JP2002069624A - Sputtering target - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光ディスク
の構成層としてのＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層な
どを形成する際に用いられるスパッタリングターゲット
に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a sputtering target used for forming a Ge layer, a Ge compound layer, a Ge alloy layer, and the like as constituent layers of an optical disc, for example.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報記録の分野では情報量の増大
に伴って、大量のデータを高速にかつ高密度に記録・再
生することが可能な記録装置や記録媒体が求められてい
る。光ディスクは、このような用途に適した記録媒体と
いうことができる。代表的な光ディスクとしては、光磁
気効果を利用した光磁気記録媒体や、記録層を結晶質状
態と非晶質状態との間で可逆的に相変化させ、この相変
化に伴う反射率の違いを利用した相変化型光記録媒体が
挙げられる。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of information recording, a recording apparatus and a recording medium capable of recording / reproducing a large amount of data at a high speed and a high density have been demanded with an increase in the amount of information. An optical disk can be called a recording medium suitable for such uses. Typical optical disks include a magneto-optical recording medium utilizing the magneto-optical effect and a recording layer in which a recording layer is reversibly changed in phase between a crystalline state and an amorphous state, and a difference in reflectance accompanying the phase change is caused. And a phase change type optical recording medium utilizing the same.
【０００３】相変化型光記録媒体は、レーザー光を照射
することで記録層を相変化させ、これにより情報の記録
・消去を行うものであり、光学系の構造が簡単であると
いうような特徴を有している。さらに、光磁気記録のよ
うに磁界を必要とせず、光の強度変調による重ね書き
（オーバーライト）が容易で、またさらにデータ転送速
度が速いというような特徴を有している。加えて、ＣＤ
−ＲＯＭなどの再生専用ディスクとの互換性にも優れて
おり、ＤＶＤ−ＲＡＭなどをはじめとする大容量タイプ
の書換え可能型記録媒体に適用されている。A phase-change optical recording medium changes the phase of a recording layer by irradiating a laser beam, thereby recording and erasing information, and is characterized by a simple optical system structure. have. Furthermore, unlike a magneto-optical recording, it does not require a magnetic field, is easy to overwrite (overwrite) by light intensity modulation, and has a feature that the data transfer speed is further increased. In addition, CD
-It has excellent compatibility with read-only disks such as ROM, and is applied to large-capacity rewritable recording media such as DVD-RAM.
【０００４】相変化型光ディスクの構造としては、例え
ばポリカーボネート基板上などに反射層／保護層／中間
層／記録層／中間層／保護層の6層を形成した構造が挙
げられる。記録層にはＧｅＳｂＴｅ系合金やＩｎＳｂＴ
ｅ系合金などのカルコゲン系合金薄膜が適用されてい
る。また、保護層にはＺｎＳ−ＳｉＯ2が、反射層には
Ａｌ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｇなどの材料が使用されて
いる。中間層は、記録性の向上のために設けられるよう
になったものであり、Ｇｅ単体、ＧｅＮのようなＧｅ化
合物、Ｇｅ−ＣｒやＧｅ−ＳｉなどのＧｅ合金などで構
成されている。As a structure of a phase change type optical disk, for example, there is a structure in which six layers of a reflective layer / protective layer / intermediate layer / recording layer / intermediate layer / protective layer are formed on a polycarbonate substrate or the like. GeSbTe alloy or InSbT is used for the recording layer.
A chalcogen-based alloy thin film such as an e-based alloy is applied. The protective layer is made of ZnS-SiO2, and the reflective layer is made of a material such as Al-Mo, Al-Ti, or Ag. The intermediate layer is provided for improving the recording properties, and is composed of Ge alone, a Ge compound such as GeN, a Ge alloy such as Ge-Cr or Ge-Si, or the like.
【０００５】上記したような層構造を有する相変化型光
ディスクは、スパッタ法で各構成層を形成して作製する
ことが一般的である。具体的には、カセット式回転タイ
プのスパッタリング装置を用い、あるタクトタイムを維
持しながら各構成層を連続して形成することによって、
光ディスクを作製している。光ディスクの生産量は膨大
であり、また製造コストの低減が求められていることか
ら、各構成層を形成する際のスパッタリングに要するタ
クトタイムは短縮する方向に進んでいる。[0005] A phase change type optical disk having the above-mentioned layer structure is generally manufactured by forming each constituent layer by a sputtering method. Specifically, by using a cassette-type rotary type sputtering device, by forming each component layer continuously while maintaining a certain tact time,
We are making optical discs. Since the production volume of optical discs is enormous, and there is a demand for a reduction in manufacturing cost, the tact time required for sputtering when forming each constituent layer is being reduced.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、相変
化型などの光ディスクを製造するにあたっては、各構成
層を形成する際のスパッタリングに要するタクトタイム
を短縮し、これにより光ディスクの製造工数ならびに製
造コストを低減することが進められている。このような
状況下で、特に中間層を構成するＧｅやＧｅ合金は、他
の構成層の材料に比べてスパッタレートが低いことか
ら、タクトタイムの短縮を図ることが求められている。As described above, in manufacturing an optical disk of a phase change type or the like, the tact time required for sputtering when forming each constituent layer is shortened, whereby the number of man-hours for manufacturing the optical disk and Reduction of manufacturing costs is being pursued. Under these circumstances, it is required to reduce the tact time, especially since Ge and Ge alloys constituting the intermediate layer have a lower sputter rate than the materials of the other constituent layers.
【０００７】スパッタ法による成膜のタクトタイムを短
縮する有効な手段としては、ターゲットに印加する電力
を増大させ、パワー密度を高める手法が挙げられる。し
かしながら、従来のＧｅの単体ターゲットやＧｅ合金か
らなるターゲットを用いてスパッタリングを行った場
合、ターゲットに印加されるパワー密度が大きくなる
と、微小異常放電（マイクロアーク）の発生数が増加
し、得られる膜中に多量のダストが含まれるという問題
が生じる。As an effective means for reducing the tact time of the film formation by the sputtering method, there is a method of increasing the power applied to the target to increase the power density. However, when sputtering is performed using a conventional Ge single target or a target made of a Ge alloy, if the power density applied to the target increases, the number of occurrences of micro abnormal discharge (micro arc) increases, which is obtained. There is a problem that a large amount of dust is contained in the film.
【０００８】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、Ｇｅの単体膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合
金膜などをスパッタ法により成膜する際に、スパッタリ
ングに要するタクトタイムを短縮するために、ターゲッ
トへの投入電力を増大させた場合においても、マイクロ
アークの発生を有効に抑制することを可能にしたスパッ
タリングターゲットを提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to address such a problem, and when forming a Ge single film, a Ge compound film, a Ge alloy film, or the like by sputtering, the tact time required for sputtering is reduced. Therefore, an object of the present invention is to provide a sputtering target capable of effectively suppressing the occurrence of a micro arc even when the power supplied to the target is increased.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記した
Ｇｅ単体ターゲットやＧｅ合金ターゲットを用いた際の
マイクロアークの発生について、種々の検討ならびに実
験を繰り返した結果、ターゲット中に不純物として含ま
れるＡｇ量およびＡｕ量とマイクロアークの発生数との
間に相関性があることを見出した。Means for Solving the Problems The present inventors have repeated various studies and experiments on the occurrence of microarcs when the above-described Ge simple target or Ge alloy target was used, and as a result, as impurities in the target. It has been found that there is a correlation between the contained Ag amount and Au amount and the number of generated microarcs.
【００１０】すなわち、ＡｇやＡｕはスパッタリング率
が高く、またスパッタリングターゲットを構成するＧｅ
や合金元素よりもイオン化効率が高いことから、出力を
上げてスパッタリングを実施した際に、ＡｇやＡｕが優
先的に放電を引き起こすことになる。これらイオン化効
率が高いＡｇおよびＡｕに基づく放電がマイクロアーク
の発生原因となっている。従って、Ｇｅ単体ターゲット
やＧｅ合金ターゲット中のＡｇおよびＡｕの含有量を低
減することによって、マイクロアークの発生回数を大幅
に低減することが可能となる。That is, Ag and Au have a high sputtering rate, and Ge and
Since the ionization efficiency is higher than that of alloys and alloy elements, Ag and Au preferentially cause discharge when sputtering is performed with an increased output. These discharges based on Ag and Au having high ionization efficiency are the causes of the micro arc. Therefore, by reducing the content of Ag and Au in the Ge simple substance target and the Ge alloy target, it is possible to greatly reduce the number of occurrences of the micro arc.
