JP2002115065A - Film deposition apparatus and film deposition method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress generation of defects in a deposited film by preventing generation of dust inside a film deposition apparatus. SOLUTION: At least a part of the surface of a member facing a discharge space inside the film deposition apparatus is roughened so that 10-point mean roughness Rz is 5 μm to 200 μm, and the mean angle of inclination θa is 5 deg. to 45 deg..

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は基体上に堆積膜、機
能性堆積膜、特に半導体デバイス、電子写真用光受容部
材、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電
力デバイス等に用いる堆積膜形成装置、とりわけアモル
ファス半導体を形成するプラズマＣＶＤによる堆積膜形
成装置および、前記装置を用いた堆積膜の形成方法に関
する。また前記装置を用いて基体上にアモルファスシリ
コン系堆積膜を形成するアモルファスシリコン系電子写
真用感光体の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposited film and a functional deposited film on a substrate, particularly a deposited film used for a semiconductor device, a light receiving member for electrophotography, a line sensor for image input, an imaging device, a photovoltaic device and the like. The present invention relates to an apparatus for forming a deposited film by plasma CVD for forming an amorphous semiconductor, and more particularly to a method for forming a deposited film using the apparatus. The present invention also relates to a method for forming an amorphous silicon-based electrophotographic photoreceptor for forming an amorphous silicon-based deposited film on a substrate using the above-described apparatus.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造において
は、いわゆるＲＦプラズマＣＶＤ法が繁用されている。
当該ＲＦプラズマＣＶＤ法においては、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波が電波法に基づく観点から一般的に使用され
ている。また、周波数２．４５ＧＨｚのいわゆるマイク
ロ波を用いたマイクロ波ＣＶＤ法が提案されている。マ
イクロ波ＣＶＤ法は、ＲＦプラズマＣＶＤ法では達成で
きない利点を有する。即ち、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法によれば、極めて高いガス利用効率で、格段に大きい
膜堆積速度を達成できる。特開昭６０−１８６８４９号
公報には周波数２．４５ＧＨｚのいわゆるマイクロ波を
用いたマイクロ波ＣＶＤ法が開示されている。2. Description of the Related Art In recent years, in the manufacture of semiconductor devices, a so-called RF plasma CVD method has been widely used.
In the RF plasma CVD method, 13.56 MH
The high frequency of z is generally used from the viewpoint based on the Radio Law. Further, a microwave CVD method using a so-called microwave having a frequency of 2.45 GHz has been proposed. Microwave CVD has advantages that cannot be achieved by RF plasma CVD. That is, microwave plasma CVD
According to the method, a remarkably high film deposition rate can be achieved with extremely high gas utilization efficiency. Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-186849 discloses a microwave CVD method using a so-called microwave having a frequency of 2.45 GHz.

【０００３】こうした原料ガスの分解方法にかかわる開
発とあわせて、いかにデバイスを高品質で安定して供給
するかという観点からも堆積膜の形成装置の開発は進め
られている。[0003] In addition to the development relating to the method of decomposing the raw material gas, the development of a deposition film forming apparatus has been promoted from the viewpoint of how to supply devices with high quality and stability.

【０００４】特に、プラズマＣＶＤ装置においては、堆
積膜形成中に装置内部でダストが発生するとデバイスの
品質を著しく悪化させることから、これを防止する観点
から様々な提案がなされてきた。たとえば、特開平９−
２１９３７３号（以下、文献１と記す）では、高周波電
力導入手段の表面の粗さ（１０点平均粗さ：Ｒｚ）を５
μｍから２００μｍにすることで、堆積膜形成中のダス
トの発生の主原因となる「膜はがれ」を防止した例が開
示されている。Particularly, in the case of a plasma CVD apparatus, if dust is generated inside the apparatus during formation of a deposited film, the quality of the device is remarkably deteriorated. Therefore, various proposals have been made from the viewpoint of preventing this. For example, JP-A-9-
In 219373 (hereinafter referred to as Document 1), the surface roughness (10-point average roughness: Rz) of the high-frequency power introducing means is set to 5
There is disclosed an example in which the thickness is reduced from 200 μm to 200 μm to prevent “film peeling” which is a main cause of generation of dust during formation of a deposited film.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年で
は、上記のような半導体デバイスを用いた機器の総合的
な性能の向上により、デバイス自体についてもさらに高
品質化の要求が高まってきている。However, in recent years, with the improvement of the overall performance of the device using the semiconductor device as described above, a demand for higher quality of the device itself has been increasing.

【０００６】特に電子写真の分野においては、前述のよ
うな「膜はがれ」などを原因としてダストが発生する
と、感光体表面上にさまざまな欠陥を誘発する。こうし
た欠陥のひとつとして「球状突起」があげられる。球状
突起は、長期にわたって画像形成を繰り返すと、コピー
画像上に白い点を発生させるいわゆる白ポチや、逆に黒
い点を発生させるいわゆる黒ポチを発生させる原因とな
ることがある。Particularly in the field of electrophotography, when dust is generated due to the above-mentioned "film peeling" or the like, various defects are induced on the surface of the photoreceptor. One of such defects is a “spherical projection”. When image formation is repeated for a long period of time, a spherical projection may cause a so-called white spot that generates a white spot on a copy image or a so-called black spot that generates a black spot.

【０００７】また、別の欠陥の例として堆積膜に発生す
る「しみ」が挙げられる。「しみ」は堆積膜表面上に薄
い白斑のような摸様が目視で確認される現象で、従来は
たとえば洗浄などの基体の表面処理の問題とされてい
た。しかし、堆積膜形成前、あるいは堆積膜形成のごく
初期に基体や堆積膜の表面に付着したダストによっても
発生する場合もあることがわかってきた。[0007] Another example of a defect is a "stain" generated in a deposited film. “Stain” is a phenomenon in which a pattern such as a thin white spot is visually observed on the surface of a deposited film, and has conventionally been regarded as a problem of surface treatment of a substrate such as cleaning. However, it has been found that dust may be generated by dust adhering to the substrate or the surface of the deposited film before the deposited film is formed or at the very beginning of the deposited film formation.

【０００８】この様に電子写真の分野では、他のデバイ
スに比較して厚くかつ大面積の堆積膜が必要とされるこ
とにより、本質的に欠陥が発生しやすい傾向にあるた
め、とりわけダストに対する周到な対策が必要となる。
加えて、オフィス環境の改善のための小スペース化や、
低価格化の流れが強まる傾向にあり、ゆえに感光体の小
径化、プロセススピードの高速化が加速する現状にあ
り、従来は注目されていなかった点が、新たな問題とし
て顕在化する場合が出てきている。As described above, in the field of electrophotography, the necessity of a deposited film having a large area and a large area as compared with other devices tends to cause defects easily. Careful measures are needed.
In addition, to reduce the space to improve the office environment,
The trend toward lower prices is becoming more intense, and as a result, photoconductors are becoming smaller and process speeds are accelerating, and points that have not been noticed before may become apparent as new problems. Is coming.

【０００９】たとえば、前記の球状突起に関しては、直
径１０ミクロン未満の球状突起は従来は問題を引き起こ
す例はほとんどなかったが、プロセス条件によっては長
期にわたって画像形成を繰り返した場合に画像欠陥の原
因となりうることがわかってきた。For example, with respect to the above-mentioned spherical projection, a spherical projection having a diameter of less than 10 μm has rarely caused a problem in the past. However, depending on process conditions, an image defect may be caused when image formation is repeated for a long period of time. I know that I can get it.

【００１０】また「しみ」についても、ダストを原因と
した「しみ」は、基体の表面処理を原因として発生する
ものに比べると発生する範囲も小さく目立ちにくいこと
から、従来は大きな問題とはならなかったが、プロセス
スピードが高速化するにつれ、ハーフトーン画像上で画
像欠陥として現れる場合もある。[0010] In addition, the "stain" caused by dust is not a large problem in the past because the range of occurrence is small and inconspicuous as compared to that caused by surface treatment of the substrate. However, as the process speed increases, it may appear as an image defect on a halftone image.

【００１１】しかしながら、このような微少な球状突起
や「しみ」については前述のように十点平均粗さ（以
下、Ｒｚと表記）を制御しても必ずしも十分な効果が得
られていないことも明らかになってきた。However, for such minute spherical projections and "stains", even if the ten-point average roughness (hereinafter referred to as Rz) is controlled as described above, a sufficient effect may not always be obtained. It has become clear.

【００１２】このような背景から堆積膜形成装置に対し
て従来以上に膜はがれやダストの対策が求められてい
る。From such a background, a countermeasure against film peeling and dust is required more than ever in a deposited film forming apparatus.

【００１３】本発明の目的は、堆積膜を形成する際に反
応容器内で発生するダストや膜はがれを効果的に防止で
きる堆積膜形成装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a deposition film forming apparatus capable of effectively preventing dust and film peeling generated in a reaction vessel when forming a deposition film.

【００１４】また本発明の別の目的は、堆積膜を形成す
る際に反応容器内で発生するダストや膜はがれを効果的
に防止することでとりわけ球状突起や「しみ」の発生を
抑制し、欠陥の少ない、品質に優れた堆積膜を形成でき
る形成方法を提供することにある。Another object of the present invention is to effectively prevent dust and film peeling generated in a reaction vessel when forming a deposited film, thereby suppressing the occurrence of spherical projections and "spots" in particular, An object of the present invention is to provide a formation method capable of forming a deposited film having few defects and excellent quality.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を以下
の様に構成したものである。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises a deposited film forming apparatus and a deposited film forming method as follows.

【００１６】すなわち、本発明の堆積膜形成装置は、反
応容器と、前記反応容器内にグロー放電を発生させるた
めの電力導入手段と、ガスを供給するためのガス導入手
段とを有する堆積膜形成装置において、放電空間に面す
る、基体以外の部材の表面の少なくとも一部の表面にお
いて１０点表面粗さＲｚが５μｍ以上２００μｍ以下の
範囲でかつ、平均傾斜角θａが５度以上、４５度以下の
範囲にあることを特徴とする。また、本発明の堆積膜形
成方法は、放電空間内にグロー放電を発生させるための
電力とガスを供給し、グロー放電を発生させる工程を有
する堆積膜形成方法であって、基体以外の部材の少なく
とも一部を十点平均粗さＲｚが５μｍ以上２００μｍ以
下の範囲で、かつ平均傾斜角θａが５度以上４５度以下
の範囲になるように粗した表面に面した空間において、
グロー放電を発生し堆積膜を形成することを特徴とす
る。That is, an apparatus for forming a deposited film according to the present invention comprises a reaction vessel, a power introducing means for generating a glow discharge in the reaction vessel, and a gas introducing means for supplying a gas. In the apparatus, at least a part of the surface of the member other than the base facing the discharge space has a 10-point surface roughness Rz in a range of 5 μm or more and 200 μm or less, and an average inclination angle θa of 5 degrees or more and 45 degrees or less. In the range. Further, the method of forming a deposited film of the present invention is a method of forming a deposited film having a step of supplying a power and a gas for generating a glow discharge in a discharge space and generating a glow discharge. In at least a part of the space facing the rough surface such that the ten-point average roughness Rz is in the range of 5 μm or more and 200 μm or less, and the average inclination angle θa is in the range of 5 ° or more and 45 ° or less,
A glow discharge is generated to form a deposited film.

【００１７】（作用）本発明によれば、堆積膜形成装置
の反応容器の内部を構成する部材の表面を上記の範囲に
制御することで、堆積膜形成に際してダストの発生を効
果的に防止することができる。したがって球状突起や
「しみ」の少ない堆積膜を容易に得ることができる。(Operation) According to the present invention, generation of dust during deposition film formation can be effectively prevented by controlling the surface of members constituting the inside of the reaction vessel of the deposition film forming apparatus to the above-mentioned range. be able to. Therefore, it is possible to easily obtain a deposited film having less spherical protrusions and "stains".

