JP2001287460A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2001287460A JP2001287460A JP2000106501A JP2000106501A JP2001287460A JP 2001287460 A JP2001287460 A JP 2001287460A JP 2000106501 A JP2000106501 A JP 2000106501A JP 2000106501 A JP2000106501 A JP 2000106501A JP 2001287460 A JP2001287460 A JP 2001287460A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長300〜500nmおよび/または50
0〜700nmのレーザーで良好な記録および再生が可
能な追記型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に記録層として有機色素層を有す
る光記録媒体において、該有機色素層中に、下記一般式
(1)で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化1】 〔式中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、X、Yはそれぞれ独
立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、Mは2
価の金属原子を表し、W1、W2はそれぞれ独立に、金属
原子Mに配位した置換基を有していてもよい含窒素芳香
族化合物を表す。〕
0〜700nmのレーザーで良好な記録および再生が可
能な追記型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に記録層として有機色素層を有す
る光記録媒体において、該有機色素層中に、下記一般式
(1)で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化1】 〔式中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、X、Yはそれぞれ独
立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、Mは2
価の金属原子を表し、W1、W2はそれぞれ独立に、金属
原子Mに配位した置換基を有していてもよい含窒素芳香
族化合物を表す。〕
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に青色および/または赤色レーザー光
により情報を記録・再生可能な追記型光記録媒体に関す
る。
るものであり、特に青色および/または赤色レーザー光
により情報を記録・再生可能な追記型光記録媒体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】コンパクトディスク(以下、CDと略
す)規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R
(CD−Recordable)が提案・開発されてい
ることは公知であり、音楽再生用や情報端末用として広
く普及している。
す)規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R
(CD−Recordable)が提案・開発されてい
ることは公知であり、音楽再生用や情報端末用として広
く普及している。
【0003】この光記録媒体の記録・再生には一般に7
70nm〜830nmの近赤外半導体レーザーを用いて
おり、基板上の有機色素等からなる記録層に、ヒートモ
ードで信号記録が行われる。すなわち、記録層にレーザ
ー光が照射されると、有機色素は光吸収により熱を発生
し、この発生した熱により記録層にピットが形成され
る。そして、記録信号は、レーザー光を照射したとき
の、当該ピットが形成された部分とされていない部分と
の反射率の違いによって検知される。
70nm〜830nmの近赤外半導体レーザーを用いて
おり、基板上の有機色素等からなる記録層に、ヒートモ
ードで信号記録が行われる。すなわち、記録層にレーザ
ー光が照射されると、有機色素は光吸収により熱を発生
し、この発生した熱により記録層にピットが形成され
る。そして、記録信号は、レーザー光を照射したとき
の、当該ピットが形成された部分とされていない部分と
の反射率の違いによって検知される。
【0004】そして、レッドブックやオレンジブック等
のCDの規格に準拠しているため、CDプレーヤーやC
D−ROMプレーヤーと互換性を有するという特徴を有
する。しかし上記の既存媒体の記録容量は680MB程
度であり、動画の記録を考慮すると容量が十分でなく、
情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密
度化・大容量化の要求が高まっている。
のCDの規格に準拠しているため、CDプレーヤーやC
D−ROMプレーヤーと互換性を有するという特徴を有
する。しかし上記の既存媒体の記録容量は680MB程
度であり、動画の記録を考慮すると容量が十分でなく、
情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密
度化・大容量化の要求が高まっている。
【0005】記録媒体の高密度化を行う手段としては、
記録・再生に用いるレーザー波長の短波長化及び対物レ
ンズの開口数(N.A.:Numerical Aperture)を大き
くすることにより、ビームスポットを小さくすることが
挙げられる。そして、光ディスクシステムに利用される
波長680nm、660nm、650nm、635nm
等の短波長レーザーが実用化されてきた。こうして半導
体レーザーの短波長化、対物レンズの開口数大化、デー
タ圧縮技術等により、動画を長時間記録できる大容量の
光記録媒体の作成が可能となり、そこで上記レーザーに
対応した追記型光記録媒体として開発されたのが、2時
間以上の動画を記録可能な追記型のデジタルビデオディ
スク(以下、DVD−Rと略す)である。DVD−R
は、3.9GBあるいは4.7GBの記録容量を有する
一度書き込み可能な光記録媒体であり、この容量に合っ
た記録特性良好な光ディスクの開発が更に要望されてい
る。その際に用いられている赤色レーザーの波長は、5
50nm〜700nm、好ましくは635nm〜660
nm前後であり、この状況の中で提案されている光記録
媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カル
コゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等が
ある。これらの中で、安価かつプロセス上容易であると
いう点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有すると考
えられる。
記録・再生に用いるレーザー波長の短波長化及び対物レ
ンズの開口数(N.A.:Numerical Aperture)を大き
くすることにより、ビームスポットを小さくすることが
挙げられる。そして、光ディスクシステムに利用される
波長680nm、660nm、650nm、635nm
等の短波長レーザーが実用化されてきた。こうして半導
体レーザーの短波長化、対物レンズの開口数大化、デー
タ圧縮技術等により、動画を長時間記録できる大容量の
光記録媒体の作成が可能となり、そこで上記レーザーに
対応した追記型光記録媒体として開発されたのが、2時
間以上の動画を記録可能な追記型のデジタルビデオディ
スク(以下、DVD−Rと略す)である。DVD−R
は、3.9GBあるいは4.7GBの記録容量を有する
一度書き込み可能な光記録媒体であり、この容量に合っ
た記録特性良好な光ディスクの開発が更に要望されてい
る。その際に用いられている赤色レーザーの波長は、5
50nm〜700nm、好ましくは635nm〜660
nm前後であり、この状況の中で提案されている光記録
媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カル
コゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等が
ある。これらの中で、安価かつプロセス上容易であると
いう点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有すると考
えられる。
【0006】さらに、将来的にはより高密度な記録が求
められることが予想され、その情報量は15〜30GB
と要望されている。その記録密度を実現する為の手段と
して、より波長の短いレーザーを使用することは避けら
れない。従って、将来の有機色素系光記録媒体に用いる
記録用色素としては、300nm〜500nmの波長範
囲において良好な記録特性を有する色素が望まれる。
められることが予想され、その情報量は15〜30GB
と要望されている。その記録密度を実現する為の手段と
して、より波長の短いレーザーを使用することは避けら
れない。従って、将来の有機色素系光記録媒体に用いる
記録用色素としては、300nm〜500nmの波長範
囲において良好な記録特性を有する色素が望まれる。
【0007】その一方で、ここ近年、青色レーザーとし
てGaN系材料を用いた410nmのレーザーや、半導
体レーザーと光導波路素子の組合せによる波長425n
mのSHGレーザーが開発されてきており〔例えば、日
経エレクトロニクス No.708、p.117、19
98年1月26日号〕、このようなレーザーに合わせた
青色半導体レーザー対応色素の開発が、現在展開されて
いる。
てGaN系材料を用いた410nmのレーザーや、半導
体レーザーと光導波路素子の組合せによる波長425n
mのSHGレーザーが開発されてきており〔例えば、日
経エレクトロニクス No.708、p.117、19
98年1月26日号〕、このようなレーザーに合わせた
青色半導体レーザー対応色素の開発が、現在展開されて
いる。
【0008】現在まで、400nm〜500nmの青色
レーザーで記録できる色素として、例えば、特開平4−
74690号公報および特開平6−40161号公報記
載のシアニン系色素化合物や、特開平7−304256
号公報および特開平8−127174号公報に記載のポ
ルフィリン系色素化合物の他、特開平4−78576号
公報および特開平4−89279号公報記載のポリエン
系色素化合物等が挙げられる。
レーザーで記録できる色素として、例えば、特開平4−
74690号公報および特開平6−40161号公報記
載のシアニン系色素化合物や、特開平7−304256
号公報および特開平8−127174号公報に記載のポ
ルフィリン系色素化合物の他、特開平4−78576号
公報および特開平4−89279号公報記載のポリエン
系色素化合物等が挙げられる。
【0009】また、記録層形成用の有機色素としてポル
フィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層お
よび銀を主体とする金属反射層の2層が構成された特開
平11−53758号公報に記載の光記録媒体や、媒体
構成に工夫したものとして、青色レーザーに感応するシ
アニン系色素を含有した青色レーザー感応色素層ならび
に赤色レーザー感応色素層を有することで、2波長領域
の記録を可能とする特開平11−203729号公報記
載の光記録媒体や、青色レーザー用色素および赤色レー
ザー用色素の2種の色素を混合することで2波長領域の
記録を可能とするインジゴイド系色素化合物を用いた特
開平11−78239号公報記載の光記録媒体、シアノ
エテン系色素を用いた特開平11−105423号公報
記載の光記録媒体、スクアリリウム系色素化合物を用い
た特開平11−110815号公報記載の光記録媒体な
どが提案されている。
フィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層お
よび銀を主体とする金属反射層の2層が構成された特開
平11−53758号公報に記載の光記録媒体や、媒体
構成に工夫したものとして、青色レーザーに感応するシ
アニン系色素を含有した青色レーザー感応色素層ならび
に赤色レーザー感応色素層を有することで、2波長領域
の記録を可能とする特開平11−203729号公報記
載の光記録媒体や、青色レーザー用色素および赤色レー
ザー用色素の2種の色素を混合することで2波長領域の
記録を可能とするインジゴイド系色素化合物を用いた特
開平11−78239号公報記載の光記録媒体、シアノ
エテン系色素を用いた特開平11−105423号公報
記載の光記録媒体、スクアリリウム系色素化合物を用い
た特開平11−110815号公報記載の光記録媒体な
どが提案されている。
【0010】更には、両方の波長領域レーザーに対して
記録可能な光記録媒体として、特開平11−10195
3号公報、特開平11−144312号公報に記載のテ
トラアザポルフィリン系色素化合物を用いた光記録媒体
等がある。
記録可能な光記録媒体として、特開平11−10195
3号公報、特開平11−144312号公報に記載のテ
トラアザポルフィリン系色素化合物を用いた光記録媒体
等がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】最近の状況として、波
長400nm〜410nmの青紫色半導体レーザーの実
用化に目処がついたことで、該レーザーを用いた大容量
追記型光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良
好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれている。
長400nm〜410nmの青紫色半導体レーザーの実
用化に目処がついたことで、該レーザーを用いた大容量
追記型光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良
好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれている。
【0012】しかしながら、前述の青色半導体レーザー
用光記録媒体では波長400nm〜410nmのレーザ
ー光に対して十分に適応していないのが実情である。す
なわち、前述の有機色素を使用した媒体では、記録した
信号の再生について、信号と雑音の比(C/N)が必ず
しも良好な値でないために、信号の読み出しが必ずしも
満足に行えないなどの問題を我々は見い出した。この問
題を克服し、波長400nm〜410nmのレーザー光
で高密度記録・再生可能な光記録媒体の開発が急務とな
っていた。さらに、デジタル動画像の記録再生用媒体と
して要望の強い4.7GB容量DVD−Rに対応する場
合には、該媒体の記録層中に、レーザー波長635nm
〜660nmに感応する有機色素を有することが必須で
ある。そのためには上述の青色レーザー波長専用の記録
用色素のみでは目的を達しえない。
用光記録媒体では波長400nm〜410nmのレーザ
ー光に対して十分に適応していないのが実情である。す
なわち、前述の有機色素を使用した媒体では、記録した
信号の再生について、信号と雑音の比(C/N)が必ず
しも良好な値でないために、信号の読み出しが必ずしも
満足に行えないなどの問題を我々は見い出した。この問
題を克服し、波長400nm〜410nmのレーザー光
で高密度記録・再生可能な光記録媒体の開発が急務とな
っていた。さらに、デジタル動画像の記録再生用媒体と
して要望の強い4.7GB容量DVD−Rに対応する場
合には、該媒体の記録層中に、レーザー波長635nm
〜660nmに感応する有機色素を有することが必須で
ある。そのためには上述の青色レーザー波長専用の記録
用色素のみでは目的を達しえない。
【0013】さらには、青色レーザー波長領域ならびに
赤色レーザー波長領域の2波長領域での記録・再生が可
能な特開平11−203729号公報記載の光記録媒体
は記録層を多層とすること、特開平11−78239号
公報、特開平11−105423号公報、特開平11−
110815号公報記載の光記録媒体は、記録用色素を
必ず2種以上用いなければならないなど媒体作製が煩雑
であり、記録特性も未だ改善の余地がある。また、特開
平11−101953号公報および特開平11−144
312号公報に記載の光記録媒体は、400nm〜41
0nmおよび635nm〜660nmの双方の波長範囲
から選択される各々のレーザー光での記録再生について
は未だ最適化には至っていないのが現状である。
赤色レーザー波長領域の2波長領域での記録・再生が可
能な特開平11−203729号公報記載の光記録媒体
は記録層を多層とすること、特開平11−78239号
公報、特開平11−105423号公報、特開平11−
110815号公報記載の光記録媒体は、記録用色素を
必ず2種以上用いなければならないなど媒体作製が煩雑
であり、記録特性も未だ改善の余地がある。また、特開
平11−101953号公報および特開平11−144
312号公報に記載の光記録媒体は、400nm〜41
0nmおよび635nm〜660nmの双方の波長範囲
から選択される各々のレーザー光での記録再生について
は未だ最適化には至っていないのが現状である。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に記録層として
有機色素層を有する光記録媒体において、該有機色素
層中に下記一般式(1)で示される化合物を少なくとも
1種含有する光記録媒体、および波長300nm〜5
00nmおよび/または500nm〜700nm、更に
は波長400nm〜500nmおよび/または600n
m〜700nm、殊に波長400nm〜410nmおよ
び/または635nm〜670nmの範囲から選択され
るレーザー光により記録および再生が可能である前記
の光記録媒体に関するものである。
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に記録層として
有機色素層を有する光記録媒体において、該有機色素
層中に下記一般式(1)で示される化合物を少なくとも
1種含有する光記録媒体、および波長300nm〜5
00nmおよび/または500nm〜700nm、更に
は波長400nm〜500nmおよび/または600n
m〜700nm、殊に波長400nm〜410nmおよ
び/または635nm〜670nmの範囲から選択され
るレーザー光により記録および再生が可能である前記
の光記録媒体に関するものである。
【0015】
【化3】
【0016】〔式中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立
に置換基を有していてもよいピロール環を表し、X、Y
はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基を
表し、Mは2価の金属原子を表し、W1、W2はそれぞれ
独立に、金属原子Mに配位した置換基を有していてもよ
い含窒素芳香族化合物を表す。〕
に置換基を有していてもよいピロール環を表し、X、Y
はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基を
表し、Mは2価の金属原子を表し、W1、W2はそれぞれ
独立に、金属原子Mに配位した置換基を有していてもよ
い含窒素芳香族化合物を表す。〕
【0017】
【発明の実施の形態】本発明は、光記録媒体の記録層中
に前記一般式(1)で表される化合物を含有することを
特徴とする光記録媒体に関し、特に波長300nm〜5
00nmおよび/または500nm〜700nm、更に
は波長400nm〜500nmおよび/または600n
m〜700nm、殊に波長400nm〜410nmおよ
び/または635nm〜670nmの範囲から選択され
るレーザー光により記録および再生が可能である新規な
光記録媒体に関するものである。
に前記一般式(1)で表される化合物を含有することを
特徴とする光記録媒体に関し、特に波長300nm〜5
00nmおよび/または500nm〜700nm、更に
は波長400nm〜500nmおよび/または600n
m〜700nm、殊に波長400nm〜410nmおよ
び/または635nm〜670nmの範囲から選択され
るレーザー光により記録および再生が可能である新規な
光記録媒体に関するものである。
【0018】本発明に係る光記録媒体とは、情報を記録
して再生することのできる光記録媒体を示すものであ
る。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層
を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。
して再生することのできる光記録媒体を示すものであ
る。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層
を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。
【0019】本発明の光記録媒体は、例えば、図1に示
すような基板1、記録層2、反射層3、及び保護層4が
順次積層している4層構造を有しているか、図2に示す
ような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板1上に
記録層2が形成されており、その上に密着して反射層3
が設けられており、さらにその上に接着層5を介して保
護層4が貼り合わされている。但し、記録層2の下また
は上に別の層があっても良く、反射層の上に別の層があ
っても構わない。また、図3に示すように基板1、反射
層3、記録層2、保護層4の順に積層し、保護層側から
記録再生する構造であっても良い。また、特開平10−
326435号公報記載のように光透過層の厚みが、光
学系のN.A.及びレーザー波長λにより規定された媒
体構造であっても構わない。また、本発明の式(1)の
化合物については、必要に応じて特開平11−2037
29号公報記載のように記録層を2種以上有する光記録
媒体に使用することもできる。
すような基板1、記録層2、反射層3、及び保護層4が
順次積層している4層構造を有しているか、図2に示す
ような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板1上に
記録層2が形成されており、その上に密着して反射層3
が設けられており、さらにその上に接着層5を介して保
護層4が貼り合わされている。但し、記録層2の下また
は上に別の層があっても良く、反射層の上に別の層があ
っても構わない。また、図3に示すように基板1、反射
層3、記録層2、保護層4の順に積層し、保護層側から
記録再生する構造であっても良い。また、特開平10−
326435号公報記載のように光透過層の厚みが、光
学系のN.A.及びレーザー波長λにより規定された媒
体構造であっても構わない。また、本発明の式(1)の
化合物については、必要に応じて特開平11−2037
29号公報記載のように記録層を2種以上有する光記録
媒体に使用することもできる。
【0020】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形してもよい。必要に応じて、基板表面に案内溝やピ
ットを形成することもある。このような案内溝やピット
は、基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の
上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形してもよい。必要に応じて、基板表面に案内溝やピ
ットを形成することもある。このような案内溝やピット
は、基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の
上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。
【0021】通常、光ディスクとして用いる場合は、厚
さ1.2mm程度、直径80ないし120mm程度の円
盤状であってもよく、中央に直径15mm程度の穴が開
いていても構わない。
さ1.2mm程度、直径80ないし120mm程度の円
盤状であってもよく、中央に直径15mm程度の穴が開
いていても構わない。
【0022】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式(1)で示される化合
物を少なくとも1種含有するものである。そして波長3
00nm〜500nmおよび/または500nm〜70
0nmから選択される記録レーザー波長および再生レー
ザー波長に対して記録・再生が可能である。中でも、波
長400nm〜500nmおよび/または600nm〜
700nm、更には波長400nm〜410nmおよび
/または635nm〜670nmの範囲から選択される
記録レーザー波長および再生レーザー波長に対して良好
なC/N比を得ることができ、また、再生光安定性も良
く、高品位な信号特性が得られる光記録媒体である。
るが、本発明の記録層は、一般式(1)で示される化合
物を少なくとも1種含有するものである。そして波長3
00nm〜500nmおよび/または500nm〜70
0nmから選択される記録レーザー波長および再生レー
ザー波長に対して記録・再生が可能である。中でも、波
長400nm〜500nmおよび/または600nm〜
700nm、更には波長400nm〜410nmおよび
/または635nm〜670nmの範囲から選択される
記録レーザー波長および再生レーザー波長に対して良好
なC/N比を得ることができ、また、再生光安定性も良
く、高品位な信号特性が得られる光記録媒体である。
【0023】本発明記載の一般式(1)で表される化合
物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸
収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長
において、記録層に必要な光学定数を満足することがで
き、さらに中心金属に配位した含窒素芳香族化合物の立
体障害により分子間の会合が抑制され、有機溶剤に対す
る溶解性に優れた極めて有用な有機色素である。
物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸
収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長
において、記録層に必要な光学定数を満足することがで
き、さらに中心金属に配位した含窒素芳香族化合物の立
体障害により分子間の会合が抑制され、有機溶剤に対す
る溶解性に優れた極めて有用な有機色素である。
【0024】以下、本発明について、さらに詳細を述べ
る。
る。
【0025】本発明記載の一般式(1)で表される化合
物について、環A、B、C、Dで示される置換基を有し
ていてもよいピロール環について、具体的な置換基の例
としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン酸基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラル
キルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
ノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル
オキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
ルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニ
ル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基また
はヘテロアリール基等が挙げられる。また、ピロール環
上の上の各置換基は連結して環を形成してもよく、具体
的には脂肪族縮合環、芳香族縮合環等が挙げられる。
物について、環A、B、C、Dで示される置換基を有し
ていてもよいピロール環について、具体的な置換基の例
としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン酸基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラル
キルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
ノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル
オキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
ルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニ
ル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基また
はヘテロアリール基等が挙げられる。また、ピロール環
上の上の各置換基は連結して環を形成してもよく、具体
的には脂肪族縮合環、芳香族縮合環等が挙げられる。
【0026】また、ジアザポルフィリン骨格のメソ位に
位置するX、Yで示される置換基を有していてもよいメ
チン基の具体的な置換基の例としては、それぞれ式
(3)ならびに式(4)
位置するX、Yで示される置換基を有していてもよいメ
チン基の具体的な置換基の例としては、それぞれ式
(3)ならびに式(4)
【0027】
【化4】
【0028】〔式中、Q1、Q2は水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、置換または無置換のアルキル基、アリー
ル基を示す。〕で示される置換してもよいメチン基等が
挙げられる。Q1およびQ2の具体的な置換基の例として
は、ハロゲン原子、アルキル基、置換または無置換のア
ルキル基、アリール基等が挙げられる。
子、シアノ基、置換または無置換のアルキル基、アリー
ル基を示す。〕で示される置換してもよいメチン基等が
挙げられる。Q1およびQ2の具体的な置換基の例として
は、ハロゲン原子、アルキル基、置換または無置換のア
ルキル基、アリール基等が挙げられる。
【0029】また、W1、W2で表される置換基を有して
いてもよい含窒素芳香族化合物としては、置換または無
置換の5員環含窒素芳香族化合物、6員環含窒素芳香族
化合物、縮環含窒素芳香族化合物等が挙げられる。
いてもよい含窒素芳香族化合物としては、置換または無
置換の5員環含窒素芳香族化合物、6員環含窒素芳香族
化合物、縮環含窒素芳香族化合物等が挙げられる。
