JP2002015860A - Organic electroluminescent element - Google Patents
Organic electroluminescent elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子や発光素
子等として利用される有機エレクトロルミネッセンス
（有機ＥＬ）素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence (organic EL) device used as a display device, a light-emitting device or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（以下Ｅ
Ｌ素子と呼ぶ。）は、蛍光性化合物に電場を加えること
で励起し、発光させる素子である。そして、ＥＬ素子は
自己発光性であるため視認性が高く、また完全固体素子
であるため、耐衝撃性に優れている等の特徴を有するこ
とから、発光材料として無機及び有機化合物を用いた種
々のＥＬ素子が研究、開発されている。このようなＥＬ
素子は、使用する蛍光性化合物により無機ＥＬ素子と、
有機ＥＬ素子とに分類できる。2. Description of the Related Art Electroluminescent devices (hereinafter referred to as E)
It is called an L element. ) Is an element that emits light by being excited by applying an electric field to the fluorescent compound. In addition, since the EL element is self-luminous, it has high visibility, and since it is a completely solid element, it has characteristics such as excellent impact resistance. Are researched and developed. EL like this
The element is an inorganic EL element depending on the fluorescent compound used,
They can be classified into organic EL devices.
【０００３】そのうち、有機ＥＬ素子は、外部から電子
とホール（正孔）とを注入し、それらが有機化合物から
なる発光層中で再結合し、このときの再結合エネルギー
によって発光中心を励起するものである。また、有機Ｅ
Ｌ素子は、直流で動作し、且つ無機ＥＬ素子に比べると
はるかに低電圧で駆動する。また、発光層及びキャリア
輸送層を陰極及び陽極の両電極で挟んだサンドイッチ構
造であり、電極の少なくとも一方を透明にすることよっ
て、面状発光体を得ることができる等の特徴を有する。[0003] Among them, the organic EL element injects electrons and holes (holes) from the outside, recombine in the light emitting layer made of an organic compound, and excites the light emission center by the recombination energy at this time. Things. Organic E
The L element operates at a direct current and is driven at a much lower voltage than the inorganic EL element. Further, it has a sandwich structure in which a light emitting layer and a carrier transporting layer are sandwiched between both electrodes of a cathode and an anode, and has a feature that a planar light emitting body can be obtained by making at least one of the electrodes transparent.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ素
子においては、従来、基板としてガラス基板が用いられ
ている。しかしながら、ガラス基板は、重量が重く、ま
た落下等、外部からの衝撃により割れ易い、すなわち、
壊れ易いという欠点がある。また、今後の開発により有
機ＥＬ素子の多方面にわたる利用を勘案すると極力、重
量が軽く、可撓性を備え、且つ外部からの衝撃にも強い
耐衝撃性を有する有機ＥＬ素子が望まれる。By the way, in the organic EL device, a glass substrate is conventionally used as a substrate. However, the glass substrate is heavy and is easily broken by an external impact such as dropping, that is,
There is a disadvantage that it is easily broken. Further, in consideration of the use of the organic EL element in various fields in the future development, an organic EL element which is as light as possible, has flexibility, and has high impact resistance against external impact is desired.
【０００５】また、有機ＥＬ素子においては、陽極を構
成する陽極材料としては、効率良くホールを注入するた
めに電極材料の真空準位からの仕事関数の大きく、ま
た、陽極側から有機電界発光を取り出すために、透光性
を有する材料が用いられている。そして、その中でも生
産効率等の観点からＩＴＯ、ＳｎＯ2等の酸化物が広く
用いられている。In an organic EL device, the anode material constituting the anode has a large work function from the vacuum level of the electrode material in order to inject holes efficiently, and the organic electroluminescence from the anode side. In order to take out the light-transmitting material, a light-transmitting material is used. Among them, oxides such as ITO and SnO 2 are widely used from the viewpoint of production efficiency and the like.
【０００６】しかしながら、これらＩＴＯ等の酸化物を
陽極材料として用いた場合、有機ＥＬ層と陽極との界面
から、陽極材料中の酸素やインジウムが有機ＥＬ層中に
侵入・拡散する虞がある。そして、有機ＥＬ層中に酸素
やインジウムが侵入・拡散した場合には、当該酸素やイ
ンジウムにより有機ＥＬ層が劣化してしまい、その結
果、この有機ＥＬ層の劣化に起因して、有機ＥＬ素子の
耐久性が低下してしまう虞がある。However, when these oxides such as ITO are used as the anode material, oxygen and indium in the anode material may enter and diffuse into the organic EL layer from the interface between the organic EL layer and the anode. When oxygen or indium enters or diffuses into the organic EL layer, the oxygen or indium deteriorates the organic EL layer. As a result, the organic EL element is deteriorated due to the deterioration of the organic EL layer. There is a possibility that the durability of the device may be reduced.
【０００７】したがって、本発明は、上述した従来の実
情に鑑みて創案されたものであり、軽量で、可撓性、耐
衝撃性を備え、且つ有機ＥＬ層の劣化が防止され、耐久
性に優れた有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and is lightweight, has flexibility and impact resistance, prevents deterioration of the organic EL layer, and has improved durability. An object is to provide an excellent organic EL device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に係る有機ＥＬ素
子は、基板上に第１電極と有機化合物からなる発光材料
を有する有機エレクトロルミネッセンス層（以下、有機
ＥＬ層と呼ぶ。）と第２電極とをこの順で備え、基板
が、フィルム状プラスチック基板であり、第１電極が、
窒化物からなる透光性を有する電極であることを特徴と
するものである。The organic EL device according to the present invention has an organic electroluminescent layer (hereinafter, referred to as an organic EL layer) having a first electrode and a light emitting material composed of an organic compound on a substrate, and a second electrode. Electrodes in this order, the substrate is a film-shaped plastic substrate, and the first electrode is
It is a light-transmitting electrode made of a nitride.
【０００９】本発明に係る有機ＥＬ素子は、基板として
フィルム状プラスチック基板を用いる。これにより、こ
の有機ＥＬ素子は、従来のガラス基板を用いた有機ＥＬ
素子と比較して大幅に軽量化される。The organic EL device according to the present invention uses a film-shaped plastic substrate as a substrate. Thereby, this organic EL element is an organic EL device using a conventional glass substrate.
Significantly lighter than the element.
【００１０】また、この有機ＥＬ素子は、可撓性を有す
る基板であるフィルム状プラスチック基板を用いている
ため、有機ＥＬ素子自体も可撓性を有するものとされ
る。そして、有機ＥＬ素子は、可撓性を有することによ
り、この有機ＥＬ素子を用いて種々の機器を構成した場
合、例えばディスプレイ等を構成した場合において、丸
めて収納することが可能となるなど、種々の使用形態を
取ることができるようになる。Further, since the organic EL element uses a film-like plastic substrate which is a flexible substrate, the organic EL element itself has flexibility. And, since the organic EL element has flexibility, when various devices are configured using the organic EL element, for example, when a display or the like is configured, the organic EL element can be rolled and stored. Various usage forms can be taken.
