JP2002026203A - Radiating spacer - Google Patents
Radiating spacerInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する分野】本発明は、コンピューター、ワー
ドプロセッサーなどの情報処理機器におけるIC、LS
I、CPU、MPU等の半導体素子より発生する熱を効
率よく放出するのに有用な放熱スペーサーに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC, an LS in information processing equipment such as a computer and a word processor.
The present invention relates to a heat radiation spacer useful for efficiently releasing heat generated from a semiconductor device such as I, CPU, MPU, or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、コンピューターやワードプロセッ
サー等の情報処理機器は、携帯用仕様の薄型サイズのも
のが好まれるようになっている。それに伴い、半導体素
子も高密度化・小型化され、そこから発生する熱も増加
の一途をたどり、それを効率良く除去することが重要な
課題となっている。2. Description of the Related Art In recent years, as information processing apparatuses such as computers and word processors, those having a small size for portable use have been preferred. Along with this, semiconductor elements have been increased in density and reduced in size, and the heat generated therefrom has steadily increased, and it has become an important issue to efficiently remove it.
【0003】従来より、半導体素子より発生した熱の除
去は、半導体素子を熱伝導性シート介して放熱フィンや
金属板に取り付けることによって行われている。しかし
ながら、情報処理機器の小型化、薄型化により、放熱フ
ィン等を取り付けるスペースがない場合も多くなり、そ
の場合には情報処理機器のケース等に直接伝熱して放熱
する方式が取られている。Conventionally, removal of heat generated from a semiconductor element has been performed by attaching the semiconductor element to a radiating fin or a metal plate via a heat conductive sheet. However, as information processing devices have become smaller and thinner, there are many cases where there is no space for mounting a radiation fin or the like. In such a case, a method of directly transferring heat to a case or the like of the information processing device and dissipating heat is adopted.
【0004】このような方式においては、半導体素子と
ケースの間に、そのスペースを埋める厚みを有したシリ
コーン硬化物等の樹脂硬化物に、熱伝導性フィラーの充
填された柔らかな熱伝導性スペーサー(以下、単に「ス
ペーサー」ともいう。)が用いられているが、高熱伝導
性の付与の点で、まだ改善すべき余地があった。In such a method, a soft heat-conductive spacer in which a heat-conductive filler is filled in a resin-cured material such as a silicone-cured material having a thickness to fill the space between a semiconductor element and a case. (Hereinafter, simply referred to as "spacer"), but there is still room for improvement in terms of imparting high thermal conductivity.
【0005】また、情報処理機器内部においては、半導
体素子より放射される電磁波によりノイズが発生し、こ
れが誤動作の原因の一つとなることがある。この対策と
して、フェライト等を充填したノイズ対策用シートを半
導体素子表面に張ることが行われている。しかし、この
ノイズ対策用シートは熱伝導性が低いので、半導体素子
から発生する熱を効率よく放熱することが困難である。[0005] Further, in an information processing apparatus, noise is generated by electromagnetic waves radiated from a semiconductor element, and this may be one of the causes of malfunction. As a countermeasure, a noise countermeasure sheet filled with ferrite or the like is provided on the surface of the semiconductor element. However, since this noise countermeasure sheet has low thermal conductivity, it is difficult to efficiently radiate heat generated from the semiconductor element.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に鑑み
てなされたものであり、その目的は、半導体素子から発
生する熱を効率よく放熱し、しかも電磁波の放射量を低
減するといった2つの効果を同時に発現することのでき
るスペーサーを提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to reduce the amount of electromagnetic waves radiated by efficiently radiating heat generated from a semiconductor element. An object of the present invention is to provide a spacer capable of simultaneously exhibiting the effects.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、熱
伝導性フィラー40〜80体積%が充填されてなるシリ
コーン硬化物からなるものであって、上記熱伝導性フィ
ラーが、体積抵抗率5×10-6Ω・m以下である導電性
粉末と、六方晶窒化ホウ素で被覆されたマグネシウム及
び/又はカルシウムホウ酸塩粉末とを含むものであるこ
とを特徴とする放熱スペーサーである。That is, the present invention comprises a cured silicone material filled with 40 to 80% by volume of a thermally conductive filler, wherein the thermally conductive filler has a volume resistivity of 5%. A heat-dissipating spacer comprising: a conductive powder of not more than × 10 −6 Ω · m; and magnesium and / or calcium borate powder coated with hexagonal boron nitride.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
【0009】本発明のスペーサーのマトリックスとして
用いられるシリコーン硬化物としては、一般的に電子材
料用途に使用されているシリコーン、例えば付加反応に
より加硫する液状シリコーン樹脂、過酸化物を加硫剤に
用いる熱加硫型ミラブルタイプのシリコーン樹脂等を不
都合なく用いることができる。The silicone cured product used as the matrix of the spacer of the present invention may be a silicone generally used for electronic materials, for example, a liquid silicone resin which is vulcanized by an addition reaction, or a peroxide as a vulcanizing agent. The heat-curable millable silicone resin to be used can be used without any inconvenience.
