JP2002079457A - 薄板の製造方法、圧電素板、および圧電振動子 - Google Patents
薄板の製造方法、圧電素板、および圧電振動子Info
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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Abstract
(57)【要約】
【課題】水晶素板を数μmの厚さに加工する。
【解決手段】厚さ100μmの水晶素板QPをセラミッ
クス製貼り付け盤1に接着剤2で接着し、貼り付け盤1
に接着剤4で接着された鉄ワッシャ3で水晶素板QPの
周囲を保護する。水晶素板QPの第1面Aをラッピング
加工して60μmの厚みとする。この水晶素板QPをセ
ラミックス製貼り付け盤1から剥がし、第1面Aを黄銅
製貼り付け盤11に接着剤12で接着する。水晶素板Q
Pの周囲に厚み20μmのニッケルメッキ膜14を生膜
する。水晶素板QPの第2面Bをラッピング加工して2
0μmの厚みとする。SiO2の砥粒を供給しながら水晶素
板QPの第2面Bをポリッシング加工して、厚み5〜6
μmの水晶素板QPを製造する。
クス製貼り付け盤1に接着剤2で接着し、貼り付け盤1
に接着剤4で接着された鉄ワッシャ3で水晶素板QPの
周囲を保護する。水晶素板QPの第1面Aをラッピング
加工して60μmの厚みとする。この水晶素板QPをセ
ラミックス製貼り付け盤1から剥がし、第1面Aを黄銅
製貼り付け盤11に接着剤12で接着する。水晶素板Q
Pの周囲に厚み20μmのニッケルメッキ膜14を生膜
する。水晶素板QPの第2面Bをラッピング加工して2
0μmの厚みとする。SiO2の砥粒を供給しながら水晶素
板QPの第2面Bをポリッシング加工して、厚み5〜6
μmの水晶素板QPを製造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶振動子に代表
される圧電素板等の薄板を厚さ数μmまで研磨可能とし
た薄板の製造方法に関する。
される圧電素板等の薄板を厚さ数μmまで研磨可能とし
た薄板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、携帯電話用発振素子、周波数
制御素子として水晶振動子が使用されている。近年、パ
ソコンやPDAなどに搭載されるMPUに要求されるク
ロック周波数、あるいは携帯電話用発振素子に要求され
る発振周波数が高くなり、必然的に携帯電話用発振素
子、周波数制御素子として使用される水晶振動子にも高
い周波数が要求される。
制御素子として水晶振動子が使用されている。近年、パ
ソコンやPDAなどに搭載されるMPUに要求されるク
ロック周波数、あるいは携帯電話用発振素子に要求され
る発振周波数が高くなり、必然的に携帯電話用発振素
子、周波数制御素子として使用される水晶振動子にも高
い周波数が要求される。
【0003】一般的な厚み滑り振動モードの水晶振動子
では、その共振周波数f(MHz)は板厚y0(μm)
に反比例し、f=1670/y0で表すことができる。
したがって、上述した水晶振動子の水晶素板は、所望の
共振周波数で算出される厚さまで研磨している。最近で
は両面研磨法により厚さ30μmの水晶素板が次のよう
な研磨方法で量産されている。 (1)厚さ30μmのキャリアに厚さ100μm程度の
水晶素板を保持する。 (2)粒径の粗い砥粒を使用して水晶素板の両面をラッ
ピング加工する。 (3)粒径の細かい砥粒を使用して水晶素板の両面をポ
リッシング加工する。
では、その共振周波数f(MHz)は板厚y0(μm)
に反比例し、f=1670/y0で表すことができる。
したがって、上述した水晶振動子の水晶素板は、所望の
共振周波数で算出される厚さまで研磨している。最近で
は両面研磨法により厚さ30μmの水晶素板が次のよう
な研磨方法で量産されている。 (1)厚さ30μmのキャリアに厚さ100μm程度の
水晶素板を保持する。 (2)粒径の粗い砥粒を使用して水晶素板の両面をラッ
ピング加工する。 (3)粒径の細かい砥粒を使用して水晶素板の両面をポ
リッシング加工する。
【0004】しかしながら、上述した従来の両面研磨方
