JP2002043723A - 配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール - Google Patents
配線基板およびこれを用いた電子部品モジュールInfo
- Publication number
- JP2002043723A JP2002043723A JP2000223793A JP2000223793A JP2002043723A JP 2002043723 A JP2002043723 A JP 2002043723A JP 2000223793 A JP2000223793 A JP 2000223793A JP 2000223793 A JP2000223793 A JP 2000223793A JP 2002043723 A JP2002043723 A JP 2002043723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solder resist
- resist layer
- wiring
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 湿中放置試験や温度サイクル試験・高加速度
試験等の信頼性試験で良好な信頼性が得られない。 【解決手段】 絶縁基板1の表面に、配線導体層2を被
着形成するとともに、その配線導体層2の一部を覆って
ソルダーレジスト層3を被着して成る配線基板4であっ
て、ソルダーレジスト層3は感光性樹脂を主成分とする
下層部3aと熱硬化性樹脂を主成分とする上層部3bと
から成り、かつ上層部3bの透湿量がJIS Z 0208に規定
された方法により測定して20〜150g/m2であること
を特徴とするものである。湿中放置試験等の信頼性試験
において配線導体層2が腐蝕したり、めっき時にソルダ
ーレジスト層3が絶縁基板1から剥離して配線導体層2
が断線したりすることがない。また、高加速度試験(H
AST)を行ったとしても、抵抗値が短時間で低下した
り電気的短絡が短時間で発生することがない。
試験等の信頼性試験で良好な信頼性が得られない。 【解決手段】 絶縁基板1の表面に、配線導体層2を被
着形成するとともに、その配線導体層2の一部を覆って
ソルダーレジスト層3を被着して成る配線基板4であっ
て、ソルダーレジスト層3は感光性樹脂を主成分とする
下層部3aと熱硬化性樹脂を主成分とする上層部3bと
から成り、かつ上層部3bの透湿量がJIS Z 0208に規定
された方法により測定して20〜150g/m2であること
を特徴とするものである。湿中放置試験等の信頼性試験
において配線導体層2が腐蝕したり、めっき時にソルダ
ーレジスト層3が絶縁基板1から剥離して配線導体層2
が断線したりすることがない。また、高加速度試験(H
AST)を行ったとしても、抵抗値が短時間で低下した
り電気的短絡が短時間で発生することがない。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ソルダーレジスト
層を有する配線基板およびこれを用いた電子部品モジュ
ールに関するものであり、特に、外部電気回路基板への
実装時の熱履歴や温度サイクル試験(TCT)に対する
耐熱疲労性および高加速度試験(HAST)に対する耐
湿性等に優れた配線基板およびこれを用いた電子部品モ
ジュールに関するものである。
層を有する配線基板およびこれを用いた電子部品モジュ
ールに関するものであり、特に、外部電気回路基板への
実装時の熱履歴や温度サイクル試験(TCT)に対する
耐熱疲労性および高加速度試験(HAST)に対する耐
湿性等に優れた配線基板およびこれを用いた電子部品モ
ジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子等の能動部品や容量素
子・抵抗器等の受動部品で所定の電子回路を構成して成
る混成集積回路装置等の電子部品モジュールは、通常、
酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料から成る
絶縁基体の内部および表面にタングステン・モリブデン
等の高融点金属粉末から成る複数の配線導体層を形成し
て製作した配線基板の表面に、半導体素子や容量素子・
抵抗器等を搭載取着するとともにこれらの電極を各配線
導体層に電気的に接続することによって形成されてい
る。
子・抵抗器等の受動部品で所定の電子回路を構成して成
る混成集積回路装置等の電子部品モジュールは、通常、
酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料から成る
絶縁基体の内部および表面にタングステン・モリブデン
等の高融点金属粉末から成る複数の配線導体層を形成し
て製作した配線基板の表面に、半導体素子や容量素子・
抵抗器等を搭載取着するとともにこれらの電極を各配線
導体層に電気的に接続することによって形成されてい
る。
【0003】しかしながら、このような配線基板は、最
近の電子部品モジュールが移動体通信機器に使用される
部品に代表されるように小型化・薄型化・軽量化が要求
されるようになってきているのに対して、酸化アルミニ
ウム質焼結体等のセラミック材料から成る絶縁基体にタ
ングステンやモリブデン等の高融点金属粉末から成る導
電ペーストをスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して
所定パターンに印刷塗布することにより配線導体層を形
成していることから、配線導体層の微細化が困難で配線
導体層を高密度に形成することができず、その結果、配
線基板を小型化・軽量化することが困難であるいう問題
点を有していた。また、タングステンやモリブデン等の
高融点金属粉末から成る配線導体層は高抵抗であること
から、電気信号を高速に処理することが困難であり、電
気信号の高速処理が要求される最近の半導体素子収納用
パッケージ等には適用が困難であるという問題点を有し
ていた。
近の電子部品モジュールが移動体通信機器に使用される
部品に代表されるように小型化・薄型化・軽量化が要求
されるようになってきているのに対して、酸化アルミニ
ウム質焼結体等のセラミック材料から成る絶縁基体にタ
ングステンやモリブデン等の高融点金属粉末から成る導
電ペーストをスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して
所定パターンに印刷塗布することにより配線導体層を形
成していることから、配線導体層の微細化が困難で配線
導体層を高密度に形成することができず、その結果、配
線基板を小型化・軽量化することが困難であるいう問題
点を有していた。また、タングステンやモリブデン等の
高融点金属粉末から成る配線導体層は高抵抗であること
から、電気信号を高速に処理することが困難であり、電
気信号の高速処理が要求される最近の半導体素子収納用
パッケージ等には適用が困難であるという問題点を有し
ていた。
【0004】このような問題点を解決するために、最近
ではガラス織布やアラミド織布とエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂とから成る絶縁基板の表面に薄膜形成法を採用
して低抵抗金属である銅・金等から成る配線導体層を形
成して成る、いわゆるプリント基板が、配線基板や半導
体素子を収容するパッケージ等に適用されている。
ではガラス織布やアラミド織布とエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂とから成る絶縁基板の表面に薄膜形成法を採用
して低抵抗金属である銅・金等から成る配線導体層を形
成して成る、いわゆるプリント基板が、配線基板や半導
体素子を収容するパッケージ等に適用されている。
【0005】このようなプリント基板は、絶縁基板表面
に、エッチング法や転写法・めっき法等を採用して配線
導体層を被着形成した後、配線導体層の酸化・腐食を防
止するとともに配線基板に電子部品を実装する際の熱か
ら絶縁基板を保護する目的で配線導体層を覆ってソルダ
ーレジスト層を被着形成し、しかる後、ソルダーレジス
ト層に露光・現像法等を採用して開口を形成するととも
に開口から露出する配線導体層にニッケル・金めっきを
施し、さらに、この配線導体層に半田等から成る導体バ
ンプを介して半導体素子等の電子部品の電極を接続する
ことにより半導体装置等の電子部品モジュールと成る。
に、エッチング法や転写法・めっき法等を採用して配線
導体層を被着形成した後、配線導体層の酸化・腐食を防
止するとともに配線基板に電子部品を実装する際の熱か
ら絶縁基板を保護する目的で配線導体層を覆ってソルダ
ーレジスト層を被着形成し、しかる後、ソルダーレジス
ト層に露光・現像法等を採用して開口を形成するととも
に開口から露出する配線導体層にニッケル・金めっきを
施し、さらに、この配線導体層に半田等から成る導体バ
ンプを介して半導体素子等の電子部品の電極を接続する
ことにより半導体装置等の電子部品モジュールと成る。
【0006】なお、ソルダーレジスト層は、一般には、
配線導体層や絶縁基板との密着性が良好で、かつ可撓性
を有し温度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基
板との剥離やクラックを生じない感光性樹脂を用いて形
成されている。
配線導体層や絶縁基板との密着性が良好で、かつ可撓性
を有し温度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基
板との剥離やクラックを生じない感光性樹脂を用いて形
成されている。
【0007】この配線基板は、配線導体層をエッチング
法や転写法・めっき法等の薄膜形成法を採用して形成し
たことから配線導体層の微細化が可能と成り、また、絶
縁基板をガラス織布やアラミド織布とエポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂とから形成したことから小型・軽量なもの
と成り、さらには配線導体層を銅・金等の低抵抗金属で
形成したことから電気信号の高速処理が可能なものと成
るというものである。
法や転写法・めっき法等の薄膜形成法を採用して形成し
たことから配線導体層の微細化が可能と成り、また、絶
縁基板をガラス織布やアラミド織布とエポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂とから形成したことから小型・軽量なもの
と成り、さらには配線導体層を銅・金等の低抵抗金属で
形成したことから電気信号の高速処理が可能なものと成
るというものである。
【0008】しかしながら、この配線基板は、ソルダー
レジスト層を形成する感光性樹脂が水酸基やカルボン酸
基等の吸湿性の高い成分を含有することから耐湿性に劣
り、高湿度の恒温槽中に配線基板を長時間放置する湿中
放置試験等の信頼性試験において水分を吸収し易く、そ
の結果、この水分が配線導体層を腐蝕させてしまい、配
線基板の電気的接続の信頼性を低下させてしまうという
問題点を有していた。
レジスト層を形成する感光性樹脂が水酸基やカルボン酸
基等の吸湿性の高い成分を含有することから耐湿性に劣
り、高湿度の恒温槽中に配線基板を長時間放置する湿中
放置試験等の信頼性試験において水分を吸収し易く、そ
の結果、この水分が配線導体層を腐蝕させてしまい、配
線基板の電気的接続の信頼性を低下させてしまうという
問題点を有していた。
【0009】また、この配線基板は、ソルダーレジスト
層に開口を形成した後にこの開口から露出する配線導体
層にニッケル・金めっきを施す際に、めっき液の強塩基
性溶液がソルダーレジスト層を膨潤させ絶縁基板からソ
ルダーレジスト層を剥離させてしまい、その結果、配線
導体層が絶縁基板から剥離して断線してしまうという問
題点を有していた。
層に開口を形成した後にこの開口から露出する配線導体
層にニッケル・金めっきを施す際に、めっき液の強塩基
性溶液がソルダーレジスト層を膨潤させ絶縁基板からソ
ルダーレジスト層を剥離させてしまい、その結果、配線
導体層が絶縁基板から剥離して断線してしまうという問
題点を有していた。
【0010】このような問題点を解決するために、ソル
ダーレジスト層を構成する樹脂の架橋密度を高めたり、
ソルダーレジスト層にフィラーを高密度に充填してソル
ダーレジスト層の硬度を高めてめっき液によるソルダー
レジスト層の膨潤を防止する方法が提案されている。
ダーレジスト層を構成する樹脂の架橋密度を高めたり、
ソルダーレジスト層にフィラーを高密度に充填してソル
ダーレジスト層の硬度を高めてめっき液によるソルダー
レジスト層の膨潤を防止する方法が提案されている。
【0011】しかしながら、樹脂の架橋密度を高めた場
合には、ソルダーレジスト層の可撓性が低下し温度サイ
クル試験等の耐熱疲労性試験でソルダーレジスト層にク
ラックが発生してしまい、その結果、配線導体層に断線
が発生し配線基板の電気的接続の信頼性が低下してしま
