JP2002064060A - 非結晶薄膜のレーザーアニール方法とその装置 - Google Patents
非結晶薄膜のレーザーアニール方法とその装置Info
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- JP2002064060A JP2002064060A JP2000251186A JP2000251186A JP2002064060A JP 2002064060 A JP2002064060 A JP 2002064060A JP 2000251186 A JP2000251186 A JP 2000251186A JP 2000251186 A JP2000251186 A JP 2000251186A JP 2002064060 A JP2002064060 A JP 2002064060A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の結晶化用のレーザーアニール工程の前
には、非晶質Si薄膜中の水素含有量を減少させるため
に、高温炉に非晶質Si薄膜を放置することにより脱水
素化を施す工程が必要であった。しかしこの工程は処理
時間が6時間程度かかることから低温ポリシリコンを用
いた液晶表示装置を製造するに当たり、処理時間の削減
が課題であった。 【解決手段】 結晶化のためのレーザービームプロファ
イル工程において、不必要であっただれ部を、水素を多
く含んだ非晶質Si薄膜1にパルスレーザービーム7を
照射することにより脱水素化を行い、次に結晶化のため
のレーザー照射を行う。
には、非晶質Si薄膜中の水素含有量を減少させるため
に、高温炉に非晶質Si薄膜を放置することにより脱水
素化を施す工程が必要であった。しかしこの工程は処理
時間が6時間程度かかることから低温ポリシリコンを用
いた液晶表示装置を製造するに当たり、処理時間の削減
が課題であった。 【解決手段】 結晶化のためのレーザービームプロファ
イル工程において、不必要であっただれ部を、水素を多
く含んだ非晶質Si薄膜1にパルスレーザービーム7を
照射することにより脱水素化を行い、次に結晶化のため
のレーザー照射を行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用の
薄膜トランジスタ、イメージセンサ、あるいはSRAM
等の製造工程に用いられる非結晶薄膜のレーザーアニー
ル方法とその装置に関するものである。
薄膜トランジスタ、イメージセンサ、あるいはSRAM
等の製造工程に用いられる非結晶薄膜のレーザーアニー
ル方法とその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置はノートパソコンや
ビデオカメラ等の需要により、大型化、高精細化の要求
がますます高まっている。この要求に答えるものとして
本命視されていた低温ポリシリコン薄膜トランジスタア
レイを用いた液晶表示装置は、最近の製造技術の進展に
より量産化への動きが本格化してきた。
ビデオカメラ等の需要により、大型化、高精細化の要求
がますます高まっている。この要求に答えるものとして
本命視されていた低温ポリシリコン薄膜トランジスタア
レイを用いた液晶表示装置は、最近の製造技術の進展に
より量産化への動きが本格化してきた。
【0003】低温ポリシリコンを用いた液晶表示装置の
大きな特徴として、アモルファスシリコンを用いた液晶
表示装置に比べて高精細であるということと、高性能な
薄膜トランジスタをガラス基板上に形成できるというこ
とがあげられる。それ故に前記低温ポリシリコンを用い
た液晶表示装置を製造するには前記アモルファスシリコ
ンを用いた液晶表示装置を製造する工程に比べ、多数の
工程を経なければならない。したがって今後低温ポリシ
リコン液晶表示装置を製造する上で工程数の削減が重要
である。
大きな特徴として、アモルファスシリコンを用いた液晶
表示装置に比べて高精細であるということと、高性能な
薄膜トランジスタをガラス基板上に形成できるというこ
とがあげられる。それ故に前記低温ポリシリコンを用い
た液晶表示装置を製造するには前記アモルファスシリコ
ンを用いた液晶表示装置を製造する工程に比べ、多数の
工程を経なければならない。したがって今後低温ポリシ
リコン液晶表示装置を製造する上で工程数の削減が重要
である。
【0004】低温ポリシリコン層の形成には、一般に非
晶質Si薄膜をエキシマレーザー照射によるアニール
(以降、レーザーアニールとする)する方法が用いられ
