JP2002043033A - ヒータユニット及びその製造方法 - Google Patents

ヒータユニット及びその製造方法

Info

Publication number
JP2002043033A
JP2002043033A JP2000218377A JP2000218377A JP2002043033A JP 2002043033 A JP2002043033 A JP 2002043033A JP 2000218377 A JP2000218377 A JP 2000218377A JP 2000218377 A JP2000218377 A JP 2000218377A JP 2002043033 A JP2002043033 A JP 2002043033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
base member
heater wire
wire
heater unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000218377A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4545896B2 (ja
Inventor
Toshihiro Tachikawa
俊洋 立川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NHK Spring Co Ltd
Original Assignee
NHK Spring Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NHK Spring Co Ltd filed Critical NHK Spring Co Ltd
Priority to JP2000218377A priority Critical patent/JP4545896B2/ja
Publication of JP2002043033A publication Critical patent/JP2002043033A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4545896B2 publication Critical patent/JP4545896B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加熱時に全面に亘り熱を均一化でき、
加えて耐久性が向上し、更に製造歩留まりが改善された
ヒータユニット及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ベース部材の表面に、溶射等の成膜手
段により金属膜からなるヒータ線を成膜し、このヒータ
線を覆うようにベース部材にカバー部材を被せてヒータ
線をその内部に埋設したことで、成膜されたヒータ線、
特に溶射により成膜されたヒータ線は多孔質であるので
緻密な膜に比較してその表面積が大きくなり、負荷密度
が低くなり、耐久性が向上する。また、ヒータ線とベー
ス部材との密着性が向上し、熱伝達効率が向上して温度
差による熱応力が低減する。また、多孔質の膜は所望の
発熱量を得るための断面積に対する寸法を大きくとれ、
ヒータ線の寸法のばらつきの影響が小さくなり、更に緻
密な箔と同じ断面積を得るのに寸法を大きくとれ、ヒー
タ線のない部分の面積を箔の場合に比較して小さくでき
るため、ヒータユニットの表面温度の均一性が向上す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造過程に
於ける成膜装置やエッチング装置等に用いられ、ワーク
を加熱するためのヒータユニット及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えば半導体製造過程でＣＶ
Ｄ装置、ＰＶＤ装置等の成膜装置やエッチング装置にて
ウエハを加熱するためのヒータユニットが用いられてい
る。このヒータユニットのひとつとしてセラミックスヒ
ータがある。これは、セラミックス原料粉にタングステ
ンやモリブデン等の高融点金属の薄い金属箔を所望のパ
ターンに加工したものを埋め込み、例えば円盤状に焼結
したものである。
【０００３】上記したようなセラミックスヒータにあっ
ては、その内部に金属からなるヒータ線が埋設されてい
るが、これはタングステンあるいはモリブデン等の高融
点金属の薄い金属箔を所要のパターンに加工したもので
ある。適切な発熱量（抵抗値）を得るために、一般的な
ヒータ線は厚さ２０μｍ〜５０μｍ、幅は２ｍｍ〜５ｍ
ｍ、長さは１ｍ〜３ｍとなっている。例えば、８インチ
ウエハ加熱用の２ゾーンヒータでは、ヒータ線の厚さは