式では、水晶素板を保持するキャリアをむやみに薄くす
ることができないため、30μmの厚さまで加工するこ
とが量産技術の限界である。
式では、水晶素板を保持するキャリアをむやみに薄くす
ることができないため、30μmの厚さまで加工するこ
とが量産技術の限界である。
【0005】本発明の目的は、数μmの厚さまで薄板を
研磨することができる薄板の製造方法を提供することに
ある。本発明の他の目的は、上記製造方法で製造した圧
電素板、およびこの圧電素板を使用した圧電振動子を提
供することにある。
研磨することができる薄板の製造方法を提供することに
ある。本発明の他の目的は、上記製造方法で製造した圧
電素板、およびこの圧電素板を使用した圧電振動子を提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】一実施の形態の図1〜図
5に対応づけて本発明を説明する。 (1)請求項1の薄板の製造方法は、貼り付け盤11に
薄板QPを固定し、貼り付け盤11の面上において、薄
板QPの外周面に接するように金属メッキ膜14を成膜
し、その後、薄板QPを所定の厚さまで研磨することに
より、上記目的を達成する。 (2)請求項2の薄板の製造方法は、薄板QPの第1面
Aを研磨面として薄板QPを貼り付け盤1に固定し、薄
板QPの第1面Aを研磨し、貼り付け盤1から第1面A
が研磨された薄板QPを取り外し、第1面Aと反対の第
2面Bを研磨面として薄板QPを貼り付け盤11に固定
し、貼り付け盤11の面上において、薄板QPの外周面
に接するように金属メッキ膜14を成膜し、その後、薄
板QPが所定の厚さになるまで第2面Bを研磨すること
により、上記目的を達成する。 (3)請求項3の発明は、請求項2の薄板の製造方法に
おいて、薄板QPの外周面を保護リング3で覆って薄板
QPの第1面Aを研磨することを特徴とする。 (4)請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記
載の薄板の製造方法において、薄板QPの研磨後の厚さ
が30μm未満〜2μm以上であることを特徴とする。 (5)請求項5の発明による圧電素板は、請求項1〜4
の製造方法で製造したことを特徴とする。 (6)請求項6の発明による圧電振動子は、請求項5の
圧電素板51と、圧電素板51の両面に形成された電極
51aに接続されるリード線52と、リード線52を保
持するベース54と、ベース54に取付けられて圧電素
板51を真空中で保持するケース55とを有することを
特徴とする。
5に対応づけて本発明を説明する。 (1)請求項1の薄板の製造方法は、貼り付け盤11に
薄板QPを固定し、貼り付け盤11の面上において、薄
板QPの外周面に接するように金属メッキ膜14を成膜
し、その後、薄板QPを所定の厚さまで研磨することに
より、上記目的を達成する。 (2)請求項2の薄板の製造方法は、薄板QPの第1面
Aを研磨面として薄板QPを貼り付け盤1に固定し、薄
板QPの第1面Aを研磨し、貼り付け盤1から第1面A
が研磨された薄板QPを取り外し、第1面Aと反対の第
2面Bを研磨面として薄板QPを貼り付け盤11に固定
し、貼り付け盤11の面上において、薄板QPの外周面
に接するように金属メッキ膜14を成膜し、その後、薄
板QPが所定の厚さになるまで第2面Bを研磨すること
により、上記目的を達成する。 (3)請求項3の発明は、請求項2の薄板の製造方法に
おいて、薄板QPの外周面を保護リング3で覆って薄板
QPの第1面Aを研磨することを特徴とする。 (4)請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記
載の薄板の製造方法において、薄板QPの研磨後の厚さ
が30μm未満〜2μm以上であることを特徴とする。 (5)請求項5の発明による圧電素板は、請求項1〜4
の製造方法で製造したことを特徴とする。 (6)請求項6の発明による圧電振動子は、請求項5の
圧電素板51と、圧電素板51の両面に形成された電極
51aに接続されるリード線52と、リード線52を保
持するベース54と、ベース54に取付けられて圧電素