る。エキシマレーザービームを重ね合わせてレーザーア
ニールを行うのは、現状レーザーアニール用途で実用的
なエキシマレーザーの出力エネルギーはせいぜい1Jが
最大であり、基板面内を隙間なく重畳照射して結晶化す
ることになるからである。
晶質Si薄膜をエキシマレーザー照射によるアニール
(以降、レーザーアニールとする)する方法が用いられ
る。エキシマレーザービームを重ね合わせてレーザーア
ニールを行うのは、現状レーザーアニール用途で実用的
なエキシマレーザーの出力エネルギーはせいぜい1Jが
最大であり、基板面内を隙間なく重畳照射して結晶化す
ることになるからである。
【0005】上記の非晶質Si薄膜であるが、現在のプ
ロセスでは一般的にシランガスを用いたプラズマCVD
法によりガラス基板上に成膜している。しかしこの非晶
質Si薄膜には水素が多く含まれているため結晶化用の
レーザーアニール照射前に一般的には非晶質Si薄膜を
高温炉に放置することにより脱水素を行い、薄膜中の水
素含有量を減らしている。この脱水素を行うのは次のよ
うな理由からである。
ロセスでは一般的にシランガスを用いたプラズマCVD
法によりガラス基板上に成膜している。しかしこの非晶
質Si薄膜には水素が多く含まれているため結晶化用の
レーザーアニール照射前に一般的には非晶質Si薄膜を
高温炉に放置することにより脱水素を行い、薄膜中の水
素含有量を減らしている。この脱水素を行うのは次のよ
うな理由からである。
【0006】結晶化するために非晶質Si薄膜をレーザ
ーアニール照射するわけであるが、200mJ/cm2
以上、実際には300mJ/cm2付近のエネルギーを
前駆体である水素を多く含んだ非晶質Si薄膜に照射す
ると、水素が突沸しSi薄膜表面が荒れ、次工程以降の
成膜に影響を及ぼすこととなる。またレーザーアニール
装置のアニール室内も非晶質Si薄膜の水素が突沸する
際に飛散したSiにより汚れることとなり、パーティク
ル発生の原因となってしまう。これを防ぐために多結晶
化の前、上述のように高温炉により脱水素化を行ってい
る。
ーアニール照射するわけであるが、200mJ/cm2
以上、実際には300mJ/cm2付近のエネルギーを
前駆体である水素を多く含んだ非晶質Si薄膜に照射す
ると、水素が突沸しSi薄膜表面が荒れ、次工程以降の
成膜に影響を及ぼすこととなる。またレーザーアニール
装置のアニール室内も非晶質Si薄膜の水素が突沸する
際に飛散したSiにより汚れることとなり、パーティク
ル発生の原因となってしまう。これを防ぐために多結晶
化の前、上述のように高温炉により脱水素化を行ってい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のような脱水素化
工程だけの現状では一般には6時間程度必要であり、液
晶表示装置の工程日数を短くする妨げとなっている。
工程だけの現状では一般には6時間程度必要であり、液
晶表示装置の工程日数を短くする妨げとなっている。
【0008】本発明は、従来結晶化レーザーアニール工
程の前に行っていた長時間にわたる高温炉による脱水素
化工程をレーザーアニール工程にて脱水素化し、かつ結
晶化を行うことにより処理時間を削減することを特徴と
している。また脱水素化に用いるパルスレーザービーム
は結晶化に用いるパルスレーザービームの不要な領域を
用いるので、脱水素化のための高温炉によるアニールに
要していた時間とエネルギーがそのまま削減することが
できる。
程の前に行っていた長時間にわたる高温炉による脱水素
化工程をレーザーアニール工程にて脱水素化し、かつ結
晶化を行うことにより処理時間を削減することを特徴と
している。また脱水素化に用いるパルスレーザービーム
は結晶化に用いるパルスレーザービームの不要な領域を
用いるので、脱水素化のための高温炉によるアニールに
要していた時間とエネルギーがそのまま削減することが
できる。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、結晶化用のパルスレーザービームの不要な
領域、すなわちだれ領域のパルスレーザービームを折り
返しミラーを用いることで非晶質Si薄膜に照射するこ
とによって脱水素化を行うことを特徴とするものであ
る。また照射順序としては結晶化用の強いエネルギーの
パルスレーザービームが非晶質Si薄膜に照射される前
に脱水素化用の弱いエネルギーのパルスレーザービーム
を非晶質Si薄膜に照射する必要がある。
に本発明は、結晶化用のパルスレーザービームの不要な