【0030】さらに、Mで表される2価の金属原子とし
ては、Cu、Zn、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、P
d、Pt、Mn、Sn、Mg、Pb、Hg、Cd、B
a、Ti、Be、Ca等が挙げられる。
ては、Cu、Zn、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、P
d、Pt、Mn、Sn、Mg、Pb、Hg、Cd、B
a、Ti、Be、Ca等が挙げられる。
【0031】本発明においては、一般式(1)で示され
る化合物としては、下記一般式(2)で例示される化合
物が好ましい例として挙げられる。
る化合物としては、下記一般式(2)で例示される化合
物が好ましい例として挙げられる。
【0032】
【化5】
【0033】〔式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、
R7、R8はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カル
ボキシル基、スルホン酸基、置換または無置換のアルキ
ル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アル
コキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ
基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミ
ノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニ
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置
換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ア
シルオキシ基またはヘテロアリール基を表し、R1と
R2、R3とR4、R5とR6、R7とR8は連結基を介し
て、それぞれ併せて脂肪族または芳香族縮合環を形成し
てもよく、R9、R10はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、置換または無置換のアルキル
基、アリール基を示し、Mは2価の金属原子を表し、Z
1、Z2、はそれぞれ独立に、金属原子Mに配位した置換
または無置換の5員環含窒素芳香族化合物、6員環含窒
素芳香族化合物または縮環含窒素芳香族化合物を表
す。〕
R7、R8はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カル
ボキシル基、スルホン酸基、置換または無置換のアルキ
ル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アル
コキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ
基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミ
ノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニ
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置
換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ア
シルオキシ基またはヘテロアリール基を表し、R1と
R2、R3とR4、R5とR6、R7とR8は連結基を介し
て、それぞれ併せて脂肪族または芳香族縮合環を形成し
てもよく、R9、R10はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、置換または無置換のアルキル
基、アリール基を示し、Mは2価の金属原子を表し、Z
1、Z2、はそれぞれ独立に、金属原子Mに配位した置換
または無置換の5員環含窒素芳香族化合物、6員環含窒
素芳香族化合物または縮環含窒素芳香族化合物を表
す。〕
【0034】本発明の一般式(2)で表される化合物に
おいて、R1〜R8の具体例としては、水素原子;フッ素
原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン
原子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;アミノ
基;カルボキシル基;スルホン酸基等が挙げられる。
おいて、R1〜R8の具体例としては、水素原子;フッ素
原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン
原子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;アミノ
基;カルボキシル基;スルホン酸基等が挙げられる。
【0035】R1〜R8の置換または無置換の直鎖、分岐
または環状のアルキル基としては、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル
基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル
基、n−ペンチル基、iso−ペンチル基、2−メチル
ブチル基、1−メチルブチル基、ネオペンチル基、1,
2−ジメチルプロピル基、1,1−ジメチルプロピル
基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、4−メチルペ
ンチル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペンチル
基、1−メチルペンチル基、3,3−ジメチルブチル
基、2,3−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチ
ル基、2,2−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブ
チル基、1,1−ジメチルブチル基、3−エチルブチル
基、2−エチルブチル基、1−エチルブチル基、1,
2,2−トリメチルブチル基、1,1,2−トリメチル
ブチル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、シクロ
ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、
3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メ
チルヘキシル基、2,4−ジメチルペンチル基、n−オ
クチル基、2−エチルヘキシル基、2,5−ジメチルヘ
キシル基、2,5,5−トリメチルペンチル基、2,4
−ジメチルヘキシル基、2,2,4−トリメチルペンチ
ル基、3,5,5−トリメチルヘキシル基、n−ノニル
基、n−デシル基、4−エチルオクチル基、4−エチル
−4,5−メチルヘキシル基、n−ウンデシル基、n−
ドデシル基、1,3,5,7−テトラエチルオクチル
基、4−ブチルオクチル基、6,6−ジエチルオクチル
基、n−トリデシル基、6−メチル−4−ブチルオクチ
ル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、3,
5−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチルヘプチル
基、2,4−ジメチルヘプチル基、2,2,5,5−テ
トラメチルヘキシル基、1−シクロペンチル−2,2−
ジメチルプロピル基、1−シクロヘキシル−2,2−ジ
メチルプロピル基などの炭素数1〜15の無置換アルキ
ル基;
または環状のアルキル基としては、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル
基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル
基、n−ペンチル基、iso−ペンチル基、2−メチル
ブチル基、1−メチルブチル基、ネオペンチル基、1,
2−ジメチルプロピル基、1,1−ジメチルプロピル
基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、4−メチルペ
ンチル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペンチル
基、1−メチルペンチル基、3,3−ジメチルブチル
基、2,3−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチ
ル基、2,2−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブ
チル基、1,1−ジメチルブチル基、3−エチルブチル
基、2−エチルブチル基、1−エチルブチル基、1,
2,2−トリメチルブチル基、1,1,2−トリメチル
ブチル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、シクロ
ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、
3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メ
チルヘキシル基、2,4−ジメチルペンチル基、n−オ
クチル基、2−エチルヘキシル基、2,5−ジメチルヘ
キシル基、2,5,5−トリメチルペンチル基、2,4
−ジメチルヘキシル基、2,2,4−トリメチルペンチ
ル基、3,5,5−トリメチルヘキシル基、n−ノニル
基、n−デシル基、4−エチルオクチル基、4−エチル
−4,5−メチルヘキシル基、n−ウンデシル基、n−
ドデシル基、1,3,5,7−テトラエチルオクチル
基、4−ブチルオクチル基、6,6−ジエチルオクチル
基、n−トリデシル基、6−メチル−4−ブチルオクチ
ル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、3,
5−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチルヘプチル
基、2,4−ジメチルヘプチル基、2,2,5,5−テ
トラメチルヘキシル基、1−シクロペンチル−2,2−
ジメチルプロピル基、1−シクロヘキシル−2,2−ジ
メチルプロピル基などの炭素数1〜15の無置換アルキ
ル基;
【0036】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、2,2,
2−トリクロロエチル基、1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数1〜10のアルキル基;
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、2,2,
2−トリクロロエチル基、1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数1〜10のアルキル基;
【0037】ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチ
ル基、4−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシ−3−
メトキシプロピル基、2−ヒドロキシ−3−クロロプロ
ピル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシプロピル基、3
−ブトキシ−2−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキ
シ−3−シクロヘキシルオキシプロピル基、2−ヒドロ
キシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロ
キシデカリル基などのヒドロキシ基で置換した炭素数1
〜10のアルキル基;
ル基、4−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシ−3−
メトキシプロピル基、2−ヒドロキシ−3−クロロプロ
ピル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシプロピル基、3
−ブトキシ−2−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキ
シ−3−シクロヘキシルオキシプロピル基、2−ヒドロ
キシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロ
キシデカリル基などのヒドロキシ基で置換した炭素数1
〜10のアルキル基;
【0038】ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシ
エトキシエチル基、2−(2’−ヒドロキシ−1’−メ
チルエトキシ)−1−メチルエチル基、2−(3’−フ
ルオロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル基、2−
(3’−クロロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル
基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロ
キシアルコキシ基で置換した炭素数2〜10のアルキル
基;
エトキシエチル基、2−(2’−ヒドロキシ−1’−メ
チルエトキシ)−1−メチルエチル基、2−(3’−フ
ルオロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル基、2−
(3’−クロロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル
基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロ
キシアルコキシ基で置換した炭素数2〜10のアルキル
基;
【0039】ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒ
ドロキシエトキシエトキシエチル基、[2’−(2’−
ヒドロキシ−1’−メチルエトキシ)−1’−メチルエ
トキシ]エトキシエチル基、[2’−(2’−フルオロ
−1’−ヒドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキ
シ]エトキシエチル基、[2’−(2’−クロロ−1’
−ヒドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキシ]エト
キシエチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基
で置換した炭素数3〜10のアルキル基;
ドロキシエトキシエトキシエチル基、[2’−(2’−
ヒドロキシ−1’−メチルエトキシ)−1’−メチルエ
トキシ]エトキシエチル基、[2’−(2’−フルオロ
−1’−ヒドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキ
シ]エトキシエチル基、[2’−(2’−クロロ−1’
−ヒドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキシ]エト
キシエチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基
で置換した炭素数3〜10のアルキル基;
【0040】シアノメチル基、2−シアノエチル基、4
−シアノブチル基、2−シアノ−3−メトキシプロピル
基、2−シアノ−3−クロロプロピル基、2−シアノ−
3−エトキシプロピル基、3−ブトキシ−2−シアノプ
ロピル基、2−シアノ−3−シクロヘキシルプロピル
基、2−シアノプロピル基、2−シアノブチル基などの
シアノ基で置換した炭素数2〜10のアルキル基;
−シアノブチル基、2−シアノ−3−メトキシプロピル
基、2−シアノ−3−クロロプロピル基、2−シアノ−
3−エトキシプロピル基、3−ブトキシ−2−シアノプ
ロピル基、2−シアノ−3−シクロヘキシルプロピル
基、2−シアノプロピル基、2−シアノブチル基などの
シアノ基で置換した炭素数2〜10のアルキル基;
【0041】メトキシメチル基、エトキシメチル基、プ
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、n−ヘキシルオキシエチル基、(4−メチル
ペントキシ)エチル基、(1,3−ジメチルブトキシ)
エチル基、(2−エチルヘキシルオキシ)エチル基、n
−オクチルオキシエチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキシルオキシ)エチル基、(2−メチル−1−iso
−プロピルプロポキシ)エチル基、(3−メチル−1−
iso−プロピルブチルオキシ)エチル基、2−エトキ
シ−1−メチルエチル基、3−メトキシブチル基、
(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)エチル基、
(3,3,3−トリクロロプロポキシ)エチル基などの
アルコキシ基で置換した炭素数2〜15のアルキル基;
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、n−ヘキシルオキシエチル基、(4−メチル
ペントキシ)エチル基、(1,3−ジメチルブトキシ)
エチル基、(2−エチルヘキシルオキシ)エチル基、n
−オクチルオキシエチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキシルオキシ)エチル基、(2−メチル−1−iso
−プロピルプロポキシ)エチル基、(3−メチル−1−
iso−プロピルブチルオキシ)エチル基、2−エトキ
シ−1−メチルエチル基、3−メトキシブチル基、
(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)エチル基、
(3,3,3−トリクロロプロポキシ)エチル基などの
アルコキシ基で置換した炭素数2〜15のアルキル基;
【0042】メトキシメトキシメチル基、メトキシエト
キシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシ
エトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロ
ヘキシルオキシエトキシエチル基、デシルオキシプロポ
キシエチル基、(1,2−ジメチルプロポキシエトキ
シ)エチル基、(3−メチル−1−iso−ブチルブト
キシエトキシ)エチル基、(2−メトキシ−1−メチル
エトキシ)エチル基、(2−ブトキシ−1−メチルエト
キシ)エチル基、2−(2’−エトキシ−1’−メチル
エトキシ)−1−メチルエチル基、(3,3,3−トリ
フルオロプロポキシ)エトキシエチル基、(3,3,3
−トリクロロプロポキシ)エトキシエチル基などのアル
コキシアルコキシ基で置換した炭素数3〜15のアルキ
ル基;メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエ
トキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエ
チル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘ
キシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポキシプ
ロポキシプロポキシエチル基、(2,2,2−トリフル
オロエトキシ)エトキシエトキシエチル基、(2,2,
2−トリクロロエトキシ)エトキシエトキシエチル基な
どのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素
数4〜15のアルキル基;
キシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシ
エトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロ
ヘキシルオキシエトキシエチル基、デシルオキシプロポ
キシエチル基、(1,2−ジメチルプロポキシエトキ
シ)エチル基、(3−メチル−1−iso−ブチルブト
キシエトキシ)エチル基、(2−メトキシ−1−メチル
エトキシ)エチル基、(2−ブトキシ−1−メチルエト
キシ)エチル基、2−(2’−エトキシ−1’−メチル
エトキシ)−1−メチルエチル基、(3,3,3−トリ
フルオロプロポキシ)エトキシエチル基、(3,3,3
−トリクロロプロポキシ)エトキシエチル基などのアル
コキシアルコキシ基で置換した炭素数3〜15のアルキ
ル基;メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエ
トキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエ
チル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘ
キシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポキシプ
ロポキシプロポキシエチル基、(2,2,2−トリフル
オロエトキシ)エトキシエトキシエチル基、(2,2,
2−トリクロロエトキシ)エトキシエトキシエチル基な
どのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素
数4〜15のアルキル基;
【0043】ホルミルメチル基、2−オキソブチル基、
3−オキソブチル基、4−オキソブチル基、2,6−ジ
オキソシクロヘキサン−1−イル基、2−オキソ−5−
t−ブチル−1−シクロヘキサン−1−イル基等のアシ
ル基で置換した炭素数2〜10のアルキル基;
3−オキソブチル基、4−オキソブチル基、2,6−ジ
オキソシクロヘキサン−1−イル基、2−オキソ−5−
t−ブチル−1−シクロヘキサン−1−イル基等のアシ
ル基で置換した炭素数2〜10のアルキル基;
【0044】ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチ
ル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシ
エチル基、バレリルオキシエチル基、(2−エチルヘキ
サノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメ
チルヘキサノイルオキシ)ヘキシル基、(3−フルオロ
ブチリルオキシ)エチル基、(3−クロロブチリルオキ
シ)エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数2
〜15のアルキル基;
ル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシ
エチル基、バレリルオキシエチル基、(2−エチルヘキ
サノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメ
チルヘキサノイルオキシ)ヘキシル基、(3−フルオロ
ブチリルオキシ)エチル基、(3−クロロブチリルオキ
シ)エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数2
〜15のアルキル基;
【0045】ホルミルオキシメトキシメチル基、アセト
キシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエ
チル基、バレリルオキシエトキシエチル基、(2−エチ
ルヘキサノイルオキシ)エトキシエチル基、(3,5,
5−トリメチルヘキサノイルオキシ)ブトキシエチル
基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイルオキシ)エ
トキシエチル基、(2−フルオロプロピオニルオキシ)
エトキシエチル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)
エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置
換した炭素数3〜15のアルキル基;
キシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエ
チル基、バレリルオキシエトキシエチル基、(2−エチ
ルヘキサノイルオキシ)エトキシエチル基、(3,5,
5−トリメチルヘキサノイルオキシ)ブトキシエチル
基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイルオキシ)エ
トキシエチル基、(2−フルオロプロピオニルオキシ)
エトキシエチル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)
エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置
換した炭素数3〜15のアルキル基;
【0046】アセトキシメトキシメトキシメチル基、ア
セトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシ
エトキシエチル基、(2−エチルヘキサノイルオキシ)
エトキシエトキシエチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルオキシ)オキシエトキシエトキシエチル
基、(2−フルオロプロピオニルオキシ)エトキシエト
キシエチル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)エト
キシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシア
ルコキシ基で置換した炭素数5〜15のアルキル基;
セトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシ
エトキシエチル基、(2−エチルヘキサノイルオキシ)
エトキシエトキシエチル基、(3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルオキシ)オキシエトキシエトキシエチル
基、(2−フルオロプロピオニルオキシ)エトキシエト
キシエチル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)エト
キシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシア
ルコキシ基で置換した炭素数5〜15のアルキル基;
【0047】メトキシカルボニルメチル基、エトキシカ
ルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル
基、ブトキシカルボニルエチル基、(p−エチルシクロ
ヘキシルオキシカルボニル)シクロヘキシル基、(2,
2,3,3−テトラフルオロプロポキシカルボニル)メ
チル基、(2,2,3,3−テトラクロロプロポキシカ
ルボニル)メチル基などのアルコキシカルボニル基で置
換した炭素数3〜15のアルキル基;
ルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル
基、ブトキシカルボニルエチル基、(p−エチルシクロ
ヘキシルオキシカルボニル)シクロヘキシル基、(2,
2,3,3−テトラフルオロプロポキシカルボニル)メ
チル基、(2,2,3,3−テトラクロロプロポキシカ
ルボニル)メチル基などのアルコキシカルボニル基で置
換した炭素数3〜15のアルキル基;
【0048】フェノキシカルボニルメチル基、フェノキ
シカルボニルエチル基、(4−t−ブチルフェノキシカ
ルボニル)エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル
基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリー
ルオキシカルボニル基で置換した炭素数8〜15のアル
キル基;
シカルボニルエチル基、(4−t−ブチルフェノキシカ
ルボニル)エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル
基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリー
ルオキシカルボニル基で置換した炭素数8〜15のアル
キル基;
【0049】ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベン
ジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカル
ボニルメチル基、(4−シクロヘキシルオキシベンジル
オキシカルボニル)メチル基などのアラルキルオキシカ
ルボニル基で置換した炭素数9〜15のアルキル基;
ジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカル
ボニルメチル基、(4−シクロヘキシルオキシベンジル
オキシカルボニル)メチル基などのアラルキルオキシカ
ルボニル基で置換した炭素数9〜15のアルキル基;
【0050】ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニル
オキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメ
チル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケ
ニルオキシカルボニル基で置換した炭素数4〜10のア
ルキル基;
オキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメ
チル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケ
ニルオキシカルボニル基で置換した炭素数4〜10のア
ルキル基;
【0051】メトキシカルボニルオキシメチル基、メト
キシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオ
キシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、
(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニルオキ
シ)エチル基、(2,2,2−トリクロロエトキシカル
ボニルオキシ)エチル基などのアルコキシカルボニルオ
キシ基で置換した炭素数3〜15のアルキル基;
キシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオ
キシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、
(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニルオキ
シ)エチル基、(2,2,2−トリクロロエトキシカル
ボニルオキシ)エチル基などのアルコキシカルボニルオ
キシ基で置換した炭素数3〜15のアルキル基;
【0052】メトキシメトキシカルボニルオキシメチル
基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基、(2,2,2−トリフ
ルオロエトキシ)エトキシカルボニルオキシエチル基、
(2,2,2−トリクロロエトキシ)エトキシカルボニ
ルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニ
ルオキシ基で置換した炭素数4〜15のアルキル基;
基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基、(2,2,2−トリフ
ルオロエトキシ)エトキシカルボニルオキシエチル基、
(2,2,2−トリクロロエトキシ)エトキシカルボニ
ルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニ
ルオキシ基で置換した炭素数4〜15のアルキル基;
【0053】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−n−ブチルアミノメチル基、ジ−n−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−n−オクチルアミノメチル
基、ジ−n−デシルアミノメチル基、N−イソアミル−
N−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
(メトキシメチル)アミノメチル基、ジ(メトキシエチ
ル)アミノメチル基、ジ(エトキシメチル)アミノメチ
ル基、ジ(エトキシエチル)アミノメチル基、ジ(プロ
ポキシエチル)アミノメチル基、ジ(ブトキシエチル)
アミノメチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチ
ル)アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−n−ブチルアミノエチル基、ジ
−n−ヘキシルアミノエチル基、ジ−n−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−n−デシルアミノエチル基、N−イソ
アミル−N−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ(メトキシメチル)アミノエチル基、ジ(メトキ
シエチル)アミノエチル基、ジ(エトキシメチル)アミ
ノエチル基、ジ(エトキシエチル)アミノエチル基、ジ
(プロポキシエチル)アミノエチル基、ジ(ブトキシエ
チル)アミノエチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキ
シエチル)アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−n−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−n−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
n−オクチルアミノプロピル基、ジ−n−デシルアミノ
プロピル基、N−イソアミル−N−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ(メトキシメチル)ア
ミノプロピル基、ジ(メトキシエチル)アミノプロピル
基、ジ(エトキシメチル)アミノプロピル基、ジ(エト
キシエチル)アミノプロピル基、ジ(プロポキシエチ
ル)アミノプロピル基、ジ(ブトキシエチル)アミノプ
ロピル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチル)ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−n−ブチルアミノブチル基、ジ−n
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−n−オクチルアミノブ
チル基、ジ−n−デシルアミノブチル基、N−イソアミ
ル−N−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ(メトキシメチル)アミノブチル基、ジ(メトキシエ
チル)アミノブチル基、ジ(エトキシメチル)アミノブ
チル基、ジ(エトキシエチル)アミノブチル基、ジ(プ
ロポキシエチル)アミノブチル基、ジ(ブトキシエチ
ル)アミノブチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシ
エチル)アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数3〜20のアルキル基;
メチル基、ジ−n−ブチルアミノメチル基、ジ−n−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−n−オクチルアミノメチル
基、ジ−n−デシルアミノメチル基、N−イソアミル−
N−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
(メトキシメチル)アミノメチル基、ジ(メトキシエチ
ル)アミノメチル基、ジ(エトキシメチル)アミノメチ
ル基、ジ(エトキシエチル)アミノメチル基、ジ(プロ
ポキシエチル)アミノメチル基、ジ(ブトキシエチル)
アミノメチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチ
ル)アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−n−ブチルアミノエチル基、ジ
−n−ヘキシルアミノエチル基、ジ−n−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−n−デシルアミノエチル基、N−イソ
アミル−N−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ(メトキシメチル)アミノエチル基、ジ(メトキ
シエチル)アミノエチル基、ジ(エトキシメチル)アミ
ノエチル基、ジ(エトキシエチル)アミノエチル基、ジ
(プロポキシエチル)アミノエチル基、ジ(ブトキシエ
チル)アミノエチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキ
シエチル)アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−n−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−n−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
n−オクチルアミノプロピル基、ジ−n−デシルアミノ
プロピル基、N−イソアミル−N−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ(メトキシメチル)ア
ミノプロピル基、ジ(メトキシエチル)アミノプロピル
基、ジ(エトキシメチル)アミノプロピル基、ジ(エト
キシエチル)アミノプロピル基、ジ(プロポキシエチ
ル)アミノプロピル基、ジ(ブトキシエチル)アミノプ
ロピル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチル)ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−n−ブチルアミノブチル基、ジ−n
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−n−オクチルアミノブ
チル基、ジ−n−デシルアミノブチル基、N−イソアミ
ル−N−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ(メトキシメチル)アミノブチル基、ジ(メトキシエ
チル)アミノブチル基、ジ(エトキシメチル)アミノブ
チル基、ジ(エトキシエチル)アミノブチル基、ジ(プ
ロポキシエチル)アミノブチル基、ジ(ブトキシエチ
ル)アミノブチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシ
エチル)アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数3〜20のアルキル基;
【0054】アセチルアミノメチル基、アセチルアミノ
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、p−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数3〜10のアルキル基;
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、p−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数3〜10のアルキル基;
【0055】メチルスルホンアミノメチル基、メチルス
ルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル
基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホ
ンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置
換した炭素数2〜10のアルキル基;
ルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル
基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホ
ンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置
換した炭素数2〜10のアルキル基;
【0056】メチルスルホニルメチル基、エチルスルホ
ニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスル
ホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルス
ルホニルエチル基、2−エチルヘキシルスルホニルエチ
ル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルスルホ
ニルメチル基、2,2,3,3−テトラクロロプロピル
スルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換
した炭素数2〜10のアルキル基;
ニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスル
ホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルス
ルホニルエチル基、2−エチルヘキシルスルホニルエチ
ル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルスルホ
ニルメチル基、2,2,3,3−テトラクロロプロピル
スルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換
した炭素数2〜10のアルキル基;
【0057】ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンス
ルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベ
ンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル
基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニル
プロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンス
ルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシ
レンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル
基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数7〜1
2のアルキル基;
ルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベ
ンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル
基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニル
プロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンス
ルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシ
レンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル
基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数7〜1
2のアルキル基;
【0058】チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル
基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミ
ダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメ
チル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、
ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基な
どの複素環基で置換した炭素数2〜13のアルキル基等
が挙げられる。
基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミ
ダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメ
チル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、
ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基な
どの複素環基で置換した炭素数2〜13のアルキル基等
が挙げられる。
【0059】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ラルキル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアラルキル基であり、好ましくは、
ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベンジル基、ヒ
ドロキシベンジル基、メチルベンジル基、トリフルオロ
メチルベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチル
メチル基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチ
ルメチル基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメ
チルナフチルメチル基、フルオレン−9−イルエチル基
などの炭素数7〜15のアラルキル基等が挙げられる。
ラルキル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアラルキル基であり、好ましくは、
ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベンジル基、ヒ
ドロキシベンジル基、メチルベンジル基、トリフルオロ
メチルベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチル
メチル基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチ
ルメチル基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメ
チルナフチルメチル基、フルオレン−9−イルエチル基
などの炭素数7〜15のアラルキル基等が挙げられる。
【0060】R1〜R8で表される置換または無置換のア
リール基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアリール基であり、好ましくは、フェ
ニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロ
キシフェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノ
ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル
基、トリフルオロメチルナフチル基、メトキシカルボニ
ルフェニル基、4−(5’−メチルベンゾキサゾール−
2’−イル)フェニル基、ジブチルアミノカルボニルフ
ェニル基などの炭素数6〜15のアリール基等が挙げら
れる。
リール基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアリール基であり、好ましくは、フェ
ニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロ
キシフェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノ
ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル
基、トリフルオロメチルナフチル基、メトキシカルボニ
ルフェニル基、4−(5’−メチルベンゾキサゾール−
2’−イル)フェニル基、ジブチルアミノカルボニルフ
ェニル基などの炭素数6〜15のアリール基等が挙げら
れる。
【0061】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ルケニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルケニル基であり、好ましくは、
ビニル基、プロペニル基、1−ブテニル基、iso−ブ
テニル基、1−ペンテニル基、2−ペンテニル基、2−
メチル−1−ブテニル基、3−メチル−1−ブテニル
基、2−メチル−2−ブテニル基、2,2−ジシアノビ
ニル基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビニル
基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニル基、スチリ
ル基、4−フェニル−2ブテニル基などの炭素数2〜1
0のアルケニル基が挙げられる。
ルケニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルケニル基であり、好ましくは、
ビニル基、プロペニル基、1−ブテニル基、iso−ブ
テニル基、1−ペンテニル基、2−ペンテニル基、2−
メチル−1−ブテニル基、3−メチル−1−ブテニル
基、2−メチル−2−ブテニル基、2,2−ジシアノビ
ニル基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビニル
基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニル基、スチリ
ル基、4−フェニル−2ブテニル基などの炭素数2〜1
0のアルケニル基が挙げられる。
【0062】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n
−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、
イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブト
キシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ
基、tert−ペンチルオキシ基、sec−ペンチルオ
キシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ
基、1−メチルペンチルオキシ基、2−メチルペンチル
オキシ基、3−メチルペンチルオキシ基、4−メチルペ
ンチルオキシ基、1,1−ジメチルブトキシ基、1,2
−ジメチルブトキシ基、1,3−ジメチルブトキシ基、
2,3−ジメチルブトキシ基、1,1,2−トリメチル
プロポキシ基、1,2,2−トリメチルプロポキシ基、
1−エチルブトキシ基、2−エチルブトキシ基、1−エ
チル−2−メチルプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ
基、メチルシクロペンチルオキシ基、n−へプチルオキ
シ基、1−メチルヘキシルオキシ基、2−メチルヘキシ
ルオキシ基、3−メチルヘキシルオキシ基、4−メチル
ヘキシルオキシ基、5−メチルヘキシルオキシ基、1,
1−ジメチルペンチルオキシ基、1,2−ジメチルペン
チルオキシ基、1,3−ジメチルペンチルオキシ基、
1,4−ジメチルペンチルオキシ基、2,2−ジメチル
ペンチルオキシ基、2,3−ジメチルペンチルオキシ
基、2,4−ジメチルペンチルオキシ基、3,3−ジメ
チルペンチルオキシ基、3,4−ジメチルペンチルオキ
シ基、1−エチルペンチルオキシ基、2−エチルペンチ
ルオキシ基、3−エチルペンチルオキシ基、1,1,2
−トリメチルブトキシ基、1,1,3−トリメチルブト
キシ基、1,2,3−トリメチルブトキシ基、1,2,
2−トリメチルブトキシ基、1,3,3−トリメチルブ
トキシ基、2,3,3−トリメチルブトキシ基、1−エ
チル−1−メチルブトキシ基、1−エチル−2−メチル
ブトキシ基、1−エチル−3−メチルブトキシ基、2−
エチル−1−メチルブトキシ基、2−エチル−3−メチ
ルブトキシ基、1−n−プロピルブトキシ基、1−イソ
プロピルブトキシ基、1−イソプロピル−2−メチルプ
ロポキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、n−オク
チルオキシ基、1−メチルヘプチルオキシ基、2−メチ
ルヘプチルオキシ基、3−メチルヘプチルオキシ基、4
−メチルヘプチルオキシ基、5−メチルヘプチルオキシ
基、6−メチルヘプチルオキシ基、1,1−ジメチルヘ
キシルオキシ基、1,2−ジメチルヘキシルオキシ基、
1,3−ジメチルヘキシルオキシ基、1,4−ジメチル
ヘキシルオキシ基、1,5−ジメチルヘキシルオキシ
基、2,2−ジメチルヘキシルオキシ基、2,3−ジメ
チルヘキシルオキシ基、2,4−ジメチルヘキシルオキ
シ基、2,5−ジメチルヘキシルオキシ基、3,3−ジ
メチルヘキシルオキシ基、3,4−ジメチルヘキシルオ
キシ基、3,5−ジメチルヘキシルオキシ基、4,4−
ジメチルヘキシルオキシ基、4,5−ジメチルヘキシル
オキシ基、1−エチルヘキシルオキシ基、2−エチルヘ
キシルオキシ基、3−エチルヘキシルオキシ基、4−エ
チルヘキシルオキシ基、1−n−プロピルペンチルオキ
シ基、2−n−プロピルペンチルオキシ基、1−イソプ
ロピルペンチルオキシ基、2−イソプロピルペンチルオ
キシ基、1−エチル−1−メチルペンチルオキシ基、1
−エチル−2−メチルペンチルオキシ基、1−エチル−
3−メチルペンチルオキシ基、1−エチル−4−メチル
ペンチルオキシ基、2−エチル−1−メチルペンチルオ
キシ基、2−エチル−2−メチルペンチルオキシ基、2
−エチル−3−メチルペンチルオキシ基、2−エチル−
4−メチルペンチルオキシ基、3−エチル−1−メチル
ペンチルオキシ基、3−エチル−2−メチルペンチルオ
キシ基、3−エチル−3−メチルペンチルオキシ基、3
−エチル−4−メチルペンチルオキシ基、1,1,2−
トリメチルペンチルオキシ基、1,1,3−トリメチル
ペンチルオキシ基、1,1,4−トリメチルペンチルオ
キシ基、1,2,2−トリメチルペンチルオキシ基、
1,2,3−トリメチルペンチルオキシ基、1,2,4
−トリメチルペンチルオキシ基、1,3,4−トリメチ
ルペンチルオキシ基、2,2,3−トリメチルペンチル
オキシ基、2,2,4−トリメチルペンチルオキシ基、
2,3,4−トリメチルペンチルオキシ基、1,3,3
−トリメチルペンチルオキシ基、2,3,3−トリメチ
ルペンチルオキシ基、3,3,4−トリメチルペンチル
オキシ基、1,4,4−トリメチルペンチルオキシ基、
2,4,4−トリメチルペンチルオキシ基、3,4,4
−トリメチルペンチルオキシ基、1−n−ブチルブトキ
シ基、1−イソブチルブトキシ基、1−sec−ブチル
ブトキシ基、1−tert−ブチルブトキシ基、2−t
ert−ブチルブトキシ基、1−n−プロピル−1−メ
チルブトキシ基、1−n−プロピル−2−メチルブトキ
シ基、1−n−プロピル−3−メチルブトキシ基、1−
イソプロピル−1−メチルブトキシ基、1−イソプロピ
ル−2−メチルブトキシ基、1−イソプロピル−3−メ
チルブトキシ基、1,1−ジエチルブトキシ基、1,2
−ジエチルブトキシ基、1−エチル−1,2−ジメチル
ブトキシ基、1−エチル−1,3−ジメチルブトキシ
基、1−エチル−2,3−ジメチルブトキシ基、2−エ
チル−1,1−ジメチルブトキシ基、2−エチル−1,
2−ジメチルブトキシ基、2−エチル−1,3−ジメチ
ルブトキシ基、2−エチル−2,3−ジメチルブトキシ
基、1,1,3,3−テトラメチルブトキシ基、1,2
−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、1,3−ジメチル
シクロヘキシルオキシ基、1,4−ジメチルシクロヘキ
シルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、n−ノ
ニルオキシ基、3,5,5−トリメチルヘキシルオキシ
基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n
−ドデシルオキシ基、1−アダマンチルオキシ基、n−
ペンタデシルオキシ基等の炭素数1〜15の直鎖、分岐
又は環状の無置換アルコキシ基;
ルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n
−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、
イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブト
キシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ
基、tert−ペンチルオキシ基、sec−ペンチルオ
キシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ
基、1−メチルペンチルオキシ基、2−メチルペンチル
オキシ基、3−メチルペンチルオキシ基、4−メチルペ
ンチルオキシ基、1,1−ジメチルブトキシ基、1,2
−ジメチルブトキシ基、1,3−ジメチルブトキシ基、
2,3−ジメチルブトキシ基、1,1,2−トリメチル
プロポキシ基、1,2,2−トリメチルプロポキシ基、
1−エチルブトキシ基、2−エチルブトキシ基、1−エ
チル−2−メチルプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ
基、メチルシクロペンチルオキシ基、n−へプチルオキ
シ基、1−メチルヘキシルオキシ基、2−メチルヘキシ
ルオキシ基、3−メチルヘキシルオキシ基、4−メチル
ヘキシルオキシ基、5−メチルヘキシルオキシ基、1,
1−ジメチルペンチルオキシ基、1,2−ジメチルペン
チルオキシ基、1,3−ジメチルペンチルオキシ基、
1,4−ジメチルペンチルオキシ基、2,2−ジメチル
ペンチルオキシ基、2,3−ジメチルペンチルオキシ
基、2,4−ジメチルペンチルオキシ基、3,3−ジメ
チルペンチルオキシ基、3,4−ジメチルペンチルオキ
シ基、1−エチルペンチルオキシ基、2−エチルペンチ
ルオキシ基、3−エチルペンチルオキシ基、1,1,2
−トリメチルブトキシ基、1,1,3−トリメチルブト
キシ基、1,2,3−トリメチルブトキシ基、1,2,
2−トリメチルブトキシ基、1,3,3−トリメチルブ
トキシ基、2,3,3−トリメチルブトキシ基、1−エ
チル−1−メチルブトキシ基、1−エチル−2−メチル
ブトキシ基、1−エチル−3−メチルブトキシ基、2−
エチル−1−メチルブトキシ基、2−エチル−3−メチ
ルブトキシ基、1−n−プロピルブトキシ基、1−イソ
プロピルブトキシ基、1−イソプロピル−2−メチルプ
ロポキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、n−オク
チルオキシ基、1−メチルヘプチルオキシ基、2−メチ
ルヘプチルオキシ基、3−メチルヘプチルオキシ基、4
−メチルヘプチルオキシ基、5−メチルヘプチルオキシ
基、6−メチルヘプチルオキシ基、1,1−ジメチルヘ
キシルオキシ基、1,2−ジメチルヘキシルオキシ基、
1,3−ジメチルヘキシルオキシ基、1,4−ジメチル
ヘキシルオキシ基、1,5−ジメチルヘキシルオキシ
基、2,2−ジメチルヘキシルオキシ基、2,3−ジメ
チルヘキシルオキシ基、2,4−ジメチルヘキシルオキ
シ基、2,5−ジメチルヘキシルオキシ基、3,3−ジ
メチルヘキシルオキシ基、3,4−ジメチルヘキシルオ
キシ基、3,5−ジメチルヘキシルオキシ基、4,4−
ジメチルヘキシルオキシ基、4,5−ジメチルヘキシル
オキシ基、1−エチルヘキシルオキシ基、2−エチルヘ
キシルオキシ基、3−エチルヘキシルオキシ基、4−エ
チルヘキシルオキシ基、1−n−プロピルペンチルオキ
シ基、2−n−プロピルペンチルオキシ基、1−イソプ
ロピルペンチルオキシ基、2−イソプロピルペンチルオ
キシ基、1−エチル−1−メチルペンチルオキシ基、1
−エチル−2−メチルペンチルオキシ基、1−エチル−
3−メチルペンチルオキシ基、1−エチル−4−メチル