板51を真空中で保持するケース55とを有することを
特徴とする。
【0007】なお、上記課題を解決するための手段の項
では、本発明を分かり易くるために実施の形態の図を用
いたが、これにより本発明が実施の形態に限定されるも
のではない。
では、本発明を分かり易くるために実施の形態の図を用
いたが、これにより本発明が実施の形態に限定されるも
のではない。
【0008】
【発明の実施の形態】図1〜図5を参照して、本発明に
よる薄板の製造方法により厚さ5〜6μmの水晶素板を
加工する手順について説明する。
よる薄板の製造方法により厚さ5〜6μmの水晶素板を
加工する手順について説明する。
【0009】(1)予め準備された厚さ100μm、直
径5mmの水晶素板QPをセラミックス製貼り付け盤1
に接着剤2で接着する(図1(a))。セラミックス製
貼り付け盤1の水晶素板接着面は予め鏡面仕上げされて
いる。以下の説明において、図1(a)の工程における
水晶素板QPのラップ面を第1面A、接着面を第2面B
と呼ぶ。 (2)水晶素板QPを取り囲むように厚さ60μm、内
径5mmのリング状の鉄ワッシャ3を接着剤4で接着す
る(図1(b))。 (3)すず製の定盤(図4参照)を使用し、GC200
0と呼ばれる砥粒を含有する研磨剤を供給しながらラッ
ピング加工を行い、水晶素板QPを60μmの厚みに加
工する(図1(c))。 (4)貼り付け盤1ごとアセトン溶液に浸し、鉄ワッシ
ャ3とともに水晶素板QPをセラミックス製貼り付け盤
1から取り外す。
径5mmの水晶素板QPをセラミックス製貼り付け盤1
に接着剤2で接着する(図1(a))。セラミックス製
貼り付け盤1の水晶素板接着面は予め鏡面仕上げされて
いる。以下の説明において、図1(a)の工程における
水晶素板QPのラップ面を第1面A、接着面を第2面B
と呼ぶ。 (2)水晶素板QPを取り囲むように厚さ60μm、内
径5mmのリング状の鉄ワッシャ3を接着剤4で接着す
る(図1(b))。 (3)すず製の定盤(図4参照)を使用し、GC200
0と呼ばれる砥粒を含有する研磨剤を供給しながらラッ
ピング加工を行い、水晶素板QPを60μmの厚みに加
工する(図1(c))。 (4)貼り付け盤1ごとアセトン溶液に浸し、鉄ワッシ
ャ3とともに水晶素板QPをセラミックス製貼り付け盤
1から取り外す。
【0010】(5)取り外された厚み60μmの水晶素
板QPの第1面Aを黄銅製貼り付け盤11に接着剤12
で接着する(図1(d))。黄銅製貼り付け盤11の水
晶素板接着面は予め鏡面仕上げされている。 (6)水晶素板QPの周囲に所定の隙間MRをあけて、
貼り付け盤11にメッキ用マスク13を形成する(図1
(e))。メッキ用マスク13は絶縁性テープである。
上記隙間MRがメッキ成膜領域である。 (7)貼り付け盤11ごと硫酸ニッケル系メッキ液に浸
漬し、電気メッキ法により厚み20μmのニッケルメッ
キ膜14を成膜する(図2(a))。なお、図3に図2
(b)の平面図を示す。図1〜図3では貼り付け盤1,
11に1枚の水晶素板QPを貼り付けて研磨するものと
して説明しているが、実際は図6に示すように複数枚の
水晶素板QPを貼り付け盤1,11に貼り付ける。
板QPの第1面Aを黄銅製貼り付け盤11に接着剤12
で接着する(図1(d))。黄銅製貼り付け盤11の水
晶素板接着面は予め鏡面仕上げされている。 (6)水晶素板QPの周囲に所定の隙間MRをあけて、
貼り付け盤11にメッキ用マスク13を形成する(図1
(e))。メッキ用マスク13は絶縁性テープである。
上記隙間MRがメッキ成膜領域である。 (7)貼り付け盤11ごと硫酸ニッケル系メッキ液に浸
漬し、電気メッキ法により厚み20μmのニッケルメッ
キ膜14を成膜する(図2(a))。なお、図3に図2
(b)の平面図を示す。図1〜図3では貼り付け盤1,
11に1枚の水晶素板QPを貼り付けて研磨するものと
して説明しているが、実際は図6に示すように複数枚の
水晶素板QPを貼り付け盤1,11に貼り付ける。
【0011】(8)マスク13を除去して洗浄した後、
GC2000と呼ばれる砥粒を含有する研磨剤を供給し
ながら水晶素板QPの第2面Bをラッピング加工する
(図2(b))。 (9)さらにGC4000と呼ばれる砥粒を含有する研
