JP2001346002A - 光源装置及び画像読取装置 - Google Patents
光源装置及び画像読取装置Info
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- JP2001346002A JP2001346002A JP2000167116A JP2000167116A JP2001346002A JP 2001346002 A JP2001346002 A JP 2001346002A JP 2000167116 A JP2000167116 A JP 2000167116A JP 2000167116 A JP2000167116 A JP 2000167116A JP 2001346002 A JP2001346002 A JP 2001346002A
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- light
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Landscapes
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Image Input (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易に構成することができ、かつ高精度に温
度制御を行うことができる光源装置を得ると共に、高品
質な画像読み取りを行うことができる画像読取装置を得
る。 【解決手段】 多数のLED素子102を熱伝導率の高
いセラミックスで構成された基板100の表面に実装す
ると共に、基板100の裏面にペルチエ素子110及び
サーミスタ112を実装する。また、ペルチエ素子11
0の基板100への実装面の反対側の面に放熱フィン1
14を接触固定すると共に、放熱フィン114に対向す
る位置に冷却用のファン116を設置する。
度制御を行うことができる光源装置を得ると共に、高品
質な画像読み取りを行うことができる画像読取装置を得
る。 【解決手段】 多数のLED素子102を熱伝導率の高
いセラミックスで構成された基板100の表面に実装す
ると共に、基板100の裏面にペルチエ素子110及び
サーミスタ112を実装する。また、ペルチエ素子11
0の基板100への実装面の反対側の面に放熱フィン1
14を接触固定すると共に、放熱フィン114に対向す
る位置に冷却用のファン116を設置する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光源装置及び画像
読取装置に係り、特に、温度変化に起因する射出光の状
態の変化を抑制することができる光源装置、及び該光源
装置を備えた画像読取装置に関する。
読取装置に係り、特に、温度変化に起因する射出光の状
態の変化を抑制することができる光源装置、及び該光源
装置を備えた画像読取装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、写真プリント等の反射原稿や写真
フィルム等の透過原稿に照明光を照射し、原稿に記録さ
れている画像情報を担持した原稿からの反射光又は透過
光をCCD(Charge Coupled Device)等の画像センサ
で受光することにより原稿に記録されている画像を読み
取り、この読み取りによって得られた画像データに対し
て各種の補正等の処理を行った後に、印画紙等の記録材
料への画像記録やディスプレイへの画像表示等を行う画
像読取装置が実用化されている。このような画像読取装
置では、原稿に記録された画像の読み取りから、記録材
料への画像記録やディスプレイへの画像表示等を行うま
での作業の自動化が容易になるという利点を有してい
る。
フィルム等の透過原稿に照明光を照射し、原稿に記録さ
れている画像情報を担持した原稿からの反射光又は透過
光をCCD(Charge Coupled Device)等の画像センサ
で受光することにより原稿に記録されている画像を読み
取り、この読み取りによって得られた画像データに対し
て各種の補正等の処理を行った後に、印画紙等の記録材
料への画像記録やディスプレイへの画像表示等を行う画
像読取装置が実用化されている。このような画像読取装
置では、原稿に記録された画像の読み取りから、記録材
料への画像記録やディスプレイへの画像表示等を行うま
での作業の自動化が容易になるという利点を有してい
る。
【0003】この種の画像読取装置では、原稿を照明す
る光源として、従来よりハロゲンランプ等の白色光源が
用いられてきたが、近年、白色光源に代えて、R
(赤)、G(緑)、B(青)各色(キズ位置検出用にI
R(InfraRed)を加えてもよい)に発色する多数のLE
D(発光ダイオード)素子を基板上に配列して構成され
たLED光源を用いた装置も実用化されている。
る光源として、従来よりハロゲンランプ等の白色光源が
用いられてきたが、近年、白色光源に代えて、R
(赤)、G(緑)、B(青)各色(キズ位置検出用にI
R(InfraRed)を加えてもよい)に発色する多数のLE
D(発光ダイオード)素子を基板上に配列して構成され
たLED光源を用いた装置も実用化されている。
【0004】LED光源を適用することにより、白色光
源を色分解するためのフィルタが不要となり、装置構成
を簡単にできる。また各色バランス等の条件設定も簡略
化することができる。
源を色分解するためのフィルタが不要となり、装置構成
を簡単にできる。また各色バランス等の条件設定も簡略
化することができる。
【0005】ところで、上記のような画像読取装置に用
いられる光源では、該光源の配置位置における環境温度
の変化や光源自身の発熱による温度変化等が起こった場
合、光源からの射出光の発光スペクトルが変化するた
め、温度変化の前後で読み取った画像データが変化して
しまい、高品質な画像データを得ることができない、と
いう問題があった。
いられる光源では、該光源の配置位置における環境温度
の変化や光源自身の発熱による温度変化等が起こった場
合、光源からの射出光の発光スペクトルが変化するた
め、温度変化の前後で読み取った画像データが変化して
しまい、高品質な画像データを得ることができない、と
いう問題があった。
【0006】この問題を解消するために適用し得る技術
として、特開平7−175035号公報に記載の技術で
は、光源の裏面又は反射板にペルチエ素子等の温度制御
素子を接触固定し、かつ光源近傍に温度センサを設け、
該温度センサにより検出された温度が設定温度となるよ
うに上記温度制御素子の制御を行っていた。
として、特開平7−175035号公報に記載の技術で
は、光源の裏面又は反射板にペルチエ素子等の温度制御
素子を接触固定し、かつ光源近傍に温度センサを設け、
該温度センサにより検出された温度が設定温度となるよ
うに上記温度制御素子の制御を行っていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平7−175035号公報に記載の技術では、前述し
たように光源の裏面又は反射板に温度制御素子を接触固
定しているので、温度制御素子を光源の裏面に接触固定
する場合には、光源がハロゲンランプ等のような単一の
発光素子によって構成されているときには簡易に構成で
きるものの、前述したLED光源のような多数の発光素
子を配列して構成された光源に適用するときには全ての
発光素子に対して温度制御素子を接触固定する必要があ
り、構成することが困難である、という問題点があっ
た。また、温度制御素子を光源の反射板に接触固定する
場合には、反射板と発光素子との間は一般に離れている
ので、温度制御素子による光源の温度制御を高精度に行
うことができない、という問題点があった。従って、こ
の光源を画像読取装置に適用した場合には、高品質な画
像読み取りを行うことができない、という問題点があっ
た。
開平7−175035号公報に記載の技術では、前述し
たように光源の裏面又は反射板に温度制御素子を接触固
定しているので、温度制御素子を光源の裏面に接触固定
する場合には、光源がハロゲンランプ等のような単一の
発光素子によって構成されているときには簡易に構成で
きるものの、前述したLED光源のような多数の発光素
子を配列して構成された光源に適用するときには全ての
発光素子に対して温度制御素子を接触固定する必要があ
り、構成することが困難である、という問題点があっ
た。また、温度制御素子を光源の反射板に接触固定する
場合には、反射板と発光素子との間は一般に離れている
ので、温度制御素子による光源の温度制御を高精度に行
うことができない、という問題点があった。従って、こ
の光源を画像読取装置に適用した場合には、高品質な画
像読み取りを行うことができない、という問題点があっ
た。
【0008】本発明は上記問題点を解消するために成さ
れたものであり、簡易に構成することができ、かつ高精
度に温度制御を行うことができる光源装置を提供するこ
とを第1の目的とし、高品質な画像読み取りを行うこと
ができる画像読取装置を提供することを第2の目的とす
る。
れたものであり、簡易に構成することができ、かつ高精
度に温度制御を行うことができる光源装置を提供するこ
とを第1の目的とし、高品質な画像読み取りを行うこと
ができる画像読取装置を提供することを第2の目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、請求項1記載の光源装置は、熱伝導率が高い
材料によって構成された基板と、前記基板に実装される
と共に発光素子を含んで構成された光源と、前記基板に
実装されると共に該実装された部位の温度を検出する温
度検出手段と、前記基板に実装されると共に該実装され
た部位の温度を調整する温度調整手段と、を備えてい
る。なお、上記材料にはアルミニウム等の金属やセラミ
ックス等の熱伝導率の高い材料が含まれ、上記発光素子
には発光ダイオード、半導体レーザ、EL(Electro Lu
minescence)素子等の基板に実装することができる全て
の発光素子が含まれ、上記温度検出手段にはサーミス
タ、熱電対等の全ての温度センサが含まれ、更に、上記
温度調整手段にはペルチエ素子等の昇温及び降温の少な
くとも一方を行うことができる全ての素子が含まれる。
るために、請求項1記載の光源装置は、熱伝導率が高い
材料によって構成された基板と、前記基板に実装される
と共に発光素子を含んで構成された光源と、前記基板に
実装されると共に該実装された部位の温度を検出する温
度検出手段と、前記基板に実装されると共に該実装され
た部位の温度を調整する温度調整手段と、を備えてい
る。なお、上記材料にはアルミニウム等の金属やセラミ
ックス等の熱伝導率の高い材料が含まれ、上記発光素子
には発光ダイオード、半導体レーザ、EL(Electro Lu
minescence)素子等の基板に実装することができる全て
の発光素子が含まれ、上記温度検出手段にはサーミス
タ、熱電対等の全ての温度センサが含まれ、更に、上記
温度調整手段にはペルチエ素子等の昇温及び降温の少な
