JP2002075242A - Electron gun structure and cathode-ray tube device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron gun structure and a cathode-ray tube device having this electron structure in which increase of a burden to the driving circuit is suppressed and expansion of the diameter of the spot size in the horizontal and vertical direction on the fluorescent screen at the time of changing from small current to the large current is reduced, and thereby a high precision is obtained. SOLUTION: The electron beam generating section of the electron gun structure contains a cathode K. This cathode K comprises at least three regions of different electron emission property made of the first region Ka in the center of the cathode face, the second region Kb arranged so as to interpose the first region in the horizontal direction X, and the third region Kc arranged so as to interpose the first region in the vertical direction Y.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電子銃構体に係
り、特に、電子銃構体に備えられるカソードの構造に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron gun assembly, and more particularly, to a structure of a cathode provided in an electron gun assembly.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般的なカラー陰極線管装置に適用され
る電子銃構体は、インライン方向に配列された３電子ビ
ームを発生する電子ビーム発生部と、３電子ビームを蛍
光体スクリーンに向けて加速・集束する主レンズ部とを
備えている。電子ビーム発生部は、少なくとも３つのカ
ソード、第１電極、及び、第２電極によって構成されて
いる。カソードには、映像信号に同期したドライブ電圧
が印加される。電子ビーム量（電流）は、このドライブ
電圧によって制御される。2. Description of the Related Art An electron gun assembly applied to a general color cathode ray tube apparatus has an electron beam generating section for generating three electron beams arranged in an in-line direction, and accelerating the three electron beams toward a phosphor screen.・ It has a main lens unit for focusing. The electron beam generator includes at least three cathodes, a first electrode, and a second electrode. A drive voltage synchronized with the video signal is applied to the cathode. The electron beam amount (current) is controlled by this drive voltage.

【０００３】ところで、カラー陰極線管装置では、求め
られる映像特性の１つとして、低電流でも高電流でも画
質変化が少ないことが要求されている。Incidentally, in the color cathode ray tube device, as one of required image characteristics, it is required that a change in image quality is small even at a low current or a high current.

【０００４】一般に、電流を大きくする、すなわち電子
ビーム量を多くすると、蛍光体スクリーン上におけるビ
ームスポットのスポットサイズは大きくなる。このスポ
ットサイズの拡大が映像特性を劣化させる。このスポッ
トサイズ拡大による画像劣化の改善手法としては、一般
的に用いられている速度変調コイル（以下、ＶＭコイル
と称する）による見かけ上のスポットサイズ縮小が挙げ
られる。In general, when the current is increased, that is, the electron beam amount is increased, the spot size of the beam spot on the phosphor screen increases. This enlargement of the spot size degrades image characteristics. As a method of improving image deterioration by increasing the spot size, there is a method of reducing an apparent spot size by using a generally used speed modulation coil (hereinafter, referred to as a VM coil).

【０００５】ＶＭコイルは、ネックガラスに外装されて
いる。このＶＭコイルには、輝度信号の立ち上がり及び
立下がりに同期して、立ち上がりでは速く、立下りでは
遅く電子ビームを微小偏向するように電流を流す。その
結果、輝度信号の立ち上がり及び立ち下がりでコントラ
ストが強くなると同時に、見かけ上のスポットサイズが
縮小される。[0005] The VM coil is mounted on a neck glass. A current is supplied to the VM coil so as to slightly deflect the electron beam in synchronization with the rise and fall of the luminance signal, so that the electron beam is fast at the rise and slow at the fall. As a result, the contrast increases at the rise and fall of the luminance signal, and the apparent spot size is reduced.

【０００６】ＶＭコイルに流れる電流は、ドライブ電圧
の大きさに依存する。小電流時、すなわち電子ビーム量
が少ないときは、ＶＭコイルに流れる電流も小さく、ス
ポットサイズの水平方向径の変化は少ない。また、大電
流時、すなわち電子ビーム量が多いときは、ＶＭコイル
に流れる電流も多く、このときには、スポットサイズの
水平方向径は大幅に縮小される。ただし、このスポット
サイズの縮小は、偏向ヨークによる走査方向、すなわち
水平方向のスポットサイズのみに効果があり、垂直方向
のスポットサイズは改善されない。すなわち、カソード
電流増加に伴う垂直方向のスポットサイズ拡大は、改善
されない。[0006] The current flowing through the VM coil depends on the magnitude of the drive voltage. When the current is small, that is, when the amount of the electron beam is small, the current flowing through the VM coil is small, and the change in the horizontal diameter of the spot size is small. When the current is large, that is, when the amount of the electron beam is large, the current flowing through the VM coil is also large. At this time, the horizontal diameter of the spot size is significantly reduced. However, the reduction of the spot size is effective only in the scanning direction by the deflection yoke, that is, only in the horizontal direction, and the spot size in the vertical direction is not improved. That is, the increase in the spot size in the vertical direction due to the increase in the cathode current is not improved.

【０００７】ここで、一般にカソード電流を増すことで
スポットサイズが拡大する理由を説明する。Here, the reason why the spot size is generally increased by increasing the cathode current will be described.

【０００８】カソードから放出される電流を多くとるた
めには、カソードに印加されるドライブ電圧を増大す
る。このとき、電位の浸透により、カソード面における
電子放出領域（Ｌｏａｄｉｎｇ Ａｒｅａ）が拡大し、
結果として放出電子量（電流）が多くなる。電流量及び
電子放出領域の増大により、主レンズに対する仮想物点
径は大きくなり、蛍光体スクリーン上におけるスポット
サイズは拡大する。In order to increase the current emitted from the cathode, the drive voltage applied to the cathode is increased. At this time, the electron emission region (Loading Area) on the cathode surface expands due to the penetration of the potential,
As a result, the amount of emitted electrons (current) increases. As the amount of current and the electron emission area increase, the virtual object diameter with respect to the main lens increases, and the spot size on the phosphor screen increases.

【０００９】また、電流増加に伴い、電子ビームの発散
角も増加し、仮想物点位置（主レンズから見たときの物
点の位置）が蛍光体スクリーン側に移動する。この仮想
物点位置の前進移動により、蛍光体スクリーン上に到達
する電子ビームのビームスポットが最適フォーカスとな
るフォーカス電圧が変化する。Further, as the current increases, the divergence angle of the electron beam also increases, and the virtual object point position (the position of the object point as viewed from the main lens) moves toward the phosphor screen. By this forward movement of the virtual object point position, the focus voltage at which the beam spot of the electron beam reaching the phosphor screen becomes the optimum focus changes.

【００１０】一般に、映像信号に対するフォーカス電圧
は一定であり、小電流から大電流と電流量が変化する
と、蛍光体スクリーン上のビームスポットは、デフォー
カス状態となり、スポットサイズは拡大する。In general, the focus voltage for a video signal is constant, and when the amount of current changes from a small current to a large current, the beam spot on the phosphor screen becomes in a defocused state and the spot size increases.

