JP2002118055A - アライメントマーク、半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望のアライメント精度を出すことができる
アライメントマークと、前記アライメントマークを用い
る半導体装置の製造方法とを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 半導体装置２１の基板２２の素子２５が
形成される第１面２３から、第１面２３の裏面である第
２面２４にわたって貫通する貫通孔２６に、樹脂２７と
してベンゾシクロブテンを充填させて、樹脂２７を第２
面２４から突出させることによって、第２面２４に露出
する貫通孔２６をアライメントマーク２８として用い
る。これによって、肉眼によるアライメントを容易に行
うことができるとともに、アライメント精度も向上す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
において、半導体装置の基板の第１面に形成されている
パターンに合わせて、第１面の裏面である第２面にパタ
ーンを形成するときに用いるアライメントマーク、アラ
イメントマークを用いた半導体装置、およびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１４（１）は、従来技術である特開平
６−２４４０７３号公報に開示されている半導体装置１
を示す平面図であり、図１４（２）は、その断面図であ
る。この従来技術では、支持基板２に固定される基板３
の、素子４を形成している第１面５から第１面５の裏面
である第２面６に向かって、ドライエッチングによって
孔７を形成する。その後、基板３の第２面６を研磨し
て、孔７を基板３の第２面６に露出させる。基板３の第
２面６にパターンを形成するときに、第２面６に露出し
ている孔７をアライメントマークとして用いる。これに
よって、基板３の第１面５と第２面６とを同時に観察す
る両面アライナが不必要になるとともに、半導体装置の
製造工程を簡略化できる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような従来技術で
は、以下のような問題が生じる。

【０００４】図１５（１）は、先述の従来技術におい
て、ウエットエッチングによって孔７Ａを形成したとき
の半導体装置１Ａを示す平面図であり、図１５（２）
は、その断面図である。ウエットエッチングは、ドライ
エッチングと比べて簡便であり、容易に行うことができ
るが、図１５（２）に示すように孔７Ａが形成されてい
る基板３の結晶方位に従ってエッチングが進むので、孔
７Ａは基板３の第１面５から第２面６に向かうにつれて
収縮するようなテーパ形状となり、孔７Ａが基板３の第
２面６に露出する部分では、基板３の厚さが非常に薄く
なってしまう。このような現象は、基板３がＧａＡｓ、
ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＺｎＳｅ、ＭｏＳなどの化合
物半導体で顕著に見受けられる。孔７Ａの第２面６に露
出した部分の周辺は、基板３を研磨したことによって脆
くなっていて、研磨中に数μｍ〜数十μｍの程度で孔７
Ａの第２面６に露出した部分の大きさが変化するので、
この孔７Ａをアライメントマークとして用いた場合に、
所望のアライメント精度を出すことができない。

【０００５】さらに、孔７Ａが基板３の第２面６に露出
する部分では、基板３の厚さが非常に薄くなり、図１６
に示される半導体装置１Ｂのように、孔７Ｂの第２面６
に露出した部分の周辺が一部欠けて、本来のアライメン
トマークの中心Ｌ１と孔７Ｂの中心Ｌ２とが異なってし
まい、所望のアライメント精度を出すことができない。

【０００６】また、アライメントマークとして用いる孔
を形成する方法であるウエットエッチングおよびドライ
エッチングにかかわらず、以下の問題が生じる。

【０００７】基板３を研磨して、孔７を基板３の第２面
６に露出させたとき、研磨に用いた研磨材、潤滑油およ
び薬品が孔７に進入して、図１７示すような基板３の孔
７の周辺に汚染部位８が作られる。

【０００８】基板３の第１面５と支持基板２とを固定す
るために、紫外線剥離シートおよび熱剥離シートなどの
粘着シート９が用いられる。基板３をエッチングするの
に用いるエッチング薬液、および第２面６のパターン形
成後にレジストを剥離させるのに用いるレジスト洗浄用
の有機溶剤が孔７に進入して、図１７に示すような孔７
の第１面５側の開口部の周辺の粘着シート９が、エッチ
ング薬液および有機溶剤によって化学変化して、粘着シ
ート９の粘着力を変化させるような部位１０が形成され
る。前記部位１０によって、粘着シート９から基板３を
剥離させることが困難になる。

