JP2002107559A - 光集積回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光導波路と半導体受光素子とを高い受光効率
で光結合させつつ光集積回路基板の小型化・低背化を図
る。 【解決手段】 基板１上に配設された面受光型の半導体
受光素子２と、半導体受光素子２上に形成された、少な
くとも下部クラッド部３およびコア部４を有する光導波
路とを具備して成り、コア部４は、半導体受光素子２の
上方で略Ｖ字状に屈曲してその底部が半導体受光素子２
の受光面に当接している光集積回路基板である。コア部
４を伝搬する光を受光面に当接した底部から受光面へ直
接入力することができるため、光導波路と半導体受光素
子２との光結合の結合効率が高く、小さい受光面積で効
率的に光結合を行なうことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路と半導体
受光素子とを同一基板に集積する光集積回路基板に関
し、例えばＷＤＭ（Wavelength Division Multiplex：
波長分割多重伝送方式）用受光回路基板のように同一基
板上に複数の半導体受光素子およびその他のデバイスを
搭載するような場合に好適に利用され、光導波路と半導
体受光素子とを同一基板に集積して基板サイズの小型化
と受光効率の増加を実現できる光集積回路基板に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＷＤＭ用受光回路基板等のような
光集積回路基板における半導体受光素子と光導波路との
接続は、光導波路層の上方に半導体受光素子を実装し、
光導波路からの光は、光導波路に作り込んだミラーやグ
レーティングを通して光路変更することによって半導体
受光素子の受光部に入力させるのが一般的であった。

【０００３】この方法では、光導波路層の上部に半導体
受光素子が集積されており、基板全体のサイズが大きい
ものであった。また、半導体受光素子を実装する際の位
置合わせも赤外線を裏面から当てて画像認識を行ないア
ライメントをする必要があり、光集積回路を作製する基
板としては、赤外線を透過する基板であることが必要で
あることから基板材料の種類に対する限定もあった。さ
らに、光導波路に作り込むミラーやグレーティングの作
製プロセスも煩雑であった。

【０００４】そこで、基板サイズの小型化を図った光集
積回路基板の例が特開平３−191572号公報に提案されて
いる。その例を図４に断面図で示す。図４において、21
はＳｉ基板、22は絶縁性または導電性の接合部材、23は
受光素子チップのｎ形部、24は受光素子チップのｐ形
部、25は光導波路のコア部に相当する高屈折率層、26は
光導波路のクラッド部に相当する低屈折率層、27は発光
素子チップのｐ形部、28は発光素子のｎ形部である。受
光素子チップのｎ形部23およびｐ形部24で受光部が、発
光素子チップのｐ形部27およびｎ形部28で発光部が形成
されている。

【０００５】これによれば、受光素子チップおよび発光
素子チップがＳｉ基板21に形成されたＶ溝に平坦化材料
29により溝埋めされて埋め込まれているので、光集積回
路基板全体の高さはＳｉ基板21と光導波路のコア部25お
よびクラッド部26との高さで決まることとなり、光導波
路と半導体受光素子との集積がコンパクトに実現されて
いる。

【０００６】また、特開平７−128531号公報に提案され
た光集積回路基板の例を図５に断面図で示す。クラッド
部36中に形成された光導波路のコア部35が半導体層33と
光吸収層34とから成る半導体受光素子の上面に乗り上げ
るように屈曲し、半導体受光素子の端面とコア部35との
間を下部のクラッド部36で埋め込まれている構造を有
し、コア部35の屈曲部からの放射光を半導体受光素子の
光吸収層34に取り込むことによって、光導波路と半導体
受光素子との結合効率を高くしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
３−191572号公報に提案された光集積回路基板に関して
は、受光素子および発光素子を埋め込むためにはＶ溝の
形成が必要であり、Ｖ溝を形成できるＳｉ基板上にしか
光導波路と半導体受光素子を集積できない、という問題
点があった。

【０００８】また、図４に示す構造では、シミュレーシ
ョンで見積もると、光導波路を伝搬してきた光は10％程
度しか半導体受光素子の受光部に結合されず、受光効率
が低いという問題点もあった。

【０００９】また、特開平７−128531号公報に提案され
た光集積回路基板に関しては、光導波路と半導体受光素
子とをそれぞれ２つの平行する光導波路とみなして、光
導波路の結合の原理を用いた結合を考えているが、光導
波路のコア部35の屈曲部において光を放射させることに
よって光導波路と半導体受光素子との光結合効率を高め
ている。