【００１１】そして、この有機ＥＬ素子は、ガラス基板
に比べて落下等の衝撃に対する耐衝撃性に優れるフィル
ム状プラスチック基板を用いているため、耐衝撃性に優
れたものとされる。Since the organic EL element uses a film-shaped plastic substrate which is superior in impact resistance to impacts such as dropping as compared with a glass substrate, it has excellent impact resistance.
【００１２】さらに、この有機ＥＬ素子は、陽極材料と
して窒化物を用いているため、陽極材料中の酸素やイン
ジウムが有機ＥＬ層中に侵入・拡散することがない。し
たがって、陽極材料中の酸素やインジウムが有機ＥＬ層
中に侵入・拡散することにより有機ＥＬ層が劣化するこ
とがない。Further, in this organic EL device, since nitride is used as the anode material, oxygen and indium in the anode material do not enter or diffuse into the organic EL layer. Therefore, the organic EL layer does not deteriorate due to the penetration and diffusion of oxygen and indium in the anode material into the organic EL layer.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】図１は、本発明を適用した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶ。）の
一例を示した要部断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an essential part showing an example of an organic electroluminescence device (hereinafter, referred to as an organic EL device) to which the present invention is applied.
【００１５】有機ＥＬ素子１は、フィルム状プラスチッ
ク基板２と、フィルム状プラスチック基板２上に形成さ
れた陽極である第１電極３と、第１電極３である陽極上
に形成された有機ＥＬ層９と、有機ＥＬ層９上に形成さ
れた第２電極７である陰極と、第２電極７である陰極及
び有機ＥＬ素子１を覆うように形成された保護層８とを
備えて構成される。The organic EL element 1 includes a film-shaped plastic substrate 2, a first electrode 3 as an anode formed on the film-shaped plastic substrate 2, and an organic EL layer formed on the anode as the first electrode 3. 9, a cathode serving as the second electrode 7 formed on the organic EL layer 9, and a protective layer 8 formed so as to cover the cathode serving as the second electrode 7 and the organic EL element 1. .
【００１６】フィルム状プラスチック基板２は、有機Ｅ
Ｌ素子１の支持体となるものであり、このフィルム状プ
ラスチック基板２上に有機ＥＬ素子１を構成する各層が
形成される。The film-like plastic substrate 2 is made of organic E
Each of the layers constituting the organic EL element 1 is formed on the film-shaped plastic substrate 2 as a support for the L element 1.
【００１７】この有機ＥＬ素子１では、基板としてフィ
ルム状プラスチック基板２を用いているため、従来のガ
ラス基板を用いた有機ＥＬ素子に比べて、大幅に軽量化
される。これにより、当該有機ＥＬ素子１を用いて種々
の機器を構成した場合、例えば大型ディスプレイ等を構
成した場合においても、機器を軽量化することが可能と
なるため、機器設計の自由度を大きくすることが可能と
なる。In this organic EL device 1, since the film-shaped plastic substrate 2 is used as the substrate, the weight is significantly reduced as compared with the conventional organic EL device using a glass substrate. Accordingly, when various devices are configured using the organic EL element 1, for example, when a large display or the like is configured, the devices can be reduced in weight, thereby increasing the degree of freedom in device design. It becomes possible.
【００１８】また、この有機ＥＬ素子１では、基板とし
て良好な可撓性を有するフィルム状プラスチック基板２
を用いているため、有機ＥＬ素子１自体も可撓性を備え
ることとなる。すなわち、この有機ＥＬ素子１では、基
板としてフィルム状プラスチック基板２を用いているた
め、従来のガラス板等を基板として用いた場合と異な
り、フィルム状プラスチック基板２自体の有する可撓性
により有機ＥＬ素子１を良好な可撓性を有するものとす
ることができる。そして、基板としてフィルム状プラス
チック基板２を用いることにより、有機ＥＬ素子１は、
良好な可撓性を有するものとされるため、当該有機ＥＬ
素子１を用いて種々の機器を構成した場合、例えばディ
スプレイ等を構成した場合において、丸めて収納するこ
とが可能となるなど種々の使用形態を取ることが可能と
なる。In this organic EL device 1, a film-like plastic substrate 2 having good flexibility is used as a substrate.
, The organic EL element 1 itself has flexibility. That is, in this organic EL element 1, the film-shaped plastic substrate 2 is used as the substrate, and therefore, unlike the conventional case where a glass plate or the like is used as the substrate, the organic EL element 1 is formed by the flexibility of the film-shaped plastic substrate 2 itself. The element 1 can have good flexibility. And, by using the film-shaped plastic substrate 2 as the substrate, the organic EL element 1
Since the organic EL device has good flexibility,
When various devices are configured using the element 1, for example, when a display or the like is configured, it is possible to take various usage forms such as being able to be rolled up and stored.
【００１９】そして、フィルム状プラスチック基板２
は、ガラス基板のようにもろく、脆性を示すことがな
い。したがって、このようなフィルム状プラスチック基
板２を用いた有機ＥＬ素子１は、従来のガラス基板を用
いた有機ＥＬ素子のように、落下等、外部からの衝撃に
より割れ易い、すなわち、壊れ易いということがなく、
外部からの衝撃に対する耐衝撃性を大幅に向上させるこ
とができる。Then, the film-like plastic substrate 2
Is brittle like a glass substrate and does not show brittleness. Therefore, the organic EL element 1 using such a film-shaped plastic substrate 2 is liable to be broken, that is, easily broken by an external impact such as dropping, like the conventional organic EL element using a glass substrate. Without
Impact resistance against external impact can be greatly improved.
【００２０】フィルム状プラスチック基板２に用いる材
料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエー
テルスルホン（ＰＥＳ）、ポリオレフィン（ＰＯ）等を
好適に用いることができる。また、フィルム状プラスチ
ック基板２に用いる材料としては、これらの材料に限定
されることはなく、透明であり、光学特性が良好な材料
であれば何れのものも用いることができる。The material used for the film-like plastic substrate 2 is, for example, polyethylene terephthalate (PE).
T), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyolefin (PO) and the like can be suitably used. The material used for the film-shaped plastic substrate 2 is not limited to these materials, and any material can be used as long as it is transparent and has good optical characteristics.
