JP2002103085A - Reduction type flux composition - Google Patents
Reduction type flux compositionInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器に
使用されるプリント基板等の半田付け技術に用いるフラ
ックス組成物およびそれを用いて得られる回路装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flux composition used for a technique for soldering a printed circuit board or the like used for electric / electronic equipment, and a circuit device obtained by using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、プリント基板に電子部品を半田付
けする際に、半田付けする部分にフラックスを適用し
て、該部分の酸化皮膜を除去して清浄にし、該部分の金
属表面や半田表面に空気遮断膜を形成して酸化を防止
し、溶融半田の表面張力を低下させ、該部分が溶融半田
で一様に覆われるようにしている。この酸化皮膜の除去
方法は大きくエッチングタイプと還元タイプの２種類に
分けられる。エッチングタイプはＪＩＳ Ｚ３１９７に
記載されるもので、ハロゲン化水素、有機酸、イオン性
３級有機アミンからなる活性成分を用いて酸化皮膜をエ
ッチングして除去するものであり、特開平７−１００６
９０号や特開平９−２５３８８４号が代表的なものであ
る。このエッチングタイプの長所は、原料が安価であ
り、量産に適している。2. Description of the Related Art Conventionally, when an electronic component is soldered to a printed circuit board, a flux is applied to a portion to be soldered to remove an oxide film on the portion and clean the portion. In order to prevent oxidation by forming an air-blocking film on the surface, the surface tension of the molten solder is reduced, and the portion is uniformly covered with the molten solder. The method of removing the oxide film is roughly classified into two types, an etching type and a reduction type. The etching type is described in JIS Z3197, in which an oxide film is removed by etching using an active component composed of hydrogen halide, an organic acid, and an ionic tertiary organic amine.
No. 90 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-253884 are typical. The advantage of this etching type is that the raw material is inexpensive and suitable for mass production.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしエッチングタイ
プの短所として、ダイオキシンの発生源となるハロゲン
を含むこと、イオン性物質を含むため製品の絶縁性が低
下すること、活性成分であるハロゲン化水素、有機酸、
イオン性３級有機アミンがプリント基板の回路となる銅
を腐食すること、これらの沸点が低く半田付け工程の前
に行う予熱で活性成分が揮発し、半田付け不良を起こし
易いことが挙げられる。このため、従来のエッチングタ
イプは半田付け後に洗浄して使用され、近年この洗浄液
の垂れ流しによる環境破壊や公害の発生が問題となって
いる。However, the disadvantages of the etching type are that it contains halogen which is a source of dioxin, that the product contains an ionic substance, and that the insulation of the product is reduced. Organic acids,
The ionic tertiary organic amine corrodes copper which is a circuit of a printed circuit board, and its boiling point is low, and active components are volatilized by preheating performed before a soldering step, so that soldering failure is likely to occur. For this reason, the conventional etching type is used after being cleaned after soldering, and in recent years, there has been a problem of environmental destruction and pollution caused by the dripping of the cleaning liquid.
【０００４】一方、還元タイプとしては、活性成分とし
て非イオン性の還元性物質を用いて酸化皮膜を還元して
除去するものが、特開平６−１５５０７７号に記載され
ている。この還元タイプのフラックス組成物の長所は、
イオン性物質を含まないため、製品の絶縁性を損なわ
ず、ダイオキシンの発生源となるハロゲンも含まず、洗
浄する必要性がない点にある。しかしながら、特開平６
−１５５０７７号に記載される還元型フラックスは、ポ
リオキシメチレンを半田付け時の熱で分解してホルムア
ルデヒドを生じさせ、この成分で酸化皮膜を還元して除
去するものであり、この熱分解して発生するホルムアル
デヒドは毒劇物取締法の劇物に指定されているほど毒性
が強いことから、実用化は非常に難しい。On the other hand, JP-A-6-155077 discloses a reduction type in which an oxide film is reduced and removed using a nonionic reducing substance as an active ingredient. The advantages of this reduced type flux composition are:
Since they do not contain ionic substances, they do not impair the insulation of the products, do not contain halogens that are sources of dioxins, and do not require cleaning. However, JP
The reduced flux described in JP-A-155077 is one in which polyoxymethylene is decomposed by heat at the time of soldering to form formaldehyde, and this component is used to reduce and remove an oxide film. The formaldehyde generated is so toxic as to be specified in the Poisonous Substances Control Law as a deleterious substance, so it is very difficult to put it into practical use.
【０００５】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、電気・電子機器に残存しても絶縁性を低下させず、
更に予熱しても活性成分が揮発しにくい無洗浄型フラッ
クス組成物を提供することを目的とする。[0005] The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and does not reduce insulation even if it remains in electric / electronic equipment.
It is still another object of the present invention to provide a non-cleaning type flux composition in which an active component hardly volatilizes even when preheated.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のフラックス組成
物は、下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で示されるビグアニド
化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする。The flux composition of the present invention is characterized by containing at least one biguanide compound represented by the following general formulas (I) to (V).