【０００９】図１８（１）は、半導体装置１の基板３の
第２面６にレジスト１１を塗布したものを示す平面図で
あり、図１８（２）は、その断面図である。このとき、
孔７にレジスト１１の一部であるレジスト１１ａが進入
する。孔７に進入したレジスト１１ａは、孔７内で不均
一になっていて、レジスト１１を上方から見ると、レジ
スト１１ａの周辺が干渉模様になり、孔７を用いたアラ
イメントマークと、前記アライメントマークの周辺の境
界が不明瞭になる。このために、本来のアライメントマ
ークの中心Ｌ３とレジスト１１ａを通して見えるアライ
メントマークの中心Ｌ４とが異なり、所望のアライメン
ト精度が出なくなる。

【００１０】したがって本発明の目的は、所望のアライ
メント精度を出すことができるアライメントマーク、前
記アライメントマークを用いる半導体装置、およびその
製造方法とを提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板の第１
面、および第１面の裏面である第２面に素子が形成され
る半導体装置に設けられるアライメントマークにおい
て、第１面から第２面に貫通した貫通孔に、第２面から
露出するように第１面から充填物が充填されたことを特
徴とするアライメントマークである。

【００１２】本発明に従えば、基板の第２面の貫通孔が
露出している部分の周辺が充填物によって保護され、基
板の第２面を研磨するときに、前記部分の周辺が欠ける
ことを防ぐことができ、貫通孔の第２面の露出部分によ
るアライメントマークの形状が変化することを防ぐこと
ができる。また、貫通孔が充填されているので、研磨す
るときに、研磨剤、潤滑油および薬品が貫通孔に進入す
ることを防ぐことができ、基板の貫通孔の周辺部がこれ
らの進入物によって汚染されることを防ぐことができ
る。貫通孔が充填されているので、第２面をエッチング
したりレジストを除去したりするときに、貫通孔にエッ
チング薬液およびレジスト洗浄用有機溶剤が進入するこ
とを防ぐことができ、基板の第１面と支持基板とを固定
する粘着シートが前記薬液および溶剤によって化学変化
して、粘着力が変化して、基板と支持基板とを剥離させ
ることが困難になることを防ぐことができる。

【００１３】また本発明は、前記充填物が、アライメン
トの観察に用いる可視光に対して透明であることを特徴
とする。

【００１４】本発明に従えば、充填物が可視光に対して
透明であるので、肉眼による観察でアライメントを行う
ときに、基板の第２面に露出する貫通孔の輪郭が明瞭に
観察することができ、前記貫通孔をアライメントマーク
として用いることができる。

【００１５】また本発明は、前記充填物が、その上に塗
布されるレジスト材料と比べて光吸収率が異なることを
特徴とする。

【００１６】本発明に従えば、レジスト材料と充填物と
の光吸収率が異なるので、たとえば画像処理およびレー
ザ光の反射による観察で自動アライメントを行うとき
に、基板の第２面に露出する貫通孔の輪郭が明瞭に観察
することができ、前記貫通孔をアライメントマークとし
て用いることができる。

【００１７】また本発明は、前記充填物が、基板の第２
面から突出していることを特徴とする。

【００１８】本発明に従えば、充填物が基板の第２面か
ら突出して段差をなしているので、充填物の輪郭、すな
わち基板の第２面に露出する貫通孔の輪郭が明瞭に観察
することができるので、前記貫通孔をアライメントマー
クとして用いることができる。

【００１９】また本発明は、前記充填物が、ベンゾシク
ロブテンから成ることを特徴とする。

【００２０】本発明に従えば、ベンゾシクロブテンは可
視光のもとでは透明であり、孔への充填度が高いので、
肉眼によるアライメントが容易に行うことができるとと
もに、基板を保護することができる。