磨剤を供給しながらラッピング加工を行って、水晶素板
QPを20μmの厚みまで研磨する(図2((c))。
GC2000と呼ばれる砥粒を含有する研磨剤を供給し
ながら水晶素板QPの第2面Bをラッピング加工する
(図2(b))。 (9)さらにGC4000と呼ばれる砥粒を含有する研
磨剤を供給しながらラッピング加工を行って、水晶素板
QPを20μmの厚みまで研磨する(図2((c))。
【0012】(10)上面に弾性力のある不織布が設け
られたすず定盤を用いて、SiO2の砥粒を含有する研磨剤
を供給しながらポリッシング加工する。このとき、不織
布が貼り付けられたすず定盤の回転数と黄銅製貼り付け
盤11の回転数を60rpm、加工圧力を21.8kP
aとし、水晶素板QPが厚み5〜6μmとなるまで加工
を続ける(図2((d))。なお、ポリッシング研磨の
研磨速度はラップ研磨に比べて十分に遅くする。 (11)その後、メッキ剥離剤を用いてニッケルメッキ
膜14を貼り付け盤11の面上から剥離する(図2
((e))。 (12)黄銅製貼り付け盤11ごとアセトン溶液に浸漬
して水晶素板QPを黄銅製貼り付け盤11から剥がす。
られたすず定盤を用いて、SiO2の砥粒を含有する研磨剤
を供給しながらポリッシング加工する。このとき、不織
布が貼り付けられたすず定盤の回転数と黄銅製貼り付け
盤11の回転数を60rpm、加工圧力を21.8kP
aとし、水晶素板QPが厚み5〜6μmとなるまで加工
を続ける(図2((d))。なお、ポリッシング研磨の
研磨速度はラップ研磨に比べて十分に遅くする。 (11)その後、メッキ剥離剤を用いてニッケルメッキ
膜14を貼り付け盤11の面上から剥離する(図2
((e))。 (12)黄銅製貼り付け盤11ごとアセトン溶液に浸漬
して水晶素板QPを黄銅製貼り付け盤11から剥がす。
【0013】(13)黄銅製貼り付け盤11から取り外
された水晶素板QPは洗浄され、その両面にスパッタリ
ングなどにより電極が成膜される。その後、図4に示す
ようにパッケージングされて水晶振動子50が得られ
る。
された水晶素板QPは洗浄され、その両面にスパッタリ
ングなどにより電極が成膜される。その後、図4に示す
ようにパッケージングされて水晶振動子50が得られ
る。
【0014】このような手順で水晶素板QPを研磨する
ことにより、貼り付け盤11の面上で圧電素板QPの外
周面に接して金属メッキ膜14が成膜され、圧電素板Q
Pの外周部が保護されるので、 定盤上で流動する砥粒が水晶素板QPの側面に直接衝
突しない。 水晶素板QPの外周面とメッキ膜14との間の隙間が
なく、研磨中に水晶素板QPが水平方向へ運動すること
が抑制される。 メッキ膜14の貼り付け盤11への接着性がよい。 などの理由により、水晶素板QPの周辺部に発生する応
力集中による面だれが防止されるとともに、安定した研
磨が可能となり、厚みが5〜6μmで一様の厚さに研磨
された水晶素板QPを得ることができる。また、メッキ
膜14により水晶素板QPの外周部に保護膜を設けるよ
うにしたので、水晶素板の形状が円形以外の形状(矩
形、音叉型など)でも、マスクをその形状にするだけで
保護膜を水晶素盤QPの外周面に接して成膜できる。
ことにより、貼り付け盤11の面上で圧電素板QPの外
周面に接して金属メッキ膜14が成膜され、圧電素板Q
Pの外周部が保護されるので、 定盤上で流動する砥粒が水晶素板QPの側面に直接衝
突しない。 水晶素板QPの外周面とメッキ膜14との間の隙間が
なく、研磨中に水晶素板QPが水平方向へ運動すること
が抑制される。 メッキ膜14の貼り付け盤11への接着性がよい。 などの理由により、水晶素板QPの周辺部に発生する応
力集中による面だれが防止されるとともに、安定した研
磨が可能となり、厚みが5〜6μmで一様の厚さに研磨
された水晶素板QPを得ることができる。また、メッキ
膜14により水晶素板QPの外周部に保護膜を設けるよ
うにしたので、水晶素板の形状が円形以外の形状(矩
形、音叉型など)でも、マスクをその形状にするだけで
保護膜を水晶素盤QPの外周面に接して成膜できる。
【0015】なお、鉄製保護リングにより水晶素板の外
周縁を保護して片面研磨する場合、鉄製保護リングの厚