【００１８】以下に本発明の作用を、本発明を完成する
に至った経緯によって詳細に説明する。Hereinafter, the operation of the present invention will be described in detail based on the circumstances leading to the completion of the present invention.

【００１９】堆積膜の膜はがれを防止するために反応容
器内部を構成する部材の表面性を適当に制御することが
有効であり、Ｒｚを適当に制御することで効果が挙げら
れたのは前述の通りである。これは、上記の部材の表面
を粗すことにより単位面積当たりの部材と堆積膜の接触
面が広がって堆積膜の密着性が向上するためと理解され
る。このためＲｚを大きくする方が膜の密着性が向上す
るとされている。その一方で、際限なくＲｚを大きくす
ることは表面処理あるいは加工上困難である。以上のよ
うな理由により文献１によれば、望ましいＲｚの値は５
〜２００μｍの範囲とされている。しかしながら、部材
表面の粗さを上記の範囲に制御しても直径１０μｍ未満
の球状突起や「しみ」に対しては、大きな効果が得られ
ない場合もあった。It is effective to appropriately control the surface properties of the members constituting the inside of the reaction vessel in order to prevent the film of the deposited film from peeling, and the effect was obtained by appropriately controlling Rz. It is as follows. This is understood because the surface of the above member is roughened, so that the contact surface between the member and the deposited film per unit area is widened and the adhesion of the deposited film is improved. Therefore, it is said that increasing Rz improves the adhesion of the film. On the other hand, it is difficult to increase Rz without limit in terms of surface treatment or processing. According to Document 1 for the above reasons, a desirable value of Rz is 5
２００200 μm. However, even when the surface roughness of the member is controlled within the above range, a significant effect may not be obtained with respect to spherical projections and “stains” having a diameter of less than 10 μm.

【００２０】本発明者は文献１の結果に習い、反応容器
の内部を構成する部材の表面粗さと、形成した電子写真
用感光体上に発生する球状突起および「しみ」の関係を
調べるため、以下に示す実験を行った。The present inventor, following the results of Reference 1, investigated the relationship between the surface roughness of the members constituting the inside of the reaction vessel, the spherical protrusions generated on the formed electrophotographic photoreceptor, and "spots". The following experiment was performed.

【００２１】（実験１）図１に示した堆積膜形成装置を
用いて、高周波電力導入手段の２．５ｍｍを基準長さと
する十点平均粗さＲｚを５〜２００μｍの範囲で変化さ
せ、図２に示した層構成の電子写真用感光体を表１の条
件で作成した。(Experiment 1) Using the deposited film forming apparatus shown in FIG. 1, the ten-point average roughness Rz having a reference length of 2.5 mm of the high-frequency power introducing means was changed in the range of 5-200 μm. An electrophotographic photosensitive member having the layer configuration shown in FIG. 2 was prepared under the conditions shown in Table 1.

【００２２】[0022]

【表１】 表１において層厚はおおよその目安を示している。[Table 1] In Table 1, the layer thickness shows an approximate standard.

【００２３】なお、Ｒｚの測定はＪＩＳ− Ｂ ０６０１
に従った。ＪＩＳ− Ｂ ０６０１によればＲｚの定義は
図３の様になる。すなわち測定物の粗さ曲線から基準長
さ分だけ取り出し、取り出した粗さ曲線の平均線からも
っとも高い山頂から５番目までの山頂の距離（Ｙｐｌ〜
Ｙｐ５）の絶対値の平均と、もっとも低い谷底から５番
目までの谷底の距離（Ｙｖｌ〜Ｙｖ５）の絶対値の平均
との和をもってＲｚとしている。The measurement of Rz is performed according to JIS-B0601.
Followed. According to JIS-B0601, Rz is defined as shown in FIG. That is, the sample is taken out from the roughness curve of the measured object by the reference length, and the distance from the highest peak to the fifth peak (Ypl to
The sum of the average of the absolute values of Yp5) and the average of the absolute values of the distances (Yvl to Yv5) from the lowest valley to the fifth valley is defined as Rz.

【００２４】図１において、（ａ）は電子写真感光体を
形成するための堆積膜形成装置の横断面、（ｂ）は縦断
面を示している。この装置では反応容器１００は排気管
１１２を介して排気装置（図示せず）に接続されてい
る。基体１０１は高周波電力導入手段１０２を中心とす
る円周上に複数（図１では８本）配置され、その配置円
内に放電空間１０３を形成する。放電空間１０３内には
原料ガス導入手段１０５が配置されており、原料ガス供
給装置（図示せず）に接続されている。高周波電力供給
手段１０２は真空導入機構（図示せず）を介して反応容
器外部でマッチングボックス１０６に接続され、さらに
高周波電源１０７に接続される。基体１０１はそれぞれ
回転軸１０８上に設置され、さらに基体内部に収まるよ
うにヒーター１０４が配置される。回転軸１０８には真
空軸受け（図示せず）を介して反応容器外部でギヤ１１
０が取り付けられ、さらにギア１１０にモーター１０９
が接続される。FIG. 1A shows a cross section of a deposition film forming apparatus for forming an electrophotographic photosensitive member, and FIG. 1B shows a vertical section. In this apparatus, the reaction vessel 100 is connected to an exhaust device (not shown) via an exhaust pipe 112. A plurality of bases 101 (eight in FIG. 1) are arranged on a circumference centered on the high-frequency power supply means 102, and a discharge space 103 is formed in the arrangement circle. Source gas introducing means 105 is disposed in the discharge space 103, and is connected to a source gas supply device (not shown). The high-frequency power supply means 102 is connected to a matching box 106 outside the reaction vessel via a vacuum introducing mechanism (not shown), and further connected to a high-frequency power supply 107. The bases 101 are respectively set on a rotating shaft 108, and a heater 104 is arranged so as to fit inside the bases. The rotating shaft 108 has a gear 11 outside the reaction vessel via a vacuum bearing (not shown).
0 is attached, and the motor 109 is attached to the gear 110.
Is connected.

【００２５】図１に示した装置を用いて、図２に示した
基体１１０１上に電荷注入阻止層１１０２、光導電層１
１０３、表面層１１０４を積層してなる層構成の電子写
真用感光体を形成する場合の手順はおおむね以下の様に
なる。まず、あらかじめ脱脂洗浄した基体１０１を反応
容器１００内の回転軸１０８上に設置し、反応容器１０
０内を排気装置を作動して、反応容器内の圧力を０．０
１Ｐａ以下に排気する。ついでＡｒなどの不活性ガスを
原料ガス供給手段１０５より所望の流量で反応容器内に
導入し、圧力計（図示せず）を見ながら排気配管１１２
に設置された排気バルブ（図示せず）を操作し、反応容
器の圧力を所望の圧力に調整したうえで、ヒーター１０
４によって基体１０１を２０℃〜５００℃の所望の温度
に加熱０．０１Ｐａ以下に排気する。Using the device shown in FIG. 1, the charge injection blocking layer 1102 and the photoconductive layer 1 are formed on the base 1101 shown in FIG.
The procedure for forming an electrophotographic photoreceptor having a layered structure formed by laminating the surface layer 103 and the surface layer 1104 is generally as follows. First, the substrate 101, which has been degreased and washed in advance, is set on the rotating shaft 108 in the reaction vessel 100, and the reaction vessel 10
Activate the exhaust system inside the reactor to reduce the pressure inside the reaction vessel to 0.0
Exhaust to 1 Pa or less. Next, an inert gas such as Ar is introduced into the reaction vessel from the source gas supply means 105 at a desired flow rate, and the exhaust pipe 112 is viewed while looking at a pressure gauge (not shown).
By operating an exhaust valve (not shown) installed in the reaction vessel to adjust the pressure of the reaction vessel to a desired pressure,
4, the substrate 101 is heated to a desired temperature of 20 ° C. to 500 ° C. and evacuated to 0.01 Pa or less.

【００２６】次に、原料ガス供給手段１０５より電荷阻
止層に対する所望の原料ガスを供給し、再び圧力計を見
ながら排気配管１１２に設置された排気バルブを操作
し、反応容器の圧力を所望の圧力に調整する。圧力が安
定したところで高周波電源１０７の出力を所望の電力に
設定して、マッチングボックス１０６を調整し放電空間
１０３内にグロー放電を生起させる。これによって、原
料ガスが分解され基体１０１上に堆積膜が形成されると
ころとなる。この際、基体１０１をモーター１０９で回
転させることにより、基体１０１上に全周にわたって均
一に堆積膜を形成することができる。所望の厚さの電荷
阻止層が形成されたところで、高周波電力と原料ガスの
供給を止め、グロー放電を停止し、再度反応容器１００
内を０．０１Ｐａ以下に排気する。以降、原料ガスをそ
れぞれ光導電層形成用、表面層形成用に入れ替え上記の
操作を繰り返すことで所望の電子写真用感光体を得るこ
とができる。なお本実験では、高周波導入手段の材質と
してステンレス（ＳＵＳ３０４材）を用い、ブラスト法
によって表面をあらしている。Next, a desired source gas for the charge blocking layer is supplied from the source gas supply means 105, and the exhaust valve provided on the exhaust pipe 112 is operated while watching the pressure gauge again, so that the pressure of the reaction vessel is reduced to a desired level. Adjust to pressure. When the pressure is stabilized, the output of the high-frequency power supply 107 is set to a desired power, and the matching box 106 is adjusted to generate a glow discharge in the discharge space 103. As a result, the source gas is decomposed and a deposited film is formed on the substrate 101. At this time, by rotating the base 101 by the motor 109, a deposited film can be uniformly formed on the base 101 over the entire circumference. When the charge blocking layer having a desired thickness is formed, the supply of the high-frequency power and the source gas is stopped, the glow discharge is stopped, and
The inside is evacuated to 0.01 Pa or less. Thereafter, the desired gas for electrophotography can be obtained by replacing the source gases for forming the photoconductive layer and forming the surface layer, and repeating the above operation. In this experiment, stainless steel (SUS304 material) was used as the material of the high frequency introducing means, and the surface was exposed by a blast method.

【００２７】こうして作成した電子写真用感光体８本に
ついて、おのおのの表面を顕微鏡によって表面を観察
し、１０平方センチメートルあたりの球状突起の数を調
べた。この数については同時に形成した電子写真用感光
体８本すべてに対して計測し、その平均値を採用した。
また、「しみ」については、同時に形成した電子写真用
感光体８本すべての表面を目視で観察し、「しみ」の発
生個数を評価した。なお、「しみ」の発生個数は８本す
べての「しみ」の発生個数の総和をとった。こうして得
た結果を図４および図５に示した。図４はそれぞれＲｚ
の値における直径５μｍ以上１０μｍ未溝の球状突起の
数と、直径１０μｍ以上の球状突起の数とを表した図で
ある。図４において、直径５〜１０μｍ未満の球状突起
の数と直径１０μｍ以上の球状突起の数はＲｚ＝１８
９．２μｍの試料の値を１とした相対評価で示した。ま
た図５はそれぞれのＲｚの値における「しみ」の発生個
数を表した図である。The surface of each of the eight electrophotographic photoreceptors thus prepared was observed with a microscope, and the number of spherical projections per 10 cm 2 was examined. This number was measured for all eight electrophotographic photosensitive members formed at the same time, and the average value was adopted.
Regarding “stain”, the surface of all eight electrophotographic photoconductors formed at the same time was visually observed, and the number of occurrence of “stain” was evaluated. The number of occurrences of “stains” was the sum of the number of occurrences of all eight “stains”. The results thus obtained are shown in FIGS. FIG. 4 shows Rz
FIG. 5 is a diagram showing the number of spherical protrusions having a diameter of 5 μm or more and 10 μm or less and the number of spherical protrusions having a diameter of 10 μm or more at the value of FIG. In FIG. 4, the number of spherical projections having a diameter of 5 to 10 μm or less and the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more are Rz = 18.
The values were indicated by relative evaluation with the value of the sample of 9.2 μm as 1. FIG. 5 is a diagram showing the number of occurrences of “stain” at each Rz value.

