロピル基、コバルトセニル−1,1−ジメチ
ルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバ
ルトセニル−n−ヘキシル基、コバルトセニル−4−メ
チルペンチル基、コバルトセニル−3−メチルペンチル
基、コバルトセニル−2−メチルペンチル基、コバルト
セニル−1−メチルペンチル基、コバルトセニル−3,
3−ジメチルブチル基、コバルトセニル−2,3−ジメ
チルブチル基、コバルトセニル−1,3−ジメチルブチ
ル基、コバルトセニル−2,2−ジメチルブチル基、コ
バルトセニル−1,2−ジメチルブチル基、コバルトセ
ニル−1,1−ジメチルブチル基、コバルトセニル−3
−エチルブチル基、コバルトセニル−2−エチルブチル
基、コバルトセニル−1−エチルブチル基、コバルトセ
ニル−1,2,2−トリメチルブチル基、コバルトセニ
ル−1,1,2−トリメチルブチル基、コバルトセニル
−1−エチル−2−メチルプロピル基、コバルトセニル
シクロヘキシル基、コバルトセニル−n−ヘプチル基、
コバルトセニル−2−メチルヘキシル基、コバルトセニ
ル−3−メチルヘキシル基、コバルトセニル−4−メチ
ルヘキシル基、コバルトセニル−5−メチルヘキシル
基、コバルトセニル−2,4−ジメチルペンチル基、コ
バルトセニル−n−オクチル基、コバルトセニル−2−
エチルヘキシル基、コバルトセニル−2,5−ジメチル
ヘキシル基、コバルトセニル−2,5,5−トリメチル
ペンチル基、コバルトセニル−2,4−ジメチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−2,2,4−トリメチルペンチ
ル基、コバルトセニル−3,5,5−トリメチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−n−ノニル基、コバルトセニル
−n−デシル基、
【0090】ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニル
エチル基、ニッケロセニル−n−プロピル基、ニッケロ
セニル−iso−プロピル基、ニッケロセニル−n−ブ
チル基、ニッケロセニル−iso−ブチル基、ニッケロ
セニル−sec−ブチル基、ニッケロセニル−t−ブチ
ル基、ニッケロセニル−n−ペンチル基、ニッケロセニ
ル−iso−ペンチル基、ニッケロセニル−2−メチル
ブチル基、ニッケロセニル−1−メチルブチル基、ニッ
ケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−1,2−
ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−1,1−ジメチ
ルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッ
ケロセニル−n−ヘキシル基、ニッケロセニル−4−メ
チルペンチル基、ニッケロセニル−3−メチルペンチル
基、ニッケロセニル−2−メチルペンチル基、ニッケロ
セニル−1−メチルペンチル基、ニッケロセニル−3,
3−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−2,3−ジメ
チルブチル基、ニッケロセニル−1,3−ジメチルブチ
ル基、ニッケロセニル−2,2−ジメチルブチル基、ニ
ッケロセニル−1,2−ジメチルブチル基、ニッケロセ
ニル−1,1−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−3
−エチルブチル基、ニッケロセニル−2−エチルブチル
基、ニッケロセニル−1−エチルブチル基、ニッケロセ
ニル−1,2,2−トリメチルブチル基、ニッケロセニ
ル−1,1,2−トリメチルブチル基、ニッケロセニル
−1−エチル−2−メチルプロピル基、ニッケロセニル
シクロヘキシル基、ニッケロセニル−n−ヘプチル基、
ニッケロセニル−2−メチルヘキシル基、ニッケロセニ
ル−3−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−4−メチ
ルヘキシル基、ニッケロセニル−5−メチルヘキシル
基、ニッケロセニル−2,4−ジメチルペンチル基、ニ
ッケロセニル−n−オクチル基、ニッケロセニル−2−
エチルヘキシル基、ニッケロセニル−2,5−ジメチル
ヘキシル基、ニッケロセニル−2,5,5−トリメチル
ペンチル基、ニッケロセニル−2,4−ジメチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−2,2,4−トリメチルペンチ
ル基、ニッケロセニル−3,5,5−トリメチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−n−ノニル基、ニッケロセニル
−n−デシル基;
エチル基、ニッケロセニル−n−プロピル基、ニッケロ
セニル−iso−プロピル基、ニッケロセニル−n−ブ
チル基、ニッケロセニル−iso−ブチル基、ニッケロ
セニル−sec−ブチル基、ニッケロセニル−t−ブチ
ル基、ニッケロセニル−n−ペンチル基、ニッケロセニ
ル−iso−ペンチル基、ニッケロセニル−2−メチル
ブチル基、ニッケロセニル−1−メチルブチル基、ニッ
ケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−1,2−
ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−1,1−ジメチ
ルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッ
ケロセニル−n−ヘキシル基、ニッケロセニル−4−メ
チルペンチル基、ニッケロセニル−3−メチルペンチル
基、ニッケロセニル−2−メチルペンチル基、ニッケロ
セニル−1−メチルペンチル基、ニッケロセニル−3,
3−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−2,3−ジメ
チルブチル基、ニッケロセニル−1,3−ジメチルブチ
ル基、ニッケロセニル−2,2−ジメチルブチル基、ニ
ッケロセニル−1,2−ジメチルブチル基、ニッケロセ
ニル−1,1−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−3
−エチルブチル基、ニッケロセニル−2−エチルブチル
基、ニッケロセニル−1−エチルブチル基、ニッケロセ
ニル−1,2,2−トリメチルブチル基、ニッケロセニ
ル−1,1,2−トリメチルブチル基、ニッケロセニル
−1−エチル−2−メチルプロピル基、ニッケロセニル
シクロヘキシル基、ニッケロセニル−n−ヘプチル基、
ニッケロセニル−2−メチルヘキシル基、ニッケロセニ
ル−3−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−4−メチ
ルヘキシル基、ニッケロセニル−5−メチルヘキシル
基、ニッケロセニル−2,4−ジメチルペンチル基、ニ
ッケロセニル−n−オクチル基、ニッケロセニル−2−
エチルヘキシル基、ニッケロセニル−2,5−ジメチル
ヘキシル基、ニッケロセニル−2,5,5−トリメチル
ペンチル基、ニッケロセニル−2,4−ジメチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−2,2,4−トリメチルペンチ
ル基、ニッケロセニル−3,5,5−トリメチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−n−ノニル基、ニッケロセニル
−n−デシル基;
【0091】ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロ
ロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス(トリフ
ルオメタンスルホナト)チタノセンメチル基、ジクロロ
ジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチ
ル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス(シク
ロペンタジエニル)クロムメチル基、ビス(シクロペン
タジエニル)ジクロロモリブデンメチル基、ビス(シク
ロペンタジエニル)ジクロロハフニウムメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)ジクロロニオブメチル基、ビ
ス(シクロペンタジエニル)ルテニウムメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)バナジウムメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)ジクロロバナジウムメチル基
などのメタロセニル基で置換した炭素数11〜20のア
ルキル基;
ロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス(トリフ
ルオメタンスルホナト)チタノセンメチル基、ジクロロ
ジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチ
ル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス(シク
ロペンタジエニル)クロムメチル基、ビス(シクロペン
タジエニル)ジクロロモリブデンメチル基、ビス(シク
ロペンタジエニル)ジクロロハフニウムメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)ジクロロニオブメチル基、ビ
ス(シクロペンタジエニル)ルテニウムメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)バナジウムメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)ジクロロバナジウムメチル基
などのメタロセニル基で置換した炭素数11〜20のア
ルキル基;
【0092】フェロセニルメトキシメチル基、フェロセ
ニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル
基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメト
キシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フ
ェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシ
オクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセ
ニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル
基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエト
キシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェ
ロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘ
キシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセ
ニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル
基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロ
ポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フ
ェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポ
キシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フ
ェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポ
キシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、
フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポ
キシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロ
セニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピ
ル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブ
トキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、
フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキ
シオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロ
セニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメ
チル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセ
ニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキ
シブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フ
ェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシ
ルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチ
ル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニ
ルデシルオキシデシル基;
ニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル
基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメト
キシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フ
ェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシ
オクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセ
ニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル
基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエト
キシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェ
ロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘ
キシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセ
ニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル
基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロ
ポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フ
ェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポ
キシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フ
ェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポ
キシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、
フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポ
キシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロ
セニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピ
ル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブ
トキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、
フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキ
シオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロ
セニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメ
チル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセ
ニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキ
シブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フ
ェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシ
ルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチ
ル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニ
ルデシルオキシデシル基;
【0093】コバルトセニルメトキシメチル基、コバル
トセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプ
ロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルト
セニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘ
キシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバル
トセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシ
ノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルト
セニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチ
ル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセ
ニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチ
ル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセ
ニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオク
チル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセ
ニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチ
ル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセ
ニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシ
ブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバ
ルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロ
ポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル
基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニ
ルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル
基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニル
ブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル
基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニ
ルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチ
ル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセ
ニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル
基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセ
ニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキ
シプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、
コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニ
ルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキ
シヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル
基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセ
ニルデシルオキシデシル基;
トセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプ
ロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルト
セニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘ
キシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバル
トセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシ
ノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルト
セニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチ
ル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセ
ニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチ
ル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセ
ニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオク
チル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセ
ニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチ
ル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセ
ニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシ
ブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバ
ルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロ
ポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル
基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニ
ルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル
基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニル
ブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル
基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニ
ルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチ
ル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセ
ニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル
基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセ
ニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキ
シプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、
コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニ
ルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキ
シヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル
基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセ
ニルデシルオキシデシル基;
【0094】ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケ
ロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプ
ロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロ
セニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘ
キシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケ
ロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシ
ノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロ
セニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチ
ル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセ
ニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチ
ル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセ
ニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオク
チル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセ
ニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチ
ル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセ
ニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシ
ブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッ
ケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロ
ポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル
基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニ
ルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル
基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニル
ブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル
基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニ
ルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチ
ル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセ
ニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル
基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセ
ニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキ
シプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、
ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニ
ルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキ
シヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル
基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセ
ニルデシルオキシデシル基;
ロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプ
ロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロ
セニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘ
キシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケ
ロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシ
ノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロ
セニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチ
ル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセ
ニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチ
ル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセ
ニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオク
チル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセ
ニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチ
ル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセ
ニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシ
ブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッ
ケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロ
ポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル
基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニ
ルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル
基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニル
ブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル
基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニ
ルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチ
ル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセ
ニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル
基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセ
ニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキ
シプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、
ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニ
ルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキ
シヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル
基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセ
ニルデシルオキシデシル基;
【0095】ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、
トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル
基、ビス(トリフルオロメタンスルホナト)チタノセン
メトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシ
ブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル
基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)クロムメトキシヘキシル基、
ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロハフニウムメト
キシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロ
ニオブメトキシオクチル基、ビス(シクロペンタジエニ
ル)ルテニウムメトキシメチル基、ビス(シクロペンタ
ジエニル)バナジウムメトキシメチル基、ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジクロロバナジウムメトキシエチル
基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニル
アルキルオキシ基で置換した炭素数12〜30のアルキ
ル基;
トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル
基、ビス(トリフルオロメタンスルホナト)チタノセン
メトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシ
ブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル
基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)クロムメトキシヘキシル基、
ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロハフニウムメト
キシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロ
ニオブメトキシオクチル基、ビス(シクロペンタジエニ
ル)ルテニウムメトキシメチル基、ビス(シクロペンタ
ジエニル)バナジウムメトキシメチル基、ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジクロロバナジウムメトキシエチル
基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニル
アルキルオキシ基で置換した炭素数12〜30のアルキ
ル基;
【0096】フェロセンカルボニルオキシメチル基、フ
ェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボ
ニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブ
チル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェ
ロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボ
ニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオ
クチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェ
ロセンカルボニルオキシデシル基;
ェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボ
ニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブ
チル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェ
ロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボ
ニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオ
クチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェ
ロセンカルボニルオキシデシル基;
【0097】コバルトセンカルボニルオキシメチル基、
コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセン
カルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニル
オキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチ
ル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバ
ルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカ
ルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオ
キシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル
基、
コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセン
カルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニル
オキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチ
ル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバ
ルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカ
ルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオ
キシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル
基、
【0098】ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、
ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセン
カルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニル
オキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチ
ル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッ
ケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカ
ルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオ
キシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル
基、
ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセン
カルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニル
オキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチ
ル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッ
ケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカ
ルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオ
キシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル
基、
【0099】ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメ
チル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボ
ニルオキシエチル基、ビス(トリフルオロメタンスルホ
ナト)チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル
基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、
ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジ
エトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)クロムカルボニルオキシヘキ
シル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロハフニ
ウムカルボニルオキシメチル基、ビス(シクロペンタジ
エニル)ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、
ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムカルボニルオ
キシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)バナジウ
ムカルボニルオキシメチル基、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、
ビス(シクロペンタジエニル)オスミウムカルボニルオ
キシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で
置換した炭素数12〜30のアルキル基等が挙げられ
る。
チル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボ
ニルオキシエチル基、ビス(トリフルオロメタンスルホ
ナト)チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル
基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、
ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジ
エトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス
(シクロペンタジエニル)クロムカルボニルオキシヘキ
シル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロハフニ
ウムカルボニルオキシメチル基、ビス(シクロペンタジ
エニル)ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、
ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムカルボニルオ
キシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)バナジウ
ムカルボニルオキシメチル基、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、
ビス(シクロペンタジエニル)オスミウムカルボニルオ
キシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で
置換した炭素数12〜30のアルキル基等が挙げられ
る。
【0100】R1〜R12の置換または無置換の表される
置換基を有していてもよいアラルキル基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有してもよい
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、フェネ
チル基、3−フェニルプロピル基、1−ナフチルメチル
基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2
−ナフチルエチル基、ビベンジル基、2−アントラニル
メチル基、フルオレン−9−イル基、フルオレン−9−
イルメチル基、フルオレン−9−イルエチル基等の炭素
数7〜15の無置換アラルキル基;4−エチルベンジル
基、4−p−イソプロピルベンジル基、4−t−ブチル
ベンジル基、トリルメチル基、トリルエチル基、2,3
−ジメチルベンジル基、2,4−ジメチルベンジル基、
2,5−ジメチルベンジル基、2,6−ジメチルベンジ
ル基、2,4,6−トリメチルベンジル基、2,3−ジ
メチルフェニルエチル基、2,4−ジメチルフェニルエ
チル基、2,5−ジメチルフェニルエチル基、2,6−
ジメチルフェニルエチル基、2,4,6−トリメチルフ
ェニルエチル基、p−イソプロピルフェニルエチル基、
t−ブチルフェニルエチル基、4−t−ブチルフェニル
エチル基等、9−メチルフルオレン−9−イル基、9−
エチルフルオレン−9−イル基、9−プロピルフルオレ
ン−9−イル基、9−ブチル−フルオレン−9−イル基
のアルキル基が置換した炭素数8〜17のアラルキル
基;2−クロロベンジル基、3−クロロベンジル基、4
−クロロベンジル基、2−ブロモベンジル基、3−ブロ
モベンジル基、4−ブロモベンジル基、2−フルオロベ
ンジル基、3−フルオロベンジル基、4−フルオロベン
ジル基、2−トリフルオロメチルベンジル基、3−トリ
フルオロメチルベンジル基、4−トリフルオロメチルベ
ンジル基、2−クロロナフチルメチル基、3−クロロナ
フチルメチル基、4−クロロナフチルメチル基、2−ク
ロロフェニルエチル基、3−クロロフェニルエチル基、
4−クロロフェニルエチル基、2−ブロモフェニルエチ
ル基、3−ブロモフェニルエチル基、4−ブロモフェニ
ルエチル基、2−フルオロフェニルエチル基、3−フル
オロフェニルエチル基、4−フルオロフェニルエチル
基、2−クロロナフチルエチル基、3−クロロナフチル
エチル基、4−クロロナフチルエチル基、2−トリフル
オロメチルナフチルエチル基、3−トリフルオロメチル
ナフチルエチル基、4−トリフルオロメチルナフチルエ
チル基等のハロゲン原子が置換した炭素数7〜12のア
ラルキル基;2−メトキシベンジル基、3−メトキシベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、2−エトキシベン
ジル基、3−エトキシベンジル基、4−エトキシベンジ
ル基、2−n−プロポキシベンジル基、3−n−プロポ
キシベンジル基、4−n−プロポキシベンジル基、2−
イソプロポキシベンジル基、3−イソプロポキシベンジ
ル基、4−イソプロポキシベンジル基、2−n−ブトキ
シベンジル基、3−n−ブトキシベンジル基、4−n−
ブトキシベンジル基、2−イソブトキシベンジル基、3
−イソブトキシベンジル基、4−イソブトキシベンジル
基、2−t−ブトキシベンジル基、3−t−ブトキシベ
ンジル基、4−t−ブトキシベンジル基、2−メトキシ
フェニルエチル基、3−メトキシフェニルエチル基、4
−メトキシフェニルエチル基、2−エトキシフェニルエ
チル基、3−エトキシフェニルエチル基、4−エトキシ
フェニルエチル基、2−n−プロポキシフェニルエチル
基、3−n−プロポキシフェニルエチル基、4−n−プ
ロポキシフェニルエチル基、2−イソプロポキシフェニ
ルエチル基、3−イソプロポキシフェニルエチル基、4
−イソプロポキシフェニルエチル基、2−n−ブトキシ
フェニルエチル基、3−n−ブトキシフェニルエチル
基、4−n−ブトキシフェニルエチル基、2−イソブト
キシフェニルエチル基、3−イソブトキシフェニルエチ
ル基、4−イソブトキシフェニルエチル基、2−t−ブ
トキシフェニルエチル基、3−t−ブトキシフェニルエ
チル基、4−t−ブトキシフェニルエチル基等のアルコ
キシ基が置換した炭素数8〜12のアラルキル基;ニト
ロベンジル基、ニトロフェネチル基、ニトロナフチルメ
チル基、ニトロナフチルエチル基等のニトロ基が置換し
た炭素数7〜12のアラルキル基;シアノベンジル基、
シアノフェネチル基、シアノナフチルメチル基、シアノ
ナフチルエチル基等のシアノ基が置換した炭素数7〜1
2のアラルキル基;ヒドロキシベンジル基、ヒドロキシ
フェネチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、ヒドロキ
シナフチルエチル基等のヒドロキシ基が置換した炭素数
7〜12のアラルキル基等が挙げられる。
置換基を有していてもよいアラルキル基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有してもよい
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、フェネ
チル基、3−フェニルプロピル基、1−ナフチルメチル
基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2
−ナフチルエチル基、ビベンジル基、2−アントラニル
メチル基、フルオレン−9−イル基、フルオレン−9−
イルメチル基、フルオレン−9−イルエチル基等の炭素
数7〜15の無置換アラルキル基;4−エチルベンジル
基、4−p−イソプロピルベンジル基、4−t−ブチル
ベンジル基、トリルメチル基、トリルエチル基、2,3
−ジメチルベンジル基、2,4−ジメチルベンジル基、
2,5−ジメチルベンジル基、2,6−ジメチルベンジ
ル基、2,4,6−トリメチルベンジル基、2,3−ジ
メチルフェニルエチル基、2,4−ジメチルフェニルエ
チル基、2,5−ジメチルフェニルエチル基、2,6−
ジメチルフェニルエチル基、2,4,6−トリメチルフ
ェニルエチル基、p−イソプロピルフェニルエチル基、
t−ブチルフェニルエチル基、4−t−ブチルフェニル
エチル基等、9−メチルフルオレン−9−イル基、9−
エチルフルオレン−9−イル基、9−プロピルフルオレ
ン−9−イル基、9−ブチル−フルオレン−9−イル基
のアルキル基が置換した炭素数8〜17のアラルキル
基;2−クロロベンジル基、3−クロロベンジル基、4
−クロロベンジル基、2−ブロモベンジル基、3−ブロ
モベンジル基、4−ブロモベンジル基、2−フルオロベ
ンジル基、3−フルオロベンジル基、4−フルオロベン
ジル基、2−トリフルオロメチルベンジル基、3−トリ
フルオロメチルベンジル基、4−トリフルオロメチルベ
ンジル基、2−クロロナフチルメチル基、3−クロロナ
フチルメチル基、4−クロロナフチルメチル基、2−ク
ロロフェニルエチル基、3−クロロフェニルエチル基、
4−クロロフェニルエチル基、2−ブロモフェニルエチ
ル基、3−ブロモフェニルエチル基、4−ブロモフェニ
ルエチル基、2−フルオロフェニルエチル基、3−フル
オロフェニルエチル基、4−フルオロフェニルエチル
基、2−クロロナフチルエチル基、3−クロロナフチル
エチル基、4−クロロナフチルエチル基、2−トリフル
オロメチルナフチルエチル基、3−トリフルオロメチル
ナフチルエチル基、4−トリフルオロメチルナフチルエ
チル基等のハロゲン原子が置換した炭素数7〜12のア
ラルキル基;2−メトキシベンジル基、3−メトキシベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、2−エトキシベン
ジル基、3−エトキシベンジル基、4−エトキシベンジ
ル基、2−n−プロポキシベンジル基、3−n−プロポ
キシベンジル基、4−n−プロポキシベンジル基、2−
イソプロポキシベンジル基、3−イソプロポキシベンジ
ル基、4−イソプロポキシベンジル基、2−n−ブトキ
シベンジル基、3−n−ブトキシベンジル基、4−n−
ブトキシベンジル基、2−イソブトキシベンジル基、3
−イソブトキシベンジル基、4−イソブトキシベンジル
基、2−t−ブトキシベンジル基、3−t−ブトキシベ
ンジル基、4−t−ブトキシベンジル基、2−メトキシ
フェニルエチル基、3−メトキシフェニルエチル基、4
−メトキシフェニルエチル基、2−エトキシフェニルエ
チル基、3−エトキシフェニルエチル基、4−エトキシ
フェニルエチル基、2−n−プロポキシフェニルエチル
基、3−n−プロポキシフェニルエチル基、4−n−プ
ロポキシフェニルエチル基、2−イソプロポキシフェニ
ルエチル基、3−イソプロポキシフェニルエチル基、4
−イソプロポキシフェニルエチル基、2−n−ブトキシ
フェニルエチル基、3−n−ブトキシフェニルエチル
基、4−n−ブトキシフェニルエチル基、2−イソブト
キシフェニルエチル基、3−イソブトキシフェニルエチ
ル基、4−イソブトキシフェニルエチル基、2−t−ブ
トキシフェニルエチル基、3−t−ブトキシフェニルエ
チル基、4−t−ブトキシフェニルエチル基等のアルコ
キシ基が置換した炭素数8〜12のアラルキル基;ニト
ロベンジル基、ニトロフェネチル基、ニトロナフチルメ
チル基、ニトロナフチルエチル基等のニトロ基が置換し
た炭素数7〜12のアラルキル基;シアノベンジル基、
シアノフェネチル基、シアノナフチルメチル基、シアノ
ナフチルエチル基等のシアノ基が置換した炭素数7〜1
2のアラルキル基;ヒドロキシベンジル基、ヒドロキシ
フェネチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、ヒドロキ
シナフチルエチル基等のヒドロキシ基が置換した炭素数
7〜12のアラルキル基等が挙げられる。
【0101】R1〜R12の置換または無置換の表される
置換基を有していてもよいアリール基の例としては、前
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有してもよいア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ナフチル
基、アンスラニル基、フルオランテニル基、ピレニル
基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、フェナントレ
ニル基等の炭素数6〜20の無置換アリール基;ニトロ
フェニル基、ニトロナフチル基、ニトロアンスラニル
基、ニトロフルオランテニル基、ニトロピレニル基、ニ
トロペリレニル基、ニトロトリフェニレニル基、ニトロ
フェナントレニル基等の炭素数6〜20のニトロアリー
ル基;シアノフェニル基、シアノナフチル基、シアノア
ンスラニル基、シアノフルオランテニル基、シアノピレ
ニル基、シアノペリレニル基、シアノトリフェニレニル
基、シアノフェナントレニル基等の炭素数6〜20のシ
アノアリール基;ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナ
フチル基、ヒドロキシアンスラニル基、ヒドロキシフル
オランテニル基、ヒドロキシピレニル基、ヒドロキシペ
リレニル基、ヒドロキシトリフェニレニル基、ヒドロキ
シフェナントレニル基等の炭素数6〜20のヒドロキシ
アリール基;2−メチルフェニル基、3−メチルフェニ
ル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニ
ル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチル
フェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,4−ジ
メチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3,
6−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェ
ニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,
6−トリメチルフェニル基、2,4,5−トリメチルフ
ェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、3,
4,5−トリメチルフェニル基、2−エチルフェニル
基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキシル
フェニル基、シクロヘキシルフェニル基、オクチルフェ
ニル基、2−メチル−1−ナフチル基、3−メチル−1
−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、5−メチ
ル−1−ナフチル基、6−メチル−1−ナフチル基、7
−メチル−1−ナフチル基、8−メチル−1−ナフチル
基、1−メチル−2−ナフチル基、3−メチル−2−ナ
フチル基、4−メチル−2−ナフチル基、5−メチル−
2−ナフチル基、6−メチル−2−ナフチル基、7−メ
チル−2−ナフチル基、8−メチル−2−ナフチル基、
2−エチル−1−ナフチル基、n−デシルナフチル基等
の、アルキル基が置換した炭素数7〜20のアリール
基;クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロ
ロフェニル基、ブロモフェニル基、ジブロモフェニル
基、ヨードフェニル基、フルオロフェニル基、ジフルオ
ロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオ
ロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオ
ロメチルフェニル基、トリフルオロメチルナフチル基、
6−(パーフルオロデシルオキシ)ナフチル基等の、ハ
ロゲン原子が置換した炭素数6〜20のアリール基;3
−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、2,
3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニ
ル基、2,5−ジメトキシフェニル基、2,6−ジメト
キシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,
5−ジメトキシフェニル基、3,6−ジメトキシフェニ
ル基、2,3,4−トリメトキシフェニル基、2,3,
5−トリメトキシフェニル基、2,3,6−トリメトキ
シフェニル基、2,4,5−トリメトキシフェニル基、
2,4,6−トリメトキシフェニル基、3,4,5−ト
リメトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、プロ
ポキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ヘキシルオキ
シフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、オク
チルオキシフェニル基、2−メトキシ−1−ナフチル
基、3−メトキシ−1−ナフチル基、4−メトキシ−1
−ナフチル基、5−メトキシ−1−ナフチル基、6−メ
トキシ−1−ナフチル基、7−メトキシ−1−ナフチル
基、8−メトキシ−1−ナフチル基、1−メトキシ−2
−ナフチル基、3−メトキシ−2−ナフチル基、4−メ
トキシ−2−ナフチル基、5−メトキシ−2−ナフチル
基、6−メトキシ−2−ナフチル基、7−メトキシ−2
−ナフチル基、8−メトキシ−2−ナフチル基、2−エ
トキシ−1−ナフチル基、デカリノキシナフチル基等
の、アルコキシ基が置換した炭素数7〜20のアリール
基;フェノキシフェニル基、ナフトキシナフチル基等
の、アリールオキシ基で置換した炭素数12〜20のア
リール基;メチルチオフェニル基、エチルチオフェニル
基、メチルチオナフチル基、デシルチオナフチル基等の
アルキルチオ基で置換した炭素数7〜20のアリール
基;フェニルチオフェニル基、ナフチルチオナフチル基
等の、アリールチオ基で置換した炭素数12〜20のア
リール基;N−メチルアミノフェニル基、N−エチルア
ミノフェニル基、N−デシルアミノナフチル基、N−フ
ェニルアミノフェニル基、N−トリルアミノフェニル基
等の、N−モノアルキルアミノ基またはモノアリールア
ミノ基で置換したアリール基;N,N−ジメチルアミノ
フェニル基、N,N−ジエチルアミノフェニル基、N−
フェニル−N−メチルアミノフェニル基、N−トリル−
N−エチルアミノフェニル基、N−クロロフェニル−N
−シクロヘキシルアミノフェニル基、N,N−ジトリル
アミノフェニル基等の、N,N−ジアルキルアミノ基ま
たはN,N−ジアリールアミノ基またはN−アリール−
N−アルキルアミノ基で置換した炭素数8〜20のアリ
ール基;メトキシカルボニルフェニル基、エトキシカル
ボニルフェニル基、デシルオキシカルボニルフェニル基
等のアルコキシカルボニル基で置換した炭素数2〜17
のアリール基;フェノキシカルボニルフェニル基、ナフ
チルオキシカルボニルフェニル基、トリルオキシカルボ
ニルフェニル基等のアリールオキシカルボニル基で置換
した炭素数13〜17のアリール基;ジメチルアミノカ
ルボニルフェニル基、ジエチルアミノカルボニルフェニ
ル基、ジプロピルアミノカルボニルフェニル基、ジブチ
ルアミノカルボニルフェニル基等のジアルキルアミノカ
ルボニル基で置換した炭素数9〜15のアリール基;4
−(5’−メチルベンゾキサゾール−2’−イル)フェ
ニル基などの炭素数6〜20のアリール基等が挙げられ
る。
置換基を有していてもよいアリール基の例としては、前
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有してもよいア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ナフチル
基、アンスラニル基、フルオランテニル基、ピレニル
基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、フェナントレ
ニル基等の炭素数6〜20の無置換アリール基;ニトロ
フェニル基、ニトロナフチル基、ニトロアンスラニル
基、ニトロフルオランテニル基、ニトロピレニル基、ニ
トロペリレニル基、ニトロトリフェニレニル基、ニトロ
フェナントレニル基等の炭素数6〜20のニトロアリー
ル基;シアノフェニル基、シアノナフチル基、シアノア
ンスラニル基、シアノフルオランテニル基、シアノピレ
ニル基、シアノペリレニル基、シアノトリフェニレニル
基、シアノフェナントレニル基等の炭素数6〜20のシ
アノアリール基;ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナ
フチル基、ヒドロキシアンスラニル基、ヒドロキシフル
オランテニル基、ヒドロキシピレニル基、ヒドロキシペ
リレニル基、ヒドロキシトリフェニレニル基、ヒドロキ
シフェナントレニル基等の炭素数6〜20のヒドロキシ
アリール基;2−メチルフェニル基、3−メチルフェニ
ル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニ
ル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチル
フェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,4−ジ
メチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3,
6−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェ
ニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,
6−トリメチルフェニル基、2,4,5−トリメチルフ
ェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、3,
4,5−トリメチルフェニル基、2−エチルフェニル
基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキシル
フェニル基、シクロヘキシルフェニル基、オクチルフェ
ニル基、2−メチル−1−ナフチル基、3−メチル−1
−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、5−メチ
ル−1−ナフチル基、6−メチル−1−ナフチル基、7
−メチル−1−ナフチル基、8−メチル−1−ナフチル
基、1−メチル−2−ナフチル基、3−メチル−2−ナ
フチル基、4−メチル−2−ナフチル基、5−メチル−
2−ナフチル基、6−メチル−2−ナフチル基、7−メ
チル−2−ナフチル基、8−メチル−2−ナフチル基、
2−エチル−1−ナフチル基、n−デシルナフチル基等
の、アルキル基が置換した炭素数7〜20のアリール
基;クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロ
ロフェニル基、ブロモフェニル基、ジブロモフェニル
基、ヨードフェニル基、フルオロフェニル基、ジフルオ
ロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオ
ロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオ
ロメチルフェニル基、トリフルオロメチルナフチル基、
6−(パーフルオロデシルオキシ)ナフチル基等の、ハ
ロゲン原子が置換した炭素数6〜20のアリール基;3
−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、2,
3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニ
ル基、2,5−ジメトキシフェニル基、2,6−ジメト
キシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,
5−ジメトキシフェニル基、3,6−ジメトキシフェニ
ル基、2,3,4−トリメトキシフェニル基、2,3,
5−トリメトキシフェニル基、2,3,6−トリメトキ
シフェニル基、2,4,5−トリメトキシフェニル基、
2,4,6−トリメトキシフェニル基、3,4,5−ト
リメトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、プロ
ポキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ヘキシルオキ
シフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、オク
チルオキシフェニル基、2−メトキシ−1−ナフチル
基、3−メトキシ−1−ナフチル基、4−メトキシ−1
−ナフチル基、5−メトキシ−1−ナフチル基、6−メ
トキシ−1−ナフチル基、7−メトキシ−1−ナフチル
基、8−メトキシ−1−ナフチル基、1−メトキシ−2
−ナフチル基、3−メトキシ−2−ナフチル基、4−メ
トキシ−2−ナフチル基、5−メトキシ−2−ナフチル
基、6−メトキシ−2−ナフチル基、7−メトキシ−2
−ナフチル基、8−メトキシ−2−ナフチル基、2−エ
トキシ−1−ナフチル基、デカリノキシナフチル基等
の、アルコキシ基が置換した炭素数7〜20のアリール
基;フェノキシフェニル基、ナフトキシナフチル基等
の、アリールオキシ基で置換した炭素数12〜20のア
リール基;メチルチオフェニル基、エチルチオフェニル
基、メチルチオナフチル基、デシルチオナフチル基等の
アルキルチオ基で置換した炭素数7〜20のアリール
基;フェニルチオフェニル基、ナフチルチオナフチル基
等の、アリールチオ基で置換した炭素数12〜20のア
リール基;N−メチルアミノフェニル基、N−エチルア
ミノフェニル基、N−デシルアミノナフチル基、N−フ
ェニルアミノフェニル基、N−トリルアミノフェニル基
等の、N−モノアルキルアミノ基またはモノアリールア
ミノ基で置換したアリール基;N,N−ジメチルアミノ
フェニル基、N,N−ジエチルアミノフェニル基、N−
フェニル−N−メチルアミノフェニル基、N−トリル−
N−エチルアミノフェニル基、N−クロロフェニル−N
−シクロヘキシルアミノフェニル基、N,N−ジトリル
アミノフェニル基等の、N,N−ジアルキルアミノ基ま
たはN,N−ジアリールアミノ基またはN−アリール−
N−アルキルアミノ基で置換した炭素数8〜20のアリ
ール基;メトキシカルボニルフェニル基、エトキシカル
ボニルフェニル基、デシルオキシカルボニルフェニル基
等のアルコキシカルボニル基で置換した炭素数2〜17
のアリール基;フェノキシカルボニルフェニル基、ナフ
チルオキシカルボニルフェニル基、トリルオキシカルボ
ニルフェニル基等のアリールオキシカルボニル基で置換
した炭素数13〜17のアリール基;ジメチルアミノカ
ルボニルフェニル基、ジエチルアミノカルボニルフェニ
ル基、ジプロピルアミノカルボニルフェニル基、ジブチ
ルアミノカルボニルフェニル基等のジアルキルアミノカ
ルボニル基で置換した炭素数9〜15のアリール基;4
−(5’−メチルベンゾキサゾール−2’−イル)フェ
ニル基などの炭素数6〜20のアリール基等が挙げられ
る。
【0102】R1〜R12の置換または無置換のアルケニ
ル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有してもよいアルケニル基であり、好ましくは、
ビニル基、プロペニル基、1−ブテニル基、iso−ブ
テニル基、1−ペンテニル基、2−ペンテニル基、2−
メチル−1−ブテニル基、3−メチル−1−ブテニル
基、2−メチル−2−ブテニル基、2,2−ジシアノビ
ニル基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビニル
基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニル基、スチリ
ル基、4−フェニル−2−ブテニル基などの炭素数2〜
10のアルケニル基が挙げられる。
ル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有してもよいアルケニル基であり、好ましくは、
ビニル基、プロペニル基、1−ブテニル基、iso−ブ
テニル基、1−ペンテニル基、2−ペンテニル基、2−
メチル−1−ブテニル基、3−メチル−1−ブテニル
基、2−メチル−2−ブテニル基、2,2−ジシアノビ
ニル基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビニル
基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニル基、スチリ
ル基、4−フェニル−2−ブテニル基などの炭素数2〜
10のアルケニル基が挙げられる。
【0103】R1〜R12の置換または無置換のアルコキ
シ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブ
トキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ
基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、t
ert−ペンチルオキシ基、sec−ペンチルオキシ
基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、
1−メチルペンチルオキシ基、2−メチルペンチルオキ
シ基、3−メチルペンチルオキシ基、4−メチルペンチ
ルオキシ基、1,1−ジメチルブトキシ基、1,2−ジ
メチルブトキシ基、1,3−ジメチルブトキシ基、2,
3−ジメチルブトキシ基、1,1,2−トリメチルプロ
ポキシ基、1,2,2−トリメチルプロポキシ基、1−
エチルブトキシ基、2−エチルブトキシ基、1−エチル
−2−メチルプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
メチルシクロペンチルオキシ基、n−へプチルオキシ
基、1−メチルヘキシルオキシ基、2−メチルヘキシル
オキシ基、3−メチルヘキシルオキシ基、4−メチルヘ
キシルオキシ基、5−メチルヘキシルオキシ基、1,1
−ジメチルペンチルオキシ基、1,2−ジメチルペンチ
ルオキシ基、1,3−ジメチルペンチルオキシ基、1,
4−ジメチルペンチルオキシ基、2,2−ジメチルペン
チルオキシ基、2,3−ジメチルペンチルオキシ基、
2,4−ジメチルペンチルオキシ基、3,3−ジメチル
ペンチルオキシ基、3,4−ジメチルペンチルオキシ
基、1−エチルペンチルオキシ基、2−エチルペンチル
オキシ基、3−エチルペンチルオキシ基、1,1,2−
トリメチルブトキシ基、1,1,3−トリメチルブトキ
シ基、1,2,3−トリメチルブトキシ基、1,2,2
−トリメチルブトキシ基、1,3,3−トリメチルブト
キシ基、2,3,3−トリメチルブトキシ基、1−エチ
ル−1−メチルブトキシ基、1−エチル−2−メチルブ
トキシ基、1−エチル−3−メチルブトキシ基、2−エ
チル−1−メチルブトキシ基、2−エチル−3−メチル
ブトキシ基、1−n−プロピルブトキシ基、1−イソプ
ロピルブトキシ基、1−イソプロピル−2−メチルプロ
ポキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、n−オクチ
ルオキシ基、1−メチルヘプチルオキシ基、2−メチル
ヘプチルオキシ基、3−メチルヘプチルオキシ基、4−
メチルヘプチルオキシ基、5−メチルヘプチルオキシ
基、6−メチルヘプチルオキシ基、1,1−ジメチルヘ
キシルオキシ基、1,2−ジメチルヘキシルオキシ基、
1,3−ジメチルヘキシルオキシ基、1,4−ジメチル
ヘキシルオキシ基、1,5−ジメチルヘキシルオキシ
基、2,2−ジメチルヘキシルオキシ基、2,3−ジメ
チルヘキシルオキシ基、2,4−ジメチルヘキシルオキ
シ基、2,5−ジメチルヘキシルオキシ基、3,3−ジ
メチルヘキシルオキシ基、3,4−ジメチルヘキシルオ
キシ基、3,5−ジメチルヘキシルオキシ基、4,4−
ジメチルヘキシルオキシ基、4,5−ジメチルヘキシル
オキシ基、1−エチルヘキシルオキシ基、2−エチルヘ
キシルオキシ基、3−エチルヘキシルオキシ基、4−エ
チルヘキシルオキシ基、1−n−プロピルペンチルオキ
シ基、2−n−プロピルペンチルオキシ基、1−イソプ
ロピルペンチルオキシ基、2−イソプロピルペンチルオ
キシ基、1−エチル−1−メチルペンチルオキシ基、1
−エチル−2−メチルペンチルオキシ基、1−エチル−
3−メチルペンチルオキシ基、1−エチル−4−メチル
ペンチルオキシ基、2−エチル−1−メチルペンチルオ
キシ基、2−エチル−2−メチルペンチルオキシ基、2
−エチル−3−メチルペンチルオキシ基、2−エチル−
4−メチルペンチルオキシ基、3−エチル−1−メチル
ペンチルオキシ基、3−エチル−2−メチルペンチルオ
キシ基、3−エチル−3−メチルペンチルオキシ基、3
−エチル−4−メチルペンチルオキシ基、1,1,2−
トリメチルペンチルオキシ基、1,1,3−トリメチル
ペンチルオキシ基、1,1,4−トリメチルペンチルオ
キシ基、1,2,2−トリメチルペンチルオキシ基、
1,2,3−トリメチルペンチルオキシ基、1,2,4
−トリメチルペンチルオキシ基、1,3,4−トリメチ
ルペンチルオキシ基、2,2,3−トリメチルペンチル
オキシ基、2,2,4−トリメチルペンチルオキシ基、
2,3,4−トリメチルペンチルオキシ基、1,3,3
−トリメチルペンチルオキシ基、2,3,3−トリメチ
ルペンチルオキシ基、3,3,4−トリメチルペンチル
オキシ基、1,4,4−トリメチルペンチルオキシ基、
2,4,4−トリメチルペンチルオキシ基、3,4,4
−トリメチルペンチルオキシ基、1−n−ブチルブトキ
シ基、1−イソブチルブトキシ基、1−sec−ブチル
ブトキシ基、1−tert−ブチルブトキシ基、2−t
ert−ブチルブトキシ基、1−n−プロピル−1−メ
チルブトキシ基、1−n−プロピル−2−メチルブトキ
シ基、1−n−プロピル−3−メチルブトキシ基、1−
イソプロピル−1−メチルブトキシ基、1−イソプロピ
ル−2−メチルブトキシ基、1−イソプロピル−3−メ
チルブトキシ基、1,1−ジエチルブトキシ基、1,2
−ジエチルブトキシ基、1−エチル−1,2−ジメチル
ブトキシ基、1−エチル−1,3−ジメチルブトキシ
基、1−エチル−2,3−ジメチルブトキシ基、2−エ
チル−1,1−ジメチルブトキシ基、2−エチル−1,
2−ジメチルブトキシ基、2−エチル−1,3−ジメチ
ルブトキシ基、2−エチル−2,3−ジメチルブトキシ
基、1,1,3,3−テトラメチルブトキシ基、1,2
−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、1,3−ジメチル
シクロヘキシルオキシ基、1,4−ジメチルシクロヘキ
シルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、n−ノ
ニルオキシ基、3,5,5−トリメチルヘキシルオキシ
基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n
−ドデシルオキシ基、1−アダマンチルオキシ基、n−
ペンタデシルオキシ基等の炭素数1〜15の直鎖、分岐
又は環状の無置換アルコキシ基;
シ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブ
トキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ
基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、t
ert−ペンチルオキシ基、sec−ペンチルオキシ
基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、
1−メチルペンチルオキシ基、2−メチルペンチルオキ
シ基、3−メチルペンチルオキシ基、4−メチルペンチ
ルオキシ基、1,1−ジメチルブトキシ基、1,2−ジ