【００２１】また本発明は、基板の第１面、および第１
面の裏面である第２面に素子のパターンを形成する半導
体装置の製造方法において、第１面から第２面に貫通す
る貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に、
第２面から露出するように第１面から充填物を充填して
アライメントマークを形成する充填工程と、前記アライ
メントマークを用い、基板の第１面に形成された素子の
パターンに対して、第２面に形成する素子のパターンの
アライメントを行うアライメント工程と、第２面に素子
のパターンを形成する素子形成工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。

【００２２】本発明に従えば、精度の高いアライメント
を行うことができる。また本発明は、基板の第１面、お
よび第１面の裏面である第２面に素子が形成される半導
体装置において、第１面から第２面に貫通した貫通孔
に、第２面から露出するように第１面から充填物が充填
されるアライメントマークを有することを特徴とする半
導体装置。

【００２３】本発明に従えば、基板の第２面の貫通孔が
露出している部分の周辺が充填物によって保護され、基
板の第２面を研磨するときに、前記部分の周辺が欠ける
ことを防ぐことができ、貫通孔の第２面の露出部分によ
るアライメントマークの形状が変化することを防ぐこと
ができる。また、貫通孔が充填されているので、研磨す
るときに、研磨剤、潤滑油および薬品が貫通孔に進入す
ることを防ぐことができ、基板の貫通孔の周辺部がこれ
らの進入物によって汚染されることを防ぐことができ
る。貫通孔が充填されているので、第２面をエッチング
したりレジストを除去したりするときに、貫通孔にエッ
チング薬液およびレジスト洗浄用有機溶剤が進入するこ
とを防ぐことができ、基板の第１面と支持基板とを固定
する粘着シートが前記薬液および溶剤によって化学変化
して、粘着力が変化して、基板と支持基板とを剥離させ
ることが困難になることを防ぐことができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態で
ある半導体装置２１の平面図である。図２は、図１の切
断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。円盤形状の基
板２２の第１面２３には、矩形状の素子２５がマトリク
ス状に配置されている。基板２２には、第１面２３から
第１面２３の裏面である第２面２４に向かう十字型の貫
通孔２６が形成されている。基板２２の第１面２３に、
樹脂２７が塗布されている。樹脂２７は、貫通孔２６に
充填して、第２面２４に露出し、第２面２４から突出し
ている。これによって、第２面２４に露出する貫通孔２
６は十字型のアライメントマーク２８となる。樹脂２７
は、素子２５の一部を覆う。樹脂２７から露出する素子
２５は、半導体装置２１の外部にワイヤボンド等で電気
信号を取り出す第１電極部２９を有する。樹脂２７の素
子２５の周囲には、スクライビングの基準となる溝状の
スクライブライン３０が形成される。スクライブライン
３０が形成されている部分の樹脂２７は、薄く仕上げら
れている。

【００２５】本実施の形態において、基板２２はＧａＡ
ｓ基板を用いる。また、樹脂２７はベンゾシクロブテン
である（以後、樹脂２７をベンゾシクロブテン２７と表
記することがある）。ベンゾシクロブテンは、可視光の
もとでは肉眼で透明として認識されるとともに、孔への
充填度が高い。基板２２の第２面２４からベンゾシクロ
ブテン２７が充填されているアライメントマーク２８を
見ると、基板２２の第２面２４よりも盛り上がって見え
るだけでなく、透明に見えるので、アライメントマーク
２８の輪郭を明瞭に観察することができる。また本実施
の形態では、アライメントマーク２８が十字型であるこ
とにより、より高精度にアライメントを行うことができ
る。

【００２６】本発明の半導体装置２１の製造方法を説明
する。図３は、半導体装置２１の製造における貫通孔形
成工程の前半を示す工程断面図である。まず、基板２２
が薄くされる前の状態の基板２２の素子２５が配置され
る第１面２３に、フォトレジスト３１を塗布する。フォ
トレジスト３１は、ノボラックポジ系レジストを用い
る。その後、紫外線を回路パターンが焼き付けられてい
るガラスマスクを通してフォトレジスト３１に照射し、
フォトレジスト３１の露光された部分を溶剤によって洗
浄し、フォトレジスト３１の未露光の部分を残すことに
よって、レジストパターンが形成される。