【００２８】なお、本発明における球状突起の直径につ
いて図６を用いて説明する。図６は堆積膜１３０上に発
生した球状突起１２０の様子を仮想的に堆積膜の断面で
示した図である。このとき堆積膜１３０の表面は実質的
に平坦であって、顕微鏡等で観察すれば、球状突起が存
在する個所と、球状突起が存在しない個所とを容易に区
別することができる。球状突起の直径は、平坦な堆積膜
１３０の表面に対して球状突起の境界上の任意に２点間
の最大距離Ｒを測定した値である。The diameter of the spherical projection in the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a view virtually showing a state of the spherical protrusion 120 generated on the deposited film 130 in a cross section of the deposited film. At this time, the surface of the deposited film 130 is substantially flat, and when observed with a microscope or the like, it is possible to easily distinguish a portion where the spherical protrusion exists from a portion where the spherical protrusion does not exist. The diameter of the spherical projection is a value obtained by measuring the maximum distance R between any two points on the boundary of the spherical projection with respect to the surface of the flat deposited film 130.

【００２９】図４によれば、直径１０μｍ以上の球状突
起については、Ｒｚが増加するに従って減少する傾向が
見られ、いずれも良好なものであったが、直径５μｍ以
上１０μｍ未満の球状突起の数は大きくばらつき制御が
困難であった。According to FIG. 4, the spherical projections having a diameter of 10 μm or more tend to decrease as Rz increases, and all were good. However, the number of spherical projections having a diameter of 5 μm to less than 10 μm was good. Was greatly difficult to control.

【００３０】さらに図５によれば、「しみ」の発生個数
についても、発生個数がばらつき、Ｒｚの値に対する依
存性は見られなかった。Further, according to FIG. 5, the number of occurrences of "stain" also varied, and no dependence on the value of Rz was observed.

【００３１】このように、直径５μｍ以上１０μｍ未満
の球状突起の数と「しみ」の発生は必ずしもＲｚの値に
依存せず、制御が困難であることがわかった。As described above, it has been found that the number of spherical projections having a diameter of 5 μm or more and less than 10 μm and the occurrence of “stain” do not necessarily depend on the value of Rz and are difficult to control.

【００３２】Ｒｚの算出には、前記の様に、平均線から
もっとも高い山頂から５番目までの山頂の距離（Ｙｐｌ
〜Ｙｐ５）と、もっとも低い谷底から５番目までの谷底
の距離（Ｙｖｌ〜Ｙｖ５）が用いられるのみである。こ
の方法は表面の凹凸の度合いを直感的に知るためには便
利であるが、Ｒｚの算出に関わらない山および谷の形状
や、粗さ曲線の平均線方向の情報は何らもたらされてい
ない。For the calculation of Rz, as described above, the distance from the highest peak to the fifth peak from the average line (Ypl
ＹYp5) and the distance from the lowest valley bottom to the fifth valley bottom (Yv1 to Yv5) are only used. This method is convenient for intuitively knowing the degree of surface irregularities, but does not provide any information on the shapes of peaks and valleys that are not related to the calculation of Rz and the average line direction of the roughness curve. .

【００３３】そこで本発明者は様々な粗さ曲線を持つ高
周波電力導入手段を用いて実験を行った結果、球状突起
の数、平均傾斜角（以下θａと表記）が５度以上４５度
以下になるように表面を粗すことで、直径５μｍ以上、
特に直径５μｍ以上１０μｍ未満の球状突起に対して効
果的に減少させられることと、「しみ」の発生を防止で
きることを見い出した。The present inventor conducted experiments using high-frequency power introducing means having various roughness curves. As a result, the number of spherical projections and the average inclination angle (hereinafter referred to as θa) were reduced to 5 to 45 degrees. By roughening the surface so that the diameter 5μm or more,
In particular, it has been found that spherical protrusions having a diameter of 5 μm or more and less than 10 μm can be effectively reduced, and that generation of “stain” can be prevented.

【００３４】本発明で用いたθａの算出方法を図７に示
す。図７に示した式によれば、θａは測定物の粗さ曲線
から基準長さ分だけ取り出し、取り出した粗さ曲線中の
すべての局部山頂についてその前後の谷（局部谷底）か
らの距離（図７のＨ１からＨｎ）の総和をとり、これを
基準長さで割った値の逆正接とされる。FIG. 7 shows a method of calculating θa used in the present invention. According to the equation shown in FIG. 7, θa is extracted from the roughness curve of the measured object by the reference length, and all local peaks in the extracted roughness curve are distances from valleys (local valley bottoms) before and after that. The sum of H1 to Hn) in FIG. 7 is obtained, and the result is divided by the reference length to obtain the arc tangent.

【００３５】たとえば、θａの値が大きい場合は、基準
長さ内に存在する局所山頂の数が多く、また、個々の局
所山頂の高さが高い。これは、同じＲｚの値で比較した
場合、Ｒｚの算出にかかわらない比較的小さな凹凸が多
数形成され、また、その個々の凹凸の高さも高くなる傾
向を示している。このような表面では、微視的に見ても
堆積膜と部材表面の接触面積が十分に確保されるので、
直径１０μｍ未満の球状突起の原因となるような微小な
膜はがれを効果的に防止できる。したがって、θａの値
は大きいほど球状突起を防止する効果が高く、５度以上
とすることで十分な効果を得ることができる。逆に、θ
ａの値が５度未満の場合には、表面がなだらかな傾向と
なり、Ｒｚが前記の範囲であっても、微視的に見ると平
坦な部分が多くなり、微小な膜はがれを防止するに十分
な表面積を推持できない。For example, when the value of θa is large, the number of local peaks existing within the reference length is large, and the height of each local peak is high. This indicates that, when compared at the same value of Rz, a number of relatively small irregularities not related to the calculation of Rz are formed, and the heights of the individual irregularities are also increased. On such a surface, a sufficient contact area between the deposited film and the member surface is ensured even when viewed microscopically.
It is possible to effectively prevent peeling of a minute film that causes spherical projections having a diameter of less than 10 μm. Accordingly, the larger the value of θa is, the higher the effect of preventing spherical projections is, and a sufficient effect can be obtained by setting the value to 5 degrees or more. Conversely, θ
When the value of a is less than 5 degrees, the surface tends to be smooth, and even when Rz is within the above range, there are many flat portions when viewed microscopically, and it is necessary to prevent the minute film from peeling. Insufficient surface area can be maintained.

【００３６】一方、「しみ」に対しては、θａは球状突
起の場合と逆の作用を取る。θａが大きくなると、表面
の凹凸が急峻になるため、谷の部分にダストを取り込み
やすくなる。こうして取り込まれたダストが真空容器内
を真空排気する際の圧力変動や、基体の加熱時または堆
積膜形成のごく初期の温度の変動を引き金に吐き出さ
れ、基体表面に付着して「しみ」を発生させるものと考
えられる。On the other hand, for “stain”, θa has the opposite effect to that of the spherical projection. When θa is large, the unevenness of the surface becomes steep, so that dust is easily taken into the valley portion. The dust trapped in this way is triggered by pressure fluctuations when the vacuum chamber is evacuated and temperature fluctuations during the heating of the substrate or at the very beginning of the formation of the deposited film. It is thought to be caused.

【００３７】こうした部材の表面に残るダストは、基体
の表面や堆積膜形成のごく初期に膜表面に付着しても、
密度が低い状態であれば、堆積膜形成の過程で消失して
しまうか、直径５μｍ未満のごく小さな球状突起として
残るのみで、堆積膜の特性に影響を与えることは無い。
しかしながら、θａが大きくなると、ダストをより多量
に取り込みやすくなるため、これが吐き出された際に基
体または堆積膜の表面に高密度に付着して「しみ」を形
成するものと思われる。したがって、θａが大きくなる
ほど「しみ」が発生しやすい傾向となる。The dust remaining on the surface of such a member adheres to the surface of the substrate or the film surface very early in the formation of the deposited film.
If the density is low, it disappears in the process of forming the deposited film or remains as a very small spherical projection having a diameter of less than 5 μm, and does not affect the characteristics of the deposited film.
However, when θa increases, a larger amount of dust is likely to be taken in. Therefore, when the dust is discharged, it is considered that the dust adheres to the surface of the substrate or the deposited film at high density to form “stain”. Therefore, as the value of θa increases, “staining” tends to occur.

【００３８】本発明者らが行った実験によれば、「し
み」の発生はθａが４５度を超えると顕著になることが
わかった。このような理由からθａの好適な範囲は５度
以上４５度以下となる。According to an experiment conducted by the present inventors, it has been found that the occurrence of "stain" becomes remarkable when θa exceeds 45 degrees. For such a reason, the preferable range of θa is 5 degrees or more and 45 degrees or less.

【００３９】部材表面からの膜はがれを防止する場合、
表面に所望のＲｚの値となるような凹凸をつけることで
堆積膜との接触面積を広げ、密着性を向上させることが
重要であり、その結果、堆積膜上に直径１０μｍ以下の
球状突起の発生を減少させる効果が得られるのは前述の
実験のとおりである。しかし、同じ材質で同じＲｚを得
るように表面を粗す場合にも、条件によってθａの値が
さまざまに異なる場合がある。実験１の結果における直
径５μｍ以上１０μｍ未満の球状突起の数や「しみ」の
発生個数のばらつきは、こうしたθａの達いによるもの
と考えられる。To prevent the film from peeling off from the member surface,
It is important to increase the contact area with the deposited film and to improve the adhesion by making the surface uneven so as to have a desired Rz value. As a result, spherical projections having a diameter of 10 μm or less are formed on the deposited film. The effect of reducing the occurrence is obtained as described in the above experiment. However, even when the surface is roughened to obtain the same Rz with the same material, the value of θa may vary depending on the conditions. Variations in the number of spherical projections having a diameter of 5 μm or more and less than 10 μm and in the number of occurrences of “spots” in the results of Experiment 1 are considered to be due to the achievement of θa.

【００４０】以上のように、本発明においては、放電空
間に接する部材の少なくとも一部の表面について、Ｒｚ
とθａの両方を好適な範囲になるように表面を粗すこと
が重要であって、Ｒｚの値を５μｍ以上２００μｍ以下
の範囲とすることで直径１０μｍ以上の球状突起の発生
を抑える効果を得ると同時に、さらにθａの値を５度以
上４５度以下の範囲とすることで直径５μｍ以上１０μ
ｍ未満の球状突起の発生を抑えるとともに、「しみ」の
発生を防止することができるのである。As described above, in the present invention, at least a part of the surface of the member in contact with the discharge space has a Rz
It is important to roughen the surface so that both θa and θa fall within a suitable range, and by setting the value of Rz to a range of 5 μm or more and 200 μm or less, an effect of suppressing the generation of spherical projections having a diameter of 10 μm or more is obtained. At the same time, by setting the value of θa in the range of 5 degrees or more and 45 degrees or less, the diameter is 5 μm or more and 10 μm or less.
In addition to suppressing the occurrence of spherical projections smaller than m, the occurrence of "staining" can be prevented.