【００１０】しかしながら、この例においては、光結合
の原理に従うと、光導波路と半導体受光素子の受光部と
の屈折率差が大きいため、光導波路を伝搬していた光が
半導体受光素子を伝搬するには、非常に長い結合長が必
要である。これについて、図６に光導波路と半導体受光
素子とを２つの平行した光導波路と考えた場合の結合長
（Waveguide length）に対する結合効率の例を線図で示
す。図６において、横軸は結合長Waveguide length（単
位：μｍ）、縦軸は結合係数Coupling efficientを表わ
し、黒四角の点および特性曲線は結合長に対する結合係
数の変化の様子を示している。これより分かるように、
光導波路を伝搬している光の10％を入力させる場合にお
いても、約1500μｍという非常に長い距離が必要であ
り、基板サイズの小型化が困難であるという問題点があ
った。

【００１１】本発明は上記従来技術における問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、Ｓｉ基板以外に
も各種の基板上に集積でき、また、光導波路を伝搬する
光に対する半導体受光素子の受光効率の良い光集積回路
基板を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の光集積回路基板
は、基板上に配設された面受光型の半導体受光素子と、
この半導体受光素子上に形成された、少なくとも下部ク
ラッド部およびコア部を有する光導波路とを具備して成
り、前記コア部は、前記半導体受光素子の上方で略Ｖ字
状に屈曲してその底部が前記半導体受光素子の受光面に
当接していることを特徴とするものである。

【００１３】また、本発明の光集積回路基板は、上記構
成において、前記コア部の略Ｖ字状に屈曲した前記底部
は、その上面と前記受光面との間で前記コア部を伝搬す
る光が複数回反射するように前記受光面に平行な領域を
有していることを特徴とするものである。

【００１４】また、本発明の光集積回路基板は、上記各
構成において、前記コア部の略Ｖ字状に屈曲した前記底
部は、その上面が前記コア部よりも屈折率の低い誘電体
または金属で覆われていることを特徴とするものであ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の光集積回路基板によれ
ば、基板上に例えば実装されあるいは形成されて配設さ
れた面受光型の半導体受光素子に対して、その上に光導
波路を積層するように形成していることから、半導体受
光素子と光導波路とを同一基板に効率的に集積すること
ができ、従来のように基板上に光導波路を形成した後で
半導体受光素子を実装した集積回路基板と比較して小型
化・低背化できるとともに、この光導波路上にさらに別
の光電子デバイス等を搭載実装することができるので、
特に基板上に半導体受光素子および光電子デバイスをそ
れぞれ複数個搭載するような光集積回路基板について
も、光集積回路基板の小型化を実現することができる。

【００１６】また、本発明の光集積回路基板によれば、
半導体受光素子を形成することができる基板や、半導体
受光素子を搭載実装することができる基板であれば各種
の基板を用いることができ、半導体受光素子の配設構造
に制約がないので、従来のようにＶ溝の形成が必要なＳ
ｉ基板に限らず、電気的特性の良いセラミック基板等、
信号処理の高速化および光電子デバイスの高集積化によ
り好適な基板を使用することができる。

【００１７】また、本発明の光集積回路基板によれば、
面受光型の半導体受光素子に対して、その上に少なくと
も下部クラッド部およびコア部を有する光導波路を形成
し、このコア部を半導体受光素子の上方で略Ｖ字状に屈
曲させてその底部が半導体受光素子の受光面に当接して
いるものとしたことから、従来のように２つの光導波路
の結合の理論を利用した結合と比較して、コア部を伝搬
する光を受光面に当接したコア部の底部から受光面へ直
接入力することができるため、光導波路と半導体受光素
子との光結合の結合効率が高く、小さい受光面積で効率
的に光結合を行なうことができる光集積回路基板とな
る。

【００１８】また、本発明の光集積回路基板によれば、
光導波路のコア部の略Ｖ字状に屈曲した底部が、その上
面と半導体受光素子の受光面との間で、コア部を伝搬す
る光が複数回反射するように受光面に平行な領域を有し
ている場合には、コア部の略Ｖ字状に屈曲した底部から
受光面に光が直接入力される際に、大きな屈折率差を有
するコア部の底面と半導体受光素子の受光面との界面で
反射された光がこの受光面に平行な領域の上面で反射さ
れて再び受光面へ入力されることとなり、これを複数回
繰り返すことによって、受光効率をさらに高めることが
できる光集積回路基板となる。

