JP2002134763A - 半導体受光素子収納用容器 - Google Patents
半導体受光素子収納用容器Info
- Publication number
- JP2002134763A JP2002134763A JP2000329619A JP2000329619A JP2002134763A JP 2002134763 A JP2002134763 A JP 2002134763A JP 2000329619 A JP2000329619 A JP 2000329619A JP 2000329619 A JP2000329619 A JP 2000329619A JP 2002134763 A JP2002134763 A JP 2002134763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- resin frame
- receiving element
- semiconductor light
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂枠体とセラミック基板との間に隙間が発生
し、洗浄工程でダストがその隙間に残り、ダストの一部
が半導体受光素子に付着して誤動作を起こすという問題
点を解消し、また樹脂枠体とセラミック基板との接合時
に接着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出しを防止
すること。 【解決手段】セラミック基板1の上面の樹脂枠体2の下
方の部位に樹脂枠体2の内側面がその開口上に位置する
溝5が略全周にわたって形成されており、かつ溝5の内
面の算術平均粗さRaが0.05〜0.4μmである。
し、洗浄工程でダストがその隙間に残り、ダストの一部
が半導体受光素子に付着して誤動作を起こすという問題
点を解消し、また樹脂枠体とセラミック基板との接合時
に接着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出しを防止
すること。 【解決手段】セラミック基板1の上面の樹脂枠体2の下
方の部位に樹脂枠体2の内側面がその開口上に位置する
溝5が略全周にわたって形成されており、かつ溝5の内
面の算術平均粗さRaが0.05〜0.4μmである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ファクシミリやイ
メージスキャナ等に使用される、長尺のラインセンサ用
CCD等の半導体受光素子を搭載収納する中空部を有す
る半導体受光素子収納用容器に関する。
メージスキャナ等に使用される、長尺のラインセンサ用
CCD等の半導体受光素子を搭載収納する中空部を有す
る半導体受光素子収納用容器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、OA機器類のファクシミリやイメ
ージスキャナ等に使用されるラインセンサは、長尺のラ
インセンサ用CCD(Charge Coupled Device:電荷
結合素子)等の半導体受光素子を半導体受光素子収納用
容器(以下、半導体容器という)に搭載することによっ
て構成されている。このような半導体容器には、セラミ
ック基板の上面に形成された溝に半導体受光素子の搭載
部を有して成るセラミックパッケージが用いられてい
た。そして、その搭載部に半導体受光素子をダイボンド
し、ボンディングワイヤ等による電気的配線を行って、
溝の開口にガラスまたはプラスチックから成る透明窓を
封着することによって、ラインセンサとして使用されて
いた。
ージスキャナ等に使用されるラインセンサは、長尺のラ
インセンサ用CCD(Charge Coupled Device:電荷
結合素子)等の半導体受光素子を半導体受光素子収納用
容器(以下、半導体容器という)に搭載することによっ
て構成されている。このような半導体容器には、セラミ
ック基板の上面に形成された溝に半導体受光素子の搭載
部を有して成るセラミックパッケージが用いられてい
た。そして、その搭載部に半導体受光素子をダイボンド
し、ボンディングワイヤ等による電気的配線を行って、
溝の開口にガラスまたはプラスチックから成る透明窓を
封着することによって、ラインセンサとして使用されて
いた。
【0003】また、種々の仕様やコスト低減の要求に応
えるべく、透明窓を封着する代わりに透光性封止樹脂に
よるポッティングを行うことや、セラミック基板に代え
て樹脂基板を用いたプラスチックパッケージを用いるこ
とが行われていた。
えるべく、透明窓を封着する代わりに透光性封止樹脂に
よるポッティングを行うことや、セラミック基板に代え
て樹脂基板を用いたプラスチックパッケージを用いるこ
とが行われていた。
【0004】最近では、複数のリードフレームを狭持し
た樹脂枠体とセラミック基板とを接着剤で接合すること
により、搭載面の寸法精度が高く、かつ熱放散性に優れ
る半導体容器が提案されている(特開平12−1383
05号公報参照)。
た樹脂枠体とセラミック基板とを接着剤で接合すること