【００１１】さらに、電流量が多くなると、電子ビーム
のクロスオーバー位置における空間電荷反発効果が増大
し、仮想物点径の拡大と仮想物点位置の蛍光体スクリー
ン側への移動が起こり、前述同様に、スポットサイズは
拡大する。Further, when the amount of current increases, the effect of repulsing space charges at the crossover position of the electron beam increases, and the virtual object point diameter increases and the virtual object point position moves to the phosphor screen side. In addition, the spot size increases.

【００１２】このように、小電流から大電流に変化した
とき、蛍光体スクリーン上におけるスポットサイズが拡
大し、画像の精細度を劣化させる。As described above, when the current changes from a small current to a large current, the spot size on the phosphor screen is enlarged, and the definition of an image is deteriorated.

【００１３】大電流時におけるスポットサイズを小さく
する方法としては、第１電極の孔径を小さくし、仮想物
点径を小さくする方法が挙げられる。しかしながら、こ
の方法は、大電流時のスポットサイズを小さくすること
はできるが、電流変化に対するスポットサイズの変化を
少なくするものではない。つまり、この方法は、大電流
時のスポットサイズを小さくするとともに、小電流時に
おけるスポットサイズも過度に小さくする。その結果、
モアレ等による画質の劣化を招くおそれがある。As a method of reducing the spot size at the time of a large current, there is a method of reducing the hole diameter of the first electrode to reduce the virtual object point diameter. However, although this method can reduce the spot size at the time of a large current, it does not reduce the change in the spot size with respect to a change in current. That is, according to this method, the spot size at the time of a large current is reduced, and the spot size at the time of a small current is excessively reduced. as a result,
The image quality may be degraded due to moire or the like.

【００１４】すなわち、第１電極の孔径を小さくする方
法では、小電流から大電流に変化したとき、蛍光体スク
リーン上におけるスポットサイズの変化は改善できな
い。That is, in the method of reducing the hole diameter of the first electrode, when the current changes from a small current to a large current, the change in the spot size on the phosphor screen cannot be improved.

【００１５】特開平１１−１２０９３１号公報、及び、
特開平１１−２８３４８７号公報によれば、電流変化に
対して電子放出領域を限定し、大電流時におけるスポッ
トサイズ拡大を抑制する構成が開示されている。これに
よれば、カソード表面には、中央にコア部エミッタ０１
ａを設け、その周囲に同心円状に電子の放出しない領域
０１ｂを設け、さらにその周囲に外周部エミッタ０１ｃ
を設ける。ただし、外周部エミッタ０１ｃは、製造上残
るものであって、実際には、電子放出に寄与しない。JP-A-11-120931, and
Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-283487 discloses a configuration in which an electron emission region is limited with respect to a change in current, and an increase in spot size at a large current is suppressed. According to this, the core surface emitter 01
a, a region 01b in which electrons are not emitted concentrically is provided therearound, and a peripheral emitter 01c is further provided therearound.
Is provided. However, the outer peripheral portion 01c is left in production and does not actually contribute to electron emission.

【００１６】また、他のカソードの構造として、カソー
ド表面には、中央に電子を放出しやすい領域０２ａ（低
仕事関数の領域）を設け、その周囲に同心円状に電子を
放出しくい領域０２ｂ（高仕事関数の領域）を設ける。As another structure of the cathode, a region 02a (a region having a low work function) from which electrons are easily emitted is provided at the center of the cathode surface, and a region 02b (a region where it is difficult to emit electrons concentrically) is provided around the region. High work function).

【００１７】これらの公報によれば、このように構成す
ることにより、電子放出領域を中央部に限定し、収差の
多いビーム外周部のビーム量を減少させ、ハローの少な
いビームスポットを形成し、良好な画質を得ることがで
きると述べている。しかしながら、電子放出領域をカソ
ード中央部に限定する方法では、大電流時における電子
放出特性が著しく劣化し、大電流をとるためのドライブ
電圧が通常より著しく高くなる。その結果、駆動回路へ
の負担が多くなり、駆動回路のコストアップ、及び駆動
回路の信頼性の劣化を招く。According to these publications, by adopting such a configuration, the electron emission region is limited to the central portion, the beam amount at the outer peripheral portion of the beam with large aberration is reduced, and a beam spot with less halo is formed. It states that good image quality can be obtained. However, in the method in which the electron emission region is limited to the central portion of the cathode, the electron emission characteristics at the time of a large current are significantly deteriorated, and the drive voltage for obtaining a large current is significantly higher than usual. As a result, the load on the drive circuit increases, which leads to an increase in the cost of the drive circuit and a deterioration in the reliability of the drive circuit.

【００１８】[0018]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、良好
な画質を得るためには、小電流から大電流に変化すると
きに、蛍光体スクリーン上でのスポットサイズの変化を
少なくすることが必要である。スポットサイズの水平方
向については、ＶＭコイルによるスポットサイズ縮小の
感度を最適化することにより、小電流から大電流となる
ときのスポットサイズの拡大が補償されるが、垂直方向
の電流変化に対するスポットサイズの拡大は、補償され
ない。また、このような問題は、電子ビーム発生部の構
成を機械的に小さくすることでも解決しない。As described above, in order to obtain good image quality, it is necessary to reduce the change in spot size on the phosphor screen when changing from a small current to a large current. It is. In the horizontal direction of the spot size, by optimizing the sensitivity of the spot size reduction by the VM coil, the enlargement of the spot size when the current increases from a small current to a large current is compensated. Expansion is not compensated. Further, such a problem cannot be solved even by mechanically reducing the configuration of the electron beam generator.

【００１９】すなわち、従来の方法では、小電流時及び
大電流時にスポットサイズの水平方向径及び垂直方向径
を共に最適化することは難しい。That is, in the conventional method, it is difficult to optimize both the horizontal diameter and the vertical diameter of the spot size at the time of a small current and a large current.

【００２０】また、電子放出領域を中央部のみに限定
し、仮想物点径の拡大を抑える手法では、小電流から大
電流へ変化した場合のスポットサイズ拡大を抑制するこ
とが可能となるが、ドライブ電圧の著しい増大を伴い、
駆動回路への負担増、駆動回路のコストアップ、及び駆
動回路の信頼性の劣化を招くといった問題が生じる。In the method of limiting the electron emission region to only the central portion and suppressing the enlargement of the virtual object diameter, it is possible to suppress the enlargement of the spot size when the current changes from a small current to a large current. With a significant increase in drive voltage,
Problems such as an increase in the load on the drive circuit, an increase in the cost of the drive circuit, and a deterioration in the reliability of the drive circuit occur.

【００２１】本発明は、を提供する。The present invention provides:

【００２２】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、駆動回路への負担の増加
を抑え、小電流から大電流に変化するときの蛍光体スク
リーン上におけるスポットサイズの水平方向径及び垂直
方向径の拡大を軽減し、高い精細度が得られる電子銃構
体及びこの電子銃構体を備えた陰極線管装置を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and has as its object to suppress an increase in load on a drive circuit and to reduce a spot on a phosphor screen when changing from a small current to a large current. An object of the present invention is to provide an electron gun assembly capable of reducing the increase in the horizontal and vertical diameters and obtaining high definition, and a cathode ray tube device provided with the electron gun assembly.

