JP2002080961A - Vacuum deposition system and vacuum deposition process - Google Patents
Vacuum deposition system and vacuum deposition processInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に有機エレク
トロルミネッセンス材料の被膜を蒸着して成膜するため
等に用いられる真空蒸着装置及び真空蒸着方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum evaporation apparatus and a vacuum evaporation method used for evaporating a film of an organic electroluminescent material on a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空蒸着装置は、真空チャンバー内に蒸
着源と基板とを対向させて配置し、真空チャンバー内を
減圧した状態で、蒸着源を加熱して、蒸着源を溶融させ
て蒸発させるか、もしくは蒸発源を昇華させるかして、
気化させ、この気化させた物質を基板の表面に堆積させ
て成膜するようにしたものである。蒸着源の加熱方法
は、蒸着源に電子を加速して照射する電子ビーム法や、
タングステンやモリブデンなどの高融点金属からなるボ
ートを抵抗体として電流を流して、ボートの上に置いた
蒸着源を加熱する抵抗加熱法などがある。そして加熱さ
れて蒸着源から発生する気化分子は蒸着源から法線方向
に直進的に放出されるが、放出空間は真空に保たれてい
るため、気化分子の平均自由行程は数十ｍにも及び、気
化分子は直進して、蒸着源と対向して配置される基板の
上に付着して堆積されるものである。2. Description of the Related Art In a vacuum evaporation apparatus, an evaporation source and a substrate are arranged in a vacuum chamber so as to face each other, and while the inside of the vacuum chamber is depressurized, the evaporation source is heated to melt and evaporate the evaporation source. Or sublimate the evaporation source,
The vaporized material is deposited on the surface of the substrate to form a film. The heating method of the evaporation source is an electron beam method that accelerates and irradiates electrons to the evaporation source,
There is a resistance heating method in which a boat made of a metal having a high melting point such as tungsten or molybdenum is used as a resistor to supply a current to heat an evaporation source placed on the boat. Then, the vaporized molecules generated from the evaporation source by heating are emitted straight from the evaporation source in the normal direction, but since the emission space is kept in a vacuum, the mean free path of the vaporized molecules is several tens of meters. In addition, the vaporized molecules travel straight and adhere to and are deposited on a substrate disposed to face the evaporation source.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このように気化分子は
蒸着源２から法線方向に直進的に放出されるので、図１
４に矢印で示すように、気化分子は四方八方へ飛散する
方向に直進することになるが、基板３の表面が平面状の
ものであると、蒸着源２からの距離が基板３の中央部と
端部とではｄ1，ｄ2のように異なるので、基板３の中央
部と端部とでは蒸着物質の堆積量が異なり、基板３に成
膜される膜厚が不均一になり易いという問題があった。As described above, since the vaporized molecules are emitted straight from the vapor deposition source 2 in the normal direction, as shown in FIG.
As shown by arrows in FIG. 4, the vaporized molecules go straight in the direction of scattering in all directions, but if the surface of the substrate 3 is flat, the distance from the evaporation source 2 is reduced to the center of the substrate 3. and because in the end differ as d 1, d 2, different deposition amount of deposition material at the center and the ends of the substrate 3, the film thickness to be deposited on the substrate 3 is that it is easy to become uneven There was a problem.
【０００４】またこのように蒸発源２から気化分子が飛
散する方向に直進するために、基板３へ向かって進行し
ない気化分子が多く、この気化分子は基板３の表面に付
着せず成膜に寄与しないので、無効材料となる。従って
蒸発源２の材料利用効率が低い、つまり歩留まりが低い
という問題や、基板３の表面の成膜速度が遅くなるとい
う問題もあった。[0004] Further, since the vaporized molecules travel straight in the direction in which the vaporized molecules are scattered from the evaporation source 2, many vaporized molecules do not proceed toward the substrate 3. Since it does not contribute, it becomes an ineffective material. Therefore, there is a problem that the material utilization efficiency of the evaporation source 2 is low, that is, the yield is low, and a problem that the film forming speed on the surface of the substrate 3 is reduced.
【０００５】そしてこの基板３に付着されない気化分子
は、真空チャンバーの内壁に到達して付着・堆積される
ことになるが、同じ真空チャンバーを用いて異なる材料
に切り換えて真空蒸着を行なう場合、材料を切り換えて
真空蒸着をする際に、真空チャンバーの内壁に堆積して
いる前の材料が再度加熱されて気化し、これが真空蒸着
で形成される蒸着膜に混入して汚染し、成膜の純度が低
下するという問題も引き起こすものであった。[0005] The vaporized molecules that are not attached to the substrate 3 reach the inner wall of the vacuum chamber and are attached and deposited. However, when vacuum evaporation is performed by switching to a different material using the same vacuum chamber, When performing vacuum deposition by switching the vacuum evaporation, the material before being deposited on the inner wall of the vacuum chamber is heated again and vaporized, and this is mixed into the deposited film formed by the vacuum deposition and contaminated, and the purity of the film is formed. This also causes a problem of a decrease.
【０００６】さらにこのように真空チャンバーの内壁に
材料が堆積されていると、真空チャンバーを大気に開放
した際に空気中の水分やガスがこの堆積された材料に吸
蔵され、真空チャンバー内を真空に維持することがこの
吸蔵された水分やガスが阻害因子となって困難になり、
またこの真空チャンバーの内壁に堆積された材料がフレ
ーク状の細片になって剥がれ、基板３やボート等のルツ
ボを汚染する原因になるという問題も発生するおそれが
あった。Further, when the material is deposited on the inner wall of the vacuum chamber as described above, when the vacuum chamber is opened to the atmosphere, moisture and gas in the air are absorbed by the deposited material, and the vacuum chamber is evacuated. It becomes difficult to maintain this absorbed moisture or gas as an inhibitory factor,
In addition, there is a possibility that the material deposited on the inner wall of the vacuum chamber may be peeled off as flake-like strips, which may cause a problem of contaminating the substrate 3 and a crucible such as a boat.
【０００７】ここで、有機エレクトロルミネッセンス材
料のような有機材料は真空蒸着の際の加熱温度が低いの
で、基板３に付着されない気化分子は真空チャンバーの
内壁に付着して堆積され易く、またこの真空チャンバー
の内壁に堆積したものは気化し易いので、上記のような
基板３に付着されない気化分子が真空チャンバーの内壁
に堆積することによる問題が顕著に発生するおそれがあ
る。Here, since organic materials such as organic electroluminescent materials have a low heating temperature during vacuum deposition, vaporized molecules that do not adhere to the substrate 3 tend to adhere to the inner wall of the vacuum chamber and be deposited. Since the substance deposited on the inner wall of the chamber is easily vaporized, there is a possibility that the above-mentioned problem caused by the deposition of the vaporized molecules that do not adhere to the substrate 3 on the inner wall of the vacuum chamber may occur remarkably.
【０００８】また、有機薄膜素子は基板上に有機薄膜を
順次積層堆積させて個々の機能を付加するものとして形
成されており、特に有機エレクトロルミネッセンス素子
は、基板上の透明電極の上に順次有機薄膜を積層してい
く積層構造になっているのが一般的であり、複数の有機
材料を順次真空蒸着することによってこのような積層構
造が作製されている。そしてこの真空蒸着の際に、有機
材料のホスト材料に蛍光を有する発光材料を少量ドープ
する方法が、ＫｏｄａｋのＴａｎｇらにより発表されて
以来一般に採用されている。例えば緑色素子形成におい
てＡｌｑ３層をホスト材料にキナクリドンを同時に蒸着
する共蒸着を行なってドープすることがよく知られてい
る。さらに、高効率有機ＥＬ素子を形成するため、陽極
からのホール注入効率を高めるためにホール輸送性の有
機物とドーパントである電子受容性の化合物を共蒸着す
ることや、電子輸送性の有機物とドーパントであるＬｉ
などの電子供与性の金属を共蒸着して電子注入層を形成
することなども知られている。An organic thin film element is formed by sequentially depositing and depositing an organic thin film on a substrate to add an individual function. In particular, an organic electroluminescent element is formed by sequentially depositing an organic thin film on a transparent electrode on the substrate. In general, a laminated structure is formed by laminating thin films, and such a laminated structure is manufactured by sequentially vacuum-evaporating a plurality of organic materials. In this vacuum deposition, a method of doping a small amount of a luminescent material having fluorescence into an organic host material has been generally adopted since it was announced by Tang et al. Of Kodak. For example, it is well known that in forming a green element, co-evaporation is performed by simultaneously depositing quinacridone on an Alq3 layer as a host material to dope. Furthermore, in order to form a high-efficiency organic EL element, a hole-transporting organic substance and an electron-accepting compound as a dopant are co-deposited in order to increase the efficiency of hole injection from the anode. Li
It is also known to form an electron injection layer by co-evaporating an electron donating metal such as the above.
【０００９】これらのように有機材料を真空蒸着する成
膜方法においては、一つの真空チャンバー内に二つ以上
の蒸発源を設置して、真空蒸着をすることが一般に行な
われているが、このように共蒸着する場合、ドープ材料
の濃度は膜の性質を決定する大きな要因である。つま
り、有機材料の場合は蒸発温度が低く、２元蒸着を行な
う場合も二つの蒸着源の蒸発温度が接近している場合が
多く、どちらか一方の有機材料が真空チャンバーの壁な
どに付着している場合に、加熱によってそれらが再蒸発
すると、成膜された膜内のドーピング濃度に影響を及ぼ
すことになる。従って、このような場合にも、既述した
ような、基板に付着されない気化分子が真空チャンバー
の内壁に堆積することによる問題が顕著に発生するおそ
れがあるのである。In such a film forming method of vacuum-depositing an organic material, it is common practice to perform vacuum deposition by installing two or more evaporation sources in one vacuum chamber. In such co-evaporation, the concentration of the doping material is a major factor in determining the properties of the film. That is, in the case of organic materials, the evaporation temperature is low, and in the case of performing binary evaporation, the evaporation temperatures of the two evaporation sources are often close to each other, and one of the organic materials adheres to the wall of the vacuum chamber or the like. In this case, when they are re-evaporated by heating, the doping concentration in the formed film is affected. Therefore, even in such a case, there is a possibility that the problem caused by the vaporized molecules that do not adhere to the substrate accumulate on the inner wall of the vacuum chamber as described above.
【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、基板に有機材料を蒸着するにあたって、均一な膜
厚で成膜速度高く、しかも歩留まり高く蒸着を行なうこ
とができ、また真空チャンバー内に蒸着物が堆積される
ことを最小限に抑えて、真空チャンバー内の真空の質を
高く保持しつつ高い純度で真空蒸着を行なうことができ
る真空蒸着装置を提供することを目的とするものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and when depositing an organic material on a substrate, the deposition can be performed with a uniform film thickness, a high deposition rate, and a high yield. An object of the present invention is to provide a vacuum deposition apparatus capable of performing vacuum deposition with high purity while minimizing deposition of deposits in a vacuum chamber and maintaining high vacuum quality in a vacuum chamber. It is.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
真空蒸着装置は、０．０１Ｐａ以下の減圧下の真空チャ
ンバー１内で蒸着源２を加熱して基板３表面に蒸着する
真空蒸着装置において、蒸着源２のうち少なくとも一つ
は有機材料を用い、その有機材料が堆積されない温度に
加熱された壁４で、蒸着源２と基板３が対向する空間を
囲んで成ることを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a vacuum deposition apparatus for heating a deposition source in a vacuum chamber under a reduced pressure of 0.01 Pa or less to deposit on a surface of a substrate. The apparatus is characterized in that at least one of the evaporation sources 2 uses an organic material, and a wall 4 heated to a temperature at which the organic material is not deposited surrounds a space where the evaporation source 2 and the substrate 3 face each other. Is what you do.
【００１２】また請求項２の発明は、上記請求項１にお
いて、蒸着源２と基板３とが相対的に移動した状態で、
蒸着源２を加熱して基板３表面に蒸着するようにして成
ることを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, when the deposition source 2 and the substrate 3 are relatively moved,
The method is characterized in that the evaporation source 2 is heated to perform evaporation on the surface of the substrate 3.
【００１３】また請求項３の発明は、上記請求項１又は
２において、蒸着源２と、蒸着源２と基板３が対向する
空間を囲む壁４とが、相対的に移動した状態で、蒸着源
２を加熱して基板３表面に蒸着するようにして成ること
を特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the vapor deposition source 2 and the wall 4 surrounding the space where the vapor deposition source 2 and the substrate 3 are opposed to each other are moved. It is characterized in that the source 2 is heated to deposit on the surface of the substrate 3.