メチルブトキシ基、1,3−ジメチルブトキシ基、2,
3−ジメチルブトキシ基、1,1,2−トリメチルプロ
ポキシ基、1,2,2−トリメチルプロポキシ基、1−
エチルブトキシ基、2−エチルブトキシ基、1−エチル
−2−メチルプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
メチルシクロペンチルオキシ基、n−へプチルオキシ
基、1−メチルヘキシルオキシ基、2−メチルヘキシル
オキシ基、3−メチルヘキシルオキシ基、4−メチルヘ
キシルオキシ基、5−メチルヘキシルオキシ基、1,1
−ジメチルペンチルオキシ基、1,2−ジメチルペンチ
ルオキシ基、1,3−ジメチルペンチルオキシ基、1,
4−ジメチルペンチルオキシ基、2,2−ジメチルペン
チルオキシ基、2,3−ジメチルペンチルオキシ基、
2,4−ジメチルペンチルオキシ基、3,3−ジメチル
ペンチルオキシ基、3,4−ジメチルペンチルオキシ
基、1−エチルペンチルオキシ基、2−エチルペンチル
オキシ基、3−エチルペンチルオキシ基、1,1,2−
トリメチルブトキシ基、1,1,3−トリメチルブトキ
シ基、1,2,3−トリメチルブトキシ基、1,2,2
−トリメチルブトキシ基、1,3,3−トリメチルブト
キシ基、2,3,3−トリメチルブトキシ基、1−エチ
ル−1−メチルブトキシ基、1−エチル−2−メチルブ
トキシ基、1−エチル−3−メチルブトキシ基、2−エ
チル−1−メチルブトキシ基、2−エチル−3−メチル
ブトキシ基、1−n−プロピルブトキシ基、1−イソプ
ロピルブトキシ基、1−イソプロピル−2−メチルプロ
ポキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、n−オクチ
ルオキシ基、1−メチルヘプチルオキシ基、2−メチル
ヘプチルオキシ基、3−メチルヘプチルオキシ基、4−
メチルヘプチルオキシ基、5−メチルヘプチルオキシ
基、6−メチルヘプチルオキシ基、1,1−ジメチルヘ
キシルオキシ基、1,2−ジメチルヘキシルオキシ基、
1,3−ジメチルヘキシルオキシ基、1,4−ジメチル
ヘキシルオキシ基、1,5−ジメチルヘキシルオキシ
基、2,2−ジメチルヘキシルオキシ基、2,3−ジメ
チルヘキシルオキシ基、2,4−ジメチルヘキシルオキ
シ基、2,5−ジメチルヘキシルオキシ基、3,3−ジ
メチルヘキシルオキシ基、3,4−ジメチルヘキシルオ
キシ基、3,5−ジメチルヘキシルオキシ基、4,4−
ジメチルヘキシルオキシ基、4,5−ジメチルヘキシル
オキシ基、1−エチルヘキシルオキシ基、2−エチルヘ
キシルオキシ基、3−エチルヘキシルオキシ基、4−エ
チルヘキシルオキシ基、1−n−プロピルペンチルオキ
シ基、2−n−プロピルペンチルオキシ基、1−イソプ
ロピルペンチルオキシ基、2−イソプロピルペンチルオ
キシ基、1−エチル−1−メチルペンチルオキシ基、1
−エチル−2−メチルペンチルオキシ基、1−エチル−
3−メチルペンチルオキシ基、1−エチル−4−メチル
ペンチルオキシ基、2−エチル−1−メチルペンチルオ
キシ基、2−エチル−2−メチルペンチルオキシ基、2
−エチル−3−メチルペンチルオキシ基、2−エチル−
4−メチルペンチルオキシ基、3−エチル−1−メチル
ペンチルオキシ基、3−エチル−2−メチルペンチルオ
キシ基、3−エチル−3−メチルペンチルオキシ基、3
−エチル−4−メチルペンチルオキシ基、1,1,2−
トリメチルペンチルオキシ基、1,1,3−トリメチル
ペンチルオキシ基、1,1,4−トリメチルペンチルオ
キシ基、1,2,2−トリメチルペンチルオキシ基、
1,2,3−トリメチルペンチルオキシ基、1,2,4
−トリメチルペンチルオキシ基、1,3,4−トリメチ
ルペンチルオキシ基、2,2,3−トリメチルペンチル
オキシ基、2,2,4−トリメチルペンチルオキシ基、
2,3,4−トリメチルペンチルオキシ基、1,3,3
−トリメチルペンチルオキシ基、2,3,3−トリメチ
ルペンチルオキシ基、3,3,4−トリメチルペンチル
オキシ基、1,4,4−トリメチルペンチルオキシ基、
2,4,4−トリメチルペンチルオキシ基、3,4,4
−トリメチルペンチルオキシ基、1−n−ブチルブトキ
シ基、1−イソブチルブトキシ基、1−sec−ブチル
ブトキシ基、1−tert−ブチルブトキシ基、2−t
ert−ブチルブトキシ基、1−n−プロピル−1−メ
チルブトキシ基、1−n−プロピル−2−メチルブトキ
シ基、1−n−プロピル−3−メチルブトキシ基、1−
イソプロピル−1−メチルブトキシ基、1−イソプロピ
ル−2−メチルブトキシ基、1−イソプロピル−3−メ
チルブトキシ基、1,1−ジエチルブトキシ基、1,2
−ジエチルブトキシ基、1−エチル−1,2−ジメチル
ブトキシ基、1−エチル−1,3−ジメチルブトキシ
基、1−エチル−2,3−ジメチルブトキシ基、2−エ
チル−1,1−ジメチルブトキシ基、2−エチル−1,
2−ジメチルブトキシ基、2−エチル−1,3−ジメチ
ルブトキシ基、2−エチル−2,3−ジメチルブトキシ
基、1,1,3,3−テトラメチルブトキシ基、1,2
−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、1,3−ジメチル
シクロヘキシルオキシ基、1,4−ジメチルシクロヘキ
シルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、n−ノ
ニルオキシ基、3,5,5−トリメチルヘキシルオキシ
基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n
−ドデシルオキシ基、1−アダマンチルオキシ基、n−
ペンタデシルオキシ基等の炭素数1〜15の直鎖、分岐
又は環状の無置換アルコキシ基;
【0104】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、n−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、nーブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、tert−ブトキシエトキシ
基、secーブトキシエトキシ基、nーペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、tert
−ペンチルオキシエトキシ基、secーペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、n−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、n−ノニルオキシエトキシ基、(3,5,
5−トリメチルヘキシルオキシ)エトキシ基、(3,
5,5−トリメチルヘキシルオキシ)ブトキシ基、n−
デシルオキシエトキシ基、n−ウンデシルオキシエトキ
シ基、n−ドデシルオキシエトキシ基、3−メトキシプ
ロポキシ基、3−エトキシプロポキシ基、3−(n−プ
ロポキシ)プロポキシ基、2−イソプロポキシプロポキ
シ基、2−メトキシブトキシ基、2−エトキシブトキシ
基、2−(n−プロポキシ)ブトキシ基、4−イソプロ
ポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマ
ンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換され
た炭素数2〜15のアルコキシ基;
基、エトキシエトキシ基、n−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、nーブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、tert−ブトキシエトキシ
基、secーブトキシエトキシ基、nーペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、tert
−ペンチルオキシエトキシ基、secーペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、n−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、n−ノニルオキシエトキシ基、(3,5,
5−トリメチルヘキシルオキシ)エトキシ基、(3,
5,5−トリメチルヘキシルオキシ)ブトキシ基、n−
デシルオキシエトキシ基、n−ウンデシルオキシエトキ
シ基、n−ドデシルオキシエトキシ基、3−メトキシプ
ロポキシ基、3−エトキシプロポキシ基、3−(n−プ
ロポキシ)プロポキシ基、2−イソプロポキシプロポキ
シ基、2−メトキシブトキシ基、2−エトキシブトキシ
基、2−(n−プロポキシ)ブトキシ基、4−イソプロ
ポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマ
ンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換され
た炭素数2〜15のアルコキシ基;
【0105】メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、(4−エチルシクロへキシルオキシ)エトキシエト
キシ基、(2−エチル−1−へキシルオキシ)エトキシ
プロポキシ基、〔4−(3,5,5−トリメチルヘキシ
ルオキシ)ブトキシ〕エトキシ基等の、アルコキシアル
コキシ基で置換された直鎖、分岐または環状の炭素数3
〜15のアルコキシ基;
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、(4−エチルシクロへキシルオキシ)エトキシエト
キシ基、(2−エチル−1−へキシルオキシ)エトキシ
プロポキシ基、〔4−(3,5,5−トリメチルヘキシ
ルオキシ)ブトキシ〕エトキシ基等の、アルコキシアル
コキシ基で置換された直鎖、分岐または環状の炭素数3
〜15のアルコキシ基;
【0106】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、n−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、(4’
−エチルシクロヘキシルオキシ)カルボニルメトキシ基
等のアルコキシカルボニル基で置換された炭素数3〜1
0のアルコキシ基;
カルボニルメトキシ基、n−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、(4’
−エチルシクロヘキシルオキシ)カルボニルメトキシ基
等のアルコキシカルボニル基で置換された炭素数3〜1
0のアルコキシ基;
【0107】アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメ
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基、フェナシル
オキシ基等のアシル基で置換された炭素数3〜10のア
ルコキシ基;
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基、フェナシル
オキシ基等のアシル基で置換された炭素数3〜10のア
ルコキシ基;
【0108】アセチルオキシメトキシ基、アセチルオキ
シエトキシ基、アセチルオキシヘキシルオキシ基、ブタ
ノイルオキシシクロヘキシルオキシ基などのアシルオキ
シ基で置換された炭素数3〜10のアルコキシ基;
シエトキシ基、アセチルオキシヘキシルオキシ基、ブタ
ノイルオキシシクロヘキシルオキシ基などのアシルオキ
シ基で置換された炭素数3〜10のアルコキシ基;
【0109】メチルアミノメトキシ基、2−メチルアミ
ノエトキシ基、2−(2−メチルアミノエトキシ)エトキ
シ基、4−メチルアミノブトキシ基、1−メチルアミノ
プロパン−2−イルオキシ基、3−メチルアミノプロポ
キシ基、2−メチルアミノ−2−メチルプロポキシ基、
2−エチルアミノエトキシ基、2−(2−エチルアミノ
エトキシ)エトキシ基、3−エチルアミノプロポキシ
基、1−エチルアミノプロポキシ基、2−イソプロピル
アミノエトキシ基、2−(n−ブチルアミノ)エトキシ
基、3−(n−ヘキシルアミノ)プロポキシ基、4−
(シクロヘキシルアミノ)ブチルオキシ基等のアルキル
アミノ基で置換された炭素数2〜10のアルコキシ基;
ノエトキシ基、2−(2−メチルアミノエトキシ)エトキ
シ基、4−メチルアミノブトキシ基、1−メチルアミノ
プロパン−2−イルオキシ基、3−メチルアミノプロポ
キシ基、2−メチルアミノ−2−メチルプロポキシ基、
2−エチルアミノエトキシ基、2−(2−エチルアミノ
エトキシ)エトキシ基、3−エチルアミノプロポキシ
基、1−エチルアミノプロポキシ基、2−イソプロピル
アミノエトキシ基、2−(n−ブチルアミノ)エトキシ
基、3−(n−ヘキシルアミノ)プロポキシ基、4−
(シクロヘキシルアミノ)ブチルオキシ基等のアルキル
アミノ基で置換された炭素数2〜10のアルコキシ基;
【0110】メチルアミノメトキシメトキシ基、メチル
アミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロ
ポキシ基、エチルアミノエトキシプロポキシ基、4−
(2’−イソブチルアミノプロポキシ)ブトキシ基等の
アルキルアミノアルコキシ基で置換された炭素数3〜1
0のアルコキシ基;
アミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロ
ポキシ基、エチルアミノエトキシプロポキシ基、4−
(2’−イソブチルアミノプロポキシ)ブトキシ基等の
アルキルアミノアルコキシ基で置換された炭素数3〜1
0のアルコキシ基;
【0111】ジメチルアミノメトキシ基、2−ジメチル
アミノエトキシ基、2−(2−ジメチルアミノエトキシ)
エトキシ基、4−ジメチルアミノブトキシ基、1−ジメ
チルアミノプロパン−2−イルオキシ基、3−ジメチル
アミノプロポキシ基、2−ジメチルアミノ−2−メチル
プロポキシ基、2−ジエチルアミノエトキシ基、2−
(2−ジエチルアミノエトキシ)エトキシ基、3−ジエチ
ルアミノプロポキシ基、1−ジエチルアミノプロポキシ
基、2−ジイソプロピルアミノエトキシ基、2−(ジ−
n−ブチルアミノ)エトキシ基、2−ピペリジルエトキ
シ基、3−(ジ−n−ヘキシルアミノ)プロポキシ基等
のジアルキルアミノ基で置換された炭素数3〜15のア
ルコキシ基;
アミノエトキシ基、2−(2−ジメチルアミノエトキシ)
エトキシ基、4−ジメチルアミノブトキシ基、1−ジメ
チルアミノプロパン−2−イルオキシ基、3−ジメチル
アミノプロポキシ基、2−ジメチルアミノ−2−メチル
プロポキシ基、2−ジエチルアミノエトキシ基、2−
(2−ジエチルアミノエトキシ)エトキシ基、3−ジエチ
ルアミノプロポキシ基、1−ジエチルアミノプロポキシ
基、2−ジイソプロピルアミノエトキシ基、2−(ジ−
n−ブチルアミノ)エトキシ基、2−ピペリジルエトキ
シ基、3−(ジ−n−ヘキシルアミノ)プロポキシ基等
のジアルキルアミノ基で置換された炭素数3〜15のア
ルコキシ基;
【0112】ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメ
チルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキ
シプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、4−(2’−ジイソブチルアミノプロポキシ)ブト
キシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換された
炭素数4〜15のアルコキシ基;
チルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキ
シプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、4−(2’−ジイソブチルアミノプロポキシ)ブト
キシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換された
炭素数4〜15のアルコキシ基;
【0113】メチルチオメトキシ基、2−メチルチオエ
トキシ基、2−エチルチオエトキシ基、2−n−プロピ
ルチオエトキシ基、2−イソプロピルチオエトキシ基、
2−n−ブチルチオエトキシ基、2−イソブチルチオエ
トキシ基、(3,5,5−トリメチルヘキシルチオ)ヘ
キシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換された炭素数
2〜15のアルコキシ基;等が挙げられ、好ましくは、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−
プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、
sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ
基、iso−ペントキシ基、ネオペントキシ基、2−メ
チルブトキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,
5,5−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリルオキシ
基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキ
シエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基な
どの炭素数1〜10のアルコキシ基が挙げられる。
トキシ基、2−エチルチオエトキシ基、2−n−プロピ
ルチオエトキシ基、2−イソプロピルチオエトキシ基、
2−n−ブチルチオエトキシ基、2−イソブチルチオエ
トキシ基、(3,5,5−トリメチルヘキシルチオ)ヘ
キシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換された炭素数
2〜15のアルコキシ基;等が挙げられ、好ましくは、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−
プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、
sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ
基、iso−ペントキシ基、ネオペントキシ基、2−メ
チルブトキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,
5,5−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリルオキシ
基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキ
シエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基な
どの炭素数1〜10のアルコキシ基が挙げられる。
【0114】R1〜R12の置換または無置換のアラルキ
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有してもよいアラルキルオキシ基であり、
好ましくは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ
基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキ
シ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベ
ンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチル
メトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナ
フチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフ
ルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−9−イ
ルエトキシ基などの炭素数7〜15のアラルキルオキシ
基等が挙げられる。
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有してもよいアラルキルオキシ基であり、
好ましくは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ
基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキ
シ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベ
ンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチル
メトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナ
フチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフ
ルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−9−イ
ルエトキシ基などの炭素数7〜15のアラルキルオキシ
基等が挙げられる。
【0115】R1〜R12の置換または無置換のアリール
オキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいアリールオキシ基であり、好ま
しくは、フェノキシ基、2−メチルフェノキシ基、4−
メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキシ基、2
−メトキシフェノキシ基、4−iso−プロピルフェノ
キシ基、ナフトキシ基、フェロセニルオキシ基、コバル
トセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメ
チルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニ
ルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基など
の炭素数6〜18のアリールオキシ基が挙げられる。
オキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいアリールオキシ基であり、好ま
しくは、フェノキシ基、2−メチルフェノキシ基、4−
メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキシ基、2
−メトキシフェノキシ基、4−iso−プロピルフェノ
キシ基、ナフトキシ基、フェロセニルオキシ基、コバル
トセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメ
チルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニ
ルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基など
の炭素数6〜18のアリールオキシ基が挙げられる。
【0116】R1〜R12の置換または無置換のアルケニ
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有してもよいアルケニルオキシ基であり、
好ましくは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、1
−ブテニルオキシ基、iso−ブテニルオキシ基、1−
ペンテニルオキシ基、2−ペンテニルオキシ基、2−メ
チル−1−ブテニルオキシ基、3−メチル−1−ブテニ
ルオキシ基、2−メチル−2−ブテニルオキシ基、シク
ロペンタジエニルオキシ基、2,2−ジシアノビニルオ
キシ基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビニルオ
キシ基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニルオキシ
基、スチリルオキシ基、4−フェニル−2−ブテニルオ
キシ基、シンナミルオキシ基などの炭素数2〜10のア
ルケニルオキシ基が挙げられる。
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有してもよいアルケニルオキシ基であり、
好ましくは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、1
−ブテニルオキシ基、iso−ブテニルオキシ基、1−
ペンテニルオキシ基、2−ペンテニルオキシ基、2−メ
チル−1−ブテニルオキシ基、3−メチル−1−ブテニ
ルオキシ基、2−メチル−2−ブテニルオキシ基、シク
ロペンタジエニルオキシ基、2,2−ジシアノビニルオ
キシ基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビニルオ
キシ基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニルオキシ
基、スチリルオキシ基、4−フェニル−2−ブテニルオ
キシ基、シンナミルオキシ基などの炭素数2〜10のア
ルケニルオキシ基が挙げられる。
【0117】R1〜R12の置換または無置換のアルキル
チオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアルキルチオ基であり、好ましく
は、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ
基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、is
o−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチル
チオ基、n−ペンチルチオ基、iso−ペンチルチオ
基、ネオペンチルチオ基、2−メチルブチルチオ基、メ
チルカルボキシルエチルチオ基、2−エチルヘキシルチ
オ基、3,5,5−トリメチルヘキシルチオ基、デカリ
ルチオ基などの炭素数1〜10のアルキルチオ基が挙げ
られる。
チオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアルキルチオ基であり、好ましく
は、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ
基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、is
o−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチル
チオ基、n−ペンチルチオ基、iso−ペンチルチオ
基、ネオペンチルチオ基、2−メチルブチルチオ基、メ
チルカルボキシルエチルチオ基、2−エチルヘキシルチ
オ基、3,5,5−トリメチルヘキシルチオ基、デカリ
ルチオ基などの炭素数1〜10のアルキルチオ基が挙げ
られる。
【0118】R1〜R12の置換または無置換のアラルキ
ルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいアラルキルチオ基であり、好ま
しくは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シア
ノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチル
ベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、
ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、
シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチ
ルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロ
メチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−9−イルエ
チルチオ基などの炭素数7〜12のアラルキルチオ基等
が挙げられる。
ルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいアラルキルチオ基であり、好ま
しくは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シア
ノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチル
ベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、
ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、
シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチ
ルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロ
メチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−9−イルエ
チルチオ基などの炭素数7〜12のアラルキルチオ基等
が挙げられる。
【0119】R1〜R12の置換または無置換のアリール
チオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有してもよいアリールチオ基であり、好ましく
は、フェニルチオ基、4−メチルフェニルチオ基、2−
メトキシフェニルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ
基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセ
ニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェ
ロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、
オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数6〜10
のアリールチオ基などが挙げられる。
チオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有してもよいアリールチオ基であり、好ましく
は、フェニルチオ基、4−メチルフェニルチオ基、2−
メトキシフェニルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ
基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセ
ニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェ
ロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、
オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数6〜10
のアリールチオ基などが挙げられる。
【0120】R1〜R12の置換または無置換のアルケニ
ルチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアルケニルチオ基であり、好まし
くは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、
ヘキサンジエニルチオ基、シクロペンタジエニルチオ
基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニ
ルチオ基等の炭素数2〜10のアルケニルチオ基などが
挙げられる。
ルチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアルケニルチオ基であり、好まし
くは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、
ヘキサンジエニルチオ基、シクロペンタジエニルチオ
基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニ
ルチオ基等の炭素数2〜10のアルケニルチオ基などが
挙げられる。
【0121】R1〜R12の置換または無置換のアシル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有してもよいアシル基であり、好ましくは、ホルミル
基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プ
ロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、
n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル
基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニ
ル基、n−ペンチルカルボニル基、iso−ペンチルカ
ルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、2−メチルブ
チルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル
基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピ
ルベンゾイル基、4−t−ブチルベンゾイル基、ニトロ
ベンジルカルボニル基、3−ブトキシ−2−ナフトイル
基、シンナモイル基、フェロセンカルボニル基、1−メ
チルフェロセン−1’−カルボニル基などの炭素数1〜
15のアシル基が挙げられる。
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有してもよいアシル基であり、好ましくは、ホルミル
基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プ
ロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、
n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル
基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニ
ル基、n−ペンチルカルボニル基、iso−ペンチルカ
ルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、2−メチルブ
チルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル
基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピ
ルベンゾイル基、4−t−ブチルベンゾイル基、ニトロ
ベンジルカルボニル基、3−ブトキシ−2−ナフトイル
基、シンナモイル基、フェロセンカルボニル基、1−メ
チルフェロセン−1’−カルボニル基などの炭素数1〜
15のアシル基が挙げられる。
【0122】R1〜R12の置換または無置換のアシルオ
キシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアシルオキシ基であり、好ましく
は、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エ
チルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキ
シ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチ
ルカルボニルオキシ基、iso−ブチルカルボニルオキ
シ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、t−ブチル
カルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ
基、iso−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチ
ルカルボニルオキシ基、2−メチルブチルカルボニルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ
基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキ
シ基、プロピルベンゾイルオキシ基、4−t−ブチルベ
ンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ
基、3−ブトキシ−2−ナフトイルオキシ基、シンナモ
イルオキシ基、フェロセンカルボニルオキシ基、1−メ
チルフェロセン−1’−カルボニルオキシ基、コバルト
センカルボニルオキシ基、ニッケロセンカルボニルオキ
シ基などの炭素数2〜16のアシルオキシ基が挙げられ
る。
キシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアシルオキシ基であり、好ましく
は、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エ
チルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキ
シ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチ
ルカルボニルオキシ基、iso−ブチルカルボニルオキ
シ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、t−ブチル
カルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ
基、iso−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチ
ルカルボニルオキシ基、2−メチルブチルカルボニルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ
基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキ
シ基、プロピルベンゾイルオキシ基、4−t−ブチルベ
ンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ
基、3−ブトキシ−2−ナフトイルオキシ基、シンナモ
イルオキシ基、フェロセンカルボニルオキシ基、1−メ
チルフェロセン−1’−カルボニルオキシ基、コバルト
センカルボニルオキシ基、ニッケロセンカルボニルオキ
シ基などの炭素数2〜16のアシルオキシ基が挙げられ
る。
【0123】R1〜R12のモノ置換アミノ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有しても
よい置換基でモノ置換されたアミノ基であり、好ましく
は、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ
基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミ
ノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、(2−エ
チルヘキシル)アミノ基、シクロヘキシルアミノ基、
(3,5,5−トリメチルヘキシル)アミノ基、ノニル
アミノ基、デシルアミノ基などの炭素数1〜10のモノ
アルキルアミノ基;
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有しても
よい置換基でモノ置換されたアミノ基であり、好ましく
は、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ
基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミ
ノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、(2−エ
チルヘキシル)アミノ基、シクロヘキシルアミノ基、
(3,5,5−トリメチルヘキシル)アミノ基、ノニル