【００１１】本発明は上述したような知見に基づくもの
であり、本発明のスパッタリングターゲットは、請求項
１に記載したように、高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓ
ｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｂ
およびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原
子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングター
ゲットであって、前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金はＡｇ
含有量およびＡｕ含有量がそれぞれ5ppm以下とされてい
ることを特徴としている。[0011] The present invention is based on the above-mentioned findings, and the sputtering target of the present invention provides high-purity Ge, Al or S
i, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W,
Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B
And a sputtering target comprising a Ge alloy containing at least one element selected from C and C in a range of 0.1 to 50 atomic%, wherein the high-purity Ge or the Ge alloy is Ag.
It is characterized in that the content and the Au content are each 5 ppm or less.
【００１２】さらに、本発明のスパッタリングターゲッ
トは、請求項２に記載したように、前記ターゲット全体
の前記Ａｇ含有量およびＡｕ含有量のバラツキがそれぞ
れ30％以内であることを特徴としている。Further, the sputtering target of the present invention is characterized in that, as described in claim 2, variations in the Ag content and the Au content of the entire target are each within 30%.
【００１３】本発明のスパッタリングターゲットを構成
する高純度Ｇｅまたは高純度Ｇｅ合金は、請求項３に記
載したように、ＡｇおよびＡｕの合計含有量が8ppm以下
であることがさらに好ましい。また、請求項４に記載し
たように、ＡｇおよびＡｕの合計含有量のバラツキにつ
いても、ターゲット全体として30％以内とすることが好
ましい。The high-purity Ge or high-purity Ge alloy constituting the sputtering target of the present invention, as described in claim 3, more preferably has a total content of Ag and Au of 8 ppm or less. Further, as described in claim 4, the variation in the total content of Ag and Au is preferably within 30% for the entire target.
【００１４】本発明のスパッタリングターゲットは、例
えば請求項６に記載したように、光ディスクの構成層を
形成する際に用いられるものである。特に、請求項７に
記載したように、光ディスクの中間層を構成するＧｅ
層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層の形成用として好適
である。[0014] The sputtering target of the present invention is used, for example, when forming a constituent layer of an optical disk. In particular, as described in claim 7, Ge constituting the intermediate layer of the optical disc is
It is suitable for forming a layer, a Ge compound layer or a Ge alloy layer.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１６】本発明のスパッタリングターゲットは、Ａ
ｇ含有量およびＡｕ含有量をそれぞれ5ppm以下とした高
純度ＧｅまたはＧｅ合金からなるものである。ターゲッ
トの構成材料としてのＧｅ合金は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、
Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣ
から選ばれる少なくとも1種の元素（Ｍ元素）を0.1〜50
原子％の範囲で含むものである。[0016] The sputtering target of the present invention comprises A
It is made of high-purity Ge or a Ge alloy whose g content and Au content are each 5 ppm or less. Ge alloy as a constituent material of the target includes Al, Si, Fe,
Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, T
i, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C
At least one element (M element) selected from
It is included in the range of atomic%.
【００１７】ここで、スパッタリングターゲットをＧｅ
合金で構成する場合、合金元素としてのＭ元素は膜の使
用目的に応じて適宜に選択される。例えば、スパッタ膜
を光ディスクの中間層として使用する場合には、Ｍ元素
としてＳｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｂなどを適用することが
好ましい。このような場合のＭ元素の含有量は、記録層
と保護層の密着力を良好にする上で、0.1〜50原子％の
範囲とすることが好ましい。また、スパッタ膜をバリア
メタルとして使用する場合には、Ｍ元素としてＴｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｎｂなどを適用することが好ましい。このよ
うな場合のＭ元素の含有量は、抵抗率を向上させないと
の理由から上記した範囲とすることが好ましい。Here, the sputtering target is Ge
When composed of an alloy, the M element as an alloy element is appropriately selected according to the intended use of the film. For example, when a sputtered film is used as an intermediate layer of an optical disc, it is preferable to apply Si, Cr, W, Ta, B, or the like as the M element. In such a case, the content of the M element is preferably in the range of 0.1 to 50 atomic% in order to improve the adhesion between the recording layer and the protective layer. When a sputtered film is used as a barrier metal, Ti, Z
It is preferable to apply r, Hf, Nb, or the like. In such a case, the content of the M element is preferably in the above-described range for the reason that the resistivity is not improved.
【００１８】上述したようなＡｇ含有量およびＡｕ含有
量をそれぞれ低減した高純度ＧｅもしくはＧｅ合金から
なるターゲットによれば、大きな電力を投入してスパッ
タリングを実施した場合においても、ダストの発生原因
となるマイクロアークの発生を有効に抑制することが可
能となる。According to the target made of high-purity Ge or Ge alloy in which the Ag content and the Au content are respectively reduced as described above, even when sputtering is performed by applying a large electric power, the generation of dust is a cause. It is possible to effectively suppress the occurrence of a micro arc.
【００１９】すなわち、Ｇｅ単体ターゲットもしくはＧ
ｅ合金ターゲットを用いたスパッタ成膜において、ター
ゲット組成の膜を形成する際にはＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ
ｅなどの希ガスがスパッタガスとして用いられる。ま
た、ＧｅＮやＧｅＯなどのＧｅ化合物膜、さらにはＧｅ
合金窒化膜やＧｅ合金酸化膜などを形成する場合には、
リアクティブスパッタ法が適用され、希ガスと窒素もし
くは酸素ガスとの混合ガスがスパッタガスとして使用さ
れる。That is, a Ge single target or G
When forming a film having a target composition in sputtering film formation using an e-alloy target, Ar, Kr, Xe, N
A rare gas such as e is used as a sputtering gas. In addition, Ge compound films such as GeN and GeO, and further Ge
When forming an alloy nitride film or a Ge alloy oxide film,
Reactive sputtering is applied, and a mixed gas of a rare gas and nitrogen or oxygen gas is used as a sputtering gas.
【００２０】Ｇｅ膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜などの
Ｇｅ系薄膜は、上述したようなスパッタ方式を採用した
ＤＣもしくはＲＦスパッタにより成膜される。このよう
なＧｅ系薄膜のスパッタ成膜において、ＧｅやＧｅ合金
はスパッタレートが低いことから、通常のスパッタ条件
では成膜時間（タクトタイム）が長くなるという欠点が
ある。そこで、タクトタイムを短縮するために、ターゲ
ットに大きな電力を印加することが行われており、これ
によりスパッタレートを高めて成膜を実施している。Ｇ
ｅやＧｅ合金のスパッタレートの向上には、例えばＤＣ
スパッタでは100W以上の電力を使用することが有効とな
る。Ge-based thin films such as a Ge film, a Ge compound film, and a Ge alloy film are formed by DC or RF sputtering employing the above-described sputtering method. In sputter deposition of such a Ge-based thin film, Ge or a Ge alloy has a disadvantage that the deposition time (tact time) is long under normal sputtering conditions because the sputtering rate is low. Therefore, in order to shorten the tact time, a large electric power is applied to the target, whereby the sputtering rate is increased to form a film. G
In order to improve the sputtering rate of e or Ge alloy, for example, DC
It is effective to use power of 100 W or more in sputtering.
【００２１】このように、Ｇｅ単体ターゲットやＧｅ合
金ターゲットに大きな電力を投入すると、ターゲットに
印加されるパワー密度は非常に大きくなる。ＧｅやＧｅ
合金のような半導体材料では、パワー密度が大きくなる
とマイクロアーク（微小異常放電）が頻繁に発生する。
マイクロアークはダスト数の増加原因となる。As described above, when a large electric power is applied to a Ge simple substance target or a Ge alloy target, the power density applied to the target becomes very large. Ge and Ge
In a semiconductor material such as an alloy, a micro arc (small abnormal discharge) frequently occurs as the power density increases.
The micro arc causes an increase in the number of dust.
【００２２】そこで、Ｇｅ単体ターゲットやＧｅ合金タ
ーゲットにおけるマイクロアークの発生原因について調
査ならびに検討した結果、ターゲット中に含まれる不純
物のうち、特にＡｇおよびＡｕがマイクロアークの発生
に影響していることを見出した。すなわち、ターゲット
中に不純物として含まれるＡｇ量およびＡｕ量とマイク
ロアークの発生数との間に相関性があることを見出し
た。Then, as a result of investigating and examining the cause of the micro arc generation in the Ge single target and the Ge alloy target, it was found that among the impurities contained in the target, particularly Ag and Au influence the micro arc generation. I found it. That is, it has been found that there is a correlation between the amounts of Ag and Au contained as impurities in the target and the number of generated microarcs.