【００１４】また請求項４の発明は、上記請求項１乃至
３のいずれかにおいて、蒸着源２として用いる有機材料
が、有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特
徴とするものである。[0014] The invention of claim 4 is characterized in that, in any one of the above-mentioned claims 1 to 3, the organic material used as the evaporation source 2 is an organic electroluminescent material.
【００１５】また請求項５の発明は、上記請求項１乃至
４のいずれかにおいて、蒸着源２と基板３が対向する空
間を囲む壁４として筒体５を用い、真空チャンバー１内
に複数の筒体５を配置し、各筒体５に蒸着源２を配置す
ると共に、基板３を各筒体５の開口部間に亘って移動さ
せるようにして成ることを特徴とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, a cylindrical body 5 is used as a wall 4 surrounding a space where the evaporation source 2 and the substrate 3 face each other, and a plurality of It is characterized in that the cylinders 5 are arranged, the deposition source 2 is arranged on each cylinder 5, and the substrate 3 is moved between the openings of the cylinders 5.
【００１６】また請求項６の発明は、上記請求項１乃至
５のいずれかにおいて、蒸着源２と基板３が対向する空
間を囲む壁４として筒体５を用い、一つの筒体５に複数
の蒸着源２を配置すると共に各蒸着源２の間を仕切る仕
切り壁６を筒体５内に設け、筒体５と仕切り壁６によっ
てそれぞれの蒸着源２と基板３が対向する空間をそれぞ
れ囲んで成ることを特徴とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects, the cylindrical body 5 is used as the wall 4 surrounding the space where the evaporation source 2 and the substrate 3 face each other. And a partition wall 6 for separating between the vapor deposition sources 2 is provided in the cylindrical body 5, and the cylindrical body 5 and the partition wall 6 respectively surround the space where the respective vapor deposition sources 2 and the substrate 3 face each other. Characterized by the following.
【００１７】また請求項７の発明は、上記請求項１乃至
６のいずれかにおいて、基板３を移動させる基板送り装
置７を具備し、基板送り装置７を基板３の移動速度を制
御自在に形成して成ることを特徴とするものである。According to a seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects, the apparatus further includes a substrate feeder 7 for moving the substrate 3, and the substrate feeder 7 is formed so that the moving speed of the substrate 3 can be controlled. It is characterized by comprising.
【００１８】また請求項８の発明は、上記請求項１乃至
７のいずれかにおいて、基板３を移動させる基板送り装
置７を具備し、基板３を円運動させる方向に移動させる
ように基板送り装置７を形成して成ることを特徴とする
ものである。The invention according to claim 8 is the invention according to any one of claims 1 to 7, further comprising a substrate feeder 7 for moving the substrate 3, wherein the substrate feeder 7 is moved so as to move the substrate 3 in a circular motion. 7 is formed.
【００１９】また請求項９の発明は、上記請求項１乃至
７のいずれかにおいて、基板３として長尺シート材８を
用い、長尺シート材８を一対の一方のロール９から巻き
外すと共に他方のロール１０に巻き付けて移動させるよ
うにして成ることを特徴とするものである。According to a ninth aspect of the present invention, in any one of the first to seventh aspects, the long sheet material 8 is used as the substrate 3, and the long sheet material 8 is unwound from one of the pair of rolls 9 and the other. The roll 10 is wound around and moved.
【００２０】また請求項１０の発明は、上記請求項１乃
至９のいずれかにおいて、真空チャンバー１に接続して
減圧可能な予備チャンバー１１を付設し、蒸着源２を真
空チャンバー１と予備チャンバー１１の間で移動自在に
して成ることを特徴とするものである。According to a tenth aspect of the present invention, in any one of the first to ninth aspects, a preparatory chamber 11 connected to the vacuum chamber 1 and capable of reducing pressure is provided, and the vapor deposition source 2 is connected to the vacuum chamber 1 and the preparatory chamber 11. Characterized in that it can be moved freely between the two.
【００２１】また請求項１１の発明は、上記請求項２乃
至１０のいずれかにおいて、筒体５の基板３の側の開口
部の幅を、基板３の移動方向と直交する方向の基板３の
幅より２０％広い寸法からこの幅より２０％狭い寸法の
範囲内に形成して成ることを特徴とするものである。According to an eleventh aspect of the present invention, in any one of the second to tenth aspects, the width of the opening of the cylindrical body 5 on the side of the substrate 3 is set so that the width of the substrate 3 in the direction orthogonal to the moving direction of the substrate 3 is changed. It is characterized in that it is formed in a range from a size 20% wider than the width to a size 20% smaller than the width.
【００２２】また請求項１２の発明は、上記請求項１乃
至１１のいずれかにおいて、有機材料が堆積されない温
度に加熱された壁４で、蒸着源２と基板３が対向する空
間のうち、６０〜９０％を囲んで成ることを特徴とする
ものである。According to a twelfth aspect of the present invention, in any one of the first to eleventh aspects, the wall 4 is heated to a temperature at which the organic material is not deposited, and the wall 4 faces the evaporation source 2 and the substrate 3 out of the space. ９０90%.
【００２３】また請求項１３の発明は、上記請求項１乃
至１２のいずれかにおいて、有機材料が堆積されない温
度に加熱された壁４の、蒸着源２と基板３が対向する空
間を囲む側の表面が、有機材料と反応しにくい材質で形
成されていることを特徴とするものである。According to a thirteenth aspect of the present invention, in any one of the first to twelfth aspects, the side of the wall 4 heated to a temperature at which no organic material is deposited surrounds the space where the evaporation source 2 and the substrate 3 face each other. The surface is formed of a material that does not easily react with the organic material.
【００２４】また、本発明の請求項１４に係る有機材料
の真空蒸着方法は、上記請求項１乃至１３のいずれかに
記載の真空成形装置を用いて、基板３表面に複数の有機
材料を蒸着することを特徴とするものである。According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a method for vacuum-depositing an organic material, wherein a plurality of organic materials are deposited on the surface of the substrate 3 by using the vacuum forming apparatus according to any one of the first to thirteenth aspects. It is characterized by doing.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００２６】図１は本発明の実施の形態の一例を示すも
のであり、真空チャンバー１は底板１６と底板１６の上
面に設けられる真空容器１７とから形成してある。底板
１６には排気口１８が設けてあり、この排気口１８に気
密的に取り付けられるゲートバルブ１９を介して真空ポ
ンプ２０が排気口１８に接続してある。図１の例では、
蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む壁４として上下
が開口する円筒形の筒体５を用いるようにしてあり、こ
の筒体５は真空チャンバー１内において底板１６の上に
設置してある。勿論、蒸着源２と基板３が対向する空間
を囲む壁４は、このような円筒形の他に、角筒形、円錐
形など任意の形状の筒体５として形成することができ、
また仕切り板を組み合わせて壁４を形成することもでき
る。筒体５の外周にはシーズヒータ２１を巻き付け、底
板１６に設けた電流導入端子部２２を介して電源２３が
シーズヒータ２１に接続してあり、シーズヒータ２１を
発熱させることによって筒体５を加熱することができる
ようにしてある。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. A vacuum chamber 1 is formed by a bottom plate 16 and a vacuum vessel 17 provided on the upper surface of the bottom plate 16. An exhaust port 18 is provided in the bottom plate 16, and a vacuum pump 20 is connected to the exhaust port 18 via a gate valve 19 which is hermetically attached to the exhaust port 18. In the example of FIG.
As the wall 4 surrounding the space where the evaporation source 2 and the substrate 3 face each other, a cylindrical tube 5 having an opening at the top and bottom is used, and this tube 5 is installed on the bottom plate 16 in the vacuum chamber 1. is there. Needless to say, the wall 4 surrounding the space where the evaporation source 2 and the substrate 3 face each other can be formed as a cylindrical body 5 having any shape such as a rectangular cylindrical shape or a conical shape in addition to such a cylindrical shape.
The wall 4 can also be formed by combining partition plates. A sheath heater 21 is wound around the outer periphery of the cylinder 5, and a power supply 23 is connected to the sheath heater 21 via a current introduction terminal portion 22 provided on the bottom plate 16, and the sheath 5 is heated by causing the sheath heater 21 to generate heat. It can be heated.
【００２７】また筒体５の下部内には高融点金属のボー
トで形成される発熱体２４が配置してあり、この発熱体
２４の両端は筒体５及び真空容器１７を貫通して取着さ
れた一対の電流導入端子２５の各一端に電気的に接続し
た状態で取り付けてある。この一対の電流導入端子２５
の各他端には電源２６が接続してあり、電源２６からの
給電によって発熱体２４を抵抗発熱させるようにしてあ
る。さらに筒体５の外側において底板１６に複数本の支
柱２７が立設してあり、各支柱２７の上端部間に基板支
持体２８が取り付けてある。基板支持体２８は真空チャ
ンバー１内において、筒体５の上端開口の直上に近接し
た位置に水平に配置してあり、基板支持体２８には筒体
５の上端開口の中央部の位置で開口窓２９が形成してあ
る。A heating element 24 formed of a high-melting-point metal boat is disposed in the lower portion of the cylinder 5, and both ends of the heating element 24 are attached through the cylinder 5 and the vacuum vessel 17. It is attached in a state of being electrically connected to one end of each of the pair of current introduction terminals 25. This pair of current introduction terminals 25
A power supply 26 is connected to each of the other ends, and the heating element 24 is heated by resistance from the power supply 26. Further, a plurality of columns 27 are erected on the bottom plate 16 outside the cylindrical body 5, and a substrate support 28 is attached between upper ends of the columns 27. The substrate support 28 is horizontally disposed in the vacuum chamber 1 at a position immediately above the upper end opening of the cylindrical body 5, and the substrate support 28 is opened at a position at the center of the upper end opening of the cylindrical body 5. A window 29 is formed.
【００２８】尚、図１の実施の形態では、筒体５の下部
内には一つの発熱体２４を配置して一種類の蒸着源２を
加熱して蒸着を行なうようにしてあるが、筒体５の下部
内に複数の発熱体２４を配置し、各発熱体２４にそれぞ
れ異なる蒸着源２を充填して、各蒸着源２を個別に加熱
することによって、共蒸着を行なうようにしてもよい。In the embodiment shown in FIG. 1, one heating element 24 is disposed in the lower portion of the cylindrical body 5 to heat one type of the vapor deposition source 2 to perform vapor deposition. A plurality of heating elements 24 may be arranged in the lower part of the body 5, each heating element 24 may be filled with a different evaporation source 2, and each evaporation source 2 may be individually heated to perform co-evaporation. Good.
【００２９】本発明において蒸着源２としては、複数の
蒸着源２を用いる場合にはそのうち少なくとも一つは有
機材料を用いるものである。この有機材料としては、例
えば有機エレクトロルミネッセンス材料（以下、有機Ｅ
Ｌ材料と略称）を用いるものであり、有機ＥＬ材料とし
ては、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニ
ウム錯体、キナクリドン、ルブレン、Ｎ，Ｎ′−ビス
（３−メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−
４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−
（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α
−ＮＰＤ）、バソフェナントロリン、バソクプロイン、
オキサジアゾールなどを例示することができる。ＥＬを
蒸着する場合、有機ＥＬ材料以外に一部金属を用いる場
合もある。従って複数の蒸着源２のうち一部のものは蒸
着源２として金属など有機材料以外の材料を用い、有機
材料と同時に蒸着するようにしてもよい。有機材料以外
の材料としては、リチウム、セシウム、フッ化リチウ
ム、及びこれらを含有する合金などを用いることができ
る。また有機ＥＬ材料などの被膜を表面に成膜する基板
３としては、ガラス、金属、樹脂など任意のものを用い
ることができ、特に制限されるものではない。In the present invention, when a plurality of vapor deposition sources 2 are used, at least one of them uses an organic material. As the organic material, for example, an organic electroluminescent material (hereinafter, referred to as organic E)
L material) and tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex, quinacridone, rubrene, N, N'-bis (3-methylphenyl)-(1,1 '-Biphenyl)-
4,4'-diamine (TPD), 4,4'-bis [N-
(Naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl (α
-NPD), bathophenanthroline, bathocuproine,
Oxadiazole and the like can be exemplified. When EL is deposited, a metal may be partially used in addition to the organic EL material. Therefore, some of the plurality of evaporation sources 2 may be made of a material other than an organic material such as a metal as the evaporation source 2 and may be simultaneously evaporated with the organic material. As a material other than the organic material, lithium, cesium, lithium fluoride, an alloy containing these, and the like can be used. In addition, as the substrate 3 on which a film such as an organic EL material is formed on the surface, any material such as glass, metal, and resin can be used, and is not particularly limited.