【００２７】前記レジストパターンを焼き固めた後に、
前記レジストパターンをマスクにして、エッチングが行
われる。エッチング溶液は、リン酸と過酸化水素と水と
の混合液、または塩酸と過酸化水素と水との混合液、ま
たは硫酸と過酸化水素と水との混合液を用いるものとす
る。ウエットエッチングによって、基板２２の第１面２
３に開口し、底を有する孔２６ａが形成される。孔２６
ａは、第１面２３から孔２６ａの底部までの深さｄが、
ｄ＝２０〜５０μｍとなるように形成される。孔２６ａ
の深さｄは、基板２２を薄くするときの目標とする厚み
よりも大きくする。本実施の形態において、ｄ＝５０μ
ｍとする。このようにして、基板２２を薄くしたときに
貫通孔２６となる孔２６ａが形成される。

【００２８】孔２６ａを形成する他の方法として、前記
レジストパターンと基板２２との間に、１０００〜４０
００Åの厚みのＳｉＮ膜およびＳｉＯ膜等の絶縁膜を挟
んで、前記レジストパターンをマスクにして、前記絶縁
膜をフッ酸またはフロン系のガスを用いてドライエッチ
ングして、前記絶縁膜のパターンをマスクにして、上述
のエッチング溶液を用いて基板２２に孔２６ａを形成す
る方法がある。

【００２９】また、基板２２のエッチングを、塩素ガス
を用いたドライエッチングによって行う方法がある。こ
の場合、パターンの転写精度は、ウエットエッチングと
比べて非常に高精度で、数μｍ程度の寸法のパターンの
転写が可能である。

【００３０】図４は、孔２６ａに充填物である樹脂２７
を充填する充填工程を示す工程断面図である。基板２２
の第１面２３にあったフォトレジスト３１が、酸素プラ
ズマ等によって灰化処理されて除去された後に、基板２
２の第１面２３にベンゾシクロブテンが４５％含まれる
メシチレン溶液を、スピンコート法によって塗布する。
基板２２の回転数は２０００ｒｐｍ、塗布時間は１分と
する。その後、基板２２を窒素雰囲気で、９０℃で３０
分、続いて１５０℃で１０分、続いて２５０℃で１０
分、さらに３００℃で１０分の熱処理する。熱処理によ
って、ベンゾシクロブテン２７は硬化し、孔２６ａに充
填される。このとき、第１面２３上のベンゾシクロブテ
ン２７の厚さは、平坦な部分で４〜５μｍであった。必
要に応じて、ベンゾシクロブテンの塗布と熱処理とを繰
り返してもよい。先述と同じ条件でベンゾシクロブテン
の塗布を行ったとき、第１面２３上のベンゾシクロブテ
ン２７の厚さは、平坦な部分で、およそ９〜１０μｍで
あった。ベンゾシクロブテンの１回の塗布でも、複数回
の塗布でも、孔２６ａに充填されるベンゾシクロブテン
２７の量はほとんど変わらない。

【００３１】ベンゾシクロブテン２７が塗布された基板
２２のベンゾシクロブテン２７の上にフォトレジストを
塗布して、ＳＦ₆ と酸素との混合ガスを用いた反応性イ
オンエッチングによって、素子２５の第１電極部２９の
開口パターン、およびスクライブライン３０のパターン
を形成する。エッチングの条件は、１５０Ｗ、圧力５Ｐ
ａで、時間を調整してエッチングを行う。エッチングに
要した時間は約１０分であった。

