JP2002111153A - 回路基板 - Google Patents

回路基板

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surface wiring
conductor
bonding
thickness
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忠 村上
Yutaka Irumagawa
裕 入間川
Masanori Anura
雅徳 案浦
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、Ａｇを主成分とする表面配線導体
２に、直接Ａｕワイヤを介してボンディング接合でき、
しかも、その接合強度が安定した回路基板を提供する。 【解決手段】 基体１の表面にＡｇを主成分とする表面
配線導体２を被着形成し、表面配線導体２にICチップや
ＳＡＷ素子などの電子部品５を配置し、この電子部品５
から表面配線導体２の一部に、ＡｕのワイヤＷを用いて
ボンディング接合した回路基板である。そして、表面配
線導体２の厚みは５〜１５μｍの範囲にあり、かつその
ビッカース硬度（Ｈｖ）は１００以上である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
材料を用いて、低温、例えば８００〜１０５０℃で焼成
可能な回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、焼成温度を８００〜１０５０
℃と比較的低い温度で焼成可能な材料を用いた回路基板
が提案されている。
【０００３】回路基板は、複数の誘電体（絶縁）層から
なる多層基体の各層間に内部配線導体を有し、同時に、
多層基体の厚み方向に所定内部配線導体を接続するビア
ホール導体を有し、さらに、多層基体の表面に、ＩＣチ
ップ、ＳＡＷ素子などチップ状電子部品を搭載するため
の表面配線導体が形成されている。
【０００４】内部配線導体の導電率を高め、回路の高速
化のために、内部配線導体として、Ａｇ系の表面配線導
体が用されている。また、絶縁層としては、Ａｇ系表面
配線導体のＡｇの融点から、低温で焼成可能なガラスー
セラミック層が用いられる。
【０００５】また、表面配線導体としては、チップ状電
子部品を搭載していた（特開平７−３２６８３５号）。
【０００６】そして、必要に応じて表面配線導体に接続
するように、厚膜抵抗体膜を焼き付けたり、また、絶縁
保護膜を被覆したりして、最後に、各種電子部品を半田
により接合する。具体的には、電子部品が搭載される表
面配線導体上にクリーム状の半田を塗布し、各種電子部
品を載置する。これにより、電子部品はクリーム状の半
田によって仮保持されることになる。
【０００７】この状態で、２３０℃前後の熱処理を行う
リフロー炉に投入して、クリーム状の半田を溶融して、
徐冷・硬化して半田接合を行う。
【０００８】その後、ボンディング接合の工程を行う。
まず基体の上にボンディングワイヤ接合する電子部品を
搭載する。まず、ＩＣチップやＳＡＷ素子などの電子部
品側でＡｕワイヤの一端部分のファストボンドを行い、
続いてＡｕワイヤの途中端を表面配線導体４上に熱をあ
たえながら、超音波振動をあたえてセカンドボンディン
グしていた。即ち、Ａｕのボンディングワイヤの他端側
の先端を押しつぶしてボールを固相接合していた。
【０００９】しかし、上記パッドとなる表配線導体の膜
厚は２０μm以上であり、Ａｇを用いた場合、Ａｇの硬
度はＡｕに近似して比較的柔らかいため、Ａｕのボンデ
ィングワイヤの先端を押しつぶすことが困難であるとい
う問題点があった。尚、基板上に形成したＡg系表面配
線導体のビッカース硬度は８０程度である。
【００１０】そこで、基体にＭｏ、Ｗなどの表面配線導
体を配置し、その表面に、Ｎｉメッキ中間層、Ａｕメッ
キ表面層を形成する方法が提案されている。すなわち、
Ａｕのボンディングワイヤは、Ｎｉメッキ中間層、Ａｕ
メッキ表面層を形成することにより、Ａｕメッキ表面層
を有する表面配線導体のトータルの硬度をあげていた。
これはＮｉメッキ中間層が硬いことから、Ａｕのボンデ
ィングワイヤの先端を押しつぶすことが容易になり、強
固な結合が可能になるものである。
【００１１】ここで、表面のＡｕメッキはＡｕのボンデ
ィングワイヤとほぼ同じ硬さだが、Ａｕメッキは２〜３
