JP2002064056A - マスク、電子ビームの偏向量の校正方法、電子ビーム露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 偏向部の偏向量を調整する校正関数を算出す
る。 【解決手段】電子ビームを照射してウェハに所定の電子
回路パターンを露光する電子ビーム露光装置であって、
所定の電子回路パターンと同一の形状の電子ビームを生
成するのに用いるパターンブロックと、電子ビームを偏
向する偏向部の偏向量を調整するために用いる調整用ブ
ロックと、調整用ブロックを検出するために用いる誘導
ブロックとを有するマスク３０を載置するマスクステー
ジ７２と、電子ビームを偏向する偏向部（１８、２２及
び２６）と、マスクをマスクステージに載置した場合
に、偏向部が、マスクの任意のブロックに電子ビームを
偏向するように偏向部の調整をするために用いる校正関
数を算出する校正関数算出部２００と、電子ビームによ
りウェハに像を結ばせる電子レンズ（５０、５２及び６
６）とを備えることを特徴とする電子ビーム露光装置を
提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスク、校正方法
及び電子ビーム露光装置に関する。特に本発明は、電子
ビーム露光装置に設けられるマスク、マスクに形成され
たブロックに電子ビームを偏向する偏向器に与える偏向
量を調整する校正方法及び、当該マスクを設け、当該校
正方法により電子ビームの偏向量を調整する電子ビーム
露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム露光装置のマスクステージに
マスクを載置した場合、マスクに形成されたブロックに
電子ビームを偏向するように偏向器の偏向量を調整する
校正関数を算出する。マスクに形成された調整用ブロッ
クを、オペレータが偏向器を手動で操作することで探し
出し、調整用ブロックを探し出したときに偏向器に与え
る偏向データに基づいて、校正関数を算出していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】マスクに形成された調
整用ブロックは、オペレータが手動で偏向器の偏向量を
調整して探し出す必要があった。手動で調整用ブロック
を探し出すので、調整用ブロックを探し出すのに時間が
掛かってしまった。

【０００４】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできるマスク、校正方法及び電子ビーム露光装置を
提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲
における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成さ
れる。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第一の形態は、電子ビームを照射してウェ
ハに所定の電子回路パターンを露光する電子ビーム露光
装置に設けられるマスクであって、前記所定の電子回路
パターンと断面形状が同一の電子ビームを生成するため
に用いられるパターンブロックと、前記電子ビームを偏
向する偏向部の偏向量を調整するために用いられる調整
用ブロックと、前記調整用ブロックを検出するために用
いられる誘導ブロックとを備えることを特徴とするマス
クを提供する。

【０００６】第一の形態の別の態様は、調整用ブロック
と誘導ブロックとの間隔は、誘導ブロックから調整用ブ
ロックに電子ビームを偏向した場合に、電子ビームが偏
向されるべき位置と電子ビームが実際に偏向され得る位
置との差である偏向誤差と、誘導ブロックと電子ビーム
が偏向されるべき位置の間隔との差より狭い間隔で配置
されてよい。また、前記間隔で前記誘導ブロックを複数
有してよい。また、前記調整用ブロックと複数の前記誘
導ブロックは直線状に配置されてよい。また、前記複数
の誘導ブロックの少なくとも１つは、前記偏向部が前記
電子ビームを偏向しない場合に、前記電子ビームにより
照射される位置に配置される基準ブロックであってよ
い。

【０００７】また、前記基準ブロックと前記誘導ブロッ
クは、同一の開口率であってよい。また、前記誘導ブロ
ックは、それぞれ異なる開口率であってよい。また、前
記調整用ブロックを複数備え、前記誘導ブロックは、前
記基準ブロックと前記調整用ブロックのそれぞれを結ぶ
直線上に配置されてよい。

【０００８】本発明の第二の形態は、ウェハに所定の電
子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置に設ける
マスクの所定の位置に電子ビームを偏向する偏向部を調
整する校正方法であって、前記所定の電子回路パターン
と同一の形状の電子ビームを生成するために用いられる
パターンブロックと、前記偏向部の偏向量を調整するた
めに用いられる調整用ブロックと、前記調整用ブロック
を検出するために用いられる誘導ブロックとを有するマ
スクを前記電子ビーム露光装置に取り付けるステップ
と、前記電子ビームを偏向して前記誘導ブロックを検出
する誘導ブロック検出ステップと、前記誘導ブロック検
出ステップにより検出された前記誘導ブロックから前記
電子ビームを偏向して前記調整用ブロックを検出する調
整用ブロック検出ステップと、前記調整用ブロック検出
ステップが前記調整用ブロックを検出した場合の、前記
偏向部の前記偏向量に基づいて前記偏向部を調整するス
テップとを備えることを特徴とする校正方法を提供す
る。

【０００９】本発明の第二の形態の別の態様は、前記マ
スクは第１の誘導ブロックと、第２の誘導ブロックとを
含む複数の前記誘導ブロックを有し、前記誘導ブロック
検出ステップは、前記第１の誘導ブロックを検出した
後、前記第１の誘導ブロックから前記電子ビームを偏向
して前記第２の誘導ブロックを検出してもよい。また、
前記複数の誘導ブロックの少なくとも１つは、前記偏向
部が前記電子ビームを偏向しない場合に、前記電子ビー
ムにより照射される位置に配置される基準ブロックであ
り、前記基準ブロックを通過した前記電子ビームの電子
量である基準電子量を検出するステップを更に備え、前
記誘導ブロック検出ステップは、前記基準電子量と前記
誘導ブロックを通過した前記電子ビームの電子量とに基
づいて前記誘導ブロックを検出してもよい。

【００１０】本発明の第三の形態は、電子ビームを照射
してウェハに所定の電子回路パターンを露光する電子ビ
ーム露光装置であって、前記所定の電子回路パターンと
同一の形状の電子ビームを生成するのに用いるパターン
ブロックと、前記電子ビームを偏向する偏向部の偏向量
を調整するために用いる調整用ブロックと、前記調整用
ブロックを検出するために用いる誘導ブロックとを有す
るマスクを載置するマスクステージと、前記電子ビーム
を偏向する偏向部と、前記マスクを前記マスクステージ
に載置した場合に、前記偏向部が、前記マスクの任意の
ブロックに前記電子ビームを偏向するように前記偏向部
の調整をするために用いる校正関数を算出する校正関数
算出部と、前記電子ビームにより前記ウェハに像を結ば
せる電子レンズと、を備えることを特徴とする電子ビー
ム露光装置を提供する。

【００１１】本発明の第三の形態の別の態様は、前記電
子ビームの電子量を測定する電子量測定部を更に備え、
前記校正関数算出部は、前記マスクにおける前記誘導ブ
ロックの位置と、前記マスクにおける前記調整用ブロッ
クの位置を格納するブロック位置格納部と、前記ブロッ
ク位置格納部に格納された前記誘導ブロックの位置と、
前記電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出する誘
導ブロック検出部と、前記誘導ブロック検出部が検出し
た前記誘導ブロックから、前記ブロック位置格納部に格
納された前記調整用ブロックの位置に基づいて特定され
る前記マスクステージにおける位置へ前記電子ビームを
偏向して前記調整用ブロックを検出する調整用ブロック
検出部と、前記調整用ブロック検出部が検出した前記調
整用ブロックの位置へ、前記電子ビームを偏向する前記
偏向量に基づいて前記校正関数を算出する算出部とを有
してもよい。

