JP2002115068A - シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法 - Google Patents
シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プロセスチャンバ内に安定した高密度プラズ
マを発生させることができるシャワーヘッド、基板処理
装置、基板製造方法を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１のプロセスチャン
バ２内には、シャワーヘッド１０が配置されている。シ
ャワーヘッド１０は複数のガス導入孔１１を有してお
り、プロセスガスがそれらのガス導入孔１１を介して、
ペデスタル５上に置かれたウェハＷに向けて供給され
る。シャワーヘッド１０におけるペデスタル５と対向す
る面には、全面にわたって、ビーズブラスト処理が施さ
れた粗面部Ｂが形成されている。これにより、シャワー
ヘッド１０におけるペデスタル５と対向する面の面積が
増大するため、プロセスチャンバ２内に均一で高密度の
プラズマが発生する。
マを発生させることができるシャワーヘッド、基板処理
装置、基板製造方法を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１のプロセスチャン
バ２内には、シャワーヘッド１０が配置されている。シ
ャワーヘッド１０は複数のガス導入孔１１を有してお
り、プロセスガスがそれらのガス導入孔１１を介して、
ペデスタル５上に置かれたウェハＷに向けて供給され
る。シャワーヘッド１０におけるペデスタル５と対向す
る面には、全面にわたって、ビーズブラスト処理が施さ
れた粗面部Ｂが形成されている。これにより、シャワー
ヘッド１０におけるペデスタル５と対向する面の面積が
増大するため、プロセスチャンバ２内に均一で高密度の
プラズマが発生する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロセスチャンバ
内に配置された半導体ウェハ等の被処理基板に対してプ
ロセスガスを供給するシャワーヘッド、及びこのシャワ
ーヘッドを備えた基板処理装置、並びにこの基板処理装
置を使用して被処理基板の表面に対して成膜を行う基板
製造方法に関する。
内に配置された半導体ウェハ等の被処理基板に対してプ
ロセスガスを供給するシャワーヘッド、及びこのシャワ
ーヘッドを備えた基板処理装置、並びにこの基板処理装
置を使用して被処理基板の表面に対して成膜を行う基板
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板処理装置の１つであるプラズマＣＶ
Ｄ装置は、例えば、プロセスチャンバと、このプロセス
チャンバ内に配置され、ウェハを支持するペデスタル
と、プロセスチャンバ内を減圧排気するポンプと、プロ
セスガスをプロセスチャンバ内に導入するガス導入部
と、プロセスチャンバ内にプラズマを発生させるプラズ
マ発生部とを備えている。プロセスチャンバには、複数
のガス導入孔を有するシャワーヘッドが設けられてお
り、ガス導入部からのプロセスガスがシャワーヘッドを
介してペデスタル上のウェハに向けて均一に供給される
ようになっている。
Ｄ装置は、例えば、プロセスチャンバと、このプロセス
チャンバ内に配置され、ウェハを支持するペデスタル
と、プロセスチャンバ内を減圧排気するポンプと、プロ
セスガスをプロセスチャンバ内に導入するガス導入部
と、プロセスチャンバ内にプラズマを発生させるプラズ
マ発生部とを備えている。プロセスチャンバには、複数
のガス導入孔を有するシャワーヘッドが設けられてお
り、ガス導入部からのプロセスガスがシャワーヘッドを
介してペデスタル上のウェハに向けて均一に供給される
ようになっている。
【０００３】このようなプラズマＣＶＤ装置において、
ポンプにより減圧されたプロセスチャンバ内にウェハを
搬入してペデスタル上に載置する。そして、ウェハ表面
に向けてシャワーヘッドを介してプロセスガスを導入す
ると共に、プラズマ発生部によりプロセスチャンバ内に
プラズマを生成することよって、ウェハの表面に薄膜を
形成する。
ポンプにより減圧されたプロセスチャンバ内にウェハを
搬入してペデスタル上に載置する。そして、ウェハ表面
に向けてシャワーヘッドを介してプロセスガスを導入す
ると共に、プラズマ発生部によりプロセスチャンバ内に
プラズマを生成することよって、ウェハの表面に薄膜を
形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
シャワーヘッドでは、その表面が機械切削終端であった
ため、プロセス中のプラズマがプロセスチャンバ内で不
均一に広がり、プラズマ密度不足となっていた。このた
め、ウェハ上での成膜速度の低下や、ウェハ面内の膜厚
均一性の悪化を引き起こす可能性があった。
シャワーヘッドでは、その表面が機械切削終端であった
ため、プロセス中のプラズマがプロセスチャンバ内で不
均一に広がり、プラズマ密度不足となっていた。このた
め、ウェハ上での成膜速度の低下や、ウェハ面内の膜厚
均一性の悪化を引き起こす可能性があった。
【０００５】本発明の目的は、プロセスチャンバ内に安
定した高密度プラズマを発生させることができるシャワ
ーヘッド、基板処理装置、基板製造方法を提供すること
である。
定した高密度プラズマを発生させることができるシャワ
ーヘッド、基板処理装置、基板製造方法を提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、プロセスチャ
ンバに設けられ、プロセスチャンバ内に配置された被処
理基板に対してプロセスガスを供給するための複数のガ
ス導入孔を有するシャワーヘッドであって、プロセスチ
ャンバ内に被処理基板が配置された時に被処理基板と対
向する面には、略全面にわたって粗面部が形成されてい
る。
ンバに設けられ、プロセスチャンバ内に配置された被処
理基板に対してプロセスガスを供給するための複数のガ
ス導入孔を有するシャワーヘッドであって、プロセスチ
ャンバ内に被処理基板が配置された時に被処理基板と対
向する面には、略全面にわたって粗面部が形成されてい
る。
【０００７】例えばシャワーヘッドを備えたプラズマＣ
ＶＤ装置においては、上記のようにシャワーヘッドにお
ける被処理基板と対向する面に粗面部を形成することに