【００２３】[0023]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載の電子銃構体は、電子
ビームを発生する電子ビーム発生部、及び、この電子ビ
ーム発生部から発生された電子ビームをターゲットに向
けて加速・集束する主レンズ部を備えた電子銃構体にお
いて、前記電子ビーム発生部は、カソードを含み、前記
カソードは、カソード面中央の第１領域、前記第１領域
を第１方向から挟むように配置された第２領域、及び、
前記第１領域を前記第１方向とは異なる第２方向から挟
むように配置された第３領域の少なくとも３つの異なる
電子放出特性の領域を有することを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems and to achieve the object, an electron gun assembly according to the present invention comprises an electron beam generating section for generating an electron beam, and an electron beam generating section. In an electron gun assembly including a main lens unit that accelerates and focuses the generated electron beam toward a target, the electron beam generation unit includes a cathode, and the cathode includes a first region at a center of a cathode surface, A second region arranged so as to sandwich one region from the first direction, and
A third region is provided so as to sandwich the first region from a second direction different from the first direction and has at least three regions having different electron emission characteristics.

【００２４】請求項５に記載の電子銃構体は、インライ
ン方向に一列に配置された３電子ビームを発生する電子
ビーム発生部、及び、この電子ビーム発生部から発生さ
れた３電子ビームをターゲットに向けて加速・集束する
主レンズ部を備えた電子銃構体において、前記電子ビー
ム発生部は、少なくとも、インライン方向に一列に配置
された３個のカソードと、第１電極と、第２電極と、を
電子ビームの進行方向に沿って含み、前記各カソード
は、カソード面中央の第１領域、前記第１領域をインラ
イン方向に平行な水平方向から挟むように配置された第
２領域、及び、前記第１領域をインライン方向に垂直な
垂直方向から挟むように配置された第３領域の少なくと
も３つの異なる電子放出特性の領域を有することを特徴
とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an electron gun assembly, wherein an electron beam generator for generating three electron beams arranged in a line in an in-line direction, and a target for the three electron beams generated from the electron beam generator. In an electron gun assembly including a main lens unit that accelerates and focuses toward the electron beam, the electron beam generator includes at least three cathodes arranged in a line in an inline direction, a first electrode, and a second electrode. Along the traveling direction of the electron beam, each of the cathodes is a first region at the center of the cathode surface, a second region arranged to sandwich the first region from a horizontal direction parallel to the in-line direction, and A third region is provided so as to sandwich the first region from a vertical direction perpendicular to the in-line direction, and has at least three regions having different electron emission characteristics.

【００２５】請求項９に記載の陰極線管装置は、インラ
イン方向に一列に配置された３電子ビームを発生する電
子ビーム発生部、及び、この電子ビーム発生部から発生
された３電子ビームを蛍光体スクリーンに向けて加速・
集束する主レンズ部を備えた電子銃構体と、前記電子銃
構体から出射された３電子ビームを前記蛍光体スクリー
ンの水平方向及び垂直方向に走査する偏向ヨークと、電
子ビームの走査速度を変調する速度変調コイルと、を備
えた陰極線管装置において、前記電子ビーム発生部は、
少なくとも、インライン方向に一列に配置された３個の
カソードと、第１電極と、第２電極と、を電子ビームの
進行方向に沿って含み、前記各カソードは、カソード面
中央の第１領域、前記第１領域をインライン方向に平行
な水平方向から挟むように配置された第２領域、及び、
前記第１領域をインライン方向に垂直な垂直方向から挟
むように配置された第３領域の少なくとも３つの異なる
電子放出特性の領域を有することを特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the cathode ray tube device, an electron beam generating section for generating three electron beams arranged in a line in an in-line direction, and a three-electron beam generated from the electron beam generating section is used as a phosphor. Accelerate towards the screen
An electron gun assembly having a main lens unit for focusing, a deflection yoke for scanning three electron beams emitted from the electron gun assembly in the horizontal and vertical directions of the phosphor screen, and modulating a scanning speed of the electron beam; In a cathode ray tube device comprising: a speed modulation coil, the electron beam generator,
At least three cathodes arranged in a line in the in-line direction, a first electrode, and a second electrode are provided along the traveling direction of the electron beam, and each of the cathodes has a first region in the center of the cathode surface, A second region arranged so as to sandwich the first region from a horizontal direction parallel to an inline direction, and
A third region is provided so as to sandwich the first region from a vertical direction perpendicular to the in-line direction. The third region has at least three regions having different electron emission characteristics.

【００２６】[0026]

【発明の実施の形態】以下、この発明の電子銃構体及び
この電子銃構体を備えた陰極線管装置の一実施の形態に
ついて図面を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of an electron gun structure of the present invention and a cathode ray tube device provided with the electron gun structure will be described with reference to the drawings.

【００２７】図１に示すように、この発明の陰極線管装
置、例えばセルフコンバージェンス方式のインライン型
カラー陰極線管装置は、パネル１、ネック５、及びこれ
らに一体に接合された漏斗状のファンネル２からなる外
囲器を有している。パネル１は、その内面に、青、緑、
赤に発光するストライプ状またはドット状の３色蛍光体
層からなる蛍光体スクリーン４を備えている。シャドウ
マスク３は、その内側に多数の電子ビーム通過孔を有
し、蛍光体スクリーン４に対向して配置されている。As shown in FIG. 1, a cathode ray tube device of the present invention, for example, a self-convergence type in-line type color cathode ray tube device, comprises a panel 1, a neck 5 and a funnel-shaped funnel 2 integrally joined thereto. The envelope. Panel 1 has blue, green,
There is provided a phosphor screen 4 composed of a striped or dot-shaped three-color phosphor layer that emits red light. The shadow mask 3 has a large number of electron beam passage holes inside thereof, and is arranged to face the phosphor screen 4.

【００２８】ネック５は、その内部に配設された、イン
ライン型電子銃構体６を備えている。この電子銃構体６
は、同一水平面上を通るセンタービーム７Ｇおよび一対
のサイドビーム７Ｂ，７Ｒからなる一列配置の３電子ビ
ーム７Ｂ，７Ｇ，７Ｒを放出する。The neck 5 has an in-line type electron gun structure 6 disposed therein. This electron gun structure 6
Emits three electron beams 7B, 7G, 7R arranged in a line composed of a center beam 7G and a pair of side beams 7B, 7R passing on the same horizontal plane.

【００２９】偏向ヨーク８は、ファンネル２の径大部か
らネック５にかけて装着されている。この偏向ヨーク８
は、電子銃構体６から放出された３電子ビーム７Ｂ，７
Ｇ，７Ｒを水平方向（Ｘ）及び垂直方向（Ｙ）に偏向す
る非斉一な偏向磁界を発生する。この非斉一磁界は、ピ
ンクッション型の水平偏向磁界及びバレル型の垂直偏向
磁界によって形成される。The deflection yoke 8 is mounted from the large diameter portion of the funnel 2 to the neck 5. This deflection yoke 8
Are the three electron beams 7B and 7 emitted from the electron gun assembly 6.
A non-uniform deflection magnetic field for deflecting G, 7R in the horizontal direction (X) and the vertical direction (Y) is generated. This non-uniform magnetic field is formed by a pincushion-type horizontal deflection magnetic field and a barrel-type vertical deflection magnetic field.