【0010】スペーサーは、半導体素子の発熱面と放熱
フィン等の放熱面との密着性が要求されるため、シリコ
ーンの中でも柔軟性を有するもの、ゴム弾性を有するも
のが好適である。特に柔軟性が必要な場合は、付加反応
型液状シリコーンが使用される。Since the spacer is required to have close contact between the heat-generating surface of the semiconductor element and the heat-radiating surface such as the heat-radiating fins, it is preferable to use silicone having flexibility or rubber elasticity. When flexibility is particularly required, an addition reaction type liquid silicone is used.
【0011】この付加反応型液状シリコーンの具体例と
しては、一分子中にビニル基とH−Si基の両方を有す
る一液性のシリコーン、又は末端あるいは側鎖にビニル
基を有するオルガノポリシロキサンと末端あるいは側鎖
に2個以上のH−Si基を有するオルガノポリシロキサ
ンとの二液性のシリコーン等を挙げることができる。こ
の市販品としては、例えば東レダウコーニング社製、商
品名「SE−1880」等を例示することができる。Specific examples of the addition reaction type liquid silicone include a one-pack silicone having both a vinyl group and an H-Si group in one molecule, or an organopolysiloxane having a vinyl group at a terminal or a side chain. A two-part silicone with an organopolysiloxane having two or more H-Si groups at the terminals or side chains can be used. As this commercially available product, for example, "SE-1880" (trade name, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.) can be exemplified.
【0012】スペーサーの柔軟性は、加硫によって形成
される架橋密度を変えることによって調整することがで
きる。また、必要に応じて、硬化剤やその他の添加剤を
配合することができる。硬化剤としては、例えば、東レ
ダウコーニング社製 商品名「RD−1」が挙げられ
る。また、添加剤としては、例えば難燃性付与のために
東芝シリコーン社製 商品名「XC−86−250」が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。The flexibility of the spacer can be adjusted by changing the crosslink density formed by vulcanization. If necessary, a curing agent and other additives can be blended. Examples of the curing agent include “RD-1” (trade name, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.). Examples of the additive include, but are not limited to, "XC-86-250" (trade name, manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd. for imparting flame retardancy).
【0013】本発明で使用される熱伝導性フィラーは、
六方晶窒化ホウ素(以下、hBNという)で被覆された
マグネシウム及び/又はカルシウムホウ酸塩粉末と導電
性粉末を含む粉末で構成されている。[0013] The thermally conductive filler used in the present invention comprises:
It is composed of a powder containing a magnesium and / or calcium borate powder coated with hexagonal boron nitride (hereinafter referred to as hBN) and a conductive powder.