【０００７】[0007]
【化２】 Embedded image
【０００８】式（Ｉ）〜（Ｖ）中、Ｒはアルキル基、置
換アルキル基、アルコキシ基、エステル基又はピグアニ
ド基を示す。In the formulas (I) to (V), R represents an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkoxy group, an ester group or a piguanide group.
【０００９】本発明のフラックス組成物は、活性成分と
してハロゲン化水素、有機酸、イオン性３級有機アミン
の代わりに、上記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表されるビグ
アニド化合物を含有させることによって、酸化皮膜をエ
ッチングして除去するのではなく、該酸化皮膜を還元さ
せることによって除去し、半田付けを可能とするもので
ある。The flux composition of the present invention contains the biguanide compounds represented by the above general formulas (I) to (V) in place of hydrogen halide, an organic acid, and an ionic tertiary organic amine as active ingredients. Thus, the oxide film is not removed by etching, but is removed by reducing the oxide film, thereby enabling soldering.
【００１０】これにより、活性成分や除去された酸化皮
膜が不純物として残存することに起因する絶縁性の低下
を生じることなく、有効に半田付けを行うことができ
る。更に洗浄を行う必要もなく、無洗浄型フラックスが
提供できる。更に、本発明のビグアニド化合物（Ｉ）〜
（Ｖ）は、融点が１５０℃近辺のため予熱によって揮発
しにくいので、予熱による半田付け不良が生じにくく、
優れた半田付け特性を有している。[0010] Thus, the soldering can be performed effectively without lowering the insulation property due to the active component and the removed oxide film remaining as impurities. Further, there is no need for washing, and a non-washing type flux can be provided. Further, the biguanide compounds (I) to
(V) has a melting point of around 150 ° C., so it is difficult to volatilize by preheating, so that soldering failure due to preheating hardly occurs.
Has excellent soldering characteristics.
【００１１】また、本発明では、上記フラックス組成物
と半田の粉とを組み合わせて半田ペーストとして用いて
もよい。従来品は半田金属と活性成分が常温で反応し易
いため、低温保存や冷凍保存する必要があるが、本発明
のフラックス組成物を半田ペーストとして用いることに
より、優れた保存安定性が得られる。In the present invention, the above-mentioned flux composition and solder powder may be combined and used as a solder paste. In the conventional product, the solder metal and the active component easily react at room temperature, so that it is necessary to store the product at a low temperature or frozen. However, by using the flux composition of the present invention as a solder paste, excellent storage stability can be obtained.
【００１２】本発明は、更に半田付けに上記フラックス
組成物を用いた回路装置に関する。すなわち、半田付け
のフラックスとして上記フラックス組成物又は半田ペー
ストを用いて得られた、半田による接合部分を有する回
路装置は、優れた絶縁特性を有する。The present invention further relates to a circuit device using the above flux composition for soldering. That is, a circuit device having a solder joint obtained by using the above-mentioned flux composition or solder paste as a soldering flux has excellent insulating properties.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下本発明を更に詳細に説明す
る。上記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表されるビグアニド化
合物において、Ｒが示すアルキル基としては、メチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル等が挙げ
られる。置換アルキル基としては、メトキシメチル、ベ
ンジル等が挙げられる。エステル基としては、メチルエ
ステル、エチルエステル、ｎ−プロピルエステル、イソ
プロピルエステル、ブチルエステル等が挙げられる。ア
ルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポ
キシ、イソプロポキシ等が挙げられる。ビグアニド基と
しては、ビグアニドが挙げられる。このうちアルキル基
とアルコキシ基が溶剤への溶解性が優れており、特に好
ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail. In the biguanide compounds represented by the above general formulas (I) to (V), the alkyl group represented by R is methyl,
Ethyl, n-propyl, isopropyl, butyl and the like can be mentioned. Examples of the substituted alkyl group include methoxymethyl, benzyl and the like. Examples of the ester group include methyl ester, ethyl ester, n-propyl ester, isopropyl ester, and butyl ester. Examples of the alkoxy group include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy and the like. The biguanide group includes biguanide. Among them, the alkyl group and the alkoxy group are particularly preferable because of their excellent solubility in a solvent.
【００１４】本発明に用いられる式（Ｉ）〜（Ｖ）のビ
グアニド化合物の具体例としては、以下の化合物が挙げ
られるが、本発明はこれらに限定されるものではない。Specific examples of the biguanide compounds of the formulas (I) to (V) used in the present invention include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.
【００１５】[0015]
【化３】 Embedded image
【００１６】[0016]
【化４】 Embedded image
【００１７】一般式（Ｉ）で表されるビグアニド化合物
は、下記反応式で示すとおり、芳香族１級アミンとジシ
アンジアミドとを反応させることにより得ることができ
る。The biguanide compound represented by the general formula (I) can be obtained by reacting an aromatic primary amine with dicyandiamide as shown in the following reaction formula.
