JP2002016058A - 誘電体膜の製造方法及びその製造装置並びに誘電体膜 - Google Patents
誘電体膜の製造方法及びその製造装置並びに誘電体膜Info
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- JP2002016058A JP2002016058A JP2000374904A JP2000374904A JP2002016058A JP 2002016058 A JP2002016058 A JP 2002016058A JP 2000374904 A JP2000374904 A JP 2000374904A JP 2000374904 A JP2000374904 A JP 2000374904A JP 2002016058 A JP2002016058 A JP 2002016058A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比誘電率２．０以下の低比誘電率の誘電体膜
を得る。 【解決手段】 無機材料と有機材料との超微粉末２−
１、２−２を共通あるいは別々のエアロゾル化１−１、
１−２からキャリアガスで搬送して細径ノズル７より真
空排気中の反応室９内の基板８上に高速噴射すると共
に、細径ノズル７内を伝搬させたレーザ光を基板８上に
照射して、基板８上に誘電体膜を成膜する。
を得る。 【解決手段】 無機材料と有機材料との超微粉末２−
１、２−２を共通あるいは別々のエアロゾル化１−１、
１−２からキャリアガスで搬送して細径ノズル７より真
空排気中の反応室９内の基板８上に高速噴射すると共
に、細径ノズル７内を伝搬させたレーザ光を基板８上に
照射して、基板８上に誘電体膜を成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無機材料と有機材
料を混合した低比誘電率の誘電体膜の製造方法及びその
製造装置並びに誘電体膜に関する。
料を混合した低比誘電率の誘電体膜の製造方法及びその
製造装置並びに誘電体膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体（ＬＳＩ）のさらなる高機能化・
高速化の研究開発が活発に行なわれている。上記課題を
実現する技術の一つとして、ＬＳＩ間の多層配線構造に
おける配線の抵抗値を下げ、層間および線間の容量を低
減させる新しいプロセス、新しい材料の開発が極めて重
要になってきている。
高速化の研究開発が活発に行なわれている。上記課題を
実現する技術の一つとして、ＬＳＩ間の多層配線構造に
おける配線の抵抗値を下げ、層間および線間の容量を低
減させる新しいプロセス、新しい材料の開発が極めて重
要になってきている。
【０００３】図１１は銅（Ｃｕ）と低比誘電率（Ｌｏｗ
Ｋ）膜を用いた電極構造の形成例であり、上記多層配
線ではこの構造が繰り返し形成される。Ｌｏｗ Ｋ膜と
して水素化シロキサン系材料（ＨＳＱ）が用いられ、配
線にＣｕ，窒化チタン（ＴｉＮ）などの薄膜が積層化さ
れ、さらに同図（ｅ）に示すように、化学的機械研磨
（ＣＭＰ）での平坦化工程が用いられ、結果的に低抵抗
値配線と、層間及び線間の低容量化が実現されている。
しかし、さらなる高速化をめざすためには、より低い比
誘電率膜が必要になることから、上記材質以外にオルガ
ノシロキサン系材料、有機ポリマー、カーボンドープド
オキサイド、フロロカーボン、ＳｉＯＦ、Ｈ含有ＳｉＯ
2 などが検討されている。上記膜の形成方法としては、
スピンコーターで材料を回転塗布するスピンオン法やＣ
ＶＤ法、表面重合法などが検討されている。また、有機
材料と無機材料との混合膜も別の目的で検討され始め、
分子線蒸着法が試みられている。しかし、この方法で作
られる混合膜は蒸気圧がほぼ近い蒸着源物質を使用しな
ければならず、非線形光学材料（たとえば、ＳｎＣｌ 2
ＰｃとＣｄＳｅの混合膜）用として検討されている。ま
た、スピンオン法も検討されているが、まだ具体的手法
が見つかっていない。
Ｋ）膜を用いた電極構造の形成例であり、上記多層配
線ではこの構造が繰り返し形成される。Ｌｏｗ Ｋ膜と
して水素化シロキサン系材料（ＨＳＱ）が用いられ、配
線にＣｕ，窒化チタン（ＴｉＮ）などの薄膜が積層化さ
れ、さらに同図（ｅ）に示すように、化学的機械研磨
（ＣＭＰ）での平坦化工程が用いられ、結果的に低抵抗
値配線と、層間及び線間の低容量化が実現されている。
しかし、さらなる高速化をめざすためには、より低い比
誘電率膜が必要になることから、上記材質以外にオルガ
ノシロキサン系材料、有機ポリマー、カーボンドープド
オキサイド、フロロカーボン、ＳｉＯＦ、Ｈ含有ＳｉＯ
2 などが検討されている。上記膜の形成方法としては、
スピンコーターで材料を回転塗布するスピンオン法やＣ
ＶＤ法、表面重合法などが検討されている。また、有機
材料と無機材料との混合膜も別の目的で検討され始め、
分子線蒸着法が試みられている。しかし、この方法で作
られる混合膜は蒸気圧がほぼ近い蒸着源物質を使用しな
ければならず、非線形光学材料（たとえば、ＳｎＣｌ 2
ＰｃとＣｄＳｅの混合膜）用として検討されている。ま
た、スピンオン法も検討されているが、まだ具体的手法
が見つかっていない。
【０００４】なお、図１１において（ａ）はＰ−ＳｉＮ
基板上にＨＳＱ膜、ＴｉＮ膜及びＳｉＯ2 膜を順次形成
し、そのＳｉＯ2 膜上に形成されたフォトレジストパタ
ーンをマスクにしてＳｉＯ2 膜をドライエッチングする
工程である。（ｂ）は上記ＳｉＯ2 パターンをマスクに
してＴｉＮ膜をドライエッチングする工程である。
（ｃ）は上記ＴｉＮパターンをマスクにしてＨＳＱ膜を
ドライエッチングする工程である。（ｄ）は（ｃ）のド
ライエッチング面上にＴｉＮバリアを形成後、Ｃｕ層を
ＣＶＤ法によって堆積、埋め込む工程である。（ｅ）は
上記（ｄ）の表面をＣＭＰによって研磨し、表面を平坦
化する工程である。
基板上にＨＳＱ膜、ＴｉＮ膜及びＳｉＯ2 膜を順次形成
し、そのＳｉＯ2 膜上に形成されたフォトレジストパタ
ーンをマスクにしてＳｉＯ2 膜をドライエッチングする
工程である。（ｂ）は上記ＳｉＯ2 パターンをマスクに
してＴｉＮ膜をドライエッチングする工程である。
（ｃ）は上記ＴｉＮパターンをマスクにしてＨＳＱ膜を
ドライエッチングする工程である。（ｄ）は（ｃ）のド
ライエッチング面上にＴｉＮバリアを形成後、Ｃｕ層を
ＣＶＤ法によって堆積、埋め込む工程である。（ｅ）は
上記（ｄ）の表面をＣＭＰによって研磨し、表面を平坦
化する工程である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
低比誘電率膜及びその製造方法には次のような問題点が
ある。 （１）従来の誘電率膜は比誘電率（ｋ）が４．０〜２．
５の範囲であり、２．０以下の膜はまだ実現されていな
い。 （２）有機材料のみ及び無機材料のみでは低ｋ値が実現
されていない。 （３）有機材料と無機材料を混合した膜が別目的（光非
線形材料用）で作成が試みられているが、蒸着法を用い
ているので、蒸気圧の近い材料同士を用いなければなら
ないという、制限条件がつくので、低ｋ膜を実現するこ
とがむずかしい。また、スピンオン法も考えられている
が、具体的実現手段はまだ見い出されていない。
低比誘電率膜及びその製造方法には次のような問題点が
ある。 （１）従来の誘電率膜は比誘電率（ｋ）が４．０〜２．
５の範囲であり、２．０以下の膜はまだ実現されていな
い。 （２）有機材料のみ及び無機材料のみでは低ｋ値が実現
されていない。 （３）有機材料と無機材料を混合した膜が別目的（光非
線形材料用）で作成が試みられているが、蒸着法を用い
ているので、蒸気圧の近い材料同士を用いなければなら
ないという、制限条件がつくので、低ｋ膜を実現するこ
とがむずかしい。また、スピンオン法も考えられている
が、具体的実現手段はまだ見い出されていない。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、比誘電率が２．０以下の低比誘電率の誘電体膜の製
造方法及びその製造装置を提供することにある。
し、比誘電率が２．０以下の低比誘電率の誘電体膜の製
造方法及びその製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の誘電体膜の製造方法は、無機材料の超微粉末
と有機材料の超微粉末とを共通あるいは別々のエアロゾ
ル化室からキャリアガスで搬送して細径ノズルより真空
排気中の反応室内の基板上に高速噴射すると共に、細径
ノズル内を伝搬させたレーザ光を基板上に照射して、基
板上に誘電体膜を成膜するものである。
に本発明の誘電体膜の製造方法は、無機材料の超微粉末
と有機材料の超微粉末とを共通あるいは別々のエアロゾ
ル化室からキャリアガスで搬送して細径ノズルより真空
排気中の反応室内の基板上に高速噴射すると共に、細径
ノズル内を伝搬させたレーザ光を基板上に照射して、基
板上に誘電体膜を成膜するものである。
【０００８】上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造方
法は、エアロゾル化室の圧力を制御してポーラスな膜を
得るようにするのが好ましい。