【００２１】そして、フィルム状プラスチック基板２の
厚みは、５０μｍ以上５００μｍ以下とすることが好ま
しい。これは、フィルム状プラスチック基板２の厚みを
５０μｍ未満とした場合には、フィルム状プラスチック
基板２自体が十分な平坦性を保持することが難しいた
め、有機ＥＬ素子１を構成した際に、有機ＥＬ素子１の
良好な平坦性を維持することが困難になる虞があるから
である。また、フィルム状プラスチック基板２の厚みを
５００μｍよりも厚くした場合には、フィルム状プラス
チック基板２自体を自由に曲げることが困難になる、す
なわちフィルム状プラスチック基板２自体の可撓性が乏
しくなるため、有機ＥＬ素子１を構成した際に、有機Ｅ
Ｌ素子１の可撓性が悪くなるからである。The thickness of the film-shaped plastic substrate 2 is preferably in the range from 50 μm to 500 μm. This is because when the thickness of the film-shaped plastic substrate 2 is less than 50 μm, it is difficult for the film-shaped plastic substrate 2 itself to maintain sufficient flatness, and therefore, when the organic EL element 1 is formed, This is because it may be difficult to maintain good flatness of the element 1. If the thickness of the film-shaped plastic substrate 2 is larger than 500 μm, it is difficult to freely bend the film-shaped plastic substrate 2 itself, that is, the flexibility of the film-shaped plastic substrate 2 itself becomes poor. When the organic EL element 1 is constructed,
This is because the flexibility of the L element 1 deteriorates.
【００２２】陽極である第１電極３に用いる陽極材料と
しては、効率良くホールを注入するために電極材料の真
空準位からの仕事関数が大きく、また、陽極側から有機
電界発光を取り出すことを可能とするために、透光性を
有する材料を用いることが好ましい。このような材料と
しては、例えばＩＴＯ、ＳｎＯ2等の酸化物が広く用い
られている。しかしながら、陽極材料が酸素やインジウ
ムを含んでいる場合、これらの酸素やインジウムが有機
ＥＬ層と陽極との界面から有機ＥＬ層９中に侵入・拡散
する虞がある。そして、酸素やインジウムが有機ＥＬ層
９中に侵入・拡散した場合、この酸素やインジウムによ
り有機ＥＬ層９が劣化し、これに起因して有機ＥＬ素子
１の耐久性が劣化してしまう虞がある。したがって、陽
極を構成する陽極材料中には、極力、酸素やインジウム
が含まれていないことが好ましい。The anode material used for the first electrode 3 serving as the anode has a large work function from the vacuum level of the electrode material in order to inject holes efficiently, and the organic electroluminescence is taken out from the anode side. In order to make it possible, it is preferable to use a light-transmitting material. As such a material, for example, oxides such as ITO and SnO 2 are widely used. However, when the anode material contains oxygen or indium, there is a possibility that such oxygen or indium may enter and diffuse into the organic EL layer 9 from the interface between the organic EL layer and the anode. When oxygen or indium invades or diffuses into the organic EL layer 9, the oxygen or indium may deteriorate the organic EL layer 9, and the durability of the organic EL element 1 may be deteriorated due to the deterioration. is there. Therefore, it is preferable that the anode material constituting the anode contains as little oxygen and indium as possible.
【００２３】そこで、この有機ＥＬ素子１では、第１電
極３である陽極材料として窒化物を用いることを特徴と
する。なお、この明細書中において窒化物とは、酸素及
びインジウムを含まない窒素化合物をいう。Therefore, the organic EL element 1 is characterized in that a nitride is used as an anode material of the first electrode 3. In this specification, a nitride refers to a nitrogen compound containing no oxygen and no indium.
【００２４】陽極材料として窒化物を用いることによ
り、陽極材料中に酸素やインジウムが存在しないため、
上述したように、陽極材料中の酸素やインジウムが有機
ＥＬ層９と陽極との界面から有機ＥＬ層９中に侵入・拡
散する虞がない。そして、陽極材料中の酸素やインジウ
ムが有機ＥＬ層９に侵入・拡散して、有機ＥＬ層９を劣
化させるという現象が生じないため、この有機ＥＬ層９
の劣化に起因して、有機ＥＬ素子１の耐久性が劣化して
しまうということがない。すなわち、この有機ＥＬ素子
１は、陽極材料として窒化物を用いることにより、陽極
材料中の酸素やインジウムに起因して有機ＥＬ素子１の
耐久性が劣化してしまうことが無くなるため、耐久性に
優れた有機ＥＬ素子１とされる。By using nitride as the anode material, since oxygen and indium do not exist in the anode material,
As described above, there is no possibility that oxygen or indium in the anode material enters or diffuses into the organic EL layer 9 from the interface between the organic EL layer 9 and the anode. Since the phenomenon that oxygen and indium in the anode material penetrate and diffuse into the organic EL layer 9 to deteriorate the organic EL layer 9 does not occur, the organic EL layer 9 does not deteriorate.
There is no possibility that the durability of the organic EL element 1 is deteriorated due to the deterioration of the device. That is, since the organic EL element 1 uses nitride as the anode material, the durability of the organic EL element 1 does not deteriorate due to oxygen or indium in the anode material. This is an excellent organic EL device 1.
【００２５】このような陽極材料として用いることがで
きる窒化物としては、例えばＴｉＮが挙げられる。Ｔｉ
Ｎを陽極材料として用いた場合、ＴｉＮはフィルム状プ
ラスチック基板、例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）に対する密着性が良いため、フィルム状プラ
スチック基板２から剥がれ難く、有機ＥＬ素子１の耐久
性を向上させることができる。また、窒化物は、これに
限定されることはなく、電極材料の真空準位からの仕事
関数が大きく、透光性を有する材料であれば何れの材料
も用いることが可能である。As a nitride which can be used as such an anode material, for example, TiN can be mentioned. Ti
When N is used as an anode material, TiN has good adhesion to a film-like plastic substrate, for example, polyethylene terephthalate (PET), so that it is difficult to peel off from the film-like plastic substrate 2 and the durability of the organic EL element 1 can be improved. it can. Further, the nitride is not limited to this, and any material can be used as long as it has a large work function from the vacuum level of the electrode material and has a light-transmitting property.
【００２６】そして、上述した陽極の厚みは、３ｎｍ以
上１０ｎｍ以下とすることが好ましい。これは、陽極の
厚みが３ｎｍ未満の場合、厚みが薄すぎるために陽極と
して十分に機能しなくなるからである。また、陽極の厚
みが１０ｎｍよりも厚い場合には、可視光の透過率が悪
くなり、実用に適さなくなるからである。It is preferable that the thickness of the above-mentioned anode be 3 nm or more and 10 nm or less. This is because if the thickness of the anode is less than 3 nm, the thickness is too small to function sufficiently as an anode. On the other hand, if the thickness of the anode is greater than 10 nm, the transmittance of visible light becomes poor, which makes the anode unsuitable for practical use.
【００２７】有機ＥＬ層９は、正孔輸送層４と、発光層
５と、電子輸送層６とを備えて構成され、これら各層が
この順で陽極上に形成されてなる。The organic EL layer 9 includes a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, and an electron transport layer 6, and these layers are formed on the anode in this order.