領域、すなわちだれ領域のパルスレーザービームを折り
返しミラーを用いることで非晶質Si薄膜に照射するこ
とによって脱水素化を行うことを特徴とするものであ
る。また照射順序としては結晶化用の強いエネルギーの
パルスレーザービームが非晶質Si薄膜に照射される前
に脱水素化用の弱いエネルギーのパルスレーザービーム
を非晶質Si薄膜に照射する必要がある。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、基板上の非晶質Si薄膜をレーザーアニール工程に
てパルスレーザービームの重畳照射により脱水素化し、
かつ結晶化を行うものである。
は、基板上の非晶質Si薄膜をレーザーアニール工程に
てパルスレーザービームの重畳照射により脱水素化し、
かつ結晶化を行うものである。
【0011】請求項2に記載の発明は、非晶質Si薄膜
の堆積された基板がスライドすることによってまず脱水
素化用の弱いエネルギーのパルスレーザービームが照射
されている領域を通り脱水素化される。その後さらにス
ライドすることによって結晶化用の強いエネルギーのパ
ルスレーザービームが照射されている領域を通り結晶化
されるものである。脱水素化用のレーザービームは脱水
素化用に新しく作り出したパルスレーザービームではな
く、結晶化には不要でありスリットでカットしていたパ
ルスレーザービームの部分をスリットの代わりに折り返
しミラーを用いることで使用することを特徴としてい
る。
の堆積された基板がスライドすることによってまず脱水
素化用の弱いエネルギーのパルスレーザービームが照射
されている領域を通り脱水素化される。その後さらにス
ライドすることによって結晶化用の強いエネルギーのパ
ルスレーザービームが照射されている領域を通り結晶化
されるものである。脱水素化用のレーザービームは脱水
素化用に新しく作り出したパルスレーザービームではな
く、結晶化には不要でありスリットでカットしていたパ
ルスレーザービームの部分をスリットの代わりに折り返
しミラーを用いることで使用することを特徴としてい
る。
【0012】以下、本発明の各実施の形態について、図
1〜図4を用いて説明する。
1〜図4を用いて説明する。
【0013】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1における非結晶薄膜のレーザーアニール方法を示
す図である。これは水素を多く含んだ非晶質Si薄膜
(a−Si:H)1が堆積しているガラス基板6をスラ
イド(基板ステージ進行方向12)させ続けることによ
り、脱水素化用の0〜300mJ/cm2のエネルギー
傾斜を持った幅50μm程度の密度の低いパルスレーザ
ービーム7を折り返しミラー小13aを介して照射し、
熱拡散2により水素を非晶質Si薄膜1から放出させ水
素含有量の少ない非晶質a−Si薄膜(脱水素化後)3
を形成する。その後結晶化用の300mJ/cm2以上
340mJ/cm2以下のエネルギーを持った幅350
μm程度の密度の高いパルスレーザービーム7を折り返
し反射ミラー大13bを介して照射し、溶融4させた
後、徐冷させることによってp−Si結晶化(結晶化
後)5を行う。つまり、パルスレーザービームのエネル
ギー密度の低い端部で非晶質Si薄膜の脱水素化を行
い、パルスレーザービームのエネルギー密度の高い中央
部分で結晶化をレーザーアニール工程で行う。
形態1における非結晶薄膜のレーザーアニール方法を示
す図である。これは水素を多く含んだ非晶質Si薄膜
(a−Si:H)1が堆積しているガラス基板6をスラ
イド(基板ステージ進行方向12)させ続けることによ
り、脱水素化用の0〜300mJ/cm2のエネルギー
傾斜を持った幅50μm程度の密度の低いパルスレーザ
ービーム7を折り返しミラー小13aを介して照射し、
熱拡散2により水素を非晶質Si薄膜1から放出させ水
素含有量の少ない非晶質a−Si薄膜(脱水素化後)3
を形成する。その後結晶化用の300mJ/cm2以上
340mJ/cm2以下のエネルギーを持った幅350
μm程度の密度の高いパルスレーザービーム7を折り返
し反射ミラー大13bを介して照射し、溶融4させた
後、徐冷させることによってp−Si結晶化(結晶化
後)5を行う。つまり、パルスレーザービームのエネル
ギー密度の低い端部で非晶質Si薄膜の脱水素化を行
い、パルスレーザービームのエネルギー密度の高い中央
部分で結晶化をレーザーアニール工程で行う。
【0014】(実施の形態2)図2は、通常のレーザー