法は、エアロゾル化室の圧力を制御してポーラスな膜を
得るようにするのが好ましい。
【０００９】上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造方
法は、レーザ光として波長１．１μｍ以下の光を用いる
のが好ましい。
法は、レーザ光として波長１．１μｍ以下の光を用いる
のが好ましい。
【００１０】上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造方
法は、超微粉末を含んだキャリアガスをメタルマスクを
介して基板上に高速噴射して微細パターンの誘電体膜を
成膜するのが好ましい。
法は、超微粉末を含んだキャリアガスをメタルマスクを
介して基板上に高速噴射して微細パターンの誘電体膜を
成膜するのが好ましい。
【００１１】上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造方
法は、キャリアガス圧を調節することにより、エアロゾ
ル化室の圧力と反応室の圧力との圧力差を制御するのが
好ましい。
法は、キャリアガス圧を調節することにより、エアロゾ
ル化室の圧力と反応室の圧力との圧力差を制御するのが
好ましい。
【００１２】上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造方
法は、ノズルがレーザ光の一部を吸収して発熱する材質
からなるのが好ましい。
法は、ノズルがレーザ光の一部を吸収して発熱する材質
からなるのが好ましい。
【００１３】上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造方
法は、ノズル内にはキャリアガスがエアロゾル化室を経
由して流れるようにする以外に、別の経路からノズル内
のキャリアガスに重畳されるようにキャリアガスが流れ
るようにしてもよい。
法は、ノズル内にはキャリアガスがエアロゾル化室を経
由して流れるようにする以外に、別の経路からノズル内
のキャリアガスに重畳されるようにキャリアガスが流れ
るようにしてもよい。
【００１４】上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造方
法は、反応室内に酸素系ガスあるいはフッ素系ガスを導
入しながら空隙をもったポーラスな誘電体膜を成膜する
のが好ましい。上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造
方法は、キャリアガスがＨｅガスであるのが好ましい。
法は、反応室内に酸素系ガスあるいはフッ素系ガスを導
入しながら空隙をもったポーラスな誘電体膜を成膜する
のが好ましい。上記構成に加え本発明の誘電体膜の製造
方法は、キャリアガスがＨｅガスであるのが好ましい。
【００１５】本発明の誘電体膜の製造装置は、無機材料
の超微粉末を入れたエアロゾル化室と有機材料の超微粉
末を入れたエアロゾル化室の２つを設けるか、あるいは
無機材料と有機材料の混合された超微粉末を入れたエア
ロゾル化室を設けるようにし、エアロゾル化室にはＨｅ
ガス供給口と超微粉末を含んだＨｅガスの吹出口が設け
られ、吹出口は細径ノズルに接続されており、細径ノズ
ルは真空排気機構付きの反応室へ導かれ、反応室内には
基板の設置されたＸＹ移動ステージが設けられ、細径ノ
ズル内にはレーザ光源からのレーザ光を伝搬させるよう
にしてあり、細径ノズルから高速噴射された超微粉末を
基板上に吹きつけると共に、レーザ光も照射して誘電体
膜を成膜するものである。
の超微粉末を入れたエアロゾル化室と有機材料の超微粉
末を入れたエアロゾル化室の２つを設けるか、あるいは
無機材料と有機材料の混合された超微粉末を入れたエア
ロゾル化室を設けるようにし、エアロゾル化室にはＨｅ
ガス供給口と超微粉末を含んだＨｅガスの吹出口が設け
られ、吹出口は細径ノズルに接続されており、細径ノズ
ルは真空排気機構付きの反応室へ導かれ、反応室内には
基板の設置されたＸＹ移動ステージが設けられ、細径ノ
ズル内にはレーザ光源からのレーザ光を伝搬させるよう
にしてあり、細径ノズルから高速噴射された超微粉末を
基板上に吹きつけると共に、レーザ光も照射して誘電体
膜を成膜するものである。
【００１６】本発明の誘電体膜は、無機材料の超微粉末
と有機材料の超微粉末とを共通あるいは別々のエアロゾ
ル化室からＨｅガスで搬送して真空排気中の反応室内の
細径ノズルを通して高速噴射させて誘電体膜を形成し、
あるいは形成しつつその膜表面に有機材料の超微粒子に
エネルギーを吸収させることのできるレーザ光を照射し
て膜中の有機材料の超微粒子を気化させて得た超微細な
空隙を有するものである。
と有機材料の超微粉末とを共通あるいは別々のエアロゾ
ル化室からＨｅガスで搬送して真空排気中の反応室内の
細径ノズルを通して高速噴射させて誘電体膜を形成し、
あるいは形成しつつその膜表面に有機材料の超微粒子に
エネルギーを吸収させることのできるレーザ光を照射し
て膜中の有機材料の超微粒子を気化させて得た超微細な
空隙を有するものである。
【００１７】上記構成に加え本発明の誘電体膜は、エア
ロゾル化室の圧力を制御して得られたポーラスで超微細
な空隙を有するのが好ましい。
ロゾル化室の圧力を制御して得られたポーラスで超微細
な空隙を有するのが好ましい。
【００１８】上記構成に加え本発明の誘電体膜は、レー
ザ光として波長０．６μｍ以下の平行光を用い、その照
射エネルギーとして、有機材料の超微粒子の融点を超え
るように、かつ無機材料の超微粒子の融点を超えないよ
うに制御して誘電体膜上に照射して得た超微細な空隙を
有するのが好ましい。
ザ光として波長０．６μｍ以下の平行光を用い、その照
射エネルギーとして、有機材料の超微粒子の融点を超え
るように、かつ無機材料の超微粒子の融点を超えないよ
うに制御して誘電体膜上に照射して得た超微細な空隙を
有するのが好ましい。
【００１９】上記構成に加え本発明の誘電体膜は、反応
室内に酸素系あるいはフッ素化系ガスを導入しながら成
膜して得られた超微細な空隙を有するのが好ましい。
室内に酸素系あるいはフッ素化系ガスを導入しながら成
膜して得られた超微細な空隙を有するのが好ましい。
【００２０】上記構成に加え本発明の誘電体膜は、超微
粉末を含んだＨｅガスをメタルマスクを介して基板上に
高速噴射させることによって得られた超微細な空隙を有
するのが好ましい。
粉末を含んだＨｅガスをメタルマスクを介して基板上に
高速噴射させることによって得られた超微細な空隙を有
するのが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。尚、図１１に示した従来例と
同様の部材には共通の符号を用いた。
図面に基づいて詳述する。尚、図１１に示した従来例と
同様の部材には共通の符号を用いた。
【００２２】図１に本発明の誘電体膜製造装置構成の第
１の実施例を示す。これは、無機材料と有機材料とが混
合された誘電体膜を基板８上に形成するための装置であ
る。すなわち、無機の超微粉末材料２−１はエアロゾル
化室１−１内に入れられており、Ｈｅガス３−１を上記
エアロゾル化室１−１内に供給口４−１を通して送り込
み、吹出し口５−１から上記無機の超微粉末材料２−１
を含んだＨｅガスを送出させ、金属管６を通って細径ノ
ズル７から高速噴射させる。同様に、有機の超微粉末材
料２−２はエアロゾル化室１−２内に入れられており、
Ｈｅガス３−２を上記エアロゾル化室１−２内に供給口
４−２を通して送り込み、吹出し口５−２から上記有機
の超微粉末材料２−２を含んだＨｅガスを送出させ、金
属管６を通って上記無機の超微粉末材料２−１を含んだ
Ｈｅガスと共に細径ノズル７から高速噴射させる。反応
室９内には、基板８を少なくともＸ方向及びＹ方向に移
動させることができるＸＹ移動ステージ１０が設置さ
れ、また上記反応室９は排気装置１１によって５×１０
3 Ｐａ以下に排気されている。低非誘電率の膜を形成す
るためには、無機材料及び有機材料の選択が重要である
ことと、無機材料と有機材料との比率と、より一層のポ
ーラスな膜を形成することが重要になる。
１の実施例を示す。これは、無機材料と有機材料とが混
合された誘電体膜を基板８上に形成するための装置であ
る。すなわち、無機の超微粉末材料２−１はエアロゾル
化室１−１内に入れられており、Ｈｅガス３−１を上記
エアロゾル化室１−１内に供給口４−１を通して送り込
み、吹出し口５−１から上記無機の超微粉末材料２−１
を含んだＨｅガスを送出させ、金属管６を通って細径ノ
ズル７から高速噴射させる。同様に、有機の超微粉末材
料２−２はエアロゾル化室１−２内に入れられており、
Ｈｅガス３−２を上記エアロゾル化室１−２内に供給口
４−２を通して送り込み、吹出し口５−２から上記有機
の超微粉末材料２−２を含んだＨｅガスを送出させ、金
属管６を通って上記無機の超微粉末材料２−１を含んだ
Ｈｅガスと共に細径ノズル７から高速噴射させる。反応
室９内には、基板８を少なくともＸ方向及びＹ方向に移
動させることができるＸＹ移動ステージ１０が設置さ
れ、また上記反応室９は排気装置１１によって５×１０
3 Ｐａ以下に排気されている。低非誘電率の膜を形成す
るためには、無機材料及び有機材料の選択が重要である