【0014】本発明で使用されるhBNで被覆されたマ
グネシウム及び/又はカルシウムホウ酸塩粉末はマグネ
シウム及び/又はカルシウムホウ酸塩からなるコア部
と、hBNからなるシェル部とから構成されている。h
BN被覆ホウ酸塩粉末の構造の確認は、エネルギー分散
型蛍光X線測定器を用いて行うことができる。hBN被
覆ホウ酸塩粉末のコア部の占める割合は、粒子断面の面
積占有率で10〜80%であることが好ましく、またシ
ェル部の厚みは数〜十数μmであることが好ましい。こ
れらは、二次電子像(SEM写真)から測定することが
できる。The magnesium and / or calcium borate powder coated with hBN used in the present invention is composed of a core portion made of magnesium and / or calcium borate and a shell portion made of hBN. h
Confirmation of the structure of the BN-coated borate powder can be performed using an energy dispersive X-ray fluorescence spectrometer. The proportion of the core portion of the hBN-coated borate powder is preferably 10 to 80% in terms of the area occupation ratio of the particle cross section, and the thickness of the shell portion is preferably several to several tens of μm. These can be measured from a secondary electron image (SEM photograph).
【0015】hBN被覆ホウ酸塩粉末は、例えば次のよ
うにして製造することができる。すなわち、メラミン、
ホウ酸、並びにマグネシウム又はカルシウムの水酸化物
及び炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物が
モル百分率の三元組成図(メラミン,ホウ酸,無機化合
物)において、点A(35,60,5)、B(25,7
0,5)、C(5,80,15)、D(5,5,90)
を結ぶ線で囲まれた範囲内にある混合物を、そのまま、
もしくは49MPa以下、好ましくは20MPa以下の
圧力で成形した後、窒素、アンモニア等の非酸化性雰囲
気下、温度1700〜2200℃で0.5〜24時間、
好ましくは2〜10時間焼成する。この焼成物中にはh
BN被覆ホウ酸塩粒子と遊離したhBNとが含まれてい
る。この混合粉末を水等の溶剤中に超音波分散させ、2
4μmJIS篩で篩上残分を選別することによって、h
BN被覆ホウ酸塩粒子の割合を高めた混合粉末を製造す
ることができる。(特願平10−352519号参
照)。[0015] The hBN-coated borate powder can be produced, for example, as follows. That is, melamine,
In the ternary composition diagram (melamine, boric acid, inorganic compound) of boric acid and at least one inorganic compound selected from hydroxides and carbonates of magnesium or calcium, at point A (35, 60, 5) ), B (25, 7)
0,5), C (5,80,15), D (5,5,90)
The mixture within the range enclosed by the line connecting
Alternatively, after molding at a pressure of 49 MPa or less, preferably 20 MPa or less, under a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen or ammonia, at a temperature of 1700 to 2200 ° C. for 0.5 to 24 hours,
Preferably, firing is performed for 2 to 10 hours. H in this fired product
BN-coated borate particles and free hBN are included. This mixed powder is ultrasonically dispersed in a solvent such as water,
By screening the residue on the sieve with a 4 μm JIS sieve, h
A mixed powder with an increased proportion of BN-coated borate particles can be produced. (See Japanese Patent Application No. 10-352519).
【0016】本発明に使用される導電性粉末は体積抵抗
率5×10-6Ω・m以下であることが必要である。体積
抵抗率が5×10-6Ω・mを超えると、電磁波を十分に
吸収することができない。放熱スペーサーとしての電磁
波吸収特性としては100MHzにおいて30dB以上
であることが好ましい。導電性粉末の具体例としては、
金、銀、銅、鉛、アルミニウム、マンガン、ケイ素、
錫、チタン、ニッケル等の金属あるいは、アルミ銅、青
銅、黄銅等の合金又は金属化合物、更には炭化ケイ素な
どの導電性セラミックス粉末等を挙げることができる。
好ましくは銅、アルミニウム、またはそれらを含む合金
あるいは化合物であるが、これらに限定されるものでは
ない。上記の導電性粉末を1種類あるいは2種類以上を
混合して使用しても良い。The conductive powder used in the present invention must have a volume resistivity of 5 × 10 −6 Ω · m or less. When the volume resistivity exceeds 5 × 10 −6 Ω · m, electromagnetic waves cannot be sufficiently absorbed. The electromagnetic wave absorption characteristics of the heat radiation spacer are preferably 30 dB or more at 100 MHz. As a specific example of the conductive powder,
Gold, silver, copper, lead, aluminum, manganese, silicon,
Examples thereof include metals such as tin, titanium, and nickel, alloys and metal compounds such as aluminum copper, bronze, and brass, and conductive ceramic powders such as silicon carbide.