くとも一方を行うことができる全ての素子が含まれる。
【0010】また、請求項1に記載の光源装置によれ
ば、制御手段によって温度検出手段により検出される温
度が所定温度となるように温度調整手段が制御される。
なお、上記所定温度としては、発光素子が安定して発光
することができる温度等を適用することができる。
ば、制御手段によって温度検出手段により検出される温
度が所定温度となるように温度調整手段が制御される。
なお、上記所定温度としては、発光素子が安定して発光
することができる温度等を適用することができる。
【0011】このように、請求項1に記載の光源装置に
よれば、熱伝導率が高い材料によって構成された基板に
対して、光源と、制御手段による温度制御の際に用いら
れる温度検出手段及び温度調整手段と、を実装すること
により構成しているので、光源に含まれる発光素子に対
して直接に温度検出手段及び温度調整手段を接触固定す
る場合に比較して簡易に構成することができると共に、
光源と温度検出手段及び温度調整手段との間に介在させ
た基板を熱伝導率が高い材料によって構成しているの
で、制御手段によって温度検出手段による光源の温度変
化の検出、並びに温度調整手段による光源の温度調整を
正確かつ短時間に行うことができ、高精度に温度制御を
行うことができる。
よれば、熱伝導率が高い材料によって構成された基板に
対して、光源と、制御手段による温度制御の際に用いら
れる温度検出手段及び温度調整手段と、を実装すること
により構成しているので、光源に含まれる発光素子に対
して直接に温度検出手段及び温度調整手段を接触固定す
る場合に比較して簡易に構成することができると共に、
光源と温度検出手段及び温度調整手段との間に介在させ
た基板を熱伝導率が高い材料によって構成しているの
で、制御手段によって温度検出手段による光源の温度変
化の検出、並びに温度調整手段による光源の温度調整を
正確かつ短時間に行うことができ、高精度に温度制御を
行うことができる。
【0012】なお、請求項1記載の光源装置は、光源を
基板に実装して成るものであるので、請求項2記載の発
明のように、複数の発光素子を含んで構成された光源に
対しても容易に適用することができる。この場合も、請
求項1記載の発明と同様の効果を奏することができる。
基板に実装して成るものであるので、請求項2記載の発
明のように、複数の発光素子を含んで構成された光源に
対しても容易に適用することができる。この場合も、請
求項1記載の発明と同様の効果を奏することができる。
【0013】ところで、従来より温度を簡易に調整する
ために用いられるものとしてパワートランジスタ等の電
熱器があるが、該電熱器は作動時に加熱され、作動停止
時に加熱が停止されるものであり、温度を低下させるた
めの機能は有していない。
ために用いられるものとしてパワートランジスタ等の電
熱器があるが、該電熱器は作動時に加熱され、作動停止
時に加熱が停止されるものであり、温度を低下させるた
めの機能は有していない。
【0014】そこで、請求項3記載の光源装置は、請求
項1又は請求項2記載の発明において、前記温度調整手
段を電熱器とし、前記所定温度を前記光源の周辺におけ
る環境温度より高い温度としたことを特徴とするもので
ある。
項1又は請求項2記載の発明において、前記温度調整手
段を電熱器とし、前記所定温度を前記光源の周辺におけ
る環境温度より高い温度としたことを特徴とするもので
ある。
【0015】請求項3に記載の光源装置によれば、請求
項1又は請求項2記載の発明における制御手段によって
温度検出手段により検出される温度が光源の周辺におけ
る環境温度より高い温度である所定温度となるように電
熱器が制御される。すなわち、上述したように電熱器は
温度を低下させるための機能を有していないが、上記所
定温度を光源の周辺における環境温度より高い温度とす
ることにより、温度検出手段により検出される温度が所
定温度より低い場合は電熱器を作動させることにより所
定温度に近づけることができ、温度検出手段により検出
される温度が所定温度より高い場合には電熱器の作動を
停止させることにより所定温度に近づけることができ
る。
項1又は請求項2記載の発明における制御手段によって
温度検出手段により検出される温度が光源の周辺におけ
る環境温度より高い温度である所定温度となるように電
熱器が制御される。すなわち、上述したように電熱器は
温度を低下させるための機能を有していないが、上記所
定温度を光源の周辺における環境温度より高い温度とす
ることにより、温度検出手段により検出される温度が所
定温度より低い場合は電熱器を作動させることにより所
定温度に近づけることができ、温度検出手段により検出
される温度が所定温度より高い場合には電熱器の作動を
停止させることにより所定温度に近づけることができ
る。
【0016】このように、請求項3に記載の光源装置に
よれば、請求項1又は請求項2記載の発明と同様の効果
を奏することができると共に、温度調整手段を電熱器と
し、かつ所定温度を光源の周辺における環境温度より高
い温度としているので、温度制御を簡易に行うことがで
きる。
よれば、請求項1又は請求項2記載の発明と同様の効果
を奏することができると共に、温度調整手段を電熱器と
し、かつ所定温度を光源の周辺における環境温度より高
い温度としているので、温度制御を簡易に行うことがで
きる。
【0017】また、請求項4記載の光源装置は、請求項
1乃至請求項3の何れか1項記載の発明において、前記
温度調整手段はファンを含み、前記制御手段は前記温度
検出手段により検出される温度が前記所定温度より高い
場合に前記ファンを作動させるように制御することを特
徴としたものである。
1乃至請求項3の何れか1項記載の発明において、前記
温度調整手段はファンを含み、前記制御手段は前記温度
検出手段により検出される温度が前記所定温度より高い
場合に前記ファンを作動させるように制御することを特
徴としたものである。
【0018】請求項4に記載の光源装置によれば、請求
項1乃至請求項3の何れか1項記載の発明における制御
手段によって、温度検出手段により検出される温度が所
定温度より高い場合に温度調整手段に含まれるファンを
作動させるように制御される。
項1乃至請求項3の何れか1項記載の発明における制御
手段によって、温度検出手段により検出される温度が所
定温度より高い場合に温度調整手段に含まれるファンを
作動させるように制御される。
【0019】このように、請求項4に記載の光源装置に
よれば、請求項1乃至請求項3の何れか1項記載の発明
と同様の効果を奏することができると共に、温度検出手
段により検出される温度が所定温度より高い場合にファ
ンを作動させるように制御しているので、降温時間を短
縮することができ、より高精度に温度制御を行うことが
できる。
よれば、請求項1乃至請求項3の何れか1項記載の発明
と同様の効果を奏することができると共に、温度検出手
段により検出される温度が所定温度より高い場合にファ
ンを作動させるように制御しているので、降温時間を短
縮することができ、より高精度に温度制御を行うことが
できる。
【0020】また、請求項5記載の光源装置は、請求項
1乃至請求項4の何れか1項記載の発明において、前記
基板又は前記温度調整手段に実装された放熱フィンを更
に備えたことを特徴とするものである。
1乃至請求項4の何れか1項記載の発明において、前記
基板又は前記温度調整手段に実装された放熱フィンを更
に備えたことを特徴とするものである。
【0021】このように、請求項5に記載の光源装置に
よれば、請求項1乃至請求項4の何れか1項記載の発明
と同様の効果を奏することができると共に、基板又は温
度調整手段に放熱フィンを実装しているので、降温時間
を短縮することができ、より高精度に温度制御を行うこ
とができる。
よれば、請求項1乃至請求項4の何れか1項記載の発明
と同様の効果を奏することができると共に、基板又は温
度調整手段に放熱フィンを実装しているので、降温時間
を短縮することができ、より高精度に温度制御を行うこ
とができる。
【0022】更に、上記第2の目的を達成するために、
請求項6記載の画像読取装置は、原稿の画像を読み取る
画像読取装置であって、前記請求項1乃至請求項5の何
れか1項記載の光源装置と、前記光源装置から射出され
た光の前記原稿からの反射光又は透過光を受光して前記
原稿の画像を読み取る画像センサと、を備えている。
請求項6記載の画像読取装置は、原稿の画像を読み取る
画像読取装置であって、前記請求項1乃至請求項5の何
れか1項記載の光源装置と、前記光源装置から射出され
た光の前記原稿からの反射光又は透過光を受光して前記
原稿の画像を読み取る画像センサと、を備えている。
【0023】請求項6に記載の画像読取装置によれば、
画像センサによって、請求項1乃至請求項5の何れか1
項記載の光源装置から射出された光の原稿からの反射光
又は透過光が受光されて原稿の画像が読み取られる。な
お、上記画像センサには、ラインCCD、エリアCCD
等のCCDの他、あらゆる光電変換素子が含まれる。
画像センサによって、請求項1乃至請求項5の何れか1
項記載の光源装置から射出された光の原稿からの反射光
又は透過光が受光されて原稿の画像が読み取られる。な
お、上記画像センサには、ラインCCD、エリアCCD
等のCCDの他、あらゆる光電変換素子が含まれる。
【0024】従って、請求項6に記載の画像読取装置に
よれば、光源装置として本発明に係る高精度に温度制御
を行うことができる光源装置を適用しているので、温度
変化に起因する画像信号の変動を防止することができ、
高品質な画像読み取りを行うことができる。
よれば、光源装置として本発明に係る高精度に温度制御
を行うことができる光源装置を適用しているので、温度
変化に起因する画像信号の変動を防止することができ、
高品質な画像読み取りを行うことができる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。なお、以下では、
本発明をディジタルラボシステムに適用した場合につい
て説明する。
実施の形態について詳細に説明する。なお、以下では、
本発明をディジタルラボシステムに適用した場合につい
て説明する。
【0026】〔第1実施形態〕 (システム全体の概略構成)図1及び図2には、本実施
の形態に係るディジタルラボシステム10の概略構成が
示されている。
の形態に係るディジタルラボシステム10の概略構成が
示されている。
【0027】図1に示すように、このディジタルラボシ
ステム10は、エリアCCDスキャナ部14、画像処理
部16、レーザプリンタ部18、及びプロセッサ部20
を含んで構成されており、エリアCCDスキャナ部14
と画像処理部16は、図2に示す入力部26として一体
化されており、レーザプリンタ部18及びプロセッサ部
20は、図2に示す出力部28として一体化されてい
る。
ステム10は、エリアCCDスキャナ部14、画像処理
部16、レーザプリンタ部18、及びプロセッサ部20
を含んで構成されており、エリアCCDスキャナ部14
と画像処理部16は、図2に示す入力部26として一体