【００１９】さらに、本発明の光集積回路基板によれ
ば、光導波路のコア部の略Ｖ字状に屈曲した底部が、そ
の上面がコア部よりも屈折率の低い誘電体で覆われてい
るか、または金属で覆われている場合には、コア部の略
Ｖ字状に屈曲した底部から受光面に光が直接入力される
際に、大きな屈折率差を有するコア部の底面と半導体受
光素子の受光面との界面で反射された光がこの誘電体ま
たは金属で覆われた上面で確実に反射されて再び受光面
へ入力されることとなり、受光効率をさらに高めること
ができる光集積回路基板となる。そして、上記の受光面
に平行な領域を有するものと併用した場合には、コア部
の底部の上面に入射した光を確実に効率よく反射して再
び受光面に入力させることができ、受光効率をより一層
高めることができる高効率な光集積回路基板となる。

【００２０】以下、本発明の光集積回路基板について図
面を参照しつつ説明する。

【００２１】図１は、本発明の光集積回路基板の実施の
形態の一例を示す光集積回路基板の断面図である。

【００２２】本発明の光集積回路基板は、図１に示すよ
うに、基板１上に配設された面受光型の半導体受光素子
２と、この基板１上の半導体受光素子２上に形成され
た、下部クラッド部３・コア部４・上部クラッド部５か
ら成る光導波路とを具備するものである。なお、上部ク
ラッド部５は必ずしも必要なものではなく、上部クラッ
ド部５を形成せず、コア部４の上部を空気（比誘電率は
約１）としておくことによっても、光導波路による良好
な光伝送および半導体受光素子２への良好な光接続を行
なうことができる。

【００２３】図１に示す例では、半導体受光素子２上に
形成された光導波路のコア部４が、半導体受光素子２の
上方で略Ｖ字状に屈曲してその底部が半導体受光素子２
の受光面に当接している。これにより、従来の光集積回
路基板のように２つの光導波路の結合の理論を利用した
結合と比較して、光導波路を伝搬する光は、コア部４の
屈曲した部分の底部からこれが当接している半導体受光
素子２の受光面へ直接入力することとなるため、小さい
受光面積で効率的に光結合を行なうことができる。

【００２４】次に、図２に本発明の光集積回路基板の実
施の形態の他の例を図１と同様の断面図で示す。図２に
おいて図１と同様の箇所には同じ符号を付してある。こ
の例においても、光導波路の上部クラッド部５は必ずし
も必要なものではない。

【００２５】図２に示す例では、半導体受光素子２上に
形成された光導波路のコア部４が、半導体受光素子２の
上方で略Ｖ字状に屈曲してその底部が半導体受光素子２
の受光面に当接しており、この底部が、コア部４の底面
と半導体受光素子２の受光面との界面で反射された光が
コア部４を伝搬しながら底部の上面と半導体受光素子２
の受光面との間で複数回反射するように受光面に平行な
領域を有している。これにより、図中に光の伝搬の様子
を矢印で示したように、コア部４を伝搬する光が底部の
受光面に平行な領域の上面で反射されて再び受光面へ入
力され、再び受光面で反射された光がさらに上面で反射
されて受光面を入力されることとなり、これを複数回繰
り返すことができることから、受光効率をさらに高める
ことができる光集積回路基板となる。

【００２６】なお、図１および図２に示す例において、
６はいずれもコア部４の略Ｖ字状に屈曲した底部の上面
を覆う、コア部４よりも屈折率の低い誘電体または金属
を示している。この誘電体または金属６は、図示したよ
うに光導波路の略Ｖ字状に屈曲させたコア部４の上に位
置する上部クラッド部５の一部を置換し、この部分に充
填されるようにして設けてもよいし、この部分の上部ク
ラッド部５を除去して露出させたコア部４の上面を覆う
膜状のものとして被着させてもよいし、この部分の上部
クラッド部５を除去してコア部４の上面を空気中に露出
させ、低屈折率の空気をコア部４の上面を覆う誘電体６
として用いてもよい。また、上部クラッド部５の屈折率
がコア部４よりも十分低い場合には、この上部クラッド
部５をそのまま誘電体６として使用してもよい。