【００２３】ＡｇおよびＡｕはスパッタリング率が非常
に大きく、かつターゲットを構成するＧｅやＧｅ以外の
合金元素（Ｍ元素）よりもイオン化効率が高いことか
ら、パワー密度を大きくした際に、ＡｇやＡｕが優先的
に放電を引き起こすことになる。このＡｇやＡｕの優先
的な放電がマイクロアークの発生原因となっている。他
の不純物元素については優先的な放電を引き起こすこと
がないため、マイクロアークに対してはほとんど影響を
及ぼしていない。Since Ag and Au have a very high sputtering rate and a higher ionization efficiency than Ge or an alloying element (M element) other than Ge which constitutes the target, Ag and Au are increased when the power density is increased. Will preferentially cause discharge. This preferential discharge of Ag or Au is a cause of the micro arc. Since the other impurity elements do not cause preferential discharge, they hardly affect the micro arc.
【００２４】このようなことから、本発明のスパッタリ
ングターゲットにおいては、ターゲットの構成材料であ
る高純度Ｇｅまたは高純度Ｇｅ合金に含まれるＡｇ量お
よびＡｕ量をそれぞれ質量比で5ppm以下としている。す
なわち、スパッタリングターゲットのＡｇ含有量および
Ａｕ含有量のいずれか一方でも5ppmを超えると、Ａｇや
Ａｕが優先的にターゲット表面に拡散してきて、突発的
にマイクロアーク（微小異常放電）を引き起こすことに
なる。For these reasons, in the sputtering target of the present invention, the amounts of Ag and Au contained in high-purity Ge or high-purity Ge alloy, which are constituent materials of the target, are each set to 5 ppm or less by mass ratio. That is, if any one of the Ag content and the Au content of the sputtering target exceeds 5 ppm, Ag or Au diffuses preferentially to the target surface, and suddenly causes a micro arc (micro abnormal discharge). Become.
【００２５】Ａｇ含有量およびＡｕ含有量をそれぞれ5p
pm以下としたスパッタリングターゲットによれば、上述
したようなＡｇやＡｕに起因するマイクロアーク（微小
異常放電）を有効に抑制することができる。このよう
に、スパッタリング時におけるマイクロアークの発生を
抑制することによって、ダスト量の少ない健全な膜、例
えばＧｅ膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜などを再現性よ
く形成することが可能となる。Each of the Ag content and the Au content was 5 p
According to the sputtering target of pm or less, the micro arc (small abnormal discharge) caused by Ag or Au as described above can be effectively suppressed. As described above, by suppressing the generation of the micro arc during sputtering, a sound film with a small amount of dust, for example, a Ge film, a Ge compound film, a Ge alloy film, or the like can be formed with good reproducibility.
【００２６】本発明のスパッタリングターゲットにおい
て、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量はそれぞれ3ppm以下と
することがさらに好ましく、望ましくは1ppm以下であ
る。また、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量は、これらの合
計量として8ppm以下とすることが好ましい。このような
スパッタリングターゲットによれば、マイクロアークの
発生をより有効に抑制することができる。ＡｇおよびＡ
ｕの合計含有量は5ppm以下とすることがより好ましく、
さらに望ましくは3ppm以下である。In the sputtering target of the present invention, the Ag content and the Au content are each more preferably 3 ppm or less, and more preferably 1 ppm or less. Further, it is preferable that the Ag content and the Au content be 8 ppm or less as the total of these. According to such a sputtering target, generation of a micro arc can be suppressed more effectively. Ag and A
The total content of u is more preferably 5 ppm or less,
More preferably, it is 3 ppm or less.
【００２７】本発明のスパッタリングターゲットにおい
て、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量のバラツキは、それぞ
れターゲット全体に対して30％以内とすることが好まし
い。このように、ターゲット全体に対するＡｇおよびＡ
ｕの含有量のバラツキをそれぞれ低く抑えることによっ
て、ターゲット全体としてマイクロアークの発生を有効
に抑制することができる。ＡｇおよびＡｕの含有量のバ
ラツキが大きいと、ターゲット全体としての含有量は低
くても、局所的にＡｇもしくはＡｕの含有量の高い領域
に基づいて、マイクロアークが発生するおそれがある。In the sputtering target of the present invention, it is preferable that variations in the Ag content and the Au content are each within 30% of the entire target. Thus, Ag and A for the entire target
By minimizing the variation in the u content, it is possible to effectively suppress the occurrence of microarcs in the entire target. If the variation in the content of Ag and Au is large, there is a possibility that a micro-arc may be generated locally based on the region where the content of Ag or Au is high even if the content of the target as a whole is low.
【００２８】Ａｇ含有量およびＡｕ含有量のバラツキ
は、それぞれターゲット全体として15％以内とすること
がさらに好ましい。また、ＡｇおよびＡｕの個々のバラ
ツキだけでなく、ＡｇとＡｕの合計含有量についてもバ
ラツキを低く抑えることが好ましい。具体的には、Ａｇ
およびＡｕの合計含有量のバラツキをターゲット全体と
して30％以内とすることが好ましく、さらに好ましくは
15％以内である。なお、ＡｇおよびＡｕの合計含有量の
バラツキとは、ターゲット各部におけるＡｇおよびＡｕ
の微視的な含有量の合計（合計含有量）を比較した場合
のバラツキを示すものである。It is more preferable that the dispersion of the Ag content and the Au content be within 15% of the entire target, respectively. Further, it is preferable to suppress not only the individual variations of Ag and Au but also the variations of the total content of Ag and Au. Specifically, Ag
And the variation in the total content of Au is preferably within 30% as a whole target, more preferably
Within 15%. The variation in the total content of Ag and Au is defined as Ag and Au in each part of the target.
3 shows the dispersion when comparing the total of the microscopic contents (total contents) of the samples.
【００２９】ここで、本発明のスパッタリングターゲッ
トにおけるＡｇおよびＡｕの含有量は、以下に示す方法
により測定された値を示すものとする。すなわち、図１
に示すように、例えば円板状ターゲットの中心部（位置
１）と、中心部を通り円周を均等に分割した4本の直線
上の外周近傍位置（位置２〜９）およびその1/2の距離
の位置（位置１０〜１７）とから、それぞれ長さ10mm、
幅10mmの試験片を採取する。これら17点の試験片のＡｇ
量およびＡｕ量をそれぞれ測定し、これらの測定値を平
均した値を、本発明のスパッタリングターゲットにおけ
るＡｇ含有量およびＡｕ含有量とする。また、これら元
素の合計含有量は、ＡｇおよびＡｕの各元素の含有量の
平均値を合計した値を示すものである。Ａｇ量およびＡ
ｕ量はＩＣＰ−ＡＥＳ法に基づいて測定する。Here, the contents of Ag and Au in the sputtering target of the present invention indicate values measured by the following method. That is, FIG.
As shown in the figure, for example, the center (position 1) of a disk-shaped target, the positions near the outer circumference on four straight lines passing through the center and equally dividing the circumference (positions 2 to 9) and 1/2 of the positions From the distance position (positions 10 to 17), the length is 10 mm, respectively.
Collect a 10 mm wide test specimen. Ag of these 17 test pieces
The amounts of Au and Au were measured, and the average of these measured values was taken as the Ag content and Au content in the sputtering target of the present invention. The total content of these elements indicates the sum of the average values of the content of each element of Ag and Au. Ag content and A
The u amount is measured based on the ICP-AES method.
【００３０】さらに、ターゲット全体としてのＡｇ含有
量およびＡｕ含有量のバラツキ、さらにはＡｇおよびＡ
ｕの合計含有量のバラツキは、上記した17点の試験片か
ら求めたＡｇ含有量、Ａｕ含有量、ＡｇおよびＡｕの合
計含有量のそれぞれの最大値および最小値から、｛（最
大値−最小値）／（最大値＋最小値）｝×100の式に基
づいて求めた値をそれぞれ示すものとする。Further, variations in the Ag content and the Au content of the entire target, as well as Ag and A
The variation of the total content of u is calculated from the maximum value and the minimum value of the Ag content, the Au content, and the total content of Ag and Au obtained from the 17 test pieces described above, by Δ (maximum value−minimum value). (Value) / (maximum value + minimum value)｝ 100.