化されており、レーザプリンタ部18及びプロセッサ部
20は、図2に示す出力部28として一体化されてい
る。
【0028】エリアCCDスキャナ部14は、ネガフィ
ルムやリバーサルフィルム等の写真フィルムに記録され
ているコマ画像を読み取るためのものであり、例えば1
35サイズの写真フィルム、110サイズの写真フィル
ム、及び透明な磁気層が形成された写真フィルム(24
0サイズの写真フィルム:所謂APSフィルム)、12
0サイズ及び220サイズ(ブローニサイズ)の写真フ
ィルムのコマ画像を読取対象とすることができる。エリ
アCCDスキャナ部14は、上記の読取対象のコマ画像
をエリアCCD30で読み取り、A/D変換器32にお
いてA/D変換した後、シェーディング補正を施した画
像データを画像処理部16へ出力する。
ルムやリバーサルフィルム等の写真フィルムに記録され
ているコマ画像を読み取るためのものであり、例えば1
35サイズの写真フィルム、110サイズの写真フィル
ム、及び透明な磁気層が形成された写真フィルム(24
0サイズの写真フィルム:所謂APSフィルム)、12
0サイズ及び220サイズ(ブローニサイズ)の写真フ
ィルムのコマ画像を読取対象とすることができる。エリ
アCCDスキャナ部14は、上記の読取対象のコマ画像
をエリアCCD30で読み取り、A/D変換器32にお
いてA/D変換した後、シェーディング補正を施した画
像データを画像処理部16へ出力する。
【0029】シェーディング補正は、エリアCCD30
の光電変換特性の各セル単位でのばらつき及び照明むら
を補正するものであり、エリアCCDスキャナ部14に
画面全体が一定濃度の調整用のフィルム画像がセットさ
れている状態、又はエリアCCDスキャナ部14に写真
フィルム等の原稿が何もセットされていない状態で、エ
リアCCD30で画像を読み取ることによりエリアCC
D30から出力された画像データ(この画像データが表
す各画素毎の濃度のばらつきは各セルの光電変換特性の
ばらつき及び照明むらに起因する)に基づいて各セル毎
にゲイン(シェーディングデータ)を定めておき、エリ
アCCDスキャナ部14から出力される読取対象のフィ
ルム画像の画像データを、各セル毎に定めたゲインに応
じて各画素毎に補正するものである。
の光電変換特性の各セル単位でのばらつき及び照明むら
を補正するものであり、エリアCCDスキャナ部14に
画面全体が一定濃度の調整用のフィルム画像がセットさ
れている状態、又はエリアCCDスキャナ部14に写真
フィルム等の原稿が何もセットされていない状態で、エ
リアCCD30で画像を読み取ることによりエリアCC
D30から出力された画像データ(この画像データが表
す各画素毎の濃度のばらつきは各セルの光電変換特性の
ばらつき及び照明むらに起因する)に基づいて各セル毎
にゲイン(シェーディングデータ)を定めておき、エリ
アCCDスキャナ部14から出力される読取対象のフィ
ルム画像の画像データを、各セル毎に定めたゲインに応
じて各画素毎に補正するものである。
【0030】なお、本実施の形態では、240サイズの
写真フィルム(APSフィルム)Fを適用した場合のデ
ィジタルラボシステム10として説明する。
写真フィルム(APSフィルム)Fを適用した場合のデ
ィジタルラボシステム10として説明する。
【0031】画像処理部16は、エリアCCDスキャナ
部14から出力された画像データ(スキャン画像デー
タ)が入力されると共に、デジタルカメラ34等での撮
影によって得られた画像データ、原稿(例えば反射原稿
等)をスキャナ36(フラットベット型)で読み取るこ
とで得られた画像データ、他のコンピュータで生成され
てFD(フロッピディスク)、MO(光磁気ディス
ク)、CD(コンパクトディスク)等に記録され、フロ
ッピディスクドライブ38、MOドライブ又はCDドラ
イブ40等を介して入力される画像データ、及びモデム
42を介して受信する通信画像データ等(以下、これら
をファイル画像データと総称する)を外部から入力する
ことも可能なように構成されている。
部14から出力された画像データ(スキャン画像デー
タ)が入力されると共に、デジタルカメラ34等での撮
影によって得られた画像データ、原稿(例えば反射原稿
等)をスキャナ36(フラットベット型)で読み取るこ
とで得られた画像データ、他のコンピュータで生成され
てFD(フロッピディスク)、MO(光磁気ディス
ク)、CD(コンパクトディスク)等に記録され、フロ
ッピディスクドライブ38、MOドライブ又はCDドラ
イブ40等を介して入力される画像データ、及びモデム
42を介して受信する通信画像データ等(以下、これら
をファイル画像データと総称する)を外部から入力する
ことも可能なように構成されている。
【0032】画像処理部16は、入力された画像データ
を画像メモリ44に記憶し、色階調処理部46、ハイパ
ートーン処理部48、ハイパーシャープネス処理部50
等により各種の補正等の画像処理を行って、記録用画像
データとしてレーザプリンタ部18へ出力する。また、
画像処理部16は、画像処理を行った画像データを画像
ファイルとして外部へ出力する(例えばFD、MO、C
D等の記憶媒体に出力したり、通信回線を介して他の情
報処理機器へ送信する等)ことも可能とされている。
を画像メモリ44に記憶し、色階調処理部46、ハイパ
ートーン処理部48、ハイパーシャープネス処理部50
等により各種の補正等の画像処理を行って、記録用画像
データとしてレーザプリンタ部18へ出力する。また、
画像処理部16は、画像処理を行った画像データを画像
ファイルとして外部へ出力する(例えばFD、MO、C
D等の記憶媒体に出力したり、通信回線を介して他の情
報処理機器へ送信する等)ことも可能とされている。
【0033】レーザプリンタ部18はR(赤)、G
(緑)、B(青)のレーザ光源52を備えており、レー
ザドライバ54を制御して、画像処理部16から入力さ
れた記録用画像データ(一旦、画像メモリ56に記憶さ
れる)に応じて変調したレーザ光を印画紙62に照射し
て、走査露光(本実施の形態では、主としてポリゴンミ
ラー58、fθレンズ60を用いた光学系)によって印
画紙62に画像(潜像)を記録する。
(緑)、B(青)のレーザ光源52を備えており、レー
ザドライバ54を制御して、画像処理部16から入力さ
れた記録用画像データ(一旦、画像メモリ56に記憶さ
れる)に応じて変調したレーザ光を印画紙62に照射し
て、走査露光(本実施の形態では、主としてポリゴンミ
ラー58、fθレンズ60を用いた光学系)によって印
画紙62に画像(潜像)を記録する。
【0034】また、プロセッサ部20は、レーザプリン
タ部18で走査露光によって画像が記録された印画紙6
2に対し、発色現像、漂白定着、水洗、乾燥の各処理を
施す。これにより、印画紙62上に画像が形成される。
タ部18で走査露光によって画像が記録された印画紙6
2に対し、発色現像、漂白定着、水洗、乾燥の各処理を
施す。これにより、印画紙62上に画像が形成される。
【0035】(エリアCCDスキャナ部の構成)次にエ
リアCCDスキャナ部14の構成について説明する。図
3にはエリアCCDスキャナ部14の光学系の概略構成
が示されている。この光学系は、写真フィルムFに光を
照射する光源部80を備えており、光源部80の光射出
側には、コマ画像の画面が光軸(結像光学系である後述
するレンズユニットの光軸)L1と垂直になるようにセ
ットされた写真フィルムFを所定方向(矢印Sの示す方
向)に搬送するフィルムキャリア90が配置されてい
る。
リアCCDスキャナ部14の構成について説明する。図
3にはエリアCCDスキャナ部14の光学系の概略構成
が示されている。この光学系は、写真フィルムFに光を
照射する光源部80を備えており、光源部80の光射出
側には、コマ画像の画面が光軸(結像光学系である後述
するレンズユニットの光軸)L1と垂直になるようにセ
ットされた写真フィルムFを所定方向(矢印Sの示す方
向)に搬送するフィルムキャリア90が配置されてい
る。
【0036】光源部80には、図4に示されるように、
下方から順にLED光源82、拡散ボックス84、透過
拡散板86及び導波管88が光軸L1に沿って設けられ
ている。
下方から順にLED光源82、拡散ボックス84、透過
拡散板86及び導波管88が光軸L1に沿って設けられ
ている。
【0037】図5に示されるように、LED光源82は
基板100上に多数のLED素子102を2次元に配列
して構成されており、光軸L1に沿った方向へ光を出射
するように配置されている。なお、基板100は、材料
として熱伝導率が高いセラミックスが用いられている。
基板100上に多数のLED素子102を2次元に配列
して構成されており、光軸L1に沿った方向へ光を出射
するように配置されている。なお、基板100は、材料
として熱伝導率が高いセラミックスが用いられている。
【0038】基板100のLED素子配置側表面は、図
6に示されるように、銅等の電気伝導率の高い材料の配
線106により回路形成されて、該配線の酸化等による
腐食を防ぐために、腐食保護膜(以下、「レジスト膜」
という)108によって被覆されている。このレジスト
膜108は、白色等の反射率の高い材料によって形成さ
れている。LED光源82では、各LED素子102か
ら射出された光の一部は直接光として光軸L1に沿った
方向へ出射され、また他の一部は基板100方向へ出射
され、レジスト膜108によって反射されて反射光とし
て光軸L1に沿った方向へ出射されるようになっている
(図6の破線参照)。
6に示されるように、銅等の電気伝導率の高い材料の配
線106により回路形成されて、該配線の酸化等による
腐食を防ぐために、腐食保護膜(以下、「レジスト膜」
という)108によって被覆されている。このレジスト
膜108は、白色等の反射率の高い材料によって形成さ
れている。LED光源82では、各LED素子102か
ら射出された光の一部は直接光として光軸L1に沿った
方向へ出射され、また他の一部は基板100方向へ出射
され、レジスト膜108によって反射されて反射光とし
て光軸L1に沿った方向へ出射されるようになっている
(図6の破線参照)。
【0039】一方、基板100のLED素子配置側裏面
には、図5及び図6に示されるようにペルチエ素子11
0及びサーミスタ112が接触固定されており、更にペ
ルチエ素子110の基板100との接触面の反対側の面
には放熱フィン114が接触固定されている。また、L
ED光源82の下方でかつ放熱フィン114に対応する
位置にはファン116が取り付けられている。
には、図5及び図6に示されるようにペルチエ素子11
0及びサーミスタ112が接触固定されており、更にペ
ルチエ素子110の基板100との接触面の反対側の面
には放熱フィン114が接触固定されている。また、L
ED光源82の下方でかつ放熱フィン114に対応する
位置にはファン116が取り付けられている。
【0040】また、本実施の形態に係るエリアCCDス
キャナ部14には、LED光源82に設けられている多
数のLED素子102の温度変化に起因する発光状態の