【００２７】このようにコア部４の略Ｖ字状に屈曲した
底部の上面をコア部４よりも屈折率の低い誘電体または
金属６で覆うことにより、コア部４の底面と半導体受光
素子２の受光面との界面で反射された光がこの誘電体ま
たは金属６で覆われたコア部４の上面で確実に反射され
て再び受光面へ入力されることとなり、受光効率をさら
に高めることができる。そして、コア部４の底部を受光
面に平行な領域を有するものとした場合には、コア部４
の底部の上面に入射した光を複数回にわたって確実に効
率よく反射して再び受光面に入力させることができ、受
光効率をより一層高めることができる高効率な光集積回
路基板とすることができる。

【００２８】本発明の光集積回路基板において、半導体
受光素子２が配設され、その上に光導波路が形成される
基板１には、光集積回路基板や光電子混在基板の光信号
を扱う基板として使用される種々の基板、例えば、シリ
コン基板やアルミナ基板・ガラスセラミックス基板・多
層セラミック基板等が使用できる。

【００２９】基板１上に配設される面受光型の半導体受
光素子２には、例えば、フォトダイオード（ＰＮフォト
ダイオード・ＰＩＮフォトダイオードあるいはアバラン
シェフォトダイオード・ＭＳＭ（Metal-Semiconductor-
Metal）フォトダイオード等）が用いられ、これらが搭
載実装されあるいは形成されて配設される。半導体受光
素子２の受光面は、基本的には基板１の上面とほぼ平行
にその素子２の上部に位置するものであるが、このよう
な位置に限定されるものではなく、半導体受光素子２の
どこに位置していてもよい。ただし、受光面の位置によ
っては、最大受光効率を得ることができる最適設計を行
ない、その最適設計に見合った光導波路を形成する必要
がある。

【００３０】基板１および半導体受光素子２上に形成さ
れる光導波路は、少なくとも下部クラッド部３とコア部
４とを有しており、好ましくはこれに上部クラッド部５
を有する３層から成る３次元導波路形状の光導波路であ
る。その形成材料としては、例えばシロキサン系ポリマ
を用いることが望ましい。シロキサン系ポリマによる光
導波路とすれば、下部および上部クラッド部３・５にシ
ロキサン系ポリマを用い、コア部４に金属、例えばチタ
ン（Ｔｉ）を含有したシロキサン系ポリマを用いた光導
波路とすることにより、チタン含有量の制御によって所
望の屈折率差を有する光導波路を容易に作製することが
でき、半導体受光素子２との受光効率が最大となる構造
のものを設計することが容易となる。

【００３１】このようなシロキサン系ポリマとしては、
ポリマの骨格にシロキサン結合が含まれている樹脂であ
ればよく、例えばポリフェニルシルセスキオキサン・ポ
リメチルフェニルシルセスキオキサン・ポリジフェニル
シルセスキオキサン等がある。

【００３２】また、コア部４およびクラッド部３・５に
含有させる金属としてはチタンに限られるものではな
く、ゲルマニウム（Ｇｅ）・アルミニウム（Ａｌ）・エ
ルビウム（Ｅｒ）等も使用できる。これらの金属を含有
したコア部４を形成するには、その金属アルコキシドを
添加したシロキサン系ポリマ層を形成し、これを所望の
形状・寸法に加工すればよい。

【００３３】なお、クラッド部３・５に用いるシロキサ
ン系ポリマにも上記と同様の金属を含有させてもよく、
その場合はコア部４との含有量の差により屈折率差を設
けるようにすればよい。

【００３４】また、光導波路の材料としてはこの他に
も、低損失で光を伝搬させることができる透明性があ
り、また所望の屈折率差を得ることができるコア部材と
クラッド部材の組み合わせであれば各種の材料を用いる
ことができ、シロキサン系ポリマ以外に、例えばフッ素
化ポリイミド・ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
・ポリカーボネート（ＰＣ）等の溶液状態で塗布可能な
光学材料が好適に用いられる。

【００３５】下部クラッド部３の厚み、つまり、基板１
からこの基板１にほぼ平行に形成されたコア部４までの
厚みは、形成材料について基板１との相互作用により放
射損失が発生しないような厚みをあらかじめ実験で調
べ、その厚み以上に形成する。

【００３６】略Ｖ字状に屈曲させ、その底部を半導体受
光素子２の受光面と当接させるコア部４は、その底部が
受光面と当接している長さを、半導体受光素子２の感度
と受光面積の大きさによって変化させ、シミュレーター
による計算等によって最大の結合効率を得るように設計
しておく。そのように設計した構造を実現するために
は、半導体受光素子２を配設した基板１上にまず下部ク
ラッド部３の材料となるシロキサン系ポリマを滴下し、
スピンコーターやバーコーター等の光学材料を基板１上
に塗布することが可能な装置を使用して下部クラッド部
３を成膜し、その後、半導体受光素子２の受光面上部の
膜をエッチングによって加工する。エッチングに使用さ
れる装置は、例えばＥＣＲ・ＲＩＥ・レーザ等を採用で
き、それぞれエッチング条件を最適化することによっ
て、設計に合わせた形状を加工することができる。そし
て、この上にコア部４を成膜し、同様にエッチングによ
って所望の形状に加工して光導波路を形成する。

