JP2001344813A

JP2001344813A - 光学式ディスク基板用ポリカーボネート樹脂及び光学式ディスク基板

Info

Publication number: JP2001344813A
Application number: JP2000157802A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Tomioka; 達矢富岡; Hiroyuki Kawahigashi; 宏至川東; Munehiro Chiyousa; 宗廣長佐
Original assignee: Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Priority date: 2000-05-29
Filing date: 2000-05-29
Publication date: 2001-12-14
Anticipated expiration: 2020-05-29
Also published as: JP4132579B2

Abstract

(57)【要約】【課題】離型剤の添加量を必要以上に増やすこと
なく、バリによる欠陥が少ない光学式ディスク基板の素
材として適したポリカーボネート樹脂及び該樹脂からな
る光学式ディスク基板を提供する。【解決手段】２−（２−ヒドロキシフェニル）−２−
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン量が１，０００ｐ
ｐｍ以下であり、Ｐ−イソプロペニルフェノールの環状
二量体量が１５０ｐｐｍ以下であり、及びトリスフェノ
ール化合物量が１５０ｐｐｍ以下である２，２−（４−
ヒドロキシフェニル）プロパンを原料として製造された
ものであり、粘度平均分子量が１０，０００〜１７，０
００であって、水酸基末端分率が７モル％未満で、かつ
離型剤を１００〜５００ｐｐｍ含有する光学式ディスク
基板用ポリカーボネート樹脂及び該樹脂からなる光学式
ディスク基板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学式ディスク基
板用ポリカーボネート樹脂及び光学式ディスク基板に関
し、さらに詳しくは、バリによる欠陥が少ない光学的デ
ィスク基板の素材として適したポリカーボネート樹脂及
び該樹脂からなる光学式ディスク基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリカーボネート樹脂は、透明性、耐熱
性、低吸水性が優れているため、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，
ＭＯ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ
−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光学式ディスクの基板に広く
使用されている。こうした光学式ディスク基板は、通
常、射出成形で、金型内に配設されたスタンパと呼ばれ
るニッケルの薄板にピットやグルーブといった信号が刻
印されている面が、成形されるポリカーボネート樹脂製
基板に転写され、製造する方法が採用される場合が多
い。

【０００３】近年における光学式ディスク基板の製造に
おいては、一つの工場において数十から百台を超える成
形機が導入されて省力化が図られ、更なる量産効果の向
上が追求されていると同時に品質の管理も徹底的に行わ
れている。しかしながら、その中でスタンパの交換や成
形機の成形条件の変更等がなく、かつポリカーボネート
樹脂の分子量、分子量分布、ガラス転移温度ほか流動性
を規定する因子が一定範囲内で安定しているにもかかわ
らず、突発的にディスク基板センターホールのスプルー
カツト時に離型不良が発生し、その離型不良によってデ
ィスク基板外周部もしくは外周部の微細なバリが金型と
擦り落ちて発生したと考えられる樹脂屑混入により、デ
ィスク基板の歩留まりが数％〜数十％程度低下する場合
がある。この現象を一般にバリによる欠陥と呼び、これ
を防ぐためには離型剤の添加量を増やすことにより解決
できる。しかし、光学的性質の欠陥の発生、特に恒温恒
湿下での加速劣化試験においてポリカーボネート樹脂の
偏光白濁欠陥の発生が促進される傾向が見られ、光学的
ディスクとしての記録データ保存に対する信頼性も低下
するために離型剤の添加量を必要以上に増やすことはで
きない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記状況を
鑑みなされたもので、離型剤の添加量を必要以上に増や
すことなく、バリによる欠陥が少ない光学式ディスク基
板の素材として適したポリカーボネート樹脂及び該樹脂
からなる光学式ディスク基板を提供することを目的とす
るものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々検討
を重ねた結果、原料の２，２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン中の特定の不純物及びポリカーボネート樹
脂中の水酸基末端分率とバリによる欠陥発生に相関性が
あることを見出し、これに基づいて本発明を完成させる
に至った。

【０００６】すなわち、本発明の要旨は下記のとおりで
ある。１．２−（２−ヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン〔以下、２，４−ビスフェノ
ールＡという。〕量が１，０００ｐｐｍ以下であり、下
記式（Ｉ）

【０００７】

【化３】

【０００８】で表されるＰ−イソプロペニルフェノール
の環状二量体（以下、環状ＩＰＰダイマーという。）量
が１５０ｐｐｍ以下であり、及び下記式（II）

【０００９】

【化４】

【００１０】で表されるトリスフェノール化合物（以
下、単にトリスフェノールという。）量が１５０ｐｐｍ
以下である２，２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン〔以下、ビスフェノールＡという。〕を原料として製
造されたものであり、粘度平均分子量が１０，０００〜
１７，０００であって、水酸基末端分率が７モル％未満
で、かつ離型剤を１００〜５００ｐｐｍ含有することを
特徴とする光学式ディスク基板用ポリカーボネート樹
脂。２．遊離トータルフェノール量が８０ｐｐｍ以下である
前記１記載の光学式ディスク基板用ポリカーボネート樹
脂。３．離型剤を１５０〜３５０ｐｐｍ含有するものである
前記１又は２に記載の光学式ディスク基板用ポリカーボ
ネート樹脂。４．離型剤が多価アルコール脂肪酸エステルである前記
１〜３のいずれかに記載の光学式ディスク基板用ポリカ
ーボネート樹脂。５．前記１〜４のいずれかに記載の光学式ディスク基板
用ポリカーボネート樹脂からなる光学式ディスク基板。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、本発明においては、ポリカーボネート樹脂
の原料であるビスフェノールＡ中の２，４−ビスフェノ
ールＡの量を１，０００ｐｐｍ以下、環状ＩＰＰダイマ
ーの量を１５０ｐｐｍ以下、トリスフェノールの量を１
５０ｐｐｍ以下にする必要がある。上記のそれぞれの量
が多すぎると、ポリカーボネートにしてディスクを成形
する際、バリによる欠陥が多く発生する。