うという問題点を有していた。また、ソルダーレジスト
層にフィラーを高密度に充填した場合には、フィラーを
高密度に充填し密度を高めた分ソルダーレジスト層中の
樹脂量が減少してソルダーレジスト層と絶縁基板との密
着性が低下してしまい、その結果、温度サイクル試験等
の耐熱疲労性試験で絶縁基板とソルダーレジスト層との
間で剥離が発生してしまい、その結果、配線導体層が絶
縁基板から剥離し配線基板の電気的接続の信頼性が低下
してしまうという問題点を有していた。
合には、ソルダーレジスト層の可撓性が低下し温度サイ
クル試験等の耐熱疲労性試験でソルダーレジスト層にク
ラックが発生してしまい、その結果、配線導体層に断線
が発生し配線基板の電気的接続の信頼性が低下してしま
うという問題点を有していた。また、ソルダーレジスト
層にフィラーを高密度に充填した場合には、フィラーを
高密度に充填し密度を高めた分ソルダーレジスト層中の
樹脂量が減少してソルダーレジスト層と絶縁基板との密
着性が低下してしまい、その結果、温度サイクル試験等
の耐熱疲労性試験で絶縁基板とソルダーレジスト層との
間で剥離が発生してしまい、その結果、配線導体層が絶
縁基板から剥離し配線基板の電気的接続の信頼性が低下
してしまうという問題点を有していた。
【0012】このような問題点を解決するために、ソル
ダーレジスト層の表層側の領域にはフィラーを50〜90重
量%と高密度で充填して硬度を高め、絶縁基板側の領域
にはフィラーの充填量を0〜30重量%と少なく充填して
硬度を表層側に較べて低くしたソルダーレジスト層が提
案されている(特開平2000−31628号公報)。このソル
ダーレジスト層によれば、表層側の領域はフィラーを高
密度に充填して硬度を高めたことから、めっき時にソル
ダーレジスト層が膨潤することはなく、絶縁基板からソ
ルダーレジスト層や配線導体層が剥離して配線導体層が
断線してしまうことを防止することができるというもの
である。また、このソルダーレジスト層は、絶縁基板側
の領域のフィラーの充填量を少なくして硬度を表層側に
較べて低くしたことから、ソルダーレジスト層の可撓性
が低下してクラックを生じたりソルダーレジスト層と絶
縁基板との密着性が低下して絶縁基板とソルダーレジス
ト層との間で剥離を生じることはなく、その結果、配線
導体層の断線を防止することができるというものであ
る。
ダーレジスト層の表層側の領域にはフィラーを50〜90重
量%と高密度で充填して硬度を高め、絶縁基板側の領域
にはフィラーの充填量を0〜30重量%と少なく充填して
硬度を表層側に較べて低くしたソルダーレジスト層が提
案されている(特開平2000−31628号公報)。このソル
ダーレジスト層によれば、表層側の領域はフィラーを高
密度に充填して硬度を高めたことから、めっき時にソル
ダーレジスト層が膨潤することはなく、絶縁基板からソ
ルダーレジスト層や配線導体層が剥離して配線導体層が
断線してしまうことを防止することができるというもの
である。また、このソルダーレジスト層は、絶縁基板側
の領域のフィラーの充填量を少なくして硬度を表層側に
較べて低くしたことから、ソルダーレジスト層の可撓性
が低下してクラックを生じたりソルダーレジスト層と絶
縁基板との密着性が低下して絶縁基板とソルダーレジス
ト層との間で剥離を生じることはなく、その結果、配線
導体層の断線を防止することができるというものであ
る。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
ネットワークパソコンや宇宙開発用のスーパーコンピュ
ータ等に使用される高密度実装配線基板ではより高い信
頼性が要求されるようになってきており、従来の配線基
板に半導体素子等の電子部品を半田等の導体バンプを介
して実装して成る電子部品モジュールは、例えば、温度
が130℃で相対湿度が85%の高温高湿槽中で配線基板の
端子間に5.5Vの電圧を連続して印加する高加速度試験
(HAST)を行なうと、高温高湿度中で端子間に電圧
を印加することにより導体バンプの金属がイオン化して
イオンマイグレーションが発生し、隣接する導体バンプ
間の抵抗値が短時間で低下したり導体バンプ間で電気的
短絡が短時間に発生してしまい、その結果、配線基板の
電気的接続の信頼性が低下してしまうという問題点を有
していた。これは、フィラーと樹脂の界面に水分が溜ま
り易いとともにこの界面に沿って金属イオンが移動し易
く、フィラーを高密度で充填した表層側のソルダーレジ
スト層ではフィラーが導体バンプ間やソルダーレジスト
層の表裏面間を架橋してしまい、その結果、高加速度試
験(HAST)を行なうと金属イオンがフィラーと樹脂
の界面に沿って導体バンプ間を容易に移動してしまうこ
とによるためである。
ネットワークパソコンや宇宙開発用のスーパーコンピュ
ータ等に使用される高密度実装配線基板ではより高い信
頼性が要求されるようになってきており、従来の配線基
板に半導体素子等の電子部品を半田等の導体バンプを介
して実装して成る電子部品モジュールは、例えば、温度
が130℃で相対湿度が85%の高温高湿槽中で配線基板の
端子間に5.5Vの電圧を連続して印加する高加速度試験
(HAST)を行なうと、高温高湿度中で端子間に電圧
を印加することにより導体バンプの金属がイオン化して
イオンマイグレーションが発生し、隣接する導体バンプ
間の抵抗値が短時間で低下したり導体バンプ間で電気的
短絡が短時間に発生してしまい、その結果、配線基板の
電気的接続の信頼性が低下してしまうという問題点を有
していた。これは、フィラーと樹脂の界面に水分が溜ま
り易いとともにこの界面に沿って金属イオンが移動し易
く、フィラーを高密度で充填した表層側のソルダーレジ
スト層ではフィラーが導体バンプ間やソルダーレジスト
層の表裏面間を架橋してしまい、その結果、高加速度試
験(HAST)を行なうと金属イオンがフィラーと樹脂
の界面に沿って導体バンプ間を容易に移動してしまうこ
とによるためである。
【0014】なお、このようなフィラーを高密度で充填
したソルダーレジスト層は、一般に、その透湿量がJIS
Z 0208に規定された方法により測定して200g/m2以
上の高い値となっている。
したソルダーレジスト層は、一般に、その透湿量がJIS
Z 0208に規定された方法により測定して200g/m2以
上の高い値となっている。
【0015】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
案出されたものであり、その目的は外部電気回路基板へ
の実装時の熱履歴や温度サイクル試験に対する耐熱疲労
性および高加速度試験(HAST)に対する耐湿性等に
優れた配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール
を提供することにある。
案出されたものであり、その目的は外部電気回路基板へ
の実装時の熱履歴や温度サイクル試験に対する耐熱疲労
性および高加速度試験(HAST)に対する耐湿性等に
優れた配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール
を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、
その配線導体層の一部を覆ってソルダーレジスト層を被
着して成る配線基板であって、ソルダーレジスト層は感
光性樹脂を主成分とする下層部と熱硬化性樹脂を主成分
とする上層部とから成り、かつ上層部の透湿量がJIS Z
0208に規定された方法により測定して20〜150g/m2
であることを特徴とするものである。
縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、
その配線導体層の一部を覆ってソルダーレジスト層を被
着して成る配線基板であって、ソルダーレジスト層は感
光性樹脂を主成分とする下層部と熱硬化性樹脂を主成分
とする上層部とから成り、かつ上層部の透湿量がJIS Z
0208に規定された方法により測定して20〜150g/m2
であることを特徴とするものである。
【0017】また、本発明の配線基板は、ソルダーレジ
スト層の下層部が感光性樹脂50〜80重量%、エラストマ
ー10〜40重量%および無機絶縁性フィラー5〜20重量%
から成り、かつ上層部が熱硬化性樹脂50〜80重量%、エ
ラストマー10〜40重量%および無機絶縁性フィラー5〜
20重量%から成ることを特徴とするものである。
スト層の下層部が感光性樹脂50〜80重量%、エラストマ
ー10〜40重量%および無機絶縁性フィラー5〜20重量%
から成り、かつ上層部が熱硬化性樹脂50〜80重量%、エ
ラストマー10〜40重量%および無機絶縁性フィラー5〜
20重量%から成ることを特徴とするものである。
【0018】本発明の電子部品モジュールは、上記配線
基板に電子部品を実装して成る電子部品モジュールであ
って、ソルダーレジスト層に配線導体層を露出させる開
口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バンプを介
して電子部品の電極を接続したことを特徴とするもので
ある。
基板に電子部品を実装して成る電子部品モジュールであ
って、ソルダーレジスト層に配線導体層を露出させる開
口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バンプを介
して電子部品の電極を接続したことを特徴とするもので
ある。
【0019】また、本発明の電子部品モジュールは、上
記電子部品モジュールにおいて、ソルダーレジスト層の
上層部の開口径が下層部の開口径の50〜80%の大きさで
あることを特徴とするものである。
記電子部品モジュールにおいて、ソルダーレジスト層の
上層部の開口径が下層部の開口径の50〜80%の大きさで
あることを特徴とするものである。
【0020】本発明の配線基板によれば、配線導体層を
覆うソルダーレジスト層の下層部を感光性樹脂を主成分
とするものとしたことから、ソルダーレジスト層が絶縁
基板や配線導体層と良好な密着性を示し、温度サイクル
試験等の信頼性試験において絶縁基板との剥離やクラッ
クを生じることのない耐熱疲労性に優れた配線基板とす
ることができる。また、ソルダーレジスト層の上層部を
熱硬化性樹脂を主成分とするものとしたことから、架橋
密度を高めることができ良好な耐湿性を有するとともに
めっき時にソルダーレジスト層を膨潤のないものとする
ことができ、その結果、湿中放置試験等の信頼性試験に
おいて配線導体層が腐蝕したり、めっき時にソルダーレ
ジスト層が絶縁基板から剥離して配線導体層が断線した
りすることのない配線基板とすることができる。
覆うソルダーレジスト層の下層部を感光性樹脂を主成分
とするものとしたことから、ソルダーレジスト層が絶縁
基板や配線導体層と良好な密着性を示し、温度サイクル
試験等の信頼性試験において絶縁基板との剥離やクラッ
クを生じることのない耐熱疲労性に優れた配線基板とす
ることができる。また、ソルダーレジスト層の上層部を
熱硬化性樹脂を主成分とするものとしたことから、架橋
密度を高めることができ良好な耐湿性を有するとともに
めっき時にソルダーレジスト層を膨潤のないものとする
ことができ、その結果、湿中放置試験等の信頼性試験に
おいて配線導体層が腐蝕したり、めっき時にソルダーレ
ジスト層が絶縁基板から剥離して配線導体層が断線した
りすることのない配線基板とすることができる。
【0021】また、本発明の配線基板によれば、ソルダ
ーレジスト層の上層部の透湿量がJIS Z 0208に規定され
た方法により測定して20〜150g/m2であることか
ら、配線基板のソルダーレジスト層に配線導体層を露出
させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バ
ンプを介して電子部品の電極を接続して成る電子部品モ
ジュールに、温度が130℃で相対湿度が85%の高温高湿
槽中で配線基板の端子間に5.5Vの電圧を連続して印加
する高加速度試験(HAST)を行ったとしても、隣接
する導体バンプ間の抵抗値が短時間で低下したり導体バ
ンプ間で電気的短絡が短時間に発生することはなく、良
好な耐湿性を有する配線基板とすることができる。
ーレジスト層の上層部の透湿量がJIS Z 0208に規定され
た方法により測定して20〜150g/m2であることか
ら、配線基板のソルダーレジスト層に配線導体層を露出
させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バ
ンプを介して電子部品の電極を接続して成る電子部品モ
ジュールに、温度が130℃で相対湿度が85%の高温高湿
槽中で配線基板の端子間に5.5Vの電圧を連続して印加
する高加速度試験(HAST)を行ったとしても、隣接
する導体バンプ間の抵抗値が短時間で低下したり導体バ
ンプ間で電気的短絡が短時間に発生することはなく、良
好な耐湿性を有する配線基板とすることができる。
【0022】さらに、本発明の配線基板によれば、ソル
ダーレジスト層の上層部および下層部は、エラストマー
