JPH0555015A - 厚膜抵抗体のレーザトリミング方法 - Google Patents
厚膜抵抗体のレーザトリミング方法Info
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- JPH0555015A JPH0555015A JP3236930A JP23693091A JPH0555015A JP H0555015 A JPH0555015 A JP H0555015A JP 3236930 A JP3236930 A JP 3236930A JP 23693091 A JP23693091 A JP 23693091A JP H0555015 A JPH0555015 A JP H0555015A
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- Japan
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- cut
- film resistor
- thick film
- trimming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚膜抵抗体のレーザトリミングを加工速度を
下げることなく高精度に行なう。 【構成】 厚膜抵抗体１に流れる電流の方向と直交する
方向に第１カット１１を行なう。次に、第１カット終了
点１５を頂点として円弧状に第２カット１２を行なう。
このときの抵抗値をもとに、第２カット１２より厚膜抵
抗体１を深くカットするように円弧状に第３カット１３
を行なう。第１カットのトリミング終了点に生じたマイ
クロクラックは第２カットおよび第３カットによって削
除される。各カットを単純動作によって速やかに行な
え、しかも、各種特性が良好になる。
下げることなく高精度に行なう。 【構成】 厚膜抵抗体１に流れる電流の方向と直交する
方向に第１カット１１を行なう。次に、第１カット終了
点１５を頂点として円弧状に第２カット１２を行なう。
このときの抵抗値をもとに、第２カット１２より厚膜抵
抗体１を深くカットするように円弧状に第３カット１３
を行なう。第１カットのトリミング終了点に生じたマイ
クロクラックは第２カットおよび第３カットによって削
除される。各カットを単純動作によって速やかに行な
え、しかも、各種特性が良好になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜ハイブリッドＩＣ
等に使用される厚膜抵抗体を所定の抵抗値に修正する厚
膜抵抗体のレーザトリミング方法に関し、特に高耐電力
特性，高パルス特性を得るためのレーザトリミング方法
に関するものである。
等に使用される厚膜抵抗体を所定の抵抗値に修正する厚
膜抵抗体のレーザトリミング方法に関し、特に高耐電力
特性，高パルス特性を得るためのレーザトリミング方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜ハイブリッドＩＣを製造する
に当たっては、厚膜ハイブリッドＩＣの構成要素である
厚膜抵抗体の抵抗精度を所定の値に設定するために、印
刷焼成後、レーザ光によってトリミングが行われてい
る。
に当たっては、厚膜ハイブリッドＩＣの構成要素である
厚膜抵抗体の抵抗精度を所定の値に設定するために、印
刷焼成後、レーザ光によってトリミングが行われてい
る。
【０００３】従来のトリミング処理では、焼成した厚膜
抵抗体を、その抵抗値をリアルタイムで測定しながら所
定の形状にレーザ光にて切断することによって、所望の
抵抗値を得るようにしていた。また、トリミング形状と
しては、所望する抵抗値精度，耐電力特性，耐パルス特
性，生産コスト等により種々の形状が提案されている。
抵抗体を、その抵抗値をリアルタイムで測定しながら所
定の形状にレーザ光にて切断することによって、所望の
抵抗値を得るようにしていた。また、トリミング形状と
しては、所望する抵抗値精度，耐電力特性，耐パルス特
性，生産コスト等により種々の形状が提案されている。
【０００４】従来のトリミング方法を図２ないし図４に
よって説明する。図２は従来のトリミング方法によって
トリミングされた厚膜抵抗体の平面図で、同図（ａ）は
Ｌカットによってトリミング加工された厚膜抵抗体を示
し、同図（ｂ）はフックカットによってトリミング加工
された厚膜抵抗体を示し、同図（ｃ）はスキャンカット
によってトリミング加工された厚膜抵抗体を示す。図３
はＬカットによってトリミング加工された厚膜抵抗体を
拡大して示す平面図、図４はスキャンカットによってト
リミング加工された厚膜抵抗体を拡大して示す平面図で
ある。
よって説明する。図２は従来のトリミング方法によって
トリミングされた厚膜抵抗体の平面図で、同図（ａ）は
Ｌカットによってトリミング加工された厚膜抵抗体を示
し、同図（ｂ）はフックカットによってトリミング加工
された厚膜抵抗体を示し、同図（ｃ）はスキャンカット
によってトリミング加工された厚膜抵抗体を示す。図３
はＬカットによってトリミング加工された厚膜抵抗体を
