JP2002094072A - 電気光学装置用素子基板及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、ならびに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＦＴの上方に導電膜が存在していてもシリ
コン膜の水素化処理を支障なく行え、ＴＦＴの特性改善
を図れる電気光学装置用基板を提供する。 【解決手段】 本発明の電気光学装置用基板は、ＴＦＴ
３０の上方に、画素電極９ａに接続された容量電極３０
２と、誘電体膜３０１を介して容量電極３０２と対向配
置され固定電位とされた容量線３００とを有してなる蓄
積容量７０-1が積層されている。そして、蓄積容量７０
-1を構成する２層の電極のうち、容量線３００に開口部
３００ａが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置用素
子基板及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方
法ならびに電子機器に関し、特に、多結晶シリコンによ
る薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、適
宜ＴＦＴと略記する）をスイッチング素子として用いた
電気光学装置用素子基板の構成に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴを用いたアクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置においては、ＴＦＴのゲー
ト電極に走査線を介して走査信号が供給されると、ＴＦ
Ｔはオン状態とされ、半導体層のソース領域にデータ線
を介して供給される画像信号が当該ＴＦＴのソース−ド
レイン間を介して画素電極に供給される。このような画
像信号の供給は、各ＴＦＴを介して画素電極毎に極めて
短時間しか行われないので、ＴＦＴを介して供給される
画像信号の電圧を、このオン状態とされた時間よりもは
るかに長時間にわたって保持するために、各画素電極に
は（液晶容量等と並列に）蓄積容量が付加されるのが一
般的である。

【０００３】蓄積容量は、一般に、画素電極に接続され
たＴＦＴのドレイン領域を構成する導電性のシリコン膜
等から延設され、画素電極電位とされる容量電極と、こ
の容量電極に誘電体膜を介して対向配置された電極部分
を含み、固定電位とされる容量線とを備えて構成されて
いる。そして、このような容量線は、走査線と同一の導
電膜（例えば、導電性のシリコン膜）から構成され、走
査線に平行して横並びに配線されるのが一般的である。

【０００４】ところで、ＴＦＴを構成する半導体層に
は、アモルファスシリコン、ポリシリコン（多結晶シリ
コン）等のシリコン薄膜が多く用いられるが、近年、電
気光学装置のアクティブマトリクス素子基板に用いられ
るＴＦＴでは、特にポリシリコンが多用されるようにな
ってきた。その理由は、ポリシリコンはアモルファスシ
リコンに比べてキャリアの移動度が大きく、例えばアモ
ルファスシリコンの移動度が０．３〜１ｃｍ^２/V・sec
程度であるのに対して、ポリシリコンの移動度は１０〜
１００ｃｍ^２/V・sec 程度が得られる。このように、い
わゆるポリシリコンＴＦＴは、アモルファスシリコンＴ
ＦＴに比べてキャリアの移動度が大きいことから駆動能
力が大きく、高速動作が可能になるという利点を有して
いるからである。

【０００５】半導体層にポリシリコンを用いる場合、通
常、成膜直後のポリシリコン膜中にはある程度の結晶欠
陥（ダングリングボンド）が存在する。ところが、半導
体層中に結晶欠陥を含んだままでＴＦＴを形成すると、
結晶欠陥に起因してキャリアの移動度が低下したり、Ｔ
ＦＴオフ状態でのリーク電流が増大する、といった不具
合が生じる。

【０００６】そこで、これらの問題の対策として、製造
プロセス中でポリシリコン膜の水素化処理を行うように
している。水素化処理とは、例えばポリシリコン膜を形
成した基板を低圧雰囲気中で発生させた水素プラズマに
晒すなどして、ポリシリコン膜中に水素原子を導入する
ものである。これにより、シリコン原子のダングリング
ボンドが水素原子で終端処理されるので、処理前に比べ
て結晶欠陥の数を充分に低減することができる。その結
果、キャリアの移動度の向上、リーク電流の低減が図
れ、ＴＦＴの電気的特性を向上させることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この種の電気光学装置
においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が
強く、このためには、画素ピッチを微細化しつつ、画素
開口率化を高める（即ち、各画素において、表示光が透
過しない各画素における非開口領域に対して、表示光が
透過する開口領域を広げる）ことが重要となる。

【０００８】しかしながら、画像表示領域内において走
査線と容量線とが横並びに配線された前述の背景技術に
よれば、このように微細ピッチな画素の高開口率化に伴
い、走査線や容量線を配線可能な各画素の非開口領域は
狭くなる。このため、画素ピッチの微細化が進む程、十
分な大きさの蓄積容量を作り込むことや、走査線や容量
線に十分な導電性を与えることが困難になるという問題
点がある。そして、十分な蓄積容量が得られなかった
り、走査線や容量線に十分な導電性が得られなかったり
すると、最終的には、表示画像中におけるクロストーク
やゴーストが増大して画質劣化するという問題点が生じ
る。すなわち、微細ピッチな画素の高開口率化に伴って
このような画質劣化が顕在化してくる、という画質向上
のために解決困難な問題点がある。

【０００９】そこで、本出願人は、走査線と容量線を横
並びに配置することに代えて、走査線上に絶縁膜を介し
て容量線を積層し、走査線の上方に立体的に蓄積容量を
作り込む構造を持った電気光学装置を提案した。この構
造によれば、各画素の開口領域を広げつつ相対的に蓄積
容量を増大させることができ、充分な線幅を確保するこ
とで走査線や容量線に充分な導電性を与えることができ
るため、微細ピッチの画素の高開口率化を図りつつ、ク
ロストークやゴーストを防止して画質の向上を図ること
ができる。

【００１０】しかしながら、この構造を採用しようとす
ると、上記水素化処理の面で以下の問題点があった。蓄
積容量を形成する際などに基板に５００℃程度以上の熱
が加わる工程がある場合、この熱が加わる工程の前に水
素化処理を実施すると、熱による水素抜けが生じ、せっ
かく行った水素化処理の効果が発揮されず、移動度の低
下、リーク電流の増大等、ＴＦＴ特性が変化してしま
う。また、３００℃程度の熱しか加わらない工程であっ
ても、この程度の熱が繰り返し加わると、ＴＦＴ特性は
徐々に変化する。このことから、水素化処理は蓄積容量
を形成した後に行う必要がある。

【００１１】ところが、蓄積容量を構成する電極材料と
しては金属膜がよく用いられるが、金属膜は一般に水素
を透過しにくい性質を有しているため、ＴＦＴの上方に
金属膜があると水素原子はＴＦＴのポリシリコン膜まで
到達できない。したがって、ポリシリコン膜が充分に水
素化されず、結晶欠陥に起因する素子特性の変化が充分
に改善されないことになる。

【００１２】以上では走査線の上方に蓄積容量を積層し
た場合の問題点として説明したが、この構造に係わら
ず、ＴＦＴのチャネル領域に光が入射されるのを阻止す
る遮光膜をＴＦＴの上方に形成した場合なども、この遮
光膜の存在によりポリシリコン膜が充分に水素化できな
い、という同種の問題を抱えていた。

【００１３】本発明は、上述の問題点を解決するために
なされたものであり、ＴＦＴの上方に種々の導電膜が存
在していてもシリコン膜の水素化処理を支障なく行うこ
とができ、ＴＦＴの特性改善を図ることができる電気光
学装置用基板とその製造方法を提供することを目的とす
る。また、この電気光学装置用基板を備えた高画質の電
気光学装置とその製造方法を提供することを目的とす
る。さらに、この電気光学装置を備えた電子機器を提供
することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置用素子基板は、一対の基板
間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置の一対
の基板のうちの一方の基板を構成し、マトリクス状に形
成された複数の走査線および複数のデータ線と、走査線
とデータ線とに接続された薄膜トランジスタと、薄膜ト
ランジスタに接続された画素電極とを有する電気光学装
置用素子基板であって、薄膜トランジスタの上方に積層
された導電膜のうち、少なくともいずれか１層の導電膜
に、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域の一部
の上方にあたる領域が開口した開口部が設けられたこと
を特徴とする。

【００１５】本発明の電気光学装置用素子基板によれ
ば、ＴＦＴ上方の導電膜のうち、少なくともいずれか１
層の導電膜に少なくともチャネル領域の一部にあたる領
域が開口した開口部が設けられているので、この開口部
を通して水素原子がＴＦＴのチャネル領域に到達し、結
晶欠陥による特性変化が最も顕著に現れる半導体層のチ
ャネル領域の水素化が充分になされるため、ＴＦＴ特性
を充分に改善することができる。

【００１６】また、複数の導電膜が存在する場合、いず
れの導電膜に開口部を設けるかは、その導電膜の水素透
過性によって適宜選択すればよい。この種の素子基板に
は、導電膜として例えばドープトポリシリコン膜、金属
膜、金属シリサイド膜、ポリサイド膜等がよく用いられ
るが、ドープトポリシリコン膜は比較的水素を透過しや
すい膜であり、金属膜、金属シリサイド膜、ポリサイド
膜等は水素を透過しにくい膜である。よって、素子基板
において、導電性、遮光性等の他の要因から選択される
導電膜の種類に合わせて、個々の膜に開口部を設けるか
否かを決めればよい。なお、本明細書では便宜上、ドー
プトポリシリコンのような水素を透過しやすい膜を「水
素透過性膜」と呼び、金属膜、金属シリサイド膜、ポリ
サイド膜等の水素を透過しにくい膜を「水素非透過性
膜」と呼ぶ。

【００１７】上記本発明の構成において、前記開口部の
上方には遮光性を有する膜を設けることが望ましい。

【００１８】本発明では、ＴＦＴ上方のチャネル領域に
相当する部分の導電膜に開口部を設けている。チャネル
領域は最も水素化処理の効果が大きい箇所である反面、
この箇所に光が入射すると光リーク電流が生じるため、
最も光を遮断したい箇所でもある。ところが、本発明で
はこの箇所に開口部を設けているため、この部分を覆う
ように開口部の上方に遮光性を有する膜を設ければ、Ｔ
ＦＴのチャネル領域に光が入射されるのを防止でき、光
リーク電流の悪影響を抑えることができる。

【００１９】例えば素子基板の構成要素のうち、データ
線を、前記遮光性を有する膜として機能させることがで
きる。

【００２０】データ線の構成材料として金属膜がよく用
いられるが、その場合、データ線をＴＦＴのチャネル領
域の上方に配置すれば、ＴＦＴとデータ線との間にある
他の導電膜に開口部が形成されていたとしても、データ
線によってＴＦＴのチャネル領域を遮光することができ
る。したがって、開口部を遮光するための他の遮光膜を
用いることがなく、製造プロセスが複雑になることもな
い。

【００２１】上記の素子基板の構成要素の他、画素電極
に電気的に接続されて画素電極電位とされる画素電位側
容量電極と、誘電体膜を介して画素電位側容量電極と対
向配置されて固定電位とされる固定電位側容量電極とを
有する蓄積容量を付加してもよい。そして、その蓄積容
量を走査線の上方に積層した場合、画素電位側容量電極
と固定電位側容量電極の少なくともいずれか一方の電極
に前記開口部を設ければよい。

【００２２】この構成によれば、蓄積容量が走査線の上
方に積層されているので、各画素の開口領域を広げつつ
相対的に蓄積容量を増大させることができ、充分な線幅
を確保することで走査線や容量線に充分な導電性を与え
ることができるため、微細ピッチの画素の高開口率化を
図りつつ、クロストークやゴーストを防止して画質の向
上を図ることができる。それと同時に、画素電位側容量
電極や固定電位側容量電極に開口部が設けられたこと
で、蓄積容量形成後であっても半導体層のチャネル領域
の水素化が充分になされるため、ＴＦＴ特性を充分に改
善することができる。

【００２３】画素電位側容量電極と固定電位側容量電極
のうち、上側に位置する電極に前記開口部を設けてもよ
い。その場合、上側の電極の構成材料として水素非透過
性の膜を用いることができる。逆に、下側に位置する電
極に前記開口部を設けてもよい。その場合、下側の電極
の構成材料として水素非透過性の膜を用いることができ
る。また、画素電位側容量電極と固定電位側容量電極の
双方に前記開口部を設けてもよい。その場合、双方の電
極に水素非透過性の膜を用いることができる。逆に言え
ば、開口部を設けない側の電極は水素透過性の膜で構成
してもよいが、水素透過性の膜を用いる場合でも開口部
を設けることによって水素化の効率をより高めることが
できる。

【００２４】また、固定電位側容量電極を、当該素子基
板の断面構造において走査線と画素電位側容量電極との
間に積層する構成を採用することができる。

【００２５】この構成によれば、画素電極電位とされる
画素電位側容量電極と走査線との間には、固定電位とさ
れる固定電位側容量電極が積層されているので、画素電
位側容量電極における電位変動が、容量カップリングに
より走査線に悪影響を及ぼすこと（更に、走査線におけ
る電位変動が容量カップリングにより画素電位側容量電
極に悪影響を及ぼすこと）はなくなり、当該蓄積容量を
走査線に重ねて構築する構造の採用による画質劣化を低
減できるので有利である。

【００２６】ただし、画素電位側容量電極が、固定電位
側容量電極よりも走査線に近い側に積層される構造を採
用することも可能である。この場合、画素電位側容量電
極及び走査線間に介在する層間絶縁膜の膜厚を一定値以
上に厚く設定すれば両者間における容量カップリングに
よる悪影響を実践的な意味で低減可能となる。すなわ
ち、この場合には、実験的、経験的或いはシミュレーシ
ョン等に従って両者間の容量カップリングを装置仕様上
無視し得る程度に小さくするように両者間の層間絶縁膜
の厚みを設定すればよい。

【００２７】また、固定電位側容量電極を、当該素子基
板の断面構造においてデータ線と画素電位側容量電極と
の間に積層する構成を採用することもできる。

【００２８】この構成によれば、画素電極電位とされる
画素電位側容量電極とデータ線との間には、固定電位と
される固定電位側容量電極が積層されているので、画素
電位側容量電極における電位変動が、容量カップリング
によりデータ線に悪影響を及ぼすこと（更に、データ線
における電位変動が容量カップリングにより画素電位側
容量電極に悪影響を及ぼすこと）はなくなり、当該蓄積
容量をデータ線に重ねて構築する構造の採用による画質
劣化を低減できるので有利である。しかも、この構成に
よれば、走査線に重なる領域のみならずデータ線に重な
る領域にも蓄積容量が積層形成されるので、蓄積容量の
より一層の増大が図れる。

【００２９】ただし、画素電位側容量電極が、固定電位
側容量電極よりもデータ線に近い側に積層される構造を
採用することも可能である。この場合、画素電位側容量
電極及びデータ線間に介在する層間絶縁膜の膜厚を一定
値以上に厚く設定すれば両者間における容量カップリン
グによる悪影響を実践的な意味で低減可能となる。すな
わち、この場合には、実験的、経験的或いはシミュレー
ション等に従って両者間の容量カップリングを装置仕様
上無視し得る程度に小さくするように両者間の層間絶縁
膜の厚みを設定すればよい。

【００３０】本発明の電気光学装置用素子基板の構成に
おいて、画素電位側容量電極と固定電位側容量電極の一
方を、他方を上下から挟持する一対の電極から構成し、
合わせて３層の電極のうちの少なくともいずれか１層の
電極に開口部を設ける構成とすることもできる。

【００３１】この構成によれば、画素電位側容量電極及
び固定電位側容量電極の一方は、他方を上下から挟持す
る一対の電極からなるので、基板上における同一面積に
より大きな蓄積容量を構築することが可能となる。

【００３２】特に、固定電位側容量電極を、画素電位側
容量電極を上下から挟持する一対の電極で構成すること
が望ましい。

【００３３】この構成によれば、画素電極電位とされる
画素電位側容量電極は、固定電位とされる固定電位側容
量電極を構成する一対の電極により上下から挟持される
ので、画素電位側容量電極における電位変動が、容量カ
ップリングにより他の走査線やデータ線に悪影響を及ぼ
すこと（更に、走査線やデータ線における電位変動が容
量カップリングにより画素電位側容量電極に悪影響を及
ぼすこと）はなくなり、当該蓄積容量を走査線に重ねて
構築する構造の採用による画質劣化を低減できるので有
利である。