【００１２】また、前記マスクは、前記偏向部が前記電
子ビームを偏向しない場合に、前記電子ビームにより照
射される位置に配置される基準ブロックを有し、前記校
正関数算出部は、前記基準ブロックを検出する基準ブロ
ック検出部と、前記基準ブロックを通過した前記電子ビ
ームの電子量である基準電子量を格納する基準電子量格
納部とを更に有し、前記誘導ブロック検出部は、前記基
準電子量と、前記誘導ブロックを通過した前記電子ビー
ムの前記電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出し
てもよい。

【００１３】また、前記ブロック位置格納部は前記誘導
ブロックの前記マスクにおける位置と、前記誘導ブロッ
クの前記電子ビームを通過させる開口部の開口面積に関
する開口情報とを対応付けて格納し、前記誘導ブロック
検出部は、前記開口情報と、前記電子量とに基づいて前
記誘導ブロックを検出してもよい。また、前記開口情報
は、前記基準ブロックの前記開口面積と、前記誘導ブロ
ックの前記開口面積との面積比であって、前記誘導ブロ
ック検出部は、前記基準電子量と前記面積比から算出さ
れる理想電子量と、前記電子量とに基づいて前記誘導ブ
ロックを検出してもよい。

【００１４】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。

【００１６】図１は、本発明の１実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置１００の構成図である。電子ビーム露光装
置１００は、電子ビームによりウェハ６４に所定の露光
処理を施すための露光部１５０と、露光部１５０の各構
成の動作を制御する制御系１４０を備える。

【００１７】露光部１５０は、筐体１０内部に、所定の
電子ビームを照射する電子ビーム照射系１１０と、電子
ビーム照射系１１０から照射された電子ビームを偏向す
るとともに、電子ビームのマスク３０近傍における結像
位置を調整するマスク用投影系１１２と、電子ビームの
ウェハ６４近傍における結像位置を調整する焦点調整レ
ンズ系１１４と、マスク３０を通過した電子ビームをウ
ェハステージ６２に載置されたウェハ６４の所定の領域
に偏向するとともに、ウェハ６４に転写されるパターン
の像の向き及びサイズを調整するウェハ用投影系１１６
を含む電子光学系を備える。

【００１８】また、露光部１５０は、ウェハ６４に露光
すべきパターンをそれぞれ形成された複数のブロックを
有するマスク３０を載置するマスクステージ７２と、マ
スクステージ７２を駆動するマスクステージ駆動部６８
と、パターンを露光すべきウェハ６４を載置するウェハ
ステージ６２と、ウェハステージ６２を駆動するウェハ
ステージ駆動部７０とを含むステージ系を備える。さら
に、露光部１５０は、電子光学系の調整のために、ウェ
ハステージ６２側から飛散する電子を検出して、飛散し
た電子量に相当する電気信号に変換する電子検出器６０
を有する。ウェハステージ６２は、電子ビームの焦点、
偏向量及び／又はビーム形状を調整するために用いられ
るターゲットマーク部材１６０と、電子ビームの電子量
を検出するために用いられるファラデーカップ１７０を
有する。

【００１９】電子ビーム照射系１１０は、電子ビームを
発生させる電子銃１２による、電子ビームの焦点位置を
定める第１電子レンズ１４と、電子ビームを通過させる
矩形形状の開口（スリット）が形成されたスリット部１
６とを有する。電子銃１２は、安定した電子ビームを発
生するのに所定の時間がかかるので、電子銃１２は、露
光処理期間において常に電子ビームを発生してもよい。
スリットは、マスク３０に形成された所定のパターンを
含むブロックの形状に合わせて形成されるのが好まし
い。図１において、電子ビーム照射系１１０から照射さ
れた電子ビームが、電子光学系により偏向されない場合
の電子ビームの光軸を、一点鎖線Ａで表現する。

【００２０】マスク用投影系１１２は、電子ビームを偏
向するマスク用偏向系としての第１偏向器１８、第２偏
向器２２及び第３偏向器２６と、電子ビームの焦点を調
整するマスク用焦点系としての第２電子レンズ２０、さ
らに、第１ブランキング電極２４を有する。第１偏向器
１８及び第２偏向器２２は、電子ビームをマスク３０上
の所定の領域に照射する偏向を行う。例えば、所定の領
域は、ウェハ６４に転写するパターンを有するブロック
であってよい。電子ビームがパターンを通過することに
より、電子ビームの断面形状は、パターンと同一の形状
になる。所定のパターンが形成されたブロックを通過し
た電子ビームの像をパターン像と定義する。第３偏向器
２６は、第１偏向器１８及び第２偏向器２２を通過した
電子ビームの軌道を光軸Ａに略平行に偏向する。第２電
子レンズ２０は、スリット部１６の開口の像を、マスク
ステージ７２上に載置されるマスク３０上に結像させる
機能を有する。

【００２１】焦点調整レンズ系１１４は、第３電子レン
ズ２８と、第４電子レンズ３２とを有する。第３電子レ
ンズ２８及び第４電子レンズ３２は、電子ビームのクロ
スオーバ像の焦点を対物絞り上に合わせる。ウェハ用投
影系１１６は、第５電子レンズ４０と、第６電子レンズ
４６と、第７電子レンズ５０と、第８電子レンズ５２
と、第９電子レンズ６６と、第４偏向器３４と、第５偏
向器３８と、第６偏向器４２と、主偏向器５６と、副偏
向器５８と、第２ブランキング電極３６と、ラウンドア
パーチャ部４８とを有する。

【００２２】レンズ強度の設定値に依存してパターン像
は回転する。第５電子レンズ４０は、マスク３０の所定
のブロックを通過した電子ビームのパターン像の回転量
を調整する。第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５
０は、マスク３０に形成されたパターンに対する、ウェ
ハ６４に転写されるパターン像の縮小率を調整する。第
８電子レンズ５２及び第９電子レンズ６６は、対物レン
ズとして機能する。第４偏向器３４及び第６偏向器４２
は、電子ビームの進行方向に対するマスク３０の下流に
おいて、電子ビームを光軸Ａの方向に偏向する。第５偏
向器３８は、電子ビームを光軸Ａに略平行になるように
偏向する。主偏向器５６及び副偏向器５８は、ウェハ６
４上の所定の領域に電子ビームが照射されるように、電
子ビームを偏向する。本実施形態では、主偏向器５６
は、１ショットの電子ビームで照射可能な領域（ショッ
ト領域）を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏
向するために用いられ、副偏向器５８は、サブフィール
ドにおけるショット領域間の偏向のために用いられる。

【００２３】ラウンドアパーチャ部４８は、円形の開口
（ラウンドアパーチャ）を有する。第１ブランキング電
極２４および第２ブランキング電極３６は、電子ビーム
を高速に同期してオン／オフすることができ、具体的に
は、電子ビームをラウンドアパーチャの外側に当たるよ
うに偏向する機能を有する。すなわち、第１ブランキン
グ電極２４および第２ブランキング電極３６は、ウェハ
６４上に結像されるパターン像に変位をもたらすことな
く、ウェハ６４上に到達する電子ビームの量を制御する
ことができる。従って、第１ブランキング電極２４およ
び第２ブランキング電極３６は、電子ビームの進行方向
に対してラウンドアパーチャ部４８から下流に電子ビー
ムが進行することを防ぐことができる。電子銃１２は、
露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、
第１ブランキング電極２４および第２ブランキング電極
３６は、ウェハ６４に転写するパターンを変更すると
き、更には、パターンを露光するウェハ６４の領域を変
更するときに、ラウンドアパーチャ部４８から下流に電
子ビームが進行しないように電子ビームを偏向すること
が望ましい。