拡大して示す平面図、図４はスキャンカットによってト
リミング加工された厚膜抵抗体を拡大して示す平面図で
ある。
【０００５】これらの図において１は基板（図示せず）
上に形成された厚膜抵抗体、２はこの厚膜抵抗体１の電
極である。
上に形成された厚膜抵抗体、２はこの厚膜抵抗体１の電
極である。
【０００６】また、３はＬカット時のトリミング加工
跡、４はフックカット時のトリミング加工跡、５はスキ
ャンカット時のトリミング加工跡を示す。
跡、４はフックカット時のトリミング加工跡、５はスキ
ャンカット時のトリミング加工跡を示す。
【０００７】図２（ａ）に示すＬカットは、トリミング
精度は±０．５％程度となって良好で、しかも、カット
速度が速いという利点がある。しかし、トリミング終了
点７が厚膜抵抗体１の内部に残るため、図３に拡大して
示すように、トリミング終了点７よりマイクロクラック
８が発生してしまうという不具合がある。このマイクロ
クラック８が生じると、耐電力特性、耐パルス特性が悪
くなってしまう。
精度は±０．５％程度となって良好で、しかも、カット
速度が速いという利点がある。しかし、トリミング終了
点７が厚膜抵抗体１の内部に残るため、図３に拡大して
示すように、トリミング終了点７よりマイクロクラック
８が発生してしまうという不具合がある。このマイクロ
クラック８が生じると、耐電力特性、耐パルス特性が悪
くなってしまう。
【０００８】図２（ｂ）に示すフックカットでは、トリ
ミング終了点が厚膜抵抗体１内に残らないため、耐電力
特性，耐パルス特性は良好となるが、所望の抵抗値に達
した後にその部位から無条件に厚膜抵抗体１を切断しな
ければならないために抵抗値精度としては±３％程度と
なって悪化してしまう。
ミング終了点が厚膜抵抗体１内に残らないため、耐電力
特性，耐パルス特性は良好となるが、所望の抵抗値に達
した後にその部位から無条件に厚膜抵抗体１を切断しな
ければならないために抵抗値精度としては±３％程度と
なって悪化してしまう。
【０００９】図２（ｃ）に示すスキャンカットは、厚膜
抵抗体１の電流の流れる方向と平行にレーザ光によるカ
ットを重ね合わせてトリミングする方法で、カット幅に
比べてカットの重ね合わせるピッチを小さく設定してト
リミングを行なう。この方法では、図４に示すようにト
リミング終了点９よりマイクロクラック８が発生する
が、カットの進行方向に多く発生するために上述したＬ
カットに比べてその量は少なくなり、残された厚膜抵抗
体１に対しての影響も小さくなる。
抵抗体１の電流の流れる方向と平行にレーザ光によるカ
ットを重ね合わせてトリミングする方法で、カット幅に
比べてカットの重ね合わせるピッチを小さく設定してト
リミングを行なう。この方法では、図４に示すようにト
リミング終了点９よりマイクロクラック８が発生する
が、カットの進行方向に多く発生するために上述したＬ
カットに比べてその量は少なくなり、残された厚膜抵抗
体１に対しての影響も小さくなる。
【００１０】このため、スキャンカットによれば、耐電
力特性，耐パルス特性とも良好で、トリミングによる抵
抗値精度も±０．５％程度となる。
力特性，耐パルス特性とも良好で、トリミングによる抵
抗値精度も±０．５％程度となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述したス
キャンカットによってトリミングを行うと、この方法で
はレーザ光を多数回往復動作させなければならないた
め、加工時間が長くなってしまうという問題があった。
このスキャンカットでの加工時間は、Ｌカットでの加工
時間と比べると数十倍となってしまう。
キャンカットによってトリミングを行うと、この方法で
はレーザ光を多数回往復動作させなければならないた
め、加工時間が長くなってしまうという問題があった。
このスキャンカットでの加工時間は、Ｌカットでの加工
時間と比べると数十倍となってしまう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る厚膜抵抗体
のレーザトリミング方法は、厚膜抵抗体に流れる電流の
方向と直交する方向に第１カットを行ない、次に、厚膜
抵抗体の側方から前記第１カットの終了点を頂点として
円弧状に第２カットを行なって抵抗値を測定し、この抵
抗値をもとに、前記第１カット終了点から第２カットの
径方向外側であって修正抵抗値が得られる部位までの寸
法を算出し、しかる後、前記算出寸法だけ第１カット終
了点より離間した部位を頂点とし、かつ第２カットの開
始点と終了点を通して円弧状に第３カットを行なうもの
である。
のレーザトリミング方法は、厚膜抵抗体に流れる電流の
方向と直交する方向に第１カットを行ない、次に、厚膜
抵抗体の側方から前記第１カットの終了点を頂点として
円弧状に第２カットを行なって抵抗値を測定し、この抵
抗値をもとに、前記第１カット終了点から第２カットの
径方向外側であって修正抵抗値が得られる部位までの寸
法を算出し、しかる後、前記算出寸法だけ第１カット終
了点より離間した部位を頂点とし、かつ第２カットの開
始点と終了点を通して円弧状に第３カットを行なうもの
