JP2002072459A - Photo-acid generating agent and photosensitive resin composition containing the same - Google Patents
Photo-acid generating agent and photosensitive resin composition containing the sameInfo
- Publication number
- JP2002072459A JP2002072459A JP2000258047A JP2000258047A JP2002072459A JP 2002072459 A JP2002072459 A JP 2002072459A JP 2000258047 A JP2000258047 A JP 2000258047A JP 2000258047 A JP2000258047 A JP 2000258047A JP 2002072459 A JP2002072459 A JP 2002072459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkali
- group
- acid
- resin composition
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光照射により容易
に分解してルイス酸を発生させる新規な光酸発生剤及び
それを含有する感光性樹脂組成物に関する。The present invention relates to a novel photoacid generator which is easily decomposed by light irradiation to generate a Lewis acid, and a photosensitive resin composition containing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造工程に代表される微細加工分
野においては、より高い集積度を得るため、フォトリソ
グラフィー工程における加工の微細化が求められてい
る。近年では、ハーフミクロン以下の線幅からなる超微
細パターンの加工が必要とされるようになってきた。超
微細パターンを形成するためにフォトリソグラフィーに
用いられる露光装置の使用波長は、短波長化し、ＫｒＦ
エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマ
レーザー（波長１９３ｎｍ）等の遠紫外線や電子線及び
Ｘ線が実用化または検討されている。2. Description of the Related Art In the field of microfabrication represented by the semiconductor manufacturing process, miniaturization of processing in a photolithography process is required to obtain a higher degree of integration. In recent years, it has become necessary to process an ultrafine pattern having a line width of half a micron or less. The wavelength used by an exposure apparatus used for photolithography to form an ultrafine pattern has been shortened, and KrF
Far ultraviolet rays, electron beams and X-rays such as an excimer laser (wavelength 248 nm) and an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) have been put to practical use or studied.
【０００３】このような露光波長に適したレジストとし
て、米国特許第４，４９１，６２８号、欧州特許第２４
９，１３９号等に記載されている「化学増幅系レジス
ト」が注目されている。このレジストは、放射線の照射
（以下、「露光」という）により酸を形成する感光性酸
発生剤（以下、「光酸発生剤」という）を含有し、露光
により発生した酸を触媒とする反応により、露光部と非
露光部との現像液に対する溶解度を変化させてパターン
を形成させるパターン形成材料である。US Pat. No. 4,491,628 and European Patent No. 24 disclose a resist suitable for such an exposure wavelength.
Attention has been paid to “chemically amplified resists” described in JP-A-9,139 and the like. This resist contains a photosensitive acid generator (hereinafter, referred to as "photoacid generator") that forms an acid upon irradiation with radiation (hereinafter, referred to as "exposure"), and a reaction using the acid generated by exposure as a catalyst. This is a pattern forming material for forming a pattern by changing the solubility of the exposed part and the non-exposed part in a developing solution.
【０００４】また、従来より、保護用、装飾用及び絶縁
用塗料、注封材料、印刷インキ、シーラント、接着剤、
フォトレジスト、電線絶縁物、織物被覆、印刷用版面な
どの用途に用いられるものとして、光酸発生剤を含むエ
ポキシ樹脂組成物が知られている。[0004] Further, conventionally, paints for protection, decoration and insulation, potting materials, printing inks, sealants, adhesives,
BACKGROUND ART Epoxy resin compositions containing a photoacid generator are known for use in applications such as photoresists, wire insulators, textile coating, and printing plates.
【０００５】このような光酸発生剤としては、Ｎ−イミ
ドスルホネート、Ｎ−オキシムスルホネート、ｏ−ニト
ロベンジルスルホネート、ピロガロールのトリスメタン
スルホネート等が知られている。As such a photoacid generator, N-imidosulfonate, N-oxime sulfonate, o-nitrobenzylsulfonate, trismethanesulfonate of pyrogallol and the like are known.
【０００６】また、光酸発生剤としては、放射線感受性
芳香族ハロニウム塩、又は第Ｖｉａ族元素の輻射線感知
性芳香族オニウム塩が知られている（特公昭５２−１４
２７７号公報、特公昭５２−１４２２７８号公報）。Further, as a photoacid generator, a radiation-sensitive aromatic halonium salt or a radiation-sensitive aromatic onium salt of a Group Via element is known (Japanese Patent Publication No. 52-14).
277, Japanese Patent Publication No. 52-142278).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、これ
らの光酸発生剤は、光分解効率が十分ではなく、実用性
の面では不十分であるという欠点を有している。However, these photoacid generators have the disadvantage that the photodecomposition efficiency is not sufficient and the practicality is insufficient.
【０００８】本発明は、このような事情に鑑み、光分解
効率が十分な新規光酸発生剤及びそれを含有する感光性
樹脂組成物を提供することを課題とする。[0008] In view of such circumstances, an object of the present invention is to provide a novel photoacid generator having a sufficient photolysis efficiency and a photosensitive resin composition containing the same.
【０００９】また、本発明の別の課題は、露光により発
生する酸の拡散性、揮発性が小さく、露光後の加熱に対
してパターン形状が安定した優れた化学増幅型レジスト
として有用な感光性樹脂組成物を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a photosensitive resist useful as an excellent chemically amplified resist, which has a low diffusibility and volatility of an acid generated upon exposure and has a stable pattern shape with respect to heating after exposure. It is to provide a resin composition.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の第１の態様は、下記構造を有することを特徴とする
光酸発生剤にある。Means for Solving the Problems A first aspect of the present invention to solve the above-mentioned problems is a photoacid generator having the following structure.