を10〜40重量%含有することから良好な可撓性を有し温
度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基板との剥
離やクラックを生じることがなく、耐熱疲労性に優れた
配線基板とすることができる。また、ソルダーレジスト
層の上層部は、無機絶縁性フィラーの含有量を5〜20重
量%と低いものとしたことから無機絶縁性フィラーがソ
ルダーレジスト層の表裏面間や隣接する導体バンプ間で
架橋することはなく、その結果、ソルダーレジスト層の
上層部の透湿量をJIS Z 0208に規定された方法により測
定して20〜150g/m2の値とすることができる。
ダーレジスト層の上層部および下層部は、エラストマー
を10〜40重量%含有することから良好な可撓性を有し温
度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基板との剥
離やクラックを生じることがなく、耐熱疲労性に優れた
配線基板とすることができる。また、ソルダーレジスト
層の上層部は、無機絶縁性フィラーの含有量を5〜20重
量%と低いものとしたことから無機絶縁性フィラーがソ
ルダーレジスト層の表裏面間や隣接する導体バンプ間で
架橋することはなく、その結果、ソルダーレジスト層の
上層部の透湿量をJIS Z 0208に規定された方法により測
定して20〜150g/m2の値とすることができる。
【0023】本発明の電子部品モジュールによれば、上
記配線基板のソルダーレジスト層に配線導体層を露出さ
せる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バン
プを介して電子部品の電極を接続したことから、耐熱疲
労性および高加速度試験(HAST)に対する耐湿性等
に優れた電子部品モジュールとすることができる。
記配線基板のソルダーレジスト層に配線導体層を露出さ
せる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バン
プを介して電子部品の電極を接続したことから、耐熱疲
労性および高加速度試験(HAST)に対する耐湿性等
に優れた電子部品モジュールとすることができる。
【0024】また、本発明の電子部品モジュールによれ
ば、ソルダーレジスト層の上層部の開口径を下層部の開
口径の50〜80%の大きさとしたことから,感光性樹脂を
主成分とする下層部を架橋密度が高く良好な耐湿性を有
する熱硬化性樹脂を主成分とする上層部が良好に覆うこ
とができ、その結果、湿中放置試験や高加速度試験(H
AST)で良好な耐湿性を有する電子部品モジュールと
することができる。
ば、ソルダーレジスト層の上層部の開口径を下層部の開
口径の50〜80%の大きさとしたことから,感光性樹脂を
主成分とする下層部を架橋密度が高く良好な耐湿性を有
する熱硬化性樹脂を主成分とする上層部が良好に覆うこ
とができ、その結果、湿中放置試験や高加速度試験(H
AST)で良好な耐湿性を有する電子部品モジュールと
することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】次に、本発明の配線基板およびこ
れを用いた電子部品モジュールを添付の図面に基づいて
詳細に説明する。
れを用いた電子部品モジュールを添付の図面に基づいて
詳細に説明する。
【0026】図1は、本発明の配線基板に半導体素子等
の電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の
形態の一例を示す要部断面図であり、図2は図1の要部
拡大断面図である。
の電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の
形態の一例を示す要部断面図であり、図2は図1の要部
拡大断面図である。
【0027】これらの図において、1は絶縁基板、2は
配線導体層、3は下層部3aと上層部3bとから成るソ
ルダーレジスト層であり、主にこれらで本発明の配線基
板4が構成される。また、5は下層部3aの開口5aと
上層部3bの開口5bとから成る開口、6は導体バン
プ、7は電子部品であり、主に配線基板4と開口5・導
体バンプ6・電子部品7とで本発明の電子部品モジュー
ル8が構成される。
配線導体層、3は下層部3aと上層部3bとから成るソ
ルダーレジスト層であり、主にこれらで本発明の配線基
板4が構成される。また、5は下層部3aの開口5aと
上層部3bの開口5bとから成る開口、6は導体バン
プ、7は電子部品であり、主に配線基板4と開口5・導
体バンプ6・電子部品7とで本発明の電子部品モジュー
ル8が構成される。
【0028】なお、本例では絶縁基板1の両面に被着形
成した配線導体層2を貫通孔9に形成した貫通導体10に
より電気的に接続した例を示している。
成した配線導体層2を貫通孔9に形成した貫通導体10に
より電気的に接続した例を示している。
【0029】絶縁基板1は、ガラスクロス−エポキシ樹
脂やガラスクロス−ビスマレイミドトリアジン樹脂・ガ
ラスクロス−ポリフェニレンエーテル樹脂・アラミド繊
維−エポキシ樹脂等の一般に配線基板に用いられる樹脂
材料から成り、配線導体層2とソルダーレジスト層3の
支持体として機能する。
脂やガラスクロス−ビスマレイミドトリアジン樹脂・ガ
ラスクロス−ポリフェニレンエーテル樹脂・アラミド繊
維−エポキシ樹脂等の一般に配線基板に用いられる樹脂
材料から成り、配線導体層2とソルダーレジスト層3の
支持体として機能する。
【0030】絶縁基板1の表裏両面には、銅や金・ニッ
ケル・アルミニウム等の金属薄膜から成る配線導体層2
が被着形成されている。配線導体層2は、絶縁基板1に
搭載する半導体素子等の電子部品7の各電極を外部電気
回路基板(図示せず)に電気的に接続するための導電路
として機能する。
ケル・アルミニウム等の金属薄膜から成る配線導体層2
が被着形成されている。配線導体層2は、絶縁基板1に
搭載する半導体素子等の電子部品7の各電極を外部電気
回路基板(図示せず)に電気的に接続するための導電路
として機能する。
【0031】配線導体層2の絶縁基板1の上面に露出し
た部位には、半導体素子等の電子部品7の各電極が金や
半田等から成る導体バンプ6を介してフリップチップ接
続により接続され、絶縁基板1の下面に露出した部位を
外部電気回路基板の配線導体層に半田を介して接続する
ことにより、半導体素子等の電子部品7が配線導体層2
を介して外部電気回路基板に電気的に接続される。
た部位には、半導体素子等の電子部品7の各電極が金や
半田等から成る導体バンプ6を介してフリップチップ接
続により接続され、絶縁基板1の下面に露出した部位を
外部電気回路基板の配線導体層に半田を介して接続する
ことにより、半導体素子等の電子部品7が配線導体層2
を介して外部電気回路基板に電気的に接続される。
【0032】このような配線導体層2は、絶縁基板1の
表面に、銅箔等の金属箔を接着剤で接着した後これをエ
ッチングして配線導体層2を形成するエッチング法や配
線導体層2の形状に形成された銅箔等の金属箔を絶縁基
板1に転写する転写法、絶縁基板1の表面にめっきによ
って配線導体層2を形成するめっき法等を採用すること
により形成され、例えば、転写法を用いて配線導体層2
を形成する場合には、転写フィルムに接着剤を介して貼
り合わせた銅箔をあらかじめエッチングにより回路導体
層2の形状に形成し、しかる後、配線基板4となる絶縁
基板1に転写フィルムを重ね合わせ,4〜6MPaの圧
力を印加しながら60〜200℃の温度で30分〜24時間加熱
することにより、絶縁基板1の表面に被着形成される。
表面に、銅箔等の金属箔を接着剤で接着した後これをエ
ッチングして配線導体層2を形成するエッチング法や配
線導体層2の形状に形成された銅箔等の金属箔を絶縁基
板1に転写する転写法、絶縁基板1の表面にめっきによ
って配線導体層2を形成するめっき法等を採用すること
により形成され、例えば、転写法を用いて配線導体層2
を形成する場合には、転写フィルムに接着剤を介して貼
り合わせた銅箔をあらかじめエッチングにより回路導体
層2の形状に形成し、しかる後、配線基板4となる絶縁
基板1に転写フィルムを重ね合わせ,4〜6MPaの圧
力を印加しながら60〜200℃の温度で30分〜24時間加熱
することにより、絶縁基板1の表面に被着形成される。
【0033】なお、配線導体層2は、その厚みが3〜50
μm程度であり、高速の電気信号を伝達させるという観
点からは3μm以上であることが好ましく、配線導体層
2を絶縁基板1に被着させる際に配線導体層2に大きな
応力を残留させず、配線導体層2が絶縁基板1から剥離
し難いものとするためには、50μm以下としておくこと
が好ましい。
μm程度であり、高速の電気信号を伝達させるという観
点からは3μm以上であることが好ましく、配線導体層
2を絶縁基板1に被着させる際に配線導体層2に大きな
応力を残留させず、配線導体層2が絶縁基板1から剥離
し難いものとするためには、50μm以下としておくこと
が好ましい。
【0034】また、絶縁基板1の表面には、配線導体層
2の一部を覆って、ソルダーレジスト層3が被着形成さ
れている。ソルダーレジスト層3は、配線導体層2の酸
化・腐食を防止するとともに配線基板1に電子部品7を
実装する際の熱から絶縁基板1を保護する機能を有す
る。
2の一部を覆って、ソルダーレジスト層3が被着形成さ
れている。ソルダーレジスト層3は、配線導体層2の酸
化・腐食を防止するとともに配線基板1に電子部品7を
実装する際の熱から絶縁基板1を保護する機能を有す
る。
【0035】本発明の配線基板4では、ソルダーレジス
ト層3が感光性樹脂を主成分とする下層部3aと熱硬化
性樹脂を主成分とする上層部3bとから成るとともに、
上層部3bの透湿量がJIS Z 0208に規定された方法によ
り測定して20〜150g/m2であることが重要である。
ト層3が感光性樹脂を主成分とする下層部3aと熱硬化
性樹脂を主成分とする上層部3bとから成るとともに、
上層部3bの透湿量がJIS Z 0208に規定された方法によ
り測定して20〜150g/m2であることが重要である。
【0036】なお、ここで透湿量とは、一定の膜厚のフ
ィルムを一定の時間、恒温恒湿槽中に放置した場合のフ
ィルムを透過する水分量で規定されるものでり、JIS Z
0208に規定される方法は、膜厚25μmのフィルムで所定
の耐湿性容器の開口部を覆い、この容器を温度が40℃で
相対湿度が90%の環境中に24時間放置し、容器の放置後
と放置前との重量差から透湿量を求めるものである。
ィルムを一定の時間、恒温恒湿槽中に放置した場合のフ
ィルムを透過する水分量で規定されるものでり、JIS Z
0208に規定される方法は、膜厚25μmのフィルムで所定
の耐湿性容器の開口部を覆い、この容器を温度が40℃で
相対湿度が90%の環境中に24時間放置し、容器の放置後
と放置前との重量差から透湿量を求めるものである。
【0037】本発明の配線基板4によれば、配線導体層
2を覆うソルダーレジスト層3の下層部3aを感光性樹
脂を主成分とするものとしたことから、ソルダーレジス
ト層3が絶縁基板1や配線導体層2と良好な密着性を示
し、温度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基板
1との剥離やクラックを生じることのない耐熱疲労性に
優れた配線基板4とすることができる。また、ソルダー
レジスト層3の上層部3bを熱硬化性樹脂を主成分とす
るものとしたことから、架橋密度を高めることができ良
好な耐湿性を有するとともにめっき時にソルダーレジス
ト層3を膨潤のないものとすることができ、その結果、
湿中放置試験等の信頼性試験において配線導体層2が腐
蝕したり、めっき時にソルダーレジスト層3が絶縁基板
1から剥離して配線導体層2が断線したりすることのな
い配線基板4とすることができる。
2を覆うソルダーレジスト層3の下層部3aを感光性樹
脂を主成分とするものとしたことから、ソルダーレジス
ト層3が絶縁基板1や配線導体層2と良好な密着性を示
し、温度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基板
1との剥離やクラックを生じることのない耐熱疲労性に
優れた配線基板4とすることができる。また、ソルダー
レジスト層3の上層部3bを熱硬化性樹脂を主成分とす
るものとしたことから、架橋密度を高めることができ良
好な耐湿性を有するとともにめっき時にソルダーレジス
ト層3を膨潤のないものとすることができ、その結果、
湿中放置試験等の信頼性試験において配線導体層2が腐
蝕したり、めっき時にソルダーレジスト層3が絶縁基板
1から剥離して配線導体層2が断線したりすることのな
い配線基板4とすることができる。
【0038】また、本発明の配線基板4によれば、ソル
ダーレジスト層3の上層部3bを透湿量がJIS Z 0208に
規定された方法により測定して20〜150g/m2である
ものとしたことから、配線基板4のソルダーレジスト層