【００３０】また、この陰極線管装置は、偏向ヨーク８
の後部におけるネック５の外面にに装着された一対の速
度変調コイル９を備えている。これら一対の速度変調コ
イル９は、図１に示すように、水平方向に沿って対向し
て配置されている。Further, this cathode ray tube device has a deflection yoke 8
And a pair of velocity modulation coils 9 mounted on the outer surface of the neck 5 at the rear. As shown in FIG. 1, the pair of speed modulation coils 9 are arranged to face each other along the horizontal direction.

【００３１】電子銃構体６から放出された３電子ビーム
７Ｂ、７Ｇ、７Ｒは、偏向ヨーク８の発生する非斉一磁
界によって偏向され、シャドウマスク３を介して蛍光体
スクリーン４を水平方向及び垂直方向に走査する。これ
により、カラー画像が表示される。The three electron beams 7 B, 7 G, and 7 R emitted from the electron gun assembly 6 are deflected by the asymmetric magnetic field generated by the deflection yoke 8 and move the phosphor screen 4 through the shadow mask 3 in the horizontal and vertical directions. Scan. Thereby, a color image is displayed.

【００３２】図２に示すように、電子銃構体６は、イン
ライン方向すなわち水平方向（Ｘ）に一列に配置された
３個のカソードＫｒ、Ｋｇ、Ｋｂ、これらカソードＫ
（ｒ、ｇ、ｂ）を個別に加熱する３個のヒーター（図示
せず）、および４個のグリッドを有している。４個のグ
リッド、すなわち第１グリッドＧ１，第２グリッドＧ
２，第３グリッドＧ３，及び第４グリッドＧ４は、カソ
ードＫから蛍光体スクリーン４に向かって管軸方向
（Ｚ）に沿って順次配置されている。これらヒーター、
カソードＫ（ｒ、ｇ、ｂ）、及び４個のグリッドは、一
対の絶縁支持体（図示せず）によって一体に固定されて
いる。As shown in FIG. 2, the electron gun assembly 6 has three cathodes Kr, Kg, Kb arranged in a line in the in-line direction, that is, the horizontal direction (X), and these cathodes K
It has three heaters (not shown) for individually heating (r, g, b), and four grids. Four grids, that is, a first grid G1 and a second grid G
The second grid G3, the fourth grid G4, and the fourth grid G4 are sequentially arranged from the cathode K toward the phosphor screen 4 along the tube axis direction (Z). These heaters,
The cathodes K (r, g, b) and the four grids are integrally fixed by a pair of insulating supports (not shown).

【００３３】第１及び第２グリッドＧ１，Ｇ２は、それ
ぞれ一体構造の板状電極によって構成されている。これ
らの板状電極は、３個のカソードＫ（ｒ、ｇ、ｂ）に対
応して水平方向に一列に配置された３個の円形電子ビー
ム通過孔を有している。フォーカス電極として機能する
第３グリッドＧ３は、筒状電極によって構成されてい
る。筒状電極は、その両端面に、３個のカソードＫ
（ｒ、ｇ、ｂ）に対応して水平方向に一列に配置された
３個の電子ビーム通過孔を有している。アノード電極と
して機能する第４グリッドＧ４は、カップ状電極によっ
て構成され、その第３グリッドＧ３との対向面に、３個
のカソードＫ（ｒ、ｇ、ｂ）に対応して水平方向に一列
に配置された３個の電子ビーム通過孔を有している。Each of the first and second grids G1 and G2 is constituted by a plate electrode having an integral structure. These plate electrodes have three circular electron beam passage holes arranged in a row in the horizontal direction corresponding to the three cathodes K (r, g, b). The third grid G3 functioning as a focus electrode is configured by a cylindrical electrode. The cylindrical electrode has three cathodes K on its both end surfaces.
It has three electron beam passage holes arranged in a row in the horizontal direction corresponding to (r, g, b). The fourth grid G4 functioning as an anode electrode is constituted by a cup-shaped electrode, and is arranged in a row in the horizontal direction corresponding to the three cathodes K (r, g, b) on a surface facing the third grid G3. It has three electron beam passage holes arranged.

【００３４】このような構成の電子銃構体において、カ
ソードＫ（ｒ、ｇ、ｂ）には、約１００〜２００Ｖ程度
の直流電圧に映像信号に対応した変調信号を重畳した電
圧が印加される。第１グリッドＧ１は、接地されてい
る。第２グリッドＧ２には、約５００〜１０００Ｖ程度
の直流電圧が印加される。第３グリッドＧ３には、約６
ｋＶ〜１０ｋＶ程度の一定の集束電圧（Ｖｆ）が印加さ
れる。第４グリッドＧ４には、約２２ｋＶ〜３５ｋＶ程
度の陽極電圧が印加される。In the electron gun assembly having such a configuration, a voltage obtained by superimposing a modulation signal corresponding to a video signal on a DC voltage of about 100 to 200 V is applied to the cathode K (r, g, b). The first grid G1 is grounded. A DC voltage of about 500 to 1000 V is applied to the second grid G2. The third grid G3 has about 6
A constant focusing voltage (Vf) of about kV to 10 kV is applied. An anode voltage of about 22 kV to about 35 kV is applied to the fourth grid G4.

【００３５】カソードＫ（ｒ、ｇ、ｂ）、第１グリッド
Ｇ１、及び第２グリッドＧ２は、電子ビームを発生する
とともに後述する主レンズ部の物点を形成する電子ビー
ム発生部を構成する。第２グリッドＧ２及び第３グリッ
ドＧ３は、電子ビーム発生部から発生された電子ビーム
を予備集束するプリフォーカスレンズを形成する。第３
グリッドＧ３及び第４グリッドＧ４は、予備集束された
電子ビームを最終的に蛍光体スクリーン上に集束する主
レンズ部を形成する。The cathode K (r, g, b), the first grid G1, and the second grid G2 constitute an electron beam generator that generates an electron beam and forms an object point of a main lens unit described later. The second grid G2 and the third grid G3 form a prefocus lens that prefocuses the electron beam generated from the electron beam generator. Third
The grid G3 and the fourth grid G4 form a main lens unit that finally focuses the pre-focused electron beam on the phosphor screen.

【００３６】ところで、カソードＫ（ｒ、ｇ、ｂ）は、
その表面に、少なくとも３つの電子放出特性が異なる領
域を有している。すなわち、カソード表面は、図３に示
すように、第１領域としての中央部Ｋａ、第２領域とし
ての左右部Ｋｂ、第３領域としての上下部Ｋｃの３つの
領域を有している。By the way, the cathode K (r, g, b) is
The surface has at least three regions having different electron emission characteristics. That is, as shown in FIG. 3, the cathode surface has three regions: a central portion Ka as a first region, left and right portions Kb as a second region, and upper and lower portions Kc as a third region.