【００３２】スクライブライン３０の部分のベンゾシク
ロブテン層２７の厚さは、０．５μｍ以上で１０μｍ以
下とする。スクライブライン３０の部分のベンゾシクロ
ブテン層２７の厚さが１０μｍ以上であると、スクライ
ブライン３０に沿ってダイシングを行うときに、ダイシ
ングソーのブレードを痛めてしまうが、この厚さが０．
５μｍ以上であると、基板２２が化合物半導体である場
合、ベンゾシクロブテン２７によって、基板２２をダイ
シングするときにチップの縁に生じるチッピングを防ぐ
ことができるとともに、薄いチップをハンドリングする
ときに傷つきやすいチップの縁を保護することができ
る。以上のようにして、基板２２を薄くする前の半導体
装置２１である半導体装置２１ａが形成される。

【００３３】図５は、半導体装置２１の製造における貫
通孔形成工程の後半を示す工程断面図である。基板２２
の第１面２３に形成されたベンゾシクロブテン２７が粘
着シート３２によって支持基板３３に粘着して、半導体
装置２１ａが支持基板３３に固定される。支持基板３３
として、シリコン基板、ガラス基板およびサファイア基
板等が用いられるが、本実施の形態において支持基板３
３は、表面の平坦性に優れるシリコン基板を用いるもの
とする。

【００３４】粘着シート３２として、通常の粘着シー
ト、加熱によって粘着部を剥離することができる熱剥離
シート、および紫外線の照射によって粘着部を剥離する
ことができる紫外線剥離シート等が用いられる。紫外線
剥離シートは、支持基板が透明なガラス基板であること
が必要であり、紫外線照射装置も必要となる。熱剥離シ
ートは、加熱によって剥離することができるので、簡便
で好ましい。また、通常の粘着シートには、加熱するこ
とによって粘着力が低下するものもあり、このような粘
着シートも使うことができる。これらの粘着シートは、
工程に応じて適宜選択してもよい。

【００３５】基板２２の第２面２４をラッピング装置に
よって研磨して、基板２２を所望の厚さにする。本実施
の形態の目標として、この厚さを４０μｍに設定した。
研磨が進むと、図５に示すような、基板２２の第２面２
４に孔２６ａに充填されているベンゾシクロブテン２７
が露出する。このときベンゾシクロブテン２７は、第２
面２４から突出せず、第２面２４と同一平面にある。そ
の後、基板２２の第２面２４を、先述のエッチング溶液
を用いてウエットエッチングを行い、基板２２を５μｍ
程度薄くする。このエッチングによって、図６に示すよ
うに、ベンゾシクロブテン２７は第２面２４から突出
し、アライメントマーク２８が形成される。

【００３６】先述の粘着シート、熱剥離シートおよび紫
外線剥離シートは、いずれも基板を固定するために接着
剤を用いており、基板を研磨するときに用いられる化学
薬品が接着剤に付着することによって接着剤が化学変化
をおこして変質して、接着剤の熱または紫外線によって
剥離できるという特性が失われ、剥離することができな
いこともある。

【００３７】これに対して本発明では、貫通孔２６に充
填物である樹脂（ベンゾシクロブテン）２７を充填する
ことによって、研磨に用いる化学薬品、およびエッチン
グに用いるエッチング溶液が貫通孔２６に進入すること
を防ぐことができる。これによって、接着剤の特性が失
われて剥離できなくなることを防ぐことができるととも
に、貫通孔２６の内周面が汚染されることを防ぐことが
できる。

【００３８】本発明のアライメントマーク２８の利用方
法について説明する。本実施の形態において、半導体装
置２１の基板２２にバイアホールを形成するものとす
る。図７〜９は、半導体装置２１の基板２２の第２面２
４に半導体素子のパターンを形成する素子形成工程を示
す工程断面図である。半導体装置２１の第２面２４にフ
ォトレジスト３４を塗布する。アライメントマーク２８
を基準にして、マスク３５に形成されるバイアホールパ
ターン３６をアライメントするアライメント工程を経
て、光を照射してフォトレジスト３４にバイアホールパ
ターン３６を転写して、フォトレジスト３４の露光部を
溶剤で溶かして図７に示されるようなフォトレジスト３
４にパターン３７を形成する。