【００３１】本発明のスパッタリングターゲットは、上
述したように高純度ＧｅもしくはＧｅ合金中のＡｇ含有
量およびＡｕ含有量を、ＡｇおよびＡｕがそれぞれマイ
クロアークの発生原因とならない程度に低減したことに
特徴を有するものである。これらＡｇおよびＡｕの含有
量を除くターゲットの構成、すなわち高純度Ｇｅもしく
はＧｅ合金の構成については、通常のターゲットと同程
度であれば特に限定されるものではない。すなわち、高
純度ＧｅもしくはＧｅ合金は、通常の高純度金属材料と
同程度の不純物であれば含んでいてもよい。As described above, the sputtering target of the present invention is characterized in that the Ag content and the Au content in high-purity Ge or a Ge alloy are reduced to such an extent that Ag and Au do not cause micro-arcs, respectively. It has. The configuration of the target excluding the contents of Ag and Au, that is, the configuration of high-purity Ge or Ge alloy is not particularly limited as long as it is almost the same as that of a normal target. That is, high-purity Ge or a Ge alloy may contain impurities at the same level as ordinary high-purity metal materials.
【００３２】ただし、高純度ＧｅもしくはＧｅ合金中の
不純物量（ＡｇおよびＡｕを除く）があまり多いと、例
えば光ディスクの中間層などとしての特性が低下するお
それがある。従って、本発明のスパッタリングターゲッ
トは、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ
の合計含有量が5000ppm以下の高純度ＧｅもしくはＧｅ
合金で構成することが好ましい。言い換えると、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋの各含有量（質量％）の合計量を
100％から引いた値［100−(Ｆｅ％+Ｎｉ％+Ｍｎ％+Ｎａ
％+Ｋ％)］が99.5％以上の高純度Ｇｅもしくは高純度Ｇ
ｅ合金を用いることが好ましい。However, if the amount of impurities (excluding Ag and Au) in the high-purity Ge or Ge alloy is too large, for example, the characteristics as an intermediate layer of an optical disk may be deteriorated. Therefore, the sputtering target of the present invention can be made of Fe, Ni, Mn, Na, and K as impurity elements.
Pure Ge or Ge with a total content of 5,000 ppm or less
It is preferred to be composed of an alloy. In other words, Fe,
The total amount of each content (% by mass) of Ni, Mn, Na, and K is
The value subtracted from 100% [100- (Fe% + Ni% + Mn% + Na
% + K%)] is 99.5% or higher.
It is preferable to use an e-alloy.
【００３３】本発明のスパッタリングターゲットにおい
て、Ｇｅ合金により構成されたターゲットは、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｂ
およびＣから選ばれる少なくとも1種の元素（Ｍ元素）
を0.1〜50原子％の範囲で含み、残部がＧｅおよび不可
避不純物からなり、かつＡｇおよびＡｕの含有量がそれ
ぞれ5ppm以下とされたものである。In the sputtering target of the present invention, the target made of a Ge alloy is Al, S
i, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W,
Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B
At least one element selected from C and C (M element)
In the range of 0.1 to 50 atomic%, the balance being Ge and unavoidable impurities, and the contents of Ag and Au each being 5 ppm or less.
【００３４】本発明のスパッタリングターゲットは、例
えば焼結法もしくは溶解法により作製される。焼結法を
適用する場合には、まずターゲット原料として高純度Ｇ
ｅ粉末を用意する。高純度Ｇｅ粉末に関しては、Ａｇ含
有量およびＡｕ含有量を本発明の規定内とする上で、Ｈ
2雰囲気中で200〜400℃で熱処理して脱ガス処理を行う
などにより精製した粉末を使用することが好ましい。The sputtering target of the present invention is manufactured by, for example, a sintering method or a melting method. When applying the sintering method, first, a high-purity G
e Prepare powder. As for the high-purity Ge powder, in order to keep the Ag content and the Au content within the scope of the present invention, H
It is preferable to use a powder purified by heat treatment at 200 to 400 ° C. in two atmospheres and degassing.
【００３５】また、Ｇｅ合金ターゲットを作製する場合
には、合金元素としてのＭ元素粉末を用意する。Ｍ元素
の種類および添加量は、目的とするスパッタ膜の種類に
応じて適宜に選択される。ここで、Ｍ元素粉末として
は、上記した高純度Ｇｅ粉末と混合した際に、Ａｇ量お
よびＡｕ量が本発明の規定内となるような純度、すなわ
ちＡｇ含有量およびＡｕ含有量を有するものが用いられ
る。In the case of manufacturing a Ge alloy target, an M element powder is prepared as an alloy element. The type and addition amount of the M element are appropriately selected according to the type of the target sputtered film. Here, as the M element powder, one having a purity such that the Ag amount and the Au amount fall within the range of the present invention when mixed with the high-purity Ge powder described above, that is, those having the Ag content and the Au content are used. Used.
【００３６】Ｇｅ単体ターゲットを作製する場合には、
上述したような高純度Ｇｅ粉末を所定のターゲット形状
に合せたカーボン型などに充填し、例えばホットプレス
により加圧焼結する。また、Ｇｅ合金ターゲットを作製
する場合には、上述したような高純度Ｇｅ粉末とＭ元素
粉末とを所定の比率で混合した粉末を、同様にターゲッ
トサイズに合せたカーボン型などに充填し、ホットプレ
スなどにより加圧焼結する。Ｇｅ粉末とＭ元素粉末との
混合は、例えばボールミルを用いて12時間以上実施する
ことが好ましい。When fabricating a Ge simple substance target,
The above-described high-purity Ge powder is filled into a carbon mold or the like that matches a predetermined target shape, and pressure-sintered by, for example, a hot press. In the case of manufacturing a Ge alloy target, a powder obtained by mixing a high-purity Ge powder and an M element powder in a predetermined ratio as described above is filled in a carbon mold or the like that is also adjusted to the target size, and hot-pressed. Pressure sintering with a press or the like. The mixing of the Ge powder and the M element powder is preferably performed, for example, by using a ball mill for 12 hours or more.
【００３７】上述したような加圧焼結工程においては、
焼結温度まで昇温する前に、例えば400〜600℃の温度で
2時間程度保持して脱ガス処理を実施することが好まし
い。これは原料粉末に付着している吸着酸素や他の不純
物元素を除去するためである。このような脱ガス処理を
実施した後に、例えば6.5Pa以下の真空雰囲気下で9.8MP
a以上の圧力を加えつつ加熱して焼結させる。焼結温度
は対象材料の状態図から得られる融点の±30℃の範囲内
とすることが好ましく、そのような焼結温度での保持時
間は2時間以上とすることが好ましい。In the pressure sintering step as described above,
Before raising the temperature to the sintering temperature, for example, at a temperature of 400-600 ° C
It is preferable to carry out the degassing process while holding for about 2 hours. This is for removing adsorbed oxygen and other impurity elements adhering to the raw material powder. After performing such a degassing process, for example, 9.8MPa under a vacuum atmosphere of 6.5Pa or less
Heat and sinter while applying a pressure of a or more. The sintering temperature is preferably in the range of ± 30 ° C. of the melting point obtained from the phase diagram of the target material, and the holding time at such a sintering temperature is preferably 2 hours or more.
【００３８】このような条件下で焼結させることによっ
て、ターゲット材料（焼結体）中のＡｇおよびＡｕの均
質化（バラツキの減少）を図ることができる。また、上
記したような加圧焼結工程は、結晶格子の配列を整合さ
せる役割を果たすことから、微小内部欠陥の除去などに
対しても有効に作用する。By sintering under such conditions, Ag and Au in the target material (sintered body) can be homogenized (variation can be reduced). In addition, the pressure sintering step as described above plays a role in matching the arrangement of the crystal lattice, and thus effectively acts for removing minute internal defects and the like.