により、搭載面の寸法精度が高く、かつ熱放散性に優れ
る半導体容器が提案されている(特開平12−1383
05号公報参照)。
【0005】また、他の従来例として、容器本体とキャ
ップを接着するシール材が容器本体の中央部へ流れ込む
のを阻止するための溝が容器本体のシール部の内側に沿
って設けられている構成の半導体装置が提案されている
(特開平3−266453号公報参照)。
ップを接着するシール材が容器本体の中央部へ流れ込む
のを阻止するための溝が容器本体のシール部の内側に沿
って設けられている構成の半導体装置が提案されている
(特開平3−266453号公報参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6の
ような特開平12−138305号公報の半導体容器で
は、セラミック基板11と樹脂枠体12を熱硬化性の接
着剤14で接合する際、接着剤14が硬化時に収縮し、
セラミック基板11と樹脂枠体12との間に隙間Cが発
生することがあり、その隙間Cにダストが挟まりやすく
なり、洗浄工程でもダストの除去が困難となっていた。
その結果、パッケージを封止した後にダストの一部が飛
散し、半導体受光素子の表面にダストが付着し半導体受
光素子が誤動作してしまう場合があった。
ような特開平12−138305号公報の半導体容器で
は、セラミック基板11と樹脂枠体12を熱硬化性の接
着剤14で接合する際、接着剤14が硬化時に収縮し、
セラミック基板11と樹脂枠体12との間に隙間Cが発
生することがあり、その隙間Cにダストが挟まりやすく
なり、洗浄工程でもダストの除去が困難となっていた。
その結果、パッケージを封止した後にダストの一部が飛
散し、半導体受光素子の表面にダストが付着し半導体受
光素子が誤動作してしまう場合があった。
【0007】また、材料コスト低減の目的から接着剤1
4の幅を小さくすると、セラミック基板11と樹脂枠体
12との間の隙間Cが図6の場合よりさらに大きくなる
こととなり、それによってダストがさらに挟まりやすく
なり、洗浄工程で挟まったダストをほとんど除去できな
くなっていた。その結果、半導体受光素子の表面にさら
にダストが付着し半導体受光素子が誤動作してしまう場
合があった。さらに、接着剤14の幅が小さいためセラ
ミック基板11と樹脂枠体12の間の接合強度が低下し
ていた。
4の幅を小さくすると、セラミック基板11と樹脂枠体
12との間の隙間Cが図6の場合よりさらに大きくなる
こととなり、それによってダストがさらに挟まりやすく
なり、洗浄工程で挟まったダストをほとんど除去できな
くなっていた。その結果、半導体受光素子の表面にさら
にダストが付着し半導体受光素子が誤動作してしまう場
合があった。さらに、接着剤14の幅が小さいためセラ
ミック基板11と樹脂枠体12の間の接合強度が低下し
ていた。
【0008】逆に接着剤14の幅を大きくすると、図7
に示すように接合時に接着剤14の搭載面11aへのは
み出しが起こり、半導体受光素子側へ流れ込んで、半導
体受光素子の側面に付着し、半導体受光素子自体の動作
特性に影響を与える場合があった。
に示すように接合時に接着剤14の搭載面11aへのは
み出しが起こり、半導体受光素子側へ流れ込んで、半導
体受光素子の側面に付着し、半導体受光素子自体の動作
特性に影響を与える場合があった。
【0009】一方、特開平3−266453号公報のよ
うに、シール部の内側の載置部に溝を設けると半導体受
光素子の搭載面が大きくなり、パッケージが大型重量化
されるという問題点を有していた。
うに、シール部の内側の載置部に溝を設けると半導体受
光素子の搭載面が大きくなり、パッケージが大型重量化
されるという問題点を有していた。
【0010】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたもので、その目的は、樹脂枠体とセラミック基板と
の間に隙間が発生し、洗浄工程でダストがその隙間に残
り、ダストの一部が半導体受光素子に付着して誤動作を
起こすという問題点を解消し、また樹脂枠体とセラミッ
ク基板との接合時に接着剤の半導体受光素子の搭載面へ
のはみ出しを防止することである。
れたもので、その目的は、樹脂枠体とセラミック基板と
の間に隙間が発生し、洗浄工程でダストがその隙間に残
り、ダストの一部が半導体受光素子に付着して誤動作を
起こすという問題点を解消し、また樹脂枠体とセラミッ
ク基板との接合時に接着剤の半導体受光素子の搭載面へ
のはみ出しを防止することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体容器は、
セラミック基板と、該セラミック基板と略同じ外形寸法
を有するとともに複数のリードフレームを狭持した樹脂
枠体とを接着剤により接合して成り、前記セラミック基
板の上面の前記樹脂枠体に囲まれた領域に半導体受光素
子の搭載面を有する半導体受光素子収納用容器におい
て、前記上面の前記樹脂枠体の下方の部位に前記樹脂枠
体の内側面がその開口上に位置する溝が略全周にわたっ