μｍと薄く、またＡｕメッキの下に、Ａｕより硬いＮｉ
メッキ中間層が存在するため、キャピラリーによる接合
時に、概略Ｎｉメッキ中間層を押すことになり、Ａｕの
ボンディングワイヤの先端を押しつぶすことができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造で、ボンディング性を良好に維持するために、
Ｎｉメッキの膜厚を約１μｍ、Ａｕ膜厚を２〜３μｍ以
上にすることが必要であり、この結果、製造工程の煩雑
化を起こしてしまうことになり、実際の工程に供さない
ものであった。
【００１３】また、Ａｕメッキを用いるため、材料コス
トがかかるという問題点もあった。
【００１４】本発明は、上述の問題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、Ａｇ系表面配線導体上にＮｉ
メッキ中間層、Ａｕメッキ表面層を形成することなく、
ボンディング接合が容易で、且つ低コストの回路基板を
提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る回路基板
は、Ａｇ系表面配線導体を形成した絶縁基板上に、電子
部品を配置するとともに、前記電子部品から前記Ａｇ系
表面配線導体にＡｕワイヤによりボンディング接合して
成る回路基板であって、前記Ａｇ系表面配線導体の厚み
は５〜１５μｍの範囲にあり、かつビッカース硬度（Ｈ
ｖ）を１００以上としたことを特徴とする回路基板であ
る。
【００１６】なお、ビッカース硬度（Ｈｖ）は、回路基
板にＡｇ系表面配線導体を形成した状態で厚押し込み硬
さ試験により求める。
【作用】本発明では、前記Ａｇ系表面配線導体の厚みが
５〜１５μｍの範囲であり、ビッカース硬度（Ｈｖ）が
１００以上になり、キャピラリーによってＡｕのボンデ
ィングワイヤの先端（セカンドボンディング側端部）を
押しつぶすようにして接合することが容易になる。
【００１７】すなわち、表面のＡｇ系表面配線導体は、
Ａｕのボンディングワイヤより軟らかいものの、表面配
線導体の厚みは１５μｍ以下と薄く、また表面配線導体
の下に、Ａｕのボンディングワイヤより硬い基体（絶縁
基板）が存在するため、直接Ａｇ系表面配線導体の硬度
をあげることができ、安定したワイヤボンディングが行
え、しかも、表面配線導体の接合強度を向上させること
ができる。
【００１８】なお、表面配線導体の厚みが１５μｍを越
える場合、ビッカース硬度（Ｈｖ）が１００未満にな
り、ＡｇはＡｕのボンディングワイヤより軟らかいた
め、Ａｕのボンディングワイヤの他端側の先端を押しつ
ぶすことが困難になる。一方、厚みが５μｍ未満の場
合、表面配線導体を均一に形成することが困難になり、
印刷後にかすれが発生したり、表面配線導体厚みが小さ
いために、焼き付け後に表面配線導体表面にガラス浮き
が発生するという問題点がある。
【００１９】また、従来のように、表面配線導体とし
て、下地導体層上にＮｉなどの中間メッキ層、Ａｕ表面
メッキ層を用いる必要がない。即ち、メッキという異な
る工程を省略させることができるため、製造工程も非常
に簡素化されることになる。
【００２０】しかも、Ａｕ表面メッキ層を被着させる必
要がないため、材料コストを大幅に低減できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の回路基板を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明に係る回路基板の断
面図である。尚、実施例の基体１は、４層の誘電体（絶
縁）層が積層した多層構造となっている。
【００２２】図１において、１０は回路基板であり、１
は積層構造の絶縁基板である基体、２はＡｇ系表面配線
導体であり、３は内部配線導体、４はビアホール導体、
５はAuのボンディングワイヤWによって接続された電子
部品（ＩＣチップやＳＡＷ素子）、６は半田を介して接
続された電子部品である。
【００２３】基体１は、絶縁層１ａ〜１ｄが積層されて
成り、絶縁層１ａ〜１ｄの厚み方向には、ビアホール導
体４が形成されている。また、絶縁層１ａ〜１ｄの層間
には、内部配線層３が配置されている。同時に、基体１
の表面には、基体１と同時焼成されて形成されるＡｇ系
表面配線導体２が形成されている。
【００２４】絶縁層１ａ〜１ｄは、ガラス成分と無機物