【００２４】制御系１４０は、統括制御部１３０及び個
別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、偏向制
御部８２と、マスクステージ制御部８４と、ショット制
御部８６と、電子レンズ制御部８８と、反射電子処理部
９０と、ウェハステージ制御部９２と、電子量検出部９
３と、校正関数算出部２００とを有する。統括制御部１
３０は、例えばワークステーションであって、個別制御
部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。偏向制御
部８２は、第１偏向器１８、第２偏向器２２、第３偏向
器２６、第４偏向器３４、第５偏向器３８、第６偏向器
４２、主偏向器５６、及び副偏向器５８を制御する。マ
スクステージ制御部８４は、マスクステージ駆動部６８
を制御して、マスクステージ７２を移動させる。

【００２５】ショット制御部８６は、第１ブランキング
電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御する。本
実施形態では、第１ブランキング電極２４及び第２ブラ
ンキング電極３６は、露光時には、電子ビームをウェハ
６４に照射させ、露光時以外には、電子ビームをウェハ
６４に到達させないように制御されるのが望ましい。電
子レンズ制御部８８は、第１電子レンズ１４、第２電子
レンズ２０、第３電子レンズ２８、第４電子レンズ３
２、第５電子レンズ４０、第６電子レンズ４６、第７電
子レンズ５０、第８電子レンズ５２および第９電子レン
ズ６６に供給する電流を制御する。反射電子処理部９０
は、電子検出部６０により検出された電気信号に基づい
て電子量を示すデジタルデータを検出する。

【００２６】ウェハステージ制御部９２は、ウェハステ
ージ駆動部７０によりウェハステージ６２を所定の位置
に移動させる。電子量検出部９３は、ファラデーカップ
１７０により検出された電気量に基づいて電子量を示す
デジタルデータを検出する。校正関数算出部２００は、
マスク３０に形成された所望のブロックに電子ビームを
照射するように偏向器の調整をするのに用いる校正関数
を算出する。マスク３０をマスクステージ７２に載置し
た場合に、マスク３０は理想の載置位置に対して、ずれ
量をもって載置される。校正関数算出部２００は、マス
ク３０のずれ量を校正する校正関数を算出する。例え
ば、第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３偏向器２
６は、マスクステージ座標系の所定の座標位置に電子ビ
ームを偏向できる。マスク３０をマスクステージ７２に
載置した場合に、マスク座標系とマスクステージ座標系
とが一致すれば、所望するブロックのマスク座標系にお
ける座標値と、マスクステージ座標系における所望する
ブロックの位置とが一致するので、マスク座標系におけ
る座標値を電子ビームの偏向位置として偏向制御部８２
に供給すれば、所望するブロックに電子ビームを照射す
ることができる。しかしながら、所望するブロックのマ
スク座標系における座標値と、マスクステージ座標系に
おける所望するブロックの位置とが一致しないので、マ
スク座標系における座標値を電子ビームの偏向位置とし
て偏向制御部８２に供給すると、所望するブロックと異
なる位置に電子ビームを照射してしまう。

【００２７】校正関数算出部２００は、マスクステージ
座標系に対するマスク座標系のずれ量に基づいて、マス
ク座標系における所望するブロックの座標値を、マスク
ステージ座標系の座標値に変換する校正関数を算出す
る。校正関数算出部２００が校正関数を算出することに
より、所望するブロックの位置へ電子ビームを偏向する
ことができる。

【００２８】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
０の動作について説明する。電子ビーム露光装置１００
は、露光処理を行う前に、電子光学系などの構成を予め
調整する調整処理を行う。以下において、まず、露光処
理前の電子光学系の調整処理について説明する。ウェハ
ステージ６２は、電子ビームの焦点および偏向度などを
調整するために用いられるターゲットマーク部材１６０
を備える。ターゲットマーク部材１６０は、ウェハステ
ージ６２上において、ウェハを載置する領域以外の場所
に設けられるのが好ましい。

【００２９】まず、電子ビームの焦点合わせを行うため
に、ウェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動
部７０によりウェハステージ６２に設けられた焦点調整
用のターゲットマーク部材１６０を光軸Ａ近傍に移動さ
せる。次いで、各レンズの焦点位置を所定の位置に調整
し、偏向器により電子ビームをターゲットマーク部材１
６０のマーク上を走査させるとともに、電子検出器６０
が、ターゲットマーク部材１６０に電子ビームが照射さ
れることにより発生する反射電子に応じた電気信号を出
力し、反射電子処理部９０が反射電子量を検出し、統括
制御部１３０に通知する。統括制御部１３０は、検出さ
れた電子量に基づいて、レンズ系の焦点が合っているか
否かを判断する。統括制御部１３０は、反射電子の検出
波形の微分値が最大となるように、各電子レンズに供給
する電流を制御する。

【００３０】例えば、高精度な露光処理を行うために電
子ビーム露光装置１００の座標系をレーザ干渉計などを
基準として構成するとき、電子ビームの偏向座標系とレ
ーザ干渉計を基準とした直交座標系とが厳密に校正され
ていることが必要である。そのため、電子ビームの焦点
を行った後、偏向量を調整（校正）するために、ウェハ
ステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７０によ
りウェハステージ６２に設けられた偏向量調整用の所定
のマークを形成されたターゲットマーク部材１６０を光
軸Ａ近傍に移動させる。

【００３１】偏向器が、電子ビームで、ターゲットマー
ク部材１６０の偏向量調整用マーク上を複数回走査さ
せ、電子検出器６０が、ターゲットマーク部材１６０か
ら反射した反射電子の変化を検出し、統括制御部１３０
に通知する。統括制御部１３０は、反射電子の検出波形
に基づいて、マークのエッジを定め、マーク座標の中心
位置を求めることができる。以上のマーク検出を行うこ
とによって、偏向座標系と直交座標系の校正を実現する
ことができ、偏向器が、ウェハ上の所定の領域に高精度
に電子ビームを照射させることが可能となる。

【００３２】また、校正関数算出部２００は、マスク３
０に形成されたブロックに電子ビームを偏向するための
校正関数を算出する。校正関数算出部２００が校正関数
を算出することにより、マスク３０に形成された所望の
ブロックへ電子ビームを偏向することができる。

【００３３】次に、電子ビーム露光装置１００が露光処
理を行う際の各構成の動作について説明する。マスクス
テージ７２上には、所定のパターンを形成された複数の
ブロックを有するマスク３０が載置され、マスク３０
は、所定の位置に固定されている。また、ウェハステー
ジ６２上には、露光処理が施されるウェハ６４が載置さ
れている。ウェハステージ制御部９２は、ウェハステー
ジ駆動部７０によりウェハステージ６２を移動させて、
ウェハ６４の露光されるべき領域が光軸Ａ近傍に位置す
るようにする。また、電子銃１２は、露光処理期間にお
いて常に電子ビームを照射するので、露光の開始前にお
いて、スリット部１６の開口を通過した電子ビームがウ
ェハ６４に照射されないように、ショット制御部８６が
第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３
６を制御する。マスク用投影系１１２において、電子レ
ンズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６
４に転写するパターンが形成されたブロックに電子ビー
ムを照射できるように調整される。焦点調整レンズ系１
１４において、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビー
ムのウェハ６４に対する焦点が合うように調整される。
また、ウェハ用投影系１１６において、電子レンズ（４
０、４６、５０、５２、６６）及び偏向器（３４、３
８、４２、５６、５８）は、ウェハ６４の所定の領域に
パターン像を転写できるように調整される。