【００３０】尚、本発明の真空蒸着装置は、蒸発源２と
して上記のような有機ＥＬ材料を用いるものに限定され
るものではなく、例えば太陽電池の光電変換層を形成す
る有機材料を蒸発源２として用いてもよい。この光電変
換層を形成する有機材料としては、例えばペリレン誘導
体、フタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体等を挙
げることができる。The vacuum evaporation apparatus according to the present invention is not limited to the above-mentioned organic EL material used as the evaporation source 2; for example, an organic material for forming a photoelectric conversion layer of a solar cell may be used as an evaporation source. It may be used as 2. Examples of the organic material forming the photoelectric conversion layer include a perylene derivative, a phthalocyanine derivative, and a quinacridone derivative.
【００３１】そして蒸着源２を発熱体２４の上に充填し
て筒体５の下部の中央にセットすると共に、基板３を基
板支持体２８の上に開口窓２９から下面を露出させた状
態でセットし、基板３と蒸着源２とを上下に対向配置す
る。また真空ポンプ２０を作動させて真空チャンバー１
内を真空状態に減圧し、さらに発熱体２４を発熱させて
蒸着源２を加熱すると共にシーズヒーター２１によって
筒体５を加熱する。このように真空チャンバー１内を減
圧して蒸着源２を加熱すると、蒸着源２は溶融・蒸発、
あるいは昇華して気化し、蒸着源２から発生するこの気
化分子３１は蒸着源２から法線方向に直進的に放出さ
れ、四方八方へ飛散する方向で直進する。ここで、気化
分子３１は一部が基板３へ向けて直進し、他は基板３か
ら外れる方向に直進するが、この気化分子３１が進む蒸
着源２と基板３の間の空間は筒体５で囲まれており、気
化分子３１は筒体５内に閉じ込められた状態にあるの
で、図１に示すように、基板３から外れる方向に直進す
る気化分子３１も飛散してしまうことなく、筒体５の内
壁で反射して基板３へ向けて進み、蒸着源２から発生す
る気化分子３１の多くを基板３の表面に到達させて付着
させることができる。従ってこのように、蒸着源２から
発生する気化分子３１の多くが基板３の表面に付着して
成膜に寄与することになるので、無効材料が少なくな
り、蒸発源２の材料利用効率が高くなって歩留まりの高
い蒸着が可能になり、基板３の表面の成膜速度を速くす
ることができるものである。また気化分子３１は筒体５
の内壁で反射して色んな方向から基板３の表面の各部に
付着するので、基板３の表面の各部への堆積量が均一化
され、均一な膜厚で成膜することができるものである。Then, the evaporation source 2 is filled on the heating element 24 and set at the center of the lower part of the cylindrical body 5, and the substrate 3 is placed on the substrate support 28 with the lower surface exposed through the opening window 29. The substrate 3 and the vapor deposition source 2 are vertically arranged facing each other. Further, the vacuum pump 20 is operated to operate the vacuum chamber 1.
The inside is evacuated to a vacuum state, and the heating element 24 is further heated to heat the deposition source 2 and to heat the cylindrical body 5 by the sheath heater 21. When the pressure in the vacuum chamber 1 is reduced and the deposition source 2 is heated, the deposition source 2 melts and evaporates,
Alternatively, the vaporized molecules 31 which are sublimated and vaporized and generated from the vapor deposition source 2 are emitted straight from the vapor deposition source 2 in the normal direction, and travel straight in the directions scattered in all directions. Here, some of the vaporized molecules 31 go straight toward the substrate 3 and others go straight away from the substrate 3, but the space between the evaporation source 2 and the substrate 3 where the vaporized molecules 31 travel is a cylindrical body 5. Since the vaporized molecules 31 are enclosed in the cylindrical body 5, the vaporized molecules 31 proceeding in a direction away from the substrate 3 are not scattered, as shown in FIG. Most of the vaporized molecules 31 generated from the evaporation source 2 are reflected on the inner wall of the body 5 and travel toward the substrate 3, and can reach and adhere to the surface of the substrate 3. Therefore, as described above, most of the vaporized molecules 31 generated from the evaporation source 2 adhere to the surface of the substrate 3 and contribute to the film formation, so that the ineffective material is reduced and the material utilization efficiency of the evaporation source 2 is increased. As a result, deposition with a high yield becomes possible, and the film formation rate on the surface of the substrate 3 can be increased. In addition, the vaporized molecules 31 are
Since the light is reflected on the inner wall of the substrate 3 and adheres to various portions of the surface of the substrate 3 from various directions, the amount of deposition on each portion of the surface of the substrate 3 is uniform, and a film can be formed with a uniform film thickness.
【００３２】また、筒体５は加熱されていてホットウォ
ールになっているために、気化分子３１が筒体５の表面
に付着しても、付着物は筒体５で再加熱されて気化し、
筒体５の表面に堆積されることがなくなるものである。
このように、筒体５の表面に蒸着源２の材料が堆積され
ることを防ぐことができるものであり、そして蒸着源２
から発生する気化分子３１は筒体５内に閉じ込められて
いるために、真空チャンバー１の内壁に付着して堆積す
ることも低減することができるものである。従って、同
じ真空チャンバー１を用いて異なる材料に切り換えて真
空蒸着を行なう場合に、材料を切り換えて真空蒸着をす
る際に加熱を行なっても、加熱で気化するような堆積材
料が筒体５や真空チャンバー１の表面に存在しないので
（存在しても少量）、真空蒸着で形成される蒸着膜を汚
染するようなことがなくなって、純度の高い成膜を行な
うことが可能になるものである。また空気中の水分やガ
スが吸蔵される堆積材料が筒体５や真空チャンバー１の
表面に存在しないので（存在しても少量）、真空チャン
バー１内を真空に維持することが困難になることを防ぐ
ことができるものである。Further, since the cylinder 5 is heated and forms a hot wall, even if the vaporized molecules 31 adhere to the surface of the cylinder 5, the adhered substance is reheated by the cylinder 5 and vaporized. ,
It is not deposited on the surface of the cylinder 5.
In this manner, the material of the evaporation source 2 can be prevented from being deposited on the surface of the cylindrical body 5, and the evaporation source 2
Since the vaporized molecules 31 generated from the gas are trapped in the cylindrical body 5, they can be reduced from adhering and depositing on the inner wall of the vacuum chamber 1. Therefore, when vacuum deposition is performed by switching to a different material using the same vacuum chamber 1, even if heating is performed when switching the material and performing vacuum deposition, the deposited material that is vaporized by heating may be in the cylindrical body 5 or the like. Since it does not exist on the surface of the vacuum chamber 1 (even if present), it does not contaminate the deposited film formed by vacuum deposition, and a highly pure film can be formed. . In addition, since there is no deposited material on the surface of the cylindrical body 5 or the vacuum chamber 1 (even if present) in which moisture or gas in the air is occluded, it becomes difficult to maintain the vacuum inside the vacuum chamber 1 in a vacuum. Can be prevented.
【００３３】本発明のように蒸着源２として有機ＥＬ材
料などの有機材料を用いる場合、有機材料は気化温度が
低いので、基板３に付着されない気化分子３１は筒体５
に付着して堆積され易いが、筒体５を上記のように加熱
することによって、このような堆積を確実に防ぐことが
できるものである。また基板３に成膜される有機ＥＬ材
料の膜厚は数百ｎｍの薄い層であり、膜の純度が非常に
厳密に要求されるが、上記のように純度の高い成膜を行
なうことが可能なので、本発明は有機ＥＬ材料を蒸着す
る際に特に有効である。When an organic material such as an organic EL material is used as the evaporation source 2 as in the present invention, since the organic material has a low vaporization temperature, the vaporized molecules 31 that are not attached to the substrate 3 are removed from the cylindrical body 5.
However, by heating the cylinder 5 as described above, such deposition can be reliably prevented. Further, the thickness of the organic EL material formed on the substrate 3 is a thin layer of several hundred nm, and the purity of the film is very strictly required. Since it is possible, the present invention is particularly effective when depositing an organic EL material.
【００３４】ここで、筒体５を蒸発源２の材料が堆積さ
れない温度に加熱するにあたって、筒体５の加熱温度
は、真空蒸着を行なう際の減圧下での蒸発源２の材料の
気化温度（蒸発温度、昇華温度）以上に設定するのが好
ましい。筒体５の加熱温度の上限は特に設定されるもの
ではないが、蒸発源２の材料が分解しない温度であるこ
とが必要であるので、一般的には加熱温度の上限は蒸発
源２の材料の気化温度＋１００℃程度に設定するのが適
当である。蒸発源２である有機ＥＬ材料の気化温度は５
０〜３００℃程度であるので、筒体５の加熱温度は１０
０〜４００℃程度に設定するのが一般的である。尚、筒
体５を加熱するにあたって、図１の例では、加熱源とし
てシーズヒータ２１を筒体５に固着して用いるようにし
たが、このように加熱源を筒体５に固着して加熱を行な
う他に、ハロゲンヒータのように輻射熱を利用したラン
プ加熱で加熱を行なうようにしてもよい。Here, when heating the cylinder 5 to a temperature at which the material of the evaporation source 2 is not deposited, the heating temperature of the cylinder 5 is determined by the vaporization temperature of the material of the evaporation source 2 under reduced pressure during vacuum deposition. (Evaporation temperature, sublimation temperature) or higher is preferable. The upper limit of the heating temperature of the cylindrical body 5 is not particularly set, but it is necessary that the temperature of the material of the evaporation source 2 does not decompose. It is appropriate to set the temperature to about + 100 ° C. The vaporization temperature of the organic EL material as the evaporation source 2 is 5
Since the temperature is about 0 to 300 ° C., the heating temperature of the cylindrical body 5 is 10 ° C.
Generally, it is set to about 0 to 400 ° C. In heating the cylinder 5, in the example of FIG. 1, the sheath heater 21 is used as a heating source fixed to the cylinder 5, but in this way, the heating source is fixed to the cylinder 5 and heating is performed. Alternatively, heating may be performed by lamp heating using radiant heat, such as a halogen heater.
【００３５】また真空チャンバー１内の減圧度は、蒸発
源２の材料に応じて適宜設定されるが、蒸着源２から出
る気化分子３１が真空チャンバー１内の気体分子と衝突
せずに基板３に到達することができること、すなわち平
均自由行程が数十ｃｍ以上であることが必要であり、
０．０１Ｐａ以下に設定する必要がある。減圧度は低い
程好ましく、理想的には０Ｐａである。また、図１の実
施の形態では、円筒形に形成される筒体５の基板３の側
の開口部の幅を、基板３の幅より１０％広い寸法からこ
の幅より１０％狭い寸法の範囲内で形成するようにして
ある。The degree of pressure reduction in the vacuum chamber 1 is appropriately set in accordance with the material of the evaporation source 2, but the vaporized molecules 31 emitted from the evaporation source 2 do not collide with the gas molecules in the vacuum chamber 1 and the substrate 3 , That is, the mean free path must be tens of cm or more,
It is necessary to set the pressure to 0.01 Pa or less. The degree of pressure reduction is preferably as low as possible, and ideally it is 0 Pa. In the embodiment of FIG. 1, the width of the opening of the cylindrical body 5 on the side of the substrate 3 of the cylindrical body 5 ranges from 10% wider than the width of the substrate 3 to 10% narrower than this width. It is formed inside.
【００３６】図２は本発明の実施の形態の他の一例を示
すものであり、真空チャンバー１内に正方形の角筒状に
形成した複数の筒体５が一列に並べて配置してある。各
筒体５は基台３３の上に載置してあり、各筒体５の外周
にはシーズヒータ２１を巻いて加熱することができるよ
うにしてある。また各筒体５の下部に発熱体２４を設
け、発熱体２４の上に充填して蒸着源２を各筒体５の下
側にセットするようにしてある。そして真空チャンバー
１内において各筒体５の直上間に渡るように基板送り装
置７が配置してある。この基板送り装置７は一対のプー
リ３４，３４と、両プーリ３４，３４の両端間に懸架さ
れる左右一対の無限索条体の搬送具３５，３５から形成
されるものであり、プーリ３４を回転駆動させることに
よって搬送具３５を走行させ、左右の搬送具３５の上に
跨らせて載置した基板３を各筒体５の上端開口の直上間
に亘って連続的に移動させることができるようにしてあ
る。FIG. 2 shows another example of the embodiment of the present invention. In a vacuum chamber 1, a plurality of cylindrical bodies 5 formed in a square prism shape are arranged in a line. Each cylinder 5 is mounted on a base 33, and the sheath 5 can be wound around the outer periphery of each cylinder 5 to heat it. Further, a heating element 24 is provided at a lower portion of each cylinder 5, and the vapor deposition source 2 is set on the lower side of each cylinder 5 by filling the heating element 24. A substrate feeder 7 is arranged in the vacuum chamber 1 so as to extend between the cylinders 5 directly above. The substrate feeder 7 is formed by a pair of pulleys 34, 34 and a pair of right and left infinite cable carriers 35, 35 suspended between both ends of the pulleys 34, 34. The carrier 35 is caused to travel by being driven to rotate, and the substrate 3 placed over the right and left carriers 35 can be continuously moved just above the upper end openings of the respective cylinders 5. I can do it.