アニールによる結晶化方法を示す図であり、パルスレー
ザービーム7がレーザービームプロファイル8上どのよ
うに照射されているのかを示す。ガラス基板6上の脱水
素化後の非晶質a−Si薄膜3がパルスレーザービーム
7により照射されることによって溶融4される。この照
射部を通り過ぎた後に徐冷が始まり、その過程でp−S
i結晶化5される。なお、この際照射されるパルスレー
ザービーム7は、レーザービームプロファイル8におけ
るプロファイル上非晶質Si薄膜に最初に照射されるエ
ネルギー密度の低い前だれ部9と、エネルギー密度の高
い中央部10、最後に照射されるエネルギー密度の低い
後だれ部11により形成されている。このレーザービー
ムプロファイル8の中で結晶化に必要なエネルギーを供
給しているのは中央部10のビームであり、その前だれ
部9,後だれ部11は十分結晶化するのに必要なエネル
ギーを供給していない。そこで前だれ部9,後だれ部1
1をレーザービーム光学系にて通常は基板に到達する前
にスリットでカットする方法が取られている。
アニールによる結晶化方法を示す図であり、パルスレー
ザービーム7がレーザービームプロファイル8上どのよ
うに照射されているのかを示す。ガラス基板6上の脱水
素化後の非晶質a−Si薄膜3がパルスレーザービーム
7により照射されることによって溶融4される。この照
射部を通り過ぎた後に徐冷が始まり、その過程でp−S
i結晶化5される。なお、この際照射されるパルスレー
ザービーム7は、レーザービームプロファイル8におけ
るプロファイル上非晶質Si薄膜に最初に照射されるエ
ネルギー密度の低い前だれ部9と、エネルギー密度の高
い中央部10、最後に照射されるエネルギー密度の低い
後だれ部11により形成されている。このレーザービー
ムプロファイル8の中で結晶化に必要なエネルギーを供
給しているのは中央部10のビームであり、その前だれ
部9,後だれ部11は十分結晶化するのに必要なエネル
ギーを供給していない。そこで前だれ部9,後だれ部1
1をレーザービーム光学系にて通常は基板に到達する前
にスリットでカットする方法が取られている。
【0015】そこで本発明の実施の形態2においては、
図3に示す非結晶薄膜のレーザーアニール方法を行う。
これは図2で述べた非晶質Si薄膜1に最初に照射され
るエネルギー密度の低い前だれ部9を図3に示すように
分離し、水素を多く含んだ非晶質Si薄膜1に最初にパ
ルスレーザービーム7を照射することにより結晶化しな
い程度のエネルギーを加え脱水素化、つまり熱拡散2を
行い、非晶質a−Si薄膜(脱水素化後)3を作製する
ものである。さらに脱水素化が施された非晶質a−Si
薄膜3にエネルギー密度の高い中央部10と最後に照射
されるエネルギー密度の低い後だれ部11を照射するこ
とにより非晶質Si薄膜が溶融する程度のエネルギーを
加え溶融4させ、徐冷させることによってp−Si結晶
化(結晶化後)5を行うものである。あわせてこの方法
は、図2で述べた通常のように不要であったレーザービ
ームの前だれ部9を、折り返しミラーにより脱水素化に
有効活用する。
図3に示す非結晶薄膜のレーザーアニール方法を行う。
これは図2で述べた非晶質Si薄膜1に最初に照射され
るエネルギー密度の低い前だれ部9を図3に示すように
分離し、水素を多く含んだ非晶質Si薄膜1に最初にパ
ルスレーザービーム7を照射することにより結晶化しな
い程度のエネルギーを加え脱水素化、つまり熱拡散2を
行い、非晶質a−Si薄膜(脱水素化後)3を作製する
ものである。さらに脱水素化が施された非晶質a−Si
薄膜3にエネルギー密度の高い中央部10と最後に照射
されるエネルギー密度の低い後だれ部11を照射するこ
とにより非晶質Si薄膜が溶融する程度のエネルギーを
加え溶融4させ、徐冷させることによってp−Si結晶
化(結晶化後)5を行うものである。あわせてこの方法
は、図2で述べた通常のように不要であったレーザービ
ームの前だれ部9を、折り返しミラーにより脱水素化に
有効活用する。
【0016】(実施の形態3)図4は本発明の実施の形
態3におけるレーザーアニール装置の構成を示す図であ
る。図4において図1から図3に示した各部と同じ部分
には同じ符号を付し、その説明を省略する。ここで14
は2段階以上に照射量を制御できるパルスレーザービー
ム発振源、15は発射直後のパルスレーザービーム、1
5aは折り返しミラー小(脱水素用)13aにてビーム
進行方向が90度変向された脱水素用レーザービーム、
15bは折り返しミラー大(結晶化用)13bにてビー