ペンチルオキシ基、2−エチル−1−メチルペンチルオ
キシ基、2−エチル−2−メチルペンチルオキシ基、2
−エチル−3−メチルペンチルオキシ基、2−エチル−
4−メチルペンチルオキシ基、3−エチル−1−メチル
ペンチルオキシ基、3−エチル−2−メチルペンチルオ
キシ基、3−エチル−3−メチルペンチルオキシ基、3
−エチル−4−メチルペンチルオキシ基、1,1,2−
トリメチルペンチルオキシ基、1,1,3−トリメチル
ペンチルオキシ基、1,1,4−トリメチルペンチルオ
キシ基、1,2,2−トリメチルペンチルオキシ基、
1,2,3−トリメチルペンチルオキシ基、1,2,4
−トリメチルペンチルオキシ基、1,3,4−トリメチ
ルペンチルオキシ基、2,2,3−トリメチルペンチル
オキシ基、2,2,4−トリメチルペンチルオキシ基、
2,3,4−トリメチルペンチルオキシ基、1,3,3
−トリメチルペンチルオキシ基、2,3,3−トリメチ
ルペンチルオキシ基、3,3,4−トリメチルペンチル
オキシ基、1,4,4−トリメチルペンチルオキシ基、
2,4,4−トリメチルペンチルオキシ基、3,4,4
−トリメチルペンチルオキシ基、1−n−ブチルブトキ
シ基、1−イソブチルブトキシ基、1−sec−ブチル
ブトキシ基、1−tert−ブチルブトキシ基、2−t
ert−ブチルブトキシ基、1−n−プロピル−1−メ
チルブトキシ基、1−n−プロピル−2−メチルブトキ
シ基、1−n−プロピル−3−メチルブトキシ基、1−
イソプロピル−1−メチルブトキシ基、1−イソプロピ
ル−2−メチルブトキシ基、1−イソプロピル−3−メ
チルブトキシ基、1,1−ジエチルブトキシ基、1,2
−ジエチルブトキシ基、1−エチル−1,2−ジメチル
ブトキシ基、1−エチル−1,3−ジメチルブトキシ
基、1−エチル−2,3−ジメチルブトキシ基、2−エ
チル−1,1−ジメチルブトキシ基、2−エチル−1,
2−ジメチルブトキシ基、2−エチル−1,3−ジメチ
ルブトキシ基、2−エチル−2,3−ジメチルブトキシ
基、1,1,3,3−テトラメチルブトキシ基、1,2
−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、1,3−ジメチル
シクロヘキシルオキシ基、1,4−ジメチルシクロヘキ
シルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、n−ノ
ニルオキシ基、3,5,5−トリメチルヘキシルオキシ
基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n
−ドデシルオキシ基、1−アダマンチルオキシ基、n−
ペンタデシルオキシ基等の炭素数1〜15の直鎖、分岐
又は環状の無置換アルコキシ基;
【0063】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、n−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、n−ブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、tert−ブトキシエトキシ
基、sec−ブトキシエトキシ基、n−ペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、tert
−ペンチルオキシエトキシ基、sec−ペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、n−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、n−ノニルオキシエトキシ基、(3,5,
5−トリメチルヘキシルオキシ)エトキシ基、(3,
5,5−トリメチルヘキシルオキシ)ブトキシ基、n−
デシルオキシエトキシ基、n−ウンデシルオキシエトキ
シ基、n−ドデシルオキシエトキシ基、3−メトキシプ
ロポキシ基、3−エトキシプロポキシ基、3−(n−プ
ロポキシ)プロポキシ基、2−イソプロポキシプロポキ
シ基、2−メトキシブトキシ基、2−エトキシブトキシ
基、2−(n−プロポキシ)ブトキシ基、4−イソプロ
ポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマ
ンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換した
炭素数2〜15のアルコキシ基;
基、エトキシエトキシ基、n−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、n−ブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、tert−ブトキシエトキシ
基、sec−ブトキシエトキシ基、n−ペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、tert
−ペンチルオキシエトキシ基、sec−ペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、n−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、n−ノニルオキシエトキシ基、(3,5,
5−トリメチルヘキシルオキシ)エトキシ基、(3,
5,5−トリメチルヘキシルオキシ)ブトキシ基、n−
デシルオキシエトキシ基、n−ウンデシルオキシエトキ
シ基、n−ドデシルオキシエトキシ基、3−メトキシプ
ロポキシ基、3−エトキシプロポキシ基、3−(n−プ
ロポキシ)プロポキシ基、2−イソプロポキシプロポキ
シ基、2−メトキシブトキシ基、2−エトキシブトキシ
基、2−(n−プロポキシ)ブトキシ基、4−イソプロ
ポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマ
ンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換した
炭素数2〜15のアルコキシ基;
【0064】メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、(4−エチルシクロへキシルオキシ)エトキシエト
キシ基、(2−エチル−1−へキシルオキシ)エトキシ
プロポキシ基、[4−(3,5,5−トリメチルヘキシ
ルオキシ)ブトキシ]エトキシ基等の、アルコキシアル
コキシ基で置換した直鎖、分岐または環状の炭素数3〜
15のアルコキシ基;
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、(4−エチルシクロへキシルオキシ)エトキシエト
キシ基、(2−エチル−1−へキシルオキシ)エトキシ
プロポキシ基、[4−(3,5,5−トリメチルヘキシ
ルオキシ)ブトキシ]エトキシ基等の、アルコキシアル
コキシ基で置換した直鎖、分岐または環状の炭素数3〜
15のアルコキシ基;
【0065】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、n−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、(4’
−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル)メトキシ基
等のアルコキシカルボニル基で置換した炭素数3〜10
のアルコキシ基;
カルボニルメトキシ基、n−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、(4’
−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル)メトキシ基
等のアルコキシカルボニル基で置換した炭素数3〜10
のアルコキシ基;
【0066】アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメ
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基等のアシル基
で置換した炭素数3〜10のアルコキシ基;アセチルオ
キシメトキシ基、アセチルオキシエトキシ基、アセチル
オキシヘキシルオキシ基、ブタノイルオキシシクロヘキ
シルオキシ基などのアシルオキシ基で置換した炭素数3
〜10のアルコキシ基;
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基等のアシル基
で置換した炭素数3〜10のアルコキシ基;アセチルオ
キシメトキシ基、アセチルオキシエトキシ基、アセチル
オキシヘキシルオキシ基、ブタノイルオキシシクロヘキ
シルオキシ基などのアシルオキシ基で置換した炭素数3
〜10のアルコキシ基;
【0067】メチルアミノメトキシ基、2−メチルアミ
ノエトキシ基、2−(2−メチルアミノエトキシ)エト
キシ基、4−メチルアミノブトキシ基、1−メチルアミ
ノプロパン−2−イルオキシ基、3−メチルアミノプロ
ポキシ基、2−メチルアミノ−2−メチルプロポキシ
基、2−エチルアミノエトキシ基、2−(2−エチルア
ミノエトキシ)エトキシ基、3−エチルアミノプロポキ
シ基、1−エチルアミノプロポキシ基、2−イソプロピ
ルアミノエトキシ基、2−(n−ブチルアミノ)エトキ
シ基、3−(n−ヘキシルアミノ)プロポキシ基、4−
(シクロヘキシルアミノ)ブチルオキシ基等のアルキル
アミノ基で置換した炭素数2〜10のアルコキシ基;
ノエトキシ基、2−(2−メチルアミノエトキシ)エト
キシ基、4−メチルアミノブトキシ基、1−メチルアミ
ノプロパン−2−イルオキシ基、3−メチルアミノプロ
ポキシ基、2−メチルアミノ−2−メチルプロポキシ
基、2−エチルアミノエトキシ基、2−(2−エチルア
ミノエトキシ)エトキシ基、3−エチルアミノプロポキ
シ基、1−エチルアミノプロポキシ基、2−イソプロピ
ルアミノエトキシ基、2−(n−ブチルアミノ)エトキ
シ基、3−(n−ヘキシルアミノ)プロポキシ基、4−
(シクロヘキシルアミノ)ブチルオキシ基等のアルキル
アミノ基で置換した炭素数2〜10のアルコキシ基;
【0068】メチルアミノメトキシメトキシ基、メチル
アミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロ
ポキシ基、エチルアミノエトキシプロポキシ基、4−
(2’−イソブチルアミノプロポキシ)ブトキシ基等の
アルキルアミノアルコキシ基で置換した炭素数3〜10
のアルコキシ基;
アミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロ
ポキシ基、エチルアミノエトキシプロポキシ基、4−
(2’−イソブチルアミノプロポキシ)ブトキシ基等の
アルキルアミノアルコキシ基で置換した炭素数3〜10
のアルコキシ基;
【0069】ジメチルアミノメトキシ基、2−ジメチル
アミノエトキシ基、2−(2−ジメチルアミノエトキ
シ)エトキシ基、4−ジメチルアミノブトキシ基、1−
ジメチルアミノプロパン−2−イルオキシ基、3−ジメ
チルアミノプロポキシ基、2−ジメチルアミノ−2−メ
チルプロポキシ基、2−ジエチルアミノエトキシ基、2
−(2−ジエチルアミノエトキシ)エトキシ基、3−ジ
エチルアミノプロポキシ基、1−ジエチルアミノプロポ
キシ基、2−ジイソプロピルアミノエトキシ基、2−
(ジ−n−ブチルアミノ)エトキシ基、2−ピペリジル
エトキシ基、3−(ジ−n−ヘキシルアミノ)プロポキ
シ基等のジアルキルアミノ基で置換した炭素数3〜15
のアルコキシ基;
アミノエトキシ基、2−(2−ジメチルアミノエトキ
シ)エトキシ基、4−ジメチルアミノブトキシ基、1−
ジメチルアミノプロパン−2−イルオキシ基、3−ジメ
チルアミノプロポキシ基、2−ジメチルアミノ−2−メ
チルプロポキシ基、2−ジエチルアミノエトキシ基、2
−(2−ジエチルアミノエトキシ)エトキシ基、3−ジ
エチルアミノプロポキシ基、1−ジエチルアミノプロポ
キシ基、2−ジイソプロピルアミノエトキシ基、2−
(ジ−n−ブチルアミノ)エトキシ基、2−ピペリジル
エトキシ基、3−(ジ−n−ヘキシルアミノ)プロポキ
シ基等のジアルキルアミノ基で置換した炭素数3〜15
のアルコキシ基;
【0070】ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメ
チルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキ
シプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、4−(2’−ジイソブチルアミノプロポキシ)ブト
キシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換した炭
素数4〜15のアルコキシ基;
チルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキ
シプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、4−(2’−ジイソブチルアミノプロポキシ)ブト
キシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換した炭
素数4〜15のアルコキシ基;
【0071】メチルチオメトキシ基、2−メチルチオエ
トキシ基、2−エチルチオエトキシ基、2−n−プロピ
ルチオエトキシ基、2−イソプロピルチオエトキシ基、
2−n−ブチルチオエトキシ基、2−イソブチルチオエ
トキシ基、(3,5,5−トリメチルヘキシルチオ)ヘ
キシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換した炭素数2
〜15のアルコキシ基;等が挙げられ、好ましくは、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プ
ロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、s
ec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ
基、iso−ペントキシ基、ネオペントキシ基、2−メ
チルブトキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,
5,5−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリルオキシ
基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエ
トキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基な
どの炭素数1〜10のアルコキシ基が挙げられる。
トキシ基、2−エチルチオエトキシ基、2−n−プロピ
ルチオエトキシ基、2−イソプロピルチオエトキシ基、
2−n−ブチルチオエトキシ基、2−イソブチルチオエ
トキシ基、(3,5,5−トリメチルヘキシルチオ)ヘ
キシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換した炭素数2
〜15のアルコキシ基;等が挙げられ、好ましくは、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プ
ロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、s
ec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ
基、iso−ペントキシ基、ネオペントキシ基、2−メ
チルブトキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,
5,5−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリルオキシ
基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエ
トキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基な
どの炭素数1〜10のアルコキシ基が挙げられる。
【0072】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ラルキルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル
基と同様な置換基を有するアラルキルオキシ基であり、
好ましくは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ
基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキ
シ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベ
ンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチル
メトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナ
フチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフ
ルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−9−イ
ルエトキシ基などの炭素数7〜15のアラルキルオキシ
基等が挙げられる。
ラルキルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル
基と同様な置換基を有するアラルキルオキシ基であり、
好ましくは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ
基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキ
シ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベ
ンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチル
メトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナ
フチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフ
ルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−9−イ
ルエトキシ基などの炭素数7〜15のアラルキルオキシ
基等が挙げられる。
【0073】R1〜R8で表される置換または無置換のア
リールオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するアリールオキシ基であり、好ま
しくは、フェノキシ基、2−メチルフェノキシ基、4−
メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキシ基、2
−メトキシフェノキシ基、4−iso−プロピルフェノ
キシ基、ナフトキシ基などの炭素数6〜10のアリール
オキシ基が挙げられる。
リールオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するアリールオキシ基であり、好ま
しくは、フェノキシ基、2−メチルフェノキシ基、4−
メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキシ基、2
−メトキシフェノキシ基、4−iso−プロピルフェノ
キシ基、ナフトキシ基などの炭素数6〜10のアリール
オキシ基が挙げられる。
【0074】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ルケニルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル
基と同様な置換基を有するアルケニルオキシ基であり、
好ましくは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、1
−ブテニルオキシ基、iso−ブテニルオキシ基、1−
ペンテニルオキシ基、2−ペンテニルオキシ基、2−メ
チル−1−ブテニルオキシ基、3−メチル−1−ブテニ
ルオキシ基、2−メチル−2−ブテニルオキシ基、2,
2−ジシアノビニルオキシ基、2−シアノ−2−メチル
カルボキシルビニルオキシ基、2−シアノ−2−メチル
スルホンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、4−フェ
ニル−2ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基な
どの炭素数2〜10のアルケニルオキシ基が挙げられ
る。
ルケニルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル
基と同様な置換基を有するアルケニルオキシ基であり、
好ましくは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、1
−ブテニルオキシ基、iso−ブテニルオキシ基、1−
ペンテニルオキシ基、2−ペンテニルオキシ基、2−メ
チル−1−ブテニルオキシ基、3−メチル−1−ブテニ
ルオキシ基、2−メチル−2−ブテニルオキシ基、2,
2−ジシアノビニルオキシ基、2−シアノ−2−メチル
カルボキシルビニルオキシ基、2−シアノ−2−メチル
スルホンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、4−フェ
ニル−2ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基な
どの炭素数2〜10のアルケニルオキシ基が挙げられ
る。
【0075】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ルキルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアルキルチオ基であり、好ましく
は、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ
基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、is
o−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチル
チオ基、n−ペンチルチオ基、iso−ペンチルチオ
基、ネオペンチルチオ基、2−メチルブチルチオ基、メ
チルカルボキシルエチルチオ基、2−エチルヘキシルチ
オ基、3,5,5−トリメチルヘキシルチオ基、デカリ
ルチオ基などの炭素数1〜10のアルキルチオ基が挙げ
られる。
ルキルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアルキルチオ基であり、好ましく
は、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ
基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、is
o−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチル
チオ基、n−ペンチルチオ基、iso−ペンチルチオ
基、ネオペンチルチオ基、2−メチルブチルチオ基、メ
チルカルボキシルエチルチオ基、2−エチルヘキシルチ
オ基、3,5,5−トリメチルヘキシルチオ基、デカリ
ルチオ基などの炭素数1〜10のアルキルチオ基が挙げ
られる。
【0076】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ラルキルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するアラルキルチオ基であり、好ま
しくは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シア
ノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチル
ベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、
ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、
シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチ
ルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロ
メチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−9−イルエ
チルチオ基などの炭素数7〜12のアラルキルチオ基等
が挙げられる。
ラルキルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するアラルキルチオ基であり、好ま
しくは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シア
ノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチル
ベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、
ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、
シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチ
ルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロ
メチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−9−イルエ
チルチオ基などの炭素数7〜12のアラルキルチオ基等
が挙げられる。
【0077】R1〜R8で表される置換または無置換のア
リールチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアリールチオ基であり、好ましく
は、フェニルチオ基、4−メチルフェニルチオ基、2−
メトキシフェニルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ
基、ナフチルチオ基等の炭素数6〜10のアリールチオ
基などが挙げられる。
リールチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアリールチオ基であり、好ましく
は、フェニルチオ基、4−メチルフェニルチオ基、2−
メトキシフェニルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ
基、ナフチルチオ基等の炭素数6〜10のアリールチオ
基などが挙げられる。
【0078】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ルケニルチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアルケニルチオ基であり、好まし
くは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、
ヘキサンジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキ
セニルチオ基、デセニルチオ基等の炭素数2〜10のア
ルケニルチオ基などが挙げられる。
ルケニルチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアルケニルチオ基であり、好まし
くは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、
ヘキサンジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキ
セニルチオ基、デセニルチオ基等の炭素数2〜10のア
ルケニルチオ基などが挙げられる。
【0079】R1〜R8で表される置換または無置換のモ
ノ置換アミノ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するモノ置換アミノ基であり、好ま
しくは、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルア
ミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシル
アミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、(2
−エチルヘキシル)アミノ基、シクロヘキシルアミノ
基、(3,5,5−トリメチルヘキシル)アミノ基、ノ
ニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数1〜10の
モノアルキルアミノ基;
ノ置換アミノ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するモノ置換アミノ基であり、好ま
しくは、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルア
ミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシル
アミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、(2
−エチルヘキシル)アミノ基、シクロヘキシルアミノ
基、(3,5,5−トリメチルヘキシル)アミノ基、ノ
ニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数1〜10の
モノアルキルアミノ基;
【0080】ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、
(3−フェニルプロピル)アミノ基、(4−エチルベン
ジル)アミノ基、(4−イソプロピルベンジル)アミノ
基、(4−メチルベンジル)アミノ基、(4−アリルベ
ンジル)アミノ基、[4−(2−シアノエチル)ベンジ
ル]アミノ基、[4−(2−アセトキシエチル)ベンジ
ル]アミノ基などの炭素数7〜10のモノアラルキルア
ミノ基;
(3−フェニルプロピル)アミノ基、(4−エチルベン
ジル)アミノ基、(4−イソプロピルベンジル)アミノ
基、(4−メチルベンジル)アミノ基、(4−アリルベ