【００１８】[0018]
【化５】 Embedded image
【００１９】また、一般式（II）〜（Ｖ）で表される化
合物も、同様に、複素環状一級アミンとジシアンジアミ
ドとを反応させることにより得ることができる。The compounds represented by formulas (II) to (V) can also be obtained by reacting a heterocyclic primary amine with dicyandiamide.
【００２０】式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される化合物はフラ
ックス組成物中０．１ｗｔ％〜５０ｗｔ％、特に２ｗｔ
％〜１０ｗｔ％含有されることが好ましい。The compounds represented by the formulas (I) to (V) are contained in the flux composition in an amount of 0.1 wt% to 50 wt%, particularly 2 wt%.
% To 10% by weight.
【００２１】また本発明のフラックス組成物は、ビグア
ニド化合物以外にアミン化合物を含有することが好まし
い。これにより、ビグアニド化合物の結晶化を有効に抑
え、より均一な膜を形成することができる。アミン化合
物としては、メルカプトベンゾチアゾール、イミダゾー
ル、ピラゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾ
ール、ジシアンジアミド、ジフェニルグアニジン、ジト
リルグアニジン、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４トリア
ゾール、４−アミノー４Ｈ−１，２，４トリアゾールま
たはこれらのアルキル基置換体を挙げることができる。
上記アミン化合物は、単独で用いても良いし、二種以上
を組み合わせて用いても良く、一般式（Ｉ）〜（Ｖ）の
ビグアニド化合物の１〜１００ｗｔ％、特に５〜２０ｗ
ｔ％添加することが好ましい。The flux composition of the present invention preferably contains an amine compound in addition to the biguanide compound. Thereby, the crystallization of the biguanide compound can be effectively suppressed, and a more uniform film can be formed. Examples of the amine compound include mercaptobenzothiazole, imidazole, pyrazole, benzotriazole, benzimidazole, dicyandiamide, diphenylguanidine, ditolylguanidine, 3-amino-1H-1,2,4 triazole, and 4-amino-4H-1,2,2. Examples thereof include 4-triazole and their alkyl group-substituted products.
The above-mentioned amine compounds may be used alone or in combination of two or more, and 1 to 100 wt%, particularly 5 to 20 w% of the biguanide compounds of the general formulas (I) to (V).
It is preferable to add t%.
【００２２】また、本発明のフラックス組成物は、アル
カリ可溶性樹脂やワックスを含有していてもよい。アル
カリ可溶性樹脂やワックスは、プリント基板の半田付け
を行う全面に塗布して使用する場合、半田付け部分以外
の部分すなわちソルダーレジスト部分に半田を付かない
ようにし、基板の濡れを良くする効果がある。[0022] The flux composition of the present invention may contain an alkali-soluble resin or wax. When the alkali-soluble resin or wax is applied to the entire surface of the printed circuit board to be soldered and used, there is an effect of preventing solder from being attached to a part other than the soldered part, that is, a solder resist part, and improving a wettability of the board. .
【００２３】本発明に使用されるアルカリ可溶性樹脂と
しては、ロジン系樹脂、フェノール樹脂、スチレンマレ
イン酸樹脂、特開平７−３３１２１６号記載の変性エポ
キシ樹脂（エポキシ樹脂に有機酸を反応させ、続いて酸
無水物を反応させた樹脂）等が挙げられる。ロジン系樹
脂として、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジンと
その誘導体として熱処理された不均化ロジン、重合ロジ
ン、水素添加ロジン、ロジンエステル、ロジン変性フェ
ノール樹脂、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性ア
ルキド樹脂が挙げられるが、特に不均化ロジンが好まし
い。フェノール樹脂としては、フェノール樹脂、クレゾ
ール樹脂やそれらの変性樹脂が挙げられる。また、スチ
レンマレイン酸樹脂としては、スチレン無水マレイン酸
樹脂、そのハーフエステル、そのハーフアミド等が挙げ
られる。アルカリ可溶性樹脂は、フラックス組成物中に
３ｗｔ％〜７０ｗｔ％、特に１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％含
有されることが好ましい。The alkali-soluble resin used in the present invention includes rosin-based resins, phenolic resins, styrene-maleic acid resins, and modified epoxy resins described in JP-A-7-331216 (the epoxy resin is reacted with an organic acid, Acid anhydride). Examples of the rosin-based resin include gum rosin, tall rosin, wood rosin and heat-treated disproportionated rosin, polymerized rosin, hydrogenated rosin, rosin ester, rosin-modified phenolic resin, rosin-modified maleic resin, and rosin-modified alkyd resin. However, disproportionated rosin is particularly preferred. Examples of the phenol resin include a phenol resin, a cresol resin, and modified resins thereof. Examples of the styrene maleic acid resin include a styrene maleic anhydride resin, a half ester thereof, a half amide thereof, and the like. The alkali-soluble resin is preferably contained in the flux composition at 3 wt% to 70 wt%, particularly preferably at 10 wt% to 30 wt%.