フィラーであるセラミック成分とから構成されている。
ガラスーセラミック材料は、例えば８５０〜１０５０℃
前後の比較的低い温度で焼成可能となるため、セラミッ
ク成分としては、クリストバライト、石英、コランダム
（αアルミナ）、ムライト、コージライトなどが例示で
きる。また、ガラス成分として複数の金属酸化物を含む
ガラスフリットを焼成処理することによって、コージェ
ライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネ
ル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライ
トやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出す
るものである。この絶縁層１ａ〜１ｄの厚みは、例えば
１００〜３００μｍ程度である。
【００２５】内部配線層３、ビアホール導体４は、Ａｇ
系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）など導体膜
（表面配線導体）からなり、内部配線層３の厚みは５〜
１５μｍ程度であり、ビアホール導体４の直径は任意な
値とすることができるが、例えば直径は８０〜２５０μ
ｍである。
【００２６】また、基体１の表面には、Ａｇ系表面配線
導体２が配置されている。表面配線導体２は、基体１と
同時に焼成され、形成されている。このＡｇ系表面配線
導体２は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ
などのＡｇ合金）表面配線導体材料を含むものである。
【００２７】Ａｇ系表面配線導体２は、主に基体の表面
の回路配線を構成するとともに、ボンディングワイヤに
よって接続される電子部品５のボンディングパッドを構
成したり、半田を介して接続される電子部品６の接続パ
ッドを構成したり、また、厚膜抵抗膜、厚膜コンデンサ
素子や外部回路と接続する端子電極となる。
【００２８】本発明の特徴的なことは、電子部品５から
AｕのボンディングワイヤＷを介して、セカンドボンデ
ィングにより接合するＡｇ系表面配線導体２の厚みが、
５〜１５μｍの範囲にあり、且つビッカース硬度（Ｈ
ｖ）が１００以上である。
【００２９】このため、表面のＡｇ系表面配線導体２は
Ａｕのボンディングワイヤより軟らかいが、表面配線導
体２の厚みは１５μｍ以下と薄く、また表面配線導体２
の下に、Ａｕのボンディングワイヤより硬い基体１が存
在するため、セカンドボンディング時にキャピラリーに
よる接合時で概略基体１を押すことになり、その結果、
ボンディングワイヤＷの先端（セカンドボンディングさ
れる端部で、ボンディング中においてとワイヤＷの途
中）を押しつぶすことが容易になる。
【００３０】なお、表面配線導体の厚みが１５μｍを越
える場合、そのビッカース硬度（Ｈｖ）が１００未満に
なり、ＡｕのボンディングワイヤＷに比較して軟らかく
なるため、ＡｕのボンディングワイヤＷの先端を押しつ
ぶすことが困難になり、密着性が低下してしまう。一
方、厚みが５μｍ未満の場合、表面配線導体を均一に形
成することが困難になり、印刷後にかすれが発生した
り、表面配線導体厚みが小さいために、焼き付け後に表
面配線導体２表面にガラス浮きが発生するという問題点
がある。この表面配線導体２表面にガラス浮きができな
くなる。
【００３１】このため、基体１はＡｇより硬く、またＡ
ｇ系表面配線導体２の厚みが小さい場合、上記押し込み
硬さ試験や接合時に概略基体１を押すことから、キャピ
ラリーによってＡｕのボンディングワイヤＷの先端をＡ
ｇ系表面配線導体２に直接押しつぶすようにして接合す
ることが容易になる。
【００３２】また、従来のように、下地導体層上に、Ｎ
ｉなどの中間メッキ層、Ａｕ表面メッキ層を用いていな
い。即ち、メッキという異なる工程を省略させることが
できるため、製造工程も非常に簡素化されることにな
る。
【００３３】しかも、Ａｕ表面メッキ層を被着させる必
要がないため、材料コストを大幅に低減できる。
【００３４】上述の回路基板１０の製造方法について説
明する。
【００３５】まず、絶縁層１ａ〜１ｄとなるガラス−セ
ラミック材料から成るグリーンシートを形成する。具体
的には、セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリッ
ト、有機バインダ、有機溶剤を均質混練したスラリー
を、ドクターブレード法によって所定厚みにテープ成形
して、所定大きさに切断してシートを作成する。
【００３６】セラミック粉末は、クリストバライト、石
英、コランダム（αアルミナ）、ムライト、コージライ
トなどの絶縁セラミック材料、ＢａＴｉＯ3、Ｐｂ4Ｆｅ
2Ｎｂ2Ｏ12、ＴｉＯ2などの誘電体セラミック材料、Ｎ
ｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト（広義の意
味でセラミックという）などの磁性体セラミック材料な
どが挙げられ、その平均粒径１．０〜６．０μｍ、好ま
しくは１．５〜４．０μｍに粉砕しものを用いる。尚、
セラミック材料は２種以上混合して用いられてもよい。
特に、コランダムを用いた場合、コスト的に有利とな
る。
【００３７】低融点ガラス成分のフリットは、焼成処理
することによってコージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶や
スピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例
えば、Ｂ2Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 、ＺｎＯ、アルカ
リ土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。この
様なガラスフリットは、ガラス化範囲が広くまた屈伏点
が６００〜８００℃付近にあるため、８５０〜１０５０
℃程度の低温焼成に適し、Ａｇ系内部配線層３、Ａｇ系
表面配線導体２の導体膜との焼結挙動が近似している。
尚、このガラスフリットの平均粒径は、１．０〜６．０
μｍ、１．５〜３．５μｍである。
【００３８】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、８５０〜１０５０℃の比較的低温で焼成する
ために、セラミック材料が１０〜６０ｗｔ％、好ましく
は３０〜５０ｗｔ％であり、ガラス材料が９０〜４０ｗ
ｔ％、好ましくは７０〜５０ｗｔ％である。
【００３９】有機バインダは、固形分（セラミック粉
末、低融点ガラス成分のフリット）との濡れ性も重視す
る必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼
失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アク
リル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキ
シル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和
化合物が好ましい。
【００４０】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。例えば、有機溶剤の場合には、２，
２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイ
ソベンチートなどが用いられ、水系溶剤の場合には、水
溶性である必要があり、モノマー及びバインダには、親
水性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されてい
る。その付加量は酸価で表せば２〜３００であり、好ま
しくは５〜１００である。
【００４１】付加量が少ない場合は水への溶解性、固定
成分の粉末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が
悪くなるため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分
解性を考慮して、上述の範囲で適宜付加される。
【００４２】次に、絶縁層１ａ〜１ｄとなるグリーンシ
ートに、各層のビアホール導体４の形成位置に対応し
て、所定径の貫通孔をパンチングによって形成する。
【００４３】次に、グリーンシートの貫通孔に、ビアホ
ール導体４となる導体をＡｇ系導電性ペーストの印刷に
より充填するとともに、絶縁層１ｂ〜１ｄとなるグリー
ンシート上に、各内部配線層３となる導体膜を印刷し、
乾燥処理を行う。
【００４４】ここで、ビアホール導体４、内部配線層３