【００３７】中央部Ｋａは、カソード表面の中央に円形
に形成されている。この中央部Ｋａの中心は、第１グリ
ッドＧ１に形成された円形の電子ビーム通過孔の中心軸
に一致する。一対の左右部Ｋｂは、中央部Ｋａを水平方
向（インライン方向）から挟むよう配置されている。こ
れら一対の左右部Ｋｂは、水平方向と平行な軸（Ｘ軸）
及びインライン方向に垂直な垂直方向と平行な軸（Ｙ
軸）に関して、軸対称であるように構成される。また、
一対の上下部Ｋｃは、中央部Ｋａを垂直方向から挟むよ
う配置されている。これら一対の上下部Ｋｃは、水平方
向と平行な軸（Ｘ軸）及びインライン方向に垂直な垂直
方向と平行な軸（Ｙ軸）に関して、軸対称であるように
構成される。The central portion Ka is formed in a circular shape at the center of the cathode surface. The center of the central portion Ka coincides with the central axis of the circular electron beam passage hole formed in the first grid G1. The pair of left and right portions Kb are arranged so as to sandwich the central portion Ka from the horizontal direction (inline direction). These pair of left and right portions Kb are axes (X-axis) parallel to the horizontal direction.
And an axis parallel to the vertical direction perpendicular to the in-line direction (Y
About the axis). Also,
The pair of upper and lower parts Kc are arranged so as to sandwich the central part Ka from the vertical direction. These upper and lower portions Kc are configured to be axially symmetric with respect to an axis parallel to the horizontal direction (X axis) and an axis parallel to the vertical direction perpendicular to the in-line direction (Y axis).

【００３８】各領域の電子放出特性は、高い順に左右部
Ｋｂ、中央部Ｋａ、上下部Ｋｃとなっている。The electron emission characteristics of each region are, in descending order, the left and right portions Kb, the central portion Ka, and the upper and lower portions Kc.

【００３９】これら３つの領域は、以下のようにして形
成される。These three regions are formed as follows.

【００４０】すなわち、まず、円形のタングステン
（Ｗ）ベースの基材を用意する。続いて、スパッタリン
グにより、基材の中央部に円形に主にイリジウム（Ｉ
ｒ）を成膜して中央部Ｋａに相当する第１領域を形成す
る。続いて、スパッタリングにより、中央部Ｋａを除い
た基材の円弧状の領域に主にスカンジウム（Ｓｃ）の酸
化物、すなわちＳｃ_２Ｏ_３を成膜して左右部Ｋｂに相当
する第２領域を形成する。イリジウム及びスカンジウム
酸化物が成膜されていない基材が剥き出しの領域は、上
下部に相当する第３領域となる。That is, first, a circular tungsten (W) base material is prepared. Subsequently, the main part of iridium (I
r) is formed to form a first region corresponding to the central portion Ka. Subsequently, an oxide of scandium (Sc), that is, Sc ₂ O ₃ is mainly formed in an arc-shaped region of the base material excluding the central portion Ka by sputtering to form a second region corresponding to the left and right portions Kb. Form. The region where the substrate on which iridium and scandium oxide are not deposited is exposed is a third region corresponding to the upper and lower portions.

【００４１】カソード表面を、上述したように構成した
場合、小電流のときには、電子ビームは、中央部Ｋａの
みから放出される。また、大電流のときには、電子ビー
ムは、３つの領域Ｋａ、Ｋｂ、Ｋｃから放出される。When the cathode surface is configured as described above, the electron beam is emitted only from the central portion Ka when the current is small. When the current is large, the electron beam is emitted from three regions Ka, Kb, and Kc.

【００４２】このような構成とすることにより、以下の
ような作用が得られる。With this configuration, the following operation can be obtained.

【００４３】すなわち、小電流時においては、左右部Ｋ
ｂより電子放出特性の劣る中央部Ｋａから電子ビームが
放出される。このように、電子放出を担うカソード表面
における中央部Ｋａの電子放出特性を低く設定すること
により、電子放出領域がカソード全面を左右部Ｋｂと同
じエミッション特性としたときより広くなる。That is, at the time of a small current, the left and right portions K
An electron beam is emitted from the central portion Ka, which has lower electron emission characteristics than b. As described above, by setting the electron emission characteristics of the central portion Ka on the surface of the cathode that emits electrons to be low, the electron emission region becomes wider than when the entire cathode has the same emission characteristics as the left and right portions Kb.

【００４４】すなわち、カソード表面における電子放出
領域１１は、図６に示すように、水平方向の電流密度分
布断面１２及び垂直方向の電流密度分布断面を有するよ
うになる。図６に示した小電流時の電子放出領域１１
は、図８に示したような従来のカソードの電子放出領域
よりも大きくなる。That is, as shown in FIG. 6, the electron emission region 11 on the cathode surface has a horizontal current density distribution cross section 12 and a vertical current density distribution cross section. Electron emission region 11 at the time of small current shown in FIG.
Is larger than the electron emission region of the conventional cathode as shown in FIG.

【００４５】このため、主レンズに対する仮想物点径が
大きくなる。このことから、図１０の（ａ）に示すよう
に、小電流時の蛍光体スクリーン上でのスポットサイズ
は、図１２の（ａ）に示した従来の電子銃構体に比べて
大きくなる。このような小電流時における仮想物点径の
拡大は、モアレの発生を抑え、かつ小電流から大電流と
なるときのスポットサイズの変化量を少なくすることが
可能となる。Therefore, the virtual object point diameter with respect to the main lens becomes large. For this reason, as shown in FIG. 10A, the spot size on the phosphor screen at the time of a small current is larger than that of the conventional electron gun structure shown in FIG. Such enlargement of the virtual object point diameter at the time of a small current makes it possible to suppress the occurrence of moire and reduce the amount of change in the spot size when the current changes from a small current to a large current.

【００４６】大電流時においては、電子放出特性の異な
る３つの電子放出領域Ｋａ、Ｋｂ、Ｋｃから電子ビーム
が放出される。これにより、カソード表面から放出され
る電子ビーム量が水平方向と垂直方向とで異なる。At the time of a large current, an electron beam is emitted from three electron emission regions Ka, Kb, and Kc having different electron emission characteristics. As a result, the amount of the electron beam emitted from the cathode surface differs between the horizontal direction and the vertical direction.

【００４７】すなわち、カソード表面における電子放出
領域１１は、図７に示すように、水平方向と垂直方向と
で非対称な電流密度分布断面１２、及び、電流密度分布
断面１３を有するようになる。図７に示した大電流時の
電子放出領域１１は、図９に示したような従来のカソー
ドの電子放出領域より、垂直方向及び水平方向で電流量
が少なくなる。特に、図７に示したように、電子放出領
域１１においては、垂直方向の電流量が水平方向の電流
量より少なくなる。That is, as shown in FIG. 7, the electron emission region 11 on the cathode surface has a current density distribution section 12 and a current density distribution section 13 that are asymmetric in the horizontal and vertical directions. The electron emission region 11 at the time of a large current shown in FIG. 7 has a smaller amount of current in the vertical and horizontal directions than the electron emission region of the conventional cathode as shown in FIG. In particular, as shown in FIG. 7, in the electron emission region 11, the amount of current in the vertical direction is smaller than the amount of current in the horizontal direction.