である。
【００１３】
【作用】第１カットのトリミング終了点に生じたマイク
ロクラックは第２カットおよび第３カットによって削除
される。また、第１カット〜第３カットは直線あるいは
曲線を１挙動で描くように行われるから、それぞれ単純
動作によって速やかに行われる。
ロクラックは第２カットおよび第３カットによって削除
される。また、第１カット〜第３カットは直線あるいは
曲線を１挙動で描くように行われるから、それぞれ単純
動作によって速やかに行われる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１によって詳細
に説明する。図１は本発明に係る厚膜抵抗体のレーザト
リミング方法によってトリミング加工された厚膜抵抗体
の平面図である。同図において前記図２ないし図４で説
明したものと同一もしくは同等部材については、同一符
号を付し詳細な説明は省略する。図１において１１は本
発明の第１カットによるトリミング加工跡、１２は第２
カットによるトリミング加工跡、１３は第３カットによ
るトリミング加工跡を示す。これらは何れも厚膜抵抗体
１にレーザ光を照射することによって形成されたもので
ある。
に説明する。図１は本発明に係る厚膜抵抗体のレーザト
リミング方法によってトリミング加工された厚膜抵抗体
の平面図である。同図において前記図２ないし図４で説
明したものと同一もしくは同等部材については、同一符
号を付し詳細な説明は省略する。図１において１１は本
発明の第１カットによるトリミング加工跡、１２は第２
カットによるトリミング加工跡、１３は第３カットによ
るトリミング加工跡を示す。これらは何れも厚膜抵抗体
１にレーザ光を照射することによって形成されたもので
ある。
【００１５】次に、本発明に係るレーザトリミング方法
について説明する。先ず、厚膜抵抗体１に流れる電流の
方向と直交する方向に粗調である第１カットを行なう。
このとき、所望する厚膜抵抗体１の設定値をＲN
（Ω），トリミング前の初期値をＲi1（Ω）とすると、
第１カットによるトリミング目標値Ｒ1 （Ω）は次式に
よって得られる。
について説明する。先ず、厚膜抵抗体１に流れる電流の
方向と直交する方向に粗調である第１カットを行なう。
このとき、所望する厚膜抵抗体１の設定値をＲN
（Ω），トリミング前の初期値をＲi1（Ω）とすると、
第１カットによるトリミング目標値Ｒ1 （Ω）は次式に
よって得られる。
【００１６】 Ｒ1 ＝（ＲN−Ｒi1）×（α／１００）＋Ｒi1 （Ω） なお、定数αは予め設定しておくものとする（α：０〜
１００％）。また、第１カットの開始点を図１中符号１
４で示し、終了点を１５で示す。
１００％）。また、第１カットの開始点を図１中符号１
４で示し、終了点を１５で示す。
【００１７】次に、第１カット終了点１５と、予め設定
してある円弧カット・カット幅Ｌの２分の１だけ第１カ
ット開始点１４より離れた円弧カット開始点１６および
円弧カット終了点１７とを通るように円弧状にトリミン
グ加工を行い、第２粗調である第２カットを行なう。な
お、円弧カット開始点１６（第２カット開始点）および
円弧カット終了点１７（第２カット終了点）は厚膜抵抗
体１の側方に位置づける。
してある円弧カット・カット幅Ｌの２分の１だけ第１カ
ット開始点１４より離れた円弧カット開始点１６および
円弧カット終了点１７とを通るように円弧状にトリミン
グ加工を行い、第２粗調である第２カットを行なう。な
お、円弧カット開始点１６（第２カット開始点）および
円弧カット終了点１７（第２カット終了点）は厚膜抵抗
体１の側方に位置づける。
【００１８】次いで、第２カット実施後に再度抵抗値を
測定する。そして、このときの抵抗値をＲi2（Ω）と
し、第１カットのカット長さをＤ1 とすると、求める第
３カットのカット深さＤ2 は次式で得られる。
測定する。そして、このときの抵抗値をＲi2（Ω）と
し、第１カットのカット長さをＤ1 とすると、求める第
３カットのカット深さＤ2 は次式で得られる。
【００１９】 Ｄ2 ＝Ｄ1 ＋｛（ＲN−Ｒi2）／ＲN｝×β （mm）
【００２０】ここで、定数βは予め設定しておくものと
する。
する。
【００２１】しかる後、この算出された第３カット・カ
ット深さＤ2 による第３カット頂点１８と、前記円弧カ
ット開始点１６（第２カット開始点）と、円弧カット終
了点１７（第２カット終了点）とを通るように円弧状に
トリミング加工を行ない、微調である第３カットを行な
う。
ット深さＤ2 による第３カット頂点１８と、前記円弧カ
ット開始点１６（第２カット開始点）と、円弧カット終
了点１７（第２カット終了点）とを通るように円弧状に
トリミング加工を行ない、微調である第３カットを行な
う。
【００２２】また、上述した第１〜第３カットを実施す
るに当たっては、予め設定する定数α，βおよびＬにつ
いては厚膜抵抗体１の外形寸法，アスペクトレシオ（縦
横比），初期値の分布により変わるので、実際にトリミ
ング加工を行なう前に厚膜抵抗体１に対して試験を行な
って設定する。
るに当たっては、予め設定する定数α，βおよびＬにつ