【００３９】フォトレジスト３４をマスクにして、基板
２２のエッチングを行う。これによって、図８に示すよ
うな、基板２２に第２面２４から第１面２３に貫通する
バイアホール３８が形成される。このとき、素子２５の
第２面２４側の面は、バイアホール３８に露出してい
る。バイアホール３８に露出する素子２５は半導体装置
２１の外部にワイヤボンド等で電気信号を取り出す第２
電極部３９となる。バイアホール３８の中心と第２電極
部３９の中心とのずれを測定することによって、アライ
メントのずれを判定することができる。その後、フォト
レジスト３４を除去して、図９に示すような、基板２２
の第２面２４に回路パターンが形成される。

【００４０】本実施の形態によれば、アライメントマー
ク２８はベンゾシクロブテン２７が充填された貫通孔２
６から成り、基板２２の第２面２４からベンゾシクロブ
テン２７が突出しているので、肉眼で観察するときにア
ライメントマーク２８の輪郭が明瞭に観察することがで
きる。

【００４１】図１０〜１２は、本発明の他の実施の形態
である半導体装置２１Ａの製造工程を示す工程断面図で
ある。半導体装置２１Ａは、半導体装置２１と同様にし
て製造される。半導体装置２１Ａにおいて、充填物であ
る樹脂２７Ａは、染料成分を除去したノボラックレジス
トを用いて、ノボラックレジストを充填した基板２２の
第２面２４に露出する貫通孔２６をアライメントマーク
２８Ａとしている。ノボラックレジストは、色素が含ま
れている樹脂である。このような樹脂を充填物として用
いると、基板２２の第２面２４に露出する貫通孔２６の
輪郭が不明瞭になるだけでなく、基板２２の第２面２４
にノボラック系フォトレジストを塗布して、第２面２４
に露出する貫通孔２６を基準にして所望のパターンの形
成をするためのアライメントを行うときに、塗布したフ
ォトレジストを通して第２面２４に露出する貫通孔２６
を見ることになるので、貫通孔２６の輪郭が不明瞭なり
観察が困難になる。ノボラックレジストの染料成分を除
去することによって、ノボラックレジストの光の吸収特
性は、ノボラックレジストの上に塗布するレジストと大
きく異なるので、アライメントマーク２８Ａの境界が明
瞭になり、アライメント精度を向上することが可能であ
る。

【００４２】基板２２の素子２５を有する第１面２３側
から、半導体装置２１のときと同様にして孔２６ａを形
成する。本実施の形態において、充填物である樹脂２７
Ａは、図１０に示すように、基板２２の第１面２３の孔
２６ａの周辺だけを残すようにエッチングを行い、ハー
ドベークによって樹脂２７Ａを固定する。素子２５およ
び樹脂２７Ａを含む第１面２３が、粘着シート３２によ
って支持基板３３に粘着して、半導体装置２１Ａが支持
基板３３に固定される。その後、基板２２の第２面２４
を研磨およびエッチングを行って基板２２を薄くして、
図１１に示すように、充填物である樹脂２７Ａが第２面
２４から突出する。次に図１２に示すように、半導体装
置２１Ａの第２面２４にフォトレジスト３４を塗布し、
アライメントマーク２８Ａを基準にしてパターンを形成
する。

【００４３】図１３は、本発明の実施の形態のアライメ
ントマークを用いた場合と、従来技術のアライメントマ
ークを用いた場合とのアライメント誤差のばらつきを示
すグラフである。図１３の黒丸印は従来の技術のアライ
メントマークを用いた場合のアライメント誤差、白丸印
は本発明の実施の形態において、ベンゾシクロブテンの
アライメントマークを用いた場合のアライメント誤差、
黒四角印は本発明の実施の形態において、染料成分を除
去したノボラックレジストのアライメントマークを用い
た場合のアライメント誤差、白四角印は本発明の実施の
形態において、フォトレジストと同じ光吸収特性を持つ
ものをアライメントマークとして用いた場合のアライメ
ント誤差を示す。それぞれの方法でアライメントマーク
を形成した基板を各１０枚ずつ用意して、各基板にフォ
トレジストを塗布してアライメントを行ってパターンを
形成し、そのパターンを元にして基板にバイアホールを
形成したときのバイアホールの中心と、素子の電極部の
中心とのアライメントのずれの値を測定して比較を行っ
た。図１３の縦軸は各基板のアライメント誤差の平均値
を表している。基板毎のばらつきが小さいほど、アライ
メントマークが見やすく、アライメントが容易であると
いえる。