２５μｍ、幅は２．５ｍｍ、長さはインナーが２ｍ、ア
ウターが２．７ｍ程度である。このヒータ線を中子とし
てこれが内部に埋め込まれるように、セラミックス原料
粉を固め、焼結することでヒータプレート（ヒータユニ
ット）が製造される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような金属箔からなるヒータ線の表面積は所要の発熱
量に対して小さく、負荷密度（＝発熱量／ヒータ線の総
表面積）が高くなりがちである。負荷密度が過大になる
とヒータ線が焼き切れることがあるため、ヒータ線の総
表面積を大きくすると良いが、ヒータ線の寸法、即ち断
面積が発熱量により制限されるため、上記寸法は大きく
変更できない。
【０００５】また、箔の埋め込み時の位置決めは面倒で
あり、かつ上記したように箔からなるヒータ線はその幅
が細いため、ヒータ線の位置ずれはヒータ線の配置パタ
ーンのずれはそのままヒータユニット表面の温度分布に
影響し、これによってヒータユニット表面温度の均一性
を大きく劣化させる。更に、ヒータ線（箔）の厚さ、ま
たは幅にばらつきがあった場合、寸法自体が小さいため
にその断面積に比較的大きく影響して電気抵抗値の大き
なばらつきとなり、ヒータユニット表面温度の均一性を
大きく劣化させる。
【０００６】これらの問題はセラミックスヒータのみな
らず、金属箔からなるヒータ線を用いる以上共通の問題
である。
【０００７】一方、上記したようにヒータ線の寸法、即
ち断面積が発熱量により制限されるため、即ち薄く、か
つ細い箔からなるため、その強度が低く、特にセラミッ
クスヒータの場合、焼結する際にヒータ線が切れてしま
ういう不具合が多発し、製造歩留まりを低下させてい
た。また、例えば一対の円盤を張り合わせ、その間にヒ
ータ線を挟むような構造にあっても、その強度の低さか
らヒータ線が切れてしまう不具合がある。
【０００８】本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑
みなされたものであり、加熱時に早期に昇温し、かつ全
面に亘り熱を均一化でき、加えて耐久性が向上し、更に
製造歩留まりが改善されたヒータユニット及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した目的は、本発明
によれば、内部にヒータ線を埋設してなるヒータユニッ
トであって、前記ヒータ線が、ベース部材の表面に成膜
手段により成膜された金属膜からなり、前記ヒータ線を
覆うように前記ベース部材にカバー部材を被せることに
より前記ヒータ線をその内部に埋設したことを特徴とす
るヒータユニット、または内部にヒータ線を埋設してな
るヒータユニットの製造方法であって、ベース部材の表
面に金属からなるヒータ線を成膜手段により成膜し、前
記ベース部材に、前記ヒータ線を覆うように前記カバー
部材を被せることにより前記ヒータ線をその内部に埋設
することを特徴とするヒータユニットの製造方法を提供
することにより達成される。特に前記成膜手段が溶射手
段からなると良い。成膜されたヒータ線、特に溶射によ
り成膜されたヒータ線は多孔質であるので緻密な膜に比
較してその表面積が大きくなり、その分負荷密度が低く
なる。また、緻密な箔と同じ断面積を得るのに幅及び／
または厚さの寸法を大きくとれ、成膜することで高い位
置精度も得られる。更に成膜後はヒータ線がベース部材
に密着していることから断線の心配もなくその取り扱い
も容易になる。
【００１０】また、必要に応じて前記ベース部材の裏面
に前記ヒータ線とは別用途の電極線をも成膜手段により
成膜し、それらを成膜した前記ベース部材に、セラミッ
クス原料粉を被せて固め、焼結することにより前記カバ
ー部材を形成すると良い。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面を参照して本
発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１２】図１及び図２に本発明が適用された第１の
実施形態に於けるセラミックスヒータユニット１の概略
構造を示す。本ヒータユニット１は８インチウエハ加熱
用の２ゾーンヒータであり、その外形は円盤状をなし、
内部にヒータ線２が埋設されている。このヒータ線２は
モリブデン、タングステン、ニオブ及びタンタルから選
択される１種または２種以上の高融点金属の溶射膜から
なる。ヒータ線２は窒化アルミニウム、マグネシアまた
はアルミナのセラミックス焼結体からなるベース部材１
ａの表面に溶射により成膜され、上記同様なセラミック
ス焼結体からなるカバー部材１ｂにより覆われている。
【００１３】ヒータ線２は、線幅が６．５ｍｍのヒータ
線インナ３と、線幅が７．５ｍｍのヒータ線アウタ４と