【００２４】また、本発明のフラックス組成物は、ワッ
クスを含有していてもよい。ワックスは、プリント基板
の半田付け後のフラックス残さにおけるクラック発生を
抑制する効果がある。本発明に使用されるワックスとし
て、キャンデリラワックス、カルナバワックス、ライス
ワックス、木ロウ、蜜蝋、鯨ロウ、モンタンワックス、
オゾケライトセシレン、パラフィンワックス、マイクロ
クリスタリンワックス、ペトロラタム、フィッシャー・
トロプシュワックス、ポリエチレンワックス、およびそ
の誘導体や１，２−ヒドロキシステアリン酸、ステアリ
ン酸アミド、無水フタル酸イミド等が挙げられる。本発
明に使用されるワックスは、フラックス組成物中０．１
ｗｔ％〜１０ｗｔ％、特に１ｗｔ％〜５ｗｔ％が好まし
い。Further, the flux composition of the present invention may contain a wax. Wax has an effect of suppressing the occurrence of cracks in the flux residue after soldering the printed circuit board. As the wax used in the present invention, candelilla wax, carnauba wax, rice wax, wood wax, beeswax, whale wax, montan wax,
Ozokerite cecilene, paraffin wax, microcrystalline wax, petrolatum, fisher
Examples include Tropsch wax, polyethylene wax, and derivatives thereof, 1,2-hydroxystearic acid, stearic acid amide, phthalic anhydride, and the like. The wax used in the present invention contains 0.1% in the flux composition.
It is preferably from 10% by weight to 10% by weight, particularly preferably from 1% by weight to 5% by weight.
【００２５】本発明のフラックス組成物に使用される有
機溶剤としては、トルエン、キシレン、ミネラルスプリ
ットなどの炭化水素系溶剤、イソプロピルアルコール、
ｎ−ブタノール、ベンジルアルコールテレピネオールな
どのアルコール系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、など
のエステル系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン、イソホロンなどのケト
ン系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートな
どのグリコール系溶剤、エチルセロソルブ、ブチルセロ
ソルブなどのセロソルブ系溶剤が挙げられる。The organic solvent used in the flux composition of the present invention includes hydrocarbon solvents such as toluene, xylene and mineral split, isopropyl alcohol,
n-butanol, alcohol solvents such as benzyl alcohol terpineol, ester solvents such as ethyl acetate and butyl acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, ketone solvents such as isophorone, propylene glycol monomethyl ether,
Examples include glycol solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate, and cellosolve solvents such as ethyl cellosolve and butyl cellosolve.
【００２６】本発明に使用される成分は上記以外に、通
常の塗布性改良剤、消泡剤、レベリング剤、着色剤の如
き、本分野で通常用いられる添加剤を使用することがで
きる。As the components used in the present invention, in addition to the above, there can be used additives usually used in this field, such as ordinary coatability improvers, defoamers, leveling agents and coloring agents.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。 合成例１ ジシアンジアミド８４ｇ（１モル）、ｐ−アミノ安息香
酸エチル１６５ｇ（１モル）及び溶剤として水２００ｇ
をフラスコに入れ、触媒として３５％塩酸１０５ｇを加
え、１００℃で１０時間反応させた。その後、１０％水
酸化ナトリウム水溶液４００ｇで中和した。中和後、室
温まで冷却し、析出物を濾取、乾燥し、再結晶を行い、
融点とＮＭＲを測定した。融点は１５３．５℃で、ＮＭ
Ｒ等の測定結果は以下のようであった。この結果より、
ｐ−ビグアニジノ安息香酸エチル（Ｉ−１）の合成が確
認できた。EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited to these examples. Synthesis Example 1 84 g (1 mol) of dicyandiamide, 165 g (1 mol) of ethyl p-aminobenzoate, and 200 g of water as a solvent
Was put in a flask, 105 g of 35% hydrochloric acid was added as a catalyst, and the mixture was reacted at 100 ° C. for 10 hours. Thereafter, the mixture was neutralized with 400 g of a 10% aqueous sodium hydroxide solution. After neutralization, the mixture was cooled to room temperature, and the precipitate was collected by filtration, dried, and recrystallized.
The melting point and NMR were measured. Melting point 153.5 ° C, NM
The measurement results of R and the like were as follows. From this result,
Synthesis of ethyl p-biguanidinobenzoate (I-1) was confirmed.