変化を防止することを目的として、LED素子102の
温度が予め定められた所定温度で一定となるように制御
(以下、「温調制御」という)を行う温調制御部70
(図3参照)が備えられている。
キャナ部14には、LED光源82に設けられている多
数のLED素子102の温度変化に起因する発光状態の
変化を防止することを目的として、LED素子102の
温度が予め定められた所定温度で一定となるように制御
(以下、「温調制御」という)を行う温調制御部70
(図3参照)が備えられている。
【0041】図7には、温調制御部70に関する電気系
の概略構成が示されている。同図に示すように、温調制
御部70には該温調制御部70の動作を司るCPU(中
央処理装置)130、CPU130によって温調制御を
行う際に実行される温調制御プログラムのワークエリア
等として用いられるRAM132、上記温調制御プログ
ラムや各種パラメータ等が記憶されたROM134、及
び温調制御部70と外部との間の各種信号の入出力を行
うI/Oポート136が備えられており、CPU13
0、RAM132、ROM134及びI/Oポート13
6はバスによって相互に接続されている。
の概略構成が示されている。同図に示すように、温調制
御部70には該温調制御部70の動作を司るCPU(中
央処理装置)130、CPU130によって温調制御を
行う際に実行される温調制御プログラムのワークエリア
等として用いられるRAM132、上記温調制御プログ
ラムや各種パラメータ等が記憶されたROM134、及
び温調制御部70と外部との間の各種信号の入出力を行
うI/Oポート136が備えられており、CPU13
0、RAM132、ROM134及びI/Oポート13
6はバスによって相互に接続されている。
【0042】一方、I/Oポート136にはアナログ/
デジタル変換器(以下、「A/D変換器」という)14
0を介してサーミスタ112が、ドライバ142を介し
てペルチエ素子110及びファン116が、各々接続さ
れており、CPU130はサーミスタ112の設置部位
における温度を検知することができると共に、ペルチエ
素子110及びファン116のドライバ142による駆
動を制御することができる。
デジタル変換器(以下、「A/D変換器」という)14
0を介してサーミスタ112が、ドライバ142を介し
てペルチエ素子110及びファン116が、各々接続さ
れており、CPU130はサーミスタ112の設置部位
における温度を検知することができると共に、ペルチエ
素子110及びファン116のドライバ142による駆
動を制御することができる。
【0043】また、CPU130には温調制御の状態を
示す情報を保持するレジスタ146が接続されており、
CPU130はサーミスタ112により検知される温度
が温調制御を行う際の目標とする温度(以下、「温調温
度」という)となっていない場合はレジスタ146に0
(零)を記憶し、温調温度となっている場合はレジスタ
146に1を記憶する。温調温度が本発明の所定温度に
相当する。
示す情報を保持するレジスタ146が接続されており、
CPU130はサーミスタ112により検知される温度
が温調制御を行う際の目標とする温度(以下、「温調温
度」という)となっていない場合はレジスタ146に0
(零)を記憶し、温調温度となっている場合はレジスタ
146に1を記憶する。温調温度が本発明の所定温度に
相当する。
【0044】一方、基板100上の多数のLED素子1
02の各々の端子は、配線106によって基板100に
設けられたコネクタ118(図5参照)に接続されてい
る。コネクタ118はエリアCCDスキャナ部14全体
の動作を司る図示しない制御部に接続されており、該制
御部によって各LED素子102はオン/オフ制御可能
となっている。
02の各々の端子は、配線106によって基板100に
設けられたコネクタ118(図5参照)に接続されてい
る。コネクタ118はエリアCCDスキャナ部14全体
の動作を司る図示しない制御部に接続されており、該制
御部によって各LED素子102はオン/オフ制御可能
となっている。
【0045】図6に示されるように、本実施の形態に係
るLED素子102は、図6左側から順に、B(青)色
に発光するLED素子102B、IR(InfraRed)色に
発光するLED素子102IR、G(緑)色に発光する
LED素子102G、R(赤)色に発光するLED素子
102Rと繰り返し配列されており、上記図示しない制
御部による制御によってR、G、B及びIRの射出する
光の色毎にオン/オフ制御可能となっている。
るLED素子102は、図6左側から順に、B(青)色
に発光するLED素子102B、IR(InfraRed)色に
発光するLED素子102IR、G(緑)色に発光する
LED素子102G、R(赤)色に発光するLED素子
102Rと繰り返し配列されており、上記図示しない制
御部による制御によってR、G、B及びIRの射出する
光の色毎にオン/オフ制御可能となっている。
【0046】一方、拡散ボックス84は、上端部、下端
部が開口とされた筒状に形成されて、基板100の周縁
に基板100を囲むように立設されている。LED光源
82から出射された光は、光量を損失することなく拡散
ボックス84に入射するようになっている。
部が開口とされた筒状に形成されて、基板100の周縁
に基板100を囲むように立設されている。LED光源
82から出射された光は、光量を損失することなく拡散
ボックス84に入射するようになっている。
【0047】拡散ボックス84の内周面には、光の全反
射率及び拡散反射率が高く、かつほぼ均一の分光反射特
性及び分光拡散反射特性を持つ反射拡散面84Aが形成
されている。なお、「光」とは一般的には1nm〜1m
mの波長帯の電磁波のことを指すが、ここでは、少なく
とも可視域(約400nm〜750nmの波長帯)の光
のことを「光」という。
射率及び拡散反射率が高く、かつほぼ均一の分光反射特
性及び分光拡散反射特性を持つ反射拡散面84Aが形成
されている。なお、「光」とは一般的には1nm〜1m
mの波長帯の電磁波のことを指すが、ここでは、少なく
とも可視域(約400nm〜750nmの波長帯)の光
のことを「光」という。
【0048】反射拡散面84Aは、光の反射率及び拡散
反射率が高く、かつほぼ均一の分光反射特性及び分光拡
散反射特性を持つ材料を拡散ボックス84の内周面へコ
ーティングする、又は反射率及び拡散反射率が高く、か
つほぼ均一の分光反射特性及び分光拡散反射特性を持つ
材料を用いて拡散ボックス84の内周面を形成する等に
より形成されている。
反射率が高く、かつほぼ均一の分光反射特性及び分光拡
散反射特性を持つ材料を拡散ボックス84の内周面へコ
ーティングする、又は反射率及び拡散反射率が高く、か
つほぼ均一の分光反射特性及び分光拡散反射特性を持つ
材料を用いて拡散ボックス84の内周面を形成する等に
より形成されている。
【0049】拡散ボックス84は、LED光源82から
出射された光を上方へと案内し、透過拡散板86へ向け
て出射する。このとき、反射拡散面84Aによって不規
則な方向へ拡散反射させることによって、LED光源8
2からの光の光量ムラが低減(不均一な光量分布が是
正)されている。また、反射拡散面84Aでは、LED
光源82から出射されるR光、G光、B光の相対的な光
量バランス(所謂カラーバランス)は変化させずに光を
拡散反射させるので、入射光(LED光源82から出射
された光)の光量バランスをほぼ保ったまま出射する。
出射された光を上方へと案内し、透過拡散板86へ向け
て出射する。このとき、反射拡散面84Aによって不規
則な方向へ拡散反射させることによって、LED光源8
2からの光の光量ムラが低減(不均一な光量分布が是
正)されている。また、反射拡散面84Aでは、LED
光源82から出射されるR光、G光、B光の相対的な光
量バランス(所謂カラーバランス)は変化させずに光を
拡散反射させるので、入射光(LED光源82から出射
された光)の光量バランスをほぼ保ったまま出射する。
【0050】透過拡散板86は、拡散ボックス84の上
端部と接するように設けられ、拡散ボックス84の上端
部の開口を閉止している。拡散ボックス84から出射さ
れた光は、光量を損失することなく透過拡散板86に入
射する。
端部と接するように設けられ、拡散ボックス84の上端
部の開口を閉止している。拡散ボックス84から出射さ
れた光は、光量を損失することなく透過拡散板86に入
射する。
【0051】透過拡散板86は、例えば乳白色板、オパ
ールガラス、LSD(ライトシェービングディフュー
ザ)等により構成されており、光学的中心軸が光軸L1
と一致するように配置されている。
ールガラス、LSD(ライトシェービングディフュー
ザ)等により構成されており、光学的中心軸が光軸L1
と一致するように配置されている。
【0052】透過拡散板86は、拡散ボックス84から
出射された光を拡散透過することにより、不規則な方向
へ拡がる拡散光とすると共に、その光量分布をある程度
均一化して、導波管88方向へ光軸L1に沿った光を出
射する。
出射された光を拡散透過することにより、不規則な方向
へ拡がる拡散光とすると共に、その光量分布をある程度
均一化して、導波管88方向へ光軸L1に沿った光を出
射する。
【0053】導波管88は、上端部、下端部が開口とさ
れた筒状に形成されており、下端から上端へ向かって長
さ方向及び幅方向の幅が狭くなって、上端開口が写真フ
ィルムFのコマ画像にほぼ対応する矩形となるような形
状とされている。導波管88は、その光学的中心軸が光
軸L1と一致し、かつ下端部が透過拡散板86により閉
止されるように配置されており、透過拡散板86を透過
した光は、光量を損失することなく導波管88に入射す
る。
れた筒状に形成されており、下端から上端へ向かって長
さ方向及び幅方向の幅が狭くなって、上端開口が写真フ
ィルムFのコマ画像にほぼ対応する矩形となるような形
状とされている。導波管88は、その光学的中心軸が光
軸L1と一致し、かつ下端部が透過拡散板86により閉
止されるように配置されており、透過拡散板86を透過
した光は、光量を損失することなく導波管88に入射す
る。
【0054】導波管88の内周面には、光の反射率が高
い反射面88Aが形成されており、透過拡散板86を透
過して導波管88に入射した光を、フィルムキャリア9
0近傍まで案内し、読取対象とするコマ画像に対応する
光(照明光)として、フィルムキャリア90内の読取位
置Rへ支持された写真フィルムFへ向けて出射する。
い反射面88Aが形成されており、透過拡散板86を透
過して導波管88に入射した光を、フィルムキャリア9
0近傍まで案内し、読取対象とするコマ画像に対応する
光(照明光)として、フィルムキャリア90内の読取位
置Rへ支持された写真フィルムFへ向けて出射する。
【0055】光源部80が本発明の光源装置に、基板1
00が本発明の基板に、LED素子102が本発明の光
源に、ペルチエ素子110が本発明の温度調整手段に、
サーミスタ112が本発明の温度検出手段に、放熱フィ
ン114が本発明の放熱フィンに、ファン116が本発