【００４１】本発明では、真空雰囲気で基体上に堆積膜
を形成する堆積膜形成装置であれば、どのような装置で
あっても効果を得ることができる。このような装置とし
ては、スパッタ法などに代表されるＣＶＤ装置や、グロ
ー放電を利用するプラズマＣＶＤ装置などが挙げられ
る。特に、プラズマＣＶＤ装置においては、堆積膜形成
に際して装置内の部材の温度条件などの環境変化が激し
く、ダストの発生を起こしやすいため、本発明を実施す
るのに好適である。また、グロー放電を生起するための
電力も堆積膜形成装置の性能にあわせて使用でき、直流
電力のほか、たとえばＲＦ帯域やＶＨＦ帯域、マイクロ
波帯域などの高周波電力でも本発明の効果が得られる。In the present invention, the effect can be obtained with any deposition film forming apparatus that forms a deposited film on a substrate in a vacuum atmosphere. Examples of such an apparatus include a CVD apparatus represented by a sputtering method and the like, a plasma CVD apparatus using glow discharge, and the like. In particular, a plasma CVD apparatus is suitable for carrying out the present invention because the environment changes such as temperature conditions of members in the apparatus when forming a deposited film are severe and dust is easily generated. In addition, the power for generating the glow discharge can be used in accordance with the performance of the deposited film forming apparatus, and the effects of the present invention can be obtained with high-frequency power such as an RF band, a VHF band, and a microwave band in addition to DC power. .

【００４２】本発明では、反応容器の内部を構成する部
材の表面のうち少なくとも放電空間に接する一部の表面
粗さを上記の範囲にすることで効果が得られる。これら
の部材の例としてはたとえば反応容器の内壁、電力導入
手段、原料ガス導入手段、基体上下を覆うダミー、回転
軸などのほか、堆積膜形成中に堆積膜が付着する部分で
あればどのような個所であっても効果を得ることができ
る。In the present invention, the effect can be obtained by setting the surface roughness of at least a part of the surface of the member constituting the inside of the reaction vessel in contact with the discharge space within the above range. Examples of these members include, for example, an inner wall of a reaction vessel, power introduction means, source gas introduction means, a dummy covering the upper and lower portions of a substrate, a rotating shaft, and the like, as well as any portions to which a deposited film adheres during deposition film formation. The effect can be obtained even in a suitable place.

【００４３】また、本発明では、上記の部材の放電空間
に接する面に防着板を設けることができる。この場合、
防着板の表面の少なくとも放電空間に接する一部の表面
粗さを上記の範囲にすることで本発明の効果を得ること
ができる。防着板を設けた場合、反応容器の内部のクリ
ーニングが容易になると同時に、表面をあらす際の容易
性が向上する効果があげられる。Further, in the present invention, a deposition-preventing plate can be provided on a surface of the above-mentioned member which is in contact with the discharge space. in this case,
The effect of the present invention can be obtained by setting the surface roughness of at least a part of the surface of the deposition preventing plate in contact with the discharge space in the above range. In the case where the anti-adhesion plate is provided, it is possible to easily clean the inside of the reaction vessel and to improve the ease of exposing the surface.

【００４４】これらの部材の材質は、上記の表面粗さが
実現できるものであれば何であっても差し支えなく、部
材の要求する機能によって選択できる。たとえば、導電
性が要求される高周波電力導入手段や、シールド性が要
求される反応容器には金属材料の中から選択できる。こ
のような金属材料の例としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ，Ｆｅやこれらの合金があ
げられるほか、絶縁材料の表面に導電層を形成したもの
も使用できる。この場合は、たとえばプラズマ溶射法の
ように直接表面を粉体でコーティングする方法や、化学
めっき法等の方法が採れるが、化学めっき法などの場合
には表面粗さを損なわないよう条件に注意が必要とな
る。The material of these members may be any material as long as the surface roughness described above can be realized, and can be selected according to the functions required by the members. For example, high-frequency power introduction means requiring conductivity and reaction vessels requiring shielding properties can be selected from metal materials. Examples of such metal materials include Al, Cr, Mo, A
In addition to u, In, Ni, Ti, Pt, Fe and alloys thereof, those obtained by forming a conductive layer on the surface of an insulating material can also be used. In this case, for example, a method of directly coating the surface with a powder, such as a plasma spraying method, or a method of a chemical plating method can be adopted.In the case of a chemical plating method, however, care must be taken to prevent damage to the surface roughness. Is required.

【００４５】また、機能上導電性が要求されない部材た
とえば防着板、原料ガス導入手段等にたいしては、上記
の金属材料に加えて、絶縁材料も使用できる。これらの
絶縁材料の例としてはたとえば、ＰＴＦＥ、ポリカーボ
ネート等の樹脂材料、石英ガラス、パイレックス（登録
商標）ガラス等のガラス類のほか、アルミナ、ジルコニ
ア、ムライト、コージェライト、炭化珪素、窒化硼素、
窒化アルミ等のセラミックス材料に加え、これらの混合
物が使用できる。In addition, for members that do not require conductivity in terms of function, such as a deposition-preventing plate and a raw material gas introducing means, an insulating material can be used in addition to the above-mentioned metal materials. Examples of these insulating materials include, for example, resin materials such as PTFE and polycarbonate, glasses such as quartz glass and Pyrex (registered trademark) glass, alumina, zirconia, mullite, cordierite, silicon carbide, silicon nitride, boron nitride, and the like.
In addition to ceramic materials such as aluminum nitride, mixtures thereof can be used.

【００４６】上記の絶縁材料の中でも、セラミックス材
料は堆積膜の密着性が高く、球状突起発生防止のために
特に有効である。さらにセラミックス材料の中でもアル
ミナ、窒化硼素、窒化アルミは誘電正接や絶縁抵抗等の
電気特性にすぐれ、高周波電力の吸収が少ないことか
ら、反応容器内部を構成する部材とりわけ防着板として
好適である。Among the above insulating materials, ceramic materials have high adhesion of the deposited film and are particularly effective for preventing the occurrence of spherical projections. Further, among ceramic materials, alumina, boron nitride, and aluminum nitride are excellent in electrical characteristics such as dielectric loss tangent and insulation resistance, and have low absorption of high-frequency power.

【００４７】上記に例示した材料の表面をあらす方法
は、Ｒｚが５μｍ以上２００μｍ以下の範囲でかつ、θ
ａが５度以上４５度以下の範囲を得られる方法であれば
いずれの方法でも差し支えない。たとえば、投射体を高
圧で吹き付けるブラスト法や、微粒子を高圧高温でコー
ティングするプラズマ溶射法、エッチング法、切削や研
削による機械加工等があげられるが、中でもブラスト
法、プラズマ溶射法は、使用する投射体や微粒子の粒径
などの条件を変えることで表面の粗さが制御しやすく、
所望のＲｚとθａを得ることが容易なため望ましい手段
として挙げられる。表面を粗す方法としてプラズマ溶射
法を採用する場合には、上記で例示した金属材料上にセ
ラミックス材料を溶射する事もできる。In the method of roughening the surface of the material exemplified above, Rz is in the range of 5 μm to 200 μm and θ
Any method can be used as long as a can obtain a range of 5 ° to 45 °. For example, there are a blast method in which a projectile is sprayed at a high pressure, a plasma spray method in which fine particles are coated at a high pressure and a high temperature, an etching method, machining by cutting and grinding, and the like. By changing conditions such as the particle size of the body and fine particles, the surface roughness can be easily controlled,
Since it is easy to obtain desired Rz and θa, it is mentioned as a desirable means. When the plasma spraying method is used as a method for roughening the surface, a ceramic material can be sprayed on the metal material exemplified above.

【００４８】本発明で電子写真用感光体を作成する場合
は、おおよそ上記実験で例示した手順で形成される。本
発明で使用される基体は、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性基体としては、Ａｌ、Ｃｌ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等
の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス、等が
挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ
カーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等
の電気絶緑性基体の少なくとも光受容層を形成する側の
表面を導電処理した基体も用いることができる。こうし
た基体は、堆積膜形成中は２０℃〜５００℃の所望の温
度に加熱することができる。When the electrophotographic photoreceptor is prepared in the present invention, the photoreceptor is generally formed by the procedure exemplified in the above experiment. The substrate used in the present invention may be conductive or electrically insulating. As the conductive substrate, Al, Cl, Mo, A
Examples include metals such as u, In, Nb, Te, V, Ti, Pt, Pd, and Fe, and alloys thereof, for example, stainless steel. Also, at least the surface on the side on which the light-receiving layer is formed of an electroluminescent substrate such as a film or sheet of a synthetic resin such as polyester, polyethylene, polycarbonate, cellulose acetate, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, or polyamide, or glass or ceramic. Can also be used. Such a substrate can be heated to a desired temperature of 20C to 500C during formation of the deposited film.

【００４９】本発明においてアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ：Ｈ）よりなる堆積膜を形成する場合には、原料
ガスとしてＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等
のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作
成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉ
Ｈ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。また
必要に応じてこれらのガスに加えて導伝性を制御する原
始を含むガスを用いることもできる。伝導性を制御する
原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を
挙げることができ、Ｐ型伝導特性を与える周期律表１３
族に属する原子（以後「１３族原子」と略記する）また
はｎ型伝導特性を与える周期律表１５族に属する原子
（以後「１５族原子」と略記する）を用いることができ
る。１３族原子導入用の原料物質として具体的には、硼
素原子導入用としては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅
Ｈ₁₁ 、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ₃、ＢＣ₁₃、ＢＢｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ＡｌＣ₁₃、ＧａＣ₁₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、Ｉ
ｎＣ₁₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができる。In the present invention, amorphous silicon (a
-Si: H) when forming a deposited film of
SiH as gas_Four, Si_TwoH₆, Si_ThreeH₈, Si_FourH_Tenetc
Silicon hydride (silane) in the gaseous state or
) Are used effectively, and
In terms of ease of handling during formation and good Si supply efficiency,
H_Four, Si_TwoH₆Are preferred. Also
A source to control conductivity in addition to these gases as needed
A gas containing a starting gas can also be used. Control conductivity
As atoms, so-called impurities in the semiconductor field
Periodic Table 13 that gives P-type conduction characteristics
Atoms belonging to the group (hereinafter abbreviated as "group 13 atoms") or
Is an atom belonging to Group 15 of the periodic table that gives n-type conduction properties
(Hereinafter abbreviated as “Group 15 atom”) can be used.
You. As a raw material for introducing a group 13 atom, specifically, boron
For the introduction of elemental atoms, B_TwoH₆, B_FourH_Ten, B_FiveH₉, B_Five
H₁₁ , B₆H_Ten, B₆H₁₂, B₆H₁₄Such as boron hydride, B
F_Three, BC₁₃, BBr_ThreeSuch as boron halide
You. In addition, AlC₁₃, GaC₁₃, Ga (CH_Three)_Three, I
nC₁₃, TlCl_ThreeAnd the like.

【００５０】１５族原子導入用の原料物質として有効に
使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、Ｐ₂Ｈ
₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣ₁₃、ＰＣ
₁₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化燐が挙げ
られる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣ₁₃、ＡｓＢ
ｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、Ｓｂ
Ｃ₁₃ 、ＳｂＣ₁₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣ₁₃、ＢｉＢｒ₃等も１
５族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げるこ
とができる。また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。Effective as a raw material for introducing group 15 atoms
It is used for introducing a phosphorus atom._Three, P_TwoH
_FourPhosphorus hydride, PH_FourI, PF_Three, PF_Five, PC₁₃, PC
_Fifteen, PBr_Three, PBr_Five, PI_ThreeAnd the like.
Can be In addition, AsH_Three, AsF_Three, AsC₁₃, AsB
r_Three, AsF_Five, SbH_Three, SbF_Three, SbF_Five, Sb
C₁₃ , SbC_Fifteen, BiH_Three, BiC₁₃, BiBr_ThreeAnd so on
Useful starting materials for introducing group V atoms
Can be. Also, atom introduction to control these conductivity
Raw material for H if necessary_TwoAnd / or to He
You may use it after diluting.