を形成するＡｇ系導電性ペーストは、Ａｇ系（Ａｇ単
体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）粉末、ホウ珪酸系低融
点ガラスフリット、エチルセルロースなどの有機バイン
ダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。
【００４５】また、絶縁層１ａとなるグリーンシート上
に、表面配線導体２となる導体膜を、Ａｇ系導電性ペー
ストを用いて印刷し、乾燥処理を行う。この時の厚み
は、６〜１７μｍ程度である。
【００４６】このＡｇ系導電性ペーストは、例えば、Ａ
ｇ粉末、Ｐｔ粉末、低融点ガラスフリット、有機バイン
ダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。尚、その
他に、Ｖ2Ｏ5粉末を各金属成分に対して０．２〜１．０
ｗｔ％添加すると、基体１との接合強度が向上して望ま
しい。尚、Ｖ2Ｏ5粉末を各金属成分に対して０．２ｗｔ
％未満では、充分なアンカー効果が得られず、また、
１．０ｗｔ％を越えると表面配線導体２の表面に析出さ
れてしまう。
【００４７】なお、Ａｇ系導電性ペーストの固形分が少
ないと、焼成時の収縮率が大きいため、焼成後の膜厚を
小さくすることができるが、焼成時の基体の反りが大き
くなる。一方、固形分が少ないと、焼成後の膜厚を１５
μｍ以下にすることが困難になる。このため、固形分の
比率が８０〜９０ｗｔ％の範囲にあることが望ましい。
【００４８】このようにビアホール導体４となる導体、
内部配線層３となる導体膜が形成された絶縁層１ｂ〜１
ｄとなるグリーンシート、表面配線導体２となる導体膜
が形成された絶縁層１ａとなるグリーンシートを、基体
１の絶縁層１ａ〜１ｄの積層順に応じて積層一体化す
る。
【００４９】次に、未焼成の積層体を、酸化性雰囲気ま
たは大気雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、脱バイン
ダ過程と焼結過程からなる。
【００５０】脱バインダ過程は、絶縁層１ａ〜１ｄとな
るグリーンシート、内部配線層３となる導体膜、ビアホ
ール導体４となる導体、表面配線導体２となる導体膜に
含まれる有機成分を焼失するためのものであり、例えば
６００℃以下の温度領域で行われる。
【００５１】また、焼結過程は、グリーンシートのガラ
ス成分を結晶化させると同時にセラミック粉末の粒界に
均一に分散させ、基体に一定強度が発生し、内部配線層
３となる導体膜、ビアホール導体４となる導体、表面配
線導体２となる導体膜の導電材料の金属粉末、Ａｇ粉末
等が粒成長させて、低抵抗化させ、絶縁層１ａ〜１ｄと
一体化させるものである。これは、ピーク温度８５０〜
１０５０℃に達するまでに行われる。
【００５２】この工程で、基体内部の内部配線層３、ビ
アホール導体４が形成され、且つ基体表面に表面配線導
体２が形成された基体１が達成されることになる。
【００５３】次に、必要に応じて、所定形状の絶縁保護
膜を形成して、各種電子部品５、６を実装・接続を行
う。例えば、電子部品６は、チップ抵抗器、積層セラミ
ックコンデンサなどであり、所定表面配線導体２に半田
を介して接続が行われる。また、電子部品５は、ＩＣチ
ップ、ＳＡＷ素子などであり、所定表面配線導体２に機
械的に接続された後、所定表面配線導体２にボンディン
グワイヤＷを介してボンディング接続される。ここで、
ボンディングワイヤＷとは、Ａｕの細線である。
【００５４】これにより、図１に示す回路基板が得られ
ることになる。
【００５５】
【実施例】本発明者は、表面配線導体２の印刷膜厚を調
節することにより、焼成後膜厚を変化させて試料１〜７
を作成した。そして、表面配線導体２の印刷後及び焼き
付け後に金属顕微鏡で観察し、それぞれ印刷後のかすれ
及び焼き付け後のガラス浮きを調べ、発生しなかった場
合を丸印、すなわち良品、発生した場合をバツ印、すな
わち不良品とした。さらに、かすれ及びガラス浮きが発
生しなかった条件については、基体１に表面配線導体２
を形成した後のビッカース硬度（Ｈｖ）及び熱エージン
グ試験後の基体１と表面配線導体２との接合強度につい
て調べた。
【００５６】
【表１】
【００５７】試料１〜６は、それぞれ焼成後膜厚が３〜
１６μmとした。また、表面配線導体２の材料はＡｇ−