【００２８】1H NMR (DMSO-d6, 270 MHz) δ1.30(t, J
= 7.0 Hz, 3H), 4.27(q, J = 7.3 Hz,2H), 7.30(d, J =
8.6 Hz, 2H), 6.8 〜 7.8(bs, 3H), 7.84(d, J = 8.9
Hz, 2H).13 C NMR (DMSO-d6, 68.7 MHz) δ14.3, 60.3, 120.6, 1
22.8, 130.2, 148.4, 155.7, 160.9, 165.6. IR (KBr)分析 3509, 3384, 3314, 3216, 3162, 1709, 1
694, 1640, 1617, 1580,1530, 1512, 1428, 1397, 136
6, 1306, 1291, 1262, 1181, 1165, 1138, 1113,1022,
920, 882, 853, 770, 754, 700, 513 cm-1. 熱重量分析：88.0℃、208.4℃、326.4℃ 1 H NMR (DMSO-d 6 , 270 MHz) δ 1.30 (t, J
= 7.0 Hz, 3H), 4.27 (q, J = 7.3 Hz, 2H), 7.30 (d, J =
8.6 Hz, 2H), 6.8 to 7.8 (bs, 3H), 7.84 (d, J = 8.9
Hz, 2H). 13 C NMR (DMSO-d 6, 68.7 MHz) δ14.3, 60.3, 120.6, 1
22.8, 130.2, 148.4, 155.7, 160.9, 165.6.IR (KBr) analysis 3509, 3384, 3314, 3216, 3162, 1709, 1
694, 1640, 1617, 1580,1530, 1512, 1428, 1397, 136
6, 1306, 1291, 1262, 1181, 1165, 1138, 1113,1022,
920, 882, 853, 770, 754, 700, 513 cm -1 . Thermogravimetric analysis: 88.0 ° C, 208.4 ° C, 326.4 ° C
【００２９】合成例２ ジシアンジアミド８４ｇ（１モル）とｐ−ベンジルアニ
リン１８３ｇ（１モル）を合成例１と同様に反応させ
た。その後、冷却し沈降した生成物を濾過・乾燥し、再
結晶を行い、融点とＮＭＲを測定した。融点は、１６
０．６℃で、ＮＭＲ等の測定結果は以下のようであっ
た。この結果より、p−ベンジル−フェニルビグアニド
（Ｉ−２）の合成が確認できた。Synthesis Example 2 84 g (1 mol) of dicyandiamide and 183 g (1 mol) of p-benzylaniline were reacted in the same manner as in Synthesis Example 1. Thereafter, the cooled and precipitated product was filtered and dried, recrystallized, and the melting point and NMR were measured. Melting point is 16
At 0.6 ° C., the measurement results of NMR and the like were as follows. From these results, synthesis of p-benzyl-phenylbiguanide (I-2) was confirmed.
【００３０】1Ｈ−ＮＭＲ(DMSO-ｄ6、270 MHz) δ3.84
(s, 2H), 4.85(bs., 1H), 6.73(d, J= 8.4 Hz, 2H), 7.
05(d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.14 〜7.30(m, 5H), 6.0〜8.
0(broad, 2H).13 Ｃ−ＮＭＲ(DMSO-ｄ6、68.7 MHz) δ40.7, 122.8, 1
25.8, 128.4, 128.7, 129.3, 133.3, 141.9, 148.4, 15
7.9, 159.5. IR (KBr)分析 3509, 3426, 3403, 3328, 3021, 1671, 1
605, 1566, 1534, 1505,1451, 1429, 1414, 1377, 125
0, 1177, 1103, 1073, 1030, 926, 887, 872, 851, 77
7, 725, 696, 600, 523, 459 cm-1. 熱重量分析：190.6℃ 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 270 MHz) δ 3.84
(s, 2H), 4.85 (bs., 1H), 6.73 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.
05 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.14 to 7.30 (m, 5H), 6.0 to 8.
0 (broad, 2H). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 68.7 MHz) δ40.7, 122.8, 1
25.8, 128.4, 128.7, 129.3, 133.3, 141.9, 148.4, 15
7.9, 159.5.IR (KBr) analysis 3509, 3426, 3403, 3328, 3021, 1671, 1
605, 1566, 1534, 1505,1451, 1429, 1414, 1377, 125
0, 1177, 1103, 1073, 1030, 926, 887, 872, 851, 77
7, 725, 696, 600, 523, 459 cm -1 . Thermogravimetric analysis: 190.6 ° C
【００３１】合成例３ ジシアンジアミド８４ｇ（１モル）とｐ−エトキシアニ
リン１０８ｇ（１モル）を合成例１と同様に反応させ
た。その後、冷却し沈降した生成物を濾過・乾燥し、再
結晶を行い、融点とＮＭＲを測定した。融点は、１６
０．２℃で、ＮＭＲ等の測定結果は以下のようであっ
た。この結果より、ｐ−エトキシフェニルビグアニド
（Ｉ−３）の合成が確認できた。Synthesis Example 3 84 g (1 mol) of dicyandiamide and 108 g (1 mol) of p-ethoxyaniline were reacted in the same manner as in Synthesis Example 1. Thereafter, the cooled and precipitated product was filtered and dried, recrystallized, and the melting point and NMR were measured. Melting point is 16
At 0.2 ° C., the measurement results such as NMR were as follows. From these results, synthesis of p-ethoxyphenyl biguanide (I-3) was confirmed.