ことと、無機材料と有機材料との比率と、より一層のポ
ーラスな膜を形成することが重要になる。
【００２３】まず、無機材料としては、ＳｉＯＦ、Ｓｉ
Ｏ2 、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 、シリカエアロゲルなどを用
いる。有機材料としては、オルガノシロキサン系材料、
フロロカーボン、有機ポリマー、ポリイミド、フッ素化
ポリイミド、Ｐａｒｙｌｅｎｅ−Ｆ、テフロン（登録商
標）などを用いる。上記無機材料と有機材料との比率
は、たとえばそれぞれのＨｅガスのガス圧（あるいは流
速）を調節することによって制御することができる。上
記Ｈｅガス圧は１〜６ｋｇ／ｃｍ2 の範囲、流速は１０
０〜６００ｍ／ｓｅｃの範囲が好ましい。ポーラスな膜
を実現する方法として、それぞれのエアロゾル化室１−
１、１−２の圧力Ｐ1 ，Ｐ2 と反応室９の圧力Ｐh との
圧力差ΔＰ1 ，ΔＰ2 により無機粒子、有機粒子の基板
８上へ成膜される際の密度を制御する方法を用いる。す
なわち、エアロゾル化室の圧力Ｐ1 （Ｐ2 ）と反応室９
の圧力Ｐh との圧力差を変えていくと基板８表面への粒
子の衝突速度が変化し、膜の密度及び基板８への膜の密
着性を変えることができる。したがって、上記圧力差を
小さくすることによってポーラスな膜、つまり低比誘電
率の膜を成膜することができる。
Ｏ2 、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 、シリカエアロゲルなどを用
いる。有機材料としては、オルガノシロキサン系材料、
フロロカーボン、有機ポリマー、ポリイミド、フッ素化
ポリイミド、Ｐａｒｙｌｅｎｅ−Ｆ、テフロン（登録商
標）などを用いる。上記無機材料と有機材料との比率
は、たとえばそれぞれのＨｅガスのガス圧（あるいは流
速）を調節することによって制御することができる。上
記Ｈｅガス圧は１〜６ｋｇ／ｃｍ2 の範囲、流速は１０
０〜６００ｍ／ｓｅｃの範囲が好ましい。ポーラスな膜
を実現する方法として、それぞれのエアロゾル化室１−
１、１−２の圧力Ｐ1 ，Ｐ2 と反応室９の圧力Ｐh との
圧力差ΔＰ1 ，ΔＰ2 により無機粒子、有機粒子の基板
８上へ成膜される際の密度を制御する方法を用いる。す
なわち、エアロゾル化室の圧力Ｐ1 （Ｐ2 ）と反応室９
の圧力Ｐh との圧力差を変えていくと基板８表面への粒
子の衝突速度が変化し、膜の密度及び基板８への膜の密
着性を変えることができる。したがって、上記圧力差を
小さくすることによってポーラスな膜、つまり低比誘電
率の膜を成膜することができる。
【００２４】細径ノズル７の内径は４０μｍから８０μ
ｍの範囲が好ましい。細径ノズル７を構成している金属
管６内にはＹＡＧレーザ光源１２からのレーザ光がガラ
ス管１３、レーザ窓１４を通して伝搬するように構成さ
れている。すなわち、金属管６内を微粒子を含んだガス
を搬送させていると、金属管６の内壁の温度がガスの温
度よりも低くなり、上記内壁に微粒子が付着したり、ま
た、それが途中で剥離して凝集体となって内壁内を詰ま
らせたり、膜の密着力を低下させる恐れがある。これを
防ぐためにＹＡＧレーザ光を上記金属管内壁面で多重反
射させながら伝搬させる。これにより上記内壁面が温度
上昇し、内壁面をガスの温度よりも高くすることができ
る。また、基板８の表面へ照射し続けながら成膜するこ
とにより、基板８表面への膜の密着性を高めることがで
きる。特に、低比誘電率の膜は密度が小さいので、基板
との密着性が悪くなるが、これをレーザ光照射で補うこ
とができる。
ｍの範囲が好ましい。細径ノズル７を構成している金属
管６内にはＹＡＧレーザ光源１２からのレーザ光がガラ
ス管１３、レーザ窓１４を通して伝搬するように構成さ
れている。すなわち、金属管６内を微粒子を含んだガス
を搬送させていると、金属管６の内壁の温度がガスの温
度よりも低くなり、上記内壁に微粒子が付着したり、ま
た、それが途中で剥離して凝集体となって内壁内を詰ま
らせたり、膜の密着力を低下させる恐れがある。これを
防ぐためにＹＡＧレーザ光を上記金属管内壁面で多重反
射させながら伝搬させる。これにより上記内壁面が温度
上昇し、内壁面をガスの温度よりも高くすることができ
る。また、基板８の表面へ照射し続けながら成膜するこ
とにより、基板８表面への膜の密着性を高めることがで
きる。特に、低比誘電率の膜は密度が小さいので、基板
との密着性が悪くなるが、これをレーザ光照射で補うこ
とができる。
【００２５】また、レーザ光源として、ＹＡＧレーザ
（波長１．０６μｍ）の代わりに、より短波長のレーザ
（ＹＡＧレーザの高調波発振レーザ、エキシマレーザ、
Ｈｅ−Ｃｄレーザなど）を用いることにより、成膜、部
分的エッチング、成膜、部分的エッチング、…を繰り返
しながら成膜することができ、これにより部分的エッチ
ングでできた多数の空隙をもったポーラスな膜を成膜す
ることが可能となる。特にレーザ光の波長がより短波長
化することにより、上記効果をより強く期待することが
できる。たとえば、基板８上に成膜された有機の超微粒
子を部分的にエッチングしながら無機と有機との混合膜
形成を行なっていけば、大部分が無機材料で部分的に有
機材料が混在し、かつ緻密な空隙をたくさん持ったポー
ラスな膜を得ることができる。上記エッチングをより強
く進行させるために、反応室９内に外部から酸素系のガ
スを矢印１６のごとく入れるか、フッ素系のガスを入れ
るようにしてもよい。なお、有機材料の代わりに無機材
料を部分的にエッチングするようにしてもよい。この場
合にはフッ素系のガスを反応室９内に導入しながら行な
うのがよい。なお、図１のレーザ窓１４はレーザ光は通
すが、微粒子を含んだＨｅガスは通さないようにした窓
である。
（波長１．０６μｍ）の代わりに、より短波長のレーザ
（ＹＡＧレーザの高調波発振レーザ、エキシマレーザ、
Ｈｅ−Ｃｄレーザなど）を用いることにより、成膜、部
分的エッチング、成膜、部分的エッチング、…を繰り返
しながら成膜することができ、これにより部分的エッチ
ングでできた多数の空隙をもったポーラスな膜を成膜す
ることが可能となる。特にレーザ光の波長がより短波長
化することにより、上記効果をより強く期待することが
できる。たとえば、基板８上に成膜された有機の超微粒
子を部分的にエッチングしながら無機と有機との混合膜
形成を行なっていけば、大部分が無機材料で部分的に有
機材料が混在し、かつ緻密な空隙をたくさん持ったポー
ラスな膜を得ることができる。上記エッチングをより強
く進行させるために、反応室９内に外部から酸素系のガ
スを矢印１６のごとく入れるか、フッ素系のガスを入れ
るようにしてもよい。なお、有機材料の代わりに無機材
料を部分的にエッチングするようにしてもよい。この場
合にはフッ素系のガスを反応室９内に導入しながら行な
うのがよい。なお、図１のレーザ窓１４はレーザ光は通
すが、微粒子を含んだＨｅガスは通さないようにした窓
である。
【００２６】図２は、本発明の誘電体膜製造装置構成の
第２の実施例を示したものである。この実施例では、エ
アロゾル化室１内に無機材料と有機材料とを混合した超
微粉末材料２を入れておくようにしたものである。成膜
した膜中の無機材料と有機材料との比率は上記エアロゾ
ル化室１内に入る無機材料と有機材料との比率で調整す
る。
第２の実施例を示したものである。この実施例では、エ
アロゾル化室１内に無機材料と有機材料とを混合した超
微粉末材料２を入れておくようにしたものである。成膜
した膜中の無機材料と有機材料との比率は上記エアロゾ
ル化室１内に入る無機材料と有機材料との比率で調整す
る。
【００２７】図３は、本発明の誘電体膜製造装置構成の
第３の実施例を示したものである。これは、図１と同様
にエアロゾル化室を２つ用いた例であるが、エアロゾル
化室１−１と１−２に入れる無機材料及び有機材料を異
ならせて入れることができる。たとえば、１−１内には
ＳｉＯ2 とフロロカーボンの混合超微粉末材料１５−１
を入れ、１−２内にはＳｉＯ2 −Ｂ3 Ｏ2 と有機ポリマ
ーの混合超微粉末材料１５−２を入れ、基板８上に上記
４種類の混合膜（ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ 3 、フロ
ロカーボン、有機ポリマー）を成膜することができる。
第３の実施例を示したものである。これは、図１と同様
にエアロゾル化室を２つ用いた例であるが、エアロゾル
化室１−１と１−２に入れる無機材料及び有機材料を異
ならせて入れることができる。たとえば、１−１内には
ＳｉＯ2 とフロロカーボンの混合超微粉末材料１５−１
を入れ、１−２内にはＳｉＯ2 −Ｂ3 Ｏ2 と有機ポリマ
ーの混合超微粉末材料１５−２を入れ、基板８上に上記
４種類の混合膜（ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ 3 、フロ
ロカーボン、有機ポリマー）を成膜することができる。
【００２８】図４は、本発明の誘電体膜製造装置構成の
第４の実施例を示したものである。これは、よりポーラ
スな誘電体膜を基板８上に形成するために、超微粉末を
含んだＨｅガスの流速を調節する別の方法を示したもの
である。すなわち、金属管６内に吹出口５−２からＨｅ
