JP2002124655A - 電磁波電気信号変換システム及びイメージセンサ - Google Patents
電磁波電気信号変換システム及びイメージセンサInfo
- Publication number
- JP2002124655A JP2002124655A JP2000316763A JP2000316763A JP2002124655A JP 2002124655 A JP2002124655 A JP 2002124655A JP 2000316763 A JP2000316763 A JP 2000316763A JP 2000316763 A JP2000316763 A JP 2000316763A JP 2002124655 A JP2002124655 A JP 2002124655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric signal
- electromagnetic wave
- conversion
- signal conversion
- wave electric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 読み出し装置及びゲート駆動装置の配置場所
を変え、受光エリアすなわち有効画素領域を大面積化す
ることを課題とする。 【解決手段】 電磁波を電気信号に変換する変換素子５
及びスイッチ素子６を２次元的に複数配列した変換アレ
ーと、前記電気信号を読み出す読み出し装置１と、前記
スイッチ素子を駆動する駆動装置２とを備える電磁波電
気信号変換システムにおいて、前記読み出し装置１及び
前記駆動装置２は、前記変換アレーの１辺或いは対向す
る２辺に配置する。
を変え、受光エリアすなわち有効画素領域を大面積化す
ることを課題とする。 【解決手段】 電磁波を電気信号に変換する変換素子５
及びスイッチ素子６を２次元的に複数配列した変換アレ
ーと、前記電気信号を読み出す読み出し装置１と、前記
スイッチ素子を駆動する駆動装置２とを備える電磁波電
気信号変換システムにおいて、前記読み出し装置１及び
前記駆動装置２は、前記変換アレーの１辺或いは対向す
る２辺に配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波電気信号変
換システム及びそれを備えるイメージセンサに関し、特
に、電磁波を電気信号に変換する変換素子及びスイッチ
素子を２次元的に複数配列した変換アレーと、前記電気
信号を読み出す読み出し装置と、前記スイッチ素子を駆
動する駆動装置とを備える電磁波電気信号変換システム
及びそれを備えるイメージセンサに関するものである。
換システム及びそれを備えるイメージセンサに関し、特
に、電磁波を電気信号に変換する変換素子及びスイッチ
素子を２次元的に複数配列した変換アレーと、前記電気
信号を読み出す読み出し装置と、前記スイッチ素子を駆
動する駆動装置とを備える電磁波電気信号変換システム
及びそれを備えるイメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について図面を用いて説明す
る。図６は従来の電磁波電気信号変換システムの回路図
である。図７は従来の電磁波電気信号変換システムの構
成図である。図６に示すように従来の電磁波電気信号変
換システムの光電変換アレーの各画素はフォトダイオー
ド５と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６により構成されて
いる。フォトダイオード５のカソード電極はバイアスラ
インＶｓ７に接続されバイアス電圧が印加されている。
ＴＦＴ６のソース電極はデータラインＳｉｇ９に、ゲー
ト電極はゲートラインＶｇ８にそれぞれ接続されてい
る。これらは、光電変換アレーの駆動のために配線され
ている。
る。図６は従来の電磁波電気信号変換システムの回路図
である。図７は従来の電磁波電気信号変換システムの構
成図である。図６に示すように従来の電磁波電気信号変
換システムの光電変換アレーの各画素はフォトダイオー
ド５と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６により構成されて
いる。フォトダイオード５のカソード電極はバイアスラ
インＶｓ７に接続されバイアス電圧が印加されている。
ＴＦＴ６のソース電極はデータラインＳｉｇ９に、ゲー
ト電極はゲートラインＶｇ８にそれぞれ接続されてい
る。これらは、光電変換アレーの駆動のために配線され
ている。
【０００３】また、フォトダイオード５のアノード電極
とＴＦＴ６のドレイン電極は各画素で相互に接続されて
いる。この例ではバイアスラインＶｓ７とデータライン
Ｓｉｇ９は垂直方向に、ゲートラインＶｇ８は水平方向
に引き回されている。さらにバイアスラインＶｓ７と奇