【００３４】マスク投影系１１２、焦点調整レンズ系１
１４及びウェハ用投影系１１６が調整された後、ショッ
ト制御部８６が、第１ブランキング電極２４及び第２ブ
ランキング電極３６による電子ビームの偏向を停止す
る。これにより、以下に示すように、電子ビームはマス
ク３０を介してウェハ６４に照射される。電子銃１２が
電子ビームを生成し、第１電子レンズ１４が電子ビーム
の焦点位置を調整して、スリット部１６に照射させる。
そして、第１偏向器１８及び第２偏向器２２がスリット
部１６の開口を通過した電子ビームをマスク３０の転写
すべきパターンが形成された所定の領域に照射するよう
に偏向する。スリット部１６の開口を通過した電子ビー
ムは、矩形の断面形状を有している。第１偏向器１８及
び第２偏向器２２により偏向された電子ビームは、第３
偏向器２６により光軸Ａと略平行になるように偏向され
る。また、電子ビームは、第２電子レンズ２０により、
マスク３０上の所定の領域にスリット部１６の開口の像
が結像するように調整される。

【００３５】そして、マスク３０に形成されたパターン
を通過した電子ビームは、第４偏向器３４及び第６偏向
器４２により光軸Ａに近づく方向に偏向され、第５偏向
器３８により、光軸Ａと略平行になるように偏向され
る。また、電子ビームは、第３電子レンズ２８及び第４
電子レンズ３２により、マスク３０に形成されたパター
ンの像がウェハ６４の表面に焦点が合うように調整さ
れ、第５電子レンズ４０によりパターン像の回転量が調
整され、第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５０に
より、パターン像の縮小率が調整される。それから、電
子ビームは、主偏向器５６及び副偏向器５８により、ウ
ェハ６４上の所定のショット領域に照射されるように偏
向される。本実施形態では、主偏向器５６が、ショット
領域を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向
し、副偏向器５８が、サブフィールドにおけるショット
領域間で電子ビームを偏向する。所定のショット領域に
偏向された電子ビームは、電子レンズ５２及び電子レン
ズ６６によって調整されて、ウェハ６４に照射される。
これによって、ウェハ６４上の所定のショット領域に
は、マスク３０に形成されたパターンの像が転写され
る。

【００３６】所定の露光時間が経過した後、ショット制
御部８６が、電子ビームがウェハ６４を照射しないよう
に、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電
極３６を制御して、電子ビームを偏向させる。以上のプ
ロセスにより、ウェハ６４上の所定のショット領域に、
マスク３０に形成されたパターンが露光される。次のシ
ョット領域に、マスク３０に形成されたパターンを露光
するために、マスク用投影系１１２において、電子レン
ズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６４
に転写するパターンを有するブロックに電子ビームを照
射できるように調整される。焦点調整レンズ系１１４に
おいて、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームのウ
ェハ６４に対する焦点が合うように調整される。また、
ウェハ用投影系１１６において、電子レンズ（４０、４
６、５０、５２、６６）及び偏向器（３４、３８、４
２、５６、５８）は、ウェハ６４の所定の領域にパター
ン像を転写できるように調整される。

【００３７】具体的には、副偏向器５８は、マスク用投
影系１１２により生成されたパターン像が、次のショッ
ト領域に露光されるように電界を調整する。この後、上
記と同様に当該ショット領域にパターンを露光する。サ
ブフィールド内の露光すべきショット領域のすべてにパ
ターンを露光した後に、主偏向器５６は、次のサブフィ
ールドにパターンを露光できるように磁界を調整する。
電子ビーム露光装置１００は、この露光処理を、繰り返
し実行することによって、所望の回路パターンを、ウェ
ハ６４に露光することができる。

【００３８】図２は、マスク３０の一例である。マスク
３０は、パターンブロックＰ、誘導ブロック（Ａ１、Ａ
２、Ａ３、Ｂ１、Ｂ２・・・）、調整用ブロック（Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ）、基準ブロックＯを備える。パターンブロ
ックＰは、ウェハ６４に露光すべき電子回路パターンを
有する。基準ブロックＯは、所定の開口面積を有し、マ
スク３０の所定の位置に形成される。例えば、基準ブロ
ックＯは、マスク用投影系１１２が有する第１偏向器１
８、第２偏向器２２及び第３偏向器２６が電子ビームを
偏向しない場合に、電子ビームが照射される位置に形成
されてもよい。

【００３９】誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４
は、調整用ブロックＡを検出するために用いられる。誘
導ブロックＡ１は、基準ブロックＯから所定の距離に形
成される。例えば、所定の距離は、第１偏向器１８、第
２偏向器２２及び第３偏向器２６が電子ビームを偏向す
べき位置と、第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３
偏向器２６が電子ビームを実際に偏向した位置との差で
ある偏向誤差により、基準ブロックＯから誘導ブロック
Ａ１へ偏向した場合に、電子ビームが誘導ブロックＡ１
を照射しないことが無いような距離であってよい。ま
た、所定の距離は、基準ブロックＯから誘導ブロックＡ
１へ電子ビームを偏向した場合に、電子ビームが偏向さ
れるべき位置と電子ビームが実際に偏向され得る位置と
の差である偏向誤差と、基準ブロックＯと電子ビームが
偏向されるべき位置の間隔との差より短い距離であって
よい。例えば、所定の距離は、基準ブロックＯから誘導
ブロックＡ１へ電子ビームを偏向した場合に、少なくと
も誘導ブロックＡ１の一部を電子ビームが照射する距離
であることが好ましい。

【００４０】例えば、所定の距離は、マスクステージ座
標系とマスク座標系とのずれにより生じる誤差の影響が
少ない距離であってよい。例えば、所定の距離は、第一
の位置からマスク座標系における第二の位置にあるブロ
ックに電子ビームを偏向させる場合に、第二の位置に該
当するブロックの一部に電子ビームが照射される距離で
あってよい。例えば、マスクステージ座標系の原点と、
マスク座標系の原点とが一致し、マスクステージ座標系
に対して、マスク座標系がθラジアン回転しており、誘
導ブロックＡ１が、一辺の長さがＷの矩形の開口部を有
する場合に、所定の距離ｌは、ｌ・θ＜Ｗ／２を満たし
てもよい。

【００４１】また、誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３は、
基準ブロックＯと調整用ブロックＡとの間に形成される
ことが好ましい。また、誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３
は、直線状に配置されてもよい。また、誘導ブロックＡ
１、Ａ２、Ａ３は、基準ブロックＯと、調整用ブロック
Ａとを結ぶ直線上に配置されてもよい。他の形態におい
て、誘導ブロックは、基準ブロックと調整用ブロックと
の間に複数形成されてよい。また、基準ブロック、誘導
ブロック、及び調整用ブロックのそれぞれの間隔は、所
定の距離であることが好ましい。更に、基準ブロック、
誘導ブロック、及び調整用ブロックのそれぞれの間隔
が、所定の距離より短いことが好ましい。基準ブロッ
ク、誘導ブロック及び調整用ブロックのそれぞれの間隔
が、所定の距離であることにより、基準ブロック、誘導
ブロック及び調整用ブロックのいずれかのブロックか
ら、このブロックに最も近い基準ブロック、誘導ブロッ
ク及び調整用ブロックのいずれかに電子ビーム偏向した
場合に、ブロックの少なくとも一部に電子ビームを照射
することができる。

【００４２】誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれ
異なる開口面積の開口部を有する。例えば、誘導ブロッ
クＡ２及びＡ３は、誘導ブロックＡ１の開口面積の整数
倍の開口面積の開口部を有してもよい。例えば、誘導ブ
ロックＡ１、Ａ２、Ａ３を通過する電子ビームの電子量
が、それぞれ異なるように開口部が形成されることが好
ましく、誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３を通過する電子
ビームの電子量が明確に異なるように開口部が形成され
ることが好ましい。