【００２８】正孔輸送層４は、陽極から注入された正孔
を発光層５まで輸送する。正孔輸送材料として使用可能
な材料としては、ベンジン、スチリルアミン、トリフェ
ニルメタン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾー
ル、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニ
レンジアミン、アリールアミン、オキサゾール、アント
ラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、又は
これらの誘導体、並びにポリシラン系化合物、ビニルカ
ルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系
化合物等の複素環式共役系のモノマ、オリゴマ、ポリマ
等が挙げられる。The hole transporting layer 4 transports holes injected from the anode to the light emitting layer 5. Materials that can be used as the hole transport material include benzene, styrylamine, triphenylmethane, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene Or derivatives thereof, and heterocyclic conjugated monomers, oligomers, and polymers such as polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, thiophene compounds, and aniline compounds.
【００２９】具体的には、α−ナフチルフェニルジアミ
ン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、
金属ナフタロシアニン、４，４’，４”−トリメチルト
リフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（３−メチ
ルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）トリ
フェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ｐ
−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル４，４’−ジアミノビフェニル、
Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノ
スチルベン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ
（チオフェンビニレン）、ポリ（２，２’−チエニルピ
ロール）等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。Specifically, α-naphthylphenyldiamine, porphyrin, metal tetraphenylporphyrin,
Metal naphthalocyanine, 4,4 ′, 4 ″ -trimethyltriphenylamine, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine) triphenylamine, N, N, N ′, N '-Tetrakis (p
-Tolyl) p-phenylenediamine, N, N, N ',
N′-tetraphenyl 4,4′-diaminobiphenyl,
Examples include, but are not limited to, N-phenylcarbazole, 4-di-p-tolylaminostilbene, poly (paraphenylenevinylene), poly (thiophenvinylene), poly (2,2′-thienylpyrrole), and the like. is not.
【００３０】発光層５では、電子と正孔が結合して、そ
の結合エネルギーが光として放射される。図１において
は、発光層５が独立して設けられているが、正孔輸送層
４と発光層５とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送
層６と発光層５とを兼ねた電子輸送性発光層を用いるこ
ともできる。正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極
から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層に
よって閉じこめられるため、再結合効率が向上する。ま
た、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子
輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉
じこめられるため、正孔輸送性発光層を用いた場合と同
様に再結合効率が向上する。In the light emitting layer 5, electrons and holes are combined, and the binding energy is emitted as light. In FIG. 1, the light emitting layer 5 is provided independently, but the hole transporting light emitting layer serving also as the hole transporting layer 4 and the light emitting layer 5 and also serving as the electron transporting layer 6 and the light emitting layer 5. Alternatively, an electron transporting light emitting layer can be used. When the hole transporting light emitting layer is used, holes injected from the anode into the hole transporting light emitting layer are confined by the electron transporting layer, so that recombination efficiency is improved. When an electron transporting light emitting layer is used, the electrons injected from the cathode into the electron transporting light emitting layer are confined in the electron transporting light emitting layer. Recombination efficiency is improved.
【００３１】発光層５の材料としては、電圧印加時に陽
極側から正孔を、また、陰極側から電子を注入できるこ
と、注入された電荷、すなわち正孔及び電子を移動さ
せ、正孔と電子が再結合する場を提供できること、発光
効率が高いこと等の条件を満たしている例えば低分子蛍
光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機材料を使用
することができる。The material of the light emitting layer 5 is such that holes can be injected from the anode side and electrons can be injected from the cathode side when voltage is applied, and the injected charges, that is, holes and electrons are moved. For example, an organic material such as a low-molecular fluorescent dye, a fluorescent polymer, or a metal complex which satisfies conditions such as providing a recombination field and high luminous efficiency can be used.
【００３２】このような材料としては、例えばアントラ
セン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセ
ン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、ス
チルベン、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯
体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ
（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム
錯体、ジトルイルビニルビフェニル等を挙げることがで
きる。Examples of such materials include anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bis (benzoquinolinolato) beryllium complex, Tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex, ditoluylvinylbiphenyl and the like can be mentioned.
【００３３】電子輸送層６は、陰極である第２電極７か
ら注入された電子を発光層５まで輸送する。電子輸送層
６の材料として使用可能な材料としては、キノリン、ペ
リレン、ビススチリル、ピラジン、又はそれらの誘導体
が挙げられる。The electron transport layer 6 transports electrons injected from the second electrode 7 serving as a cathode to the light emitting layer 5. Examples of a material that can be used as the material of the electron transport layer 6 include quinoline, perylene, bisstyryl, pyrazine, and derivatives thereof.
【００３４】具体的には、８−ヒドロキシキノリンアル
ミニウム、アントラセン、ナフタリン、フェナントレ
ン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリ
ン、アクリジン、スチルベン、又はこれらの誘導体等が
挙げられる。Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, and derivatives thereof.
【００３５】陰極である第２電極７に用いる陰極材料と
しては、効率良く電子を注入するために、電極材料の真
空準位からの仕事関数が小さい金属を用いるのが好まし
い。As a cathode material used for the second electrode 7 serving as a cathode, it is preferable to use a metal having a small work function from a vacuum level of the electrode material in order to inject electrons efficiently.
【００３６】具体的には、アルミニウム、インジウム、
マグネシウム、銀、カルシウム、バリウムリチウム等の
低仕事関数金属を単体で用いても良く、又はこれらの金
属を他の金属との合金として安定性を高めて使用しても
良い。Specifically, aluminum, indium,
Low work function metals such as magnesium, silver, calcium, barium lithium and the like may be used alone, or these metals may be used as an alloy with another metal with increased stability.
【００３７】保護層８は、有機ＥＬ素子１の駆動の信頼
性を確保するため、また、有機ＥＬ素子１の劣化を防止
するために、有機ＥＬ素子１を封止し、酸素や水分を遮
断する作用をするものである。保護層８に用いられる材
料としては、気密性が保つことが可能であり、また、発
光層５で発生した発光が透過可能な金属単体、若しくは
その合金等を適宜選択して用いることができる。保護層
８は、陰極上だけではなく、図１に示すように有機ＥＬ
素子１全体を覆うように形成することが好ましい。有機
ＥＬ素子全体１を覆うように保護層８を形成することに
より、外部からの酸素や水分の有機ＥＬ素子１内への侵
入を防ぐことができるからである。The protective layer 8 seals the organic EL element 1 and blocks oxygen and moisture in order to ensure the driving reliability of the organic EL element 1 and to prevent the organic EL element 1 from being deteriorated. It works. As a material used for the protective layer 8, airtightness can be maintained, and a single metal or an alloy thereof that can transmit light emitted from the light emitting layer 5 can be appropriately selected and used. The protective layer 8 is formed not only on the cathode but also on the organic EL as shown in FIG.
It is preferable to form so as to cover the entire element 1. By forming the protective layer 8 so as to cover the entire organic EL element 1, it is possible to prevent oxygen and moisture from entering the organic EL element 1 from the outside.
【００３８】具体的には、アルミニウム、金、クロム、
ニオブ、タンタル、チタン、酸化シリコン等を挙げるこ
とができる。Specifically, aluminum, gold, chromium,
Examples include niobium, tantalum, titanium, and silicon oxide.
【００３９】また、上述した有機ＥＬ素子１を構成する
各層は、それぞれが複数層からなる積層構造とされてい
ても良い。Each of the layers constituting the above-described organic EL device 1 may have a laminated structure composed of a plurality of layers.
【００４０】以上のように構成された有機ＥＬ素子１
は、上述したように、基板としてフィルム状プラスチッ
ク基板２を用いているため、従来のガラス基板を用いた
有機ＥＬ素子と比較して大幅に軽量化することができ
る。The organic EL device 1 constructed as described above
As described above, since the film-shaped plastic substrate 2 is used as the substrate, the weight can be significantly reduced as compared with an organic EL device using a conventional glass substrate.
【００４１】また、この有機ＥＬ素子１は、基板として
良好な可撓性を有するフィルム状プラスチック基板２を
用いているため、有機ＥＬ素子１自体も良好な可撓性を
有するものとされる。Since the organic EL element 1 uses a film-like plastic substrate 2 having good flexibility as a substrate, the organic EL element 1 itself has good flexibility.
【００４２】そして、この有機ＥＬ素子１は、基板とし
て落下等の衝撃に対する耐衝撃性に優れるフィルム状プ
ラスチック基板２を用いているため、耐衝撃性を大幅に
向上させることができる。Since the organic EL element 1 uses the film-shaped plastic substrate 2 having excellent impact resistance against impacts such as dropping as a substrate, the impact resistance can be greatly improved.
【００４３】さらに、この有機ＥＬ素子１は、陽極材料
として窒化物を用いているため、陽極材料中の酸素やイ
ンジウムが有機ＥＬ層９中に侵入・拡散し、当該酸素や
インジウムに起因して有機ＥＬ層１が劣化することがな
い。Further, since the organic EL element 1 uses nitride as an anode material, oxygen and indium in the anode material penetrate and diffuse into the organic EL layer 9 and are caused by the oxygen and indium. The organic EL layer 1 does not deteriorate.
【００４４】以上のように構成された有機ＥＬ素子１
は、陽極と陰極との間に直流電圧を選択的に印可するこ
とにより、陽極から注入された正孔が正孔輸送層４を経
て、また陰極から注入された電子が電子輸送層４を経て
移動し、それぞれ発光層５に到達する。その結果、発光
層５においては、電子と正孔との再結合が生じ、ここか
ら所定波長の発光を発生する。また、発光層５の材料を
選択することにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの三色を発光するフル
カラー用、マルチカラー用の有機ＥＬ素子とすることが
できる。この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ用
として用いることができるが、その他にも光源等として
も使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが
可能である。The organic EL device 1 configured as described above
By selectively applying a DC voltage between the anode and the cathode, holes injected from the anode pass through the hole transport layer 4 and electrons injected from the cathode pass through the electron transport layer 4. It moves and reaches the light emitting layer 5 respectively. As a result, in the light emitting layer 5, recombination of electrons and holes occurs, and light emission of a predetermined wavelength is generated therefrom. Further, by selecting the material of the light-emitting layer 5, it is possible to obtain a full-color or multi-color organic EL element that emits three colors of R, G, and B. The organic EL element 1 can be used, for example, for a display, but can also be used as a light source and the like, and can be used for various optical uses.
【００４５】上述した有機ＥＬ素子１は、次にようにし
て作製することができる。The above-described organic EL device 1 can be manufactured as follows.
【００４６】まず、基板として例えば厚み５０μｍのＰ
ＥＴからなるフィルム状プラスチック基板２を準備し、
このフィルム状プラスチック基板２の一主面上に例えば
ＴｉＮからなる厚み１０ｎｍの陽極である第１電極３を
反応性ＤＣスパッタリングにより成膜する。First, as a substrate, for example, a 50 μm thick P
Prepare a film-like plastic substrate 2 made of ET,
On one main surface of the film-shaped plastic substrate 2, a first electrode 3 made of, for example, TiN and serving as an anode having a thickness of 10 nm is formed by reactive DC sputtering.
【００４７】この有機ＥＬ素子１では、基板としてフィ
ルム状プラスチック基板２を用いているため、陽極であ
るＴｉＮ膜を成膜する際に基板温度を高くすることがで
きない。これは基板がフィルム状プラスチック基板２で
あるため、基板温度を高くすると基板が溶けてしまうか
らである。したがって、この有機ＥＬ素子１では、陽極
であるＴｉＮ膜を成膜する際の基板温度を３０〜７０℃
程度の室温近傍の温度に設定する必要がある。In this organic EL device 1, since the film-shaped plastic substrate 2 is used as the substrate, the substrate temperature cannot be increased when forming the TiN film as the anode. This is because the substrate is a film-shaped plastic substrate 2, and if the substrate temperature is increased, the substrate is melted. Therefore, in the organic EL element 1, the substrate temperature when forming the TiN film as the anode is 30 to 70 ° C.
It is necessary to set the temperature to about the room temperature.
【００４８】また、陽極としてのＴｉＮ膜には１×１０
-4〜２×１０-4Ωｃｍ程度の低い比抵抗率、５０〜８０
％程度の可視光平均透過率等が要求される。このような
条件を満たすＴｉＮ膜を形成するには、通常基板温度を
上げて成膜することが必要となる。The TiN film as an anode has a thickness of 1 × 10
-4 to 2 × 10 -4 Ωcm, low resistivity, 50 to 80
% Of visible light average transmittance is required. In order to form a TiN film that satisfies such conditions, it is usually necessary to increase the substrate temperature.
【００４９】そこで、以上のような条件を満たして、良
好な特性を有するＴｉＮ膜を成膜するために、この有機
ＥＬ素子１では、ＴｉＮ膜を反応性ＤＣスパッタリング
により成膜する。反応性ＤＣスパッタリングを用いるこ
とにより、基板温度を３０〜７０℃程度の室温近傍の温
度においてＴｉＮ膜を成膜することが可能となる。ま
た、反応性ＤＣスパッタリングを用いることにより、比
抵抗率及び可視光平均透過率の良好なＴｉＮ膜を得るこ
とが可能となる。そして、反応性ＤＣスパッタリングで
は、投入電力を例えば７ｋＷ程度の高電力とすることに
より、成膜速度を著しく速めることができ、効率的にＴ
ｉＮ膜を成膜することができる。Therefore, in order to form a TiN film having good characteristics while satisfying the above conditions, in this organic EL element 1, a TiN film is formed by reactive DC sputtering. By using reactive DC sputtering, it is possible to form a TiN film at a substrate temperature of about 30 to 70 ° C. near room temperature. In addition, by using reactive DC sputtering, it is possible to obtain a TiN film having good specific resistivity and average visible light transmittance. In the reactive DC sputtering, the input power is set to a high power of, for example, about 7 kW, so that the film forming rate can be remarkably increased, and the T
An iN film can be formed.
【００５０】例えば、スパッタリングガスとしてＡｒと
Ｎ2を使用し、投入電力７ｋＷ、基板温度が室温という
条件でフィルム状プラスチック基板上に膜厚１０ｎｍの
ＴｉＮ膜を成膜したところ、比抵抗率２．３×１０-4、
可視光平均透過率約７０％という良好な特性を有するＴ
ｉＮ膜が得られた。For example, when a TiN film having a thickness of 10 nm is formed on a film-like plastic substrate under the conditions of a power supply of 7 kW and a substrate temperature of room temperature using Ar and N 2 as sputtering gases, the specific resistivity is 2. 3 × 10 -4 ,
T having good characteristics of visible light average transmittance of about 70%
An iN film was obtained.
【００５１】また、図２に反応性ＤＣスパッタリングを
用いて、下記の条件においてフィルム状プラスチック基
板上に形成したＴｉＮ膜の、比抵抗率及び吸収係数に関
する特性図を示す。FIG. 2 is a characteristic diagram relating to the specific resistivity and the absorption coefficient of a TiN film formed on a plastic film substrate under the following conditions using reactive DC sputtering.
【００５２】成膜条件 投入電力：４ｋＷ スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｎ2（Ｎ2比率：１０〜９０
体積％） スパッタリングガス圧：２ｍＴｏｒｒ スパッタリングターゲット：ＴｉＮターゲット 基板温度：約７０℃ 膜厚：１０ｎｍ 図２より、例えばスパッタリングガスとしての混合比
が、Ｎ2の比率が５５．５％の（Ｎ2の流量：２５ＳＣＣ
Ｍ≒４．２×１０-7ｍ3／秒、Ａｒの流量：２０ＳＣＣ
Ｍ≒３．３×１０-7ｍ3／秒）ときの比抵抗率は、２．
２×１０-4Ωｃｍ、波長４０５ｎｍの可視光の吸収係数
が１．１３となる。また、図２より、スパッタリングガ
ス中のＮ2ガスの混合率が低いと、吸収係数が大きくな
り、可視光の透過率が悪くなり、スパッタリングガス中
のＮ2ガスの混合率が高いと、比抵抗率が高くなること
が判る。 Film formation conditions Input power: 4 kW Sputtering gas: Ar + N 2 (N 2 ratio: 10 to 90)
(% By volume) Sputtering gas pressure: 2 mTorr Sputtering target: TiN target Substrate temperature: about 70 ° C. Film thickness: 10 nm From FIG. 2, for example, the mixing ratio as the sputtering gas is such that the N 2 ratio is 55.5% (N 2 Flow rate: 25SCC
M ≒ 4.2 × 10 −7 m 3 / sec, Ar flow rate: 20 SCC
When M ≒ 3.3 × 10 −7 m 3 / sec), the specific resistivity is 2.
The absorption coefficient of visible light having a wavelength of 2 × 10 −4 Ωcm and a wavelength of 405 nm is 1.13. Also, from FIG. 2, when the mixing ratio of N 2 gas in the sputtering gas is low, the absorption coefficient increases, the transmittance of visible light deteriorates, and when the mixing ratio of N 2 gas in the sputtering gas is high, the specific ratio increases. It can be seen that the resistivity increases.
【００５３】これらのことより、比抵抗率及び可視光の
透過率の良好なＴｉＮ膜を成膜するためには、スパッタ
リングガス中のＮ2ガスの混合率を４０〜７０体積％程
度とすることが好ましい。From these facts, in order to form a TiN film having good specific resistivity and visible light transmittance, the mixing ratio of N 2 gas in the sputtering gas should be about 40 to 70% by volume. Is preferred.
【００５４】また、上記条件（Ｎ2ガスの混合比率は５
５．５wt.％）において膜厚を変化させて成膜したとこ
ろ、表１に示すような結果が得られた。The above conditions (the mixing ratio of N 2 gas is 5
(5.5 wt.%) And the film thickness was changed to obtain a result as shown in Table 1.
【００５５】[0055]
【表１】 [Table 1]
【００５６】表１及び実用レベルの可視光平均透過率が
５０％であることを勘案すると、ＴｉＮ膜の膜厚は、１
０ｎｍ以下とすることが好ましいといえる。また、Ｔｉ
Ｎ膜の膜厚が３ｎｍよりも薄い場合には、陽極として十
分に機能しなくなるため、ＴｉＮ膜の厚みは、３ｎｍ以
上とすることが好ましい。Considering Table 1 and the fact that the visible light average transmittance at a practical level is 50%, the thickness of the TiN film is 1%.
It can be said that it is preferably set to 0 nm or less. Also, Ti
If the thickness of the N film is less than 3 nm, the TiN film does not function sufficiently as an anode. Therefore, the thickness of the TiN film is preferably 3 nm or more.
【００５７】したがって、これらのことより、ＴｉＮ膜
の厚みは、３ｎｍ〜１０ｎｍ程度とすることが好まし
い。Therefore, it is preferable that the thickness of the TiN film is about 3 nm to 10 nm.
【００５８】そして、上述した陽極である第１電極３上
に、有機ＥＬ層９を形成する。有機ＥＬ層９は、正孔輸
送層４、発光層５、及び電子輸送層６をこの順に真空蒸
着により成膜することにより形成する。ここで、正孔輸
送層４は、例えばｍ−ＨＴＤＡＴＡを成膜することによ
り形成する。また、発光層５は、例えばα−ＮＰＤを成
膜することにより形成する。そして、電子輸送層６は、
例えばＡｌＱ3を成膜することにより形成する。そし
て、有機ＥＬ層９の厚みは、例えば１５０ｎｍとする。Then, an organic EL layer 9 is formed on the first electrode 3 serving as the above-mentioned anode. The organic EL layer 9 is formed by forming the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, and the electron transport layer 6 in this order by vacuum deposition. Here, the hole transport layer 4 is formed by forming m-HTDATA, for example. The light-emitting layer 5 is formed by, for example, forming α-NPD. And the electron transport layer 6
For example, it is formed by depositing AlQ 3 . The thickness of the organic EL layer 9 is, for example, 150 nm.
【００５９】次に、上記のように形成された有機ＥＬ層
９上に、陰極である第２電極７として例えばＡｌＴｉ膜
を１００ｎｍの厚みにスパッタリングにより成膜する。Next, on the organic EL layer 9 formed as described above, for example, an AlTi film having a thickness of 100 nm is formed as a second electrode 7 serving as a cathode by sputtering.
【００６０】最後に、上記において形成した各層を覆う
ように例えばＳｉＮからなる厚み１０００ｎｍの保護層
８をスパッタリングにより形成する。Finally, a 1000 nm-thick protective layer 8 made of, for example, SiN is formed by sputtering so as to cover the layers formed above.
【００６１】具体的には、例えば次のようにして図３に
示すような有機ＥＬ素子を作製することができる。図３
に示す有機ＥＬ素子１１は、本発明を適用した他の構成
例である。Specifically, for example, an organic EL device as shown in FIG. 3 can be manufactured as follows. FIG.
Is an example of another configuration to which the present invention is applied.
【００６２】まず、３０ｍｍ×３６ｍｍ、１２組のＲ、
Ｇ、Ｂストライプの単純マトリクスを作製するために５
３ｍｍ×５３ｍｍのフィルム状プラスチック基板１２に
陽極１３として膜厚約１０ｎｍのＴｉＮ透明電極を反応
性ＤＣスパッタリングにより幅１．１５ｍｍ、間隔０．
１ｍｍで３６本形成し、コラム側には、ＳｉＯ2の絶縁
層１４を幅０．５ｍｍ、間隔１．０ｍｍで真空蒸着によ
り形成する。したがって、一つの有機ＥＬ素子作製用の
セルの発光領域は、１．０ｍｍ×１．１５ｍｍとなり、
開口率は、６０．８％となる。First, 30 mm × 36 mm, 12 sets of R,
5 to make a simple matrix of G and B stripes
A TiN transparent electrode having a thickness of about 10 nm was formed as an anode 13 on a 3 mm × 53 mm film-shaped plastic substrate 12 by reactive DC sputtering with a width of 1.15 mm and an interval of 0.1 mm.
36 are formed at 1 mm, and an insulating layer 14 of SiO 2 is formed on the column side by vacuum evaporation at a width of 0.5 mm and an interval of 1.0 mm. Therefore, the light emitting area of one cell for manufacturing an organic EL element is 1.0 mm × 1.15 mm,
The aperture ratio is 60.8%.
【００６３】次に、ＴｉＮ透明電極上に、開口部の形状
が４０．０ｍｍ×４８．０ｍｍのマスクを用いてＴｉＮ
を含む全体に正孔輸送層１５ａとして、図４に構造式を
示すｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−tris（３−me
thylphenylphenylamino）triphenylamino）を、蒸着速
度０．２〜０．４ｎｍ／secで真空蒸着法により真空下
で３０ｎｍの厚みに蒸着する。Next, the TiN was formed on the TiN transparent electrode by using a mask having an opening of 40.0 mm × 48.0 mm.
4 as a hole transport layer 15a, m-MTDATA (4, 4 ′, 4 ″ -tris (3-me
Thylphenylphenylamino) triphenylamino) is deposited to a thickness of 30 nm under vacuum by a vacuum deposition method at a deposition rate of 0.2 to 0.4 nm / sec.
【００６４】次に、この正孔輸送層１５ａ上に正孔輸送
性発光層１５ｂとして、図５に構造式を示すα−ＮＰＤ
（α−naphtylphenyldiamine）を、蒸着速度０．２〜
０．４ｎｍ／secで真空蒸着法により真空下で５０ｎｍ
の厚みに蒸着して発光性を有した２層構造の正孔輸送層
１５を形成する。Next, on this hole transporting layer 15a, as a hole transporting light emitting layer 15b, α-NPD whose structural formula is shown in FIG.
(Α-naphtylphenyldiamine) at a deposition rate of 0.2 to
50nm under vacuum by vacuum deposition at 0.4nm / sec
To form the hole transport layer 15 having a two-layer structure having a light emitting property.
【００６５】次に、この正孔輸送層１５上に、形状が
１．１６ｍｍ×４９ｍｍであるストライプ状開口を１２
本有するマスクに交換して、ＴｉＮ透明電極の発光領域
である１．１５ｍｍ×４８．０ｍｍのストライプパター
ンに図６に構造式を示すフェナントロリン誘導体、例え
ば図７に構造式を示すバソクプロイン（２，９−dimeth
y−４，７−diphenyl−１，１０−phenanthroline）を
正孔ブロック層１６として、ＴｉＮ透明電極上に蒸着速
度０．２〜０．４ｎｍ／secで真空蒸着法により真空下
で２０ｎｍの厚みに蒸着する。Next, on this hole transport layer 15, a stripe-shaped opening having a shape of 1.16 mm × 49 mm was formed.
The phenanthroline derivative represented by the structural formula in FIG. 6, for example, vasocuproine (2, 9) represented by the structural formula in FIG. −dimeth
y-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) as a hole blocking layer 16 on a TiN transparent electrode to a thickness of 20 nm under vacuum at a deposition rate of 0.2 to 0.4 nm / sec by a vacuum deposition method. Evaporate.
【００６６】次に、正孔輸送層１５上に形状が１．１６
ｍｍ×４９ｍｍであるストライプ状開口を１２本有する
マスクに交換して、ＴｉＮ透明電極上に、陽極の発光領
域である１．１５ｍｍ×４８．０ｍｍのストライプパタ
ーンに図８に構造式を示すＢＳＢ−ＢＣＮを電子輸送性
赤色発光材料層１７として蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ
／secで真空蒸着法により真空下で２０ｎｍの厚みに蒸
着する。Next, the shape on the hole transport layer 15 is 1.16.
The mask was replaced with a mask having 12 stripe-shaped openings measuring 12 mm × 49 mm, and a stripe pattern of 1.15 mm × 48.0 mm, which is a light emitting region of the anode, was formed on the TiN transparent electrode. BCN is used as the electron-transporting red light-emitting material layer 17 at a deposition rate of 0.2 to 0.4 nm.
Vacuum is deposited to a thickness of 20 nm under vacuum by a vacuum deposition method at / sec.
【００６７】その後、マスク開口部の形状が４０．０ｍ
ｍ×４８．０ｍｍのマスクに交換し、電子輸送層又は電
子輸送性発光材料層１８として図９に構造式を示すＡｌ
ｑ3（８−hydroxy quinoline aluminum）を蒸着速度
０．２〜０．４ｎｍ／secで真空蒸着法により真空下で
４０ｎｍの厚みに蒸着する。Thereafter, the shape of the mask opening is 40.0 m.
After replacing the mask with a mask of mx 48.0 mm, the electron transporting layer or the electron transporting luminescent material layer 18 was made of Al having the structural formula shown in FIG.
deposited to a thickness of 40nm in vacuum by q 3 (8-hydroxy quinoline aluminum ) vacuum deposition method at a deposition rate of 0.2 to 0.4 nm / sec to.
【００６８】次に、開口部の面積が１．１６ｍｍ×４９
ｍｍのマスクに交換し、陰極１９としてＡｌ−Ｌｉ１９
ａ（アルミニウム−リチウム合金：Ｌｉ濃度約１ｍｏｌ
％）を約０．５ｎｍの厚みに、さらにＡｌ１９ｂを約２
００ｎｍの厚みに真空蒸着法により蒸着して、図３に示
すようなＲ、Ｇ、Ｂ対応の有機ＥＬ素子１１を作製する
ことができる。Next, the area of the opening is 1.16 mm × 49.
mm mask, and Al—Li 19
a (aluminum-lithium alloy: Li concentration about 1 mol
%) To a thickness of about 0.5 nm, and Al19b to about 2 nm.