【００３４】また、本発明の構成において、画素電位側
容量電極と固定電位側容量電極を、ともに島状の導電膜
で構成するとともに、薄膜トランジスタの下層に位置し
少なくともチャネル領域を基板側から見て覆う導電性の
下層遮光膜を設け、固定電位側容量電極を下層遮光膜と
電気的に接続する構成を採用することができる。

【００３５】この構成によれば、下層遮光膜が、本来の
遮光機能に加えて固定電位側容量電極に対して固定電位
を供給する配線としても機能し、各画素毎に固定電位側
容量電極を確実に固定電位とすることができる。

【００３６】本発明の他の電気光学装置用素子基板は、
画素電極に電気的に接続され画素電極電位とされる画素
電位側容量電極と、誘電体膜を介して画素電位側容量電
極と対向配置され固定電位とされる固定電位側容量電極
とを有してなる蓄積容量がデータ線の上方に積層され、
画素電位側容量電極と固定電位側容量電極の少なくとも
いずれか一方の電極に開口部が設けられたことを特徴と
する。この場合、画素電位側容量電極は、薄膜トランジ
スタと画素電極間に介在する島状の導電膜であてもよ
い。

【００３７】この構成によれば、蓄積容量がデータ線の
上方に積層されているので、各画素の開口領域を広げつ
つ相対的に蓄積容量を増大させることができ、充分な線
幅を確保することで走査線や容量線に充分な導電性を与
えることができるため、微細ピッチの画素の高開口率化
を図りつつ、クロストークやゴーストを防止して画質の
向上を図ることができる。それと同時に、画素電位側容
量電極や固定電位側容量電極に開口部が設けられたこと
で半導体層のチャネル領域の水素化が充分になされるた
め、ＴＦＴ特性を充分に改善することができる。

【００３８】また本発明は、上述した蓄積容量を構成す
る画素電位側容量電極や固定電位側容量電極に開口部を
設ける構成の他、薄膜トランジスタの上方に上層遮光膜
が設けられた場合、この上層遮光膜に開口部を設ける構
成も適用可能である。

【００３９】この構成の場合も、上層遮光膜の開口部を
通して水素原子がＴＦＴのチャネル領域に到達し、結晶
欠陥による特性劣化が最も著しい半導体層のチャネル領
域の水素化が充分になされるため、ＴＦＴ特性を充分に
改善することができる。

【００４０】前記開口部の具体的な形態としては、導電
膜に形成された孔であってもよいし、導電膜に形成され
た切り欠きであってもよい。

【００４１】また、前記薄膜トランジスタが、チャネル
領域とソース領域の間およびチャネル領域とドレイン領
域の間にそれぞれ低濃度不純物拡散領域が設けられた、
いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の薄膜ト
ランジスタである場合、ＬＤＤ構造を採用したことでリ
ーク電流の低減、ソース−ドレイン間耐圧の向上等、Ｔ
ＦＴ特性の向上を図ることができる。

【００４２】この種の薄膜トランジスタを用いる場合、
前記開口部のチャネル長方向の縁が、チャネル領域と低
濃度不純物拡散領域との境界よりも外側に位置している
ことが望ましい。

【００４３】一般にチャネル領域と低濃度不純物拡散領
域とでは各領域の構成材料のバンドギャップが大きいた
め、結晶欠陥の影響が他の部分よりも大きくなる恐れが
ある。しかしながら、この構成によれば、チャネル領域
と低濃度不純物拡散領域との境界の部分に存在する結晶
欠陥を水素化することができるので、リーク電流を充分
に低減することができる。

【００４４】また、前記開口部のチャネル長方向の縁を
低濃度不純物拡散領域よりも外側に延ばせば、低濃度不
純物拡散領域内に存在する結晶欠陥も水素化することが
できるので、リーク電流をより充分に低減することがで
きる。

【００４５】さらに、前記開口部のチャネル長方向の縁
をソース領域またはドレイン領域よりも外側に延ばす
と、ソース領域またはドレイン領域内に存在する結晶欠
陥も水素化することができるので、リーク電流の低減に
加えて、半導体層のシート抵抗とコンタクト抵抗を低減
することができる。

【００４６】また、前記開口部のチャネル幅方向につい
ても、開口部の縁をチャネル領域の縁よりも外側に位置
させれば、より充分に水素化がなされ、リーク電流低減
の効果が増大する。

【００４７】本発明の電気光学装置は、上記本発明の電
気光学装置用素子基板と対向基板とを対向配置し、これ
ら基板間に電気光学材料が挟持されてなることを特徴と
するものである。

【００４８】本発明の電気光学装置によれば、上記本発
明の電気光学装置用素子基板を備えたことによって画質
の高い電気光学装置を得ることができる。

【００４９】上述したように、本発明の電気光学装置用
素子基板においては、ＴＦＴ上方のチャネル領域に相当
する部分の導電膜に開口部があるためにチャネル領域に
光が入射する恐れがある。そこで、仮に素子基板側にこ
の部分を遮光する膜がなかったとしても、対向基板上の
薄膜トランジスタの上方にあたる領域に遮光膜を設けれ
ば、ＴＦＴに光が入射されるのを防止でき、光リーク電
流の悪影響を抑えることができる。

【００５０】本発明の電気光学装置用素子基板の製造方
法は、一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電
気光学装置の前記一対の基板のうちの一方の基板を構成
し、マトリクス状に形成された複数の走査線および複数
のデータ線と、走査線とデータ線とに接続された薄膜ト
ランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極
とを有する電気光学装置用素子基板の製造方法であっ
て、基板上に薄膜トランジスタおよび走査線を形成する
工程と、薄膜トランジスタの上方に、画素電極に電気的
に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極
と、誘電体膜を介して画素電位側容量電極と対向配置さ
れ固定電位とされる固定電位側容量電極とを有してな
り、画素電位側容量電極と固定電位側容量電極の少なく
ともいずれか一方の電極に、薄膜トランジスタの少なく
ともチャネル領域の一部の上方にあたる領域が開口した
開口部を設けた蓄積容量を絶縁膜を介して形成する工程
と、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域の水素
化処理を行う工程とを有することを特徴とする。

【００５１】本発明の電気光学装置用素子基板の製造方
法によれば、画素電位側容量電極と固定電位側容量電極
の少なくともいずれか一方の電極に設けた開口部を通し
て水素原子がＴＦＴのチャネル領域に到達し、半導体層
のチャネル領域の水素化を支障なく行うことができるの
で、ＴＦＴ特性に優れた上記本発明の電気光学装置用素
子基板を実現することができる。

【００５２】また、水素化処理を行った後に、前記開口
部の上方を覆うように遮光性を有する膜からなるデータ
線を形成することが望ましい。

【００５３】この構成によれば、ＴＦＴとデータ線との
間にある他の導電膜に開口部が形成されていたとして
も、データ線によってＴＦＴのチャネル領域を遮光する
ことができる。したがって、開口部を遮光するための他
の遮光膜を用いることがなく、製造プロセスが複雑にな
ることもない。

【００５４】画素電位側容量電極と固定電位側容量電極
のうち、開口部が設けられていない側の電極を水素透過
性の膜で形成し、開口部が設けられた側の電極を水素非
透過性の膜で形成することが望ましい。もしくは、開口
部が設けられていない側の電極を水素非透過性の膜で形
成した場合には、工程の順番として水素非透過性膜を形
成する前段階で水素化処理を行うことが望ましい。ただ
し、実際には水素化処理を後から行っても、パターン周
囲からの拡散によってある程度の水素化は進行する。

【００５５】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、上記本発明の電気光学装置用素子基板の製造方法を
用いて電気光学装置用素子基板を製造する工程と、電気
光学装置用素子基板と対向基板とを所定の間隔をあけて
貼り合わる工程と、これら電気光学装置用素子基板と対
向基板との間に電気光学材料を挟持させる工程とを有す
ることを特徴とする。

【００５６】本方法によれば、本発明に係る高画質の電
気光学装置を容易に製造することができる。

【００５７】本発明の電子機器は、上記本発明の電気光
学装置を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高
画質の表示部を有する電子機器を実現することができ
る。

【００５８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。以下の各実施形態は、本発明の電
気光学装置を液晶装置に適用したものである。

【００５９】［第１実施形態］本発明の第１実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図１から図３を参
照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域
を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図、図３はＴＦＴ部分
の拡大図であり、図４は、図２のＡ−Ａ’断面図であ
る。尚、以下の全ての図面においては、各層や各部材を
図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各
部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００６０】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９ａを
制御するためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号
が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに
電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給し
ても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に
対して、グループ毎に供給するようにしても良い。ま
た、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続さ
れており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的
に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で
印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦ
Ｔ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチ
ング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチ
を閉じることにより、データ線６ａから供給される画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込
む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例として液
晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電
極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、
印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変
化することにより、光を変調し、階調表示を可能にす
る。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光の透過光量が減少され、ノーマリーブ
ラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光
の透過光量が増大され、全体として電気光学装置からは
画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。こ
こで、保持された画像信号がリークするのを防ぐため
に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容
量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０は、
ＴＦＴ３０のドレインと定電位を供給する容量線３００
との間に誘電体膜を介して形成されている。

【００６１】図２および図３において、電気光学装置の
ＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用素子基板）上には、
マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９
ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画
素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走
査線３ａが設けられている。

【００６２】また、半導体層１ａのうち、図中右下がり
の斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するよう
に走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電
極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線
６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に
走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。

【００６３】本実施形態では、容量線３００（固定電位
側容量電極）が、図中太線で示したように走査線３ａの
形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量
線３００は、走査線３ａに沿って伸びる本線部と、図２
および図３中、データ線６ａと交差する各個所からデー
タ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタ
クトホール８４に対応する個所が僅かに括れた括れ部と
を備えている。容量線３００は、例えば、Ｔｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点
金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、
金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層した多層膜
等の水素非透過性の導電膜から構成されている。

【００６４】図２〜図４に示すように、データ線６ａ
は、中継層３０３を中継することにより、コンタクトホ
ール８１及び８２を介して例えばポリシリコン膜からな
る半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に
接続されている。他方、画素電極９ａは、中継層３０３
と同一膜からなる容量電極３０２（画素電位側容量電
極、図２，図３中１点鎖線で示す）を中継層として利用
することにより、コンタクトホール８３及び８４を介し
て半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的
に接続されている。

【００６５】このように、容量電極３０２を中継層とし
て用いることにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構成
する半導体層１ａとの間の層間距離が例えば１０００ｎ
ｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで
接続する技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の二つ
の直列なコンタクトホール８３及び８４で両者間を良好
に接続でき、画素開口率を高めることが可能となる。特
にこのような中継層を用いれば、コンタクトホール開孔
時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。同様
に、中継層３０３を用いることにより、データ線６ａと
ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとの間の層間距離が
長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する
技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の二つの直列な
コンタクトホール８１及び８２で両者間を良好に接続で
きる。本実施の形態の場合、容量電極３０２及び中継層
３０３は、例えばドープトポリシリコン膜のような水素
透過性の導電膜から構成されている。容量電極３０２及
び中継層３０３の膜厚は、例えば５０〜５００ｎｍ程度
とされる。

【００６６】図２〜図４に示すように、容量電極３０２
と容量線３００とが誘電体膜３０１を介して対向配置さ
れることにより、平面的に見て走査線３ａに重なる領域
及びデータ線６ａに重なる領域に、蓄積容量７０（図１
参照）の一例たる蓄積容量７０-1が構築されている。

【００６７】即ち、容量線３００は、走査線３ａを覆う
ように延びると共に、データ線６ａの領域下で、容量電
極３０２を覆うように突き出す突出部を有し、櫛歯状に
形成されている。容量電極３０２は、走査線３ａとデー
タ線６ａの交差部から、一方がデータ線６ａの領域下に
ある容量線３００の突出部に沿って延び、他方が走査線
３ａの領域上にある容量線３００に沿って隣接するデー
タ線６ａ近傍まで延びるＬ字状の島状容量電極を形成し
ている。そして、誘電体膜３０１を介して容量線３００
にＬ字状の容量電極３０２が重なる領域で蓄積容量７０
-1が形成される。

【００６８】蓄積容量７０-1の一方の容量電極である容
量電極３０２は、コンタクトホール８４で画素電極９ａ
と接続されており（同時にコンタクトホール８３で高濃
度ドレイン領域１ｅと接続されており）、画素電極電位
とされる。

【００６９】蓄積容量７０-1の他方の容量電極を含む容
量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域
からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され
て、固定電位とされる。定電位源としては、ＴＦＴ３０
を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するため
の走査線駆動回路（後述する）や画像信号をデータ線６
ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動
回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定電位
源でも良いし、対向基板に供給される定電位でも構わな
い。

【００７０】本実施の形態において、容量線３００に
は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’（後述する）の上
方にあたる領域に開口部３００ａが設けられている。こ
の開口部３００ａは容量線３００を膜厚方向に貫通する
孔であり、図３に示すように、開口部３００ａのチャネ
ル長方向（符号Ｌで示す矢印の向き）の縁はチャネル領
域１ａ’の内部に位置し、チャネル幅方向（符号Ｗで示
す矢印の向き）の縁はチャネル領域１ａ’の外側に位置
している。すなわち、本実施の形態の例では、開口部３
００ａはチャネル領域１ａ’の一部を開口させたもので
ある。

【００７１】蓄積容量７０-1の誘電体膜３０１は、例え
ば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ膜（高温
酸化シリコン膜）、ＬＴＯ膜（低温酸化シリコン膜）等
の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成
されている。蓄積容量７０-1を増大させる観点からは、
膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜
３０１は薄い程良い。

【００７２】図４に示すように、電気光学装置は、透明
なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明
な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０
は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からな
り、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板から
なる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設け
られており、その上側には、ラビング処理等の所定の配
向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電
極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリ
イミド膜などの有機膜からなる。

【００７３】他方、対向基板２０には、その全面にわた
って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラ
ビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が
設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜など
の透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド膜などの有機膜からなる。

【００７４】ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９
ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制
御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられてい
る。

【００７５】対向基板２０には、さらに図４に示すよう
に、遮光膜２３を設けるようにしても良い。このような
構成を採ることで、対向基板２０側から入射光が画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域
１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域
１ｃに侵入することはない。更に、遮光膜２３は、入射
光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、
電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きもする。

【００７６】また、本実施形態では、ＴＦＴ３０のチャ
ネル領域１ａ’上方に位置する容量電極３０２はドープ
トポリシリコンで形成されていて光をある程度透過する
一方、容量線３００は高融点金属、金属シリサイド、ポ
リサイド等の遮光性の膜であるが、開口部３００ａが形
成されている。しかしながら、蓄積容量７０-1の上方に
データ線６ａが配置されており、これがＡｌ膜等、遮光
性の膜からなるデータ線であるから、ＴＦＴ３０のチャ
ネル領域１ａ’に光が入射しない構成となっている。

【００７７】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材によ
り囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入
され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電
極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６
及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、
例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液
晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対
向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例え
ば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、
両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材（図示せず）が混入
されている。

【００７８】更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることに
より、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒
れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ
３０の特性の変化を防止する機能を有する。

【００７９】図４において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低
濃度ソース領域１ｂ（低濃度不純物拡散層）及び低濃度
ドレイン領域１ｃ（低濃度不純物拡散層）、半導体層１
ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１
ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の
画素電極９ａのうちの対応する一つが、コンタクトホー
ル８３及び８４を介して（容量電極としても機能する）
容量電極３０２により中継接続されている。また、走査
線３ａの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタ
クトホール８２及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコ
ンタクトホール８３が各々形成された第１層間絶縁膜３
１１が形成されている。

【００８０】容量線３００上には、中継層３０３へ通じ
るコンタクトホール８１及び容量電極３０２へ通じるコ
ンタクトホール８４が各々形成された第２層間絶縁膜３
１２が形成されている。

【００８１】第２層間絶縁膜３１２上には、データ線６
ａが形成されており、これらの上には更に、容量電極３
０２へのコンタクトホール８４が形成された第３層間絶
縁膜７が形成されている。前述の画素電極９ａは、この
ように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられて
いる。