より、被処理基板と対向する面の面積が増大するため、
プロセスチャンバ内には略均一でかつ高密度のプラズマ
が発生するようになる。
ＶＤ装置においては、上記のようにシャワーヘッドにお
ける被処理基板と対向する面に粗面部を形成することに
より、被処理基板と対向する面の面積が増大するため、
プロセスチャンバ内には略均一でかつ高密度のプラズマ
が発生するようになる。
【０００８】好ましくは、粗面部は、被処理基板と対向
する面にビーズブラスト処理を施すことによって形成さ
れている。これにより、粗さ、形状、面積等が安定した
粗面部の形成を、簡単かつ低コストで実現できる。
する面にビーズブラスト処理を施すことによって形成さ
れている。これにより、粗さ、形状、面積等が安定した
粗面部の形成を、簡単かつ低コストで実現できる。
【０００９】この場合、好ましくは、ビーズブラスト処
理に用いるブラスト材の粒径は、♯２２０〜♯２０であ
る。これにより、シャワーヘッドにおける被処理基板と
対向する面を効果的に粗すことができる。
理に用いるブラスト材の粒径は、♯２２０〜♯２０であ
る。これにより、シャワーヘッドにおける被処理基板と
対向する面を効果的に粗すことができる。
【００１０】また、好ましくは、ビーズブラスト処理に
用いるブラスト材のヌープ硬度は、１０００〜５０００
ｋｇ／ｍｍ2である。これにより、シャワーヘッドにお
ける被処理基板と対向する面を効果的に粗すことができ
る。
用いるブラスト材のヌープ硬度は、１０００〜５０００
ｋｇ／ｍｍ2である。これにより、シャワーヘッドにお
ける被処理基板と対向する面を効果的に粗すことができ
る。
【００１１】例えば、ビーズブラスト処理に用いるブラ
スト材の材質は、アルミナ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＣＯ2の
いずれかである。
スト材の材質は、アルミナ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＣＯ2の
いずれかである。
【００１２】また、本発明の基板処理装置は、被処理基
板を処理するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに
設けられ、プロセスチャンバ内に配置された被処理基板
に向けてプロセスガスを供給するための複数のガス導入
孔を有するシャワーヘッドと、プロセスチャンバ内にプ
ラズマを発生させるプラズマ発生部とを備え、プロセス
チャンバ内に被処理基板が配置された時にシャワーヘッ
ドにおける被処理基板と対向する面には、略全面にわた
って粗面部が形成されている。
板を処理するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに
設けられ、プロセスチャンバ内に配置された被処理基板
に向けてプロセスガスを供給するための複数のガス導入
孔を有するシャワーヘッドと、プロセスチャンバ内にプ
ラズマを発生させるプラズマ発生部とを備え、プロセス
チャンバ内に被処理基板が配置された時にシャワーヘッ
ドにおける被処理基板と対向する面には、略全面にわた
って粗面部が形成されている。
【００１３】このように被処理基板と対向する面に粗面
部を形成したシャワーヘッドを設けることにより、上述
したようにプロセスチャンバ内に安定した高密度プラズ
マを発生させることができる。
部を形成したシャワーヘッドを設けることにより、上述
したようにプロセスチャンバ内に安定した高密度プラズ
マを発生させることができる。
【００１４】また、本発明は、上記の基板処理装置を使
用して被処理基板の表面に対して成膜を行う基板製造方
法であって、プロセスチャンバ内に被処理基板を搬入
し、プロセスガスを被処理基板の表面に向けて供給する
と共に、プロセスチャンバ内にプラズマを生成すること
によって成膜を行うものである。
用して被処理基板の表面に対して成膜を行う基板製造方
法であって、プロセスチャンバ内に被処理基板を搬入
し、プロセスガスを被処理基板の表面に向けて供給する
と共に、プロセスチャンバ内にプラズマを生成すること
によって成膜を行うものである。
【００１５】このように被処理基板と対向する面に粗面
部を形成したシャワーヘッドを備えた基板処理装置を使
用することにより、成膜処理において、上述したように
プロセスチャンバ内に安定した高密度プラズマを発生さ
せることができる。
部を形成したシャワーヘッドを備えた基板処理装置を使
用することにより、成膜処理において、上述したように
プロセスチャンバ内に安定した高密度プラズマを発生さ
せることができる。
【００１６】好ましくは、被処理基板としてシリコンウ
ェハを用い、このシリコンウェハの表面にチタンシリサ
イド膜を形成する。
ェハを用い、このシリコンウェハの表面にチタンシリサ
イド膜を形成する。
【００１７】また、被処理基板として酸化シリコンウェ
ハを用い、この酸化シリコンウェハの表面にチタン膜を
形成してもよい。
ハを用い、この酸化シリコンウェハの表面にチタン膜を
形成してもよい。
【００１８】この場合、例えば、プロセスガスとしてＴ
ｉＣｌ4ガスを含むガスを使用する。
ｉＣｌ4ガスを含むガスを使用する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るシャワーヘッ
ド、基板処理装置、基板製造方法の好適な実施形態につ
いて図面を参照して説明する。
ド、基板処理装置、基板製造方法の好適な実施形態につ
いて図面を参照して説明する。
【００２０】図１は、本発明に係る基板処理装置の一実
施形態としてプラズマＣＶＤ装置を示した概略構成図で
ある。同図において、プラズマＣＶＤ装置１はプロセス
チャンバ２を備えており、このプロセスチャンバ２は、
チャンバ本体３と、このチャンバ本体３の上部に設けら
れた蓋体４とを有している。
施形態としてプラズマＣＶＤ装置を示した概略構成図で
ある。同図において、プラズマＣＶＤ装置１はプロセス
チャンバ２を備えており、このプロセスチャンバ２は、
チャンバ本体３と、このチャンバ本体３の上部に設けら
れた蓋体４とを有している。
【００２１】プロセスチャンバ２内には、ウェハ（被処
理基板）Ｗを支持するペデスタル５が配置され、このペ
デスタル５内には、ウェハＷを加熱するためのヒータ
（図示せず）が設けられている。ペデスタル５は、ニッ