【００３９】上述したような加圧焼結工程により得られ
たターゲット材料を機械加工し、これを例えばＡｌやＣ
ｕからなるバッキングプレートと接合する。バッキング
プレートとの接合には、拡散接合やろう付け接合などが
適用される。拡散接合時の温度は600℃以下とすること
が好ましい。また、ろう付け接合は公知のＩｎ系やＳｎ
系の接合材を使用して実施する。このようにして得られ
たターゲット素材を所定サイズに機械加工することによ
って、本発明のスパッタリングターゲットが得られる。The target material obtained by the pressure sintering step as described above is machined, and this is made of, for example, Al or C.
and a backing plate made of u. Diffusion bonding, brazing bonding, or the like is applied for bonding with the backing plate. The temperature at the time of diffusion bonding is preferably set to 600 ° C. or less. In addition, brazing is performed using a known In-based or Sn-based alloy.
This is performed using a bonding material of the system. The sputtering target of the present invention can be obtained by machining the target material thus obtained into a predetermined size.
【００４０】本発明のスパッタリングターゲットの製造
に溶解法を適用する場合には、焼結法と同様に高純度の
Ｇｅ材料、さらには合金元素としてのＭ元素材料を用意
する。また、Ｍ元素材料には、Ｇｅ材料と混合した際
に、Ａｇ量およびＡｕ量が本発明の規定内となるような
純度、すなわちＡｇ含有量およびＡｕ含有量を有するも
のを使用する。When the melting method is applied to the production of the sputtering target of the present invention, a high-purity Ge material and an M element material as an alloy element are prepared as in the sintering method. Further, as the M element material, a material having a purity such that the Ag amount and the Au amount fall within the regulation of the present invention when mixed with the Ge material, that is, an Ag content and an Au content is used.
【００４１】Ｇｅ単体ターゲットを作製する場合には、
上述したような高純度Ｇｅ材料を例えば真空溶解した後
に、所定のターゲット形状に合せた鋳型内に流し込んで
Ｇｅインゴットを作製する。また、Ｇｅ合金ターゲット
の場合には、Ｇｅ材料とＭ元素材料を所望の合金組成と
なるように秤量し、これを例えば真空溶解した後に鋳型
内に流し込んで、あるいはゾーンメルティング法により
Ｇｅ合金インゴットを作製する。In the case of manufacturing a Ge single target,
After the high-purity Ge material as described above is melted in a vacuum, for example, it is poured into a mold having a predetermined target shape to produce a Ge ingot. In the case of a Ge alloy target, a Ge material and an M element material are weighed so as to have a desired alloy composition, which is then melted in a vacuum and then poured into a mold, or a Ge alloy ingot is formed by a zone melting method. Is prepared.
【００４２】このような溶解工程において、得られるタ
ーゲット材料（インゴット）中のＡｇおよびＡｕの均質
化（バラツキの減少）を図る上で、誘導溶解で溶湯状態
を5分間以上保持するなどを実施することが好ましい。
溶解工程により得られたターゲット材料は、焼結法を適
用したターゲット材料と同様に、機械加工した後にバッ
キングプレートと接合し、さらに所定サイズに機械加工
することによって、本発明のスパッタリングターゲット
が得られる。In such a melting step, in order to homogenize (reduce variation) Ag and Au in the obtained target material (ingot), the molten metal state is maintained by induction melting for 5 minutes or more. Is preferred.
The target material obtained by the melting step, like the target material to which the sintering method is applied, is joined to the backing plate after machining, and further machined to a predetermined size, whereby the sputtering target of the present invention is obtained. .
【００４３】本発明のスパッタリングターゲットは、記
録媒体の構成層、半導体デバイスの構成膜、液晶表示素
子やＰＤＰなどの構成膜など、種々の分野で用いられる
Ｇｅ単体膜、ＧｅＮやＧｅＯなどのＧｅ化合物膜、Ｇｅ
−Ｃｒ、Ｇｅ−Ｓｉ、Ｇｅ−ＷなどのＧｅ合金膜、さら
にはＧｅ合金の窒化膜や酸化膜などを形成する際に用い
られる。特に、本発明のスパッタリングターゲットは、
相変化型光ディスクの構成層、具体的にはＧｅ単体膜、
Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜などからなる中間層の形成に
好ましく用いられるものである。The sputtering target of the present invention can be used for a Ge single film used in various fields, such as a constituent layer of a recording medium, a constituent film of a semiconductor device, a constituent film of a liquid crystal display element or a PDP, and a Ge compound such as GeN or GeO. Membrane, Ge
-Used to form a Ge alloy film such as Cr, Ge-Si, Ge-W, and a Ge alloy nitride film or oxide film. In particular, the sputtering target of the present invention,
Constituent layers of a phase change optical disc, specifically, a Ge single film,
It is preferably used for forming an intermediate layer composed of a Ge compound film, a Ge alloy film, or the like.
【００４４】本発明のスパッタリングターゲットによれ
ば、ターゲットに大きな電力を投入し、ＧｅもしくはＧ
ｅ合金のスパッタレートを高めて成膜を実施した場合に
おいても、ＡｇやＡｕに起因するマイクロアーク（微小
異常放電）の発生を有効に抑制することができる。従っ
て、短いタクトタイムで良好なＧｅ系薄膜（Ｇｅ単体
膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜など）、すなわちダスト
数の少ないＧｅ系薄膜を得ることができる。これは相変
化型光ディスクの製造工数や製造コストの低減に大きく
寄与するものである。According to the sputtering target of the present invention, a large electric power is applied to the target and Ge or G
Even when the film formation is performed by increasing the sputtering rate of the e-alloy, it is possible to effectively suppress the occurrence of a micro arc (small abnormal discharge) caused by Ag or Au. Therefore, a good Ge-based thin film (eg, a Ge single film, a Ge compound film, a Ge alloy film, etc.), that is, a Ge-based thin film with a small number of dusts can be obtained with a short tact time. This greatly contributes to a reduction in the number of manufacturing steps and manufacturing costs of the phase change optical disk.
【００４５】[0045]
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例およびその評
価結果について述べる。Next, specific examples of the present invention and evaluation results thereof will be described.
【００４６】実施例１、比較例１ まず、ＡｇおよびＡｕの含有量、さらに不純物元素とし
てのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎなどの含有量を変化させた
12種類のＧｅ粉末を用意した。これら各Ｇｅ粉末をカー
ボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、まず
6.7Pa以下の真空雰囲気中にて600℃×2hの条件で脱ガス
処理をそれぞれ実施した。次いで、同様な真空雰囲気中
で25MPaの圧力を加えつつ920℃まで昇温し、この圧力お
よび温度で5時間保持することによって、それぞれター
ゲット材料としてのＧｅ焼結体を作製した。焼結後の冷
却は雰囲気をＡｒで置換し、かつ10℃/minの冷却速度で
実施した。Example 1 and Comparative Example 1 First, the contents of Ag and Au and the contents of Fe, Ni, Cu, Mn and the like as impurity elements were changed.
Twelve Ge powders were prepared. Each of these Ge powders is filled in a carbon mold and set in a hot press device.
Degassing treatment was performed in a vacuum atmosphere of 6.7 Pa or less under the conditions of 600 ° C. × 2 hours. Then, the temperature was raised to 920 ° C. while applying a pressure of 25 MPa in the same vacuum atmosphere, and the pressure and the temperature were maintained for 5 hours, thereby producing Ge sintered bodies as target materials. Cooling after sintering was performed by replacing the atmosphere with Ar and at a cooling rate of 10 ° C./min.
【００４７】このようにして作製した各Ｇｅ焼結体を所
望のターゲット寸法（直径180mm×厚さ6mm）に機械加工
した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合する
ことによって、12種類のＧｅスパッタリングターゲット
をそれぞれ得た。各ターゲットの元素含有量について
は、ＩＣＰ−ＡＥＳ装置（発光分光分析装置：セイコー
インスツルメンツ社製・SPQ9000）によって分析した。Each of the Ge sintered bodies thus manufactured is machined to a desired target size (a diameter of 180 mm × a thickness of 6 mm), and then brazed to a Cu backing plate to form 12 types of Ge sputtering. Each target was obtained. The element content of each target was analyzed by an ICP-AES device (emission spectroscopic analyzer: SPQ9000 manufactured by Seiko Instruments Inc.).