【００８２】以下、本実施の形態の電気光学装置の製造
方法、特にＴＦＴアレイ基板の製造方法を図６４を用い
て説明する。なお、図６４は各工程におけるＴＦＴアレ
イ基板１０側の各層を、図４と同様に図２のＡ−Ａ’断
面に対応させて示す工程図である。

【００８３】まず、図６４の工程（１）に示すように、
石英基板、ハードガラス、シリコン基板等の基板を用意
する。次に、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ法等により
ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガ
ラス膜、もしくは窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等か
らなる下地絶縁膜１２を形成する。

【００８４】次に、下地絶縁膜１２上に、減圧ＣＶＤ法
等によりアモルファスシリコン膜を形成する。その後、
窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時
間の熱処理を施すことにより、ポリシリコン膜を約５０
〜２００ｎｍの膜厚となるまで固相成長させる。固相成
長させる方法としては、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annea
l)を使った熱処理でも良いし、エキシマレーザー等を用
いても良い。なお、アモルファスシリコン膜を経ずに、
ポリシリコン膜を直接形成しても良い。

【００８５】次に、フォトリソグラフィー工程、エッチ
ング工程により上記ポリシリコン膜をパターニングする
ことにより、所定パターンを有する半導体層１ａを形成
する。次に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９
００〜１３００℃の温度で熱酸化することにより、約３
０ｎｍ程度の比較的薄い膜厚の熱酸化シリコン膜を形成
し、さらに、減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜
（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる絶縁膜を約５０
ｎｍ程度の比較的薄い膜厚に堆積し、多層構造を持つＴ
ＦＴ３０のゲート絶縁膜２を形成する。この結果、ゲー
ト絶縁膜２の膜厚は約１０〜１５０ｎｍ程度となる。

【００８６】次に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン
膜を堆積し、さらにリン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコ
ン膜を導電化する。ポリシリコン膜の膜厚は、例えば約
１００〜５００ｎｍ、好ましくは約３００ｎｍに堆積す
る。

【００８７】次に、フォトリソグラフィー工程、エッチ
ング工程等によりポリシリコン膜のパターニングを行
い、所定パターンの走査線３ａを形成する。

【００８８】次に、半導体層に、まず低濃度ソース領域
１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、
走査線３ａの一部であるゲート電極をマスクとして、Ｐ
などのＶ族元素の不純物を低濃度で（例えば、Ｐイオン
を１×１０^１３〜３×１０^{１ ３}／ｃｍ^２のドーズ量に
て）ドープする。これにより、走査線３ａ下の半導体層
はチャネル領域１ａ’となる。

【００８９】次に、ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース
領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを形成するため
に、走査線３ａよりも幅の広いレジストマスクを走査線
３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素の不純物
を高濃度で（例えば、Ｐイオンを１×１０^１５〜３×１
０^１５／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。

【００９０】次に、走査線３ａ上およびゲート絶縁膜２
上に、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によりＨＴＯ
膜や窒化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜３１１を１
０〜２００ｎｍ程度の膜厚に堆積する。

【００９１】次に、図６４の工程（２）に示すように、
後で形成する中継層３０３と高濃度ソース領域１ｄおよ
び後で形成する蓄積容量３０２と高濃度ドレイン領域１
ｅとをそれぞれ電気的接続するためのコンタクトホール
８２，８３を、反応性イオンエッチング、反応性イオン
ビームエッチング等のドライエッチングにより形成す
る。あるいは、コンタクトホールが半導体層を突き抜け
るのを防止するのに有利なウエットエッチングを併用し
てもよい。

【００９２】次に、層間絶縁膜３１１上の全面に、低圧
ＣＶＤ法等によりドープトポリシリコン膜を堆積し、フ
ォトリソグラフィーにより中継層３０３および蓄積容量
３０２のパターンに対応するレジストマスクを形成し、
レジストマスクを介してドープトポリシリコン膜のエッ
チングを行うことにより、中継層３０３および蓄積容量
３０２を形成する。

【００９３】次に、蓄積容量の誘電体膜３０１となる絶
縁膜を形成した後、後で容量線３００となる高融点金
属、金属シリサイド、ポリサイド等の膜をスパッタ法等
により形成し、フォトリソグラフィー、エッチングによ
りパターニングして容量線３００を形成する。この際、
容量線３００の開口部３００ａを形成するには、フォト
リソグラフィー工程で使用するフォトマスクのパターン
に予め開口部を設けておけばよいのであって、通常の製
造プロセスに対して特に工程を追加する必要はない。

【００９４】その後、容量線３００を覆うように、例え
ば常圧または減圧ＣＶＤ法等を用いて第２層間絶縁膜３
１２を形成する。そしてその後、水素雰囲気中、減圧下
でプラズマに基板を晒すことによって水素化処理を行
う。この際、本実施形態によれば、容量線３００に開口
部３００ａが設けられたこと、および容量電極３０２に
水素透過性のポリシリコン膜を用いたことによって、Ｔ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を充分に水素化すること
ができる。

【００９５】次に、図６４の工程（３）に示すように、
第２層間絶縁膜３１２に、次に形成するデータ線６ａに
対するコンタクトホール８１を開孔する。次に、スパッ
タ法等によりＡＬ膜を成膜した後、フォトリソグラフィ
ー、エッチングによりＡｌ膜をパターニングすることに
より、データ線６ａを形成する。これにより、容量線３
００の開口部３００ａの上方が遮光性を有するＡｌ膜か
らなるデータ線６ａにより遮光される。

【００９６】次に、データ線６ａ上を覆うように、例え
ば常圧または減圧ＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法等
を用いて第３層間絶縁膜７を形成する。次に、次に形成
する画素電極９ａと容量電極３０２とを電気的に接続す
るためのコンタクトホール８４を、反応性イオンエッチ
ング、反応性イオンビームエッチングなどのドライエッ
チングやウェットエッチングにより形成する。

【００９７】次に、第３層間絶縁膜７上に、スパッタリ
ング等によりＩＴＯ膜等の透明導電膜を約５０〜２００
ｎｍの膜厚に堆積し、さらにフォトリソグラフィー、エ
ッチング等により透明導電膜をパターニングし、画素電
極９ａを形成する。続いて、画素電極９ａ上にポリイミ
ド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレチルト
角を持つように所定方向でラビング処理を施すこと等に
より、配向膜１６を形成する。以上の工程により、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０が完成する。

【００９８】他方、対向基板２０に関しては工程図の図
示を省略するが、ガラス基板等の基板がまず用意され、
遮光層２３を、例えば金属クロムをスパッタリングした
後、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を経て
形成する。なお、遮光層２３は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなど
の金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分
散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。次
に、対向基板２０の全面に、スパッタリング等によりＩ
ＴＯ等の透明導電膜を約５０〜２００ｎｍの膜厚に堆積
することにより共通電極２１を形成する。さらに、共通
電極２１の全面に配向膜２２を形成する。

【００９９】最後に、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを対向させて配置
し、シール材により貼り合わせ、空セルを作製する。次
いで、液晶５０を空セル内に封入すれば、本実施形態の
電気光学装置が完成する。

【０１００】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線３００や容量電極
３０２を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形
成するように、容量線３００を走査線３ａの領域に沿っ
て延出すると共にその一部をデータ線６ａに沿って突出
して形成し、容量電極３０２を容量線３００に沿ってＬ
字状に形成して蓄積容量７０-1を構築したので、前述し
た背景技術の如く容量線３００を走査線３ａに横並びに
配線する必要が無く、各画素の非開口領域を広げないで
済み、大きな蓄積容量が得られる。更に、十分な線幅を
確保することにより走査線３ａや容量線３００を低抵抗
化することもでき、特に微細ピッチな画素の高開口率化
を図りつつ、表示画像中におけるクロストークやゴース
トを低減して画質を向上できる。

【０１０１】そして、このような蓄積容量７０-1を走査
線３ａやデータ線６ａ上に積層する構成を採用したとし
ても、蓄積容量７０-1を構成する電極のうち、水素非透
過性の膜で形成されている容量線３００に開口部３００
ａが設けられているので、開口部３００ａを通して水素
原子がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達し、蓄積
容量形成後であってもチャネル領域１ａ’の水素化を充
分になすことができ、ＴＦＴ特性を充分に改善すること
ができる。

【０１０２】また、本実施の形態の場合、データ線６ａ
によってＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を遮光するこ
とができるので、ＴＦＴアレイ基板１０単独でもＴＦＴ
３０のチャネル領域１ａ’が確実に遮光され、開口部３
００ａを遮光するための他の遮光膜を用いることがな
く、製造プロセスが複雑になることもない。

【０１０３】また本実施形態では特に、画素電極電位と
される容量電極３０２が、固定電位とされる容量線３０
０よりも走査線３ａに近い側に積層される構造を採用し
ている。このため、容量電極３０２及び走査線３ａ間に
介在する第１層間絶縁膜３１１の膜厚を２００〜２００
０ｎｍ程度に厚くするとよい。このように第１層間絶縁
膜３１１を比較的厚く積むことにより、容量電極３０２
及び走査線３ａ間における容量カップリングによる悪影
響を実践的な意味で低減できる。他方、画素電極電位と
される容量電極３０２とデータ線６ａとの間には、固定
電位とされる容量線３００が積層されているので、容量
電極３０２における電位変動が、容量カップリングによ
りデータ線６ａに悪影響を及ぼすこと、あるいはデータ
線６ａにおける電位変動が容量カップリングにより容量
電極３０２（更に画素電極９ａ）に悪影響を及ぼすこと
がないので有利である。

【０１０４】なお、図５に示すように、ＴＦＴ３０をＴ
ＦＴアレイ基板１０側（図５中の下側）から覆う部分を
含む下層遮光膜１１ａを走査線３ａに沿ってストライプ
状にあるいは走査線３ａ及びデータ線６ａに沿ってマト
リクス状に形成してもよい。このような下層遮光膜１１
ａは、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面や投射光学系からの
戻り光を遮光し、この光に基づく光励起によりＴＦＴ３
０のオフ時のリーク電流が原因でＴＦＴ３０の特性が変
化するのを有効に防止することができる。このような下
層遮光層は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐ
ｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属
単体、合金、金属シリサイド等やポリシリコン膜から形
成することができる。特に、複板式のカラー表示用のプ
ロジェクタ等で複数の電気光学装置をプリズム等を介し
て組み合わせて一つの光学系を構成する場合には、他の
電気光学装置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部
分からなる戻り光は強力であるので、このようにＴＦＴ
３０の下側に下層遮光膜を設けることは大変有効であ
る。このような下層遮光膜についても、容量線３００と
同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源
に接続するとよい。

【０１０５】以上説明した本実施形態では、多数の導電
層を積層することにより、データ線６ａや走査線３ａに
沿った領域に段差が生じるが、ＴＦＴアレイ基板１０、
下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜３１１、第２層間絶縁
膜３１２に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ
３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよい
し、第３層間絶縁膜７や第２層間絶縁膜３１２の上面の
段差をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理
等で研磨することにより、あるいは有機ＳＯＧを用いて
平らに形成することにより、当該平坦化処理を行っても
よい。

【０１０６】更に以上説明した本実施形態では、画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図４に示したよ
うにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低
濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオ
フセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からな
るゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込
み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成
するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本
実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート
電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１
ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、
これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。
このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上で
ＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領
域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を
低減することができる。

【０１０７】尚、第１実施形態及び以下に説明する各実
施形態の電気光学装置において各種導電膜間を絶縁する
各種の層間絶縁膜は、例えば、常圧、減圧ＣＶＤ法、プ
ラズマＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オ
ルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボ
ートレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンドープト・
シリケート・ガラス）、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガ
ラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸
化シリコン膜等から構成すればよい。

【０１０８】（第２実施形態）次に、図６を参照して本
発明の電気光学装置の第２実施形態について説明する。
ここに、図６は、データ線、走査線、画素電極等が形成
されたＴＦＴアレイ基板の画素の拡大平面図である。本
実施の形態の電気光学装置の基本構成は第１実施形態と
同様であり、本実施の形態が第１実施形態と異なるとこ
ろは、容量線に設けた開口部の大きさのみである。した
がって、図６において、図３と共通の構成要素には同一
の符号を付し、その説明は省略する。また、断面構造も
同様であるため、図示を省略する。

【０１０９】第１実施形態では、容量線３００に設けた
開口部３００ａのチャネル長方向の縁がチャネル領域１
ａ’内に位置していたのに対し、本実施形態では開口部
３００ａのチャネル長方向の縁が、チャネル領域１ａ’
と低濃度ソース領域１ｂとの境界Ｅ、およびチャネル領
域１ａ’と低濃度ドレイン領域１ｃとの境界Ｅよりも外
側に位置している。すなわち、本実施の形態の例では、
開口部３００ａはチャネル領域１ａ’の全部、チャネル
領域１ａ’と低濃度ソース領域１ｂとの境界Ｅ、および
チャネル領域１ａ’と低濃度ドレイン領域１ｃとの境界
Ｅを開口させたものである。

【０１１０】一般にチャネル領域と低濃度不純物拡散領
域とでは各領域の構成材料のバンドギャップが大きいた
め、結晶欠陥の影響が他の部分よりも大きくなる恐れが
ある。しかしながら、本実施形態の構成によれば、チャ
ネル領域１ａ’と低濃度ソース領域１ｂとの境界Ｅ、お
よびチャネル領域１ａ’と低濃度ドレイン領域１ｃとの
境界Ｅの付近に存在する結晶欠陥を水素化することがで
きるので、リーク電流をより充分に低減することができ
る。

【０１１１】（第３実施形態）次に、図７を参照して本
発明の電気光学装置の第３実施形態について説明する。
ここに、図７は、データ線、走査線、画素電極等が形成
されたＴＦＴアレイ基板の画素の拡大平面図である。本
実施の形態の電気光学装置の基本構成は第１、第２実施
形態と同様であり、本実施の形態が第１、第２実施形態
と異なるところは、容量線に設けた開口部の大きさのみ
である。したがって、図７において、図３と共通の構成
要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。ま
た、断面構造も同様であるため、図示を省略する。

【０１１２】第１実施形態では、容量線３００に設けた
開口部３００ａのチャネル長方向の縁がチャネル領域１
ａ’内に位置していたのに対し、本実施形態では開口部
３００ａのチャネル長方向の縁が、低濃度ソース領域１
ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃの外側に位置してい
る。すなわち、本実施の形態の例では、開口部３００ａ
はチャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ、および
低濃度ドレイン領域１ｃを開口させたものである。

【０１１３】本実施形態によれば、低濃度ソース領域１
ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃの内部に存在する結晶
欠陥も水素化することができるので、リーク電流をより
充分に低減することができる。

【０１１４】（第４実施形態）次に、図８を参照して本
発明の電気光学装置の第４実施形態について説明する。
ここに、図８は、データ線、走査線、画素電極等が形成
されたＴＦＴアレイ基板の画素の拡大平面図である。本
実施の形態の電気光学装置の基本構成は第１〜第３実施
形態と同様であり、本実施の形態が第１〜第３実施形態
と異なるところは、容量線に設けた開口部の大きさのみ
である。したがって、図８において、図３と共通の構成
要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。ま
た、断面構造も同様であるため、図示を省略する。

【０１１５】第１実施形態では、容量線３００に設けた
開口部３００ａのチャネル長方向の縁がチャネル領域１
ａ’内に位置していたのに対し、本実施形態では開口部
３００ａのチャネル長方向の縁が、高濃度ドレイン領域
１ｅの外側にまで延びている。すなわち、本実施の形態
の例では、開口部３００ａはチャネル領域１ａ’、低濃
度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高
濃度ドレイン領域１ｅを開口させたものである。

【０１１６】本実施形態によれば、上記実施形態に比べ
て高濃度ドレイン領域１ｅの内部に存在する結晶欠陥も
水素化することができるので、リーク電流をより充分に
低減することができるとともに、高濃度ドレイン領域１
ｅのシート抵抗とコンタクトホール８３の部分のコンタ
クト抵抗を低減することができる。

【０１１７】（第５実施形態）次に、図９を参照して本
発明の電気光学装置の第５実施形態について説明する。
ここに、図９は、データ線、走査線、画素電極等が形成
されたＴＦＴアレイ基板の画素の拡大平面図である。本
実施の形態の電気光学装置の基本構成は第１〜第４実施
形態と同様であり、本実施の形態が第１〜第４実施形態
と異なるところは、容量線に設けた開口部の大きさのみ
である。したがって、図９において、図３と共通の構成
要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。ま
た、断面構造も同様であるため、図示を省略する。