3に配線導体層2を露出させる開口5を設けて、この開
口5内の配線導体層2に導体バンプ6を介して電子部品
7の電極を接続して成る電子部品モジュール8に、温度
が130℃で相対湿度が85%の高温高湿槽中で配線基板4
の端子間に5.5Vの電圧を連続して印加する高加速度試
験(HAST)を行ったとしても、隣接する導体バンプ
6間の抵抗値が短時間で低下したり導体バンプ6間で電
気的短絡が短時間に発生することはなく、良好な耐湿性
を有する配線基板4とすることができる。ソルダーレジ
スト層3の上層部3bの透湿量が20g/m2未満の場合
には、上層部3bの架橋密度が高いものとなり温度サイ
クル試験等の信頼性試験において上層部3bにクラック
を生じ易くなる傾向があり、また、150g/m2を超え
ると高加速度試験(HAST)を行なった際に隣接する
導体バンプ6間の抵抗値が短時間で低下したり導体バン
プ6間で電気的短絡が短時間に発生してしまう傾向があ
る。従って、ソルダーレジスト層3の上層部3bの透湿
量はJIS Z 0208に規定された方法により測定して20〜15
0g/m2の範囲とすることが好ましい。
ダーレジスト層3の上層部3bを透湿量がJIS Z 0208に
規定された方法により測定して20〜150g/m2である
ものとしたことから、配線基板4のソルダーレジスト層
3に配線導体層2を露出させる開口5を設けて、この開
口5内の配線導体層2に導体バンプ6を介して電子部品
7の電極を接続して成る電子部品モジュール8に、温度
が130℃で相対湿度が85%の高温高湿槽中で配線基板4
の端子間に5.5Vの電圧を連続して印加する高加速度試
験(HAST)を行ったとしても、隣接する導体バンプ
6間の抵抗値が短時間で低下したり導体バンプ6間で電
気的短絡が短時間に発生することはなく、良好な耐湿性
を有する配線基板4とすることができる。ソルダーレジ
スト層3の上層部3bの透湿量が20g/m2未満の場合
には、上層部3bの架橋密度が高いものとなり温度サイ
クル試験等の信頼性試験において上層部3bにクラック
を生じ易くなる傾向があり、また、150g/m2を超え
ると高加速度試験(HAST)を行なった際に隣接する
導体バンプ6間の抵抗値が短時間で低下したり導体バン
プ6間で電気的短絡が短時間に発生してしまう傾向があ
る。従って、ソルダーレジスト層3の上層部3bの透湿
量はJIS Z 0208に規定された方法により測定して20〜15
0g/m2の範囲とすることが好ましい。
【0039】ソルダーレジスト層3の下層部3aは、感
光性樹脂50〜80重量%、エラストマー10〜40重量%およ
び無機絶縁フィラー5〜20重量%で構成されている。感
光性樹脂は、ソルダーレジスト層3の下層部3aと絶縁
基板1や配線導体層2との密着性を良好とし、温度サイ
クル試験等の信頼性試験において絶縁基板1との剥離や
クラックの発生を防止する機能を有する。このような感
光性樹脂としては、エポキシアクリレートや変性ポリブ
タジエン・エポキシ樹脂・ビスマレイミドトリアジン樹
脂等の樹脂が用いられる。感光性樹脂の量が50重量%未
満の場合には、ソルダーレジスト層3の下層部3aの架
橋密度が低くなり耐熱疲労性が低下する傾向があり、ま
た、80重量%を超えると可撓性が低下して温度サイクル
試験でクラックを生じ易くなる傾向がある。従って、感
光性樹脂の含有量は50〜80重量%の範囲であることが好
ましい。
光性樹脂50〜80重量%、エラストマー10〜40重量%およ
び無機絶縁フィラー5〜20重量%で構成されている。感
光性樹脂は、ソルダーレジスト層3の下層部3aと絶縁
基板1や配線導体層2との密着性を良好とし、温度サイ
クル試験等の信頼性試験において絶縁基板1との剥離や
クラックの発生を防止する機能を有する。このような感
光性樹脂としては、エポキシアクリレートや変性ポリブ
タジエン・エポキシ樹脂・ビスマレイミドトリアジン樹
脂等の樹脂が用いられる。感光性樹脂の量が50重量%未
満の場合には、ソルダーレジスト層3の下層部3aの架
橋密度が低くなり耐熱疲労性が低下する傾向があり、ま
た、80重量%を超えると可撓性が低下して温度サイクル
試験でクラックを生じ易くなる傾向がある。従って、感
光性樹脂の含有量は50〜80重量%の範囲であることが好
ましい。
【0040】また、エラストマーは、ソルダーレジスト
層3の下層部3aに可撓性を付与し、配線基板4に電子
部品7を実装する際や温度サイクル試験を行なう際に発
生する熱応力を吸収し下層部3aにクラックが発生する
ことを防止する機能を有する。このようなエラストマー
としては、アクリルゴムやアクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム・スチレン−ブタジエン−スチレントリブロック
エラストマー・スチレン−イソプレン−スチレントリブ
ロックエラストマー等が用いられる。エラストマーの量
が10重量%未満の場合には、下層部3aの可撓性が低下
して温度サイクル試験等の信頼性試験でクラックを生じ
易くなる傾向があり、また、40重量%を超えると下層部
3aの架橋密度が低下して、耐湿性・耐めっき性が低下
する傾向にある。従って、エラストマーの含有量は10〜
40重量%の範囲であることが好ましい。
層3の下層部3aに可撓性を付与し、配線基板4に電子
部品7を実装する際や温度サイクル試験を行なう際に発
生する熱応力を吸収し下層部3aにクラックが発生する
ことを防止する機能を有する。このようなエラストマー
としては、アクリルゴムやアクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム・スチレン−ブタジエン−スチレントリブロック
エラストマー・スチレン−イソプレン−スチレントリブ
ロックエラストマー等が用いられる。エラストマーの量
が10重量%未満の場合には、下層部3aの可撓性が低下
して温度サイクル試験等の信頼性試験でクラックを生じ
易くなる傾向があり、また、40重量%を超えると下層部
3aの架橋密度が低下して、耐湿性・耐めっき性が低下
する傾向にある。従って、エラストマーの含有量は10〜
40重量%の範囲であることが好ましい。
【0041】さらに、無機絶縁性フィラーは、ソルダー
レジスト層3の下層部3aの強度を高めるとともに下層
部3aの熱膨張係数と絶縁基板1や配線導体層2の熱膨
張係数とを整合させる機能を有する。このような無機絶
縁性フィラーとしては、酸化ケイ素や酸化アルミニウム
・窒化アルミニウム・炭化珪素・チタン酸カルシウム等
の無機絶縁粉末が用いられる。機絶縁性フィラーの量が
5重量%未満の場合には、下層部3aの平坦性が悪くな
る傾向があり、また、20重量%を超えると開口5aの穿
設等の下層部3aの加工性が悪くなる傾向がある。従っ
て、無機絶縁性フィラーの含有量は5〜20重量%の範囲
であることが好ましい。なお、無機絶縁性フィラーは、
下層部3aの成型性の観点からは平均粒径が5μm以下
が好ましく、無機絶縁性フィラーの充填性の観点からは
平均粒径が2μm以下の略球状のものが好ましい。
レジスト層3の下層部3aの強度を高めるとともに下層
部3aの熱膨張係数と絶縁基板1や配線導体層2の熱膨
張係数とを整合させる機能を有する。このような無機絶
縁性フィラーとしては、酸化ケイ素や酸化アルミニウム
・窒化アルミニウム・炭化珪素・チタン酸カルシウム等
の無機絶縁粉末が用いられる。機絶縁性フィラーの量が
5重量%未満の場合には、下層部3aの平坦性が悪くな
る傾向があり、また、20重量%を超えると開口5aの穿
設等の下層部3aの加工性が悪くなる傾向がある。従っ
て、無機絶縁性フィラーの含有量は5〜20重量%の範囲
であることが好ましい。なお、無機絶縁性フィラーは、
下層部3aの成型性の観点からは平均粒径が5μm以下
が好ましく、無機絶縁性フィラーの充填性の観点からは
平均粒径が2μm以下の略球状のものが好ましい。
【0042】ソルダーレジスト層3の上層部3bは、熱
硬化性樹脂50〜80重量%、エラストマー10〜40重量%お
よび無機絶縁フィラー5〜20重量%で構成されている。
硬化性樹脂50〜80重量%、エラストマー10〜40重量%お
よび無機絶縁フィラー5〜20重量%で構成されている。
【0043】熱硬化性樹脂は、ソルダーレジスト層3の
上層部3bの架橋密度を高くし、上層部3bへの水分の
浸入およびめっき時の上層部3bの膨潤を防止する機能
を有する。このような熱硬化性樹脂としては、エポキシ
樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレン
エーテル・変性ポリエチレン・ノルボルネン系樹脂等の
樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂の量が50重量%未満の
場合には、ソルダーレジスト層3の上層部3bの架橋密
度が低くなり上層部3bの耐湿性が低下する傾向があ
り、また、80重量%を超えると上層部3bの可撓性が低
下して、温度サイクル試験等の信頼性試験でクラックを
生じ易くなる傾向がある。従って、熱硬化性樹脂の含有
量は50〜80重量%の範囲とすることが好ましい。
上層部3bの架橋密度を高くし、上層部3bへの水分の
浸入およびめっき時の上層部3bの膨潤を防止する機能
を有する。このような熱硬化性樹脂としては、エポキシ
樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレン
エーテル・変性ポリエチレン・ノルボルネン系樹脂等の
樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂の量が50重量%未満の
場合には、ソルダーレジスト層3の上層部3bの架橋密
度が低くなり上層部3bの耐湿性が低下する傾向があ
り、また、80重量%を超えると上層部3bの可撓性が低
下して、温度サイクル試験等の信頼性試験でクラックを
生じ易くなる傾向がある。従って、熱硬化性樹脂の含有
量は50〜80重量%の範囲とすることが好ましい。
【0044】また、エラストマーは、ソルダーレジスト
層3の上層部3bに可撓性を付与し、配線基板4に電子
部品7を実装する際や温度サイクル試験を行なう際に発
生する熱応力を吸収し上層部3bにクラックが発生する
ことを防止する機能を有する。このようなエラストマー
としては、アクリルゴムやアクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム・スチレン−ブタジエン−スチレントリブロック
エラストマー・スチレン−イソプレン−スチレントリブ
ロックエラストマー等が用いられる。エラストマーの量
が10重量%未満の場合には、上層部3bの可撓性が低下
して温度サイクル試験等の信頼性試験でクラックを生じ
易くなる傾向があり、また、40重量%を超えると上層部
3aの架橋密度が低下して、耐湿性・耐めっき性が低下
する傾向にある。従って、エラストマーの含有量は10〜
40重量%の範囲であることが好ましい。
層3の上層部3bに可撓性を付与し、配線基板4に電子
部品7を実装する際や温度サイクル試験を行なう際に発
生する熱応力を吸収し上層部3bにクラックが発生する
ことを防止する機能を有する。このようなエラストマー
としては、アクリルゴムやアクリロニトリル−ブタジエ
ンゴム・スチレン−ブタジエン−スチレントリブロック
エラストマー・スチレン−イソプレン−スチレントリブ
ロックエラストマー等が用いられる。エラストマーの量
が10重量%未満の場合には、上層部3bの可撓性が低下
して温度サイクル試験等の信頼性試験でクラックを生じ
易くなる傾向があり、また、40重量%を超えると上層部
3aの架橋密度が低下して、耐湿性・耐めっき性が低下
する傾向にある。従って、エラストマーの含有量は10〜
40重量%の範囲であることが好ましい。
【0045】さらに、無機絶縁性フィラーは、ソルダー
レジスト層3の上層部3bの強度を高めるとともに上層
部3bの熱膨張係数と絶縁基板1や配線導体層2の熱膨
張係数とを整合させる機能を有する。このような無機絶
縁性フィラーとしては、酸化ケイ素や酸化アルミニウム
・窒化アルミニウム・炭化珪素・チタン酸カルシウム等
の無機絶縁粉末が用いられる。無機絶縁性フィラーの量
が5重量%未満の場合には、上層部3bの平坦性が悪く
なる傾向があり、また、20重量%を超えると後述する開
口5bの穿設等の上層部3bの加工性が悪くなる傾向が
ある。従って、無機絶縁性フィラーの含有量は5〜20重
量%の範囲であることが好ましい。なお、無機絶縁性フ
ィラーは、上層部3bの成型性の観点からは平均粒径が
5μm以下が好ましく、無機絶縁性フィラーの充填性の
観点からは平均粒径が2μm以下の略球状のものが好ま
しい。
レジスト層3の上層部3bの強度を高めるとともに上層
部3bの熱膨張係数と絶縁基板1や配線導体層2の熱膨
張係数とを整合させる機能を有する。このような無機絶
縁性フィラーとしては、酸化ケイ素や酸化アルミニウム
・窒化アルミニウム・炭化珪素・チタン酸カルシウム等
の無機絶縁粉末が用いられる。無機絶縁性フィラーの量