【００４８】このことから、従来のカソードの同電流時
における垂直方向の仮想物点径の拡大を抑えることがで
き、主レンズに対する仮想物点径の垂直方向の拡大は、
小さく抑えられる。また、空間電荷反発効果も少なく抑
えられることで、垂直方向の仮想物点径の拡大と仮想物
点位置の蛍光体スクリーン側への移動も、従来のカソー
ドより少なく抑えることができる。この結果、図１０の
（ｂ）に示すように、大電流時における蛍光体スクリー
ン上でのスポットサイズは、図１２の（ｂ）に示すよう
な従来の電子銃構体のスポットサイズより、垂直方向径
の拡大を抑制することができる。From this, it is possible to suppress an increase in the virtual object point diameter in the vertical direction at the same current of the conventional cathode.
Can be kept small. Further, since the space charge repulsion effect can be suppressed to a small extent, the enlargement of the virtual object point diameter in the vertical direction and the movement of the virtual object point position to the phosphor screen side can be suppressed to be smaller than in the conventional cathode. As a result, as shown in FIG. 10B, the spot size on the phosphor screen at the time of a large current is more vertical than the spot size of the conventional electron gun structure as shown in FIG. An increase in the diameter can be suppressed.

【００４９】またこの場合、最も電子放出特性の高い左
右部Ｋｂから十分に電子ビームが放出されることから、
カソード電流を得るために必要なドライブ電圧の上昇を
最小限に抑えることができる。In this case, since the electron beam is sufficiently emitted from the left and right portions Kb having the highest electron emission characteristics,
An increase in drive voltage required to obtain a cathode current can be minimized.

【００５０】このように、カソードを上述したように溝
成することにより、小電流時における仮想物点径は従来
のカソード構成より大きく、小電流から大電流と変化す
るときには、垂直方向の仮想物点径の拡大を抑えると同
時に、仮想物点位置の移動を従来のカソード構成より少
なく抑えられる。したがって、スポットサイズの拡大
は、抑制される。また、ドライブ電圧の上昇も少なく抑
えることができる。As described above, by forming the cathode as described above, the virtual object point diameter at the time of a small current is larger than that of the conventional cathode configuration, and when changing from a small current to a large current, the virtual object point in the vertical direction is changed. At the same time as suppressing the enlargement of the point diameter, the movement of the virtual object point position can be suppressed to be smaller than in the conventional cathode configuration. Therefore, enlargement of the spot size is suppressed. Also, an increase in drive voltage can be suppressed to a small level.

【００５１】ただし、この実施の形態に係る構造の電子
銃構体では、蛍光体スクリーン上でのビームスポットの
水平方向径は、従来のものに比べやや大きくなる。しか
しながら、速度変調コイル９により、ビームスポットの
水平方向径の拡大を改善することができる。すなわち、
速度変調コイル９を動作させた場合、図１１の（ａ）及
び（ｂ）に示すように、図１０の（ａ）及び（ｂ）に示
したビームスポットに比べて、水平方向径の拡大を抑制
することができ、スポットサイズを改善することができ
る。これにより、ビームスポットの水平方向径の差を小
さくすることができる。However, in the electron gun structure having the structure according to this embodiment, the horizontal diameter of the beam spot on the phosphor screen is slightly larger than that of the conventional one. However, the speed modulation coil 9 can improve the expansion of the beam spot in the horizontal direction. That is,
When the speed modulation coil 9 is operated, as shown in FIGS. 11A and 11B, the diameter in the horizontal direction is increased as compared with the beam spots shown in FIGS. 10A and 10B. Thus, the spot size can be improved. This makes it possible to reduce the difference between the horizontal diameters of the beam spots.

【００５２】これに対して、従来の構造の場合、速度変
調コイル９を動作させると、図１３の（ａ）及び（ｂ）
に示すように、図１２の（ａ）及び（ｂ）に示したビー
ムスポットに比べて、特に大電流時において過剰に水平
方向径が集束され、ビームスポットを劣化させてしま
う。On the other hand, in the case of the conventional structure, when the speed modulation coil 9 is operated, (a) and (b) of FIG.
As shown in FIG. 12, as compared with the beam spots shown in FIGS. 12A and 12B, the diameter in the horizontal direction is excessively focused particularly at a large current, and the beam spot is deteriorated.

【００５３】したがって、上述した実施の形態のよう
に、カソード表面に、３つの異なる電子放出特性の領域
を形成することにより、電子銃構体の構成を変えること
なく、且つ駆動回路への負担を著しく増やすことなく、
小電流から大電流において高い精細度を保つことのでき
る陰極線管装置用の電子銃構体を得ることができる。Therefore, by forming three regions having different electron emission characteristics on the cathode surface as in the above-described embodiment, the load on the drive circuit can be significantly reduced without changing the structure of the electron gun assembly. Without increasing
It is possible to obtain an electron gun assembly for a cathode ray tube device that can maintain high definition from a small current to a large current.

【００５４】なお、上述した実施の形態では、主レンズ
は、第３電極及び第４電極によって構成されるバイポテ
ンシャル電子銃構体を例に述べたが、ユニポテンシャル
型や他の複合主レンズにても同様の効果が得られる。In the above-described embodiment, the main lens has been described as an example of the bi-potential electron gun structure constituted by the third electrode and the fourth electrode. However, a uni-potential type or another compound main lens is used as the main lens. Has the same effect.

【００５５】また、上述した実施の形態では、電子放出
領域の境界は、明確に線引きされているが、境界での電
子放出特性が緩やかに変化するように形成されていて
も、同様な効果が得られる。Further, in the above-described embodiment, the boundaries of the electron emission regions are clearly drawn, but the same effects can be obtained even if the electron emission characteristics at the boundaries are formed to change gradually. can get.

【００５６】さらに、上述した実施の形態では、カソー
ド表面に形成される電子放出特性の異なる領域が３つの
場合について説明したが、これ以上であっても良い。ま
た、これら３つの領域は、図１に示したような配置の場
合について説明したが、３つの異なる電子放出特性の設
定によっては、図４または図５のように構成しても同様
の効果が得られる。Further, in the above-described embodiment, the case where three regions having different electron emission characteristics are formed on the surface of the cathode has been described. Although the three regions have been described in the case of the arrangement shown in FIG. 1, the same effect can be obtained by configuring as shown in FIG. 4 or FIG. 5 depending on the setting of the three different electron emission characteristics. can get.

【００５７】すなわち、図４に示した例では、最も電子
放出特性の高い左右部Ｋｂは、次に電子放出特性の高い
円形の中央部Ｋａの水平方向Ｘに沿った両側にほぼ半円
形状に形成されている。また、最も電子放出特性の低い
上下部Ｋｃは、中央部Ｋａの垂直方向Ｙに沿った両側に
ほぼストライプ状に形成されている。That is, in the example shown in FIG. 4, the left and right portions Kb having the highest electron emission characteristics are substantially semicircular on both sides along the horizontal direction X of the circular central portion Ka having the next highest electron emission characteristics. Is formed. The upper and lower portions Kc having the lowest electron emission characteristics are formed in substantially stripes on both sides along the vertical direction Y of the central portion Ka.