数番目のデータラインＳｉｇ９は第１の読み出し装置１
１に、偶数番目のデータラインＳｉｇ９は第２の読み出
し装置１２に接続されている。一般的に、第１の読み出
し装置１１、第２の読み出し装置１２は図示しない電
源、アンプを含む集積回路（ＩＣ）、プリント基板（Ｐ
ＣＢ）などを備えている。
とＴＦＴ６のドレイン電極は各画素で相互に接続されて
いる。この例ではバイアスラインＶｓ７とデータライン
Ｓｉｇ９は垂直方向に、ゲートラインＶｇ８は水平方向
に引き回されている。さらにバイアスラインＶｓ７と奇
数番目のデータラインＳｉｇ９は第１の読み出し装置１
１に、偶数番目のデータラインＳｉｇ９は第２の読み出
し装置１２に接続されている。一般的に、第１の読み出
し装置１１、第２の読み出し装置１２は図示しない電
源、アンプを含む集積回路（ＩＣ）、プリント基板（Ｐ
ＣＢ）などを備えている。
【０００４】一方、奇数番目のゲートラインＶｇ８は、
第１のゲート駆動装置１３に、偶数番目のゲートライン
Ｖｇ８は第２のゲート駆動装置１４に接続される。一般
的に第１のゲート駆動装置１３，第２のゲート駆動装置
１４は図示しないシフトレジスタを含むＩＣ、ＰＣＢな
どにより構成される。
第１のゲート駆動装置１３に、偶数番目のゲートライン
Ｖｇ８は第２のゲート駆動装置１４に接続される。一般
的に第１のゲート駆動装置１３，第２のゲート駆動装置
１４は図示しないシフトレジスタを含むＩＣ、ＰＣＢな
どにより構成される。
【０００５】図７に示すように従来の電磁波電気信号変
換システムに用いられる光電変換アレー１０は、駆動に
必要な配線（バイアスラインＶｓ７、データラインＳｉ
ｇ９、ゲートラインＶｇ）を４辺から引き出し、各辺に
第１の読み出し装置１１、第２の読み出し装置１２、第
１のゲート駆動装置１３、第２のゲート駆動装置１４を
接続して構成されており、これにより光電変換動作を行
っている。
換システムに用いられる光電変換アレー１０は、駆動に
必要な配線（バイアスラインＶｓ７、データラインＳｉ
ｇ９、ゲートラインＶｇ）を４辺から引き出し、各辺に
第１の読み出し装置１１、第２の読み出し装置１２、第
１のゲート駆動装置１３、第２のゲート駆動装置１４を
接続して構成されており、これにより光電変換動作を行
っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般に従来の
電磁波電気信号変換システムでは、光電変換アレーの４
辺に、読み出し装置およびゲート駆動装置を有するた
め、受光エリアすなわち有効画素領域が制限を受け大面
積化が困難である。有効画素領域の大きさが制限される
と、たとえば光電変換装置を小型化することが困難とな
る。
電磁波電気信号変換システムでは、光電変換アレーの４
辺に、読み出し装置およびゲート駆動装置を有するた
め、受光エリアすなわち有効画素領域が制限を受け大面
積化が困難である。有効画素領域の大きさが制限される
と、たとえば光電変換装置を小型化することが困難とな
る。
【０００７】そこで、本発明は、読み出し装置及びゲー
ト駆動装置の配置場所を変え、受光エリアすなわち有効
画素領域を大面積化することを課題とする。
ト駆動装置の配置場所を変え、受光エリアすなわち有効
画素領域を大面積化することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、電磁波を電気信号に変換する変換素子及
びスイッチ素子を２次元的に複数配列した変換アレー
と、前記電気信号を読み出す読み出し装置と、前記スイ
ッチ素子を駆動する駆動装置とを備える電磁波電気信号
変換システムにおいて、前記読み出し装置及び前記駆動
装置は、前記変換アレーの１辺或いは対向する２辺に配
置する。
に、本発明は、電磁波を電気信号に変換する変換素子及
びスイッチ素子を２次元的に複数配列した変換アレー
と、前記電気信号を読み出す読み出し装置と、前記スイ
ッチ素子を駆動する駆動装置とを備える電磁波電気信号
変換システムにおいて、前記読み出し装置及び前記駆動
装置は、前記変換アレーの１辺或いは対向する２辺に配
置する。
【０００９】また、本発明は、上記電磁波電気信号変換
システムを貼り合わせたイメージセンサにおいて、前記
読み出し装置及び前記駆動装置を貼り合わせる辺を、貼
り合わせ方向の辺以外の１辺或いは対向する２辺とす
る。
システムを貼り合わせたイメージセンサにおいて、前記
読み出し装置及び前記駆動装置を貼り合わせる辺を、貼
り合わせ方向の辺以外の１辺或いは対向する２辺とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００１１】＜実施形態１＞図１は、本発明の実施形態
１の電磁波電気信号変換システムの回路図である。図１
において、図６に示した部材と同様のものには同一の符
号を付しているが、読み出し装置１は、第１の読み出し