みが30μm以下では、研磨レートが速いと周辺部に反
りが発生する。したがって、量産に適した研磨レートで
加工することは難しい。この点、上述したメッキ保護膜
で水晶素板の外周縁を保護して片面研磨する場合には、
量産に適した研磨レートで5〜6μmの厚みに加工する
ことができる。
周縁を保護して片面研磨する場合、鉄製保護リングの厚
みが30μm以下では、研磨レートが速いと周辺部に反
りが発生する。したがって、量産に適した研磨レートで
加工することは難しい。この点、上述したメッキ保護膜
で水晶素板の外周縁を保護して片面研磨する場合には、
量産に適した研磨レートで5〜6μmの厚みに加工する
ことができる。
【0016】図4は水晶振動子の一例を示す図である。
この図3において、水晶振動子50は、上述した手順で
厚さ5〜6μmに加工された水晶素板51と、水晶素板
51の電極51aに接着されたリード線52と、リード
線52をガラスペレット53を介して保持するベース5
4と、ベース54に取り付けられて水晶素板51を真空
中に密封するケース55とから構成される。
この図3において、水晶振動子50は、上述した手順で
厚さ5〜6μmに加工された水晶素板51と、水晶素板
51の電極51aに接着されたリード線52と、リード
線52をガラスペレット53を介して保持するベース5
4と、ベース54に取り付けられて水晶素板51を真空
中に密封するケース55とから構成される。
【0017】図5は、ラッピング加工及びポリッシング
加工を行う研磨装置の概念図である。すず定盤31はモ
ータM1で矢印方向に回転する。この定盤31の上面周
辺には、修正リング32が垂直に配設されている。修正
リング32には黄銅製貼り付け盤11が嵌合されて一体
化されている。修正リング32は定盤31の回転による
遠心力を受け、一対の駆動ローラ33に摺接する。一対
の駆動ローラはモータM2により定盤31と反対方向に
回転しているから、修正リング32は駆動ローラ33の
回転数に応じた回転数で定盤31と同方向に回転する。
したがって、貼り付け盤11も定盤31と同方向に同一
回転数で回転する。砥粒供給装置34から適宜の粒径、
種類の砥粒が含有される研磨剤を定盤31上に供給す
る。水晶素板QPが貼り付けられている貼り付け盤1,
11を所定の荷重Fで定盤31に押圧しながら研磨す
る。なお、すずに代えて鋳鉄など他の弾性力のある金属
材料で定盤31を製作してもよい。
加工を行う研磨装置の概念図である。すず定盤31はモ
ータM1で矢印方向に回転する。この定盤31の上面周
辺には、修正リング32が垂直に配設されている。修正
リング32には黄銅製貼り付け盤11が嵌合されて一体
化されている。修正リング32は定盤31の回転による
遠心力を受け、一対の駆動ローラ33に摺接する。一対
の駆動ローラはモータM2により定盤31と反対方向に
回転しているから、修正リング32は駆動ローラ33の
回転数に応じた回転数で定盤31と同方向に回転する。
したがって、貼り付け盤11も定盤31と同方向に同一
回転数で回転する。砥粒供給装置34から適宜の粒径、
種類の砥粒が含有される研磨剤を定盤31上に供給す
る。水晶素板QPが貼り付けられている貼り付け盤1,
11を所定の荷重Fで定盤31に押圧しながら研磨す
る。なお、すずに代えて鋳鉄など他の弾性力のある金属
材料で定盤31を製作してもよい。
【0018】図6は黄銅製貼り付け盤11Aの量産時の
具体例を示す。黄銅製貼り付け盤11Aの周縁には所定
間隔で水晶素板QPが接着され、その周囲にニッケルメ
ッキ膜14が成膜されている。量産時は、この図6に示
す黄銅製貼り付け盤11Aを定盤31上に複数個配設し
て一度に多数枚の水晶素板を加工する。
具体例を示す。黄銅製貼り付け盤11Aの周縁には所定
間隔で水晶素板QPが接着され、その周囲にニッケルメ
ッキ膜14が成膜されている。量産時は、この図6に示
す黄銅製貼り付け盤11Aを定盤31上に複数個配設し
て一度に多数枚の水晶素板を加工する。
【0019】以上では、100μmの水晶素板QPを素
材として用い、鉄製ワッシャ3で周囲を保護したラップ
加工により第1面Aを研磨して厚さ60μmの水晶素板