ケル等の導電性金属からなる下部電極を構成しており、
かつ接地されている。
理基板）Ｗを支持するペデスタル５が配置され、このペ
デスタル５内には、ウェハＷを加熱するためのヒータ
（図示せず）が設けられている。ペデスタル５は、ニッ
ケル等の導電性金属からなる下部電極を構成しており、
かつ接地されている。
【００２２】また、プロセスチャンバ２には、スロット
ルバルブ６を介して真空ポンプ７が接続されている。こ
の真空ポンプ７は、チャンバ２内部を減圧すると共に、
チャンバ２内部を排気する。
ルバルブ６を介して真空ポンプ７が接続されている。こ
の真空ポンプ７は、チャンバ２内部を減圧すると共に、
チャンバ２内部を排気する。
【００２３】蓋体４には、ガス混合部８ａを含むガス流
路８が設けられ、ガス混合部８ａには配管１４，１５が
接続されている。蓋体４の下面部には、ボルト止めされ
たブロッカープレート９が設けられ、このブロッカープ
レート９には複数のガス導入孔（図示せず）が形成され
ている。
路８が設けられ、ガス混合部８ａには配管１４，１５が
接続されている。蓋体４の下面部には、ボルト止めされ
たブロッカープレート９が設けられ、このブロッカープ
レート９には複数のガス導入孔（図示せず）が形成され
ている。
【００２４】また、ブロッカープレート９の下方には、
ペデスタル５に対向するようにシャワーヘッド１０が配
置されており、このシャワーヘッド１０の縁部が蓋体４
の下面部にボルトで固定されている。このシャワーヘッ
ド１０は、図２に示すように、上部電極を構成する円形
プレートであり、ニッケル等の導電性金属からなってい
る。シャワーヘッド１０は、複数のガス導入孔１１を有
し、ガス流路８よりブロッカープレート９を介して送ら
れていたプロセスガスが、それらのガス導入孔１１を通
って、ペデスタル５上に置かれたウェハＷに向けて供給
される。このガス導入孔１１の径は、例えば１ｍｍ弱程
度となっている。
ペデスタル５に対向するようにシャワーヘッド１０が配
置されており、このシャワーヘッド１０の縁部が蓋体４
の下面部にボルトで固定されている。このシャワーヘッ
ド１０は、図２に示すように、上部電極を構成する円形
プレートであり、ニッケル等の導電性金属からなってい
る。シャワーヘッド１０は、複数のガス導入孔１１を有
し、ガス流路８よりブロッカープレート９を介して送ら
れていたプロセスガスが、それらのガス導入孔１１を通
って、ペデスタル５上に置かれたウェハＷに向けて供給
される。このガス導入孔１１の径は、例えば１ｍｍ弱程
度となっている。
【００２５】シャワーヘッド１０におけるペデスタル５
と対向する面（以下、シャワーヘッド１０の表面とい
う）には、全面にわたって、ビーズブラスト処理が施さ
れた粗面部Ｂが形成されている。このビーズブラスト処
理は、例えばエアーブラスト機によって圧縮空気を利用
してブラスト材を噴射することにより行う。ブラスト材
としては、アルミナ、アルミナ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、Ｃ
Ｏ2の固体（商標名：ドライアイス）等が使用される。
ブラスト材の粒径は、♯２２０〜♯２０であることが好
ましい。ここで、♯（メッシュ）は、Ｔｙｌｅｒによる
粒体の粒の粗さを表わす単位である。また、ブラスト材
のヌープ硬度は、１０００〜５０００ｋｇ／ｍｍ2であ
ることが好ましい。以上により、シャワーヘッド１０の
表面を効果的に粗すことができる。また、ビーズブラス
ト処理によって粗面部Ｂを形成したので、粗さ、形状、
面積等がほぼ一定な粗面部を、簡単にかつ低コストで加
工できる。
と対向する面（以下、シャワーヘッド１０の表面とい
う）には、全面にわたって、ビーズブラスト処理が施さ
れた粗面部Ｂが形成されている。このビーズブラスト処
理は、例えばエアーブラスト機によって圧縮空気を利用
してブラスト材を噴射することにより行う。ブラスト材
としては、アルミナ、アルミナ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、Ｃ
Ｏ2の固体（商標名：ドライアイス）等が使用される。
ブラスト材の粒径は、♯２２０〜♯２０であることが好
ましい。ここで、♯（メッシュ）は、Ｔｙｌｅｒによる
粒体の粒の粗さを表わす単位である。また、ブラスト材
のヌープ硬度は、１０００〜５０００ｋｇ／ｍｍ2であ
ることが好ましい。以上により、シャワーヘッド１０の
表面を効果的に粗すことができる。また、ビーズブラス
ト処理によって粗面部Ｂを形成したので、粗さ、形状、
面積等がほぼ一定な粗面部を、簡単にかつ低コストで加
工できる。
【００２６】このようなシャワーヘッド１０には、整合
器１２を介して高周波電源１３が接続されており、高周
波電源１３を投入すると、シャワーヘッド１０とペデス
タル５との間の空間Ｓに例えば３５０ｋＨｚの高周波電
力が印加され、プラズマを発生させる。
器１２を介して高周波電源１３が接続されており、高周
波電源１３を投入すると、シャワーヘッド１０とペデス
タル５との間の空間Ｓに例えば３５０ｋＨｚの高周波電
力が印加され、プラズマを発生させる。
【００２７】以上のようなプラズマＣＶＤ装置１を使用
して、酸化シリコンウェハの成膜プロセスを行う基板製
造方法について説明する。まず、真空ポンプ７により所
望の真空度まで減圧したプロセスチャンバ２の内部に、
シリコンウェハＷをウェハ搬送ロボット（図示せず）に
よりウェハ搬入口３ａから搬入して、所望の温度に加熱
されたペデスタル５上に置く。
して、酸化シリコンウェハの成膜プロセスを行う基板製
造方法について説明する。まず、真空ポンプ７により所
望の真空度まで減圧したプロセスチャンバ２の内部に、
シリコンウェハＷをウェハ搬送ロボット（図示せず）に
よりウェハ搬入口３ａから搬入して、所望の温度に加熱
されたペデスタル５上に置く。
【００２８】そして、ヘリウムをキャリアガスとする気
化四塩化チタンガス（ＴｉＣｌ4ガス）を配管１４より
導入すると共に、水素ガス（Ｈ2ガス）を配管１５より
導入する。なお、ＴｉＣｌ4ガス及びＨ2ガスは、ＭＦＣ
（図示せず）により流量制御された状態で導入される。
これらＴｉＣｌ4ガス及びＨ2ガスは、混合部８ａで混合
される。この混合ガスは、ガス流路８及びブロッカープ
レート９を介してシャワーヘッド１０に供給され、この
シャワーヘッド１０の各ガス導入孔１１よりシリコンウ
ェハＷに向けて均一に拡散される。