【００５１】また、アモルファス炭化シリコン（ａ−Ｓ
ｉＣ）よりなる層を形成する場合には、前記原料ガスの
ほかに、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る物質が使用できる。例えばアモ
ルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）を形成する場合に
は、前記の原料ガスのほかに、酸素原子導入用のガスと
して使用出来るものとして、酸素（Ｏ₂）、オゾン
（Ｏ₃）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、
一酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ）、三酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ₃）、四
酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ₄）、五酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ₅）、三酸
化窒素（ＮＯ₃）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする例えば、ジ
シロキサン（Ｈ₃ＳｉＯＳｉＨ₃）、トリシロキサン（Ｈ
₃ＳｉＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₃）等の低級シロキサン等を挙
げることができる。本発明において、例えばアモルファ
ス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ）を形成する場合には、前
記の原料ガスのほかに、窒素原子導入用のガスとして使
用出来るものとして、窒素（Ｎ₂），アンモニア（Ｎ
Ｈ₃），ヒドラジン（Ｈ₂ＮＮＨ₂），アジ化水素（Ｈ
Ｎ₃）等のガス状のまたはガス化し得る窒素、窒素物及
びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。In addition, amorphous silicon carbide (a-S
In the case of forming a layer made of iC), in addition to the above-mentioned source gas, a substance in a gas state such as CH ₄ , C ₂ H ₆ , C ₃ H ₈ , C ₄ H ₁₀ or a substance which can be gasified can be used. . For example, when forming amorphous silicon oxide (a-SiO), oxygen (O ₂ ), ozone (O ₃ ), monoxide, Nitrogen (NO), nitrogen dioxide (NO ₂ ),
Nitrous oxide (N ₂ O), Nitrous oxide (N ₂ O ₃ ), Nitrous oxide (N ₂ O ₄ ), Nitrous oxide (N ₂ O ₅ ), Nitric oxide (NO ₃ ) For example, disiloxane (H ₃ SiOSiH ₃ ), trisiloxane (H) having silicon atoms (Si), oxygen atoms (O), and hydrogen atoms (H) as constituent atoms.
Lower siloxanes such as ₃ SiOSiH ₂ OSiH ₃ ). In the present invention, for example, when amorphous silicon nitride (a-SiN) is formed, nitrogen (N ₂ ), ammonia (N
H ₃ ), hydrazine (H ₂ NNH ₂ ), hydrogen azide (H
Examples include gaseous or gasifiable nitrogen such as N ₃ ), and nitrogen compounds such as nitrogen and azide.

【００５２】本発明で使用する高周波電力の周波数はい
ずれのものであっても差し支えない。たとえば１３．５
６ＭＨｚのＲＦ帯域や、２．４５ＧＨｚのマイクロ波帯
域のほか１０５ＭＨｚのＶＨＦ帯域が使用できる。高周
波電力は目的とする通常基体１体あたり１０〜５０００
Ｗの範囲が好ましい。また反応容器の圧力についても同
様に通常の場合、０．０１Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲が
好ましいものとされる。The frequency of the high frequency power used in the present invention may be any frequency. For example, 13.5
An RF band of 6 MHz, a microwave band of 2.45 GHz, and a VHF band of 105 MHz can be used. The high frequency power is 10 to 5000 per normal target substrate
The range of W is preferred. Similarly, the pressure of the reaction vessel is preferably in the range of 0.01 Pa to 1000 Pa in a normal case.

【００５３】これら基体温度、使用するガス種及び流
量、高周波電力、反応容器の圧力はそれぞれ個別的、一
義的に決定されるのものではなく、目的とする堆積膜の
特性により最適範囲を選択するのが望ましい。The temperature of the substrate, the kind and flow rate of the gas to be used, the high frequency power, and the pressure of the reaction vessel are not individually and uniquely determined, but an optimum range is selected according to the characteristics of the target deposited film. It is desirable.

【００５４】[0054]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実験例及び実施例
について詳細に説明するが、本発明はこれらによって何
ら限定されるものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, experimental examples and examples of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited thereto.

【００５５】（実験例１）図１の堆積膜形成装置を用い
て、図２に示した電子写真用感光体を表１の条件で作成
した。本実験例では、高周波電力導入手段の表面をブラ
スト法によってＲｚをほぼ一定とし、θａの値を変化さ
せたものを使用した。それぞれのθａとＲｚは表２に示
した。なお、表２のθａとＲｚはおのおのの高周波電力
導入手段の表面上を任意に１０点選んでθａとＲｚを測
定し、その平均値を採った。(Experimental Example 1) The electrophotographic photosensitive member shown in FIG. 2 was prepared under the conditions shown in Table 1 using the deposited film forming apparatus shown in FIG. In the present experimental example, the surface of the high-frequency power introducing means was used in which Rz was made substantially constant by the blast method and the value of θa was changed. The respective θa and Rz are shown in Table 2. In Table 2, θa and Rz were determined by arbitrarily selecting ten points on the surface of the high-frequency power introducing means, measuring θa and Rz, and taking the average value.

【００５６】[0056]

【表２】 こうして作成した８本の電子写真用感光体について、前
記実験１の場合と同様にして、直径５μｍ以上１０μｍ
末満の球状突起の数と、直径１０μｍ以上の球状突起の
数、「しみ」の発生個所について評価した。その結果を
図８および図９に示す。図８はθａに対する直径５μｍ
以上１０μｍ未満の球状突起の数、および直径１０μｍ
以上の球状突起の数を示し、図９はθａに対する「し
み」の発生個数を示した図である。[Table 2] With respect to the eight electrophotographic photoreceptors thus prepared, the diameter was 5 μm or more and 10 μm
The number of spherical protrusions, the number of spherical protrusions having a diameter of 10 μm or more, and the occurrence of “stain” were evaluated. The results are shown in FIGS. FIG. 8 shows a diameter of 5 μm with respect to θa.
Number of spherical protrusions of not less than 10 μm and diameter of 10 μm
FIG. 9 is a diagram showing the number of occurrences of “spots” with respect to θa.

【００５７】なお、図８では、直径５〜１０μｍ未満の
球状突起の数と、直径１０μｍ以上の球状突起の数それ
ぞれについて試料３（θａ＝１１．７度、Ｒｚ＝２６．
５μｍ）の値を１として相対値で比較した。なお、この
時の値は先の実験で基準とした値に対して直径５〜１０
μｍ未満の球状突起については０．３１倍、直径１０μ
ｍ以上の球状突起については１．４１倍であった。In FIG. 8, the number of spherical projections having a diameter of 5 to 10 μm and the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more are each designated as Sample 3 (θa = 11.7 degrees, Rz = 26.
(5 μm) was set to 1 and the relative values were compared. The value at this time was 5 to 10 mm in diameter compared to the reference value in the previous experiment.
0.31 times for spherical projections less than μm, diameter 10μ
For spherical protrusions of m or more, the ratio was 1.41 times.

【００５８】図８の結果によれば、θａが約５度未満で
は直径５〜１０μｍ未満の球状突起の数が急激に増加し
ている。これはθａが５度未満では堆積膜の微視的に見
て平坦な部分を形成し、膜はがれを防止するのに十分な
凹凸が得られなくなったことによると思われる。θａが
５．１度以上では、直径５μｍ以上１０μｍ未満の球状
突起は除々に減少する傾向を示す。一方図９の結果によ
れば、「しみ」については、θａが４４．８度以下では
まったく観測されなかったが、４８．８度以上では増加
する傾向が見られた。また、直径が１０μｍ以上の球状
突起については、ほぼ一定の値となった。According to the results shown in FIG. 8, when θa is less than about 5 degrees, the number of spherical projections having a diameter of less than 5 to 10 μm sharply increases. This is presumably because when θa is less than 5 degrees, a microscopically flat portion of the deposited film is formed, and no sufficient unevenness is obtained to prevent the film from peeling off. When θa is 5.1 degrees or more, the spherical projections having a diameter of 5 μm or more and less than 10 μm tend to gradually decrease. On the other hand, according to the results in FIG. 9, “stain” was not observed at all when θa was 44.8 degrees or less, but tended to increase when θa was 48.8 degrees or more. In addition, the value was substantially constant for spherical projections having a diameter of 10 μm or more.

【００５９】（実験例２）図１の堆積膜形成装置を用い
て、図２に示した電子写真用感光体を表１の条件で作成
した。本実験例では、高周波電力導入手段の表面をブラ
スト法によってθａをほぼ一定とし、Ｒｚを変化させた
ものを使用した。それぞれのθａとＲｚは表３に示し
た。なお、表３のθａとＲｚはおのおのの高周波電力導
入手段の表面上を任意に１０点選んでθａとＲｚを測定
し、その平均値を採った。(Experimental Example 2) The electrophotographic photosensitive member shown in FIG. 2 was prepared under the conditions shown in Table 1 using the deposited film forming apparatus shown in FIG. In the present experimental example, the surface of the high-frequency power introducing means was used in which θa was made substantially constant by the blast method and Rz was changed. Table 3 shows the values of θa and Rz. In Table 3, θa and Rz were determined by arbitrarily selecting ten points on the surface of the high-frequency power introducing means, measuring θa and Rz, and taking the average value.

【００６０】[0060]

【表３】 こうして作成した電子写真用感光体について、実験１と
同様に直径５〜１０μｍ未満の球状突起と、直径１０μ
ｍ以上の球状突起の数と「しみ」の発生個数について評
価した。[Table 3] For the electrophotographic photoreceptor thus prepared, a spherical protrusion having a diameter of 5 to 10 μm and a diameter of 10 μm
The number of spherical protrusions of m or more and the number of occurrences of “stain” were evaluated.

【００６１】その結果を図１０に示す。なお、図１０で
は、直径５〜１０μｍ未満の球状突起の数と、直径１０
μｍ以上の球状突起の数それぞれについて実験例１の試
料３（θａ＝１１．７度、Ｒｚ＝２６．５μｍ）の値を
１として相対値で比較した。図１０の結果によれば、Ｒ
ｚが約５μｍ以下ではθａが良好な範囲であっても、直
径１０μｍ以上の球状突起の数と、直径５〜１０μｍ未
満の球状突起の数がともに急激増加している。これはＲ
ｚが１０度以下では直径１０μｍ以上の球状突起の数を
誘発する膜はがれを抑えることができず、その影響で直
径５〜１０μｍ未満の球状突起の数も増加するとみられ
る。また、Ｒｚが大きくなるにつれて、直径１０μｍ以
上の球状突起の数と、直径５〜１０μｍ未満の球状突起
の数の双方とも減少する傾向にある。なお、実験例２で
はいずれの試料でも「しみ」の発生は観測されなかっ
た。FIG. 10 shows the result. In FIG. 10, the number of spherical projections having a diameter of less than 5 to 10 μm and the diameter of 10
For each of the numbers of the spherical protrusions having a size of μm or more, the value of Sample 3 (θa = 11.7 degrees, Rz = 26.5 μm) of Experimental Example 1 was set to 1 and the relative values were compared. According to the result of FIG.
When z is about 5 μm or less, the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more and the number of spherical projections having a diameter of less than 5 to 10 μm both increase sharply even when θa is in a favorable range. This is R
When z is 10 degrees or less, it is impossible to suppress the peeling of the film which induces the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more, and the number of spherical projections having a diameter of 5 to less than 10 μm is likely to increase due to the influence. Further, as Rz increases, both the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more and the number of spherical projections having a diameter of 5 to less than 10 μm tend to decrease. In Experimental Example 2, generation of “stain” was not observed in any of the samples.