【００４４】図１３を参照すれば、本発明の実施の形態
のアライメントマークを用いると、従来技術と比べてア
ライメント誤差のばらつきが少ない。アライメントマー
クにベンゾシクロブテンを用いると、さらにばらつきを
抑えることができる。

【００４５】本実施の形態において、アライメントマー
クの数は、基板上に２個としたが、１個でもよく、基板
上に適当な間隔をあけて２〜３個設けることによって、
さらに精度よくアライメントを行うことができる。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板の第
２面の貫通孔が露出している部分の周辺が充填物によっ
て保護され、基板の第２面を研磨するときに、前記部分
の周辺が欠けることを防ぐことができ、貫通孔の第２面
の露出部分によるアライメントマークの形状が変化する
ことを防ぐことができる。また、貫通孔が充填されてい
るので、研磨するときに、研磨剤、潤滑油および薬品が
貫通孔に進入することを防ぐことができ、基板の貫通孔
の周辺部がこれらの進入物によって汚染されることを防
ぐことができる。貫通孔が充填されているので、第２面
をエッチングしたりレジストを除去したりするときに、
貫通孔にエッチング薬液およびレジスト洗浄用有機溶剤
が進入することを防ぐことができ、基板の第１面と支持
基板とを固定する粘着シートが前記薬液および溶剤によ
って化学変化して、粘着力が変化して、基板と支持基板
とを剥離させることが困難になることを防ぐことができ
る。

【００４７】また本発明によれば、充填物が可視光に対
して透明であるので、肉眼による観察でアライメントを
行うときに、基板の第２面に露出する貫通孔の輪郭が明
瞭に観察することができ、前記貫通孔をアライメントマ
ークとして用いることができる。

【００４８】また本発明によれば、レジスト材料と充填
物との光吸収率が異なるので、たとえば画像処理および
レーザ光の反射による観察で自動アライメントを行うと
きに、基板の第２面に露出する貫通孔の輪郭が明瞭に観
察することができ、前記貫通孔をアライメントマークと
して用いることができる。

【００４９】また本発明によれば、充填物が基板の第２
面から突出して段差をなしているので、充填物の輪郭、
すなわち基板の第２面に露出する貫通孔の輪郭が明瞭に
観察することができるので、前記貫通孔をアライメント
マークとして用いることができる。

【００５０】また本発明によれば、ベンゾシクロブテン
は可視光のもとでは透明であり、孔への充填度が高いの
で、肉眼によるアライメントが容易に行うことができる
とともに、基板を保護することができる。

【００５１】また本発明によれば、精度の高いアライメ
ントを行うことができる。また本発明によれば、基板の
第２面の貫通孔が露出している部分の周辺が充填物によ
って保護され、基板の第２面を研磨するときに、前記部
分の周辺が欠けることを防ぐことができ、貫通孔の第２
面の露出部分によるアライメントマークの形状が変化す
ることを防ぐことができる。また、貫通孔が充填されて
いるので、研磨するときに、研磨剤、潤滑油および薬品
が貫通孔に進入することを防ぐことができ、基板の貫通
孔の周辺部がこれらの進入物によって汚染されることを
防ぐことができる。貫通孔が充填されているので、第２
面をエッチングしたりレジストを除去したりするとき
に、貫通孔にエッチング薬液およびレジスト洗浄用有機
溶剤が進入することを防ぐことができ、基板の第１面と
支持基板とを固定する粘着シートが前記薬液および溶剤
によって化学変化して、粘着力が変化して、基板と支持
基板とを剥離させることが困難になることを防ぐことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の半導体装置２１の平面図
である。