ガスを矢印３−２のごとく供給し、細径ノズル７から噴
射させる流速を調節するようにしたものである。
第４の実施例を示したものである。これは、よりポーラ
スな誘電体膜を基板８上に形成するために、超微粉末を
含んだＨｅガスの流速を調節する別の方法を示したもの
である。すなわち、金属管６内に吹出口５−２からＨｅ
ガスを矢印３−２のごとく供給し、細径ノズル７から噴
射させる流速を調節するようにしたものである。
【００２９】なお、供給口４−１から導入するＨｅガス
３−１のガス圧（あるいは流速）は超微粉末材料１５の
供給量、すなわち基板８への成膜速度を調節するための
制御用として用いる。
３−１のガス圧（あるいは流速）は超微粉末材料１５の
供給量、すなわち基板８への成膜速度を調節するための
制御用として用いる。
【００３０】図５は、本発明の誘電体膜製造装置構成の
第５の実施例を示したものである。これも図４と同様
に、よりポーラスな誘電体膜を基板８上に形成するため
の装置構成である。すなわち、供給口４−２からＨｅガ
スを矢印３−２のごとく供給して細径ノズル７から噴射
する超微粒子を含んだＨｅガスの圧力（あるいは流速）
を調節するようにした方法である。
第５の実施例を示したものである。これも図４と同様
に、よりポーラスな誘電体膜を基板８上に形成するため
の装置構成である。すなわち、供給口４−２からＨｅガ
スを矢印３−２のごとく供給して細径ノズル７から噴射
する超微粒子を含んだＨｅガスの圧力（あるいは流速）
を調節するようにした方法である。
【００３１】図６は、本発明の誘電体膜製造装置構成の
第６の実施例を示したものである。これは基板８上に、
パターンのくりぬかれたマスク１７（たとえば金属製）
を置き、そのマスク１７のパターンのくりぬかれた部分
を通して超微粒子を含んだＨｅガスを高速噴射させるこ
とにより、基板８上に超微粒子膜パターンを直接的に描
画する方法及び装置構成である。上記方法及び装置によ
り、たとえば図６の（ａ）及び（ｂ）の工程を省略して
低比誘電率膜パターンを得ることができる。
第６の実施例を示したものである。これは基板８上に、
パターンのくりぬかれたマスク１７（たとえば金属製）
を置き、そのマスク１７のパターンのくりぬかれた部分
を通して超微粒子を含んだＨｅガスを高速噴射させるこ
とにより、基板８上に超微粒子膜パターンを直接的に描
画する方法及び装置構成である。上記方法及び装置によ
り、たとえば図６の（ａ）及び（ｂ）の工程を省略して
低比誘電率膜パターンを得ることができる。
【００３２】本発明は上記実施例に限定されない。ま
ず、誘電体膜は低比誘電率の膜以外に、高比誘電率の膜
も成膜することができる。たとえば、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ
2 Ｏ3、ＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、
２Ｌａ2 Ｏ3 −３ＳｉＯ2 、Ｇｄ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、Ｌ
ａ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 等の単体膜
あるいは上記材料を少なくとも２つ混合した膜及びその
成膜方法，並びにその成膜装置にも適用することができ
る。また、複数の無機材料を混合した誘電体膜（たとえ
ば、ＳｉＯＦとＳｉＯ2 との混合膜、ＳｉＯＦとＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 との混合膜など）や、複数の有機材料を混
合した誘電体膜（たとえば、フロロカーボンとポリイミ
ドとの混合膜、フッ素化ポリイミドとＰａｒｙｌｅｎｅ
−Ｆとの混合膜など）にも適用することができる。
ず、誘電体膜は低比誘電率の膜以外に、高比誘電率の膜
も成膜することができる。たとえば、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ
2 Ｏ3、ＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、
２Ｌａ2 Ｏ3 −３ＳｉＯ2 、Ｇｄ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、Ｌ
ａ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 等の単体膜
あるいは上記材料を少なくとも２つ混合した膜及びその
成膜方法，並びにその成膜装置にも適用することができ
る。また、複数の無機材料を混合した誘電体膜（たとえ
ば、ＳｉＯＦとＳｉＯ2 との混合膜、ＳｉＯＦとＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 との混合膜など）や、複数の有機材料を混
合した誘電体膜（たとえば、フロロカーボンとポリイミ
ドとの混合膜、フッ素化ポリイミドとＰａｒｙｌｅｎｅ
−Ｆとの混合膜など）にも適用することができる。
【００３３】図１〜図６において、ＹＡＧレーザ光源１
２の代わりに、エキシマレーザ光源を用いれば、誘電体
膜の成膜とその膜の微細エッチングを進行させながら成
膜工程が行なわれるので、膜中に超微細な空隙を一様に
もった誘電体膜を形成することができる。特に有機材料
についてはエキシマレーザ光は化学的分解反応が速いの
で、結果的に超微粒子の無機材料中に超微粒子の有機材
料と超微細な空隙をもった誘電体膜を得ることができ
る。なお、上記有機材料のエキシマレーザ光による化学
的分解反応は、酸素系あるいはフッ素系ガスの付加によ
り、より効果的に促進させることができる。
２の代わりに、エキシマレーザ光源を用いれば、誘電体
膜の成膜とその膜の微細エッチングを進行させながら成
膜工程が行なわれるので、膜中に超微細な空隙を一様に
もった誘電体膜を形成することができる。特に有機材料
についてはエキシマレーザ光は化学的分解反応が速いの
で、結果的に超微粒子の無機材料中に超微粒子の有機材
料と超微細な空隙をもった誘電体膜を得ることができ
る。なお、上記有機材料のエキシマレーザ光による化学
的分解反応は、酸素系あるいはフッ素系ガスの付加によ
り、より効果的に促進させることができる。
【００３４】図７は本発明の誘電体膜製造装置構成の第
７の実施例を示したものである。
７の実施例を示したものである。
【００３５】これは、超微細な空隙を無数に有する誘電
体膜１３０を基板８上に形成するための装置である。以
下に本装置を用いた誘電体膜の製造方法を示す。
体膜１３０を基板８上に形成するための装置である。以
下に本装置を用いた誘電体膜の製造方法を示す。
【００３６】誘電体膜１３０を形成するための材料とし
て、無機の超微粉末材料２−１と有機の超微粉末材料２
−２とを用いる。無機の超微粉末材料２−１はエアロゾ
ル化室１−１内に収容されており、Ｈｅガス３−１をエ
アロゾル化室１−１内に供給口４−１を通して送り込
み、吹出し口５−１から無機の超微粉末材料２−１を含
んだＨｅガスを送出させ、管５−３を通って細径ノズル
６０から高速噴射される。
て、無機の超微粉末材料２−１と有機の超微粉末材料２
−２とを用いる。無機の超微粉末材料２−１はエアロゾ
ル化室１−１内に収容されており、Ｈｅガス３−１をエ
アロゾル化室１−１内に供給口４−１を通して送り込
み、吹出し口５−１から無機の超微粉末材料２−１を含
んだＨｅガスを送出させ、管５−３を通って細径ノズル
６０から高速噴射される。
【００３７】同様に、有機の超微粉末材料２−２はエア
ロゾル化室１−２内に収容されており、Ｈｅガス３−２
をエアロゾル化室１−２内に供給口４−２を通して送り
込み、吹出し口５−２から有機の超微粉末材料２−２を
含んだＨｅガスを送出させ、金属管５−３を通って無機
の超微粉末材料２−１を含んだＨｅガスと共に細径ノズ
ル６０から高速噴射させる。反応室７０内には、基板８
を少なくともＸ方向及びＹ方向に移動させることができ
るＸＹ移動ステージ１０が設置され、矢印１８方向に移
動しながら、基板８上に無機材料と有機材料とが混合し
た誘電体膜１３０が形成される。反応室７０は排気装置
１１によって１０2 Ｐａ以下に排気される。
ロゾル化室１−２内に収容されており、Ｈｅガス３−２
をエアロゾル化室１−２内に供給口４−２を通して送り
込み、吹出し口５−２から有機の超微粉末材料２−２を
含んだＨｅガスを送出させ、金属管５−３を通って無機
の超微粉末材料２−１を含んだＨｅガスと共に細径ノズ
ル６０から高速噴射させる。反応室７０内には、基板８
を少なくともＸ方向及びＹ方向に移動させることができ
るＸＹ移動ステージ１０が設置され、矢印１８方向に移
動しながら、基板８上に無機材料と有機材料とが混合し
た誘電体膜１３０が形成される。反応室７０は排気装置
１１によって１０2 Ｐａ以下に排気される。
【００３８】ここで、低比誘電率の膜を実現するために
は、無機材料及び有機材料の選択が重要であることと、
無機材料と有機材料との比率と、各エアロゾル化室の圧
力が重要である。基板８上に形成しつつあるか、あるい
は形成直後の誘電体膜１３０の表面に真空排気下でレー
ザビーム１５０−２を照射して誘電体膜１３０中の有機