【００１１】[0011]
【化２】 Embedded image
【００１２】ここで、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ同一でも異
なってもよいアリール基、アルキル基、シクロアルキル
基、パーフルオロアルキル基を表し又は両者でアリール
基、アルキル基、シクロアルキル基、パーフルオロアル
キル基を表し、Ａアリール基、アルキル基、シクロアル
キル基、パーフルオロアルキル基を表す。Here, R 1 and R 2 each represent an aryl group, an alkyl group, a cycloalkyl group or a perfluoroalkyl group which may be the same or different, or both represent an aryl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and a perfluoroalkyl group. A represents an alkyl group, A represents an aryl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, or a perfluoroalkyl group.
【００１３】本発明の第２の態様は、第１の態様におい
て、フォトレジスト組成物のポリマー重合時の光酸開始
剤、ラジカル光開始剤、又は有機化合物の保護基を脱離
させる光酸発生剤であることを特徴とする光酸発生剤に
ある。[0013] A second aspect of the present invention is the first aspect, wherein a photoacid initiator, a radical photoinitiator, or a photoacid generator for removing a protecting group of an organic compound during polymer polymerization of a photoresist composition. A photoacid generator characterized by being an agent.
【００１４】本発明の第３の態様は、第１又は２の態様
の光酸発生剤の少なくとも一種を含有することを特徴と
する感光性樹脂組成物にある。A third aspect of the present invention is a photosensitive resin composition containing at least one of the photoacid generators of the first and second aspects.
【００１５】本発明の第４の態様は、第３の態様におい
て、前記光酸発生剤の少なくとも１種と、酸分解性基を
有することによりアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性
の樹脂であって、酸の作用により酸分解性基が分解した
ときにアルカリ可溶性となる樹脂とを含有するポジ型感
光性樹脂組成物であることを特徴とする感光性樹脂組成
物にある。According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, at least one of the photoacid generators and an alkali-insoluble or alkali-soluble resin having an acid-decomposable group, And a resin which becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group is decomposed by the action of the above.
【００１６】本発明の第５の態様は、第４の態様におい
て、前記光酸発生剤の少なくとも１種と、アルカリ可溶
性樹脂と、このアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解性を
阻止する作用を有し、且つ酸の作用により該アルカリ溶
解性阻止能を低下もしくは消失するか又は上記アルカリ
可溶性樹脂のアルカリ溶解性を促進させる作用を有する
化合物とを含有するポジ型感光性樹脂組成物であること
を特徴とする感光性樹脂組成物にある。According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, at least one of the photoacid generators, an alkali-soluble resin, and an action of inhibiting alkali solubility of the alkali-soluble resin, And a compound having a function of reducing or eliminating the alkali-solubility inhibiting ability by the action of an acid or promoting alkali solubility of the alkali-soluble resin. In the photosensitive resin composition.
【００１７】本発明の第６の態様において、第３の態様
において、前記光酸発生剤の少なくとも１種と、アルカ
リ可溶性樹脂と、酸の作用で上記アルカリ可溶性樹脂を
架橋し得る化合物とを含有するネガ型感光性樹脂組成物
であることを特徴とする感光性樹脂組成物にある。In a sixth aspect of the present invention, in the third aspect, the photoacid generator comprises at least one of the photoacid generators, an alkali-soluble resin, and a compound capable of crosslinking the alkali-soluble resin by the action of an acid. The photosensitive resin composition is characterized in that the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition.
【００１８】本発明の光酸発生剤の一製造例を以下に説
明する。One production example of the photoacid generator of the present invention will be described below.
【００１９】本発明の光酸発生剤は、下記式に示すよう
に、まず、塩化スルフォニルに、亜硫酸ナトリウム等の
還元剤を反応させてスルフィン酸とする。As shown in the following formula, the photoacid generator of the present invention is prepared by first reacting sulfonyl chloride with a reducing agent such as sodium sulfite to obtain sulfinic acid.
【００２０】[0020]
【化３】 Embedded image
【００２１】ここで、ＲＳＯ2Ｃｌで表される塩化スル
フォニルは、一般的には、相当するスルフォン酸（ＲＳ
Ｏ4ＯＨ）に、五塩化リン等の塩素化剤を反応させるこ
とにより合成できる。または、相当するハロゲン化物
（ＲＸ）に、グリニャール反応又は有機リチウム反応に
より合成した金属塩と塩化スルフリルのよな試薬とを反
応させることにより合成できる。Here, the sulfonyl chloride represented by RSO 2 Cl is generally the corresponding sulfonic acid (RS
O 4 OH) can be synthesized by reacting a chlorinating agent such as phosphorus pentachloride. Alternatively, it can be synthesized by reacting a corresponding halide (RX) with a metal salt synthesized by a Grignard reaction or an organolithium reaction and a reagent such as sulfuryl chloride.
【００２２】還元剤亜硫酸ナトリウムＮａ2ＳＯ3は、塩
化スルフォニルＲＳＯ2Ｃｌ １モル対して、１．５〜３
モル、好ましくは、２〜２．５モル用いる。The reducing agent sodium sulfite Na 2 SO 3 is used in an amount of 1.5 to 3 per mole of sulfonyl chloride RSO 2 Cl.
Mol, preferably 2 to 2.5 mol.
【００２３】この反応はアルカリ性下で行うため反応に
より生成する塩化水素を中和するため塩基をＲＳＯ2Ｃ
ｌに対して２〜４モル当量加える。塩基として通常炭酸
ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、時には水酸化ナトリ
ウムが用いられる。加水分解し易い置換基がある場合、
反応液のＰＨを測定しながら７＜ｐＨ＜８になるように
塩基を入れていくのが好ましい。Since this reaction is carried out under alkaline conditions, a base such as RSO 2 C is used to neutralize the hydrogen chloride produced by the reaction.
