JP2002008902A - 抵抗部品及びその抵抗値調整方法 - Google Patents
抵抗部品及びその抵抗値調整方法Info
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- JP2002008902A JP2002008902A JP2000189719A JP2000189719A JP2002008902A JP 2002008902 A JP2002008902 A JP 2002008902A JP 2000189719 A JP2000189719 A JP 2000189719A JP 2000189719 A JP2000189719 A JP 2000189719A JP 2002008902 A JP2002008902 A JP 2002008902A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】厚膜抵抗体膜中にマイクロクラックを発生させ
ずに、厚膜抵抗体膜の抵抗値を所定抵抗値に確実に調整
できるとともに、その抵抗値の径時変化を抑え、安定し
た抵抗値特性を有する抵抗部品及び、そのトリミング方
法を提供する。 【解決手段】セラミック基板201上に形成した第一の電
極202aと第二の電極202bとを複数本の厚膜抵抗体膜203
で接続した抵抗部品である。この抵抗部品の抵抗値を測
定しながら所定抵抗値になるように厚膜抵抗体膜をトリ
ミングして形成される。
ずに、厚膜抵抗体膜の抵抗値を所定抵抗値に確実に調整
できるとともに、その抵抗値の径時変化を抑え、安定し
た抵抗値特性を有する抵抗部品及び、そのトリミング方
法を提供する。 【解決手段】セラミック基板201上に形成した第一の電
極202aと第二の電極202bとを複数本の厚膜抵抗体膜203
で接続した抵抗部品である。この抵抗部品の抵抗値を測
定しながら所定抵抗値になるように厚膜抵抗体膜をトリ
ミングして形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜回路基板上の
抵抗部品、チップ抵抗器、及びその抵抗値を調整するレ
ーザートリミング方法に関するものである。
抵抗部品、チップ抵抗器、及びその抵抗値を調整するレ
ーザートリミング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜回路基板上の抵抗部品、チッ
プ抵抗器は、特願平９−９７７０７号に記載されている
ように、２つの電極に重畳・接続するように、厚膜抵抗
体膜として、所定抵抗体ペーストをベタで焼き付けて形
成する。次に、少なくとも厚膜抵抗体膜のトリミング部
位にオーバーコートガラス膜を所定ガラスペーストの焼
き付けにより形成した後に、オーバーコートガラス膜上
から厚膜抵抗体膜にレーザーを照射して、厚膜抵抗体膜
の一部を焼失・除去して、電流が流れる有効幅を狭くす
るようにトリミング溝を形成することで抵抗値の調整は
行われていた。この時、２つの電極を用いて抵抗値を測
定しながら、トリミングを行う。上述のトリミング溝
は、図１(a)〜図１(c)に示すように、種々の方法があっ
た。図１(a)は、最も基本的なトリミング溝であり、Ｉ
字状のトリミング溝である。図１(b)は、Ｉ字状のトリ
ミング溝の変形であり、Ｌ字状のトリミング溝である。
上述のＩ字状、Ｌ字状のトリミング溝では、抵抗値を測
定しながらトリミングを行ない、所定の抵抗値に命中し
たらレーザー照射を終了するために、その終了端部が厚
膜抵抗体膜中に存在する。その終了端部には、レーザー
照射の終了とともに急激な温度降下をともなうためにマ
イクロクラックが発生しやすい。また、その終了端部
は、電流が流れる有効幅が狭まっている箇所であるか
ら、電流密度が集中する。そのため、マイクロクラック
が進展し、抵抗値の径時変化が大きいという問題があっ
た。図１(c)は、上記問題点を解決するためのトリミン
グ溝であり、トリミング溝の始点及び終点が厚膜抵抗体
膜の外側に存在するＵ字状のトリミング溝である。上述
のＵ字状のトリミング溝では、上述のマイクロクラック
が発生しにくく、また、電流密度の集中も緩和させられ
るために、抵抗値の径時変化が抑えられたが、１回のレ
ーザー照射では、所定の抵抗値に命中させられない。１
回目のレーザー照射により抵抗値の粗調整を行い、２回
目以降のレーザー照射により抵抗値の微調整を行い、所
定の抵抗値に追い込んでいた。この場合、レーザー照射
による処理回数が増加するだけでなく、その処理を精度
よく管理する必要があり、量産性からすれば問題があ
る。
プ抵抗器は、特願平９−９７７０７号に記載されている
ように、２つの電極に重畳・接続するように、厚膜抵抗
体膜として、所定抵抗体ペーストをベタで焼き付けて形
成する。次に、少なくとも厚膜抵抗体膜のトリミング部
位にオーバーコートガラス膜を所定ガラスペーストの焼
き付けにより形成した後に、オーバーコートガラス膜上
から厚膜抵抗体膜にレーザーを照射して、厚膜抵抗体膜
の一部を焼失・除去して、電流が流れる有効幅を狭くす
るようにトリミング溝を形成することで抵抗値の調整は
行われていた。この時、２つの電極を用いて抵抗値を測
定しながら、トリミングを行う。上述のトリミング溝
は、図１(a)〜図１(c)に示すように、種々の方法があっ
た。図１(a)は、最も基本的なトリミング溝であり、Ｉ
字状のトリミング溝である。図１(b)は、Ｉ字状のトリ
ミング溝の変形であり、Ｌ字状のトリミング溝である。
上述のＩ字状、Ｌ字状のトリミング溝では、抵抗値を測
定しながらトリミングを行ない、所定の抵抗値に命中し
たらレーザー照射を終了するために、その終了端部が厚
膜抵抗体膜中に存在する。その終了端部には、レーザー
照射の終了とともに急激な温度降下をともなうためにマ
イクロクラックが発生しやすい。また、その終了端部
は、電流が流れる有効幅が狭まっている箇所であるか
ら、電流密度が集中する。そのため、マイクロクラック
が進展し、抵抗値の径時変化が大きいという問題があっ
た。図１(c)は、上記問題点を解決するためのトリミン
グ溝であり、トリミング溝の始点及び終点が厚膜抵抗体
膜の外側に存在するＵ字状のトリミング溝である。上述
のＵ字状のトリミング溝では、上述のマイクロクラック
が発生しにくく、また、電流密度の集中も緩和させられ
るために、抵抗値の径時変化が抑えられたが、１回のレ
ーザー照射では、所定の抵抗値に命中させられない。１
回目のレーザー照射により抵抗値の粗調整を行い、２回
目以降のレーザー照射により抵抗値の微調整を行い、所
定の抵抗値に追い込んでいた。この場合、レーザー照射
による処理回数が増加するだけでなく、その処理を精度
よく管理する必要があり、量産性からすれば問題があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｉ字状トリミング溝、
Ｌ字状トリミング溝では、１回のレーザー照射により、
抵抗値を所定の値に追い込めるが、抵抗値の径時変化が
大きく、安定した抵抗特性がえられないという問題があ
った。また、Ｕ字状トリミング溝では、レーザー照射の
処理回数が増加するために、量産性からすれば問題が残
る。
Ｌ字状トリミング溝では、１回のレーザー照射により、
抵抗値を所定の値に追い込めるが、抵抗値の径時変化が
大きく、安定した抵抗特性がえられないという問題があ
った。また、Ｕ字状トリミング溝では、レーザー照射の
処理回数が増加するために、量産性からすれば問題が残
る。
【０００４】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、１回のレーザー照射によ
り、安定した抵抗特性を保有する厚膜回路基板上の抵抗
部品、チップ抵抗器、及びその抵抗値を調整するレーザ
ートリミング方法を提供するものである。
たものであり、その目的は、１回のレーザー照射によ
り、安定した抵抗特性を保有する厚膜回路基板上の抵抗
部品、チップ抵抗器、及びその抵抗値を調整するレーザ
ートリミング方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に設け
た第一の電極と第二の電極と、この第一と第二の電極を
接続する抵抗体とからなり、前記抵抗体が、複数本で第
一と第二の電極とを接続するように形成した抵抗部品で
ある。その複数本の抵抗体の幅は、同じ幅で形成しても
かまわないし、異なった幅で形成してもかまわない。そ
して、少なくともトリミングを受ける厚膜抵抗体部分
が、ガラスもしくは樹脂を主成分とする保護層で覆われ
ていることが好ましい。また、高精度で所定の抵抗値に
追い込む必要のある場合は、抵抗値を測定しながら所定
抵抗値になるように抵抗体をトリミングして、厚膜抵抗
体の抵抗値調整を行なう。
た第一の電極と第二の電極と、この第一と第二の電極を
接続する抵抗体とからなり、前記抵抗体が、複数本で第
一と第二の電極とを接続するように形成した抵抗部品で
ある。その複数本の抵抗体の幅は、同じ幅で形成しても
かまわないし、異なった幅で形成してもかまわない。そ
して、少なくともトリミングを受ける厚膜抵抗体部分
が、ガラスもしくは樹脂を主成分とする保護層で覆われ
ていることが好ましい。また、高精度で所定の抵抗値に
追い込む必要のある場合は、抵抗値を測定しながら所定
抵抗値になるように抵抗体をトリミングして、厚膜抵抗
体の抵抗値調整を行なう。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【０００７】＜発明の実施の形態１＞図２(a)は本発明
の抵抗部品の平面図であり、図２(b)はトリミングした
状態の平面図であり、図２(c)はその断面図である。セ
ラミック基板201上に、Ag、Ag−Pd、Ag−Ptなどを主成
分とする導電性ペーストを印刷し、乾燥した後、焼成す
ることにより、第一の電極202a、第二の電極202bを形成
する。複数本からなる厚膜抵抗体膜203は、酸化ルテニ
ウムなどの抵抗体ペーストを第一の電極202aと第２の電
極202bにまたがるように印刷し、乾燥した後、焼成する
ことにより形成する。オーバーコート層204は、ホウケ
イ酸ガラスなどを主成分とするガラスペーストを印刷
し、乾燥した後、焼成することにより形成する。その形
状は、少なくとも厚膜抵抗体膜203を被うように形成す
る。次に、厚膜抵抗体膜203の抵抗値を所定値とするよ
うに抵抗値の調整を行なう。調整方法は、図示しない抵
抗値測定用端子に抵抗値測定用プローブを接触させて、
抵抗値を測定しながら、YAGレーザーなどの所定レーザ
ー光をオーバーコート層204上から厚膜抵抗体膜203に照
射・走査することのより、少なくとも厚膜抵抗体膜203
の一部を焼失・除去する。このとき、レーザー光の照射
・走査は、所定の抵抗値に命中したときに止める。厚膜
抵抗体膜203が焼失・除去された走査軌跡がトリミング
溝205となる。トリミング溝205は、オーバーコート層20
4と厚膜抵抗体膜203だけを削って、セラミック基板201
を不必要に削らないように、トリミング条件であるトリ
ミング速度やＱrateを調整して形成する。その後、図２
（d）に示すように第二のオーバーコート層206を形成し
ても構わない。ここで、本発明の特徴は、厚膜抵抗体膜
の形成パターンにあり、第一の電極202aと第二の電極20
2bとを複数本の厚膜抵抗体膜で接続するものである。
の抵抗部品の平面図であり、図２(b)はトリミングした
状態の平面図であり、図２(c)はその断面図である。セ
ラミック基板201上に、Ag、Ag−Pd、Ag−Ptなどを主成
分とする導電性ペーストを印刷し、乾燥した後、焼成す
ることにより、第一の電極202a、第二の電極202bを形成
する。複数本からなる厚膜抵抗体膜203は、酸化ルテニ
ウムなどの抵抗体ペーストを第一の電極202aと第２の電
極202bにまたがるように印刷し、乾燥した後、焼成する
ことにより形成する。オーバーコート層204は、ホウケ
イ酸ガラスなどを主成分とするガラスペーストを印刷
し、乾燥した後、焼成することにより形成する。その形
状は、少なくとも厚膜抵抗体膜203を被うように形成す
る。次に、厚膜抵抗体膜203の抵抗値を所定値とするよ
うに抵抗値の調整を行なう。調整方法は、図示しない抵
抗値測定用端子に抵抗値測定用プローブを接触させて、
抵抗値を測定しながら、YAGレーザーなどの所定レーザ
ー光をオーバーコート層204上から厚膜抵抗体膜203に照
射・走査することのより、少なくとも厚膜抵抗体膜203
の一部を焼失・除去する。このとき、レーザー光の照射
・走査は、所定の抵抗値に命中したときに止める。厚膜
抵抗体膜203が焼失・除去された走査軌跡がトリミング
溝205となる。トリミング溝205は、オーバーコート層20
4と厚膜抵抗体膜203だけを削って、セラミック基板201
を不必要に削らないように、トリミング条件であるトリ
ミング速度やＱrateを調整して形成する。その後、図２
（d）に示すように第二のオーバーコート層206を形成し
ても構わない。ここで、本発明の特徴は、厚膜抵抗体膜
の形成パターンにあり、第一の電極202aと第二の電極20
2bとを複数本の厚膜抵抗体膜で接続するものである。
【０００８】＜発明の実施の形態２＞次に、本発明の第
２の実施の形態を図３を用いて説明する。図２に図示し
た厚膜抵抗体膜203の形状は、等幅で等ピッチであった
が、図３に図示した厚膜抵抗体膜303は、幅とピッチを
変えた形状からなる。このとき、トリミング開始側は、
Ａからであっても構わないし、Ｂからであっても構わな
い。
２の実施の形態を図３を用いて説明する。図２に図示し
た厚膜抵抗体膜203の形状は、等幅で等ピッチであった
が、図３に図示した厚膜抵抗体膜303は、幅とピッチを
変えた形状からなる。このとき、トリミング開始側は、
Ａからであっても構わないし、Ｂからであっても構わな
い。
【０００９】＜発明の実施の形態３＞次に、本発明の第
３の実施の形態を図４を用いて説明する。図２及び図３
に図示した厚膜抵抗体膜は、電極上でそれぞれ分かれて