の超微粒子を気化させ、誘電体膜１３０の外に蒸発さ
せ、誘電体膜１３０中に超微細な空隙を無数に形成す
る。すなわち、有機材料に効率良く光エネルギーを吸収
するレーザ光源１４０を用い、このレーザ光源１４０か
ら出射した平行レーザビーム１５０−１をレーザガイド
管１６０−１内を伝搬させ、全反射ミラー１７０で直角
に曲げ、レーザガイド管１６０−２内を伝搬させ、矢印
１５０−２のように出射させて誘電体膜１３０の表面上
に照射する。このレーザビーム１５０−２の光エネルギ
ーは誘電体膜１３０中の有機材料の融点よりも高く、無
機材料の融点よりも低い値に選択する。これにより、誘
電体膜１３０の中及び表面の有機の超微粒子は気化して
蒸発し、誘電体膜１３０の外に出るために、誘電体膜１
３０中に超微粒子の空隙を作る。レーザビーム１５０−
２の誘電体膜１３０表面への照射位置は細径ノズル６０
の直ぐ後方に設ける。レーザ光源１４０としてはＹＡＧ
レーザの第二高調波光あるいは第三高調波光を発するレ
ーザか、エキシマレーザ、ＨｅＣｄレーザ等が適してい
る。基板８を取り付けるＸＹ移動ステージ１０の表面
は、上記レーザビーム１５０−２を反射させる反射層を
設けておくか、レーザビーム１５０−２を反射させる材
質を用いて構成しておくと、誘電体膜１３０中の有機の
超微粒子を効率良く気化させることができる。また、図
７において、反応室７０内に外部導入ガス９０を導入す
ることにより、有機材料の超微粒子をより効果的に気
化、蒸発させることができる。外部導入ガス９０とし
て、酸素、オゾン、フッ素系ガスあるいはこれらの混合
ガスを導入しながら無機材料と有機材料とが混合した誘
電体膜の形成と、その誘電体膜中の有機材料の超微粒子
の気化、蒸発を行わせることにより、低比誘電率の誘電
体膜を形成することができる。
は、無機材料及び有機材料の選択が重要であることと、
無機材料と有機材料との比率と、各エアロゾル化室の圧
力が重要である。基板８上に形成しつつあるか、あるい
は形成直後の誘電体膜１３０の表面に真空排気下でレー
ザビーム１５０−２を照射して誘電体膜１３０中の有機
の超微粒子を気化させ、誘電体膜１３０の外に蒸発さ
せ、誘電体膜１３０中に超微細な空隙を無数に形成す
る。すなわち、有機材料に効率良く光エネルギーを吸収
するレーザ光源１４０を用い、このレーザ光源１４０か
ら出射した平行レーザビーム１５０−１をレーザガイド
管１６０−１内を伝搬させ、全反射ミラー１７０で直角
に曲げ、レーザガイド管１６０−２内を伝搬させ、矢印
１５０−２のように出射させて誘電体膜１３０の表面上
に照射する。このレーザビーム１５０−２の光エネルギ
ーは誘電体膜１３０中の有機材料の融点よりも高く、無
機材料の融点よりも低い値に選択する。これにより、誘
電体膜１３０の中及び表面の有機の超微粒子は気化して
蒸発し、誘電体膜１３０の外に出るために、誘電体膜１
３０中に超微粒子の空隙を作る。レーザビーム１５０−
２の誘電体膜１３０表面への照射位置は細径ノズル６０
の直ぐ後方に設ける。レーザ光源１４０としてはＹＡＧ
レーザの第二高調波光あるいは第三高調波光を発するレ
ーザか、エキシマレーザ、ＨｅＣｄレーザ等が適してい
る。基板８を取り付けるＸＹ移動ステージ１０の表面
は、上記レーザビーム１５０−２を反射させる反射層を
設けておくか、レーザビーム１５０−２を反射させる材
質を用いて構成しておくと、誘電体膜１３０中の有機の
超微粒子を効率良く気化させることができる。また、図
７において、反応室７０内に外部導入ガス９０を導入す
ることにより、有機材料の超微粒子をより効果的に気
化、蒸発させることができる。外部導入ガス９０とし
て、酸素、オゾン、フッ素系ガスあるいはこれらの混合
ガスを導入しながら無機材料と有機材料とが混合した誘
電体膜の形成と、その誘電体膜中の有機材料の超微粒子
の気化、蒸発を行わせることにより、低比誘電率の誘電
体膜を形成することができる。
【００３９】無機の超微粉末材料としては、ＳｉＯＦ、
ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 、シリカエアロゲル等を
用いることができる。有機の超微粉末材料としては、オ
ルガノシロキサン系材料、フロロカーボン、有機ポリ
マ、フッ素化ポリイミド、フォトブリーリチング用ポリ
マ（例えば、ニトロンを含んだシリコーン化合物、ポリ
シラン等）、アクリル系ポリマ（例えば、ポリメタクリ
ル酸メチル、脂環式アクリルポリマ）、光増感剤を含ん
だ感光性ポリマ等を用いることができる。
ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 、シリカエアロゲル等を
用いることができる。有機の超微粉末材料としては、オ
ルガノシロキサン系材料、フロロカーボン、有機ポリ
マ、フッ素化ポリイミド、フォトブリーリチング用ポリ
マ（例えば、ニトロンを含んだシリコーン化合物、ポリ
シラン等）、アクリル系ポリマ（例えば、ポリメタクリ
ル酸メチル、脂環式アクリルポリマ）、光増感剤を含ん
だ感光性ポリマ等を用いることができる。
【００４０】中でも融点の低いポリマの方がレーザビー
ム照射による気化、蒸発を生じさせやすいので、好まし
い。これら無機材料と有機材料との比率は、例えば、そ
れぞれのＨｅガスの圧力（あるいは流速）を調節するこ
とによって制御することができる。Ｈｅガスの圧力は１
〜６ｋｇ／ｃｍ2 の範囲、流速は１００〜６００ｍ／ｓ
ｅｃの範囲内が好ましい。ポーラスな誘電体膜を実現す
る方法としては、それぞれのエアロゾル化室１−１、１
−２の圧力Ｐ1 、Ｐ2 と反応室７０の圧力Ｐhとの圧力
差ΔＰ1 、ΔＰ2 により無機材料の粒子及び有機材料の
粒子の基板８上への成膜される際の密度を制御する方法
を用いる。
ム照射による気化、蒸発を生じさせやすいので、好まし
い。これら無機材料と有機材料との比率は、例えば、そ
れぞれのＨｅガスの圧力（あるいは流速）を調節するこ
とによって制御することができる。Ｈｅガスの圧力は１
〜６ｋｇ／ｃｍ2 の範囲、流速は１００〜６００ｍ／ｓ
ｅｃの範囲内が好ましい。ポーラスな誘電体膜を実現す
る方法としては、それぞれのエアロゾル化室１−１、１
−２の圧力Ｐ1 、Ｐ2 と反応室７０の圧力Ｐhとの圧力
差ΔＰ1 、ΔＰ2 により無機材料の粒子及び有機材料の
粒子の基板８上への成膜される際の密度を制御する方法
を用いる。
【００４１】すなわち、エアロゾル化室１−１（１−
２）の圧力Ｐ1 （Ｐ2 ）と反応室７０の圧力Ｐh との差
を変えていくと基板８表面への粒子の衝突速度が変化
し、誘電体膜の密度及び基板８への誘電体膜の密着性を
変えることができる。したがって、圧力差を小さくする
ことによってポーラスな誘電体膜、低比誘電率膜を成膜
することができる。誘電体膜がポーラスである程、レー
ザビーム照射による誘電体膜中の有機材料の超微粒子の
気化、蒸発が起こりやすくなり、さらに低比誘電率の膜
を実現することができるようになる。
２）の圧力Ｐ1 （Ｐ2 ）と反応室７０の圧力Ｐh との差
を変えていくと基板８表面への粒子の衝突速度が変化
し、誘電体膜の密度及び基板８への誘電体膜の密着性を
変えることができる。したがって、圧力差を小さくする
ことによってポーラスな誘電体膜、低比誘電率膜を成膜
することができる。誘電体膜がポーラスである程、レー
ザビーム照射による誘電体膜中の有機材料の超微粒子の
気化、蒸発が起こりやすくなり、さらに低比誘電率の膜
を実現することができるようになる。
【００４２】細径ノズル６０の内径は４０μｍから１０
０μｍの範囲が好ましい。また、細径ノズル６０の形状
として、非常に隙間の狭いスリット形状のノズルを用
い、基板８の広い表面上に誘電体膜を形成するようにし
てもよい。レーザビーム１５０−２のビーム径（ビーム
幅）は細径ノズル６０の形状に応じて選択することがで
きる。すなわち、細径ノズル６０の断面形状が円形の場
合には、略円形断面形状の平行ビームを用い、細径ノズ
ル６０の形状が長さＬ、スリット幅Ｗのスリット状吹出
しノズルの場合には、レーザビーム１５０−２の形状も
長さが少なくともＬ、幅が少なくともＷの線状ビームを
用いるのが好ましい。
０μｍの範囲が好ましい。また、細径ノズル６０の形状
として、非常に隙間の狭いスリット形状のノズルを用
い、基板８の広い表面上に誘電体膜を形成するようにし
てもよい。レーザビーム１５０−２のビーム径（ビーム
幅）は細径ノズル６０の形状に応じて選択することがで
きる。すなわち、細径ノズル６０の断面形状が円形の場
合には、略円形断面形状の平行ビームを用い、細径ノズ
ル６０の形状が長さＬ、スリット幅Ｗのスリット状吹出
しノズルの場合には、レーザビーム１５０−２の形状も
長さが少なくともＬ、幅が少なくともＷの線状ビームを
用いるのが好ましい。
【００４３】図８は本発明の超微細な空隙を有する誘電
体膜の製造方法の実施例を示したものである。
体膜の製造方法の実施例を示したものである。
【００４４】８は基板であり、図示しないＸＹ移動ステ
ージ上に貼付けられ、矢印１８方向に移動されながら基
板８上に誘電体膜１３０が形成される。矢印１２０は図
７に示した細径ノズル６０から高速噴射される無機材料
の超微粉末材料を含んだＨｅガス流であり、基板８上に
吹き付けられて、無機材料と有機材料との混合物（誘電