装置１１及び第２の読み出し装置１２を合わせた構造と
しており、ゲート駆動装置３は、第１のゲート駆動装置
１３及び第２のゲート駆動装置１４を合わせた構造とし
ている。
１の電磁波電気信号変換システムの回路図である。図１
において、図６に示した部材と同様のものには同一の符
号を付しているが、読み出し装置１は、第１の読み出し
装置１１及び第２の読み出し装置１２を合わせた構造と
しており、ゲート駆動装置３は、第１のゲート駆動装置
１３及び第２のゲート駆動装置１４を合わせた構造とし
ている。
【００１２】図１に示すように、本実施形態の電磁波電
気信号変換システムは、読み出し装置１及びゲート駆動
装置３を図面上方及び下方に配置し、光電変換アレー１
０の駆動に必要な配線、すなわちバイアスラインＶｓ７
及びデータラインＳｉｇ９、ゲートラインＶｇ８は、す
べて垂直方向に引き出され、バイアスラインＶｓ７及び
データラインＳｉｇ９は、読み出し装置１に接続され、
ゲートラインＶｇ８は、ゲート駆動装置３に接続されて
いる。
気信号変換システムは、読み出し装置１及びゲート駆動
装置３を図面上方及び下方に配置し、光電変換アレー１
０の駆動に必要な配線、すなわちバイアスラインＶｓ７
及びデータラインＳｉｇ９、ゲートラインＶｇ８は、す
べて垂直方向に引き出され、バイアスラインＶｓ７及び
データラインＳｉｇ９は、読み出し装置１に接続され、
ゲートラインＶｇ８は、ゲート駆動装置３に接続されて
いる。
【００１３】なお、光電変換アレー１０はたとえばアモ
ルファスシリコンやアモルファスセレンを主材料として
いる。また、光電変換アレー１０を構成する光電変換素
子には、たとえばＰＩＮ型フォトダイオード又はＭＩＳ
型センサを用い、スイッチ素子には、たとえばＴＦＴを
用いている。
ルファスシリコンやアモルファスセレンを主材料として
いる。また、光電変換アレー１０を構成する光電変換素
子には、たとえばＰＩＮ型フォトダイオード又はＭＩＳ
型センサを用い、スイッチ素子には、たとえばＴＦＴを
用いている。
【００１４】図２は、図１に示す電磁波電気信号変換シ
ステムを複数備えたイメージセンサの構成図である。図
２に示すように、本実施形態のイメージセンサは、読み
出し装置１およびゲート駆動装置３を対向する２辺に配
置しているので、光電変換アレー１０を連続して配置す
ることにより、有効画素領域を大きくすることができ
る。これにより、たとえば、有効画素領域を撮影目的に
応じて大面積化することもできる。
ステムを複数備えたイメージセンサの構成図である。図
２に示すように、本実施形態のイメージセンサは、読み
出し装置１およびゲート駆動装置３を対向する２辺に配
置しているので、光電変換アレー１０を連続して配置す
ることにより、有効画素領域を大きくすることができ
る。これにより、たとえば、有効画素領域を撮影目的に
応じて大面積化することもできる。
【００１５】図３は、本実施形態の電磁波電気信号変換
システムの光電変換アレー及びその周辺図である。図３
に示すように、本実施形態にかかる光電変換アレーは、
ゲートラインＶｇ８とバイアスラインＶｓ７およびデー
タラインＳｉｇ９とを平行に引き出している。なお、バ
イアスラインＶｓ７は、フォトダイオード５の上部でな
く、ＴＦＴ６の上部に設ければ、さらに、有効画素領域
を増やすことができる。
システムの光電変換アレー及びその周辺図である。図３
に示すように、本実施形態にかかる光電変換アレーは、
ゲートラインＶｇ８とバイアスラインＶｓ７およびデー
タラインＳｉｇ９とを平行に引き出している。なお、バ
イアスラインＶｓ７は、フォトダイオード５の上部でな
く、ＴＦＴ６の上部に設ければ、さらに、有効画素領域
を増やすことができる。
【００１６】＜実施形態２＞図４は、本発明の実施形態
２の電磁波電気信号変換システムの回路図である。図４
において、図１に示した部材と同様のものには同一の符
号を付している。
２の電磁波電気信号変換システムの回路図である。図４
において、図１に示した部材と同様のものには同一の符
号を付している。
【００１７】図４に示すように、本実施形態の電磁波電
気信号変換システムは、読み出し装置１及びゲート駆動
装置３を図面上方に配置し、光電変換アレー１０の駆動
に必要な配線、すなわちバイアスラインＶｓ７及びデー
タラインＳｉｇ９、ゲートラインＶｇ８は、すべて図面
上方に引き出され、バイアスラインＶｓ７およびデータ
ラインＳｉｇ９は読み出し装置１に接続され、ゲートラ
インＶｇ８はゲート駆動装置３に接続されている。
気信号変換システムは、読み出し装置１及びゲート駆動
装置３を図面上方に配置し、光電変換アレー１０の駆動
に必要な配線、すなわちバイアスラインＶｓ７及びデー
タラインＳｉｇ９、ゲートラインＶｇ８は、すべて図面
上方に引き出され、バイアスラインＶｓ７およびデータ
ラインＳｉｇ９は読み出し装置１に接続され、ゲートラ