アミノ基、デシルアミノ基などの炭素数1〜10のモノ
アルキルアミノ基;
【0124】ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、
(3−フェニルプロピル)アミノ基、(4−エチルベン
ジル)アミノ基、(4−イソプロピルベンジル)アミノ
基、(4−メチルベンジル)アミノ基、(4−エチルベ
ンジル)アミノ基、(4−アリルベンジル)アミノ基、
〔4−(2−シアノエチル)ベンジル〕アミノ基、〔4
−(2−アセトキシエチル)ベンジル〕アミノ基などの
炭素数7〜10のモノアラルキルアミノ基;
(3−フェニルプロピル)アミノ基、(4−エチルベン
ジル)アミノ基、(4−イソプロピルベンジル)アミノ
基、(4−メチルベンジル)アミノ基、(4−エチルベ
ンジル)アミノ基、(4−アリルベンジル)アミノ基、
〔4−(2−シアノエチル)ベンジル〕アミノ基、〔4
−(2−アセトキシエチル)ベンジル〕アミノ基などの
炭素数7〜10のモノアラルキルアミノ基;
【0125】アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジ
ノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピル
アニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ
基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシ
カルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ
基、プロポキシカルボニルアニリノ基、4−メチルアニ
リノ基、4−エチルアニリノ基、フェロセニルアミノ
基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ
基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニ
ルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オ
クタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジル
コノセニルアミノ基など、炭素数6〜10のモノアリー
ルアミノ基;
ノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピル
アニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ
基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシ
カルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ
基、プロポキシカルボニルアニリノ基、4−メチルアニ
リノ基、4−エチルアニリノ基、フェロセニルアミノ
基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ
基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニ
ルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オ
クタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジル
コノセニルアミノ基など、炭素数6〜10のモノアリー
ルアミノ基;
【0126】ビニルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニ
ルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ
基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタジエニル
アミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルア
ミノ基などの炭素数2〜10のモノアルケニルアミノ
基;
ルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ
基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタジエニル
アミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルア
ミノ基などの炭素数2〜10のモノアルケニルアミノ
基;
【0127】ホルミルアミノ基、メチルカルボニルアミ
ノ基、エチルカルボニルアミノ基、n−プロピルカルボ
ニルアミノ基、iso−プロピルカルボニルアミノ基、
n−ブチルカルボニルアミノ基、iso−ブチルカルボ
ニルアミノ基、sec−ブチルカルボニルアミノ基、t
−ブチルカルボニルアミノ基、n−ペンチルカルボニル
アミノ基、iso−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオ
ペンチルカルボニルアミノ基、2−メチルブチルカルボ
ニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイル
アミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニ
ルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、4−t−ブ
チルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルア
ミノ基、3−ブトキシ−2−ナフトイルアミノ基、シン
ナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミノ基、1
−メチルフェロセン−1’−カルボニルアミノ基、コバ
ルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカルボニル
アミノ基などの炭素数1〜16のモノアシルアミノ基等
のモノ置換アミノ基が挙げられる。
ノ基、エチルカルボニルアミノ基、n−プロピルカルボ
ニルアミノ基、iso−プロピルカルボニルアミノ基、
n−ブチルカルボニルアミノ基、iso−ブチルカルボ
ニルアミノ基、sec−ブチルカルボニルアミノ基、t
−ブチルカルボニルアミノ基、n−ペンチルカルボニル
アミノ基、iso−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオ
ペンチルカルボニルアミノ基、2−メチルブチルカルボ
ニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイル
アミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニ
ルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、4−t−ブ
チルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルア
ミノ基、3−ブトキシ−2−ナフトイルアミノ基、シン
ナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミノ基、1
−メチルフェロセン−1’−カルボニルアミノ基、コバ
ルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカルボニル
アミノ基などの炭素数1〜16のモノアシルアミノ基等
のモノ置換アミノ基が挙げられる。
【0128】R1〜R12のジ置換アミノ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有しても
よい置換基でジ置換されたアミノ基であり、好ましく
は、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチ
ルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、
ジ−n−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ
基、ジオクチルアミノ基、ビス(メトキシエチル)アミ
ノ基、ビス(エトキシエチル)アミノ基、ビス(プロポ
キシエチル)アミノ基、ビス(ブトキシエチル)アミノ
基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノ基、ジ(ヒドロ
キシエチル)アミノ基、N−エチル−N−(2−シアノ
エチル)アミノ基、ジ(プロピオニルオキシエチル)ア
ミノ基などの炭素数2〜16のジアルキルアミノ基;
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有しても
よい置換基でジ置換されたアミノ基であり、好ましく
は、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチ
ルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、
ジ−n−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ
基、ジオクチルアミノ基、ビス(メトキシエチル)アミ
ノ基、ビス(エトキシエチル)アミノ基、ビス(プロポ
キシエチル)アミノ基、ビス(ブトキシエチル)アミノ
基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノ基、ジ(ヒドロ
キシエチル)アミノ基、N−エチル−N−(2−シアノ
エチル)アミノ基、ジ(プロピオニルオキシエチル)ア
ミノ基などの炭素数2〜16のジアルキルアミノ基;
【0129】ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ
基、ビス(4−エチルベンジル)アミノ基、ビス(4−
イソプロピルベンジル)アミノ基などの炭素数14〜2
0のジアラルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、N−フェニル−N−トリルアミノ基など
の炭素数12〜14のジアリールアミノ基;ジビニルア
ミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペ
ンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、ビス(シク
ロペンタジエニル)アミノ基、N−ビニル−N−アリル
アミノ基などの炭素数4〜12のジアルケニルアミノ
基;ジホルミルアミノ基、ジ(メチルカルボニル)アミ
ノ基、ジ(エチルカルボニル)アミノ基、ジ(n−プロ
ピルカルボニル)アミノ基、ジ(iso−プロピルカル
ボニル)アミノ基、ジ(n−ブチルカルボニル)アミノ
基、ジ(iso−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(s
ec−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(t−ブチルカ
ルボニル)アミノ基、ジ(n−ペンチルカルボニル)ア
ミノ基、ジ(iso−ペンチルカルボニル)アミノ基、
ジ(ネオペンチルカルボニル)アミノ基、ジ(2−メチ
ルブチルカルボニル)アミノ基、ジ(ベンゾイル)アミ
ノ基、ジ(メチルベンゾイル)アミノ基、ジ(エチルベ
ンゾイル)アミノ基、ジ(トリルカルボニル)アミノ
基、ジ(プロピルベンゾイル)アミノ基、ジ(4−t−
ブチルベンゾイル)アミノ基、ジ(ニトロベンジルカル
ボニル)アミノ基、ジ(3−ブトキシ−2−ナフトイ
ル)アミノ基、ジ(シンナモイル)アミノ基、コハク酸
イミノ基などの炭素数2〜30のジアシルアミノ基;
基、ビス(4−エチルベンジル)アミノ基、ビス(4−
イソプロピルベンジル)アミノ基などの炭素数14〜2
0のジアラルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、N−フェニル−N−トリルアミノ基など
の炭素数12〜14のジアリールアミノ基;ジビニルア
ミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペ
ンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、ビス(シク
ロペンタジエニル)アミノ基、N−ビニル−N−アリル
アミノ基などの炭素数4〜12のジアルケニルアミノ
基;ジホルミルアミノ基、ジ(メチルカルボニル)アミ
ノ基、ジ(エチルカルボニル)アミノ基、ジ(n−プロ
ピルカルボニル)アミノ基、ジ(iso−プロピルカル
ボニル)アミノ基、ジ(n−ブチルカルボニル)アミノ
基、ジ(iso−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(s
ec−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(t−ブチルカ
ルボニル)アミノ基、ジ(n−ペンチルカルボニル)ア
ミノ基、ジ(iso−ペンチルカルボニル)アミノ基、
ジ(ネオペンチルカルボニル)アミノ基、ジ(2−メチ
ルブチルカルボニル)アミノ基、ジ(ベンゾイル)アミ
ノ基、ジ(メチルベンゾイル)アミノ基、ジ(エチルベ
ンゾイル)アミノ基、ジ(トリルカルボニル)アミノ
基、ジ(プロピルベンゾイル)アミノ基、ジ(4−t−
ブチルベンゾイル)アミノ基、ジ(ニトロベンジルカル
ボニル)アミノ基、ジ(3−ブトキシ−2−ナフトイ
ル)アミノ基、ジ(シンナモイル)アミノ基、コハク酸
イミノ基などの炭素数2〜30のジアシルアミノ基;
【0130】N−フェニル−N−アリルアミノ基、N−
(2−アセチルオキシエチル)−N−エチルアミノ基、
N−トリル−N−メチルアミノ基、N−ビニル−N−メ
チルアミノ基、N−ベンジル−N−アリルアミノ基、N
−メチル−フェロセニルアミノ基、N−エチル−コバル
トセニルアミノ基、N−ブチル−ニッケロセニルアミノ
基、N−ヘキシル−オクタメチルフェロセニルアミノ
基、N−メチル−オクタメチルコバルトセニルアミノ
基、N−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミノ基
など等の置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有
する炭素数3〜24のジ置換アミノ基が挙げられる。
(2−アセチルオキシエチル)−N−エチルアミノ基、
N−トリル−N−メチルアミノ基、N−ビニル−N−メ
チルアミノ基、N−ベンジル−N−アリルアミノ基、N
−メチル−フェロセニルアミノ基、N−エチル−コバル
トセニルアミノ基、N−ブチル−ニッケロセニルアミノ
基、N−ヘキシル−オクタメチルフェロセニルアミノ
基、N−メチル−オクタメチルコバルトセニルアミノ
基、N−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミノ基
など等の置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有
する炭素数3〜24のジ置換アミノ基が挙げられる。
【0131】R1〜R12の置換または無置換のアルコキ
シカルボニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基
であり、好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、iso−プ
ロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、i
so−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボ
ニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペントキシカ
ルボニル基、iso−ペントキシカルボニル基、ネオペ
ントキシカルボニル基、2−ペントキシカルボニル基、
2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、3,5,5−
トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキ
シカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、
クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカル
ボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素
数2〜11のアルコキシカルボニル基;
シカルボニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基
であり、好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、iso−プ
ロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、i
so−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボ
ニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペントキシカ
ルボニル基、iso−ペントキシカルボニル基、ネオペ
ントキシカルボニル基、2−ペントキシカルボニル基、
2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、3,5,5−
トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキ
シカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、
クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカル
ボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素
数2〜11のアルコキシカルボニル基;
【0132】メトキシメトキシカルボニル基、メトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキ
シカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘ
キシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシ
カルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、
ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシ
エトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置
換した炭素数3〜11のアルコキシカルボニル基;メト
キシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカル
ボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、
ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエ
トキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシ
エトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が
置換した炭素数4〜11のアルコキシカルボニル基;
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキ
シカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘ
キシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシ
カルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、
ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシ
エトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置
換した炭素数3〜11のアルコキシカルボニル基;メト
キシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカル
ボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、
ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエ
トキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシ
エトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が
置換した炭素数4〜11のアルコキシカルボニル基;
【0133】フェロセニルメトキシカルボニル基、フェ
ロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニルプロポキ
シカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボニル基、
フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フェロセニ
ルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニルヘプチル
オキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオキシカル
ボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニル基、フ
ェロセニルデシルオキシカルボニル基、コバルトセニル
メトキシカルボニル基、コバルトセニルエトキシカルボ
ニル基、コバルトセニルプロポキシカルボニル基、コバ
ルトセニルブトキシカルボニル基、コバルトセニルペン
チルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘキシルオキ
シカルボニル基、コバルトセニルヘプチルオキシカルボ
ニル基、コバルトセニルオクチルオキシカルボニル基、
コバルトセニルノニルオキシカルボニル基、コバルトセ
ニルデシルオキシカルボニル基、ニッケロセニルメトキ
シカルボニル基、ニッケロセニルエトキシカルボニル
基、ニッケロセニルプロポキシカルボニル基、ニッケロ
セニルブトキシカルボニル基、ニッケロセニルペンチル
オキシカルボニル基、ニッケロセニルヘキシルオキシカ
ルボニル基、ニッケロセニルヘプチルオキシカルボニル
基、ニッケロセニルオクチルオキシカルボニル基、ニッ
ケロセニルノニルオキシカルボニル基、ニッケロセニル
デシルオキシカルボニル基、
ロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニルプロポキ
シカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボニル基、
フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フェロセニ
ルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニルヘプチル
オキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオキシカル
ボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニル基、フ
ェロセニルデシルオキシカルボニル基、コバルトセニル
メトキシカルボニル基、コバルトセニルエトキシカルボ
ニル基、コバルトセニルプロポキシカルボニル基、コバ
ルトセニルブトキシカルボニル基、コバルトセニルペン
チルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘキシルオキ
シカルボニル基、コバルトセニルヘプチルオキシカルボ
ニル基、コバルトセニルオクチルオキシカルボニル基、
コバルトセニルノニルオキシカルボニル基、コバルトセ
ニルデシルオキシカルボニル基、ニッケロセニルメトキ
シカルボニル基、ニッケロセニルエトキシカルボニル
基、ニッケロセニルプロポキシカルボニル基、ニッケロ
セニルブトキシカルボニル基、ニッケロセニルペンチル
オキシカルボニル基、ニッケロセニルヘキシルオキシカ
ルボニル基、ニッケロセニルヘプチルオキシカルボニル
基、ニッケロセニルオクチルオキシカルボニル基、ニッ
ケロセニルノニルオキシカルボニル基、ニッケロセニル
デシルオキシカルボニル基、
【0134】ジクロロチタノセニルメトキシカルボニル
基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシカ
ルボニル基、ビス(トリフルオロメタンスルホナト)チ
タノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジルコノセニ
ルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセニルメト
キシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシ
カルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)クロムメ
トキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジ
クロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジクロロニオブメトキシカルボニル
基、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムメトキシ
カルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)バナジウ
ムメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビス
(シクロペンタジエニル)オスミウムメトキシカルボニ
ル基などのメタロセニル基で置換した炭素数11〜20
のアルコキシカルボニル基;等が挙げられる。
基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシカ
ルボニル基、ビス(トリフルオロメタンスルホナト)チ
タノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジルコノセニ
ルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセニルメト
キシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシ
カルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)クロムメ
トキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジ
クロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジクロロニオブメトキシカルボニル
基、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムメトキシ
カルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)バナジウ
ムメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビス
(シクロペンタジエニル)オスミウムメトキシカルボニ
ル基などのメタロセニル基で置換した炭素数11〜20
のアルコキシカルボニル基;等が挙げられる。
【0135】R1〜R12の置換または無置換のアラルキ
ルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有してもよいアラルキルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ベンジルオキシカル
ボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノ
ベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキ
シカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、
トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフ
チルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカ
ルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒ
ドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチ
ルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチル
メトキシカルボニル基、フルオレン−9−イルエトキシ
カルボニル基などの炭素数8〜16のアラルキルオキシ
カルボニル基等が挙げられる。
ルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有してもよいアラルキルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ベンジルオキシカル
ボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノ
ベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキ
シカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、
トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフ
チルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカ
ルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒ
ドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチ
ルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチル
メトキシカルボニル基、フルオレン−9−イルエトキシ
カルボニル基などの炭素数8〜16のアラルキルオキシ
カルボニル基等が挙げられる。
【0136】R1〜R12の置換または無置換のアリール
オキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアリー
ル基と同様な置換基を有してもよいアリールオキシカル
ボニル基であり、好ましくは、フェノキシカルボニル
基、2−メチルフェノキシカルボニル基、4−メチルフ
ェノキシカルボニル基、4−t−ブチルフェノキシカル
ボニル基、2−メトキシフェノキシカルボニル基、4−
iso−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシ
カルボニル基、フェロセニルオキシカルボニル基、コバ
ルトセニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオキシ
カルボニル基、ジルコノセニルオキシカルボニル基、オ
クタメチルフェロセニルオキシカルボニル基、オクタメ
チルコバルトセニルオキシカルボニル基、オクタメチル
ニッケロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルジル
コノセニルオキシカルボニル基などの炭素数7〜11の
アリールオキシカルボニル基が挙げられる。
オキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアリー
ル基と同様な置換基を有してもよいアリールオキシカル
ボニル基であり、好ましくは、フェノキシカルボニル
基、2−メチルフェノキシカルボニル基、4−メチルフ
ェノキシカルボニル基、4−t−ブチルフェノキシカル
ボニル基、2−メトキシフェノキシカルボニル基、4−
iso−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシ
カルボニル基、フェロセニルオキシカルボニル基、コバ
ルトセニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオキシ
カルボニル基、ジルコノセニルオキシカルボニル基、オ
クタメチルフェロセニルオキシカルボニル基、オクタメ
チルコバルトセニルオキシカルボニル基、オクタメチル
ニッケロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルジル
コノセニルオキシカルボニル基などの炭素数7〜11の
アリールオキシカルボニル基が挙げられる。
【0137】R1〜R12の置換または無置換のアルケニ
ルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有してもよいアルケニルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ビニルオキシカルボ
ニル基、プロペニルオキシカルボニル基、1−ブテニル
オキシカルボニル基、iso−ブテニルオキシカルボニ
ル基、1−ペンテニルオキシカルボニル基、2−ペンテ
ニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシ
カルボニル基、2−メチル−1−ブテニルオキシカルボ
ニル基、3−メチル−1−ブテニルオキシカルボニル
基、2−メチル−2−ブテニルオキシカルボニル基、
2,2−ジシアノビニルオキシカルボニル基、2−シア
ノ−2−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル
基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニルオキシカル
ボニル基、スチリルオキシカルボニル基、4−フェニル
−2−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数3〜1
1のアルケニルオキシカルボニル基が挙げられる。
ルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有してもよいアルケニルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ビニルオキシカルボ
ニル基、プロペニルオキシカルボニル基、1−ブテニル
オキシカルボニル基、iso−ブテニルオキシカルボニ
ル基、1−ペンテニルオキシカルボニル基、2−ペンテ
ニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシ
カルボニル基、2−メチル−1−ブテニルオキシカルボ
ニル基、3−メチル−1−ブテニルオキシカルボニル
基、2−メチル−2−ブテニルオキシカルボニル基、
2,2−ジシアノビニルオキシカルボニル基、2−シア
ノ−2−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル
基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニルオキシカル
ボニル基、スチリルオキシカルボニル基、4−フェニル
−2−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数3〜1
1のアルケニルオキシカルボニル基が挙げられる。
【0138】R1〜R12のモノ置換アミノカルボニル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有してもよい置換基でモノ置換されたアミノカルボニ
ル基であり、好ましくは、メチルアミノカルボニル基、
エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル
基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボ
ニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノ
カルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、(2−エ
チルヘキシル)アミノカルボニル基、シクロヘキシルア
ミノカルボニル基、(3,5,5−トリメチルヘキシ
ル)アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、
デシルアミノカルボニル基などの炭素数2〜11のモノ
アルキルアミノカルボニル基;ベンジルアミノカルボニ
ル基、フェネチルアミノカルボニル基、(3−フェニル
プロピルアミノカルボニル基、(4−エチルベンジル)
アミノカルボニル基、(4−イソプロピルベンジル)ア
ミノカルボニル基、(4−メチルベンジル)アミノカル
ボニル基、(4−エチルベンジル)アミノカルボニル
基、(4−アリルベンジル)アミノカルボニル基、〔4
−(2−シアノエチル)ベンジル〕アミノカルボニル
基、〔4−(2−アセトキシエチル)ベンジル〕アミノ
カルボニル基などの炭素数8〜11のモノアラルキルア
ミノカルボニル基;
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有してもよい置換基でモノ置換されたアミノカルボニ
ル基であり、好ましくは、メチルアミノカルボニル基、
エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル
基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボ
ニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノ
カルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、(2−エ
チルヘキシル)アミノカルボニル基、シクロヘキシルア
ミノカルボニル基、(3,5,5−トリメチルヘキシ
ル)アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、
デシルアミノカルボニル基などの炭素数2〜11のモノ
アルキルアミノカルボニル基;ベンジルアミノカルボニ
ル基、フェネチルアミノカルボニル基、(3−フェニル
プロピルアミノカルボニル基、(4−エチルベンジル)
アミノカルボニル基、(4−イソプロピルベンジル)ア
ミノカルボニル基、(4−メチルベンジル)アミノカル
ボニル基、(4−エチルベンジル)アミノカルボニル
基、(4−アリルベンジル)アミノカルボニル基、〔4
−(2−シアノエチル)ベンジル〕アミノカルボニル
基、〔4−(2−アセトキシエチル)ベンジル〕アミノ
カルボニル基などの炭素数8〜11のモノアラルキルア
ミノカルボニル基;
【0139】アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカ
ルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカル
ボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピル
アニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル
基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカ
ルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシ
カルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニル
アニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノ
カルボニル基、4−メチルアニリノカルボニル基、4−
エチルアニリノカルボニル基など、炭素数7〜11のモ
ノアリールアミノカルボニル基;ビニルアミノカルボニ
ル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカル
ボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニル
アミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニ
ル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテ
ニルアミノカルボニル基、などの炭素数3〜11のモノ
アルケニルアミノカルボニル基等が挙げられる。
ルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカル
ボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピル
アニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル
基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカ
ルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシ
カルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニル
アニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノ
カルボニル基、4−メチルアニリノカルボニル基、4−
エチルアニリノカルボニル基など、炭素数7〜11のモ
ノアリールアミノカルボニル基;ビニルアミノカルボニ
ル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカル
ボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニル
アミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニ
ル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテ
ニルアミノカルボニル基、などの炭素数3〜11のモノ
アルケニルアミノカルボニル基等が挙げられる。
【0140】R1〜R12のジ置換アミノカルボニル基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有してもよい置換基でジ置換されたアミノカルボニル基
であり、好ましくは、ジメチルアミノカルボニル基、ジ
エチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカルボ
ニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミ
ノカルボニル基、ジ−n−ヘキシルアミノカルボニル
基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオクチル
アミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリ
ジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス(メ
トキシエチル)アミノカルボニル基、ビス(エトキシエ
チル)アミノカルボニル基、ビス(プロポキシエチル)
アミノカルボニル基、ビス(ブトキシエチル)アミノカ
ルボニル基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノカルボ
ニル基、ジ(ヒドロキシエチル)アミノカルボニル基、
N−エチル−N−(2−シアノエチル)アミノカルボニ
ル基、ジ(プロピオニルオキシエチル)アミノカルボニ
ル基などの炭素数3〜17のジアルキルアミノカルボニ
ル基;
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有してもよい置換基でジ置換されたアミノカルボニル基
であり、好ましくは、ジメチルアミノカルボニル基、ジ
エチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカルボ
ニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミ
ノカルボニル基、ジ−n−ヘキシルアミノカルボニル
基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオクチル
アミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリ
ジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス(メ
トキシエチル)アミノカルボニル基、ビス(エトキシエ
チル)アミノカルボニル基、ビス(プロポキシエチル)
アミノカルボニル基、ビス(ブトキシエチル)アミノカ
ルボニル基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノカルボ
ニル基、ジ(ヒドロキシエチル)アミノカルボニル基、
N−エチル−N−(2−シアノエチル)アミノカルボニ
ル基、ジ(プロピオニルオキシエチル)アミノカルボニ
ル基などの炭素数3〜17のジアルキルアミノカルボニ
ル基;
【0141】ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネ
チルアミノカルボニル基、ビス(4−エチルベンジル)
アミノカルボニル基、ビス(4−イソプロピルベンジ
ル)アミノカルボニル基などの炭素数15〜21のジア
ラルキルアミノカルボニル基;ジフェニルアミノカルボ
ニル基、ジトリルアミノカルボニル基、N−フェニル−
N−トリルアミノカルボニル基などの炭素数13〜15
のジアリールアミノカルボニル基;ジビニルアミノカル
ボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルア
ミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、
ジヘキセニルアミノカルボニル基、N−ビニル−N−ア
リルアミノカルボニル基などの炭素数5〜13のジアル
ケニルアミノカルボニル基;N−フェニル−N−アリル
アミノカルボニル基、N−(2−アセチルオキシエチ
ル)−N−エチルアミノカルボニル基、N−トリル−N
−メチルアミノカルボニル基、N−ビニル−N−メチル
アミノカルボニル基、N−ベンジル−N−アリルアミノ
カルボニル基等の置換または無置換のアルキル基、アラ
ルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換
基を有する炭素数4〜11のジ置換アミノカルボニル基
が挙げられる。
チルアミノカルボニル基、ビス(4−エチルベンジル)
アミノカルボニル基、ビス(4−イソプロピルベンジ
ル)アミノカルボニル基などの炭素数15〜21のジア
ラルキルアミノカルボニル基;ジフェニルアミノカルボ
ニル基、ジトリルアミノカルボニル基、N−フェニル−
N−トリルアミノカルボニル基などの炭素数13〜15
のジアリールアミノカルボニル基;ジビニルアミノカル
ボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルア
ミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、
ジヘキセニルアミノカルボニル基、N−ビニル−N−ア
リルアミノカルボニル基などの炭素数5〜13のジアル
ケニルアミノカルボニル基;N−フェニル−N−アリル
アミノカルボニル基、N−(2−アセチルオキシエチ
ル)−N−エチルアミノカルボニル基、N−トリル−N
−メチルアミノカルボニル基、N−ビニル−N−メチル
アミノカルボニル基、N−ベンジル−N−アリルアミノ
カルボニル基等の置換または無置換のアルキル基、アラ
ルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換
基を有する炭素数4〜11のジ置換アミノカルボニル基
が挙げられる。
【0142】R1〜R12の置換または無置換のヘテロア
リール基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいヘテロアリール基であり、好ま
しくは、フラニル基、ピロリル基、3−ピロリノ基、ピ
ラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾ
リル基、1,2,3−オキサジアゾリル基、1,2,3
−トリアゾリル基、1,2,4−トリアゾリル基、1,
3,4−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニ
ル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル
基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル
基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾ
チアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−2−イル基、ベン
ゾトリアゾール−1−イル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基、フタルイミジル基、ナフチルイミジル基
などの無置換ヘテロアリール基;
リール基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいヘテロアリール基であり、好ま
しくは、フラニル基、ピロリル基、3−ピロリノ基、ピ
ラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾ
リル基、1,2,3−オキサジアゾリル基、1,2,3
−トリアゾリル基、1,2,4−トリアゾリル基、1,
3,4−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニ
ル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル
基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル
基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾ
チアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−2−イル基、ベン
ゾトリアゾール−1−イル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基、フタルイミジル基、ナフチルイミジル基
などの無置換ヘテロアリール基;
【0143】あるいは以下の置換基、即ち、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子;シアノ基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,5,5−トリ
メチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバ
ルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアル
コキシ基;ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキルオキシ基;フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ
基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のア
リールオキシ基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブ
タジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル
基、オクテニル基等のアルケニル基;ビニルオキシ基、
アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキ
シ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキ
シ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子;シアノ基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,5,5−トリ
メチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバ
ルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアル
コキシ基;ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキルオキシ基;フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ
基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のア
リールオキシ基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブ
タジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル
基、オクテニル基等のアルケニル基;ビニルオキシ基、
アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキ
シ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキ
シ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;
【0144】メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、
メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキ
ルチオ基;ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのア
ラルキルチオ基;フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフ
チルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフ
ェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチ
オ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基;アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェ
ロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッ
ケロセンカルボニル基等のアシル基;メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカル
ボニル基、1−メチルフェロセン−1’−イルメトキシ
カルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、
ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカ
ルボニル基;ベンジルオキシカルボニル基、フェネチル
オキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル
基;フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル
基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニ
ル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカ
ルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリ
ールオキシカルボニル基;ビニルオキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル
基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジ
エニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オク
テニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基;メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカル
ボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノ
カルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシル
アミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オ
クチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、3,5,5−トリメチルヘキシルアミノカルボニル
基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数
2〜10のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチ
ルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、
ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボ
ニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルア
ミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジ
オクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基、4−メチルピペラジノカ
ルボニル基、4−エチルピペラジノカルボニル基等の炭
素数3〜20のジアルキルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基;
オ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、
メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキ
ルチオ基;ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのア
ラルキルチオ基;フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフ
チルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフ
ェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチ
オ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基;アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェ
ロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッ
ケロセンカルボニル基等のアシル基;メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカル
ボニル基、1−メチルフェロセン−1’−イルメトキシ
カルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、
ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカ
ルボニル基;ベンジルオキシカルボニル基、フェネチル
オキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル
基;フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル
基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニ
ル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカ
ルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリ
ールオキシカルボニル基;ビニルオキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル
基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジ
エニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オク
テニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基;メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカル
ボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノ
カルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシル
アミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オ
クチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、3,5,5−トリメチルヘキシルアミノカルボニル
基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数
2〜10のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチ
ルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、
ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボ
ニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルア
ミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジ
オクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基、4−メチルピペラジノカ
ルボニル基、4−エチルピペラジノカルボニル基等の炭
素数3〜20のジアルキルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基;
【0145】フラニル基、ピロリル基、3−ピロリノ
基、ピロリジノ基、1,3−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、2−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、1,2,3
−オキサジアゾリル基、1,2,3−トリアゾリル基、
1,2,4−トリアゾリル基、1,3,4−チアジアゾ
リル基、4H−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基;フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロ
セニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセ
ニル基などのメタロセニル基;などの置換基により置換
したヘテロアリール基が挙げられる。
基、ピロリジノ基、1,3−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、2−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、1,2,3
−オキサジアゾリル基、1,2,3−トリアゾリル基、
1,2,4−トリアゾリル基、1,3,4−チアジアゾ
リル基、4H−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基;フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロ
セニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセ
ニル基などのメタロセニル基;などの置換基により置換
したヘテロアリール基が挙げられる。
【0146】R1〜R12の置換または無置換のヘテロア
リールオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有してもよいヘテロアリールオキシ基
であり、好ましくは、フラニルオキシ基、ピロリルオキ
シ基、3−ピロリノオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イ
ミダゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾリ
ルオキシ基、1,2,3−オキサジアゾリルオキシ基、
1,2,3−トリアゾリルオキシ基、1,2,4−トリ
アゾリルオキシ基、1,3,4−チアジアゾリルオキシ
基、ピリジニルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、ピリ
ミジニルオキシ基、ピラジニルオキシ基、ピペラジニル
オキシ基、トリアジニルオキシ基、ベンゾフラニルオキ
シ基、インドーリルオキシ基、チオナフセニルオキシ
基、ベンズイミダゾリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオ
キシ基、ベンゾトリアゾ−ル−2−イルオキシ基、ベン
ゾトリアゾール−1−イルオキシ基、プリニルオキシ
基、キノリニルオキシ基、イソキノリニルオキシ基、ク
マリニルオキシ基、シンノリニルオキシ基、キノキサリ
ニルオキシ基、ジベンゾフラニルオキシ基、カルバゾリ
ルオキシ基、フェナントロニリルオキシ基、フェノチア
ジニルオキシ基、フラボニルオキシ基、フタルイミジル
オキシ基、ナフチルイミジルオキシ基などの無置換ヘテ
ロアリールオキシ基;
リールオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有してもよいヘテロアリールオキシ基
であり、好ましくは、フラニルオキシ基、ピロリルオキ
シ基、3−ピロリノオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イ
ミダゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾリ
ルオキシ基、1,2,3−オキサジアゾリルオキシ基、
1,2,3−トリアゾリルオキシ基、1,2,4−トリ
アゾリルオキシ基、1,3,4−チアジアゾリルオキシ
基、ピリジニルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、ピリ
ミジニルオキシ基、ピラジニルオキシ基、ピペラジニル
オキシ基、トリアジニルオキシ基、ベンゾフラニルオキ
シ基、インドーリルオキシ基、チオナフセニルオキシ
基、ベンズイミダゾリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオ
キシ基、ベンゾトリアゾ−ル−2−イルオキシ基、ベン
ゾトリアゾール−1−イルオキシ基、プリニルオキシ
基、キノリニルオキシ基、イソキノリニルオキシ基、ク
マリニルオキシ基、シンノリニルオキシ基、キノキサリ
ニルオキシ基、ジベンゾフラニルオキシ基、カルバゾリ
ルオキシ基、フェナントロニリルオキシ基、フェノチア
ジニルオキシ基、フラボニルオキシ基、フタルイミジル
オキシ基、ナフチルイミジルオキシ基などの無置換ヘテ
ロアリールオキシ基;
【0147】あるいは以下の置換基、即ち、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子;シアノ基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,5,5−トリ
メチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバ
ルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアル
コキシ基;ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキルオキシ基;フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ
基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のア
リールオキシ基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブ
タジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル
基、オクテニル基等のアルケニル基;ビニルオキシ基、
アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキ
シ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキ
シ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子;シアノ基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,5,5−トリ
メチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバ
ルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアル
コキシ基;ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキルオキシ基;フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ
基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のア
リールオキシ基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブ
タジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル
基、オクテニル基等のアルケニル基;ビニルオキシ基、
アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキ
シ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキ
シ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;
【0148】メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、
メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキ
ルチオ基;ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのア
ラルキルチオ基;フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフ
チルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフ
ェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチ
オ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基;アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェ
ロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッ
ケロセンカルボニル基等のアシル基;メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカル
ボニル基、1−メチルフェロセン−1’−イルメトキシ
カルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、
ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカ
ルボニル基;ベンジルオキシカルボニル基、フェネチル
オキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル
基;フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル
基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニ
ル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカ
ルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリ
ールオキシカルボニル基;ビニルオキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル
基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジ
エニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オク
テニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基;メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカル
ボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノ
カルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシル
アミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オ
クチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、3,5,5−トリメチルヘキシルアミノカルボニル
基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数
2〜10のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチ
ルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、
ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボ
ニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルア
ミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジ
オクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基、4−メチルピペラジノカ
ルボニル基、4−エチルピペラジノカルボニル基等の炭
素数3〜20のジアルキルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基;
オ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、
メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキ
ルチオ基;ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのア
ラルキルチオ基;フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフ
チルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフ
ェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチ
オ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基;アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェ
ロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッ
ケロセンカルボニル基等のアシル基;メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカル
ボニル基、1−メチルフェロセン−1’−イルメトキシ
カルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、
ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカ
ルボニル基;ベンジルオキシカルボニル基、フェネチル
オキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル
基;フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル
基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニ
ル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカ
ルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリ
ールオキシカルボニル基;ビニルオキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル
基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジ
エニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オク
テニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基;メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカル
ボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノ
カルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシル
アミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オ
クチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、3,5,5−トリメチルヘキシルアミノカルボニル
基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数
2〜10のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチ
ルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、
ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボ
ニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルア
ミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジ
オクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基、4−メチルピペラジノカ
ルボニル基、4−エチルピペラジノカルボニル基等の炭
素数3〜20のジアルキルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基;
【0149】フラニル基、ピロリル基、3−ピロリノ
基、ピロリジノ基、1,3−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、2−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、1,2,3
−オキサジアゾリル基、1,2,3−トリアゾリル基、
1,2,4−トリアゾリル基、1,3,4−チアジアゾ
リル基、4H−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基;フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロ
セニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセ
ニル基などのメタロセニル基;などの置換基により置換
したヘテロアリールオキシ基が挙げられる。
基、ピロリジノ基、1,3−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、2−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、1,2,3
−オキサジアゾリル基、1,2,3−トリアゾリル基、
1,2,4−トリアゾリル基、1,3,4−チアジアゾ
リル基、4H−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基;フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロ
セニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセ
ニル基などのメタロセニル基;などの置換基により置換
したヘテロアリールオキシ基が挙げられる。
【0150】R1〜R12が連結基を介して、それぞれ併
せて環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素
原子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子など
のヘテロ原子および炭素原子を適宜選択して組み合わせ
てなる基であり、好ましい連結基の例として、−O−、
−S−、−C(=O)−、または置換されていてもよい
メチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適宜
組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基に
より形成する環としては、連結基により連結して鎖状、
面状、もしくは立体状の環が挙げられる。連結した骨格
の好適な例としては、−CH2−CH2−CH2−CH
2−、−CH2(NO2)−CH2−CH2−CH2−、−C
H(CH3)−CH2−CH2−CH2−、−CH(Cl)
−CH2−CH2−、等の脂肪族縮合環;
せて環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素
原子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子など
のヘテロ原子および炭素原子を適宜選択して組み合わせ
てなる基であり、好ましい連結基の例として、−O−、
−S−、−C(=O)−、または置換されていてもよい
メチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適宜
組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基に
より形成する環としては、連結基により連結して鎖状、
面状、もしくは立体状の環が挙げられる。連結した骨格
の好適な例としては、−CH2−CH2−CH2−CH
2−、−CH2(NO2)−CH2−CH2−CH2−、−C
H(CH3)−CH2−CH2−CH2−、−CH(Cl)
−CH2−CH2−、等の脂肪族縮合環;
【0151】−CH=CH−CH=CH−、−C(NO
2)=CH−CH=CH−、−C(CH3)=CH−CH
=CH−、−C(CH3)=CH−CH=CH−、−C
(CH3)=CH−CH=C(CH3)−、−C(OCH
3)=CH−CH=C(OCH3)−、−C(OCH2C
H2CH(CH3)−(OCH3))=C(Cl)−C
(Cl)=C(OCH2CH2CH(CH3)−(OC
H3))−、−C(OCH2CH2CH(CH3)2)=C
(Cl)−C(Cl)=C(OCH2CH2CH(C
H3)2)−、−CH=C(CH3)−C(CH3)=CH
−、−C(Cl)=CH−CH=CH−、−C{OCH
〔CH(CH3)2〕2}=CH−CH=CH−、−C
{OCH〔CH(CH3)2〕2}=C(Br)−CH=
CH−、−C{OCH〔CH(CH3)2〕2}=CH−
C(Br)=CH−、−C{OCH〔CH(CH3)2〕
2}=CH−CH=C(Br)−、−C(C2H5)=C
H−CH=CH−、−C(C2H5)=CH−CH=C
(C2H5)−、−CH=C(C2H5)−C(C2H5)=
CH−、−C(Cl)=CH−CH=CH−等の芳香族
縮合環;
2)=CH−CH=CH−、−C(CH3)=CH−CH
=CH−、−C(CH3)=CH−CH=CH−、−C
(CH3)=CH−CH=C(CH3)−、−C(OCH
3)=CH−CH=C(OCH3)−、−C(OCH2C
H2CH(CH3)−(OCH3))=C(Cl)−C
(Cl)=C(OCH2CH2CH(CH3)−(OC
H3))−、−C(OCH2CH2CH(CH3)2)=C
(Cl)−C(Cl)=C(OCH2CH2CH(C
H3)2)−、−CH=C(CH3)−C(CH3)=CH
−、−C(Cl)=CH−CH=CH−、−C{OCH
〔CH(CH3)2〕2}=CH−CH=CH−、−C
{OCH〔CH(CH3)2〕2}=C(Br)−CH=
CH−、−C{OCH〔CH(CH3)2〕2}=CH−
C(Br)=CH−、−C{OCH〔CH(CH3)2〕
2}=CH−CH=C(Br)−、−C(C2H5)=C
H−CH=CH−、−C(C2H5)=CH−CH=C
(C2H5)−、−CH=C(C2H5)−C(C2H5)=
CH−、−C(Cl)=CH−CH=CH−等の芳香族
縮合環;
【0152】−O−CH2−CH2−O−、−O−CH
(CH3)−CH(CH3)−O−、−COO−CH2−
CH2−、−COO−CH2−、−CONH−CH2−C
H2−、−CONH−CH2−、−CON(CH3)−C
H2−CH2−、−CON(CH3)−CH2−等の鎖状連
結した複素環、あるいは
(CH3)−CH(CH3)−O−、−COO−CH2−
CH2−、−COO−CH2−、−CONH−CH2−C
H2−、−CONH−CH2−、−CON(CH3)−C
H2−CH2−、−CON(CH3)−CH2−等の鎖状連
結した複素環、あるいは
【0153】
【化15】 (M’は、Fe、Ru、Co、Ni、OsまたはM”
R’2(M”はTi、Zr、Hf、Nb、Mo、Vを表
し、R’は、CO、F、Cl、Br、I、上述のR 1〜
R12と同様の置換基を有する炭素数1〜10のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ラルキル基、アラルキルオキシ基を示す。)を表す。)
等の金属錯体残基;等の複素環等が挙げられる。
R’2(M”はTi、Zr、Hf、Nb、Mo、Vを表
し、R’は、CO、F、Cl、Br、I、上述のR 1〜
R12と同様の置換基を有する炭素数1〜10のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ラルキル基、アラルキルオキシ基を示す。)を表す。)
等の金属錯体残基;等の複素環等が挙げられる。
【0154】R1〜R12が各々隣接する置換基と連結基
を介して連結する際に好適な連結の組合せは、R1と
R2、R3とR4、R5とR6、R7とR8、R9とR10、R11
とR12、R12とR1、R2とR3、R4とR5、R6とR7、
R8とR9、R10とR11等が挙げられる。
を介して連結する際に好適な連結の組合せは、R1と
R2、R3とR4、R5とR6、R7とR8、R9とR10、R11
とR12、R12とR1、R2とR3、R4とR5、R6とR7、
R8とR9、R10とR11等が挙げられる。
【0155】M1で表される2〜4価の金属原子または
半金属原子としては、周期表IIA〜VIIA族、VIII族、I
B〜VIIB族の金属原子ならびに半金属原子が挙げられ
る。
半金属原子としては、周期表IIA〜VIIA族、VIII族、I
B〜VIIB族の金属原子ならびに半金属原子が挙げられ
る。
【0156】2価の金属原子の具体的な例としては、C
u、Zn、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、P
t、Mn、Sn、Mg、Pb、Hg、Cd、Ba、T
i、Be、Ca、Re、Os等の2価の無置換金属原
子、あるいは配位子として置換または無置換の5員環含
窒素芳香族化合物、6員環含窒素芳香族化合物、縮環含
窒素化合物等の複素環化合物、一酸化炭素、アルコール
等が配位している2価の金属原子が挙げられる。
u、Zn、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、P
t、Mn、Sn、Mg、Pb、Hg、Cd、Ba、T
i、Be、Ca、Re、Os等の2価の無置換金属原
子、あるいは配位子として置換または無置換の5員環含
窒素芳香族化合物、6員環含窒素芳香族化合物、縮環含
窒素化合物等の複素環化合物、一酸化炭素、アルコール
等が配位している2価の金属原子が挙げられる。
【0157】2価の金属原子に配位している置換または
無置換の5員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピロ
ール、1−メチルピロール、3−メチルピロール、2,
5−ジメチルピロール、ピラゾール、N−メチルピラゾ
ール、3,5−ジメチルピラゾール、イミダゾール、N
−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、4−
メチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、
オキサゾール、チアゾール、4−メチルチアゾール、
2,4−ジメチルチアゾール、1,2,3−オキサジア
ゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリ
アゾール、1,3,4−チアジアゾール、2,5−ジメ
チル−1,3,4−チアジアゾール等が挙げられる。
無置換の5員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピロ
ール、1−メチルピロール、3−メチルピロール、2,
5−ジメチルピロール、ピラゾール、N−メチルピラゾ
ール、3,5−ジメチルピラゾール、イミダゾール、N
−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、4−
メチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、
オキサゾール、チアゾール、4−メチルチアゾール、
2,4−ジメチルチアゾール、1,2,3−オキサジア
ゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリ
アゾール、1,3,4−チアジアゾール、2,5−ジメ
チル−1,3,4−チアジアゾール等が挙げられる。
【0158】2価の金属原子に配位している置換または
無置換の6員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピリ
ジン、2−メチルピリジン、3−メチルピリジン、4−
メチルピリジン、2、3−ジメチルピリジン、2、4−
ジメチルピリジン、2、5−ジメチルピリジン、2、6
−ジメチルピリジン、3,4−ジメチルピリジン、3,
5−ジメチルピリジン、2−クロロピリジン、3−クロ
ロピリジン、2−メトキシピリジン、ピリダジン、3−
メチルピリダジン、ピリミジン、4−メチルピリミジ
ン、2−クロロピリミジン、ピラジン、2−メチルピラ
ジン、2,3−ジメチルピラジン、2,5−ジメチルピ
ラジン、2−メトキシピラジン、s−トリアアジン等が
挙げられる。
無置換の6員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピリ
ジン、2−メチルピリジン、3−メチルピリジン、4−
メチルピリジン、2、3−ジメチルピリジン、2、4−
ジメチルピリジン、2、5−ジメチルピリジン、2、6
−ジメチルピリジン、3,4−ジメチルピリジン、3,
5−ジメチルピリジン、2−クロロピリジン、3−クロ
ロピリジン、2−メトキシピリジン、ピリダジン、3−
メチルピリダジン、ピリミジン、4−メチルピリミジ
ン、2−クロロピリミジン、ピラジン、2−メチルピラ
ジン、2,3−ジメチルピラジン、2,5−ジメチルピ
ラジン、2−メトキシピラジン、s−トリアアジン等が
挙げられる。
【0159】2価の金属原子に配位している置換または
無置換の縮環含窒素化合物の例としては、インドール、
N−メチルインドール、2−メチルインドール、3−メ
チルインドール、5−メチルインドール、1,2−ジメ
チルインドール、2,3−ジメチルインドール、4−ク
ロロインドール、5−クロロインドール、6−クロロイ
ンドール、4−メトキシインドール、5−メトキシイン
ドール、6−メトキシインドール、ベンズイミダゾー
ル、2−メチルベンズイミダゾール、5−メチルベンズ
イミダゾール、5,6−ジメチルベンズイミダゾール、
5−クロロベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、2
−メチルベンゾチアゾール、2,5−ジメチルベンゾチ
アゾール、2−クロロベンゾチアゾール、プリン、キノ
リン、2−メチルキノリン、3−メチルキノリン、4−
メチルキノリン、6−メチルキノリン、7−メチルキノ
リン、8−メチルキノリン、2,4−ジメチルキノリ
ン、2,6−ジメチルキノリン、2−クロロキノリン、
6−クロロキノリン、8−クロロキノリン、6−メトキ
シキノリン、イソキノリン、1−メチルキノリン、キノ
キサリン、2−メチルキノキサリン、2,3−ジメチル
キノキサリン、カルバゾール、N−メチルカルバゾー
ル、アクリジン、9−メチルアクリジン、フェノチアジ
ン等が挙げられる。
無置換の縮環含窒素化合物の例としては、インドール、
N−メチルインドール、2−メチルインドール、3−メ
チルインドール、5−メチルインドール、1,2−ジメ
チルインドール、2,3−ジメチルインドール、4−ク
ロロインドール、5−クロロインドール、6−クロロイ
ンドール、4−メトキシインドール、5−メトキシイン
ドール、6−メトキシインドール、ベンズイミダゾー
ル、2−メチルベンズイミダゾール、5−メチルベンズ
イミダゾール、5,6−ジメチルベンズイミダゾール、
5−クロロベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、2
−メチルベンゾチアゾール、2,5−ジメチルベンゾチ
アゾール、2−クロロベンゾチアゾール、プリン、キノ
リン、2−メチルキノリン、3−メチルキノリン、4−
メチルキノリン、6−メチルキノリン、7−メチルキノ
リン、8−メチルキノリン、2,4−ジメチルキノリ
ン、2,6−ジメチルキノリン、2−クロロキノリン、
6−クロロキノリン、8−クロロキノリン、6−メトキ
シキノリン、イソキノリン、1−メチルキノリン、キノ
キサリン、2−メチルキノキサリン、2,3−ジメチル
キノキサリン、カルバゾール、N−メチルカルバゾー
ル、アクリジン、9−メチルアクリジン、フェノチアジ
ン等が挙げられる。
【0160】2価の金属原子の好適な具体的な例として
は、Cu、Ni、Co、Rh、Zn、Fe、Fe(C
O)、Ru(CO)、Os(CO)、Ru(CO)(C
2H5OH)、Cu(ピリジン)2、Zn(ピリジン)2、
Co(ピリジン)2、Fe(N−メチルイミダゾー
ル)、Co(N−メチルイミダゾール)等の無置換また
は2配位の2価金属原子が挙げられる。
は、Cu、Ni、Co、Rh、Zn、Fe、Fe(C
O)、Ru(CO)、Os(CO)、Ru(CO)(C
2H5OH)、Cu(ピリジン)2、Zn(ピリジン)2、
Co(ピリジン)2、Fe(N−メチルイミダゾー
ル)、Co(N−メチルイミダゾール)等の無置換また
は2配位の2価金属原子が挙げられる。
【0161】M1で表される置換基を有する3価の金属
原子または半金属原子としては、Sc、Ti、V、C
r、Mn、Mo、Ag、U、Fe、Co、Ni、Cu、
Y、Nb、Ru、Rh、La、Ta、Ir、Au、I
n、Tl、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、E
u、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、L
u、B、As、Sb等の3価の無置換金属原子あるいは
無置換半金属原子に、置換基として前述のR1〜R12で
示されるハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換基を有し
ても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキ
シ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリー
ルチオ基、アミノ基と同様のハロゲン原子、ヒドロキシ
ル基、置換基を有しても良いアルキル基、アリール基、
ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基、またはアルキ
ル基やアリール基で置換したシリルオキシ基より選択し
て結合した3価の金属原子または半金属原子、あるいは
置換基として前述の置換基と同様のハロゲン原子、置換
基を有しても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリ
ール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリ
ールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテ
ロアリールチオ基、アミノ基より選択して結合した3価
の金属原子または半金属原子に、配位子として置換また
は無置換の5員環含窒素芳香族化合物、6員環含窒素芳
香族化合物、縮環含窒素化合物等の複素環化合物、一酸
化炭素、アルコール等が配位した3価の金属原子が挙げ
られる。
原子または半金属原子としては、Sc、Ti、V、C
r、Mn、Mo、Ag、U、Fe、Co、Ni、Cu、
Y、Nb、Ru、Rh、La、Ta、Ir、Au、I
n、Tl、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、E
u、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、L
u、B、As、Sb等の3価の無置換金属原子あるいは
無置換半金属原子に、置換基として前述のR1〜R12で
示されるハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換基を有し
ても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキ
シ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリー
ルチオ基、アミノ基と同様のハロゲン原子、ヒドロキシ
ル基、置換基を有しても良いアルキル基、アリール基、
ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基、またはアルキ
ル基やアリール基で置換したシリルオキシ基より選択し
て結合した3価の金属原子または半金属原子、あるいは
置換基として前述の置換基と同様のハロゲン原子、置換
基を有しても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリ
ール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリ
ールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテ
ロアリールチオ基、アミノ基より選択して結合した3価
の金属原子または半金属原子に、配位子として置換また
は無置換の5員環含窒素芳香族化合物、6員環含窒素芳
香族化合物、縮環含窒素化合物等の複素環化合物、一酸
化炭素、アルコール等が配位した3価の金属原子が挙げ
られる。
【0162】アルキル基やアリール基で置換したシリル
オキシ基の例としては、トリメチルシリルオキシ基、ト
リエチルシリル基等のトリアルキルシリルオキシ基、ト
リフェニルシリルオキシ基等のトリアリールシリルオキ
シ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等のアルキルア
リールシリルオキシ基等が挙げられる。
オキシ基の例としては、トリメチルシリルオキシ基、ト
リエチルシリル基等のトリアルキルシリルオキシ基、ト
リフェニルシリルオキシ基等のトリアリールシリルオキ
シ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等のアルキルア
リールシリルオキシ基等が挙げられる。
【0163】3価の金属原子の好適な具体的な例として
は、Al−F、Al−Cl、Al−Br、Al−I、G
a−F、Ga−Cl、Ga−Br、Ga−I、In−
F、In−Cl、In−Br、In−I、Ti−F、T
i−Cl、Ti−Br、Ti−I、Al−C6H5、Al
−C6H4(CH3)、In−C6H5、In−C6H4(C
H3)、Mn(OH)、Mn(OC6H5)、Mn〔OS
i(CH3)3〕、Fe−Cl、Fe−C6H4F、Fe−
C6H3F2、Fe−C6H2F3、Fe−C6HF4、Fe−
C6F5、Fe−C6H5、Fe−CH3、Co−CH3、C
o−C6H5、Mn−Cl、Fe−Cl(ビス(N−メチ
ルイミダゾール))、Fe−(イミダゾリルオキシ)、
Ru−Cl等の1置換の3価金属原子が挙げられる。
は、Al−F、Al−Cl、Al−Br、Al−I、G
a−F、Ga−Cl、Ga−Br、Ga−I、In−
F、In−Cl、In−Br、In−I、Ti−F、T
i−Cl、Ti−Br、Ti−I、Al−C6H5、Al
−C6H4(CH3)、In−C6H5、In−C6H4(C
H3)、Mn(OH)、Mn(OC6H5)、Mn〔OS
i(CH3)3〕、Fe−Cl、Fe−C6H4F、Fe−
C6H3F2、Fe−C6H2F3、Fe−C6HF4、Fe−
C6F5、Fe−C6H5、Fe−CH3、Co−CH3、C
o−C6H5、Mn−Cl、Fe−Cl(ビス(N−メチ
ルイミダゾール))、Fe−(イミダゾリルオキシ)、
Ru−Cl等の1置換の3価金属原子が挙げられる。
【0164】3価の半金属原子の好適な具体的な例とし
ては、B−F、B−OCH3、B−C6H5、B−C6H4
(CH3)、B(OH)、B(OC6H5)、B〔OSi
(CH3)3〕等の1置換の3価の半金属原子が挙げられ
る。
ては、B−F、B−OCH3、B−C6H5、B−C6H4
(CH3)、B(OH)、B(OC6H5)、B〔OSi
(CH3)3〕等の1置換の3価の半金属原子が挙げられ
る。
【0165】M1で表される置換基を有する4価の金属
原子または半金属原子としては、Ti、Cr、Sn、Z
r、Ge、Mn、Si等の4価の無置換金属原子あるい
は無置換半金属原子に、置換基として前述のR1〜R12
で示されるハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換基を有
しても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリール
オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロア
リールチオ基、アミノ基と同様のハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、置換基を有しても良いアルキル基、アリール
基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基、またはア
ルキル基やアリール基で置換したシリルオキシ基より選
択して結合した4価の金属原子または半金属原子に、配
位子として置換または無置換の5員環含窒素芳香族化合
物、6員環含窒素芳香族化合物、縮環含窒素化合物等の
複素環化合物、一酸化炭素、アルコール等が配位してい
てもよい4価の金属原子が挙げられる。
原子または半金属原子としては、Ti、Cr、Sn、Z
r、Ge、Mn、Si等の4価の無置換金属原子あるい
は無置換半金属原子に、置換基として前述のR1〜R12
で示されるハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換基を有
しても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリール
オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロア
リールチオ基、アミノ基と同様のハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、置換基を有しても良いアルキル基、アリール
基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基、またはア
ルキル基やアリール基で置換したシリルオキシ基より選
択して結合した4価の金属原子または半金属原子に、配
位子として置換または無置換の5員環含窒素芳香族化合
物、6員環含窒素芳香族化合物、縮環含窒素化合物等の
複素環化合物、一酸化炭素、アルコール等が配位してい
てもよい4価の金属原子が挙げられる。
【0166】4価の金属原子の好適な具体的な例として
は、TiF2、TiCl2、TiBr 2、TiI2、CrF
2、CrCl2、CrBr2、CrI2、SnF2、SnC
l2、SnBr2、SnI2、ZrF2、ZrCl2、Zr
Br2、ZrI2、GeF2、GeCl2、GeBr2、G
eI2、MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2、T
i(OH)2、Cr(OH)2、Sn(OH)2、Zr
(OH)2、Ge(OH)2、Mn(OH)2、TiA2、
CrA2、SnA2、ZrA2、GeA2、MnA2、Ti
(OA)2、Cr(OA)2、Sn(OA)2、Zr(O
A)2、Ge(OA) 2、Mn(OA)2、Ti(S
A)2、Cr(SA)2、Sn(SA)2、Zr(S
A)2、Ge(SA)2、Mn(SA)2、Ti(NH
A)2、Cr(NHA)2、Sn(NHA)2、Zr(N
HA)2、Ge(NHA)2、Mn(NHA)2、Ti
(NA2)2、Cr(NA2)2、Sn(NA2)2、Zr
(NA2)2、Ge(NA2)2、Mn(NA2)2〔Aは、
前述のR1〜R12で示されるアルキル基、アリール基、
ヘテロアリール基と同様の置換または無置換のアルキル
基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。〕等の2置
換の4価金属原子が挙げられる。
は、TiF2、TiCl2、TiBr 2、TiI2、CrF
2、CrCl2、CrBr2、CrI2、SnF2、SnC
l2、SnBr2、SnI2、ZrF2、ZrCl2、Zr
Br2、ZrI2、GeF2、GeCl2、GeBr2、G
eI2、MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2、T
i(OH)2、Cr(OH)2、Sn(OH)2、Zr
(OH)2、Ge(OH)2、Mn(OH)2、TiA2、
CrA2、SnA2、ZrA2、GeA2、MnA2、Ti
(OA)2、Cr(OA)2、Sn(OA)2、Zr(O
A)2、Ge(OA) 2、Mn(OA)2、Ti(S
A)2、Cr(SA)2、Sn(SA)2、Zr(S
A)2、Ge(SA)2、Mn(SA)2、Ti(NH
A)2、Cr(NHA)2、Sn(NHA)2、Zr(N
HA)2、Ge(NHA)2、Mn(NHA)2、Ti
(NA2)2、Cr(NA2)2、Sn(NA2)2、Zr
(NA2)2、Ge(NA2)2、Mn(NA2)2〔Aは、
前述のR1〜R12で示されるアルキル基、アリール基、
ヘテロアリール基と同様の置換または無置換のアルキル
基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。〕等の2置
換の4価金属原子が挙げられる。
【0167】4価の半金属原子の好適な具体的な例とし
ては、SiF2、SiCl2、SiBr2、SiI2、Si
(OH)2、SiA2、Si(OA)2、Si(SA)2、
Si(NHA)2、Si(NA2)2〔Aは、前述のAを
意味する。〕等の2置換の4価半金属原子が挙げられ
る。
ては、SiF2、SiCl2、SiBr2、SiI2、Si
(OH)2、SiA2、Si(OA)2、Si(SA)2、
Si(NHA)2、Si(NA2)2〔Aは、前述のAを
意味する。〕等の2置換の4価半金属原子が挙げられ
る。
【0168】M1で表されるオキシ金属原子の具体的な
例としては、VO、MnO、TiO、OsO2等が挙げ
られる。
例としては、VO、MnO、TiO、OsO2等が挙げ
られる。
【0169】M1として、好ましくは、Cu、Ni、C
o、Rh、Zn、Fe、MnCl、CoCl、FeC
l、Fe(A)、Fe(OA)、Co(A)、Co(O
A)、Cu(ピリジン)2、Zn(ピリジン)2、Co
(ピリジン)2、VO、TiO、TiA2、SiA2、S
nA2、RuA2、RhA2、GeA2、Si(OA)2、
Sn(OA)2、Ge(OA)2、Si(SA)2、Sn
(SA)2、Ge(SA)2〔Aは、前述のAを意味す
る。〕が挙げられる。
o、Rh、Zn、Fe、MnCl、CoCl、FeC
l、Fe(A)、Fe(OA)、Co(A)、Co(O
A)、Cu(ピリジン)2、Zn(ピリジン)2、Co
(ピリジン)2、VO、TiO、TiA2、SiA2、S
nA2、RuA2、RhA2、GeA2、Si(OA)2、
Sn(OA)2、Ge(OA)2、Si(SA)2、Sn
(SA)2、Ge(SA)2〔Aは、前述のAを意味す
る。〕が挙げられる。
【0170】また、本発明においては、一般式(1)で
示される化合物としては、さらに一般式(3)で例示さ
れる化合物が好ましい例として挙げられる。
示される化合物としては、さらに一般式(3)で例示さ
れる化合物が好ましい例として挙げられる。
【0171】
【化16】
【0172】〔式中、R13〜R24はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R13〜R24
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M2はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および/または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する2〜4価の金属原子を表す。〕
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、R13〜R24
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、M2はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および/または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する2〜4価の金属原子を表す。〕
【0173】本発明の一般式(3)で表される化合物に
おいて、R13〜R24の具体例としては、水素原子;フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲ
ン原子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;アミノ
基;カルボキシル基;メルカプト基等が挙げられる。
おいて、R13〜R24の具体例としては、水素原子;フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲ
ン原子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;アミノ
基;カルボキシル基;メルカプト基等が挙げられる。
【0174】R13〜R24の置換または無置換のアルキル
基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
キシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アル
ケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、
アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシル基、アシル
オキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコ
キシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニ
ル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカル
ボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロアリールオキ
シ基の例としては、R1〜R12と同様のアルキル基、ア
ラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ
基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニ
ルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリ
ールチオ基、アルケニルチオ基、アシル基、アシルオキ
シ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコキシ
カルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリー
ルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル
基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボ
ニル基、ヘテロアリール基またはヘテロアリールオキシ
基が挙げられる。
基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
キシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アル
ケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、
アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシル基、アシル
オキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコ
キシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニ
ル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカル
ボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロアリールオキ
シ基の例としては、R1〜R12と同様のアルキル基、ア
ラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ
基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニ
ルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリ
ールチオ基、アルケニルチオ基、アシル基、アシルオキ
シ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコキシ
カルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリー
ルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル
基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボ
ニル基、ヘテロアリール基またはヘテロアリールオキシ
基が挙げられる。
【0175】R13〜R24が連結基を介して、それぞれ併
せて環を形成する際の連結基としては、R1〜R12と同
様の連結基が挙げられる。
せて環を形成する際の連結基としては、R1〜R12と同
様の連結基が挙げられる。
【0176】M2で表される置換基および/または配位
子を有する2〜4価の金属原子または半金属原子の例と
しては、前述のM1と同様のアルキル基、アリール基、
ヘテロアリールオキシ基から選択される置換基、および
/または一酸化炭素、アルコールから選択される配位子
を有する2〜4価の金属原子が挙げられる。
子を有する2〜4価の金属原子または半金属原子の例と
しては、前述のM1と同様のアルキル基、アリール基、
ヘテロアリールオキシ基から選択される置換基、および
/または一酸化炭素、アルコールから選択される配位子
を有する2〜4価の金属原子が挙げられる。
【0177】本発明に用いられる一般式(1)で示され
る化合物は、限定されないが、例えば、Angew. Chem. I
nt. Ed. Engl. 26, 928-931 (1987)、J. Phys. Chem.,
98,11885-11891 (1994)等に記載の方法に準じて製造さ
れる。代表的には、以下のような反応にて製造すること
ができる。
る化合物は、限定されないが、例えば、Angew. Chem. I
nt. Ed. Engl. 26, 928-931 (1987)、J. Phys. Chem.,
98,11885-11891 (1994)等に記載の方法に準じて製造さ
れる。代表的には、以下のような反応にて製造すること
ができる。
【0178】一般式(2)あるいは一般式(3)で示さ
れるポルフィセンは、下式(8)および/または式
(9)で示される化合物を無水テトラヒドロフラン等の
エーテル系溶媒中、亜鉛、塩化銅(I)等の金属および
/または金属塩、ピリジン等のアミン化合物、四塩化チ
タンから発生させた低原子価チタンまたは三塩化チタン