2 to 4 molar equivalents are added to 1. Sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate and sometimes sodium hydroxide are used as the base. When there is a substituent which is easily hydrolyzed,
It is preferable to add a base so that 7 <pH <8 while measuring the pH of the reaction solution.
【００２４】この反応の溶媒としては水を用いる。ＲＳ
Ｏ2Ｃｌ １モルに対して１リットル（以下、Ｌと表記す
る）から１０Ｌ、好ましくは２〜５Ｌを使用する。反応
初期には溶解しないが反応進行とともに均一溶液にな
る。生成物が溶解し難い場合は、酢酸を加えておくと反
応が効率良く進行する。Water is used as a solvent for this reaction. RS
One liter (hereinafter, referred to as L) to 10 L, preferably 2 to 5 L, is used per 1 mol of O 2 Cl. It does not dissolve at the beginning of the reaction, but becomes a homogeneous solution as the reaction proceeds. When the product is difficult to dissolve, the reaction proceeds efficiently if acetic acid is added.
【００２５】この場合の反応温度は、通常５０〜９０
℃、好ましくは６０〜８０℃であり、反応時間は、通
常、１〜４時間、好ましくは２〜３時間である。The reaction temperature in this case is usually 50 to 90
° C, preferably 60 to 80 ° C, and the reaction time is usually 1 to 4 hours, preferably 2 to 3 hours.
【００２６】合成したスルフィン酸は反応溶液に塩酸な
どの強酸を加えることにより取り出し、精製後、次の工
程に用いてもよいが、一連の反応において通常この溶液
のまま次の反応に供することが出来る。The synthesized sulfinic acid may be taken out by adding a strong acid such as hydrochloric acid to the reaction solution, purified and then used in the next step. However, in a series of reactions, this solution is usually used as it is in the next reaction. I can do it.
【００２７】本発明の光酸発生剤を製造するためには、
このように製造したスルフィン酸を、以下のようにヒド
ロキシスルフォンイミドとする。In order to produce the photoacid generator of the present invention,
The sulfinic acid thus produced is referred to as hydroxysulfonimide as follows.
【００２８】[0028]
【化４】 Embedded image
【００２９】この反応で用いる硝酸ナトリウムＮａＮＯ
2は、スルフィン酸１モルに対して０．５〜０．７モ
ル、好ましくは０．５５〜０．６５モルを加える。ま
た、この反応では、塩酸を添加することにより反応液を
酸性にするのが好ましい。Sodium nitrate NaNO used in this reaction
2 is added in an amount of 0.5 to 0.7 mol, preferably 0.55 to 0.65 mol, per 1 mol of sulfinic acid. In this reaction, it is preferable to make the reaction solution acidic by adding hydrochloric acid.
【００３０】この反応の反応温度は、５〜１５℃、好ま
しくは１０〜１５℃で、反応時間は、０．２〜２時間、
好ましくは０．５〜１時間である。The reaction temperature of this reaction is 5 to 15 ° C., preferably 10 to 15 ° C., and the reaction time is 0.2 to 2 hours.
Preferably, it is 0.5 to 1 hour.
【００３１】この反応では、反応液を酸性にすることに
よりすぐに白色固体が析出するので、ろ過を行い、目的
とするヒドロキシスルフォンイミドを得ることができ
る。In this reaction, a white solid precipitates immediately after the reaction solution is made acidic, so that the desired hydroxysulfonimide can be obtained by filtration.
【００３２】本発明の光酸発生剤を製造するためには、
次に、下記のように、ヒドロキシスルフォンイミドのＮ
−スルフォニル化を行う。In order to produce the photoacid generator of the present invention,
Next, the N of the hydroxysulfonimide is
Performing a sulfonylation;
【００３３】[0033]
【化５】 Embedded image
【００３４】スルフォニル化はスルフォニルハライド又
はスルフォン酸無水物を用いて行われる。スルフォニル
化剤は、ヒドロキシスルフォンイミド１モルに対して１
〜２モル、好ましくは１．１〜１．５モル加える。な
お、反応溶媒としては、塩素系溶媒、例えば、塩化メチ
レン、クロロフォルム等を用いるのが好ましい。The sulfonylation is carried out using a sulfonyl halide or sulfonic anhydride. The sulfonylating agent is used in an amount of 1 to 1 mole of hydroxysulfonimide.
２2 mol, preferably 1.1-1.5 mol. In addition, as a reaction solvent, it is preferable to use a chlorine-based solvent such as methylene chloride and chloroform.
【００３５】この反応の反応温度は、−４０〜４０℃、
好ましくは０〜２０℃、反応時間は、１〜１２時間、好
ましくは２〜４時間である。The reaction temperature of this reaction is -40 to 40 ° C.
The reaction time is preferably 0 to 20 ° C, and the reaction time is 1 to 12 hours, preferably 2 to 4 hours.
【００３６】反応終了後、水及びアンモニア水を加え、
使用溶媒より抽出する。溶媒留去後適当な再結晶溶媒で
結晶化させることにより、目的とする光酸発生剤を得る
ことができる。After completion of the reaction, water and aqueous ammonia are added,
Extract from the solvent used. By crystallizing with a suitable recrystallization solvent after distilling off the solvent, the desired photoacid generator can be obtained.
【００３７】なお、上述した説明では、１種類のスルフ
ィン酸を用いた例を示したが、２種類のスルフィン酸を
用いれば、上述した一般式のＲ1とＲ2とが異なる光酸発
生剤を得ることができる。In the above description, an example in which one type of sulfinic acid is used is shown. However, if two types of sulfinic acid are used, the photoacid generator in which R 1 and R 2 in the above general formula are different from each other Can be obtained.