ンジル)アミノ基、[4−(2−シアノエチル)ベンジ
ル]アミノ基、[4−(2−アセトキシエチル)ベンジ
ル]アミノ基などの炭素数7〜10のモノアラルキルア
ミノ基;
【0081】アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジ
ノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピル
アニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ
基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシ
カルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ
基、プロポキシカルボニルアニリノ基、4−メチルアニ
リノ基、4−エチルアニリノ基など、炭素数6〜10の
モノアリールアミノ基;ビニルアミノ基、アリルアミノ
基、プロペニルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニ
ルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニルア
ミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルアミ
ノ基などの炭素数2〜10のモノアルケニルアミノ基;
ノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピル
アニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ
基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシ
カルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ
基、プロポキシカルボニルアニリノ基、4−メチルアニ
リノ基、4−エチルアニリノ基など、炭素数6〜10の
モノアリールアミノ基;ビニルアミノ基、アリルアミノ
基、プロペニルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニ
ルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニルア
ミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルアミ
ノ基などの炭素数2〜10のモノアルケニルアミノ基;
【0082】ホルミルアミノ基、メチルカルボニルアミ
ノ基、エチルカルボニルアミノ基、n−プロピルカルボ
ニルアミノ基、iso−プロピルカルボニルアミノ基、
n−ブチルカルボニルアミノ基、iso−ブチルカルボ
ニルアミノ基、sec−ブチルカルボニルアミノ基、t
−ブチルカルボニルアミノ基、n−ペンチルカルボニル
アミノ基、iso−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオ
ペンチルカルボニルアミノ基、2−メチルブチルカルボ
ニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイル
アミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニ
ルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、4−t−ブ
チルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルア
ミノ基、3−ブトキシ−2−ナフトイルアミノ基、シン
ナモイルアミノ基など炭素数1〜15のアシルアミノ基
等のモノ置換アミノ基が挙げられる。
ノ基、エチルカルボニルアミノ基、n−プロピルカルボ
ニルアミノ基、iso−プロピルカルボニルアミノ基、
n−ブチルカルボニルアミノ基、iso−ブチルカルボ
ニルアミノ基、sec−ブチルカルボニルアミノ基、t
−ブチルカルボニルアミノ基、n−ペンチルカルボニル
アミノ基、iso−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオ
ペンチルカルボニルアミノ基、2−メチルブチルカルボ
ニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイル
アミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニ
ルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、4−t−ブ
チルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルア
ミノ基、3−ブトキシ−2−ナフトイルアミノ基、シン
ナモイルアミノ基など炭素数1〜15のアシルアミノ基
等のモノ置換アミノ基が挙げられる。
【0083】R1〜R8で表される置換または無置換のジ
置換アミノ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するジ置換アミノ基であり、好ましく
は、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチ
ルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、
ジ−n−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ
基、ジオクチルアミノ基、ビス(メトキシエチル)アミ
ノ基、ビス(エトキシエチル)アミノ基、ビス(プロポ
キシエチル)アミノ基、ビス(ブトキシエチル)アミノ
基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノ基、ジ(ヒドロ
キシエチル)アミノ基、N−エチル−N−(2−シアノ
エチル)アミノ基、ジ(プロピオニルオキシエチル)ア
ミノ基などの炭素数2〜16のジアルキルアミノ基;
置換アミノ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するジ置換アミノ基であり、好ましく
は、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチ
ルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、
ジ−n−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ
基、ジオクチルアミノ基、ビス(メトキシエチル)アミ
ノ基、ビス(エトキシエチル)アミノ基、ビス(プロポ
キシエチル)アミノ基、ビス(ブトキシエチル)アミノ
基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノ基、ジ(ヒドロ
キシエチル)アミノ基、N−エチル−N−(2−シアノ
エチル)アミノ基、ジ(プロピオニルオキシエチル)ア
ミノ基などの炭素数2〜16のジアルキルアミノ基;
【0084】ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ
基、ビス(4−エチルベンジル)アミノ基、ビス(4−
イソプロピルベンジル)アミノ基などの炭素数14〜2
0のジアラルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、N−フェニル−N−トリルアミノ基など
の炭素数12〜14のジアリールアミノ基;ジビニルア
ミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペ
ンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、N−ビニル
−N−アリルアミノ基などの炭素数4〜12のジアルケ
ニルアミノ基;
基、ビス(4−エチルベンジル)アミノ基、ビス(4−
イソプロピルベンジル)アミノ基などの炭素数14〜2
0のジアラルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、N−フェニル−N−トリルアミノ基など
の炭素数12〜14のジアリールアミノ基;ジビニルア
ミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペ
ンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、N−ビニル
−N−アリルアミノ基などの炭素数4〜12のジアルケ
ニルアミノ基;
【0085】ジホルミルアミノ基、ジ(メチルカルボニ
ル)アミノ基、ジ(エチルカルボニル)アミノ基、ジ
(n−プロピルカルボニル)アミノ基、ジ(iso−プ
ロピルカルボニル)アミノ基、ジ(n−ブチルカルボニ
ル)アミノ基、ジ(iso−ブチルカルボニル)アミノ
基、ジ(sec−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(t
−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(n−ペンチルカル
ボニル)アミノ基、ジ(iso−ペンチルカルボニル)
アミノ基、ジ(ネオペンチルカルボニル)アミノ基、ジ
(2−メチルブチルカルボニル)アミノ基、ジ(ベンゾ
イル)アミノ基、ジ(メチルベンゾイル)アミノ基、ジ
(エチルベンゾイル)アミノ基、ジ(トリルカルボニ
ル)アミノ基、ジ(プロピルベンゾイル)アミノ基、ジ
(4−t−ブチルベンゾイル)アミノ基、ジ(ニトロベ
ンジルカルボニル)アミノ基、ジ(3−ブトキシ−2−
ナフトイル)アミノ基、ジ(シンナモイル)アミノ基、
コハク酸イミノ基などの炭素数2〜30のジアシルアミ
ノ基;
ル)アミノ基、ジ(エチルカルボニル)アミノ基、ジ
(n−プロピルカルボニル)アミノ基、ジ(iso−プ
ロピルカルボニル)アミノ基、ジ(n−ブチルカルボニ
ル)アミノ基、ジ(iso−ブチルカルボニル)アミノ
基、ジ(sec−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(t
−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(n−ペンチルカル
ボニル)アミノ基、ジ(iso−ペンチルカルボニル)
アミノ基、ジ(ネオペンチルカルボニル)アミノ基、ジ
(2−メチルブチルカルボニル)アミノ基、ジ(ベンゾ
イル)アミノ基、ジ(メチルベンゾイル)アミノ基、ジ
(エチルベンゾイル)アミノ基、ジ(トリルカルボニ
ル)アミノ基、ジ(プロピルベンゾイル)アミノ基、ジ
(4−t−ブチルベンゾイル)アミノ基、ジ(ニトロベ
ンジルカルボニル)アミノ基、ジ(3−ブトキシ−2−
ナフトイル)アミノ基、ジ(シンナモイル)アミノ基、
コハク酸イミノ基などの炭素数2〜30のジアシルアミ
ノ基;
【0086】N−フェニル−N−アリルアミノ基、N−
(2−アセチルオキシエチル)−N−エチルアミノ基、
N−トリル−N−メチルアミノ基、N−ビニル−N−メ
チルアミノ基、N−ベンジル−N−アリルアミノ基等の
置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数
3〜10のジ置換アミノ基が挙げられる。
(2−アセチルオキシエチル)−N−エチルアミノ基、
N−トリル−N−メチルアミノ基、N−ビニル−N−メ
チルアミノ基、N−ベンジル−N−アリルアミノ基等の
置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数
3〜10のジ置換アミノ基が挙げられる。
【0087】R1〜R8で表される置換または無置換のア
シル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアシル基であり、好ましくは、ホルミル
基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プ
ロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、
n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル
基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニ
ル基、n−ペンチルカルボニル基、iso−ペンチルカ
ルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、2−メチルブ
チルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル
基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピ
ルベンゾイル基、4−t−ブチルベンゾイル基、ニトロ
ベンジルカルボニル基、3−ブトキシ−2−ナフトイル
基、シンナモイル基などの炭素数1〜15のアシル基が
挙げられる。
シル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアシル基であり、好ましくは、ホルミル
基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プ
ロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、
n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル
基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニ
ル基、n−ペンチルカルボニル基、iso−ペンチルカ
ルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、2−メチルブ
チルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル
基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピ
ルベンゾイル基、4−t−ブチルベンゾイル基、ニトロ
ベンジルカルボニル基、3−ブトキシ−2−ナフトイル
基、シンナモイル基などの炭素数1〜15のアシル基が
挙げられる。
【0088】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ルコキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有するアルコキシカルボニル基
であり、好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、iso−プ
ロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、i
so−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボ
ニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペントキシカ
ルボニル基、iso−ペントキシカルボニル基、ネオペ
ントキシカルボニル基、2−ペントキシカルボニル基、
2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、3,5,5−
トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキ
シカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、
クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカル
ボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素
数2〜11のアルコキシカルボニル基;
ルコキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有するアルコキシカルボニル基
であり、好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、iso−プ
ロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、i
so−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボ
ニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペントキシカ
ルボニル基、iso−ペントキシカルボニル基、ネオペ
ントキシカルボニル基、2−ペントキシカルボニル基、
2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、3,5,5−
トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキ
シカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、
クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカル
ボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素
数2〜11のアルコキシカルボニル基;
【0089】メトキシメトキシカルボニル基、メトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキ
シカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘ
キシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシ
カルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、
ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシ
エトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置
換した炭素数3〜11のアルコキシカルボニル基;
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキ
シカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘ
キシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシ
カルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、
ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシ
エトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置
換した炭素数3〜11のアルコキシカルボニル基;
【0090】メトキシメトキシメトキシカルボニル基、
メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエト
キシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシエトキ
シカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボニル
基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘキシ
ルオキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキ
シアルコキシ基が置換した炭素数4〜11のアルコキシ
カルボニル基が挙げられる。
メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエト
キシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシエトキ
シカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボニル
基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘキシ
ルオキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキ
シアルコキシ基が置換した炭素数4〜11のアルコキシ
カルボニル基が挙げられる。
【0091】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ラルキルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げ
たアルキル基と同様な置換基を有するアラルキルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ベンジルオキシカル
ボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノ
ベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキ
シカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、
トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフ
チルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカ
ルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒ
ドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチ
ルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチル
メトキシカルボニル基、フルオレン−9−イルエトキシ
カルボニル基などの炭素数8〜16のアラルキルオキシ
カルボニル基等が挙げられる。
ラルキルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げ
たアルキル基と同様な置換基を有するアラルキルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ベンジルオキシカル
ボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノ
ベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキ
シカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、
トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフ
チルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカ
ルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒ
ドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチ
ルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチル
メトキシカルボニル基、フルオレン−9−イルエトキシ
カルボニル基などの炭素数8〜16のアラルキルオキシ
カルボニル基等が挙げられる。
【0092】R1〜R8で表される置換または無置換のア
リールオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げた
アリール基と同様な置換基を有するアリールオキシカル
ボニル基であり、好ましくは、フェノキシカルボニル
基、2−メチルフェノキシカルボニル基、4−メチルフ
ェノキシカルボニル基、4−t−ブチルフェノキシカル
ボニル基、2−メトキシフェノキシカルボニル基、4−
iso−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシ
カルボニル基などの炭素数7〜11のアリールオキシカ
ルボニル基が挙げられる。
リールオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げた
アリール基と同様な置換基を有するアリールオキシカル
ボニル基であり、好ましくは、フェノキシカルボニル
基、2−メチルフェノキシカルボニル基、4−メチルフ
ェノキシカルボニル基、4−t−ブチルフェノキシカル
ボニル基、2−メトキシフェノキシカルボニル基、4−
iso−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシ
カルボニル基などの炭素数7〜11のアリールオキシカ
ルボニル基が挙げられる。
【0093】R1〜R8で表される置換または無置換のア
ルケニルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げ
たアルキル基と同様な置換基を有するアルケニルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ビニルオキシカルボ
ニル基、プロペニルオキシカルボニル基、1−ブテニル
オキシカルボニル基、iso−ブテニルオキシカルボニ
ル基、1−ペンテニルオキシカルボニル基、2−ペンテ
ニルオキシカルボニル基、2−メチル−1−ブテニルオ
キシカルボニル基、3−メチル−1−ブテニルオキシカ
ルボニル基、2−メチル−2−ブテニルオキシカルボニ
ル基、2,2−ジシアノビニルオキシカルボニル基、2
−シアノ−2−メチルカルボキシルビニルオキシカルボ
ニル基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニルオキシ
カルボニル基、スチリルオキシカルボニル基、4−フェ
ニル−2−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数3
〜11のアルケニルオキシカルボニル基が挙げられる。
ルケニルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げ
たアルキル基と同様な置換基を有するアルケニルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ビニルオキシカルボ
ニル基、プロペニルオキシカルボニル基、1−ブテニル
オキシカルボニル基、iso−ブテニルオキシカルボニ
ル基、1−ペンテニルオキシカルボニル基、2−ペンテ
ニルオキシカルボニル基、2−メチル−1−ブテニルオ
キシカルボニル基、3−メチル−1−ブテニルオキシカ
ルボニル基、2−メチル−2−ブテニルオキシカルボニ
ル基、2,2−ジシアノビニルオキシカルボニル基、2
−シアノ−2−メチルカルボキシルビニルオキシカルボ
ニル基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニルオキシ
カルボニル基、スチリルオキシカルボニル基、4−フェ
ニル−2−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数3
〜11のアルケニルオキシカルボニル基が挙げられる。
【0094】R1〜R8で表される置換または無置換のモ
ノ置換アミノカルボニル基の例としては、前記に挙げた
アルキル基と同様な置換基を有するモノ置換アミノカル
ボニル基であり、好ましくは、メチルアミノカルボニル
基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボ
ニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカ
ルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルア
ミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、(2
−エチルヘキシル)アミノカルボニル基、シクロヘキシ
ルアミノカルボニル基、(3,5,5−トリメチルヘキ
シル)アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、デシルアミノカルボニル基などの炭素数2〜11の
モノアルキルアミノカルボニル基;
ノ置換アミノカルボニル基の例としては、前記に挙げた
アルキル基と同様な置換基を有するモノ置換アミノカル
ボニル基であり、好ましくは、メチルアミノカルボニル
基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボ
ニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカ
ルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルア
ミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、(2
−エチルヘキシル)アミノカルボニル基、シクロヘキシ
ルアミノカルボニル基、(3,5,5−トリメチルヘキ
シル)アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、デシルアミノカルボニル基などの炭素数2〜11の
モノアルキルアミノカルボニル基;
【0095】ベンジルアミノカルボニル基、フェネチル
アミノカルボニル基、(3−フェニルプロピル)アミノ
カルボニル基、(4−エチルベンジル)アミノカルボニ
ル基、(4−イソプロピルベンジル)アミノカルボニル
基、(4−メチルベンジル)アミノカルボニル基、(4
−アリルベンジル)アミノカルボニル基、[4−(2−
シアノエチル)ベンジル]アミノカルボニル基、[4−
(2−アセトキシエチル)ベンジル]アミノカルボニル
基などの炭素数8〜11のモノアラルキルアミノカルボ
ニル基;
アミノカルボニル基、(3−フェニルプロピル)アミノ
カルボニル基、(4−エチルベンジル)アミノカルボニ
ル基、(4−イソプロピルベンジル)アミノカルボニル
基、(4−メチルベンジル)アミノカルボニル基、(4
−アリルベンジル)アミノカルボニル基、[4−(2−