が5重量%未満の場合には、上層部3bの平坦性が悪く
なる傾向があり、また、20重量%を超えると後述する開
口5bの穿設等の上層部3bの加工性が悪くなる傾向が
ある。従って、無機絶縁性フィラーの含有量は5〜20重
量%の範囲であることが好ましい。なお、無機絶縁性フ
ィラーは、上層部3bの成型性の観点からは平均粒径が
5μm以下が好ましく、無機絶縁性フィラーの充填性の
観点からは平均粒径が2μm以下の略球状のものが好ま
しい。
【0046】なお、本発明の配線基板4は、ソルダーレ
ジスト層3の上層部3bの無機絶縁性フィラーの含有量
を5〜20重量%と低いものとしたことから、無機絶縁性
フィラーが上層部3bの表裏面間や隣接する導体バンプ
6間で架橋することはなく、その結果、ソルダーレジス
ト層の上層部の透湿量をJIS Z 0208に規定された方法に
より測定して20〜150g/m2の値とすることができ
る。
ジスト層3の上層部3bの無機絶縁性フィラーの含有量
を5〜20重量%と低いものとしたことから、無機絶縁性
フィラーが上層部3bの表裏面間や隣接する導体バンプ
6間で架橋することはなく、その結果、ソルダーレジス
ト層の上層部の透湿量をJIS Z 0208に規定された方法に
より測定して20〜150g/m2の値とすることができ
る。
【0047】このようなソルダーレジスト層3の下層部
3a・上層部3bの絶縁基板1への被着形成は次に述べ
る方法により行なわれ。
3a・上層部3bの絶縁基板1への被着形成は次に述べ
る方法により行なわれ。
【0048】まず、絶縁基板1および配線導体層2上
に、感光性樹脂・エラストマー・無機絶縁性フィラーに
適当な溶剤・可塑剤・分散剤等を添加して得た液状ワニ
スを、スクリーン印刷法またはロールコート法を採用し
て硬化後の厚みが10〜25μmの厚みとなるように均一に
塗布し、60〜80℃の温度で10〜100分間乾燥して溶剤を
除去した後、1〜3J/cmの強度でUV照射処理およ
び150〜180℃の温度で1〜3時間硬化処理することによ
り下層部3aが形成される。次に、下部層3a上に、熱
硬化性樹脂・エラストマー・無機絶縁性フィラーに適当
な溶剤・可塑剤・分散剤等を添加して得た液状ワニス
を、スクリーン印刷法またはロールコート法を採用して
硬化後の厚みが10〜40μmの厚みに均一に塗布し、60〜
80℃の温度で10〜100分間乾燥して溶剤を除去した後、1
50〜180℃の温度で1〜3時間硬化処理をすることによ
り上層部3bが形成される。
に、感光性樹脂・エラストマー・無機絶縁性フィラーに
適当な溶剤・可塑剤・分散剤等を添加して得た液状ワニ
スを、スクリーン印刷法またはロールコート法を採用し
て硬化後の厚みが10〜25μmの厚みとなるように均一に
塗布し、60〜80℃の温度で10〜100分間乾燥して溶剤を
除去した後、1〜3J/cmの強度でUV照射処理およ
び150〜180℃の温度で1〜3時間硬化処理することによ
り下層部3aが形成される。次に、下部層3a上に、熱
硬化性樹脂・エラストマー・無機絶縁性フィラーに適当
な溶剤・可塑剤・分散剤等を添加して得た液状ワニス
を、スクリーン印刷法またはロールコート法を採用して
硬化後の厚みが10〜40μmの厚みに均一に塗布し、60〜
80℃の温度で10〜100分間乾燥して溶剤を除去した後、1
50〜180℃の温度で1〜3時間硬化処理をすることによ
り上層部3bが形成される。
【0049】なお、液状ワニスをスクリーン印刷法また
はロールコート法を採用して絶縁基板1上に均一に塗布
する代わりに、あらかじめシート状の下層部3a・上層
部3bを製作して、真空ラミネータを用いてシート状の
下層部3a・上層部3bを絶縁基板1に被着形成しても
よい。
はロールコート法を採用して絶縁基板1上に均一に塗布
する代わりに、あらかじめシート状の下層部3a・上層
部3bを製作して、真空ラミネータを用いてシート状の
下層部3a・上層部3bを絶縁基板1に被着形成しても
よい。
【0050】また、ソルダーレジスト層3の下層部3a
の厚みは、加工性と耐湿性の観点からは10〜25μmの厚
みの範囲が好ましい。下層部3aの厚みが10μm未満の
場合、温度サイクル試験等の信頼性試験での耐熱疲労性
が劣る傾向があり、また、25μmを超えると後述する露
光・現像により開口5aを形成する際に、開口5a底部
に樹脂が多く残り配線導体層2と導体バンプ6との電気
的接続の信頼性が低下してしまう傾向がある。したがっ
て、ソルダーレジスト層3の下層部3aの厚みは10〜25
μmの範囲が好ましい。
の厚みは、加工性と耐湿性の観点からは10〜25μmの厚
みの範囲が好ましい。下層部3aの厚みが10μm未満の
場合、温度サイクル試験等の信頼性試験での耐熱疲労性
が劣る傾向があり、また、25μmを超えると後述する露
光・現像により開口5aを形成する際に、開口5a底部
に樹脂が多く残り配線導体層2と導体バンプ6との電気
的接続の信頼性が低下してしまう傾向がある。したがっ
て、ソルダーレジスト層3の下層部3aの厚みは10〜25
μmの範囲が好ましい。
【0051】さらに、ソルダーレジスト層3の上層部3
bの厚みは、加工性と耐湿性の観点からは10〜40μmの
厚みの範囲が好ましい。上層部3bの厚みが10μm未満
の場合、湿中放置試験での耐湿性が低下してしまう傾向
があり、また、40μmを超えると後述する上層部3bに
レーザで開口5bを形成する際に、開口5b底部に樹脂
が多く残り配線導体層2と導体バンプ6との電気的接続
の信頼性が低下してしまう傾向がある。したがって、ソ
ルダーレジスト層3の上層部3bの厚みは10〜40μmの
範囲が好ましい。
bの厚みは、加工性と耐湿性の観点からは10〜40μmの
厚みの範囲が好ましい。上層部3bの厚みが10μm未満
の場合、湿中放置試験での耐湿性が低下してしまう傾向
があり、また、40μmを超えると後述する上層部3bに
レーザで開口5bを形成する際に、開口5b底部に樹脂
が多く残り配線導体層2と導体バンプ6との電気的接続
の信頼性が低下してしまう傾向がある。したがって、ソ
ルダーレジスト層3の上層部3bの厚みは10〜40μmの
範囲が好ましい。
【0052】なお、ソルダーレジスト層3の下層部3a
および上層部3bの厚みの比を50:50〜80:20の範囲の
値としておくと、電気的接続の信頼性や耐湿性・加工性
をより良好なものとすることができる。
および上層部3bの厚みの比を50:50〜80:20の範囲の
値としておくと、電気的接続の信頼性や耐湿性・加工性
をより良好なものとすることができる。
【0053】かくして本発明の配線基板4によれば、絶
縁基板1の表面に、配線導体層2を被着形成するととも
に、この配線導体層2の一部を覆って、熱硬化性樹脂を
主成分とするとともに透湿量がJIS Z 0208に規定された
方法により測定して20〜150g/m2の上層部3bと感
光性樹脂を主成分とする下層部3aとから成るソルダー
レジスト層3を被着形成したことから、ソルダーレジス
ト層3が配線基板1に電子部品7を実装する際の熱から
絶縁基板1を保護するとともに配線導体層2を湿気によ
る酸化や腐蝕から保護することができ、耐熱性・耐湿性
に優れた配線基板4とすることができる。
縁基板1の表面に、配線導体層2を被着形成するととも
に、この配線導体層2の一部を覆って、熱硬化性樹脂を
主成分とするとともに透湿量がJIS Z 0208に規定された
方法により測定して20〜150g/m2の上層部3bと感
光性樹脂を主成分とする下層部3aとから成るソルダー
レジスト層3を被着形成したことから、ソルダーレジス
ト層3が配線基板1に電子部品7を実装する際の熱から
絶縁基板1を保護するとともに配線導体層2を湿気によ
る酸化や腐蝕から保護することができ、耐熱性・耐湿性
に優れた配線基板4とすることができる。
【0054】また、本発明の電子部品モジュール8は、
ソルダーレジスト層3に配線導体層2を露出させる開口
5を設けて、開口5内の配線導体層2に導体バンプ6を
介して電子部品7の各電極を接続することによって形成
される。
ソルダーレジスト層3に配線導体層2を露出させる開口
5を設けて、開口5内の配線導体層2に導体バンプ6を
介して電子部品7の各電極を接続することによって形成
される。
【0055】開口5は、ソルダーレジスト層3の下層部
3aに設けられた開口5aと上層部3bに設けられた開
口5bから形成されている。
3aに設けられた開口5aと上層部3bに設けられた開
口5bから形成されている。
【0056】このような開口5a・5bは、絶縁基板1
の表面にソルダーレジスト層3の下層部3a・上層部3
bを被着形成する際に同時に形成される。下層部3aの
開口5aは、感光性樹脂等から成る液状ワニスを絶縁基
板1の表面に塗布し、60〜80℃の温度で10〜100分間乾
燥して溶剤を除去した後、下層部3aにガラスマスクを
通して400〜600mJ/cmの強度で露光を行い、次に約
1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより形成さ
れる。また、上層部3bの開口5bは、下層部3aを1
〜3J/cmの強度でUV照射処理および150〜180℃の
温度で1〜3時間硬化処理した後、熱硬化性樹脂等から
成る液状ワニスを下部層3a上に塗布し、60〜80℃の温
度で10〜100分間乾燥して溶剤を除去し、さらに150〜18
0℃の温度で1〜3時間硬化処理を行なった後、炭酸ガ
スレーザの出力を5〜7A、パルス幅を50〜100μsに
設定し、レーザ光を所定の径のマスクを通して下層部3
aの開口5a上の上層部3bに2〜5回/孔照射するこ
とより形成される。
の表面にソルダーレジスト層3の下層部3a・上層部3
bを被着形成する際に同時に形成される。下層部3aの
開口5aは、感光性樹脂等から成る液状ワニスを絶縁基
板1の表面に塗布し、60〜80℃の温度で10〜100分間乾
燥して溶剤を除去した後、下層部3aにガラスマスクを
通して400〜600mJ/cmの強度で露光を行い、次に約
1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより形成さ
れる。また、上層部3bの開口5bは、下層部3aを1
〜3J/cmの強度でUV照射処理および150〜180℃の
温度で1〜3時間硬化処理した後、熱硬化性樹脂等から
成る液状ワニスを下部層3a上に塗布し、60〜80℃の温
度で10〜100分間乾燥して溶剤を除去し、さらに150〜18
0℃の温度で1〜3時間硬化処理を行なった後、炭酸ガ
スレーザの出力を5〜7A、パルス幅を50〜100μsに
設定し、レーザ光を所定の径のマスクを通して下層部3
aの開口5a上の上層部3bに2〜5回/孔照射するこ
とより形成される。
【0057】このような開口5a・5bは、それらの径
が通常30〜300μmであり、径が300μmより大きいと配
線導体層2のピッチが大きなものとなり配線基板4が大
きなものとなる傾向があり、また、30μmより小さいと
電気的接続の信頼性が低下する傾向がある。従って、開
口5a・5bの径は30〜300μmの範囲とすることが好
ましい。
が通常30〜300μmであり、径が300μmより大きいと配
線導体層2のピッチが大きなものとなり配線基板4が大
きなものとなる傾向があり、また、30μmより小さいと
電気的接続の信頼性が低下する傾向がある。従って、開
口5a・5bの径は30〜300μmの範囲とすることが好
ましい。
【0058】また、上層部3bの開口5b径を下層部3
aの開口5a径の50〜80%の大きさとすると、上層部3
bが下層部3aを良好に覆うことができ、配線基板4に
半導体素子等の電子部品7を半田等の導体バンプ6を介
して実装して電子部品モジュール8と成した場合、高加
速度試験(HAST)において隣接する導体バンプ6間
の抵抗値が短時間で低下したり電気的短絡を短時間に発
生させてしまうことはなく、電気的接続の信頼性の良好
な電子部品モジュール8とすることができる。なお、上
層部3bの開口5b径が下層部3aの開口5a径の50%
未満であると、上層部3bの開口5bの面積が極端に小
さなものとなり配線導体層2と導体バンプ6との良好な
接続が困難となる傾向があり、また、80%を超えると上
層部3bの開口5bと下層部3aの開口5aの位置バラ
ツキにより、下層部3aを覆う上層部3bの厚みが極端
に薄くなってしまう箇所が発生して、耐湿性や耐高加速
度試験性の信頼性が低下してしまう傾向がある。従っ
て、上層部3bの開口5b径を下層部3aの開口5a径
の50〜80%の大きさの範囲とすることが好ましい。
aの開口5a径の50〜80%の大きさとすると、上層部3
bが下層部3aを良好に覆うことができ、配線基板4に
半導体素子等の電子部品7を半田等の導体バンプ6を介
して実装して電子部品モジュール8と成した場合、高加
速度試験(HAST)において隣接する導体バンプ6間
の抵抗値が短時間で低下したり電気的短絡を短時間に発
生させてしまうことはなく、電気的接続の信頼性の良好
な電子部品モジュール8とすることができる。なお、上
層部3bの開口5b径が下層部3aの開口5a径の50%