を得(前工程)、その後、ニッケルメッキにより外周部
を保護した水晶素板の第2面Bをラッピング加工して約
20μmまで研磨し、さらにポリッシング加工して5〜
6μmまで研磨する(後工程)ようにした。この実施の
形態では、水晶素板の周囲をニッケルメッキで保護して
ポリッシング研磨することが主たる特徴である。したが
って、上記前工程で厚さ60μmに加工された水晶素板
を素材として供給を受け、図1(d)の工程から加工を
始めてもよい。この場合、貼り付け盤11に圧電素板Q
Pを固定し、貼り付け盤11の面上において、圧電素板
QPの外周面に接するように金属メッキ膜14を成膜
し、その後、圧電素板QPが約20μmの厚さになるま
でラッピング加工し、圧電素板QPが5〜6μmの厚さ
になるまでポリッシング研磨することになる。
材として用い、鉄製ワッシャ3で周囲を保護したラップ
加工により第1面Aを研磨して厚さ60μmの水晶素板
を得(前工程)、その後、ニッケルメッキにより外周部
を保護した水晶素板の第2面Bをラッピング加工して約
20μmまで研磨し、さらにポリッシング加工して5〜
6μmまで研磨する(後工程)ようにした。この実施の
形態では、水晶素板の周囲をニッケルメッキで保護して
ポリッシング研磨することが主たる特徴である。したが
って、上記前工程で厚さ60μmに加工された水晶素板
を素材として供給を受け、図1(d)の工程から加工を
始めてもよい。この場合、貼り付け盤11に圧電素板Q
Pを固定し、貼り付け盤11の面上において、圧電素板
QPの外周面に接するように金属メッキ膜14を成膜
し、その後、圧電素板QPが約20μmの厚さになるま
でラッピング加工し、圧電素板QPが5〜6μmの厚さ
になるまでポリッシング研磨することになる。
【0020】メッキ膜の金属材料はニッケルに限定され
ず、研磨レートに応じて最適な金属を選択してメッキ膜
を成膜すればよい。たとえば、銅、クロム、タングステ
ンなどの耐食性金属が使用できる。メッキ膜の膜厚も2
0μmに何ら限定されない。水晶素板QPの最終厚さに
応じてメッキ膜の膜厚を選択すればよい。また、電気メ
ッキ法に代えて無電解メッキ法でもよい。
ず、研磨レートに応じて最適な金属を選択してメッキ膜
を成膜すればよい。たとえば、銅、クロム、タングステ
ンなどの耐食性金属が使用できる。メッキ膜の膜厚も2
0μmに何ら限定されない。水晶素板QPの最終厚さに
応じてメッキ膜の膜厚を選択すればよい。また、電気メ
ッキ法に代えて無電解メッキ法でもよい。
【0021】水晶振動子に使用する水晶素板について説
明したが、PZT圧電素子、セラミックス圧電素子な
ど、種々の用途の圧電素板の加工方法に本発明を適用す
ることができる。最終的な厚みもポリッシング研磨レー
トをさらに遅くするなどすれば、2μmの厚みまで、水
晶素板の厚みを一様のまま(面だれなしに)研磨するこ
とができる。この場合、水晶素板の共振周波数は835
MHzとなる。なお、超薄板光学素子、例えば波長板の
加工方法にも本発明を適用することができる。
明したが、PZT圧電素子、セラミックス圧電素子な
ど、種々の用途の圧電素板の加工方法に本発明を適用す
ることができる。最終的な厚みもポリッシング研磨レー
トをさらに遅くするなどすれば、2μmの厚みまで、水
晶素板の厚みを一様のまま(面だれなしに)研磨するこ
とができる。この場合、水晶素板の共振周波数は835
MHzとなる。なお、超薄板光学素子、例えば波長板の
加工方法にも本発明を適用することができる。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、水晶素板などに代表さ
れる圧電素板等の薄板の周囲をメッキ膜で保護して研磨
するようにしたので、薄板を2μmの厚みまで研磨する
ことができる。また、メッキにより薄板の外周部にメッ
キ保護膜が設けられるので、薄板の外形形状が種々の形
状でもマスクをその形状にするだけで、簡単に保護膜を
成膜できる。このようにして製造された圧電素板は高い
共振周波数で発振する。したがって、この圧電素板を使
用した振動子は高い発振周波数の信号を生成することが
できる。
れる圧電素板等の薄板の周囲をメッキ膜で保護して研磨