【００３７】このものにあって、真空チャンバー１内を
真空状態に減圧し、発熱体２４を発熱させて各筒体５の
下側の蒸着源２を加熱すると共にシーズヒーター２１に
よって各筒体５を加熱すると、各筒体５内で蒸着源２か
ら気化分子３１が発生する。各筒体５で発生した気化分
子３１は、基板３が筒体５の上端開口の直上を通過する
際に、基板３の下面に付着して堆積し、そして基板３に
は各筒体５の上を通過する際にそれぞれ気化分子３１が
付着して堆積し、基板３に蒸着膜を成膜することができ
るものである。このように基板送り装置７で基板３を各
筒体５の上端開口の直上間を連続的に移動させながら、
基板３を次々に基板送り装置７で送るようにすることに
よって、蒸着をバッチ処理ではなく、連続処理で行なう
ことが可能になるものであり、しかも基板３を筒体５の
開口を横切るように移動させながら基板３の下面に気化
分子３１を付着させて蒸着膜を成膜することができるの
で、基板３の下面に均一に気化分子３１を付着させて均
一な厚みで成膜することが可能になるものである。また
基板３には各筒体５の上を通過する際に蒸着を受けるの
で、各筒体５に設ける蒸着源２として異なる材料を用い
ることによって、異種の複数の材料を積層した構造で成
膜することが可能になるものである。基板３に蒸着した
有機ＥＬ材料を発光させるために、基板３に蒸着した膜
は積層構造になっているが、上記のように積層構造で蒸
着が行なえるので、本発明は有機ＥＬ材料を蒸着する際
に特に有効である。In this apparatus, the inside of the vacuum chamber 1 is decompressed to a vacuum state, the heating element 24 is heated to heat the vapor deposition source 2 below each cylinder 5, and the sheath heater 21 is used to heat each cylinder 5. Is heated, vaporized molecules 31 are generated from the evaporation source 2 in each cylinder 5. The vaporized molecules 31 generated in each cylinder 5 adhere to and deposit on the lower surface of the substrate 3 when the substrate 3 passes directly above the upper end opening of the cylinder 5, and are deposited on the substrate 3. The vaporized molecules 31 adhere and accumulate when passing over, and a vapor deposition film can be formed on the substrate 3. As described above, while continuously moving the substrate 3 just above the upper end opening of each cylindrical body 5 by the substrate feeding device 7,
By successively sending the substrates 3 by the substrate feeding device 7, it becomes possible to perform the vapor deposition in a continuous process, not in a batch process. Since the vaporized film can be formed by attaching the vaporized molecules 31 to the lower surface of the substrate 3 while moving, the vaporized molecules 31 can be uniformly attached to the lower surface of the substrate 3 to form a film with a uniform thickness. It becomes something. Further, since the substrate 3 is subjected to vapor deposition when passing over each of the cylinders 5, a different material is used as the vapor deposition source 2 provided for each of the cylinders 5 to form a film having a structure in which a plurality of different materials are stacked. It is possible to do. In order to cause the organic EL material deposited on the substrate 3 to emit light, the film deposited on the substrate 3 has a laminated structure. However, the vapor deposition can be performed with the laminated structure as described above. It is especially effective when doing.
【００３８】また、基板送り装置７は搬送具３５の走行
速度を任意に変更できるように制御されており、基板３
の移動速度を任意に調整できるようにしてある。基板３
に蒸着される膜厚は基板３が筒体５の上端の開口に面し
ている時間に依存するので、基板３の送り速度を調整し
て筒体５の上を通過する時間を調整することによって、
基板３に成膜される膜厚を制御することが可能になるも
のである。The substrate feeder 7 is controlled so that the traveling speed of the carrier 35 can be changed arbitrarily.
The moving speed of the camera can be adjusted arbitrarily. Substrate 3
Since the thickness of the film deposited on the substrate 3 depends on the time during which the substrate 3 faces the opening at the upper end of the cylindrical body 5, it is necessary to adjust the feed speed of the substrate 3 to adjust the time when the substrate 3 passes over the cylindrical body 5. By
The thickness of the film formed on the substrate 3 can be controlled.
【００３９】尚、図２の実施の形態にあって、筒体５の
上端の開口部の、基板３を移動させる方向と直交する方
向での幅Ｗ1を、基板３の移動方向と直交する方向での
幅Ｗ2より２０％広い寸法からこの幅より２０％狭い寸
法の範囲内に形成してある。筒体５の上端の開口部の幅
Ｗ1がこれより広いと、筒体５の開口部と基板３との間
から逃げて飛散する気化分子３１の量が多くなり、歩留
まりが悪くなる。逆に筒体５の上端の開口部の幅Ｗ1が
これより狭いと、基板３の側端部へ到達する気化分子３
１の量が少なくなって基板３の側端部の蒸着膜厚が薄く
なり、均一な膜厚で成膜することが難しくなる。In the embodiment shown in FIG. 2, the width W 1 of the opening at the upper end of the cylindrical body 5 in the direction orthogonal to the direction in which the substrate 3 is moved is perpendicular to the direction in which the substrate 3 is moved. It is formed within a range of 20% narrower dimension than the width of more than 20% wider dimensional width W 2 in the direction. If the width W 1 of the opening of the upper end of the tubular body 5 is wider than this, the number of the amount of the vaporized molecules 31 scattered escape from between the opening and the substrate 3 of the tubular body 5, the yield is deteriorated. Conversely, if the width W 1 of the opening at the upper end of the cylinder 5 is smaller than this, the vaporized molecule 3 reaching the side end of the substrate 3
When the amount of 1 is reduced, the deposited film thickness at the side end of the substrate 3 becomes thin, and it becomes difficult to form a film with a uniform film thickness.
【００４０】図３は本発明の他の実施の形態の一例を示
すものであり、真空チャンバー１内に上下に開口する円
筒状に形成した筒体５が配置してある。筒体５内には縦
の仕切り壁６が複数枚配置してあり、筒体５内を横方向
に複数の空間３７に仕切るようにしてある。仕切り壁６
にはシーズヒータ２１が固着してあり、筒体５と同じ温
度で仕切り壁６を加熱することができるようにしてあ
る。この仕切り壁６で仕切られる各空間３７の下部内に
は発熱体２４が設けてあり、発熱体２４に蒸着源２を充
填して各空間３７の下部内に蒸着源２をセットするよう
にしてある。従って筒体５の下部内に複数の蒸着源２を
セットすることができるものであり、筒体５と仕切り壁
６によって各蒸着源２と基板３が対向する空間３７が囲
まれるようになっている。また筒体５の外周にはシーズ
ヒータ２１を巻いて加熱することができるようにしてあ
り、さらにハロゲンランプ３８を真空チャンバー１内に
配置してこのハロゲンランプ３８を熱源して筒体５を加
熱することができるようにもしてある。FIG. 3 shows an example of another embodiment of the present invention, in which a cylindrical body 5 having a cylindrical shape which is opened vertically is disposed in a vacuum chamber 1. A plurality of vertical partition walls 6 are arranged in the tubular body 5 so as to partition the inside of the tubular body 5 into a plurality of spaces 37 in a horizontal direction. Partition wall 6
Has a sheath heater 21 fixed thereto, so that the partition wall 6 can be heated at the same temperature as the cylindrical body 5. A heating element 24 is provided in a lower portion of each space 37 partitioned by the partition wall 6, and the heating element 24 is filled with the evaporation source 2 so that the evaporation source 2 is set in a lower portion of each space 37. is there. Therefore, a plurality of evaporation sources 2 can be set in the lower part of the cylinder 5, and the space 37 in which the evaporation sources 2 and the substrate 3 face each other is surrounded by the cylinder 5 and the partition wall 6. I have. Further, a sheath heater 21 is wound around the outer periphery of the cylindrical body 5 so that the cylindrical body 5 can be heated. Further, a halogen lamp 38 is disposed in the vacuum chamber 1 and the halogen lamp 38 is used as a heat source to heat the cylindrical body 5. They can do it.
【００４１】そして真空チャンバー１内において筒体５
の上端開口の直上に基板送り装置７が配置してある。こ
の基板送り装置７は水平に配置される円板３９と真空チ
ャンバー１の外部に取着されるモーター４０を具備して
形成してあり、モーター４０の出力軸４１に円板３９の
中央を固定することによって、円板３９を水平面で回転
駆動できるようにしてある。この円板３９にはその円周
に沿って複数の開口窓２９が形成してあり、この開口窓
２９の上に基板３を載置するようにしてある。図４は円
板３９の保持の機構を示すものであり、真空チャンバー
１の内壁に設けた複数本のガイドレール支持腕４２によ
ってリング状のガイドレール４３を固定し、円板３９の
下面に設けたコロ４４をガイドレール４３の上面に沿っ
て走行させることによって、円板３９を回転自在に支持
するようにしてある。Then, in the vacuum chamber 1, the cylinder 5
The substrate feeder 7 is disposed immediately above the upper end opening of the substrate feeder. This substrate feeder 7 is formed by including a horizontally disposed disc 39 and a motor 40 attached to the outside of the vacuum chamber 1. The center of the disc 39 is fixed to an output shaft 41 of the motor 40. By doing so, the disk 39 can be driven to rotate in a horizontal plane. A plurality of opening windows 29 are formed on the circular plate 39 along the circumference thereof, and the substrate 3 is placed on the opening windows 29. FIG. 4 shows a mechanism for holding the disk 39, wherein a ring-shaped guide rail 43 is fixed by a plurality of guide rail support arms 42 provided on the inner wall of the vacuum chamber 1, and provided on the lower surface of the disk 39. The disc 39 is rotatably supported by running the roller 44 along the upper surface of the guide rail 43.
【００４２】このものにあって、真空チャンバー１内を
真空状態に減圧し、発熱体２４を発熱させて筒体５内の
各蒸着源２を加熱すると共に筒体５及び仕切り壁６を加
熱すると、筒体５内の各空間３７で蒸着源２から気化分
子３１が発生する。一方、基板３は基板送り装置７の円
板３９の回転に従って筒体５の上面開口の上を円運動し
て移動しており、この移動によって基板３が各空間３７
の上端開口の直上を通過する際に、各空間３７で発生し
た気化分子３１は基板３の下面に付着して堆積し、基板
３に蒸着膜を成膜することができるものである。このよ
うに基板３を各空間３７の上面の開口を横切って移動さ
せながら、基板１の下面に気化分子３１を付着させて蒸
着膜を成膜することができるので、基板３の下面に均一
に気化分子３１を付着させて均一な厚みで成膜すること
が可能になるものである。また基板３には各空間３７の
上を通過する際に蒸着を受けるので、各空間３７に設け
る蒸着源２として異なる材料を用いることによって、異
種の複数の材料を積層した構造で成膜することが可能に
なるものである。そしてこの図３の実施の形態では、前
記の図２の実施の形態の場合のように、複数の筒体５を
用いるような必要なく、このような異種の複数の材料を
積層構造で成膜することができるので、装置の構成を単
純化することができるものである。In this apparatus, the inside of the vacuum chamber 1 is decompressed to a vacuum state, and the heating element 24 is heated to heat the respective vapor deposition sources 2 in the cylinder 5 and to heat the cylinder 5 and the partition wall 6. Then, vaporized molecules 31 are generated from the evaporation source 2 in each space 37 in the cylindrical body 5. On the other hand, the substrate 3 moves in a circular motion on the upper surface opening of the cylindrical body 5 according to the rotation of the disk 39 of the substrate feeder 7, and this movement causes the substrate 3 to move in each space 37.
The vaporized molecules 31 generated in each space 37 when passing directly above the upper end opening of the substrate 3 adhere to and deposit on the lower surface of the substrate 3, so that a vapor deposition film can be formed on the substrate 3. Thus, while moving the substrate 3 across the opening on the upper surface of each space 37, the vaporized molecules 31 can be attached to the lower surface of the substrate 1 to form a deposited film. The vaporized molecules 31 can be attached to form a film with a uniform thickness. Further, since the substrate 3 is subjected to vapor deposition when passing over each space 37, a different material is used as the vapor deposition source 2 provided in each space 37 to form a film having a structure in which a plurality of different materials are stacked. Is possible. In the embodiment shown in FIG. 3, unlike the embodiment shown in FIG. 2, there is no need to use a plurality of cylinders 5, and a plurality of such different kinds of materials are formed in a laminated structure. Therefore, the configuration of the device can be simplified.
【００４３】図５は基板３を円運動で移動させるように
した基板送り装置７の他の態様を示すものであり、真空
チャンバー１内に上記と同様なリング状のガイドレール
４３を設けると共にモータ４０で回転駆動される駆動円
板４５をガイドレール４３の上方に配置し、複数枚の円
板３９の外周の両端をガイドレール４３と駆動円板４５
に載置してある。そしてこのものでは、駆動円板４５を
回転駆動させることによって、上面に基板３を載せた円
板３９を自転させながらガイドレール４３に沿って公転
させるようにして、基板３を円運動で移動させることが
できるものである。FIG. 5 shows another embodiment of the substrate feeder 7 in which the substrate 3 is moved in a circular motion. A ring-shaped guide rail 43 similar to the above is provided in the vacuum chamber 1 and a motor is provided. A driving disk 45 rotated by 40 is disposed above the guide rail 43, and both ends of the outer periphery of the plurality of disks 39 are connected to the guide rail 43 and the driving disk 45.
It is placed in. In this device, the driving disk 45 is driven to rotate, so that the disk 39 on which the substrate 3 is mounted is revolved along the guide rail 43 while rotating, and the substrate 3 is moved in a circular motion. Is what you can do.
【００４４】図６の実施の形態では、筒体５内に複数の
蒸着源２を設けるにあたって、図３のように仕切り壁６
で筒体５内を仕切らないようにしてある。従ってこのも
のでは、筒体５の下部内の複数の蒸着源２から、複数の
材料が混ざった状態で基板３に蒸着することができるも
のである。In the embodiment shown in FIG. 6, when a plurality of evaporation sources 2 are provided in the cylindrical body 5, the partition wall 6 is provided as shown in FIG.
, So that the inside of the cylindrical body 5 is not partitioned. Therefore, in this case, it is possible to perform evaporation on the substrate 3 in a state where a plurality of materials are mixed from a plurality of evaporation sources 2 in a lower part of the cylindrical body 5.
【００４５】図７は本発明の実施の形態の他の一例を示
すものであり、基板３として樹脂フィルムなど可撓性の
長尺シート材８を用いるようにしてある。長尺シート材
８を形成する樹脂フィルムとしてはＰＥＴやポリエチレ
ンなど任意のものを用いることができる。そして真空チ
ャンバー１内には複数枚の仕切り板などで形成される壁
４が配置してあり、この壁４間において上下が開口する
複数の空間３７が形成されるようにしてある。壁４には
シーズヒータ２１を固着して加熱することができるよう
にしてある。この壁４で囲まれる各空間３７の下側には
発熱体２４が設けてあり、発熱体２４に蒸着源２を充填
して各空間３７の下側に蒸着源２をセットするようにし
てある。FIG. 7 shows another example of the embodiment of the present invention, in which a flexible long sheet material 8 such as a resin film is used as the substrate 3. As the resin film forming the long sheet material 8, any material such as PET or polyethylene can be used. In the vacuum chamber 1, a wall 4 formed by a plurality of partition plates or the like is arranged, and a plurality of spaces 37 opening vertically are formed between the walls 4. The sheath heater 21 is fixed to the wall 4 so as to be heated. A heating element 24 is provided below each space 37 surrounded by the wall 4, and the heating element 24 is filled with the evaporation source 2 so that the evaporation source 2 is set below each space 37. .
【００４６】真空チャンバー１内は壁４を設けた下部の
部屋と上部の部屋とに仕切り天井４６で上下に仕切って
あり、仕切り天井４６には空間３７の上方位置に開口窓
４７が形成してある。この仕切り天井４６より上側の部
屋には一対のロール９，１０が配置してあり、一方のロ
ール９に長尺シート材８を巻き付けてあると共にこのロ
ール９から繰り出した長尺シート材８を他方のロール１
０に巻き取ることができるようにしてある。またこのロ
ール９，１０間において開口窓４７内に配置してバック
ロール４８が設けてあり、一方のロール９から繰り出し
た長尺シート材８をこのバックロール４８の外周に沿わ
せて送った後、他方のロール１０に巻き取るようにして
あり、バックロール４８の外周に沿わせる際に長尺シー
ト材８を開口窓４７から空間３７を介して蒸着源２に対
向させるようにしてある。The interior of the vacuum chamber 1 is divided into a lower room provided with the wall 4 and an upper room, and is vertically divided by a ceiling 46, and an opening window 47 is formed in the ceiling 46 above the space 37. is there. A pair of rolls 9 and 10 are arranged in a room above the partition ceiling 46, and a long sheet material 8 is wound around one of the rolls 9, and the long sheet material 8 fed from the roll 9 is used as the other. Roll 1
It can be wound up to zero. A back roll 48 is provided between the rolls 9 and 10 in the opening window 47. After the long sheet material 8 fed from one roll 9 is sent along the outer periphery of the back roll 48, The long sheet material 8 is made to face the vapor deposition source 2 from the opening window 47 through the space 37 when being wound along the outer circumference of the back roll 48.
【００４７】このものにあって、真空ポンプ２０を作動
させて真空チャンバー１内を真空状態に減圧し、発熱体
２４を発熱させて各蒸着源２を加熱すると共に壁４を加
熱すると、壁４で囲まれる各空間３７で蒸着源２から気
化分子３１が発生する。一方、長尺シート材８はロール
９，１０を回転駆動させることによってロール９からロ
ール１０へと連続的に移動しており、長尺シート材８が
バックロール４８の外周に沿って開口窓４７から露出す
る際に、各空間３７で発生した気化分子３１は長尺シー
ト材８の下面に付着して堆積し、長尺シート材８に蒸着
膜を成膜することができるものである。このように長尺
シート材８を連続的に送って移動させながら、長尺シー
ト材８の表面に気化分子３１を付着させて蒸着膜を成膜
することができるので、長尺シート材８に全長に亘って
均一に気化分子３１を付着させて均一な厚みで成膜する
ことが可能になるものである。またロール９，１０は回
転速度を調整自在に制御されており、ロール９，１０は
回転速度を制御して巻取り速度を変えることによって、
長尺シート材８の移動速度を変えることができるもので
あり、長尺シート材８に蒸着させる膜の厚みを制御する
ことが可能であると共に、成膜を高速で行なわせること
も可能になるものである。In this apparatus, the vacuum pump 20 is operated to reduce the pressure in the vacuum chamber 1 to a vacuum state, and the heating element 24 is heated to heat each of the vapor deposition sources 2 and the wall 4. Vaporized molecules 31 are generated from the evaporation source 2 in each space 37 surrounded by. On the other hand, the long sheet material 8 is continuously moved from the roll 9 to the roll 10 by rotating the rolls 9 and 10, and the long sheet material 8 is moved along the outer periphery of the back roll 48 into the opening window 47. When exposed from the space, the vaporized molecules 31 generated in each space 37 adhere to and accumulate on the lower surface of the long sheet material 8, so that a vapor deposition film can be formed on the long sheet material 8. As described above, while continuously feeding and moving the long sheet material 8, the vaporized molecules 31 can be attached to the surface of the long sheet material 8 to form a deposition film. This makes it possible to attach the vaporized molecules 31 uniformly over the entire length and form a film with a uniform thickness. The rotation speed of the rolls 9 and 10 is controlled so as to be adjustable. The rolls 9 and 10 control the rotation speed to change the winding speed.
The moving speed of the long sheet material 8 can be changed, the thickness of the film deposited on the long sheet material 8 can be controlled, and the film can be formed at a high speed. Things.
【００４８】尚、上記の各実施の形態では、基板３を送
ることによって、蒸着源２に対して基板３を移動させる
ようにしたが、基板３と蒸着源２とは相対的に移動すれ
ばよいものであり、基板３を固定して蒸着源２を移動さ
せるようにしてもよく、また基板３と蒸着源２の両方を
移動させるようにしてもよい。In each of the above embodiments, the substrate 3 is moved by moving the substrate 3 with respect to the vapor deposition source 2. However, if the substrate 3 and the vapor deposition source 2 move relatively, This is a good thing, and the substrate 3 may be fixed and the evaporation source 2 may be moved, or both the substrate 3 and the evaporation source 2 may be moved.
【００４９】また、蒸着源２が固定されている場合、壁
４も固定されていると、壁４に対する蒸着源２の相対位
置が一定であるので、壁４の特定の個所に特定の蒸発源
２の材料が付着し易くなって、壁４を加熱することによ
って堆積を防止する効果が不十分になるおそれがある
が、このときには、蒸発源２と壁４の少なくとも一方を
移動させることができるようにして、両者を相対的に移
動した状態で蒸着を行なうようにすれば、壁４の特定の
個所に特定の蒸発源２の材料が付着するようなことを未
然に防ぐことができ、壁４を加熱することによって堆積
を防止する効果を高く得ることができるものである。When the evaporation source 2 is fixed and the wall 4 is fixed, the position of the evaporation source 2 relative to the wall 4 is constant. There is a possibility that the effect of preventing the deposition by heating the wall 4 may become insufficient because the material 2 is easily attached. At this time, at least one of the evaporation source 2 and the wall 4 can be moved. In this way, if the vapor deposition is performed while the two are relatively moved, it is possible to prevent the material of the specific evaporation source 2 from adhering to a specific portion of the wall 4 beforehand. By heating No. 4, a high effect of preventing the deposition can be obtained.
【００５０】図８は本発明の実施の形態の他の一例を示
すものであり、真空チャンバー１の下部の両側に予備チ
ャンバー１１が設けてある。各予備チャンバー１１はゲ
ートバルブ４９を介して真空チャンバー１に接続してあ
り、ゲートバルブ４９を開くことによって予備チャンバ
ー１１を真空チャンバー１の下部内に連通させ、ゲート
バルブ４９を閉じることによって予備チャンバー１１と
真空チャンバー１の間の連通を気密的に遮断することが
できるようにしてある。既述のように真空チャンバー１
には真空ポンプ２０が接続してあるが、各予備チャンバ
ー１１にも別の真空ポンプ２０がそれぞれ接続してあ
り、これらの各予備チャンバー１１は上面の開口が蓋５
０によって開閉できるようにしてある。真空チャンバー
１の上部内には複数枚の仕切り板などで形成される壁４
が配置してあり、この壁４間において複数の上下が開口
する空間３７が形成されるようにしてある。この壁４に
はシーズヒータ２１を固着して加熱することができるよ
うにしてある。また壁４の上方には基板支持体２８が配
置してあり、各空間３７に対応して基板支持体２８に開
口窓２９を設け、各開口窓２９の個所において基板支持
体２８の上に基板３を載置してセットするようにしてあ
る。FIG. 8 shows another example of the embodiment of the present invention, in which auxiliary chambers 11 are provided on both lower sides of the vacuum chamber 1. Each of the preparatory chambers 11 is connected to the vacuum chamber 1 through a gate valve 49. The preparatory chamber 11 is connected to the lower portion of the vacuum chamber 1 by opening the gate valve 49, and the preparatory chamber is closed by closing the gate valve 49. The communication between the vacuum chamber 11 and the vacuum chamber 1 can be shut off in an airtight manner. Vacuum chamber 1 as described above
A vacuum pump 20 is connected to each of the preparatory chambers 11, and another vacuum pump 20 is connected to each of the preparatory chambers 11.
It can be opened and closed by 0. In the upper part of the vacuum chamber 1, a wall 4 formed by a plurality of partition plates or the like is provided.
Are arranged, and a plurality of upper and lower open spaces 37 are formed between the walls 4. A sheath heater 21 is fixed to the wall 4 so that the wall 4 can be heated. Further, a substrate support 28 is disposed above the wall 4, and an opening window 29 is provided in the substrate support 28 corresponding to each space 37, and the substrate is placed on the substrate support 28 at each opening window 29. 3 is placed and set.
【００５１】また、各予備チャンバー１１内には直線状
のガイドレール５２が設けてあり、ガイドレール５２に
スライド具５３がスライド移動自在に取り付けてある。
このスライド具５３に真空チャンバー１の側へ突出する
ように屈曲したアーム５４が設けてあり、アーム５４の
先端に移動ステージ５５が取着してある。この移動ステ
ージ５５は中央部が真空チャンバー１側に開口した平面
Ｕ字形に形成してある。そして各予備チャンバー１１の
下側には駆動ガイドレール５６がガイドレール５２と平
行に設けてあり、この駆動ガイドレール５６に駆動スラ
イド具５７がスライド移動駆動されるように取り付けて
ある。スライド具５３と駆動スライド具５７は例えば共
にマグネットで形成してあり、駆動スライド具５７を駆
動ガイドレール５６に沿って駆動してスライド移動させ
ると、この駆動スライド具５７に吸引されてスライド具
５３もガイドレール５２に沿ってスライド移動するよう
にしてある。A linear guide rail 52 is provided in each spare chamber 11, and a slide tool 53 is slidably mounted on the guide rail 52.