【００３８】本発明の光酸発生剤は、フォトレジスト組
成物のポリマー重合時の光酸開始剤、ラジカル光開始
剤、又は有機化合物の保護基を脱離させる光酸発生剤と
して用いることができる。The photoacid generator of the present invention can be used as a photoacid initiator, a radical photoinitiator, or a photoacid generator for removing a protecting group of an organic compound during polymer polymerization of a photoresist composition. .
【００３９】また、本発明の光酸発生剤を用いることに
より、感光性樹脂組成物を得ることができる。Further, by using the photoacid generator of the present invention, a photosensitive resin composition can be obtained.
【００４０】かかる感光性樹脂組成物、すなわち、化学
増幅型レジストとしては、ポジ型とネガ型とがある。ポ
ジ型としては、酸との反応により分解してアルカリ可溶
性となる基を有する樹脂及び光酸発生剤からなる２成分
系と、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤、及び酸分解性
基を有し、アルカリ可溶性樹脂に対して不溶化能を有す
る溶解阻止化合物からなる３成分とに大別できる。ま
た、ネガ型としては、アルカリ可溶性樹脂と酸によりア
ルカリ可溶性樹脂を架橋させる作用を有する架橋剤から
成る系が考えられる。As the photosensitive resin composition, that is, the chemically amplified resist, there are a positive type and a negative type. As a positive type, a two-component system composed of a resin having a group which becomes alkali-soluble by being decomposed by reaction with an acid and a photoacid generator, and having an alkali-soluble resin, a photoacid generator, and an acid-decomposable group And three components consisting of a dissolution inhibiting compound having the ability to insolubilize an alkali-soluble resin. As the negative type, a system composed of an alkali-soluble resin and a crosslinking agent having an action of crosslinking the alkali-soluble resin with an acid is considered.
【００４１】ここで、母核であるＲ1、Ｒ2が芳香族であ
る場合、置換基を容易に変換出来る点で合成上有意義で
ある。芳香族を有するためＫｒＦ露光に主に用いること
ができる。しかし、ＡｒＦに用いることができる場合も
ある。この場合、置換基Ａは芳香族から脂肪族まで用い
ることができるが、ＡｒＦではパーフルオロアルキル基
においてのみ用いることができる。ＫｒＦ露光において
は、Ｒ1、Ｒ2及びＡの何れかに芳香族を含めば露光によ
り酸を発生させることができる。Here, when the mother nuclei R 1 and R 2 are aromatic, it is synthetically significant in that the substituent can be easily converted. Since it has aromaticity, it can be mainly used for KrF exposure. However, in some cases it can be used for ArF. In this case, the substituent A can be used from aromatic to aliphatic, but in ArF, it can be used only in the perfluoroalkyl group. In KrF exposure, an acid can be generated by exposure if any of R 1 , R 2 and A contains an aromatic.
【００４２】母核であるＲ1、Ｒ2が脂肪族である場合、
主にＡｒＦ及びＦ2露光に用いることができる。また、
るＲ1、Ｒ2がパーフルオロアルキル基である場合は、Ｆ
2露光に効果がある。この場合、置換基Ａは芳香族から
脂肪族まで合成できるが、芳香族の場合、量子収率が低
下するが、ＫｒＦ露光でも用いることができる。When the cores R 1 and R 2 are aliphatic,
It can be mainly used for ArF and F 2 exposure. Also,
When R 1 and R 2 are perfluoroalkyl groups,
2 Effective for exposure. In this case, the substituent A can be synthesized from an aromatic group to an aliphatic group. In the case of the aromatic group, the quantum yield decreases, but the aromatic group can be used for KrF exposure.
【００４３】[0043]
【発明の実施の形態】以下に、本発明を実施例に基づい
て説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定さ
せるものではない。なお、実施例で合成したすべての化
合物は、ＮＭＲ、ＧＣ、ＩＲを用いて確認同定を行っ
た。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described based on examples, but the present invention is not limited to these examples. All the compounds synthesized in the examples were confirmed and identified using NMR, GC, and IR.
【００４４】（実施例１）トリス（フェニルスルフォニ
ル）ヒドロキシルアミン ビスフェニルヒドロキシルアミン１０ｍｍｏｌを塩化メ
チレン１０ｍｌに溶かし０℃に冷却させた。次いで、ベ
ンゼンスルフォニルクロライド１３ｍｍｏｌを加えた。
３０分攪拌後塩化メチレン５ｍｌに溶かしたピリジン１
５ｍｍｏｌを３０分かけて滴下し、さらに３時間攪拌を
続けた。反応後、反応液に水２０ｍｌを加え塩化メチレ
ンで抽出、洗浄を行い、乾燥し溶媒留去を行ない淡黄色
の粗結晶を得た。これをエーテルー塩化メチレンで再結
晶してトリス（フェニル）ヒドロキシルアミン７．２ｍ
ｍｏｌを白色結晶として得た。Example 1 10 mmol of tris (phenylsulfonyl) hydroxylamine bisphenylhydroxylamine was dissolved in 10 ml of methylene chloride and cooled to 0 ° C. Then, 13 mmol of benzenesulfonyl chloride was added.
After stirring for 30 minutes, pyridine 1 dissolved in 5 ml of methylene chloride
5 mmol was added dropwise over 30 minutes, and stirring was further continued for 3 hours. After the reaction, 20 ml of water was added to the reaction solution, extracted with methylene chloride, washed, dried, and the solvent was distilled off to obtain light yellow crude crystals. This was recrystallized from ether-methylene chloride to give 7.2 m of tris (phenyl) hydroxylamine.
mol were obtained as white crystals.