インＶｇ８はゲート駆動装置３に接続されている。
【００１８】図５は、図４に示す電磁波電気信号変換シ
ステムを複数備えたイメージセンサの構成図である。図
５に示すように、本実施形態のイメージセンサは、読み
出し装置１およびゲート駆動装置３を一辺に配置してい
るので、光電変換アレー１０を連続して配置することに
より、有効画素領域を大きくすることができる。これに
より、たとえば、有効画素領域を撮影目的に応じて大面
積化することもできる。
ステムを複数備えたイメージセンサの構成図である。図
５に示すように、本実施形態のイメージセンサは、読み
出し装置１およびゲート駆動装置３を一辺に配置してい
るので、光電変換アレー１０を連続して配置することに
より、有効画素領域を大きくすることができる。これに
より、たとえば、有効画素領域を撮影目的に応じて大面
積化することもできる。
【００１９】＜実施形態３＞図８は、本発明の実施形態
３のイメージセンサを用いたＸ線撮像システムの構成図
である。図８には、患者などの被写体を透過したＸ線を
電気信号に変換して読み出す図５などに示したイメージ
センサ１８と、患者などの被写体に対して照射するＸ線
を生成するＸ線発生装置１７と、患者の情報を入力した
り生成するＸ線情報を入力する端末装置１５と、Ｘ線発
生装置１７やイメージセンサ１８の動作を制御する制御
装置１６とを示している。
３のイメージセンサを用いたＸ線撮像システムの構成図
である。図８には、患者などの被写体を透過したＸ線を
電気信号に変換して読み出す図５などに示したイメージ
センサ１８と、患者などの被写体に対して照射するＸ線
を生成するＸ線発生装置１７と、患者の情報を入力した
り生成するＸ線情報を入力する端末装置１５と、Ｘ線発
生装置１７やイメージセンサ１８の動作を制御する制御
装置１６とを示している。
【００２０】図８に示すＸ線撮像システムは、複数の電
磁波電気変換装置を貼り合わせてなるイメージセンサを
備えているので、人体胸部などのように被写体が大面積
であっても撮影を行うことができる。
磁波電気変換装置を貼り合わせてなるイメージセンサを
備えているので、人体胸部などのように被写体が大面積
であっても撮影を行うことができる。
【００２１】＜実施形態４＞図９は、本発明の実施形態
４の電磁波電気信号変換システムに備えられている光電
変換アレーの断面図である。図９に示しているように、
本実施形態の電磁波電気信号変換システムは、ガラス基
板１００上にたとえばアモルファスシリコンを主材料と
しｐ層１０３、半導体層１０４、ｎ層１０５を有するＰ
ＩＮ型のフォトダイオード１０１及び絶縁層１０９、半
導体層１０４、ｎ層１０５を有する薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１０２とを備える光電変換アレーを有してお
り、さらに保護層１０６を介して、Ｘ線を可視光などの
光に変換する蛍光体層１０７を形成している。
４の電磁波電気信号変換システムに備えられている光電
変換アレーの断面図である。図９に示しているように、
本実施形態の電磁波電気信号変換システムは、ガラス基
板１００上にたとえばアモルファスシリコンを主材料と
しｐ層１０３、半導体層１０４、ｎ層１０５を有するＰ
ＩＮ型のフォトダイオード１０１及び絶縁層１０９、半
導体層１０４、ｎ層１０５を有する薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１０２とを備える光電変換アレーを有してお
り、さらに保護層１０６を介して、Ｘ線を可視光などの
光に変換する蛍光体層１０７を形成している。
【００２２】＜実施形態５＞図１０は、本発明の実施形
態５の電磁波電気信号変換システムに備えられている光
電変換アレーの断面図である。図１０には、図９のフォ
トダイオード１０１に代えて、ＭＩＳ型センサ１０８を
備えた光電変換アレーを示している。なお、図１０にお
いて図９に示した部分と同様の部分には、同一符号を付
している。
態５の電磁波電気信号変換システムに備えられている光
電変換アレーの断面図である。図１０には、図９のフォ
トダイオード１０１に代えて、ＭＩＳ型センサ１０８を
備えた光電変換アレーを示している。なお、図１０にお
いて図９に示した部分と同様の部分には、同一符号を付
している。
【００２３】＜実施形態６＞図１１は、本発明の実施形
態６の電磁波電気信号変換システムに備えられている光
電変換アレーの断面図である。図１１には、図９のフォ
トダイオード１０１に代えて、直接型Ｘ線センサ１１０
を備えた光電変換アレーを示している。直接型Ｘ線セン
サ１１０は、ｐ型沃化鉛層１１１、沃化鉛半導体層１１
２、ｎ型沃化鉛層１１３とを有している場合を例示して
いるが、アモルファスセレン、沃化水銀、ガリウム砒
素、ＣｄＺｎ、ＣｄＺｎＴｅなどのＸ線を吸収して電荷