【００６２】以上実験例１及び２の結果から、直径１０
μｍ以上の球状突起は主としてＲｚの値に依存し、θａ
が良好な範囲であっても、Ｒｚが良好な範囲を外れれば
増加することがわかった。一方、直径５〜１０μｍ未満
の球状突起を誘発する微少な膜はがれは主としてθａに
依存すると考えられるが、直径１０μｍ以上の球状突起
が増えるような状況ではその影響によって直径５〜１０
μｍ未満の球状突起の数も増える。すなわち、本発明に
おいてはＲｚを５μｍ以上２００μｍ以下でかつ、θａ
を５度以上４５度以下の範囲にすることが球状突起と
「しみ」の発生を防止する上で重要である。From the results of Experimental Examples 1 and 2, it was found that
Spherical protrusions of μm or more mainly depend on the value of Rz.
It can be seen that even when Rz is in a good range, it increases when Rz is out of the good range. On the other hand, it is considered that the minute film peeling that induces a spherical projection having a diameter of less than 5 to 10 μm mainly depends on θa. However, in a situation where the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more increases, the influence of the diameter is 5 to 10 μm.
The number of spherical projections smaller than μm also increases. That is, in the present invention, Rz is 5 μm or more and 200 μm or less and θa
Is in the range of 5 degrees or more and 45 degrees or less in order to prevent the occurrence of spherical projections and "spots".

【００６３】（実施例１）図１の堆積膜形成装置の高周
波電力導入手段に、アルミ（Ａ５０５２材）、ステンレ
ス（ＳＵＳ３０４）、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アル
ミ、ムライト、炭化珪素の６種類の材料で作成し、アル
ミ、ステンレスについては母材と同じ材質をプラズマ溶
射法にてコーティングしたものを、他の材質については
ブラスト法によって表面を粗したものを防着板として設
置し、表４の条件で電子写真用感光体を作成した。(Example 1) Six kinds of materials of aluminum (A5052 material), stainless steel (SUS304), alumina, boron nitride, aluminum nitride, mullite, and silicon carbide were used for the high frequency power introduction means of the deposited film forming apparatus of FIG. For aluminum and stainless steel, the same material as the base material was coated by plasma spraying, and for the other materials, the surface roughened by blasting was installed as an anti-adhesion plate. To prepare an electrophotographic photoreceptor.

【００６４】[0064]

【表４】 表４において層厚はおおよその目安を示している。[Table 4] In Table 4, the layer thickness shows an approximate standard.

【００６５】また本実施例で使用した防着板の表面粗さ
を表５に示した。Table 5 shows the surface roughness of the deposition-preventing plate used in this example.

【００６６】[0066]

【表５】 なお、表５中のＲｚ及びθａの値は、実験例１と同様に
それぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点についてそ
れぞれ計測し、その平均値を採った。こうして作成した
８本の電子写真用感光体について、実験例１と同様にし
て直径５〜１０μｍ未満の球状突起と、直径１０μｍ以
上の球状突起の数、「しみ」の発生個数を評価した。そ
の結果を表６に示した。表６において、直径５〜１０μ
ｍ未満の球状突起の数と直径１０μｍ以上の球状突起の
数はそれぞれ実験例１で使用した試料４（材質ステンレ
ス：ＳＵＳ３０４、Ｓ＝１１．７度、Ｒｚ＝２６．５μ
ｍ）の値を１とした相対評価で示した。[Table 5] Note that the values of Rz and θa in Table 5 were measured at 10 points where the surface of each sample was arbitrarily selected, as in Experimental Example 1, and the average value was taken. With respect to the eight electrophotographic photoreceptors thus produced, the number of spherical projections having a diameter of less than 5 to 10 μm, the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more, and the number of occurrences of “spots” were evaluated in the same manner as in Experimental Example 1. Table 6 shows the results. In Table 6, the diameter is 5 to 10 μm.
The number of the spherical protrusions less than m and the number of the spherical protrusions having a diameter of 10 μm or more were determined by using the sample 4 (stainless steel: SUS304, S = 11.7 degrees, Rz = 26.5 μm) used in Experimental Example 1.
The value of m) was 1 and the relative evaluation was shown.

【００６７】[0067]

【表６】 表６の結果から、いずれの材質の防着板においても本発
明の効果を得ることができた。また、材質をセラミック
スとすることが、球状突起の抑制により効果的であるこ
とが分かった。中でもアルミナ、窒化ホウ素、窒化アル
ミの３種類のセラミックスで最も高い効果が得られた。
これは、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミがセラミッ
クス材料の中でも特に電気特性にすぐれるため、高周波
電力の吸収が低くく極端な昇温を起こし難くなることに
よって、他のセラミックス材料の場合に比べて堆積膜中
の応力を緩和させるためと考えられる。また、いずれの
試料においても「しみ」の発生は観測されなかった。[Table 6] From the results shown in Table 6, the effects of the present invention could be obtained with any of the adhesion-preventing plates made of any material. It was also found that the use of ceramics as the material was more effective in suppressing spherical projections. Among them, the highest effect was obtained with three types of ceramics, alumina, boron nitride, and aluminum nitride.
This is because alumina, boron nitride, and aluminum nitride are particularly excellent in electrical characteristics among ceramic materials, so they have low absorption of high-frequency power and are unlikely to cause an extreme temperature rise. It is considered that the stress in the deposited film is reduced. No "staining" was observed in any of the samples.

【００６８】（比較例１）実施例１と同様に、図１の堆
積膜形成装置の高周波電力導入手段に、アルミナ、窒化
ホウ素、窒化アルミの３種類の材料で作成し表面をブラ
スト法によって粗した防着板を設置し、表４の条件で電
子写真用感光体を作成した。本比較例で使用した防着板
の表面粗さを表７に示した。Comparative Example 1 In the same manner as in Example 1, three kinds of materials of alumina, boron nitride, and aluminum nitride were used for the high-frequency power introduction means of the deposited film forming apparatus shown in FIG. Then, the electroless photosensitive member was prepared under the conditions shown in Table 4. Table 7 shows the surface roughness of the anti-adhesion plate used in this comparative example.

【００６９】[0069]

【表７】 なお、表７中のθａおよびＲｚの値は、実験例１と同様
にそれぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点について
それぞれ計測し、その平均値を採った。こうして作成し
た８本の電子写真用感光体について、実験例１と同様に
して直径５〜１０μｍ未満の球状突起と、直径１０μｍ
以上の球状突起の数、「しみ」の発生個数を評価した。
その結果を表８に示した。表８において、直径５〜１０
μｍ未満の球状突起の数と直径１０μｍ以上の球状突起
の数はそれぞれ実験例１で使用した試料１（材質ステン
レス：ＳＵＳ３０４、Ｓ＝１１．７度、Ｒｚ＝２６．５
μｍ）の値を１とした相対評価で示した。[Table 7] The values of θa and Rz in Table 7 were measured at 10 points where the surface of each sample was arbitrarily selected, as in Experimental Example 1, and the average value was taken. Regarding the eight electrophotographic photoconductors thus prepared, spherical protrusions having a diameter of less than 5 to 10 μm and diameters of 10 μm
The number of the above-mentioned spherical projections and the number of occurrences of "spots" were evaluated.
Table 8 shows the results. In Table 8, the diameter is 5-10.
The number of the spherical projections smaller than μm and the number of the spherical projections having a diameter of 10 μm or more are the same as those of the sample 1 (Stainless steel: SUS304, S = 11.7 degrees, Rz = 26.5) used in Experimental Example 1.
μm) was set to 1 and indicated by relative evaluation.

【００７０】[0070]

【表８】 以上表８の結果から、θａの値が５度未満の場合には直
径５〜１０μｍ未満の球状突起の数が増加していること
がわかる。また、θａが４５度を超えると「しみ」が発
生することがわかる。[Table 8] From the results in Table 8, it can be seen that when the value of θa is less than 5 degrees, the number of spherical projections having a diameter of less than 5 to 10 μm increases. Also, it can be seen that “stain” occurs when θa exceeds 45 degrees.

【００７１】（実施例２）図１の堆積膜形成装置の高周
波電力導入手段に、アルミ（Ａ５０５２材）、アルミナ
の２種穎の材料で作成し、ブラスト法によって表面を粗
したものを防着板として設置し、表９の条件で電子写真
用感光体を作成した。(Example 2) Two kinds of materials of aluminum (A5052) and alumina were used for the high frequency power introduction means of the deposited film forming apparatus of FIG. 1 and the surface roughened by blasting was deposited. The electrophotographic photosensitive member was prepared under the conditions shown in Table 9 below.

【００７２】[0072]

【表９】 表９において層厚はおおよその目安を示している。[Table 9] In Table 9, the layer thickness shows an approximate standard.

【００７３】また、本実施例で用いた防着板の表面粗さ
を表１０に示した。Table 10 shows the surface roughness of the deposition-preventing plate used in this example.

【００７４】[0074]

【表１０】 なお、表１０中のθａおよびＲｚの値は、実験例１と同
様にそれぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点につい
てそれぞれ計測し、その平均値を採った。[Table 10] The values of θa and Rz in Table 10 were measured at 10 points where the surface of each sample was arbitrarily selected, as in Experimental Example 1, and the average value was taken.

【００７５】（比較例２）図１の堆積膜形成装置の高周
波電力導入手投に、アルミ（Ａ５０５２材）、アルミナ
の２種類の材料で作成し、ブラスト法によって表面をθ
ａの値が４５度を超えるように粗したものを防着板とし
て設置し、表９の条件で電子写真用感光体を作成した。
本比較例で用いた防着板の表面粗さを表１１に示した。COMPARATIVE EXAMPLE 2 Two kinds of materials, aluminum (A5052) and alumina, were used for the introduction of high-frequency power in the deposited film forming apparatus shown in FIG.
An electrophotographic photoreceptor was prepared under the conditions shown in Table 9 by setting a surface roughened so that the value a exceeded 45 degrees.
Table 11 shows the surface roughness of the deposition-preventing plate used in this comparative example.

【００７６】[0076]

【表１１】 なお、表１１中のθａおよびＲｚの値は、実験例１と同
様にそれぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点につい
てそれぞれ計測し、その平均値を採った。[Table 11] Note that the values of θa and Rz in Table 11 were measured at 10 points where the surface of each sample was arbitrarily selected, as in Experimental Example 1, and the average value was taken.

【００７７】（比較例３）図１の堆積膜形成装置の高周
波電力導入手段に、アルミ（Ａ５０５２材）、アルミナ
の２種類の材料で作成し、ブラスト法によって表面をθ
ａの値が５度未満になるように粗したものを防着板とし
て設置し、表９の条件で電子写真用感光体を作成した。
本比較例で用いた防着板の表面粗さを表１２に示した。(Comparative Example 3) Two kinds of materials, aluminum (A5052) and alumina, were used for the high-frequency power supply means of the deposited film forming apparatus shown in FIG.
A material roughened so that the value of a was less than 5 degrees was set as an anti-adhesion plate, and a photoconductor for electrophotography was prepared under the conditions shown in Table 9.
Table 12 shows the surface roughness of the deposition-preventing plate used in this comparative example.

【００７８】[0078]

【表１２】 なお、表１２中のθａおよびＲｚの値は、実験例１と同
様にそれぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点につい
てそれぞれ計測し、その平均値を採った。[Table 12] Note that the values of θa and Rz in Table 12 were measured at 10 points where the surface of each sample was arbitrarily selected, as in Experimental Example 1, and the average value was taken.

【００７９】以上、実施例２及び比較例２、比較例３で
作成した電子写真用感光体について、直径５〜１０μｍ
未満の球状突起の数と直径１０μｍ以上の球状突起の
数、「しみ」の発生個数について、実験例１と同様につ
いて評価した。また、それぞれの電子写真用感光体につ
いて白ぽちと黒ぽちについて以下の方法で評価した。As described above, the electrophotographic photosensitive members prepared in Example 2, Comparative Examples 2 and 3, and having a diameter of 5 to 10 μm
The number of spherical projections less than 10 μm, the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more, and the number of occurrences of “spots” were evaluated in the same manner as in Experimental Example 1. The white spots and black spots of each electrophotographic photosensitive member were evaluated by the following methods.