【００４８】得られた12種類のＧｅターゲットをそれぞ
れ用いて、スパッタ方式：回転成膜、基板−ターゲット
間距離：120mm、スパッタガス：Ａｒ（0.5Pa）、背圧：
1×10-5Pa、出力ＤＣ：1kW、スパッタ時間：5min、の条
件下で、直径120mmのポリカーボネート基板上にＧｅ膜
を成膜した。この成膜工程におけるマイクロアークの発
生回数（/5min）を、ランドアークテクノロジー社製Ｍ
ＡＮ−ＧＥＮＥＳＩＳ装置のカウント数として調べた。
さらに、得られたＧｅ膜中のダスト数（0.2μm以上）を
ダストカウンタで測定した。これらの結果を表１に示
す。Using each of the obtained 12 types of Ge targets, a sputtering method: rotary film formation, a distance between the substrate and the target: 120 mm, a sputtering gas: Ar (0.5 Pa), and a back pressure:
A Ge film was formed on a polycarbonate substrate having a diameter of 120 mm under the conditions of 1 × 10 −5 Pa, output DC: 1 kW, and sputtering time: 5 min. The number of micro-arc occurrences (/ 5 min) in this film-forming process was determined by M
It was examined as the count number of the AN-GENESIS apparatus.
Further, the number of dusts (0.2 μm or more) in the obtained Ge film was measured by a dust counter. Table 1 shows the results.
【００４９】[0049]
【表１】 表１から明らかなように、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量
を低減した本発明のＧｅスパッタリングターゲットは、
マイクロアークの発生数が少なく、それに伴ってスパッ
タ膜中のダスト数も低減されていることが分かる。[Table 1] As is clear from Table 1, the Ge sputtering target of the present invention in which the Ag content and the Au content are reduced,
It can be seen that the number of generated microarcs is small, and the number of dusts in the sputtered film is accordingly reduced.
【００５０】実施例２、比較例２ まず、ＡｇおよびＡｕの含有量、さらに不純物元素とし
てのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎなどの含有量を変化させた
12種類のＧｅ粉末を用意した。これら各Ｇｅ粉末に、Ｇ
ｅ−20at％Ｃｒの組成となるように、それぞれ所定量の
Ｃｒ粉末を添加した後、ボールミルで24時間混合した。
ボールミルによる混合はＡｒ雰囲気中で実施した。Example 2 and Comparative Example 2 First, the contents of Ag and Au and the contents of impurities such as Fe, Ni, Cu, and Mn were changed.
Twelve Ge powders were prepared. G is added to each of these Ge powders.
A predetermined amount of each Cr powder was added so as to have a composition of e-20 at% Cr, and then mixed by a ball mill for 24 hours.
Mixing by a ball mill was performed in an Ar atmosphere.
【００５１】上記した各混合粉末をそれぞれカーボン型
内に充填してホットプレス装置にセットし、まず6.7Pa
以下の真空雰囲気中にて600℃×2hの条件で脱ガス処理
をそれぞれ実施した。次いで、同様な真空雰囲気中で25
MPaの圧力を加えつつ880℃まで昇温し、この圧力および
温度で5時間保持することによって、それぞれターゲッ
ト材料としてのＧｅ−Ｃｒ合金焼結体を作製した。焼結
後の冷却は雰囲気をＡｒで置換し、かつ10℃/minの冷却
速度で実施した。Each of the above mixed powders was filled in a carbon mold and set in a hot press.
Degassing treatment was performed in the following vacuum atmosphere under the conditions of 600 ° C. × 2 hours. Then, in a similar vacuum atmosphere, 25
The temperature was raised to 880 ° C. while applying a pressure of MPa, and maintained at this pressure and temperature for 5 hours, thereby producing Ge—Cr alloy sintered bodies as target materials. Cooling after sintering was performed by replacing the atmosphere with Ar and at a cooling rate of 10 ° C./min.
【００５２】このようにして作製した各Ｇｅ−Ｃｒ合金
焼結体を所望のターゲット寸法（直径180mm×厚さ6mm）
に機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付
け接合することによって、12種類のＧｅ−Ｃｒ合金スパ
ッタリングターゲットをそれぞれ得た。各ターゲットの
元素含有量は実施例１と同様にして分析した。Each of the Ge—Cr alloy sintered bodies produced in this manner was subjected to desired target dimensions (diameter 180 mm × thickness 6 mm).
Then, 12 kinds of Ge—Cr alloy sputtering targets were obtained by brazing to a Cu backing plate. The element content of each target was analyzed in the same manner as in Example 1.
【００５３】得られた12種類のＧｅ−Ｃｒ合金ターゲッ
トをそれぞれ用いて、実施例１と同一条件で直径120mm
のポリカーボネート基板上にＧｅ−Ｃｒ合金膜を成膜し
た。この成膜工程におけるマイクロアークの発生回数
（/5min）を、実施例１と同様にして調べた。さらに、
得られたＧｅ−Ｃｒ合金膜中のダスト数についても同様
にして測定した。これらの結果を表２に示す。Using each of the obtained 12 kinds of Ge—Cr alloy targets, a diameter of 120 mm was obtained under the same conditions as in Example 1.
A Ge—Cr alloy film was formed on the polycarbonate substrate. The number of occurrences (/ 5 min) of micro-arcs in this film forming step was examined in the same manner as in Example 1. further,
The number of dust in the obtained Ge—Cr alloy film was measured in the same manner. Table 2 shows the results.
【００５４】[0054]
【表２】 表２から明らかなように、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量
を低減した本発明のＧｅ合金スパッタリングターゲット
は、マイクロアークの発生数が少なく、それに伴ってス
パッタ膜中のダスト数も低減されていることが分かる。[Table 2] As is clear from Table 2, the Ge alloy sputtering target of the present invention in which the Ag content and the Au content are reduced has a small number of micro-arcs generated, and the number of dusts in the sputtered film is reduced accordingly. I understand.
【００５５】実施例３、比較例３ まず、ＡｇおよびＡｕの含有量、さらに不純物元素とし
てのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎなどの含有量を変化させた
12種類のＧｅ粉末を用意した。これら各Ｇｅ粉末に、Ｇ
ｅ−15at％Ｗの組成となるように、それぞれ所定量のＷ
粉末を添加した後、ボールミルで24時間混合した。ボー
ルミルによる混合はＡｒ雰囲気中で実施した。Example 3 and Comparative Example 3 First, the contents of Ag and Au and the contents of impurities such as Fe, Ni, Cu, and Mn were changed.
Twelve Ge powders were prepared. G is added to each of these Ge powders.
e—a predetermined amount of W so that the composition becomes 15 at% W.
After the addition of the powder, the mixture was mixed in a ball mill for 24 hours. Mixing by a ball mill was performed in an Ar atmosphere.
【００５６】上記した各混合粉末をそれぞれカーボン型
内に充填してホットプレス装置にセットし、まず6.7Pa
以下の真空雰囲気中にて600℃×2hの条件で脱ガス処理
をそれぞれ実施した。次いで、同様な真空雰囲気中で25
MPaの圧力を加えつつ930℃まで昇温し、この圧力および
温度で5時間保持することによって、それぞれターゲッ
ト材料としてのＧｅ−Ｗ合金焼結体を作製した。焼結後
の冷却は雰囲気をＡｒで置換し、かつ10℃/minの冷却速
度で実施した。Each of the above mixed powders was filled in a carbon mold and set in a hot press.
Degassing treatment was performed in the following vacuum atmosphere under the conditions of 600 ° C. × 2 hours. Then, in a similar vacuum atmosphere, 25
The temperature was raised to 930 ° C. while applying a pressure of MPa, and maintained at this pressure and temperature for 5 hours, thereby producing a Ge—W alloy sintered body as a target material. Cooling after sintering was performed by replacing the atmosphere with Ar and at a cooling rate of 10 ° C./min.
【００５７】このようにして作製した各Ｇｅ−Ｗ合金焼
結体を所望のターゲット寸法（直径180mm×厚さ6mm）に
機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け
接合することによって、12種類のＧｅ−Ｗ合金スパッタ
リングターゲットをそれぞれ得た。各ターゲットの元素
含有量は実施例１と同様にして分析した。Each Ge-W alloy sintered body produced in this manner is machined to a desired target size (180 mm diameter × 6 mm thickness) and then brazed to a Cu backing plate to obtain 12 types. Ge-W alloy sputtering targets were obtained. The element content of each target was analyzed in the same manner as in Example 1.