未満であると、上層部3bの開口5bの面積が極端に小
さなものとなり配線導体層2と導体バンプ6との良好な
接続が困難となる傾向があり、また、80%を超えると上
層部3bの開口5bと下層部3aの開口5aの位置バラ
ツキにより、下層部3aを覆う上層部3bの厚みが極端
に薄くなってしまう箇所が発生して、耐湿性や耐高加速
度試験性の信頼性が低下してしまう傾向がある。従っ
て、上層部3bの開口5b径を下層部3aの開口5a径
の50〜80%の大きさの範囲とすることが好ましい。
【0059】なお、通常であれば、開口5に露出する配
線導体層2には、配線導体層2の酸化腐蝕の防止と導体
バンプ6との接続を良好にするためにその露出する表面
にニッケル・金等の良導電性で耐蝕性に優れた金属をめ
っき法により1〜20μmの厚みに被着することが好まし
い。
線導体層2には、配線導体層2の酸化腐蝕の防止と導体
バンプ6との接続を良好にするためにその露出する表面
にニッケル・金等の良導電性で耐蝕性に優れた金属をめ
っき法により1〜20μmの厚みに被着することが好まし
い。
【0060】また、開口5内の配線導体層2の露出する
表面には、導体バンプ6が固着形成されている。導体バ
ンプ6は、配線導体層2と電子部品7とを電気的および
機械的に接続する機能を有する。
表面には、導体バンプ6が固着形成されている。導体バ
ンプ6は、配線導体層2と電子部品7とを電気的および
機械的に接続する機能を有する。
【0061】このような導体バンプ6は、金や鉛−錫・
錫−亜鉛・錫−銀−ビスマス等の導電性材料から成り、
例えば、導電性材料が鉛−錫から成る場合、このぺース
トを開口5内にスクリーン印刷法で印刷あるいは鉛−錫
から成る金属ボールを開口5内に載置した後、リフロー
炉を通すことにより開口5内に半円状に固着形成され
る。
錫−亜鉛・錫−銀−ビスマス等の導電性材料から成り、
例えば、導電性材料が鉛−錫から成る場合、このぺース
トを開口5内にスクリーン印刷法で印刷あるいは鉛−錫
から成る金属ボールを開口5内に載置した後、リフロー
炉を通すことにより開口5内に半円状に固着形成され
る。
【0062】さらに、電子部品7を導体バンプ6上に載
置し、リフロー炉を通し配線導体層2と電子部品7の各
電極とを電気的に接続することにより、本発明の電子部
品モジュール8となる。なお、導体バンプ6の保護およ
び電子部品7と配線基板4とを強固に固着するために、
電子部品7と配線基板4との間に熱硬化性樹脂とフィラ
ーとから成るアンダーフィル材を注入してもよい。
置し、リフロー炉を通し配線導体層2と電子部品7の各
電極とを電気的に接続することにより、本発明の電子部
品モジュール8となる。なお、導体バンプ6の保護およ
び電子部品7と配線基板4とを強固に固着するために、
電子部品7と配線基板4との間に熱硬化性樹脂とフィラ
ーとから成るアンダーフィル材を注入してもよい。
【0063】かくして、本発明の電子部品モジュール8
によれば、配線基板4表面の感光性樹脂を主成分とする
下層部3aと熱硬化性樹脂を主成分とするとともに透湿
量がJIS Z 0208に規定された方法により測定して20〜15
0g/m2の上層部3bとから成るソルダーレジスト層
3に配線導体層2を露出させる開口5を設けて、この開
口5内の配線導体層2に導体バンプ6を介して電子部品
7の各電極を接続したことから、耐熱疲労性および高加
速度試験(HAST)に対する耐湿性等に優れた電子部
品モジュール8とすることができる。
によれば、配線基板4表面の感光性樹脂を主成分とする
下層部3aと熱硬化性樹脂を主成分とするとともに透湿
量がJIS Z 0208に規定された方法により測定して20〜15
0g/m2の上層部3bとから成るソルダーレジスト層
3に配線導体層2を露出させる開口5を設けて、この開
口5内の配線導体層2に導体バンプ6を介して電子部品
7の各電極を接続したことから、耐熱疲労性および高加
速度試験(HAST)に対する耐湿性等に優れた電子部
品モジュール8とすることができる。
【0064】なお、本発明の配線基板および電子部品モ
ジュールは、上述の実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可
能である。例えば、配線基板として絶縁基板上に配線導
体層と絶縁層とを交互に積層して成るビルドアップ基板
を用いてもよい。
ジュールは、上述の実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可
能である。例えば、配線基板として絶縁基板上に配線導
体層と絶縁層とを交互に積層して成るビルドアップ基板
を用いてもよい。
【0065】図3はこのようなビルドアップ基板に電子
部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の
一例を示す要部断面図であり、この図において11は絶縁
基板、12はスルーホール、13はスルーホール導体、14は
絶縁層、15は配線導体層、16は貫通孔、17は貫通導体、
18は下層部18aと上層部18bとから成るソルダーレジス
ト層であり、主にこれらで配線基板19が構成されてい
る。さらに、20は開口、21は導体バンプ、22は電子部品
であり、主に配線基板19と開口20・導体バンプ21・電子
部品22とで電子部品モジュール23が構成されている。
部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の
一例を示す要部断面図であり、この図において11は絶縁
基板、12はスルーホール、13はスルーホール導体、14は
絶縁層、15は配線導体層、16は貫通孔、17は貫通導体、
18は下層部18aと上層部18bとから成るソルダーレジス
ト層であり、主にこれらで配線基板19が構成されてい
る。さらに、20は開口、21は導体バンプ、22は電子部品
であり、主に配線基板19と開口20・導体バンプ21・電子
部品22とで電子部品モジュール23が構成されている。
【0066】この例では、配線基板19は、絶縁基板11の
表裏両面に配線導体層15と絶縁層14とを交互に積層し、
さらに、ソルダーレジスト層18を被着形成することによ
り構成されている。
表裏両面に配線導体層15と絶縁層14とを交互に積層し、
さらに、ソルダーレジスト層18を被着形成することによ
り構成されている。
【0067】なお、上述の例では、電子部品モジュール
に搭載される電子部品として半導体素子の例を示した
が、抵抗器・キャパシタ・圧電素子等の電子部品を搭載
してもよい。さらに、電子部品の作動時に発生する熱を
放散するためにスティフナー等の放熱板を配線基板に被
着してもよい。
に搭載される電子部品として半導体素子の例を示した
が、抵抗器・キャパシタ・圧電素子等の電子部品を搭載
してもよい。さらに、電子部品の作動時に発生する熱を
放散するためにスティフナー等の放熱板を配線基板に被
着してもよい。
【0068】
【実施例】本発明の配線基板とこれを用いた電子部品モ
ジュールの特性を評価するために、以下のような電子部
品モジュールを作製した。
ジュールの特性を評価するために、以下のような電子部
品モジュールを作製した。
【0069】(実施例1)まず、熱硬化性樹脂としてエ
ポキシ樹脂60重量%と、エラストマーとしてスチレン−
ブタジエン−スチレントリブロックエラストマー30重量
%と、無機絶縁性フィラーとして酸化珪素10重量%と、
溶剤等とから成る混合物を混練して得た液状ワニスを、
離型フィルム上にスクリーン印刷法を用いて硬化後の厚
みが25μmとなるように均一に印刷・塗布し、80℃の温
度で30分間乾燥して溶剤を除去した後、150℃の温度で
2時間硬化処理を行ない、しかる後、離型フィルムを剥
離することによりフィルム状の熱硬化性樹脂を主成分と
するソルダーレジスト層3bを得た。この時のソルダー
レジスト層3bの透湿量は、JIS Z 0208の規定に従って
測定した結果、50g/m2であった。
ポキシ樹脂60重量%と、エラストマーとしてスチレン−
ブタジエン−スチレントリブロックエラストマー30重量
%と、無機絶縁性フィラーとして酸化珪素10重量%と、
溶剤等とから成る混合物を混練して得た液状ワニスを、
離型フィルム上にスクリーン印刷法を用いて硬化後の厚
みが25μmとなるように均一に印刷・塗布し、80℃の温
度で30分間乾燥して溶剤を除去した後、150℃の温度で
2時間硬化処理を行ない、しかる後、離型フィルムを剥
離することによりフィルム状の熱硬化性樹脂を主成分と
するソルダーレジスト層3bを得た。この時のソルダー
レジスト層3bの透湿量は、JIS Z 0208の規定に従って
測定した結果、50g/m2であった。
【0070】次に、表面に配線導体層2を被着形成した
絶縁基板1を準備し、絶縁基板1および配線導体層2上
に、まず、エポキシアクリレート50重量%とエポキシ樹
脂50重量%とから成る感光性樹脂60重量%と、エラスト
マーとしてスチレン−ブタジエン−スチレントリブロッ
クエラストマー30重量%と、無機絶縁性フィラーとして
酸化珪素10重量%と、溶剤等とから成る混合物を混練し
て得た液状ワニスを、スクリーン印刷法を採用して硬化
後の厚みが10μmとなるように均一に印刷・塗布するこ
とによりソルダーレジスト層3の下層部3aを形成し
た。
絶縁基板1を準備し、絶縁基板1および配線導体層2上
に、まず、エポキシアクリレート50重量%とエポキシ樹
脂50重量%とから成る感光性樹脂60重量%と、エラスト
マーとしてスチレン−ブタジエン−スチレントリブロッ
クエラストマー30重量%と、無機絶縁性フィラーとして
酸化珪素10重量%と、溶剤等とから成る混合物を混練し
て得た液状ワニスを、スクリーン印刷法を採用して硬化
後の厚みが10μmとなるように均一に印刷・塗布するこ
とによりソルダーレジスト層3の下層部3aを形成し
た。
【0071】さらに、この層を80℃の温度で30分間乾燥
して溶剤を除去した後、ガラスマスクを通して500mJ
/cmの強度で露光を行い、次に約1%炭酸ナトリウム
水溶液で現像することにより径が100μmの開口5aを
形成した。また、開口5aを形成後、ソルダーレジスト
層3の下層部3aとなる層を、1J/cmの強度でUV
照射処理および150℃の温度で1時間熱処理を行うこと
により硬化した。しかる後、下層部3a上に、上記組成
のソルダーレジスト層3bをスクリーン印刷法を用いて
硬化後の厚みが30μmとなるように均一に形成した。次
に、この層を80℃の温度で40分間乾燥して溶剤を除去し
た後、170℃の温度で1時間硬化処理をすることにより
硬化した。さらに、炭酸ガスレーザの出力を5A、パル
ス幅を100μsに設定し、レーザ光を所定の径のマスク
を通して下層部3aの開口5a上の上層部3bに3回/
孔照射することより径が70μmの開口5bを形成した。
して溶剤を除去した後、ガラスマスクを通して500mJ
/cmの強度で露光を行い、次に約1%炭酸ナトリウム
水溶液で現像することにより径が100μmの開口5aを
形成した。また、開口5aを形成後、ソルダーレジスト
層3の下層部3aとなる層を、1J/cmの強度でUV
照射処理および150℃の温度で1時間熱処理を行うこと
により硬化した。しかる後、下層部3a上に、上記組成
のソルダーレジスト層3bをスクリーン印刷法を用いて
硬化後の厚みが30μmとなるように均一に形成した。次
に、この層を80℃の温度で40分間乾燥して溶剤を除去し
た後、170℃の温度で1時間硬化処理をすることにより
硬化した。さらに、炭酸ガスレーザの出力を5A、パル
ス幅を100μsに設定し、レーザ光を所定の径のマスク
を通して下層部3aの開口5a上の上層部3bに3回/
孔照射することより径が70μmの開口5bを形成した。
【0072】さらに、開口5b内の配線導体層2の露出
する表面にニッケル・金めっきを順次施し、その後、こ
の部分に鉛−錫から成る半田ペーストを印刷し、リフロ
ー炉を通すことにより導体バンプ6を形成した。またさ
らに、電子部品7を導体バンプ6上に載置し、リフロー
炉を通し配線導体層2と電子部品7の各電極とを電気的
に接続し、しかる後、電子部品7とソルダーレジスト層
3の隙間にアンダーフィル注入して信頼性評価用モジュ
ールAを作成した。
する表面にニッケル・金めっきを順次施し、その後、こ
の部分に鉛−錫から成る半田ペーストを印刷し、リフロ
ー炉を通すことにより導体バンプ6を形成した。またさ
らに、電子部品7を導体バンプ6上に載置し、リフロー
炉を通し配線導体層2と電子部品7の各電極とを電気的
に接続し、しかる後、電子部品7とソルダーレジスト層
3の隙間にアンダーフィル注入して信頼性評価用モジュ
ールAを作成した。
【0073】信頼性試験項目は、温度サイクル試験(T
CT)および高加速度試験(HAST)で、TCTでは
クラックや剥れ等の外観と抵抗値変化率を、HASTで
はマイグレーションと絶縁抵抗値を評価した。
CT)および高加速度試験(HAST)で、TCTでは
クラックや剥れ等の外観と抵抗値変化率を、HASTで
はマイグレーションと絶縁抵抗値を評価した。