【００４５】(実施例２)Ｎ，Ｎ−ビス（フェニルスルフ
ォニル）−Ｏ−トリフルオロメタンスルフォニルヒドロ
キシルアミン ビスフェニルヒドロキシルアミン１０ｍｍｏｌを塩化メ
チレン１０ｍｌに溶かし−１０℃に冷却させた。次いで
トリフルオロメタンスルフォン酸無水物１１ｍｍｏｌを
加えた。３０分攪拌後塩化メチレン５ｍｌに溶かしたト
リエチルアミン１１ｍｍｏｌを３０分かけて滴下し、さ
らに６時間攪拌を続けた。反応後、反応液に水５０ｍｌ
を加え塩化メチレンで抽出、洗浄を行い、乾燥し溶媒留
去を行ない淡黄色の粗結晶を得た。これをエーテルー塩
化メチレンで再結晶してＮ，Ｎ−ビス（フェニルスルフ
ォニル）−Ｏ−トリフルオロメタンスルフォニルヒドロ
キシルアミン６．８ｍｍｏｌを白色結晶として得た。Example 2 10 mmol of N, N-bis (phenylsulfonyl) -O-trifluoromethanesulfonylhydroxylamine bisphenylhydroxylamine was dissolved in 10 ml of methylene chloride and cooled to -10 ° C. Then, 11 mmol of trifluoromethanesulfonic anhydride was added. After stirring for 30 minutes, 11 mmol of triethylamine dissolved in 5 ml of methylene chloride was added dropwise over 30 minutes, and stirring was further continued for 6 hours. After the reaction, add 50 ml of water to the reaction solution.
Was added, extracted with methylene chloride, washed, dried and evaporated to obtain pale yellow crude crystals. This was recrystallized from ether-methylene chloride to obtain 6.8 mmol of N, N-bis (phenylsulfonyl) -O-trifluoromethanesulfonylhydroxylamine as white crystals.
【００４６】（実施例３）Ｎ，Ｎ−ビス（フェニルスル
フォニル）−Ｏ−カンファースルフォニルヒドロキシル
アミン ビスフェニルヒドロキシルアミン１０ｍｍｏｌを塩化メ
チレン１０ｍｌに溶かし−１０℃に冷却させた。カンフ
ァースルフォニルクロライド１２ｍｍｏｌを加えた。３
０分攪拌後塩化メチレン５ｍｌに溶かしたピリジン１１
ｍｍｏｌを３０分かけて滴下し、さらに６時間攪拌を続
けた。反応後、反応液に水５０ｍｌを加え塩化メチレン
で抽出、洗浄を行い、乾燥し溶媒留去を行ない淡黄色の
粗結晶を得た。これをエーテルー塩化メチレンで再結晶
してＮ，Ｎ−ビス（フェニルスルフォニル）−Ｏ−カン
ファースルフォニルヒドロキシルアミン６．８ｍｍｏｌ
を白色結晶として得た。Example 3 N, N-bis (phenylsulfonyl) -O-camphorsulfonylhydroxylamine 10 mmol of bisphenylhydroxylamine was dissolved in 10 ml of methylene chloride and cooled to -10 ° C. 12 mmol of camphorsulfonyl chloride were added. 3
After stirring for 0 minutes, pyridine 11 dissolved in 5 ml of methylene chloride
mmol was added dropwise over 30 minutes, and stirring was continued for another 6 hours. After the reaction, 50 ml of water was added to the reaction solution, extracted with methylene chloride, washed, dried, and the solvent was distilled off to obtain light yellow crude crystals. This was recrystallized from ether-methylene chloride to give 6.8 mmol of N, N-bis (phenylsulfonyl) -O-camphorsulfonylhydroxylamine.
Was obtained as white crystals.
【００４７】（実施例４）Ｎ−ｐ−トリルスルフォニル
オキシ−ｏ―ベンゼンジスルオンイミド Ｎ−ヒドロキシ−ｏ―ベンゼンジスルホンイミド１０ｍ
ｍｏｌを塩化メチレン１０ｍｌに溶かし−１０℃に冷却
させた。ｐ−トルエンスルフォニルクロライド１２ｍｍ
ｏｌを加えた。３０分攪拌後塩化メチレン５ｍｌに溶か
したピリジン１１ｍｍｏｌを３０分かけて滴下しさらに
６時間攪拌を続けた。反応後、反応液に水５０ｍｌを加
え塩化メチレンで抽出、洗浄を行い、乾燥し溶媒留去を
行ない淡黄色の粗結晶を得た。これをエーテルー塩化メ
チレンで再結晶してＮ−ｐ−トリルスルフォニルオキシ
−ｏ―ベンゼンジスルオンイミド８．４ｍｍｏｌを白色
結晶として得た。Example 4 Np-tolylsulfonyloxy-o-benzenedisulfonimide N-hydroxy-o-benzenedisulfonimide 10 m
mol was dissolved in 10 ml of methylene chloride and cooled to -10 ° C. p-Toluenesulfonyl chloride 12mm
ol. After stirring for 30 minutes, 11 mmol of pyridine dissolved in 5 ml of methylene chloride was added dropwise over 30 minutes, and stirring was further continued for 6 hours. After the reaction, 50 ml of water was added to the reaction solution, extracted with methylene chloride, washed, dried, and the solvent was distilled off to obtain light yellow crude crystals. This was recrystallized from ether-methylene chloride to obtain 8.4 mmol of Np-tolylsulfonyloxy-o-benzenedisulfonimide as white crystals.