【００８０】・白ぽちおのおのの電子写真用感光体を電
子写真装置（キヤノン社製ＮＰ６０８５を実験用に改造
したもの）にセットして画像露光を切り、全面黒色画像
（べタ黒画像）を作成する。こうして作成したベタ黒画
像を目視で観察し白ぽちの有無を評価した。Each of the electrophotographic photoreceptors is set in an electrophotographic apparatus (an NP6085 manufactured by Canon Inc. modified for experiment) and image exposure is cut off to produce a black image (solid black image) over the entire surface. I do. The solid black image thus created was visually observed to evaluate the presence or absence of white spots.

【００８１】白ぽちについて ◎・・・きわめて良好（白ぽちは確認できない） ○・・・良好（白ぽちが確認できるが、いずれも軽微で
視認は難しい） △・・・実用上問題なし（白ぽちが確認できるが、画像
読み取り上は支障なし） ×・・・画像上の欠陥が顕著で実用できない の４段階で評価した。Regarding white spots ・ ・ ・: extremely good (white spots cannot be confirmed) ○: good (white spots can be confirmed, but all are slight and difficult to visually recognize) △: no practical problem (white) Poor can be confirmed, but there is no hindrance in image reading. ×: The defect on the image is remarkable and cannot be used practically.

【００８２】・黒ぽちおのおのの電子写真用感光体を電
子写真装置（キヤノン社製ＮＰ６０８５を実験用に改造
したもの）にセットして原稿台に白紙を置き、前面白色
画像（ベタ白画像）を作成する。こうして作成したベタ
白画像を目視で観察し黒ぽちの有無を評価した。Each of the electrophotographic photoreceptors of the black Petio is set on an electrophotographic apparatus (NP6085 manufactured by Canon Inc. modified for experiments), a blank sheet is placed on the platen, and a white front image (solid white image) is obtained. create. The solid white image thus created was visually observed to evaluate the presence or absence of black spots.

【００８３】黒ぽちについて ◎・・・きわめて良好（黒ぽちは確認できない） ○・・・良好（黒ぽちが確認できるが、いずれも軽微で
視認は難しい） △・・・実用上問題なし（黒ぽちが視認できるが、画像
読み取り上は支障なし） ×・・・画像上の欠陥が顕著で実用できない の４段階で評価した。Regarding black spots ・ ・ ・: extremely good (black spots cannot be confirmed) ○: good (black spots can be confirmed, but all are slight and difficult to see) △: no practical problem (black) (Each spot is visible, but there is no hindrance in reading the image.) ×: The defect on the image is remarkable and the image cannot be used.

【００８４】以上、実施例２及び比較例２、比較例３の
結果を合わせて表１３に示した。The results of Example 2, Comparative Example 2, and Comparative Example 3 are shown in Table 13.

【００８５】[0085]

【表１３】 なお、表１３において直径５〜１０μｍ未満の球状突起
の数および直径１０μｍ以上の球状突起の数はそれぞれ
実験例１で使用した試料４（材質ステンレス：ＳＵＳ３
０４、Ｓ＝１１．７度、Ｒｚ＝２６．５μｍ）の値を１
とした相対評価で示した。[Table 13] In Table 13, the number of the spherical projections having a diameter of less than 5 to 10 μm and the number of the spherical projections having a diameter of 10 μm or more are the values of Sample 4 (stainless steel: SUS3) used in Experimental Example 1.
04, S = 11.7 degrees, Rz = 26.5 μm)
The relative evaluation was shown.

【００８６】表１３の結果から、本発明の表面粗さを持
つ試料３０および試料３１の防着板ではいずれの項目も
良好な結果が得られた。一方、試料３２および３３につ
いてはいずれも「しみ」の発生が見られ、試料３４およ
び３５では直径５〜１０μｍ未満の球状突起の数が増加
するとともに、コピー画像上でも特に黒ポチの悪化が見
られた。From the results shown in Table 13, good results were obtained for all of the adhesion-preventing plates of Sample 30 and Sample 31 having the surface roughness of the present invention. On the other hand, in Samples 32 and 33, "staining" was observed, and in Samples 34 and 35, the number of spherical projections having a diameter of less than 5 to 10 m was increased, and black spots were particularly deteriorated on the copy image. Was done.

【００８７】（実施例３）図１１に本実施例で用いた堆
積膜形成装置の模式図を示した。図１１において、
（ａ）は電子写真用感光体形成用の堆積膜形成装置の横
断面、（ｂ）は縦断面を示している。図１１の装置は真
空容器（反応容器）２００がセラミックス材料で構成さ
れ、蓋２１４と底板２１２とあわせて減圧可能な構成と
なっている。真空容器２００の概ね中心に排気配管２１
５が置かれ、その周囲に複数（図１３の例では６本）の
基体２０１が配置される。基体２０１は回転軸２０８に
連結され、ギヤ２１０を介してモーター２０９により回
転可能である。原料ガス導入手段２０５は基体２０１の
配置円の外側に同心円上に配置され、反応容器２００内
に原料ガスを供給する。高周波電力導入手段２０２は反
応容器２００の外側に同心円に配置される。この場合、
高周波電力は高周波電源２０７からマッチングボックス
２０６を経て、シールド２１１内に導入されたのち、複
数（図１１の例では６本）の高周波電力導入手段２０２
に供給される。(Embodiment 3) FIG. 11 is a schematic view of a deposited film forming apparatus used in this embodiment. In FIG.
(A) shows a horizontal section of a deposition film forming apparatus for forming an electrophotographic photoreceptor, and (b) shows a vertical section. In the apparatus shown in FIG. 11, a vacuum vessel (reaction vessel) 200 is made of a ceramic material, and the pressure can be reduced together with a lid 214 and a bottom plate 212. The exhaust pipe 21 is located substantially at the center of the vacuum vessel 200.
5, and a plurality (six in the example of FIG. 13) of bases 201 are arranged around it. The base 201 is connected to a rotation shaft 208 and is rotatable by a motor 209 via a gear 210. The source gas introduction means 205 is arranged concentrically outside the arrangement circle of the substrate 201 and supplies the source gas into the reaction vessel 200. The high-frequency power introducing means 202 is arranged concentrically outside the reaction vessel 200. in this case,
The high-frequency power is introduced into the shield 211 from the high-frequency power supply 207 via the matching box 206, and then a plurality (six in the example of FIG. 11) of high-frequency power introduction means 202.
Supplied to

【００８８】図１１に示した装置を用いて表１４の条件
で堆積膜を電子写真用感光体を形成した。なお、本実施
例での電子写真用感光体の形成手順は実験１と同様の手
順でおこなった。The deposited film was used to form an electrophotographic photosensitive member under the conditions shown in Table 14 using the apparatus shown in FIG. The procedure for forming the electrophotographic photoreceptor in this example was the same as that in Experiment 1.

【００８９】[0089]

【表１４】 表１４において層厚はおおよその目安を示している。[Table 14] In Table 14, the layer thickness shows an approximate standard.

【００９０】本実施例では、反応容器２００の材質と内
面の表面粗さで行った。表１５に本実施例で用いたこれ
らの部材の材質と表面粗さを示した。In this embodiment, the reaction was performed with the material of the reaction vessel 200 and the surface roughness of the inner surface. Table 15 shows the materials and surface roughness of these members used in this example.

【００９１】[0091]

【表１５】 また、本実施例では、ダミー２１６、原料ガス導入手段
２０５、回転軸２０８の堆積膜が付着する表面の粗さに
ついても制御をおこなった。表１６にそれぞれの部材の
材質と表面粗さを示す。[Table 15] In the present embodiment, the surface roughness of the dummy 216, the source gas introducing means 205, and the rotating shaft 208 to which the deposited film is attached is also controlled. Table 16 shows the material and surface roughness of each member.

【００９２】[0092]

【表１６】 なお、表１５と表１６において、θａおよびＲｚの値
は、実験例１と同様にそれぞれの試料の表面を任意に選
んだ１０点についてそれぞれ計測し、その平均値を採っ
た。[Table 16] In Tables 15 and 16, the values of θa and Rz were measured at 10 points where the surface of each sample was arbitrarily selected, as in Experimental Example 1, and the average values were taken.

【００９３】こうして作成した６本の電子写真用感光体
について、実施例２と同様にして直径５μｍ以上１０μ
ｍ未満の球状突起の数、直径１０μｍ以上の球状突起の
数、「しみ」の発生個数、白ぽち、黒ぽちについて評価
した。The six electrophotographic photoreceptors thus prepared were processed in the same manner as in Example 2 to have a diameter of 5 μm to 10 μm.
The number of spherical protrusions less than m, the number of spherical protrusions having a diameter of 10 μm or more, the number of occurrences of “spots”, white spots, and black spots were evaluated.

【００９４】以上、実施例３の結果を表１７に示す。な
お、表１７において、直径５μｍ以上１０μｍ未満の球
状突起の数、直径１０μｍ以上の球状突起の数は本実施
例において反応容器をアルミナにした場合をそれぞれ１
として相対比較した。Table 17 shows the results of Example 3. In Table 17, the number of spherical projections having a diameter of 5 μm or more and less than 10 μm and the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more were 1 in the case of using alumina as the reaction vessel in this example.
As a relative comparison.

【００９５】[0095]

【表１７】 表１７の結果から、本発明の表面粗さを持ついずれの反
応容器についても良好な結果が得られた。[Table 17] From the results in Table 17, good results were obtained for any of the reaction vessels having the surface roughness of the present invention.

【００９６】（比較例４）実施例３のアルミナを反応容
器として用いた図１１に示した堆積膜形成装置に、ダミ
ー、原料ガス導入手段、回転軸として、表１８に示した
両面粗さのものを設置し、実施例３と同様に電子写真用
感光体を作成した。(Comparative Example 4) Using the alumina of Example 3 as a reaction vessel, the deposition film forming apparatus shown in FIG. The electrophotographic photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 3.

【００９７】[0097]

【表１８】 表１８中のθａおよびＲｚの値は、実験例１と同様にそ
れぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点についてそれ
ぞれ計測し、その平均値を採った。[Table 18] The values of θa and Rz in Table 18 were measured at 10 points where the surface of each sample was arbitrarily selected, as in Experimental Example 1, and the average value was taken.

【００９８】こうして作成した６本の電子写真用感光体
について、実施例２と同様に球状突起の数、「しみ」発
生個数、白ぽち、黒ぽちについて評価した。The six electrophotographic photosensitive members thus prepared were evaluated in the same manner as in Example 2 for the number of spherical projections, the number of occurrences of "spots", white spots, and black spots.

【００９９】（比較例５）実施例３のアルミナを反応容
器として用いた図１１に示した堆積膜形成装置に、ダミ
ー、原料ガス導入手段、回転軸として、表１９に示した
両面粗さのものを設置し、実施例３と同様に電子写真用
感光体を作成した。(Comparative Example 5) Using the alumina of Example 3 as a reaction vessel, the deposition film forming apparatus shown in FIG. The electrophotographic photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 3.

【０１００】[0100]

【表１９】 表１２中のθａおよびＲｚの値は、実験例１と同様にそ
れぞれの試料の表面を任意に選んだ１０点についてそれ
ぞれ計測し、その平均値を採った。[Table 19] The values of θa and Rz in Table 12 were measured at 10 points where the surface of each sample was arbitrarily selected, as in Experimental Example 1, and the average value was taken.