Preferred are copper, aluminum, and alloys or compounds containing them, but are not limited thereto. The above conductive powders may be used alone or as a mixture of two or more.
【0017】また、上記導電性粉末の比表面積が100
m2/g以下であることが好ましい。比表面積が100
m2/gを超える場合には、粉末そのものが非常に嵩高
くなり、スペーサー樹脂組成物に所定量を充填するのが
容易でなくなる。The specific surface area of the conductive powder is 100
It is preferably at most m 2 / g. Specific surface area is 100
If it exceeds m 2 / g, the powder itself becomes very bulky and it becomes difficult to fill the spacer resin composition with a predetermined amount.
【0018】また、導電性粉末の製造法についても特に
制限されるものではなく、一例を挙げれば、金属もしく
は金属化合物粉末においては、アトマイズ法、溶融法等
の公知の製造法にて製造することができる。導電性セラ
ミックス粉末においても同様に製造方法は特に限定され
るものではなく、気相反応法、ゾルゲル法等の、公知の
製造法によって製造することができる。The method for producing the conductive powder is not particularly limited. For example, in the case of a metal or a metal compound powder, it may be produced by a known production method such as an atomizing method or a melting method. Can be. Similarly, the method of producing the conductive ceramic powder is not particularly limited, and the powder can be produced by a known production method such as a gas phase reaction method and a sol-gel method.
【0019】本発明に使用される熱伝導性フィラーに含
まれる導電性粉末とhBN被覆ホウ酸塩粉末の体積比は
好ましくは1:2〜3:1の範囲で、より好ましくは
2:1〜5:3の範囲にある。このhBN被覆ホウ酸塩
粉末の含まれる量が上記体積比より著しく少ない場合に
は、hBN被覆ホウ酸塩粉末の持つ熱伝導性を生かすこ
とができず、逆にhBN被覆ホウ酸塩粉末の含まれる量
が上記体積比より著しく多い場合には、電磁波を十分に
吸収することができなくなる。また、本発明におけるh
BN被覆ホウ酸塩粉末及び導電性粉末の平均粒子径、粒
子形状等については特に限定されるものではないが、い
ずれも楕円形に近いものほどより望ましい 。The volume ratio of the conductive powder and the hBN-coated borate powder contained in the thermally conductive filler used in the present invention is preferably in the range of 1: 2 to 3: 1, more preferably 2: 1 to 3: 1. 5: 3. When the amount of the hBN-coated borate powder is significantly smaller than the above-mentioned volume ratio, the thermal conductivity of the hBN-coated borate powder cannot be utilized, and conversely, the hBN-coated borate powder contains If the volume is significantly larger than the above volume ratio, the electromagnetic wave cannot be sufficiently absorbed. In the present invention, h
The average particle size, particle shape, and the like of the BN-coated borate powder and the conductive powder are not particularly limited, but those having an elliptical shape are more preferable.
【0020】hBN被覆ホウ酸塩粉末及び導電性粉末は
予め混合しても、或いは放熱スペーサーに混合するとき
に別々に加えてもよい。The hBN-coated borate powder and the conductive powder may be mixed in advance, or may be added separately when mixed with the heat radiation spacer.
【0021】本発明のスペーサーの硬さは、使用目的に
応じて適切な硬さが選択され、例えばアスカーC硬度で
80以下のものが使用される。また、厚みは、0.1〜
6mm、特に0.2〜2mmが一般的である。The hardness of the spacer of the present invention is appropriately selected according to the purpose of use. For example, a spacer having an Asker C hardness of 80 or less is used. The thickness is 0.1 to
6 mm, especially 0.2 to 2 mm, is common.