体膜）１３０−２を形成する。矢印１５０−２はレーザ
ビームであり、矢印１２０のガス流の直ぐ後方に配置さ
れて無機材料と有機材料との混合物１３０−２上に照射
される。無機材料と有機材料との混合物からなる混合膜
１３０−２中の有機材料の超微粒子を気化、蒸発させて
矢印１９のように混合膜１３０−２の外へ放出させる。
これにより、レーザビーム１５０−２の照射された混合
膜１３０−１のように無数の超微細な空隙を有する膜１
３０−１になる。
ージ上に貼付けられ、矢印１８方向に移動されながら基
板８上に誘電体膜１３０が形成される。矢印１２０は図
７に示した細径ノズル６０から高速噴射される無機材料
の超微粉末材料を含んだＨｅガス流であり、基板８上に
吹き付けられて、無機材料と有機材料との混合物（誘電
体膜）１３０−２を形成する。矢印１５０−２はレーザ
ビームであり、矢印１２０のガス流の直ぐ後方に配置さ
れて無機材料と有機材料との混合物１３０−２上に照射
される。無機材料と有機材料との混合物からなる混合膜
１３０−２中の有機材料の超微粒子を気化、蒸発させて
矢印１９のように混合膜１３０−２の外へ放出させる。
これにより、レーザビーム１５０−２の照射された混合
膜１３０−１のように無数の超微細な空隙を有する膜１
３０−１になる。
【００４５】図９は本発明の誘電体膜製造装置構成の第
８の実施例を示したものである。
８の実施例を示したものである。
【００４６】これはエアロゾル化室１−１、１−２内
に、無機材料と有機材料とを混合した超微粉末材料２−
３、２−４を収容した装置構成としたものである。エア
ロゾル化室１−１、１−２内に収容する無機の超微粉末
材料と有機の超微粉末材料との配合比は任意に選択する
ことができる。エアロゾル化室１−１、１−２内に収容
する無機材料及び有機材料は異なっていてもよい。Ｈｅ
ガス３−１、３−２の流量も任意に選択することができ
る。以上のような種々の選択範囲を駆使することによ
り、ｋ値（比誘電率ｋの値）を広い範囲で変えることが
できる。
に、無機材料と有機材料とを混合した超微粉末材料２−
３、２−４を収容した装置構成としたものである。エア
ロゾル化室１−１、１−２内に収容する無機の超微粉末
材料と有機の超微粉末材料との配合比は任意に選択する
ことができる。エアロゾル化室１−１、１−２内に収容
する無機材料及び有機材料は異なっていてもよい。Ｈｅ
ガス３−１、３−２の流量も任意に選択することができ
る。以上のような種々の選択範囲を駆使することによ
り、ｋ値（比誘電率ｋの値）を広い範囲で変えることが
できる。
【００４７】図１０は本発明の誘電体膜製造装置構成の
第９の実施例を示したものである。
第９の実施例を示したものである。
【００４８】これはエアロゾル化室１を１個だけ用い、
そのエアロゾル化室１内に無機材料と有機材料とを混合
した超微粉末２を収納した装置としたものである。この
構成では、図６及び図８の構成に比べ、誘電体膜のｋ値
の選択範囲が限定される。しかし、この反面、プロセス
パラメータが少なくなるので、誘電体膜のｋ値を精度よ
く制御することが容易である。
そのエアロゾル化室１内に無機材料と有機材料とを混合
した超微粉末２を収納した装置としたものである。この
構成では、図６及び図８の構成に比べ、誘電体膜のｋ値
の選択範囲が限定される。しかし、この反面、プロセス
パラメータが少なくなるので、誘電体膜のｋ値を精度よ
く制御することが容易である。
【００４９】本発明は上記実施例に限定されない。図７
から図１０に示す方法で誘電体膜を形成中に基板は数十
℃から３００℃の範囲内で加熱していてもよい。また、
誘電体膜を形成し終えた後に、誘電体膜の形成された基
板を上記温度で加熱してち密化を図ってもよい。誘電体
膜１３０は一層以外に、多層状に形成してもよい。すな
わち、薄層形成、レーザビーム照射を繰り返しながら、
厚い誘電体膜を形成するようにしてもよい。細径ノズル
６０は二つ用い、一方の細径ノズルからは無機材料の超
微粉末を高速噴射させ、他方の細径ノズルからは有機材
料の超微粉末を高速噴射させるように構成してもよい。
すなわち、吹出し口５−１と吹出し口５−２とは合流さ
せないので、別々の細径ノズルへ導いて噴出させるよう
にしてもよい。細径ノズル６０から高速噴射させるＨｅ
ガスを含んだ超微粉末の吹出し方向とレーザビームの照
射方向とは基板８に対して垂直方向以外に斜め方向にし
てもよい。
から図１０に示す方法で誘電体膜を形成中に基板は数十
℃から３００℃の範囲内で加熱していてもよい。また、
誘電体膜を形成し終えた後に、誘電体膜の形成された基
板を上記温度で加熱してち密化を図ってもよい。誘電体
膜１３０は一層以外に、多層状に形成してもよい。すな
わち、薄層形成、レーザビーム照射を繰り返しながら、
厚い誘電体膜を形成するようにしてもよい。細径ノズル
６０は二つ用い、一方の細径ノズルからは無機材料の超
微粉末を高速噴射させ、他方の細径ノズルからは有機材
料の超微粉末を高速噴射させるように構成してもよい。
すなわち、吹出し口５−１と吹出し口５−２とは合流さ
せないので、別々の細径ノズルへ導いて噴出させるよう
にしてもよい。細径ノズル６０から高速噴射させるＨｅ
ガスを含んだ超微粉末の吹出し方向とレーザビームの照
射方向とは基板８に対して垂直方向以外に斜め方向にし
てもよい。
【００５０】レーザビーム１５０−２の誘電体膜１３０
の表面への照射によって、誘電体膜１３０中の有機材料
の超微粒子は全て気化させてもよく、一部を残留させて
もよい。この制御は、レーザビーム１５０−２のエネル
ギー量によって調節することができる。
の表面への照射によって、誘電体膜１３０中の有機材料
の超微粒子は全て気化させてもよく、一部を残留させて
もよい。この制御は、レーザビーム１５０−２のエネル
ギー量によって調節することができる。
【００５１】本発明は、上記実施例以外に、基板８上
に、パターンのくり抜かれたマスク（例えば金属マス
ク）を配置し、そのマスクのパターンのくり抜かれた部
分を通して超微粒子を含んだＨｅガスを高速噴射させて
基板８上に超微粒子膜パターンを直接的に描画すると共
に、その描画パターン上にレーザビーム１５０−２を照
射して描画パターン中の有機材料の超微粒子を気化、蒸
発させ、超微細な空隙を有する誘電体膜パターンを形成
するようにしてもよい。このような直接描画パターン形
成方法を用いれば、フォトリソグラフィ、ドライエッチ
ング等のプロセスやその後のＣＭＰ（化学的機械的研
磨）プロセスが不要となり、より経済的な誘電体膜パタ
ーン形成を実現することができる。特に、超微細な空隙
を有する誘電体膜にフォトリソグラフィプロセス、ドラ
イエッチングプロセスを行うと、超微細な空隙部とそう
でない部分とのエッチングプレートの違いによるエッチ
ングパターンの不均一性が発生しやすいが、これを回避
することができる特長がある。
に、パターンのくり抜かれたマスク（例えば金属マス
ク）を配置し、そのマスクのパターンのくり抜かれた部
分を通して超微粒子を含んだＨｅガスを高速噴射させて
基板８上に超微粒子膜パターンを直接的に描画すると共
に、その描画パターン上にレーザビーム１５０−２を照
射して描画パターン中の有機材料の超微粒子を気化、蒸
発させ、超微細な空隙を有する誘電体膜パターンを形成
するようにしてもよい。このような直接描画パターン形
成方法を用いれば、フォトリソグラフィ、ドライエッチ
ング等のプロセスやその後のＣＭＰ（化学的機械的研
磨）プロセスが不要となり、より経済的な誘電体膜パタ
ーン形成を実現することができる。特に、超微細な空隙
を有する誘電体膜にフォトリソグラフィプロセス、ドラ
イエッチングプロセスを行うと、超微細な空隙部とそう
でない部分とのエッチングプレートの違いによるエッチ
ングパターンの不均一性が発生しやすいが、これを回避
することができる特長がある。
【００５２】本発明には上記以外に次のような効果を得
ることができる。すなわち、誘電体膜を高周波帯で使用
しようとすると、誘電体損（ｔａｎδ）が大きくなって
きて、より高い周波数領域での使用に問題があった。こ
れに対し、本発明のように、超微微細な空隙を設けた構
造では誘電体損を小さくすることができ、かつ、周波数
が高い領域でも誘電体損の増加を抑えることができるの
で、より高い周波数領域までの使用が可能となる。この
特長を高比誘電率の膜に適用すれば、より広い分野へ適
用することができる。例えば、マイクロ波帯用のストリ
ップ線路、超高周波回路用のコンデンサ膜、光通信用の
導波路等へ適用可能となる。超微細な空隙を有する高比
誘電率膜としては、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2
−ＳｉＯ 2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、２Ｌａ2 Ｏ3 −３
ＳｉＯ2 、Ｇｄ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔａ2
Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 等の単体膜あるいは上記材料
を少なくとも２種類混合した膜等である。
ることができる。すなわち、誘電体膜を高周波帯で使用