【0074】TCTは気相冷熱試験機を用い、信頼性評
価用モジュールAを温度が−55℃および125℃の気相中
に各30分間放置し、これを1サイクルとして2000サイク
ルの条件で行い、抵抗値変化率は試験前後の抵抗値を測
定して計算により算出した。
価用モジュールAを温度が−55℃および125℃の気相中
に各30分間放置し、これを1サイクルとして2000サイク
ルの条件で行い、抵抗値変化率は試験前後の抵抗値を測
定して計算により算出した。
【0075】HASTは高加速度試験器を用い、信頼性
評価用モジュールAを温度が130℃で相対湿度が85%の
雰囲気中、5.5Vの電圧を300時間印加後に、導体バンプ
6のイオンマイグレーションと絶縁抵抗値を測定した。
評価用モジュールAを温度が130℃で相対湿度が85%の
雰囲気中、5.5Vの電圧を300時間印加後に、導体バンプ
6のイオンマイグレーションと絶縁抵抗値を測定した。
【0076】本発明の信頼性評価用モジュールAは、T
CT2000サイクル後でもクラックが発生せず、抵抗値変
化率も8%と低い値を示した。また、HAST300時間
後でも、イオンマイグレーションは発生せず、絶縁抵抗
値も1010Ω以上と高い値であった。
CT2000サイクル後でもクラックが発生せず、抵抗値変
化率も8%と低い値を示した。また、HAST300時間
後でも、イオンマイグレーションは発生せず、絶縁抵抗
値も1010Ω以上と高い値であった。
【0077】(実施例2)まず、熱硬化性樹脂としてビ
スマレイミドトリアジン樹脂60重量%と、エラストマー
としてスチレン−ブタジエン−スチレントリブロックエ
ラストマー25重量%と、無機絶縁性フィラーとして酸化
珪素15重量%と、溶剤等とから成る混合物を混練して得
た液状ワニス用い、実施例1と同様の方法を採用するこ
とにより厚みが25μmのフィルム状の熱硬化性樹脂を主
成分とするソルダーレジスト層3bを得た。この時のソ
ルダーレジスト層3bの透湿量は、JIS Z 0208の規定に
従って測定した結果、45g/m2であった。
スマレイミドトリアジン樹脂60重量%と、エラストマー
としてスチレン−ブタジエン−スチレントリブロックエ
ラストマー25重量%と、無機絶縁性フィラーとして酸化
珪素15重量%と、溶剤等とから成る混合物を混練して得
た液状ワニス用い、実施例1と同様の方法を採用するこ
とにより厚みが25μmのフィルム状の熱硬化性樹脂を主
成分とするソルダーレジスト層3bを得た。この時のソ
ルダーレジスト層3bの透湿量は、JIS Z 0208の規定に
従って測定した結果、45g/m2であった。
【0078】次に、表面に配線導体層2を被着形成した
絶縁基板1を準備し、絶縁基板1および配線導体層2上
に、まず、エポキシアクリレート55重量%とエポキシ樹
脂45重量%とから成る感光性樹脂60重量%と、エラスト
マーとしてスチレン−ブタジエン−スチレントリブロッ
クエラストマー25重量%と、無機絶縁性フィラーとして
酸化珪素15重量%と、溶剤等とから成る混合物を混練し
て得た液状ワニスを、スクリーン印刷法を採用して硬化
後の厚みが15μmとなるように均一に印刷・塗布するこ
とによりソルダーレジスト層3の下層部3aを形成し
た。
絶縁基板1を準備し、絶縁基板1および配線導体層2上
に、まず、エポキシアクリレート55重量%とエポキシ樹
脂45重量%とから成る感光性樹脂60重量%と、エラスト
マーとしてスチレン−ブタジエン−スチレントリブロッ
クエラストマー25重量%と、無機絶縁性フィラーとして
酸化珪素15重量%と、溶剤等とから成る混合物を混練し
て得た液状ワニスを、スクリーン印刷法を採用して硬化
後の厚みが15μmとなるように均一に印刷・塗布するこ
とによりソルダーレジスト層3の下層部3aを形成し
た。
【0079】次に、実施例1と同様な方法を用いて径が
100μmの開口5aを形成するとともに、下層部3aを
硬化後その上に上記組成のソルダーレジスト層3bをス
クリーン印刷法を用いて硬化後の厚みが25μmとなるよ
うに均一に形成した。さらに、この層を乾燥・硬化後、
実施例1と同様な方法を用いて径が80μmの開口5bを
形成した。さらに、実施例1と同様な方法により電子部
品7を搭載・接続し、信頼性評価用モジュールBを作成
した。
100μmの開口5aを形成するとともに、下層部3aを
硬化後その上に上記組成のソルダーレジスト層3bをス
クリーン印刷法を用いて硬化後の厚みが25μmとなるよ
うに均一に形成した。さらに、この層を乾燥・硬化後、
実施例1と同様な方法を用いて径が80μmの開口5bを
形成した。さらに、実施例1と同様な方法により電子部
品7を搭載・接続し、信頼性評価用モジュールBを作成
した。
【0080】この信頼性評価用モジュールBを用いて、
実施例1と同じ信頼性試験・評価を行なった結果、信頼
性評価用モジュールBはTCT2000サイクル後でもクラ
ックが発生せず、抵抗値変化率も8%と低い値を示し
た。また、HAST300時間後でも、イオンマイグレー
ションは発生せず、絶縁抵抗も1010Ω以上と高い値であ
った。
実施例1と同じ信頼性試験・評価を行なった結果、信頼
性評価用モジュールBはTCT2000サイクル後でもクラ
ックが発生せず、抵抗値変化率も8%と低い値を示し
た。また、HAST300時間後でも、イオンマイグレー
ションは発生せず、絶縁抵抗も1010Ω以上と高い値であ
った。
【0081】(比較例)まず、エポキシアクリレート50
重量%とエポキシ樹脂50重量%とから成る感光性樹脂60
重量%と、無機絶縁性フィラーとして酸化珪素40重量%
と、溶剤等とから成る混合物を混練して得た液状ワニス
を用い、実施例1と同様の方法を採用することにより厚
みが25μmの比較用のソルダーレジスト層を得た。この
時のソルダーレジスト層の透湿量は、JIS Z 0208の規定
に従って測定した結果、250g/m2であった。
重量%とエポキシ樹脂50重量%とから成る感光性樹脂60
重量%と、無機絶縁性フィラーとして酸化珪素40重量%
と、溶剤等とから成る混合物を混練して得た液状ワニス
を用い、実施例1と同様の方法を採用することにより厚
みが25μmの比較用のソルダーレジスト層を得た。この
時のソルダーレジスト層の透湿量は、JIS Z 0208の規定
に従って測定した結果、250g/m2であった。
【0082】次に、表面に配線導体層を被着形成した絶
縁基板を準備し、絶縁基板および配線導体層上に、上記
組成のソルダーレジスト層を硬化後の厚みが40μmとな
るように均一に形成した。さらに、露光・現像法を採用
することにより径が80μmの開口を形成した。また、開
口を形成後、ソルダーレジスト層を、1J/cmの強度
でUV照射処理および150℃の温度で1時間熱処理を行
うことにより硬化した。さらにまた、実施例1と同様な
方法により電子部品を搭載・接続し、比較用モジュール
Cを作成した。
縁基板を準備し、絶縁基板および配線導体層上に、上記
組成のソルダーレジスト層を硬化後の厚みが40μmとな
るように均一に形成した。さらに、露光・現像法を採用
することにより径が80μmの開口を形成した。また、開
口を形成後、ソルダーレジスト層を、1J/cmの強度
でUV照射処理および150℃の温度で1時間熱処理を行
うことにより硬化した。さらにまた、実施例1と同様な
方法により電子部品を搭載・接続し、比較用モジュール
Cを作成した。
【0083】この比較用モジュールCを用いて、実施例
1と同じ信頼性試験・評価を行なった結果、比較用モジ
ュールCは、TCT1500サイクル後でクラックが発生
し、抵抗値変化率も50%に増加した。また、HAST25
0時間後で、イオンマイグレーションが発生し、絶縁抵
抗も3×107Ωに低下した。
1と同じ信頼性試験・評価を行なった結果、比較用モジ
ュールCは、TCT1500サイクル後でクラックが発生
し、抵抗値変化率も50%に増加した。また、HAST25
0時間後で、イオンマイグレーションが発生し、絶縁抵
抗も3×107Ωに低下した。
【0084】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、配線導体層
を覆うソルダーレジスト層の上層部を熱硬化性樹脂を主
成分とするものとしたことから、架橋密度を高めること
ができ良好な耐湿性を有するとともにめっき時にソルダ
ーレジスト層を膨潤のないものとすることができ、その
結果、湿中放置試験等の信頼性試験において配線導体層
が腐蝕したり、めっき時にソルダーレジスト層が絶縁基
板から剥離して配線導体層が断線したりすることのない
配線基板とすることができる。また、ソルダーレジスト
層の下層部を感光性樹脂を主成分とするものとしたこと
から、温度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基
板との剥離やクラックを生じることのない耐熱疲労性に
優れた配線基板とすることができる。
を覆うソルダーレジスト層の上層部を熱硬化性樹脂を主
成分とするものとしたことから、架橋密度を高めること
ができ良好な耐湿性を有するとともにめっき時にソルダ
ーレジスト層を膨潤のないものとすることができ、その
結果、湿中放置試験等の信頼性試験において配線導体層
が腐蝕したり、めっき時にソルダーレジスト層が絶縁基
板から剥離して配線導体層が断線したりすることのない
配線基板とすることができる。また、ソルダーレジスト
層の下層部を感光性樹脂を主成分とするものとしたこと
から、温度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基
板との剥離やクラックを生じることのない耐熱疲労性に
優れた配線基板とすることができる。
【0085】また、本発明の配線基板によれば、ソルダ
ーレジスト層の上層部の透湿量がJIS Z 0208に規定され
た方法により測定して20〜150g/m2であることか
ら、配線基板のソルダーレジスト層に配線導体層を露出
させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バ
ンプを介して電子部品の電極を接続して成る電子部品モ
ジュールに、温度が130℃で相対湿度が85%の高温高湿
槽中で配線基板の端子間に5.5Vの電圧を連続して印加
する高加速度試験(HAST)を行ったとしても、隣接
する導体バンプ間の抵抗値が短時間で低下したり導体バ
ンプ間で電気的短絡が短時間に発生することはなく、良
好な耐湿性を有する配線基板とすることができる。
ーレジスト層の上層部の透湿量がJIS Z 0208に規定され
た方法により測定して20〜150g/m2であることか
ら、配線基板のソルダーレジスト層に配線導体層を露出
させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バ
ンプを介して電子部品の電極を接続して成る電子部品モ
ジュールに、温度が130℃で相対湿度が85%の高温高湿
槽中で配線基板の端子間に5.5Vの電圧を連続して印加
する高加速度試験(HAST)を行ったとしても、隣接
する導体バンプ間の抵抗値が短時間で低下したり導体バ
ンプ間で電気的短絡が短時間に発生することはなく、良
好な耐湿性を有する配線基板とすることができる。
【0086】さらに、本発明の配線基板によれば、ソル
ダーレジスト層の上層部および下層部は、エラストマー
を10〜40重量%含有することから良好な可撓性を有し温
度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基板との剥
離やクラックを生じることがなく、耐熱疲労性に優れた
配線基板とすることができる。また、ソルダーレジスト
層の上層部は、無機絶縁性フィラーの含有量を5〜20重
量%と低いものとしたことから無機絶縁性フィラーがソ
ルダーレジスト層の表裏面間や隣接する導体バンプ間で
架橋することはなく、その結果、ソルダーレジスト層の
上層部の透湿量をJIS Z 0208に規定された方法により測
定して20〜150g/m2の値とすることができる。
ダーレジスト層の上層部および下層部は、エラストマー
を10〜40重量%含有することから良好な可撓性を有し温
度サイクル試験等の信頼性試験において絶縁基板との剥
離やクラックを生じることがなく、耐熱疲労性に優れた
配線基板とすることができる。また、ソルダーレジスト
層の上層部は、無機絶縁性フィラーの含有量を5〜20重
量%と低いものとしたことから無機絶縁性フィラーがソ
ルダーレジスト層の表裏面間や隣接する導体バンプ間で
架橋することはなく、その結果、ソルダーレジスト層の
上層部の透湿量をJIS Z 0208に規定された方法により測
定して20〜150g/m2の値とすることができる。
【0087】本発明の電子部品モジュールによれば、上
記配線基板のソルダーレジスト層に配線導体層を露出さ
せる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バン
プを介して電子部品の電極を接続したことから、耐熱疲
労性および高加速度試験(HAST)に対する耐湿性等