を発生するようなものであればこれに限定されない。
態６の電磁波電気信号変換システムに備えられている光
電変換アレーの断面図である。図１１には、図９のフォ
トダイオード１０１に代えて、直接型Ｘ線センサ１１０
を備えた光電変換アレーを示している。直接型Ｘ線セン
サ１１０は、ｐ型沃化鉛層１１１、沃化鉛半導体層１１
２、ｎ型沃化鉛層１１３とを有している場合を例示して
いるが、アモルファスセレン、沃化水銀、ガリウム砒
素、ＣｄＺｎ、ＣｄＺｎＴｅなどのＸ線を吸収して電荷
を発生するようなものであればこれに限定されない。
【００２４】以上、電磁波電気信号変換システムを例に
本発明の各実施形態について説明したが、本発明は、た
とえば、Ｘ線などの放射線を含む電磁波を電気信号に変
換する電磁波電気信号システムにも適用することができ
る。また、上記光電変換装置と蛍光体又はシンチレータ
とを組み合わせると、有効画素領域の大きい放射線電気
信号変換システムを製造することができる。
本発明の各実施形態について説明したが、本発明は、た
とえば、Ｘ線などの放射線を含む電磁波を電気信号に変
換する電磁波電気信号システムにも適用することができ
る。また、上記光電変換装置と蛍光体又はシンチレータ
とを組み合わせると、有効画素領域の大きい放射線電気
信号変換システムを製造することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、光電変
換素子に蓄積された電荷を読み出す読み出し装置と、ス
イッチ素子を駆動する駆動装置とを光電変換アレーの１
辺或いは対向する２辺に配置するため、受光エリアすな
わち有効画素領域を大面積化することができる。したが
って、たとえば光電変換装置を小型化することができ
る。
換素子に蓄積された電荷を読み出す読み出し装置と、ス
イッチ素子を駆動する駆動装置とを光電変換アレーの１
辺或いは対向する２辺に配置するため、受光エリアすな
わち有効画素領域を大面積化することができる。したが
って、たとえば光電変換装置を小型化することができ
る。
【図１】本発明の実施形態１の電磁波電気信号変換シス
テムの回路図である。
テムの回路図である。
【図２】図１に示す電磁波電気信号変換システムを複数
備えたイメージセンサの構成図である。
備えたイメージセンサの構成図である。
【図３】本実施形態の電磁波電気信号変換システムの光
電変換アレー及びその周辺図である。
電変換アレー及びその周辺図である。
【図４】本発明の実施形態２の電磁波電気信号変換シス
テムの回路図である。
テムの回路図である。
【図５】図４に示す電磁波電気信号変換システムを複数
備えたイメージセンサの構成図である。
備えたイメージセンサの構成図である。
【図６】従来技術の電磁波電気信号変換システムの回路
図である。
図である。
【図７】従来技術の電磁波電気信号変換システムの構成
図である。
図である。
【図８】本発明の実施形態３のイメージセンサを用いた
Ｘ線撮像システムの構成図である。
Ｘ線撮像システムの構成図である。
【図９】本発明の実施形態４の電磁波電気信号変換シス
テムに備えられている光電変換アレーの断面図である。
テムに備えられている光電変換アレーの断面図である。
【図１０】本発明の実施形態５の電磁波電気信号変換シ
ステムに備えられている光電変換アレーの断面図であ
る。
ステムに備えられている光電変換アレーの断面図であ
る。
【図１１】本発明の実施形態６の電磁波電気信号変換シ
ステムに備えられている光電変換アレーの断面図であ
る。
ステムに備えられている光電変換アレーの断面図であ
る。
１ 読み出し装置 ３ ゲート駆動装置 ５，１０１ フォトダイオード ６，１０２ ＴＦＴ ７ バイアスラインＶｓ ８ ゲートラインＶｇ ９ データラインＳｉｇ １０ 光電変換アレー １１ 第１の読み出し装置 １２ 第２の読み出し装置 １３ 第１のゲート駆動装置 １４ 第２のゲート駆動装置 １００ ガラス基板 １０３ ｐ層 １０４ 半導体層 １０５ ｎ層 １０６ 保護層 １０７ 蛍光体層 １０８ ＭＩＳ型センサ １０９ 絶縁層 １１０ 直接型Ｘ線センサ １１１ ｐ型沃化鉛層 １１２ 沃化鉛半導体層 １１３ ｎ型沃化鉛層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA05 CA05 CA07 CB05 CB06 CB11 FB09 FB13 FB30 GA10 HA21 HA22 5C024 AX11 CX41 CY49 GX00 GX03 GX16 GY31 HX02 5F049 MA01 MB01 MB07 NA19 NB03 RA02 RA06 SS01 UA01 WA07 5F088 AA11 AB07 AB09 BB10 KA08
Claims (8)
- 【請求項１】 電磁波を電気信号に変換する変換素子及
びスイッチ素子を２次元的に複数配列した変換アレー