【００３２】1Ｈ−ＮＭＲ(DMSO-d6, 270 MHz) δ1.29
(t, J = 6.9 Hz, 3H), 3.97(q, J = 7.0Hz, 2H), 4.75
(bs., 2H), 6.72(d, J = 8.9 Hz, 2H), 6.72(d, J = 8.
8 Hz, 2H), 7.78 (d, J = 8.8 Hz, 2H).13 Ｃ−ＮＭＲ(DMSO-d6, 68.7 MHz) δ14.9, 63.1, 115.
0, 123.6, 143.6, 153.1, 158.3, 159.5. IR (KBr)分析 3478, 3432, 3376, 3249, 2980, 1869, 1
680, 1607, 1578, 1555,1505, 1374, 1445, 1385, 130
6, 1273, 1235, 1175, 1117, 1051, 1009, 918,868, 81
6, 791, 750, 735, 718, 590, 561, 532, 465, 426 cm
-1. 熱重量分析：195.5℃、326.7℃ 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 270 MHz) δ 1.29
(t, J = 6.9 Hz, 3H), 3.97 (q, J = 7.0Hz, 2H), 4.75
(bs., 2H), 6.72 (d, J = 8.9 Hz, 2H), 6.72 (d, J = 8.
8 Hz, 2H), 7.78 ( d, J = 8.8 Hz, 2H). 13 C-NMR (DMSO-d 6, 68.7 MHz) δ14.9, 63.1, 115.
0, 123.6, 143.6, 153.1, 158.3, 159.5.IR (KBr) analysis 3478, 3432, 3376, 3249, 2980, 1869, 1
680, 1607, 1578, 1555,1505, 1374, 1445, 1385, 130
6, 1273, 1235, 1175, 1117, 1051, 1009, 918,868, 81
6, 791, 750, 735, 718, 590, 561, 532, 465, 426 cm
-1 . Thermogravimetric analysis: 195.5 ℃, 326.7 ℃
【００３３】合成例４ ジシアンジアミド８４ｇ（１モル）とｍ−フェニレンジ
アミン５４ｇ（０．５モル）を合成例１と同様に反応さ
せた。その後、冷却し、沈降した生成物を濾過・乾燥
し、再結晶を行い、融点とＮＭＲを測定した。融点は、
２００℃〜２６０℃で、ＮＭＲ等の測定結果は以下のよ
うであった。この結果より、ｍ−ジビグアニジノベンゼ
ン（Ｉ−４）の合成が確認できた。Synthesis Example 4 84 g (1 mol) of dicyandiamide and 54 g (0.5 mol) of m-phenylenediamine were reacted in the same manner as in Synthesis Example 1. After cooling, the precipitated product was filtered and dried, recrystallized, and the melting point and NMR were measured. The melting point is
At 200 ° C. to 260 ° C., the measurement results such as NMR were as follows. From these results, synthesis of m-dibiguanidinobenzene (I-4) was confirmed.
【００３４】1Ｈ−ＮＭＲ(DMSO-d6, 270 MHz) δ7.10〜
7.34(m, 15H), 9.84(bs., 1H).13 Ｃ−ＮＭＲ(DMSO-d6, 68.7 MHz) δ113.4, 116.1, 12
8.8, 139.2, 155.2, 161.1. IR (KBr)分析 3305, 3150, 4667, 1632, 1547, 11455,
1397, 1285, 1196, 1163, 1061, 918, 783, 737.cm-1. 熱重量分析：65.2℃、304.1℃ 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 270 MHz) δ7.10 ~
7.34 (m, 15H), 9.84 (bs., 1H). 13 C-NMR (DMSO-d 6, 68.7 MHz) δ113.4, 116.1, 12
8.8, 139.2, 155.2, 161.1.IR (KBr) analysis 3305, 3150, 4667, 1632, 1547, 11455,
1397, 1285, 1196, 1163, 1061, 918, 783, 737.cm -1 . Thermogravimetric analysis: 65.2 ° C, 304.1 ° C
【００３５】合成例５ ジシアンジアミド８４ｇ（１モル）とｐ−ｎ−ブチルア
ニリン１３５ｇ（１モル）を合成例１と同様に反応させ
た。その後、冷却し沈降した生成物を濾過・乾燥し、再
結晶を行い、融点とＮＭＲを測定した。融点は、１４
８．２℃で、ＮＭＲ等の測定結果は以下のようであっ
た。この結果より、ｐ−ビチルフェニルビグアニド（Ｉ
−５）の合成が確認できた。Synthesis Example 5 84 g (1 mol) of dicyandiamide and 135 g (1 mol) of pn-butylaniline were reacted in the same manner as in Synthesis Example 1. Thereafter, the cooled and precipitated product was filtered and dried, recrystallized, and the melting point and NMR were measured. Melting point is 14
At 8.2 ° C., the measurement results such as NMR were as follows. From these results, p-bitylphenyl biguanide (I
The synthesis of -5) was confirmed.