The organic EL element 11 corresponding to R, G, and B as shown in FIG. 3 can be manufactured by vapor deposition to a thickness of 00 nm by a vacuum vapor deposition method.
【００６９】この有機ＥＬ素子１１では、陽極１３と陰
極１９との間に直流電圧を選択的に印可することによ
り、陽極１３から注入された正孔が正孔輸送層１５を経
て、また陰極１９から注入された電子が電子輸送層１８
を経て移動し、それぞれ発光層１５ｂ，１７，１８に到
達する。その結果、発光層１５ｂ、１７，１８において
は、電子と正孔との再結合が生じ、ここから所定波長の
発光を発生する。すなわち、正孔ブロック層１６として
機能するバソクプロインを有する発光領域では青色発光
が得られる。また、バソクプロインのない発光部位は、
電子輸送性発光材料であるＡｌｑ3からの発光である緑
色発光が得られる。そして、α−ＮＰＤとＡｌｑ3との
間にＢＳＢ−ＢＣＮを蒸着したストライプの部位から
は、赤色発光を得ることができる。In the organic EL device 11, a DC voltage is selectively applied between the anode 13 and the cathode 19, so that holes injected from the anode 13 pass through the hole transport layer 15 and pass through the cathode 19. The electrons injected from the electron transport layer 18
, And reach the light emitting layers 15b, 17 and 18, respectively. As a result, in the light emitting layers 15b, 17, and 18, recombination of electrons and holes occurs, and light emission of a predetermined wavelength is generated therefrom. That is, blue light emission is obtained in a light emitting region having bathocuproine functioning as the hole blocking layer 16. Also, the luminescent site without bathocuproin
Green light emission, which is light emission from Alq 3 which is an electron transporting light emitting material, is obtained. Then, red light emission can be obtained from the stripe portion where BSB-BCN is deposited between α-NPD and Alq 3 .
【００７０】[0070]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機Ｅ
Ｌ素子と呼ぶ。）は、基板上に、第１電極と、有機化合
物からなる発光材料を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス層（以下、有機ＥＬ層と呼ぶ。）と、第２電極とを
この順で備え、上記基板が、フィルム状プラスチック基
板であり、上記第１電極が、窒化物からなる透光性を有
する電極であることを特徴とする。As described above in detail, the organic electroluminescent device according to the present invention (hereinafter referred to as "organic electroluminescent device").
It is called an L element. ) Includes, in this order, a first electrode, an organic electroluminescence layer (hereinafter, referred to as an organic EL layer) having a light emitting material made of an organic compound, and a second electrode on a substrate. A film-shaped plastic substrate, wherein the first electrode is a light-transmitting electrode made of a nitride.
【００７１】したがって、本発明に係る有機ＥＬ素子
は、フィルム状プラスチック基板を用いているため、従
来のガラス基板を用いた有機ＥＬ素子と比較して大幅に
軽量化することが可能である。Therefore, since the organic EL device according to the present invention uses a film-shaped plastic substrate, it can be significantly reduced in weight as compared with a conventional organic EL device using a glass substrate.
【００７２】また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、可撓
性を有する基板であるフィルム状プラスチック基板を用
いているため、良好な可撓性を有するものとされる。The organic EL device according to the present invention has good flexibility because it uses a film-like plastic substrate which is a substrate having flexibility.
【００７３】そして、本発明に係る有機ＥＬ素子は、落
下等の衝撃に対する耐衝撃性に優れるフィルム状プラス
チック基板を用いているため、耐衝撃性を大幅に向上さ
せることができる。Since the organic EL device according to the present invention uses a film-shaped plastic substrate having excellent impact resistance against impacts such as dropping, the impact resistance can be greatly improved.
【００７４】さらに、この有機ＥＬ素子は、陽極材料と
して窒化物を用いているため、陽極材料中の酸素やイン
ジウムが有機ＥＬ層中に侵入・拡散することがない。す
なわち、陽極材料中の酸素やインジウムが有機ＥＬ層中
に侵入・拡散により有機ＥＬ層が劣化することがない。Further, in this organic EL device, since nitride is used as the anode material, oxygen and indium in the anode material do not penetrate or diffuse into the organic EL layer. That is, the organic EL layer does not deteriorate due to the penetration or diffusion of oxygen or indium in the anode material into the organic EL layer.
【００７５】したがって、本発明によれば、軽量で、可
撓性、耐衝撃性を備え、且つ有機ＥＬ層の劣化が防止さ
れ、耐久性に優れた有機ＥＬ素子を提供することが可能
となる。Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an organic EL element which is lightweight, has flexibility, impact resistance, prevents deterioration of the organic EL layer, and has excellent durability. .
【図１】本発明を適用した有機ＥＬ素子の一構成例を示
す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing one configuration example of an organic EL device to which the present invention is applied.
【図２】ＴｉＮ膜の、比抵抗率及び吸収係数に関する特
性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram relating to a specific resistivity and an absorption coefficient of a TiN film.
【図３】本発明を適用した有機ＥＬ素子の他の構成例を
示す縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing another configuration example of the organic EL element to which the present invention is applied.
【図４】ｍ−ＭＴＤＡＴＡの構造式を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a structural formula of m-MTDATA.
【図５】α−ＮＰＤの構造式を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a structural formula of α-NPD.
【図６】フェナントロリン誘導体の構造式を示す図であ
る。FIG. 6 shows a structural formula of a phenanthroline derivative.
【図７】バソクプロインの構造式を示す図である。FIG. 7 shows the structural formula of bathocuproin.
【図８】ＢＳＢ−ＢＣＮの構造式を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a structural formula of BSB-BCN.
【図９】Ａｌｑ3の構造式を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a structural formula of Alq 3 .
１ 有機ＥＬ素子、２ フィルム状プラスチック基板、
３ 陽極、４ 正孔輸送層、５ 発光層、６ 電子輸送
層、７ 陰極、８ 保護層、９ 有機ＥＬ層1 organic EL element, 2 film-shaped plastic substrate,
Reference Signs List 3 anode, 4 hole transport layer, 5 light emitting layer, 6 electron transport layer, 7 cathode, 8 protective layer, 9 organic EL layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/28 33/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/14 H05B 33/14 A 33/28 33/28
Claims (2)
なる発光材料を有する有機エレクトロルミネッセンス層
と、第２電極とをこの順で備え、 上記基板が、フィルム状プラスチック基板であり、 上記第１電極が、窒化物からなる透光性を有する電極で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。1. A substrate comprising a first electrode, an organic electroluminescent layer having a light emitting material made of an organic compound, and a second electrode in this order, wherein the substrate is a film-shaped plastic substrate, An organic electroluminescence element, wherein the first electrode is a light-transmitting electrode made of a nitride.
とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein said nitride is TiN.
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