【００３７】なお、略Ｖ字状に屈曲したコア部４の底部
の上面は、上部クラッド部５をそのまま形成しておく他
にも、底部の上面で確実に伝搬光を反射させることがで
きる点で、コア部４よりもさらには上部クラッド部５よ
りも屈折率の低い誘電体または金属６で覆うようにして
おくとよい。このような低屈折率の誘電体あるいは金属
６の材料としては、コア部４さらには上部クラッド部５
よりも屈折率が小さくコア部４との屈折率差が大きいも
のほどよい。例えば、前述のように空気層であってもよ
く、その他、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）・フッ化
リチウム（ＬｉＦ）等の透明誘電体や金（Ａｕ）・アル
ミニウム（Ａｌ）・銀（Ａｇ）等の金属であってもよ
い。

【００３８】以上の図１および図２に示すような本発明
の光集積回路基板は、例えば図３に斜視図で示すよう
な、基板11上に多数の半導体受光素子14が配設されると
ともにその上にそれぞれ光導波路13が形成され、さらに
多数の光増幅器15等の光電子デバイスが搭載された光集
積回路モジュール等に使用され、それにより、この光集
積回路モジュールは、光導波路13と半導体受光素子14と
を高い受光効率で光結合させつつ、そのモジュールのサ
イズの小型化を図ることができるものとなる。

【００３９】なお、図３において、12は外部との光信号
のやりとりを行なうための光ファイバであり、16は光増
幅器15を駆動するために基板11上に形成された電極部で
ある。

【００４０】

【実施例】次に、本発明の光集積回路基板について具体
例を説明する。

【００４１】［例１］まず、アルミナ基板１上に、面受
光型の半導体受光素子２を実装し、下部および上部クラ
ッド部３・５がシロキサン系ポリマ、コア部４がチタン
含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス
型光導波路を具備した、図２に示した例と同様な構成の
光集積回路基板を作製した。このときコア部４およびク
ラッド部３・５の屈折率をそれぞれ1.450および1.445と
して、コア部４の幅を６μｍ、高さを６μｍとし、下部
クラッド部３の厚み（基板１から基板１に平行に形成さ
れたコア部４までの厚み）を10μｍ、上部クラッド部５
の厚みを10μｍとした。なお、半導体受光素子２には厚
みが２μｍ、受光面積が200μｍ径のものを用いた。

【００４２】また、半導体受光素子２の上面とその上で
略Ｖ字状に屈曲させたコア部４の底部の下面とは接して
おり、このときの半導体受光素子２の受光面とそれに向
かうコア部４とがなす角度は約10度、半導体受光素子２
の受光面上におけるコア部４の底部の平行な領域の長さ
は６μｍであった。

【００４３】さらに、半導体受光素子２の上部に位置す
るコア部４の底部の上面は、上部クラッド部５を形成し
た後、これにエッチング用のマスクパターンを形成し、
ＲＩＥによるドライエッチングを施して上部クラッド部
５を除去して、空気層で覆われた状態とした。

【００４４】このようにして作製した本発明の光集積回
路基板において、光導波路と半導体受光素子２との結合
効率を測定したところ、従来技術による光集積回路基板
の約３倍である約30％の結合効率を有していることが確
認できた。

【００４５】なお、以上の実施例では基板１にアルミナ
基板を使用したが、この他に窒化アルミニウム基板やシ
リコン基板・ガラスセラミックス基板等を用いても、同
様に良好な結合効率を有していた。

【００４６】また、図１に示した例のように、コア部４
の屈曲した底部に半導体受光素子２の受光面に平行な領
域を形成せず、受光面に所定の角度を持って当接する底
部だけで半導体受光素子２の受光面への結合を行なう構
造においても、良好な結合効率を有していた。このよう
にコア部４の底部に受光面に平行な領域を設けない構造
は、特に半導体受光素子２の受光面積が小さい場合に有
効である。