化四塩化チタンガス（ＴｉＣｌ4ガス）を配管１４より
導入すると共に、水素ガス（Ｈ2ガス）を配管１５より
導入する。なお、ＴｉＣｌ4ガス及びＨ2ガスは、ＭＦＣ
（図示せず）により流量制御された状態で導入される。
これらＴｉＣｌ4ガス及びＨ2ガスは、混合部８ａで混合
される。この混合ガスは、ガス流路８及びブロッカープ
レート９を介してシャワーヘッド１０に供給され、この
シャワーヘッド１０の各ガス導入孔１１よりシリコンウ
ェハＷに向けて均一に拡散される。
【００２９】そして、プロセスチャンバ２内に導入され
た混合ガスをスロットルバルブ６により圧力制御した状
態で、高周波電源１３を投入してシャワーヘッド１０と
ペデスタル５との間の空間Ｓに高周波電力を印加する。
すると、ＴｉＣｌ4ガスとＨ2ガスとの混合ガスが空間Ｓ
でプラズマ化し、ＴｉＣｌ4ガスとＨ2ガスとが分解し、
ラジカル化した塩素と水素との結合反応が促進され、酸
化シリコンウェハ上に金属チタン（Ｔｉ）膜が生成され
る。
た混合ガスをスロットルバルブ６により圧力制御した状
態で、高周波電源１３を投入してシャワーヘッド１０と
ペデスタル５との間の空間Ｓに高周波電力を印加する。
すると、ＴｉＣｌ4ガスとＨ2ガスとの混合ガスが空間Ｓ
でプラズマ化し、ＴｉＣｌ4ガスとＨ2ガスとが分解し、
ラジカル化した塩素と水素との結合反応が促進され、酸
化シリコンウェハ上に金属チタン（Ｔｉ）膜が生成され
る。
【００３０】また、純シリコンウェハの成膜プロセスに
おいては、シャワーヘッド１０とペデスタル５との間の
空間Ｓにプラズマを発生させたときに、ラジカル化した
塩素と水素との結合反応に加えて、シリコンとチタン界
面で結合反応が起こり、シリコンウェハ上にチタンシリ
サイド（ＴｉＳx）膜が生成される。
おいては、シャワーヘッド１０とペデスタル５との間の
空間Ｓにプラズマを発生させたときに、ラジカル化した
塩素と水素との結合反応に加えて、シリコンとチタン界
面で結合反応が起こり、シリコンウェハ上にチタンシリ
サイド（ＴｉＳx）膜が生成される。
【００３１】ここで、従来のようにシャワーヘッド１０
の表面にビーズブラスト処理を施さず、機械切削終端の
ままである場合には、成膜プロセス中のプラズマがプロ
セスチャンバ２内で不均一に広がり、プラズマ密度不足
となる。このため、ウェハＷの成膜速度が低下したり、
ウェハＷ面内の膜厚が不均一になってしまう可能性があ
る。また、成膜プロセスによって発生するチタンを含む
塩化チタン（ＴｉＣｌ x）系副生成物が、シャワーヘッ
ド１０の表面に不均一に堆積し、成膜の連続安定性を損
なう可能性もある。さらに、シャワーヘッド１０からウ
ェハＷへの輻射熱が不均一になるため、特に純シリコン
ウェハＷ上のチタンシリサイド膜の生成において、膜厚
均一性が更に低下する可能性もある。また、シャワーヘ
ッド１０の個体差も大きくなる。
の表面にビーズブラスト処理を施さず、機械切削終端の
ままである場合には、成膜プロセス中のプラズマがプロ
セスチャンバ２内で不均一に広がり、プラズマ密度不足
となる。このため、ウェハＷの成膜速度が低下したり、
ウェハＷ面内の膜厚が不均一になってしまう可能性があ
る。また、成膜プロセスによって発生するチタンを含む
塩化チタン（ＴｉＣｌ x）系副生成物が、シャワーヘッ
ド１０の表面に不均一に堆積し、成膜の連続安定性を損
なう可能性もある。さらに、シャワーヘッド１０からウ
ェハＷへの輻射熱が不均一になるため、特に純シリコン
ウェハＷ上のチタンシリサイド膜の生成において、膜厚
均一性が更に低下する可能性もある。また、シャワーヘ
ッド１０の個体差も大きくなる。
【００３２】これに対し、シャワーヘッド１０の表面に
ビーズブラスト処理を施した場合には、シャワーヘッド
１０の表面の面積が増大するため、プロセスチャンバ２
内には高密度のプラズマが発生することになる。また、
ビーズブラスト処理を施すことでシャワーヘッド１０の
表面の粗さが均一になるので、プロセスチャンバ２内に
発生するプラズマは均一となる。従って、反応効率が良
くなり、ウェハＷの成膜速度やウェハ面内の膜厚均一性
が向上する。また、成膜プロセスによって発生するＴｉ
及びＴｉＣｌｘ系副生成物等は、高密度かつ均一に発生
したプラズマによってシャワーヘッド１０の表面に均一
に堆積するため、成膜の連続安定性が向上する。さら
に、シャワーヘッド１０からウェハＷへの輻射熱が均一
化されるので、特に純シリコンウェハ上のチタンシリサ
イド膜の膜厚均一性が大幅に向上する。また、シャワー
ヘッド１０の個体差が、極めて小さくなるこのようにシ
ャワーヘッド１０の表面にビーズブラスト処理を施した
場合と、そうでない場合とを比較した結果の一例を図３
〜図６に示す。
ビーズブラスト処理を施した場合には、シャワーヘッド
１０の表面の面積が増大するため、プロセスチャンバ２
内には高密度のプラズマが発生することになる。また、
ビーズブラスト処理を施すことでシャワーヘッド１０の
表面の粗さが均一になるので、プロセスチャンバ２内に
発生するプラズマは均一となる。従って、反応効率が良
くなり、ウェハＷの成膜速度やウェハ面内の膜厚均一性
が向上する。また、成膜プロセスによって発生するＴｉ
及びＴｉＣｌｘ系副生成物等は、高密度かつ均一に発生
したプラズマによってシャワーヘッド１０の表面に均一
に堆積するため、成膜の連続安定性が向上する。さら
に、シャワーヘッド１０からウェハＷへの輻射熱が均一
化されるので、特に純シリコンウェハ上のチタンシリサ
イド膜の膜厚均一性が大幅に向上する。また、シャワー
ヘッド１０の個体差が、極めて小さくなるこのようにシ
ャワーヘッド１０の表面にビーズブラスト処理を施した
場合と、そうでない場合とを比較した結果の一例を図３
〜図６に示す。
【００３３】図３は、酸化シリコンウェハ上に形成され
たチタン膜のシート抵抗値及びその均一性を示したもの
である。同図において、黒四角Ｎｓは、ビーズブラスト
処理を施さない場合のチタン膜のシート抵抗値を示し、
黒三角Ｂｓは、ビーズブラスト処理を施した場合のチタ
ン膜のシート抵抗値を示している。白四角Ｎｕは、ビー
ズブラスト処理を施さない場合のチタン膜のシート抵抗
値の均一性を示し、白三角Ｂｕは、ビーズブラスト処理
を施した場合のチタン膜のシート抵抗値の均一性を示し
ている。また、横軸はウェハＷのカウント数を示し、縦
軸の左側はチタン膜のシート抵抗値を示し、縦軸の右側