と、前記電気信号を読み出す読み出し装置と、前記スイ
ッチ素子を駆動する駆動装置とを備える電磁波電気信号
変換システムにおいて、 前記読み出し装置及び前記駆動装置は、前記変換アレー
の１辺或いは対向する２辺に配置することを特徴とする
電磁波電気信号変換システム。 - 【請求項２】 前記変換素子は、アモルファスシリコン
からなることを特徴とする請求項１に記載の電磁波電気
信号変換システム。 - 【請求項３】 前記変換素子は、フォトダイオードであ
ることを特徴とする請求項１に記載の電磁波電気信号変
換システム。 - 【請求項４】 前記変換素子は、第１の電極層と、絶縁
層と、前記電磁波を前記電気信号へ変換する変換層と、
第２の電極層と、前記変換層と前記第２の電極層との間
のオーミックコンタクト層とを備えることを特徴とする
請求項１に記載の電磁波電気信号変換システム。 - 【請求項５】 前記変換素子は、アモルファスセレンを
主材料とすることを特徴とする請求項１に記載の電磁波
電気信号変換システム。 - 【請求項６】 前記変換素子は、沃化鉛、沃化水銀、ガ
リウム砒素、ＣｄＺｎ、ＣｄＺｎＴｅのいずれかを主材
料とすることを特徴とする請求項１に記載の電磁波電気
信号変換システム。 - 【請求項７】 前記変換アレーは駆動に必要な配線とし
て少なくともデータライン、バイアスライン、ゲートラ
インを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか
１項に記載の電磁波電気信号変換システム。 - 【請求項８】 複数の請求項１〜８のいずれか１項に記
載の電磁波電気信号変換システムを貼り合わせたイメー
ジセンサにおいて前記読み出し装置及び前記駆動装置を
貼り合わせる辺を、貼り合わせ方向の辺以外の１辺或い
は対向する２辺とすることを特徴とするイメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000316763A JP2002124655A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 電磁波電気信号変換システム及びイメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000316763A JP2002124655A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 電磁波電気信号変換システム及びイメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124655A true JP2002124655A (ja) | 2002-04-26 |
Family
ID=18795664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000316763A Pending JP2002124655A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 電磁波電気信号変換システム及びイメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002124655A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004073069A1 (en) | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
| JP2004265932A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
-
2000
- 2000-10-17 JP JP2000316763A patent/JP2002124655A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004073069A1 (en) | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
| JP2004265932A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
| JP2004265935A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに放射線撮像装置 |
| EP1593160A1 (en) * | 2003-02-14 | 2005-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
| EP1593160A4 (en) * | 2003-02-14 | 2006-03-15 | Canon Kk | SEMICONDUCTOR IMAGE CAPTURE APPARATUS AND RADIATION IMAGE CAPTURE APPARATUS |