を有し、図２に示すようなパターンで成膜されている。
これらヒータ線インナ３及びヒータ線アウタ４の電極３
ａ、４ａは、ベース部材１ａに埋め込まれた金属端子５
に、電極３ｂ、４ｂはベース部材１ａに埋め込まれた金
属端子６に各々接続され、これら金属端子５、６はヒー
タユニット１の裏面側に突出し、図示されない外部電源
に接続されることとなる。
【００１４】ここで、ヒータ線２（ヒータ線インナ３、
ヒータ線アウタ４）は、溶射により成膜されているた
め、箔などと比較して多孔質な金属膜となっている。従
って、その表面積が緻密な膜に比較して大きく、負荷密
度（＝発熱量／ヒータ線の総表面積）が、例えば箔から
なる膜に比較して１／３〜１／４に小さくなっており、
熱の拡散が速やかに行われ、過熱時に焼き切れ難くなっ
ている。また、多孔質であるため、所望の発熱量を得る
ための断面積に対する寸法（厚さ、または幅）を大きく
とれることから、ヒータ線２の厚さ、または幅にばらつ
きがあった場合でも、寸法自体が大きいためにその影響
は小さくなり、ヒータ線２の各部の温度が均一性が向上
し、即ちヒータユニット１の表面温度の均一性が向上し
ている。更に、同様な理由で幅広にできることから、か
つ溶射による膜のためにその位置精度が高いことから、
ヒータ線２のない部分の面積を箔の場合に比較して小さ
くでき、これによってもヒータユニット１の表面温度の
均一性が向上している。
【００１５】以下に、本ヒータユニット１の製造手順に
ついて図３（ａ）〜図３（ｃ）を参照して説明する。ま
ず、窒化アルミニウム、マグネシアまたはアルミナのセ
ラミックス原料紛を円盤状に固めて焼結し、ベース部材
１ａを得る（図３（ａ））。次に、このベース部材１ａ
の表面に溶射により図２に示すようなパターンでヒータ
線２（ヒータ線インナ３、ヒータ線アウタ４）を成膜す
る（図３（ｂ））。そして、ヒータ線２を覆うように上
記同様なセラミックス原料粉を被せて固め、焼結するこ
とによりカバー部材１ｂを形成し（図３（ｃ））、孔を
穿設して金属端子５、６を取り付け、表面を必要に応じ
て研磨する等してヒータユニット１を得る。これを半導
体製造過程に於ける成膜装置やエッチング装置等に用い
ることとなる。
【００１６】図４は、本発明が適用された第２の実施形
態に於けるセラミックスヒータユニット１１の概略構造
を示す図１と同様な図である。本ヒータユニット１１
は、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置に用いる
ものであり、ヒータ線１２の材質、寸法、成膜パターン
等は第１の実施形態と同様であるが、ヒータ線１２に加
えてこれと離間して他の電極線としてのＲＦグランド用
電極１７が設けられている。ヒータ線１２はベース部材
１１ａの裏面に溶射により成膜され、ＲＦグランド用電
極１７はベース部材１１ａの表面に上記同様に溶射によ
り成膜されている。これらヒータ線１２及びＲＦグラン
ド用電極１７は上記同様なセラミックス焼結体からなる
カバー部材１１ｂにより覆われている。
【００１７】尚、ヒータ線１２及びＲＦグランド用電極
１７は、ベース部材１１ａに埋め込まれた金属端子１
５、１６に接続され、ＲＦグランド用電極１７は、カバ
ー部材１１ｂに埋め込まれた金属端子１８に接続され、
これら金属端子１５、１６、１８はヒータユニット１１
の裏面側に突出し、図示されない外部電源に接続され、
またはアースされることとなる。
【００１８】以下に、本ヒータユニット１１の製造手順
について図５（ａ）〜図５（ｃ）を参照して説明する。
まず、窒化アルミニウム、マグネシアまたはアルミナの
セラミックス原料紛を円盤状に固めて焼結し、ベース部
材１１ａを得る（図５（ａ））。次に、このベース部材
１１ａの裏面に溶射により図２と同様なパターンでヒー
タ線１２を成膜する（図５（ｂ））。更にベース部材１
１ａの表面に溶射により適宜なパターンでＲＦグランド
用電極１７を成膜する（図５（ｃ））。そして、ヒータ
線１２及びＲＦグランド用電極１７を覆うように、即ち
ベース部材１１ａの表裏を覆うように上記同様なセラミ
ックス原料粉を被せて固め、焼結することによりカバー
部材１１ｂを形成し（図５（ｄ））、孔を穿設して金属
端子１５、１６、１８を取り付け、そのワーク搭載側表
面を必要に応じて研磨する等してヒータユニット１１を
得る。これを半導体製造過程に於ける成膜装置やエッチ
ング装置等に用いることとなる。
【００１９】ここで、本実施形態では他の電極線として
ＲＦグランド用電極１７を設けたが、これに限定され
ず、例えば静電チャック用の電極等、埋め込み電極であ
れば同様にこの構造を適用できる。
【００２０】尚、上記各実施形態では、ベース部材を中
子としてカバー部材を焼結により形成したが、これらを