ム進行方向が90度変向された結晶化用レーザービー
ム、16は折り返しミラー13a,13b等を囲む光学
系筐体、17a,17bは脱水素用レーザービーム15
a,結晶化用レーザービーム15bの各チャンバーウイ
ンドウであり、アニールチャンバー外壁17の一部に設
けられている。また、18はガラス基板6を載置する基
板ステージである。
態3におけるレーザーアニール装置の構成を示す図であ
る。図4において図1から図3に示した各部と同じ部分
には同じ符号を付し、その説明を省略する。ここで14
は2段階以上に照射量を制御できるパルスレーザービー
ム発振源、15は発射直後のパルスレーザービーム、1
5aは折り返しミラー小(脱水素用)13aにてビーム
進行方向が90度変向された脱水素用レーザービーム、
15bは折り返しミラー大(結晶化用)13bにてビー
ム進行方向が90度変向された結晶化用レーザービー
ム、16は折り返しミラー13a,13b等を囲む光学
系筐体、17a,17bは脱水素用レーザービーム15
a,結晶化用レーザービーム15bの各チャンバーウイ
ンドウであり、アニールチャンバー外壁17の一部に設
けられている。また、18はガラス基板6を載置する基
板ステージである。
【0017】つぎに動作を説明すると、パスルレーザー
ビーム発振源14からのパルスレーザービーム15は、
光学系筐体16内に所定の間隔をおいて設置された折り
返しミラー小13aそして所定時間後には折り返しミラ
ー大13bにてそれぞれパルスレーザービーム15の照
射方向を90度変向し、図面上、下方向へ向け照射し、
1つは脱水素用レーザービーム15a、もう1つは結晶
化用レーザビーム15bとしてそれぞれ機能する。
ビーム発振源14からのパルスレーザービーム15は、
光学系筐体16内に所定の間隔をおいて設置された折り
返しミラー小13aそして所定時間後には折り返しミラ
ー大13bにてそれぞれパルスレーザービーム15の照
射方向を90度変向し、図面上、下方向へ向け照射し、
1つは脱水素用レーザービーム15a、もう1つは結晶
化用レーザビーム15bとしてそれぞれ機能する。
【0018】まず、アニールチャンバー外壁17に囲ま
れた容器内には水素を多く含んだ非晶質Si薄膜(a−
Si:H)1を堆積しているガラス基板6が基板ステー
ジ進行方向12へ所定の速度でスライドされる。このと
き密度の低い脱水素用レーザービーム15aがチャンバ
ーウインドウ17aを通して照射され非晶質a−Si薄
膜(脱水素化後)3を形成する。その後、密度の高い結
晶化用レーザービーム15bがチャンバーウインドウ1
7bを通して照射され溶融させた後、図示せざる徐冷装
置によってp−Si結晶化(結晶化後)5を行うのであ
る。
れた容器内には水素を多く含んだ非晶質Si薄膜(a−
Si:H)1を堆積しているガラス基板6が基板ステー
ジ進行方向12へ所定の速度でスライドされる。このと
き密度の低い脱水素用レーザービーム15aがチャンバ
ーウインドウ17aを通して照射され非晶質a−Si薄
膜(脱水素化後)3を形成する。その後、密度の高い結
晶化用レーザービーム15bがチャンバーウインドウ1
7bを通して照射され溶融させた後、図示せざる徐冷装
置によってp−Si結晶化(結晶化後)5を行うのであ
る。
【0019】このようなレーザーアニール装置による
と、従来のようなアニール室内も非晶質Si薄膜の水素
が突沸することなく汚染されることがない。
と、従来のようなアニール室内も非晶質Si薄膜の水素
が突沸することなく汚染されることがない。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来結晶化レーザーアニール工程の前に行っていた長時間
にわたって高温炉による脱水素工程を、レーザーアニー
ル工程にて脱水素化の後結晶化を行うことにより脱水素
工程にかかっていた時間やエネルギーがそのまま削減で
きるのである。
来結晶化レーザーアニール工程の前に行っていた長時間
にわたって高温炉による脱水素工程を、レーザーアニー
ル工程にて脱水素化の後結晶化を行うことにより脱水素
工程にかかっていた時間やエネルギーがそのまま削減で
きるのである。
【図1】本発明の実施の形態1における非結晶薄膜のレ
ーザーアニール方法を示す図
ーザーアニール方法を示す図
【図2】通常のレーザーアニールによる結晶化方法を示
す図
す図
【図3】本発明の実施の形態2における非結晶薄膜のレ
ーザーアニール方法を示す図
ーザーアニール方法を示す図
【図4】本発明の実施の形態3におけるレーザーアニー