て形成されており、かつ前記溝の内面の算術平均粗さR
aが0.05〜0.4μmであることを特徴とするもの
である。
セラミック基板と、該セラミック基板と略同じ外形寸法
を有するとともに複数のリードフレームを狭持した樹脂
枠体とを接着剤により接合して成り、前記セラミック基
板の上面の前記樹脂枠体に囲まれた領域に半導体受光素
子の搭載面を有する半導体受光素子収納用容器におい
て、前記上面の前記樹脂枠体の下方の部位に前記樹脂枠
体の内側面がその開口上に位置する溝が略全周にわたっ
て形成されており、かつ前記溝の内面の算術平均粗さR
aが0.05〜0.4μmであることを特徴とするもの
である。
【0012】本発明は、上記の構成により、セラミック
基板の上面に略全周にわたって溝が所定の場所に形成さ
れており、かつ溝の内面の算術平均粗さRaが0.05
〜0.4μmであることにより、樹脂枠体とセラミック
基板との隙間に残ったダストを洗浄工程で除去すること
が容易となり、半導体受光素子にダストが付着すること
がなくなり、半導体受光素子を正常に作動させることが
できる。さらに、樹脂枠体とセラミック基板との接合時
に接着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出しを大幅
に減少し得る。また、セラミック基板の上面に溝を形成
しているため、表裏逆に接着剤を印刷塗布するといった
製造上の手違いも防止できる。
基板の上面に略全周にわたって溝が所定の場所に形成さ
れており、かつ溝の内面の算術平均粗さRaが0.05
〜0.4μmであることにより、樹脂枠体とセラミック
基板との隙間に残ったダストを洗浄工程で除去すること
が容易となり、半導体受光素子にダストが付着すること
がなくなり、半導体受光素子を正常に作動させることが
できる。さらに、樹脂枠体とセラミック基板との接合時
に接着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出しを大幅
に減少し得る。また、セラミック基板の上面に溝を形成
しているため、表裏逆に接着剤を印刷塗布するといった
製造上の手違いも防止できる。
【0013】また、本発明において好ましくは、前記樹
脂枠体の下面の途中から前記樹脂枠体の内側面にかけて
略全周にわたる切り欠き部が形成されていることを特徴
とする。
脂枠体の下面の途中から前記樹脂枠体の内側面にかけて
略全周にわたる切り欠き部が形成されていることを特徴
とする。
【0014】上記の構成により、洗浄工程での溝内面に
残留したダストの除去がさらに容易となる。
残留したダストの除去がさらに容易となる。
【0015】また、本発明において好ましくは、前記溝
の深さが0.05mm〜0.5Y(但し、Yはセラミッ
ク基板の厚さ)であることを特徴とする。
の深さが0.05mm〜0.5Y(但し、Yはセラミッ
ク基板の厚さ)であることを特徴とする。
【0016】上記の構成により、洗浄工程でのダスト除
去が容易になるとともに、セラミック基板の剛性を保持
してセラミック基板と樹脂枠体の接合時にセラミック基
板にクラック等が発生するのを防ぐことができる。
去が容易になるとともに、セラミック基板の剛性を保持
してセラミック基板と樹脂枠体の接合時にセラミック基
板にクラック等が発生するのを防ぐことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の半導体容器について以下
に詳細に説明する。図1は本発明の半導体容器の実施の
形態の一例を示す断面図であり、図2はその斜視図であ
る。
に詳細に説明する。図1は本発明の半導体容器の実施の
形態の一例を示す断面図であり、図2はその斜視図であ
る。
【0018】図1および図2において、1はセラミック
基板、2はセラミック基板1と略同じ外形寸法を有する
樹脂枠体、3は樹脂枠体2に挟時された複数のリードフ
レーム、4はセラミック基板1と樹脂枠体2とを接合す
る熱硬化性の接着剤である。この半導体容器は、セラミ
ック基板1上にリードフレーム3と一体成形された樹脂
枠体2が接着剤4により接合される。
基板、2はセラミック基板1と略同じ外形寸法を有する
樹脂枠体、3は樹脂枠体2に挟時された複数のリードフ
レーム、4はセラミック基板1と樹脂枠体2とを接合す
る熱硬化性の接着剤である。この半導体容器は、セラミ
ック基板1上にリードフレーム3と一体成形された樹脂
枠体2が接着剤4により接合される。
【0019】本発明のセラミック基板1は板状体から成
り、その上面の樹脂枠体2に囲まれた領域に半導体受光
素子の搭載面1aを有している。
り、その上面の樹脂枠体2に囲まれた領域に半導体受光
素子の搭載面1aを有している。
【0020】また、セラミック基板1の材料としては、
酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体,ムライト(3
Al2O3・2SiO2)質焼結体,窒化アルミニウム
(AlN)質焼結体,窒化珪素(Si3N4)質焼結体,
炭化珪素(SiC)質焼結体やガラスセラミックス等の