別々に焼成し、ヒータ線を挟むように張り合わせて接合
しても良い。これを半導体処理装置に用いる場合、ヒー
タ線が側面から露出しないようにシールしたり、ベース
部材またはカバー部材にヒータ線のパターンと同様な凹
部を形成してこの凹部にヒータ線が収まるようにし、ベ
ース部材とカバー部材とを密着させると良い。
【００２１】また、上記各実施形態では、ヒータ線及び
他の電極線を溶射により成膜したが、他の成膜法、例え
ばスクリーン印刷や各種化学蒸着法、物理蒸着法により
成膜しても良い。その場合、成膜条件を適宜設定して多
孔質の膜となるように成膜することが望ましい。
【００２２】
【発明の効果】上記した説明により明らかなように、本
発明によるヒータユニット及びその製造方法によれば、
ベース部材の表面に、溶射等の成膜手段により金属膜か
らなるヒータ線を成膜し、このヒータ線を覆うようにベ
ース部材にカバー部材を被せることによりヒータ線をそ
の内部に埋設したことにより、成膜されたヒータ線、特
に溶射により成膜されたヒータ線は多孔質であるので緻
密な膜に比較してその表面積が大きくなり、その分負荷
密度が低くなり、発熱量が過大になっても焼き切れ難く
なり、即ち耐久性が向上する。また、ヒータ線がベース
部材に密着していることから接触面積が大きくなり、熱
伝達効率が向上し、温度差による熱応力が低減すると共
に物理的な断線の心配もなくその取り扱いも容易にな
る。
【００２３】また、多孔質の膜は所望の発熱量を得るた
めの断面積に対する寸法（厚さ、または幅）を大きくと
れることから、ヒータ線の厚さ、または幅にばらつきが
あった場合でも、寸法自体が大きくこのばらつきの影響
は小さくなり、ヒータ線各部の温度が均一性が向上し、
即ちヒータユニットの表面温度の均一性が向上すると共
に緻密な箔と同じ断面積を得るのに幅及び／または厚さ
の寸法を大きくとれ、成膜することで高い位置精度も得
られるため、ヒータ線のない部分の面積を箔の場合に比
較して小さくでき、これによってもヒータユニットの表
面温度の均一性が向上する。
【００２４】一方、必要に応じて前記ベース部材の裏面
にヒータ線とは別用途の電極線をも成膜手段により成膜
し、それらを成膜したベース部材に、セラミックス原料
粉を被せて固め、焼結することにより前記カバー部材を
形成することで、焼成時にヒータ線及び他の電極線の位
置ずれ、断線の心配がなく、製造歩留まりが改善され
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に於けるセラミックス
ヒータユニット概略構造を示す部分断面斜視図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線について見たヒータユニッ
トのヒータ線のパターンを示す平面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図１のヒータユニットの製
造手順を示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施形態に於けるセラミックス
ヒータユニット概略構造を示す部分断面斜視図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、図４のヒータユニットの製
造手順を示す断面図。
【符号の説明】
１ セラミックスヒータユニット １ａ ベース部材 １ｂ カバー部材 ２ ヒータ線 ３ ヒータ線インナ ４ ヒータ線アウタ ３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ 電極 ５、６ 金属端子 １１ セラミックスヒータユニット １１ａベース部材 １１ｂ カバー部材 １２ ヒータ線 １５、１６、１８ 金属端子 １７ ＲＦグランド用電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ２３Ｃ 16/46 Ｃ２３Ｃ 16/46 Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA04 AA16 AA19 AA22 AA34 AA35 AA36 AA37 BA06 BA14 BA17 BB06 BB14 BC02 BC16 BC17 BC29 CA02 CA23 JA01 JA10 3K092 PP20 QA05 QB02 QB26 QB31 QB43 QB74 QB75 QB76 QB77 QB78 QC02 QC20 QC25 QC50 RF03 RF11 RF17 RF26 RF27 VV02 VV03 VV22 VV34 4K030 CA04 CA12 KA24 KA46 4K031 AA04 AB02 AB08 CB07 CB31 CB33 CB34