【００４８】(実施例５)Ｎ，Ｎ−ビス（トリフルオロメ
タンスルフォニル）−Ｏ−トリフルオロメタンスルフォ
ニルヒドロキシルアミン ビスフ（トリフルオロメタンスルフォニル）ヒドロキシ
ルアミン１０ｍｍｏｌを塩化メチレン１０ｍｌに溶かし
−１０℃に冷却させた。次いでトリフルオロメタンスル
フォン酸無水物１１ｍｍｏｌを加えた。３０分攪拌後塩
化メチレン５ｍｌに溶かした炭酸水素ナトリウム５０ｍ
ｍｏｌを加え６時間攪拌を続けた。反応後、反応液に水
５０ｍｌを加え塩化メチレンで抽出、洗浄を行い、乾燥
し溶媒留去を行ない淡黄色の粗結晶を得た。これをエー
テルー塩化メチレンで再結晶してＮ，Ｎ−ビス（トリフ
ルオロメタンスルフォニル）−Ｏ−トリフルオロメタン
スルフォニルヒドロキシルアミン５．６ｍｍｏｌを白色
結晶として得た。Example 5 N, N-bis (trifluoromethanesulfonyl) -O-trifluoromethanesulfonylhydroxylamine 10 mmol of bis (trifluoromethanesulfonyl) hydroxylamine was dissolved in 10 ml of methylene chloride and cooled to -10.degree. Then, 11 mmol of trifluoromethanesulfonic anhydride was added. After stirring for 30 minutes, 50 m of sodium hydrogen carbonate dissolved in 5 ml of methylene chloride
mol was added and stirring was continued for 6 hours. After the reaction, 50 ml of water was added to the reaction solution, extracted with methylene chloride, washed, dried, and the solvent was distilled off to obtain light yellow crude crystals. This was recrystallized from ether-methylene chloride to obtain 5.6 mmol of N, N-bis (trifluoromethanesulfonyl) -O-trifluoromethanesulfonylhydroxylamine as white crystals.
【００４９】(実施例６)Ｎ，Ｎ−ビス（カンファースル
フォニル）−Ｏ−トリフルオロメタンスルフォニルヒド
ロキシルアミン ビス（カンファースルフォニル）ヒドロキシルアミン１
０ｍｍｏｌを塩化メチレン１０ｍｌに溶かし−１０℃に
冷却させた。次いでトリフルオロメタンスルフォン酸無
水物１１ｍｍｏｌを加えた。３０分攪拌後塩化メチレン
５ｍｌに溶かした炭酸水素ナトリウム５０ｍｍｏｌを加
え６時間攪拌を続けた。反応後、反応液に水５０ｍｌを
加え塩化メチレンで抽出、洗浄を行い、乾燥し溶媒留去
を行ない淡黄色の粗結晶を得た。これをエーテルー塩化
メチレンで再結晶してＮ，Ｎ−ビス（トリフルオロメタ
ンスルフォニル）−Ｏ−カンファースルフォニルヒドロ
キシルアミン８．１ｍｍｏｌを白色結晶として得た。Example 6 N, N-bis (camphorsulfonyl) -O-trifluoromethanesulfonylhydroxylamine bis (camphorsulfonyl) hydroxylamine 1
0 mmol was dissolved in 10 ml of methylene chloride and cooled to -10 ° C. Then, 11 mmol of trifluoromethanesulfonic anhydride was added. After stirring for 30 minutes, 50 mmol of sodium hydrogen carbonate dissolved in 5 ml of methylene chloride was added, and stirring was continued for 6 hours. After the reaction, 50 ml of water was added to the reaction solution, extracted with methylene chloride, washed, dried, and the solvent was distilled off to obtain light yellow crude crystals. This was recrystallized from ether-methylene chloride to obtain 8.1 mmol of N, N-bis (trifluoromethanesulfonyl) -O-camphorsulfonylhydroxylamine as white crystals.
【００５０】（応用例１）トリス（ベンゼンスルフォニ
ル）ヒドロキシルアミン２５ｍｇ、ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ
ブトキシスチレンーｐ−ヒドロキシスチレン５ｇを、乳
酸エチル３０ｇに溶解し、０．２μｍのフィルターでろ
過した後シリコンウエハーで回転塗布し９０℃で６０秒
ソフトベークし、膜厚０．７５μｍのレジスト膜を用い
て２４８ｎｍ光で露光を行い、１００℃でポストベーク
を行った。その後アルカリ現像液（２．３８％ＴＭＡ
Ｈ）で６０秒現像してその溶解速度を測定し、その結果
を図１に示した。(Application Example 1) 25 mg of tris (benzenesulfonyl) hydroxylamine, poly (p-tert)
5 g of butoxystyrene-p-hydroxystyrene is dissolved in 30 g of ethyl lactate, filtered through a 0.2 μm filter, spin-coated on a silicon wafer, and soft-baked at 90 ° C. for 60 seconds to form a resist film having a thickness of 0.75 μm. Exposure was performed using 248 nm light, and post-baking was performed at 100 ° C. Thereafter, an alkaline developer (2.38% TMA)
H) for 60 seconds and the dissolution rate was measured. The results are shown in FIG.
【００５１】(応用例２)ビス（ベンゼンスルフォニル）
―Ｏ−トリフロロメタンスルフォニルヒドロキシルアミ
ン２５ｍｇ、ポリ（メチルメタクリレートーｔｅｒブチ
ルメタクリレートーメタクリル酸）５ｇを、ＰＥＧＭＥ
Ａ４０ｇに溶解し、０．２μｍのフィルターでろ過した
後シリコンウエハーで回転塗布し１００℃で６０秒ソフ
トベークし、膜厚０．５０μｍのレジスト膜を用いてＡ
ｒＦレーザーで露光を行い、１２０℃で９０秒ポストベ
ークを行った。その後、アルカリ現像液（２．３８％Ｔ
ＭＡＨ）で６０秒現像してその溶解速度を測定し、その
結果を図２に示した。(Application Example 2) Bis (benzenesulfonyl)
-O-trifluoromethanesulfonylhydroxylamine 25 mg and poly (methyl methacrylate-terbutyl methacrylate-methacrylic acid) 5 g were added to PEGME
A was dissolved in 40 g, filtered through a 0.2 μm filter, spin-coated on a silicon wafer, soft-baked at 100 ° C. for 60 seconds, and dried using a 0.50 μm-thick resist film.