種々のセラミック材料を用いることができ、寸法精度、
強度、熱放散性等の要求特性に応じて適宜選択すればよ
い。中でも、酸化アルミニウム質焼結体を用いると、好
適な熱伝導率を有し、研磨等による加工が容易なことか
ら、所望の寸法精度の搭載面1aを有し、強度、信頼
性、熱放散性に優れた、良好な特性の半導体容器を得る
ことができる。
酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体,ムライト(3
Al2O3・2SiO2)質焼結体,窒化アルミニウム
(AlN)質焼結体,窒化珪素(Si3N4)質焼結体,
炭化珪素(SiC)質焼結体やガラスセラミックス等の
種々のセラミック材料を用いることができ、寸法精度、
強度、熱放散性等の要求特性に応じて適宜選択すればよ
い。中でも、酸化アルミニウム質焼結体を用いると、好
適な熱伝導率を有し、研磨等による加工が容易なことか
ら、所望の寸法精度の搭載面1aを有し、強度、信頼
性、熱放散性に優れた、良好な特性の半導体容器を得る
ことができる。
【0021】溝5は、図1や図3に示すように、セラミ
ック基板1の上面の樹脂枠体2の下方の部位に樹脂枠体
2の内側面7がその開口上に位置して略全周にわたって
形成されている。溝5の大きさは、Aの位置(セラミッ
ク基板1の端面を0とした場合に溝5の外周側の内側面
の位置)とBの位置(セラミック基板1の端面を0とし
た場合に溝5の搭載面1a側の内側面の位置)と溝5の
深さによって決まる。樹脂枠体2の幅Xに対して、Aの
位置は0.5X〜(X−0.1mm)、Bの位置は(X
+0.1mm)〜1.5Xが好ましい。また、溝5の深
さは、セラミック基板1の厚さYに対して0.05mm
〜0.5Yが好ましい。
ック基板1の上面の樹脂枠体2の下方の部位に樹脂枠体
2の内側面7がその開口上に位置して略全周にわたって
形成されている。溝5の大きさは、Aの位置(セラミッ
ク基板1の端面を0とした場合に溝5の外周側の内側面
の位置)とBの位置(セラミック基板1の端面を0とし
た場合に溝5の搭載面1a側の内側面の位置)と溝5の
深さによって決まる。樹脂枠体2の幅Xに対して、Aの
位置は0.5X〜(X−0.1mm)、Bの位置は(X
+0.1mm)〜1.5Xが好ましい。また、溝5の深
さは、セラミック基板1の厚さYに対して0.05mm
〜0.5Yが好ましい。
【0022】Aの位置が0.5X未満だと、セラミック
基板1と樹脂枠体2との接着強度が低下し、樹脂枠体2
の外れ等が多くなり、またセラミック基板1と樹脂枠体
2の隙間にダストが残り易くなり、洗浄工程でダスト除
去が困難になる。(X−0.1mm)(樹脂枠体2の内
側面7から外周側へ0.1mm離れた位置)を超える
と、接着剤4が搭載面1a側へはみ出し易くなる。ま
た、Bの位置が、(X+0.1mm)(樹脂枠体2の内
側面7から半導体受光素子側へ0.1mm離れた位置)
未満だと、セラミック基板1と樹脂枠体2の隙間にダス
トが残り易くなるため洗浄工程でのダスト除去が困難に
なり、1.5X(樹脂枠体2の内側面7から半導体受光
素子側へ0.5X離れた位置)を超えると、結果的に搭
載面1aが大きくなり、半導体容器が大型重量化され
る。
基板1と樹脂枠体2との接着強度が低下し、樹脂枠体2
の外れ等が多くなり、またセラミック基板1と樹脂枠体
2の隙間にダストが残り易くなり、洗浄工程でダスト除
去が困難になる。(X−0.1mm)(樹脂枠体2の内
側面7から外周側へ0.1mm離れた位置)を超える
と、接着剤4が搭載面1a側へはみ出し易くなる。ま
た、Bの位置が、(X+0.1mm)(樹脂枠体2の内
側面7から半導体受光素子側へ0.1mm離れた位置)
未満だと、セラミック基板1と樹脂枠体2の隙間にダス
トが残り易くなるため洗浄工程でのダスト除去が困難に
なり、1.5X(樹脂枠体2の内側面7から半導体受光
素子側へ0.5X離れた位置)を超えると、結果的に搭
載面1aが大きくなり、半導体容器が大型重量化され
る。
【0023】溝5の深さが0.05mm未満だと、セラ
ミック基板1と樹脂枠体2の隙間にダストが残り易くな
り、洗浄工程でのダスト除去が困難になる。0.5Yを
超えるとセラミック基板1の剛性が低下し、セラミック
基板1と樹脂枠体2の接合時に溝5部にクラックが発生
する。具体的には、Xの長さは2〜8mm程度、Yの厚
みは0.5〜3mm程度である。
ミック基板1と樹脂枠体2の隙間にダストが残り易くな
り、洗浄工程でのダスト除去が困難になる。0.5Yを
超えるとセラミック基板1の剛性が低下し、セラミック
基板1と樹脂枠体2の接合時に溝5部にクラックが発生
する。具体的には、Xの長さは2〜8mm程度、Yの厚
みは0.5〜3mm程度である。
【0024】また、セラミック基板1を研磨等の加工に
より、溝5の内面の算術平均粗さRaは0.05〜0.
4μm程度とする。0.05μm未満の場合は研磨の加
工限界であり、また0.4μmを超える場合は洗浄工程
でのダスト除去が困難となる。
より、溝5の内面の算術平均粗さRaは0.05〜0.