【図２】図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図であ
る。

【図３】半導体装置２１の製造における貫通孔形成工程
の前半を示す工程断面図である。

【図４】孔２６ａに充填物である樹脂２７を充填する充
填工程を示す工程断面図である。

【図５】半導体装置２１の製造における貫通孔形成工程
の後半を示す工程断面図である。

【図６】半導体装置２１にアライメントマーク２８が形
成されたときの断面図である。

【図７】半導体装置２１の基板２２の第２面２４に半導
体素子のパターンを形成する素子形成工程を示す工程断
面図である。

【図８】半導体装置２１の基板２２の第２面２４に半導
体素子のパターンを形成する素子形成工程を示す工程断
面図である。

【図９】半導体装置２１の基板２２の第２面２４に半導
体素子のパターンを形成する素子形成工程を示す工程断
面図である。

【図１０】本発明の他の実施の形態である半導体装置２
１Ａの製造工程を示す工程断面図である。

【図１１】本発明の他の実施の形態である半導体装置２
１Ａの製造工程を示す工程断面図である。

【図１２】本発明の他の実施の形態である半導体装置２
１Ａの製造工程を示す工程断面図である。

【図１３】本発明の実施の形態のアライメントマークを
用いた場合と、従来技術のアライメントマークを用いた
場合とのアライメント誤差のばらつきを示すグラフであ
る。

【図１４】従来技術である半導体装置１を示す平面図お
よび断面図である。

【図１５】ウエットエッチングによって孔７を形成した
半導体装置１Ａを示す平面図および断面図である。

【図１６】半導体装置１Ｂを示す平面図および断面図で
ある。

【図１７】汚染部位８および粘着シート９の粘着力を変
化させるような部位１０が形成された半導体装置１を示
す平面図および断面図である。

【図１８】半導体装置１の基板３の第２面６にレジスト
を塗布したものを示す平面図および断面図である。

【符号の説明】

２１，２１Ａ 半導体装置 ２２ 基板 ２３ 第１面 ２４ 第２面 ２５ 素子 ２６ 貫通孔 ２７ 樹脂 ２８ アライメントマーク

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の第１面、および第１面の裏面であ
   る第２面に素子が形成される半導体装置に設けられるア
   ライメントマークにおいて、 第１面から第２面に貫通した貫通孔に、第２面から露出
   するように第１面から充填物が充填されたことを特徴と
   するアライメントマーク。
2. 【請求項２】 前記充填物が、アライメントの観察に用
   いる可視光に対して透明であることを特徴とする請求項
   １記載のアライメントマーク。
3. 【請求項３】 前記充填物が、その上に塗布されるレジ
   スト材料と比べて光吸収率が異なることを特徴とする請
   求項１記載のアライメントマーク。
4. 【請求項４】 前記充填物が、基板の第２面から突出し
   ていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに
   記載のアライメントマーク。
5. 【請求項５】 前記充填物が、ベンゾシクロブテンから
   成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記
   載のアライメントマーク。
6. 【請求項６】 基板の第１面、および第１面の裏面であ
   る第２面に素子のパターンを形成する半導体装置の製造
   方法において、 第１面から第２面に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形
   成工程と、 前記貫通孔に、第２面から露出するように第１面から充
   填物を充填してアライメントマークを形成する充填工程
   と、 前記アライメントマークを用い、基板の第１面に形成さ
   れた素子のパターンに対して、第２面に形成する素子の
   パターンのアライメントを行うアライメント工程と、 第２面に素子のパターンを形成する素子形成工程とを含
   むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 基板の第１面、および第１面の裏面であ
   る第２面に素子が形成される半導体装置において、 第１面から第２面に貫通した貫通孔に、第２面から露出
   するように第１面から充填物が充填されるアライメント
   マークを有することを特徴とする半導体装置。