Exposure was performed with an rF laser, and post-baking was performed at 120 ° C. for 90 seconds. Then, an alkaline developer (2.38% T
MAH) for 60 seconds and the dissolution rate was measured. The results are shown in FIG.
【００５２】(応用例３)ビス（メタンスルフォニル）―
Ｏ−トリフロロメタンスルフォニルヒドロキシルアミン
２５ｍｇ、ポリ（イソボニルメタクリレートーｔｅｒブ
チルメタクリレートーメタクリル酸）５ｇを、ＰＥＧＭ
ＥＡ5０ｇに溶解し、０．２μｍのフィルターでろ過し
た後シリコンウエハーで回転塗布し１００℃で６０秒ソ
フトベークし、膜厚０．３５μｍのレジスト膜を用いて
Ｆ2レーザーで露光を行い、１２０℃で９０秒ポストベ
ークを行った。その後、アルカリ現像液（２．３８％Ｔ
ＭＡＨ）で６０秒現像してその溶解速度を測定し、その
結果を図３に示した。(Application Example 3) Bis (methanesulfonyl)-
25 mg of O-trifluoromethanesulfonylhydroxylamine and 5 g of poly (isobonyl methacrylate-terbutyl methacrylate-methacrylic acid) were added to PEGM.
Was dissolved in EA50g, was spin-coated with a silicon wafer was filtered through a 0.2μm filter and 60 seconds soft baked at 100 ° C., subjected to exposure with F 2 laser with a resist film having a thickness of 0.35 .mu.m, 120 ° C. For 90 seconds. Then, an alkaline developer (2.38% T
MAH) for 60 seconds and the dissolution rate was measured. The results are shown in FIG.
【００５３】[0053]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光により発生する酸の拡散性、揮発性が小さく、露光
後の加熱に対してパターン形状が安定した優れた化学増
幅型レジストとして有用な感光性樹脂組成物を提供する
ことができる。As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a photosensitive resin composition having a low diffusibility and volatility of an acid generated by exposure and having a stable pattern shape with respect to heating after exposure and useful as an excellent chemically amplified resist.
【図１】応用例１の現像時の溶解速度を示すグラフであ
る。FIG. 1 is a graph showing a dissolution rate at the time of development of Application Example 1.
【図２】応用例２の現像時の溶解速度を示すグラフであ
る。FIG. 2 is a graph showing a dissolution rate at the time of development of Application Example 2.
【図３】応用例３の現像時の溶解速度を示すグラフであ
る。FIG. 3 is a graph showing a dissolution rate during development of Application Example 3;
Claims (6)
発生剤。 【化１】 ここで、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ同一でも異なってもよい
アリール基、アルキル基、シクロアルキル基、パーフル
オロアルキル基を表し又は両者でアリール基、アルキル
基、シクロアルキル基、パーフルオロアルキル基を表
し、Ａアリール基、アルキル基、シクロアルキル基、パ
ーフルオロアルキル基を表す。1. A photoacid generator having the following structure: Embedded image Here, R 1 and R 2 each represent an aryl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, or a perfluoroalkyl group which may be the same or different, or both represent an aryl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and a perfluoroalkyl group. A represents an aryl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, or a perfluoroalkyl group.
物のポリマー重合時の光酸開始剤、ラジカル光開始剤、
又は有機化合物の保護基を脱離させる光酸発生剤である
ことを特徴とする光酸発生剤。2. The method according to claim 1, wherein a photo acid initiator, a radical photo initiator, and
Alternatively, the photoacid generator is a photoacid generator that removes a protective group of an organic compound.
も一種を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。3. A photosensitive resin composition comprising at least one of the photoacid generators according to claim 1.
なくとも１種と、酸分解性基を有することによりアルカ
リ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作
用により酸分解性基が分解したときにアルカリ可溶性と
なる樹脂とを含有するポジ型感光性樹脂組成物であるこ
とを特徴とする感光性樹脂組成物。4. The resin according to claim 3, wherein at least one of the photoacid generators is an alkali-insoluble or alkali-insoluble resin having an acid-decomposable group, and the acid-decomposable group is acted upon by an acid. A photosensitive resin composition comprising a resin which becomes alkali-soluble when decomposed.
なくとも１種と、アルカリ可溶性樹脂と、このアルカリ
可溶性樹脂のアルカリ溶解性を阻止する作用を有し、且
つ酸の作用により該アルカリ溶解性阻止能を低下もしく
は消失するか又は上記アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶
解性を促進させる作用を有する化合物とを含有するポジ
型感光性樹脂組成物であることを特徴とする感光性樹脂
組成物。5. The alkali-soluble resin according to claim 4, which has an action of inhibiting at least one kind of the photoacid generator, an alkali-soluble resin, and alkali solubility of the alkali-soluble resin, and the action of an acid. A positive-type photosensitive resin composition comprising a compound having an action of reducing or eliminating the ability to inhibit the ability or promoting the alkali solubility of the alkali-soluble resin.