4μm程度とする。0.05μm未満の場合は研磨の加
工限界であり、また0.4μmを超える場合は洗浄工程
でのダスト除去が困難となる。
【0025】さらに、溝5の内面の算術平均粗さRaが
0.05〜0.4μmであることにより、一般的に量の
多い0.4μmを超える大きさのダストはほとんど付着
しなくなる。また、0.05μm以下の大きさのダスト
が溝5の内面に付着しても、そのような小さなダストは
内面との分子間力で付着している場合が多く、その結果
付着力が弱く、洗浄工程で容易に除去できるようにな
る。従って、溝5に付着するダストはほとんどなくなる
ため、半導体受光素子を正常に作動させることができ
る。
0.05〜0.4μmであることにより、一般的に量の
多い0.4μmを超える大きさのダストはほとんど付着
しなくなる。また、0.05μm以下の大きさのダスト
が溝5の内面に付着しても、そのような小さなダストは
内面との分子間力で付着している場合が多く、その結果
付着力が弱く、洗浄工程で容易に除去できるようにな
る。従って、溝5に付着するダストはほとんどなくなる
ため、半導体受光素子を正常に作動させることができ
る。
【0026】樹脂枠体2は、セラミック基板1の上面に
接着剤4により接合されて内側の搭載面1aを囲む領域
に半導体受光素子を収容する空間を形成し、セラミック
基板1とともに容器を構成する。
接着剤4により接合されて内側の搭載面1aを囲む領域
に半導体受光素子を収容する空間を形成し、セラミック
基板1とともに容器を構成する。
【0027】尚、樹脂枠体2の樹脂材料としては、ビス
フェノールA型エポキシ樹脂,ノボラック型エポキシ樹
脂,グリシジアルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂,フェノール樹脂,不飽和ポリエス
テル樹脂,シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂、または、
液晶ポリマー,ポリフェニレンスルフィド樹脂,ポリス
ルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられる。特に耐熱
性、耐湿性が良好でかつ低価格の観点からエポキシ樹脂
が好ましい。また、これらの樹脂には硬化剤、硬化促進
剤、充填剤、難燃剤、顔料、離型剤等が配合されていて
もよい。
フェノールA型エポキシ樹脂,ノボラック型エポキシ樹
脂,グリシジアルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂,フェノール樹脂,不飽和ポリエス
テル樹脂,シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂、または、
液晶ポリマー,ポリフェニレンスルフィド樹脂,ポリス
ルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられる。特に耐熱
性、耐湿性が良好でかつ低価格の観点からエポキシ樹脂
が好ましい。また、これらの樹脂には硬化剤、硬化促進
剤、充填剤、難燃剤、顔料、離型剤等が配合されていて
もよい。
【0028】樹脂枠体2を製作するには、例えば射出成
形法あるいはトランスファー成形法により、複数のリー
ドフレーム3を所定位置にセットした金型中に、約5〜
20MPa(メガパスカル)の圧力,約150〜200
℃の温度,約1〜10分の成型時間といった成型条件に
より、樹脂材料を注入固化することによって製作すれば
よい。
形法あるいはトランスファー成形法により、複数のリー
ドフレーム3を所定位置にセットした金型中に、約5〜
20MPa(メガパスカル)の圧力,約150〜200
℃の温度,約1〜10分の成型時間といった成型条件に
より、樹脂材料を注入固化することによって製作すれば
よい。
【0029】リードフレーム3は、鉄(Fe)−ニッケ
ル(Ni)−コバルト(Co)合金やFe−Ni合金、
銅(Cu)合金等の金属材料から成り、容器内部に収容
される半導体受光素子にボンディングワイヤ等の電気的
接続手段により接続されるとともに、外部電気回路に半
田等を介して接続されることにより、両者間の導電路と
して機能するものである。
ル(Ni)−コバルト(Co)合金やFe−Ni合金、
銅(Cu)合金等の金属材料から成り、容器内部に収容
される半導体受光素子にボンディングワイヤ等の電気的
接続手段により接続されるとともに、外部電気回路に半
田等を介して接続されることにより、両者間の導電路と
して機能するものである。
【0030】また、リードフレーム3は、例えば、Fe
−Ni−Co合金のインゴット(塊)に圧延加工法や打
ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによ
って、所定の形状、寸法に形成される。また、その露出
表面には、耐蝕性に優れ、かつろう材やボンディングワ
イヤ等との濡れ性が良いニッケルや金等の良導電性の金