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 内部にヒータ線を埋設してなるヒータ
    ユニットであって、 前記ヒータ線が、ベース部材の表面に成膜手段により成
    膜された金属膜からなり、 前記ヒータ線を覆うように前記ベース部材にカバー部材
    を被せることにより前記ヒータ線をその内部に埋設した
    ことを特徴とするヒータユニット。
  2. 【請求項２】 前記成膜手段が溶射手段からなること
    を特徴とする請求項１に記載のヒータユニット。
  3. 【請求項３】 前記ベース部材の裏面に成膜手段によ
    り成膜された金属膜からなる前記ヒータ線とは別用途の
    電極線を有し、 前記カバー部材が前記電極線をも覆うように前記ベース
    部材に被さり、前記電極線をもその内部に埋設したこと
    を特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒータユ
    ニット。
  4. 【請求項４】 前記ヒータ線及び前記電極線が、モリ
    ブデン、タングステン、ニオブ及びタンタルから選択さ
    れる１種または２種以上の金属からなることを特徴とす
    る請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のヒータユニ
    ット。
  5. 【請求項５】 前記ベース部材及び前記カバー部材が
    セラミックス焼結体からなり、 前記ベース部材を中子として前記カバー部材を焼結して
    なることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか
    に記載のヒータユニット。
  6. 【請求項６】 前記ヒータ線成膜された前記ベース部
    材と、別途形成した前記カバー部材とを張り合わせてな
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに
    記載のヒータユニット。
  7. 【請求項７】 前記ベース部材及び前記カバー部材
    が、窒化アルミニウム、マグネシア及びアルミナから選
    択されるセラミックス焼結体からなることを特徴とする
    請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のヒータユニッ
    ト。
  8. 【請求項８】 内部にヒータ線を埋設してなるヒータ
    ユニットの製造方法であって、 ベース部材の表面に金属からなるヒータ線を成膜手段に
    より成膜し、 前記ベース部材に、前記ヒータ線を覆うように前記カバ
    ー部材を被せることにより前記ヒータ線をその内部に埋
    設することを特徴とするヒータユニットの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記ヒータ線を溶射により成膜するこ
    とを特徴とする請求項９に記載のヒータユニットの製造
    方法。
  10. 【請求項１０】 前記ベース部材の裏面に前記ヒータ
    線とは別用途の電極線をも成膜手段により成膜し、 前記カバー部材が前記電極線をも覆うように前記ベース
    部材に被せることにより、前記電極線をもその内部に埋
    設することを特徴とする請求項８または請求項９に記載
    のヒータユニットの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記ベース部材がセラミックス焼結
    体からなり、 前記ベース部材に、これを覆うようにセラミックス原料
    粉を被せて固め、焼結することにより前記カバー部材を
    形成することを特徴とする請求項８乃至請求項１０のい
    ずれかに記載のヒータユニットの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記ヒータ線を成膜した前記ベース
    部材と、別途形成した前記カバー部材とを張り合わせて
    接合することを特徴とする請求項８乃至請求項１０のい
    ずれかに記載のヒータユニットの製造方法。
JP2000218377A 2000-07-19 2000-07-19 ヒータユニット及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4545896B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000218377A JP4545896B2 (ja) 2000-07-19 2000-07-19 ヒータユニット及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000218377A JP4545896B2 (ja) 2000-07-19 2000-07-19 ヒータユニット及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002043033A true JP2002043033A (ja) 2002-02-08
JP4545896B2 JP4545896B2 (ja) 2010-09-15