に優れた電子部品モジュールとすることができる。
記配線基板のソルダーレジスト層に配線導体層を露出さ
せる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バン
プを介して電子部品の電極を接続したことから、耐熱疲
労性および高加速度試験(HAST)に対する耐湿性等
に優れた電子部品モジュールとすることができる。
【0088】また、本発明の電子部品モジュールによれ
ば、ソルダーレジスト層の上層部の開口径を下層部の開
口径の50〜80%の大きさとしたことから,感光性樹脂を
主成分とする下層部を架橋密度が高く良好な耐湿性を有
する熱硬化性樹脂を主成分とする上層部が良好に覆うこ
とができ、その結果、湿中放置試験や高加速度試験(H
AST)で良好な耐湿性を有する電子部品モジュールと
することができる。
ば、ソルダーレジスト層の上層部の開口径を下層部の開
口径の50〜80%の大きさとしたことから,感光性樹脂を
主成分とする下層部を架橋密度が高く良好な耐湿性を有
する熱硬化性樹脂を主成分とする上層部が良好に覆うこ
とができ、その結果、湿中放置試験や高加速度試験(H
AST)で良好な耐湿性を有する電子部品モジュールと
することができる。
【図1】本発明の配線基板に電子部品を搭載して成る電
子部品モジュールの実施の形態の一例を示す要部断面図
である。
子部品モジュールの実施の形態の一例を示す要部断面図
である。
【図2】図1に示す電子部品モジュールの要部拡大断面
図である。
図である。
【図3】本発明の電子部品モジュールの実施の形態の他
の例を示す要部断面図である。
の例を示す要部断面図である。
1・・・・・・・・・・絶縁基板 2・・・・・・・・・・配線導体層 3・・・・・・・・・・ソルダーレジスト層 3a・・・・・・・・・・ソルダーレジスト層の下層部 3b・・・・・・・・・・ソルダーレジスト層の上層部 4・・・・・・・・・・配線基板 5・・・・・・・・・・開口 5a・・・・・・・・・・下層部の開口 5b・・・・・・・・・・上層部の開口 6・・・・・・・・・・導体バンプ 7・・・・・・・・・・電子部品 8・・・・・・・・・・電子部品モジュール
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁基板の表面に、配線導体層を被着形
成するとともに、該配線導体層の一部を覆ってソルダー
レジスト層を被着して成る配線基板であって、前記ソル
ダーレジスト層は感光性樹脂を主成分とする下層部と熱
硬化性樹脂を主成分とする上層部とから成り、かつ該上
層部の透湿量がJIS Z 0208に規定された方法
により測定して20〜150g/m2であることを特徴
とする配線基板。 - 【請求項2】 前記ソルダーレジスト層の前記下層部は
感光性樹脂50〜80重量%、エラストマー10〜40
重量%および無機絶縁性フィラー5〜20重量%から成
り、かつ前記上層部は熱硬化性樹脂50〜80重量%、
エラストマー10〜40重量%および無機絶縁性フィラ
ー5〜20重量%から成ることを特徴とする請求項1記
載の配線基板。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2記載の配線基板
に電子部品を実装して成る電子部品モジュールであっ
て、前記ソルダーレジスト層に前記配線導体層を露出さ
せる開口を設けて、該開口内の配線導体層に導体バンプ
を介して前記電子部品の電極を接続したことを特徴とす
る電子部品モジュール。 - 【請求項4】 請求項3記載の電子部品モジュールにお
いて、前記ソルダーレジスト層の前記上層部の開口径が
前記下層部の開口径の50〜80%の大きさであること
を特徴とする電子部品モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000223793A JP2002043723A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000223793A JP2002043723A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002043723A true JP2002043723A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18717838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000223793A Pending JP2002043723A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002043723A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009289849A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体パッケージ |
JP2011049476A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Taiyo Holdings Co Ltd | ソルダーレジスト層及びプリント配線板 |
JP2011199270A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
JP2013065811A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント回路基板及びその製造方法 |
JP2013084816A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物 |
JP2014102524A (ja) * | 2014-02-13 | 2014-06-05 | Taiyo Holdings Co Ltd | ソルダーレジスト層及びプリント配線板 |
JP2016105516A (ja) * | 2016-03-02 | 2016-06-09 | 日立化成株式会社 | プリント配線板及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物 |
JPWO2016051781A1 (ja) * | 2014-10-03 | 2017-07-20 | 日本板硝子株式会社 | 貫通電極付ガラス基板の製造方法及びガラス基板 |
WO2020044525A1 (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 日立化成株式会社 | 防湿材料及び回路基板 |
-
2000
- 2000-07-25 JP JP2000223793A patent/JP2002043723A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009289849A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体パッケージ |
US8212151B2 (en) | 2008-05-28 | 2012-07-03 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate and semiconductor package |
JP2011049476A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Taiyo Holdings Co Ltd | ソルダーレジスト層及びプリント配線板 |
JP2011199270A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
JP2013065811A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント回路基板及びその製造方法 |
JP2013084816A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物 |
JP2014102524A (ja) * | 2014-02-13 | 2014-06-05 | Taiyo Holdings Co Ltd | ソルダーレジスト層及びプリント配線板 |
JPWO2016051781A1 (ja) * | 2014-10-03 | 2017-07-20 | 日本板硝子株式会社 | 貫通電極付ガラス基板の製造方法及びガラス基板 |
JP2020092270A (ja) * | 2014-10-03 | 2020-06-11 | 日本板硝子株式会社 | 導電部付ガラス基板 |
US10727048B2 (en) | 2014-10-03 | 2020-07-28 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Method for producing glass substrate with through glass vias and glass substrate |
JP2016105516A (ja) * | 2016-03-02 | 2016-06-09 | 日立化成株式会社 | プリント配線板及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物 |
WO2020044525A1 (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 日立化成株式会社 | 防湿材料及び回路基板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7068519B2 (en) | Printed circuit board and method manufacturing the same | |
US6734542B2 (en) | Component built-in module and method for producing the same | |
JP4361826B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7394663B2 (en) | Electronic component built-in module and method of manufacturing the same | |
KR20000029261A (ko) | 반도체장치, 반도체 웨이퍼, 반도체 모듈 및 반도체장치의제조방법 | |
JP2002170921A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20010082747A (ko) | 반도체 장치 | |
JP2002043723A (ja) | 配線基板およびこれを用いた電子部品モジュール | |
KR20010088292A (ko) | 가요성 전도 접착제를 갖는 플립 칩 장치 | |
US8546922B2 (en) | Wiring board | |
JP3312876B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP3840043B2 (ja) | 感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュール | |
JP2008091377A (ja) | プリント配線基板及びその製造方法 | |
JP3554249B2 (ja) | 接着材およびこれを用いた電子部品 | |
JP2002064162A (ja) | 半導体チップ | |
JP3605313B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3635022B2 (ja) | 接着材およびこれを用いた電子部品モジュール | |
JP2002261186A (ja) | 半導体搭載用基板とその製造方法とそれを用いた半導体パッケージ並びにその製造方法 | |
JP4663470B2 (ja) | 半導体素子内蔵型多層回路基板 | |
JP2002280495A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2003347454A (ja) | 多層配線基板 | |
JPH10178122A (ja) | Ic搭載用多層プリント配線板 | |
JP2002069415A (ja) | 接着材およびこれを用いた電子部品モジュール | |
JP4663471B2 (ja) | 半導体素子内蔵型多層回路基板 | |
JP2002353600A (ja) | 耐半田樹脂層およびそれを用いた配線基板ならびに電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060206 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060508 |