An arm 54 bent so as to protrude toward the vacuum chamber 1 is provided on the slide tool 53, and a moving stage 55 is attached to the tip of the arm 54. The moving stage 55 is formed in a flat U-shape whose center portion is open to the vacuum chamber 1 side. A drive guide rail 56 is provided below each spare chamber 11 in parallel with the guide rail 52, and a drive slide 57 is attached to the drive guide rail 56 so as to be slidably moved. The slide member 53 and the drive slide member 57 are both formed of, for example, magnets. When the drive slide member 57 is driven and slid along the drive guide rail 56, the slide member 53 is sucked by the drive slide member 57. Also slides along the guide rail 52.
【００５２】さらに、真空チャンバー１の底部内には固
定ステージ５９が設けてある。固定ステージ５９は図１
１のように中央が上下に開口する平面形状ロ字形に形成
してあり、この固定ステージ５９の中央開口にリフト板
６０が配置してある。リフト板６０はシリンダー装置６
１によって固定ステージ５９より上方へ持ち上げられる
ように昇降自在になっている。Further, a fixed stage 59 is provided in the bottom of the vacuum chamber 1. The fixed stage 59 is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, the center of the fixed stage 59 is formed in a rectangular shape having a vertical opening at the center, and a lift plate 60 is disposed at the central opening of the fixed stage 59. The lift plate 60 is a cylinder device 6
1 allows it to be raised and lowered so as to be lifted above the fixed stage 59.
【００５３】図１０は蒸着源保持カセット６３を示すも
のであり、基台６４の上面にＬ字形の複数対の端子板６
５を取り付け、対をなす端子板６５の上端部間に高融点
金属のボートで形成される発熱体２４が取り付けてあ
る。各端子板６５は端部の給電接続部６６を基台６４の
端縁から突出させてある。この蒸着源保持カセット６３
は移動ステージ５５の上に載置して使用されるものであ
る。FIG. 10 shows an evaporation source holding cassette 63 in which a plurality of pairs of L-shaped terminal plates 6 are provided on the upper surface of a base 64.
5, a heating element 24 formed of a high melting point metal boat is mounted between upper end portions of a pair of terminal plates 65. Each terminal plate 65 has an end power supply connection portion 66 protruding from the edge of the base 64. This deposition source holding cassette 63
Is mounted on the moving stage 55 for use.
【００５４】上記のように形成される真空蒸着装置で真
空蒸着を行なうにあたっては、まず一つの予備チャンバ
ー１１の蓋５０を開いて上面を開口させ、この予備チャ
ンバー１１内に位置する蒸着源保持カセット６３の発熱
体２４の上に蒸着源２を充填してセットする。この後に
図９（ａ）のように蓋５０を閉じて真空ポンプ２０を作
動させ、予備チャンバー１１内を真空状態に減圧する。
一方、真空チャンバー１内も真空状態に減圧してあり、
壁４は加熱してある。そしてゲートバルブ４９を開いて
一対の予備チャンバー１１のうち一方の予備チャンバー
１１と真空チャンバー１内を連通させる。次に駆動スラ
イド具５７を駆動ガイドレール５６に沿って真空チャン
バー１の側へスライド移動させると、この駆動スライド
具５７に吸引されているスライド具５３もガイドレール
５２に沿って真空チャンバー１の側へスライド移動し、
図９（ｂ）のように移動ステージ５５は予備チャンバー
１１から開いているゲートバルブ４９を通して真空チャ
ンバー１内に導入される。移動ステージ５５の上に載置
されている蒸着源保持カセット６３も移動ステージ５５
とともに真空チャンバー１に導入されるものであり、移
動ステージ５５と蒸着源保持カセット６３は固定ステー
ジ５９の直上に位置するようになっている。次に、リフ
ト板６０が上昇し、移動ステージ５５の中央の開口を挿
通して上昇するリフト板６０によって、図９（ｃ）のよ
うに移動ステージ５５の上から蒸着源保持カセット６３
が持ち上げられる。このように蒸着源保持カセット６３
が持ち上げられると、駆動スライド具５７が真空チャン
バー１から離れる方向へスライド移動し、この駆動スラ
イド具５７に吸引されているスライド具５３も真空チャ
ンバー１から離れる方向へスライド移動し、図９（ｄ）
のように移動ステージ５５を真空チャンバー１から予備
チャンバー１１内に戻すようになっている。この後、リ
フト板６０を下降させて図９（ｅ）のように蒸着源保持
カセット６３を固定ステージ５９の上に載置させる。こ
のように蒸着源保持カセット６３が固定ステージ５９の
上に載置されてセットされると、真空チャンバー１内に
設けた給電電極６７が下降して、蒸着源保持カセット６
３の各端子板６５の給電接続部６６に接触し、端子板６
５を介して発熱体２４に給電して発熱体を発熱させるよ
うにしてある。When performing vacuum deposition with the vacuum deposition apparatus formed as described above, first, the cover 50 of one preliminary chamber 11 is opened to open the upper surface, and the deposition source holding cassette located in the preliminary chamber 11 is opened. The evaporation source 2 is filled and set on the 63 heating elements 24. Thereafter, as shown in FIG. 9A, the lid 50 is closed and the vacuum pump 20 is operated to reduce the pressure in the preliminary chamber 11 to a vacuum state.
On the other hand, the inside of the vacuum chamber 1 is also depressurized to a vacuum state,
Wall 4 is heated. Then, the gate valve 49 is opened to allow one of the pair of preliminary chambers 11 to communicate with the inside of the vacuum chamber 1. Next, when the drive slide 57 is slid to the vacuum chamber 1 along the drive guide rail 56, the slide 53 sucked by the drive slide 57 also moves along the guide rail 52 to the side of the vacuum chamber 1. Slide to
As shown in FIG. 9B, the moving stage 55 is introduced into the vacuum chamber 1 through the gate valve 49 opened from the preliminary chamber 11. The evaporation source holding cassette 63 mounted on the moving stage 55 also moves
The moving stage 55 and the vapor deposition source holding cassette 63 are located immediately above the fixed stage 59. Next, the lift plate 60 is raised, and the lift plate 60 is inserted through the opening in the center of the moving stage 55, so that the vapor deposition source holding cassette 63 is moved from above the moving stage 55 as shown in FIG.
Is lifted. Thus, the evaporation source holding cassette 63
Is lifted, the driving slide 57 slides in the direction away from the vacuum chamber 1, and the slide 53 sucked by the drive slide 57 also slides in the direction away from the vacuum chamber 1, as shown in FIG. )
As described above, the moving stage 55 is returned from the vacuum chamber 1 into the preliminary chamber 11. Thereafter, the lift plate 60 is lowered, and the deposition source holding cassette 63 is placed on the fixed stage 59 as shown in FIG. When the deposition source holding cassette 63 is placed and set on the fixed stage 59 in this manner, the power supply electrode 67 provided in the vacuum chamber 1 is lowered, and the deposition source holding cassette 6
3 is in contact with the power supply connection portion 66 of each terminal plate 65, and the terminal plate 6
Power is supplied to the heating element 24 through the heating element 5 to cause the heating element to generate heat.
【００５５】この後、ゲートバルブ４９を閉じ、既述と
同様にして基板３に蒸着源保持カセット６３の発熱体２
４に充填した蒸着源２の材料を基板３に蒸着して成膜を
行なうことができるものである。そして、蒸着源２が消
費されると、上記と逆の手順で蒸着源保持カセット６３
が予備チャンバー１１に戻される。すなわちリフト板６
０が上昇して蒸着源保持カセット６３が持ち上げられ、
上記のゲートバルブ１９を開いて移動ステージ５５を真
空チャンバー１に導入し、次にリフト板６０が降下して
蒸着源保持カセット６３が移動ステージ５５の上に載
り、蒸着源保持カセット６３が移動ステージ５５ととも
に予備チャンバー１１に戻され、最後にゲートバルブ４
９が閉じられる。このとき、他方の予備チャンバー１１
において蒸着源保持カセット６３の発熱体２４の上に蒸
着源２が充填してセットされており、この他方の予備チ
ャンバー１１から蒸着源保持カセット６３が上記と同様
にして真空チャンバー１内にセットされるようになって
いる。このようにして、真空チャンバー１内を開いて大
気に曝す必要なく、真空チャンバー１内の蒸着源２を取
り換えて補充することが迅速に行なえるものであり、基
板３への蒸着膜を膜厚を厚く成膜することが可能になる
ものである。Thereafter, the gate valve 49 is closed, and the heating element 2 of the evaporation source holding cassette 63 is attached to the substrate 3 in the same manner as described above.
The material of the evaporation source 2 filled in 4 can be deposited on the substrate 3 to form a film. Then, when the evaporation source 2 is consumed, the evaporation source holding cassette 63 is processed in the reverse order.
Is returned to the preliminary chamber 11. That is, the lift plate 6
0 rises, the deposition source holding cassette 63 is lifted,
The moving stage 55 is introduced into the vacuum chamber 1 by opening the gate valve 19, and then the lift plate 60 is lowered to place the deposition source holding cassette 63 on the moving stage 55, and the deposition source holding cassette 63 is moved to the moving stage 55. 55 together with the gate valve 4
9 is closed. At this time, the other preliminary chamber 11
In the above, the evaporation source 2 is filled and set on the heating element 24 of the evaporation source holding cassette 63, and the evaporation source holding cassette 63 is set in the vacuum chamber 1 from the other preliminary chamber 11 in the same manner as described above. It has become so. In this way, it is possible to quickly replace and replenish the evaporation source 2 in the vacuum chamber 1 without having to open the vacuum chamber 1 and expose it to the atmosphere. Can be formed into a thick film.
【００５６】図８の実施の形態では、一対の予備チャン
バー１１を真空チャンバー１の両側に接続するようにし
たが、予備チャンバー１１は一つのみを用いて真空チャ
ンバー１とこの予備チャンバー１１の間で蒸着源２の取
り換えができるようにしてもよい。また、３個以上の予
備チャンバー１１を用い、真空チャンバー１の回りに放
射状に各予備チャンバー１１を接続するようにすること
もできる。図１３の実施の形態では、真空チャンバー１
を平面視五角形に形成し、五個の予備チャンバー１１を
真空チャンバー１の回りに接続するようにしてある。こ
のものでは各予備チャンバー１１から順に真空チャンバ
ー１内の蒸着源２を取り換えて補充することができるも
のである。In the embodiment shown in FIG. 8, a pair of preparatory chambers 11 are connected to both sides of the vacuum chamber 1, but only one preparatory chamber 11 is used to connect the preparatory chamber 11 with the preparatory chamber 11. The replacement of the vapor deposition source 2 may be performed by using the above method. Further, it is also possible to use three or more preliminary chambers 11 and connect the respective preliminary chambers 11 radially around the vacuum chamber 1. In the embodiment shown in FIG.
Are formed in a pentagonal shape in plan view, and five preliminary chambers 11 are connected around the vacuum chamber 1. In this case, the evaporation source 2 in the vacuum chamber 1 can be replaced and replenished in order from each preliminary chamber 11.
【００５７】尚、蒸着源２と基板３が対向する空間を壁
４で囲むにあたって、この空間は完全に壁４で囲まれて
いる必要はなく、空間の６０〜９０％の範囲が壁４で囲
まれていれば良い。蒸着源２と基板３が対向する空間の
６０〜９０％の範囲を壁４で囲むことによって、歩留ま
り良く均一な膜厚で蒸着して成膜することが可能になる
ものである。When the space in which the evaporation source 2 and the substrate 3 face each other is surrounded by the wall 4, the space does not need to be completely surrounded by the wall 4, and 60% to 90% of the space is covered by the wall 4. You only have to be surrounded. By enclosing the range of 60 to 90% of the space where the evaporation source 2 and the substrate 3 face each other with the wall 4, it is possible to perform evaporation with a uniform film thickness with good yield.