明のファンに、CPU130が本発明の制御手段に、各
々相当する。
00が本発明の基板に、LED素子102が本発明の光
源に、ペルチエ素子110が本発明の温度調整手段に、
サーミスタ112が本発明の温度検出手段に、放熱フィ
ン114が本発明の放熱フィンに、ファン116が本発
明のファンに、CPU130が本発明の制御手段に、各
々相当する。
【0056】フィルムキャリア90の上面及び下面に
は、光源部80からの光が通過するための読取位置Rに
セットされたコマ画像に対応する開口が設けられてい
る。光源部80(詳しくは拡散ボックス84)から出射
された光は、フィルムキャリア90の下面に設けられた
開口を通して写真フィルムFへ照射され、読取位置Rに
支持されたコマ画像の濃度に応じた光量の光が透過す
る。この写真フィルムFを透過した光は、フィルムキャ
リア90の上面に設けられた開口を通って出射する。
は、光源部80からの光が通過するための読取位置Rに
セットされたコマ画像に対応する開口が設けられてい
る。光源部80(詳しくは拡散ボックス84)から出射
された光は、フィルムキャリア90の下面に設けられた
開口を通して写真フィルムFへ照射され、読取位置Rに
支持されたコマ画像の濃度に応じた光量の光が透過す
る。この写真フィルムFを透過した光は、フィルムキャ
リア90の上面に設けられた開口を通って出射する。
【0057】写真フィルムFを挟んで光源部80と反対
側には、光軸L1に沿って、コマ画像を透過した光を結
像させるレンズユニット92、エリアCCD30が順に
配置されている。なお、レンズユニット92として単一
のレンズのみを示しているが、レンズユニット92は、
実際には複数枚のレンズから構成されたズームレンズで
ある。また、レンズユニット92として、セルフォック
レンズを用いてもよい。この場合、セルフォックレンズ
の両端面をそれぞれ、可能な限り写真フィルムF及びエ
リアCCD30に接近させることが好ましい。
側には、光軸L1に沿って、コマ画像を透過した光を結
像させるレンズユニット92、エリアCCD30が順に
配置されている。なお、レンズユニット92として単一
のレンズのみを示しているが、レンズユニット92は、
実際には複数枚のレンズから構成されたズームレンズで
ある。また、レンズユニット92として、セルフォック
レンズを用いてもよい。この場合、セルフォックレンズ
の両端面をそれぞれ、可能な限り写真フィルムF及びエ
リアCCD30に接近させることが好ましい。
【0058】エリアCCD30には、光入射側に、複数
のCCDセルが2次元に配列され、かつ電子シャッタ機
構が設けられたセンシング部が設けられている。エリア
CCD30は、センシング部の受光面がレンズユニット
92の結像点位置に一致するように配置されている。ま
た、図示は省略するが、エリアCCD30とレンズユニ
ット92との間にはシャッタが設けられている。
のCCDセルが2次元に配列され、かつ電子シャッタ機
構が設けられたセンシング部が設けられている。エリア
CCD30は、センシング部の受光面がレンズユニット
92の結像点位置に一致するように配置されている。ま
た、図示は省略するが、エリアCCD30とレンズユニ
ット92との間にはシャッタが設けられている。
【0059】エリアCCD30は、フィルムキャリア9
0の読取位置Rに位置決めされたコマ画像の濃度情報を
検出し、画像信号としてA/D変換器32(図1参照)
へ出力する。A/D変換器32は、エリアCCD30か
らの画像信号をデジタル変換する。エリアCCDスキャ
ナ部14は、このデジタル信号を画像データとして画像
処理部16へ送信する。
0の読取位置Rに位置決めされたコマ画像の濃度情報を
検出し、画像信号としてA/D変換器32(図1参照)
へ出力する。A/D変換器32は、エリアCCD30か
らの画像信号をデジタル変換する。エリアCCDスキャ
ナ部14は、このデジタル信号を画像データとして画像
処理部16へ送信する。
【0060】エリアCCDスキャナ部14が本発明の画
像読取装置に、エリアCCD30が本発明の画像センサ
に、写真フィルムFが本発明の原稿に、各々相当する。
像読取装置に、エリアCCD30が本発明の画像センサ
に、写真フィルムFが本発明の原稿に、各々相当する。
【0061】(作用)次に、上記のように構成されたデ
ィジタルラボシステム10の作用について説明する。本
実施の形態に係るディジタルラボシステム10では、デ
ィジタルラボシステム10の電源が投入されると、温調
制御部70によって温調制御が行われる。そこで、ま
ず、図8を参照して、温調制御部70によって行われる
温調制御について説明する。なお、図8は温調制御部7
0によって温調制御を行う際に温調制御部70のCPU
130により実行される温調制御プログラムの流れを示
すフローチャートであり、該温調制御プログラムは予め
ROM134に記憶されている。また、本実施の形態に
係る温調温度Sは、LED素子102が安定して発光す
ることができる温度として予めROM134の所定領域
に記憶されている。本第1実施形態では、温調温度Sと
して30°Cが適用されている。
ィジタルラボシステム10の作用について説明する。本
実施の形態に係るディジタルラボシステム10では、デ
ィジタルラボシステム10の電源が投入されると、温調
制御部70によって温調制御が行われる。そこで、ま
ず、図8を参照して、温調制御部70によって行われる
温調制御について説明する。なお、図8は温調制御部7
0によって温調制御を行う際に温調制御部70のCPU
130により実行される温調制御プログラムの流れを示
すフローチャートであり、該温調制御プログラムは予め
ROM134に記憶されている。また、本実施の形態に
係る温調温度Sは、LED素子102が安定して発光す
ることができる温度として予めROM134の所定領域
に記憶されている。本第1実施形態では、温調温度Sと
して30°Cが適用されている。
【0062】図8のステップ200ではROM134の
所定領域から温調温度Sを読み取り、次のステップ20
2ではサーミスタ112によって温度Tを検知し、更に
ステップ204では検知した温度Tが温調温度Sより低
いか否かを判定し、低い場合(肯定判定の場合)にはス
テップ206へ移行する。
所定領域から温調温度Sを読み取り、次のステップ20
2ではサーミスタ112によって温度Tを検知し、更に
ステップ204では検知した温度Tが温調温度Sより低
いか否かを判定し、低い場合(肯定判定の場合)にはス
テップ206へ移行する。
【0063】ステップ206ではレジスタ146に
‘0’を記憶し、次のステップ208ではファン116
が駆動中であるか否かを判定し、駆動中である場合(肯
定判定の場合)はステップ210へ移行してファン11
6の駆動を停止した後にステップ212へ移行する。ま
た、ステップ208でファン116が駆動中ではないと
判定された場合(否定判定の場合)には上記ステップ2
10の処理を行うことなくステップ212へ移行する。
‘0’を記憶し、次のステップ208ではファン116
が駆動中であるか否かを判定し、駆動中である場合(肯
定判定の場合)はステップ210へ移行してファン11
6の駆動を停止した後にステップ212へ移行する。ま
た、ステップ208でファン116が駆動中ではないと
判定された場合(否定判定の場合)には上記ステップ2
10の処理を行うことなくステップ212へ移行する。
【0064】ステップ212ではペルチエ素子110に
よって昇温中であるか否かを判定し、昇温中でない場合
(否定判定の場合)はステップ214へ移行してペルチ
エ素子110による昇温を開始した後に上記ステップ2
02へ戻る。また、ステップ212でペルチエ素子11
0によって昇温中であると判定された場合(肯定判定の
場合)には上記ステップ214の処理を行うことなくス
テップ202へ戻る。
よって昇温中であるか否かを判定し、昇温中でない場合
(否定判定の場合)はステップ214へ移行してペルチ
エ素子110による昇温を開始した後に上記ステップ2
02へ戻る。また、ステップ212でペルチエ素子11
0によって昇温中であると判定された場合(肯定判定の
場合)には上記ステップ214の処理を行うことなくス
テップ202へ戻る。
【0065】一方、ステップ204で温度Tが温調温度
Sより低くないと判定された場合(否定判定の場合)に
はステップ216へ移行して温度Tが温調温度Sより高
いか否かを判定し、高い場合(肯定判定の場合)にはス
テップ218へ移行する。
Sより低くないと判定された場合(否定判定の場合)に
はステップ216へ移行して温度Tが温調温度Sより高
いか否かを判定し、高い場合(肯定判定の場合)にはス
テップ218へ移行する。
【0066】ステップ218ではレジスタ146に
‘0’を記憶し、次のステップ220ではファン116
が駆動中であるか否かを判定し、駆動中でない場合(否
定判定の場合)はステップ222へ移行してファン11
6の駆動を開始した後にステップ224へ移行する。ま
た、ステップ220でファン116が駆動中であると判
定された場合(肯定判定の場合)には上記ステップ22
2の処理を行うことなくステップ224へ移行する。
‘0’を記憶し、次のステップ220ではファン116
が駆動中であるか否かを判定し、駆動中でない場合(否
定判定の場合)はステップ222へ移行してファン11
6の駆動を開始した後にステップ224へ移行する。ま
た、ステップ220でファン116が駆動中であると判
定された場合(肯定判定の場合)には上記ステップ22
2の処理を行うことなくステップ224へ移行する。
【0067】ステップ224ではペルチエ素子110に
よって降温中であるか否かを判定し、降温中でない場合
(否定判定の場合)はステップ226へ移行してペルチ
エ素子110による降温を開始した後に上記ステップ2
02へ戻る。また、ステップ224でペルチエ素子11
0によって降温中であると判定された場合(肯定判定の
場合)には上記ステップ226の処理を行うことなくス
テップ202へ戻る。
よって降温中であるか否かを判定し、降温中でない場合
(否定判定の場合)はステップ226へ移行してペルチ
エ素子110による降温を開始した後に上記ステップ2
02へ戻る。また、ステップ224でペルチエ素子11
0によって降温中であると判定された場合(肯定判定の
場合)には上記ステップ226の処理を行うことなくス
テップ202へ戻る。
【0068】一方、ステップ216で温度Tが温調温度
Sより高くないと判定された場合(否定判定の場合)に
は、温度Tが温調温度Sに一致しているものと見なして
ステップ228へ移行してレジスタ146に‘1’を記
憶した後にステップ202へ戻る。
Sより高くないと判定された場合(否定判定の場合)に
は、温度Tが温調温度Sに一致しているものと見なして
ステップ228へ移行してレジスタ146に‘1’を記
憶した後にステップ202へ戻る。
【0069】以上のステップ202〜ステップ228の
繰り返し処理によって、サーミスタ112により検知さ
れる温度Tが温調温度Sで一定となるように制御される
と共に、温度Tが温調温度Sと一致していないときはレ