はチタン膜のシート抵抗値の均一性を示している。な
お、１枚のウェハ面内の測定ポイントは４９ポイントで
あり、シート抵抗値の均一性は、以下の式から算出され
たものである。
たチタン膜のシート抵抗値及びその均一性を示したもの
である。同図において、黒四角Ｎｓは、ビーズブラスト
処理を施さない場合のチタン膜のシート抵抗値を示し、
黒三角Ｂｓは、ビーズブラスト処理を施した場合のチタ
ン膜のシート抵抗値を示している。白四角Ｎｕは、ビー
ズブラスト処理を施さない場合のチタン膜のシート抵抗
値の均一性を示し、白三角Ｂｕは、ビーズブラスト処理
を施した場合のチタン膜のシート抵抗値の均一性を示し
ている。また、横軸はウェハＷのカウント数を示し、縦
軸の左側はチタン膜のシート抵抗値を示し、縦軸の右側
はチタン膜のシート抵抗値の均一性を示している。な
お、１枚のウェハ面内の測定ポイントは４９ポイントで
あり、シート抵抗値の均一性は、以下の式から算出され
たものである。
【００３４】（１枚のウェハ面内４９ポイントの標準偏
差）／（１枚のウェハ面内４９ポイントの平均値）×１
００％ この図３から分かるように、シャワーヘッド１０の表面
にビーズブラスト処理を施すことによって、ウェハＷ毎
のシート抵抗値の均一性（平均値）のばらつきが少なく
なる。
差）／（１枚のウェハ面内４９ポイントの平均値）×１
００％ この図３から分かるように、シャワーヘッド１０の表面
にビーズブラスト処理を施すことによって、ウェハＷ毎
のシート抵抗値の均一性（平均値）のばらつきが少なく
なる。
【００３５】図４は、純シリコンウェハ上に形成された
チタンシリサイド膜のシート抵抗値及びその均一性を示
したものである。なお、この特性図の見方は、図３と同
様である。この図から分かるように、チタンシリサイド
膜の成膜においても、シャワーヘッド１０の表面にビー
ズブラスト処理を施すことによって、ウェハＷ毎のシー
ト抵抗値の均一性（平均値）のばらつきが少なくなる。
チタンシリサイド膜のシート抵抗値及びその均一性を示
したものである。なお、この特性図の見方は、図３と同
様である。この図から分かるように、チタンシリサイド
膜の成膜においても、シャワーヘッド１０の表面にビー
ズブラスト処理を施すことによって、ウェハＷ毎のシー
ト抵抗値の均一性（平均値）のばらつきが少なくなる。
【００３６】図５は、１枚の酸化シリコンウェハＷ上に
形成されたチタン膜のシート抵抗値の分布を示したもの
であり、（ａ）がビーズブラスト処理を施さない場合の
分布を示し、（ｂ）がビーズブラスト処理を施した場合
の分布を示している。なお、この場合も、測定ポイント
は４９ポイントとしてある。
形成されたチタン膜のシート抵抗値の分布を示したもの
であり、（ａ）がビーズブラスト処理を施さない場合の
分布を示し、（ｂ）がビーズブラスト処理を施した場合
の分布を示している。なお、この場合も、測定ポイント
は４９ポイントとしてある。
【００３７】図５（ａ）では、シート抵抗値の最大値が
155.1ohms/sq、シート抵抗値の最小値が124.85ohms/sq
であり、その偏差は30.25ohms/sqとなっている。一方、
図５（ｂ）では、シート抵抗値の最大値が122.74ohms/s
q、シート抵抗値の最小値が109.24ohms/sqであり、その
偏差は13.5ohms/sqとなっている。この結果から、シャ
ワーヘッド１０の表面にビーズブラスト処理を施すこと
によって、１枚のウェハ面内におけるシート抵抗値の均
一性が向上することが分かる。また、図５から分かるよ
うに、シャワーヘッド１０の表面にビーズブラスト処理
を施した場合には、シート抵抗値の分布が良好になる。
さらに、シート抵抗値が低下することで、成膜速度が向
上するようになる。
155.1ohms/sq、シート抵抗値の最小値が124.85ohms/sq
であり、その偏差は30.25ohms/sqとなっている。一方、
図５（ｂ）では、シート抵抗値の最大値が122.74ohms/s
q、シート抵抗値の最小値が109.24ohms/sqであり、その
偏差は13.5ohms/sqとなっている。この結果から、シャ
ワーヘッド１０の表面にビーズブラスト処理を施すこと
によって、１枚のウェハ面内におけるシート抵抗値の均
一性が向上することが分かる。また、図５から分かるよ
うに、シャワーヘッド１０の表面にビーズブラスト処理
を施した場合には、シート抵抗値の分布が良好になる。
さらに、シート抵抗値が低下することで、成膜速度が向
上するようになる。
【００３８】図６は、１枚の純シリコンウェハＷ上に形
成されたチタンシリサイド膜のシート抵抗値の分布を示
したものであり、（ａ）がビーズブラスト処理を施さな
い場合の分布を示し、（ｂ）がビーズブラスト処理を施
した場合の分布を示している。
成されたチタンシリサイド膜のシート抵抗値の分布を示
したものであり、（ａ）がビーズブラスト処理を施さな
い場合の分布を示し、（ｂ）がビーズブラスト処理を施
した場合の分布を示している。
【００３９】図６（ａ）では、シート抵抗値の最大値が
49.375ohms/sq、シート抵抗値の最小値が28.432ohms/sq
であり、その偏差は20.943ohms/sqとなっている。一
方、図６（ｂ）では、シート抵抗値の最大値が47.99ohm
s/sq、シート抵抗値の最小値が44.061ohms/sqであり、
その偏差は3.929ohms/sqとなっている。この結果から分
かるように、シャワーヘッド１０の表面にビーズブラス
ト処理を施すことによって、１枚のウェハ面内における
シート抵抗値の均一性が向上する。
49.375ohms/sq、シート抵抗値の最小値が28.432ohms/sq
であり、その偏差は20.943ohms/sqとなっている。一
方、図６（ｂ）では、シート抵抗値の最大値が47.99ohm
s/sq、シート抵抗値の最小値が44.061ohms/sqであり、
その偏差は3.929ohms/sqとなっている。この結果から分
かるように、シャワーヘッド１０の表面にビーズブラス
ト処理を施すことによって、１枚のウェハ面内における
シート抵抗値の均一性が向上する。
【００４０】なお、本発明は、上記実施形態には限定さ
れない。例えば、上記実施形態は、ウェハＷ上にチタン
膜およびチタンシリサイド膜を生成するものであるが、
特にこれに限定されるものではなく、アルミニウム膜や
タングステン膜等の他の成膜にも適用できる。