等のチタン化合物等を必要に応じて用い反応させ、式
(2)のM1が2個の水素原子である式(10)の本発
明の化合物を得る。
れるポルフィセンは、下式(8)および/または式
(9)で示される化合物を無水テトラヒドロフラン等の
エーテル系溶媒中、亜鉛、塩化銅(I)等の金属および
/または金属塩、ピリジン等のアミン化合物、四塩化チ
タンから発生させた低原子価チタンまたは三塩化チタン
等のチタン化合物等を必要に応じて用い反応させ、式
(2)のM1が2個の水素原子である式(10)の本発
明の化合物を得る。
【0179】
【化17】 [式中、R25〜R36は、式(2)のR1〜R12とそれぞ
れ同一の基を表す。]
れ同一の基を表す。]
【0180】続いて、エタノール等のアルコール系溶媒
および/またはジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N,N−ジメチルイミダゾリジンー2
−オン等のアミド系溶媒などの有機溶媒中で、金属また
は半金属の酢酸塩、硫酸塩、硝酸塩またはハロゲン化
塩、カルボニル化合物等を用い、空気などの酸化剤ある
いは非存在下で反応させることにより、式(2)または
式(3)の化合物を得ることができる。また、式(2)
の中心金属がハロゲンを置換基にもつ金属原子につい
て、アルキル化剤あるいはアリール化剤を作用させるこ
とで、中心金属がアルキル基またはアリール基で置換し
た金属原子である式(2)または式(3)の化合物を得
ることができる。
および/またはジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N,N−ジメチルイミダゾリジンー2
−オン等のアミド系溶媒などの有機溶媒中で、金属また
は半金属の酢酸塩、硫酸塩、硝酸塩またはハロゲン化
塩、カルボニル化合物等を用い、空気などの酸化剤ある
いは非存在下で反応させることにより、式(2)または
式(3)の化合物を得ることができる。また、式(2)
の中心金属がハロゲンを置換基にもつ金属原子につい
て、アルキル化剤あるいはアリール化剤を作用させるこ
とで、中心金属がアルキル基またはアリール基で置換し
た金属原子である式(2)または式(3)の化合物を得
ることができる。
【0181】また、式(2)のR1〜R12のうち、任意
の置換基が水素原子のものに関して、たとえば、ニトロ
化、ハロゲン化、ホルミル化、アミノ化、カルボキシル
化、ヒドロキシル化、アシル化、脱離反応、等の定法の
合成法により、選択された水素原子が任意の置換基に置
換され、更に必要に応じて還元、酸化、異性化、転位な
どの定法の合成法を用い、式(2)または式(3)の化
合物を得ることができる。
の置換基が水素原子のものに関して、たとえば、ニトロ
化、ハロゲン化、ホルミル化、アミノ化、カルボキシル
化、ヒドロキシル化、アシル化、脱離反応、等の定法の
合成法により、選択された水素原子が任意の置換基に置
換され、更に必要に応じて還元、酸化、異性化、転位な
どの定法の合成法を用い、式(2)または式(3)の化
合物を得ることができる。
【0182】一般式(2)および一般式(3)で示され
るポルフィセン化合物の具体例については、例えば表−
1に記載する置換基を有する化合物(1−1)〜(1−
64)等が挙げられる。なお、置換基等の表記は式
(2)に準じて示しているが、式(3)については式
(2)に包含されるものであり、対応する置換基等の読
み替えは自明である。
るポルフィセン化合物の具体例については、例えば表−
1に記載する置換基を有する化合物(1−1)〜(1−
64)等が挙げられる。なお、置換基等の表記は式
(2)に準じて示しているが、式(3)については式
(2)に包含されるものであり、対応する置換基等の読
み替えは自明である。
【0183】
【表1】
【0184】
【表2】
【0185】
【表3】
【0186】
【表4】
【0187】本発明の光記録媒体を構成している記録層
の色素は、実質的に1種またはそれ以上のポルフィセン
化合物、特に式(1)乃至式(3)の化合物からなるも
のであり、さらに、所望に応じて波長290nm〜69
0nmに吸収極大を持ち、300nm〜700nmでの
屈折率が大きい前記以外の化合物と混合しても良い。具
体的には、シアニン系化合物、スクアリリウム系化合
物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、
テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール
系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合
物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合
物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、イン
ジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系
化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキ
サジン系化合物、ジピロメテン系化合物、オキサゾール
系、アザポルフィリン系、ポルフィリン系などがあり、
複数の化合物の混合であっても良い。これらの化合物の
混合割合は、0.1質量%〜30質量%程度である。
の色素は、実質的に1種またはそれ以上のポルフィセン
化合物、特に式(1)乃至式(3)の化合物からなるも
のであり、さらに、所望に応じて波長290nm〜69
0nmに吸収極大を持ち、300nm〜700nmでの
屈折率が大きい前記以外の化合物と混合しても良い。具
体的には、シアニン系化合物、スクアリリウム系化合
物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、
テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール
系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合
物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合
物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、イン
ジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系
化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキ
サジン系化合物、ジピロメテン系化合物、オキサゾール
系、アザポルフィリン系、ポルフィリン系などがあり、
複数の化合物の混合であっても良い。これらの化合物の
混合割合は、0.1質量%〜30質量%程度である。
【0188】記録層を成膜する際に、必要に応じて式
(1)で表される化合物に、クエンチャー、化合物熱分
解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱性又は吸熱分解
性化合物、あるいは溶解性を向上させる高分子等の添加
剤を混合するか、あるいは、そのような効果を有する化
合物を式(1)で表される化合物の置換基として導入す
ることも可能である。
(1)で表される化合物に、クエンチャー、化合物熱分
解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱性又は吸熱分解
性化合物、あるいは溶解性を向上させる高分子等の添加
剤を混合するか、あるいは、そのような効果を有する化
合物を式(1)で表される化合物の置換基として導入す
ることも可能である。
【0189】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。
【0190】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
(TG分析)などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン[Mn(C5H5)(CO)
3]などのMn系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体(フェロセ
ン)をはじめ、Ti、V、Mn、Cr、Co、Ni、M
o、Ru、Rh、Zr、Lu、Ta、W、Os、Ir、
Sc、Yなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分
解促進効果がある。
(TG分析)などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン[Mn(C5H5)(CO)
3]などのMn系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体(フェロセ
ン)をはじめ、Ti、V、Mn、Cr、Co、Ni、M
o、Ru、Rh、Zr、Lu、Ta、W、Os、Ir、
Sc、Yなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分
解促進効果がある。
【0191】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。
【0192】吸熱性又は吸熱分解性化合物としては、特
開平10−291366号公報記載の化合物、又は、該
公報に記載される置換基を有する化合物等が挙げられ
る。
開平10−291366号公報記載の化合物、又は、該
公報に記載される置換基を有する化合物等が挙げられ
る。
【0193】上述した各種のクエンチャー、化合物熱分
解促進剤及び吸熱性又は吸熱分解性化合物は、必要に応
じて、1種類で用いても、2種類以上を混合して用いて
も良い。
解促進剤及び吸熱性又は吸熱分解性化合物は、必要に応
じて、1種類で用いても、2種類以上を混合して用いて
も良い。
【0194】あるいは、クエンチャー能、化合物熱分解
促進能、紫外線吸収能、接着能を有する化合物を式
(1)で表される化合物の置換基として導入することも
可能である。
促進能、紫外線吸収能、接着能を有する化合物を式
(1)で表される化合物の置換基として導入することも
可能である。
【0195】すなわち、本発明の式(1)のポルフィセ
ン化合物残基に対して、クエンチャー能、化合物熱分解
促進能、紫外線吸収能、接着能、吸熱能又は吸熱分解能
を有する化合物残基が少なくとも一つの単結合、二重結
合、三重結合により、化学結合して一つの分子を形成し
てもよい。好ましくは、式(2)のポルフィセン系化合
物の各置換基R1〜R12が式(11)
ン化合物残基に対して、クエンチャー能、化合物熱分解
促進能、紫外線吸収能、接着能、吸熱能又は吸熱分解能
を有する化合物残基が少なくとも一つの単結合、二重結
合、三重結合により、化学結合して一つの分子を形成し
てもよい。好ましくは、式(2)のポルフィセン系化合
物の各置換基R1〜R12が式(11)
【0196】−(Ln)−(Jn) (11) 〔式中、Lnは式(2)のポルフィセン系化合物への結
合部、すなわち単結合、または置換していてもよいメチ
レン基、メチン基、アミノ基、イミノ基、酸素原子また
は硫黄原子より少なくとも1種を選択して連結した原子
数1〜20の原子鎖を表し、Jnはクエンチャー、化合
物熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着能、吸熱能又は吸
熱分解能を有するR1〜R12に対応する化合物残基を表
す。〕で表される置換基、または、式(2)の隣接する
置換基の組合せであるR1とR2、R 3とR4、R5とR6、
R7とR8、R9とR10、R11とR12、R12とR1、R2と
R3、R4とR5、R6とR7、R8とR9、R10とR11につ
いて、式(12)
合部、すなわち単結合、または置換していてもよいメチ
レン基、メチン基、アミノ基、イミノ基、酸素原子また
は硫黄原子より少なくとも1種を選択して連結した原子
数1〜20の原子鎖を表し、Jnはクエンチャー、化合
物熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着能、吸熱能又は吸
熱分解能を有するR1〜R12に対応する化合物残基を表
す。〕で表される置換基、または、式(2)の隣接する
置換基の組合せであるR1とR2、R 3とR4、R5とR6、
R7とR8、R9とR10、R11とR12、R12とR1、R2と
R3、R4とR5、R6とR7、R8とR9、R10とR11につ
いて、式(12)
【0197】 −(Lm1)−(Jm)−(Lm2)− (12) 〔式中、Lm1およびLm2は隣り合い、且つ式(2)のポ
ルフィセン系化合物への結合部、すなわち単結合、また
は置換していてもよいメチレン基、メチン基、アミノ
基、イミノ基、酸素原子または硫黄原子より少なくとも
1種を選択して連結した原子数1〜20の原子鎖を表
し、Jmはクエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外線
吸収剤、接着能、吸熱能又は吸熱分解能を有するR1〜
R12に対応する化合物残基を表す。〕で表される置換基
が挙げられる。
ルフィセン系化合物への結合部、すなわち単結合、また
は置換していてもよいメチレン基、メチン基、アミノ
基、イミノ基、酸素原子または硫黄原子より少なくとも
1種を選択して連結した原子数1〜20の原子鎖を表
し、Jmはクエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外線
吸収剤、接着能、吸熱能又は吸熱分解能を有するR1〜
R12に対応する化合物残基を表す。〕で表される置換基
が挙げられる。
【0198】Ln、Lm1、Lm2の好ましい原子鎖の例と
しては、単結合、−C(=O)−OCH2−、−C(=
O)−OCH(CH3)−、−OCH2−、−OCH(C
H3)−、−CH2OCH2−、−CH2OCH(CH3)
−、−CH(CH3)OCH(CH3)−、−O−C(=
O)−、−CH=CH−、−CH=N−、−C(=O)
−、−CH=CH−C(=O)O−、−C(C=O)C
H2CH2C(=O)−O−等が挙げられる。
しては、単結合、−C(=O)−OCH2−、−C(=
O)−OCH(CH3)−、−OCH2−、−OCH(C
H3)−、−CH2OCH2−、−CH2OCH(CH3)
−、−CH(CH3)OCH(CH3)−、−O−C(=
O)−、−CH=CH−、−CH=N−、−C(=O)
−、−CH=CH−C(=O)O−、−C(C=O)C
H2CH2C(=O)−O−等が挙げられる。
【0199】Jn、Jmの好ましい例としては、フェロセ
ン残基、コバルトセン残基、ニッケロセン残基、ルテノ
セン残基、オスモセン残基、チタノセン残基等のメタロ
セン残基が挙げられる。
ン残基、コバルトセン残基、ニッケロセン残基、ルテノ
セン残基、オスモセン残基、チタノセン残基等のメタロ
セン残基が挙げられる。
【0200】式(11)の好適な骨格例としては、以下
の金属錯体残基が挙げられる。
の金属錯体残基が挙げられる。
【0201】
【化18】
【0202】(M’は、Fe、Ru、Co、Ni、Os
またはM”Z’2(M”はTi、Zr、Hf、Nb、M
o、Vを表し、Z’は、CO、F、Cl、Br、I、上
述のR 1〜R12と同様の置換基を有する炭素数1〜10
のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオ
キシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基を示す)を
表す。)
またはM”Z’2(M”はTi、Zr、Hf、Nb、M
o、Vを表し、Z’は、CO、F、Cl、Br、I、上
述のR 1〜R12と同様の置換基を有する炭素数1〜10
のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオ
キシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基を示す)を
表す。)
【0203】また、式(12)の好適な骨格例として
は、以下の金属錯体残基が挙げられる。
は、以下の金属錯体残基が挙げられる。
【0204】
【化19】 (M’は、Fe、Ru、Co、Ni、OsまたはM”
Z’2(M”はTi、Zr、Hf、Nb、Mo、Vを表
し、Z’は、CO、F、Cl、Br、I、上述のR 1〜
R12と同様の置換基を有する炭素数1〜10のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ラルキル基、アラルキルオキシ基を示す)を表す。)
Z’2(M”はTi、Zr、Hf、Nb、Mo、Vを表
し、Z’は、CO、F、Cl、Br、I、上述のR 1〜
R12と同様の置換基を有する炭素数1〜10のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ラルキル基、アラルキルオキシ基を示す)を表す。)
【0205】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。
【0206】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。
【0207】ここで、記録層における一般式(1)で示
される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量
を選択することができるが、通常、30質量%以上、好
ましくは60質量%以上である。尚、実質的に100質
量%であることも好ましい。
される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量
を選択することができるが、通常、30質量%以上、好
ましくは60質量%以上である。尚、実質的に100質
量%であることも好ましい。
【0208】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。
【0209】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式(1)で示される化合物を1〜40質量
%、好ましくは3〜30質量%となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。
には、一般式(1)で示される化合物を1〜40質量
%、好ましくは3〜30質量%となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。
【0210】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【0211】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。
【0212】記録層の膜厚は、30nm〜1000nm
であるが、好ましくは50nm〜300nmである。記
録層の膜厚を30nmより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が1000n
mより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化
する場合がある。
であるが、好ましくは50nm〜300nmである。記
録層の膜厚を30nmより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が1000n
mより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化
する場合がある。
【0213】次に記録層の上に、好ましくは50nm〜
300nmの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、P
t、TaおよびPdの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもAu、Ag、Alは
反射率が高く反射層の材料として適している。青色レー
ザーでの記録・再生を行う場合には、AlまたはAgが
好適である。これ以外でも下記のものを含んでいても良
い。例えば、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、
Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、G
a、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi
などの金属および半金属を挙げることができる。また、
AgまたはAlを主成分とするものは反射率の高い反射
層が容易に得られるため好適である。金属以外の材料で
低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜
を形成し、反射層として用いることも可能である。
300nmの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、P
t、TaおよびPdの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもAu、Ag、Alは
反射率が高く反射層の材料として適している。青色レー
ザーでの記録・再生を行う場合には、AlまたはAgが
好適である。これ以外でも下記のものを含んでいても良
い。例えば、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、
Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、G
a、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi
などの金属および半金属を挙げることができる。また、
AgまたはAlを主成分とするものは反射率の高い反射
層が容易に得られるため好適である。金属以外の材料で
低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜
を形成し、反射層として用いることも可能である。
【0214】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
【0215】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。無機物質としては、SiO2、Si3N4、
MgF2、AlN、SnO2などが挙げられる。また、有
機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線
硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができ
る。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。紫外線硬化
性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液
を調製した後に、この塗布液を塗布し、紫外線を照射し
て硬化させることによって形成することができる。紫外
線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレー
ト、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
などのアクリレート樹脂を用いることができる。これら
の材料は単独であるいは混合して用いても良く、1層だ
けでなく多層膜にして用いても良い。
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。無機物質としては、SiO2、Si3N4、
MgF2、AlN、SnO2などが挙げられる。また、有
機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線
硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができ
る。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。紫外線硬化
性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液
を調製した後に、この塗布液を塗布し、紫外線を照射し
て硬化させることによって形成することができる。紫外
線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレー
ト、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
などのアクリレート樹脂を用いることができる。これら
の材料は単独であるいは混合して用いても良く、1層だ
けでなく多層膜にして用いても良い。
【0216】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
【0217】保護層の膜厚は、一般には0.1μm〜1
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは、5μm〜20μmで
ある。
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは、5μm〜20μmで
ある。
【0218】保護層の上にさらにレーベル、バーコード
などの印刷を行うこともできる。
などの印刷を行うこともできる。
【0219】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。
【0220】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。
【0221】また、図3のような光記録媒体を作製する
場合、基板の上に、好ましくは1nm〜300nmの厚
さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性を
よくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接
着層を設けることができる。反射層の材料としては、再
生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Al、A
g、NiおよびPtの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもAg、Alは反射率
が高く反射層の材料として適している。これ以外でも必
要に応じて下記のものを含んでいても良い。例えば、M
g、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、F
e、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、S
i、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Au、C
u、Ti、Cr、Pd、Taなどの金属および半金属を
挙げることができる。AgまたはAlを主成分とするも
ので反射率の高い反射層が容易に得られるものが好適で
ある。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を
交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いる
ことも可能である。
場合、基板の上に、好ましくは1nm〜300nmの厚
さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性を
よくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接
着層を設けることができる。反射層の材料としては、再
生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Al、A
g、NiおよびPtの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもAg、Alは反射率
が高く反射層の材料として適している。これ以外でも必
要に応じて下記のものを含んでいても良い。例えば、M
g、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、F
e、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、S
i、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Au、C
u、Ti、Cr、Pd、Taなどの金属および半金属を
挙げることができる。AgまたはAlを主成分とするも
ので反射率の高い反射層が容易に得られるものが好適で
ある。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を
交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いる
ことも可能である。
【0222】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
【0223】次に、記録層を反射層の上に成膜する際
に、反射層の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上さ
せるために、反射層の上に無機物やポリマーからなる層
を設けても良い。
に、反射層の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上さ
せるために、反射層の上に無機物やポリマーからなる層
を設けても良い。
【0224】ここで、記録層における一般式(1)で示
される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量
を選択することができるが、通常、30質量%以上、好
ましくは60質量%以上である。尚、実質的に100質
量%であることも好ましい。
される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量
を選択することができるが、通常、30質量%以上、好
ましくは60質量%以上である。尚、実質的に100質
量%であることも好ましい。
【0225】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。
【0226】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式(1)で示される化合物を1〜40質量
%、好ましくは3〜30質量%となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
反射層にダメージを与えないものを選ぶことが好まし
い。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコ
ール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフ
ルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチル
シクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶
媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水
素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエ
タン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶
媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセ
トン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンなど
のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステ
ル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いて
も良く、あるいは、複数混合しても良い。
には、一般式(1)で示される化合物を1〜40質量
%、好ましくは3〜30質量%となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
反射層にダメージを与えないものを選ぶことが好まし
い。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコ
ール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフ
ルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチル
シクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶
媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水
素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエ
タン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶
媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセ
トン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンなど
のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステ
ル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いて
も良く、あるいは、複数混合しても良い。
【0227】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【0228】また、反射層にダメージを与えない溶媒を
選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸
着法などが有効である。
選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸
着法などが有効である。
【0229】記録層の膜厚は、通常1nm〜1000n
mであるが、好ましくは5nm〜300nmである。記
録層の膜厚を1nmより薄くすると、記録できないか、
記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合
がある。また、膜厚が1000nmより厚い場合は反射
率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。
mであるが、好ましくは5nm〜300nmである。記
録層の膜厚を1nmより薄くすると、記録できないか、
記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合
がある。また、膜厚が1000nmより厚い場合は反射
率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。
【0230】さらに、記録層の上に形成する保護層の材
料としては記録層を外力や雰囲気など、外部からの悪影
響から保護するものであれば特に限定しない。無機物質
としては、SiO2、Si3N4、MgF2、AlN、Sn
O2などが挙げられる。また、有機物質としては、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬
化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製し
た後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形
成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもし
くは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗
布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによっ
て形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、
例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂
を用いることができる。これらの材料は単独であるいは
混合して用いても良く、1層だけでなく多層膜にして用
いても良い。
料としては記録層を外力や雰囲気など、外部からの悪影
響から保護するものであれば特に限定しない。無機物質
としては、SiO2、Si3N4、MgF2、AlN、Sn
O2などが挙げられる。また、有機物質としては、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬
化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製し
た後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形
成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもし
くは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗
布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによっ
て形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、
例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂
を用いることができる。これらの材料は単独であるいは
混合して用いても良く、1層だけでなく多層膜にして用
いても良い。
【0231】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
【0232】保護層の膜厚は、一般には0.01μm〜
1000μmの範囲であるが、場合により0.1μm〜
100μm、さらには、1μm〜20μmとすることが
できる。
1000μmの範囲であるが、場合により0.1μm〜
100μm、さらには、1μm〜20μmとすることが
できる。
【0233】また、基板面に保護シートまたは反射層を
貼り合わせる、あるいは基板面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。
貼り合わせる、あるいは基板面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。
【0234】保護層面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。
【0235】本発明の光記録媒体において、媒体全体を
保護する目的で、例えば、フロッピー(登録商標)ディ
スクや光磁気ディスクなどに見られるようにディスクを
保護するケース型の保護ユニットを設置しても構わな
い。材質はプラスチックや、アルミニウムなどの金属を
使用することができる。
保護する目的で、例えば、フロッピー(登録商標)ディ
スクや光磁気ディスクなどに見られるようにディスクを
保護するケース型の保護ユニットを設置しても構わな
い。材質はプラスチックや、アルミニウムなどの金属を
使用することができる。
【0236】基材の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。支持基板の材質
としては、図4に示すように基板11を通じて青紫色レ
ーザーの照射が行われる場合も加味すると、例えば、ア
クリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料
やガラス等の無機材料などの透明な材料が利用される。
一方、図5に示す構成のように、基板11’とは逆の光
透過層15’側からレーザー照射が行われる場合、基板
の材質としては光学的諸要件を満たす必要はなく、より
広範な材料から選択することができる。基板に要求され