しようとすると、誘電体損（ｔａｎδ）が大きくなって
きて、より高い周波数領域での使用に問題があった。こ
れに対し、本発明のように、超微微細な空隙を設けた構
造では誘電体損を小さくすることができ、かつ、周波数
が高い領域でも誘電体損の増加を抑えることができるの
で、より高い周波数領域までの使用が可能となる。この
特長を高比誘電率の膜に適用すれば、より広い分野へ適
用することができる。例えば、マイクロ波帯用のストリ
ップ線路、超高周波回路用のコンデンサ膜、光通信用の
導波路等へ適用可能となる。超微細な空隙を有する高比
誘電率膜としては、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2
−ＳｉＯ 2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、２Ｌａ2 Ｏ3 −３
ＳｉＯ2 、Ｇｄ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔａ2
Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 等の単体膜あるいは上記材料
を少なくとも２種類混合した膜等である。
【００５３】
【発明の効果】本発明の誘電体膜の製造方法及び製造装
置並びに誘電体膜は次のような効果を有している。 （１）無機材料と有機材料とを混合した低比誘電率の膜
を得ることができる。 （２）上記膜をポーラスに成膜することができるので、
より低比誘電率を実現することができる。 （３）レーザ光を照射しながら成膜するので、密着性の
良い誘電体膜を得ることができる。 （４）酸素系、あるいはフッ素系のガスを導入しながら
成膜することにより、超微細な空隙の形成を促進するこ
とができ、より低比誘電率の膜を得ることができる。 （５）従来のスピンオン法やＣＶＤ法、表面重合法では
成膜することが困難であった種々の無機及び有機材料の
混合した誘電体膜を成膜することができる。 （６）成膜した誘電体膜の密度を容易に制御しながら成
膜することができる。 （７）細径ノズル内壁面への微粒子の付着を阻止するこ
とができる。 （８）種々の無機材料を組み合せた誘電体膜や、種々の
有機材料を組み合せた誘電体膜や、上記無機と有機材料
を混合した誘電体膜を成膜することができるので、低比
誘電率膜以外に高比誘電率膜、光学的非線形材料膜など
を得ることができる。また、マスクを介して微細パター
ン膜を形成することができるので、エッチング工程が不
要となり、低コスト化が可能となる。また、エッチング
しにくい材料を用いた場合でもエッチングレスでパター
ン化できるので、新しい機能をもった誘電体パターンの
デバイスを実現可能となる。 （９）レーザ光として、波長１．１μｍ以下のレーザ光
を用いることにより、超微細な空隙を一様に分散した低
比誘電率膜を得ることができる。 （１０）無機材料と有機材料とを混合した膜にレーザビ
ームを照射することにより、有機材料の大部分を気化、
蒸発させて超微細な空隙を有する誘電体膜を実現すると
共に、レーザビーム照射により気化、蒸発し得なかった
有機材料の超微粒子へのレーザエネルギー吸収による比
誘電率の低下をもたらすことができ、結果的により低比
誘電率の膜を実現することができる。 （１１）レーザビームの誘電体膜表面への照射は、超微
細な空隙を有する誘電体膜を有する誘電体膜の形成と共
に、その誘電体膜表面のち密化にも寄与し、その後の低
誘電率膜表面のＣＭＰを容易に行わせることができる。 （１２）無機材料と有機材料との超微粒子を基板上に高
速噴射させて、無機材料と有機材料との混合した超微粒
子からなる誘電体膜を形成しつつ、あるいは形成直後に
有機材料の超微粒子に吸収するレーザビームを照射する
ことにより、超微細な空隙を有する低比誘電率膜を容易
に実現することができる。 （１３）無機材料の超微粉末と有機材料の超微粉末とを
エアロゾル化室からＨｅガスで搬送し、基板上に高速噴
射させて低比誘電率膜を形成するので、空隙も超微細
（数ｎｍから数十ｎｍの範囲の町微細）構造を実現する
ことができ、その後のＣＭＰ工程の際の膜表面の平坦化
も容易に実現することができる。 （１４）誘電体膜として、少なくとも２種類の無機の超
微粒子材料と、少なくとも２種類の有機の超微粒子材料
とを組み合わせて構成することができるので、比誘電率
を広範囲に制御することができる。 （１５）誘電体損の低い低比誘電体膜及び高比誘電体膜
を得ることができるので、より高い周波数領域まで使用
することができる。
置並びに誘電体膜は次のような効果を有している。 （１）無機材料と有機材料とを混合した低比誘電率の膜
を得ることができる。 （２）上記膜をポーラスに成膜することができるので、
より低比誘電率を実現することができる。 （３）レーザ光を照射しながら成膜するので、密着性の
良い誘電体膜を得ることができる。 （４）酸素系、あるいはフッ素系のガスを導入しながら
成膜することにより、超微細な空隙の形成を促進するこ
とができ、より低比誘電率の膜を得ることができる。 （５）従来のスピンオン法やＣＶＤ法、表面重合法では
成膜することが困難であった種々の無機及び有機材料の
混合した誘電体膜を成膜することができる。 （６）成膜した誘電体膜の密度を容易に制御しながら成
膜することができる。 （７）細径ノズル内壁面への微粒子の付着を阻止するこ
とができる。 （８）種々の無機材料を組み合せた誘電体膜や、種々の
有機材料を組み合せた誘電体膜や、上記無機と有機材料
を混合した誘電体膜を成膜することができるので、低比
誘電率膜以外に高比誘電率膜、光学的非線形材料膜など
を得ることができる。また、マスクを介して微細パター
ン膜を形成することができるので、エッチング工程が不
要となり、低コスト化が可能となる。また、エッチング
しにくい材料を用いた場合でもエッチングレスでパター
ン化できるので、新しい機能をもった誘電体パターンの
デバイスを実現可能となる。 （９）レーザ光として、波長１．１μｍ以下のレーザ光
を用いることにより、超微細な空隙を一様に分散した低
比誘電率膜を得ることができる。 （１０）無機材料と有機材料とを混合した膜にレーザビ
ームを照射することにより、有機材料の大部分を気化、
蒸発させて超微細な空隙を有する誘電体膜を実現すると
共に、レーザビーム照射により気化、蒸発し得なかった
有機材料の超微粒子へのレーザエネルギー吸収による比
誘電率の低下をもたらすことができ、結果的により低比
誘電率の膜を実現することができる。 （１１）レーザビームの誘電体膜表面への照射は、超微
細な空隙を有する誘電体膜を有する誘電体膜の形成と共
に、その誘電体膜表面のち密化にも寄与し、その後の低
誘電率膜表面のＣＭＰを容易に行わせることができる。 （１２）無機材料と有機材料との超微粒子を基板上に高
速噴射させて、無機材料と有機材料との混合した超微粒
子からなる誘電体膜を形成しつつ、あるいは形成直後に
有機材料の超微粒子に吸収するレーザビームを照射する
ことにより、超微細な空隙を有する低比誘電率膜を容易
に実現することができる。 （１３）無機材料の超微粉末と有機材料の超微粉末とを
エアロゾル化室からＨｅガスで搬送し、基板上に高速噴
射させて低比誘電率膜を形成するので、空隙も超微細
（数ｎｍから数十ｎｍの範囲の町微細）構造を実現する
ことができ、その後のＣＭＰ工程の際の膜表面の平坦化
も容易に実現することができる。 （１４）誘電体膜として、少なくとも２種類の無機の超
微粒子材料と、少なくとも２種類の有機の超微粒子材料
とを組み合わせて構成することができるので、比誘電率
を広範囲に制御することができる。 （１５）誘電体損の低い低比誘電体膜及び高比誘電体膜
を得ることができるので、より高い周波数領域まで使用
することができる。
【図１】本発明の実施例を示す説明図。
【図２】本発明の実施例を示す説明図。
【図３】本発明の実施例を示す説明図。
【図４】本発明の実施例を示す説明図。
【図５】本発明の実施例を示す説明図。
【図６】本発明の実施例を示す説明図。
【図７】本発明の実施例を示す説明図。
【図８】本発明の実施例を示す説明図。
【図９】本発明の実施例を示す説明図。
【図１０】本発明の実施例を示す説明図。
【図１１】従来の電極構造の形成例を示す説明図。
１ エアロゾル化室 ２ 超微粉末材料 ８ 基板 １２ ＹＡＧレーザ光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AB32 AC17 AE02 AE03 AE05 AE07 AE09 AE11 AE13 AE15 AE17 AE19 AE21 AE23 AF03 BB16 DC63 DP03 EE03 EF02 EK17 EK19 EM10 EN06 5F058 BA20 BC02 BC04 BC20 BF41 BF80 BG01 BG02 BH17
Claims (15)
- 【請求項１】 無機材料の超微粉末と有機材料の超微粉
末とを共通あるいは別々のエアロゾル化室からキャリア
ガスで搬送して細径ノズルより真空排気中の反応室内の
基板上に高速噴射すると共に、該細径ノズル内を伝搬さ
せたレーザ光を基板上に照射して、該基板上に誘電体膜
を成膜することを特徴とする誘電体膜の製造方法。 - 【請求項２】 上記エアロゾル化室の圧力を制御してポ