【００５８】また、有機材料が堆積されない温度に加熱
される壁４は、蒸着源２と基板３が対向する空間を囲む
側の表面がこの有機材料と反応しにくい材質で形成して
おくのが好ましい。このような有機材料と反応しにくい
材質としては、アルミナ、炭化ケイ素などのセラミック
や、ダイヤモンド、ステンレススチールを例示すること
ができる。このように壁４を形成しておくことによっ
て、有機材料が壁４に付着した場合であっても、有機材
料が壁４によって変質されることを防ぐことができ、壁
４に一旦付着した有機材料が再度蒸発して、基板３に蒸
着されて成膜される場合でも、成膜の純度が低下するこ
とを防ぐことができるものである。The wall 4 to be heated to a temperature at which the organic material is not deposited should be formed of a material whose surface surrounding the space where the vapor deposition source 2 and the substrate 3 face each other does not easily react with the organic material. preferable. Examples of such a material that does not easily react with the organic material include ceramics such as alumina and silicon carbide, diamond, and stainless steel. By forming the wall 4 in this way, even when the organic material adheres to the wall 4, the organic material can be prevented from being deteriorated by the wall 4, and the organic material once adhered to the wall 4 can be prevented. Even when the material evaporates again and is deposited on the substrate 3 to form a film, the purity of the film can be prevented from lowering.
【００５９】[0059]
【実施例】次に、図２の実施形態の装置について、具体
的な実施例で本発明の効果を実証する。EXAMPLE Next, the effect of the present invention will be demonstrated with a specific example for the apparatus of the embodiment shown in FIG.
【００６０】図２に示す装置において、各筒体５とし
て、材質がＳＵＳ３１６で、寸法が５０ｍｍ×５０ｍｍ
×高さ２５０ｍｍに形成したものを用い、各発熱体２４
としてタングステンフィラメントとルツボからなるもの
を用いた。また各発熱体２４に充填される蒸着源２とし
て、基板３の移動方向の手前から順に、ＣｕＰｃ（copp
er phthalocyanine）、α−ＮＰＤ（α−naphthylpheny
lbiphenyldiamine）、Ａｌｑ３（tris-(8-hydroxyquino
line)）をそれぞれ用い、基板３として５０ｍｍ×５０
ｍｍ×厚み０．７ｍｍのガラス板を用いた。In the apparatus shown in FIG. 2, each cylinder 5 is made of SUS316 and has a size of 50 mm × 50 mm.
X 250 mm high, each heating element 24
Used was a tungsten filament and a crucible. Further, as the evaporation source 2 filled in each heating element 24, CuPc (copp
erphthalocyanine), α-NPD (α-naphthylpheny)
lbiphenyldiamine), Alq3 (tris- (8-hydroxyquino
line)), and the substrate 3 is 50 mm × 50
A glass plate of mm × 0.7 mm thickness was used.
【００６１】そして、各発熱体２４に５Ａの電流を流し
て各蒸着源２を加熱して蒸発させると共に、各筒体５を
２５０℃に加熱し、基板３を基板送り装置７によって２
ｍｍ／秒の移動速度で各筒体５の上方を移動させること
によって、基板３に真空蒸着をした。Then, a current of 5 A is applied to each heating element 24 to heat and evaporate each vapor deposition source 2, each cylindrical body 5 is heated to 250 ° C., and the substrate 3 is moved by the substrate feeding device 7.
Vacuum evaporation was performed on the substrate 3 by moving the cylinder 5 at a speed of mm / sec.
【００６２】このように蒸着を行なった基板３につい
て、蒸着膜の膜厚を触針式膜厚計で測定し、またこの膜
厚から蒸着速度（タクトタイム）を評価した。さらに、
蒸着前後の基板３の質量変化と、蒸着前後の発熱体２４
のルツボの質量変化を測定し、これらから、蒸着源２の
利用効率である材料利用効率を評価した。The thickness of the deposited film of the substrate 3 thus deposited was measured with a stylus-type film thickness meter, and the deposition rate (tact time) was evaluated from the thickness. further,
The change in the mass of the substrate 3 before and after the vapor deposition and the heating element 24 before and after the vapor deposition
The mass change of the crucible was measured, and from these, the material use efficiency, which is the use efficiency of the evaporation source 2, was evaluated.
【００６３】(蒸着前後基板質量変化／蒸着前後ルツボ
質量変化)×１００＝材料利用効率その結果、蒸着膜の
トータル膜厚＝１３００Å、平均蒸着速度＝１７．３Å
／秒、材料利用効率＝３５．０％であった。比較のため
に、筒体５を用いずに同様に蒸着を行なったところ、蒸
着膜のトータル膜厚＝１４０Å、平均蒸着速度＝１．９
Å／秒、材料利用効率＝４．２％であり、加熱された壁
である筒体５を用いたことによる本発明の効果が実証さ
れた。(Change in substrate mass before and after vapor deposition / Change in crucible mass before and after vapor deposition) × 100 = material use efficiency As a result, total film thickness of vapor deposited film = 1300 °, average vapor deposition rate = 17.3 °
/ Sec, material utilization efficiency = 35.0%. For comparison, when vapor deposition was performed in the same manner without using the cylinder 5, the total film thickness of the vapor deposited film was 140 ° and the average vapor deposition rate was 1.9.
Å / sec, material utilization efficiency = 4.2%, demonstrating the effect of the present invention by using the cylindrical body 5 as a heated wall.
【００６４】[0064]
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る真
空蒸着装置は、０．０１Ｐａ以下の減圧下の真空チャン
バー内で蒸着源を加熱して基板表面に蒸着する真空蒸着
装置において、蒸着源のうち少なくとも一つは有機材料
を用い、その有機材料が堆積されない温度に加熱された
壁で、蒸着源と基板が対向する空間を囲むようにしたの
で、蒸着源から発生する気化分子を壁で囲んで閉じ込め
ることができ、蒸着源から発生する気化分子の多くを基
板の表面に到達させて付着させることができるものであ
り、均一な膜厚で成膜速度高く、しかも歩留まり高く蒸
着を行なうことができるものである。また、気化分子が
壁の表面に付着しても再加熱されて気化し、壁の表面に
堆積されることがなくなるものであり、同じ真空チャン
バーを用いて異なる材料に切り換えて真空蒸着を行なう
場合に、純度の高い成膜を行なうことが可能になると共
に、真空チャンバー内を真空に維持することが困難にな
ることを防ぐことができるものである。As described above, the vacuum deposition apparatus according to claim 1 of the present invention is a vacuum deposition apparatus that heats a deposition source in a vacuum chamber under a reduced pressure of 0.01 Pa or less to deposit on a substrate surface. At least one of the evaporation sources uses an organic material, and a wall heated to a temperature at which the organic material is not deposited is used to surround the space where the evaporation source and the substrate are opposed, so that vaporized molecules generated from the evaporation source are removed. It can be confined by enclosing it with walls, and many vaporized molecules generated from the evaporation source can reach the surface of the substrate and adhere to it. It can be done. Also, even if the vaporized molecules adhere to the wall surface, they are reheated and vaporized, and are not deposited on the wall surface.When performing vacuum deposition by switching to a different material using the same vacuum chamber, In addition, it is possible to form a film with high purity and to prevent the difficulty in maintaining the vacuum in the vacuum chamber.
【００６５】また請求項２の発明は、上記請求項１にお
いて、蒸着源と基板とが相対的に移動した状態で、蒸着
源を加熱して基板表面に蒸着するようにしたので、蒸着
源として複数種の材料を用いることによって、基板の表
面に異なる材料を蒸着することができ、異種の複数の材
料を積層した構造で成膜することが可能になるものであ
る。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the vapor deposition source is heated to perform vapor deposition on the substrate surface in a state where the vapor deposition source and the substrate are relatively moved. By using a plurality of kinds of materials, different materials can be deposited on the surface of the substrate, and a film can be formed with a structure in which a plurality of different kinds of materials are stacked.
【００６６】また請求項３の発明は、上記請求項１又は
２において、蒸着源と、蒸着源と基板が対向する空間を
囲む壁とが、相対的に移動した状態で、蒸着源を加熱し
て基板表面に蒸着するようにしたので、壁の特定の個所
に蒸発源の材料が付着するようなことを未然に防ぐこと
ができ、壁を加熱することによって堆積を防止する効果
を高く得ることができるものである。According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the evaporation source is heated while the evaporation source and a wall surrounding a space where the evaporation source and the substrate are opposed to each other are relatively moved. Since the evaporation is performed on the substrate surface, it is possible to prevent the material of the evaporation source from adhering to a specific portion of the wall beforehand, and to obtain a high effect of preventing the deposition by heating the wall. Can be done.
【００６７】また請求項４の発明は、上記請求項１乃至
３のいずれかにおいて、蒸着源として用いる有機材料
が、有機エレクトロルミネッセンス材料であるので、精
度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する
ことが容易になるものである。According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, since the organic material used as the vapor deposition source is an organic electroluminescent material, it is possible to manufacture a highly accurate organic electroluminescent element. It will be easier.
【００６８】また請求項５の発明は、上記請求項１乃至
４のいずれかにおいて、蒸着源と基板が対向する空間を
囲む壁として筒体を用い、真空チャンバー内に複数の筒
体を配置し、各筒体に蒸着源を配置すると共に、基板を
各筒体の開口部間に亘って移動させるようにしたので、
各筒体に設ける蒸着源として異なる材料を用いることに
よって、基板の表面に異なる材料を順に蒸着することが
でき、異種の複数の材料を積層した構造で成膜すること
が可能になるものである。According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, a cylindrical body is used as a wall surrounding a space where the evaporation source and the substrate face each other, and a plurality of cylindrical bodies are arranged in a vacuum chamber. Since the evaporation source was arranged in each cylinder and the substrate was moved between the openings of each cylinder,
By using different materials as the evaporation source provided for each cylinder, different materials can be sequentially evaporated on the surface of the substrate, and a film can be formed in a structure in which a plurality of different materials are stacked. .
【００６９】また請求項６の発明は、上記請求項１乃至
５のいずれかにおいて、蒸着源と基板が対向する空間を
囲む壁として筒体を用い、一つの筒体に複数の蒸着源を
配置すると共に各蒸着源の間を仕切る仕切り壁を筒体内
に設け、筒体と仕切り壁によってそれぞれの蒸着源と基
板が対向する空間をそれぞれ囲むようにしたので、一つ
の筒体内の複数の蒸着源を仕切り壁で分離した状態で、
蒸着源の材料が混ざり合うことなく、基板に成膜するこ
とができるものである。According to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects, a cylindrical body is used as a wall surrounding a space where the evaporation source and the substrate face each other, and a plurality of evaporation sources are arranged in one cylindrical body. In addition, a partition wall that separates between the evaporation sources is provided in the cylinder, and the cylinder and the partition wall surround the spaces where the respective evaporation sources and the substrate face each other. In a state separated by a partition wall,
A film can be formed on a substrate without mixing materials of an evaporation source.
【００７０】また請求項７の発明は、上記請求項１乃至
６のいずれかにおいて、基板を移動させる基板送り装置
を具備し、基板送り装置を基板の移動速度を制御自在に
形成したので、基板の移動速度の調整によって蒸着の作
用を受ける時間を調整することができ、基板の表面に成
膜する蒸着膜の膜厚を任意に制御することができるもの
である。According to a seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects, the apparatus further comprises a substrate feeding device for moving the substrate, and the substrate feeding device is formed so as to control the moving speed of the substrate. By adjusting the moving speed of the substrate, the time for receiving the effect of vapor deposition can be adjusted, and the thickness of the vapor deposited film formed on the surface of the substrate can be arbitrarily controlled.
【００７１】また請求項８の発明は、上記請求項１乃至
７のいずれかにおいて、基板を移動させる基板送り装置
を具備し、基板を円運動させる方向に移動させるように
基板送り装置を形成したので、基板を移動させることに
よって蒸着源に対する位置を変えながら基板の表面への
蒸着を行なうことができ、基板の表面の成膜の膜厚を均
一化することができるものである。According to an eighth aspect of the present invention, in any one of the first to seventh aspects, the apparatus further comprises a substrate feeding device for moving the substrate, and the substrate feeding device is formed so as to move the substrate in a circular motion direction. Therefore, by moving the substrate, vapor deposition can be performed on the surface of the substrate while changing the position with respect to the vapor deposition source, and the film thickness of the film formed on the surface of the substrate can be made uniform.
【００７２】また請求項９の発明は、上記請求項１乃至
７のいずれかにおいて、基板として長尺シート材を用
い、長尺シート材を一対の一方のロールから巻き外すと
共に他方のロールに巻き付けて移動させるようにしたの
で、長尺シート材に全長に亘って蒸着を行なって成膜す
ることができるものである。According to a ninth aspect of the present invention, in any one of the first to seventh aspects, a long sheet material is used as a substrate, and the long sheet material is unwound from one of a pair of rolls and wound around the other roll. Therefore, the long sheet material can be formed by vapor deposition over the entire length.