Ｐｔ（Ａｇ９９ｗｔ％、Ｐｔ１％）と、この金属成分に
対して、Ｖ2Ｏ5成分が０．２ｗｔ％含有した表面配線導
体２とした。試料７は、基体１の表面配線導体２上に、
Ｎｉ中間メッキ層（１μｍ）、Ａｕ表面メッキ層（３μ
ｍ）を形成した。
【００５８】ビッカース硬度（Ｈｖ）は、対角線が１３
６°の正四角錐のダイアモンド圧子に静荷重をかけて測
定面に押し付け、このときのくぼみの表面積を荷重で除
した値を用いた。
【００５９】基体と表面配線導体２との接合強度は、表
面配線導体２に接続された各ボンディングワイヤＷを垂
直方向に引っ張り、各ボンディングワイヤＷが表面配線
導体２の一部とともに表面配線導体２から剥がれ、外れ
た際の引っ張り強度を調べた。また、熱エージング試験
の条件は、２４０℃×１ｍｉｎとした。
【００６０】その結果、焼成後膜厚が５〜１５μｍの場
合（試料番号２〜５）、ビッカース硬度が１００以上に
なり、また基体と表面配線導体２との接合強度も８．４
ｋｇｆ以上となった。
【００６１】これに対し、焼成後膜厚が３μｍの場合
（試料番号１）、印刷時のかすれ、焼成時のガラス浮き
が発生した。一方、焼成後膜厚が１６μｍの場合（試料
番号６）、ビッカース硬度（Ｈｖ）が８０となり、また
基体１と表面配線導体２との接合強度は６．８ｋｇｆと
なった。
【００６２】なお、Ｎｉメッキ中間層、Ａｕメッキ表面
層を形成した比較例（試料番号７）では、ビッカース硬
度（Ｈｖ）が１８０となり、基体と表面配線導体２との
接合強度は１０ｋｇｆとなった。すなわち、本発明の実
施例（試料番号２〜５）は、Ｎｉメッキ中間層、Ａｕメ
ッキ表面層を形成した比較例（試料番号７）と同等のビ
ッカース硬度（Ｈｖ）及び接合強度が得られることがわ
かった。
【００６３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ａｇ系表
面配線導体の厚みが５〜１５μｍの範囲にあり、かつビ
ッカース硬度（Ｈｖ）が１００以上であるため、Ａｇ系
表面配線導体の一部にＡｕのボンディングワイヤＷを用
いて固相接合しても、キャピラリーによってＡｕのボン
ディングワイヤＷの先端をＡｇに直接押しつぶすように
して接合することが容易である。
【００６４】また、従来のように、下地導体層上に、Ｎ
ｉなどの中間メッキ層、Ａｕ表面メッキ層を用いていな
い。即ち、メッキという異なる工程を省略することがで
きるため、製造工程も非常に簡素化されることになる。
【００６５】しかも、Ａｕ表面メッキ層を被着させる必
要がないため、材料コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る回路基板の断面図である。
【符号の説明】
１０ 回路基板 １ 基体 １ａ〜１ｄ 絶縁層 ２ 表面配線導体 ３ 内部配線導体 ４ ビアホール導体 ５ ボンディングワイヤによって接続され
る電子部品 ６ 半田によって接続される電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｗ Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB24 BB31 CC11 CC22 DD05 DD22 DD60 GG08 5E346 AA02 AA12 AA15 BB01 BB16 CC18 CC39 EE21 GG03 HH11 5F044 AA02 FF05

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ａｇ系表面配線導体を形成した絶縁基板
    上に、電子部品を配置するとともに、前記電子部品から
    前記Ａｇ系表面配線導体にＡｕワイヤによりボンディン
    グ接合して成る回路基板であって、 前記Ａｇ系表面配線導体の厚みは５〜１５μｍの範囲に
    あり、かつビッカース硬度（Ｈｖ）を１００以上とした
    ことを特徴とする回路基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101527669B1 (ko) * 2011-03-10 2015-06-09 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

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