いたが、図４に図示した厚膜抵抗体膜403は、電極上で
つながっている形状からなる。
３の実施の形態を図４を用いて説明する。図２及び図３
に図示した厚膜抵抗体膜は、電極上でそれぞれ分かれて
いたが、図４に図示した厚膜抵抗体膜403は、電極上で
つながっている形状からなる。
【００１０】＜発明の実施の形態４＞次に、本発明の第
４の実施の形態を図５を用いて説明する。図２、図３及
び図４に図示した厚膜抵抗体膜は、電極間でそれぞれ線
状のスペースからなっていたが、図５に図示した厚膜抵
抗体膜503は、円状のスペースからなる。
４の実施の形態を図５を用いて説明する。図２、図３及
び図４に図示した厚膜抵抗体膜は、電極間でそれぞれ線
状のスペースからなっていたが、図５に図示した厚膜抵
抗体膜503は、円状のスペースからなる。
【００１１】＜発明の実施の形態５＞次に、本発明の第
５の実施の形態を図６を用いて説明する。発明の実施の
形態１〜４では、Ｉ字状トリミング溝を想定していた
が、図６に示すように、トリミング溝が厚膜抵抗体膜に
片乗りして形成されたＬ字状のトリミング溝605になる
ように形成されても構わない。
５の実施の形態を図６を用いて説明する。発明の実施の
形態１〜４では、Ｉ字状トリミング溝を想定していた
が、図６に示すように、トリミング溝が厚膜抵抗体膜に
片乗りして形成されたＬ字状のトリミング溝605になる
ように形成されても構わない。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、本発明の抵抗部品に対し
て、上述のレーザートリミングを行なう方法によれば、
Ｉ字状・Ｌ字状のトリミング溝の終端を厚膜抵抗体膜外
に形成させられることによって、トリミング溝の終端の
マイクロクラックを無くせるために、抵抗値の径時変化
が小さく、安定した抵抗特性がえられる。また、１回の
レーザー照射により、抵抗値を所定の値に追い込めるた
めに、量産性に優れる。
て、上述のレーザートリミングを行なう方法によれば、
Ｉ字状・Ｌ字状のトリミング溝の終端を厚膜抵抗体膜外
に形成させられることによって、トリミング溝の終端の
マイクロクラックを無くせるために、抵抗値の径時変化
が小さく、安定した抵抗特性がえられる。また、１回の
レーザー照射により、抵抗値を所定の値に追い込めるた
めに、量産性に優れる。
【図１】従来の抵抗部品とトリミング形態図。
【図２】本発明の第１の実施の形態における説明図。
【図３】本発明の第２の実施の形態における説明図。
【図４】本発明の第３の実施の形態における説明図。
【図５】本発明の第４の実施の形態における説明図。
【図６】本発明の第５の実施の形態における説明図。
201…セラミック基板、202a…第一の電極、202b…第二
の電極、203…厚膜抵抗体膜、204…オーバーコート層、
205…トリミング溝、206…第二のオーバーコート層、30
3…厚膜抵抗体膜、403…厚膜抵抗体膜、503…厚膜抵抗
体膜、605…トリミング溝。
の電極、203…厚膜抵抗体膜、204…オーバーコート層、
205…トリミング溝、206…第二のオーバーコート層、30
3…厚膜抵抗体膜、403…厚膜抵抗体膜、503…厚膜抵抗
体膜、605…トリミング溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒木 喬 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 藤田 毅 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 種井 平吉 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5E032 BA15 BB01 CA02 CC18 TA11 TA17 TB02 5E033 AA03 BA01 BC01 BD12 BE01 BG02 BH02
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に設けた第一の電極と第二の電極
と、この第一と第二の電極を接続する抵抗体とからな
り、前記抵抗体が、複数本で第一と第二の電極とを接続
するように形成した抵抗部品。 - 【請求項２】 第一の電極と第二の電極を接続する複数
の抵抗体の幅を同じにして形成した請求項１記載の抵抗
部品。 - 【請求項３】 第一の電極と第二の電極を接続する複数
の抵抗体の幅を変えて形成した請求項１記載の抵抗部
品。 - 【請求項４】 少なくとも抵抗体が、ガラスもしくは樹
脂を主成分とする保護層で覆われている請求項１または
２または３記載の抵抗部品。 - 【請求項５】 抵抗体ペーストを第一の電極と第二の電
極の上に形成し焼成し抵抗体を形成し、抵抗値を測定し
ながら所定抵抗値になるように抵抗体をトリミングする
ことを特徴とする請求項１または２または３または４記
載の抵抗部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189719A JP2002008902A (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 抵抗部品及びその抵抗値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189719A JP2002008902A (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 抵抗部品及びその抵抗値調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002008902A true JP2002008902A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18689313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000189719A Pending JP2002008902A (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 抵抗部品及びその抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002008902A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007011250A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-01-18 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| US7978297B2 (en) | 2005-05-30 | 2011-07-12 | Sony Corporation | Electro-optical device having resistor with adjustable resistance value connected to IC and wiring lines |
| US7999652B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-08-16 | Hitachi, Ltd. | Thick film resistor |
| JP2016103519A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
| CN107546036A (zh) * | 2016-06-29 | 2018-01-05 | 太阳诱电株式会社 | 可变电容器件和天线装置 |
-
2000
- 2000-06-20 JP JP2000189719A patent/JP2002008902A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007011250A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-01-18 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP4662354B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-03-30 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
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| JP2018006475A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 太陽誘電株式会社 | 可変容量デバイス及びアンテナ装置 |
| US10069206B2 (en) | 2016-06-29 | 2018-09-04 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Variable capacitance device and antenna device |
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