【００５８】また、図５に示した例では、最も電子放出
特性の高い左右部Ｋｂは、次に電子放出特性の高い円形
の中央部Ｋａの水平方向Ｘに沿った両側にほぼストライ
プ状に形成されている。また、最も電子放出特性の低い
上下部Ｋｃは、中央部Ｋａの垂直方向Ｙに沿った両側に
ほぼ半円形状に形成されている。In the example shown in FIG. 5, the left and right portions Kb having the highest electron emission characteristics are formed in substantially stripes on both sides along the horizontal direction X of the circular central portion Ka having the next highest electron emission characteristics. Have been. The upper and lower portions Kc having the lowest electron emission characteristics are formed in a substantially semicircular shape on both sides along the vertical direction Y of the central portion Ka.

【００５９】このように、図４及び図５に示したように
電子放出特性を配置した場合であっても、上述した実施
の形態と同様に、小電流時において、蛍光体スクリーン
上でのビームスポットのスポットサイズを拡大し、大電
流時において、ビームスポットの垂直方向径の拡大を抑
制することができ、同様の効果を得ることが可能とな
る。As described above, even when the electron emission characteristics are arranged as shown in FIGS. 4 and 5, similarly to the above-described embodiment, when the current is small, the beam on the phosphor screen is reduced. The spot size of the spot is enlarged, and at the time of a large current, the expansion of the beam spot in the vertical direction can be suppressed, and the same effect can be obtained.

【００６０】[0060]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、駆動回路への負担の増加を抑え、小電流から大電流
に変化するときの蛍光体スクリーン上におけるスポット
サイズの水平方向径及び垂直方向径の拡大を軽減し、高
い精細度が得られる電子銃構体及びこの電子銃構体を備
えた陰極線管装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, the increase in the load on the drive circuit is suppressed, and the horizontal and vertical diameters of the spot size on the phosphor screen when the current changes from a small current to a large current. It is possible to provide an electron gun assembly capable of reducing the increase in the direction diameter and obtaining high definition, and a cathode ray tube device including the electron gun assembly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１は、この発明の電子銃構体を備えた陰極線
管装置の構成を概略的に示す水平断面図である。本発明
の実施例におけるカソードの電子放出領域の分布図。FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing a configuration of a cathode ray tube device provided with an electron gun assembly of the present invention. FIG. 3 is a distribution diagram of an electron emission region of a cathode according to the embodiment of the present invention.

【図２】図２は、この発明の一実施の形態に係る電子銃
構体の構成を概略的に示す水平断面図である。従来電子
銃におけるカソードの電子放出領域の分布図。FIG. 2 is a horizontal sectional view schematically showing a configuration of an electron gun assembly according to one embodiment of the present invention. FIG. 4 is a distribution diagram of an electron emission region of a cathode in a conventional electron gun.

【図３】図３は、図２に示した電子銃構体におけるカソ
ードの電子放出領域の分布例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a distribution of electron emission regions of a cathode in the electron gun structure illustrated in FIG. 2;

【図４】図４は、図２に示した電子銃構体に適用可能な
カソードの電子放出領域の他の分布例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing another distribution example of the electron emission region of the cathode applicable to the electron gun structure shown in FIG. 2;

【図５】図５は、図２に示した電子銃構体に適用可能な
カソードの電子放出領域の他の分布例を示す図である。FIG. 5 is a view showing another distribution example of the electron emission region of the cathode applicable to the electron gun structure shown in FIG. 2;

【図６】図６は、図３に示したカソードにおける小電流
時の水平方向及び垂直方向の電流密度分布の断面を示す
図である。FIG. 6 is a diagram showing a cross section of a current density distribution in a horizontal direction and a vertical direction at a small current in the cathode shown in FIG. 3;

【図７】図７は、図３に示したカソードにおける大電流
時の水平方向及び垂直方向の電流密度分布の断面を示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing a cross section of a current density distribution in a horizontal direction and a vertical direction at a large current in the cathode shown in FIG. 3;

【図８】図８は、従来のカソードにおける小電流時の水
平方向及び垂直方向の電流密度分布の断面を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing a cross section of a current density distribution in a horizontal direction and a vertical direction at a small current in a conventional cathode.

【図９】図９は、従来のカソードにおける大電流時の水
平方向及び垂直方向の電流密度分布の断面を示す図であ
る。FIG. 9 is a diagram showing cross sections of current density distributions in a horizontal direction and a vertical direction at a large current in a conventional cathode.

【図１０】図１０の（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ図３
に示したカソードにおける小電流時及び大電流時のビー
ムスポット形状を模式的に示す図である。10 (a) and (b) are FIGS. 3 (a) and 3 (b) respectively.
FIG. 4 is a diagram schematically showing beam spot shapes at a small current and a large current in the cathode shown in FIG.

【図１１】図１１の（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ図３
に示したカソードにおける小電流時及び大電流時におい
て、速度変調コイルを動作させた場合のビームスポット
形状を模式的に示す図である。FIGS. 11A and 11B are FIGS. 3A and 3B, respectively.
FIG. 4 is a diagram schematically showing a beam spot shape when a velocity modulation coil is operated at a small current and a large current in the cathode shown in FIG.

【図１２】図１２の（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ従来
のカソードにおける小電流時及び大電流時のビームスポ
ット形状を模式的に示す図である。FIGS. 12A and 12B are diagrams schematically showing beam spot shapes at a small current and a large current in a conventional cathode, respectively.

【図１３】図１３の（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ従来
のカソードにおける小電流時及び大電流時において、速
度変調コイルを動作させた場合のビームスポット形状を
模式的に示す図である。FIGS. 13A and 13B are diagrams schematically showing beam spot shapes when a velocity modulation coil is operated at a small current and a large current in a conventional cathode, respectively. .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…パネル ２…ファンネル ３…シャドウマスク ４…蛍光体スクリーン ５…ネック ６…電子銃構体 ７（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…電子ビーム ８…偏向ヨーク ９…速度変調コイル Ｋ（ｒ、ｇ、ｂ）…カソード Ｇ１…第１グリッド Ｇ２…第２グリッド Ｇ３…第３グリッド Ｇ４…第４グリッド Ｋａ…中央部（第１領域） Ｋｂ…左右部（第２領域） Ｋｃ…上下部（第３領域） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Panel 2 ... Funnel 3 ... Shadow mask 4 ... Phosphor screen 5 ... Neck 6 ... Electron gun structure 7 (R, G, B) ... Electron beam 8 ... Deflection yoke 9 ... Speed modulation coil K (r, g, b) ) Cathode G1 first grid G2 second grid G3 third grid G4 fourth grid Ka central part (first area) Kb left / right part (second area) Kc upper / lower part (third area)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 和則 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 上野 博文 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 5C031 DD04 DD09 DD15 5C041 AA03 AB03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Kazunori Sato 1-9-2, Hara-cho, Fukaya-shi, Saitama Pref. Inside the Toshiba Fukaya Plant Co., Ltd. 1 F-term in Toshiba Electronic Engineering Corporation (reference) 5C031 DD04 DD09 DD15 5C041 AA03 AB03