いては厚膜抵抗体１の外形寸法，アスペクトレシオ（縦
横比），初期値の分布により変わるので、実際にトリミ
ング加工を行なう前に厚膜抵抗体１に対して試験を行な
って設定する。
【００２３】したがって、本発明に係るレーザトリミン
グ方法によれば、第１カット終了点１５に生じたマイク
ロクラックは第２カットおよび第３カットによって削除
される。また、第１カット〜第３カットは、直線あるい
は曲線を１挙動で描くように行われるから、それぞれ単
純動作によって速やかに行なうことができる。
グ方法によれば、第１カット終了点１５に生じたマイク
ロクラックは第２カットおよび第３カットによって削除
される。また、第１カット〜第３カットは、直線あるい
は曲線を１挙動で描くように行われるから、それぞれ単
純動作によって速やかに行なうことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る厚膜抵
抗体のレーザトリミング方法は、厚膜抵抗体に流れる電
流の方向と直交する方向に第１カットを行ない、次に、
厚膜抵抗体の側方から前記第１カットの終了点を頂点と
して円弧状に第２カットを行なって抵抗値を測定し、こ
の抵抗値をもとに、前記第１カット終了点から第２カッ
トの径方向外側であって修正抵抗値が得られる部位まで
の寸法を算出し、しかる後、前記算出寸法だけ第１カッ
ト終了点より離間した部位を頂点とし、かつ第２カット
の開始点と終了点を通して円弧状に第３カットを行なう
ため、第１カットのトリミング終了点に生じたマイクロ
クラックは第２カットおよび第３カットによって削除さ
れる。また、第１カット〜第３カットは直線あるいは曲
線を１挙動で描くように行われるから、それぞれ単純動
作によって速やかに行われる。
抗体のレーザトリミング方法は、厚膜抵抗体に流れる電
流の方向と直交する方向に第１カットを行ない、次に、
厚膜抵抗体の側方から前記第１カットの終了点を頂点と
して円弧状に第２カットを行なって抵抗値を測定し、こ
の抵抗値をもとに、前記第１カット終了点から第２カッ
トの径方向外側であって修正抵抗値が得られる部位まで
の寸法を算出し、しかる後、前記算出寸法だけ第１カッ
ト終了点より離間した部位を頂点とし、かつ第２カット
の開始点と終了点を通して円弧状に第３カットを行なう
ため、第１カットのトリミング終了点に生じたマイクロ
クラックは第２カットおよび第３カットによって削除さ
れる。また、第１カット〜第３カットは直線あるいは曲
線を１挙動で描くように行われるから、それぞれ単純動
作によって速やかに行われる。
【００２５】このため、従来のスキャンカット程度の抵
抗値精度（±０．５％程度）を得ることができる。ま
た、カット終了点が厚膜抵抗体内に残らずかつＬカット
やフックカットのように直角に屈曲する部分もないため
に、極めて良好な高耐電力特性，高パルス特性が得られ
る。カット量としてはＬカット，フックカットの２〜３
倍程度であるので、トリムスピードもそれほど遅くはな
らず、Ｌカットの２〜３倍程度の加工時間でトリミング
加工を行なうことができる。
抗値精度（±０．５％程度）を得ることができる。ま
た、カット終了点が厚膜抵抗体内に残らずかつＬカット
やフックカットのように直角に屈曲する部分もないため
に、極めて良好な高耐電力特性，高パルス特性が得られ
る。カット量としてはＬカット，フックカットの２〜３
倍程度であるので、トリムスピードもそれほど遅くはな
らず、Ｌカットの２〜３倍程度の加工時間でトリミング
加工を行なうことができる。
【００２６】したがって、本発明によれば、高精度，高
耐電力特性，高耐パルス特性を有する厚膜抵抗体を実用
生産コストで製造することができる。
耐電力特性，高耐パルス特性を有する厚膜抵抗体を実用
生産コストで製造することができる。
【図１】本発明に係る厚膜抵抗体のレーザトリミング方
法によってトリミング加工された厚膜抵抗体の平面図で
ある。
法によってトリミング加工された厚膜抵抗体の平面図で
ある。
【図２】従来のトリミング方法によってトリミングされ
た厚膜抵抗体の平面図で、同図（ａ）はＬカットによっ
てトリミング加工された厚膜抵抗体を示し、同図（ｂ）
はフックカットによってトリミング加工された厚膜抵抗
体を示し、同図（ｃ）はスキャンカットによってトリミ
ング加工された厚膜抵抗体を示す。
た厚膜抵抗体の平面図で、同図（ａ）はＬカットによっ
てトリミング加工された厚膜抵抗体を示し、同図（ｂ）
はフックカットによってトリミング加工された厚膜抵抗
体を示し、同図（ｃ）はスキャンカットによってトリミ
ング加工された厚膜抵抗体を示す。
【図３】Ｌカットによってトリミング加工された厚膜抵
抗体を拡大して示す平面図である。
抗体を拡大して示す平面図である。
【図４】スキャンカットによってトリミング加工された
厚膜抵抗体を拡大して示す平面図である。
厚膜抵抗体を拡大して示す平面図である。
１ 厚膜抵抗体 ２ 電極 １４ 第１カット開始点 １５ 第１カット終了点 １６ 第２カット開始点 １７ 第２カット終了点 １８ 第３カット頂点
Claims (1)
- 【請求項１】 厚膜抵抗体をレーザ光によってトリミン