れない。例えば、上記実施形態は、ウェハＷ上にチタン
膜およびチタンシリサイド膜を生成するものであるが、
特にこれに限定されるものではなく、アルミニウム膜や
タングステン膜等の他の成膜にも適用できる。
【００４１】また、上記実施形態は、プラズマＣＶＤ装
置についてであるが、本発明は、シャワーヘッドを備え
た他の基板処理装置にも適用できる。
置についてであるが、本発明は、シャワーヘッドを備え
た他の基板処理装置にも適用できる。
【００４２】さらに、上記実施形態は、シャワーヘッド
１０の表面にビーズブラスト処理を施すことによって粗
面部Ｂを形成するものであるが、特にビーズブラスト処
理に限られず、例えばシャワーヘッド１０の表面を紙ヤ
スリ等で削ることによって、好ましくはガス導入孔１１
の径よりも細かい粗さを有する粗面部を形成してもよ
い。
１０の表面にビーズブラスト処理を施すことによって粗
面部Ｂを形成するものであるが、特にビーズブラスト処
理に限られず、例えばシャワーヘッド１０の表面を紙ヤ
スリ等で削ることによって、好ましくはガス導入孔１１
の径よりも細かい粗さを有する粗面部を形成してもよ
い。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、プロセスチャンバ内に
被処理基板が配置された時にシャワーヘッドにおける被
処理基板と対向する面に、粗面部を略全面にわたって形
成するようにしたので、シャワーヘッド及びプラズマ発
生部を備えた基板処理装置において、プロセスチャンバ
内に高密度かつほぼ均一のプラズマを発生させることが
できる。従って、このような基板処理装置を用いて成膜
プロセスを行う場合に、成膜速度や膜厚均一性が向上す
る。プロセス中の被処理基板への輻射熱が均一化される
ので、この点でも膜厚均一性の向上に寄与できる。更
に、プロセス中に発生する副生成物等は、シャワーヘッ
ドにおける被処理基板と対向する面に均一に堆積するた
め、連続成膜プロセスにおいても、安定した成膜特性が
得られる。
被処理基板が配置された時にシャワーヘッドにおける被
処理基板と対向する面に、粗面部を略全面にわたって形
成するようにしたので、シャワーヘッド及びプラズマ発
生部を備えた基板処理装置において、プロセスチャンバ
内に高密度かつほぼ均一のプラズマを発生させることが
できる。従って、このような基板処理装置を用いて成膜
プロセスを行う場合に、成膜速度や膜厚均一性が向上す
る。プロセス中の被処理基板への輻射熱が均一化される
ので、この点でも膜厚均一性の向上に寄与できる。更
に、プロセス中に発生する副生成物等は、シャワーヘッ
ドにおける被処理基板と対向する面に均一に堆積するた
め、連続成膜プロセスにおいても、安定した成膜特性が
得られる。
【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施形態として
プラズマＣＶＤ装置を示した概略構成図である。
プラズマＣＶＤ装置を示した概略構成図である。
【図２】図１に示すシャワーヘッドの裏面図である。
【図３】酸化シリコンウェハ上に形成されたチタン膜の
シート抵抗値及びその均一性の比較例を示した特性図で
ある。
シート抵抗値及びその均一性の比較例を示した特性図で
ある。
【図４】純シリコンウェハ上に形成されたチタンシリサ
イド膜のシート抵抗値及びその均一性の比較一例を示し
た特性図である。
イド膜のシート抵抗値及びその均一性の比較一例を示し
た特性図である。
【図５】１枚の酸化シリコンウェハ上に形成されたチタ
ン膜のシート抵抗値の分布例を示した図である。
ン膜のシート抵抗値の分布例を示した図である。
【図６】１枚の純シリコンウェハ上に形成されたチタン
シリサイド膜のシート抵抗値の分布例を示した図であ
る。
シリサイド膜のシート抵抗値の分布例を示した図であ
る。
１…プラズマＣＶＤ装置（基板処理装置）、２…プロセ
スチャンバ、７…真空ポンプ、１０…シャワーヘッド、
１１…ガス導入孔、１２…整合器（プラズマ発生部）、
１３…高周波電源（プラズマ発生部）、Ｂ…粗面部、Ｗ
…ウェハ（被処理基板）。
スチャンバ、７…真空ポンプ、１０…シャワーヘッド、
１１…ガス導入孔、１２…整合器（プラズマ発生部）、
１３…高周波電源（プラズマ発生部）、Ｂ…粗面部、Ｗ
…ウェハ（被処理基板）。
フロントページの続き (72)発明者 田中 啓一 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 横山 靖典 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 鈴木 敬 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 藍谷 輝一 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA17 BA48 FA03 KA17 4M104 BB14 BB25 DD44 DD45 HH20
Claims (10)
- 【請求項１】 プロセスチャンバに設けられ、前記プロ
セスチャンバ内に配置された被処理基板に向けてプロセ
スガスを供給するための複数のガス導入孔を有するシャ
ワーヘッドであって、 前記プロセスチャンバ内に前記被処理基板が配置された
時に前記被処理基板と対向する面には、略全面にわたっ
て粗面部が形成されているシャワーヘッド。 - 【請求項２】 前記粗面部は、前記被処理基板と対向す
る面にビーズブラスト処理を施すことによって形成され
ているシャワーヘッド。 - 【請求項３】 前記ビーズブラスト処理に用いるブラス
ト材の粒径は、♯２２０〜♯２０である請求項２記載の
シャワーヘッド。 - 【請求項４】 前記ビーズブラスト処理に用いるブラス
ト材のヌープ硬度は、１０００〜５０００ｋｇ／ｍｍ2
である請求項２または３記載のシャワーヘッド。 - 【請求項５】 前記ビーズブラスト処理に用いるブラス
ト材の材質は、アルミナ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＣＯ2のい
ずれかである請求項２〜４のいずれか一項記載のシャワ
ーヘッド。 - 【請求項６】 被処理基板を処理するプロセスチャンバ
と、 前記プロセスチャンバに設けられ、前記プロセスチャン
バ内に配置された前記被処理基板に向けてプロセスガス