【0022】本発明のスペーサーの平面形状は、半導体
素子と密着できる形状ないしは半導体素子を埋没できる
形状であれば、特に制限されるものではなく、例えば三
角形、四角形、五角形などの多角形、円形、楕円形等の
任意の形状を用いることができ、更には、半導体素子が
密着ないしは埋没しやすいように凹凸をつけてもかまわ
ない。The planar shape of the spacer of the present invention is not particularly limited as long as it can be in close contact with the semiconductor element or can be embedded in the semiconductor element. For example, a polygon such as a triangle, a quadrangle, a pentagon, a circle, An arbitrary shape such as an elliptical shape can be used, and irregularities may be provided so that the semiconductor element is easily adhered or buried.
【0023】本発明のスペーサーは、具体的には成分を
所定量混合、成形、加硫、必要に応じて所望の形状に切
断する工程を経て得られる。その混合には、ロールミ
ル、ニーダー、バンバリーミキサー等の公知の混合機を
用いることができる。また、成形方法は、特に制限され
るものではないが、押出し若しくはプレス成形法が好ま
しい。ドクターブレード法では、有機溶剤を添加して粘
度を調整するため、成形後に有機溶剤を除去する工程が
必要となり、生産性が劣る。Specifically, the spacer of the present invention is obtained through steps of mixing, molding, vulcanizing, and, if necessary, cutting a desired amount of the components. For the mixing, a known mixer such as a roll mill, a kneader, or a Banbury mixer can be used. The molding method is not particularly limited, but extrusion or press molding is preferred. In the doctor blade method, since a viscosity is adjusted by adding an organic solvent, a step of removing the organic solvent after molding is required, and productivity is poor.
【0024】加硫温度は、50〜200℃であることが
望ましい。50℃未満ではスペーサーが架橋するまでに
長時間必要とするために生産性に劣り、逆に200℃を
超えるとスペーサーの一部が劣化する。また、加硫に
は、一般的な熱風乾燥機、遠赤外乾燥機、マイクロ波乾
燥機等を用いることができる。The vulcanization temperature is desirably 50 to 200 ° C. If the temperature is lower than 50 ° C., it takes a long time for the spacer to be crosslinked, resulting in poor productivity. If the temperature exceeds 200 ° C., part of the spacer deteriorates. For vulcanization, a general hot air dryer, far-infrared dryer, microwave dryer, or the like can be used.
【0025】本発明において、さらに電磁波吸収特性を
高めるために金属箔等を当該放熱スペーサーに貼り合わ
せるかスペーサー内に挟み込んでもかまわない。In the present invention, in order to further enhance the electromagnetic wave absorption characteristics, a metal foil or the like may be attached to the heat radiation spacer or may be sandwiched in the spacer.
【0026】[0026]
【実施例】以下、実施例、比較例をあげて更に具体的に本
発明を説明する。The present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples.
【0027】六方晶窒化ホウ素(hBN)被覆カルシウ
ム(又はマグネシウム)ホウ酸塩粉末の製造 ホウ酸60モル%、メラミン27モル%、水酸化カルシ
ウム(又は水酸化マグネシウム)13モル%の配合比率
でヘンシェルミキサーを用いて混合した。それを温度8
0℃、相対湿度95%の恒温恒湿槽中で7時間保持した
後、アルミナ製乳鉢で軽く解砕し、圧力12MPaで金
型成形した。成形物(直径約40mm×高さ15mm)
の全量(約900g)をpBN製坩堝に充填し、高周波
誘導炉を用いて、窒素気流下、1950℃で3時間焼成
した。Production of Hexagonal Boron Nitride (hBN) Coated Calcium (or Magnesium) Borate Powder Henschel in a blending ratio of boric acid 60 mol%, melamine 27 mol%, calcium hydroxide (or magnesium hydroxide) 13 mol% Mixing was performed using a mixer. Temperature 8
After being kept in a thermo-hygrostat at 0 ° C. and a relative humidity of 95% for 7 hours, it was lightly crushed in an alumina mortar and molded into a mold at a pressure of 12 MPa. Molded product (about 40mm in diameter x 15mm in height)
Was filled in a pBN crucible and fired at 1950 ° C. for 3 hours in a nitrogen stream using a high-frequency induction furnace.