属メッキ膜を0.1〜20μmの厚みに被着させておく
と、リードフレーム3の酸化腐食を有効に防止すること
ができるとともに、ボンディングワイヤや半田等による
電気的接続を良好なものとすることができる。
−Ni−Co合金のインゴット(塊)に圧延加工法や打
ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによ
って、所定の形状、寸法に形成される。また、その露出
表面には、耐蝕性に優れ、かつろう材やボンディングワ
イヤ等との濡れ性が良いニッケルや金等の良導電性の金
属メッキ膜を0.1〜20μmの厚みに被着させておく
と、リードフレーム3の酸化腐食を有効に防止すること
ができるとともに、ボンディングワイヤや半田等による
電気的接続を良好なものとすることができる。
【0031】セラミック基板1の上面に樹脂枠体2を接
合する接着剤4は、アクリル系ゴムを含有したエポキシ
樹脂等から成る。このようなエポキシ樹脂から成る接着
剤としては、具体的にはビスフェノールA型エポキシ樹
脂やノボラック型エポキシ樹脂、グリシジアルアミン型
エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にアミン系硬化剤やイミ
ダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤等の硬化剤を添加し
た樹脂接着剤を用い、これにブチルアクリレートゴムや
架橋ポリメチルメタアクリレートゴム、エチルアクリレ
ートゴム、ウレタンアクリレートゴム等からなるアクリ
ル系ゴムの粒子を含有させたものを用いる。
合する接着剤4は、アクリル系ゴムを含有したエポキシ
樹脂等から成る。このようなエポキシ樹脂から成る接着
剤としては、具体的にはビスフェノールA型エポキシ樹
脂やノボラック型エポキシ樹脂、グリシジアルアミン型
エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にアミン系硬化剤やイミ
ダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤等の硬化剤を添加し
た樹脂接着剤を用い、これにブチルアクリレートゴムや
架橋ポリメチルメタアクリレートゴム、エチルアクリレ
ートゴム、ウレタンアクリレートゴム等からなるアクリ
ル系ゴムの粒子を含有させたものを用いる。
【0032】そして、このような接着剤4によりセラミ
ック基板1と樹脂枠体2とを接合するには、例えば、ま
ずセラミック基板1の上面のうち樹脂枠体2と接合させ
る部分にスクリーン印刷法やディスペンサー法等により
接着剤4を枠状に印刷塗布する。次に樹脂枠体2を載置
して、接着剤4の硬化特性に応じて2〜8N(ニュート
ン)程度の圧力を加えつつ、120〜180℃の温度で
5分〜3時間程度の加熱処理を行い、接着剤4を熱硬化
させることによりセラミック基板1に樹脂枠体2を接合
させる。
ック基板1と樹脂枠体2とを接合するには、例えば、ま
ずセラミック基板1の上面のうち樹脂枠体2と接合させ
る部分にスクリーン印刷法やディスペンサー法等により
接着剤4を枠状に印刷塗布する。次に樹脂枠体2を載置
して、接着剤4の硬化特性に応じて2〜8N(ニュート
ン)程度の圧力を加えつつ、120〜180℃の温度で
5分〜3時間程度の加熱処理を行い、接着剤4を熱硬化
させることによりセラミック基板1に樹脂枠体2を接合
させる。
【0033】本発明の半導体容器の搭載部1aに半導体
受光素子を搭載し、半導体受光素子の電極とリードフレ
ーム3とをボンディングワイヤ等により電気的に接続
し、樹脂枠体2の上面にガラスやプラスチックス等から
なる透明窓を封着し、あるいは透光性封止樹脂のポッテ
ィングにより半導体受光素子を封止することにより、フ
ァクシミリやイメージスキャナ等に使用されるラインセ
ンサ等の半導体受光装置となる。
受光素子を搭載し、半導体受光素子の電極とリードフレ
ーム3とをボンディングワイヤ等により電気的に接続
し、樹脂枠体2の上面にガラスやプラスチックス等から
なる透明窓を封着し、あるいは透光性封止樹脂のポッテ
ィングにより半導体受光素子を封止することにより、フ
ァクシミリやイメージスキャナ等に使用されるラインセ
ンサ等の半導体受光装置となる。
【0034】かくして、本発明は、セラミック基板の上
面に略全周にわたって溝が所定の場所に形成されてお
り、かつ溝の内面の算術平均粗さRaが0.05〜0.
4μmであることにより、樹脂枠体とセラミック基板と
の隙間に残ったダストを洗浄工程で除去することが容易
となり、半導体受光素子にダストが付着することがなく
なり、半導体受光素子を正常に作動させることができ
る。さらに、樹脂枠体とセラミック基板との接合時に接
着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出しを大幅に減
少し得る。
面に略全周にわたって溝が所定の場所に形成されてお
り、かつ溝の内面の算術平均粗さRaが0.05〜0.