を供給するための複数のガス導入孔を有するシャワーヘ
ッドと、 前記プロセスチャンバ内にプラズマを発生させるプラズ
マ発生部とを備え、 前記プロセスチャンバ内に前記被処理基板が配置された
時に前記シャワーヘッドにおける前記被処理基板と対向
する面には、略全面にわたって粗面部が形成されている
基板処理装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の基板処理装置を使用して
被処理基板の表面に対して成膜を行う基板製造方法であ
って、前記プロセスチャンバ内に前記被処理基板を搬入
し、前記プロセスガスを前記被処理基板に向けて供給す
ると共に、前記プロセスチャンバ内にプラズマを生成す
ることによって成膜を行う基板製造方法。 - 【請求項８】 前記被処理基板としてシリコンウェハを
用い、このシリコンウェハの表面にチタンシリサイド膜
を形成する請求項７記載の基板製造方法。 - 【請求項９】 前記被処理基板として酸化シリコンウェ
ハを用い、この酸化シリコンウェハの表面にチタン膜を
形成する請求項７記載の基板製造方法。 - 【請求項１０】 前記プロセスガスとしてＴｉＣｌ4ガ
スを含むガスを使用する請求項８または９記載の基板製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000310854A JP2002115068A (ja) | 2000-10-11 | 2000-10-11 | シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法 |
| US09/973,124 US20020042192A1 (en) | 2000-10-11 | 2001-10-09 | Shower head, substrate treatment apparatus and substrate manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000310854A JP2002115068A (ja) | 2000-10-11 | 2000-10-11 | シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002115068A true JP2002115068A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18790725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000310854A Pending JP2002115068A (ja) | 2000-10-11 | 2000-10-11 | シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020042192A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002115068A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712124B1 (ko) | 2005-01-18 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 용량결합형 플라즈마 처리 장치 |
| JP2009120859A (ja) * | 2004-12-28 | 2009-06-04 | Asm Genitech Inc | 原子層蒸着装置 |
| JP2012097356A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び方法 |
| JP2012114425A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
| JP2017126717A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の表面処理方法、載置台及びプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007517133A (ja) * | 2003-09-11 | 2007-06-28 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 粒子トラップを形成するために蒸着処理構成要素を処理する方法及び粒子トラップを表面上に有する蒸着処理構成要素 |
| US20070281106A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
| US7514125B2 (en) * | 2006-06-23 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods to improve the in-film defectivity of PECVD amorphous carbon films |
| US7901508B2 (en) * | 2007-01-24 | 2011-03-08 | Widetronix, Inc. | Method, system, and apparatus for the growth of SiC and related or similar material, by chemical vapor deposition, using precursors in modified cold-wall reactor |
| JP2009255277A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 表面処理方法、シャワーヘッド部、処理容器及びこれらを用いた処理装置 |
| US8111978B2 (en) * | 2008-07-11 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing chamber with shower head |
| US20100294742A1 (en) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Enrico Magni | Modifications to Surface Topography of Proximity Head |