ジスタ146の記憶内容が‘0’とされ、温度Tが温調
温度Sと一致しているときにはレジスタ146の記憶内
容が‘1’とされる。
繰り返し処理によって、サーミスタ112により検知さ
れる温度Tが温調温度Sで一定となるように制御される
と共に、温度Tが温調温度Sと一致していないときはレ
ジスタ146の記憶内容が‘0’とされ、温度Tが温調
温度Sと一致しているときにはレジスタ146の記憶内
容が‘1’とされる。
【0070】次に、画像読み取り時における本実施の形
態に係るディジタルラボシステム10全体の作用につい
て説明する。
態に係るディジタルラボシステム10全体の作用につい
て説明する。
【0071】エリアCCDスキャナ部14では、上記図
示しない制御部によってレジスタ146の記憶内容が読
み取られ、該内容が‘1’でない場合は‘1’になるま
で待機され、‘1’である場合はエリアCCD30によ
り、フィルムキャリア90の読取位置Rにセットされた
コマ画像の画像濃度に対応するR、G、B及びIRの画
像信号がそれぞれ取得され、A/D変換器32によりデ
ジタル変換された後、画像処理部16に送信される。な
お、上記画像信号を取得する際には、LED光源82に
備えらているLED素子102のうち、R色に発光する
LED素子102Rのみを発光させた状態でRの画像信
号を取得し、次にG色に発光するLED素子102Gの
みを発光させた状態でGの画像信号を取得した後、B色
に発光するLED素子102Bのみを発光させた状態で
Bの画像信号を取得し、最後にIR色に発光するLED
素子102IRのみを発光させた状態でIRの画像信号
を取得する。なお、このように本実施の形態では、R、
G、B、IRの順に画像信号を取得しているが、この取
得順は任意に設定することができる。
示しない制御部によってレジスタ146の記憶内容が読
み取られ、該内容が‘1’でない場合は‘1’になるま
で待機され、‘1’である場合はエリアCCD30によ
り、フィルムキャリア90の読取位置Rにセットされた
コマ画像の画像濃度に対応するR、G、B及びIRの画
像信号がそれぞれ取得され、A/D変換器32によりデ
ジタル変換された後、画像処理部16に送信される。な
お、上記画像信号を取得する際には、LED光源82に
備えらているLED素子102のうち、R色に発光する
LED素子102Rのみを発光させた状態でRの画像信
号を取得し、次にG色に発光するLED素子102Gの
みを発光させた状態でGの画像信号を取得した後、B色
に発光するLED素子102Bのみを発光させた状態で
Bの画像信号を取得し、最後にIR色に発光するLED
素子102IRのみを発光させた状態でIRの画像信号
を取得する。なお、このように本実施の形態では、R、
G、B、IRの順に画像信号を取得しているが、この取
得順は任意に設定することができる。
【0072】画像処理部16は、受信したデータを画像
データとして画像メモリ44に格納する。画像処理部1
6において、IRの画像データに基づいてR、G、Bの
画像データに対して写真フィルムF上のキズや塵埃の影
響を除去する補正が施され、また色階調処理、ハイパー
トーン処理、ハイパーシャープネス処理等の各種の補正
等の画像処理が施された後、記録用画像データとしてレ
ーザプリンタ部18へ出力される。
データとして画像メモリ44に格納する。画像処理部1
6において、IRの画像データに基づいてR、G、Bの
画像データに対して写真フィルムF上のキズや塵埃の影
響を除去する補正が施され、また色階調処理、ハイパー
トーン処理、ハイパーシャープネス処理等の各種の補正
等の画像処理が施された後、記録用画像データとしてレ
ーザプリンタ部18へ出力される。
【0073】レーザプリンタ部18において、この記録
用画像データに応じて変調したレーザ光が印画紙62に
照射され、走査露光によって印画紙62に画像(潜像)
が記録される。レーザプリンタ部18で走査露光によっ
て画像(潜像)が記録された印画紙62はプロセッサ部
20に搬送され、発色現像、漂白定着、水洗、乾燥の各
処理が施され、印画紙62上に画像が形成される。
用画像データに応じて変調したレーザ光が印画紙62に
照射され、走査露光によって印画紙62に画像(潜像)
が記録される。レーザプリンタ部18で走査露光によっ
て画像(潜像)が記録された印画紙62はプロセッサ部
20に搬送され、発色現像、漂白定着、水洗、乾燥の各
処理が施され、印画紙62上に画像が形成される。
【0074】以上詳細に説明したように、本第1実施形
態に係る光源装置としての光源部80では、熱伝導率が
高いセラミックスによって構成された基板に対して、L
ED素子と、温度制御に用いられるサーミスタ及びペル
チエ素子と、を実装することにより構成しているので、
LED素子に対して直接にサーミスタ及びペルチエ素子
を接触固定する場合に比較して簡易に構成することがで
きると共に、LED素子とサーミスタ及びペルチエ素子
との間に介在させた基板を熱伝導率が高い材料によって
構成しているので、温調制御部によってサーミスタによ
るLED素子の温度変化の検出、並びにペルチエ素子に
よるLED素子の温度調整を正確かつ短時間に行うこと
ができ、高精度に温調制御を行うことができる。
態に係る光源装置としての光源部80では、熱伝導率が
高いセラミックスによって構成された基板に対して、L
ED素子と、温度制御に用いられるサーミスタ及びペル
チエ素子と、を実装することにより構成しているので、
LED素子に対して直接にサーミスタ及びペルチエ素子
を接触固定する場合に比較して簡易に構成することがで
きると共に、LED素子とサーミスタ及びペルチエ素子
との間に介在させた基板を熱伝導率が高い材料によって
構成しているので、温調制御部によってサーミスタによ
るLED素子の温度変化の検出、並びにペルチエ素子に
よるLED素子の温度調整を正確かつ短時間に行うこと
ができ、高精度に温調制御を行うことができる。
【0075】また、本第1実施形態に係る光源部80で
は、サーミスタにより検出される温度が温調温度より高
い場合にファンを作動させるように制御しているので、
降温時間を短縮することができ、高精度に温調制御を行
うことができる。
は、サーミスタにより検出される温度が温調温度より高
い場合にファンを作動させるように制御しているので、
降温時間を短縮することができ、高精度に温調制御を行
うことができる。
【0076】また、本第1実施形態に係る光源部80で
は、ペルチエ素子に放熱フィンを実装しているので、降
温時間を短縮することができ、高精度に温調制御を行う
ことができる。
は、ペルチエ素子に放熱フィンを実装しているので、降
温時間を短縮することができ、高精度に温調制御を行う
ことができる。
【0077】また、本第1実施形態に係る画像読取装置
としてのエリアCCDスキャナ部14では、光源部とし
て上記のように高精度に温調制御を行うことができる光
源部80を適用しているので、温度変化に起因する画像
信号の変動を防止することができ、高品質な画像読み取
りを行うことができる。
としてのエリアCCDスキャナ部14では、光源部とし
て上記のように高精度に温調制御を行うことができる光
源部80を適用しているので、温度変化に起因する画像
信号の変動を防止することができ、高品質な画像読み取
りを行うことができる。
【0078】なお、本第1実施形態では、LED光源8
2の基板100の材料として熱伝導率の高いセラミック
スを適用した場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば、アルミニウム等の熱
伝導率の高い金属を適用する形態としてもよい。
2の基板100の材料として熱伝導率の高いセラミック
スを適用した場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば、アルミニウム等の熱
伝導率の高い金属を適用する形態としてもよい。
【0079】図9には、この場合のLED光源82’の
構成例が示されている。同図に示す例では、発光素子と
して発光面側に端子を有するLED102’を適用して
おり、各LED102’の各端子を配線106’によっ
て接続している。なお、同図における100’はアルミ
ニウムで構成された基板であり、該基板100’のLE
D102’が実装されていない側の面には本実施の形態
と同様にペルチエ素子110が接触固定されており、ペ
ルチエ素子110の基板100’への実装面の反対側の
面には放熱フィン114が接触固定されている。このよ
うに構成することによって、導電率が高いアルミニウム
をLED光源の基板として適用することができる。この
場合にも、本第1実施形態と同様の効果を奏することが
できる。
構成例が示されている。同図に示す例では、発光素子と
して発光面側に端子を有するLED102’を適用して
おり、各LED102’の各端子を配線106’によっ
て接続している。なお、同図における100’はアルミ
ニウムで構成された基板であり、該基板100’のLE
D102’が実装されていない側の面には本実施の形態
と同様にペルチエ素子110が接触固定されており、ペ
ルチエ素子110の基板100’への実装面の反対側の
面には放熱フィン114が接触固定されている。このよ
うに構成することによって、導電率が高いアルミニウム
をLED光源の基板として適用することができる。この
場合にも、本第1実施形態と同様の効果を奏することが
できる。
【0080】また、本第1実施形態では、ペルチエ素子
110及びサーミスタ112を基板100のLED素子
102が実装されていない側の面に実装した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、各部材ともLED素子102の実装面側に実装する
形態とすることもできる。この場合も、本第1実施形態
と同様の効果を奏することができる。
110及びサーミスタ112を基板100のLED素子
102が実装されていない側の面に実装した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、各部材ともLED素子102の実装面側に実装する
形態とすることもできる。この場合も、本第1実施形態
と同様の効果を奏することができる。
【0081】〔第2実施形態〕上記第1実施形態では、
本発明の温度調整手段としてペルチエ素子を適用した場
合の一形態について説明したが、本第2実施形態では、
本発明の温度調整手段としてパワートランジスタを適用
した場合の一形態について説明する。
本発明の温度調整手段としてペルチエ素子を適用した場
合の一形態について説明したが、本第2実施形態では、
本発明の温度調整手段としてパワートランジスタを適用
した場合の一形態について説明する。
【0082】図10は、本第2実施形態に係るLED光
源82’’の分解斜視図である。なお、同図における図
5と同様の部分については図5と同一の符号を付して、
ここでの説明を省略する。
源82’’の分解斜視図である。なお、同図における図
5と同様の部分については図5と同一の符号を付して、