グしてその抵抗値を指定値に修正する厚膜抵抗体のレー
ザトリミング方法において、厚膜抵抗体に流れる電流の
方向と直交する方向に第１カットを行ない、次に、厚膜
抵抗体の側方から前記第１カットの終了点を頂点として
円弧状に第２カットを行なって抵抗値を測定し、この抵
抗値をもとに、前記第１カット終了点から第２カットの
径方向外側であって修正抵抗値が得られる部位までの寸
法を算出し、しかる後、前記算出寸法だけ第１カット終
了点より離間した部位を頂点とし、かつ第２カットの開
始点と終了点を通して円弧状に第３カットを行なうこと
を特徴とする厚膜抵抗体のレーザトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236930A JP2827608B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 厚膜抵抗体のレーザトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236930A JP2827608B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 厚膜抵抗体のレーザトリミング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555015A true JPH0555015A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2827608B2 JP2827608B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=17007862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3236930A Expired - Lifetime JP2827608B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 厚膜抵抗体のレーザトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2827608B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396182B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2003-08-27 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고압용 저항기 및 그 저항값 조정 방법 |
| JP2008139136A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 力学量センサおよびその製造方法 |
| US7721417B2 (en) | 2005-07-21 | 2010-05-25 | Denso Corporation | Manufacturing method for semiconductor device having a thin film resistor |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP3236930A patent/JP2827608B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396182B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2003-08-27 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고압용 저항기 및 그 저항값 조정 방법 |
| US7721417B2 (en) | 2005-07-21 | 2010-05-25 | Denso Corporation | Manufacturing method for semiconductor device having a thin film resistor |
| US7800479B2 (en) | 2005-07-21 | 2010-09-21 | Denso Corporation | Semiconductor device having a trim cut and method of evaluating laser trimming thereof |
| JP2008139136A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 力学量センサおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2827608B2 (ja) | 1998-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
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