【０１１８】第１実施形態では、容量線３００に設けた
開口部３００ａのチャネル幅方向の縁がチャネル領域１
ａ’の外側に位置していたのに対し、本実施形態では、
図９に示すように、開口部３００ａのチャネル幅方向
（図中符号Ｗの矢印で示す）の縁が、チャネル領域１
ａ’の内部に位置している。すなわち、本実施の形態の
例では、開口部３００ａはチャネル領域１ａ’の一部を
開口させたものである。

【０１１９】本実施形態によれば、チャネル領域１ａ’
の内部に存在する結晶欠陥を水素化することができるの
で、リーク電流を低減することができる。本実施の形態
の場合、第１実施形態などと比べて開口部３００ａが小
さいが、開口部３００ａの直下のチャネル領域１ａ’の
部分のみが水素化されるというわけではなく、水素の拡
散によって開口部３００ａの外側のチャネル領域１ａ’
も水素化される。さらに本実施形態の場合、上記実施形
態に比べて開口部３００ａが小さいため、開口部３００
ａを設けたことによる容量線３００の抵抗の増大を抑え
ることができる、という効果が得られる。

【０１２０】（第６実施形態）次に、図１０〜図１２を
参照して本発明の電気光学装置の第６実施形態について
説明する。図１０は、データ線、走査線、画素電極等が
形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群
の平面図、図１１はＴＦＴ部分の拡大図であり、図１２
は、図１０のＡ−Ａ’断面図である。本実施の形態の電
気光学装置の基本構成は第１〜第５実施形態と同様であ
るが、第１〜第５実施形態の開口部の形状が孔状である
のに対し、本実施の形態では切り欠き状とした点のみが
異なる。したがって、図１０〜図１２において、図２〜
図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。

【０１２１】第１〜第５実施形態では、容量線３００に
設けた開口部３００ａの形状が孔状であったのに対し、
本実施形態では開口部３００ｂが容量線３００の下側の
縁の一部を切り欠いた形状となっている。そして、切り
欠いた部分の最も奥に位置する開口部３００ｂのチャネ
ル長方向の縁が、チャネル領域１ａ’の内部に位置して
いる。すなわち、本実施の形態の例では、開口部３００
ｂはチャネル領域１ａ’の一部を開口させたものであ
る。

【０１２２】本実施形態においてもチャネル領域１ａ’
の内部に存在する結晶欠陥を水素化することができるの
で、リーク電流を低減することができる、という第１〜
第５実施形態と同様の効果が得られる。

【０１２３】（第７実施形態）次に、図１３を参照して
本発明の電気光学装置の第７実施形態について説明す
る。ここに、図１３は、データ線、走査線、画素電極等
が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の拡大平面図であ
る。本実施の形態の電気光学装置の基本構成は第６実施
形態と同様であり、本実施の形態が第６実施形態と異な
るところは、容量線に設けた開口部の大きさのみであ
る。したがって、図１３において、図１１と共通の構成
要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。ま
た、断面構造も同様であるため、図示を省略する。

【０１２４】第６実施形態では、容量線３００に設けた
開口部３００ｂのチャネル長方向の縁がチャネル領域１
ａ’内に位置していたのに対し、本実施形態では、図１
３に示すように、開口部３００ｂのチャネル長方向（図
中符号Ｌの矢印で示す）の縁が、チャネル領域１ａ’と
低濃度ドレイン領域１ｃとの境界Ｅよりも外側に位置し
ている。すなわち、本実施の形態の例では、開口部３０
０ａはチャネル領域１ａ’の全部、低濃度ソース領域１
ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃを開口させたものである。

【０１２５】本実施形態の構成によれば、第６実施形態
に比べてチャネル領域１ａ’と低濃度ドレイン領域１ｃ
との境界Ｅの近傍に存在する結晶欠陥も水素化すること
ができるので、リーク電流をより充分に低減することが
できる。

【０１２６】（第８実施形態）次に、図１４を参照して
本発明の電気光学装置の第８実施形態について説明す
る。ここに、図１４は、データ線、走査線、画素電極等
が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の拡大平面図であ
る。本実施の形態の電気光学装置の基本構成は第６、第
７実施形態と同様であり、本実施の形態が第６、第７実
施形態と異なるところは、容量線に設けた開口部の大き
さのみである。したがって、図１４において、図１１と
共通の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略
する。また、断面構造も同様であるため、図示を省略す
る。

【０１２７】第６実施形態では、容量線３００に設けた
開口部３００ｂのチャネル長方向の縁がチャネル領域１
ａ’内に位置していたのに対し、本実施形態では、図１
４に示すように、開口部３００ｂのチャネル長方向（図
中符号Ｌの矢印で示す）の縁が、低濃度ドレイン領域１
ｃの外側に位置している。すなわち、本実施の形態の例
では、開口部３００ｂはチャネル領域１ａ’、低濃度ソ
ース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃまでを開
口させたものである。

【０１２８】本実施形態によれば、低濃度ドレイン領域
１ｃの内部に存在する結晶欠陥も水素化することができ
るので、リーク電流をより充分に低減することができ
る。

【０１２９】（第９実施形態）次に、図１５を参照して
本発明の電気光学装置の第９実施形態について説明す
る。ここに、図１５は、データ線、走査線、画素電極等
が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の拡大平面図であ
る。本実施の形態の電気光学装置の基本構成は第６〜第
８実施形態と同様であり、本実施の形態が第６〜第８実
施形態と異なるところは、容量線に設けた開口部の大き
さのみである。したがって、図１５において、図１１と
共通の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略
する。また、断面構造も同様であるため、図示を省略す
る。

【０１３０】第６実施形態では、容量線３００に設けた
開口部３００ｂのチャネル長方向の縁がチャネル領域１
ａ’内に位置していたのに対し、本実施形態では、図１
５に示すように、開口部３００ｂのチャネル長方向（図
中符号Ｌの矢印で示す）の縁が、高濃度ドレイン領域１
ｅの外側に位置している。すなわち、本実施の形態の例
では、開口部３００ｂはチャネル領域１ａ’、低濃度ソ
ース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度
ドレイン領域１ｅを開口させたものである。

【０１３１】本実施形態によれば、上記実施形態に比べ
て高濃度ドレイン領域１ｅの内部に存在する結晶欠陥も
水素化することができるので、リーク電流をより充分に
低減することができるとともに、高濃度ドレイン領域１
ｅのシート抵抗とコンタクトホール８３の部分のコンタ
クト抵抗を低減することができる。

【０１３２】（第１０実施形態）次に、図１６、図１７
を参照して本発明の電気光学装置の第１０実施形態につ
いて説明する。図１６は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図であり、図１７は、図１６のＡ−Ａ’断面
図である。本実施形態の電気光学装置の基本構成は第１
〜第９実施形態と同様であり、第１〜第９実施形態では
固定電位側容量電極（容量線）に開口部を設けたのに対
し、本実施の形態では画素電位側容量電極に開口部を設
けた点のみが異なる。したがって、図１６、図１７にお
いて、図２、図４と共通の構成要素には同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。

【０１３３】第１〜第９実施形態では蓄積容量７０-1を
構成する２層の電極のうち、上層側の容量線３００（固
定電位側容量電極）に開口部３００ａ，３００ｂを設け
たのに対し、本実施の形態では、図１６および図１７に
示すように、下層側の容量電極３０２（画素電位側容量
電極）に開口部３０２ａを設けた点が異なる。

【０１３４】本実施の形態の場合、容量電極３０２に開
口部３０２ａを設けているので、容量電極３０２の構成
材料として、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ
等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層
した多層膜等の水素非透過性の導電膜を用いることがで
きる。一方、開口部を設けない容量線３００の構成材料
としては、例えばドープトポリシリコンのような水素透
過性の導電膜を用いることができる。水素透過性の導電
膜を用いた場合には容量線３００を形成した後に水素化
処理を支障なく行うことができる。もしくは、容量線３
００の構成材料として水素非透過性の導電膜を用いる場
合には、容量線３００を形成する前に水素化処理を行え
ばよい。

【０１３５】本実施の形態の電気光学装置の場合も、蓄
積容量７０-1を走査線３ａやデータ線６ａ上に積層する
構成において、容量電極３０２に開口部３０２ａが設け
られているので、開口部３０２ａを通して水素原子がＴ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達し、蓄積容量形成
後であってもチャネル領域１ａ’の水素化が充分になさ
れ、ＴＦＴ特性を充分に改善できる、という上記実施形
態と同様の効果を奏することができる。

【０１３６】さらに、データ線６ａによってＴＦＴ３０
のチャネル領域１ａ’を遮光することができる、あるい
は、画素電極電位とされる容量電極３０２とデータ線６
ａとの間に固定電位とされる容量線３００が積層された
ことで容量電極３０２とデータ線６ａ間の容量カップリ
ングによる悪影響が防止できる、といった効果が得られ
ることも上記実施形態と同様である。

【０１３７】（第１１実施形態）次に、図１８、図１９
を参照して本発明の電気光学装置の第１１実施形態につ
いて説明する。図１８は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図であり、図１９は、図１８のＡ−Ａ’断面
図である。本実施の形態の電気光学装置の基本構成は第
１０実施形態と同様であり、容量電極に開口部を設けた
点も同様であるが、第１０実施形態の開口部の形状が孔
状であるのに対し、本実施の形態では切り欠き状とした
点のみが異なる。したがって、図１８、図１９におい
て、図１６，図１７と共通の構成要素には同一の符号を
付し、詳細な説明は省略する。

【０１３８】第１０実施形態では、容量電極３０２に設
けた開口部３０２ａの形状が孔状であったのに対し、本
実施形態では、図１８および図１９に示すように、開口
部３０２ｂが容量電極３０２の下側の縁の一部を切り欠
いた形状となっている。

【０１３９】本実施形態においても、開口部３０２ｂを
設けたことでチャネル領域１ａ’の内部に存在する結晶
欠陥を水素化することができるので、リーク電流を低減
することができる、という第１０実施形態と同様の効果
が得られる。

【０１４０】（第１２実施形態）次に、図２０、図２１
を参照して本発明の電気光学装置の第１２実施形態につ
いて説明する。図２０は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図であり、図２１は、図２０のＡ−Ａ’断面
図である。本実施の形態の電気光学装置の基本構成は上
記実施形態と同様であるが、上記実施形態では蓄積容量
を構成する２層の電極のうち、いずれか一方の電極に開
口部を設けたのに対し、本実施の形態では双方の電極と
もに開口部を設けた点のみが異なる。したがって、図２
０、図２１において、図２、図４と共通の構成要素には
同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

【０１４１】第１〜第９実施形態では蓄積容量７０-1を
構成する２層の電極のうち、上層側の容量線３００（固
定電位側容量電極）のみに開口部３００ａ，３００ｂを
設け、第１０〜第１１実施形態では下層側の容量電極３
０２（画素電位側容量電極）のみに開口部３０２ａ，３
０２ｂを設けたのに対し、本実施の形態では、図２０お
よび図２１に示すように、上層側の容量線３００（固定
電位側容量電極）、下層側の容量電極３０２（画素電位
側容量電極）の双方に開口部３００ａ，３０２ａを設け
ている。本実施形態の場合、開口部３００ａ，３０２ａ
の形状は孔状とされている。

【０１４２】本実施の形態の場合、容量線３００、容量
電極３０２の双方に開口部３００ａ、３０２ａが設けら
れているので、容量線３００、容量電極３０２ともに、
その構成材料としては、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、
Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含
む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、こ
れらを積層した多層膜等の水素非透過性の導電膜を用い
ることができる。この構成にすれば、蓄積容量７０-1を
形成した後に水素化処理を支障なく行うことができる。

【０１４３】本実施の形態の電気光学装置の場合も、蓄
積容量７０-1を走査線３ａやデータ線６ａ上に積層する
構成において、容量線３００および容量電極３０２に開
口部３００ａ、３０２ａが設けられているので、開口部
３００ａ、３０２ａを通して水素原子がＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ’に到達し、蓄積容量形成後であっても
チャネル領域１ａ’の水素化が充分になされ、ＴＦＴ特
性を充分に改善できる、という上記実施形態と同様の効
果を奏することができる。

【０１４４】さらに、データ線６ａによってＴＦＴ３０
のチャネル領域１ａ’を遮光することができる、あるい
は、画素電極電位とされる容量電極３０２とデータ線６
ａとの間に固定電位とされる容量線３００が積層された
ことで容量電極３０２とデータ線６ａ間の容量カップリ
ングによる悪影響が防止できる、といった効果が得られ
ることも上記実施形態と同様である。

【０１４５】特に本実施形態の場合、容量線３００、容
量電極３０２ともに金属膜を用いることができるので、
蓄積容量７０-1を構成する２層の電極の抵抗値を低減す
ることができる、という効果が得られる。さらに、これ
ら金属膜が遮光膜としても機能するので、非開口領域を
より確実に遮光することができる、という効果も得られ
る。

【０１４６】（第１３実施形態）次に、図２２、図２３
を参照して本発明の電気光学装置の第１３実施形態につ
いて説明する。図２２は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図であり、図２３は、図２２のＡ−Ａ’断面
図である。本実施の形態の電気光学装置の基本構成は第
１２実施形態と同様であり、容量線と容量電極の双方に
開口部を設けた点も同様であるが、第１２実施形態の開
口部の形状が孔状であるのに対し、本実施の形態では切
り欠き状とした点のみが異なる。したがって、図２２、
図２３において、図２０、図２１と共通の構成要素には
同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

【０１４７】第１２実施形態では、容量線３００および
容量電極３０２に設けた開口部３００ａ、３０２ａの形
状が孔状であったのに対し、本実施形態では、図２２お
よび図２３に示すように、開口部３００ｂ、３０２ｂが
容量線３００、容量電極３０２のそれぞれの下側の縁の
一部を切り欠いた形状となっている。

【０１４８】本実施形態においても、開口部３００ｂ、
３０２ｂを設けたことでチャネル領域１ａ’の内部に存
在する結晶欠陥を水素化することができるので、リーク
電流を低減することができる、という第１２実施形態と
同様の効果が得られる。その他の効果も第１２実施形態
と同様である。

【０１４９】（第１４実施形態）次に、図２４及び図２
５を参照して本発明の電気光学装置の第１４実施形態に
ついて説明する。ここに、図２４は、データ線、走査
線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の
平面図であり、図２５は、図２４におけるコンタクトホ
ールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層
状態を示す図式的な断面図である。尚、図２５において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、並びにコンタクトホールによる接続関係及び
蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各
層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異なら
しめてある。また、図２４及び図２５において、図３及
び図４（第１実施形態）と共通の構成要素には同一の符
号を付し、詳細な説明は省略する。

【０１５０】図２４及び図２５に示すように、第１４実
施形態では、第１実施形態と比べて、蓄積容量を構成す
る下側の導電層から、容量電極３０２に代えて、容量線
３００’が形成されている。更に、この上に誘電体膜３
０１を介して積層された導電膜から、容量線３００に代
えて、容量電極３０２’が形成されている。また、この
容量電極３０２’と同一層からデータ線６ａを高濃度ソ
ース領域１ｄに接続するための中継層３０３’が形成さ
れている。容量線３００’は、第１実施形態の容量線３
００と同様に固定電位とされ、容量電極３０２’は、第
１実施形態の容量電極３０２と同様に画素電極電位とさ
れて、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容
量７０-2が構成されている。すなわち、第１実施形態で
は蓄積容量において画素電位側容量電極が下層側、固定
電位側容量電極が上層側に配置されていたのに対し、本
実施形態では固定電位側容量電極が下層側、画素電位側
容量電極が上層側に配置されているというように、各電
極の上下の位置関係が逆転している。その他の構成につ
いては、第１実施形態の場合と同様である。