| US20130284092A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Faceplate having regions of differing emissivity |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US10100408B2 (en) * | 2014-03-03 | 2018-10-16 | Applied Materials, Inc. | Edge hump reduction faceplate by plasma modulation |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| KR20160147482A (ko) * | 2015-06-15 | 2016-12-23 | 삼성전자주식회사 | 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비 |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| JP7176860B6 (ja) * | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| WO2021206919A1 (en) * | 2020-04-09 | 2021-10-14 | Applied Materials, Inc. | Faceplate with localized flow control |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201742A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0953196A (ja) * | 1995-08-15 | 1997-02-25 | Nikkoshi Prod Kk | 電極材料と、その製造方法 |
| JPH09129563A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Ulvac Japan Ltd | シャワープレート |
| JPH1041237A (ja) * | 1996-05-20 | 1998-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | 成膜装置および太陽電池 |
| JPH1140518A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Tokyo Electron Ltd | ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法 |
| JPH11181570A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-06 | Toshiba Corp | プラズマｃｖｄ装置用電極板及びその表面処理方法 |
-
2000
- 2000-10-11 JP JP2000310854A patent/JP2002115068A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-09 US US09/973,124 patent/US20020042192A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201742A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0953196A (ja) * | 1995-08-15 | 1997-02-25 | Nikkoshi Prod Kk | 電極材料と、その製造方法 |
| JPH09129563A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Ulvac Japan Ltd | シャワープレート |
| JPH1041237A (ja) * | 1996-05-20 | 1998-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | 成膜装置および太陽電池 |
| JPH1140518A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Tokyo Electron Ltd | ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法 |
| JPH11181570A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-06 | Toshiba Corp | プラズマｃｖｄ装置用電極板及びその表面処理方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009120859A (ja) * | 2004-12-28 | 2009-06-04 | Asm Genitech Inc | 原子層蒸着装置 |
| KR100712124B1 (ko) | 2005-01-18 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 용량결합형 플라즈마 처리 장치 |
| JP2012097356A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び方法 |
| JP2012114425A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
| JP2017126717A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の表面処理方法、載置台及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020042192A1 (en) | 2002-04-11 |
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