するようにしたので、薄板を2μmの厚みまで研磨する
ことができる。また、メッキにより薄板の外周部にメッ
キ保護膜が設けられるので、薄板の外形形状が種々の形
状でもマスクをその形状にするだけで、簡単に保護膜を
成膜できる。このようにして製造された圧電素板は高い
共振周波数で発振する。したがって、この圧電素板を使
用した振動子は高い発振周波数の信号を生成することが
できる。
【図1】本発明による圧電素板の製造方法を用いて水晶
素板を研磨する場合の手順を説明する図
素板を研磨する場合の手順を説明する図
【図2】図1に引き続く水晶素板を研磨する場合の手順
を説明する図
を説明する図
【図3】図2(b)の平面図
【図4】水晶素板をパッケージ化した水晶振動子の詳細
図
図
【図5】ラッピング/ポリッシング研磨装置の概念図
【図6】複数枚の水晶素板が接着されてその周囲に保護
メッキを施した貼り付け盤の斜視図
メッキを施した貼り付け盤の斜視図
1:セラミックス製貼り付け盤 2,4,12:接着
剤 3:鉄製ワッシャ 11:黄銅
製貼り付け盤 14:ニッケルメッキ膜 31:す
ず定盤 32:修正リング 50:水
晶振動子 51:水晶素板 51a:電
極 52:リード線 53:ガ
ラスペースト 54:ベース 55:ケ
ース QP:圧電素板
剤 3:鉄製ワッシャ 11:黄銅
製貼り付け盤 14:ニッケルメッキ膜 31:す
ず定盤 32:修正リング 50:水
晶振動子 51:水晶素板 51a:電
極 52:リード線 53:ガ
ラスペースト 54:ベース 55:ケ
ース QP:圧電素板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 峠 睦 熊本県熊本市下硯川町2142−164 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA09 AB04 AC04 BA02 BA07 CA01 CB01 DA02 5J108 BB02 KK01 MM08
Claims (6)
- 【請求項1】貼り付け盤に薄板を固定し、 前記貼り付け盤の面上において、前記薄板の外周面に接
するように金属メッキ膜を成膜し、 その後、前記薄板が所定の厚さになるまで研磨すること
を特徴とする薄板の製造方法。 - 【請求項2】薄板の第1面を研磨面として前記薄板を貼
り付け盤に固定し、 前記薄板の前記第1面を研磨し、 前記貼り付け盤から前記第1面が研磨された前記薄板を
取り外し、 前記第1面と反対の第2面を研磨面として前記薄板を前
記貼り付け盤に固定し、 前記貼り付け盤の面上において、前記薄板の外周面に接
するように金属メッキ膜を成膜し、 その後、前記薄板が所定の厚さになるまで前記第2面を
研磨することを特徴とする薄板の製造方法。 - 【請求項3】請求項2の薄板の製造方法において、 前記薄板の外周面を保護リングで覆って前記薄板の第1
面を研磨することを特徴とする薄板の製造方法。 - 【請求項4】請求項1〜3のいずれかに記載の薄板の製
造方法において、 前記薄板の研磨後の厚さが30μm未満〜2μm以上で
あることを特徴とする薄板の製造方法。 - 【請求項5】請求項1〜4の製造方法で製造したことを
特徴とする圧電素板。 - 【請求項6】請求項5の圧電素板と、 前記圧電素板の両面に形成された電極に接続されるリー
ド線と、 前記リード線を保持するベースと、 前記ベースに取り付けられて前記圧電素板を真空中で保
持するケースとを有することを特徴とする圧電振動子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000268170A JP2002079457A (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | 薄板の製造方法、圧電素板、および圧電振動子 |