【0028】次いで、焼成物をアルミナ製乳鉢で解砕
し、目開き150μmの乾式篩により整粒した後、更に
エタノール中で超音波分散させてから再び湿式篩により
24μm未満の微粉を除去し、乾燥させてhBN被覆カ
ルシウム(又はマグネシウム)ホウ酸塩を約90%と、
遊離したhBNを約10%を含む混合粉末を得た。Next, the calcined product was crushed in an alumina mortar, sized with a dry sieve having a mesh size of 150 μm, further ultrasonically dispersed in ethanol, and fine powder having a particle size of less than 24 μm was removed again with a wet sieve. Dried to about 90% of the hBN-coated calcium (or magnesium) borate;
A mixed powder containing about 10% of released hBN was obtained.
【0029】得られたhBN被覆ホウ酸塩粉末20cc
を所定の容器に充填し、1MPaの圧力をかけて成形し
た後、真空中でエポキシ樹脂を流し込み含浸させ、常圧
に戻して80℃で15時間静置して樹脂を硬化させた。
容器より取り出したサンプルを所定厚みに切り出し、粒
子の欠落がないように研磨し、電子顕微鏡(SEM)に
より粒子断面を撮影した。SEM像中のhBN被覆ホウ
酸塩粒子の画像解析により、hBN被覆ホウ酸塩粒子の
hBN被覆率は約84%、平均粒子径は17μm、ホウ
酸塩からなるコア部の面積占有率は約63%であった。
なお、これらの値は粒子100個の平均値である。The resulting hBN-coated borate powder 20 cc
Was filled in a predetermined container, and molded by applying a pressure of 1 MPa, and then poured and impregnated with an epoxy resin in a vacuum, returned to normal pressure, and allowed to stand at 80 ° C. for 15 hours to cure the resin.
A sample taken out of the container was cut out to a predetermined thickness, polished so that no particles were missing, and a cross section of the particles was taken with an electron microscope (SEM). From the image analysis of the hBN-coated borate particles in the SEM image, the hBN coverage of the hBN-coated borate particles was about 84%, the average particle diameter was 17 μm, and the area occupancy of the borate core was about 63%. %Met.
These values are average values of 100 particles.
【0030】〔実施例1〜9〕〔比較例1〜5〕付加反
応型シリコーン樹脂(東レダウコーニング社製 商品名
「SE1886」)と上記により得られたhBN被覆ホ
ウ酸塩粉末及び、導電性粉末を表1に示した割合で配合
し、市販の万能撹拌混合機で撹拌混合を行った。用いた
導電性粉末の体積抵抗率も表1に示した。体積抵抗率
は、導電性粉末20ccを所定の金属製容器に充填し、
980Paの圧力をかけて一軸成形して成形体を作製し
た後、JIS C2110に準拠して測定した。[Examples 1 to 9] [Comparative Examples 1 to 5] An addition-reaction type silicone resin (trade name "SE1886" manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), the hBN-coated borate powder obtained as described above, and conductivity The powders were blended at the ratios shown in Table 1 and stirred and mixed with a commercially available universal stirring mixer. Table 1 also shows the volume resistivity of the conductive powder used. Volume resistivity, conductive powder 20cc filled in a predetermined metal container,
After applying a pressure of 980 Pa and uniaxially forming a molded body, the measurement was performed in accordance with JIS C2110.
【0031】得られた混合物を、市販の一軸式押出機で
真空押出して、厚さ1mmとなるように成形した後、1
30℃の乾燥機中に7時間静置して加硫・硬化させ、ス
ペーサーを作製した。得られたスペーサーの熱伝導率、
電磁波吸収特性、及びアスカー硬度Cを以下に従い測定
した。それらの結果を表1に示す。The obtained mixture was vacuum-extruded with a commercially available single-screw extruder to form a thickness of 1 mm.
It was left in a dryer at 30 ° C. for 7 hours for vulcanization and curing to produce a spacer. Thermal conductivity of the obtained spacer,
The electromagnetic wave absorption characteristics and Asker hardness C were measured as follows. Table 1 shows the results.