【０１０１】こうして作成した６本の電子写真用感光体
について、実施例２と同様に球状突起の数、「しみ」発
生個数、白ぽち、黒ぽちについて評価した。The six electrophotographic photosensitive members thus produced were evaluated for the number of spherical projections, the number of occurrences of "stains", white spots, and black spots in the same manner as in Example 2.

【０１０２】以上、比較例４および比較例５の結果を表
２０に示す。なお、表２０において、直径５μｍ以上１
０μｍ未満の球状突起の数、直径１０μｍ以上の球状突
起の数は実施例３において反応容器をアルミナにした場
合をそれぞれ１として相対比較した。The results of Comparative Examples 4 and 5 are shown in Table 20. In Table 20, the diameter is 5 μm or more and 1
The number of spherical projections having a diameter of less than 0 μm and the number of spherical projections having a diameter of 10 μm or more were compared with each other in Example 3 when the reaction vessel was made of alumina.

【０１０３】[0103]

【表２０】 以上、表２０の結果から、ダミー、原料ガス導入手段、
回転軸に対しても、θａが本発明の範囲から外れると直
径５μｍ以上１０μｍ未満の球状突起の数や「しみ」の
悪化が見られることがわかった。[Table 20] As described above, from the results in Table 20, the dummy, the source gas introduction means,
It was also found that the number of spherical projections having a diameter of 5 μm or more and less than 10 μm and deterioration of “stain” were observed when θa was out of the range of the present invention with respect to the rotation axis.

【０１０４】[0104]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、堆
積膜形成装置を構成する部材のうち、放電空間に面する
少なくとも一部の表面を十点平均粗さ（Ｒｚ）で５μｍ
以上２００μｍ以下とし、かつ、その表面の平均傾斜角
（θａ）を５度以上４５度以下とすることで、堆積膜形
成装置内での膜はがれを効果的に防止でき、堆積膜の異
常成長や「しみ」の発生を効果的に防止することが可能
な堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を実現できる。
特に電子写真用感光体を形成した場合、コピー画像上の
白ポチ、黒ポチの画像欠陥を効果的に抑制することがで
き、品質に優れたアモルファスシリコン系の電子写真用
感光体の形成方法を実現できる。As described above, according to the present invention, at least a part of the members constituting the deposited film forming apparatus facing the discharge space has a ten-point average roughness (Rz) of 5 μm.
By setting the average inclination angle (θa) of the surface to 5 degrees or more and 45 degrees or less, film peeling in the deposition film forming apparatus can be effectively prevented, and abnormal growth of the deposition film It is possible to realize a deposited film forming apparatus and a deposited film forming method capable of effectively preventing generation of “stain”.
Particularly, when an electrophotographic photosensitive member is formed, image defects such as white spots and black spots on a copy image can be effectively suppressed, and a method for forming an amorphous silicon-based electrophotographic photosensitive member having excellent quality can be provided. realizable.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】（Ａ）は堆積膜形成装置の横断面の模式図、
（Ｂ）は堆積膜形成装置の縦断面の模式図である。FIG. 1A is a schematic diagram of a cross section of a deposited film forming apparatus,
(B) is a schematic diagram of a longitudinal section of the deposited film forming apparatus.

【図２】電子写真用感光体の層構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a layer configuration of an electrophotographic photoconductor.

【図３】１０点平均粗さ（Ｒｚ）の定義を説明するため
の図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the definition of 10-point average roughness (Rz).

【図４】平均傾斜角（θａ）が制御されていない高周波
電力導入手段を用いた場合に発生する球状突起の数を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing the number of spherical projections generated when using a high-frequency power introducing means whose average inclination angle (θa) is not controlled.

【図５】平均傾斜角（θａ）が制御されていない高周波
電力導入手段を用いた場合に発生する「しみ」の発生個
数を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the number of “stains” that occur when using high-frequency power introducing means whose average inclination angle (θa) is not controlled.

【図６】本発明における球状突起の直径を表す図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing the diameter of a spherical projection in the present invention.

【図７】平均傾斜角（θａ）の定義を説明するための図
である。FIG. 7 is a diagram for explaining a definition of an average inclination angle (θa).

【図８】実験例１における球状突起の数を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing the number of spherical protrusions in Experimental Example 1.

【図９】実験例１における「しみ」の発生個数を示す図
である。FIG. 9 is a diagram showing the number of occurrences of “stains” in Experimental Example 1.

【図１０】実験例２における球状突起の数を示す図であ
る。FIG. 10 is a diagram showing the number of spherical protrusions in Experimental Example 2.

【図１１】（Ａ）は堆積膜形成装置の横断面の模式図、
（Ｂ）は堆積膜形成装置の縦断面の模式図である。FIG. 11A is a schematic cross-sectional view of a deposited film forming apparatus,
(B) is a schematic diagram of a longitudinal section of the deposited film forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１００ 反応容器 １０１、２０１ 基体 １０２、２０２ 高周波電力導入手段 １０３、２０３ 放電空間 １０４、２０４ ヒーター １０５、２０５ 原料ガス導入手段 １０６、２０６ マッチングボックス １０７、２０７ 高周波電源 １０８、２０８ 回転軸 １０９、２０９ モーター １１０、２１０ ギヤ １１２、２１５ 排気管 １１３、２１６ ダミー １２０ 球状突起 １３０ 堆積膜 ２１１ シールド ２１２ 底板 ２１４ 蓋 １１０１ 基体 １１０２ 電荷注入阻止層 １１０３ 光導電層 １１０４ 表面層 REFERENCE SIGNS LIST 100 Reaction vessel 101, 201 Base 102, 202 High-frequency power supply means 103, 203 Discharge space 104, 204 Heater 105, 205 Source gas supply means 106, 206 Matching box 107, 207 High-frequency power supply 108, 208 Rotating shaft 109, 209 Motor 110 , 210 Gear 112, 215 Exhaust pipe 113, 216 Dummy 120 Spherical protrusion 130 Deposited film 211 Shield 212 Bottom plate 214 Cover 1101 Base 1102 Charge injection blocking layer 1103 Photoconductive layer 1104 Surface layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 31/04 31/04 Ｖ (72)発明者 細井 一人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 田澤 大介 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 白砂 寿康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 大塚 崇志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 青池 達行 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 DA00 EA24 4K030 AA06 BA30 KA46 LA17 5F045 AA08 AB04 AC01 AD06 AE17 BB15 BB17 CA16 DP25 EC05 5F051 AA05 CA15 CA16 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/205 H01L 21/205 31/04 31/04 V (72) Inventor Hitoshi Hosoi Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo 3-30-2 Canon Inc. (72) Inventor Daisuke Tazawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Toshiyasu Shirasuna 3-30 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo 2 Canon Inc. (72) Inventor Takashi Otsuka 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Tatsuyuki Aoike 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Non-corp. F term (reference) 2H068 DA00 EA24 4K030 AA06 BA30 KA46 LA17 5F045 AA08 AB04 AC01 AD06 AE17 BB15 BB17 CA16 DP25 EC05 5F051 AA05 CA15 CA16

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 減圧可能な反応容器内に設置された基体
上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であって、 前記基体以外の堆積膜が付着する部材の表面の少なくと
も一部の表面の粗さにおいて十点平均粗さＲｚが５μｍ
以上２００μｍ以下の範囲でありかつ、平均傾斜角θａ
が５度以上４５度以下の範囲にあること特徴とする堆積
膜形成装置。1. A deposition film forming apparatus for forming a deposition film on a substrate placed in a reaction vessel capable of reducing pressure, wherein the deposition film is formed on at least a part of a surface of a member to which the deposition film adheres other than the substrate. 10 point average roughness Rz is 5 μm in roughness
In the range of not less than 200 μm and the average inclination angle θa.
Is in a range of 5 degrees or more and 45 degrees or less. 【請求項２】 請求項１に記載の堆積膜形成装置におい
て、該堆積膜形成装置は、反応容器内に少なくとも基
体、原料ガスを供給する手段、電力を供給する手段とを
備え、前記電力により前記原料ガスを分解、グロー放電
を生起することにより基体上に堆積膜を形成するプラズ
マＣＶＤ装置であることを特徴とする堆積膜形成装置。2. The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein the deposited film forming apparatus includes at least a substrate, a unit for supplying a raw material gas, and a unit for supplying electric power in a reaction vessel, and the unit supplies electric power. A deposition film forming apparatus, which is a plasma CVD apparatus that forms a deposition film on a substrate by decomposing the source gas and generating glow discharge. 【請求項３】 前記部材は防着板であることを特徴とす
る請求項１または２に記載の堆積膜形成装置。3. The deposition film forming apparatus according to claim 1, wherein said member is a deposition prevention plate. 【請求項４】 前記部材の少なくとも一部はセラミック
ス材料で形成されたことを特徴とする請求項１から３の
いずれか１項に記載の堆積膜形成装置。4. The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein at least a part of said member is formed of a ceramic material. 【請求項５】 前記セラミックス材料がアルミナ、窒化
ホウ素、窒化アルミのうちの少なくとも一種類から選択
された材料であることを特徴とする請求項４に記載の堆
積膜形成装置。5. The deposited film forming apparatus according to claim 4, wherein said ceramic material is a material selected from at least one of alumina, boron nitride, and aluminum nitride. 【請求項６】 減圧可能な反応容器内に基体を設置し、
真空雰囲気中で基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方
法であって、 前記基体以外の部材の少なくとも一部を十点平均粗さＲ
ｚが５μｍ以上２００μｍ以下の範囲で、かつ平均傾斜
角θａが５度以上４５度以下の範囲になるように粗した
表面に面した空間において、前記堆積膜を形成すること
を特徴とする堆積膜形成方法。6. A substrate is placed in a reaction vessel capable of reducing pressure,
A method for forming a deposited film on a substrate in a vacuum atmosphere, wherein at least a part of the members other than the substrate has a ten-point average roughness R
forming a deposited film in a space facing a rough surface such that z is in a range of 5 μm to 200 μm and an average inclination angle θa is in a range of 5 ° to 45 °. Forming method. 【請求項７】 請求項６に記載の堆積膜形成方法におい
て、内部に少なくとも基体、原料ガスを供給する手段、
電力を供給する手段とを備えた減圧可能な反応容器を用
い、放電空間内に前記原料ガスと前記電力を供給し、グ
ロー放電を発生させる工程を有するプラズマＣＶＤ法に
よって前記堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形
成方法。7. A method for forming a deposited film according to claim 6, wherein at least a substrate and a raw material gas are supplied inside.
Forming the deposited film by a plasma CVD method including a step of supplying the raw material gas and the power in a discharge space using a reaction vessel capable of reducing pressure and a unit for supplying power to generate a glow discharge. A method for forming a deposited film. 【請求項８】 前記部材に防着板を用いることを特徴と
する請求項６または７に記載の堆積膜形成方法。8. The method according to claim 6, wherein a deposition-preventing plate is used for the member. 【請求項９】 前記部材の少なくとも一部にセラミック
ス材料で形成されたものを用いることを特徴とする請求
項６から８のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。9. The method according to claim 6, wherein at least a part of the member is formed of a ceramic material. 【請求項１０】 前記セラミックス材料がアルミナ、窒
化ホウ素、窒化アルミのうちの少なくとも一種類から選
択された材料であることを特徴とする請求項９に記載の
堆積膜形成方法。10. The method according to claim 9, wherein the ceramic material is a material selected from at least one of alumina, boron nitride, and aluminum nitride. 【請求項１１】 請求項６から１０のいずれか１項に記
載の堆積膜形成方法において、基体上にアモルファスシ
リコン堆積膜を形成するアモルファスシリコン系電子写
真感光体の形成に用いることを特徴とする堆積膜形成方
法。11. The deposited film forming method according to claim 6, wherein the method is used for forming an amorphous silicon electrophotographic photosensitive member for forming an amorphous silicon deposited film on a substrate. A method for forming a deposited film.