【００４３】調整用ブロックＢ、Ｃ、Ｄと基準ブロック
Ｏとの間にも、それぞれ誘導ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ
３、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が形成され
る。それぞれのブロックの配置などは誘導ブロックＡ１
で説明した配置と同一なので説明を省略する。

【００４４】図３は、校正関数算出部２００の一つの実
施形態における機能ブロック図である。校正関数算出部
２００は、図２を用いて説明したマスク３０をマスクス
テージ７２に載置した場合に、校正関数を算出する。校
正関数算出部２００は、ブロック位置格納部２０２、ブ
ロック検出部２１０、基準電子量格納部２１８、偏向デ
ータ格納部２２０及び算出部２２２を備える。ブロック
位置格納部２０２は、基準ブロック位置格納部２０４、
誘導ブロック位置格納部２０６及び調整用ブロック位置
格納部２０８を有する。ブロック検出部２１０は、基準
ブロック検出部２１２、誘導ブロック検出部２１４及び
調整用ブロック検出部２１６を有する。

【００４５】基準ブロック位置格納部２０４は、基準ブ
ロックＯのマスクにおける位置情報を格納する。例え
ば、基準ブロック位置格納部２０４は、基準ブロックＯ
のマスク座標系における座標値を格納してもよい。例え
ば、基準ブロック位置格納部２０４は、基準ブロックＯ
の位置情報と、開口面積に関する情報とを対応付けて格
納してもよい。例えば、開口面積に関する情報は、開口
率であってよい。

【００４６】誘導ブロック位置格納部２０６は、誘導ブ
ロック（Ａ１、Ａ２・・・）のマスクにおける位置情報
を格納する。例えば、誘導ブロック位置格納部２０６
は、誘導ブロック（Ａ１、Ａ２・・・）のマスク座標系
における座標値を格納する。例えば、誘導ブロック位置
格納部２０６は、誘導ブロック（Ａ１、Ａ２・・・）の
位置情報と、それぞれの誘導ブロックの開口面積に関す
る情報とを対応付けて格納してもよい。例えば、開口面
積に関する情報は、開口率であってよい。

【００４７】調整用ブロック位置格納部２０８は、調整
用ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマスクにおける位置情
報を格納する。例えば、調整用ブロック位置格納部２０
８は、調整用ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマスク座標
系における座標値を格納する。例えば、調整用ブロック
位置格納部２０８は、調整用ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ）の位置情報と、それぞれの調整用ブロックの開口面
積に関する情報とを対応付けて格納してもよい。例え
ば、開口面積に関する情報は、開口率であってよい。

【００４８】基準ブロック検出部２１２は、基準ブロッ
クＯを検出して、検出した基準ブロックを通過した電子
ビームの電子量を基準電子量格納部２１８に格納させ
る。基準ブロック検出部２１２は、基準ブロック位置格
納部２０４に格納された基準ブロックＯの位置情報に基
づいて、偏向制御部８２に電子ビームを偏向させる。図
２を用いて説明したマスク３０の基準ブロックＯは、マ
スク用投影系１１２が有する第１偏向器１８、第２偏向
器２２及び第３偏向器２６が電子ビームを偏向しない場
合に、電子ビームが照射される位置に形成されているの
で、基準ブロック検出部２１２は、電子ビームを偏向し
ないことを偏向制御部８２に指示する。基準ブロック検
出部２１２は、電子量検出部９３から供給される電子量
に基づいて、基準ブロックＯを通過した電子量が最大に
なるように偏向制御部８２に電子ビームを偏向すること
を指示する。電子量検出部９３から供給される電子量が
最大になった場合に、基準ブロック検出部２１２は、電
子量検出部９３から供給された電子量を基準電子量とし
て基準電子量格納部２１８に格納させる。また、基準ブ
ロック検出部２１２は、電子量検出部９３から供給され
る電子量が最大になった場合に、誘導ブロックの検出を
開始することを誘導ブロック検出部２１４に指示する。

【００４９】誘導ブロック検出部２１４は、基準ブロッ
ク検出部２１２から誘導ブロックの検出を開始すること
を指示された場合に、誘導ブロックを検出する処理を開
始する。誘導ブロック検出部２１４は、誘導ブロック位
置格納部２０６に格納された誘導ブロック（Ａ１、Ａ２
・・・）の位置情報に基づいて、電子ビームを偏向する
ことを偏向制御部８２に指示する。図２を用いて説明し
たマスク３０は、偏向誤差の影響を受けた場合にも、誘
導ブロックの少なくとも一部を電子ビームが照射するよ
うに誘導ブロックを有するので、誘導ブロック検出部２
１４が誘導ブロック位置格納部２０６に格納された誘導
ブロック（Ａ１、Ａ２・・・）の位置情報に基づいて、
電子ビームを偏向することを偏向制御部８２に指示した
場合にも、電子ビームは、誘導ブロックの少なくとも一
部を照射する。

【００５０】誘導ブロック検出部２１４は、電子量が最
大になるように偏向制御部８２に電子ビームを偏向する
ことを指示する。電子量が最大になった場合に、検出し
た電子量と、基準電子量格納部２１８に格納されている
電子量と、誘導ブロック位置格納部２０６に格納されて
いる開口面積に関する情報とに基づいて、検出した誘導
ブロックが所望する誘導ブロックか否かを判定する。例
えば、誘導ブロックの開口面積が、基準ブロックの開口
面積の半分の場合に、検出した誘導ブロックを通過した
電子ビームの電子量は、基準電子量格納部２１８に格納
された基準電子量のほぼ半分になる。それぞれ異なる開
口面積の開口部を誘導ブロックに形成することにより、
電子量検出部９３から供給される電子量がそれぞれ異な
る。電子量がそれぞれ異なることにより、誘導ブロック
検出部２１４は検出した誘導ブロックがいずれの誘導ブ
ロックかを判定することができる。

【００５１】検出した誘導ブロックが所望する誘導ブロ
ックであると判定した場合に、偏向制御部８２に指示し
た偏向データを偏向データ格納部２２０に格納させる。
また、電子量が最大になった場合に、誘導ブロックＡ１
から誘導ブロック位置格納部２０６に格納された誘導ブ
ロックＡ２の位置へ電子ビームを偏向することを偏向制
御部８２に指示する。誘導ブロック検出部２１４は、誘
導ブロックを順次検出して、検出した時の偏向データを
偏向データ格納部２２０に格納させる。所定の調整用ブ
ロックを検出するために設けられた全ての誘導ブロック
を検出した場合に、誘導ブロック検出部２１４は、調整
用ブロックの検出を開始することを調整用ブロック検出
部２１６に指示する。例えば、図２を用いて説明したマ
スクの場合、調整用ブロックＡを検出するために設けら
れた、誘導ブロックＡ１、Ａ２及びＡ３を検出した倍
に、誘導ブロック検出部２１４は、調整用ブロックＡの
検出を開始することを調整用ブロック検出部２１６に指
示する。

【００５２】調整用ブロック検出部２１６は、誘導ブロ
ック検出部２１４から調整用ブロックの検出を開始する
ことを指示された場合に、調整用ブロックを検出する処
理を開始する。調整用ブロック検出部２１６は、調整用
ブロック位置格納部２０８に格納された調整用ブロック
の位置情報に基づいて、電子ビームを偏向することを偏
向制御部８２に指示する。図２を用いて説明したマスク
３０は、偏向誤差の影響を受けた場合にも、調整用ブロ
ックの少なくとも一部を電子ビームが照射するように誘
導ブロックを有するので、調整用ブロック検出部２１６
が調整用ブロック位置格納部２０８に格納された調整用
ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の位置情報に基づいて、電
子ビームを偏向することを偏向制御部８２に指示した場
合にも、電子ビームは、調整用ブロックの少なくとも一
部を照射する。