ここでの説明を省略する。
【0083】図10に示すように、本第2実施形態に係
るLED光源82’’は、ペルチエ素子110が基板1
00に実装されておらず、パワートランジスタ120が
基板100に接触固定されている点のみが上記第1実施
形態に係るLED光源82と異なっている。パワートラ
ンジスタ120が本発明の電熱器に相当する。なお、L
ED光源以外の構成については上記第1実施形態と同様
であるので、ここでの説明は省略する。
るLED光源82’’は、ペルチエ素子110が基板1
00に実装されておらず、パワートランジスタ120が
基板100に接触固定されている点のみが上記第1実施
形態に係るLED光源82と異なっている。パワートラ
ンジスタ120が本発明の電熱器に相当する。なお、L
ED光源以外の構成については上記第1実施形態と同様
であるので、ここでの説明は省略する。
【0084】次に、図11を参照して、本第2実施形態
に係る温調制御部70によって行われる温調制御につい
て説明する。なお、図11は本第2実施形態に係る温調
制御部70によって温調制御を行う際にCPU130に
よって実行される温調制御プログラムの流れを示すフロ
ーチャートであり、図8と同様の処理を行うステップに
ついては図8と同一のステップ番号を付して、ここでの
説明を省略する。また、本第2実施形態における温調温
度S’は、LED素子106が安定して発光することが
できる温度で、かつ環境温度より高い温度として予めR
OM134の所定領域に記憶されている。
に係る温調制御部70によって行われる温調制御につい
て説明する。なお、図11は本第2実施形態に係る温調
制御部70によって温調制御を行う際にCPU130に
よって実行される温調制御プログラムの流れを示すフロ
ーチャートであり、図8と同様の処理を行うステップに
ついては図8と同一のステップ番号を付して、ここでの
説明を省略する。また、本第2実施形態における温調温
度S’は、LED素子106が安定して発光することが
できる温度で、かつ環境温度より高い温度として予めR
OM134の所定領域に記憶されている。
【0085】図11のステップ200’ではROM13
4の所定領域から温調温度S’を読み取る。
4の所定領域から温調温度S’を読み取る。
【0086】また、ステップ204’ではサーミスタ1
12によって検知された温度Tが温調温度S’より低い
か否かを判定し、低い場合に実行されるステップ21
2’ではパワートランジスタ120がオンされているか
否かを判定し、オンされていない場合(否定判定の場
合)はステップ214’ヘ移行してパワートランジスタ
120をオンした後にステップ202へ戻る。また、ス
テップ212’でパワートランジスタ120がオンされ
ていると判定された場合(肯定判定の場合)には上記ス
テップ214’の処理を行うことなくステップ202へ
戻る。
12によって検知された温度Tが温調温度S’より低い
か否かを判定し、低い場合に実行されるステップ21
2’ではパワートランジスタ120がオンされているか
否かを判定し、オンされていない場合(否定判定の場
合)はステップ214’ヘ移行してパワートランジスタ
120をオンした後にステップ202へ戻る。また、ス
テップ212’でパワートランジスタ120がオンされ
ていると判定された場合(肯定判定の場合)には上記ス
テップ214’の処理を行うことなくステップ202へ
戻る。
【0087】一方、ステップ216’ではサーミスタ1
12によって検知された温度Tが温調温度S’より高い
か否かを判定し、高い場合に実行されるステップ22
4’ではパワートランジスタ120がオフされているか
否かを判定し、オフされていない場合(否定判定の場
合)はステップ226’ヘ移行してパワートランジスタ
120をオフした後にステップ202へ戻る。また、ス
テップ224’でパワートランジスタ120がオフされ
ていると判定された場合(肯定判定の場合)には上記ス
テップ226’の処理を行うことなくステップ202へ
戻る。
12によって検知された温度Tが温調温度S’より高い
か否かを判定し、高い場合に実行されるステップ22
4’ではパワートランジスタ120がオフされているか
否かを判定し、オフされていない場合(否定判定の場
合)はステップ226’ヘ移行してパワートランジスタ
120をオフした後にステップ202へ戻る。また、ス
テップ224’でパワートランジスタ120がオフされ
ていると判定された場合(肯定判定の場合)には上記ス
テップ226’の処理を行うことなくステップ202へ
戻る。
【0088】図11におけるステップ202〜ステップ
228の繰り返し処理によって、サーミスタ112によ
り検知される温度Tが温調温度S’で一定となるように
制御されると共に、温度Tが温調温度S’と一致してい
ないときはレジスタ146の記憶内容が‘0’とされ、
温度Tが温調温度S’と一致していないときはレジスタ
146の記憶内容が‘1’とされる。
228の繰り返し処理によって、サーミスタ112によ
り検知される温度Tが温調温度S’で一定となるように
制御されると共に、温度Tが温調温度S’と一致してい
ないときはレジスタ146の記憶内容が‘0’とされ、
温度Tが温調温度S’と一致していないときはレジスタ
146の記憶内容が‘1’とされる。
【0089】以上詳細に説明したように、本第2実施形
態に係る光源装置としての光源部では、熱伝導率が高い
セラミックスによって構成された基板に対して、LED
素子と、温度制御に用いられるサーミスタ及びパワート
ランジスタと、を実装することにより構成しているの
で、LED素子に対して直接にサーミスタ及びパワート
ランジスタを接触固定する場合に比較して簡易に構成す
ることができると共に、LED素子とサーミスタ及びパ
ワートランジスタとの間に介在させた基板を熱伝導率が
高い材料によって構成しているので、温調制御部によっ
てサーミスタによるLED素子の温度変化の検出、並び
にパワートランジスタによるLED素子の温度調整を正
確かつ短時間に行うことができ、高精度に温調制御を行
うことができる。
態に係る光源装置としての光源部では、熱伝導率が高い
セラミックスによって構成された基板に対して、LED
素子と、温度制御に用いられるサーミスタ及びパワート
ランジスタと、を実装することにより構成しているの
で、LED素子に対して直接にサーミスタ及びパワート
ランジスタを接触固定する場合に比較して簡易に構成す
ることができると共に、LED素子とサーミスタ及びパ
ワートランジスタとの間に介在させた基板を熱伝導率が
高い材料によって構成しているので、温調制御部によっ
てサーミスタによるLED素子の温度変化の検出、並び
にパワートランジスタによるLED素子の温度調整を正
確かつ短時間に行うことができ、高精度に温調制御を行
うことができる。
【0090】また、本第2実施形態に係る光源部では、
温度調整手段としてパワートランジスタを適用すると共
に、温調温度を光源部の周辺における環境温度より高い
温度としているので、パワートランジスタのオン/オフ
の制御のみによって簡易に温調制御を行うことができ
る。
温度調整手段としてパワートランジスタを適用すると共
に、温調温度を光源部の周辺における環境温度より高い
温度としているので、パワートランジスタのオン/オフ
の制御のみによって簡易に温調制御を行うことができ
る。
【0091】また、本第2実施形態に係る光源部では、
サーミスタにより検出される温度が温調温度より高い場
合にファンを作動させるように制御しているので、上記
第1実施形態と同様に、降温時間を短縮することがで
き、高精度に温調制御を行うことができる。
サーミスタにより検出される温度が温調温度より高い場
合にファンを作動させるように制御しているので、上記
第1実施形態と同様に、降温時間を短縮することがで
き、高精度に温調制御を行うことができる。
【0092】また、本第2実施形態に係る光源部では、
基板に放熱フィンを実装しているので、上記第1実施形
態と同様に、降温時間を短縮することができ、高精度に
温調制御を行うことができる。
基板に放熱フィンを実装しているので、上記第1実施形
態と同様に、降温時間を短縮することができ、高精度に
温調制御を行うことができる。
【0093】また、本第2実施形態に係る画像読取装置
としてのエリアCCDスキャナ部では、光源部として上
記のように高精度に温調制御を行うことができるものを
適用しているので、温度変化に起因する画像信号の変動
を防止することができ、高品質な画像読み取りを行うこ
とができる。
としてのエリアCCDスキャナ部では、光源部として上
記のように高精度に温調制御を行うことができるものを
適用しているので、温度変化に起因する画像信号の変動
を防止することができ、高品質な画像読み取りを行うこ
とができる。
【0094】なお、本第2実施形態では、LED光源8
2’’の基板100の材料として熱伝導率の高いセラミ
ックスを適用した場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、上記第1実施形態と同様
に、例えば、アルミニウム等の熱伝導率の高い金属を適
用する形態としてもよい。この場合にも、本第2実施形
態と同様の効果を奏することができる。
2’’の基板100の材料として熱伝導率の高いセラミ
ックスを適用した場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、上記第1実施形態と同様
に、例えば、アルミニウム等の熱伝導率の高い金属を適
用する形態としてもよい。この場合にも、本第2実施形
態と同様の効果を奏することができる。
【0095】また、本第2実施形態では、パワートラン
ジスタ120及びサーミスタ112を基板100のLE
D素子102が実装されていない側の面に実装した場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、各部材ともLED素子102の実装面側に実装
する形態とすることもできる。この場合も、本第2実施
形態と同様の効果を奏することができる。
ジスタ120及びサーミスタ112を基板100のLE
D素子102が実装されていない側の面に実装した場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、各部材ともLED素子102の実装面側に実装
する形態とすることもできる。この場合も、本第2実施
形態と同様の効果を奏することができる。
【0096】また、上記各実施形態では、サーミスタ1
12を1つのみ備えた場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば複数のサーミ
スタを基板100の各々異なる位置に実装しておき、各
サーミスタによって得られる温度に基づいて温調制御を
行う形態としてもよい。この場合は、基板100の各部
の温度に基づいて温調制御を行うことができるので、よ
り適切な温調制御を行うことができる。
12を1つのみ備えた場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば複数のサーミ