シアノエチル)ベンジル]アミノカルボニル基、[4−
(2−アセトキシエチル)ベンジル]アミノカルボニル
基などの炭素数8〜11のモノアラルキルアミノカルボ
ニル基;
【0096】アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカ
ルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカル
ボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピル
アニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル
基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカ
ルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシ
カルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニル
アニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノ
カルボニル基、4−メチルアニリノカルボニル基、4−
エチルアニリノカルボニル基など、炭素数7〜11のモ
ノアリールアミノカルボニル基;ビニルアミノカルボニ
ル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカル
ボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニル
アミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニ
ル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテ
ニルアミノカルボニル基、メチルビニルアミノカルボニ
ル基などの炭素数3〜11のモノアルケニルアミノカル
ボニル基等が挙げられる。
ルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカル
ボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピル
アニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル
基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカ
ルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシ
カルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニル
アニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノ
カルボニル基、4−メチルアニリノカルボニル基、4−
エチルアニリノカルボニル基など、炭素数7〜11のモ
ノアリールアミノカルボニル基;ビニルアミノカルボニ
ル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカル
ボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニル
アミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニ
ル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテ
ニルアミノカルボニル基、メチルビニルアミノカルボニ
ル基などの炭素数3〜11のモノアルケニルアミノカル
ボニル基等が挙げられる。
【0097】R1〜R8で表される置換または無置換のジ
置換アミノカルボニル基の例としては、前記に挙げたア
ルキル基と同様な置換基を有するジ置換アミノカルボニ
ル基であり、好ましくは、ジメチルアミノカルボニル
基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノ
カルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチ
ルアミノカルボニル基、ジ−n−ヘキシルアミノカルボ
ニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオク
チルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピ
ペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス
(メトキシエチル)アミノカルボニル基、ビス(エトキ
シエチル)アミノカルボニル基、ビス(プロポキシエチ
ル)アミノカルボニル基、ビス(ブトキシエチル)アミ
ノカルボニル基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノカ
ルボニル基、ジ(ヒドロキシエチル)アミノカルボニル
基、N−エチル−N−(2−シアノエチル)アミノカル
ボニル基、ジ(プロピオニルオキシエチル)アミノカル
ボニル基などの炭素数3〜17のジアルキルアミノカル
ボニル基;
置換アミノカルボニル基の例としては、前記に挙げたア
ルキル基と同様な置換基を有するジ置換アミノカルボニ
ル基であり、好ましくは、ジメチルアミノカルボニル
基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノ
カルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチ
ルアミノカルボニル基、ジ−n−ヘキシルアミノカルボ
ニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオク
チルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピ
ペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス
(メトキシエチル)アミノカルボニル基、ビス(エトキ
シエチル)アミノカルボニル基、ビス(プロポキシエチ
ル)アミノカルボニル基、ビス(ブトキシエチル)アミ
ノカルボニル基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノカ
ルボニル基、ジ(ヒドロキシエチル)アミノカルボニル
基、N−エチル−N−(2−シアノエチル)アミノカル
ボニル基、ジ(プロピオニルオキシエチル)アミノカル
ボニル基などの炭素数3〜17のジアルキルアミノカル
ボニル基;
【0098】ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネ
チルアミノカルボニル基、ビス(4−エチルベンジル)
アミノカルボニル基、ビス(4−イソプロピルベンジ
ル)アミノカルボニル基などの炭素数15〜21のジア
ラルキルアミノカルボニル基;ジフェニルアミノカルボ
ニル基、ジトリルアミノカルボニル基、N−フェニル−
N−トリルアミノカルボニル基などの炭素数13〜15
のジアリールアミノカルボニル基;
チルアミノカルボニル基、ビス(4−エチルベンジル)
アミノカルボニル基、ビス(4−イソプロピルベンジ
ル)アミノカルボニル基などの炭素数15〜21のジア
ラルキルアミノカルボニル基;ジフェニルアミノカルボ
ニル基、ジトリルアミノカルボニル基、N−フェニル−
N−トリルアミノカルボニル基などの炭素数13〜15
のジアリールアミノカルボニル基;
【0099】ジビニルアミノカルボニル基、ジアリルア
ミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニル基、ジ
ペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニルアミノカ
ルボニル基、N−ビニル−N−アリルアミノカルボニル
基などの炭素数5〜13のジアルケニルアミノカルボニ
ル基;N−フェニル−N−アリルアミノカルボニル基、
N−(2−アセチルオキシエチル)−N−エチルアミノ
カルボニル基、N−トリル−N−メチルアミノカルボニ
ル基、N−ビニル−N−メチルアミノカルボニル基、N
−ベンジル−N−アリルアミノカルボニル基等の置換ま
たは無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、
アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数4〜1
1のジ置換アミノカルボニル基が挙げられる。
ミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニル基、ジ
ペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニルアミノカ
ルボニル基、N−ビニル−N−アリルアミノカルボニル
基などの炭素数5〜13のジアルケニルアミノカルボニ
ル基;N−フェニル−N−アリルアミノカルボニル基、
N−(2−アセチルオキシエチル)−N−エチルアミノ
カルボニル基、N−トリル−N−メチルアミノカルボニ
ル基、N−ビニル−N−メチルアミノカルボニル基、N
−ベンジル−N−アリルアミノカルボニル基等の置換ま
たは無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、
アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数4〜1
1のジ置換アミノカルボニル基が挙げられる。
【0100】R1〜R8で表される置換または無置換のア
シルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアシルオキシ基であり、好ましく
は、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エ
チルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキ
シ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチ
ルカルボニルオキシ基、iso−ブチルカルボニルオキ
シ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、t−ブチル
カルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ
基、iso−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチ
ルカルボニルオキシ基、2−メチルブチルカルボニルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ
基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキ
シ基、プロピルベンゾイルオキシ基、4−t−ブチルベ
ンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ
基、3−ブトキシ−2−ナフトイルオキシ基、シンナモ
イルオキシ基などの炭素数1〜16のアシルオキシ基が
挙げられる。
シルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアシルオキシ基であり、好ましく
は、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エ
チルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキ
シ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチ
ルカルボニルオキシ基、iso−ブチルカルボニルオキ
シ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、t−ブチル
カルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ
基、iso−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチ
ルカルボニルオキシ基、2−メチルブチルカルボニルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ
基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキ
シ基、プロピルベンゾイルオキシ基、4−t−ブチルベ
ンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ
基、3−ブトキシ−2−ナフトイルオキシ基、シンナモ
イルオキシ基などの炭素数1〜16のアシルオキシ基が
挙げられる。
【0101】R1〜R8で表される置換または無置換のヘ
テロアリール基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するヘテロアリール基であり、好ま
しくは、フラニル基、ピロリル基、3−ピロリノ基、ピ
ラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾ
リル基、1,2,3−オキサジアゾリル基、1,2,3
−トリアゾリル基、1,2,4−トリアゾリル基、1,
3,4−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニ
ル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル
基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル
基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾ
チアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−2−イル基、ベン
ゾトリアゾール−1−イル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基、な
どの無置換ヘテロアリール基;
テロアリール基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するヘテロアリール基であり、好ま
しくは、フラニル基、ピロリル基、3−ピロリノ基、ピ
ラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾ
リル基、1,2,3−オキサジアゾリル基、1,2,3
−トリアゾリル基、1,2,4−トリアゾリル基、1,
3,4−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニ
ル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル
基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル
基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾ
チアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−2−イル基、ベン
ゾトリアゾール−1−イル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基、な
どの無置換ヘテロアリール基;
【0102】あるいは以下の置換基、即ち、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子;シアノ基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,5,5−トリ
メチルヘキシルオキシ基等のアルコキシ基;ベンジルオ
キシ基、フェネチルオキシ基などのアラルキルオキシ
基;フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キ
シリルオキシ基、メシチルオキシ基、クロロフェノキシ
基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキシ基;ビニ
ル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテ
ニル基、オクテニル基等のアルケニル基;ビニルオキシ
基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニル
オキシ基、ペンテニルオキシ基、オクテニルオキシ基等
のアルケニルオキシ基;メチルチオ基、エチルチオ基、
プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキ
シルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシル
チオ基、メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ
基、エトキシエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基
等のアルキルチオ基;ベンジルチオ基、フェネチルチオ
基などのアラルキルチオ基;フェニルチオ基、トリルチ
オ基、ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ
基、クロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等
のアリールチオ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアル
キルアミノ基;アセチル基、プロピオニル基、ブタノイ
ル基等のアシル基;メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ベンジルオキ
シカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のア
ラルキルオキシカルボニル基;フェノキシカルボニル
基、トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル
基、キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボ
ニル基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェ
ノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基;
ビニルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル
基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシ
カルボニル基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテ
ニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニ
ル基;メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボ
ニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカ
ルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルア
ミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オク
チルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、
3,5,5−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、
2−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数2〜
10のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチルア
ミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプ
ロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル
基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノ
カルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオク
チルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モ
ルホリノカルボニル基、4−メチルピペラジノカルボニ
ル基、4−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数3
〜20のジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルア
ミノカルボニル基;フラニル基、ピロリル基、3−ピロ
リノ基、ピロリジノ基、1,3−オキソラニル基、ピラ
ゾリル基、2−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イ
ミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、1,
2,3−オキサジアゾリル基、1,2,3−トリアゾリ
ル基、1,2,4−トリアゾリル基、1,3,4−チア
ジアゾリル基、4H−ピラニル基、ピリジニル基、ピペ
リジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダ
ジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニ
ル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリ
ル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベン
ゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノ
リニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリ
ニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナ
ントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等
の複素環基;などの置換基により置換したヘテロアリー
ル基が挙げられる。
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子;シアノ基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,5,5−トリ
メチルヘキシルオキシ基等のアルコキシ基;ベンジルオ
キシ基、フェネチルオキシ基などのアラルキルオキシ
基;フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キ
シリルオキシ基、メシチルオキシ基、クロロフェノキシ
基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキシ基;ビニ
ル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテ
ニル基、オクテニル基等のアルケニル基;ビニルオキシ
基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニル
オキシ基、ペンテニルオキシ基、オクテニルオキシ基等
のアルケニルオキシ基;メチルチオ基、エチルチオ基、
プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキ
シルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシル
チオ基、メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ
基、エトキシエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基
等のアルキルチオ基;ベンジルチオ基、フェネチルチオ
基などのアラルキルチオ基;フェニルチオ基、トリルチ
オ基、ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ
基、クロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等
のアリールチオ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアル
キルアミノ基;アセチル基、プロピオニル基、ブタノイ
ル基等のアシル基;メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ベンジルオキ
シカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のア
ラルキルオキシカルボニル基;フェノキシカルボニル
基、トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル
基、キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボ
ニル基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェ
ノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基;
ビニルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル
基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシ
カルボニル基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテ
ニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニ
ル基;メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボ
ニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカ
ルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルア
ミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オク
チルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、
3,5,5−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、
2−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数2〜
10のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチルア
ミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプ
ロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル
基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノ
カルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオク
チルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モ
ルホリノカルボニル基、4−メチルピペラジノカルボニ
ル基、4−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数3
〜20のジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルア
ミノカルボニル基;フラニル基、ピロリル基、3−ピロ
リノ基、ピロリジノ基、1,3−オキソラニル基、ピラ
ゾリル基、2−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イ
ミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、1,
2,3−オキサジアゾリル基、1,2,3−トリアゾリ
ル基、1,2,4−トリアゾリル基、1,3,4−チア
ジアゾリル基、4H−ピラニル基、ピリジニル基、ピペ
リジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダ
ジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニ
ル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリ
ル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベン
ゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノ
リニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリ
ニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナ
ントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等
の複素環基;などの置換基により置換したヘテロアリー
ル基が挙げられる。
【0103】R1とR2、R3とR4、R5とR6、R7とR8
が連結基を介して環を形成した例としては、−CH2−
CH2−CH2−CH2−、−CH(NO2)−CH2−C
H2−CH2−、−CH(CH3)−CH2−CH2−CH2
−、−CH(Cl)−CH2−CH2−CH2−等の脂肪