【００５３】調整用ブロック検出部２１６は、電子量が
最大になるように偏向制御部８２に電子ビームを偏向す
ることを指示する。電子量が最大になった場合に、検出
した電子量と、基準電子量格納部２１８に格納されてい
る電子量と、調整用ブロック位置格納部２０８に格納さ
れている開口面積に関する情報とに基づいて、検出した
調整用ブロックが所望する調整用ブロックか否かを判定
する。調整用ブロックであると判定した場合に、偏向デ
ータを偏向データ格納部２２０に格納する。校正関数を
算出するのに必要な全ての調整用ブロックの偏向データ
を偏向データ格納部２２０に格納した場合に、算出部２
２２は、偏向データ格納部２２０に格納されている偏向
データに基づいて校正関数を算出する。算出部２２２は
算出した校正関数を統括制御部１３０に出力する。従っ
て、図２を用いて説明したマスク３０と、校正関数算出
部２００により校正関数を算出することができる。

【００５４】図４は、誘導ブロック検出部２１４の一つ
の実施形態における機能ブロック図である。誘導ブロッ
ク検出部２１４は、粗偏向指示部２２４、調整部２２６
及び比較部２２８を有する。比較部２２８は、電子量検
出部９３から供給される電子量を一時的に格納する電子
量一時格納部２２９を有する。粗偏向指示部２２４は、
誘導ブロック位置格納部２０６に格納されている誘導ブ
ロックの位置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビー
ムを偏向することを指示する。比較部２２８は、電子量
検出部９３から供給される電子量と、電子量一時格納部
２２９に格納されている電子量とを比較して、比較結果
を調整部２２６に出力する。調整部２２６は、比較部２
２８から供給される比較結果に基づいて偏向制御部８２
に電子ビームを偏向することを指示する。例えば、調整
部２２６は、電子量検出部９３から供給される電子ビー
ムの電子量が最大になるように偏向制御部８２に電子ビ
ームを偏向することを指示する。

【００５５】電子量が最大になった場合に、検出した電
子量と、基準電子量格納部２１８とを比較して所望の誘
導ブロックか否かを判定する。所望の誘導ブロックであ
ると判定した場合に、比較部２２８は、偏向データを偏
向データ格納部２２０に格納することを調整部２２６に
指示する。調整部２２６は、偏向データを格納すること
を指示された場合に、偏向データ格納部２２０に偏向デ
ータを格納する。従って、誘導ブロック検出部２１４
は、誘導ブロックを検出することができる。図３を用い
て説明した基準ブロック検出部２１２及び調整用ブロッ
ク検出部２１６は、図４を用いて説明した誘導ブロック
検出部２１４の機能ブロックと同一の構成を有してもよ
く、同一の構成を有する場合、粗偏向指示部２２４が位
置情報を取得する格納部が異なる。

【００５６】図５及び図６は、校正関数算出部２００に
おける校正関数を算出するまでのフローチャートであ
る。また、図５及び図６において、図５のＡと図６Ａ’
の処理がつながり、図５のＢと図６Ｂ’の処理がつなが
る。基準ブロック検出部２１２は基準ブロックＯを検出
する（ステップＳ１０）。基準ブロックＯを検出した
後、基準ブロック検出部２１２は、誘導ブロックを検出
することを誘導ブロック検出部２１４に指示する。誘導
ブロック検出部２１４は、誘導ブロック位置格納部２０
６に格納された誘導ブロックの位置情報に基づいて、偏
向制御部８２に電子ビームを偏向する指示をする（ステ
ップＳ１２）。例えば、誘導ブロック位置格納部２０６
は、誘導ブロックの位置情報を基準ブロックＯから近い
順に格納してよく、誘導ブロック検出部２１４は、誘導
ブロック位置格納部２０６に格納された順番に、誘導ブ
ロックを検出してもよい。例えば、図２を用いて説明し
たマスク３０の場合、誘導ブロック位置格納部２０６
は、誘導ブロックＡ１、誘導ブロックＡ２、誘導ブロッ
クＡ３の順番でマスク３０における位置情報を格納して
もよい。

【００５７】誘導ブロック検出部２１４が、誘導ブロッ
ク位置格納部２０６に格納されている誘導ブロックの位
置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビームを偏向す
ることを指示した後、電子量検出部９３は、電子ビーム
の電子量を測定する（ステップＳ１４）。比較部２２８
は、電子量検出部９３から供給される電子量と、電子量
一時格納部２２９に格納されている電子量とを比較し
て、電子量が最大か否かを判定する（ステップＳ１
６）。また、比較部２２８は、電子量一時格納部２２９
に電子量が格納されていない場合に、電子量検出部９３
から供給される電子量を電子量一時格納部２２９に格納
する。電子量が最大の場合、調整部２２６は、偏向デー
タを偏向データ格納部２２０に格納する（ステップＳ１
８）。電子量が最大ではない場合、調整部２２６は偏向
制御部８２に電子ビームを偏向量を調整することを指示
する（ステップＳ２２）。

【００５８】偏向データを偏向データ格納部２２０に偏
向した後、粗偏向指示部２２４は所望の調整用ブロック
を検出するために設けられた誘導ブロックの全てを検出
したか否かを判定する（ステップＳ２０）。例えば、図
２を用いて説明したマスク３０の場合、誘導ブロックＡ
１、誘導ブロックＡ２及び誘導ブロックＡ３を検出した
か否かを判定する。誘導ブロックＡ３を検出した後、誘
導ブロック検出部２１４は、調整用ブロックを検出する
ことを調整用ブロック検出部２１６に指示する。調整用
ブロック検出部２１６は、調整用ブロック位置格納部２
０８に格納された調整用ブロックの位置情報に基づいて
偏向制御部８２に電子ビームを偏向する指示をする（ス
テップＳ２４）。調整用ブロック検出部２１６が、調整
用ブロック位置格納部２０８に格納されている調整用ブ
ロックの位置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビー
ムを偏向することを指示した後、電子量検出部９３は電
子ビームの電子量を測定する（ステップＳ２６）。

【００５９】調整用ブロック検出部２１６は、電子量検
出部９３から供給される電子量が最大か否かを判定する
（ステップＳ２８）。電子量が最大ではない場合に、調
整用ブロック検出部２１６は、偏向制御部８２に電子ビ
ームを偏向する偏向量を調整することを指示する（ステ
ップＳ３２）。調整用ブロック検出部２１６は、電子量
が最大の場合に、偏向データを偏向データ格納部２２０
に格納する（ステップＳ３０）。調整用ブロック検出部
２１６は、校正関数を算出することができるか否かを判
定する（ステップＳ３４）。例えば、調整用ブロック検
出部２１６は、調整用ブロック位置格納部２０８に格納
された全ての調整用ブロックに対応する偏向データを偏
向データ格納部２２０に格納したか否かに基づいて、校
正関数を算出するのに用いる偏向データがあるか否かを
判定してもよい。校正関数を算出できないと判定した場
合に、調整用ブロック検出部２１６は、誘導ブロック検
出部２１４にステップＳ１２の処理を開始させる。例え
ば、調整ブロックＡの偏向データを偏向データ格納部２
２０に格納した後、調整用ブロック検出部２１６は、調
整ブロックＢを検出するために設けられた誘導ブロック
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３を検出することを誘導ブロック検出部
２１４に指示してもよい。