ーラスな膜を得るようにしたことを特徴とする請求項１
に記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項３】 上記レーザ光として波長１．１μｍ以下
の光を用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に
記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項４】 上記超微粉末を含んだキャリアガスをメ
タルマスクを介して上記基板上に高速噴射して微細パタ
ーンの誘電体膜を成膜することを特徴とする請求項１か
ら請求項３のいずれかに記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項５】 上記キャリアガス圧を調節することによ
り、上記エアロゾル化室の圧力と上記反応室の圧力との
圧力差を制御することを特徴とする請求項１から請求項
４のいずれかに記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項６】 上記ノズルが上記レーザ光の一部を吸収
して発熱する材質からなることを特徴とする請求項１か
ら請求項５のいずれかに記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項７】 ノズル内にはキャリアガスがエアロゾル
化室を経由して流れるようにする以外に、別の経路から
上記ノズル内のキャリアガスに重畳されるようにキャリ
アガスが流れるようにしたことを特徴とする請求項１か
ら請求項６のいずれかに記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項８】 反応室内に酸素系ガスあるいはフッ素系
ガスを導入しながら空隙をもったポーラスな誘電体膜を
成膜することを特徴とする請求項１から請求項７のいず
れかに記載の誘電体膜の製造方法。 - 【請求項９】 上記キャリアガスがＨｅガスであること
を特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の
誘電体膜の製造方法。 - 【請求項１０】 無機材料の超微粉末を入れたエアロゾ
ル化室と有機材料の超微粉末を入れたエアロゾル化室の
２つを設けるか、あるいは無機材料と有機材料の混合さ
れた超微粉末を入れたエアロゾル化室を設けるように
し、該エアロゾル化室にはＨｅガス供給口と上記超微粉
末を含んだＨｅガスの吹出口が設けられ、該吹出口は細
径ノズルに接続されており、該細径ノズルは真空排気機
構付きの反応室へ導かれ、該反応室内には基板の設置さ
れたＸＹ移動ステージが設けられ、該細径ノズル内には
レーザ光源からのレーザ光を伝搬させるようにしてあ
り、該細径ノズルから高速噴射された該超微粉末を基板
上に吹きつけると共に、レーザ光も照射して誘電体膜を
成膜する装置。 - 【請求項１１】 無機材料の超微粉末と有機材料の超微
粉末とを共通あるいは別々のエアロゾル化室からＨｅガ
スで搬送して真空排気中の反応室内の細径ノズルを通し
て高速噴射させて誘電体膜を形成し、あるいは形成しつ
つその膜表面に上記有機材料の超微粒子にエネルギーを
吸収させることのできるレーザ光を照射して膜中の有機
材料の超微粒子を気化させて得た超微細な空隙を有する
ことを特徴とする誘電体膜。 - 【請求項１２】 上記エアロゾル化室の圧力を制御して
得られたポーラスで超微細な空隙を有する請求項１１に
記載の誘電体膜。 - 【請求項１３】 上記レーザ光として波長０．６μｍ以
下の平行光を用い、その照射エネルギーとして、有機材
料の超微粒子の融点を超えるように、かつ無機材料の超
微粒子の融点を超えないように制御して誘電体膜上に照
射して得た超微細な空隙を有する請求項１１又は請求項
２に記載の誘電体膜。 - 【請求項１４】 上記反応室内に酸素系あるいはフッ素
化系ガスを導入しながら成膜して得られた超微細な空隙
を有する請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の
誘電体膜。 - 【請求項１５】 超微粉末を含んだＨｅガスをメタルマ
スクを介して基板上に高速噴射させることによって得ら
れた超微細な空隙を有する請求項１１から請求項１４の
いずれかに記載の誘電体膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374904A JP2002016058A (ja) | 2000-04-25 | 2000-12-08 | 誘電体膜の製造方法及びその製造装置並びに誘電体膜 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000128974 | 2000-04-25 | ||
| JP2000-128974 | 2000-04-25 | ||
| JP2000374904A JP2002016058A (ja) | 2000-04-25 | 2000-12-08 | 誘電体膜の製造方法及びその製造装置並びに誘電体膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016058A true JP2002016058A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=26591061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000374904A Pending JP2002016058A (ja) | 2000-04-25 | 2000-12-08 | 誘電体膜の製造方法及びその製造装置並びに誘電体膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002016058A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068733A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | 多孔質膜の形成方法及び形成装置 |
| JP2006150160A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Hosokawa Funtai Gijutsu Kenkyusho:Kk | 粉体膜形成装置 |
| JP2007141951A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Asm Japan Kk | 多孔質膜の形成方法 |
| WO2008078516A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 酸化シリコン薄膜の製造装置及び形成方法 |
| CN102712007A (zh) * | 2009-12-04 | 2012-10-03 | 密执安州立大学董事会 | 同轴激光器辅助的冷喷嘴 |
| TWI424600B (zh) * | 2006-08-29 | 2014-01-21 | Jusung Eng Co Ltd | 沈積有機薄膜之裝置及方法 |
| US10119195B2 (en) | 2009-12-04 | 2018-11-06 | The Regents Of The University Of Michigan | Multichannel cold spray apparatus |
-
2000
- 2000-12-08 JP JP2000374904A patent/JP2002016058A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4526216B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 多孔質膜の形成方法及び形成装置 |
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| US9481933B2 (en) | 2009-12-04 | 2016-11-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Coaxial laser assisted cold spray nozzle |
| KR101770576B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2017-08-23 | 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시건 | 동축 레이저 보조형 콜드 스프레이 노즐 |
| US10119195B2 (en) | 2009-12-04 | 2018-11-06 | The Regents Of The University Of Michigan | Multichannel cold spray apparatus |
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