| US7205568B2 (en) | 2003-02-14 | 2007-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
| KR100729751B1 (ko) * | 2003-02-14 | 2007-06-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 고체촬상장치 및 방사선 촬상장치 |
| CN100448013C (zh) * | 2003-02-14 | 2008-12-31 | 佳能株式会社 | 固态摄像设备和辐射摄像设备 |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
| US7750422B2 (en) | 2003-02-14 | 2010-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7639295B2 (en) | Image sensing apparatus | |
| US5336879A (en) | Pixel array having image forming pixel elements integral with peripheral circuit elements | |
| JP4307322B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| US7541617B2 (en) | Radiation image pickup device | |
| US9136296B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus and radiographic imaging apparatus | |
| JPH11345994A (ja) | ２次元光センサ、それを用いた放射線検出装置及び放射線診断システム | |
| JPH0992807A (ja) | 光電変換装置、及びその駆動方法、及びそれを用いたｘ線撮像装置 | |
| US20120305777A1 (en) | Radiation image pickup device and radiation image pickup display system including the same | |
| KR102517730B1 (ko) | 디지털 엑스레이 검출기 패널과 이를 포함하는 엑스레이 시스템 | |
| US8779377B2 (en) | Image pickup unit and image pickup display system | |
| US6753915B1 (en) | Photoelectric Conversion Apparatus and Image Pickup Apparatus having an Optimally Positioned Driving Wire | |
| JP2011071862A (ja) | 撮像装置および放射線撮像システム | |
| US6489618B1 (en) | Radiation image pickup device | |
| JP3544075B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JP2003197890A (ja) | 光電変換装置及び画像形成システム | |
| JP2007184407A (ja) | 電磁波検出装置及び放射線撮像システム | |
| JP2002124655A (ja) | 電磁波電気信号変換システム及びイメージセンサ | |
| JP2002124676A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008096278A (ja) | 放射線画像検出器 | |
| JP3424360B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2007093449A (ja) | 放射線検出器 | |
| US10212368B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| US20240186340A1 (en) | Light-receiving element, x-ray imaging element, and electronic apparatus | |
| WO2023207847A1 (zh) | 平板探测器、其驱动方法及x射线探测装置 | |
| JP2011091175A (ja) | 放射線画像撮影装置 |