【００６０】ステップＳ３４において、校正関数を算出
できる判定した場合に、調整用ブロック検出部２１６
は、算出部２２２に校正関数を算出することを指示す
る。算出部２２２は、偏向データ格納部２２０に格納さ
れた偏向データに基づいて校正関数を算出する（ステッ
プＳ３６）。従って、図２を用いて説明したマスク３０
と校正関数算出部２００により校正関数を算出すること
ができる。

【００６１】図７は、図５を用いて説明した基準ブロッ
クを検出する処理のフローチャートである。基準ブロッ
クを検出する場合に、基準ブロック検出部２１２は、基
準ブロック位置格納部２０４に格納された基準ブロック
Ｏの位置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビームを
偏向することを指示する（ステップＳ４０）。例えば、
図２を用いて説明したマスク３０の場合、基準ブロック
検出部２１２は、偏向制御部８２に電子ビームを偏向し
ないことを指示する。電子量検出部９３を電子ビームの
電子量を測定する（ステップＳ４２）。基準ブロック検
出部２１２は、電子量が最大か否かを判定する（ステッ
プＳ４４）。電子量が最大と判定した場合に、基準ブロ
ック検出部２１２は、検出した電子量を基準電子量とし
て基準電子量格納部２１８に格納する（ステップＳ４
６）。また、基準ブロック検出部２１２は、誘導ブロッ
クを検出することを誘導ブロック検出部２１４に指示す
る。ステップＳ４４において、電子量が最大ではないと
判定した場合に、基準ブロック検出部２１２は、偏向制
御部８２に電子ビームを偏向する偏向量を調整すること
を指示する（ステップＳ４８）。他の形態において、ス
テップＳ４４において、電子量が最大ではないと判定し
た場合に、基準ブロック検出部２１２は、マスクステー
ジ制御部８４にマスクステージ７２を移動することを指
示してもよい。例えば、基準ブロック検出部２１２は、
電子ビームを偏向しない状態で、電子量が最大になるよ
うにマスクステージ７２を移動してもよい。

【００６２】図８（ａ）は、マスク３０の他の例であ
る。マスク３０は、基準ブロックＯ’、誘導ブロック
（Ｅ１、Ｅ２・・・）、調整用ブロック（Ｅ、Ｆ、Ｇ、
Ｈ）を有する。調整用ブロックＥを検出するために、誘
導ブロックＥ１及びＥ２が形成される。調整用ブロック
Ｆを検出するために、誘導ブロックＦ１及びＦ２が形成
される。調整用ブロックＧを検出するために、誘導ブロ
ックＧ１及びＧ２が形成される。調整用ブロックＨを検
出するために、誘導ブロックＨ１及びＨ２が形成され
る。

【００６３】図８（ｂ）は、図８（ａ）を用いて説明し
たマスク３０が有する誘導ブロックＥ１である。誘導ブ
ロックＥ１は、中心開口部２５０及び周辺開口部（２５
２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）を有する。周
辺開口部（２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ及び２５２
ｄ）は、中心開口部２５０の周囲に形成される。中心開
口部２５０を誘導ブロックＥ１の中心部分に形成するこ
とにより、誘導ブロックＥ１の中心に電子ビームを偏向
することができる。例えば、中心開口部２５０の開口面
積を小さくすることにより、電子ビームを誘導ブロック
Ｅ１の中心に偏向することができる。しかしながら、中
心開口部２５０だけでは偏向誤差により、電子ビームが
中心開口部２５０に照射されない場合がある。そこで、
中心開口部２５０の周辺に周辺開口部（２５２ａ、２５
２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）を形成することにより、
偏向誤差により電子ビームが誘導ブロックからずれた場
合でも、少なくとも電子ビームの一部が周辺開口部（２
５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）に照射され
るようにできる。従って、誘導ブロックＥ１により電子
ビームを誘導ブロックＥ１の中心に偏向することができ
る。図８（ａ）を用いて説明したそれぞれの誘導ブロッ
クが図８（ｂ）を用いて説明した誘導ブロックＥ１と同
様に中心開口部２５０及び周辺開口部（２５２ａ、２５
２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）を備えてよい。図８
（ｂ）において、それぞれの誘導ブロックがそれぞれ異
なる開口面積の中心開口部２５０を有してもよい。誘導
ブロックが図８（ｂ）を用いて説明した構成であること
により、電子ビームを図２を用いて説明したマスクを用
いた場合より誘導ブロックの中心に変更することができ
る。

【００６４】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。

【００６５】

【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば偏向部の偏向量を容易に調整することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電子露光装置の一つの実施形態における機能ブ
ロック図である。

【図２】マスクの一例である。

【図３】校正関数算出部２００の一つの実施形態におけ
る機能ブロック図である。

【図４】誘導ブロック検出部２１４の一つの実施形態に
おける機能ブロック図である。

【図５】校正関数算出部２００における校正関数を算出
する処理のフローチャートである。

【図６】校正関数算出部２００における校正関数を算出
する処理のフローチャートである。

【図７】基準ブロックを検出する処理のフローチャート
である。

【図８】マスクの他の例である。

【符号の説明】

１０・・・筐体、１２・・・電子銃、１４・・・第１電
子レンズ、１６・・・スリット部、１８・・・第１偏向
器、２０・・・第２電子レンズ、２２・・・第２偏向
器、２４・・・第１ブランキング偏向器、２６・・・第
３偏向器、２８・・・第３電子レンズ、３０・・・マス
ク、３２・・・第４電子レンズ、３４・・・第４偏向
器、３６・・・第２ブランキング偏向器、３８・・・第
５偏向器、４０・・・第５電子レンズ、４２・・・第６
偏向器、４６・・・第６電子レンズ、４８・・・ラウン
ドアパーチャ、５０・・・第７電子レンズ、５２・・・
第８電子レンズ、５６・・・主偏向器、５８・・・副偏
向器、６０・・・電子検出器、６２・・・ウェハステー
ジ、６４・・・ウェハ、６６・・・第９電子レンズ、６
８・・・マスクステージ駆動部、７０・・・ウェハステ
ージ駆動部、７２・・・マスクステージ、８２・・・偏
向制御部、８４・・・マスクステージ制御部、８６・・
・ブランキング電極制御部、８８・・・電子レンズ制御
部、９０・・・反射電子処理部、９２・・・ウェハステ
ージ制御部、１００・・・電子ビーム露光装置、１１０
・・・電子ビーム照射系、１１２・・・マスク用投影
系、１１４・・・焦点調整レンズ系、１１６・・・ウェ
ハ用投影系、１２０・・・個別制御部、１３０・・・統
括制御部、１４０・・・制御系、１５０・・・露光部、
２２０・・・増幅部、２２２・・・微分処理部、２２４
・・・平均化処理部、２２６・・・信号出力部、２３０
・・・増幅信号、２３２・・・微分信号、２５０・・・
検出パターンビーム生成マスク、２５２・・・透過領
域、３００・・・電子銃、３０２・・・マスク、３０４
・・・電子レンズ、３０６・・・マーク、３０８・・・
テーブル、３１０・・・反射電子検出部、３１２・・・
電子レンズ制御部、３１４・・・反射電子、３１５・・
・矩形ビーム、３１６・・・焦点判定部、９３・・・電
子量検出部、１７０・・・ファラデーカップ、２００・
・・校正関数算出部、２０２・・・ブロック位置格納
部、２０４・・・基準ブロック位置格納部、２０６・・
・誘導ブロック位置格納部、２０８・・・調整用ブロッ
ク位置格納部、２１０・・・ブロック検出部、２１２・
・・基準ブロック検出部、２１４・・・誘導ブロック検
出部、２１６・・・調整用ブロック検出部、２１８・・
・基準電子量格納部、２２０・・・偏向データ格納部、
２２２・・・算出部、２２４・・・粗偏向指示部、２２
６・・・調整部、２２８・・・比較部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｓ

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子ビームを照射してウェハに所定の電
   子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置に設けら
   れるマスクであって、 前記所定の電子回路パターンと断面形状が略同一の電子
   ビームを生成するために用いられるパターンブロック
   と、 前記電子ビームを偏向する偏向部の偏向量を調整するた
   めに用いられる調整用ブロックと、 前記調整用ブロックを検出するために用いられる誘導ブ
   ロックとを備えることを特徴とするマスク。
2. 【請求項２】 前記調整用ブロックと前記誘導ブロック
   との間隔は、前記誘導ブロックから前記調整用ブロック
   に前記電子ビームを偏向した場合に、前記電子ビームが
   偏向されるべき位置と前記電子ビームが実際に偏向され
   得る位置の差である偏向誤差と、前記誘導ブロックと前
   記電子ビームが偏向されるべき位置の間隔との差より狭
   いことを特徴とする請求項１記載のマスク。
3. 【請求項３】 前記間隔で前記誘導ブロックを複数有す
   ることを特徴とする請求項２に記載のマスク。
4. 【請求項４】 前記調整用ブロックと複数の前記誘導ブ
   ロックは直線状に配置されることを特徴とする請求項３
   に記載のマスク。
5. 【請求項５】 前記複数の誘導ブロックの少なくとも１
   つは、前記偏向部が前記電子ビームを偏向しない場合
   に、前記電子ビームにより照射される位置に配置される
   基準ブロックであることを特徴とする請求項３または４
   に記載のマスク。
6. 【請求項６】 前記基準ブロックと前記誘導ブロック
   は、同一の開口率であることを特徴とする請求項５に記
   載のマスク。
7. 【請求項７】 前記誘導ブロックは、それぞれ異なる開
   口率であることを特徴とする請求項３から５のいずれか
   に記載のマスク。
8. 【請求項８】 前記調整用ブロックを複数備え、 前記誘導ブロックは、前記基準ブロックと前記調整用ブ
   ロックのそれぞれを結ぶ直線上に配置されることを特徴
   とする請求項５から７のいずれかに記載のマスク。
9. 【請求項９】 電子ビームを照射してウェハに所定の電
   子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置に設ける
   マスクの所定の位置に電子ビームを偏向する偏向部を調
   整する校正方法であって、 前記所定の電子回路パターンと同一の形状の電子ビーム
   を生成するために用いられるパターンブロックと、前記
   偏向部の偏向量を調整するために用いられる調整用ブロ
   ックと、前記調整用ブロックを検出するために用いられ
   る誘導ブロックとを有するマスクを前記電子ビーム露光
   装置に取り付けるステップと、 前記電子ビームを偏向して前記誘導ブロックを検出する
   誘導ブロック検出ステップと、 前記誘導ブロック検出ステップにより検出された前記誘
   導ブロックから前記電子ビームを偏向して前記調整用ブ
   ロックを検出する調整用ブロック検出ステップと、 前記調整用ブロック検出ステップが前記調整用ブロック
   を検出した場合の、前記偏向部の前記偏向量に基づいて
   前記偏向部を調整するステップとを備えることを特徴と
   する校正方法。
10. 【請求項１０】 前記マスクは第１の誘導ブロックと、
    第２の誘導ブロックとを含む複数の前記誘導ブロックを
    有し、 前記誘導ブロック検出ステップは、前記第１の誘導ブロ
    ックを検出した後、前記第１の誘導ブロックから前記電
    子ビームを偏向して前記第２の誘導ブロックを検出する
    ことを特徴とする請求項９に記載の校正方法。
11. 【請求項１１】 前記複数の誘導ブロックの少なくとも
    １つは、前記偏向部が前記電子ビームを偏向しない場合
    に、前記電子ビームにより照射される位置に配置される
    基準ブロックであり、 前記基準ブロックを通過した前記電子ビームの電子量で
    ある基準電子量を検出するステップを更に備え、 前記誘導ブロック検出ステップは、前記基準電子量と前
    記誘導ブロックを通過した前記電子ビームの電子量とに
    基づいて前記誘導ブロックを検出することを特徴とする
    請求項１０に記載の校正方法。
12. 【請求項１２】 電子ビームを照射してウェハに所定の
    電子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置であっ
    て、 前記所定の電子回路パターンと同一の形状の電子ビーム
    を生成するのに用いるパターンブロックと、前記電子ビ
    ームを偏向する偏向部の偏向量を調整するために用いる
    調整用ブロックと、前記調整用ブロックを検出するため
    に用いる誘導ブロックとを有するマスクを載置するマス
    クステージと、 前記電子ビームを偏向する偏向部と、 前記マスクを前記マスクステージに載置した場合に、前
    記偏向部が、前記マスクの任意のブロックに前記電子ビ
    ームを偏向するように前記偏向部の調整をするために用
    いる校正関数を算出する校正関数算出部と、 前記電子ビームにより前記ウェハに像を結ばせる電子レ
    ンズと、を備えることを特徴とする電子ビーム露光装
    置。
13. 【請求項１３】 前記電子ビームの電子量を測定する電
    子量測定部を更に備え、 前記校正関数算出部は、 前記マスクにおける前記誘導ブロックの位置と、前記マ
    スクにおける前記調整用ブロックの位置を格納するブロ
    ック位置格納部と、 前記ブロック位置格納部に格納された前記誘導ブロック
    の位置と、前記電子量とに基づいて前記誘導ブロックを
    検出する誘導ブロック検出部と、 前記誘導ブロック検出部が検出した前記誘導ブロックか
    ら、前記ブロック位置格納部に格納された前記調整用ブ
    ロックの位置に基づいて特定される前記マスクステージ
    における位置へ前記電子ビームを偏向して前記調整用ブ
    ロックを検出する調整用ブロック検出部と、 前記調整用ブロック検出部が検出した前記調整用ブロッ
    クの位置へ、前記電子ビームを偏向する前記偏向量に基
    づいて前記校正関数を算出する算出部とを有することを
    特徴とする請求項１２に記載の電子ビーム露光装置。
14. 【請求項１４】 前記マスクは、前記偏向部が前記電子
    ビームを偏向しない場合に、前記電子ビームにより照射
    される位置に配置される基準ブロックを有し、 前記校正関数算出部は、 前記基準ブロックを検出する基準ブロック検出部と、 前記基準ブロックを通過した前記電子ビームの電子量で
    ある基準電子量を格納する基準電子量格納部とを更に有
    し、 前記誘導ブロック検出部は、前記基準電子量と、前記誘
    導ブロックを通過した前記電子ビームの前記電子量とに
    基づいて前記誘導ブロックを検出することを特徴とする
    請求項１３に記載の電子ビーム露光装置。
15. 【請求項１５】 前記ブロック位置格納部は前記誘導ブ
    ロックの前記マスクにおける位置と、前記誘導ブロック
    の前記電子ビームを通過させる開口部の開口面積に関す
    る開口情報とを対応付けて格納し、 前記誘導ブロック検出部は、前記開口情報と、前記電子
    量とに基づいて前記誘導ブロックを検出することを特徴
    とする請求項１３または１４に記載の電子ビーム露光装
    置。
16. 【請求項１６】 前記開口情報は、前記基準ブロックの
    前記開口面積と、前記誘導ブロックの前記開口面積との
    面積比であって、 前記誘導ブロック検出部は、前記基準電子量と前記面積
    比から算出される理想電子量と、前記電子量とに基づい
    て前記誘導ブロックを検出することを特徴とする請求項
    １５に記載の電子ビーム露光装置。