なくとも１種と、アルカリ可溶性樹脂と、酸の作用で上
記アルカリ可溶性樹脂を架橋し得る化合物とを含有する
ネガ型感光性樹脂組成物であることを特徴とする感光性
樹脂組成物。6. The negative photosensitive resin composition according to claim 3, comprising at least one of the photoacid generators, an alkali-soluble resin, and a compound capable of crosslinking the alkali-soluble resin by the action of an acid. A photosensitive resin composition, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000258047A JP2002072459A (en) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | Photo-acid generating agent and photosensitive resin composition containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000258047A JP2002072459A (en) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | Photo-acid generating agent and photosensitive resin composition containing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002072459A true JP2002072459A (en) | 2002-03-12 |
Family
ID=18746409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000258047A Pending JP2002072459A (en) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | Photo-acid generating agent and photosensitive resin composition containing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002072459A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009042970A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Johns Hopkins University | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| USRE45314E1 (en) | 2006-03-17 | 2014-12-30 | The Johns Hopkins University | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US8987326B2 (en) | 2013-01-18 | 2015-03-24 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US9932303B2 (en) | 2014-01-17 | 2018-04-03 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | N-hydroxymethanesulfonamide nitroxyl donors |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000258047A patent/JP2002072459A/en active Pending
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10487049B2 (en) | 2006-03-17 | 2019-11-26 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US9487498B2 (en) | 2006-03-17 | 2016-11-08 | The Johns Hopkins University | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US9969684B2 (en) | 2006-03-17 | 2018-05-15 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US11306056B2 (en) | 2006-03-17 | 2022-04-19 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US10829445B2 (en) | 2006-03-17 | 2020-11-10 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US9221780B2 (en) | 2006-03-17 | 2015-12-29 | The Johns Hopkins University | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| USRE45314E1 (en) | 2006-03-17 | 2014-12-30 | The Johns Hopkins University | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US10179765B2 (en) | 2006-03-17 | 2019-01-15 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US9725410B2 (en) | 2006-03-17 | 2017-08-08 | The Johns Hopkins University | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| US9617208B2 (en) | 2007-09-26 | 2017-04-11 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| KR101905004B1 (en) | 2007-09-26 | 2018-10-08 | 존스 홉킨스 유니버시티 | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| WO2009042970A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Johns Hopkins University | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| JP2016138101A (en) * | 2007-09-26 | 2016-08-04 | ザ ジョンズ ホプキンス ユニバーシティ | N-hydroxylsulfonamide derivatives as new physiologically useful nitroxyl donors |
| RU2485097C2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-06-20 | Джонс Хопкинс Юниверсити | N-hydroxylsulphonamide derivatives as novel physiologically useful nitroxyl donors |
| US11786501B2 (en) | 2013-01-18 | 2023-10-17 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US10792273B2 (en) | 2013-01-18 | 2020-10-06 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US10213408B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-02-26 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US10245249B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-04-02 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Pharmaceutical compositions comprising nitroxyl donors |
| US10517847B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-12-31 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US10548872B2 (en) | 2013-01-18 | 2020-02-04 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Pharmaceutical compositions comprising nitroxyl donors |
| US9586896B2 (en) | 2013-01-18 | 2017-03-07 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US9156804B2 (en) | 2013-01-18 | 2015-10-13 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US11273143B2 (en) | 2013-01-18 | 2022-03-15 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US8987326B2 (en) | 2013-01-18 | 2015-03-24 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US11304924B2 (en) | 2013-01-18 | 2022-04-19 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Pharmaceutical compositions comprising nitroxyl donors |
| US9968584B2 (en) | 2013-01-18 | 2018-05-15 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | Nitroxyl donors with improved therapeutic index |
| US9932303B2 (en) | 2014-01-17 | 2018-04-03 | Cardioxyl Pharmaceuticals, Inc. | N-hydroxymethanesulfonamide nitroxyl donors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3875474B2 (en) | Photoresist composition, method for forming photoresist pattern, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3854689B2 (en) | Novel photoacid generator | |
| JP3955384B2 (en) | Chemically amplified resist composition | |
| JP3980124B2 (en) | New bissulfonyldiazomethane | |
| JP4854023B2 (en) | Photosensitive composition | |
| JP2001019799A (en) | Thermally crosslinking photic acid-generating agent and photoresist using the same | |
| JP4516425B2 (en) | Radiosensitive composition | |
| JP3290234B2 (en) | Positive photosensitive composition | |
| KR20090009655A (en) | Acid-amplifier having acetal group and photoresist composition including the same | |
| JP3001711B2 (en) | Radiation-sensitive mixture containing acid labile group and method for producing relief pattern and relief image | |
| JP4921160B2 (en) | Photosensitive resin and photosensitive composition | |
| JP2008189601A (en) | Sulfonium salt | |
| US4622283A (en) | Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using | |
| JPH07128859A (en) | Resist composition | |
| JPH05181281A (en) | Photoresist composition and etching method | |
| US20030198889A1 (en) | Photoacid generators, photoresist compositions containing the same and pattering method with the use of the compositions | |
| JP2003508596A (en) | Polymer for chemically amplified resist and resist composition using the same | |
| JP2002072459A (en) | Photo-acid generating agent and photosensitive resin composition containing the same | |
| JPH06340802A (en) | Photosensitive composition and method for pattern formation | |
| WO2011089033A1 (en) | Fluorine-free fused ring heteroaromatic photoacid generators and resist compositions containing the same | |
| JP4168191B2 (en) | Sulphonium salt compound and photosensitive resin composition containing the same | |
| JP2004170806A (en) | Method for manufacturing photosensitive composition | |
| US4959293A (en) | Deep UV photoresist with alkyl 2-diazo-1-ones as solubility modification agents | |
| JP2003267949A (en) | Pyrenesulfonic acid onium salt compound, method for producing the same compound, photosensitive resin composition using the same compound and photosensitive material using the same | |
| JP2975315B2 (en) | Three-component chemically amplified photoresist composition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070406 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091021 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100303 |