【００３６】1Ｈ−ＮＭＲ(DMSO-d6, 270 MHz) δ0.89
(t, J = 7.3 Hz, 3H), 1.30(qt, J = 7.3 Hz, 2H), 1.5
2(tt, J = 7.3 Hz, 2H), 2.50(t, J = 7.3 Hz, 2H), 4.
84(bs,1H), 6.0 〜 8.0(bs, 2H), 6.72(d, J = 8.4 Hz,
2H), 7.02(d, J = 7.8 Hz, 2H).13Ｃ−ＮＭＲ(DMSO-
d6, 68.7 MHz) δ13.8, 21.8, 33.4, 34.3, 122.6, 12
8.7,134.4, 147.7, 157.8, 159.5. IR (KBr)分析 3399, 3337, 3169, 2957, 2928, 2872, 2
857, 1671, 1607, 1582,1557, 1507, 1466, 1387, 136
0, 1258, 1175, 1113, 1038, 928, 860, 556, 401 c
m-1. 熱重量分析：190.2℃、311.1℃ 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 270 MHz) δ 0.89
(t, J = 7.3 Hz, 3H), 1.30 (qt, J = 7.3 Hz, 2H), 1.5
2 (tt, J = 7.3 Hz, 2H), 2.50 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 4.
84 (bs, 1H), 6.0-8.0 (bs, 2H), 6.72 (d, J = 8.4 Hz,
2H), 7.02 (d, J = 7.8 Hz, 2H). 13 C-NMR (DMSO-
d 6 , 68.7 MHz) δ13.8, 21.8, 33.4, 34.3, 122.6, 12
8.7,134.4, 147.7, 157.8, 159.5.IR (KBr) analysis 3399, 3337, 3169, 2957, 2928, 2872, 2
857, 1671, 1607, 1582, 1557, 1507, 1466, 1387, 136
0, 1258, 1175, 1113, 1038, 928, 860, 556, 401 c
m -1 . Thermogravimetric analysis: 190.2 ° C, 311.1 ° C
【００３７】実施例１〜６ 下記表１〜表３に示す組成で、各フラックス組成物を調
製した。Examples 1 to 6 Flux compositions having the compositions shown in Tables 1 to 3 below were prepared.
【００３８】[0038]
【表１】 [Table 1]
【００３９】[0039]
【表２】 [Table 2]
【００４０】[0040]
【表３】 [Table 3]
【００４１】なお、比較例１としてＮＳ−３３４（固形
分４．７％）、比較例２としてＳＲ−１２（固形分１２
％）、比較例３としてＲＣ−１５ＳＨ（固形分１５％）
を用いた（いずれも商品名）。In Comparative Example 1, NS-334 (solid content: 4.7%) was used. In Comparative Example 2, SR-12 (solid content: 12%) was used.
%), RC-15SH (solid content 15%) as Comparative Example 3
(Both are trade names).
【００４２】〔半田濡れ性試験〕被接合材料としてりん
脱酸銅板（ＪＩＳ Ｃ１１００Ｐ サイズ；０．２５ｍ
ｍｔ×１０ｍｍ×３０ｍｍ）をＪＩＳ Ｚ３１９７に準
じて１５０℃で２０分間加熱して酸化皮膜処理を行っ
た。次に未処理銅板に各フラックスを付け、タムラ製作
所製ソルダーグラフにて濡れ時間を測定した。この時の
使用条件は下記表４に示す。同様に酸化皮膜処理銅板に
各フラックスを付け、濡れ時間を測定した。[Solder wettability test] Phosphorus-deoxidized copper plate (JIS C1100P size; 0.25 m) as a material to be joined
(mt × 10 mm × 30 mm) was heated at 150 ° C. for 20 minutes according to JIS Z3197 to perform an oxide film treatment. Next, each flux was applied to an untreated copper plate, and the wetting time was measured using a solder graph manufactured by Tamura Seisakusho. The operating conditions at this time are shown in Table 4 below. Similarly, each flux was applied to the copper plate treated with an oxide film, and the wetting time was measured.