【００７３】また請求項１０の発明は、上記請求項１乃
至９のいずれかにおいて、真空チャンバーに接続して減
圧可能な予備チャンバーを付設し、蒸着源を真空チャン
バーと予備チャンバーの間で移動自在にしたので、真空
チャンバー内を開いて大気に曝す必要なく、予備チャン
バーから真空チャンバー内の蒸着源を取り換えて補充す
ることができるものである。According to a tenth aspect of the present invention, in any one of the first to ninth aspects, a preparatory chamber connected to the vacuum chamber and capable of reducing pressure is provided, and the vapor deposition source is movable between the vacuum chamber and the preparatory chamber. Therefore, it is possible to replace and replace the deposition source in the vacuum chamber from the preliminary chamber without opening the vacuum chamber and exposing it to the atmosphere.
【００７４】また請求項１１の発明は、上記請求項２乃
至１０のいずれかにおいて、筒体の基板の側の開口部の
幅を、基板の移動方向と直交する方向の基板の幅より２
０％広い寸法からこの幅より２０％狭い寸法の範囲内に
形成したので、歩留まり良く均一な膜厚で蒸着して成膜
することが可能になるものである。According to the eleventh aspect of the present invention, in any one of the second to tenth aspects, the width of the opening of the cylindrical body on the side of the substrate is set to be larger than the width of the substrate in the direction orthogonal to the direction of movement of the substrate.
Since the film is formed in a range from 0% wide dimension to 20% narrower than this width, it is possible to form a film by vapor deposition with a uniform film thickness with good yield.
【００７５】また請求項１２の発明は、上記請求項１乃
至１１のいずれかにおいて、有機材料が堆積されない温
度に加熱された壁で、蒸着源と基板が対向する空間のう
ち、６０〜９０％を囲むようにしたので、歩留まり良く
均一な膜厚で蒸着して成膜することが可能になるもので
ある。According to a twelfth aspect of the present invention, in any one of the first to eleventh aspects, the wall heated to a temperature at which the organic material is not deposited is 60 to 90% of the space where the evaporation source and the substrate face each other. Is formed, it is possible to form a film by vapor deposition with a uniform film thickness with good yield.
【００７６】また請求項１３の発明は、上記請求項１乃
至１２のいずれかにおいて、有機材料が堆積されない温
度に加熱された壁の、蒸着源と基板が対向する空間を囲
む側の表面が、有機物が反応しにくい材質で形成されて
いるので、有機材料が壁に付着した場合であっても、有
機材料が変質し難く、壁に一旦付着した有機材料が再度
蒸発して基板に付着した場合でも、成膜の純度が低下す
ることを防ぐことができるものである。According to a thirteenth aspect of the present invention, in any one of the first to twelfth aspects, the surface of the wall heated to a temperature at which the organic material is not deposited, on the side surrounding the space where the evaporation source and the substrate face each other, Since the organic material is formed of a material that does not easily react, even if the organic material adheres to the wall, the organic material is hardly deteriorated, and the organic material once adhered to the wall evaporates again and adheres to the substrate. However, it is possible to prevent the purity of the film from being reduced.
【００７７】また、本発明の請求項１４に係る有機材料
の真空蒸着方法は、上記請求項１乃至１３のいずれかに
記載の真空成形装置を用いて、基板表面に複数の有機材
料を蒸着するようにしたので、均一な膜厚で成膜速度高
く、しかも歩留まり高く有機材料を蒸着することがで
き、有機材料による純度の高い成膜を行なうことができ
るものである。According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a method for vacuum vapor deposition of an organic material, wherein a plurality of organic materials are vapor-deposited on a substrate surface using the vacuum forming apparatus according to any one of the first to thirteenth aspects. As a result, an organic material can be deposited with a uniform film thickness at a high deposition rate and a high yield, and a highly pure film can be formed from the organic material.
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態の他の一例を示す斜視図で
ある。FIG. 2 is a perspective view showing another example of the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態の他の一例を示す斜視図で
ある。FIG. 3 is a perspective view showing another example of the embodiment of the present invention.
【図４】同上の実施の形態の一部を示すものであり、
（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。FIG. 4 shows a part of the above embodiment,
(A) is a sectional view, and (b) is a perspective view.
【図５】本発明の実施の形態の他の一例を示す一部の斜
視図である。FIG. 5 is a partial perspective view showing another example of the embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施の形態の他の一例を示す斜視図で
ある。FIG. 6 is a perspective view showing another example of the embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施の形態の他の一例を示す断面図で
ある。FIG. 7 is a sectional view showing another example of the embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施の形態の他の一例を示す断面図で
ある。FIG. 8 is a cross-sectional view showing another example of the embodiment of the present invention.
【図９】同上の実施の形態の一部を示すものであり、
（ａ）乃至（ｅ）は断面図である。FIG. 9 shows a part of the above embodiment,
(A) to (e) are cross-sectional views.
【図１０】同上の実施の形態の一部を示す斜視図であ
る。FIG. 10 is a perspective view showing a part of the embodiment.
【図１１】同上の実施の形態の一部を示す斜視図であ
る。FIG. 11 is a perspective view showing a part of the above embodiment.
【図１２】同上の実施の形態の一部を示す断面図であ
る。FIG. 12 is a sectional view showing a part of the above embodiment.
【図１３】本発明の実施の形態の他の一例を示すもので
あり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は概略平面図であ
る。13 shows another example of the embodiment of the present invention, wherein (a) is a schematic perspective view and (b) is a schematic plan view. FIG.
【図１４】蒸着源と基板との関係を示す概略図である。FIG. 14 is a schematic diagram showing a relationship between a deposition source and a substrate.
１ 真空チャンバー ２ 蒸着源 ３ 基板 ４ 壁 ５ 筒体 ６ 仕切り壁 ７ 基板送り装置 ８ 長尺シート材 ９ ロール １０ ロール １１ 予備チャンバー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Evaporation source 3 Substrate 4 Wall 5 Cylindrical body 6 Partition wall 7 Substrate feeder 8 Long sheet material 9 Roll 10 Roll 11 Reserve chamber
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城戸 淳二 奈良県北葛城郡広陵町馬見北９−４−３ (72)発明者 近藤 行廣 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 岸上 泰久 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AA07 AB18 DA02 EB00 FA01 FA03 4K029 AA09 BA62 BB02 BD00 CA01 DB06 DB18 EA03 KA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Junji Kido 9-4-3, Mamikita, Koryo-cho, Kitakatsuragi-gun, Nara Pref. (72) Inventor Yukihiro Kondo 1048 Odoma, Oaza, Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Works, Ltd. 72) Inventor Yasuhisa Kishigami 1048 Kazuma Kadoma, Kadoma-shi, Osaka F-term in Matsushita Electric Works Co., Ltd.
Claims (14)
バー内で蒸着源を加熱して基板表面に蒸着する真空蒸着
装置において、蒸着源のうち少なくとも一つは有機材料
を用い、その有機材料が堆積されない温度に加熱された
壁で、蒸着源と基板が対向する空間を囲んで成ることを
特徴とする真空蒸着装置。In a vacuum deposition apparatus for heating a deposition source in a vacuum chamber under a reduced pressure of 0.01 Pa or less to deposit on a substrate surface, at least one of the deposition sources uses an organic material, and the organic material is A vacuum deposition apparatus comprising a wall heated to a temperature at which deposition is not performed and surrounding a space where a deposition source and a substrate face each other.
で、蒸着源を加熱して基板表面に蒸着するようにして成
ることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。2. The vacuum evaporation apparatus according to claim 1, wherein the evaporation source is heated to perform evaporation on the surface of the substrate while the evaporation source and the substrate are relatively moved.
を囲む壁とが、相対的に移動した状態で、蒸着源を加熱
して基板表面に蒸着するようにして成ることを特徴とす
る請求項１又は２に記載の真空蒸着装置。3. The method according to claim 1, wherein the vapor deposition source and a wall surrounding a space where the vapor deposition source and the substrate face each other are relatively moved, and the vapor deposition source is heated to perform vapor deposition on the substrate surface. The vacuum deposition apparatus according to claim 1 or 2, wherein
レクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれかに記載の真空蒸着装置。4. The vacuum vapor deposition device according to claim 1, wherein the organic material used as the vapor deposition source is an organic electroluminescent material.
して筒体を用い、真空チャンバー内に複数の筒体を配置
し、各筒体に蒸着源を配置すると共に、基板を各筒体の
開口部間に亘って移動させるようにして成ることを特徴
とする請求項１乃至４のいずれかに記載の真空蒸着装
置。5. A cylindrical body is used as a wall surrounding a space where an evaporation source and a substrate face each other, a plurality of cylindrical bodies are arranged in a vacuum chamber, an evaporation source is arranged in each cylindrical body, and the substrate is connected to each cylindrical body. 5. The vacuum evaporation apparatus according to claim 1, wherein the vacuum evaporation apparatus is moved between the openings.
して筒体を用い、一つの筒体に複数の蒸着源を配置する
と共に各蒸着源の間を仕切る仕切り壁を筒体内に設け、
筒体と仕切り壁によってそれぞれの蒸着源と基板が対向
する空間をそれぞれ囲んで成ることを特徴とする請求項
１乃至５のいずれかに記載の真空蒸着装置。6. A cylindrical body is used as a wall surrounding a space where an evaporation source and a substrate face each other, a plurality of evaporation sources are arranged in one cylindrical body, and a partition wall for separating between the evaporation sources is provided in the cylindrical body.
The vacuum evaporation apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein a space in which the evaporation source and the substrate face each other is surrounded by the cylinder and the partition wall.
し、基板送り装置を基板の移動速度を制御自在に形成し
て成ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記
載の真空蒸着装置。7. The vacuum deposition according to claim 1, further comprising a substrate feeding device for moving the substrate, wherein the substrate feeding device is formed so as to control the moving speed of the substrate. apparatus.
し、基板を円運動させる方向に移動させるように基板送
り装置を形成して成ることを特徴とする請求項１乃至７
のいずれかに記載の真空蒸着装置。8. The apparatus according to claim 1, further comprising a substrate feeding device for moving the substrate, wherein the substrate feeding device is formed so as to move the substrate in a direction in which the substrate moves in a circular motion.
The vacuum evaporation apparatus according to any one of the above.
ート材を一対の一方のロールから巻き外すと共に他方の
ロールに巻き付けて移動させるようにして成ることを特
徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の真空蒸着装
置。9. A long sheet material is used as a substrate, and the long sheet material is unwound from one of a pair of rolls and wound around the other roll to be moved. The vacuum evaporation apparatus according to any one of the above.
予備チャンバーを付設し、蒸着源を真空チャンバーと予
備チャンバーの間で移動自在にして成ることを特徴とす
る請求項１乃至９のいずれかに記載の真空蒸着装置。10. The vacuum chamber according to claim 1, further comprising a preliminary chamber connected to the vacuum chamber and capable of reducing the pressure, wherein the deposition source is movable between the vacuum chamber and the preliminary chamber. The vacuum evaporation apparatus according to the above.
の移動方向と直交する方向の基板の幅より２０％広い寸
法からこの幅より２０％狭い寸法の範囲内に形成して成
ることを特徴とする請求項２乃至１０のいずれかに記載
の真空蒸着装置。11. The width of the opening of the cylindrical body on the side of the substrate is formed within a range from 20% wider than the width of the substrate in a direction orthogonal to the direction of movement of the substrate to 20% narrower than the width. The vacuum evaporation apparatus according to claim 2, wherein the vacuum evaporation apparatus is formed.
れた壁で、蒸着源と基板が対向する空間のうち、６０〜
９０％を囲んで成ることを特徴とする請求項１乃至１１
のいずれかに記載の真空蒸着装置。12. A wall heated to a temperature at which an organic material is not deposited, and 60 to 60 of a space where a deposition source and a substrate face each other.
12. The method according to claim 1, wherein the area is 90%.
The vacuum evaporation apparatus according to any one of the above.
れた壁の、蒸着源と基板が対向する空間を囲む側の表面
が、有機材料と反応しにくい材質で形成されていること
を特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の真空
蒸着装置。13. The surface of a wall heated to a temperature at which an organic material is not deposited, on a side surrounding a space where a deposition source and a substrate face each other, is formed of a material that does not easily react with the organic material. The vacuum evaporation apparatus according to claim 1.
真空成形装置を用いて、基板表面に複数の有機材料を蒸
着することを特徴とする有機材料の真空蒸着方法。14. A vacuum deposition method for an organic material, wherein a plurality of organic materials are deposited on the surface of a substrate by using the vacuum forming apparatus according to claim 1. Description:
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