族縮合環; −CH=CH−CH=CH−、−C(NO2)=CH−
CH=CH−、−C(CH3)=CH−CH=CH−、
−C(C2H5)=CH−CH=CH−、−C(C2H5)
=CH−CH=C(C2H5)−、−CH=C(C2H5)
−C(C2H5)=CH−、−C(Cl)=CH−CH=
CH−等の芳香族縮合環が挙げられる。
が連結基を介して環を形成した例としては、−CH2−
CH2−CH2−CH2−、−CH(NO2)−CH2−C
H2−CH2−、−CH(CH3)−CH2−CH2−CH2
−、−CH(Cl)−CH2−CH2−CH2−等の脂肪
族縮合環; −CH=CH−CH=CH−、−C(NO2)=CH−
CH=CH−、−C(CH3)=CH−CH=CH−、
−C(C2H5)=CH−CH=CH−、−C(C2H5)
=CH−CH=C(C2H5)−、−CH=C(C2H5)
−C(C2H5)=CH−、−C(Cl)=CH−CH=
CH−等の芳香族縮合環が挙げられる。
【0104】R9、R10の置換基の例としては、水素原
子;シアノ基;または前述のR1〜R 8で示されるハロゲ
ン原子、アルキル基、アリール基と同様のハロゲン原
子、置換または無置換のアルキル基、アリール基が挙げ
られる。
子;シアノ基;または前述のR1〜R 8で示されるハロゲ
ン原子、アルキル基、アリール基と同様のハロゲン原
子、置換または無置換のアルキル基、アリール基が挙げ
られる。
【0105】Z1、Z2で表される置換または無置換の5
員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピロール、1−
メチルピロール、3−メチルピロール、2,5−ジメチ
ルピロール、ピラゾール、N−メチルピラゾール、3−
メチルピラゾール、4−メチルピラゾール、3,5−ジ
メチルピラゾール、イミダゾール、N−メチルイミダゾ
ール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾー
ル、1,2−ジメチルイミダゾール、オキサゾール、チ
アゾール、4−メチルチアゾール、2,4−ジメチルチ
アゾール、4,5−ジメチルチアゾール、1,2,3−
オキサジアゾール、1,2,3−トリアゾール、1,
2,4−トリアゾール、1,3,4−チアジアゾール、
2,5−ジメチル−1,3,4−チアジアゾール等が挙
げられる。
員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピロール、1−
メチルピロール、3−メチルピロール、2,5−ジメチ
ルピロール、ピラゾール、N−メチルピラゾール、3−
メチルピラゾール、4−メチルピラゾール、3,5−ジ
メチルピラゾール、イミダゾール、N−メチルイミダゾ
ール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾー
ル、1,2−ジメチルイミダゾール、オキサゾール、チ
アゾール、4−メチルチアゾール、2,4−ジメチルチ
アゾール、4,5−ジメチルチアゾール、1,2,3−
オキサジアゾール、1,2,3−トリアゾール、1,
2,4−トリアゾール、1,3,4−チアジアゾール、
2,5−ジメチル−1,3,4−チアジアゾール等が挙
げられる。
【0106】Z1、Z2で表される置換または無置換の6
員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピリジン、2−
メチルピリジン、3−メチルピリジン、4−メチルピリ
ジン、2,3−ジメチルピリジン、2,4−ジメチルピ
リジン、2,5−ジメチルピリジン、2,6−ジメチル
ピリジン、3,4−ジメチルピリジン、3,5−ジメチ
ルピリジン、2−クロロピリジン、3−クロロピリジ
ン、2−メトキシピリジン、ピリダジン、3−メチルピ
リダジン、ピリミジン、4−メチルピリミジン、2−ク
ロロピリミジン、ピラジン、2−メチルピラジン、2,
3−ジメチルピラジン、2,5−ジメチルピラジン、2
−メトキシピラジン、s−トリアジン等が挙げられる。
員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピリジン、2−
メチルピリジン、3−メチルピリジン、4−メチルピリ
ジン、2,3−ジメチルピリジン、2,4−ジメチルピ
リジン、2,5−ジメチルピリジン、2,6−ジメチル
ピリジン、3,4−ジメチルピリジン、3,5−ジメチ
ルピリジン、2−クロロピリジン、3−クロロピリジ
ン、2−メトキシピリジン、ピリダジン、3−メチルピ
リダジン、ピリミジン、4−メチルピリミジン、2−ク
ロロピリミジン、ピラジン、2−メチルピラジン、2,
3−ジメチルピラジン、2,5−ジメチルピラジン、2
−メトキシピラジン、s−トリアジン等が挙げられる。
【0107】Z1、Z2で表される置換または無置換の縮
環含窒素芳香族化合物の例としては、インドール、N−
メチルインドール、2−メチルインドール、3−メチル
インドール、5−メチルインドール、1,2−ジメチル
インドール、2,3−ジメチルインドール、4−クロロ
インドール、5−クロロインドール、6−クロロインド
ール、4−メトキシインドール、5−メトキシインドー
ル、6−メトキシインドール、ベンズイミダゾール、2
−メチルベンズイミダゾール、5−メチルベンズイミダ
ゾール、5,6−ジメチルベンズイミダゾール、5−ク
ロロベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、2−メチ
ルベンゾチアゾール、2,5−ジメチルベンゾチアゾー
ル、2−クロロベンゾチアゾール、プリン、キノリン、
2−メチルキノリン、3−メチルキノリン、4−メチル
キノリン、6−メチルキノリン、7−メチルキノリン、
8−メチルキノリン、2,4−ジメチルキノリン、2,
6−ジメチルキノリン、2−クロロキノリン、6−クロ
ロキノリン、8−クロロキノリン、6−メトキシキノリ
ン、イソキノリン、1−メチルイソキノリン、キノキサ
リン、2−メチルキノキサリン、2,3−ジメチルキノ
キサリン、カルバゾール、N−メチルカルバゾール、ア
クリジン、9−メチルアクリジン、フェノチアジン等が
挙げられる。
環含窒素芳香族化合物の例としては、インドール、N−
メチルインドール、2−メチルインドール、3−メチル
インドール、5−メチルインドール、1,2−ジメチル
インドール、2,3−ジメチルインドール、4−クロロ
インドール、5−クロロインドール、6−クロロインド
ール、4−メトキシインドール、5−メトキシインドー
ル、6−メトキシインドール、ベンズイミダゾール、2
−メチルベンズイミダゾール、5−メチルベンズイミダ
ゾール、5,6−ジメチルベンズイミダゾール、5−ク
ロロベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、2−メチ
ルベンゾチアゾール、2,5−ジメチルベンゾチアゾー
ル、2−クロロベンゾチアゾール、プリン、キノリン、
2−メチルキノリン、3−メチルキノリン、4−メチル
キノリン、6−メチルキノリン、7−メチルキノリン、
8−メチルキノリン、2,4−ジメチルキノリン、2,
6−ジメチルキノリン、2−クロロキノリン、6−クロ
ロキノリン、8−クロロキノリン、6−メトキシキノリ
ン、イソキノリン、1−メチルイソキノリン、キノキサ
リン、2−メチルキノキサリン、2,3−ジメチルキノ
キサリン、カルバゾール、N−メチルカルバゾール、ア
クリジン、9−メチルアクリジン、フェノチアジン等が
挙げられる。
【0108】Mで表される2価の金属原子の具体的な例
としては、Cu、Zn、Fe、Co、Ni、Ru、R
h、Pd、Pt、Mn、Sn、Mg、Pb、Hg、C
d、Ba、Ti、Be、Ca等が挙げられる。
としては、Cu、Zn、Fe、Co、Ni、Ru、R
h、Pd、Pt、Mn、Sn、Mg、Pb、Hg、C
d、Ba、Ti、Be、Ca等が挙げられる。
【0109】本発明に用いられる一般式(1)で示され
る化合物は、限定されてないが、例えば、J. Chem. So
c. (C), 22-29(1996)、J. Biochem., 121, 654-660(199
7)、Z. Physiol. Chem, 214, 145(1933)、Die Chemie d
es Pyrrols, Band II, Halfte2, pp. 411-414,Akademi
sche Verlagesellschuft, Leipzig(1940)、J. Am. Che
m. Soc., 118, 16, 3869-3882 (1996)、Helv. Chim. Ac
ta, 64(4), 1098-1112(1981)等に記載の方法に準じて製
造される。代表的には、以下のような四段階の反応にて
製造することができる。
る化合物は、限定されてないが、例えば、J. Chem. So
c. (C), 22-29(1996)、J. Biochem., 121, 654-660(199
7)、Z. Physiol. Chem, 214, 145(1933)、Die Chemie d
es Pyrrols, Band II, Halfte2, pp. 411-414,Akademi
sche Verlagesellschuft, Leipzig(1940)、J. Am. Che
m. Soc., 118, 16, 3869-3882 (1996)、Helv. Chim. Ac
ta, 64(4), 1098-1112(1981)等に記載の方法に準じて製
造される。代表的には、以下のような四段階の反応にて
製造することができる。
【0110】まず、第一段階では、一般式(5)及び一
般式(6)で示されるジピロメタン化合物をそれぞれ酢
酸等の溶媒中、臭素により臭素化し各々一般式(7)お
よび一般式(8)で示されるジピロメテン化合物を得
る。
般式(6)で示されるジピロメタン化合物をそれぞれ酢
酸等の溶媒中、臭素により臭素化し各々一般式(7)お
よび一般式(8)で示されるジピロメテン化合物を得
る。
【0111】
【化6】
【0112】
【化7】 [式中、R1〜R10は、式(2)のR1〜R10とそれぞれ
同一の基を表す。]
同一の基を表す。]
【0113】
【化8】
【0114】
【化9】 [式中、R1〜R10は、式(2)のR1〜R10とそれぞれ
同一の基を表す。]
同一の基を表す。]
【0115】次いで第二段階では、一般式(7)および
一般式(8)で示されるジピロメテン化合物を、それぞ
れエタノール等のアルコール系溶媒および/またはジメ
チルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、
金属または半金属の酢酸塩、硫酸塩、硝酸塩またはハロ
ゲン化塩等を用い、空気などの酸化剤あるいは非存在下
で反応させることにより、一般式(9)で示されるジピ
ロメテン金属錯体を得る。
一般式(8)で示されるジピロメテン化合物を、それぞ
れエタノール等のアルコール系溶媒および/またはジメ
チルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、
金属または半金属の酢酸塩、硫酸塩、硝酸塩またはハロ
ゲン化塩等を用い、空気などの酸化剤あるいは非存在下
で反応させることにより、一般式(9)で示されるジピ
ロメテン金属錯体を得る。
【0116】
【化10】 [式中、R1〜R10およびMは、式(2)のR1〜R10お
よびMとそれぞれ同一の基を表す。]
よびMとそれぞれ同一の基を表す。]
【0117】次いで、第三段階では、ジピロメテン金属
錯体(9)をエタノール等のアルコール系溶媒および/
またはジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機
溶媒中でアジ化ナトリウム等と反応させることにより、
一般式(10)で示されるジアザポルフィリン化合物を
得る。
錯体(9)をエタノール等のアルコール系溶媒および/
またはジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機
溶媒中でアジ化ナトリウム等と反応させることにより、
一般式(10)で示されるジアザポルフィリン化合物を
得る。
【0118】
【化11】 [式中、R1〜R10およびMは、式(2)のR1〜R10お
よびMとそれぞれ同一の基を表す。]
よびMとそれぞれ同一の基を表す。]
【0119】次いで、第四段階では、ジアザポルフィリ
ン化合物(10)を、トルエン等の有機溶媒中で、前記
Z1、Z2で示される含窒素芳香族化合物と反応させるこ
とにより、一般式(2)で示される本発明に用いられる
ジアザポルフィリン化合物を得る。
ン化合物(10)を、トルエン等の有機溶媒中で、前記
Z1、Z2で示される含窒素芳香族化合物と反応させるこ
とにより、一般式(2)で示される本発明に用いられる
ジアザポルフィリン化合物を得る。
【0120】表−1に本発明の一般式(2)で示される
ジアザポルフィリン化合物の具体例を示す。
ジアザポルフィリン化合物の具体例を示す。
【0121】
【表1】
【0122】
【表2】
【0123】
【表3】
【0124】
【表4】
【0125】本発明の光記録媒体を構成している記録層
の色素は、実質的に1種またはそれ以上の式(1)の化
合物からなるものであり、さらに、所望に応じて波長2
90nm〜690nmに吸収極大を持ち、300nm〜
700nmでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混合
しても良い。具体的には、シアニン系化合物、スクアリ
リウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、イン
ドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリ
リウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニル
メタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系
化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メ
ロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系
化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物な
どがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これら
の化合物の混合割合は、0.1質量%〜30質量%程度
である。
の色素は、実質的に1種またはそれ以上の式(1)の化
合物からなるものであり、さらに、所望に応じて波長2
90nm〜690nmに吸収極大を持ち、300nm〜
700nmでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混合
しても良い。具体的には、シアニン系化合物、スクアリ
リウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、イン
ドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリ
リウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニル
メタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系
化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メ
ロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系
化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物な
どがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これら
の化合物の混合割合は、0.1質量%〜30質量%程度
である。
【0126】記録層を成膜する際に、必要に応じて式
(1)で表される化合物に、クエンチャー、化合物熱分
解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤などを混合するか、あ
るいは、そのような効果を有する化合物を式(1)で表
される化合物の置換基として導入することも可能であ
る。
(1)で表される化合物に、クエンチャー、化合物熱分
解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤などを混合するか、あ
るいは、そのような効果を有する化合物を式(1)で表
される化合物の置換基として導入することも可能であ
る。
【0127】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。
【0128】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
(TG分析)などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン[Mn(C5H5)(CO)
3]などのMn系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体(フェロセ
ン)をはじめ、Ti、V、Mn、Cr、Co、Ni、M
o、Ru、Rh、Zr、Lu、Ta、W、Os、Ir、
Sc、Yなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分
解促進効果がある。
(TG分析)などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン[Mn(C5H5)(CO)
3]などのMn系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体(フェロセ
ン)をはじめ、Ti、V、Mn、Cr、Co、Ni、M
o、Ru、Rh、Zr、Lu、Ta、W、Os、Ir、
Sc、Yなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分
解促進効果がある。
【0129】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。
【0130】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、1種類で用いても、2種
類以上を混合して用いても良い。
分解促進剤は、必要に応じて、1種類で用いても、2種
類以上を混合して用いても良い。
【0131】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。
【0132】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。
【0133】ここで、記録層における一般式(1)で示
される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量
を選択することができるが、通常、30質量%以上、好
ましくは60質量%以上である。尚、実質的に100質
量%であることも好ましい。
される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量
を選択することができるが、通常、30質量%以上、好
ましくは60質量%以上である。尚、実質的に100質
量%であることも好ましい。
【0134】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。
【0135】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式(1)で示される化合物を1〜40質量
%、好ましくは3〜30質量%となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。
には、一般式(1)で示される化合物を1〜40質量
%、好ましくは3〜30質量%となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。
【0136】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【0137】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。
【0138】記録層の膜厚は、30nm〜1000nm
であるが、好ましくは50nm〜300nmである。記
録層の膜厚を30nmより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が1000n
mより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化
する場合がある。
であるが、好ましくは50nm〜300nmである。記
録層の膜厚を30nmより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が1000n
mより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化
する場合がある。
【0139】次に記録層の上に、好ましくは50nm〜
300nmの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、P
t、TaおよびPdの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもAu、Ag、Alは
反射率が高く反射層の材料として適している。青色レー
ザーでの記録・再生を行う場合には、AlまたはAgが
好適である。これ以外でも下記のものを含んでいても良
い。例えば、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、
Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、G
a、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi
などの金属および半金属を挙げることができる。また、
AgまたはAlを主成分とするものは反射率の高い反射
層が容易に得られるため好適である。金属以外の材料で
低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜
を形成し、反射層として用いることも可能である。
300nmの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、P
t、TaおよびPdの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもAu、Ag、Alは
反射率が高く反射層の材料として適している。青色レー
ザーでの記録・再生を行う場合には、AlまたはAgが
好適である。これ以外でも下記のものを含んでいても良
い。例えば、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、
Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、G
a、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi
などの金属および半金属を挙げることができる。また、
AgまたはAlを主成分とするものは反射率の高い反射
層が容易に得られるため好適である。金属以外の材料で
低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜
を形成し、反射層として用いることも可能である。
【0140】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
【0141】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。無機物質としては、SiO2、Si3N4、
MgF2、AlN、SnO2などが挙げられる。また、有
機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線
硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができ
る。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調整した後に、この塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。紫外線硬化
性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液
を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して
硬化させることによって形成することができる。紫外線
硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、
エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなど
のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材
料は単独であるいは混合して用いても良く、1層だけで
なく多層膜にして用いても良い。
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。無機物質としては、SiO2、Si3N4、
MgF2、AlN、SnO2などが挙げられる。また、有
機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線
硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができ
る。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調整した後に、この塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。紫外線硬化
性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液
を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して
硬化させることによって形成することができる。紫外線
硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、
エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなど
のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材
料は単独であるいは混合して用いても良く、1層だけで
なく多層膜にして用いても良い。
【0142】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
【0143】保護層の膜厚は、一般には0.1μm〜1
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは、5μm〜20μmで
ある。
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは、5μm〜20μmで
ある。
【0144】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。
行うこともできる。
【0145】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。
【0146】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。
【0147】ここで、本発明で言う波長300nm〜5
00nmおよび500〜700nmのレーザーは、特に
制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択
のできる色素レーザーや、He−Neレーザー(633
nm)、窒素レーザー(337nm)等のガスレーザ
ー、波長445nmのヘリウムカドミウムレーザー、波
長457nmあるいは488nmのアルゴンレーザー等
のイオンレーザー、波長400〜410nmののGaN
系レーザー、CrドープしたLiSnAlF6を用いた
波長860nmの赤外線レーザーの第2高調波430n
mを発振するレーザー他、波長415、425、60
2、612、635、647、650、660、67
0、680nm等の可視半導体レーザー等の半導体レー
ザー等があげられる。本発明では、上述の半導体レーザ
ー等を記録または再生を行う記録層の感応する波長に応
じて適宜選択することができる。高密度記録および再生
は各々、上述の該半導体レーザーから選択される1波長
または複数波長において可能となる。
00nmおよび500〜700nmのレーザーは、特に
制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択
のできる色素レーザーや、He−Neレーザー(633
nm)、窒素レーザー(337nm)等のガスレーザ
ー、波長445nmのヘリウムカドミウムレーザー、波
長457nmあるいは488nmのアルゴンレーザー等
のイオンレーザー、波長400〜410nmののGaN
系レーザー、CrドープしたLiSnAlF6を用いた
波長860nmの赤外線レーザーの第2高調波430n
mを発振するレーザー他、波長415、425、60
2、612、635、647、650、660、67
0、680nm等の可視半導体レーザー等の半導体レー
ザー等があげられる。本発明では、上述の半導体レーザ
ー等を記録または再生を行う記録層の感応する波長に応
じて適宜選択することができる。高密度記録および再生
は各々、上述の該半導体レーザーから選択される1波長
または複数波長において可能となる。
【0148】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。
れによりなんら限定されるものではない。
【0149】実施例1 一般式(1)で表される化合物のうち、表1記載の化合
物(1−1)0.2gをジメチルシクロヘキサン10m
lに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリカーボ
ネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピッチ:0.