ル装置の構成を示す図
ル装置の構成を示す図
1 a−Si:H(水素を多く含んだ非晶質Si薄膜) 2 熱拡散 3 非晶質a−Si薄膜(脱水素後) 4 溶融 5 p−Si薄膜(結晶化後) 6 ガラス基板 7,15 パルスレーザービーム 8 レーザービームプロファイル 9 レーザービームプロファイル前だれ部 10 レーザービームプロファイル中央部 11 レーザービームプロファイル後だれ部 13a 折り返しミラー小(脱水素用) 13b 折り返しミラー大(結晶化用) 14 パルスレーザービーム発振源 17 アニールチャンバー外壁 18 基板ステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F052 AA02 BA02 BA04 BA12 BA14 BA18 BB07 CA02 CA10 DA02 DB03 EA15 FA19 5F110 AA16 DD02 GG02 GG13 GG45 PP03 PP05 PP06 PP07 PP35
Claims (7)
- 【請求項1】 基板上の非結晶薄膜をパルスレーザービ
ームの重畳照射により脱水素化の後、結晶化を行うこと
を特徴とする非結晶薄膜のレーザーアニール方法。 - 【請求項2】 基板上のある一点では、脱水素用のパル
スレーザービーム照射によるアニール後に結晶化用のパ
ルスレーザービーム照射によるアニールが施されること
を特徴とする請求項1記載の非結晶薄膜のレーザーアニ
ール方法。 - 【請求項3】 前記脱水素化に使用する前記パルスレー
ザービームは、前記結晶化に用いるパルスレーザービー
ムの端部の結晶化を行うにはエネルギーが弱いために不
要となる部分を用いることを特徴とする請求項1記載の
非結晶薄膜のレーザーアニール方法。 - 【請求項4】 前記パルスレーザービームの不要部分が
折り返しミラーにより基板に照射されることで脱水素化
に用いられることにより、レーザーの不要部分をスリッ
トなどで削除する必要のないことを特徴とする請求項3
記載の非結晶薄膜のレーザーアニール方法。 - 【請求項5】 前記パルスレーザーがエキシマレーザー
であることを特徴とする請求項1,2,3または4記載
の非結晶薄膜のレーザーアニール方法。 - 【請求項6】 前記非結晶薄膜がSiを主成分とする非
晶質薄膜であることを特徴とする請求項1,2,3,4
または5記載の非結晶薄膜のレーザーアニール方法。 - 【請求項7】 少なくとも2段階以上に照射量を制御で
きるパルスレーザービーム発振手段と、前記2段階のパ
ルスレーザービームをガラス基板上の非晶質Si薄膜に
重畳照射するための折り返しミラー手段と、前記ガラス
基板が載置された基板ステージのスライド手段と、前記
2段階の1つのパルスレーザービームにて非晶質a−S
i薄膜を形成し、前記2段階の他の1つのパルスレーザ
ービームで前記脱水素化後の非晶質a−Si薄膜を溶融
しp−Si結晶化を行うための徐冷手段とを有すること
を特徴とするレーザーアニール装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000251186A JP2002064060A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 非結晶薄膜のレーザーアニール方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000251186A JP2002064060A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 非結晶薄膜のレーザーアニール方法とその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002064060A true JP2002064060A (ja) | 2002-02-28 |
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ID=18740624
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000251186A Pending JP2002064060A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 非結晶薄膜のレーザーアニール方法とその装置 |
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