スタを基板100の各々異なる位置に実装しておき、各
サーミスタによって得られる温度に基づいて温調制御を
行う形態としてもよい。この場合は、基板100の各部
の温度に基づいて温調制御を行うことができるので、よ
り適切な温調制御を行うことができる。
【0097】また、上記各実施形態では、本発明の画像
センサとしてエリアCCDを適用した場合について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、ラインCCDを適用する形態とすることもできる。
センサとしてエリアCCDを適用した場合について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、ラインCCDを適用する形態とすることもできる。
【0098】また、上記各実施形態では、写真フィルム
F上のキズや塵埃を検出するために、IRに発光するL
ED素子102IRを含んだ構成を示したが、LED素
子102IRを省略してもよい。
F上のキズや塵埃を検出するために、IRに発光するL
ED素子102IRを含んだ構成を示したが、LED素
子102IRを省略してもよい。
【0099】また、上記各実施形態では、説明を簡易化
するために、サーミスタ112によって検出される温度
が単一の温調温度と一致するように温調制御を行う場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、温調温度にある程度の幅を持たせて、この温調
温度の範囲内にサーミスタ112によって検出される温
度が入るように温調制御を行う形態とすることもでき
る。この場合は、温度調整手段(ペルチエ素子又はパワ
ートランジスタ)の作動の切り換え回数を低減すること
ができる。
するために、サーミスタ112によって検出される温度
が単一の温調温度と一致するように温調制御を行う場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、温調温度にある程度の幅を持たせて、この温調
温度の範囲内にサーミスタ112によって検出される温
度が入るように温調制御を行う形態とすることもでき
る。この場合は、温度調整手段(ペルチエ素子又はパワ
ートランジスタ)の作動の切り換え回数を低減すること
ができる。
【0100】更に、上記各実施形態では、温調制御プロ
グラムを実行することによってソフトウェア的に温調制
御を実施する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、同様の制御を行うことができ
る回路を構成し、該回路を用いてハードウェア的に温調
制御を実施する形態とすることもできる。この場合は、
上記各実施形態に比較して、より高速に温調制御を行う
ことができる。
グラムを実行することによってソフトウェア的に温調制
御を実施する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、同様の制御を行うことができ
る回路を構成し、該回路を用いてハードウェア的に温調
制御を実施する形態とすることもできる。この場合は、
上記各実施形態に比較して、より高速に温調制御を行う
ことができる。
【0101】
【発明の効果】請求項1乃至請求項5に記載の光源装置
によれば、熱伝導率が高い材料によって構成された基板
に対して、光源と、制御手段による温度制御の際に用い
られる温度検出手段及び温度調整手段と、を実装するこ
とにより構成しているので、光源に含まれる発光素子に
対して直接に温度検出手段及び温度調整手段を接触固定
する場合に比較して簡易に構成することができると共
に、光源と温度検出手段及び温度調整手段との間に介在
させた基板を熱伝導率が高い材料によって構成している
ので、制御手段によって温度検出手段による光源の温度
変化の検出、並びに温度調整手段による光源の温度調整
を正確かつ短時間に行うことができ、高精度に温度制御
を行うことができる、という効果が得られる。
によれば、熱伝導率が高い材料によって構成された基板
に対して、光源と、制御手段による温度制御の際に用い
られる温度検出手段及び温度調整手段と、を実装するこ
とにより構成しているので、光源に含まれる発光素子に
対して直接に温度検出手段及び温度調整手段を接触固定
する場合に比較して簡易に構成することができると共
に、光源と温度検出手段及び温度調整手段との間に介在
させた基板を熱伝導率が高い材料によって構成している
ので、制御手段によって温度検出手段による光源の温度
変化の検出、並びに温度調整手段による光源の温度調整
を正確かつ短時間に行うことができ、高精度に温度制御
を行うことができる、という効果が得られる。
【0102】また、請求項6に記載の画像読取装置によ
れば、光源装置として本発明に係る高精度に温度制御を
行うことができる光源装置を適用しているので、温度変
化に起因する画像信号の変動を防止することができ、高
品質な画像読み取りを行うことができる、という効果が
得られる。
れば、光源装置として本発明に係る高精度に温度制御を
行うことができる光源装置を適用しているので、温度変
化に起因する画像信号の変動を防止することができ、高
品質な画像読み取りを行うことができる、という効果が
得られる。
【図1】本発明の実施の形態に係るディジタルラボシス
テムの概略構成図である。
テムの概略構成図である。
【図2】ディジタルラボシステムの外観図である。
【図3】エリアCCDスキャナ部の概略構成図である。
【図4】光源部の詳細構成を示す分解斜視図である。
【図5】第1実施形態に係るLED光源の概略構成を示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
【図6】図5に示すLED光源、及び拡散ボックスの断
面図である。
面図である。
【図7】第1実施形態に係る温調制御部に関する電気系
の概略構成を示すブロック図である。
の概略構成を示すブロック図である。
【図8】第1実施形態に係る温調制御プログラムの流れ
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図9】第1実施形態に係るLED光源の別の構成例を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図10】第2実施形態に係るLED光源の概略構成を
示す分解斜視図である。
示す分解斜視図である。
【図11】第2実施形態に係る温調制御プログラムの流
れを示すフローチャートである。
れを示すフローチャートである。
10 ディジタルラボシステム 14 エリアCCDスキャナ部(画像読取装置) 30 エリアCCD(画像センサ) 80 光源部(光源装置) 82 LED光源 84 拡散ボックス 86 透過拡散板 100 基板 102 LED素子(光源) 110 ペルチエ素子(温度調整手段) 112 サーミスタ(温度検出手段) 114 放熱フィン 116 ファン 120 パワートランジスタ(電熱器) 130 CPU(制御手段) F 写真フィルム(原稿)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H106 BA47 BH00 2H109 AA03 AA12 AA26 AA72 AB13 AB25 AB41 3K014 AA01 LA01 LB04 MA02 MA05 MA08 5B047 AA05 AB04 BB04 BC11 CA30 CB03 5C072 AA01 BA12 BA13 CA05 CA07 CA10 DA16 EA08 VA03
Claims (6)
- 【請求項1】 熱伝導率が高い材料によって構成された
基板と、 前記基板に実装されると共に発光素子を含んで構成され
た光源と、 前記基板に実装されると共に該実装された部位の温度を
検出する温度検出手段と、 前記基板に実装されると共に該実装された部位の温度を
調整する温度調整手段と、 前記温度検出手段により検出される温度が所定温度とな
るように前記温度調整手段を制御する制御手段と、 を備えた光源装置。 - 【請求項2】 前記光源は、複数の発光素子を含んで構
成されていることを特徴とする請求項1記載の光源装
置。 - 【請求項3】 前記温度調整手段を電熱器とし、 前記所定温度を前記光源の周辺における環境温度より高
い温度としたことを特徴とする請求項1又は請求項2記
載の光源装置。 - 【請求項4】 前記温度調整手段はファンを含み、 前記制御手段は前記温度検出手段により検出される温度
が前記所定温度より高い場合に前記ファンを作動させる
ように制御することを特徴とする請求項1乃至請求項3
の何れか1項記載の光源装置。 - 【請求項5】 前記基板又は前記温度調整手段に実装さ
れた放熱フィンを更に備えたことを特徴とする請求項1
乃至請求項4の何れか1項記載の光源装置。 - 【請求項6】 原稿の画像を読み取る画像読取装置であ
って、 前記請求項1乃至請求項5の何れか1項記載の光源装置
と、 前記光源装置から射出された光の前記原稿からの反射光
又は透過光を受光して前記原稿の画像を読み取る画像セ
ンサと、 を備えた画像読取装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000167116A JP2001346002A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | 光源装置及び画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000167116A JP2001346002A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | 光源装置及び画像読取装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001346002A true JP2001346002A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18670318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000167116A Pending JP2001346002A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | 光源装置及び画像読取装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001346002A (ja) |
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-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167116A patent/JP2001346002A/ja active Pending
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080205 |