4μmであることにより、樹脂枠体とセラミック基板と
の隙間に残ったダストを洗浄工程で除去することが容易
となり、半導体受光素子にダストが付着することがなく
なり、半導体受光素子を正常に作動させることができ
る。さらに、樹脂枠体とセラミック基板との接合時に接
着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出しを大幅に減
少し得る。
【0035】また、セラミック基板の上面に溝を形成し
ているため、溝が目印になってセラミック基板の表裏逆
に接着剤を印刷塗布するといった製造上の手違いも防止
できる。
ているため、溝が目印になってセラミック基板の表裏逆
に接着剤を印刷塗布するといった製造上の手違いも防止
できる。
【0036】尚、本発明は上述の実施の形態に限定され
るものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更、改良が可能であることは言うまでもない。
例えば、デジタルカメラ,ビデオカメラ等に使用され
る、エリアセンサ用CCD等の半導体受光素子を搭載す
る中空部を有する半導体容器にも適用できる。また、図
4に示すように、樹脂枠体2の下面の途中から樹脂枠体
2の内側面7にかけて略全周にわたる切り欠き部6を設
けることにより、洗浄工程での溝5内面に残留したダス
トの除去がさらに容易となる。また、図4の構成におい
て、切り欠き部6内の外周側の側面6aは、溝5の外周
側の内側面5aと略面一か、または内側面5aよりも外
周側にある(内側面5aよりも奥まっている)ことが好
ましい。この場合、接着剤4が搭載面1a側へはみ出す
のより抑制することができる。
るものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更、改良が可能であることは言うまでもない。
例えば、デジタルカメラ,ビデオカメラ等に使用され
る、エリアセンサ用CCD等の半導体受光素子を搭載す
る中空部を有する半導体容器にも適用できる。また、図
4に示すように、樹脂枠体2の下面の途中から樹脂枠体
2の内側面7にかけて略全周にわたる切り欠き部6を設
けることにより、洗浄工程での溝5内面に残留したダス
トの除去がさらに容易となる。また、図4の構成におい
て、切り欠き部6内の外周側の側面6aは、溝5の外周
側の内側面5aと略面一か、または内側面5aよりも外
周側にある(内側面5aよりも奥まっている)ことが好
ましい。この場合、接着剤4が搭載面1a側へはみ出す
のより抑制することができる。
【0037】
【発明の効果】本発明は、セラミック基板の上面に略全
周にわたって溝が所定の場所に形成されており、かつ溝
の内面の算術平均粗さRaが0.05〜0.4μmであ
ることから、溝の内面に残留したダストを洗浄工程で除
去することが容易となり、半導体受光素子にダストが付
着することがなくなり、半導体受光素子を正常に作動さ
せることができる。さらに樹脂枠体とセラミック基板と
の接合時に接着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出
しを大幅に抑制することができる。また、セラミック基
板の上面に溝を形成しているため、セラミック基板の表
裏逆に接着剤を印刷塗布するといった製造上の手違いも
防止できる。さらに、溝が、樹脂枠体の内側面がその開
口上に位置するように形成されているので、溝を樹脂枠
体に囲まれた領域内に形成するよりも半導体容器が小型
化されるという作用効果も有する。
周にわたって溝が所定の場所に形成されており、かつ溝
の内面の算術平均粗さRaが0.05〜0.4μmであ
ることから、溝の内面に残留したダストを洗浄工程で除
去することが容易となり、半導体受光素子にダストが付
着することがなくなり、半導体受光素子を正常に作動さ
せることができる。さらに樹脂枠体とセラミック基板と
の接合時に接着剤の半導体受光素子の搭載面へのはみ出
しを大幅に抑制することができる。また、セラミック基
板の上面に溝を形成しているため、セラミック基板の表
裏逆に接着剤を印刷塗布するといった製造上の手違いも
防止できる。さらに、溝が、樹脂枠体の内側面がその開
口上に位置するように形成されているので、溝を樹脂枠
体に囲まれた領域内に形成するよりも半導体容器が小型
化されるという作用効果も有する。
【0038】また、本発明は、好ましくは樹脂枠体の下
面の途中から樹脂枠体の内側面にかけて略全周にわたる
切り欠き部が形成されていることにより、洗浄工程での
溝内面に残留したダストの除去がさらに容易となる。
面の途中から樹脂枠体の内側面にかけて略全周にわたる
切り欠き部が形成されていることにより、洗浄工程での
溝内面に残留したダストの除去がさらに容易となる。
【0039】また、本発明は、好ましくは溝の深さが
0.05mm〜0.5Y(但し、Yはセラミック基板の
厚さ)であることにより、洗浄工程でのダスト除去が容
易になるとともに、セラミック基板の剛性を保持してセ
ラミック基板と樹脂枠体の接合時にセラミック基板にク
ラック等が発生するのを防ぐことができる。
0.05mm〜0.5Y(但し、Yはセラミック基板の
厚さ)であることにより、洗浄工程でのダスト除去が容
易になるとともに、セラミック基板の剛性を保持してセ
ラミック基板と樹脂枠体の接合時にセラミック基板にク
ラック等が発生するのを防ぐことができる。
【図1】本発明の半導体容器の実施の形態の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図2】図1の半導体容器の斜視図である。
【図3】図1の半導体容器の要部拡大断面図である。
【図4】図1の半導体容器について他の実施の形態を示
す要部拡大断面図である。
す要部拡大断面図である。
【図5】従来の半導体容器の断面図である。
【図6】従来の半導体容器の要部拡大断面図である。
【図7】従来の半導体容器の他の例の要部拡大断面図で
ある。
ある。
1:セラミック基板 2:樹脂枠体 3:リードフレーム 4:接着剤 5:溝 7:内側面
Claims (3)
- 【請求項1】セラミック基板と、該セラミック基板と略
同じ外形寸法を有するとともに複数のリードフレームを
狭持した樹脂枠体とを接着剤により接合して成り、前記
セラミック基板の上面の前記樹脂枠体に囲まれた領域に
半導体受光素子の搭載面を有する半導体受光素子収納用
容器において、前記上面の前記樹脂枠体の下方の部位に
前記樹脂枠体の内側面がその開口上に位置する溝が略全
周にわたって形成されており、かつ前記溝の内面の算術
平均粗さRaが0.05〜0.4μmであることを特徴
とする半導体受光素子収納用容器。 - 【請求項2】前記樹脂枠体の下面の途中から前記樹脂枠
体の内側面にかけて略全周にわたる切り欠き部が形成さ
れていることを特徴とする請求項1記載の半導体受光素
子収納用容器。 - 【請求項3】前記溝の深さが0.05mm〜0.5Y
(但し、Yは前記セラミック基板の厚さ)であることを
特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体受光素
子収納用容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000329619A JP2002134763A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 半導体受光素子収納用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000329619A JP2002134763A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 半導体受光素子収納用容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002134763A true JP2002134763A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18806262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000329619A Pending JP2002134763A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 半導体受光素子収納用容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002134763A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173496A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子用パッケージおよび固体撮像装置 |