【0032】(1)熱伝導率:スペーサーをTO−3型
銅製ヒーターケースと銅板との間に挟み、スペーサー厚
みの10%を圧縮した後、銅製ヒーターケースに電力5
Wかけて4分間保持し、銅製ヒーターケースと銅板との
温度差を測定し、以下の式(1)から算出した。 熱伝導率(W/m・K)={電力(W)×厚み(m)}/{温度差(K)×測定 面積(m2)} (1) (2)電磁波吸収特性:MIL−STD−285(MI
L−STDは米国の国際規格のミリタリースタンダード
を示し、MIL−STD−285はシールデッドルーム
テストメソッドを示す)に準じて、テクトロニクス社製
492スペクトロムアナライザーを用い10MHz〜1
000MHzの範囲で測定した。 (3)アスカーC硬度:厚さ1.0mmのサンプルを2
9mmφの大きさに打ち抜いた後、10枚重ねた試料
を、アスカーC型スプリング式硬さ試験機を用い、SR
IS 0101に準拠して測定した。(1) Thermal conductivity: A spacer is sandwiched between a TO-3 type copper heater case and a copper plate, and 10% of the spacer thickness is compressed.
W was held for 4 minutes, and the temperature difference between the copper heater case and the copper plate was measured and calculated from the following equation (1). Thermal conductivity (W / m · K) = {power (W) × thickness (m)} / {temperature difference (K) × measured area (m 2 )} (1) (2) Electromagnetic wave absorption characteristics: MIL-STD -285 (MI
L-STD indicates a military standard of the U.S. international standard, and MIL-STD-285 indicates a sealed dead room test method), using a 492 spectrometer made by Tektronix, Inc.
It was measured in the range of 000 MHz. (3) Asker C hardness: 2 samples of 1.0 mm thickness
After punching out a sample of 9 mmφ, 10 samples were piled up using an Asker C-type spring-type hardness tester,
It was measured according to IS 0101.
【0033】[0033]
【表1】 [Table 1]
【0034】表1から、hBN被覆ホウ酸塩粉末と体積
抵抗率5×10-6Ω・mの導電性粉末を含む熱伝導性フ
ィラーを用いることで、熱伝導性と電磁波シールド効果
に優れた放熱スペーサーが得られることが示された。From Table 1, it can be seen that the use of the hBN-coated borate powder and the heat-conductive filler containing the conductive powder having a volume resistivity of 5 × 10 −6 Ω · m provides excellent heat conductivity and electromagnetic wave shielding effect. It was shown that a heat dissipation spacer was obtained.
【0035】[0035]
【発明の効果】本発明によれば、より高度な熱伝導性と
電磁波シールド効果を有するスペーサーが提供される。According to the present invention, a spacer having higher heat conductivity and an electromagnetic wave shielding effect is provided.
Claims (1)
填されてなるシリコーン硬化物からなるものであって、
上記熱伝導性フィラーが、体積抵抗率5×10-6Ω・m
以下である導電性粉末と、六方晶窒化ホウ素で被覆され
たマグネシウム及び/又はカルシウムホウ酸塩粉末とを
含むものであることを特徴とする放熱スペーサー。Claims: 1. A silicone cured product filled with 40 to 80% by volume of a thermally conductive filler,
The heat conductive filler has a volume resistivity of 5 × 10 −6 Ω · m.
A heat radiation spacer comprising: a conductive powder as described below; and magnesium and / or calcium borate powder coated with hexagonal boron nitride.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000203336A JP2002026203A (en) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | Radiating spacer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000203336A JP2002026203A (en) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | Radiating spacer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=18700757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2000203336A Pending JP2002026203A (en) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | Radiating spacer |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2002026203A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004080040A (en) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Bergquist Co:The | Flexible surface layer film for providing highly filled or less bridged thermally conductive interface pads |
JP2016130313A (en) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh | Reactive resin having high conductivity |
-
2000
- 2000-07-05 JP JP2000203336A patent/JP2002026203A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004080040A (en) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Bergquist Co:The | Flexible surface layer film for providing highly filled or less bridged thermally conductive interface pads |
JP2016130313A (en) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh | Reactive resin having high conductivity |
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