【０１５１】そして本実施形態において、下層側に位置
する容量線３００’には、ＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａ’の上方にあたる領域に孔状の開口部３００ａ’が設
けられている。容量線３００’に開口部３００ａ’を設
けているので、容量線３００’の構成材料として、例え
ばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属の
うちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シ
リサイド、ポリサイド、これらを積層した多層膜等の水
素非透過性の導電膜を用いることができる。一方、開口
部を設けない容量電極３０２’の構成材料としては、例
えばドープトポリシリコンのような水素透過性の導電膜
を用いることができる。水素透過性の導電膜を用いた場
合には容量電極３０２’を形成した後に水素化処理を支
障なく行うことができる。もしくは、容量電極３０２’
の構成材料として水素非透過性の導電膜を用いる場合に
は、容量線３０２’を形成する前に水素化処理を行えば
よい。

【０１５２】したがって、本実施形態によれば、前述し
た背景技術の如く容量線３００’を走査線３ａに横並び
に配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げ
ないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線３００’
及び容量電極３０２’を走査線３ａやデータ線６ａに立
体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得
られる。更に、十分な線幅を確保することにより走査線
３ａや容量線３００’を低抵抗化することもでき、特に
微細ピッチな画素の高開口率化を図りつつ、表示画像中
におけるクロストークやゴーストを低減して画質を向上
できる。

【０１５３】そして、このような蓄積容量７０-2を走査
線３ａやデータ線６ａ上に積層する構成を採用したとし
ても、水素非透過性の膜で形成されている容量線３０
０’に開口部３００ａ’が設けられているので、蓄積容
量形成後であってもチャネル領域１ａ’の水素化を充分
になすことができ、ＴＦＴ特性を充分に改善することが
できる。

【０１５４】また本実施形態では特に、容量電極３０
２’が固定電位とされる容量線３００’よりもデータ線
６ａに近い側に積層される構造を採用している。このた
め、容量電極３０２’及びデータ線６ａ間に介在する第
２層間絶縁膜３１２の膜厚を２００〜２０００ｎｍ程度
に厚くするとよい。このように第２層間絶縁膜３１２を
比較的厚く積むことにより、容量電極３０２’及びデー
タ線６ａ間における容量カップリングによる悪影響を実
践的な意味で低減できる。他方、画素電極電位とされる
容量電極３０２’と走査線３ａとの間には、固定電位と
される容量線３００’が積層されているので、容量電極
３０２’における電位変動が、容量カップリングにより
走査線３ａに悪影響を及ぼすこと、あるいは走査線３ａ
における電位変動が容量カップリングにより容量電極３
０２’（更に画素電極９ａ）に悪影響を及ぼすことがな
いので有利である。

【０１５５】（第１５実施形態）次に、図２６、図２７
を参照して本発明の電気光学装置の第１５実施形態につ
いて説明する。図２６は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部分の拡大平
面図であり、図２７は、図２６におけるコンタクトホー
ルによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状
態を示す図式的な断面図である。本実施の形態の電気光
学装置の基本構成は第１４実施形態と同様であり、容量
線に開口部を設けた点も同様であるが、第１４実施形態
の開口部の形状が孔状であるのに対し、本実施の形態で
は切り欠き状とした点のみが異なる。したがって、図２
６、図２７において、図２４、図２５と共通の構成要素
には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

【０１５６】第１４実施形態では、容量線３００’に設
けた開口部３００ａ’の形状が孔状であったのに対し、
本実施形態では、図２６および図２７に示すように、容
量線３００’に設けた開口部３００ｂ’の形状が容量線
３００’の下側の縁の一部を切り欠いた形状となってい
る。

【０１５７】本実施形態においても、開口部３００ｂ’
を設けたことでチャネル領域１ａ’の内部に存在する結
晶欠陥を水素化することができるので、リーク電流を低
減することができる、という第１４実施形態と同様の効
果が得られる。その他の効果も第１４実施形態と同様で
ある。

【０１５８】（第１６実施形態）次に、図２８、図２９
を参照して本発明の電気光学装置の第１６実施形態につ
いて説明する。図２８は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部分の拡大平
面図であり、図２９は、図２８におけるコンタクトホー
ルによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状
態を示す図式的な断面図である。本実施の形態の電気光
学装置の基本構成は第１４、第１５実施形態と同様であ
るが、第１４、第１５実施形態では蓄積容量を構成する
２層の電極のうち、容量線側（一方の電極）に開口部を
設けたのに対し、本実施の形態では双方の電極ともに開
口部を設けた点のみが異なる。したがって、図２８、図
２９において、図２４、図２５と共通の構成要素には同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

【０１５９】第２４、第２５実施形態では蓄積容量７０
-2を構成する２層の電極のうち、下層側の容量線３０
０’（固定電位側容量電極）に開口部３００ａ’、３０
０ｂ’を設けたのに対し、本実施の形態では、図２８お
よび図２９に示すように、下層側の容量線３００’（固
定電位側容量電極）、上層側の容量電極３０２’（画素
電位側容量電極）の双方に開口部３００ａ’、３０２
ａ’を設けている。本実施形態の場合、開口部３００
ａ’、３０２ａ’の形状は孔状とされている。

【０１６０】本実施の形態の場合、容量線３００’、容
量電極３０２’の双方に開口部３００ａ’、３０２ａ’
が設けられているので、容量線３００’、容量電極３０
２’ともに、その構成材料としては、例えばＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少な
くとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、
ポリサイド、これらを積層した多層膜等の水素非透過性
の導電膜を用いることができる。この構成にすれば、蓄
積容量７０-2を形成した後に水素化処理を支障なく行う
ことができる。

【０１６１】本実施の形態の電気光学装置の場合も、蓄
積容量７０-2を走査線３ａやデータ線６ａ上に積層する
構成において、開口部３００ａ’、３０２ａ’が設けら
れているので、これら開口部３００ａ’、３０２ａ’を
通して水素原子がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到
達し、蓄積容量形成後であってもチャネル領域１ａ’の
水素化が充分になされ、ＴＦＴ特性を充分に改善でき
る、という上記実施形態と同様の効果を奏することがで
きる。

【０１６２】さらに、データ線６ａによってＴＦＴ３０
のチャネル領域１ａ’を遮光することができる、あるい
は、画素電極電位とされる容量電極３０２と走査線３ａ
との間に固定電位とされる容量線３００が積層されたこ
とで容量電極３０２と走査線３ａ間の容量カップリング
による悪影響が防止できる、といった効果が得られるこ
とも上記実施形態と同様である。

【０１６３】特に本実施形態の場合、容量線３００’、
容量電極３０２’ともに金属膜を用いることができるの
で、蓄積容量７０-2を構成する２層の電極の抵抗値を低
減することができる、という効果が得られる。さらに、
これら金属膜が遮光膜としても機能するので、非開口領
域をより確実に遮光することができる、という効果も得
られる。

【０１６４】（第１７実施形態）次に、図３０、図３１
を参照して本発明の電気光学装置の第１７実施形態につ
いて説明する。図３０は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部分の拡大平
面図であり、図３１は、図３０におけるコンタクトホー
ルによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状
態を示す図式的な断面図である。本実施の形態の電気光
学装置の基本構成は第１６実施形態と同様であり、容量
線と容量電極の双方に開口部を設けた点も同様である
が、第１６実施形態の開口部の形状が孔状であるのに対
し、本実施の形態では切り欠き状とした点のみが異な
る。したがって、図３０、図３１において、図２８、図
２９と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。

【０１６５】第１６実施形態では、容量線３００’およ
び容量電極３０２’に設けた開口部３００ａ’、３０２
ａ’の形状が孔状であったのに対し、本実施形態では、
図３０および図３１に示すように、開口部３００ｂ’、
３０２ｂ’が容量線３００’、容量電極３０２’のそれ
ぞれの下側の縁の一部を切り欠いた形状となっている。

【０１６６】本実施形態においても、開口部３００
ｂ’、３０２ｂ’を設けたことでチャネル領域１ａ’の
内部に存在する結晶欠陥を水素化することができるの
で、リーク電流を低減することができる、という第１６
実施形態と同様の効果が得られる。その他の効果も第１
６実施形態と同様である。

【０１６７】（第１８実施形態）次に、図３２、図３３
を参照して本発明の電気光学装置の第１８実施形態につ
いて説明する。ここに、図３２は、データ線、走査線、
画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面
図であり、図３３は、図３２におけるコンタクトホール
による各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態
を示す図式的な断面図である。尚、図３３においては、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積
容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や
各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめ
てある。また、図３２及び図３３において、図２及び図
４（第１実施形態）と共通の構成要素には同一の符号を
付し、詳細な説明は省略する。

【０１６８】図３２及び図３３に示すように、本実施形
態では、第１実施形態と比べて、１本の容量線３００に
代えて、平面的に見てデータ線６ａの形成領域から外れ
た走査線３ａの中央付近において誘電体膜３０１ａ及び
３０１ｂに開孔されたコンタクトホール３２１により相
接続された一対の容量線３００ｘ及び３００ｙを備えて
おり、これらの間に容量電極３０２を挟持することで、
蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０
-4が構成されている。容量線３００ｘ及び３００ｙは、
走査線３ａを覆うように延びると共に、データ線６ａと
交差する個所から図３２中の上側に向って突き出す突出
部を有し、櫛歯状に形成されている。この際、容量線３
００ｙにおける突出部は、高濃度ドレイン領域１ｅと容
量電極３０２とを接続するコンタクトホール８３の手前
まで突き出しており、容量線３００ｘにおける突出部
は、コンタクトホール８３を越えて突き出している。そ
して、誘電体膜３０１ａ及び３０１ｂを介して、容量線
３００ｘ及び３００ｙとＬ字状の容量電極３０２とが夫
々対向配置されることにより、蓄積容量７０-4が形成さ
れる。尚、これに伴い、コンタクトホール８１及び８２
を介してデータ線６ａを高濃度ソース領域１ｄに接続す
るための中継層３０３”が容量線３００ｙと同一層から
形成されている。その他の構成については、第１実施形
態の場合と同様である。

【０１６９】そして本実施形態において、蓄積容量７０
-4を構成する合わせて３層の電極のうち、最上層に位置
する容量線３００ｘには、ＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａ’の上方にあたる領域に孔状の開口部３００ａ’が設
けられている。残りの容量線３００ｙおよび容量電極３
０２には開口部が設けられていない。したがって、容量
線３００ｘの構成材料として、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一
つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリサイ
ド、これらを積層した多層膜等の水素非透過性の導電膜
を用いることができる。一方、容量線３００ｙおよび容
量電極３０２の構成材料としては、例えばドープトポリ
シリコンのような水素透過性の導電膜を用いることが水
素化処理の面からは望ましい。その場合には、最上層の
容量線３００ｘを形成した後に水素化処理を支障なく行
うことができる。

【０１７０】したがって、本実施形態によれば、前述し
た背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必
要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、
ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線３００ｘ及び３００ｙ
並びに容量電極３０２を走査線３ａやデータ線６ａに立
体的に重ねて形成することにより、極めて大きな蓄積容
量が得られる。この効果が得られる上で、ＴＦＴ３０の
チャネル領域１ａ’が充分に水素化されることでＴＦＴ
特性を向上させることができる。

【０１７１】また本実施形態では特に、画素電極電位と
なる容量電極３０２は、固定電位となる一対の容量線３
００ｘ及び３００ｙにより上下から挟持されるので、容
量電極３０２における電位変動が、容量カップリングに
より走査線３ａやデータ線６ａに悪影響を及ぼすこと、
あるいは走査線３ａやデータ線６ａにおける電位変動が
容量カップリングにより容量電極３０２（更には画素電
極９ａ）に悪影響を及ぼすことはないので有利である。
そして、このように構成すれば、容量カップリング低減
のために、第１層間絶縁膜３１１や第２層間絶縁膜３１
２を厚くしなくても済む。

【０１７２】（第１９実施形態）次に、図３４、図３５
を参照して本発明の電気光学装置の第１９実施形態につ
いて説明する。図３４は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図３５は、図３４におけるコンタクトホールによる
各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す
図式的な断面図である。尚、図３５においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を
構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材
毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてあ
る。

【０１７３】本実施形態の電気光学装置の基本構成は第
１８実施形態と同様であり、第１８実施形態では蓄積容
量を構成する３層の電極のうち、最上層の電極に開口部
を設けたのに対し、本実施の形態では中間の電極に開口
部を設けた点のみが異なる。よって、図３４及び図３５
において、図３２及び図３３（第１８実施形態）と共通
の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略す
る。

【０１７４】第１８実施形態では蓄積容量７０-4を構成
する３層の電極のうち、最上層の容量線３００ｘ（固定
電位側容量電極）に開口部３００ａを設けたのに対し、
本実施の形態では、図３４および図３５に示すように、
中間層の容量電極３０２（画素電位側容量電極）に開口
部３０２ａが設けられている。

【０１７５】本実施の形態の場合、容量電極３０２に開
口部３０２ａを設けているので、容量電極３０２の構成
材料として、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ
等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層
した多層膜等の水素非透過性の導電膜を用いることがで
きる。一方、開口部を設けない容量線３００ｘ、３００
ｙの構成材料としては、例えばドープトポリシリコンの
ような水素透過性の導電膜を用いることができる。水素
透過性の導電膜を用いた場合には容量線３００ｘを形成
した後に水素化処理を支障なく行うことができる。もし
くは、容量線３００ｘの構成材料として水素非透過性の
導電膜を用いる場合には、容量線３００ｘを形成する前
に水素化処理を行えばよい。

【０１７６】本実施の形態の電気光学装置の場合も、蓄
積容量７０-4を走査線３ａやデータ線６ａ上に積層する
構成において、容量電極３０２に開口部３０２ａが設け
られているので、開口部３０２ａを通して水素原子がＴ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達し、蓄積容量形成
後であってもチャネル領域１ａ’の水素化が充分になさ
れ、ＴＦＴ特性を充分に改善できる、という上記第１８
実施形態と同様の効果を奏することができる。

【０１７７】さらに、画素電極電位となる容量電極３０
２の上下を固定電位となる容量線３００ｘ、３００ｙで
挟んだことで容量電極３０２とデータ線６ａの間、およ
び容量電極３０２と走査線３ａの間の容量カップリング
による悪影響が防止できる、といった効果が得られるこ
とも上記第１８実施形態と同様である。

【０１７８】（第２０実施形態）次に、図３６、図３７
を参照して本発明の電気光学装置の第２０実施形態につ
いて説明する。図３６は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図３７は、図３６におけるコンタクトホールによる
各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す
図式的な断面図である。尚、図３７においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を
構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材
毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてあ
る。

【０１７９】本実施形態の電気光学装置の基本構成は第
１８、第１９実施形態と同様であるが、第１８実施形態
では蓄積容量を構成する３層の電極のうち、最上層の電
極に開口部を設け、第１９実施形態では中間層の電極に
開口部を設けたのに対し、本実施の形態では最下層の電
極に開口部を設けた点のみが異なる。よって、図３６及
び図３７において、図３２及び図３３（第１８実施形
態）と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。

【０１８０】第１８実施形態では蓄積容量７０-4を構成
する３層の電極のうち、最上層の容量線３００ｘ（固定
電位側容量電極）に開口部３００ａを設け、第１９実施
形態では中間層の容量電極３０２（画素電位側容量電
極）に開口部３０２ａを設けたのに対し、本実施の形態
では、図３６および図３７に示すように、最下層の容量
線３００ｙ（固定電位側容量電極）に開口部３００ａが
設けられている。

【０１８１】本実施の形態の場合、容量線３００ｙに開
口部３００ａを設けているので、容量線３００ｙの構成
材料として、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ
等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層
した多層膜等の水素非透過性の導電膜を用いることがで
きる。一方、開口部を設けない容量電極３０２および容
量線３００ｘの構成材料としては、例えばドープトポリ
シリコンのような水素透過性の導電膜を用いることがで
きる。上側の２層に水素透過性の導電膜を用いた場合に
は容量線３００ｘを形成した後に水素化処理を支障なく
行うことができる。

【０１８２】本実施の形態の電気光学装置の場合も、蓄
積容量７０-4を走査線３ａやデータ線６ａ上に積層する
構成において、容量線３００ｙに開口部３００ａが設け
られているので、開口部３００ａを通して水素原子がＴ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に到達し、蓄積容量形成
後であってもチャネル領域１ａ’の水素化が充分になさ
れ、ＴＦＴ特性を充分に改善できる、という上記第１
８、第１９実施形態と同様の効果を奏することができ
る。

【０１８３】さらに、画素電極電位となる容量電極３０
２の上下を固定電位となる容量線３００ｘ、３００ｙで
挟んだことで容量電極３０２とデータ線６ａの間、およ
び容量電極３０２と走査線３ａの間の容量カップリング
による悪影響が防止できる、といった効果が得られるこ
とも上記第１８、第１９実施形態と同様である。

【０１８４】（第２１実施形態）次に、図３８、図３９
を参照して本発明の電気光学装置の第２１実施形態につ
いて説明する。図３８は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図３９は、図３８におけるコンタクトホールによる
各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す
図式的な断面図である。尚、図３９においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を
構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材
毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてあ
る。

【０１８５】本実施形態の電気光学装置の基本構成は第
１８〜第２０実施形態と同様であるが、第１８〜第２０
実施形態では蓄積容量を構成する３層の電極のうち、１
層の電極に開口部を設けたのに対し、本実施の形態では
２層の電極に開口部を設けた点のみが異なる。よって、
図３８及び図３９において、図３２及び図３３（第１８
実施形態）と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。

【０１８６】第１８〜第２０実施形態では蓄積容量７０
-4を構成する３層の電極のうち、いずれか１層の容量電
極（容量線）に開口部を設けたのに対し、本実施の形態
では２層の容量電極（容量線）に開口部を設けている。
特に本実施形態では、図３６および図３７に示すよう
に、最上層の容量線３００ｘ（固定電位側容量電極）お
よび中間層の容量電極３０２（画素電位側容量電極）に
それぞれ開口部３００ａ、３０２ａが設けられている。
最下層の容量線３００ｙ（固定電位側容量電極）には開
口部が設けられていない。

【０１８７】本実施の形態の場合、容量線３００ｘおよ
び容量電極３０２に開口部３００ａ、３０２ａを設けて
いるので、容量線３００ｘおよび容量電極３０２の構成
材料として、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ
等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層
した多層膜等の水素非透過性の導電膜を用いることがで
きる。一方、開口部を設けない容量線３００ｙの構成材
料としては、例えばドープトポリシリコンのような水素
透過性の導電膜を用いることが望ましい。この構成の場
合には容量線３００ｘを形成した後に水素化処理を支障
なく行うことができる。

【０１８８】本実施の形態の電気光学装置の場合も、蓄
積容量７０-4を走査線３ａやデータ線６ａ上に積層する
構成において、容量線３００ｘおよび容量電極３０２に
開口部３００ａ、３０２ａが設けられているので、開口
部３００ａ、３０２ａを通して水素原子がＴＦＴ３０の
チャネル領域１ａ’に到達し、蓄積容量形成後であって
もチャネル領域１ａ’の水素化が充分になされ、ＴＦＴ
特性を充分に改善できる、という上記実施形態と同様の
効果を奏することができる。

【０１８９】さらに、画素電極電位となる容量電極３０
２の上下を固定電位となる容量線３００ｘ、３００ｙで
挟んだことで容量電極３０２とデータ線６ａの間、およ
び容量電極３０２と走査線３ａの間の容量カップリング
による悪影響が防止できる、といった効果が得られるこ
とも上記第１８〜第２０実施形態と同様である。

【０１９０】（第２２実施形態）次に、図４０、図４１
を参照して本発明の電気光学装置の第２２実施形態につ
いて説明する。図４０は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図４１は、図４０におけるコンタクトホールによる
各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す
図式的な断面図である。尚、図４１においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を
構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材
毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてあ
る。

【０１９１】本実施形態の電気光学装置の基本構成は第
２１実施形態と同様であり、蓄積容量を構成する２層の
電極に開口部を設けたことも同様であるが、本実施の形
態が第２１実施形態と異なるのは開口部を設けた２層の
電極がいずれの電極であるかという点のみである。よっ
て、図４０及び図４１において、図３８及び図３９（第
２１実施形態）と共通の構成要素には同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。

【０１９２】第２１実施形態では蓄積容量７０-4を構成
する３層の電極のうち、最上層の容量線３００ｘ（固定
電位側容量電極）および中間層の容量電極３０２（画素
電位側容量電極）に開口部３００ａ、３０２ａを設けた
のに対し、本実施の形態では、図４０および図４１に示
すように、中間層の容量電極３０２（画素電位側容量電
極）および最下層の容量線３００ｙ（固定電位側容量電
極）にそれぞれ開口部３０２ａ、３００ａが設けられて
いる。最上層の容量線３００ｘ（固定電位側容量電極）
には開口部が設けられていない。

【０１９３】本実施の形態の場合、容量電極３０２およ
び容量線３００ｙに開口部３０２ａ、３００ａを設けて
いるので、容量電極３０２および容量線３００ｙの構成
材料として、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ
等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層
した多層膜等の水素非透過性の導電膜を用いることがで
きる。一方、開口部を設けない容量線３００ｘの構成材
料としては、例えばドープトポリシリコンのような水素
透過性の導電膜を用いることが望ましい。この構成の場
合には容量線３００ｘを形成した後に水素化処理を支障
なく行うことができる。

【０１９４】本実施の形態の電気光学装置の場合も、蓄
積容量７０-4を走査線３ａやデータ線６ａ上に積層する
構成において、容量電極３０２および容量線３００ｙに
開口部３０２ａ、３００ａが設けられているので、開口
部３０２ａ、３００ａを通して水素原子がＴＦＴ３０の
チャネル領域１ａ’に到達し、蓄積容量形成後であって
もチャネル領域１ａ’の水素化が充分になされ、ＴＦＴ
特性を充分に改善できる、という上記実施形態と同様の
効果を奏することができる。

【０１９５】さらに、画素電極電位となる容量電極３０
２の上下を固定電位となる容量線３００ｘ、３００ｙで
挟んだことで容量電極３０２とデータ線６ａの間、およ
び容量電極３０２と走査線３ａの間の容量カップリング
による悪影響が防止できる、といった効果が得られるこ
とも上記第１８〜第２１実施形態と同様である。

【０１９６】（第２３実施形態）次に、図４２、図４３
を参照して本発明の電気光学装置の第２３実施形態につ
いて説明する。図４２は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図４３は、図４２におけるコンタクトホールによる
各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す
図式的な断面図である。尚、図４３においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を
構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材
毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてあ
る。

【０１９７】本実施形態の電気光学装置の基本構成は第
２１、第２２実施形態と同様であり、蓄積容量を構成す
る２層の電極に開口部を設けたことも同様であるが、本
実施の形態が第２１、第２２実施形態と異なるのは開口
部を設けた２層の電極がいずれの電極であるかという点
のみである。よって、図４２及び図４３において、図３
８及び図３９（第２１実施形態）と共通の構成要素には
同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

【０１９８】本実施の形態では、図４２および図４３に
示すように、最上層の容量線３００ｘ（固定電位側容量
電極）および最下層の容量線３００ｙ（固定電位側容量
電極）にそれぞれ開口部３００ａ、３００ａが設けられ
ている。中間層の容量電極３０２（画素電位側容量電
極）には開口部が設けられていない。

【０１９９】本実施の形態の場合、容量線３００ｘおよ
び容量線３００ｙに開口部３００ａ、３００ａを設けて
いるので、容量線３００ｘおよび容量線３００ｙの構成
材料として、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ
等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層
した多層膜等の水素非透過性の導電膜を用いることがで
きる。一方、開口部を設けない容量電極３０２の構成材
料としては、例えばドープトポリシリコンのような水素
透過性の導電膜を用いることが望ましい。この構成の場
合には容量線３００ｘを形成した後に水素化処理を支障
なく行うことができる。

【０２００】本実施の形態の電気光学装置の場合も、蓄
積容量７０-4を走査線３ａやデータ線６ａ上に積層する
構成において、容量線３００ｘおよび容量線３００ｙに
開口部３００ａ、３００ａが設けられているので、開口
部３００ａ、３００ａを通して水素原子がＴＦＴ３０の
チャネル領域１ａ’に到達し、蓄積容量形成後であって
もチャネル領域１ａ’の水素化が充分になされ、ＴＦＴ
特性を充分に改善できる、という上記実施形態と同様の
効果を奏することができる。

【０２０１】さらに、画素電極電位となる容量電極３０
２の上下を固定電位となる容量線３００ｘ、３００ｙで
挟んだことで容量電極３０２とデータ線６ａの間、およ
び容量電極３０２と走査線３ａの間の容量カップリング
による悪影響が防止できる、といった効果が得られるこ
とも上記第１８〜第２２実施形態と同様である。

【０２０２】（第２４実施形態）次に、図４４を参照し
て本発明の電気光学装置の第２４実施形態について説明
する。図４４は、データ線、走査線、画素電極等が形成
されたＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部分の拡大平面図であ
る。本実施の形態の電気光学装置の基本構成は第１８実
施形態と同様であるが、第１８実施形態の開口部の形状
が孔状であるのに対し、本実施の形態では切り欠き状と
した点のみが異なっている。したがって、図４４におい
て、図３２と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。断面構造も第１８実施形態と同様
になるため、図示を省略する。

【０２０３】第１８実施形態では、開口部３００ａの形
状が孔状であったのに対し、本実施形態では、図４４に
示すように、容量線３００ｘに設けた開口部３００ｂの
形状が容量線３００ｘの下側の縁の一部を切り欠いた形
状となっている。

【０２０４】本実施形態においても、開口部３００ｂを
設けたことでチャネル領域１ａ’の内部に存在する結晶
欠陥を水素化することができるので、リーク電流を低減
することができる、という第１８実施形態と同様の効果
が得られる。その他の効果も第１８実施形態と同様であ
る。

【０２０５】（第２５実施形態）次に、図４５を参照し
て本発明の電気光学装置の第２５実施形態について説明
する。図４５は、データ線、走査線、画素電極等が形成
されたＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部分の拡大平面図であ
る。本実施の形態の電気光学装置の基本構成は第２１実
施形態と同様であるが、第２１実施形態の開口部の形状
が孔状であるのに対し、本実施の形態では切り欠き状と
した点のみが異なっている。したがって、図４５におい
て、図３８と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。断面構造も第２１実施形態と同様
になるため、図示を省略する。

【０２０６】第２１実施形態では、開口部３００ａ、３
０２ａの形状が孔状であったのに対し、本実施形態で
は、図４５に示すように、容量線３００ｘおよび容量電
極３０２にそれぞれ設けた開口部３００ｂ、３０２ｂの
形状が容量線３００ｘおよび容量電極３０２のそれぞれ
の下側の縁の一部を切り欠いた形状となっている。

【０２０７】本実施形態においても、開口部３００ｂ、
３０２ｂを設けたことでチャネル領域１ａ’の内部に存
在する結晶欠陥を水素化することができるので、リーク
電流を低減することができる、という第２１実施形態と
同様の効果が得られる。その他の効果も第２１実施形態
と同様である。

【０２０８】（第２６実施形態）次に、図４６、図４７
を参照して本発明の電気光学装置の第２６実施形態につ
いて説明する。図４６は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図４７は、図４６におけるコンタクトホールによる
各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す
図式的な断面図である。尚、図４７においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を
構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材
毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてあ
る。

【０２０９】本実施形態の電気光学装置の基本構成は第
１８〜第２５実施形態と同様であるが、第１８〜第２５
実施形態では蓄積容量を構成する３層の電極のうち、１
層あるいは２層の電極に開口部を設けたのに対し、本実
施の形態では３層の電極ともに開口部を設けた点のみが
異なる。よって、図４６及び図４７において、図３２及
び図３３（第１８実施形態）と共通の構成要素には同一
の符号を付し、詳細な説明は省略する。

【０２１０】第１８〜第２５実施形態では蓄積容量７０
-4を構成する３層の電極のうち、１層または２層の容量
電極（容量線）に開口部を設けたのに対し、本実施の形
態では３層の容量電極（容量線）全てに開口部を設けて
いる。すなわち、本実施形態では、図４６および図４７
に示すように、最上層の容量線３００ｘ（固定電位側容
量電極）、中間層の容量電極３０２（画素電位側容量電
極）、および最下層の容量線３００ｙ（固定電位側容量
電極）の全てにそれぞれ開口部３００ａ、３０２ａ、３
００ａが設けられている。

【０２１１】本実施の形態の場合、全ての容量電極（容
量線）に開口部を設けているので、容量線３００ｘ、容
量電極３０２、容量線３００ｙに、例えばＴｉ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくと
も一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリ
サイド、これらを積層した多層膜等の水素非透過性の導
電膜を用いることができる。この場合、容量線３００ｘ
を形成した後に水素化処理を支障なく行うことができ
る。

【０２１２】本実施形態においても、開口部３００ａ、
３０２ａ、３００ａを設けたことでチャネル領域１ａ’
の内部に存在する結晶欠陥を水素化することができるの
で、リーク電流を低減することができる、という第１８
〜第２５実施形態と同様の効果が得られる。その他の効
果も第１８〜第２５実施形態と同様である。

【０２１３】（第２７実施形態）次に、図４８及び図４
９を参照して本発明の電気光学装置の第２７実施形態に
ついて説明する。ここに、図４８は、データ線、走査
線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の
平面図であり、図４９は、図４８におけるコンタクトホ
ールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層
状態を示す図式的な断面図である。尚、図４９において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、並びにコンタクトホールによる接続関係及び
蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各
層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異なら
しめてある。また、図４８及び図４９において、図２及
び図４（第１実施形態）と共通の構成要素には同一の符
号を付し、詳細な説明は省略する。

【０２１４】図４８及び図４９に示すように、第２７実
施形態では、第１実施形態と比べて、誘電体膜３０１を
介して容量線３００と容量電極３０２とを対向配置する
のに代えて、第３層間絶縁膜７内（即ち、層間絶縁膜７
ａと層間絶縁膜７ｂとの間）に導電性の内蔵遮光膜７０
０（輪郭を２点鎖線で示す）を容量線として備え、かつ
誘電体膜７０１を介してこの内蔵遮光膜７００と容量電
極７０２とを対向配置することで、蓄積容量７０（図１
参照）の他の一例たる蓄積容量７０-8が構成されてい
る。

【０２１５】この容量電極７０２は、層間絶縁膜７ｂに
開孔されたコンタクトホール７５１を介して、画素電極
９ａに接続されて画素電極電位とされる。また、容量電
極７０２は、層間絶縁膜７ａに開孔されたコンタクトホ
ール７５２及び第１層間絶縁膜３１１に開孔されたコン
タクトホール７５３を介してデータ線６ａと同一膜（例
えば、Ａｌ膜）からなる中継層７０５を中継して、高濃
度ドレイン領域１ｅに接続されている。

【０２１６】更に、各画素の開口領域を規定すると共に
蓄積容量７０-8の容量線としても機能する内蔵遮光膜７
００は、画像表示領域外にまで格子状に延設されて固定
電位に落とされている。内蔵遮光膜７００は、コンタク
トホール７５２の開孔を可能ならしめるべく、コンタク
トホール７５２に対応する個所が若干括れて平面形成さ
れている。

【０２１７】また、容量電極７０２は、走査線３ａに沿
って伸びる部分とデータ線６ａに沿って伸びる部分とが
連結されてなるＬ字状の平面形状を有し、コンタクトホ
ール７５１による画素電極９ａとの接続を良好に行うべ
くコンタクトホール７５１の周囲で若干幅広に形成され
ている。また、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅ
についても、コンタクトホール７５３による中継層７０
５との接続を良好に行うべくコンタクトホール７５３の
周囲で若干幅広に形成されている。

【０２１８】尚、中継層７０５は、平面的に見てコンタ
クトホール７５２及び７５３の開孔位置を夫々含むよう
にＬ字状に形成されており、中継層７０５と同一層から
なるデータ線６ａは、中継層７０５のコンタクトホール
７５３付近における部分を避けるように若干括れて平面
形成されている。その他の構成については第１実施形態
の場合と同様である。

【０２１９】そして本実施の形態の場合、内蔵遮光膜７
００には、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の上方にあ
たる領域に孔状の開口部７００ａが設けられている。さ
らに図４８に示すように、ＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａ’の上方を開口させるために、中継層７０５の一部を
避けるように括れて形成されたデータ線６ａの括れ部
は、さらにＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を避けるよ
うに括れて形成されている。したがって、この最も括れ
た部分でデータ線６ａの抵抗値の増大が生じるのを避け
るために、逆に図中左方向に張り出した張り出し部を設
け、この部分でデータ線６ａが極端に細くならないよう
にしている。

【０２２０】第１〜第２６実施形態においては、全て蓄
積容量の上方にデータ線が配置される構造、すなわち蓄
積容量を形成した後にデータ線を形成する構造であっ
た。それに対して、本実施の形態の場合は、データ線６
ａおよび中継層７０５を形成した後に蓄積容量７０-8を
構成する内蔵遮光膜７００、誘電体膜７０１、容量電極
７０２を形成することになる。したがって、データ線６
ａおよび中継層７０５の構成材料として低融点金属であ
るＡｌ膜などを用いた場合、内蔵遮光膜７００および容
量電極７０２の構成材料としては、スパッタリング法等
で形成し得るＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高
融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合
金、金属シリサイド、ポリサイド等を用いるのがよい。
特に容量電極７０２は、内蔵遮光膜７００のチャネル領
域１ａ’上方の開口部７００ａを遮光するという観点か
らも、遮光性の高いこの種の膜を用いることが望まし
い。なお、誘電体膜７０１については、ＬＴＯ膜等のシ
リコン酸化膜、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜などを用いるのがよい。また、デー
タ線６ａおよび中継層７０５に高融点金属を用いるなら
ば、容量電極の材料としてポリシリコン膜、誘電体膜７
０１の材料としてＨＴＯ膜等のシリコン酸化膜も選択可
能である。

【０２２１】本実施形態によれば、前述した背景技術の
如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いの
で、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレ
イ基板１０上で容量線及び容量電極を走査線３ａやデー
タ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな
蓄積容量が得られる。この効果が得られる上で、誘電体
膜７０１の形成後に水素化処理を行ってもＴＦＴ３０の
チャネル領域１ａ’が充分に水素化されることでＴＦＴ
特性を向上させることができる。また、水素化処理を有
効に行うために内蔵遮光膜７００に開口部７００ａを設
けた構造であっても、容量電極７０２の材料の選択によ
ってその開口部７００ａの領域を容量電極７０２で遮光
できるので、ＴＦＴ３０の光リーク電流も防止できる。

【０２２２】（第２８実施形態）次に、図５０、図５１
を参照して本発明の電気光学装置の第２８実施形態につ
いて説明する。図５０は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図５１は、図５０におけるコンタクトホールによる
各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す
図式的な断面図である。尚、図５１においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を
構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材
毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてあ
る。

【０２２３】本実施形態の電気光学装置の基本構成は第
２７実施形態とほぼ同様であるが、蓄積容量を構成する
容量電極とは別個に内蔵遮光膜を設けた点が異なってい
る。よって、図５０及び図５１において、図４８及び図
４９（第２７実施形態）と共通の構成要素には同一の符
号を付し、詳細な説明は省略する。

【０２２４】本実施の形態の場合、図５０および図５１
に示すように、第２７実施形態と比べて、容量線７０
０’（図５０中２点鎖線で示す）と容量電極７０２’
（図５０中１点鎖線で示す）との上下関係が両者間の誘
電体膜７０１’を中心に逆転している。これに伴い、格
子状の容量線７００’は各画素毎にコンタクトホール７
５１の開孔を可能ならしめるべく、コンタクトホール７
５１に対応する個所が若干括れて平面形成されている。
また、容量電極７０２’は、走査線３ａに沿って伸びる
部分とデータ線６ａに沿って伸びる部分とが連結されて
なるＬ字状の平面形状を有し、コンタクトホール７５１
による画素電極９ａとの接続を良好に行うべくコンタク
トホール７５１の周囲で若干幅広に形成されている。ま
た第２７実施形態では、内蔵遮光膜７００’が容量線と
して機能していたが、本実施の形態では逆に容量線７０
０’は遮光性を持たないものでもよい。その代わりに、
層間絶縁膜７ａ-1と層間絶縁膜７ａ-2との間に上層遮光
膜７００１（図中太線で示す）が別途設けられている。
その他の構成については第２７実施形態の場合と同様で
ある。

【０２２５】そして本実施の形態の場合、上層遮光膜７
００１には、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の上方に
あたる領域に孔状の開口部７００１ａが設けられてい
る。また、容量電極７０２’にも、ＴＦＴ３０のチャネ
ル領域１ａ’の上方にあたる領域に切り欠き状の開口部
７０２ｂ’が設けられている。さらに図５０に示すよう
に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の上方を開口させ
るために、中継層７０５の一部を避けるように括れて形
成されたデータ線６ａの括れ部は、さらにＴＦＴ３０の
チャネル領域１ａ’を避けるように括れて形成されてい
る。したがって、この最も括れた部分でデータ線６ａの
抵抗値の増大が生じるのを避けるために、逆に図中左方
向に張り出した張り出し部を設け、この部分でデータ線
６ａが極端に細くならないようにしている。

【０２２６】本実施形態においても、ＴＦＴアレイ基板
１０上で容量線及び容量電極を走査線３ａやデータ線６
ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容
量が得られる上で、誘電体膜７０１’の形成後に水素化
処理を行ってもＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’が充分
に水素化されることでＴＦＴ特性を向上させることがで
きる、といった第２７実施形態と同様の効果を奏するこ
とができる。

【０２２７】（第２９実施形態）次に、図５２、図５３
を参照して本発明の電気光学装置の第２９実施形態につ
いて説明する。図５２は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図５３は、図５２におけるコンタクトホールによる
各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す
図式的な断面図である。尚、図５３においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を
構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材
毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてあ
る。

【０２２８】本実施形態の電気光学装置の基本構成は第
１実施形態とほぼ同様であるが、容量電極に加えて、固
定電位となる容量線も島状に形成した点が異なってい
る。よって、図５２及び図５３において、図２及び図４
（第１実施形態）と共通の構成要素には同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。

【０２２９】本実施の形態の場合、図５２および図５３
に示すように、第１実施形態と異なり、データ線６ａと
ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとの間の接続を中継
する中継層３０３が設けられておらず、データ線６ａが
層間絶縁膜３１１、層間絶縁膜３１２を貫通するコンタ
クトホール８６を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域
１ｄに直接接続されている。

【０２３０】蓄積容量７０-5については、第１実施形態
と同様、誘電体膜３０１”を介して上層側に容量線３０
０”が、下層側に容量電極３０２”が形成されている
が、第１実施形態のように容量線３００”が走査線３ａ
に沿って長く延びておらず、各画素毎に島状に形成され
ている（本実施形態の説明では、形状にかかわらず「容
量線」と呼ぶ）。したがって、各容量線３００を固定電
位に落とすために、本実施形態では、画像表示領域から
その周囲に延設されて定電位源に接続されることにより
固定電位とされた下層遮光膜１１ａが設けられ、容量線
３００”が各画素毎に層間絶縁膜３１１および下地絶縁
膜１２に形成されたコンタクトホール８７を介して下層
遮光膜１１ａに接続されている。

【０２３１】そして、本実施の形態の場合、図５２に示
すように、ともに略Ｌ字状に形成された容量線３００”
および容量電極３０２”の角部を、ＴＦＴ３０のチャネ
ル領域１ａ’を避けるように括れた形状としたことによ
り、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’の上方に開口部が
形成されている。なお、容量線３００”および容量電極
３０２”の構成材料としては、これら２層の電極にとも
に開口部を設けた第１２実施形態などと同様のものを用
いることができる。

【０２３２】したがって、本実施形態によれば、ＴＦＴ
アレイ基板１０上で容量線３００”及び容量電極３０
２”を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成
することにより大きな蓄積容量が得られる上、容量線３
００”の形成後に水素化処理を行ってもＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ’が充分に水素化されることでＴＦＴ特
性を向上させることができる、といった上記実施形態と
同様の効果を奏することができる。

【０２３３】また特に本実施形態の場合、容量線３０
０”を各画素毎にコンタクトホール８７を介して下層遮
光膜１１ａに接続したことにより、容量線３００”がよ
り安定して固定電位に固定される、という効果がある。

【０２３４】（第３０実施形態）以上説明した第１〜第
２９実施形態は、半導体層のチャネル領域の上側にゲー
ト電極（走査線）が配置されたトップゲート型のＴＦＴ
を画素スイッチング用のＴＦＴとして備えたものである
が、以下に説明する第３０、第３１実施形態は、半導体
層のチャネル領域の下側にゲート電極（走査線）が配置
されたボトムゲート型のＴＦＴを画素スイッチング用の
ＴＦＴとして備えたものである。

【０２３５】次に、図５４及び図５５を参照して本発明
の電気光学装置の第３０実施形態について説明する。こ
こに、図５４は、データ線、走査線、画素電極等が形成
されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図５５
は、図５４におけるコンタクトホールによる各層の接続
関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断
面図である。尚、図５５においては、各層や各部材を図
面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタ
クトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層
状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び
相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図５
４及び図５５において、図２及び図４（第１実施形態）
と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。

【０２３６】図５４及び図５５に示すように、本実施形
態では、ボトムゲート型の画素スイッチング用ＴＦＴ３
０’の上方に、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例た
る蓄積容量７０-6が構築されている。より具体的には、
ＴＦＴアレイ基板１０上で、走査線３ａ’からデータ線
６ａ’に沿って図５４で上側に角状に突出したゲート電
極部分上に、ゲート絶縁膜２’を介して半導体層２１０
ａが積層されている。このゲート電極部分に対向する半
導体層２１０ａの部分がチャネル領域とされている。半
導体層２１０ａ上には、ソース電極２０４ａ及びドレイ
ン電極２０４ｂが、データ線６ａ’と同一膜（例えばＡ
ｌ膜）から形成されている。ソース電極２０４ａ及びド
レイン電極２０４ｂと半導体層２１０ａとの間には夫
々、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ
（アモルファスシリコン）層からなる接合層２０５ａ及
び２０５ｂが積層されており、チャネル領域の中央部に
おける半導体層２１０ａ上には、チャネルを保護するた
めの絶縁性のエッチストップ膜２０８が形成されてい
る。ドレイン電極２０４ｂの端部上には、層間絶縁膜２
１２を介して島状の容量電極２０２（画素電位側容量電
極、図５４中１点鎖線で示す）が積層されており、更に
容量電極２０２上には、誘電体膜２０１を介して容量線
２００（固定電位側容量電極）が積層されている。そし
て、容量線２００は、画像表示領域内をストライプ状に
伸びて画像表示領域外まで延設されて、固定電位に落と
されている。

【０２３７】蓄積容量７０-6の上方に画素電極２０９
ａ’が配置されており、容量線２００と画素電極２０９
ａ’との間には層間絶縁膜２１６が積層されている。層
間絶縁膜２１６に開孔されたコンタクトホール２１７を
介して、画素電極２０９ａ’と容量電極２０２とが接続
されて、容量電極２０２は、画素電極電位とされてい
る。尚、各画素毎に幅広部分を持つ（即ち、図５４中上
側に櫛歯を有する）ストライプ状の容量線２００は、図
５４に示したように平面的に見て、コンタクトホール２
１７を避ける分だけ当該幅広部分が若干小さくされてお
り、島状の容量電極２０２は、コンタクトホール２１７
で接続可能なように、その幅広部分がコンタクトホール
２１７付近で容量線２００よりも若干大きくされてい
る。

【０２３８】そして本実施の形態の場合、容量電極２０
２には、ＴＦＴ３０’のチャネル領域の上方にあたる領
域に孔状の開口部２０２ａが設けられている。

【０２３９】したがって、本実施形態によれば、ＴＦＴ
アレイ基板１０上で容量線２００及び容量電極２０２を
走査線３ａ’やデータ線６ａ’に立体的に重ねて形成す
ることにより大きな蓄積容量が得られる上、誘電体膜２
０１の形成後に水素化処理を行ってもＴＦＴ３０’のチ
ャネル領域が充分に水素化されることでＴＦＴ特性を向
上させることができる、といった上記実施形態と同様の
効果を奏することができる。

【０２４０】（第３１実施形態）次に、図５６及び図５
７を参照して本発明の電気光学装置の第３１実施形態に
ついて説明する。ここに、図５６は、データ線、走査
線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の
平面図であり、図５７は、図５６におけるコンタクトホ
ールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層
状態を示す図式的な断面図である。尚、図５７において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、並びにコンタクトホールによる接続関係及び
蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各
層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異なら
しめてある。また、図５６及び図５７において、図５４
及び図５５（第３０実施形態）と共通の構成要素には同
一の符号を付し、その説明は省略する。

【０２４１】図５６及び図５７に示すように、本実施形
態では、第３０実施形態と比べて、蓄積容量７０（図１
参照）の他の一例たる蓄積容量７０-7は、上側の導電膜
から島状の容量電極２０２’（画素電位側容量電極、図
５６中１点鎖線で示す）が構成され、下側の導電膜から
ストライプ状の容量線２００’（固定電位側容量電極、
図５６中破線で示す）が構成されている。そして、画素
電極２０９ａ’と容量電極２０２’とは、層間絶縁膜２
１６に開孔されたコンタクトホール２１７’を介して接
続されて、容量電極２０２’は画素電極電位とされる。
また、容量電極２０２’は、層間絶縁膜２１２に開孔さ
れたコンタクトホール２１３’を介してＴＦＴ３０’の
ドレイン電極２０４ｂに接続されている。

【０２４２】尚、図５６に示すように、容量線２００’
は、ソース電極２０４ａ、走査線３ａ’から突出したゲ
ート電極及びドレイン電極２０４ｂを覆うのみならず、
データ線６ａ’を覆うように各画素毎に図５６中上側に
大きく幅広に或いは突出して（即ち、上側に大きな櫛歯
を有するストライプ状に）形成されている。これに対応
して、島状の容量電極２０２’は夫々、図５６中上側に
大きく幅広に或いは突出して（即ち、隅が膨れたＬ字形
状に）形成されている。その他の構成については、第３
０実施形態の場合と同様である。

【０２４３】そして本実施の形態の場合、容量線２０
０’には、ＴＦＴ３０’のチャネル領域の上方にあたる
領域に孔状の開口部２００ａ’が設けられている。

【０２４４】したがって、本実施形態によれば、ＴＦＴ
アレイ基板１０上で容量線２００’及び容量電極２０
２’を走査線３ａ’やデータ線６ａ’に立体的に重ねて
形成することにより大きな蓄積容量が得られる上、誘電
体膜２０１の形成後に水素化処理を行ってもＴＦＴ３
０’のチャネル領域が充分に水素化されることでＴＦＴ
特性を向上させることができる、といった上記実施形態
と同様の効果を奏することができる。

【０２４５】さらに本実施形態では、ＴＦＴ３０’、走
査線３ａ’及びデータ線６ａ’と画素電極電位とされる
容量電極２０２’との間には、固定電位とされる容量線
２００’が介在しているので、容量電極２０２’におけ
る電位変動が、容量カップリングによりＴＦＴ３０’或
いは走査線３ａ’やデータ線６ａ’に悪影響を及ぼすこ
と、或いは走査線３ａ’やデータ線６ａ’における電位
変動が容量カップリングにより容量電極２０２’（更に
は画素電極２０９ａ’）に悪影響を及ぼすことはないの
で有利である。そして、このように構成すれば、容量カ
ップリング低減のために、第１層間絶縁膜２１２を厚く
しなくても済む。

【０２４６】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図５８及び図５９を参照して説明する。尚、図５８
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図
５９は、図５８のＨ−Ｈ’断面図である。

【０２４７】図５８において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を
規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シ
ール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号
を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを
駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子
１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられ
ており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給
することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１
０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられてい
る。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題になら
ないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良
いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０
１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列しても
よい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像
表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０
４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられてい
る。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇
所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０と
の間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けら
れている。

【０２４８】そして、図５９に示すように、図５８に示
したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が
当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着さ
れている。

【０２４９】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０２５０】以上、図１から図５９を参照して説明した
各実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆
動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わ
りに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上
に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の
周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的
及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基
板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０
の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、
ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer
Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、
ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモード
の別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板
などが所定の方向で配置される。

【０２５１】以上説明した各実施形態における電気光学
装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光
学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、
各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイッ
クミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになる。従って、各実施形態では、対
向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。し
かしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電
極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタを
その保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。
このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型
のカラー電気光学装置について、各実施形態における電
気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画
素に１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよ
い。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向
する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィル
タ層を形成することも可能である。このようにすれば、
入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装
置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層も
の屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉
を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィル
タを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き
対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実
現できる。

【０２５２】（電子機器の例）図６０は、上記実施形態
の電気光学装置である液晶装置を光変調装置として用い
た投射型液晶表示装置の要部を示す概略構成図である。
図６０において、６１０は光源、６１３、６１４はダイ
クロイックミラー、６１５、６１６、６１７は反射ミラ
ー、６１８は入射レンズ、６１９はリレーレンズ、６２
０は出射レンズ、６２２、６２３、６２４は液晶光変調
装置、６２５はクロスダイクロイックプリズム、６２６
は投射レンズを示す。光源６１０はメタルハライド等の
ランプ６１１とランプの光を反射するリフレクタ６１２
とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラ
ー６１３は、光源６１０からの光束のうちの赤色光を透
過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過
した赤色光は反射ミラー６１７で反射されて、赤色光用
液晶光変調装置６２２に入射される。一方、ダイクロイ
ックミラー６１３で反射された色光のうち緑色光は緑色
光反射のダイクロイックミラー６１４によって反射さ
れ、緑色光用液晶光変調装置６２３に入射される。一
方、青色光は第２のダイクロイックミラー６１４も透過
する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐ
ため、入射レンズ６１８、リレーレンズ６１９、出射レ
ンズ６２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段６２
１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶光変
調装置６２４に入射される。各光変調装置により変調さ
れた３つの色光はクロスダイクロイックプリズム６２５
に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り
合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青
光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されてい
る。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成さ
れて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光
は、投射光学系である投射レンズ６２６によってスクリ
ーン６２７上に投射され、画像が拡大されて表示され
る。

【０２５３】上記実施形態の電気光学装置である液晶装
置を備えた電子機器の他の例について説明する。図６１
は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６１にお
いて、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００
１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示してい
る。

【０２５４】図６２は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図６２において、符号１１００は時計
本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用い
た液晶表示部を示している。

【０２５５】図６３は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６３に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶
表示部を示している。

【０２５６】図６０〜図６３に示す電子機器は、上記実
施の形態の電気光学装置を用いた液晶表示部を備えてい
るので、画質に優れた画面を有する電子機器を実現する
ことができる。

【０２５７】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本
発明の技術的範囲に含まれるものである。例えば上記実
施形態では、ＴＦＴがトップゲート型かボトムゲート型
か、容量線と容量電極の上下の位置関係、一方の容量電
極を２層にして他方を挟む構成とするか否か、いずれの
膜に開口部を設けるか、開口部の形状を孔状とするか切
り欠き状とするか、といった要因で多数の実施形態を例
示したが、上で例示した以外の各要因の組み合わせを採
用しても勿論良い。また、開口部の形状や数等に関して
も適宜設計変更が可能である。

【０２５８】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ＴＦＴの上方に例えば遮光膜、蓄積容量等を構成
する種々の導電膜が存在したとしても、シリコン膜の水
素化処理を支障なく行うことができ、ＴＦＴの特性改善
を図ることができる。その結果、高画質の表示が可能な
電気光学装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態の電気光学装置におけ
る画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に
設けられた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】 同、電気光学装置におけるデータ線、走査
線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接
する複数の画素群の平面図である。

【図３】 同、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部分を示す拡
大平面図である。

【図４】 図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図５】 同、電気光学装置の他の例を示す図２のＡ−
Ａ’断面図である。

【図６】 第２実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の画素の平面図である。

【図７】 第３実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の画素の平面図である。

【図８】 第４実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の画素の平面図である。

【図９】 第５実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の画素の平面図である。

【図１０】 第６実施形態の電気光学装置におけるデー
タ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基
板の隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１１】 同、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部分を示す
拡大平面図である。

【図１２】 図１０のＡ−Ａ’断面図である。

【図１３】 第７実施形態の電気光学装置におけるデー
タ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基
板の画素の平面図である。

【図１４】 第８実施形態の電気光学装置におけるデー
タ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基
板の画素の平面図である。

【図１５】 第９実施形態の電気光学装置におけるデー
タ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基
板の画素の平面図である。

【図１６】 第１０実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１７】 図１６のＡ−Ａ’断面図である。

【図１８】 第１１実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１９】 図１８のＡ−Ａ’断面図である。

【図２０】 第１２実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図２１】 図２０のＡ−Ａ’断面図である。

【図２２】 第１３実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図２３】 図２２のＡ−Ａ’断面図である。

【図２４】 第１４実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図２５】 図２４におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図２６】 第１５実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図２７】 図２６におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図２８】 第１６実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図２９】 図２８におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図３０】 第１７実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図３１】 図３０におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図３２】 第１８実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図３３】 図３２におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図３４】 第１９実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図３５】 図３４におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図３６】 第２０実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図３７】 図３６におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図３８】 第２１実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図３９】 図３８におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図４０】 第２２実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図４１】 図４０におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図４２】 第２３実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図４３】 図４２におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図４４】 第２４実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図４５】 第２５実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図４６】 第２６実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図４７】 図４６におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図４８】 第２７実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図４９】 図４８におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図５０】 第２８実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図５１】 図５０におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図５２】 第２９実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図５３】 図５２におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図５４】 第３０実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図５５】 図５４におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図５６】 第３１実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の画素の平面図である。

【図５７】 図５６におけるコンタクトホールによる各
層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図
式的な断面図である。

【図５８】 各実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴ
アレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向
基板の側から見た平面図である。

【図５９】 図５８のＨ−Ｈ’断面図である。

【図６０】 上記実施形態の電気光学装置を用いた電子
機器の例を示す模式図である。

【図６１】 同、電気光学装置を用いた電子機器の他の
例を示す模式図である。

【図６２】 同、電気光学装置を用いた電子機器の他の
例を示す模式図である。

【図６３】 同、電気光学装置を用いた電子機器の他の
例を示す模式図である。

【図６４】 第１実施形態の電気光学装置を構成するＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための工程断面図
である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ，２０９ａ’…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下層遮光膜 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０，３０’…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ７０-1〜７０-9…蓄積容量 ８１、８２、８３、８４、８６、８７、３２１、７５
１、７５２、７５３…コンタクトホール ２００、３００、３００’、３００”、３００ｘ、３０
０ｙ…容量線（固定電位側容量電極） ２０１、３０１、３０１ａ、３０１ｂ、３０１’、３０
１”…誘電体膜 ２０２、３０２、３０２’、３０２”、７０２、７０
２’…容量電極（画素電位側容量電極） ３００ａ，３００ａ’，３００ｂ，３００ｂ’，３０２
ａ，３０２ｂ，７００ａ，７０２ｂ’，７００１ａ…開
口部 ７００、７００’、７００１…内蔵遮光膜

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Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に電気光学材料が挟持され
   てなる電気光学装置の前記一対の基板のうちの一方の基
   板を構成し、マトリクス状に形成された複数の走査線お
   よび複数のデータ線と、前記走査線とデータ線とに接続
   された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続
   された画素電極とを有する電気光学装置用素子基板であ
   って、 前記薄膜トランジスタの上方に積層された導電膜のう
   ち、少なくともいずれか１層の導電膜に、前記薄膜トラ
   ンジスタの少なくともチャネル領域の一部の上方にあた
   る領域が開口した開口部が設けられたことを特徴とする
   電気光学装置用素子基板。
2. 【請求項２】 前記開口部の上方に、遮光性を有する膜
   が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の電気光
   学装置用素子基板。
3. 【請求項３】 前記遮光性を有する膜が、前記データ線
   を構成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学
   装置用素子基板。
4. 【請求項４】 前記画素電極に電気的に接続され画素電
   極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介し
   て前記画素電位側容量電極と対向配置され固定電位とさ
   れる固定電位側容量電極とを有してなる蓄積容量が前記
   走査線の上方に積層され、前記画素電位側容量電極と前
   記固定電位側容量電極の少なくともいずれか一方の電極
   に前記開口部が設けられたことを特徴とする請求項１な
   いし３のいずれか一項に記載の電気光学装置用素子基
   板。
5. 【請求項５】 前記画素電位側容量電極と前記固定電位
   側容量電極のうち、上側に位置する電極に前記開口部が
   設けられたことを特徴とする請求項４に記載の電気光学
   装置用素子基板。
6. 【請求項６】 前記画素電位側容量電極と前記固定電位
   側容量電極のうち、下側に位置する電極に前記開口部が
   設けられたことを特徴とする請求項４に記載の電気光学
   装置用素子基板。
7. 【請求項７】 前記画素電位側容量電極と前記固定電位
   側容量電極の双方に前記開口部が設けられたことを特徴
   とする請求項４に記載の電気光学装置用素子基板。
8. 【請求項８】 前記固定電位側容量電極が、当該素子基
   板の断面構造において前記走査線と前記画素電位側容量
   電極との間に積層されていることを特徴とする請求項４
   ないし７のいずれか一項に記載の電気光学装置用素子基
   板。
9. 【請求項９】 前記固定電位側容量電極が、当該素子基
   板の断面構造において前記データ線と前記画素電位側容
   量電極との間に積層されていることを特徴とする請求項
   ４ないし７のいずれか一項に記載の電気光学装置用素子
   基板。
10. 【請求項１０】 前記画素電位側容量電極と前記固定電
    位側容量電極の一方は、他方を上下から挟持する一対の
    電極からなり、合わせて３層の電極のうちの少なくとも
    いずれか１層の電極に前記開口部が設けられたことを特
    徴とする請求項４に記載の電気光学装置用素子基板。
11. 【請求項１１】 前記固定電位側容量電極が、前記画素
    電位側容量電極を上下から挟持する一対の電極からなる
    ことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置用素
    子基板。
12. 【請求項１２】 前記画素電位側容量電極と前記固定電
    位側容量電極とが、ともに島状の導電膜で構成されると
    ともに、前記薄膜トランジスタの下層に位置し前記少な
    くともチャネル領域を前記基板側から見て覆う導電性の
    下層遮光膜が設けられ、前記固定電位側容量電極が前記
    下層遮光膜と電気的に接続されたことを特徴とする請求
    項４ないし１１のいずれか一項に記載の電気光学装置用
    素子基板。
13. 【請求項１３】 前記画素電極に電気的に接続され画素
    電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介
    して前記画素電位側容量電極と対向配置され固定電位と
    される固定電位側容量電極とを有してなる蓄積容量が前
    記データ線の上方に積層され、前記画素電位側容量電極
    と前記固定電位側容量電極の少なくともいずれか一方の
    電極に前記開口部が設けられたことを特徴とする請求項
    １ないし３のいずれか一項に記載の電気光学装置用素子
    基板。
14. 【請求項１４】 前記画素電位側容量電極が、前記薄膜
    トランジスタと前記画素電極間に介在する島状の導電膜
    で構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の電気
    光学装置用素子基板。
15. 【請求項１５】 前記薄膜トランジスタの上方に位置す
    る上層遮光膜が設けられ、該上層遮光膜に前記開口部が
    設けられたことを特徴とする請求項１ないし１４のいず
    れか一項に記載の電気光学装置用素子基板。
16. 【請求項１６】 前記開口部は、前記導電膜に形成され
    た孔であることを特徴とする請求項１ないし１５のいず
    れか一項に記載の電気光学装置用素子基板。
17. 【請求項１７】 前記開口部は、前記導電膜に形成され
    た切り欠きであることを特徴とする請求項１ないし１５
    のいずれか一項に記載の電気光学装置用素子基板。
18. 【請求項１８】 前記薄膜トランジスタが、前記チャネ
    ル領域とソース領域の間および前記チャネル領域とドレ
    イン領域の間にそれぞれ低濃度不純物拡散領域が設けら
    れたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタであることを特徴と
    する請求項１ないし１７のいずれか一項に記載の電気光
    学装置用素子基板。
19. 【請求項１９】 前記開口部のチャネル長方向の縁が、
    前記チャネル領域と前記低濃度不純物拡散領域との境界
    よりも外側に位置していることを特徴とする請求項１８
    に記載の電気光学装置用素子基板。
20. 【請求項２０】 前記開口部のチャネル長方向の縁が、
    前記低濃度不純物拡散領域よりも外側に位置しているこ
    とを特徴とする請求項１８に記載の電気光学装置用素子
    基板。
21. 【請求項２１】 前記開口部のチャネル長方向の縁が、
    前記ソース領域またはドレイン領域よりも外側に位置し
    ていることを特徴とする請求項１８に記載の電気光学装
    置用素子基板。
22. 【請求項２２】 前記開口部のチャネル幅方向の縁が、
    前記チャネル領域の縁よりも外側に位置していることを
    特徴とする請求項１８ないし２１のいずれかに記載の電
    気光学装置用素子基板。
23. 【請求項２３】 請求項１ないし２２のいずれか一項に
    記載の電気光学装置用素子基板と対向基板とを対向配置
    し、これら基板間に電気光学材料が挟持されてなること
    を特徴とする電気光学装置。
24. 【請求項２４】 前記対向基板上の前記薄膜トランジス
    タの上方にあたる領域に、遮光膜が設けられたことを特
    徴とする請求項２３に記載の電気光学装置。
25. 【請求項２５】 一対の基板間に電気光学材料が挟持さ
    れてなる電気光学装置の前記一対の基板のうちの一方の
    基板を構成し、マトリクス状に形成された複数の走査線
    および複数のデータ線と、前記走査線とデータ線とに接
    続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接
    続された画素電極とを有する電気光学装置用素子基板の
    製造方法であって、 基板上に前記薄膜トランジスタおよび前記走査線を形成
    する工程と、前記薄膜トランジスタの上方に、前記画素
    電極に電気的に接続され画素電極電位とされる画素電位
    側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電
    極と対向配置され固定電位とされる固定電位側容量電極
    とを有してなり、前記画素電位側容量電極と前記固定電
    位側容量電極の少なくともいずれか一方の電極に、前記
    薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域の一部の上
    方にあたる領域が開口した開口部を設けた蓄積容量を絶
    縁膜を介して形成する工程と、前記薄膜トランジスタの
    少なくともチャネル領域の水素化処理を行う工程とを有
    することを特徴とする電気光学装置用素子基板の製造方
    法。
26. 【請求項２６】 前記水素化処理を行った後、前記開口
    部の上方を覆うように遮光性を有する膜からなる前記デ
    ータ線を形成することを特徴とする請求項２５に記載の
    電気光学装置用素子基板の製造方法。
27. 【請求項２７】 前記画素電位側容量電極と前記固定電
    位側容量電極のうち、前記開口部が設けられていない側
    の電極を水素透過性を有する膜で形成し、前記開口部が
    設けられた側の電極を水素透過性を有さない膜で形成す
    ることを特徴とする請求項２５または２６に記載の電気
    光学装置用素子基板の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記水素透過性を有する膜として多結
    晶シリコン膜を用いることを特徴とする請求項２７に記
    載の電気光学装置用素子基板の製造方法。
29. 【請求項２９】 前記水素透過性を有さない膜として金
    属膜、または金属シリサイド膜、またはポリサイド膜を
    用いることを特徴とする請求項２７に記載の電気光学装
    置用素子基板の製造方法。
30. 【請求項３０】 前記画素電位側容量電極と前記固定電
    位側容量電極のうち、前記開口部が設けられていない側
    の電極を水素透過性を有さない膜で形成するとともに、
    該膜を形成する前に前記水素化処理を行うことを特徴と
    する請求項２７に記載の電気光学装置用素子基板の製造
    方法。
31. 【請求項３１】 請求項２５ないし３０に記載の電気光
    学装置用素子基板の製造方法を用いて電気光学装置用素
    子基板を製造する工程と、該電気光学装置用素子基板と
    対向基板とを所定の間隔をあけて貼り合わる工程と、こ
    れら電気光学装置用素子基板と対向基板との間に電気光
    学材料を挟持させる工程と、を有することを特徴とする
    電気光学装置の製造方法。
32. 【請求項３２】 請求項２３または２４に記載の電気光
    学装置を備えたことを特徴とする電子機器。