74mm)を有する外径120mmφ、厚さ0.6mm
の円盤状のものを用いた。この基板上に色素溶液を回転
速度1500min-1でスピンコートし、70℃3時間
乾燥して、記録層を形成した。この記録層上にバルザー
ス社製スパッタ装置(CDI−900)を用いてAgを
スパッタし、厚さ100nmの反射層を形成した。スパ
ッタガスにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、
スパッタパワー2.5Kw、スパッタガス圧1.33P
a(1.0×10-2Torr)で行った。
物(1−1)0.2gをジメチルシクロヘキサン10m
lに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリカーボ
ネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピッチ:0.
74mm)を有する外径120mmφ、厚さ0.6mm
の円盤状のものを用いた。この基板上に色素溶液を回転
速度1500min-1でスピンコートし、70℃3時間
乾燥して、記録層を形成した。この記録層上にバルザー
ス社製スパッタ装置(CDI−900)を用いてAgを
スパッタし、厚さ100nmの反射層を形成した。スパ
ッタガスにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、
スパッタパワー2.5Kw、スパッタガス圧1.33P
a(1.0×10-2Torr)で行った。
【0150】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂SD−
17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5mmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射し
て基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5mmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射し
て基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【0151】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のように評価試験を行った。
録媒体について、以下のように評価試験を行った。
【0152】波長403nm、開口数0.65の青色レ
ーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数9.7
MHz、レーザーパワー8.5mW、線速9.0m/
s、最短ピット長0.46μmとして記録を行った。良
好にピットが形成され、記録できた。記録後、同評価装
置により、線速9.0m/sで再生を行ったところ、C
/N比[dB]40dB以上であり、ピットを読み取る
ことができた。
ーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数9.7
MHz、レーザーパワー8.5mW、線速9.0m/
s、最短ピット長0.46μmとして記録を行った。良
好にピットが形成され、記録できた。記録後、同評価装
置により、線速9.0m/sで再生を行ったところ、C
/N比[dB]40dB以上であり、ピットを読み取る
ことができた。
【0153】また、4万ルクスのXe光を100時間当
てる耐光性試験を行った。試験後も、ピットを読み取る
ことができた。
てる耐光性試験を行った。試験後も、ピットを読み取る
ことができた。
【0154】更に湿度85%RH、80℃の雰囲気下で
放置する耐湿熱性試験を200時間行った。試験後もピ
ットを読み取ることができた。
放置する耐湿熱性試験を200時間行った。試験後もピ
ットを読み取ることができた。
【0155】実施例2 実施例1に従い作製した光記録媒体を評価するにあた
り、0.6mm厚に対応した波長635nm半導体レー
ザーヘッドを搭載した評価機を用いて、線速3.5m/
s、レーザーパワー8mWで最短ピット長0.40μm
になるように記録を行った。良好にピットを形成し、記
録できた。記録後、同評価装置を用いて再生を行ったと
ころ、ピットを読み取ることができた。
り、0.6mm厚に対応した波長635nm半導体レー
ザーヘッドを搭載した評価機を用いて、線速3.5m/
s、レーザーパワー8mWで最短ピット長0.40μm
になるように記録を行った。良好にピットを形成し、記
録できた。記録後、同評価装置を用いて再生を行ったと
ころ、ピットを読み取ることができた。
【0156】また、耐光性試験および耐湿熱性試験を行
った結果、試験後もピットを読み取ることができた。
った結果、試験後もピットを読み取ることができた。
【0157】実施例3〜7 記録層に化合物(1−37)〜(1−41)を用いるこ
と以外は実施例1と同様にして光記録媒体を作製し、実
施例1と同様に記録と再生を行った。良好にピットを形
成し、また、ピットを読み取ることができた。
と以外は実施例1と同様にして光記録媒体を作製し、実
施例1と同様に記録と再生を行った。良好にピットを形
成し、また、ピットを読み取ることができた。
【0158】また、耐光性試験および耐湿熱性試験を行
った結果、試験後も、ピットを読み取ることができた。
った結果、試験後も、ピットを読み取ることができた。
【0159】実施例8 一般式(1)で表される化合物のうち、表1記載の化合
物(1−2)をポリカーボネート樹脂製で連続した案内
溝(トラックピッチ:0.74μm)を有する外径12
0mmφ、厚さ0.6mmの円盤状の基板上に、真空蒸
着法にて厚さ70nmとなるように成膜した。
物(1−2)をポリカーボネート樹脂製で連続した案内
溝(トラックピッチ:0.74μm)を有する外径12
0mmφ、厚さ0.6mmの円盤状の基板上に、真空蒸
着法にて厚さ70nmとなるように成膜した。
【0160】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置(CDI−900)を用いて銀をスパッタし、厚さ
100nmの反射層を形成した。スパッタガスにはアル
ゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー
2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×1
0-2Torr)で行った。
装置(CDI−900)を用いて銀をスパッタし、厚さ
100nmの反射層を形成した。スパッタガスにはアル
ゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー
2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×1
0-2Torr)で行った。
【0161】さらに、反射層の上に紫外線硬化樹脂SD
−17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5mmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂基板をのせ、
紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。
−17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ5mmの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂SD−301(大日本
インキ化学工業製)をスピンコートした後、前記基板と
同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂基板をのせ、
紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。
【0162】次に、実施例1と同様に記録と再生を行っ
た。良好にピットを形成し、また、ピットを読み取るこ
とができた。
た。良好にピットを形成し、また、ピットを読み取るこ
とができた。
【0163】また、耐光性試験および耐湿熱性試験を行
った結果、試験後も、ピットを読み取ることができた。
った結果、試験後も、ピットを読み取ることができた。
【0164】実施例9〜42 記録層に化合物(1−3)〜(1−36)を用いること
以外は実施例8と同様にして光記録媒体を作製し、実施
例8と同様に記録と再生を行った。良好にピットを形成
し、また、ピットを読み取ることができた。
以外は実施例8と同様にして光記録媒体を作製し、実施
例8と同様に記録と再生を行った。良好にピットを形成
し、また、ピットを読み取ることができた。
【0165】また、耐光性試験および耐湿熱性試験を行
った結果、試験後も、ピットを読み取ることができた。
った結果、試験後も、ピットを読み取ることができた。
【0166】比較例1 化合物(1−1)の代わりに、式(a)
【0167】
【化12】
【0168】の化合物を用いた以外は、実施例1と同様
にして、光記録媒体を作製し、実施例1と同様に記録と
再生を行った。信号特性が悪く(C/N比[dB]40
dB未満)、ピットの読み取りが困難であった。
にして、光記録媒体を作製し、実施例1と同様に記録と
再生を行った。信号特性が悪く(C/N比[dB]40
dB未満)、ピットの読み取りが困難であった。
【0169】比較例2 化合物(1−1)の代わりに、式(b)
【0170】
【化13】
【0171】の化合物を用いた以外は、実施例1と同様
にして、光記録媒体を作製し、実施例1と同様に記録と
再生を行った。C/N比が30dB以下と劣悪であっ
た。
にして、光記録媒体を作製し、実施例1と同様に記録と
再生を行った。C/N比が30dB以下と劣悪であっ
た。
【0172】上述の実施例1〜42と比較例1〜2との
記録特性の比較から明らかなとおり、本発明の光記録媒
体は、青色レーザー波長領域ならびに赤色レーザー波長
領域のいずれにおいても、記録再生が可能であり、耐光
性および耐湿熱性とも優れている。
記録特性の比較から明らかなとおり、本発明の光記録媒
体は、青色レーザー波長領域ならびに赤色レーザー波長
領域のいずれにおいても、記録再生が可能であり、耐光
性および耐湿熱性とも優れている。
【0173】このことから、本発明で規定する構造の化
合物を含有する記録層は、波長300〜500nmおよ
び/または500〜700nmから選択されるレーザー
光による信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は
波長300〜500nmおよび/または500〜700
nmから選択されるレーザー光を記録再生に用いる光記
録媒体に用いることができる。
合物を含有する記録層は、波長300〜500nmおよ
び/または500〜700nmから選択されるレーザー
光による信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は
波長300〜500nmおよび/または500〜700
nmから選択されるレーザー光を記録再生に用いる光記
録媒体に用いることができる。
【0174】
【発明の効果】本発明によれば、一般式(1)で示され
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長300〜500
nmレーザーでの記録および再生、ならびに映画等2時
間以上の動画の録画用に用いられる波長500〜700
nmでの記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提
供することが可能となる。
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長300〜500
nmレーザーでの記録および再生、ならびに映画等2時
間以上の動画の録画用に用いられる波長500〜700
nmでの記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提
供することが可能となる。
【図1】本発明の光記録媒体の一構成例を示す模式図で
ある。
ある。
【図2】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式
図である。
図である。
【図3】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す
模式図である。
模式図である。
1 :基板 2 :記録層 3 :反射層 4 :保護層 5 :接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小木曽 章 千葉県袖ヶ浦市長浦580番地32 三井化学 株式会社内 (72)発明者 塚原 宇 千葉県袖ヶ浦市長浦580番地32 三井化学 株式会社内 (72)発明者 井上 忍 千葉県袖ヶ浦市長浦580番地32 三井化学 株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 千葉県袖ヶ浦市長浦580番地32 三井化学 株式会社内 (72)発明者 小池 正士 千葉県袖ヶ浦市長浦580番地32 三井化学 株式会社内 Fターム(参考) 2H111 EA03 FB42 HA14 5D029 JA04
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に記録層として有機色素層を有す
る光記録媒体において、該有機色素層中に、一般式
(1)で示されるジアザポルフィリン系化合物を少なく
とも1種含有する光記録媒体。 【化1】 〔式中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、X、Yはそれぞれ独
立に置換基を有していてもよいメチン基を表し、Mは2
価の金属原子を表し、W1、W2はそれぞれ独立に、金属
原子Mに配位した置換基を有していてもよい含窒素芳香
族化合物を表す。〕 - 【請求項2】 ジアザポルフィリン化合物が一般式
(2)で表される請求項1記載の光記録媒体。 【化2】 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8はそ
れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、
スルホン酸基、置換または無置換のアルキル基、アラル
キル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、ア
ラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキ
シ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチ
オ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換ア
ミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキ
ルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボ
ニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基ま
たはヘテロアリール基を表し、R1とR2、R3とR4、R
5とR6、R7とR8は連結基を介して、それぞれ併せて脂
肪族または芳香族縮合環を形成してもよく、R9、R10
はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、置換または無置換のアルキル基、アリール基を示
し、Mは2価の金属原子を表し、Z1、Z2はそれぞれ独
立に、金属原子Mに配位した置換または無置換の5員環
含窒素芳香族化合物、6員環含窒素芳香族化合物または
縮環含窒素芳香族化合物を表す。〕 - 【請求項3】 波長300nm〜500nmおよび/ま
たは500nm〜700nmの範囲から選択されるレー
ザー光に対して記録および再生が可能である請求項1の
光記録媒体。 - 【請求項4】 波長400nm〜500nmおよび/ま
たは600nm〜700nmの範囲から選択されるレー
ザー光により記録および再生が可能である請求項1の光
記録媒体。 - 【請求項5】 波長400nm〜410nmおよび/ま
たは635nm〜670nmの範囲から選択されるレー
ザー光により記録および再生が可能である請求項1の光
記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000106501A JP2001287460A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000106501A JP2001287460A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001287460A true JP2001287460A (ja) | 2001-10-16 |
Family
ID=18619658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000106501A Pending JP2001287460A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001287460A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005313632A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 新規ジアザポルフィリン系化合物、および該化合物を用いた光学記録媒体 |
US7205039B2 (en) | 2003-10-17 | 2007-04-17 | Fujifilm Corporation | Optical information recording medium, information recording method, and dye compound |
US7491486B2 (en) | 2003-07-16 | 2009-02-17 | Fujifilm Corporation | Optical information recording medium |
CN108503673A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-07 | 南京邮电大学 | 一种近红外氮杂吡咯烷染料及其制备方法和应用 |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000106501A patent/JP2001287460A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7491486B2 (en) | 2003-07-16 | 2009-02-17 | Fujifilm Corporation | Optical information recording medium |
US7205039B2 (en) | 2003-10-17 | 2007-04-17 | Fujifilm Corporation | Optical information recording medium, information recording method, and dye compound |
JP2005313632A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 新規ジアザポルフィリン系化合物、および該化合物を用いた光学記録媒体 |
CN108503673A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-07 | 南京邮电大学 | 一种近红外氮杂吡咯烷染料及其制备方法和应用 |
CN108503673B (zh) * | 2018-04-28 | 2020-12-29 | 南京邮电大学 | 一种近红外氮杂吡咯烷染料及其制备方法和应用 |
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