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】電子ビームを発生する電子ビーム発生部、
及び、この電子ビーム発生部から発生された電子ビーム
をターゲットに向けて加速・集束する主レンズ部を備え
た電子銃構体において、 前記電子ビーム発生部は、カソードを含み、 前記カソードは、カソード面中央の第１領域、前記第１
領域を第１方向から挟むように配置された第２領域、及
び、前記第１領域を前記第１方向とは異なる第２方向か
ら挟むように配置された第３領域の少なくとも３つの異
なる電子放出特性の領域を有することを特徴とする電子
銃構体。An electron beam generator for generating an electron beam;
And, in an electron gun assembly including a main lens unit that accelerates and focuses an electron beam generated from the electron beam generation unit toward a target, the electron beam generation unit includes a cathode, and the cathode has a cathode surface. A first central region, the first
At least three different electron emission of a second region arranged to sandwich the region from a first direction and a third region arranged to sandwich the first region from a second direction different from the first direction An electron gun structure having a characteristic region. 【請求項２】前記第１方向は、水平方向に平行であり、
前記第２方向は、垂直方向に平行であって、 前記電子放出特性は、高い順に第２領域、第１領域、第
３領域であるように構成されたことを特徴とする請求項
１に記載の電子銃構体。2. The method according to claim 1, wherein the first direction is parallel to a horizontal direction.
2. The device according to claim 1, wherein the second direction is parallel to a vertical direction, and the electron emission characteristics are a second region, a first region, and a third region in descending order. 3. Electron gun structure. 【請求項３】前記電子放出特性が水平方向に平行な軸ま
たは垂直方向に平行な軸に対称となるように、前記第１
乃至第３領域が配置されたことを特徴とする請求項１に
記載の電子銃構体。3. The method according to claim 1, wherein the electron emission characteristics are symmetric with respect to an axis parallel to the horizontal direction or an axis parallel to the vertical direction.
The electron gun structure according to claim 1, wherein the third to third regions are arranged. 【請求項４】前記第２領域は、水平方向に平行な軸につ
いて対称であるとともに、前記第３領域は、垂直方向に
平行な軸について対称であることを特徴とする請求項１
に記載の電子銃構体。4. The apparatus according to claim 1, wherein said second region is symmetric about an axis parallel to a horizontal direction, and said third region is symmetric about an axis parallel to a vertical direction.
3. The electron gun assembly according to claim 1. 【請求項５】インライン方向に一列に配置された３電子
ビームを発生する電子ビーム発生部、及び、この電子ビ
ーム発生部から発生された３電子ビームをターゲットに
向けて加速・集束する主レンズ部を備えた電子銃構体に
おいて、 前記電子ビーム発生部は、少なくとも、インライン方向
に一列に配置された３個のカソードと、第１電極と、第
２電極と、を電子ビームの進行方向に沿って含み、 前記各カソードは、カソード面中央の第１領域、前記第
１領域をインライン方向に平行な水平方向から挟むよう
に配置された第２領域、及び、前記第１領域をインライ
ン方向に垂直な垂直方向から挟むように配置された第３
領域の少なくとも３つの異なる電子放出特性の領域を有
することを特徴とする電子銃構体。5. An electron beam generator for generating three electron beams arranged in a line in an inline direction, and a main lens unit for accelerating and focusing the three electron beams generated from the electron beam generator toward a target. In the electron gun assembly comprising: the electron beam generator, at least three cathodes arranged in a line in an in-line direction, a first electrode, and a second electrode, along the traveling direction of the electron beam Wherein each of the cathodes includes a first region at the center of the cathode surface, a second region arranged to sandwich the first region from a horizontal direction parallel to the inline direction, and a first region perpendicular to the inline direction. The third, sandwiched from the vertical direction
An electron gun assembly having at least three regions of different electron emission characteristics. 【請求項６】前記電子放出特性は、高い順に第２領域、
第１領域、第３領域であるように構成されたことを特徴
とする請求項５に記載の電子銃構体。6. The electron emission characteristics of the second region,
The electron gun structure according to claim 5, wherein the first and third regions are configured to be a first region and a third region. 【請求項７】前記第１電極は、インライン方向に一列に
配置された３個のカソードに対応して３個の円形の電子
ビーム通過孔を有し、 前記カソード面の前記第１領域は、前記第１電極の電子
ビーム通過孔の中心軸を中心とした円形に形成されたこ
とを特徴とする請求項５に記載の電子銃構体。7. The first electrode has three circular electron beam passage holes corresponding to three cathodes arranged in a line in an in-line direction, and the first region of the cathode surface includes: 6. The electron gun assembly according to claim 5, wherein the first electrode is formed in a circular shape around a center axis of an electron beam passage hole of the first electrode. 【請求項８】前記第２領域は、水平方向に平行な軸につ
いて対称であるとともに、前記第３領域は、垂直方向に
平行な軸について対称であることを特徴とする請求項５
に記載の電子銃構体。8. The apparatus according to claim 5, wherein said second area is symmetric about an axis parallel to the horizontal direction, and said third area is symmetric about an axis parallel to the vertical direction.
3. The electron gun assembly according to claim 1. 【請求項９】インライン方向に一列に配置された３電子
ビームを発生する電子ビーム発生部、及び、この電子ビ
ーム発生部から発生された３電子ビームを蛍光体スクリ
ーンに向けて加速・集束する主レンズ部を備えた電子銃
構体と、前記電子銃構体から出射された３電子ビームを
前記蛍光体スクリーンの水平方向及び垂直方向に走査す
る偏向ヨークと、 電子ビームの走査速度を変調する速度変調コイルと、を
備えた陰極線管装置において、 前記電子ビーム発生部は、少なくとも、インライン方向
に一列に配置された３個のカソードと、第１電極と、第
２電極と、を電子ビームの進行方向に沿って含み、 前記各カソードは、カソード面中央の第１領域、前記第
１領域をインライン方向に平行な水平方向から挟むよう
に配置された第２領域、及び、前記第１領域をインライ
ン方向に垂直な垂直方向から挟むように配置された第３
領域の少なくとも３つの異なる電子放出特性の領域を有
することを特徴とする陰極線管装置。9. An electron beam generator for generating three electron beams arranged in a line in an inline direction, and a main unit for accelerating and focusing the three electron beams generated from the electron beam generator toward a phosphor screen. An electron gun assembly having a lens unit, a deflection yoke for scanning three electron beams emitted from the electron gun assembly in the horizontal and vertical directions of the phosphor screen, and a velocity modulation coil for modulating the scanning speed of the electron beam In the cathode ray tube device comprising: the electron beam generating unit, at least three cathodes arranged in a line in the in-line direction, a first electrode, and a second electrode, in the traveling direction of the electron beam A first region at the center of the cathode surface, a second region arranged to sandwich the first region from a horizontal direction parallel to the in-line direction, and , Third placed the first region so as to sandwich from a vertical direction perpendicular to the inline direction
A cathode ray tube device having at least three regions having different electron emission characteristics.