JP2001501039A - イメージセンサ及びその製造 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.共通基板上に設けた感光性画素のアレイを具え、各画素がホトダイオードを 具え、このホトダイオードが、第1ドーピング型の第1半導体領域と、この第 1半導体領域上の真性半導体領域と、この真性半導体領域上に第2の逆のドー ピング型の第2半導体領域とを有する、イメージセンサにおいて、前記真性半 導体領域が、画素のグループ内のホトダイオード間に延在することを特徴とす るイメージセンサ。 2.各画素がスイッチングダイオード及びホトダイオードを有し、これらスイッ チングダイオード及びホトダイオードが前記基板上の個別の領域を占有するこ とを特徴とする請求の範囲1記載のイメージセンサ。 3.前記画素を行及び列に配置し、複数のグループの画素を設け、各グループの 画素が画素の各行を具え、前記第1及び第2半導体領域が前記画素の各行内の ホトダイオード間に延在することを特徴とする請求の範囲2記載のイメージセ ンサ。 4.前記真性半導体層が、前記アレイの全ての画素のホトダイオード間に延在す ることを特徴とする請求の範囲1記載のイメージセンサ。 5.前記画素を行及び列に配置し、ある列のホトダイオードの第2半導体領域を 、それ以外の列のホトダイオードの第2半導体領域から分離したことを特徴と する請求の範囲4記載のイメージセンサ。 6.前記真性半導体領域を部分的にエッチングして、前記真性半導体領域の上部 が前記第2半導体領域に対応するようにパターン化し、前記真性半導体領域の 下部が前記アレイの全ての画素のホトダイオード間に延在することを特徴とす る請求の範囲5記載のイメージセンサ。 7.各画素がボトムコンタクトを具え、前記ホトダイオードをそのボトムコンタ クト上に配置し、キャパシタを前記ホトダイオード上に配置し、そのキャパシ タが前記第2半導体領域と同一形状を有するとともに前記第2半導体領域上に 存在し、各画素の第2半導体領域上に配置された誘電体層と、その誘電体層上 のトップコンタクト層とを具えることを特徴とする請求の範囲5又は6記載の イメージセンサ。 8.画素領域及び周辺回路領域を前記基板上に設け、前記キャパシタを前記画素 領域上のみに形成したことを特徴とする請求の範囲7記載のイメージセンサ。 9.ホトダイオード又はキャパシタ層のない領域を前記画素領域と周辺回路領域 との間に設けて、前記ボトムコンタクトにアクセスできるようにし、前記トッ プコンタクト層が、前記周辺回路のダイオード間に接続部を規定することを特 徴とする請求の範囲8記載のイメージセンサ。 10.前記ホトダイオードが、前記第1ドーピング型の領域を形成するドープさ れたボトム導体上に配置された真性アモルファスシリコン層と、その真性半導 体層上に前記第2ドーピングタイプの半導体層とを具えることを特徴とする請 求の範囲1から9のうちのいずれかに記載のイメージセンサ。 11.各々がホトダイオードを具える画素のアレイを具えるイメージセンサの製 造方法であって、 絶縁基板上に導電性ボトムコンタクト層を配置し、前記コンタクト層を、第 1エッチングステップを用いてパターン化し、 パターン化されたボトムコンタクト層上に半導体層及びキャパシタ誘電体層 を配置して、アレイの上全体にホトダイオード−キャパシタ画素構造を規定し 、 前記半導体層及びキャパシタ誘電体層上にトップコンタクト層を配置し、前 記トップコンタクト層を、第2エッチングステップを用いてパターン化するこ とを特徴とするイメージセンサの製造方法。 12.前記ホトダイオード層を、前記パターン化されたボトムコンタクト層上に 配置し、前記キャパシタ誘電体層を、前記ホトダイオード層上に配置すること を特徴とする請求の範囲11記載のイメージセンサの製造方法。 13.前記半導体層が、第1ドーピングタイプのボトム層と、第2の逆のドーピ ング型のトップ層とを具えることを特徴とする請求の範囲12記載のイメージ センサの製造方法。 14.前記パターン化されたコンタクトボトム層をドープし、前記半導体層が、 真性半導体層と、前記第2ドーピングタイプにドープしたトップ層とを具え、 前記ボトムコンタクト層にドーピングすることによって、前記真性半導体層の 局所的なドーピングが、前記パターン化したボトムコンタクト層上に前記第1 ドーピング型のボトム半導体層を形成することを特徴とする請求の範囲13記 載のイメージセンサの製造方法。 15.前記キャパシタ誘電体層を、前記パターン化されたトップコンタクト層を マスクとして用いる第3エッチングステップによってエッチングすることを特 徴とする請求の範囲12から14のうちのいずれかに記載のイメージセンサの 製造方法。 16.前記半導体層のトップ層及び前記真性半導体層の深さの一部も前記第3エ ッチングステップを用いてエッチングすることを特徴とする請求の範囲15記 載のイメージセンサ。
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US6710370B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-03-23 | Xerox Corporation | Image sensor with performance enhancing structures |
US6730914B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-05-04 | E-Phocus, Inc. | Photoconductor-on-active-pixel (POAP) sensor utilizing equal-potential pixel electrodes |
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US5187563A (en) * | 1986-01-06 | 1993-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with Al/Cr/TCO electrode |
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US5225706A (en) * | 1987-12-04 | 1993-07-06 | Thomson-Csf | Matrix of photosensitive elements associating a photodiode or a phototransistor and a storage capacitor |
US5004903A (en) * | 1989-03-31 | 1991-04-02 | Nippon Steel Corporation | Contact type image sensor device with specific capacitance ratio |
DE4002429A1 (de) * | 1990-01-27 | 1991-08-01 | Philips Patentverwaltung | Sensormatrix |
GB9209734D0 (en) * | 1992-05-06 | 1992-06-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An image sensor |
EP0601200A4 (en) * | 1992-06-15 | 1994-10-26 | Kanegafuchi Chemical Ind | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT. |
DE4429434C1 (de) * | 1994-08-19 | 1995-12-21 | Siemens Ag | Bildsensor |
DE19530525A1 (de) * | 1995-08-19 | 1997-02-20 | Daimler Benz Ag | Schaltkreis mit monolithisch integrierter PIN-/Schottky-Diodenanordnung |
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