【００４７】なお、以上はあくまで本発明の実施の形態
の例示であって、本発明はこれらに限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改
良を加えることは何ら差し支えない。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、本発明の光集積回路基板
によれば、基板上に配設された面受光型の半導体受光素
子に対して、その上に光導波路を積層するように形成し
ていることから、半導体受光素子と光導波路とを同一基
板に効率的に集積することができ、従来のように基板上
に光導波路を形成した後で半導体受光素子を実装した集
積回路基板と比較して小型化・低背化できるとともに、
この光導波路上にさらに別の光電子デバイス等を搭載実
装することができるので、特に基板上に半導体受光素子
および光電子デバイスをそれぞれ複数個搭載するような
光モジュールに用いることにより、その小型化を実現す
ることができる。

【００４９】また、本発明の光集積回路基板によれば、
面受光型の半導体受光素子を配設することができる基板
であれば各種の基板を用いることができ、信号処理の高
速化および光電子デバイスの高集積化により好適な基板
を使用することができる。

【００５０】また、本発明の光集積回路基板によれば、
面受光型の半導体受光素子に対して、その上に少なくと
も下部クラッド部およびコア部を有する光導波路を形成
し、このコア部を半導体受光素子の上方で略Ｖ字状に屈
曲させてその底部が半導体受光素子の受光面に当接して
いるものとしたことから、コア部を伝搬する光を受光面
に当接したコア部の底部から受光面へ直接入力すること
ができるため、光導波路と半導体受光素子との光結合の
結合効率が高く、小さい受光面積で効率的に光結合を行
なうことができる。

【００５１】また、本発明の光集積回路基板によれば、
光導波路のコア部の略Ｖ字状に屈曲した底部が、その上
面と半導体受光素子の受光面との間で、コア部を伝搬す
る光が複数回反射するように受光面に平行な領域を有し
ている場合には、コア部の底面と半導体受光素子の受光
面との界面で反射された光がこの受光面に平行な領域の
上面で反射されて再び受光面へ複数回入力されることと
なり、受光効率をさらに高めることができる。

【００５２】さらに、本発明の光集積回路基板によれ
ば、光導波路のコア部の略Ｖ字状に屈曲した底部が、そ
の上面がコア部よりも屈折率の低い誘電体または金属で
覆われている場合には、コア部の底面と半導体受光素子
の受光面との界面で反射された光がこの誘電体または金
属で覆われた上面で確実に反射されて再び受光面へ入力
されることとなり、受光効率をさらに高めることができ
る。そして、コア部の底部に半導体受光素子の受光面に
平行な領域を有するものと併用した場合には、コア部の
底部の上面に入射した光を確実に効率よく反射して再び
受光面に入力させることができ、受光効率をより一層高
めることができる高効率な光集積回路基板となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光集積回路基板の実施の形態の一例を
示す断面図である。

【図２】本発明の光集積回路基板の実施の形態の他の例
を示す断面図である。

【図３】本発明の光集積回路を使用した光集積回路モジ
ュールの例を示す斜視図である。

【図４】従来の光集積回路基板の例を示す断面図であ
る。

【図５】従来の光集積回路基板の他の例を示す断面図で
ある。

【図６】光導波路と半導体受光素子を２つの平行した導
波路と考えた場合の結合長に対する結合効率の変化を示
す線図である。

【符号の説明】

１、11・・・基板 ２、14・・・半導体受光素子 ３・・・・・光導波路の下部クラッド部 ４・・・・・光導波路のコア部 ５・・・・・光導波路の上部クラッド部 ６・・・・・コア部４より屈折率の低い誘電体または金
属

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に配設された面受光型の半導体受
   光素子と、該半導体受光素子上に形成された、少なくと
   も下部クラッド部およびコア部を有する光導波路とを具
   備して成り、前記コア部は、前記半導体受光素子の上方
   で略Ｖ字状に屈曲してその底部が前記半導体受光素子の
   受光面に当接していることを特徴とする光集積回路基
   板。
2. 【請求項２】 前記コア部の略Ｖ字状に屈曲した前記底
   部は、その上面と前記受光面との間で前記コア部を伝搬
   する光が複数回反射するように前記受光面に平行な領域
   を有していることを特徴とする請求項１記載の光集積回
   路基板。
3. 【請求項３】 前記コア部の略Ｖ字状に屈曲した前記底
   部は、その上面が前記コア部よりも屈折率の低い誘電体
   または金属で覆われていることを特徴とする請求項１ま
   たは請求項２記載の光集積回路基板。