JP2011014615A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Denso Corp | センサ装置およびその製造方法 |
WO2012002378A1 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | 京セラ株式会社 | 配線基板および撮像装置ならびに撮像装置モジュール |
JP2012008265A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ並びにこれを備えた光モジュール及び光半導体装置 |
JP2012015172A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Kyocera Corp | 電子部品封止用基板およびその製造方法 |
WO2012026516A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 京セラ株式会社 | 素子収納用パッケージおよびこれを備えたモジュール |
WO2013046676A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及び保持体 |
CN110767610A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-02-07 | 四川豪威尔信息科技有限公司 | 一种集成电路及其制造方法 |
-
2000
- 2000-10-27 JP JP2000329619A patent/JP2002134763A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173496A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子用パッケージおよび固体撮像装置 |
JP2011014615A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Denso Corp | センサ装置およびその製造方法 |
JP2012008265A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ並びにこれを備えた光モジュール及び光半導体装置 |
WO2012002378A1 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | 京セラ株式会社 | 配線基板および撮像装置ならびに撮像装置モジュール |
JP5491628B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-05-14 | 京セラ株式会社 | 配線基板および撮像装置ならびに撮像装置モジュール |
JP2012015172A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Kyocera Corp | 電子部品封止用基板およびその製造方法 |
WO2012026516A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 京セラ株式会社 | 素子収納用パッケージおよびこれを備えたモジュール |
WO2013046676A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及び保持体 |
JPWO2013046676A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-03-26 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及び保持体 |
CN110767610A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-02-07 | 四川豪威尔信息科技有限公司 | 一种集成电路及其制造方法 |
CN110767610B (zh) * | 2019-10-15 | 2021-06-25 | 四川豪威尔信息科技有限公司 | 一种集成电路及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6410979B2 (en) | Ball-grid-array semiconductor device with protruding terminals | |
KR100652375B1 (ko) | 와이어 본딩 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물및 그 제조방법 | |
JP4066608B2 (ja) | パッケージ成形体及びその製造方法 | |
TWI233680B (en) | Package for mounting a solid state image sensor | |
US8120128B2 (en) | Optical device | |
JP2005026425A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US20080105941A1 (en) | Sensor-type semiconductor package and fabrication | |
US20050184404A1 (en) | Photosensitive semiconductor package with support member and method for fabricating the same | |
JP2011035360A (ja) | 撮像素子パッケージの製造方法および構造 | |
JP2008244143A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP2002134763A (ja) | 半導体受光素子収納用容器 | |
JP2010016096A (ja) | 電子部品 | |
CN108538728B (zh) | 制造半导体器件的方法 | |
JP3316449B2 (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
JP2002100691A (ja) | 半導体受光素子収納用容器 | |
JP2003234425A (ja) | 半導体素子装着用中空パッケージ | |
JP4359072B2 (ja) | 固体撮像素子装着用パッケージ | |
US6537858B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP2004165181A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2000138305A (ja) | 半導体受光素子収納用容器の製造方法 | |
JP3213578B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
WO2023112521A1 (ja) | 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法 | |
JP2008235559A (ja) | 中空パッケージおよびその製造方法 | |
JP2002134638A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
KR100692779B1 (ko) | 회로기판 일체형 이미지 센서 패키지 |