【００５８】得られた12種類のＧｅ−Ｗ合金ターゲット
をそれぞれ用いて、実施例１と同一条件で直径120mmの
ポリカーボネート基板上にＧｅ−Ｃｒ合金膜を成膜し
た。この成膜工程におけるマイクロアークの発生回数
（/5min）を、実施例１と同様にして調べた。さらに、
得られたＧｅ−Ｗ合金膜中のダスト数についても同様に
して測定した。これらの結果を表３に示す。Using the obtained 12 kinds of Ge—W alloy targets, a Ge—Cr alloy film was formed on a 120 mm diameter polycarbonate substrate under the same conditions as in Example 1. The number of occurrences (/ 5 min) of micro-arcs in this film forming step was examined in the same manner as in Example 1. further,
The number of dust in the obtained Ge-W alloy film was measured in the same manner. Table 3 shows the results.
【００５９】[0059]
【表３】 表３から明らかなように、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量
を低減した本発明のＧｅ合金スパッタリングターゲット
は、マイクロアークの発生数が少なく、それに伴ってス
パッタ膜中のダスト数も低減されていることが分かる。[Table 3] As is clear from Table 3, the Ge alloy sputtering target of the present invention in which the Ag content and the Au content are reduced has a small number of micro-arcs generated, and the number of dusts in the sputtered film is reduced accordingly. I understand.
【００６０】実施例４、比較例４ まず、ＡｇおよびＡｕの含有量を変化させた7種類のＧ
ｅ粉末を用意した。実施例４の各ターゲット（試料No1
〜3）については、各Ｇｅ粉末をカーボン型内に充填し
てホットプレス装置にセットし、まず6.7Pa以下の真空
雰囲気中にて600℃×2hの条件で脱ガス処理をそれぞれ
実施した。次いで、同様な真空雰囲気中で25MPaの圧力
を加えつつ930℃まで昇温し、この圧力および温度で5時
間保持することによって、それぞれターゲット材料とし
てのＧｅ焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲気をＡ
ｒで置換し、かつ10℃/minの冷却速度で実施した。Example 4 and Comparative Example 4 First, seven types of G having different contents of Ag and Au were used.
e powder was prepared. Each target of Example 4 (sample No. 1
For each of (3) to (3), each Ge powder was filled in a carbon mold and set in a hot press apparatus. First, degassing was performed in a vacuum atmosphere of 6.7 Pa or less at 600 ° C. for 2 hours. Next, the temperature was raised to 930 ° C. in a similar vacuum atmosphere while applying a pressure of 25 MPa, and the pressure and the temperature were maintained for 5 hours, thereby producing Ge sintered bodies as target materials. Cooling after sintering
The reaction was carried out at a cooling rate of 10 ° C./min.
【００６１】また、比較例４のターゲットのうち、試料
No4，5の各ターゲットについては、焼結条件のうち、脱
ガス処理温度を700℃とすると共に、処理時間を10時間
に変更してＧｅ焼結体を作製した。比較例４のターゲッ
トのうち、試料No6，7の各ターゲットについては、実施
例４と同一条件で焼結工程を実施してそれぞれＧｅ焼結
体を作製した。In the target of Comparative Example 4, the sample
Regarding each of the targets Nos. 4 and 5, of the sintering conditions, the degassing temperature was set to 700 ° C., and the treatment time was changed to 10 hours to produce a Ge sintered body. Of the targets of Comparative Example 4, the respective targets of Sample Nos. 6 and 7 were subjected to the sintering step under the same conditions as in Example 4 to produce Ge sintered bodies.
【００６２】このようにして作製した各Ｇｅ焼結体を所
望のターゲット寸法（直径180mm×厚さ6mm）に機械加工
した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合する
ことによって、7種類のＧｅスパッタリングターゲット
をそれぞれ得た。各ターゲットの元素含有量は実施例１
と同様にして分析した。さらに、各ターゲット中のＡｇ
含有量のバラツキ、Ａｕ含有量のバラツキ、ＡｇとＡｕ
の合金含有量のバラツキを、それぞれ前述した方法にし
たがって測定、評価した。Each of the Ge sintered bodies thus manufactured is machined to a desired target size (a diameter of 180 mm × a thickness of 6 mm), and is then brazed to a Cu backing plate to obtain seven types of Ge sputtering. Each target was obtained. The element content of each target was determined in Example 1.
The analysis was performed in the same manner as described above. In addition, Ag in each target
Content variation, Au content variation, Ag and Au
Was measured and evaluated according to the methods described above.
【００６３】得られた7種類のＧｅターゲットをそれぞ
れ用いて、実施例１と同一条件で直径120mmのポリカー
ボネート基板上にＧｅ膜を成膜した。この成膜工程にお
けるマイクロアークの発生回数（/5min）を、実施例１
と同様にして調べた。さらに、得られたＧｅ膜中のダス
ト数についても同様にして測定した。これらの結果を表
４に示す。Using the obtained seven types of Ge targets, a Ge film was formed on a 120 mm diameter polycarbonate substrate under the same conditions as in Example 1. Example 1 shows the number of occurrences (/ 5 min) of micro arcs in this film forming process.
It investigated similarly to. Further, the number of dusts in the obtained Ge film was measured in the same manner. Table 4 shows the results.
【００６４】[0064]
【表４】 表４から明らかなように、本発明のＧｅスパッタリング
ターゲットは、マイクロアークの発生数が少なく、それ
に伴ってスパッタ膜中のダスト数も低減されていること
が分かる。[Table 4] As is clear from Table 4, the Ge sputtering target of the present invention has a small number of micro-arcs generated, and accordingly, the number of dusts in the sputtered film is also reduced.
【００６５】実施例５、比較例５ まず、ＡｇおよびＡｕの含有量を変化させた7種類のＧ
ｅ粉末を用意し、これらにＧｅ−10at％Ｔａの組成とな
るように、それぞれ所定量のＴａ粉末を添加した後、ボ
ールミルで24時間混合した。ボールミルによる混合はＡ
ｒ雰囲気中で実施した。Example 5 and Comparative Example 5 First, seven types of G having different contents of Ag and Au were used.
e powders were prepared, and a predetermined amount of each Ta powder was added thereto so as to have a composition of Ge-10 at% Ta, followed by mixing with a ball mill for 24 hours. A for mixing by ball mill
This was performed in an atmosphere of r.
【００６６】実施例５の各ターゲット（試料No1〜3）に
ついては、各混合粉末をカーボン型内に充填してホット
プレス装置にセットし、まず6.7Pa以下の真空雰囲気中
にて600℃×2hの条件で脱ガス処理をそれぞれ実施し
た。次いで、同様な真空雰囲気中で25MPaの圧力を加え
つつ880℃まで昇温し、この圧力および温度で5時間保持
することによって、それぞれターゲット材料としてのＧ
ｅ−Ｔａ合金焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲気
をＡｒで置換し、かつ10℃/minの冷却速度で実施した。For each target (sample Nos. 1 to 3) of Example 5, each mixed powder was filled in a carbon mold and set in a hot press apparatus. First, at 600 ° C. × 2 h in a vacuum atmosphere of 6.7 Pa or less. The degassing treatment was performed under the following conditions. Next, in a similar vacuum atmosphere, the temperature was raised to 880 ° C. while applying a pressure of 25 MPa, and maintained at this pressure and temperature for 5 hours, whereby G as a target material was obtained.
An e-Ta alloy sintered body was produced. Cooling after sintering was performed by replacing the atmosphere with Ar and at a cooling rate of 10 ° C./min.
【００６７】また、比較例５のターゲットのうち、試料
No4，5の各ターゲットについては、焼結条件のうち、脱
ガス処理温度を700℃とすると共に、処理時間を10時間
に変更してＧｅ−Ｔａ合金焼結体を作製した。比較例５
のターゲットのうち、試料No6，7の各ターゲットについ
ては、実施例５と同一条件で焼結工程を実施してそれぞ
れＧｅ−Ｔａ合金焼結体を作製した。In the target of Comparative Example 5, the sample
Regarding each of the targets Nos. 4 and 5, of the sintering conditions, the degassing temperature was set to 700 ° C., and the processing time was changed to 10 hours to produce a Ge—Ta alloy sintered body. Comparative Example 5
Among the targets described above, the targets of Sample Nos. 6 and 7 were subjected to the sintering step under the same conditions as in Example 5 to produce Ge—Ta alloy sintered bodies.
【００６８】このようにして作製した各Ｇｅ−Ｔａ合金
焼結体を所望のターゲット寸法（直径180mm×厚さ6mm）
に機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付
け接合することによって、7種類のＧｅ−Ｔａ合金ター
ゲットをそれぞれ得た。各ターゲットの元素含有量は実
施例１と同様にして分析した。さらに、各ターゲット中
のＡｇ含有量のバラツキ、Ａｕ含有量のバラツキ、Ａｇ
とＡｕの合金含有量のバラツキを、それぞれ前述した方
法にしたがって測定、評価した。Each of the Ge—Ta alloy sintered bodies produced in this manner was subjected to a desired target size (a diameter of 180 mm × a thickness of 6 mm).
, And then brazed to a Cu backing plate to obtain seven types of Ge-Ta alloy targets. The element content of each target was analyzed in the same manner as in Example 1. Furthermore, the variation in the Ag content in each target, the variation in the Au content,
The variations in the alloy contents of Au and Au were measured and evaluated according to the methods described above.
【００６９】得られた7種類のＧｅ−Ｔａ合金ターゲッ
トをそれぞれ用いて、実施例１と同一条件で直径120mm
のポリカーボネート基板上にＧｅ膜を成膜した。この成
膜工程におけるマイクロアークの発生回数（/5min）
を、実施例１と同様にして調べた。さらに、得られたＧ
ｅ−Ｔａ合金膜中のダスト数についても同様にして測定
した。これらの結果を表５に示す。Using the obtained seven types of Ge—Ta alloy targets, a diameter of 120 mm was obtained under the same conditions as in Example 1.
A Ge film was formed on the polycarbonate substrate. Number of micro arcs generated in this film formation process (/ 5 min)
Was examined in the same manner as in Example 1. Further, the obtained G
The number of dust in the e-Ta alloy film was measured in the same manner. Table 5 shows the results.
【００７０】[0070]
【表５】 表５から明らかなように、本発明のＧｅ合金スパッタリ
ングターゲットは、マイクロアークの発生数が少なく、
それに伴ってスパッタ膜中のダスト数も低減されている
ことが分かる。[Table 5] As is clear from Table 5, the Ge alloy sputtering target of the present invention has a small number of micro-arcs,
It can be seen that the number of dusts in the sputtered film has been reduced accordingly.
【００７１】[0071]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リングターゲットによれば、Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物
膜、Ｇｅ合金膜などを成膜する際に、ターゲットへの投
入電力を増大させた場合においてもマイクロアークの発
生を有効に抑制することができる。従って、短いタクト
タイムで良好なＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜
などを再現性よく得ることができる。As described above, according to the sputtering target of the present invention, when forming a Ge single film, a Ge compound film, a Ge alloy film, or the like, the power applied to the target is increased. This can also effectively suppress the occurrence of a micro arc. Therefore, a good Ge simple substance film, a Ge compound film, a Ge alloy film and the like can be obtained with a short cycle time with good reproducibility.
【図１】 本発明のスパッタリングターゲットにおける
ＡｇおよびＡｕの含有量の測定方法を説明するための図
である。FIG. 1 is a diagram for explaining a method for measuring the contents of Ag and Au in a sputtering target of the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石上 隆 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4K029 AA11 BA21 BD12 CA05 DC04 DC08 DC09 DC24 5D121 AA01 AA03 EE03 EE09 EE10 EE14 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Takashi Ishigami 8th Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture F-term in the Toshiba Yokohama Office (reference) 4K029 AA11 BA21 BD12 CA05 DC04 DC08 DC09 DC24 5D121 AA01 AA03 EE03 EE09 EE10 EE14
Claims (7)
ｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｂおよび
Ｃから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の
範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲット
であって、 前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、Ａｇ含有量およびＡ
ｕ含有量がそれぞれ5ppm以下であることを特徴とするス
パッタリングターゲット。1. High purity Ge or Al, Si, F
e, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni,
A sputtering target made of a Ge alloy containing at least one element selected from Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C in a range of 0.1 to 50 atomic%, wherein the high-purity Ge or The Ge alloy has an Ag content and A
A sputtering target, wherein each u content is 5 ppm or less.
トにおいて、 前記ターゲット全体としての前記Ａｇ含有量およびＡｕ
含有量のバラツキがそれぞれ30％以内であることを特徴
とするスパッタリングターゲット。2. The sputtering target according to claim 1, wherein the Ag content and Au of the entire target are set.
A sputtering target characterized in that the dispersion of the contents is within 30% each.
トにおいて、 前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、前記ＡｇおよびＡｕ
の合計含有量が8ppm以下であることを特徴とするスパッ
タリングターゲット。3. The sputtering target according to claim 1, wherein said high-purity Ge or Ge alloy is composed of Ag and Au.
A total content of is 8 ppm or less.
トにおいて、 前記ターゲット全体としての前記ＡｇおよびＡｕの合計
含有量のバラツキが30％以内であることを特徴とするス
パッタリングターゲット。4. The sputtering target according to claim 3, wherein a variation in the total content of the Ag and Au in the target as a whole is within 30%.
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲットはバッキングプレートと接合されている
ことを特徴とするスパッタリングターゲット。5. The sputtering target according to claim 1, wherein the target is bonded to a backing plate.
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用
いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。6. The sputtering target according to claim 1, wherein the target is used when forming a constituent layer of an optical disk.
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するＧｅ
層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を形成する際に用い
られることを特徴とするスパッタリングターゲット。7. The sputtering target according to claim 1, wherein the target is a Ge constituting an intermediate layer of an optical disk.
A sputtering target used for forming a layer, a Ge compound layer, or a Ge alloy layer.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004067798A1 (en) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Nikko Materials Co., Ltd. | Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| JP2004244723A (en) * | 2003-01-22 | 2004-09-02 | Canon Inc | Sintered compact, and film deposition method using the same |
| JP2004319411A (en) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Mitsubishi Materials Corp | Thin film for contact electrode of micro-machine switch, and sputtering target for depositing thin film for contact electrode |
| JP2011094216A (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Kobe Steel Ltd | Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10760156B2 (en) | 2017-10-13 | 2020-09-01 | Honeywell International Inc. | Copper manganese sputtering target |
| US11035036B2 (en) | 2018-02-01 | 2021-06-15 | Honeywell International Inc. | Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861666A (en) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and preparation of the same |
| JPS61124562A (en) * | 1984-11-19 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | Metal accumulated material |
| JPS63274764A (en) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Alloy target for magneto-optical recording |
| JPH01287836A (en) * | 1988-05-14 | 1989-11-20 | Hoya Corp | Rewritable phase transition type optical memory |
| JPH0254760A (en) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Hitachi Metals Ltd | Manufacture of target |
| JPH08249721A (en) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Hitachi Maxell Ltd | Optical recording medium |
| JPH09185846A (en) * | 1996-01-08 | 1997-07-15 | Hitachi Ltd | Information recording medium and information memory device |
| JPH11339317A (en) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Teijin Ltd | Phase transition type optical recording medium and its production |
| JP2000026957A (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Mitsubishi Materials Corp | SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000261374A patent/JP4900993B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861666A (en) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and preparation of the same |
| JPS61124562A (en) * | 1984-11-19 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | Metal accumulated material |
| JPS63274764A (en) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Alloy target for magneto-optical recording |
| JPH01287836A (en) * | 1988-05-14 | 1989-11-20 | Hoya Corp | Rewritable phase transition type optical memory |
| JPH0254760A (en) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Hitachi Metals Ltd | Manufacture of target |
| JPH08249721A (en) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Hitachi Maxell Ltd | Optical recording medium |
| JPH09185846A (en) * | 1996-01-08 | 1997-07-15 | Hitachi Ltd | Information recording medium and information memory device |
| JPH11339317A (en) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Teijin Ltd | Phase transition type optical recording medium and its production |
| JP2000026957A (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Mitsubishi Materials Corp | SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004244723A (en) * | 2003-01-22 | 2004-09-02 | Canon Inc | Sintered compact, and film deposition method using the same |
| WO2004067798A1 (en) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Nikko Materials Co., Ltd. | Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| EP1591555A1 (en) * | 2003-01-27 | 2005-11-02 | Nikko Materials Company, Limited | Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| EP1591555A4 (en) * | 2003-01-27 | 2007-08-29 | Nippon Mining Co | Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| JP2004319411A (en) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Mitsubishi Materials Corp | Thin film for contact electrode of micro-machine switch, and sputtering target for depositing thin film for contact electrode |
| JP2011094216A (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Kobe Steel Ltd | Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET |
| TWI470100B (en) * | 2009-10-30 | 2015-01-21 | Kobe Steel Ltd | Aluminum alloy sputtering target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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