る機械的特性、また基板生産性の観点からは、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の
射出成型或いはキャスト成型可能な材料が好ましい。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形してもよい。
よび再生光の波長で透明であればよい。支持基板の材質
としては、図4に示すように基板11を通じて青紫色レ
ーザーの照射が行われる場合も加味すると、例えば、ア
クリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料
やガラス等の無機材料などの透明な材料が利用される。
一方、図5に示す構成のように、基板11’とは逆の光
透過層15’側からレーザー照射が行われる場合、基板
の材質としては光学的諸要件を満たす必要はなく、より
広範な材料から選択することができる。基板に要求され
る機械的特性、また基板生産性の観点からは、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の
射出成型或いはキャスト成型可能な材料が好ましい。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形してもよい。
【0237】また、必要に応じて、これらの基板の表層
には、サブミクロンオーダーの案内溝及び/又はプレピ
ットが螺旋状又は同心円上に形成されていても良い。こ
れら案内溝及びプレピットは、基板形成時に付与されて
いるのが好ましく、スタンパー原盤を用いての射出成型
や、フォトポリマーを用いた熱転写法により付与するこ
とができる。尚、図5における光透過層15’に案内溝
及び/又はプレピットを形成しても良く、付与する場合
も同様の方法を適用できる。案内溝のピッチ及び深さ
は、DVDよりも高密度記録を行うHD−DVDRの場
合、ピッチとして0.25〜0.80μm、深さとして
20〜150nmの範囲から選択するのが好ましい。
には、サブミクロンオーダーの案内溝及び/又はプレピ
ットが螺旋状又は同心円上に形成されていても良い。こ
れら案内溝及びプレピットは、基板形成時に付与されて
いるのが好ましく、スタンパー原盤を用いての射出成型
や、フォトポリマーを用いた熱転写法により付与するこ
とができる。尚、図5における光透過層15’に案内溝
及び/又はプレピットを形成しても良く、付与する場合
も同様の方法を適用できる。案内溝のピッチ及び深さ
は、DVDよりも高密度記録を行うHD−DVDRの場
合、ピッチとして0.25〜0.80μm、深さとして
20〜150nmの範囲から選択するのが好ましい。
【0238】通常、光ディスクとして用いる場合は、厚
さ1.2mm程度、直径80ないし120mm程度の円
盤状であってもよく、中央に直径15mm程度の穴が開
いていても構わない。
さ1.2mm程度、直径80ないし120mm程度の円
盤状であってもよく、中央に直径15mm程度の穴が開
いていても構わない。
【0239】ここで、本発明で言う波長300nm〜5
00nmおよび500〜700nmのレーザーは、特に
制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択
のできる色素レーザーや、He−Neレーザー(633
nm)、窒素レーザー(337nm)等のガスレーザ
ー、波長445nmのヘリウムカドミウムレーザー、波
長457nmあるいは488nmのアルゴンレーザー等
のイオンレーザー、波長400〜410nmののGaN
系レーザー、CrドープしたLiSnAlF6を用いた
波長860nmの赤外線レーザーの第2高調波430n
mを発振するレーザー他、波長415、425、60
2、612、635、647、650、660、67
0、680nm等の可視半導体レーザー等の半導体レー
ザー等が挙げられる。本発明では、上述の半導体レーザ
ー等を記録または再生を行う記録層の感応する波長に応
じて適宜選択することができる。高密度記録および再生
は各々、上述の該半導体レーザーから選択される1波長
または複数波長において可能となる。
00nmおよび500〜700nmのレーザーは、特に
制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択
のできる色素レーザーや、He−Neレーザー(633
nm)、窒素レーザー(337nm)等のガスレーザ
ー、波長445nmのヘリウムカドミウムレーザー、波
長457nmあるいは488nmのアルゴンレーザー等
のイオンレーザー、波長400〜410nmののGaN
系レーザー、CrドープしたLiSnAlF6を用いた
波長860nmの赤外線レーザーの第2高調波430n
mを発振するレーザー他、波長415、425、60
2、612、635、647、650、660、67
0、680nm等の可視半導体レーザー等の半導体レー
ザー等が挙げられる。本発明では、上述の半導体レーザ
ー等を記録または再生を行う記録層の感応する波長に応
じて適宜選択することができる。高密度記録および再生
は各々、上述の該半導体レーザーから選択される1波長
または複数波長において可能となる。
【0240】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。
れによりなんら限定されるものではない。
【0241】実施例1 一般式(1)で表される化合物のうち、表−1記載の化
合物(1−1)をポリカーボネート樹脂製で連続した案
内溝(トラックピッチ:0.74μm)を有する外径1
20mmφ、厚さ0.6mmの円盤状の基板上に、真空
蒸着法にて厚さ70nmとなるように成膜した。
合物(1−1)をポリカーボネート樹脂製で連続した案
内溝(トラックピッチ:0.74μm)を有する外径1
20mmφ、厚さ0.6mmの円盤状の基板上に、真空
蒸着法にて厚さ70nmとなるように成膜した。
【0242】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置(CDI−900)を用いて銀をスパッタし、厚さ
100nmの反射層を形成した。スパッタガスにはアル
ゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー
2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×1
0-2Torr)で行った。
装置(CDI−900)を用いて銀をスパッタし、厚さ
100nmの反射層を形成した。スパッタガスにはアル
ゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー
2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×1
0-2Torr)で行った。
【0243】さらに、反射層の上に紫外線硬化樹脂SD
−17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5μmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂基板をのせ、
紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。
−17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5μmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂基板をのせ、
紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。
【0244】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のように評価試験を行った。
録媒体について、以下のように評価試験を行った。
【0245】波長403nm、開口数0.65の青色レ
ーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数9.7
MHz、記録レーザーパワー8.5mW、線速9.0m
/s、最短ピット長0.46μmとして記録を行った。
良好にピットが形成され、記録できた。記録後、同評価
装置により、再生レーザーパワー0.6mWにて線速
9.0m/sで再生を行ったところ、ピットを読み取る
ことができた。、再生を繰り返し1000回以上行った
が、ピットを読み取ることができ、再生光安定性に優れ
ていた。
ーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数9.7
MHz、記録レーザーパワー8.5mW、線速9.0m
/s、最短ピット長0.46μmとして記録を行った。
良好にピットが形成され、記録できた。記録後、同評価
装置により、再生レーザーパワー0.6mWにて線速
9.0m/sで再生を行ったところ、ピットを読み取る
ことができた。、再生を繰り返し1000回以上行った
が、ピットを読み取ることができ、再生光安定性に優れ
ていた。
【0246】また、4万ルクスのXe光を100時間当
てる耐光性試験を行った。試験後も、ピットを読み取る
ことができた。
てる耐光性試験を行った。試験後も、ピットを読み取る
ことができた。
【0247】更に湿度85%RH、80℃の雰囲気下で
放置する耐湿熱性試験を200時間行った。試験後もピ
ットを読み取ることができた。
放置する耐湿熱性試験を200時間行った。試験後もピ
ットを読み取ることができた。
【0248】実施例2 実施例1に従い作製した光記録媒体に、記録レーザーパ
ワーを6.5mWとした以外は実施例1と同様に記録と
再生を行った。実施例1と同様に良好にピットを形成
し、ピットを読み取ることができた。また、再生光安定
性に優れていた。
ワーを6.5mWとした以外は実施例1と同様に記録と
再生を行った。実施例1と同様に良好にピットを形成
し、ピットを読み取ることができた。また、再生光安定
性に優れていた。
【0249】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0250】実施例3 実施例1に従い作製した光記録媒体に、記録レーザーパ
ワーを7.5mWとした以外は実施例1と同様に記録と
再生を行った。良好にピットを形成し、ピットを読み取
ることができた。また、再生光安定性に優れていた。
ワーを7.5mWとした以外は実施例1と同様に記録と
再生を行った。良好にピットを形成し、ピットを読み取
ることができた。また、再生光安定性に優れていた。
【0251】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0252】実施例4 実施例1に従い作製した光記録媒体を評価するにあた
り、0.6mm厚に対応した波長660nm半導体レー
ザーヘッドを搭載した評価機を用いて、線速3.5m/
s、記録レーザーパワー8mWで最短ピット長0.40
μmになるように記録を行った。良好にピットを形成
し、記録できた。記録後、同評価装置を用いて再生を行
ったところ、ピットを読み取ることができた。また、再
生光安定性に優れていた。
り、0.6mm厚に対応した波長660nm半導体レー
ザーヘッドを搭載した評価機を用いて、線速3.5m/
s、記録レーザーパワー8mWで最短ピット長0.40
μmになるように記録を行った。良好にピットを形成
し、記録できた。記録後、同評価装置を用いて再生を行
ったところ、ピットを読み取ることができた。また、再
生光安定性に優れていた。
【0253】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0254】実施例5〜37 記録層に表−1に示した化合物(1−2)〜(1−3
4)を用いること以外は実施例1と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例1と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、ピットを読み取ることができた。
また、再生光安定性に優れていた。
4)を用いること以外は実施例1と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例1と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、ピットを読み取ることができた。
また、再生光安定性に優れていた。
【0255】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0256】実施例38〜70 記録層に表−1に示した化合物(1−2)〜(1−3
4)を用いること以外は実施例1と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例4と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、また、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。
4)を用いること以外は実施例1と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例4と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、また、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。
【0257】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0258】実施例71 記録層用に表−1に示した化合物(1−35)0.2g
をジメチルシクロヘキサン10mlに溶解し、色素溶液
を調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続し
た案内溝(トラックピッチ:0.74μm)を有する外
径120mmφ、厚さ0.6mmの円盤状のものを用い
た。この基板上に色素溶液を回転速度1500min-1
でスピンコートし、70℃で3時間乾燥して、記録層を
形成した。この記録層上にバルザース社製スパッタ装置
(CDI−900)を用いて銀をスパッタし、厚さ10
0nmの反射層を形成した。スパッタガスにはアルゴン
ガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー2.5
kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×10-2T
orr)で行った。
をジメチルシクロヘキサン10mlに溶解し、色素溶液
を調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続し
た案内溝(トラックピッチ:0.74μm)を有する外
径120mmφ、厚さ0.6mmの円盤状のものを用い
た。この基板上に色素溶液を回転速度1500min-1
でスピンコートし、70℃で3時間乾燥して、記録層を
形成した。この記録層上にバルザース社製スパッタ装置
(CDI−900)を用いて銀をスパッタし、厚さ10
0nmの反射層を形成した。スパッタガスにはアルゴン
ガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー2.5
kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×10-2T
orr)で行った。
【0259】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂SD−
17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5μmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射し
て基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5μmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射し
て基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【0260】次に、実施例1と同様に記録と再生を行っ
た。良好にピットを形成し、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。
た。良好にピットを形成し、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。
【0261】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0262】実施例72〜77 記録層に表−1に示した化合物(1−36)〜(1−4
1)を用いること以外は実施例71と同様にして光記録
媒体を作製し、実施例1と同様に記録と再生を行った。
その結果、良好にピットを形成し、ピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性に優れていた。
1)を用いること以外は実施例71と同様にして光記録
媒体を作製し、実施例1と同様に記録と再生を行った。
その結果、良好にピットを形成し、ピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性に優れていた。
【0263】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0264】実施例78〜83 記録層に表−1に示した化合物(1−36)〜(1−4
1)を用いること以外は実施例71と同様にして光記録
媒体を作製し、実施例4と同様に記録と再生を行った。
その結果、良好にピットを形成し、ピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性に優れていた。
1)を用いること以外は実施例71と同様にして光記録
媒体を作製し、実施例4と同様に記録と再生を行った。
その結果、良好にピットを形成し、ピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性に優れていた。
【0265】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0266】実施例84 記録層用に表−1に示した化合物(1−42)0.2g
を2,2,3−テトラフルオロプロパノール10mlに
溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリカーボネー
ト樹脂製で連続した案内溝(トラックピッチ:0.74
μm)を有する外径120mmφ、厚さ0.6mmの円
盤状のものを用いた。この基板上に色素溶液を回転速度
1500min-1でスピンコートし、70℃3時間乾燥
して、記録層を形成した。この記録層上にバルザース社
製スパッタ装置(CDI−900)を用いて銀をスパッ
タし、厚さ100nmの反射層を形成した。スパッタガ
スにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッ
タパワー2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa
(1.0×10-2Torr)で行った。
を2,2,3−テトラフルオロプロパノール10mlに
溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリカーボネー
ト樹脂製で連続した案内溝(トラックピッチ:0.74
μm)を有する外径120mmφ、厚さ0.6mmの円
盤状のものを用いた。この基板上に色素溶液を回転速度
1500min-1でスピンコートし、70℃3時間乾燥
して、記録層を形成した。この記録層上にバルザース社
製スパッタ装置(CDI−900)を用いて銀をスパッ
タし、厚さ100nmの反射層を形成した。スパッタガ
スにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッ
タパワー2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa
(1.0×10-2Torr)で行った。
【0267】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂SD−
17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5μmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射し
て基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5μmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射し
て基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【0268】次に、実施例1と同様に記録と再生を行っ
た。良好にピットを形成し、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。
た。良好にピットを形成し、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。
【0269】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0270】実施例85 実施例84に従い光記録媒体を作製し、実施例4と同様
に記録と再生を行った。良好にピットを形成し、ピット
を読み取ることができた。また、再生光安定性に優れて
いた。
に記録と再生を行った。良好にピットを形成し、ピット
を読み取ることができた。また、再生光安定性に優れて
いた。
【0271】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。
を読み取ることができた。
【0272】実施例86〜97 記録層に表−1に示した化合物(1−43)〜(1−5
4)を用いること以外は実施例1と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例1と同様に記録と再生を行った。優
れたピットを形成し、高C/N比でピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性は非常に優れていた。
耐光性試験および耐湿熱性試験後もピットを読み取るこ
とができた。
4)を用いること以外は実施例1と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例1と同様に記録と再生を行った。優
れたピットを形成し、高C/N比でピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性は非常に優れていた。
耐光性試験および耐湿熱性試験後もピットを読み取るこ
とができた。
【0273】実施例98〜107 記録層に表−1に示した化合物(1−55)〜(1−6
4)を用いること以外は実施例1と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例1と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、ピットを読み取ることができた。
また、再生光安定性に優れていた。耐光性試験および耐
湿熱性試験後もピットを読み取ることができた。
4)を用いること以外は実施例1と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例1と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、ピットを読み取ることができた。
また、再生光安定性に優れていた。耐光性試験および耐
湿熱性試験後もピットを読み取ることができた。
【0274】比較例1 化合物(1−42)の代わりに、式(a)
【0275】
【化20】
【0276】の化合物を用いた以外は、実施例84と同
様にして、光記録媒体を作製し、実施例1と同様に記録
と再生を行った。C/N比が20dB以下と低く再生が
困難であった。
様にして、光記録媒体を作製し、実施例1と同様に記録
と再生を行った。C/N比が20dB以下と低く再生が
困難であった。
【0277】実施例1〜107に記載されるように、本
発明の光記録媒体は、青色レーザー波長領域ならびに赤
色レーザー波長領域のいずれにおいても、記録再生が可
能であり、また、耐光性および耐湿熱性とも優れてい
る。
発明の光記録媒体は、青色レーザー波長領域ならびに赤
色レーザー波長領域のいずれにおいても、記録再生が可
能であり、また、耐光性および耐湿熱性とも優れてい
る。
【0278】このことから、本発明で規定する構造の化
合物を含有する記録層は、波長300〜500nmおよ
び/または500〜700nmから選択されるレーザー
光による信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は
波長300〜500nmおよび/または500〜700
nmから選択されるレーザー光を記録再生に用いる光記
録媒体に用いることができる。
合物を含有する記録層は、波長300〜500nmおよ
び/または500〜700nmから選択されるレーザー
光による信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は
波長300〜500nmおよび/または500〜700
nmから選択されるレーザー光を記録再生に用いる光記
録媒体に用いることができる。
【0279】
【発明の効果】本発明によれば、本発明のポルフィセン
化合物を記録層として用いることにより、高密度光記録
媒体として非常に注目されている波長300〜500n
mレーザー、特に波長400〜410nm青紫色レーザ
ーでの記録および再生、ならびに映画等2時間以上の動
画の録画用に用いられる波長500〜700nmでの記
録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供すること
が可能となる。
化合物を記録層として用いることにより、高密度光記録
媒体として非常に注目されている波長300〜500n
mレーザー、特に波長400〜410nm青紫色レーザ
ーでの記録および再生、ならびに映画等2時間以上の動
画の録画用に用いられる波長500〜700nmでの記
録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供すること
が可能となる。
【図1】本発明の光記録媒体の一構成例を示す模式図で
ある。
ある。
【図2】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式
図である。
図である。
【図3】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す
模式図である。
模式図である。
【図4】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式
図である。
図である。
【図5】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す
模式図である。
模式図である。
【図6】本発明の課題を説明する概念図である。
1 :基板 2 :記録層 3 :反射層 4 :保護層 5 :接着層 11 :基板 12 :記録層 13 :反射層 14 :保護層 15 :ダミー基板層 11’:支持基板 12’:記録層 13’:反射層 14’:透明保護層 15’:光透過層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 忍 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 塚原 宇 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 西本 泰三 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 小池 正士 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Fターム(参考) 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FB45 4C050 PA20 5D029 JA04
Claims (12)
- 【請求項1】 金属錯体化していてもよいポルフィセン
化合物より、少なくとも1種以上の化合物を選択して記
録層に含有してなる光記録媒体。 - 【請求項2】 基板上に記録層として有機色素層を有す
る光記録媒体において、該有機色素層中に、上記化合物
より少なくとも1種以上の化合物を選択して含有する請
求項1の光記録媒体。 - 【請求項3】 ポルフィセン化合物が一般式(1)で表
される請求項1または2の光記録媒体。 【化1】 〔式中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、X1、X2、X3、
X4、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
ン基を表し、Mは2個の水素原子、置換基または配位子
を有していてもよい2〜4価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子を表す。〕 - 【請求項4】 ポルフィセン化合物が一般式(2)で表
される請求項3の光記録媒体。 【化2】 〔式中、R1〜R12はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
ノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置換または無置
換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシ
ル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
ノ基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
キシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置
換アミノカルボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロ
アリールオキシ基を表し、R1〜R12の各置換基は隣接
する置換基と連結基を介して、それぞれ併せて環を形成
してもよく、M1は2個の水素原子、置換基または配位
子を有していてもよい2〜4価の金属原子または半金属
原子、オキシ金属原子を表す。〕 - 【請求項5】 ポルフィセン化合物が一般式(3)で表
される請求項4の光記録媒体。 【化3】 〔式中、R13〜R24はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
ノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置換または無置
換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシ
ル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
ノ基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
キシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置
換アミノカルボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロ
アリールオキシ基を表し、R13〜R24の各置換基は隣接
する置換基と連結基を介して、それぞれ併せて環を形成
してもよく、M2はアルキル基、アリール基、ヘテロア
リールオキシ基から選択される置換基、および/または
一酸化炭素、アルコールから選択される配位子を有する
2〜4価の金属原子を表す。〕 - 【請求項6】 波長300nm〜500nmおよび/ま
たは500nm〜700nmの範囲から選択されるレー
ザー光に対して記録および再生が可能である請求項1乃
至5のいずれか1項に記載の光記録媒体。 - 【請求項7】 波長400nm〜500nmおよび/ま
たは600nm〜700nmの範囲から選択されるレー
ザー光に対して記録および再生が可能である請求項6に
記載の光記録媒体。 - 【請求項8】 波長400nm〜410nmおよび/ま
たは635nm〜660nmの範囲から選択されるレー
ザー光に対して記録および再生が可能である請求項7に
記載の光記録媒体。 - 【請求項9】 一般式(1)で表されるポルフィセン化
合物。 【化4】 〔式中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、X1、X2、X3、
X4、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
ン基を表し、Mは2個の水素原子、置換基または配位子
を有していてもよい2〜4価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子を表す。〕 - 【請求項10】 一般式(2)で表される請求項9の化
合物。 【化5】 〔式中、R1〜R12はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
ノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置換または無置
換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシ
ル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
ノ基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
キシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置
換アミノカルボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロ
アリールオキシ基を表し、R1〜R12の各置換基は隣接
する置換基と連結基を介して、それぞれ併せて環を形成
してもよく、M1は2個の水素原子、置換基または配位
子を有していてもよい2〜4価の金属原子または半金属
原子、オキシ金属原子を表す。〕 - 【請求項11】 一般式(3)で表される請求項10の
化合物。 【化6】 〔式中、R13〜R24はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
ノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置換または無置
換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシ
ル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
ノ基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
キシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置
換アミノカルボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロ
アリールオキシ基を表し、R13〜R24の各置換基は隣接
する置換基と連結基を介して、それぞれ併せて環を形成
してもよく、M2はアルキル基、アリール基、ヘテロア
リールオキシ基から選択される置換基、および/または
一酸化炭素、アルコールから選択される配位子を有する
2〜4価の金属原子を表す。〕 - 【請求項12】 M2が、アリール基を有する金属原子
である、請求項11の化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001242254A JP2002137547A (ja) | 2000-08-10 | 2001-08-09 | 光記録媒体およびポルフィセン化合物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000242608 | 2000-08-10 | ||
JP2000-242608 | 2000-08-10 | ||
JP2001242254A JP2002137547A (ja) | 2000-08-10 | 2001-08-09 | 光記録媒体およびポルフィセン化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002137547A true JP2002137547A (ja) | 2002-05-14 |
Family
ID=26597722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001242254A Pending JP2002137547A (ja) | 2000-08-10 | 2001-08-09 | 光記録媒体およびポルフィセン化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002137547A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105206A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsui Chemicals Inc | 光吸収剤およびその用途 |
WO2008111501A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ポルフィセン-シリカハイブリッド化合物 |
KR100910897B1 (ko) * | 2004-09-30 | 2009-08-05 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 광정보 기록매체 및 그 기록방법 |
JP2010077054A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Ehime Univ | ポルフィセン及びその製造方法、フィルム、半導体材料、蛍光色素並びに太陽電池 |
-
2001
- 2001-08-09 JP JP2001242254A patent/JP2002137547A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105206A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsui Chemicals Inc | 光吸収剤およびその用途 |
KR100910897B1 (ko) * | 2004-09-30 | 2009-08-05 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 광정보 기록매체 및 그 기록방법 |
US7887993B2 (en) | 2004-09-30 | 2011-02-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method thereof |
WO2008111501A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ポルフィセン-シリカハイブリッド化合物 |
JP5381702B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2014-01-08 | 日産化学工業株式会社 | ポルフィセン−シリカハイブリッド化合物 |
JP2010077054A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Ehime Univ | ポルフィセン及びその製造方法、フィルム、半導体材料、蛍光色素並びに太陽電池 |
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