US09/798,037 US20020027398A1 (en) | 2000-09-05 | 2001-03-05 | Method for manufacturing thin plate, piezoelectric plate, and piezoelectric vibrator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000268170A JP2002079457A (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | 薄板の製造方法、圧電素板、および圧電振動子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002079457A true JP2002079457A (ja) | 2002-03-19 |
Family
ID=18754978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000268170A Pending JP2002079457A (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | 薄板の製造方法、圧電素板、および圧電振動子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020027398A1 (ja) |
JP (1) | JP2002079457A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153961A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板の製造方法及び複合基板 |
JP6097896B1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-15 | 日本碍子株式会社 | 複合基板及び圧電基板の厚み傾向推定方法 |
WO2017047605A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 日本碍子株式会社 | 複合基板及び圧電基板の厚み傾向推定方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10333970A1 (de) * | 2003-07-25 | 2005-02-10 | Robert Bosch Gmbh | Viskositätssensoranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
-
2000
- 2000-09-05 JP JP2000268170A patent/JP2002079457A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-05 US US09/798,037 patent/US20020027398A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153961A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板の製造方法及び複合基板 |
JP6097896B1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-15 | 日本碍子株式会社 | 複合基板及び圧電基板の厚み傾向推定方法 |
WO2017047605A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 日本碍子株式会社 | 複合基板及び圧電基板の厚み傾向推定方法 |
US10566518B2 (en) | 2015-09-15 | 2020-02-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate and thickness-tendency estimating method for piezoelectric substrate |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20020027398A1 (en) | 2002-03-07 |
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