Family

ID=18713339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000218377A Expired - Fee Related JP4545896B2 (ja) 2000-07-19 2000-07-19 ヒータユニット及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4545896B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004162147A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Plasma Giken Kogyo Kk 溶射被膜を有する窒化アルミニウム焼結体
JP2005327846A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 基板加熱装置
WO2008038477A1 (fr) * 2006-09-28 2008-04-03 Covalent Materials Corporation Chauffage planaire et appareil de traitement thermique de semi-conducteurs comportant le chauffage
JP2012064764A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Bridgestone Corp ヒータユニット、及び半導体製造方法
CN103898477A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 一种衬底支承座
CN108968152A (zh) * 2018-05-02 2018-12-11 深圳市新宜康科技股份有限公司 发热片的制作方法
JP2019009306A (ja) * 2017-06-26 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 給電部材及び基板処理装置
KR20190029589A (ko) 2016-06-17 2019-03-20 도카로 가부시키가이샤 발열부재

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62170185A (ja) * 1986-01-21 1987-07-27 凸版印刷株式会社 セラミツクヒ−タ
JPH08227933A (ja) * 1995-02-20 1996-09-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
JPH10189696A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Kyocera Corp ウエハ保持装置の給電構造
JPH1154245A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒーター
JPH1167426A (ja) * 1997-08-26 1999-03-09 Toshiba Ceramics Co Ltd プレートヒータ及びその製造方法
JP2000049217A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kyocera Corp ウエハ支持部材

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62170185A (ja) * 1986-01-21 1987-07-27 凸版印刷株式会社 セラミツクヒ−タ
JPH08227933A (ja) * 1995-02-20 1996-09-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
JPH10189696A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Kyocera Corp ウエハ保持装置の給電構造
JPH1154245A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒーター
JPH1167426A (ja) * 1997-08-26 1999-03-09 Toshiba Ceramics Co Ltd プレートヒータ及びその製造方法
JP2000049217A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kyocera Corp ウエハ支持部材

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004162147A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Plasma Giken Kogyo Kk 溶射被膜を有する窒化アルミニウム焼結体
JP2005327846A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 基板加熱装置
WO2008038477A1 (fr) * 2006-09-28 2008-04-03 Covalent Materials Corporation Chauffage planaire et appareil de traitement thermique de semi-conducteurs comportant le chauffage
JP2008108703A (ja) * 2006-09-28 2008-05-08 Covalent Materials Corp 面状ヒータ及びこのヒータを備えた半導体熱処理装置
CN101517706B (zh) * 2006-09-28 2012-05-23 科发伦材料株式会社 面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置
JP2012064764A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Bridgestone Corp ヒータユニット、及び半導体製造方法
CN103898477A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 一种衬底支承座
KR20190029589A (ko) 2016-06-17 2019-03-20 도카로 가부시키가이샤 발열부재
US11272579B2 (en) 2016-06-17 2022-03-08 Tocalo Co., Ltd. Heat generating component
JP2019009306A (ja) * 2017-06-26 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 給電部材及び基板処理装置
CN108968152A (zh) * 2018-05-02 2018-12-11 深圳市新宜康科技股份有限公司 发热片的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4545896B2 (ja) 2010-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4476701B2 (ja) 電極内蔵焼結体の製造方法
US6080970A (en) Wafer heating apparatus
KR100709536B1 (ko) 가열 장치
KR20010076378A (ko) 반도체 제조 장치용 웨이퍼 지지체와 그 제조 방법 및반도체 제조 장치
JP2002124367A (ja) セラミックヒーター
JP2001274230A (ja) 半導体製造装置用ウェハ保持体
US6967313B1 (en) Hot plate and method of producing the same
JP2011148688A (ja) セラミックス接合体及びその製造方法
JP2012089694A (ja) ２層ｒｆ構造のウエハ保持体
WO2019131611A1 (ja) セラミック装置
JP2002043033A (ja) ヒータユニット及びその製造方法
JP3924524B2 (ja) ウエハ加熱装置およびその製造方法
KR20030040049A (ko) 전극 내장형 서셉터 및 그 제조 방법
CN113056961A (zh) 陶瓷加热器
JP2012009337A (ja) セラミックスヒータ
JPH11162620A (ja) セラミックヒーター及びその均熱化方法
JP3918806B2 (ja) 被加熱物載置用ヒータ部材及び加熱処理装置
JP3810341B2 (ja) 静電チャック
JP2003045765A (ja) ウェハ支持部材
JP2002173378A (ja) 半導体処理装置用セラミックス部材の製造方法
CN112740829A (zh) 集成加热器和制造方法
JP2002198302A (ja) 半導体製造・検査装置用ホットプレート
JP2002176096A (ja) 半導体処理装置用セラミックス部材の製造方法
JP4199604B2 (ja) 窒化アルミニウムのセラミックスヒータ
JP2003100580A (ja) 半導体処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091020

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100615

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100701

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4545896

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees