JP2001357575A - 光磁気ディスク装置、再生方法、および記録再生方法 - Google Patents
光磁気ディスク装置、再生方法、および記録再生方法Info
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- JP2001357575A JP2001357575A JP2000176899A JP2000176899A JP2001357575A JP 2001357575 A JP2001357575 A JP 2001357575A JP 2000176899 A JP2000176899 A JP 2000176899A JP 2000176899 A JP2000176899 A JP 2000176899A JP 2001357575 A JP2001357575 A JP 2001357575A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 直流磁界によって記録層の各磁区を再生層へ
正確に拡大転写して光磁気記録媒体から信号を正確に再
生できる光磁気ディスク装置、再生方法、および記録再
生方法を提供する。 【解決手段】 光磁気ディスク装置１００は、磁気ヘッ
ド１１、光学ヘッド１２、照合器１８、パターン発生器
１９、電流制御信号生成回路２２、および磁気ヘッド駆
動回路２４を備える。磁気ヘッド駆動回路２４は、電流
制御信号生成回路２２からの電流制御信号によって電流
値を変化させて磁気ヘッド１１を駆動する。そして、磁
気ヘッド１１は、強度が変化した直流磁界を光磁気記録
媒体１０に印加し、光学ヘッド１２は所定の記録パター
ンＷＤＫの光磁気信号ＲＦＤを検出する。照合器１８
は、再生信号ＲＦＤがパターン発生器１９からの所定の
記録パターンＷＤＫに一致にする直流磁界の強度を好適
な強度と決定する。
正確に拡大転写して光磁気記録媒体から信号を正確に再
生できる光磁気ディスク装置、再生方法、および記録再
生方法を提供する。 【解決手段】 光磁気ディスク装置１００は、磁気ヘッ
ド１１、光学ヘッド１２、照合器１８、パターン発生器
１９、電流制御信号生成回路２２、および磁気ヘッド駆
動回路２４を備える。磁気ヘッド駆動回路２４は、電流
制御信号生成回路２２からの電流制御信号によって電流
値を変化させて磁気ヘッド１１を駆動する。そして、磁
気ヘッド１１は、強度が変化した直流磁界を光磁気記録
媒体１０に印加し、光学ヘッド１２は所定の記録パター
ンＷＤＫの光磁気信号ＲＦＤを検出する。照合器１８
は、再生信号ＲＦＤがパターン発生器１９からの所定の
記録パターンＷＤＫに一致にする直流磁界の強度を好適
な強度と決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光磁気記録媒体
に信号を記録および／または再生する光磁気ディスク装
置、再生方法、および記録再生方法に関するものであ
る。
に信号を記録および／または再生する光磁気ディスク装
置、再生方法、および記録再生方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】高密度および高信頼性の媒体として光磁
気記録媒体が実用化され、コンピュータのメモリ用等と
しても期待されている。
気記録媒体が実用化され、コンピュータのメモリ用等と
しても期待されている。
【０００３】中でもＡＳＭＯ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｔ
ｏｒａｇｅｄ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉ
ｓｋ）規格による直径１２ｃｍで記憶容量が６Ｇｂｙｔ
ｅｓの光磁気記録媒体が開発され、各種の応用が図られ
ようとしている。このＡＳＭＯ規格による光磁気記録媒
体は記録層と再生層とを有し、レーザ光が照射されると
再生層に所定温度以上の検出窓が形成され、記録層の磁
区が静磁結合により再生層の検出窓へ転写されて信号が
再生される光磁気記録媒体である。
ｏｒａｇｅｄ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉ
ｓｋ）規格による直径１２ｃｍで記憶容量が６Ｇｂｙｔ
ｅｓの光磁気記録媒体が開発され、各種の応用が図られ
ようとしている。このＡＳＭＯ規格による光磁気記録媒
体は記録層と再生層とを有し、レーザ光が照射されると
再生層に所定温度以上の検出窓が形成され、記録層の磁
区が静磁結合により再生層の検出窓へ転写されて信号が
再生される光磁気記録媒体である。
【０００４】また、光磁気記録媒体に交番磁界を印加す
ることによって記録層の磁区を再生層へ拡大転写して信
号を再生する磁区拡大再生方式による光磁気記録媒体も
開発され、この光磁気記録媒体の記憶容量は、直径１２
ｃｍで１４Ｇｂｙｔｅｓである。
ることによって記録層の磁区を再生層へ拡大転写して信
号を再生する磁区拡大再生方式による光磁気記録媒体も
開発され、この光磁気記録媒体の記憶容量は、直径１２
ｃｍで１４Ｇｂｙｔｅｓである。
【０００５】さらに、最近では、光磁気記録媒体に直流
磁界を印加することによって記録層の磁区を再生層へ拡
大転写して信号を再生する光磁気記録媒体の研究開発も
進んでいる。
磁界を印加することによって記録層の磁区を再生層へ拡
大転写して信号を再生する光磁気記録媒体の研究開発も
進んでいる。
【０００６】図２４および図２５を参照して、直流磁界
を印加して再生を行なう磁区拡大再生の原理について説
明する。図２４を参照して、光磁気記録媒体８０の再生
層８１側からレーザ光ＬＢが照射されると、再生層８１
のうち、１５０℃の補償温度より低温領域８１０，８１
１では希土類金属リッチであるため、遷移金属による磁
化８１４，８１６より希土類金属による磁化が支配的に
なる。その結果、低温領域８１０，８１１は、遷移金属
による磁化８１４，８１６と反対方向の磁化８１３，８
１５を有する。一方、１５０℃の補償温度以上の高温領
域８１２では、希土類金属リッチから遷移金属リッチに
なるため、希土類金属による磁化より遷移金属による磁
化８１７が支配的になる。その結果、高温領域８１２
は、遷移金属による磁化８１７と同じ方向の磁化８１８
を有する（図２４の（ａ）参照）。この場合、光磁気記
録媒体８０には直流磁界は印加されていない。
を印加して再生を行なう磁区拡大再生の原理について説
明する。図２４を参照して、光磁気記録媒体８０の再生
層８１側からレーザ光ＬＢが照射されると、再生層８１
のうち、１５０℃の補償温度より低温領域８１０，８１
１では希土類金属リッチであるため、遷移金属による磁
化８１４，８１６より希土類金属による磁化が支配的に
なる。その結果、低温領域８１０，８１１は、遷移金属
による磁化８１４，８１６と反対方向の磁化８１３，８
１５を有する。一方、１５０℃の補償温度以上の高温領
域８１２では、希土類金属リッチから遷移金属リッチに
なるため、希土類金属による磁化より遷移金属による磁
化８１７が支配的になる。その結果、高温領域８１２
は、遷移金属による磁化８１７と同じ方向の磁化８１８
を有する（図２４の（ａ）参照）。この場合、光磁気記
録媒体８０には直流磁界は印加されていない。
【０００７】図２５を参照して、図２４の（ａ）に示す
再生層８１においては、１５０℃の補償温度以下の低温
領域８１０，８１１は、高温領域８１２との境界で無限
大になり、境界から離れるに従って急峻に減少しその後
なだらかに減少する保磁力の分布を有する。一方、１５
０℃の補償温度以上の高温領域８１２は、低温領域８１
０，８１１との境界で無限大であり、境界から離れるに
従って減少し、高温領域８１２の中央部で最小となる保
磁力を有する。そして、高温領域８１２における保磁力
の最小値Ｈｃ２は、低温領域８１０，８１１における保
磁力の最小値Ｈｃ１より小さい。なお、Ｈｃ１は、４０
〜８０ｋＡ／ｍ、Ｈｃ２は、１０〜８０ｋＡ／ｍであ
る。
再生層８１においては、１５０℃の補償温度以下の低温
領域８１０，８１１は、高温領域８１２との境界で無限
大になり、境界から離れるに従って急峻に減少しその後
なだらかに減少する保磁力の分布を有する。一方、１５
０℃の補償温度以上の高温領域８１２は、低温領域８１
０，８１１との境界で無限大であり、境界から離れるに
従って減少し、高温領域８１２の中央部で最小となる保
磁力を有する。そして、高温領域８１２における保磁力
の最小値Ｈｃ２は、低温領域８１０，８１１における保
磁力の最小値Ｈｃ１より小さい。なお、Ｈｃ１は、４０
〜８０ｋＡ／ｍ、Ｈｃ２は、１０〜８０ｋＡ／ｍであ
る。
【０００８】再び、図２４を参照して、光磁気記録媒体
８０にレーザ光を照射して再生層８１に遷移金属リッチ
な高温領域８１２が形成されると外部から直流磁界ＨDC
が印加される。直流磁界ＨDCは、遷移金属リッチな高温
領域８１２の磁化と反対方向に印加される。また、記録
層８３のうち、最も温度が高い磁区８３０からは漏洩磁
界ＨLが中間層８２を介して再生層８１の高温領域８１
２に及ぶ。この場合、直流磁界ＨDCの強度は、直流磁界
ＨDC単独では高温領域８１２の磁化８１８を反転させら
れない強度、すなわち、図２５に示すように高温領域８
１２の最小の保磁力Ｈｃ２より小さい強度である。記録
層８３の磁区８３０からの漏洩磁界ＨLは温度上昇とと
もに強くなり、最高温度では直流磁界ＨDCを加えると高
温領域８１２の保磁力Ｈｃ２より強くなる強度である。
すなわち、ＨDC＋ＨL＞Ｈｃ２が成り立つ。そうする
と、再生層８１の高温領域８１２は、直流磁界ＨDCおよ
び漏洩磁界ＨLによってその磁化方向を反転させられ、
遷移金属による磁化８２０と全体の磁化８１９とを有す
る（図２４の（ｂ）参照）。磁化８１９は、磁区８３０
の磁化と同じ方向であり、高温領域８１２は磁区８３０
より大きいので、記録層８３の磁区８３０が再生層８１
の高温領域８１２へ拡大転写されたことになる。高温領
域８１２の磁化８１９をレーザ光ＬＢによって検出する
ことにより記録層８３の磁区８３０が再生される。磁区
８３０の磁化と反対方向の磁化を有する磁区８３１が再
生層８１の高温領域８１２へ転写される場合は磁区８３
１からの漏洩磁界ＨLの方向は、磁区８３０の場合に対
して反対方向であるので、直流磁界ＨDCを加えた高温領
域８１２に及ぶ磁界強度は、図２５に示すようにＨDC−
Ｈ Lとなり、高温領域８１２の保磁力Ｈｃ２より弱い
（ＨDC−ＨL＜Ｈｃ２）。したがって、高温領域８１２
の遷移金属による磁化８１７、および全体の磁化８１８
は反転されず、磁化８１８をレーザ光ＬＢによって検出
することにより記録層８３の磁区８３１が再生される。
８０にレーザ光を照射して再生層８１に遷移金属リッチ
な高温領域８１２が形成されると外部から直流磁界ＨDC
が印加される。直流磁界ＨDCは、遷移金属リッチな高温
領域８１２の磁化と反対方向に印加される。また、記録
層８３のうち、最も温度が高い磁区８３０からは漏洩磁
界ＨLが中間層８２を介して再生層８１の高温領域８１
２に及ぶ。この場合、直流磁界ＨDCの強度は、直流磁界
ＨDC単独では高温領域８１２の磁化８１８を反転させら
れない強度、すなわち、図２５に示すように高温領域８
１２の最小の保磁力Ｈｃ２より小さい強度である。記録
層８３の磁区８３０からの漏洩磁界ＨLは温度上昇とと
もに強くなり、最高温度では直流磁界ＨDCを加えると高
温領域８１２の保磁力Ｈｃ２より強くなる強度である。
すなわち、ＨDC＋ＨL＞Ｈｃ２が成り立つ。そうする
と、再生層８１の高温領域８１２は、直流磁界ＨDCおよ
び漏洩磁界ＨLによってその磁化方向を反転させられ、
遷移金属による磁化８２０と全体の磁化８１９とを有す
る（図２４の（ｂ）参照）。磁化８１９は、磁区８３０
の磁化と同じ方向であり、高温領域８１２は磁区８３０
より大きいので、記録層８３の磁区８３０が再生層８１
の高温領域８１２へ拡大転写されたことになる。高温領
域８１２の磁化８１９をレーザ光ＬＢによって検出する
ことにより記録層８３の磁区８３０が再生される。磁区
８３０の磁化と反対方向の磁化を有する磁区８３１が再
生層８１の高温領域８１２へ転写される場合は磁区８３
１からの漏洩磁界ＨLの方向は、磁区８３０の場合に対
して反対方向であるので、直流磁界ＨDCを加えた高温領
域８１２に及ぶ磁界強度は、図２５に示すようにＨDC−
Ｈ Lとなり、高温領域８１２の保磁力Ｈｃ２より弱い
（ＨDC−ＨL＜Ｈｃ２）。したがって、高温領域８１２
の遷移金属による磁化８１７、および全体の磁化８１８
は反転されず、磁化８１８をレーザ光ＬＢによって検出
することにより記録層８３の磁区８３１が再生される。
【０００９】よって、光磁気記録媒体８０に単独では高
温領域８１２の磁化を反転させることができない強度の
直流磁界ＨDCを印加し、記録層８３の各磁区からの漏洩
磁界ＨLの向きにより高温領域８１２の磁化の反転／非
反転を制御することによって記録層８３の各磁区が再生
層８１の高温領域８１２へ拡大転写されて再生される。
温領域８１２の磁化を反転させることができない強度の
直流磁界ＨDCを印加し、記録層８３の各磁区からの漏洩
磁界ＨLの向きにより高温領域８１２の磁化の反転／非
反転を制御することによって記録層８３の各磁区が再生
層８１の高温領域８１２へ拡大転写されて再生される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、直流磁界を印
加して磁区拡大再生を行なう方式では、直流磁界の強度
がずれて、直流磁界に記録層からの漏洩磁界を加えた強
度が補償温度以上に昇温された遷移金属リッチな領域の
最小の保磁力より小さくなると、遷移金属リッチな領域
の磁化を反転できず、記録層の磁区を再生層へ正確に拡
大転写できないという問題がある。
加して磁区拡大再生を行なう方式では、直流磁界の強度
がずれて、直流磁界に記録層からの漏洩磁界を加えた強
度が補償温度以上に昇温された遷移金属リッチな領域の
最小の保磁力より小さくなると、遷移金属リッチな領域
の磁化を反転できず、記録層の磁区を再生層へ正確に拡
大転写できないという問題がある。
【００１１】そこで、本発明はかかる問題を解決するた
めになされたものであり、その目的は、直流磁界によっ
て記録層の各磁区を再生層へ正確に拡大転写して光磁気
記録媒体から信号を正確に再生できる光磁気ディスク装
置、再生方法、および記録再生方法を提供することを目
的とする。
めになされたものであり、その目的は、直流磁界によっ
て記録層の各磁区を再生層へ正確に拡大転写して光磁気
記録媒体から信号を正確に再生できる光磁気ディスク装
置、再生方法、および記録再生方法を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】この発
明による光磁気ディスク装置は、室温において希土類金
属リッチであり、補償温度以上で遷移金属リッチになる
再生層を含む光磁気記録媒体に、再生層の一部が補償温
度以上に昇温される強度のレーザ光を照射し、その反射
光を検出する光学ヘッドと、コアと該コアに巻回された
コイルとから成り、希土類金属リッチな領域の磁化と同
じ方向の直流磁界を光磁気記録媒体に印加する磁気ヘッ
ドと、直流磁界の強度を変化させて光学ヘッドが検出し
た所定の記録パターンの再生信号を所定の記録パターン
と照合し、再生信号が所定の記録パターンに一致する直
流磁界の好適な強度を決定する照合器とを備える。
明による光磁気ディスク装置は、室温において希土類金
属リッチであり、補償温度以上で遷移金属リッチになる
再生層を含む光磁気記録媒体に、再生層の一部が補償温
度以上に昇温される強度のレーザ光を照射し、その反射
光を検出する光学ヘッドと、コアと該コアに巻回された
コイルとから成り、希土類金属リッチな領域の磁化と同
じ方向の直流磁界を光磁気記録媒体に印加する磁気ヘッ
ドと、直流磁界の強度を変化させて光学ヘッドが検出し
た所定の記録パターンの再生信号を所定の記録パターン
と照合し、再生信号が所定の記録パターンに一致する直
流磁界の好適な強度を決定する照合器とを備える。
【００１３】この発明による光磁気ディスク装置におい
ては、光磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度を変
化させて所定の記録パターンの再生信号が検出される。
そうすると、直流磁界の強度が強くなるに従って再生信
号が所定の記録パターンに一致する領域が現れ、さらに
直流磁界の強度が強くなると再生信号が所定の記録パタ
ーンに一致しなくなる領域が現れる。そして、再生信号
が所定の記録パターンに一致する直流磁界の領域が直流
磁界の好適な強度と決定される。
ては、光磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度を変
化させて所定の記録パターンの再生信号が検出される。
そうすると、直流磁界の強度が強くなるに従って再生信
号が所定の記録パターンに一致する領域が現れ、さらに
直流磁界の強度が強くなると再生信号が所定の記録パタ
ーンに一致しなくなる領域が現れる。そして、再生信号
が所定の記録パターンに一致する直流磁界の領域が直流
磁界の好適な強度と決定される。
【００１４】したがって、この発明によれば、直流磁界
を印加して磁区拡大再生が可能な強度に直流磁界の強度
を設定できる。
を印加して磁区拡大再生が可能な強度に直流磁界の強度
を設定できる。
【００１５】好ましくは、直流磁界の強度を決定するコ
イルの電流値を変化させるための電流制御信号を生成す
る電流制御信号生成回路と、電流制御信号に基づいて強
度が変化した直流磁界を発生させるように磁気ヘッドを
駆動する磁気ヘッド駆動回路とをさらに備え、照合器
は、再生信号が前記所定の記録パターンに一致する好適
な電流値を検出することによって好適な強度を決定す
る。
イルの電流値を変化させるための電流制御信号を生成す
る電流制御信号生成回路と、電流制御信号に基づいて強
度が変化した直流磁界を発生させるように磁気ヘッドを
駆動する磁気ヘッド駆動回路とをさらに備え、照合器
は、再生信号が前記所定の記録パターンに一致する好適
な電流値を検出することによって好適な強度を決定す
る。
【００１６】磁気ヘッドのコイルに流す電流値を変化さ
せることによって直流磁界の強度が変化される。そうす
ると、コイルに流す電流値が増加するに従って再生信号
が所定の記録パターンに一致する領域が現れ、さらに電
流値が増加すると再生信号が所定の記録パターンに一致
しなくなる領域になる。そして、再生信号が所定の記録
パターンに一致する好適な電流値の領域が検出される。
せることによって直流磁界の強度が変化される。そうす
ると、コイルに流す電流値が増加するに従って再生信号
が所定の記録パターンに一致する領域が現れ、さらに電
流値が増加すると再生信号が所定の記録パターンに一致
しなくなる領域になる。そして、再生信号が所定の記録
パターンに一致する好適な電流値の領域が検出される。
【００１７】したがって、この発明によれば、コイルに
好適な電流値を流すことによって好適な強度の直流磁界
を光磁気記録媒体に印加できる。その結果、信号を正確
に磁区拡大再生できる。
好適な電流値を流すことによって好適な強度の直流磁界
を光磁気記録媒体に印加できる。その結果、信号を正確
に磁区拡大再生できる。
【００１８】好ましくは、照合器は、直流磁界の強度を
変化させたとき再生信号が所定の記録パターンに一致す
る好適な領域において、直流磁界強度が最小となる第１
の電流値と、直流磁界強度が最大となる第２の電流値と
を検出し、第１の電流値と第２の電流値との平均値を最
適電流値と決定する。
変化させたとき再生信号が所定の記録パターンに一致す
る好適な領域において、直流磁界強度が最小となる第１
の電流値と、直流磁界強度が最大となる第２の電流値と
を検出し、第１の電流値と第２の電流値との平均値を最
適電流値と決定する。
【００１９】磁気ヘッドのコイルに流す電流値を変化さ
せることによって直流磁界の強度が変化される。そうす
ると、コイルに流す電流値が増加するに従って直流磁界
強度が強くなり、再生信号が所定の記録パターンに一致
する領域が現れる。さらに電流値が増加して直流磁界強
度が強くなると再生信号が所定の記録パターンに一致し
なくなる領域になる。そして、再生信号が所定の記録パ
ターンに一致する領域において、直流磁界強度が最小と
なる電流値と、直流磁界強度が最大となる電流値とを検
出し、その２つの電流値の平均値を最適電流値と決定す
る。
せることによって直流磁界の強度が変化される。そうす
ると、コイルに流す電流値が増加するに従って直流磁界
強度が強くなり、再生信号が所定の記録パターンに一致
する領域が現れる。さらに電流値が増加して直流磁界強
度が強くなると再生信号が所定の記録パターンに一致し
なくなる領域になる。そして、再生信号が所定の記録パ
ターンに一致する領域において、直流磁界強度が最小と
なる電流値と、直流磁界強度が最大となる電流値とを検
出し、その２つの電流値の平均値を最適電流値と決定す
る。
【００２０】したがって、この発明によれば、コイルに
最適電流値を流すことによって最適強度を有する直流磁
界を光磁気記録媒体に印加できる。その結果、信号を正
確に磁区拡大再生できる。
最適電流値を流すことによって最適強度を有する直流磁
界を光磁気記録媒体に印加できる。その結果、信号を正
確に磁区拡大再生できる。
【００２１】また、この発明による光磁気ディスク装置
は、室温において希土類金属リッチであり、補償温度以
上で遷移金属リッチになる再生層を含む光磁気記録媒体
に、再生層の一部が補償温度以上に昇温される強度のレ
ーザ光を照射し、その反射光を検出する光学ヘッドと、
コアと該コアに巻回されたコイルとから成り、希土類金
属リッチな領域の磁化と同じ方向の直流磁界を光磁気記
録媒体に印加する磁気ヘッドと、直流磁界の強度を変化
させて光学ヘッドが検出した所定の記録パターンの再生
信号のエラーレートを検出し、その検出したエラーレー
トが最小となる直流磁界の最適強度を決定する最小エラ
ーレート検出回路とを備える。
は、室温において希土類金属リッチであり、補償温度以
上で遷移金属リッチになる再生層を含む光磁気記録媒体
に、再生層の一部が補償温度以上に昇温される強度のレ
ーザ光を照射し、その反射光を検出する光学ヘッドと、
コアと該コアに巻回されたコイルとから成り、希土類金
属リッチな領域の磁化と同じ方向の直流磁界を光磁気記
録媒体に印加する磁気ヘッドと、直流磁界の強度を変化
させて光学ヘッドが検出した所定の記録パターンの再生
信号のエラーレートを検出し、その検出したエラーレー
トが最小となる直流磁界の最適強度を決定する最小エラ
ーレート検出回路とを備える。
【００２２】この発明による光磁気ディスク装置におい
ては、光磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度を変
化させて所定の記録パターンの再生信号が検出される。
そうすると、直流磁界の強度が強くなるに従って再生信
号のエラーレートが低下し、さらに直流磁界の強度が強
くなると再生信号のエラーレートが上昇し始める。そし
て、再生信号のエラーレートが最小となる直流磁界の強
度を最適強度と決定する。
ては、光磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度を変
化させて所定の記録パターンの再生信号が検出される。
そうすると、直流磁界の強度が強くなるに従って再生信
号のエラーレートが低下し、さらに直流磁界の強度が強
くなると再生信号のエラーレートが上昇し始める。そし
て、再生信号のエラーレートが最小となる直流磁界の強
度を最適強度と決定する。
【００２３】したがって、この発明によれば、直流磁界
を印加して磁区拡大再生したときの再生信号のエラーレ
ートが最小になる強度に直流磁界の強度を設定できる。
を印加して磁区拡大再生したときの再生信号のエラーレ
ートが最小になる強度に直流磁界の強度を設定できる。
【００２４】好ましくは、直流磁界の強度を決定するコ
イルの電流値を変化させるための電流制御信号を生成す
る電流制御信号生成回路と、電流制御信号に基づいて強
度が変化した直流磁界を発生させるように磁気ヘッドを
駆動する磁気ヘッド駆動回路とをさらに備え、最小エラ
ーレート検出回路は、エラーレートが最小となる最適電
流値を検出することによって最適強度を決定する。
イルの電流値を変化させるための電流制御信号を生成す
る電流制御信号生成回路と、電流制御信号に基づいて強
度が変化した直流磁界を発生させるように磁気ヘッドを
駆動する磁気ヘッド駆動回路とをさらに備え、最小エラ
ーレート検出回路は、エラーレートが最小となる最適電
流値を検出することによって最適強度を決定する。
【００２５】磁気ヘッドのコイルに流す電流値を変化さ
せることによって直流磁界の強度が変化される。そうす
ると、コイルに流す電流値が増加するに従って再生信号
のエラーレートが低下し、さらに電流値が増加すると再
生信号のエラーレートが上昇し始める。そして、エラー
レートが最小となる最適電流値を検出し、その最適電流
値を流すことによって最適強度の直流磁界が得られる。
せることによって直流磁界の強度が変化される。そうす
ると、コイルに流す電流値が増加するに従って再生信号
のエラーレートが低下し、さらに電流値が増加すると再
生信号のエラーレートが上昇し始める。そして、エラー
レートが最小となる最適電流値を検出し、その最適電流
値を流すことによって最適強度の直流磁界が得られる。
【００２６】したがって、この発明によれば、コイルに
流す電流値を変えることによって最適強度の直流磁界が
得られる。
流す電流値を変えることによって最適強度の直流磁界が
得られる。
【００２７】好ましくは、磁気ヘッドは、信号の記録
時、さらに所定の記録パターンによって変調された交番
磁界を光磁気記録媒体に印加する。
時、さらに所定の記録パターンによって変調された交番
磁界を光磁気記録媒体に印加する。
【００２８】磁気ヘッドが所定の記録パターンによって
変調された交番磁界を光磁気記録媒体に印加することに
よって所定の記録パターンが記録される。その後、磁気
ヘッドから強度を変化させた直流磁界を発生させて所定
の記録パターンの再生信号が検出される。そして、再生
信号が所定の記録パターンに一致する直流磁界の領域が
決定され、または再生信号のエラーレートが最小となる
強度が直流磁界の最適強度と決定される。
変調された交番磁界を光磁気記録媒体に印加することに
よって所定の記録パターンが記録される。その後、磁気
ヘッドから強度を変化させた直流磁界を発生させて所定
の記録パターンの再生信号が検出される。そして、再生
信号が所定の記録パターンに一致する直流磁界の領域が
決定され、または再生信号のエラーレートが最小となる
強度が直流磁界の最適強度と決定される。
【００２９】したがって、この発明によれば、１つの磁
気ヘッドを用いて所定の記録パターンを記録し、直流磁
界の強度を較正できる。
気ヘッドを用いて所定の記録パターンを記録し、直流磁
界の強度を較正できる。
【００３０】好ましくは、磁気ヘッドと光磁気記録媒体
との間に配置された、もう１つの磁気ヘッドと、直流磁
界の強度を決定する磁気ヘッドの位置を光磁気記録媒体
の法線方向に変化させる位置制御装置とをさらに備え、
磁気ヘッドは、もう１つの磁気ヘッドのコアを介して直
流磁界を光磁気記録媒体に印加し、照合器は、再生信号
が所定の記録パターンに一致する好適な位置を決定する
ことによって好適な強度を決定する。
との間に配置された、もう１つの磁気ヘッドと、直流磁
界の強度を決定する磁気ヘッドの位置を光磁気記録媒体
の法線方向に変化させる位置制御装置とをさらに備え、
磁気ヘッドは、もう１つの磁気ヘッドのコアを介して直
流磁界を光磁気記録媒体に印加し、照合器は、再生信号
が所定の記録パターンに一致する好適な位置を決定する
ことによって好適な強度を決定する。
【００３１】直流磁界を発生させる磁気ヘッドの位置を
光磁気記録媒体の法線方向に移動させることによって光
磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度が変化され
る。そして、磁気ヘッドからの直流磁界は、もう１つの
磁気ヘッドのコアによって強度を強められて光磁気記録
媒体に印加され、再生信号が所定の記録パターンに一致
するように直流磁界の強度が較正される。
光磁気記録媒体の法線方向に移動させることによって光
磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度が変化され
る。そして、磁気ヘッドからの直流磁界は、もう１つの
磁気ヘッドのコアによって強度を強められて光磁気記録
媒体に印加され、再生信号が所定の記録パターンに一致
するように直流磁界の強度が較正される。
【００３２】したがって、この発明によれば、直流磁界
を発生させるために磁気ヘッドのコイルに流す電流値を
少なくして好適な強度の直流磁界を光磁気記録媒体に印
加できる。
を発生させるために磁気ヘッドのコイルに流す電流値を
少なくして好適な強度の直流磁界を光磁気記録媒体に印
加できる。
【００３３】好ましくは、照合器は、直流磁界の強度を
変化させたとき再生信号が所定の記録パターンに一致す
る好適な領域において、直流磁界強度が最小となる第１
の位置と、直流磁界強度が最大となる第２の位置とを検
出し、第１の位置と第２の位置との平均値を最適位置と
決定する。
変化させたとき再生信号が所定の記録パターンに一致す
る好適な領域において、直流磁界強度が最小となる第１
の位置と、直流磁界強度が最大となる第２の位置とを検
出し、第１の位置と第２の位置との平均値を最適位置と
決定する。
【００３４】直流磁界を発生させる磁気ヘッドの位置を
光磁気記録媒体の法線方向に移動させることによって光
磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度が変化され
る。そうすると、磁気ヘッドと光磁気記録媒体との距離
が近づくに従って直流磁界強度が強くなり、再生信号が
所定の記録パターンに一致する領域が現れる。さらに磁
気ヘッドを光磁気記録媒体に近づけて直流磁界強度が強
くなると再生信号が所定の記録パターンに一致しなくな
る領域になる。そして、再生信号が所定の記録パターン
に一致する領域において、直流磁界強度が最小となる位
置と直流磁界強度が最大となる位置とを検出し、その２
つの位置の平均値を最適位置と決定する。
光磁気記録媒体の法線方向に移動させることによって光
磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度が変化され
る。そうすると、磁気ヘッドと光磁気記録媒体との距離
が近づくに従って直流磁界強度が強くなり、再生信号が
所定の記録パターンに一致する領域が現れる。さらに磁
気ヘッドを光磁気記録媒体に近づけて直流磁界強度が強
くなると再生信号が所定の記録パターンに一致しなくな
る領域になる。そして、再生信号が所定の記録パターン
に一致する領域において、直流磁界強度が最小となる位
置と直流磁界強度が最大となる位置とを検出し、その２
つの位置の平均値を最適位置と決定する。
【００３５】したがって、この発明によれば、磁気ヘッ
ドを最適位置に保持することによって最適強度を有する
直流磁界を光磁気記録媒体に印加できる。その結果、信
号を正確に磁区拡大再生できる。
ドを最適位置に保持することによって最適強度を有する
直流磁界を光磁気記録媒体に印加できる。その結果、信
号を正確に磁区拡大再生できる。
【００３６】好ましくは、磁気ヘッドと光磁気記録媒体
との間に配置された、もう１つの磁気ヘッドと、直流磁
界の強度を決定する磁気ヘッドの位置を光磁気記録媒体
の法線方向に変化させる位置制御装置とをさらに備え、
磁気ヘッドは、もう１つの磁気ヘッドのコアを介して直
流磁界を前記光磁気記録媒体に印加し、最小エラーレー
ト検出回路は、再生信号のエラーレートが最小となる最
適な位置を決定することによって最適強度を決定する。
との間に配置された、もう１つの磁気ヘッドと、直流磁
界の強度を決定する磁気ヘッドの位置を光磁気記録媒体
の法線方向に変化させる位置制御装置とをさらに備え、
磁気ヘッドは、もう１つの磁気ヘッドのコアを介して直
流磁界を前記光磁気記録媒体に印加し、最小エラーレー
ト検出回路は、再生信号のエラーレートが最小となる最
適な位置を決定することによって最適強度を決定する。
【００３７】直流磁界を発生させる磁気ヘッドの位置を
光磁気記録媒体の法線方向に移動させることによって光
磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度が変化され
る。そして、磁気ヘッドからの直流磁界は、もう１つの
磁気ヘッドのコアによって強度を強められて光磁気記録
媒体に印加され、再生信号のエラーレートが最小になる
ように直流磁界の強度が較正される。
光磁気記録媒体の法線方向に移動させることによって光
磁気記録媒体に印加される直流磁界の強度が変化され
る。そして、磁気ヘッドからの直流磁界は、もう１つの
磁気ヘッドのコアによって強度を強められて光磁気記録
媒体に印加され、再生信号のエラーレートが最小になる
ように直流磁界の強度が較正される。
【００３８】したがって、この発明によれば、直流磁界
を発生させるために磁気ヘッドのコイルに流す電流値を
少なくして最適な強度を有する直流磁界を光磁気記録媒
体に印加できる。
を発生させるために磁気ヘッドのコイルに流す電流値を
少なくして最適な強度を有する直流磁界を光磁気記録媒
体に印加できる。
【００３９】好ましくは、信号の記録時、もう１つの磁
気ヘッドは所定の記録パターンによって変調された交番
磁界を光磁気記録媒体に印加し、磁気ヘッドの駆動が停
止され、信号の再生時、前記もう１つの磁気ヘッドの駆
動が停止される。
気ヘッドは所定の記録パターンによって変調された交番
磁界を光磁気記録媒体に印加し、磁気ヘッドの駆動が停
止され、信号の再生時、前記もう１つの磁気ヘッドの駆
動が停止される。
【００４０】２つの磁気ヘッドのうち、直流磁界を発生
させる磁気ヘッドの駆動を停止し、もう１つの磁気ヘッ
ドを駆動して所定の記録パターンが光磁気記録媒体に記
録される。そして、もう１つの磁気ヘッドの駆動を停止
し、磁気ヘッドを駆動して直流磁界の強度が較正され
る。
させる磁気ヘッドの駆動を停止し、もう１つの磁気ヘッ
ドを駆動して所定の記録パターンが光磁気記録媒体に記
録される。そして、もう１つの磁気ヘッドの駆動を停止
し、磁気ヘッドを駆動して直流磁界の強度が較正され
る。
【００４１】したがって、この発明によれば、２つの磁
気ヘッドを選択的に駆動することによって低消費電力で
所定の記録パターンの記録と直流磁界の較正とを行なう
ことができる。
気ヘッドを選択的に駆動することによって低消費電力で
所定の記録パターンの記録と直流磁界の較正とを行なう
ことができる。
【００４２】好ましくは、光磁気記録媒体に記録される
所定の記録パターンは、信号「１」と信号「０」とが交
互に配列されたパターンである。
所定の記録パターンは、信号「１」と信号「０」とが交
互に配列されたパターンである。
【００４３】信号「１」に対応する１つの磁区と信号「０」
に対応するもう１つの磁区とが光磁気記録媒体に交互に
形成される。そして、互いに反対方向の磁化を有し、磁
区長が最短である１つの磁区と、もう１つの磁区が直流
磁界の強度を変化させて磁区拡大再生され、直流磁界の
強度が較正される。
に対応するもう１つの磁区とが光磁気記録媒体に交互に
形成される。そして、互いに反対方向の磁化を有し、磁
区長が最短である１つの磁区と、もう１つの磁区が直流
磁界の強度を変化させて磁区拡大再生され、直流磁界の
強度が較正される。
【００４４】したがって、この発明によれば、信号再生
時に磁区拡大再生が最も必要な磁区に対して直流磁界の
強度が較正される。
時に磁区拡大再生が最も必要な磁区に対して直流磁界の
強度が較正される。
【００４５】また、この発明による再生方法は、光磁気
記録媒体に直流磁界を印加して信号を再生する再生方法
であって、光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温度以
上に昇温される強度のレーザ光を光磁気記録媒体に照射
する第１のステップと、直流磁界の強度を変化させて所
定の記録パターンの再生信号を検出する第２のステップ
と、再生信号を前記所定の記録パターンと照合し、再生
信号が所定の記録パターンに一致する直流磁界の好適な
強度を決定する第３のステップとを含む。
記録媒体に直流磁界を印加して信号を再生する再生方法
であって、光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温度以
上に昇温される強度のレーザ光を光磁気記録媒体に照射
する第１のステップと、直流磁界の強度を変化させて所
定の記録パターンの再生信号を検出する第２のステップ
と、再生信号を前記所定の記録パターンと照合し、再生
信号が所定の記録パターンに一致する直流磁界の好適な
強度を決定する第３のステップとを含む。
【００４６】この発明による再生方法においては、光磁
気記録媒体の再生層の一部に遷移金属リッチな領域が形
成される強度のレーザ光が照射される。そして、光磁気
記録媒体に印加される直流磁界の強度を変化させて所定
の記録パターンの再生信号が検出される。そうすると、
直流磁界の強度が強くなるに従って再生信号が所定の記
録パターンに一致する領域が現れ、さらに直流磁界の強
度が強くなると再生信号が所定の記録パターンに一致し
なくなる領域が現れる。そして、再生信号が所定の記録
パターンに一致する直流磁界の領域が直流磁界の好適な
強度と決定される。
気記録媒体の再生層の一部に遷移金属リッチな領域が形
成される強度のレーザ光が照射される。そして、光磁気
記録媒体に印加される直流磁界の強度を変化させて所定
の記録パターンの再生信号が検出される。そうすると、
直流磁界の強度が強くなるに従って再生信号が所定の記
録パターンに一致する領域が現れ、さらに直流磁界の強
度が強くなると再生信号が所定の記録パターンに一致し
なくなる領域が現れる。そして、再生信号が所定の記録
パターンに一致する直流磁界の領域が直流磁界の好適な
強度と決定される。
【００４７】したがって、この発明によれば、直流磁界
を印加して磁区拡大再生が可能な強度に直流磁界の強度
を設定できる。
を印加して磁区拡大再生が可能な強度に直流磁界の強度
を設定できる。
【００４８】また、この発明による再生方法は、光磁気
記録媒体に直流磁界を印加して信号を再生する再生方法
であって、光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温度以
上に昇温される強度のレーザ光を光磁気記録媒体に照射
する第１のステップと、直流磁界の強度を変化させて所
定の記録パターンの再生信号を検出する第２のステップ
と、再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエ
ラーレートが最小となる直流磁界の最適強度を決定する
第３のステップとを含む。
記録媒体に直流磁界を印加して信号を再生する再生方法
であって、光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温度以
上に昇温される強度のレーザ光を光磁気記録媒体に照射
する第１のステップと、直流磁界の強度を変化させて所
定の記録パターンの再生信号を検出する第２のステップ
と、再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエ
ラーレートが最小となる直流磁界の最適強度を決定する
第３のステップとを含む。
【００４９】この発明による再生方法においては、光磁
気記録媒体の再生層の一部に遷移金属リッチな領域が形
成される強度のレーザ光が照射される。そして、光磁気
記録媒体に印加される直流磁界の強度を変化させて所定
の記録パターンの再生信号が検出される。そうすると、
直流磁界の強度が強くなるに従って再生信号のエラーレ
ートが低下し、さらに直流磁界の強度が強くなると再生
信号のエラーレートが上昇し始める。そして、再生信号
のエラーレートが最小となる直流磁界の強度が最適強度
と決定される。
気記録媒体の再生層の一部に遷移金属リッチな領域が形
成される強度のレーザ光が照射される。そして、光磁気
記録媒体に印加される直流磁界の強度を変化させて所定
の記録パターンの再生信号が検出される。そうすると、
直流磁界の強度が強くなるに従って再生信号のエラーレ
ートが低下し、さらに直流磁界の強度が強くなると再生
信号のエラーレートが上昇し始める。そして、再生信号
のエラーレートが最小となる直流磁界の強度が最適強度
と決定される。
【００５０】したがって、この発明によれば、再生信号
のエラーレートが最小となる強度に直流磁界の強度を設
定できる。
のエラーレートが最小となる強度に直流磁界の強度を設
定できる。
【００５１】また、この発明による記録再生方法は、光
磁気記録媒体に直流磁界を印加して信号を再生し、光磁
気記録媒体に交番磁界を印加して信号を記録する記録再
生方法であって、光磁気記録媒体の記録層をキュリー温
度以上に昇温させる強度のレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第１のステップと、光磁気記録媒体に所定の記
録パターンによって変調された交番磁界を印加する第２
のステップと、光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温
度以上に昇温される強度のレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第３のステップと、直流磁界の強度を変化させ
て所定の記録パターンの再生信号を検出する第４のステ
ップと、再生信号を所定の記録パターンと照合し、再生
信号が所定の記録パターンに一致する直流磁界の好適な
強度を決定する第５のステップとを含む。
磁気記録媒体に直流磁界を印加して信号を再生し、光磁
気記録媒体に交番磁界を印加して信号を記録する記録再
生方法であって、光磁気記録媒体の記録層をキュリー温
度以上に昇温させる強度のレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第１のステップと、光磁気記録媒体に所定の記
録パターンによって変調された交番磁界を印加する第２
のステップと、光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温
度以上に昇温される強度のレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第３のステップと、直流磁界の強度を変化させ
て所定の記録パターンの再生信号を検出する第４のステ
ップと、再生信号を所定の記録パターンと照合し、再生
信号が所定の記録パターンに一致する直流磁界の好適な
強度を決定する第５のステップとを含む。
【００５２】この発明による記録再生方法においては、
所定の記録パターンが光磁気記録媒体に記録された後
に、直流磁界の強度を変化させて所定の記録パターンの
磁区拡大再生が行なわれる。そうすると、直流磁界の強
度が強くなるに従って再生信号が所定の記録パターンに
一致する領域が現れ、さらに直流磁界の強度が強くなる
と再生信号が所定の記録パターンに一致しなくなる領域
が現れる。そして、再生信号が所定の記録パターンに一
致する直流磁界の領域が直流磁界の好適な強度と決定さ
れる。
所定の記録パターンが光磁気記録媒体に記録された後
に、直流磁界の強度を変化させて所定の記録パターンの
磁区拡大再生が行なわれる。そうすると、直流磁界の強
度が強くなるに従って再生信号が所定の記録パターンに
一致する領域が現れ、さらに直流磁界の強度が強くなる
と再生信号が所定の記録パターンに一致しなくなる領域
が現れる。そして、再生信号が所定の記録パターンに一
致する直流磁界の領域が直流磁界の好適な強度と決定さ
れる。
【００５３】したがって、この発明によれば、所定の記
録パターンの記録と直流磁界の較正とを一度に行なうこ
とができる。
録パターンの記録と直流磁界の較正とを一度に行なうこ
とができる。
【００５４】また、直流磁界を印加して磁区拡大再生が
可能な強度に直流磁界の強度を設定できる。
可能な強度に直流磁界の強度を設定できる。
【００５５】また、この発明による記録再生方法は、光
磁気記録媒体に直流磁界を印加して信号を再生し、光磁
気記録媒体に交番磁界を印加して信号を記録する記録再
生方法であって、光磁気記録媒体の記録層をキュリー温
度以上に昇温させる強度のレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第１のステップと、光磁気記録媒体に所定の記
録パターンによって変調された交番磁界を印加する第２
のステップと、光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温
度以上に昇温される強度のレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第３のステップと、直流磁界の強度を変化させ
て所定の記録パターンの再生信号を検出する第４のステ
ップと、再生信号のエラーレートを検出し、その検出し
たエラーレートが最小となる直流磁界の最適強度を決定
する第５のステップとを含む。
磁気記録媒体に直流磁界を印加して信号を再生し、光磁
気記録媒体に交番磁界を印加して信号を記録する記録再
生方法であって、光磁気記録媒体の記録層をキュリー温
度以上に昇温させる強度のレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第１のステップと、光磁気記録媒体に所定の記
録パターンによって変調された交番磁界を印加する第２
のステップと、光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温
度以上に昇温される強度のレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第３のステップと、直流磁界の強度を変化させ
て所定の記録パターンの再生信号を検出する第４のステ
ップと、再生信号のエラーレートを検出し、その検出し
たエラーレートが最小となる直流磁界の最適強度を決定
する第５のステップとを含む。
【００５６】この発明による記録再生方法においては、
所定の記録パターンが光磁気記録媒体に記録された後
に、直流磁界の強度を変化させて所定の記録パターンの
磁区拡大再生が行なわれる。そうすると、直流磁界の強
度が強くなるに従って再生信号のエラーレートが低下
し、さらに直流磁界の強度が強くなると再生信号のエラ
ーレートが上昇し始める。そして、再生信号のエラーレ
ートが最小となる直流磁界の強度が最適強度と決定され
る。
所定の記録パターンが光磁気記録媒体に記録された後
に、直流磁界の強度を変化させて所定の記録パターンの
磁区拡大再生が行なわれる。そうすると、直流磁界の強
度が強くなるに従って再生信号のエラーレートが低下
し、さらに直流磁界の強度が強くなると再生信号のエラ
ーレートが上昇し始める。そして、再生信号のエラーレ
ートが最小となる直流磁界の強度が最適強度と決定され
る。
【００５７】したがって、この発明によれば、所定の記
録パターンの記録と直流磁界の較正とを一度に行なうこ
とができる。
録パターンの記録と直流磁界の較正とを一度に行なうこ
とができる。
【００５８】また、再生信号のエラーレートが最小とな
る強度に直流磁界の強度を設定できる。
る強度に直流磁界の強度を設定できる。
【００５９】好ましくは、この発明による再生方法にお
いては、直流磁界を発生させる磁気ヘッドのコイルに流
す電流値を変化させることによって直流磁界の強度を変
化させる。
いては、直流磁界を発生させる磁気ヘッドのコイルに流
す電流値を変化させることによって直流磁界の強度を変
化させる。
【００６０】磁気ヘッドのコイルに流す電流値を変化さ
せることによって直流磁界の強度を変化させ、所定の記
録パターンの再生信号が検出される。そうすると、電流
値が増加するに従って再生信号が所定の記録パターンに
一致する領域が現れ、さらに電流値が増加すると再生信
号が所定の記録パターンに一致しない領域が現れる。そ
して、再生信号が所定の記録パターンに一致する電流値
の領域を検出することによって直流磁界の好適な強度が
決定される。
せることによって直流磁界の強度を変化させ、所定の記
録パターンの再生信号が検出される。そうすると、電流
値が増加するに従って再生信号が所定の記録パターンに
一致する領域が現れ、さらに電流値が増加すると再生信
号が所定の記録パターンに一致しない領域が現れる。そ
して、再生信号が所定の記録パターンに一致する電流値
の領域を検出することによって直流磁界の好適な強度が
決定される。
【００６１】また、電流値が増加するに従って再生信号
のエラーレートが低下し、さらに電流値が増加すると再
生信号のエラーレートが上昇し始める。そして、再生信
号のエラーレートが最小となる電流値を検出することに
よって直流磁界の最適強度が決定される。
のエラーレートが低下し、さらに電流値が増加すると再
生信号のエラーレートが上昇し始める。そして、再生信
号のエラーレートが最小となる電流値を検出することに
よって直流磁界の最適強度が決定される。
【００６２】したがって、この発明によれば、磁気ヘッ
ドに流すコイルの電流値を変化させることによって直流
磁界の強度を容易に較正できる。
ドに流すコイルの電流値を変化させることによって直流
磁界の強度を容易に較正できる。
【００６３】好ましくは、この発明による再生方法にお
いては、直流磁界を発生させる磁気ヘッドの位置を光磁
気記録媒体の法線方向に変化させることによって直流磁
界の強度を変化させる。
いては、直流磁界を発生させる磁気ヘッドの位置を光磁
気記録媒体の法線方向に変化させることによって直流磁
界の強度を変化させる。
【００６４】磁気ヘッドの位置を光磁気記録媒体の法線
方向に変化させることによって直流磁界の強度を変化さ
せ、所定の記録パターンの再生信号が検出される。そう
すると、磁気ヘッドが光磁気記録媒体に近づくに従って
再生信号が所定の記録パターンに一致する領域が現れ、
さらに近づくと再生信号が所定の記録パターンに一致し
ない領域が現れる。そして、再生信号が所定の記録パタ
ーンに一致する磁気ヘッドの位置の領域を検出すること
によって直流磁界の好適な強度が決定される。
方向に変化させることによって直流磁界の強度を変化さ
せ、所定の記録パターンの再生信号が検出される。そう
すると、磁気ヘッドが光磁気記録媒体に近づくに従って
再生信号が所定の記録パターンに一致する領域が現れ、
さらに近づくと再生信号が所定の記録パターンに一致し
ない領域が現れる。そして、再生信号が所定の記録パタ
ーンに一致する磁気ヘッドの位置の領域を検出すること
によって直流磁界の好適な強度が決定される。
【００６５】また、磁気ヘッドが光磁気記録媒体に近づ
くに従って再生信号のエラーレートが低下し、さらに近
づくと再生信号のエラーレートが上昇し始める。そし
て、再生信号のエラーレートが最小となる磁気ヘッドの
位置を検出することによって直流磁界の最適強度が決定
される。
くに従って再生信号のエラーレートが低下し、さらに近
づくと再生信号のエラーレートが上昇し始める。そし
て、再生信号のエラーレートが最小となる磁気ヘッドの
位置を検出することによって直流磁界の最適強度が決定
される。
【００６６】したがって、この発明によれば、磁気ヘッ
ドの光磁気記録媒体の法線方向の位置を変化させること
によって直流磁界の強度を容易に較正できる。
ドの光磁気記録媒体の法線方向の位置を変化させること
によって直流磁界の強度を容易に較正できる。
【００６７】好ましくは、この発明による記録再生方法
においては、直流磁界を発生させる磁気ヘッドのコイル
に流す電流値を変化させることによって直流磁界の強度
を変化させる。
においては、直流磁界を発生させる磁気ヘッドのコイル
に流す電流値を変化させることによって直流磁界の強度
を変化させる。
【００６８】光磁気記録媒体に所定の記録パターンが記
録された後、磁気ヘッドのコイルに流す電流値を変化さ
せることによって直流磁界の強度を変化させ、所定の記
録パターンの再生信号が検出される。そうすると、電流
値が増加するに従って再生信号が所定の記録パターンに
一致する領域が現れ、さらに電流値が増加すると再生信
号が所定の記録パターンに一致しない領域が現れる。そ
して、再生信号が所定の記録パターンに一致する電流値
の領域を検出することによって直流磁界の好適な強度が
決定される。
録された後、磁気ヘッドのコイルに流す電流値を変化さ
せることによって直流磁界の強度を変化させ、所定の記
録パターンの再生信号が検出される。そうすると、電流
値が増加するに従って再生信号が所定の記録パターンに
一致する領域が現れ、さらに電流値が増加すると再生信
号が所定の記録パターンに一致しない領域が現れる。そ
して、再生信号が所定の記録パターンに一致する電流値
の領域を検出することによって直流磁界の好適な強度が
決定される。
【００６９】また、電流値が増加するに従って再生信号
のエラーレートが低下し、さらに電流値が増加すると再
生信号のエラーレートが上昇し始める。そして、再生信
号のエラーレートが最小となる電流値を検出することに
よって直流磁界の最適強度が決定される。
のエラーレートが低下し、さらに電流値が増加すると再
生信号のエラーレートが上昇し始める。そして、再生信
号のエラーレートが最小となる電流値を検出することに
よって直流磁界の最適強度が決定される。
【００７０】したがって、この発明によれば、磁気ヘッ
ドに流すコイルの電流値を変化させることによって直流
磁界の強度を容易に較正できる。
ドに流すコイルの電流値を変化させることによって直流
磁界の強度を容易に較正できる。
【００７１】好ましくは、この発明による記録再生方法
においては、直流磁界を発生させる磁気ヘッドの位置を
光磁気記録媒体の法線方向に変化させることによって直
流磁界の強度を変化させる。
においては、直流磁界を発生させる磁気ヘッドの位置を
光磁気記録媒体の法線方向に変化させることによって直
流磁界の強度を変化させる。
【００７２】光磁気記録媒体に所定の記録パターンが記
録された後、磁気ヘッドの位置を光磁気記録媒体の法線
方向に変化させることによって直流磁界の強度を変化さ
せ、所定の記録パターンの再生信号が検出される。そう
すると、磁気ヘッドが光磁気記録媒体に近づくに従って
再生信号が所定の記録パターンに一致する領域が現れ、
さらに近づくと再生信号が所定の記録パターンに一致し
ない領域が現れる。そして、再生信号が所定の記録パタ
ーンに一致する磁気ヘッドの位置の領域を検出すること
によって直流磁界の好適な強度が決定される。
録された後、磁気ヘッドの位置を光磁気記録媒体の法線
方向に変化させることによって直流磁界の強度を変化さ
せ、所定の記録パターンの再生信号が検出される。そう
すると、磁気ヘッドが光磁気記録媒体に近づくに従って
再生信号が所定の記録パターンに一致する領域が現れ、
さらに近づくと再生信号が所定の記録パターンに一致し
ない領域が現れる。そして、再生信号が所定の記録パタ
ーンに一致する磁気ヘッドの位置の領域を検出すること
によって直流磁界の好適な強度が決定される。
【００７３】また、磁気ヘッドが光磁気記録媒体に近づ
くに従って再生信号のエラーレートが低下し、さらに近
づくと再生信号のエラーレートが上昇し始める。そし
て、再生信号のエラーレートが最小となる磁気ヘッドの
位置を検出することによって直流磁界の最適強度が決定
される。
くに従って再生信号のエラーレートが低下し、さらに近
づくと再生信号のエラーレートが上昇し始める。そし
て、再生信号のエラーレートが最小となる磁気ヘッドの
位置を検出することによって直流磁界の最適強度が決定
される。
【００７４】したがって、この発明によれば、磁気ヘッ
ドの光磁気記録媒体の法線方向の位置を変化させること
によって直流磁界の強度を容易に較正できる。
ドの光磁気記録媒体の法線方向の位置を変化させること
によって直流磁界の強度を容易に較正できる。
【００７５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または
相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または
相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００７６】[実施の形態１]図１を参照して、本発明に
よる光磁気ディスク装置が対象とする光磁気記録媒体の
断面構造について説明する。光磁気記録媒体１０は、透
光性基板１と、下地層２と、再生層３と、中間層４と、
記録層５と、保護層６と、紫外線硬化樹脂７とを備え
る。透光性基板１は、ガラス、ポリカーボネート等から
成る。下地層２は、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）か
ら成る。再生層３は、２７〜３３ａｔ．％の範囲のＧｄ
を含むＧｄＦｅＣｏから成る。そして、このＧｄＦｅＣ
ｏは、１００〜１８０℃の範囲の補償温度を有してお
り、室温においても垂直磁化膜である。中間層４は、Ｓ
ｉＮから成る。記録層５は、ＴｂＦｅＣｏから成る。保
護層６は、ＳｉＮから成る。下地層２，中間層４，およ
び保護層６を構成するＳｉＮ、再生層３を構成するＧｄ
ＦｅＣｏ、および記録層５を構成するＴｂＦｅＣｏは、
マグネトロンスパッタリング法により形成される。再生
層３を構成するＧｄＦｅＣｏ中のＧｄの含有量はＧｄタ
ーゲットまたはＦｅＣｏターゲットに印加するパワーに
よって主に制御され、Ｇｄの含有量が少なくなると補償
温度が下がり、Ｇｄの含有量が多くなると補償温度は上
昇する。
よる光磁気ディスク装置が対象とする光磁気記録媒体の
断面構造について説明する。光磁気記録媒体１０は、透
光性基板１と、下地層２と、再生層３と、中間層４と、
記録層５と、保護層６と、紫外線硬化樹脂７とを備え
る。透光性基板１は、ガラス、ポリカーボネート等から
成る。下地層２は、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）か
ら成る。再生層３は、２７〜３３ａｔ．％の範囲のＧｄ
を含むＧｄＦｅＣｏから成る。そして、このＧｄＦｅＣ
ｏは、１００〜１８０℃の範囲の補償温度を有してお
り、室温においても垂直磁化膜である。中間層４は、Ｓ
ｉＮから成る。記録層５は、ＴｂＦｅＣｏから成る。保
護層６は、ＳｉＮから成る。下地層２，中間層４，およ
び保護層６を構成するＳｉＮ、再生層３を構成するＧｄ
ＦｅＣｏ、および記録層５を構成するＴｂＦｅＣｏは、
マグネトロンスパッタリング法により形成される。再生
層３を構成するＧｄＦｅＣｏ中のＧｄの含有量はＧｄタ
ーゲットまたはＦｅＣｏターゲットに印加するパワーに
よって主に制御され、Ｇｄの含有量が少なくなると補償
温度が下がり、Ｇｄの含有量が多くなると補償温度は上
昇する。
【００７７】また、各層の膜厚は、下地層２が６０ｎｍ
（許容範囲：４０〜８０ｎｍ）であり、再生層３が４０
ｎｍ（許容範囲：２０〜６０ｎｍ）であり、中間層４が
２０ｎｍ（許容範囲：５〜３０ｎｍ）であり、記録層５
が６０ｎｍ（許容範囲：３０〜１０００ｎｍ）であり、
保護層６が５０ｎｍ（許容範囲：３０〜７０ｎｍ）であ
り、紫外線硬化樹脂が３μｍ（許容範囲：１〜１０μ
ｍ）である。
（許容範囲：４０〜８０ｎｍ）であり、再生層３が４０
ｎｍ（許容範囲：２０〜６０ｎｍ）であり、中間層４が
２０ｎｍ（許容範囲：５〜３０ｎｍ）であり、記録層５
が６０ｎｍ（許容範囲：３０〜１０００ｎｍ）であり、
保護層６が５０ｎｍ（許容範囲：３０〜７０ｎｍ）であ
り、紫外線硬化樹脂が３μｍ（許容範囲：１〜１０μ
ｍ）である。
【００７８】図２を参照して、レーザ光が光磁気記録媒
体１０に照射されると、光磁気記録媒体１０上にレーザ
スポットＬＢＳが形成される。そして、レーザスポット
ＬＢＳのうち、光磁気記録媒体１０の進行方向ＤＲ１の
前方に高温領域ＬＢＨＳが形成される。光磁気記録媒体
１０からの信号再生は、記録層５の磁区を静磁結合によ
って再生層３の高温領域ＬＢＨＳに転写し、その転写し
た磁区をレーザ光によって検出することにより行なわれ
る。その場合、光磁気記録媒体１０には、一定方向の直
流磁界が印加され、記録層５の磁区が再生層３の高温領
域ＬＢＨＳに拡大転写される。
体１０に照射されると、光磁気記録媒体１０上にレーザ
スポットＬＢＳが形成される。そして、レーザスポット
ＬＢＳのうち、光磁気記録媒体１０の進行方向ＤＲ１の
前方に高温領域ＬＢＨＳが形成される。光磁気記録媒体
１０からの信号再生は、記録層５の磁区を静磁結合によ
って再生層３の高温領域ＬＢＨＳに転写し、その転写し
た磁区をレーザ光によって検出することにより行なわれ
る。その場合、光磁気記録媒体１０には、一定方向の直
流磁界が印加され、記録層５の磁区が再生層３の高温領
域ＬＢＨＳに拡大転写される。
【００７９】光磁気記録媒体１０に印加される直流磁界
ＨDCの強度は、０．８〜２４ｋＡ／ｍの範囲であり、光
磁気記録媒体１０に照射されるレーザ光の強度は、２．
０〜３．５ｍＷの範囲である。また、光磁気記録媒体１
０に照射するレーザ光の波長を６３５ｎｍ、レーザ光を
集光する対物レンズの開口数を０．６とした場合、光磁
気記録媒体１０上でのレーザ光のスポットＬＢＳの直径
は約０．９μｍであり、高温領域ＬＢＨＳの方向ＤＲ１
における長さは、０．２〜０．５μｍである。高温領域
ＬＢＨＳの方向ＤＲ１における長さは、光磁気記録媒体
１０に照射するレーザ光の強度によって制御される。記
録層５には、磁区長０．１〜０．２μｍの最小磁区が形
成されるので、高温領域ＬＢＨＳの方向ＤＲ１における
長さを制御することによって記録層５の各磁区を再生層
３へ拡大転写可能である。したがって、本発明において
は、記録層５に形成される最短磁区長に基づいて高温領
域ＬＢＨＳの方向ＤＲ１における長さが決定され、その
決定された長さを実現するためにレーザ光の強度が決定
される。つまり、光磁気記録媒体１０に照射するレーザ
光の強度は、記録層５の最短磁区長に基づいて決定され
る。
ＨDCの強度は、０．８〜２４ｋＡ／ｍの範囲であり、光
磁気記録媒体１０に照射されるレーザ光の強度は、２．
０〜３．５ｍＷの範囲である。また、光磁気記録媒体１
０に照射するレーザ光の波長を６３５ｎｍ、レーザ光を
集光する対物レンズの開口数を０．６とした場合、光磁
気記録媒体１０上でのレーザ光のスポットＬＢＳの直径
は約０．９μｍであり、高温領域ＬＢＨＳの方向ＤＲ１
における長さは、０．２〜０．５μｍである。高温領域
ＬＢＨＳの方向ＤＲ１における長さは、光磁気記録媒体
１０に照射するレーザ光の強度によって制御される。記
録層５には、磁区長０．１〜０．２μｍの最小磁区が形
成されるので、高温領域ＬＢＨＳの方向ＤＲ１における
長さを制御することによって記録層５の各磁区を再生層
３へ拡大転写可能である。したがって、本発明において
は、記録層５に形成される最短磁区長に基づいて高温領
域ＬＢＨＳの方向ＤＲ１における長さが決定され、その
決定された長さを実現するためにレーザ光の強度が決定
される。つまり、光磁気記録媒体１０に照射するレーザ
光の強度は、記録層５の最短磁区長に基づいて決定され
る。
【００８０】光磁気記録媒体１０から信号を磁区拡大に
よって再生する再生原理については、図２４および図２
５の説明と同じである。
よって再生する再生原理については、図２４および図２
５の説明と同じである。
【００８１】図３を参照して、光磁気記録媒体１０から
の信号再生の過程について説明する。光磁気記録媒体１
０からの信号再生が開始される前は、再生層３の磁化は
一定の方向に初期化されており、記録層５には記録信号
によって磁化の方向が異なる磁区が形成されている（図
３の（ａ）参照）。そして、再生層３側からレーザ光Ｌ
Ｂが照射され、直流磁界ＨDCが印加されると、図２４，
２５を参照して説明したのと同じ原理によって記録層５
の磁区５０が再生層３の高温領域３２に拡大転写され、
磁化３９がレーザ光ＬＢによって検出されて磁区５０が
再生される（図３の（ｂ）参照）。磁化３９が検出され
た後、レーザ光ＬＢが移動して高温領域３２の温度が１
５０℃の補償温度以下に下がると、高温領域３２は遷移
金属リッチから希土類金属リッチになるので、再生層３
の磁化が初期化磁化の方向を向いた初期状態（図３の
（ａ））に戻る（図３の（ｃ）参照）。また、磁区５０
と反対方向の磁化を有する磁区５１が再生される場合
は、再生層３の高温領域３２の磁化は反転されずに磁区
５１が再生される。すなわち、磁区５１の磁化と同じ方
向の磁化、つまり、高温領域３２の磁化３９と反対方向
の磁化をレーザ光ＬＢによって検出することにより磁区
５１が再生される。図３の（ａ）〜（ｃ）の過程を経て
記録層５の各磁区が再生層３へ静磁結合によって拡大転
写されて再生される。
の信号再生の過程について説明する。光磁気記録媒体１
０からの信号再生が開始される前は、再生層３の磁化は
一定の方向に初期化されており、記録層５には記録信号
によって磁化の方向が異なる磁区が形成されている（図
３の（ａ）参照）。そして、再生層３側からレーザ光Ｌ
Ｂが照射され、直流磁界ＨDCが印加されると、図２４，
２５を参照して説明したのと同じ原理によって記録層５
の磁区５０が再生層３の高温領域３２に拡大転写され、
磁化３９がレーザ光ＬＢによって検出されて磁区５０が
再生される（図３の（ｂ）参照）。磁化３９が検出され
た後、レーザ光ＬＢが移動して高温領域３２の温度が１
５０℃の補償温度以下に下がると、高温領域３２は遷移
金属リッチから希土類金属リッチになるので、再生層３
の磁化が初期化磁化の方向を向いた初期状態（図３の
（ａ））に戻る（図３の（ｃ）参照）。また、磁区５０
と反対方向の磁化を有する磁区５１が再生される場合
は、再生層３の高温領域３２の磁化は反転されずに磁区
５１が再生される。すなわち、磁区５１の磁化と同じ方
向の磁化、つまり、高温領域３２の磁化３９と反対方向
の磁化をレーザ光ＬＢによって検出することにより磁区
５１が再生される。図３の（ａ）〜（ｃ）の過程を経て
記録層５の各磁区が再生層３へ静磁結合によって拡大転
写されて再生される。
【００８２】本発明においては、「０１０１０１０１０
…」から成る所定の記録パターンが記録された光磁気記
録媒体１０から信号「０１０１０１０１０…」を再生し、
その再生信号と記録信号である「０１０１０１０１０…」
とが一致するように直流磁界の強度を決定する。また、
本発明においては、信号「０１０１０１０１０…」を再生
した再生信号のエラーレートが最小になるように直流磁
界の強度を決定する。
…」から成る所定の記録パターンが記録された光磁気記
録媒体１０から信号「０１０１０１０１０…」を再生し、
その再生信号と記録信号である「０１０１０１０１０…」
とが一致するように直流磁界の強度を決定する。また、
本発明においては、信号「０１０１０１０１０…」を再生
した再生信号のエラーレートが最小になるように直流磁
界の強度を決定する。
【００８３】図４を参照して、この発明の実施の形態１
による光磁気ディスク装置１００は、磁気ヘッド１１
と、光学ヘッド１２と、外部同期信号生成回路１３と、
サーボ回路１４と、サーボ機構１５と、スピンドルモー
タ１６と、２値化回路１７と、照合器１８と、パターン
発生器１９と、エラー訂正回路２０と、変調回路２１
と、電流制御信号生成回路２２と、制御回路２３と、磁
気ヘッド駆動回路２４と、レーザ駆動回路２５とを備え
る。
による光磁気ディスク装置１００は、磁気ヘッド１１
と、光学ヘッド１２と、外部同期信号生成回路１３と、
サーボ回路１４と、サーボ機構１５と、スピンドルモー
タ１６と、２値化回路１７と、照合器１８と、パターン
発生器１９と、エラー訂正回路２０と、変調回路２１
と、電流制御信号生成回路２２と、制御回路２３と、磁
気ヘッド駆動回路２４と、レーザ駆動回路２５とを備え
る。
【００８４】磁気ヘッド１１は、直流磁界ＨDCと交番磁
界とを光磁気記録媒体１０に選択的に印加する浮上型の
磁気ヘッドである。光学ヘッド１２は、光磁気記録媒体
１０にレーザ光を照射し、その反射光を検出する。そし
て、光学ヘッド１２は、検出したトラッキングエラー信
号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥ、光磁気信号ＲＦ
Ａ、およびファインクロックマーク信号ＦＣＭを所定の
レベルに増幅し、トラッキングエラー信号ＴＥおよびフ
ォーカスエラー信号ＦＥをサーボ回路１４へ出力し、光
磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力し、ファインク
ロックマーク信号ＦＣＭを外部同期信号生成回路１３へ
出力する。
界とを光磁気記録媒体１０に選択的に印加する浮上型の
磁気ヘッドである。光学ヘッド１２は、光磁気記録媒体
１０にレーザ光を照射し、その反射光を検出する。そし
て、光学ヘッド１２は、検出したトラッキングエラー信
号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥ、光磁気信号ＲＦ
Ａ、およびファインクロックマーク信号ＦＣＭを所定の
レベルに増幅し、トラッキングエラー信号ＴＥおよびフ
ォーカスエラー信号ＦＥをサーボ回路１４へ出力し、光
磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力し、ファインク
ロックマーク信号ＦＣＭを外部同期信号生成回路１３へ
出力する。
【００８５】外部同期信号生成回路１３は、入力したフ
ァインクロックマーク信号ＦＣＭに基づいて外部同期信
号ＣＬＫを生成する。ファインクロックマーク信号ＦＣ
Ｍは光磁気記録媒体１０のグルーブおよびランドに周期
的に形成されたピットをタンジェンシャルプッシュプル
により光学ヘッド１２が検出した信号である。したがっ
て、ファインクロックマーク信号ＦＣＭは、一定周期で
強度が変化する信号である。外部同期信号生成回路１３
は、周期的に変化するファインクロックマーク信号ＦＣ
Ｍから一定周期毎にＬ（論理ロー）レベルからＨ（論理
ハイ）レベルに切替わるパルス成分が含まれる２値化信
号を生成し、その生成した２値化信号の隣接するパルス
成分間に一定数の周期信号が存在するように外部同期信
号ＣＬＫを生成する。そして、外部同期信号生成回路１
３は、生成した外部同期信号ＣＬＫをサーボ回路１４、
照合器１８、パターン発生器１９、エラー訂正回路２
０、および変調回路２１へ出力する。
ァインクロックマーク信号ＦＣＭに基づいて外部同期信
号ＣＬＫを生成する。ファインクロックマーク信号ＦＣ
Ｍは光磁気記録媒体１０のグルーブおよびランドに周期
的に形成されたピットをタンジェンシャルプッシュプル
により光学ヘッド１２が検出した信号である。したがっ
て、ファインクロックマーク信号ＦＣＭは、一定周期で
強度が変化する信号である。外部同期信号生成回路１３
は、周期的に変化するファインクロックマーク信号ＦＣ
Ｍから一定周期毎にＬ（論理ロー）レベルからＨ（論理
ハイ）レベルに切替わるパルス成分が含まれる２値化信
号を生成し、その生成した２値化信号の隣接するパルス
成分間に一定数の周期信号が存在するように外部同期信
号ＣＬＫを生成する。そして、外部同期信号生成回路１
３は、生成した外部同期信号ＣＬＫをサーボ回路１４、
照合器１８、パターン発生器１９、エラー訂正回路２
０、および変調回路２１へ出力する。
【００８６】サーボ回路１４は、光学ヘッド１２から入
力したトラッキングエラー信号ＴＥおよびフォーカスエ
ラー信号ＦＥに基づいて光学ヘッド１２中の対物レンズ
（図示せず）のトラッキングサーボおよびフォーカスサ
ーボを行なうようにサーボ機構１５を制御する。また、
サーボ回路１４は、外部同期信号ＣＬＫに同期してスピ
ンドルモータ１６を所定の回転数で回転させる。
力したトラッキングエラー信号ＴＥおよびフォーカスエ
ラー信号ＦＥに基づいて光学ヘッド１２中の対物レンズ
（図示せず）のトラッキングサーボおよびフォーカスサ
ーボを行なうようにサーボ機構１５を制御する。また、
サーボ回路１４は、外部同期信号ＣＬＫに同期してスピ
ンドルモータ１６を所定の回転数で回転させる。
【００８７】サーボ機構１５は、サーボ回路１４からの
制御に基づいて光学ヘッド１２中の対物レンズ（図示せ
ず）のトラッキングサーボおよびフォーカスサーボを行
なう。スピンドルモータ１６は、サーボ回路１４からの
制御に基づいて光磁気記録媒体１０を所定の回転数で回
転させる。
制御に基づいて光学ヘッド１２中の対物レンズ（図示せ
ず）のトラッキングサーボおよびフォーカスサーボを行
なう。スピンドルモータ１６は、サーボ回路１４からの
制御に基づいて光磁気記録媒体１０を所定の回転数で回
転させる。
【００８８】２値化回路１７は、光磁気信号ＲＦＡをコ
ンパレートし、ＨレベルとＬレベルに変化する２値化さ
れた再生信号を生成する。照合器１８は、外部同期信号
ＣＬＫに同期して２値化された再生信号をパターン発生
器１９からの所定の記録パターンＷＤＫと照合し、後述
する方法によって磁気ヘッド１１から最適強度を有する
直流磁界を発生させるためのコイルに流す電流値を決定
する。パターン発生器１９は、外部同期信号ＣＬＫに同
期して所定の記録パターンＷＤＫを照合器１８と端子２
７へ出力する。エラー訂正回路２０は、２値化された再
生信号のエラー訂正と復調とを行ない、再生データを外
部出力装置へ出力する。
ンパレートし、ＨレベルとＬレベルに変化する２値化さ
れた再生信号を生成する。照合器１８は、外部同期信号
ＣＬＫに同期して２値化された再生信号をパターン発生
器１９からの所定の記録パターンＷＤＫと照合し、後述
する方法によって磁気ヘッド１１から最適強度を有する
直流磁界を発生させるためのコイルに流す電流値を決定
する。パターン発生器１９は、外部同期信号ＣＬＫに同
期して所定の記録パターンＷＤＫを照合器１８と端子２
７へ出力する。エラー訂正回路２０は、２値化された再
生信号のエラー訂正と復調とを行ない、再生データを外
部出力装置へ出力する。
【００８９】変調回路２１は、外部同期信号ＣＬＫに同
期して記録データを所定の方式に変調する。電流制御信
号生成回路２２は、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流
値を一定のステップで変化させるための電流制御信号
と、照合器１８から最適電流値が入力されたとき磁気ヘ
ッド１１のコイルに最適電流値を流すための電流制御信
号とを生成する。制御回路２３は、光学ヘッド１２から
出射されるレーザ光の強度を設定するためにレーザ駆動
回路２５を制御する。磁気ヘッド駆動回路２４は、電流
制御信号生成回路２２からの電流制御信号に基づいて強
度が変化した直流磁界または最適強度を有する直流磁界
を発生させるように磁気ヘッド１１を駆動し、または記
録信号に基づいて交番磁界を発生させるように磁気ヘッ
ド１１を駆動する。レーザ駆動回路２５は、制御回路２
３からの制御に基づいて光学ヘッド１２中の半導体レー
ザ（図示せず）を駆動する。
期して記録データを所定の方式に変調する。電流制御信
号生成回路２２は、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流
値を一定のステップで変化させるための電流制御信号
と、照合器１８から最適電流値が入力されたとき磁気ヘ
ッド１１のコイルに最適電流値を流すための電流制御信
号とを生成する。制御回路２３は、光学ヘッド１２から
出射されるレーザ光の強度を設定するためにレーザ駆動
回路２５を制御する。磁気ヘッド駆動回路２４は、電流
制御信号生成回路２２からの電流制御信号に基づいて強
度が変化した直流磁界または最適強度を有する直流磁界
を発生させるように磁気ヘッド１１を駆動し、または記
録信号に基づいて交番磁界を発生させるように磁気ヘッ
ド１１を駆動する。レーザ駆動回路２５は、制御回路２
３からの制御に基づいて光学ヘッド１２中の半導体レー
ザ（図示せず）を駆動する。
【００９０】図５を参照して、照合器１８は、Ｅｘ−Ｏ
Ｒゲート１８０とフリップ・フロップ１８１と、コント
ローラ１８２とを備える。Ｅｘ−ＯＲゲート１８０は、
２値化回路１７からの２値化された再生信号ＲＦＤとパ
ターン発生器１９からの所定の記録パターンＷＤＫとの
排他的論理和を演算する。フリップ・フロップ１８１
は、一定の印加磁界強度にて再生信号を所定の記録パタ
ーンと照合する間、一定の値を保持して出力する。コン
トローラ１８２は、外部同期信号ＣＬＫに同期して、フ
リップ・フロップ１８１からの信号を内蔵されたバッフ
ァメモリ（図示せず）に記憶する。そして、コントロー
ラ１８２は、外部同期信号ＣＬＫに同期して、その記憶
された信号に基づいて後述する方法によって直流磁界Ｈ
DCの強度を好適な強度または最適強度に設定する好適な
電流値または最適電流値を決定する。
Ｒゲート１８０とフリップ・フロップ１８１と、コント
ローラ１８２とを備える。Ｅｘ−ＯＲゲート１８０は、
２値化回路１７からの２値化された再生信号ＲＦＤとパ
ターン発生器１９からの所定の記録パターンＷＤＫとの
排他的論理和を演算する。フリップ・フロップ１８１
は、一定の印加磁界強度にて再生信号を所定の記録パタ
ーンと照合する間、一定の値を保持して出力する。コン
トローラ１８２は、外部同期信号ＣＬＫに同期して、フ
リップ・フロップ１８１からの信号を内蔵されたバッフ
ァメモリ（図示せず）に記憶する。そして、コントロー
ラ１８２は、外部同期信号ＣＬＫに同期して、その記憶
された信号に基づいて後述する方法によって直流磁界Ｈ
DCの強度を好適な強度または最適強度に設定する好適な
電流値または最適電流値を決定する。
【００９１】図６を参照して、磁気ヘッド１１によって
直流磁界ＨDCを光磁気記録媒体１０に印加し、再生層３
の一部が遷移金属リッチな領域になる強度のレーザ光を
光磁気記録媒体１０に照射して光磁気記録媒体１０から
所定の記録パターン「０１０１０１０１０…」を再生した
とき、検出される光磁気信号は光磁気記録媒体１０に印
加する直流磁界ＨDCの強度によって異なる。光磁気記録
媒体１０に印加される直流磁界ＨDCの強度を、０．８〜
２４ｋＡ／ｍの範囲で変化させた場合、ＨDC＝０．８ｋ
Ａ／ｍのとき光磁気信号ＲＦＡ３が検出され、光磁気信
号ＲＦＡ３を２値化すると、再生信号ＲＦＤ３が得られ
る。また、ＨDC＝４ｋＡ／ｍのとき、光磁気信号ＲＦＡ
１が検出され、光磁気信号ＲＦＡ１を２値化すると、再
生信号ＲＦＤ１が得られる。さらに、ＨDC＝１０ｋＡ／
ｍのとき、光磁気信号ＲＦＡ２が検出され、光磁気信号
ＲＦＡ２を２値化すると、再生信号ＲＦＤ２が得られ
る。したがって、印加する直流磁界ＨDCの強度が弱いと
Ｌ（論理ロー）レベルの再生信号が検出され、直流磁界
ＨDCの強度が強過ぎるとＨ（論理ハイ）レベルの再生信
号が検出され、所定の記録パターン「０１０１０１０１
０…」に一致した再生信号が得られる直流磁界ＨDCの好
適な強度が存在する。
直流磁界ＨDCを光磁気記録媒体１０に印加し、再生層３
の一部が遷移金属リッチな領域になる強度のレーザ光を
光磁気記録媒体１０に照射して光磁気記録媒体１０から
所定の記録パターン「０１０１０１０１０…」を再生した
とき、検出される光磁気信号は光磁気記録媒体１０に印
加する直流磁界ＨDCの強度によって異なる。光磁気記録
媒体１０に印加される直流磁界ＨDCの強度を、０．８〜
２４ｋＡ／ｍの範囲で変化させた場合、ＨDC＝０．８ｋ
Ａ／ｍのとき光磁気信号ＲＦＡ３が検出され、光磁気信
号ＲＦＡ３を２値化すると、再生信号ＲＦＤ３が得られ
る。また、ＨDC＝４ｋＡ／ｍのとき、光磁気信号ＲＦＡ
１が検出され、光磁気信号ＲＦＡ１を２値化すると、再
生信号ＲＦＤ１が得られる。さらに、ＨDC＝１０ｋＡ／
ｍのとき、光磁気信号ＲＦＡ２が検出され、光磁気信号
ＲＦＡ２を２値化すると、再生信号ＲＦＤ２が得られ
る。したがって、印加する直流磁界ＨDCの強度が弱いと
Ｌ（論理ロー）レベルの再生信号が検出され、直流磁界
ＨDCの強度が強過ぎるとＨ（論理ハイ）レベルの再生信
号が検出され、所定の記録パターン「０１０１０１０１
０…」に一致した再生信号が得られる直流磁界ＨDCの好
適な強度が存在する。
【００９２】そこで、実施の形態１においては、磁気ヘ
ッド１１のコイルに流す電流値を変化させて直流磁界Ｈ
DCの強度を変化させる。そして、変化させた直流磁界Ｈ
DCの各強度における所定の記録パターン「０１０１０１
０１０…」の再生信号を検出し、その再生信号が所定の
記録パターン「０１０１０１０１０…」に一致する電流値
の範囲を検出することによって直流磁界ＨDCの好適な範
囲を決定する。
ッド１１のコイルに流す電流値を変化させて直流磁界Ｈ
DCの強度を変化させる。そして、変化させた直流磁界Ｈ
DCの各強度における所定の記録パターン「０１０１０１
０１０…」の再生信号を検出し、その再生信号が所定の
記録パターン「０１０１０１０１０…」に一致する電流値
の範囲を検出することによって直流磁界ＨDCの好適な範
囲を決定する。
【００９３】直流磁界ＨDCの強度は、０．８〜２４ｋＡ
／ｍの範囲において０．４ｋＡ／ｍのステップで変化さ
れる。この場合、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値
は、２０〜６００ｍＡの範囲において１０ｍＡのステッ
プで変化される。磁気ヘッド１１から出射される直流磁
界ＨDCの強度は、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値
に比例する。そして、直流磁界ＨDCの強度が０．８ｋＡ
／ｍのとき、磁気ヘッド１１のコイルに２０ｍＡの電流
が流され、直流磁界ＨDCの強度が２４ｋＡ／ｍのとき、
コイルには６００ｍＡの電流が流される。電流値が１０
ｍＡ変化すると、直流磁界ＨDCの強度は、０．４ｋＡ／
ｍだけ変化する。なお、電流制御信号生成回路２２が電
流制御信号ＭＧＣＲを磁気ヘッド駆動回路２４へ出力
し、磁気ヘッド駆動回路２４が電流制御信号ＭＧＣＲに
基づいて磁気ヘッド１１を駆動することによって磁気ヘ
ッド１１は、強度が変化した直流磁界ＨDCを光磁気記録
媒体１０に印加する。
／ｍの範囲において０．４ｋＡ／ｍのステップで変化さ
れる。この場合、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値
は、２０〜６００ｍＡの範囲において１０ｍＡのステッ
プで変化される。磁気ヘッド１１から出射される直流磁
界ＨDCの強度は、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値
に比例する。そして、直流磁界ＨDCの強度が０．８ｋＡ
／ｍのとき、磁気ヘッド１１のコイルに２０ｍＡの電流
が流され、直流磁界ＨDCの強度が２４ｋＡ／ｍのとき、
コイルには６００ｍＡの電流が流される。電流値が１０
ｍＡ変化すると、直流磁界ＨDCの強度は、０．４ｋＡ／
ｍだけ変化する。なお、電流制御信号生成回路２２が電
流制御信号ＭＧＣＲを磁気ヘッド駆動回路２４へ出力
し、磁気ヘッド駆動回路２４が電流制御信号ＭＧＣＲに
基づいて磁気ヘッド１１を駆動することによって磁気ヘ
ッド１１は、強度が変化した直流磁界ＨDCを光磁気記録
媒体１０に印加する。
【００９４】図４，５，７，および８を参照して、光磁
気ディスク装置１００における直流磁界ＨDCの強度の較
正について説明する。直流磁界ＨDCの強度が較正される
ときは、所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１０１
０１０…」が光磁気記録媒体１０に記録される。したが
って、スイッチＳＷは端子２７に接続され、パターン発
生器１９は、所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１
０１０１０…」を端子２７を介して磁気ヘッド駆動回路
２４へ出力する。磁気ヘッド駆動回路２４は、入力され
た所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１０１０１０
…」に基づいて磁気ヘッド１１を駆動し、磁気ヘッド１
１は、所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１０１０
１０…」によって変調された交番磁界を光磁気記録媒体
１０に印加する。
気ディスク装置１００における直流磁界ＨDCの強度の較
正について説明する。直流磁界ＨDCの強度が較正される
ときは、所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１０１
０１０…」が光磁気記録媒体１０に記録される。したが
って、スイッチＳＷは端子２７に接続され、パターン発
生器１９は、所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１
０１０１０…」を端子２７を介して磁気ヘッド駆動回路
２４へ出力する。磁気ヘッド駆動回路２４は、入力され
た所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１０１０１０
…」に基づいて磁気ヘッド１１を駆動し、磁気ヘッド１
１は、所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１０１０
１０…」によって変調された交番磁界を光磁気記録媒体
１０に印加する。
【００９５】一方、制御回路２３は、信号記録に必要な
レーザ光の強度をレーザ駆動回路２５へ出力する。そう
すると、レーザ駆動回路２５は、制御回路２３からの強
度に基づいて光学ヘッド１２中の半導体レーザ（図示せ
ず）を駆動し、光学ヘッド１２は信号記録に必要な強度
のレーザ光を光磁気記録媒体１０に照射する。これによ
って所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１０１０１
０…」が光磁気記録媒体１０に記録される。
レーザ光の強度をレーザ駆動回路２５へ出力する。そう
すると、レーザ駆動回路２５は、制御回路２３からの強
度に基づいて光学ヘッド１２中の半導体レーザ（図示せ
ず）を駆動し、光学ヘッド１２は信号記録に必要な強度
のレーザ光を光磁気記録媒体１０に照射する。これによ
って所定の記録パターンＷＤＫ「０１０１０１０１０１
０…」が光磁気記録媒体１０に記録される。
【００９６】その後、制御回路２３は、再生層３の一部
が補償温度以上に昇温されるレーザ光の強度をレーザ駆
動回路２５へ出力する。レーザ駆動回路２５は、制御回
路２３からの強度に基づいて光学ヘッド１２中の半導体
レーザを駆動する。そして、光学ヘッド１２は、再生層
３の一部が補償温度以上に昇温される強度のレーザ光を
光磁気記録媒体１０に照射する。一方、電流制御信号生
成回路２２は、電流制御信号ＭＧＣＲを磁気ヘッド駆動
回路２４へ出力し、磁気ヘッド駆動回路２４は、電流制
御信号ＭＧＣＲに基づいて磁気ヘッド１１を駆動する。
そうすると、磁気ヘッド１１は、上述した範囲およびス
テップで強度を変化させた直流磁界ＨDCを光磁気記録媒
体１０に印加する。そして、光学ヘッド１２は、直流磁
界ＨDCの強度を変化させて所定の記録パターンＷＤＫ
「０１０１０１０１０１０…」を光磁気記録媒体１０か
ら検出する。光学ヘッド１２は検出した光磁気信号ＲＦ
Ａを所定のレベルに増幅した後、２値化回路１７へ出力
する。２値化回路１７は入力した光磁気信号ＲＦＡを２
値化して再生信号ＲＦＤを照合器１８へ出力する。一
方、パターン発生器１９は、所定の記録パターンＷＤＫ
「０１０１０１０１０１０…」を照合器１８へ出力す
る。
が補償温度以上に昇温されるレーザ光の強度をレーザ駆
動回路２５へ出力する。レーザ駆動回路２５は、制御回
路２３からの強度に基づいて光学ヘッド１２中の半導体
レーザを駆動する。そして、光学ヘッド１２は、再生層
３の一部が補償温度以上に昇温される強度のレーザ光を
光磁気記録媒体１０に照射する。一方、電流制御信号生
成回路２２は、電流制御信号ＭＧＣＲを磁気ヘッド駆動
回路２４へ出力し、磁気ヘッド駆動回路２４は、電流制
御信号ＭＧＣＲに基づいて磁気ヘッド１１を駆動する。
そうすると、磁気ヘッド１１は、上述した範囲およびス
テップで強度を変化させた直流磁界ＨDCを光磁気記録媒
体１０に印加する。そして、光学ヘッド１２は、直流磁
界ＨDCの強度を変化させて所定の記録パターンＷＤＫ
「０１０１０１０１０１０…」を光磁気記録媒体１０か
ら検出する。光学ヘッド１２は検出した光磁気信号ＲＦ
Ａを所定のレベルに増幅した後、２値化回路１７へ出力
する。２値化回路１７は入力した光磁気信号ＲＦＡを２
値化して再生信号ＲＦＤを照合器１８へ出力する。一
方、パターン発生器１９は、所定の記録パターンＷＤＫ
「０１０１０１０１０１０…」を照合器１８へ出力す
る。
【００９７】そうすると、照合器１８のＥｘ−ＯＲゲー
ト１８０の一方の端子には２値化された再生信号ＲＦＤ
が入力され、他方の端子には所定の記録パターンＷＤＫ
が入力される（図５参照）。光磁気記録媒体１０に印加
される直流磁界ＨDCの強度が４ｋＡ／ｍであるとき、Ｅ
ｘ−ＯＲゲート１８０の一方の端子には、再生信号ＲＦ
Ｄ１が入力される。そして、Ｅｘ−ＯＲゲート１８０
は、再生信号ＲＦＤ１と所定の記録パターンＷＤＫとの
排他的論理和を演算し、Ｌレベルの信号ＸＯＲ１を出力
する。そして、フリップ・フロップ１８１は、信号ＸＯ
Ｒ１を保持したＬレベルの信号ＦＦ１を出力する（図７
参照）。
ト１８０の一方の端子には２値化された再生信号ＲＦＤ
が入力され、他方の端子には所定の記録パターンＷＤＫ
が入力される（図５参照）。光磁気記録媒体１０に印加
される直流磁界ＨDCの強度が４ｋＡ／ｍであるとき、Ｅ
ｘ−ＯＲゲート１８０の一方の端子には、再生信号ＲＦ
Ｄ１が入力される。そして、Ｅｘ−ＯＲゲート１８０
は、再生信号ＲＦＤ１と所定の記録パターンＷＤＫとの
排他的論理和を演算し、Ｌレベルの信号ＸＯＲ１を出力
する。そして、フリップ・フロップ１８１は、信号ＸＯ
Ｒ１を保持したＬレベルの信号ＦＦ１を出力する（図７
参照）。
【００９８】また、光磁気記録媒体１０に印加される直
流磁界ＨDCの強度が１０ｋＡ／ｍ以上と強いとき、Ｅｘ
−ＯＲゲート１８０の一方の端子には、Ｈレベルの再生
信号ＲＦＤ２が入力される。そして、Ｅｘ−ＯＲゲート
１８０は、再生信号ＲＦＤ２と所定の記録パターンＷＤ
Ｋとの排他的論理和を演算し、所定の記録パターンＷＤ
Ｋに対して位相が半周期ずれたＨレベルとＬレベルとが
外部同期信号ＣＬＫの１周期ごとに変化する信号ＸＯＲ
２を出力する。そして、フリップ・フロップ１８１は、
信号ＸＯＲ２のＨレベルを検出すれば、その後、Ｈレベ
ルを保持する信号ＦＦ２を出力する（図７参照）。
流磁界ＨDCの強度が１０ｋＡ／ｍ以上と強いとき、Ｅｘ
−ＯＲゲート１８０の一方の端子には、Ｈレベルの再生
信号ＲＦＤ２が入力される。そして、Ｅｘ−ＯＲゲート
１８０は、再生信号ＲＦＤ２と所定の記録パターンＷＤ
Ｋとの排他的論理和を演算し、所定の記録パターンＷＤ
Ｋに対して位相が半周期ずれたＨレベルとＬレベルとが
外部同期信号ＣＬＫの１周期ごとに変化する信号ＸＯＲ
２を出力する。そして、フリップ・フロップ１８１は、
信号ＸＯＲ２のＨレベルを検出すれば、その後、Ｈレベ
ルを保持する信号ＦＦ２を出力する（図７参照）。
【００９９】さらに、光磁気記録媒体１０に印加される
直流磁界ＨDCの強度が０．８ｋＡ／ｍ程度と弱いとき、
Ｅｘ−ＯＲゲート１８０の一方の端子には、Ｌレベルの
再生信号ＲＦＤ３が入力される。そして、Ｅｘ−ＯＲゲ
ート１８０は、再生信号ＲＦＤ３と所定の記録パターン
ＷＤＫとの排他的論理和を演算し、所定の記録パターン
ＷＤＫと同じ位相を有するＨレベルとＬレベルとが外部
同期信号ＣＬＫの１周期ごとに変化する信号ＸＯＲ３を
出力する。そして、フリップ・フロップ１８１は、信号
ＸＯＲ３のＨレベルを検出すれば、その後、Ｈレベルを
保持する信号ＦＦ３を出力する（図７参照）。
直流磁界ＨDCの強度が０．８ｋＡ／ｍ程度と弱いとき、
Ｅｘ−ＯＲゲート１８０の一方の端子には、Ｌレベルの
再生信号ＲＦＤ３が入力される。そして、Ｅｘ−ＯＲゲ
ート１８０は、再生信号ＲＦＤ３と所定の記録パターン
ＷＤＫとの排他的論理和を演算し、所定の記録パターン
ＷＤＫと同じ位相を有するＨレベルとＬレベルとが外部
同期信号ＣＬＫの１周期ごとに変化する信号ＸＯＲ３を
出力する。そして、フリップ・フロップ１８１は、信号
ＸＯＲ３のＨレベルを検出すれば、その後、Ｈレベルを
保持する信号ＦＦ３を出力する（図７参照）。
【０１００】そして、磁気ヘッド１１のコイルに流す電
流値を２０〜６００ｍＡの範囲で１０ｍＡのステップで
変化させたとき、フリップ・フロップ１８１は５９個の
信号をコントローラ１８２へ出力するが、フリップ・フ
ロップ１８１から出力される信号は、信号ＦＦ１，ＦＦ
２，およびＦＦ３の３種類に大別できる。つまり、図８
を参照して、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流を２０
〜６００ｍＡで変化させたとき、磁気ヘッド１１から光
磁気記録媒体１０に印加される直流磁界ＨDCの強度は
０．８〜２４ｋＡ／ｍの範囲で変化するが、直流磁界Ｈ
DCの強度が０．８〜４ｋＡ／ｍの範囲では、再生信号Ｒ
ＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致せず、フリップ
・フロップ１８１は信号ＦＦ３をコントローラ１８２へ
出力する。また、直流磁界ＨDCの強度が４〜１０ｋＡ／
ｍの範囲で再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫ
に一致し、フリップ・フロップ１８１は信号ＦＦ１をコ
ントローラ１８２へ出力する。さらに、直流磁界ＨDCの
強度が１０〜２４ｋＡ／ｍの範囲で再生信号ＲＦＤは所
定の記録パターンＷＤＫに一致せず、フリップ・フロッ
プ１８１は、信号ＦＦ２をコントローラ１８２へ出力す
る。したがって、コントローラ１８２は、フリップ・フ
ロップ１８１からの信号が信号ＦＦ３から信号ＦＦ１に
切替わる直流磁界強度Ａを実現する電流値と、フリップ
・フロップ１８１からの信号が信号ＦＦ１から信号ＦＦ
２に切替わる直流磁界強度Ｂを実現する電流値とを内蔵
したバッファメモリ（図示せず）に記憶する。なお、コ
ントローラ１８２は、バッファメモリへの記憶を外部同
期信号ＣＬＫに同期して行なう。そして、コントローラ
１８２は、外部同期信号ＣＬＫに同期して、記憶した直
流磁界強度Ａを実現する電流値と直流磁界強度Ｂを実現
する電流値とをバッファメモリから読出し、直流磁界強
度Ａを実現する電流値と直流磁界強度Ｂを実現する電流
値との平均値を最適電流値として決定する。
流値を２０〜６００ｍＡの範囲で１０ｍＡのステップで
変化させたとき、フリップ・フロップ１８１は５９個の
信号をコントローラ１８２へ出力するが、フリップ・フ
ロップ１８１から出力される信号は、信号ＦＦ１，ＦＦ
２，およびＦＦ３の３種類に大別できる。つまり、図８
を参照して、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流を２０
〜６００ｍＡで変化させたとき、磁気ヘッド１１から光
磁気記録媒体１０に印加される直流磁界ＨDCの強度は
０．８〜２４ｋＡ／ｍの範囲で変化するが、直流磁界Ｈ
DCの強度が０．８〜４ｋＡ／ｍの範囲では、再生信号Ｒ
ＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致せず、フリップ
・フロップ１８１は信号ＦＦ３をコントローラ１８２へ
出力する。また、直流磁界ＨDCの強度が４〜１０ｋＡ／
ｍの範囲で再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫ
に一致し、フリップ・フロップ１８１は信号ＦＦ１をコ
ントローラ１８２へ出力する。さらに、直流磁界ＨDCの
強度が１０〜２４ｋＡ／ｍの範囲で再生信号ＲＦＤは所
定の記録パターンＷＤＫに一致せず、フリップ・フロッ
プ１８１は、信号ＦＦ２をコントローラ１８２へ出力す
る。したがって、コントローラ１８２は、フリップ・フ
ロップ１８１からの信号が信号ＦＦ３から信号ＦＦ１に
切替わる直流磁界強度Ａを実現する電流値と、フリップ
・フロップ１８１からの信号が信号ＦＦ１から信号ＦＦ
２に切替わる直流磁界強度Ｂを実現する電流値とを内蔵
したバッファメモリ（図示せず）に記憶する。なお、コ
ントローラ１８２は、バッファメモリへの記憶を外部同
期信号ＣＬＫに同期して行なう。そして、コントローラ
１８２は、外部同期信号ＣＬＫに同期して、記憶した直
流磁界強度Ａを実現する電流値と直流磁界強度Ｂを実現
する電流値とをバッファメモリから読出し、直流磁界強
度Ａを実現する電流値と直流磁界強度Ｂを実現する電流
値との平均値を最適電流値として決定する。
【０１０１】直流磁界強度Ａ＝４ｋＡ／ｍのとき、直流
磁界強度Ａを実現する電流値は１００ｍＡであり、直流
磁界強度Ｂ＝１０ｋＡ／ｍのとき、直流磁界強度Ｂを実
現する電流値は２５０ｍＡである。したがって、最適磁
界強度Ｃ＝７ｋＡ／ｍを実現する最適電流値は１７５ｍ
Ａとなる。そうすると、コントローラ１８２は、直流磁
界強度が最適磁界強度Ｃになる最適電流値を電流制御信
号生成回路２２へ出力する。
磁界強度Ａを実現する電流値は１００ｍＡであり、直流
磁界強度Ｂ＝１０ｋＡ／ｍのとき、直流磁界強度Ｂを実
現する電流値は２５０ｍＡである。したがって、最適磁
界強度Ｃ＝７ｋＡ／ｍを実現する最適電流値は１７５ｍ
Ａとなる。そうすると、コントローラ１８２は、直流磁
界強度が最適磁界強度Ｃになる最適電流値を電流制御信
号生成回路２２へ出力する。
【０１０２】電流制御信号生成回路２２は、照合器１８
のコントローラ１８２から入力した最適電流値に基づい
て、最適電流値をコイルに流すための電流制御信号を生
成し、磁気ヘッド駆動回路２４へ出力する。そして、磁
気ヘッド駆動回路２４は、最適電流値をコイルに流して
最適強度を有する直流磁界ＨDCが光磁気記録媒体１０に
印加される。これにより、直流磁界ＨDCの強度が較正さ
れ、最適強度の直流磁界ＨDCが光磁気記録媒体１０に印
加されて直流磁界ＨDCによる磁区拡大再生が行なわれ
る。
のコントローラ１８２から入力した最適電流値に基づい
て、最適電流値をコイルに流すための電流制御信号を生
成し、磁気ヘッド駆動回路２４へ出力する。そして、磁
気ヘッド駆動回路２４は、最適電流値をコイルに流して
最適強度を有する直流磁界ＨDCが光磁気記録媒体１０に
印加される。これにより、直流磁界ＨDCの強度が較正さ
れ、最適強度の直流磁界ＨDCが光磁気記録媒体１０に印
加されて直流磁界ＨDCによる磁区拡大再生が行なわれ
る。
【０１０３】図９を参照して、照合器１８における最適
電流値の決定動作について説明する。動作がスタートす
ると、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値Ｉが最小値
Ｉｍｉｎに設定される（ステップＳ１）。すなわち、直
流磁界ＨDCの強度が最小値に設定される。そして、フリ
ップ・フロップ１８１がリセットされ（ステップＳ
２）、最小強度を有する直流磁界ＨDCが光磁気記録媒体
１０に印加され、光磁気記録媒体１０から所定の記録パ
ターンＷＤＫが磁区拡大再生される（ステップＳ３）。
再生された再生信号ＲＦＤは上述した方法によって所定
の記録パターンＷＤＫと一致するか否かが判別され（ス
テップＳ４）、不一致であれば、コイルに流す電流値Ｉ
を１０ｍＡだけ増加させる（ステップＳ５）。そして、
上述したステップＳ２〜Ｓ４を再生信号ＲＦＤが所定の
記録パターンＷＤＫに一致するまで行なう。つまり、ス
テップＳ２〜Ｓ５のループは、図８に示す直流磁界強度
Ａを検出する動作を実行するループである。そして、ス
テップＳ４で再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤ
Ｋに一致すれば、直流磁界強度Ａを実現する電流値ＩA
をコントローラ１８２はバッファメモリに記憶する（ス
テップＳ６）。
電流値の決定動作について説明する。動作がスタートす
ると、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値Ｉが最小値
Ｉｍｉｎに設定される（ステップＳ１）。すなわち、直
流磁界ＨDCの強度が最小値に設定される。そして、フリ
ップ・フロップ１８１がリセットされ（ステップＳ
２）、最小強度を有する直流磁界ＨDCが光磁気記録媒体
１０に印加され、光磁気記録媒体１０から所定の記録パ
ターンＷＤＫが磁区拡大再生される（ステップＳ３）。
再生された再生信号ＲＦＤは上述した方法によって所定
の記録パターンＷＤＫと一致するか否かが判別され（ス
テップＳ４）、不一致であれば、コイルに流す電流値Ｉ
を１０ｍＡだけ増加させる（ステップＳ５）。そして、
上述したステップＳ２〜Ｓ４を再生信号ＲＦＤが所定の
記録パターンＷＤＫに一致するまで行なう。つまり、ス
テップＳ２〜Ｓ５のループは、図８に示す直流磁界強度
Ａを検出する動作を実行するループである。そして、ス
テップＳ４で再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤ
Ｋに一致すれば、直流磁界強度Ａを実現する電流値ＩA
をコントローラ１８２はバッファメモリに記憶する（ス
テップＳ６）。
【０１０４】そして、フリップ・フロップ１８１を再度
リセットし（ステップＳ７）、磁気ヘッド１１のコイル
に電流値ＩAを流して光磁気記録媒体１０から磁区拡大
再生を行ない（ステップＳ８）、再生信号ＲＦＤが所定
の記録パターンＷＤＫと一致するか否かを判別する（ス
テップＳ９）。判別結果が一致のとき、電流値を１０ｍ
Ａだけ増加させ（ステップＳ１０）、ステップＳ７〜Ｓ
１０を再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫと不
一致になるまで行なう。つまり、ステップＳ７〜Ｓ１０
のループは、図８に示す直流磁界強度Ｂを検出する動作
を実行するループである。そして、ステップＳ９で再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに不一致になれ
ば、直流磁界強度Ｂを実現する電流値ＩBをコントロー
ラ１８２はバッファメモリに記憶する（ステップＳ１
１）。そして、コントローラ１８２は記憶した電流値Ｉ
Aと電流値ＩBとをバッファメモリから読出し、電流値Ｉ
Aと電流値ＩBとの平均値ＩCを演算する（ステップＳ１
２）。その後、最適電流値を電流値ＩCに設定し（ステ
ップＳ１３）、照合器１８における最適電流値の決定動
作は終了する。なお、ステップＳ１１，Ｓ１２は、直流
磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を演算すること
によって直流磁界ＨDCの最適強度Ｃを決定するプロセス
である。直流磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を
相加平均により演算した場合、最適電流値ＩCは、（１
００＋２５０）／２＝１７５ｍＡとなる。これに対し
て、直流磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を相乗
平均により演算した場合、最適電流値ＩCは、（１００
×２５０）1/2＝１５８ｍＡとなる。本発明における
「平均値」とは、相加平均および相乗平均の両方を意味
する。
リセットし（ステップＳ７）、磁気ヘッド１１のコイル
に電流値ＩAを流して光磁気記録媒体１０から磁区拡大
再生を行ない（ステップＳ８）、再生信号ＲＦＤが所定
の記録パターンＷＤＫと一致するか否かを判別する（ス
テップＳ９）。判別結果が一致のとき、電流値を１０ｍ
Ａだけ増加させ（ステップＳ１０）、ステップＳ７〜Ｓ
１０を再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫと不
一致になるまで行なう。つまり、ステップＳ７〜Ｓ１０
のループは、図８に示す直流磁界強度Ｂを検出する動作
を実行するループである。そして、ステップＳ９で再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに不一致になれ
ば、直流磁界強度Ｂを実現する電流値ＩBをコントロー
ラ１８２はバッファメモリに記憶する（ステップＳ１
１）。そして、コントローラ１８２は記憶した電流値Ｉ
Aと電流値ＩBとをバッファメモリから読出し、電流値Ｉ
Aと電流値ＩBとの平均値ＩCを演算する（ステップＳ１
２）。その後、最適電流値を電流値ＩCに設定し（ステ
ップＳ１３）、照合器１８における最適電流値の決定動
作は終了する。なお、ステップＳ１１，Ｓ１２は、直流
磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を演算すること
によって直流磁界ＨDCの最適強度Ｃを決定するプロセス
である。直流磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を
相加平均により演算した場合、最適電流値ＩCは、（１
００＋２５０）／２＝１７５ｍＡとなる。これに対し
て、直流磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を相乗
平均により演算した場合、最適電流値ＩCは、（１００
×２５０）1/2＝１５８ｍＡとなる。本発明における
「平均値」とは、相加平均および相乗平均の両方を意味
する。
【０１０５】上記においては、照合器１８は、直流磁界
ＨDCの最適強度Ｃを決定するとして説明したが、これに
限らず、本発明においては、照合器１８は、再生信号Ｒ
ＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致する直流磁界強
度Ａおよび直流磁界強度Ｂを検出し、直流磁界強度Ａ〜
直流磁界強度Ｂの範囲の直流磁界を実現する電流値を好
適な電流値と決定し、その好適な電流値を電流制御信号
生成回路２２へ出力しても良い。直流磁界強度Ａは４ｋ
Ａ／ｍであり、直流磁界強度Ｂは１０ｋＡ／ｍであるの
で、照合器１８は、１００〜２５０ｍＡの範囲の電流値
を好適な電流値として電流制御信号生成回路２２へ出力
する。
ＨDCの最適強度Ｃを決定するとして説明したが、これに
限らず、本発明においては、照合器１８は、再生信号Ｒ
ＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致する直流磁界強
度Ａおよび直流磁界強度Ｂを検出し、直流磁界強度Ａ〜
直流磁界強度Ｂの範囲の直流磁界を実現する電流値を好
適な電流値と決定し、その好適な電流値を電流制御信号
生成回路２２へ出力しても良い。直流磁界強度Ａは４ｋ
Ａ／ｍであり、直流磁界強度Ｂは１０ｋＡ／ｍであるの
で、照合器１８は、１００〜２５０ｍＡの範囲の電流値
を好適な電流値として電流制御信号生成回路２２へ出力
する。
【０１０６】そうすると、電流制御信号生成回路２２
は、１００〜２５０ｍＡの範囲の電流値を磁気ヘッド１
１のコイルに流す電流制御信号を生成し、磁気ヘッド駆
動回路２４へ出力する。そして、磁気ヘッド駆動回路２
４は、入力した電流制御信号に基づいて磁気ヘッド１１
を駆動し、好適な強度を有する直流磁界ＨDCが光磁気記
録媒体１０に印加されて信号が磁区拡大再生される。
は、１００〜２５０ｍＡの範囲の電流値を磁気ヘッド１
１のコイルに流す電流制御信号を生成し、磁気ヘッド駆
動回路２４へ出力する。そして、磁気ヘッド駆動回路２
４は、入力した電流制御信号に基づいて磁気ヘッド１１
を駆動し、好適な強度を有する直流磁界ＨDCが光磁気記
録媒体１０に印加されて信号が磁区拡大再生される。
【０１０７】再び、図４を参照して、光磁気記録媒体１
０が光磁気ディスク装置１００に装着されると、制御回
路２３は、スピンドルモータ１６を所定の回転数で回転
させるようにサーボ回路１４を制御する。サーボ回路１
４は制御回路２３からの制御に基づいてスピンドルモー
タ１６を所定の回転数で回転させ、光磁気記録媒体１０
が所定の回転数で回転させられる。また、制御回路２３
は、光学ヘッド１２が出射するレーザ光の強度をレーザ
駆動回路２５へ出力し、レーザ駆動回路２５は上述した
ように制御回路２３からの強度を有するレーザ光を出射
するように光学ヘッド１２中の半導体レーザ（図示せ
ず）を駆動する。これにより、所定の強度を有するレー
ザ光が光磁気記録媒体１０に照射され、光学ヘッド１２
は光磁気記録媒体１０からトラッキングエラー信号Ｔ
Ｅ、フォーカスエラー信号ＦＥ、およびファインクロッ
クマークＦＣＭを検出する。そして、光学ヘッド１２
は、トラッキングエラー信号ＴＥ、およびフォーカスエ
ラー信号ＦＥをサーボ回路１４へ出力し、サーボ回路１
４およびサーボ機構１５は、上述したように光学ヘッド
１２中の対物レンズ（図示せず）のトラッキングサーボ
およびフォーカスサーボがオンされる。また、光学ヘッ
ド１２は、ファインクロックマークＦＣＭを外部同期信
号生成回路１３へ出力し、外部同期信号生成回路１３
は、上述した方法によって外部同期信号ＣＬＫを生成
し、サーボ回路１４、照合器１８、パターン発生器１
９、エラー訂正回路２０、および変調回路２１へ外部同
期信号ＣＬＫを出力する。
０が光磁気ディスク装置１００に装着されると、制御回
路２３は、スピンドルモータ１６を所定の回転数で回転
させるようにサーボ回路１４を制御する。サーボ回路１
４は制御回路２３からの制御に基づいてスピンドルモー
タ１６を所定の回転数で回転させ、光磁気記録媒体１０
が所定の回転数で回転させられる。また、制御回路２３
は、光学ヘッド１２が出射するレーザ光の強度をレーザ
駆動回路２５へ出力し、レーザ駆動回路２５は上述した
ように制御回路２３からの強度を有するレーザ光を出射
するように光学ヘッド１２中の半導体レーザ（図示せ
ず）を駆動する。これにより、所定の強度を有するレー
ザ光が光磁気記録媒体１０に照射され、光学ヘッド１２
は光磁気記録媒体１０からトラッキングエラー信号Ｔ
Ｅ、フォーカスエラー信号ＦＥ、およびファインクロッ
クマークＦＣＭを検出する。そして、光学ヘッド１２
は、トラッキングエラー信号ＴＥ、およびフォーカスエ
ラー信号ＦＥをサーボ回路１４へ出力し、サーボ回路１
４およびサーボ機構１５は、上述したように光学ヘッド
１２中の対物レンズ（図示せず）のトラッキングサーボ
およびフォーカスサーボがオンされる。また、光学ヘッ
ド１２は、ファインクロックマークＦＣＭを外部同期信
号生成回路１３へ出力し、外部同期信号生成回路１３
は、上述した方法によって外部同期信号ＣＬＫを生成
し、サーボ回路１４、照合器１８、パターン発生器１
９、エラー訂正回路２０、および変調回路２１へ外部同
期信号ＣＬＫを出力する。
【０１０８】その後、スイッチＳＷが端子２７へ接続さ
れ、パターン発生器１９は、外部同期信号ＣＬＫに同期
して所定の記録パターンＷＤＫを端子２７を介して磁気
ヘッド駆動回路２４へ出力する。磁気ヘッド駆動回路２
４は、所定の記録パターンＷＤＫに基づいて磁気ヘッド
１１を駆動する。そして、磁気ヘッド１１は、所定の記
録パターンＷＤＫによって変調された交番磁界を光磁気
記録媒体１０に印加して所定の記録パターンＷＤＫが光
磁気記録媒体１０に記録される。
れ、パターン発生器１９は、外部同期信号ＣＬＫに同期
して所定の記録パターンＷＤＫを端子２７を介して磁気
ヘッド駆動回路２４へ出力する。磁気ヘッド駆動回路２
４は、所定の記録パターンＷＤＫに基づいて磁気ヘッド
１１を駆動する。そして、磁気ヘッド１１は、所定の記
録パターンＷＤＫによって変調された交番磁界を光磁気
記録媒体１０に印加して所定の記録パターンＷＤＫが光
磁気記録媒体１０に記録される。
【０１０９】所定の記録パターンＷＤＫの記録が終了す
ると、制御回路２３は光磁気記録媒体１０の再生層３の
一部が補償温度以上に昇温されるレーザ光の強度をレー
ザ駆動回路２５へ出力し、レーザ駆動回路２５は、その
強度を有するレーザ光を出射するように光学ヘッド１２
中の半導体レーザを駆動する。そして、光学ヘッド１２
は、光磁気記録媒体１０からの磁区拡大再生に適した強
度のレーザ光を光磁気記録媒体１０に照射する。また、
電流制御信号生成回路２２は、直流磁界ＨDCの強度を上
述した範囲、およびステップで変化させるために磁気ヘ
ッド１１のコイルに流す電流値を変化させる電流制御信
号ＭＧＣＲを生成し、磁気ヘッド駆動回路２４へ出力す
る。磁気ヘッド駆動回路２４は、電流制御信号ＭＧＣＲ
に基づいて磁気ヘッド１１を駆動し、磁気ヘッド１１は
強度が異なる直流磁界ＨDCを光磁気記録媒体１０に印加
する。
ると、制御回路２３は光磁気記録媒体１０の再生層３の
一部が補償温度以上に昇温されるレーザ光の強度をレー
ザ駆動回路２５へ出力し、レーザ駆動回路２５は、その
強度を有するレーザ光を出射するように光学ヘッド１２
中の半導体レーザを駆動する。そして、光学ヘッド１２
は、光磁気記録媒体１０からの磁区拡大再生に適した強
度のレーザ光を光磁気記録媒体１０に照射する。また、
電流制御信号生成回路２２は、直流磁界ＨDCの強度を上
述した範囲、およびステップで変化させるために磁気ヘ
ッド１１のコイルに流す電流値を変化させる電流制御信
号ＭＧＣＲを生成し、磁気ヘッド駆動回路２４へ出力す
る。磁気ヘッド駆動回路２４は、電流制御信号ＭＧＣＲ
に基づいて磁気ヘッド１１を駆動し、磁気ヘッド１１は
強度が異なる直流磁界ＨDCを光磁気記録媒体１０に印加
する。
【０１１０】光学ヘッド１２は、直流磁界ＨDCの強度を
変化させて所定の記録パターンＷＤＫを検出し、その検
出した光磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力する。
その後、上述した方法によって照合器１８は、直流磁界
ＨDCの最適強度を実現するための最適電流値または直流
磁界ＨDCの好適な強度を実現するための好適な電流値を
決定し、その決定した最適電流値または好適な電流値を
電流制御信号生成回路２２へ出力する。
変化させて所定の記録パターンＷＤＫを検出し、その検
出した光磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力する。
その後、上述した方法によって照合器１８は、直流磁界
ＨDCの最適強度を実現するための最適電流値または直流
磁界ＨDCの好適な強度を実現するための好適な電流値を
決定し、その決定した最適電流値または好適な電流値を
電流制御信号生成回路２２へ出力する。
【０１１１】そうすると、電流制御信号生成回路２２
は、最適電流値を磁気ヘッド１１のコイルに流すための
電流制御信号、または好適な電流値を磁気ヘッド１１の
コイルに流すための電流制御信号を生成し、磁気ヘッド
駆動回路２４へ出力する。磁気ヘッド駆動回路２４は、
入力した電流制御信号に基づいて磁気ヘッド１１を駆動
し、磁気ヘッド１１は、最適強度を有する直流磁界ＨDC
または好適な強度を有する直流磁界ＨDCを光磁気記録媒
体１０に印加する。
は、最適電流値を磁気ヘッド１１のコイルに流すための
電流制御信号、または好適な電流値を磁気ヘッド１１の
コイルに流すための電流制御信号を生成し、磁気ヘッド
駆動回路２４へ出力する。磁気ヘッド駆動回路２４は、
入力した電流制御信号に基づいて磁気ヘッド１１を駆動
し、磁気ヘッド１１は、最適強度を有する直流磁界ＨDC
または好適な強度を有する直流磁界ＨDCを光磁気記録媒
体１０に印加する。
【０１１２】そして、磁気ヘッド１１から最適強度を有
する直流磁界ＨDCまたは好適な強度を有する直流磁界Ｈ
DCが印加され、光学ヘッド１２は光磁気記録媒体１０か
ら信号を磁区拡大再生し、検出した光磁気信号ＲＦＡを
２値化回路１７へ出力する。２値化回路１７は、光磁気
信号ＲＦＡを２値化した再生信号ＲＦＤをエラー訂正回
路２０へ出力し、エラー訂正回路２０は、外部同期信号
ＣＬＫに同期して再生信号ＲＦＤのエラー訂正および復
調を行ない、再生データを外部出力装置へ出力する。
する直流磁界ＨDCまたは好適な強度を有する直流磁界Ｈ
DCが印加され、光学ヘッド１２は光磁気記録媒体１０か
ら信号を磁区拡大再生し、検出した光磁気信号ＲＦＡを
２値化回路１７へ出力する。２値化回路１７は、光磁気
信号ＲＦＡを２値化した再生信号ＲＦＤをエラー訂正回
路２０へ出力し、エラー訂正回路２０は、外部同期信号
ＣＬＫに同期して再生信号ＲＦＤのエラー訂正および復
調を行ない、再生データを外部出力装置へ出力する。
【０１１３】また、光磁気記録媒体１０に信号を記録す
るとき、スイッチＳＷは端子２６に接続される。変調回
路２１は、外部同期信号ＣＬＫに同期して記録データを
所定の方式に変調し、記録信号ＷＤを磁気ヘッド駆動回
路２４へ出力する。磁気ヘッド駆動回路２４は、記録信
号ＷＤに基づいて磁気ヘッド１１を駆動し、磁気ヘッド
１１は、記録信号ＷＤによって変調された交番磁界を光
磁気記録媒体１０に印加する。これにより、記録信号Ｗ
Ｄが光磁気記録媒体１０に記録される。
るとき、スイッチＳＷは端子２６に接続される。変調回
路２１は、外部同期信号ＣＬＫに同期して記録データを
所定の方式に変調し、記録信号ＷＤを磁気ヘッド駆動回
路２４へ出力する。磁気ヘッド駆動回路２４は、記録信
号ＷＤに基づいて磁気ヘッド１１を駆動し、磁気ヘッド
１１は、記録信号ＷＤによって変調された交番磁界を光
磁気記録媒体１０に印加する。これにより、記録信号Ｗ
Ｄが光磁気記録媒体１０に記録される。
【０１１４】装着された光磁気記録媒体１０に予め所定
の記録パターンＷＤＫが記録されているとき、光磁気デ
ィスク装置１００は、上述した直流磁界ＨDCの較正と、
較正された直流磁界ＨDCを用いた磁区拡大再生を行なう
再生装置として機能する。その場合、光磁気ディスク装
置１００は、変調回路２１、端子２６、およびスイッチ
ＳＷを除く、磁気ヘッド１１、光学ヘッド１２、外部同
期信号生成回路１３、サーボ回路１４、サーボ機構１
５、スピンドルモータ１６、２値化回路１７、照合器１
８、パターン発生器１９、エラー訂正回路２０、電流制
御信号生成回路２２、制御回路２３、磁気ヘッド駆動回
路２４、およびレーザ駆動回路２５を備える。
の記録パターンＷＤＫが記録されているとき、光磁気デ
ィスク装置１００は、上述した直流磁界ＨDCの較正と、
較正された直流磁界ＨDCを用いた磁区拡大再生を行なう
再生装置として機能する。その場合、光磁気ディスク装
置１００は、変調回路２１、端子２６、およびスイッチ
ＳＷを除く、磁気ヘッド１１、光学ヘッド１２、外部同
期信号生成回路１３、サーボ回路１４、サーボ機構１
５、スピンドルモータ１６、２値化回路１７、照合器１
８、パターン発生器１９、エラー訂正回路２０、電流制
御信号生成回路２２、制御回路２３、磁気ヘッド駆動回
路２４、およびレーザ駆動回路２５を備える。
【０１１５】なお、上記においては、磁気ヘッド１１の
コイルに流す電流値は小さい電流値から増加させたが、
逆に大きい電流値から減少させても良い。また、一定の
ステップにより電流値を変化させたが、連続的に変化さ
せても良い。
コイルに流す電流値は小さい電流値から増加させたが、
逆に大きい電流値から減少させても良い。また、一定の
ステップにより電流値を変化させたが、連続的に変化さ
せても良い。
【０１１６】したがって、実施の形態１によれば、光磁
気ディスク装置１００は、直流磁界ＨDCの強度を所定の
記録パターンＷＤＫに一致する強度に較正する照合器１
８を備えるので、光磁気記録媒体１０から信号を正確に
磁区拡大再生できる。
気ディスク装置１００は、直流磁界ＨDCの強度を所定の
記録パターンＷＤＫに一致する強度に較正する照合器１
８を備えるので、光磁気記録媒体１０から信号を正確に
磁区拡大再生できる。
【０１１７】[実施の形態２]図１０を参照して、この発
明の実施の形態２による光磁気ディスク装置２００は、
実施の形態１における光磁気ディスク装置１００の照合
器１８を最小エラーレート検出回路２８に代えたもので
ある。そして、光磁気ディスク装置２００においては、
パターン発生器１９は所定の記録パターンＷＤＫを最小
エラーレート検出回路２８へ出力しない。その他は、実
施の形態１における光磁気ディスク装置１００と同じで
ある。
明の実施の形態２による光磁気ディスク装置２００は、
実施の形態１における光磁気ディスク装置１００の照合
器１８を最小エラーレート検出回路２８に代えたもので
ある。そして、光磁気ディスク装置２００においては、
パターン発生器１９は所定の記録パターンＷＤＫを最小
エラーレート検出回路２８へ出力しない。その他は、実
施の形態１における光磁気ディスク装置１００と同じで
ある。
【０１１８】図１１を参照して、最小エラーレート検出
回路２８は、エラー訂正回路２８１と、バッファ２８２
と、比較回路２８３とを備える。エラー訂正回路２８１
は、２値化された再生信号ＲＦＤのエラー訂正を外部同
期信号ＣＬＫに同期して行ない、エラーレートをバッフ
ァ２８２および比較回路２８３へ出力する。バッファ２
８２は、入力したエラーレートを外部同期信号ＣＬＫの
１周期分保持し、比較回路２８３へ出力する。比較回路
２８３は、エラー訂正回路２８１からのエラーレートを
バッファ２８２からのエラーレートと比較し、エラーレ
ートの最小値を検出する。
回路２８は、エラー訂正回路２８１と、バッファ２８２
と、比較回路２８３とを備える。エラー訂正回路２８１
は、２値化された再生信号ＲＦＤのエラー訂正を外部同
期信号ＣＬＫに同期して行ない、エラーレートをバッフ
ァ２８２および比較回路２８３へ出力する。バッファ２
８２は、入力したエラーレートを外部同期信号ＣＬＫの
１周期分保持し、比較回路２８３へ出力する。比較回路
２８３は、エラー訂正回路２８１からのエラーレートを
バッファ２８２からのエラーレートと比較し、エラーレ
ートの最小値を検出する。
【０１１９】実施の形態１において説明したように、磁
気ヘッド１１のコイルに流す電流値を変化させることに
よって強度が変化した直流磁界を光磁気記録媒体１０に
印加して磁区拡大再生を行なったとき、再生信号のエラ
ーレートと印加される直流磁界強度との関係は図１２に
示すようになる。すなわち、直流磁界強度の増加に従っ
て再生信号のエラーレートＥＲは低下し、最小エラーレ
ートＥＲｍｉｎに到達する。さらに、直流磁界強度が増
加するとエラーレートが上昇し始める。したがって、本
発明においては、最小エラーレートになる強度を直流磁
界の最適強度Ｈ DCOPTと決定する。
気ヘッド１１のコイルに流す電流値を変化させることに
よって強度が変化した直流磁界を光磁気記録媒体１０に
印加して磁区拡大再生を行なったとき、再生信号のエラ
ーレートと印加される直流磁界強度との関係は図１２に
示すようになる。すなわち、直流磁界強度の増加に従っ
て再生信号のエラーレートＥＲは低下し、最小エラーレ
ートＥＲｍｉｎに到達する。さらに、直流磁界強度が増
加するとエラーレートが上昇し始める。したがって、本
発明においては、最小エラーレートになる強度を直流磁
界の最適強度Ｈ DCOPTと決定する。
【０１２０】図１１〜１３を参照して、最小エラーレー
ト検出回路２８における直流磁界の最適強度ＨDCOPTの
決定動作について説明する。直流磁界の最適強度Ｈ
DCOPTの決定動作がスタートすると、エラーレートＥＲn
の初期値（１０-3）が設定され、初期値ＥＲnは最小エ
ラーレート検出回路２８のバッファ２８２へ入力される
（ステップＳ１４）。そして、磁気ヘッド１１のコイル
に流される電流値が最小に設定され（ステップＳ１
５）、磁気ヘッド１１は最小強度を有する直流磁界ＨDC
を光磁気記録媒体１０に印加し、光学ヘッド１２は所定
の記録パターンＷＤＫを再生する。光学ヘッド１２は、
光磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力し、２値化回
路１７は、光磁気信号ＲＦＡを２値化して再生信号ＲＦ
Ｄを最小エラーレート検出回路２８へ出力する（ステッ
プＳ１６）。最小エラーレート検出回路２８のエラー訂
正回路２８１は、再生信号ＲＦＤのエラー訂正を行な
い、エラーレートＥＲn+1を検出する（ステップＳ１
７）。そして、エラー訂正回路２８１は、エラーレート
ＥＲn+1をバッファ２８２および比較回路２８３へ出力
する。比較回路２８３は、エラー訂正回路２８１から入
力したエラーレートＥＲn+1をバッファ２８２から読出
されたエラーレートＥＲnと比較する（ステップＳ１
８）。エラーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより小
さいとき、エラーレートＥＲ n+1をエラーレートＥＲnに
置換える（ステップＳ１９）。そして、磁気ヘッド１１
のコイルに流す電流値を１０ｍＡだけ増加させる（ステ
ップＳ２０）。その後、ステップＳ１６，Ｓ１７のプロ
セスを、再度、行なう。そして、ステップＳ１８におい
て、エラーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより大き
いと判別されるまで、ステップＳ１６〜Ｓ２０のループ
が繰返される。つまり、ステップＳ１６〜Ｓ２０のルー
プは、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値を１０ｍＡ
づつ増加させながら、現在設定されている電流値におけ
る再生信号のエラーレートを、１つの前の電流値におけ
る再生信号のエラーレートと比較して最小エラーレート
ＥＲminを検出するループである。
ト検出回路２８における直流磁界の最適強度ＨDCOPTの
決定動作について説明する。直流磁界の最適強度Ｈ
DCOPTの決定動作がスタートすると、エラーレートＥＲn
の初期値（１０-3）が設定され、初期値ＥＲnは最小エ
ラーレート検出回路２８のバッファ２８２へ入力される
（ステップＳ１４）。そして、磁気ヘッド１１のコイル
に流される電流値が最小に設定され（ステップＳ１
５）、磁気ヘッド１１は最小強度を有する直流磁界ＨDC
を光磁気記録媒体１０に印加し、光学ヘッド１２は所定
の記録パターンＷＤＫを再生する。光学ヘッド１２は、
光磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力し、２値化回
路１７は、光磁気信号ＲＦＡを２値化して再生信号ＲＦ
Ｄを最小エラーレート検出回路２８へ出力する（ステッ
プＳ１６）。最小エラーレート検出回路２８のエラー訂
正回路２８１は、再生信号ＲＦＤのエラー訂正を行な
い、エラーレートＥＲn+1を検出する（ステップＳ１
７）。そして、エラー訂正回路２８１は、エラーレート
ＥＲn+1をバッファ２８２および比較回路２８３へ出力
する。比較回路２８３は、エラー訂正回路２８１から入
力したエラーレートＥＲn+1をバッファ２８２から読出
されたエラーレートＥＲnと比較する（ステップＳ１
８）。エラーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより小
さいとき、エラーレートＥＲ n+1をエラーレートＥＲnに
置換える（ステップＳ１９）。そして、磁気ヘッド１１
のコイルに流す電流値を１０ｍＡだけ増加させる（ステ
ップＳ２０）。その後、ステップＳ１６，Ｓ１７のプロ
セスを、再度、行なう。そして、ステップＳ１８におい
て、エラーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより大き
いと判別されるまで、ステップＳ１６〜Ｓ２０のループ
が繰返される。つまり、ステップＳ１６〜Ｓ２０のルー
プは、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値を１０ｍＡ
づつ増加させながら、現在設定されている電流値におけ
る再生信号のエラーレートを、１つの前の電流値におけ
る再生信号のエラーレートと比較して最小エラーレート
ＥＲminを検出するループである。
【０１２１】比較回路２８３は、ステップＳ１８でエラ
ーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより大きいと判別
すると、現在設定されている電流値におけるエラーレー
トより１つ前の電流値におけるエラーレートＥＲnを最
小エラーレートＥＲminとして決定する（ステップＳ２
１）。そして、最小エラーレートＥＲminを実現する直
流磁界の最適強度ＨDCOPT、すなわち、最適電流値が決
定される。
ーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより大きいと判別
すると、現在設定されている電流値におけるエラーレー
トより１つ前の電流値におけるエラーレートＥＲnを最
小エラーレートＥＲminとして決定する（ステップＳ２
１）。そして、最小エラーレートＥＲminを実現する直
流磁界の最適強度ＨDCOPT、すなわち、最適電流値が決
定される。
【０１２２】そして、最小エラーレート検出回路２８３
は、決定した最小エラーレートＥＲ minになる電流値を
電流制御信号生成回路２２へ出力し、直流磁界ＨDCの較
正動作は終了する。その後の動作は、実施の形態１と同
じである。
は、決定した最小エラーレートＥＲ minになる電流値を
電流制御信号生成回路２２へ出力し、直流磁界ＨDCの較
正動作は終了する。その後の動作は、実施の形態１と同
じである。
【０１２３】光磁気ディスク装置２００における最小エ
ラーレート検出回路２８に代えて、図１４に示す最小エ
ラーレート検出回路２８０を用いても良い。最小エラー
レート検出回路２８０は、エラー訂正回路２８１と、バ
ッファ２８２と、最適値検出回路２８４とを備える。エ
ラー訂正回路２８１およびバッファ２８２は、上述した
のと同じ機能を有する。最適値検出回路２８４は、バッ
ファ２８２から最小エラーレートＥＲminを検出し、そ
の最小エラーレートＥＲminを実現する直流磁界ＨDCの
最適強度、すなわち、最適電流値を決定する。つまり、
最小エラーレート検出回路２８０は、磁気ヘッド１１の
コイルに流す電流値を変化させて磁区拡大再生を行なっ
たときの再生信号のエラーレートを全て、一旦、バッフ
ァ２８２に記憶し、その後、バッファ２８２から最小エ
ラーレートＥＲminを検出し、最適電流値を決定するも
のである。
ラーレート検出回路２８に代えて、図１４に示す最小エ
ラーレート検出回路２８０を用いても良い。最小エラー
レート検出回路２８０は、エラー訂正回路２８１と、バ
ッファ２８２と、最適値検出回路２８４とを備える。エ
ラー訂正回路２８１およびバッファ２８２は、上述した
のと同じ機能を有する。最適値検出回路２８４は、バッ
ファ２８２から最小エラーレートＥＲminを検出し、そ
の最小エラーレートＥＲminを実現する直流磁界ＨDCの
最適強度、すなわち、最適電流値を決定する。つまり、
最小エラーレート検出回路２８０は、磁気ヘッド１１の
コイルに流す電流値を変化させて磁区拡大再生を行なっ
たときの再生信号のエラーレートを全て、一旦、バッフ
ァ２８２に記憶し、その後、バッファ２８２から最小エ
ラーレートＥＲminを検出し、最適電流値を決定するも
のである。
【０１２４】図１５を参照して、最小エラーレート検出
回路２８０における最適電流値の決定動作について説明
する。決定動作がスタートすると、磁気ヘッド１１のコ
イルに流す電流値が最小値に設定され（ステップＳ２
２）、最小強度を有する直流磁界ＨDCが光磁気記録媒体
１０に印加されて信号が磁区拡大再生される（ステップ
Ｓ２３）。そして、エラー訂正回路２８１は、再生信号
のエラーレートを検出し、バッファ２８２に記憶する
（ステップＳ２４）。その後、電流値が最大電流値に達
したか否かが判別され（ステップＳ２５）、最大電流値
に達していないとき、磁気ヘッド１１のコイルに流す電
流値を１０ｍＡだけ増加させる（ステップＳ２６）。そ
して、ステップＳ２３，Ｓ２４のプロセスが、再度、実
行される。そして、ステップＳ２５において、磁気ヘッ
ド１１のコイルに流されている電流値が最大電流値であ
ると判別されるまで、ステップＳ２３〜Ｓ２６のループ
が繰返される。つまり、ステップＳ２３〜２６のループ
は、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値を１０ｍＡづ
つ増加させながら、変化させる範囲内の全ての電流値に
対して再生信号のエラーレートを検出するループであ
る。
回路２８０における最適電流値の決定動作について説明
する。決定動作がスタートすると、磁気ヘッド１１のコ
イルに流す電流値が最小値に設定され（ステップＳ２
２）、最小強度を有する直流磁界ＨDCが光磁気記録媒体
１０に印加されて信号が磁区拡大再生される（ステップ
Ｓ２３）。そして、エラー訂正回路２８１は、再生信号
のエラーレートを検出し、バッファ２８２に記憶する
（ステップＳ２４）。その後、電流値が最大電流値に達
したか否かが判別され（ステップＳ２５）、最大電流値
に達していないとき、磁気ヘッド１１のコイルに流す電
流値を１０ｍＡだけ増加させる（ステップＳ２６）。そ
して、ステップＳ２３，Ｓ２４のプロセスが、再度、実
行される。そして、ステップＳ２５において、磁気ヘッ
ド１１のコイルに流されている電流値が最大電流値であ
ると判別されるまで、ステップＳ２３〜Ｓ２６のループ
が繰返される。つまり、ステップＳ２３〜２６のループ
は、磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値を１０ｍＡづ
つ増加させながら、変化させる範囲内の全ての電流値に
対して再生信号のエラーレートを検出するループであ
る。
【０１２５】最小値検出回路２８４は、ステップＳ２５
で磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値が最大値に達し
たと判別されると、バッファ２８２から全てのエラーレ
ートを読出し、その読出したエラーレートから最小エラ
ーレートＥＲminを決定する（ステップＳ２７）。そし
て、最小エラーレートＥＲminを実現する直流磁界の最
適強度ＨDCOPT、すなわち、最適電流値が決定される。
で磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値が最大値に達し
たと判別されると、バッファ２８２から全てのエラーレ
ートを読出し、その読出したエラーレートから最小エラ
ーレートＥＲminを決定する（ステップＳ２７）。そし
て、最小エラーレートＥＲminを実現する直流磁界の最
適強度ＨDCOPT、すなわち、最適電流値が決定される。
【０１２６】そして、最適値検出回路２８４は、決定し
た最小エラーレートＥＲminになる電流値を電流制御信
号生成回路２２へ出力し、直流磁界ＨDCの較正動作は終
了する。その後の動作は、実施の形態１と同じである。
た最小エラーレートＥＲminになる電流値を電流制御信
号生成回路２２へ出力し、直流磁界ＨDCの較正動作は終
了する。その後の動作は、実施の形態１と同じである。
【０１２７】なお、上記においては、直流磁界の強度を
変化させるとき、小さい電流値から大きい電流値へ変化
させたが、大きい電流値から小さい電流値へ変化させて
も良い。
変化させるとき、小さい電流値から大きい電流値へ変化
させたが、大きい電流値から小さい電流値へ変化させて
も良い。
【０１２８】光磁気ディスク装置２００における所定の
記録パターンＷＤＫ、および記録信号ＷＤの光磁気記録
媒体１０への記録動作、および光磁気記録媒体１０から
の直流磁界ＨDCを用いた磁区拡大再生の動作は、実施の
形態１における説明と同じである。また、光磁気ディス
ク装置２００は、光磁気記録媒体１０に所定の記録パタ
ーンが記録されているときは、実施の形態１において説
明したのと同じように再生装置として機能させることが
できる。
記録パターンＷＤＫ、および記録信号ＷＤの光磁気記録
媒体１０への記録動作、および光磁気記録媒体１０から
の直流磁界ＨDCを用いた磁区拡大再生の動作は、実施の
形態１における説明と同じである。また、光磁気ディス
ク装置２００は、光磁気記録媒体１０に所定の記録パタ
ーンが記録されているときは、実施の形態１において説
明したのと同じように再生装置として機能させることが
できる。
【０１２９】光磁気ディスク装置２００においても、所
定の記録パターンＷＤＫが記録されていない光磁気記録
媒体１０が光磁気ディスク装置２００に装着されたと
き、磁気ヘッド１１は所定の記録パターンＷＤＫによっ
て変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に印加して
所定の記録パターンＷＤＫを記録した後に、磁気ヘッド
１１のコイルに流す電流値を変化させて直流磁界の強度
を最適化し、最適化した強度を有する直流磁界を光磁気
記録媒体１０に印加して磁区拡大再生を行なう。
定の記録パターンＷＤＫが記録されていない光磁気記録
媒体１０が光磁気ディスク装置２００に装着されたと
き、磁気ヘッド１１は所定の記録パターンＷＤＫによっ
て変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に印加して
所定の記録パターンＷＤＫを記録した後に、磁気ヘッド
１１のコイルに流す電流値を変化させて直流磁界の強度
を最適化し、最適化した強度を有する直流磁界を光磁気
記録媒体１０に印加して磁区拡大再生を行なう。
【０１３０】なお、上記においては直流磁界の強度を較
正するのみ用いる記録パターンは、特定パターンである
として説明したが、本発明においては、これに限らず、
通常の記録データを用いても良い。
正するのみ用いる記録パターンは、特定パターンである
として説明したが、本発明においては、これに限らず、
通常の記録データを用いても良い。
【０１３１】したがって、この実施の形態２によれば、
光磁気ディスク装置２００は、直流磁界ＨDCの強度を再
生信号のエラーレートが最小となる強度に較正する最小
エラーレート検出回路２８，２８０を備えるので、光磁
気記録媒体１０から信号を正確に磁区拡大再生できる。
光磁気ディスク装置２００は、直流磁界ＨDCの強度を再
生信号のエラーレートが最小となる強度に較正する最小
エラーレート検出回路２８，２８０を備えるので、光磁
気記録媒体１０から信号を正確に磁区拡大再生できる。
【０１３２】[実施の形態３]図１６を参照して、実施の
形態３による光磁気ディスク装置３００は、実施の形態
１における光磁気ディスク装置１００に磁気ヘッド１１
０と、位置制御装置１２０と、磁気ヘッド駆動回路１３
０と、定電流回路１４０とを追加したものである。
形態３による光磁気ディスク装置３００は、実施の形態
１における光磁気ディスク装置１００に磁気ヘッド１１
０と、位置制御装置１２０と、磁気ヘッド駆動回路１３
０と、定電流回路１４０とを追加したものである。
【０１３３】磁気ヘッド１１０は、光磁気記録媒体１０
からの信号の再生時、磁気ヘッド１１のコアを介して直
流磁界ＨDCを光磁気記録媒体１０に印加する。位置制御
装置１２０は、後述する方法によって磁気ヘッド１１０
の位置を光磁気記録媒体１０の法線方向に変化させ、後
述する方法によって決定された好適な位置または最適位
置に保持する。磁気ヘッド駆動回路１３０は、定電流回
路１４０からの電流値に基づいて、直流磁界ＨDCを発生
するように磁気ヘッド１１０を駆動する。定電流回路１
４０は、磁気ヘッド１１０のコイルに流す電流値を一定
値に制御する。
からの信号の再生時、磁気ヘッド１１のコアを介して直
流磁界ＨDCを光磁気記録媒体１０に印加する。位置制御
装置１２０は、後述する方法によって磁気ヘッド１１０
の位置を光磁気記録媒体１０の法線方向に変化させ、後
述する方法によって決定された好適な位置または最適位
置に保持する。磁気ヘッド駆動回路１３０は、定電流回
路１４０からの電流値に基づいて、直流磁界ＨDCを発生
するように磁気ヘッド１１０を駆動する。定電流回路１
４０は、磁気ヘッド１１０のコイルに流す電流値を一定
値に制御する。
【０１３４】光磁気ディスク装置３００は、磁気ヘッド
１１０を光磁気記録媒体１０の法線方向ＤＲ２に移動さ
せることによって光磁気記録媒体１０に印加する直流磁
界Ｈ DCの強度を変化させて直流磁界ＨDCの強度を較正す
る。磁気ヘッド１１０のコアの下面と光磁気記録媒体１
０との距離Ｌ１は２．５〜１４ｍｍの範囲で変化させら
れる。また、法線方向ＤＲ２の磁気ヘッド１１の距離Ｌ
２は１〜２ｍｍである。
１１０を光磁気記録媒体１０の法線方向ＤＲ２に移動さ
せることによって光磁気記録媒体１０に印加する直流磁
界Ｈ DCの強度を変化させて直流磁界ＨDCの強度を較正す
る。磁気ヘッド１１０のコアの下面と光磁気記録媒体１
０との距離Ｌ１は２．５〜１４ｍｍの範囲で変化させら
れる。また、法線方向ＤＲ２の磁気ヘッド１１の距離Ｌ
２は１〜２ｍｍである。
【０１３５】図１７を参照して、磁気ヘッド１１はコア
１１３と、コア１１３に巻回されたコイル１１４とを備
え、コア１１３はフェライト等の磁性体から成る。ま
た、磁気ヘッド１１０は、コア１１１と、コア１１１に
巻回されたコイル１１２とから成り、コア１１１はフェ
ライト等の磁性体から成る。コア１１１の底面１１５は
１ｍｍ角または１ｍｍφの大きさを有し、コア１１３の
底面１１６は２００μｍ角または２００μｍφの大きさ
を有する。磁気ヘッド１１は、磁気ヘッド１１０と光磁
気記録媒体１０との間に配置されるため、磁気ヘッド１
１０からの直流磁界ＨDCは磁気ヘッド１１のコア１１３
を介して光磁気記録媒体１０に印加される。すなわち、
磁気ヘッド１１０から発した直流磁界ＨDCは磁気ヘッド
１１のコア１１３に入り、コア１１３によって強度を強
められて直流磁界ＨDCFとしてコア１１３から出射し、
光磁気記録媒体１０に印加される。コア１１３が存在す
ることによって直流磁界ＨDCは、コア１１３が存在しな
い場合に比べ２〜３倍に強度が強められる。したがっ
て、光磁気記録媒体１０に印加される直流磁界の強度と
は、実施の形態３においては、厳密には直流磁界ＨDCF
の強度を言い、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０
との距離Ｌ１を２．５〜１４ｍｍの範囲で変化させたと
き、直流磁界ＨDCFの強度が０．８〜２４ｋＡ／ｍの範
囲で変化できるように磁気ヘッド１１のコア１１３の材
質、および磁気ヘッド１１０から出射される直流磁界の
強度ＨDCが決定される。磁気ヘッド１１０から出射され
る直流磁界ＨDCの強度、および磁気ヘッド１１のコア１
１３を構成する磁性体の透磁率を用いれば、直流磁界Ｈ
DCFの強度を容易に計算できる。
１１３と、コア１１３に巻回されたコイル１１４とを備
え、コア１１３はフェライト等の磁性体から成る。ま
た、磁気ヘッド１１０は、コア１１１と、コア１１１に
巻回されたコイル１１２とから成り、コア１１１はフェ
ライト等の磁性体から成る。コア１１１の底面１１５は
１ｍｍ角または１ｍｍφの大きさを有し、コア１１３の
底面１１６は２００μｍ角または２００μｍφの大きさ
を有する。磁気ヘッド１１は、磁気ヘッド１１０と光磁
気記録媒体１０との間に配置されるため、磁気ヘッド１
１０からの直流磁界ＨDCは磁気ヘッド１１のコア１１３
を介して光磁気記録媒体１０に印加される。すなわち、
磁気ヘッド１１０から発した直流磁界ＨDCは磁気ヘッド
１１のコア１１３に入り、コア１１３によって強度を強
められて直流磁界ＨDCFとしてコア１１３から出射し、
光磁気記録媒体１０に印加される。コア１１３が存在す
ることによって直流磁界ＨDCは、コア１１３が存在しな
い場合に比べ２〜３倍に強度が強められる。したがっ
て、光磁気記録媒体１０に印加される直流磁界の強度と
は、実施の形態３においては、厳密には直流磁界ＨDCF
の強度を言い、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０
との距離Ｌ１を２．５〜１４ｍｍの範囲で変化させたと
き、直流磁界ＨDCFの強度が０．８〜２４ｋＡ／ｍの範
囲で変化できるように磁気ヘッド１１のコア１１３の材
質、および磁気ヘッド１１０から出射される直流磁界の
強度ＨDCが決定される。磁気ヘッド１１０から出射され
る直流磁界ＨDCの強度、および磁気ヘッド１１のコア１
１３を構成する磁性体の透磁率を用いれば、直流磁界Ｈ
DCFの強度を容易に計算できる。
【０１３６】今後、さらなる高密度化を考慮すれば、コ
アのサイズを５０μｍ角程度に小さくし、コイル１１４
に流す電流を５０ＭＨｚ程度の高周波数で切替えること
が考えられる。その場合には、小さいサイズのコアによ
って直流磁界ＨDCの強度が強くなる程度も異なるため、
その場合にも小さいサイズのコアによって直流磁界Ｈ DC
の強度が強くなる程度を考慮して、磁気ヘッド１１０と
光磁気記録媒体１０との距離Ｌ１を２．５〜１４ｍｍの
範囲で変化させたとき、直流磁界ＨDCFの強度が０．８
〜２４ｋＡ／ｍの範囲で変化できるように磁気ヘッド１
１のコア１１３の材質、および磁気ヘッド１１０から出
射される直流磁界の強度ＨDCが決定される。
アのサイズを５０μｍ角程度に小さくし、コイル１１４
に流す電流を５０ＭＨｚ程度の高周波数で切替えること
が考えられる。その場合には、小さいサイズのコアによ
って直流磁界ＨDCの強度が強くなる程度も異なるため、
その場合にも小さいサイズのコアによって直流磁界Ｈ DC
の強度が強くなる程度を考慮して、磁気ヘッド１１０と
光磁気記録媒体１０との距離Ｌ１を２．５〜１４ｍｍの
範囲で変化させたとき、直流磁界ＨDCFの強度が０．８
〜２４ｋＡ／ｍの範囲で変化できるように磁気ヘッド１
１のコア１１３の材質、および磁気ヘッド１１０から出
射される直流磁界の強度ＨDCが決定される。
【０１３７】また、図１８を参照して、コアの端面形状
が異なる磁気ヘッドについて説明する。図１８の（ａ）
に示す磁気ヘッド１１Ａは、コア１１７と、コア１１７
に巻回されたコイル１１４とを備える。コア１１７は、
一方端に傾斜面１１８，１１９が形成され、２つの傾斜
面１１８，１１９はコア１１７の断面形状が光磁気記録
媒体１０の方向に尖った形状になるように形成される。
この場合、コア１１７からの磁界は傾斜面１１８，１１
９から出射され、端面が平坦であるコア１１３の場合と
異なる磁界強度になる。
が異なる磁気ヘッドについて説明する。図１８の（ａ）
に示す磁気ヘッド１１Ａは、コア１１７と、コア１１７
に巻回されたコイル１１４とを備える。コア１１７は、
一方端に傾斜面１１８，１１９が形成され、２つの傾斜
面１１８，１１９はコア１１７の断面形状が光磁気記録
媒体１０の方向に尖った形状になるように形成される。
この場合、コア１１７からの磁界は傾斜面１１８，１１
９から出射され、端面が平坦であるコア１１３の場合と
異なる磁界強度になる。
【０１３８】また、図１８の（ｂ）に示す磁気ヘッド１
１Ｂは、コア１２１と、コア１２１に巻回されたコイル
１１４とを備える。コア１２１は、一方端に１つの傾斜
面１２２が形成され、コア１２１からの磁界は傾斜面１
２２から出射される。そして、出射される磁界強度は、
端面が平坦であるコア１１３の場合と異なる磁界強度に
なる。なお、傾斜面１２２の傾斜の方向は逆であっても
良い。
１Ｂは、コア１２１と、コア１２１に巻回されたコイル
１１４とを備える。コア１２１は、一方端に１つの傾斜
面１２２が形成され、コア１２１からの磁界は傾斜面１
２２から出射される。そして、出射される磁界強度は、
端面が平坦であるコア１１３の場合と異なる磁界強度に
なる。なお、傾斜面１２２の傾斜の方向は逆であっても
良い。
【０１３９】さらに、図１８の（ｃ）に示す磁気ヘッド
１１Ｃは、コア１２３と、コア１２３に巻回されたコイ
ル１１４とを備える。コア１２３は、一方端に１つの平
坦面１２４と１つの傾斜面１２５が形成され、コア１２
３からの磁界は平坦面１２４と傾斜面１２５とから出射
される。そして、出射される磁界強度は、端面が平坦で
あるコア１１３の場合と異なる磁界強度になる。傾斜面
１２５の傾斜の方向は逆であっても良い。
１１Ｃは、コア１２３と、コア１２３に巻回されたコイ
ル１１４とを備える。コア１２３は、一方端に１つの平
坦面１２４と１つの傾斜面１２５が形成され、コア１２
３からの磁界は平坦面１２４と傾斜面１２５とから出射
される。そして、出射される磁界強度は、端面が平坦で
あるコア１１３の場合と異なる磁界強度になる。傾斜面
１２５の傾斜の方向は逆であっても良い。
【０１４０】磁気ヘッド１１に代えて磁気ヘッド１１
Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが用いられた場合も、コア１１７，
１２１，１２３によって直流磁界ＨDCの強度が強くなる
程度を考慮して、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１
０との距離Ｌ１を２．５〜１４ｍｍの範囲で変化させた
とき、直流磁界ＨDCFの強度が０．８〜２４ｋＡ／ｍの
範囲で変化できるように磁気ヘッド１１Ａ，１１Ｂ，１
１Ｃのコア１１７，１２１，１２３の材質、および磁気
ヘッド１１０から出射される直流磁界の強度ＨDCが決定
される。
Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが用いられた場合も、コア１１７，
１２１，１２３によって直流磁界ＨDCの強度が強くなる
程度を考慮して、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１
０との距離Ｌ１を２．５〜１４ｍｍの範囲で変化させた
とき、直流磁界ＨDCFの強度が０．８〜２４ｋＡ／ｍの
範囲で変化できるように磁気ヘッド１１Ａ，１１Ｂ，１
１Ｃのコア１１７，１２１，１２３の材質、および磁気
ヘッド１１０から出射される直流磁界の強度ＨDCが決定
される。
【０１４１】したがって、本発明においては、交番磁界
を発生させる磁気ヘッドのサイズ、および光磁気記録媒
体１０に対向するコアの形状を考慮して光磁気記録媒体
１０に印加される直流磁界の強度が決定される。
を発生させる磁気ヘッドのサイズ、および光磁気記録媒
体１０に対向するコアの形状を考慮して光磁気記録媒体
１０に印加される直流磁界の強度が決定される。
【０１４２】図１９を参照して、位置制御装置１２０
は、永久磁石１２０１，１２０２と、コイル１２０３と
を備える。コイル１２０３は、永久磁石１２０２に巻回
されており、光磁気記録媒体１０の法線方向ＤＲ２に移
動可能になっている。磁気ヘッド１１０は、コイル１２
０３に接続されている。したがって、コイル１２０３が
法線方向ＤＲ２に移動することによって磁気ヘッド１１
０も法線方向ＤＲ２に移動可能である。つまり、永久磁
石１２０１と永久磁石１２０２との間には、永久磁石１
２０１から永久磁石１２０２に向かう直流磁界が存在す
る。そして、コイル１２０３に矢印１２０４で示す方向
の電流を流すとコイル１２０３にローレンツ力１２０６
が作用し、コイル１２０３および磁気ヘッド１１０は光
磁気記録媒体１０に近づく。また、コイル１２０３に矢
印１２０５で示す方向の電流を流すとコイル１２０３に
ローレンツ力１２０７が作用し、コイル１２０３および
磁気ヘッド１１０は光磁気記録媒体１０から遠ざかる。
そして、コイル１２０３に流す電流値を制御することに
よって磁気ヘッド１１０を任意の位置で保持することが
できる。
は、永久磁石１２０１，１２０２と、コイル１２０３と
を備える。コイル１２０３は、永久磁石１２０２に巻回
されており、光磁気記録媒体１０の法線方向ＤＲ２に移
動可能になっている。磁気ヘッド１１０は、コイル１２
０３に接続されている。したがって、コイル１２０３が
法線方向ＤＲ２に移動することによって磁気ヘッド１１
０も法線方向ＤＲ２に移動可能である。つまり、永久磁
石１２０１と永久磁石１２０２との間には、永久磁石１
２０１から永久磁石１２０２に向かう直流磁界が存在す
る。そして、コイル１２０３に矢印１２０４で示す方向
の電流を流すとコイル１２０３にローレンツ力１２０６
が作用し、コイル１２０３および磁気ヘッド１１０は光
磁気記録媒体１０に近づく。また、コイル１２０３に矢
印１２０５で示す方向の電流を流すとコイル１２０３に
ローレンツ力１２０７が作用し、コイル１２０３および
磁気ヘッド１１０は光磁気記録媒体１０から遠ざかる。
そして、コイル１２０３に流す電流値を制御することに
よって磁気ヘッド１１０を任意の位置で保持することが
できる。
【０１４３】再び、図１６を参照して、磁気ヘッド１１
０を位置制御装置１２０によって光磁気記録媒体１０の
法線方向ＤＲ２に移動させ、距離Ｌ１を２．５〜１４ｍ
ｍの範囲内で変化させる。その場合、変化させるステッ
プは、直流磁界ＨDCFが０．４ｋＡ／ｍだけ変化する距
離である。直流磁界ＨDCFの強度は、距離Ｌ１の２乗に
反比例して変化する。したがって、直流磁界ＨDCFが
０．４ｋＡ／ｍだけ変化する距離は、磁気ヘッド１１０
がどの位置に存在するかによって異なる。磁気ヘッド１
１０が最も光磁気記録媒体１０に近づいたとき、すなわ
ち、距離Ｌ１が２．５ｍｍのとき、光磁気記録媒体１０
に印加される直流磁界ＨDCFの強度は２４ｋＡ／ｍであ
り、磁気ヘッド１１０が光磁気記録媒体１０から最も遠
ざかったとき、すなわち、距離Ｌ１が１４ｍｍのとき、
光磁気記録媒体１０に印加される直流磁界ＨDCFの強度
は０．８ｋＡ／ｍである。磁気ヘッド１２０を法線方向
に移動させるとき、磁気ヘッド駆動回路１３０は定電流
回路１４０からの制御に基づいて磁気ヘッド１１０のコ
イル１１２に１００ｍＡの電流を流し、距離Ｌ１が４．
６ｍｍのとき直流磁界ＨDCFの強度が７ｋＡ／ｍになる
よう磁気ヘッド１１０を駆動する。そして、コイル１１
２に流す電流値１００ｍＡは、磁気ヘッド１１０を法線
方向ＤＲ２に移動させても変化しない。
０を位置制御装置１２０によって光磁気記録媒体１０の
法線方向ＤＲ２に移動させ、距離Ｌ１を２．５〜１４ｍ
ｍの範囲内で変化させる。その場合、変化させるステッ
プは、直流磁界ＨDCFが０．４ｋＡ／ｍだけ変化する距
離である。直流磁界ＨDCFの強度は、距離Ｌ１の２乗に
反比例して変化する。したがって、直流磁界ＨDCFが
０．４ｋＡ／ｍだけ変化する距離は、磁気ヘッド１１０
がどの位置に存在するかによって異なる。磁気ヘッド１
１０が最も光磁気記録媒体１０に近づいたとき、すなわ
ち、距離Ｌ１が２．５ｍｍのとき、光磁気記録媒体１０
に印加される直流磁界ＨDCFの強度は２４ｋＡ／ｍであ
り、磁気ヘッド１１０が光磁気記録媒体１０から最も遠
ざかったとき、すなわち、距離Ｌ１が１４ｍｍのとき、
光磁気記録媒体１０に印加される直流磁界ＨDCFの強度
は０．８ｋＡ／ｍである。磁気ヘッド１２０を法線方向
に移動させるとき、磁気ヘッド駆動回路１３０は定電流
回路１４０からの制御に基づいて磁気ヘッド１１０のコ
イル１１２に１００ｍＡの電流を流し、距離Ｌ１が４．
６ｍｍのとき直流磁界ＨDCFの強度が７ｋＡ／ｍになる
よう磁気ヘッド１１０を駆動する。そして、コイル１１
２に流す電流値１００ｍＡは、磁気ヘッド１１０を法線
方向ＤＲ２に移動させても変化しない。
【０１４４】位置制御装置１２０によって磁気ヘッド１
１０を光磁気記録媒体１０の法線方向ＤＲ２に移動さ
せ、直流磁界ＨDCFの強度を０．８〜２４ｋＡ／ｍの範
囲で変化させて磁区拡大再生を行なう。そして、光学ヘ
ッド１２は、光磁気信号ＲＦＡを検出し、光磁気信号を
２値化回路１７へ出力する。２値化回路１７は、光磁気
信号ＲＦＡを２値化して再生信号ＲＦＤを照合器１８へ
出力する。照合器１８は、２値化回路１７から入力した
再生信号ＲＦＤをパターン発生器１９からの所定の記録
パターンＷＤＫと照合し、再生信号ＲＦＤが所定の記録
パターンＷＤＫに一致する最適な位置を決定する。照合
器１８において、再生信号ＲＦＤが所定の記録パターン
ＷＤＫに一致する最適な位置を決定する方法は、基本的
に実施の形態１において説明した方法と同じである。す
なわち、図８において、横軸の直流磁界強度を変化させ
るのは、磁気ヘッド１１０のコイル１１２に流す電流値
ではなく、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との
距離Ｌ１である。距離Ｌ１が１４ｍｍのとき直流磁界強
度は最小値０．８ｋＡ／ｍとなり、距離Ｌ１が２．５ｍ
ｍのとき直流磁界強度は最大値２４ｋＡ／ｍとなる。し
たがって、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との
距離Ｌ１を１４ｍｍから減少させるに従って光磁気記録
媒体１０に印加される直流磁界ＨDCFの強度は強くな
り、直流磁界ＨDCFの強度が４ｋＡ／ｍになると、再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致する。こ
の場合、直流磁界ＨDCFの強度が４ｋＡ／ｍ（図８の直
流磁界強度Ａ）となる距離Ｌ１は６．１ｍｍである。さ
らに、距離Ｌ１が減少すると直流磁界ＨDCFの強度がさ
らに強くなり、直流磁界ＨDCFの強度が１０ｋＡ／ｍ
（図８の直流磁界強度Ｂ）になると、再生信号ＲＦＤが
所定の記録パターンＷＤＫと不一致になる。この場合、
直流磁界ＨDCFの強度が１０ｋＡ／ｍとなる距離Ｌ１
は、３．９ｍｍである。
１０を光磁気記録媒体１０の法線方向ＤＲ２に移動さ
せ、直流磁界ＨDCFの強度を０．８〜２４ｋＡ／ｍの範
囲で変化させて磁区拡大再生を行なう。そして、光学ヘ
ッド１２は、光磁気信号ＲＦＡを検出し、光磁気信号を
２値化回路１７へ出力する。２値化回路１７は、光磁気
信号ＲＦＡを２値化して再生信号ＲＦＤを照合器１８へ
出力する。照合器１８は、２値化回路１７から入力した
再生信号ＲＦＤをパターン発生器１９からの所定の記録
パターンＷＤＫと照合し、再生信号ＲＦＤが所定の記録
パターンＷＤＫに一致する最適な位置を決定する。照合
器１８において、再生信号ＲＦＤが所定の記録パターン
ＷＤＫに一致する最適な位置を決定する方法は、基本的
に実施の形態１において説明した方法と同じである。す
なわち、図８において、横軸の直流磁界強度を変化させ
るのは、磁気ヘッド１１０のコイル１１２に流す電流値
ではなく、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との
距離Ｌ１である。距離Ｌ１が１４ｍｍのとき直流磁界強
度は最小値０．８ｋＡ／ｍとなり、距離Ｌ１が２．５ｍ
ｍのとき直流磁界強度は最大値２４ｋＡ／ｍとなる。し
たがって、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との
距離Ｌ１を１４ｍｍから減少させるに従って光磁気記録
媒体１０に印加される直流磁界ＨDCFの強度は強くな
り、直流磁界ＨDCFの強度が４ｋＡ／ｍになると、再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致する。こ
の場合、直流磁界ＨDCFの強度が４ｋＡ／ｍ（図８の直
流磁界強度Ａ）となる距離Ｌ１は６．１ｍｍである。さ
らに、距離Ｌ１が減少すると直流磁界ＨDCFの強度がさ
らに強くなり、直流磁界ＨDCFの強度が１０ｋＡ／ｍ
（図８の直流磁界強度Ｂ）になると、再生信号ＲＦＤが
所定の記録パターンＷＤＫと不一致になる。この場合、
直流磁界ＨDCFの強度が１０ｋＡ／ｍとなる距離Ｌ１
は、３．９ｍｍである。
【０１４５】したがって、照合器１８のコントローラ１
８２は、直流磁界ＨDCFの強度が４ｋＡ／ｍとなる距離
Ｌ１Aと、直流磁界ＨDCFの強度が１０ｋＡ／ｍとなる距
離Ｌ１Bとを内蔵したバッファメモリ（図示せず）に外
部同期信号ＣＬＫに同期して記憶する。そして、コント
ローラ１８２は、バッファメモリから距離Ｌ１Aと距離
Ｌ１Bとを読出し、距離Ｌ１Aと距離Ｌ１Bとの平均値Ｌ
１Cを最適距離として決定する。コントローラ１８２
は、決定した最適距離Ｌ１Cを位置制御装置１２０へ出
力する。位置制御装置１２０は、入力した最適距離Ｌ１
Cに磁気ヘッド１１０を保持する。これによって、直流
磁界ＨDCFの強度は最適化される。
８２は、直流磁界ＨDCFの強度が４ｋＡ／ｍとなる距離
Ｌ１Aと、直流磁界ＨDCFの強度が１０ｋＡ／ｍとなる距
離Ｌ１Bとを内蔵したバッファメモリ（図示せず）に外
部同期信号ＣＬＫに同期して記憶する。そして、コント
ローラ１８２は、バッファメモリから距離Ｌ１Aと距離
Ｌ１Bとを読出し、距離Ｌ１Aと距離Ｌ１Bとの平均値Ｌ
１Cを最適距離として決定する。コントローラ１８２
は、決定した最適距離Ｌ１Cを位置制御装置１２０へ出
力する。位置制御装置１２０は、入力した最適距離Ｌ１
Cに磁気ヘッド１１０を保持する。これによって、直流
磁界ＨDCFの強度は最適化される。
【０１４６】図２０を参照して、照合器１８における最
適位置の決定動作について説明する。動作がスタートす
ると、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との距離
Ｌ１は最大（Ｌ１max）に設定される（ステップＳ２
８）。すなわち、直流磁界ＨDCの強度が最小値に設定さ
れる。そして、フリップ・フロップ１８１がリセットさ
れ（ステップＳ２９）、最小強度を有する直流磁界ＨDC
が光磁気記録媒体１０に印加され、光磁気記録媒体１０
から所定の記録パターンＷＤＫが磁区拡大再生される
（ステップＳ３０）。再生された再生信号ＲＦＤは上述
した方法によって所定の記録パターンＷＤＫと一致する
か否かが判別され（ステップＳ３１）、不一致であれ
ば、直流磁界ＨDCFの強度が０．４ｋＡ／ｍ、強くなる
距離ΔＬｎだけ磁気ヘッド１１０を降下させる（ステッ
プＳ３２）。そして、上述したステップＳ２９〜Ｓ３２
を再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致す
るまで行なう。つまり、ステップＳ２９〜Ｓ３２のルー
プは、図８に示す直流磁界強度Ａを検出する動作を実行
するループである。そして、ステップＳ３１で再生信号
ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致すれば、直流
磁界強度Ａを実現する距離Ｌ１Aをコントローラ１８２
はバッファメモリに記憶する（ステップＳ３３）。
適位置の決定動作について説明する。動作がスタートす
ると、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との距離
Ｌ１は最大（Ｌ１max）に設定される（ステップＳ２
８）。すなわち、直流磁界ＨDCの強度が最小値に設定さ
れる。そして、フリップ・フロップ１８１がリセットさ
れ（ステップＳ２９）、最小強度を有する直流磁界ＨDC
が光磁気記録媒体１０に印加され、光磁気記録媒体１０
から所定の記録パターンＷＤＫが磁区拡大再生される
（ステップＳ３０）。再生された再生信号ＲＦＤは上述
した方法によって所定の記録パターンＷＤＫと一致する
か否かが判別され（ステップＳ３１）、不一致であれ
ば、直流磁界ＨDCFの強度が０．４ｋＡ／ｍ、強くなる
距離ΔＬｎだけ磁気ヘッド１１０を降下させる（ステッ
プＳ３２）。そして、上述したステップＳ２９〜Ｓ３２
を再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致す
るまで行なう。つまり、ステップＳ２９〜Ｓ３２のルー
プは、図８に示す直流磁界強度Ａを検出する動作を実行
するループである。そして、ステップＳ３１で再生信号
ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致すれば、直流
磁界強度Ａを実現する距離Ｌ１Aをコントローラ１８２
はバッファメモリに記憶する（ステップＳ３３）。
【０１４７】そして、フリップ・フロップ１８１を再度
リセットし（ステップＳ３４）、磁気ヘッド１１０と光
磁気記録媒体１０との距離をＬ１Aに設定して光磁気記
録媒体１０から磁区拡大再生を行ない（ステップＳ３
５）、再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫと一
致するか否かを判別する（ステップＳ３６）。判別結果
が一致のとき、直流磁界ＨDCFの強度が０．４ｋＡ／
ｍ、強くなる距離ΔＬｎだけ磁気ヘッド１１０を降下さ
せ（ステップＳ３７）、ステップＳ３４〜Ｓ３７を再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫと不一致になる
まで行なう。つまり、ステップＳ３４〜Ｓ３７のループ
は、図８に示す直流磁界強度Ｂを検出する動作を実行す
るループである。そして、ステップＳ３６で再生信号Ｒ
ＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに不一致になれば、直
流磁界強度Ｂを実現する距離Ｌ１Bをコントローラ１８
２はバッファメモリに記憶する（ステップＳ３８）。そ
して、コントローラ１８２は記憶した距離Ｌ１Aと距離
Ｌ１Bとをバッファメモリから読出し、距離Ｌ１Aと距離
Ｌ１Bとの平均値Ｌ１Cを演算する（ステップＳ３９）。
その後、最適位置を距離Ｌ１Cに設定し（ステップＳ４
０）、照合器１８における最適位置の決定動作は終了す
る。
リセットし（ステップＳ３４）、磁気ヘッド１１０と光
磁気記録媒体１０との距離をＬ１Aに設定して光磁気記
録媒体１０から磁区拡大再生を行ない（ステップＳ３
５）、再生信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫと一
致するか否かを判別する（ステップＳ３６）。判別結果
が一致のとき、直流磁界ＨDCFの強度が０．４ｋＡ／
ｍ、強くなる距離ΔＬｎだけ磁気ヘッド１１０を降下さ
せ（ステップＳ３７）、ステップＳ３４〜Ｓ３７を再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫと不一致になる
まで行なう。つまり、ステップＳ３４〜Ｓ３７のループ
は、図８に示す直流磁界強度Ｂを検出する動作を実行す
るループである。そして、ステップＳ３６で再生信号Ｒ
ＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに不一致になれば、直
流磁界強度Ｂを実現する距離Ｌ１Bをコントローラ１８
２はバッファメモリに記憶する（ステップＳ３８）。そ
して、コントローラ１８２は記憶した距離Ｌ１Aと距離
Ｌ１Bとをバッファメモリから読出し、距離Ｌ１Aと距離
Ｌ１Bとの平均値Ｌ１Cを演算する（ステップＳ３９）。
その後、最適位置を距離Ｌ１Cに設定し（ステップＳ４
０）、照合器１８における最適位置の決定動作は終了す
る。
【０１４８】なお、ステップＳ３９，Ｓ４０は、直流磁
界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を演算することに
よって直流磁界ＨDCFの最適強度Ｃを決定するプロセス
である。直流磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を
相加平均により演算し、最適強度Ｃを決定した場合、最
適距離ＩCは、（直流磁界強度Ａを実現する距離＋直流
磁界強度Ｂを実現する距離）／２ではなく、（直流磁界
強度Ａ＋直流磁界強度Ｂ）／２＝最適強度Ｃを演算し、
この最適強度Ｃを実現する距離となる。したがって、相
加平均により求めた最適距離ＩCは、（４＋１０）／２
＝７ｋＡ／ｍ→４．６ｍｍとなる。これに対して、直流
磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を相乗平均によ
り演算し、最適強度Ｃを決定した場合、最適距離Ｉ
Cは、（直流磁界強度Ａを実現する距離×直流磁界強度
Ｂを実現する距離）1/2ではなく、（直流磁界強度Ａ×
直流磁界強度Ｂ）1/2＝最適強度Ｃを演算し、この最適
強度Ｃを実現する距離となる。したがって、相乗平均に
より求めた最適距離ＩCは、（４×１０）1/2＝６．３ｋ
Ａ／ｍ→４．９ｍｍとなる。本発明における「平均値」
とは、相加平均および相乗平均の両方を意味する。
界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を演算することに
よって直流磁界ＨDCFの最適強度Ｃを決定するプロセス
である。直流磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を
相加平均により演算し、最適強度Ｃを決定した場合、最
適距離ＩCは、（直流磁界強度Ａを実現する距離＋直流
磁界強度Ｂを実現する距離）／２ではなく、（直流磁界
強度Ａ＋直流磁界強度Ｂ）／２＝最適強度Ｃを演算し、
この最適強度Ｃを実現する距離となる。したがって、相
加平均により求めた最適距離ＩCは、（４＋１０）／２
＝７ｋＡ／ｍ→４．６ｍｍとなる。これに対して、直流
磁界強度Ａと直流磁界強度Ｂとの平均値を相乗平均によ
り演算し、最適強度Ｃを決定した場合、最適距離Ｉ
Cは、（直流磁界強度Ａを実現する距離×直流磁界強度
Ｂを実現する距離）1/2ではなく、（直流磁界強度Ａ×
直流磁界強度Ｂ）1/2＝最適強度Ｃを演算し、この最適
強度Ｃを実現する距離となる。したがって、相乗平均に
より求めた最適距離ＩCは、（４×１０）1/2＝６．３ｋ
Ａ／ｍ→４．９ｍｍとなる。本発明における「平均値」
とは、相加平均および相乗平均の両方を意味する。
【０１４９】上記においては、照合器１８は、直流磁界
ＨDCFの強度が最適強度となる最適距離Ｌ１Cを決定する
と説明したが、本発明においては、これに限らず、再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致する距離
Ｌ１A〜距離Ｌ１Bの範囲を好適な距離と決定して位置制
御装置１２０へ出力しても良い。その場合、位置制御装
置１２０は、入力した距離Ｌ１A〜距離Ｌ１Bの範囲の好
適な位置に基づいて磁気ヘッド１１０の位置を保持す
る。そして、好適な強度を有する直流磁界ＨDC Fが光磁
気記録媒体１０に印加されて信号が磁区拡大再生され
る。
ＨDCFの強度が最適強度となる最適距離Ｌ１Cを決定する
と説明したが、本発明においては、これに限らず、再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致する距離
Ｌ１A〜距離Ｌ１Bの範囲を好適な距離と決定して位置制
御装置１２０へ出力しても良い。その場合、位置制御装
置１２０は、入力した距離Ｌ１A〜距離Ｌ１Bの範囲の好
適な位置に基づいて磁気ヘッド１１０の位置を保持す
る。そして、好適な強度を有する直流磁界ＨDC Fが光磁
気記録媒体１０に印加されて信号が磁区拡大再生され
る。
【０１５０】光磁気ディスク装置３００おいて所定の記
録パターンＷＤＫ、および記録信号ＷＤを光磁気記録媒
体１０へ記録するとき、磁気ヘッド駆動回路１３０は磁
気ヘッド１１０の駆動を停止し、磁気ヘッド駆動回路２
４は所定の記録パターンＷＤＫまたは記録信号ＷＤに基
づいて磁気ヘッド１１を駆動する。そして、磁気ヘッド
１１は、所定の記録パターンＷＤＫまたは記録信号ＷＤ
によって変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に印
加する。その他は、実施の形態１における記録動作と同
じである。また、光磁気ディスク装置３００において直
流磁界ＨDCFを印加して光磁気記録媒体１０から磁区拡
大再生を行なうとき、磁気ヘッド駆動回路２４は磁気ヘ
ッド１１の駆動を停止し、磁気ヘッド駆動回路１３０は
定電流回路１４０からの制御により一定電流値をコイル
１１２に流して磁気ヘッド１１０を駆動する。その他
は、実施の形態１における説明と同じである。
録パターンＷＤＫ、および記録信号ＷＤを光磁気記録媒
体１０へ記録するとき、磁気ヘッド駆動回路１３０は磁
気ヘッド１１０の駆動を停止し、磁気ヘッド駆動回路２
４は所定の記録パターンＷＤＫまたは記録信号ＷＤに基
づいて磁気ヘッド１１を駆動する。そして、磁気ヘッド
１１は、所定の記録パターンＷＤＫまたは記録信号ＷＤ
によって変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に印
加する。その他は、実施の形態１における記録動作と同
じである。また、光磁気ディスク装置３００において直
流磁界ＨDCFを印加して光磁気記録媒体１０から磁区拡
大再生を行なうとき、磁気ヘッド駆動回路２４は磁気ヘ
ッド１１の駆動を停止し、磁気ヘッド駆動回路１３０は
定電流回路１４０からの制御により一定電流値をコイル
１１２に流して磁気ヘッド１１０を駆動する。その他
は、実施の形態１における説明と同じである。
【０１５１】光磁気ディスク装置３００においても、所
定の記録パターンＷＤＫが記録されていない光磁気記録
媒体１０が光磁気ディスク装置３００に装着されたと
き、磁気ヘッド１１は所定の記録パターンＷＤＫによっ
て変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に印加して
所定の記録パターンＷＤＫを記録した後に、磁気ヘッド
１１０の位置を変化させて直流磁界の好適な強度または
最適強度を決定し、好適な強度または最適強度を有する
直流磁界を光磁気記録媒体１０に印加して磁区拡大再生
を行なう。
定の記録パターンＷＤＫが記録されていない光磁気記録
媒体１０が光磁気ディスク装置３００に装着されたと
き、磁気ヘッド１１は所定の記録パターンＷＤＫによっ
て変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に印加して
所定の記録パターンＷＤＫを記録した後に、磁気ヘッド
１１０の位置を変化させて直流磁界の好適な強度または
最適強度を決定し、好適な強度または最適強度を有する
直流磁界を光磁気記録媒体１０に印加して磁区拡大再生
を行なう。
【０１５２】なお、上記においては、直流磁界ＨDCFの
強度を変化させるとき、磁気ヘッド１１０と光磁気記録
媒体１０との距離Ｌ１を最も遠い位置Ｌ１maxから光磁
気記録媒体１０に近づけたが、これと反対に最も近い位
置から磁気ヘッド１１０を遠ざけるように距離Ｌ１を変
化させても良い。
強度を変化させるとき、磁気ヘッド１１０と光磁気記録
媒体１０との距離Ｌ１を最も遠い位置Ｌ１maxから光磁
気記録媒体１０に近づけたが、これと反対に最も近い位
置から磁気ヘッド１１０を遠ざけるように距離Ｌ１を変
化させても良い。
【０１５３】光磁気ディスク装置３００は、光磁気記録
媒体１０に所定の記録パターンＷＤＫが予め記録されて
いるとき、実施の形態１において説明したのと同じよう
に再生装置として機能させることができる。
媒体１０に所定の記録パターンＷＤＫが予め記録されて
いるとき、実施の形態１において説明したのと同じよう
に再生装置として機能させることができる。
【０１５４】したがって、実施の形態３によれば、光磁
気ディスク装置３００は、直流磁界ＨDCFの強度を再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致する好適
な距離（距離Ｌ１A〜距離Ｌ１B）または最適距離距離Ｌ
１Cを決定する照合器１８を備えるので、光磁気記録媒
体１０から信号を正確に磁区拡大再生できる。
気ディスク装置３００は、直流磁界ＨDCFの強度を再生
信号ＲＦＤが所定の記録パターンＷＤＫに一致する好適
な距離（距離Ｌ１A〜距離Ｌ１B）または最適距離距離Ｌ
１Cを決定する照合器１８を備えるので、光磁気記録媒
体１０から信号を正確に磁区拡大再生できる。
【０１５５】［実施の形態４］図２１を参照して、この
発明の実施の形態４による光磁気ディスク装置４００
は、実施の形態３における光磁気ディスク装置３００の
照合器１８を最小エラーレート検出回路２８に代えたも
のである。磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との
距離Ｌ１は、実施の形態３と同じように２．５〜１４ｍ
ｍの範囲で変化させられ、変化させるステップも直流磁
界ＨDCFの強度が０．４ｋＡ／ｍだけ変化する距離であ
る。そして、光磁気ディスク装置４００のパターン発生
器１９は所定の記録パターンＷＤＫを最小エラーレート
検出回路２８へ出力しない。
発明の実施の形態４による光磁気ディスク装置４００
は、実施の形態３における光磁気ディスク装置３００の
照合器１８を最小エラーレート検出回路２８に代えたも
のである。磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との
距離Ｌ１は、実施の形態３と同じように２．５〜１４ｍ
ｍの範囲で変化させられ、変化させるステップも直流磁
界ＨDCFの強度が０．４ｋＡ／ｍだけ変化する距離であ
る。そして、光磁気ディスク装置４００のパターン発生
器１９は所定の記録パターンＷＤＫを最小エラーレート
検出回路２８へ出力しない。
【０１５６】光磁気ディスク装置４００は、位置制御装
置１２０によって磁気ヘッド１１０を光磁気記録媒体１
０の法線方向ＤＲ２に移動させることによって磁気ヘッ
ド１１０からの直流磁界ＨDCFの強度を０．８〜２４ｋ
Ａ／ｍの範囲で変化させる。そして、直流磁界ＨDCFの
強度を変化させて光学ヘッド１２が検出した再生信号Ｒ
ＦＤのエラーレートが最小となる位置を磁気ヘッド１１
０の最適位置と決定するものである。
置１２０によって磁気ヘッド１１０を光磁気記録媒体１
０の法線方向ＤＲ２に移動させることによって磁気ヘッ
ド１１０からの直流磁界ＨDCFの強度を０．８〜２４ｋ
Ａ／ｍの範囲で変化させる。そして、直流磁界ＨDCFの
強度を変化させて光学ヘッド１２が検出した再生信号Ｒ
ＦＤのエラーレートが最小となる位置を磁気ヘッド１１
０の最適位置と決定するものである。
【０１５７】磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０と
の距離Ｌ１を１４ｍｍから減少させるに従って光磁気記
録媒体１０に印加される直流磁界ＨDCFの強度は強くな
り、直流磁界ＨDCFの強度が増加するに従って再生信号
ＲＦＤのエラーレートＥＲが低下し、最小エラーレート
ＥＲminに達する。そして、さらに距離Ｌ１が減少し、
直流磁界ＨDCFの強度がさらに増加するとエラーレート
ＥＲが上昇し始める。
の距離Ｌ１を１４ｍｍから減少させるに従って光磁気記
録媒体１０に印加される直流磁界ＨDCFの強度は強くな
り、直流磁界ＨDCFの強度が増加するに従って再生信号
ＲＦＤのエラーレートＥＲが低下し、最小エラーレート
ＥＲminに達する。そして、さらに距離Ｌ１が減少し、
直流磁界ＨDCFの強度がさらに増加するとエラーレート
ＥＲが上昇し始める。
【０１５８】したがって、最小エラーレート検出回路２
８の比較回路２８３は、磁気ヘッド１１０の現在位置に
おける再生信号ＲＦＤのエラーレートＥＲn+1を、１つ
の前の磁気ヘッド１１０の位置における再生信号ＲＦＤ
のエラーレートＥＲnと比較し、エラーレートＥＲn+1が
エラーレートＥＲnより大きくなり始めるときのエラー
レートＥＲnを検出することによって磁気ヘッド１１０
の最適位置を決定する。
８の比較回路２８３は、磁気ヘッド１１０の現在位置に
おける再生信号ＲＦＤのエラーレートＥＲn+1を、１つ
の前の磁気ヘッド１１０の位置における再生信号ＲＦＤ
のエラーレートＥＲnと比較し、エラーレートＥＲn+1が
エラーレートＥＲnより大きくなり始めるときのエラー
レートＥＲnを検出することによって磁気ヘッド１１０
の最適位置を決定する。
【０１５９】図２２を参照して、最小エラーレート検出
回路２８における最適位置の決定動作を説明する。決定
動作がスタートすると、エラーレートＥＲnの初期値
（１０- 3）が設定され、初期値ＥＲnは最小エラーレー
ト検出回路２８のバッファ２８２へ入力される（ステッ
プＳ４１）。そして、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒
体１０との距離Ｌ１が最大に設定され（ステップＳ４
２）、磁気ヘッド１１０は最小強度を有する直流磁界Ｈ
DCFを光磁気記録媒体１０に印加し、光学ヘッド１２は
所定の記録パターンＷＤＫを再生する。光学ヘッド１２
は、光磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力し、２値
化回路１７は、光磁気信号ＲＦＡを２値化して再生信号
ＲＦＤを最小エラーレート検出回路２８へ出力する（ス
テップＳ４３）。最小エラーレート検出回路２８のエラ
ー訂正回路２８１は、再生信号ＲＦＤのエラー訂正を行
ない、エラーレートＥＲn+1を検出する（ステップＳ４
４）。そして、エラー訂正回路２８１は、エラーレート
ＥＲn+1をバッファ２８２および比較回路２８３へ出力
する。比較回路２８３は、エラー訂正回路２８１から入
力したエラーレートＥＲn+1をバッファ２８２から読出
されたエラーレートＥＲnと比較する（ステップＳ４
５）。エラーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより小
さいとき、エラーレートＥＲn+1をエラーレートＥＲnに
置換える（ステップＳ４６）。そして、直流磁界ＨDCF
の強度が０．４ｋＡ／ｍ、強くなる距離ΔＬｎだけ磁気
ヘッド１１０を降下させる（ステップＳ４７）。その
後、ステップＳ４３，Ｓ４４のプロセスを、再度、行な
う。そして、ステップＳ４５において、エラーレートＥ
Ｒn+1がエラーレートＥＲnより大きいと判別されるま
で、ステップＳ４３〜Ｓ４７のループが繰返される。つ
まり、ステップＳ４３〜Ｓ４７のループは、磁気ヘッド
１１０の位置を光磁気記録媒体１０に近づけながら、現
在設定されている位置における再生信号のエラーレート
を、１つの前の位置における再生信号のエラーレートと
比較して最小エラーレートＥＲminを検出するループで
ある。
回路２８における最適位置の決定動作を説明する。決定
動作がスタートすると、エラーレートＥＲnの初期値
（１０- 3）が設定され、初期値ＥＲnは最小エラーレー
ト検出回路２８のバッファ２８２へ入力される（ステッ
プＳ４１）。そして、磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒
体１０との距離Ｌ１が最大に設定され（ステップＳ４
２）、磁気ヘッド１１０は最小強度を有する直流磁界Ｈ
DCFを光磁気記録媒体１０に印加し、光学ヘッド１２は
所定の記録パターンＷＤＫを再生する。光学ヘッド１２
は、光磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力し、２値
化回路１７は、光磁気信号ＲＦＡを２値化して再生信号
ＲＦＤを最小エラーレート検出回路２８へ出力する（ス
テップＳ４３）。最小エラーレート検出回路２８のエラ
ー訂正回路２８１は、再生信号ＲＦＤのエラー訂正を行
ない、エラーレートＥＲn+1を検出する（ステップＳ４
４）。そして、エラー訂正回路２８１は、エラーレート
ＥＲn+1をバッファ２８２および比較回路２８３へ出力
する。比較回路２８３は、エラー訂正回路２８１から入
力したエラーレートＥＲn+1をバッファ２８２から読出
されたエラーレートＥＲnと比較する（ステップＳ４
５）。エラーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより小
さいとき、エラーレートＥＲn+1をエラーレートＥＲnに
置換える（ステップＳ４６）。そして、直流磁界ＨDCF
の強度が０．４ｋＡ／ｍ、強くなる距離ΔＬｎだけ磁気
ヘッド１１０を降下させる（ステップＳ４７）。その
後、ステップＳ４３，Ｓ４４のプロセスを、再度、行な
う。そして、ステップＳ４５において、エラーレートＥ
Ｒn+1がエラーレートＥＲnより大きいと判別されるま
で、ステップＳ４３〜Ｓ４７のループが繰返される。つ
まり、ステップＳ４３〜Ｓ４７のループは、磁気ヘッド
１１０の位置を光磁気記録媒体１０に近づけながら、現
在設定されている位置における再生信号のエラーレート
を、１つの前の位置における再生信号のエラーレートと
比較して最小エラーレートＥＲminを検出するループで
ある。
【０１６０】比較回路２８３は、ステップＳ４５でエラ
ーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより大きいと判別
すると、現在設定されている位置におけるエラーレート
より１つ前の電流値におけるエラーレートＥＲnを最小
エラーレートＥＲminとして決定する（ステップＳ４
８）。そして、最小エラーレートＥＲminを実現する直
流磁界の最適強度ＨDCOPT、すなわち、最適位置が決定
される。
ーレートＥＲn+1がエラーレートＥＲnより大きいと判別
すると、現在設定されている位置におけるエラーレート
より１つ前の電流値におけるエラーレートＥＲnを最小
エラーレートＥＲminとして決定する（ステップＳ４
８）。そして、最小エラーレートＥＲminを実現する直
流磁界の最適強度ＨDCOPT、すなわち、最適位置が決定
される。
【０１６１】そして、最小エラーレート検出回路２８３
は、決定した最小エラーレートＥＲ minになる位置を位
置制御装置１２０へ出力し、直流磁界ＨDCFの較正動作
は終了する。その後の動作は、実施の形態３と同じであ
る。
は、決定した最小エラーレートＥＲ minになる位置を位
置制御装置１２０へ出力し、直流磁界ＨDCFの較正動作
は終了する。その後の動作は、実施の形態３と同じであ
る。
【０１６２】光磁気ディスク装置４００においては、最
小エラーレート検出回路２８に代えて最小エラーレート
検出回路２８０を使用しても良い。最小エラーレート検
出回路２８０における最適位置の決定方法は、実施の形
態２における説明と殆ど同じであり、実施の形態２にお
ける磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値を、磁気ヘッ
ド１１０と光磁気記録媒体１０との距離Ｌ１に代えれば
良い。
小エラーレート検出回路２８に代えて最小エラーレート
検出回路２８０を使用しても良い。最小エラーレート検
出回路２８０における最適位置の決定方法は、実施の形
態２における説明と殆ど同じであり、実施の形態２にお
ける磁気ヘッド１１のコイルに流す電流値を、磁気ヘッ
ド１１０と光磁気記録媒体１０との距離Ｌ１に代えれば
良い。
【０１６３】図２３を参照して、最小エラーレート検出
回路２８０における最適位置の決定動作について説明す
る。決定動作がスタートすると、磁気ヘッド１１０と光
磁気記録媒体１０との距離Ｌ１が最大に設定され（ステ
ップＳ４９）、磁気ヘッド１１０は最小強度を有する直
流磁界ＨDCFを光磁気記録媒体１０に印加し、光学ヘッ
ド１２は所定の記録パターンＷＤＫを再生する。光学ヘ
ッド１２は、光磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力
し、２値化回路１７は、光磁気信号ＲＦＡを２値化して
再生信号ＲＦＤを最小エラーレート検出回路２８へ出力
する（ステップＳ５０）。そして、エラー訂正回路２８
１は、再生信号のエラーレートを検出し、バッファ２８
２に記憶する（ステップＳ５１）。その後、磁気ヘッド
１１０と光磁気記録媒体１０との距離Ｌ１が最小Ｌ１
minか否かが判別され（ステップＳ４９）、最小値Ｌ１
minに達していないとき、直流磁界ＨDCFの強度が０．４
ｋＡ／ｍ、強くなる距離ΔＬｎだけ磁気ヘッド１１０を
降下させる（ステップＳ５３）。そして、ステップＳ５
０〜Ｓ５２のプロセスが、再度、実行される。そして、
ステップＳ５２において、磁気ヘッド１１０と光磁気記
録媒体１０との距離Ｌ１が最小値Ｌ１minであると判別
されるまで、ステップＳ５０〜Ｓ５３のループが繰返さ
れる。つまり、ステップＳ５０〜５３のループは、磁気
ヘッド１１０からの直流磁界ＨDCFの強度を０．４ｋＡ
／ｍづつ増加させながら、変化させる範囲内の全ての位
置に対して再生信号のエラーレートを検出するループで
ある。
回路２８０における最適位置の決定動作について説明す
る。決定動作がスタートすると、磁気ヘッド１１０と光
磁気記録媒体１０との距離Ｌ１が最大に設定され（ステ
ップＳ４９）、磁気ヘッド１１０は最小強度を有する直
流磁界ＨDCFを光磁気記録媒体１０に印加し、光学ヘッ
ド１２は所定の記録パターンＷＤＫを再生する。光学ヘ
ッド１２は、光磁気信号ＲＦＡを２値化回路１７へ出力
し、２値化回路１７は、光磁気信号ＲＦＡを２値化して
再生信号ＲＦＤを最小エラーレート検出回路２８へ出力
する（ステップＳ５０）。そして、エラー訂正回路２８
１は、再生信号のエラーレートを検出し、バッファ２８
２に記憶する（ステップＳ５１）。その後、磁気ヘッド
１１０と光磁気記録媒体１０との距離Ｌ１が最小Ｌ１
minか否かが判別され（ステップＳ４９）、最小値Ｌ１
minに達していないとき、直流磁界ＨDCFの強度が０．４
ｋＡ／ｍ、強くなる距離ΔＬｎだけ磁気ヘッド１１０を
降下させる（ステップＳ５３）。そして、ステップＳ５
０〜Ｓ５２のプロセスが、再度、実行される。そして、
ステップＳ５２において、磁気ヘッド１１０と光磁気記
録媒体１０との距離Ｌ１が最小値Ｌ１minであると判別
されるまで、ステップＳ５０〜Ｓ５３のループが繰返さ
れる。つまり、ステップＳ５０〜５３のループは、磁気
ヘッド１１０からの直流磁界ＨDCFの強度を０．４ｋＡ
／ｍづつ増加させながら、変化させる範囲内の全ての位
置に対して再生信号のエラーレートを検出するループで
ある。
【０１６４】最小値検出回路２８４は、ステップＳ５２
で磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との距離Ｌ１
が最小値Ｌ１minに達したと判別されると、バッファ２
８２から全てのエラーレートを読出し、その読出したエ
ラーレートから最小エラーレートＥＲminを決定する
（ステップＳ５４）。そして、最小エラーレートＥＲ
minを実現する直流磁界の最適強度ＨDCOPT、すなわち、
最適位置が決定される。
で磁気ヘッド１１０と光磁気記録媒体１０との距離Ｌ１
が最小値Ｌ１minに達したと判別されると、バッファ２
８２から全てのエラーレートを読出し、その読出したエ
ラーレートから最小エラーレートＥＲminを決定する
（ステップＳ５４）。そして、最小エラーレートＥＲ
minを実現する直流磁界の最適強度ＨDCOPT、すなわち、
最適位置が決定される。
【０１６５】そして、最適値検出回路２８４は、決定し
た最小エラーレートＥＲminになる位置を位置制御回路
１２０へ出力し、直流磁界ＨDCの較正動作は終了する。
その後の動作は、実施の形態３と同じである。
た最小エラーレートＥＲminになる位置を位置制御回路
１２０へ出力し、直流磁界ＨDCの較正動作は終了する。
その後の動作は、実施の形態３と同じである。
【０１６６】再生信号のエラーレートが最小となる最適
距離Ｌ１optは、４．６〜４．９ｍｍである。このと
き、磁気ヘッド１１０は、強度６．３〜７．０ｋＡ／ｍ
の直流磁界ＨDCFを光磁気記録媒体１０に印加する。
距離Ｌ１optは、４．６〜４．９ｍｍである。このと
き、磁気ヘッド１１０は、強度６．３〜７．０ｋＡ／ｍ
の直流磁界ＨDCFを光磁気記録媒体１０に印加する。
【０１６７】光磁気ディスク装置４００において所定の
記録パターンＷＤＫ、および記録信号ＷＤを光磁気記録
媒体１０へ記録する際は、磁気ヘッド駆動回路１３０は
磁気ヘッド１１０の駆動を停止し、磁気ヘッド駆動回路
２４は所定の記録パターンＷＤＫまたは記録信号ＷＤに
基づいて磁気ヘッド１１を駆動する。そして、磁気ヘッ
ド１１は、所定の記録パターンＷＤＫまたは記録信号Ｗ
Ｄによって変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に
印加する。その他は、実施の形態１における記録動作と
同じである。また、光磁気ディスク装置４００において
直流磁界ＨDCFを印加して光磁気記録媒体１０から磁区
拡大再生を行なうときは、磁気ヘッド駆動回路２４は磁
気ヘッド１１の駆動を停止し、磁気ヘッド駆動回路１３
０は定電流回路１４０からの制御により一定電流値をコ
イル１１２に流して磁気ヘッド１１０を駆動する。その
他は、実施の形態１における説明と同じである。
記録パターンＷＤＫ、および記録信号ＷＤを光磁気記録
媒体１０へ記録する際は、磁気ヘッド駆動回路１３０は
磁気ヘッド１１０の駆動を停止し、磁気ヘッド駆動回路
２４は所定の記録パターンＷＤＫまたは記録信号ＷＤに
基づいて磁気ヘッド１１を駆動する。そして、磁気ヘッ
ド１１は、所定の記録パターンＷＤＫまたは記録信号Ｗ
Ｄによって変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に
印加する。その他は、実施の形態１における記録動作と
同じである。また、光磁気ディスク装置４００において
直流磁界ＨDCFを印加して光磁気記録媒体１０から磁区
拡大再生を行なうときは、磁気ヘッド駆動回路２４は磁
気ヘッド１１の駆動を停止し、磁気ヘッド駆動回路１３
０は定電流回路１４０からの制御により一定電流値をコ
イル１１２に流して磁気ヘッド１１０を駆動する。その
他は、実施の形態１における説明と同じである。
【０１６８】光磁気ディスク装置４００においても、所
定の記録パターンＷＤＫが記録されていない光磁気記録
媒体１０が光磁気ディスク装置４００に装着されたと
き、磁気ヘッド１１は所定の記録パターンＷＤＫによっ
て変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に印加して
所定の記録パターンＷＤＫを記録した後に、磁気ヘッド
１１０の位置を変化させて直流磁界の最適強度を決定
し、最適強度を有する直流磁界を光磁気記録媒体１０に
印加して磁区拡大再生を行なう。
定の記録パターンＷＤＫが記録されていない光磁気記録
媒体１０が光磁気ディスク装置４００に装着されたと
き、磁気ヘッド１１は所定の記録パターンＷＤＫによっ
て変調された交番磁界を光磁気記録媒体１０に印加して
所定の記録パターンＷＤＫを記録した後に、磁気ヘッド
１１０の位置を変化させて直流磁界の最適強度を決定
し、最適強度を有する直流磁界を光磁気記録媒体１０に
印加して磁区拡大再生を行なう。
【０１６９】光磁気ディスク装置４００は、光磁気記録
媒体１０に所定の記録パターンＷＤＫが予め記録されて
いるとき、実施の形態１において説明したのと同じよう
に再生装置として機能させることができる。
媒体１０に所定の記録パターンＷＤＫが予め記録されて
いるとき、実施の形態１において説明したのと同じよう
に再生装置として機能させることができる。
【０１７０】したがって、実施の形態４によれば、光磁
気ディスク装置４００は、直流磁界ＨDCFの強度を再生
信号ＲＦＤのエラーレートが最小となる最適位置を決定
する最小エラーレート検出回路２８，２８０を備えるの
で、光磁気記録媒体１０から信号を正確に磁区拡大再生
できる。
気ディスク装置４００は、直流磁界ＨDCFの強度を再生
信号ＲＦＤのエラーレートが最小となる最適位置を決定
する最小エラーレート検出回路２８，２８０を備えるの
で、光磁気記録媒体１０から信号を正確に磁区拡大再生
できる。
【０１７１】上記、実施の形態１〜４においては、直流
磁界の強度を較正するための所定の記録パターンＷＤＫ
は、「０１０１０１０１０１０・・・」として説明した
が、本発明においては、これに限らず、「１０１１１１
１１１１００００００００１０１１１１１１１１０００
０００００・・・」であっても良い。これは、信号
「１」を１Ｔ、信号「０」を／１Ｔで表すと、１Ｔ，／
１Ｔ，８Ｔ，／８Ｔ，１Ｔ，／１Ｔ，８Ｔ，／８Ｔ，・
・・・を表す。最短長の磁区と長い磁区とを交互に配列
した記録信号を再生することによって、再生信号は誤り
易くなるので直流磁界の強度を正確に較正できる。
磁界の強度を較正するための所定の記録パターンＷＤＫ
は、「０１０１０１０１０１０・・・」として説明した
が、本発明においては、これに限らず、「１０１１１１
１１１１００００００００１０１１１１１１１１０００
０００００・・・」であっても良い。これは、信号
「１」を１Ｔ、信号「０」を／１Ｔで表すと、１Ｔ，／
１Ｔ，８Ｔ，／８Ｔ，１Ｔ，／１Ｔ，８Ｔ，／８Ｔ，・
・・・を表す。最短長の磁区と長い磁区とを交互に配列
した記録信号を再生することによって、再生信号は誤り
易くなるので直流磁界の強度を正確に較正できる。
【０１７２】また、上記においては直流磁界の強度を較
正するのみ用いる記録パターンは、特定パターンである
として説明したが、本発明においては、これに限らず、
通常の記録データを用いても良い。
正するのみ用いる記録パターンは、特定パターンである
として説明したが、本発明においては、これに限らず、
通常の記録データを用いても良い。
【０１７３】さらに、光磁気記録媒体１０に記録する所
定の記録パターンＷＤＫはランダムなパターンであって
も実施の形態１〜４で説明した方法によって直流磁界の
強度を較正できる。
定の記録パターンＷＤＫはランダムなパターンであって
も実施の形態１〜４で説明した方法によって直流磁界の
強度を較正できる。
【０１７４】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明では
なくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲
と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる
ことが意図される。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明では
なくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲
と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる
ことが意図される。
【図１】 光磁気記録媒体の断面構造図である。
【図２】 光磁気記録媒体上のレーザスポットの平面図
である。
である。
【図３】 光磁気記録媒体からの信号再生の過程を示す
工程図である。
工程図である。
【図４】 本発明の実施の形態１による光磁気ディスク
装置の概略ブロック図である。
装置の概略ブロック図である。
【図５】 図４の照合器の回路図である。
【図６】 図４の光磁気ディスク装置における信号のタ
イミング図である。
イミング図である。
【図７】 図５の照合器における信号のタイミング図で
ある。
ある。
【図８】 実施の形態１における直流磁界の好適な強度
を決定する方法を説明する図である。
を決定する方法を説明する図である。
【図９】 実施の形態１における直流磁界の強度を較正
するフローチャートである。
するフローチャートである。
【図１０】 本発明の実施の形態２による光磁気ディス
ク装置の概略ブロック図である。
ク装置の概略ブロック図である。
【図１１】 図１０の光磁気ディスク装置の最小エラー
レート検出回路の概略ブロック図である。
レート検出回路の概略ブロック図である。
【図１２】 再生信号のエラーレートと直流磁界強度と
の関係図である。
の関係図である。
【図１３】 実施の形態２における直流磁界の強度を較
正するフローチャートである。
正するフローチャートである。
【図１４】 図１０の光磁気ディスク装置の最小エラー
レート検出回路の他の概略ブロック図である。
レート検出回路の他の概略ブロック図である。
【図１５】 実施の形態２における直流磁界の強度を較
正する他のフローチャートである。
正する他のフローチャートである。
【図１６】 本発明の実施の形態３による光磁気ディス
ク装置の概略ブロック図である。
ク装置の概略ブロック図である。
【図１７】 図１６の光磁気ディスク装置における２つ
の磁気ヘッドの概略断面図である。
の磁気ヘッドの概略断面図である。
【図１８】 磁気ヘッドの他の概略断面図である。
【図１９】 図１６の光磁気ディスク装置における位置
制御装置の概略構成図である。
制御装置の概略構成図である。
【図２０】 実施の形態３における直流磁界の強度を較
正するフローチャートである。
正するフローチャートである。
【図２１】 本発明の実施の形態４による光磁気ディス
ク装置の概略ブロック図である。
ク装置の概略ブロック図である。
【図２２】 実施の形態４における直流磁界の強度を較
正するフローチャートである。
正するフローチャートである。
【図２３】 実施の形態４における直流磁界の強度を較
正する他のフローチャートである。
正する他のフローチャートである。
【図２４】 光磁気記録媒体からの信号再生の原理を説
明するための概略図である。
明するための概略図である。
【図２５】 希土類金属リッチな領域と遷移金属リッチ
な領域における保磁力の分布図である。
な領域における保磁力の分布図である。
１ 透光性基板、２ 下地層、３，８１ 再生層、４，
８２ 中間層、５，８３ 記録層、６ 保護層、７ 紫
外線硬化樹脂、１０，８０ 光磁気記録媒体、３０，３
１，８１０，８１１ 低温領域、３２，８１２ 高温領
域、３３〜３６，３９，４０，８１３〜８２０ 磁化、
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１０磁気ヘッド、１
２ 光学ヘッド、１３ 外部同期信号生成回路、１４
サーボ回路、１５ サーボ機構、１６ スピンドルモー
タ、１７ ２値化回路、１８照合器、１９ パターン発
生器、２０，２８１ エラー訂正回路、２１ 変調回
路、２２ 電流制御信号生成回路、２３ 制御回路、２
４ 磁気ヘッド駆動回路、２５ レーザ駆動回路、２
６，２７ 端子、２８，２８０ 最小エラーレート検出
回路、５０，５１，８３０，８３１ 磁区、１００，２
００，３００，４００ 光磁気ディスク装置、１１１，
１１３，１１７，１２１，１２３ コア、１１２，１１
４ コイル、１１５，１１６ 低面、１１８，１１９，
１２２，１２５ 傾斜面、１２４ 平坦面、１２０ 位
置制御装置、１３０ 磁気ヘッド駆動回路、１４０ 定
電流回路、１８０ Ｅｘ−ＯＲゲート、１８１ フリッ
プ・フロップ、１８２ コントローラ、２８２ バッフ
ァ、２８３ 比較回路、２８４最適値検出回路、１２０
１，１２０２ 永久磁石、１２０３ コイル、１２０
４，１２０５ 電流方向、１２０６，１２０７ ローレ
ンツ力。
８２ 中間層、５，８３ 記録層、６ 保護層、７ 紫
外線硬化樹脂、１０，８０ 光磁気記録媒体、３０，３
１，８１０，８１１ 低温領域、３２，８１２ 高温領
域、３３〜３６，３９，４０，８１３〜８２０ 磁化、
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１０磁気ヘッド、１
２ 光学ヘッド、１３ 外部同期信号生成回路、１４
サーボ回路、１５ サーボ機構、１６ スピンドルモー
タ、１７ ２値化回路、１８照合器、１９ パターン発
生器、２０，２８１ エラー訂正回路、２１ 変調回
路、２２ 電流制御信号生成回路、２３ 制御回路、２
４ 磁気ヘッド駆動回路、２５ レーザ駆動回路、２
６，２７ 端子、２８，２８０ 最小エラーレート検出
回路、５０，５１，８３０，８３１ 磁区、１００，２
００，３００，４００ 光磁気ディスク装置、１１１，
１１３，１１７，１２１，１２３ コア、１１２，１１
４ コイル、１１５，１１６ 低面、１１８，１１９，
１２２，１２５ 傾斜面、１２４ 平坦面、１２０ 位
置制御装置、１３０ 磁気ヘッド駆動回路、１４０ 定
電流回路、１８０ Ｅｘ−ＯＲゲート、１８１ フリッ
プ・フロップ、１８２ コントローラ、２８２ バッフ
ァ、２８３ 比較回路、２８４最適値検出回路、１２０
１，１２０２ 永久磁石、１２０３ コイル、１２０
４，１２０５ 電流方向、１２０６，１２０７ ローレ
ンツ力。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５６３ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５６３Ｎ ５８１ ５８１Ｊ
Claims (19)
- 【請求項１】 室温において希土類金属リッチであり、
補償温度以上で遷移金属リッチになる再生層を含む光磁
気記録媒体に、前記再生層の一部が前記補償温度以上に
昇温される強度のレーザ光を照射し、その反射光を検出
する光学ヘッドと、 コアと該コアに巻回されたコイルとから成り、前記希土
類金属リッチな領域の磁化と同じ方向の直流磁界を前記
光磁気記録媒体に印加する磁気ヘッドと、 前記直流磁界の強度を変化させて前記光学ヘッドが検出
した所定の記録パターンの再生信号を前記所定の記録パ
ターンと照合し、前記再生信号が前記所定の記録パター
ンに一致する直流磁界の好適な強度を決定する照合器と
を備える光磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 前記直流磁界の強度を決定する前記コイ
ルの電流値を変化させるための電流制御信号を生成する
電流制御信号生成回路と、 前記電流制御信号に基づいて強度が変化した直流磁界を
発生させるように前記磁気ヘッドを駆動する磁気ヘッド
駆動回路とをさらに備え、 前記照合器は、前記再生信号が前記所定の記録パターン
に一致する好適な電流値を検出することによって前記好
適な強度を決定する、請求項１に記載の光磁気ディスク
装置。 - 【請求項３】 前記照合器は、前記直流磁界の強度を変
化させたとき前記再生信号が前記所定の記録パターンに
一致する好適な領域において、直流磁界強度が最小とな
る第１の電流値と、直流磁界強度が最大となる第２の電
流値とを検出し、前記第１の電流値と前記第２の電流値
との平均値を最適電流値と決定する、請求項１に記載の
光磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 室温において希土類金属リッチであり、
補償温度以上で遷移金属リッチになる再生層を含む光磁
気記録媒体に、前記再生層の一部が前記補償温度以上に
昇温される強度のレーザ光を照射し、その反射光を検出
する光学ヘッドと、 コアと該コアに巻回されたコイルとから成り、前記希土
類金属リッチな領域の磁化と同じ方向の直流磁界を前記
光磁気記録媒体に印加する磁気ヘッドと、 前記直流磁界の強度を変化させて前記光学ヘッドが検出
した所定の記録パターンの再生信号のエラーレートを検
出し、その検出したエラーレートが最小となる直流磁界
の最適強度を決定する最小エラーレート検出回路とを備
える光磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記直流磁界の強度を決定する前記コイ
ルの電流値を変化させるための電流制御信号を生成する
電流制御信号生成回路と、 前記電流制御信号に基づいて強度が変化した直流磁界を
発生させるように前記磁気ヘッドを駆動する磁気ヘッド
駆動回路とをさらに備え、 前記最小エラーレート検出回路は、前記エラーレートが
最小となる最適電流値を検出することによって前記最適
強度を決定する、請求項４に記載の光磁気ディスク装
置。 - 【請求項６】 前記磁気ヘッドは、信号の記録時、さら
に前記所定の記録パターンによって変調された交番磁界
を前記光磁気記録媒体に印加する、請求項１から請求項
５のいずれか１項に記載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 前記磁気ヘッドと前記光磁気記録媒体と
の間に配置された、もう１つの磁気ヘッドと、 前記直流磁界の強度を決定する前記磁気ヘッドの位置を
前記光磁気記録媒体の法線方向に変化させる位置制御装
置とをさらに備え、 前記磁気ヘッドは、前記もう１つの磁気ヘッドのコアを
介して前記直流磁界を前記光磁気記録媒体に印加し、 前記照合器は、前記再生信号が前記所定の記録パターン
に一致する好適な位置を決定することによって前記好適
な強度を決定する、請求項１に記載の光磁気ディスク装
置。 - 【請求項８】 前記照合器は、前記直流磁界の強度を変
化させたとき前記再生信号が前記所定の記録パターンに
一致する好適な領域において、直流磁界強度が最小とな
る第１の位置と、直流磁界強度が最大となる第２の位置
とを検出し、前記第１の位置と前記第２の位置との平均
値を最適位置と決定する、請求項７に記載の光磁気ディ
スク装置。 - 【請求項９】 前記磁気ヘッドと前記光磁気記録媒体と
の間に配置された、もう１つの磁気ヘッドと、 前記直流磁界の強度を決定する前記磁気ヘッドの位置を
前記光磁気記録媒体の法線方向に変化させる位置制御装
置とをさらに備え、 前記磁気ヘッドは、前記もう１つの磁気ヘッドのコアを
介して前記直流磁界を前記光磁気記録媒体に印加し、 前記最小エラーレート検出回路は、前記再生信号のエラ
ーレートが最小となる最適な位置を決定することによっ
て前記最適強度を決定する、請求項４に記載の光磁気デ
ィスク装置。 - 【請求項１０】 信号の記録時、 前記もう１つの磁気ヘッドは前記所定の記録パターンに
よって変調された交番磁界を前記光磁気記録媒体に印加
し、前記磁気ヘッドの駆動が停止され、 信号の再生時、前記もう１つの磁気ヘッドの駆動が停止
される請求項６または請求項９に記載の光磁気ディスク
装置。 - 【請求項１１】 前記所定の記録パターンは、信号
「１」と信号「０」とが交互に配列されたパターンであ
る、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の光
磁気ディスク装置。 - 【請求項１２】 光磁気記録媒体に直流磁界を印加して
信号を再生する再生方法であって、 前記光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温度以上に昇
温される強度のレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射す
る第１のステップと、 前記直流磁界の強度を変化させて所定の記録パターンの
再生信号を検出する第２のステップと、 前記再生信号を前記所定の記録パターンと照合し、前記
再生信号が前記所定の記録パターンに一致する直流磁界
の好適な強度を決定する第３のステップとを含む再生方
法。 - 【請求項１３】 光磁気記録媒体に直流磁界を印加して
信号を再生する再生方法であって、 前記光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温度以上に昇
温される強度のレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射す
る第１のステップと、 前記直流磁界の強度を変化させて所定の記録パターンの
再生信号を検出する第２のステップと、 前記再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエ
ラーレートが最小となる直流磁界の最適強度を決定する
第３のステップとを含む再生方法。 - 【請求項１４】 光磁気記録媒体に直流磁界を印加して
信号を再生し、前記光磁気記録媒体に交番磁界を印加し
て信号を記録する記録再生方法であって、 前記光磁気記録媒体の記録層をキュリー温度以上に昇温
させる強度のレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射する
第１のステップと、 前記光磁気記録媒体に所定の記録パターンによって変調
された交番磁界を印加する第２のステップと、 前記光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温度以上に昇
温される強度のレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射す
る第３のステップと、 前記直流磁界の強度を変化させて所定の記録パターンの
再生信号を検出する第４のステップと、 前記再生信号を前記所定の記録パターンと照合し、前記
再生信号が前記所定の記録パターンに一致する直流磁界
の好適な強度を決定する第５のステップとを含む記録再
生方法。 - 【請求項１５】 光磁気記録媒体に直流磁界を印加して
信号を再生し、前記光磁気記録媒体に交番磁界を印加し
て信号を記録する記録再生方法であって、 前記光磁気記録媒体の記録層をキュリー温度以上に昇温
させる強度のレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射する
第１のステップと、 前記光磁気記録媒体に所定の記録パターンによって変調
された交番磁界を印加する第２のステップと、 前記光磁気記録媒体の再生層の一部が補償温度以上に昇
温される強度のレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射す
る第３のステップと、 前記直流磁界の強度を変化させて所定の記録パターンの
再生信号を検出する第４のステップと、 前記再生信号のエラーレートを検出し、その検出したエ
ラーレートが最小となる直流磁界の最適強度を決定する
第５のステップとを含む記録再生方法。 - 【請求項１６】 前記直流磁界を発生させる磁気ヘッド
のコイルに流す電流値を変化させることによって前記直
流磁界の強度を変化させる、請求項１２または請求項１
３に記載の再生方法。 - 【請求項１７】 前記直流磁界を発生させる磁気ヘッド
の位置を前記光磁気記録媒体の法線方向に変化させるこ
とによって前記直流磁界の強度を変化させる、請求項１
２または請求項１３に記載の再生方法。 - 【請求項１８】 前記直流磁界を発生させる磁気ヘッド
のコイルに流す電流値を変化させることによって前記直
流磁界の強度を変化させる、請求項１４または請求項１
５に記載の記録再生方法。 - 【請求項１９】 前記直流磁界を発生させる磁気ヘッド
の位置を前記光磁気記録媒体の法線方向に変化させるこ
とによって前記直流磁界の強度を変化させる、請求項１
４または請求項１５に記載の記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000176899A JP2001357575A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 光磁気ディスク装置、再生方法、および記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000176899A JP2001357575A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 光磁気ディスク装置、再生方法、および記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001357575A true JP2001357575A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18678563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000176899A Withdrawn JP2001357575A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 光磁気ディスク装置、再生方法、および記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001357575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051640A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 光磁気記憶媒体の再生方法およびその方法を用いた光磁気記憶装置 |
-
2000
- 2000-06-13 JP JP2000176899A patent/JP2001357575A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051640A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 光磁気記憶媒体の再生方法およびその方法を用いた光磁気記憶装置 |
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