【００４３】[0043]
【表４】 [Table 4]
【００４４】〔絶縁性試験〕図１に示すような構成と表
５に示す概要の櫛形銅電極に、太陽インキ製造製フォト
ソルダーレジストインキ ＰＳＲ−４０００ Ｚ２６を
形成させた。なお、表５に本実施例で使用した評価用基
板の概要を、表６にフォトソルダーレジストの作成条件
を示す。この評価用基板の絶縁抵抗値をアドバンテスト
製超絶縁抵抗計で測定し、５００Ｖを印加１分後の数値
を測定値とする。ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準じてこの評
価用基板にフラックスを刷毛で塗布し、２６０℃の半田
槽に浸漬し半田付けを行い、同様に絶縁抵抗値を測定す
る。[Insulation Test] A photo solder resist ink PSR-4000 Z26 manufactured by Taiyo Ink was formed on a comb-shaped copper electrode having the structure shown in FIG. 1 and the outline shown in Table 5. Table 5 shows an outline of the evaluation substrate used in this example, and Table 6 shows conditions for forming a photo solder resist. The insulation resistance value of this evaluation board is measured with a super insulation resistance meter manufactured by Advantest, and the value after one minute of application of 500 V is taken as the measured value. A flux is applied to this evaluation substrate with a brush according to IPC-TM-650, immersed in a solder bath at 260 ° C., soldered, and the insulation resistance value is measured in the same manner.
【００４５】[0045]
【表５】 [Table 5]
【００４６】[0046]
【表６】 [Table 6]
【００４７】これらの結果を表７〜表９に示す。Tables 7 to 9 show the results.
【００４８】[0048]
【表７】 [Table 7]
【００４９】[0049]
【表８】 [Table 8]
【００５０】[0050]
【表９】 [Table 9]
【００５１】上記の結果から、本発明のフラックス組成
物は、イオン性の活性成分を含有しなくても良好なフラ
ックス適性を有することが判明した。From the above results, it was found that the flux composition of the present invention had good flux suitability without containing an ionic active ingredient.
【００５２】[0052]
【発明の効果】本発明の還元型フラックス組成物は、特
定の非イオン性アミン化合物を活性成分に採用している
ので、プリント基板の回路である金属銅を腐食するイオ
ン性活性成分を含まないことにより腐食性残さも残らな
いため、半田付けの信頼性が向上するとともに洗浄工程
が要らなくなる利点があり、非常に画期的である。Since the reduced flux composition of the present invention employs a specific nonionic amine compound as an active component, it does not contain an ionic active component which corrodes metallic copper which is a circuit of a printed circuit board. As a result, since no corrosive residue remains, there is an advantage that the reliability of soldering is improved and a cleaning step is not required, which is very innovative.
【図１】実施例における絶縁性試験に用いた櫛形銅電極
を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram showing a comb-shaped copper electrode used for an insulation test in an example.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０３ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０３Ｚ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08L 101/00 C08L 101/00 H05K 3/34 503 H05K 3/34 503Z
Claims (6)
アニド化合物の少なくとも１種を含有することを特徴と
する還元型フラックス組成物。 【化１】 式（Ｉ）〜（Ｖ）中、Ｒはアルキル基、置換アルキル
基、アルコキシ基、エステル基またはビグアニド基を示
す。1. A reduced flux composition comprising at least one of biguanide compounds represented by the following general formulas (I) to (V). Embedded image In the formulas (I) to (V), R represents an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkoxy group, an ester group or a biguanide group.
する請求項１記載の還元型フラックス組成物。2. The reduced flux composition according to claim 1, further comprising an amine compound.
ゾール、イミダゾール、ピラゾール、ベンゾトリアゾー
ル、ベンゾイミダゾール、ジシアンジアミド、ジフェニ
ルグアニジン、ジトリルグアニジン、３−アミノ−１Ｈ
−１，２，４トリアゾール、４−アミノー４Ｈ−１，
２，４トリアゾールおよびこれらのアルキル基置換体か
ら選択される少なくとも１種である請求項２記載の還元
型フラックス組成物。3. The method according to claim 1, wherein the amine compound is mercaptobenzothiazole, imidazole, pyrazole, benzotriazole, benzimidazole, dicyandiamide, diphenylguanidine, ditolylguanidine, 3-amino-1H.
-1,2,4 triazole, 4-amino-4H-1,
The reduced flux composition according to claim 2, wherein the flux composition is at least one selected from 2,4 triazole and a substituted product of these alkyl groups.
含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の還元型フラックス組成物。4. The reduced flux composition according to claim 1, further comprising an alkali-soluble resin or wax.
ラックス組成物と半田の粉とを組み合わせた半田ペース
ト。5. A solder paste obtained by combining the reduced flux composition according to claim 1 with a solder powder.
って、半田付けのフラックスとして、請求項１〜４のい
ずれかに記載の還元型フラックス組成物又は請求項５に
記載の半田ペーストを用いることを特徴とする回路装
置。6. A circuit device having a solder joint, wherein the reduced flux composition according to any one of claims 1 to 4 or the solder paste according to claim 5 is used as a soldering flux. A circuit device characterized by the above-mentioned.
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
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-
2000
- 2000-10-03 JP JP2000303842A patent/JP2002103085A/en not_active Withdrawn
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