【００１２】ここで、ビスフェノールＡはフェノールと
アセトンから常套のプロセスで製造されるが、プロセス
のある段階で精製しなければならない。いろいろな精製
法を採用することができるが、特開平７−２５７９８号
公報に開示されているように、ビスフェノールＡとフェ
ノールの付加物の段階で精製するのが好ましい。すなわ
ち、酸触媒の存在下にフェノールとアセトンを反応させ
て得られるビスフェノールＡのフェノール溶液からビス
フェノールＡとフェノールの付加物を晶析させ、生成し
たスラリーの固液分離後、固体成分からフェノールを除
去するビスフェノールＡの製造方法において、スラリー
の固液分離後でフェノールの除去前に、更に少なくとも
一回、ビスフェノールＡとフェノールの付加物をフェノ
ールに溶解させ、晶析させた後スラリーの固液分離をす
る操作を繰り返せばよい。

【００１３】次に、本発明の光学式ディスク基板に使用
されるポリカーボネート樹脂について説明する。そのポ
リカーボネート樹脂としては、二価フェノールとしての
ビスフェノールＡとカーボネート前駆体との反応により
製造される芳香族ポリカーボネート樹脂が好適に用いら
れる。製造方法については、溶液法、溶融法いずれも採
用できる。この場合、カーボネート前駆体としては、カ
ルボニルハライド、カルボニルエステル、またはハロホ
ルメートなどを用いることができる。さらに具体的に
は、ホスゲン、二価フェノールのジハロホーメート、ジ
フェニルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチ
ルカーボネートなどである。

【００１４】そして、このポリカーボネート樹脂の化学
構造は、その分子鎖が線状構造または環状構造もしくは
分岐構造を有しているものを用いることができる。この
うち、分岐構造を有するポリカーボネート樹脂として
は、分岐剤として、１，１，１−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、α，α’，α”−トリス（４−ビ
ドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベ
ンゼン、フロログルシン、トリメリット酸、イサチンビ
ス（ｏ−クレゾール）などを用いて製造したものが好ま
しく用いられる。

【００１５】また、これらポリカーボネート樹脂の粘度
平均分子量は、通常１０，０００〜３０，０００である
が、本発明のポリカーボネート樹脂については、１０，
０００〜１７，０００の範囲のものであることが必要で
ある。この粘度平均分子量（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘
度計を用いて、２０℃における塩化メチレン溶液の粘度
を測定し、これより極限粘度［η］を求め、［η］＝
１．２３×１０^-5Ｍｖ^0. ⁸³の式により算出した値であ
る。このようなポリカーボネート樹脂の分子量の調節に
は、末端停止剤としてのフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフ
ェノール、ｐ−ｔ−オクチルフェノール、ｐ−クミルフ
ェノールなどが用いられる。

【００１６】その場合、水酸基末端分率が後述するペレ
ットの状態で７モル％未満となるように、末端停止剤の
量を調整する必要がある。ポリカーボネート樹脂は、通
常溶液法が採用されるので溶液法で得られたとして説明
する。

【００１７】重縮合後のポリカーボネート溶液を各種公
知の方法で洗浄して精製し、精製されたポリカーボネー
ト溶液を各種公知の方法でフレーク化すればよい。上記
の方法で製造されたポリカーボネート樹脂のフレーク中
の遊離トータルフェノール量が多い場合は、アセトン、
ジオキサン等の溶剤を使用して溶出処理を行い、遊離ト
ータルフェノールを溶出させ、８０ｐｐｍ以下にした方
が好ましい。その場合、後述するペレットの状態で、粘
度平均分子量を１０，０００〜１７，０００、水酸基末
端分率を７モル％未満、好ましくは遊離トータルフェノ
ール量を８０ｐｐｍ以下となるように溶出処理を行えば
よい。

【００１８】必要により溶出処理した後の乾燥させたポ
リカーボネート樹脂フレークに離型剤、必要によりリン
系酸化防止剤を２０〜１００ｐｐｍ添加した後、押出し
機でペレット化する。このペレット中の離型剤が１００
〜５００ｐｐｍ（好ましくは１５０〜３５０ｐｐｍ）と
なるようにする必要がある。離型剤が１００ｐｐｍ未満
であると、離型不良によるバリによる欠陥の発生が増大
し、５００ｐｐｍを超えると、光学ディスクとしての偏
光白濁欠陥が発生しやすくなり好ましくない。

【００１９】上記の離型剤としては、好ましくは、多価
アルコールの脂肪酸エステルが使用され、グリセリン，
トリメチルプロパン，ヘキサントリオール等の３価のア
ルコールや、ペンタエリスリトール，メソエリスリトー
ル，キシリトール，ソルビトール等の４価以上のアルコ
ールと、炭素数１０〜３０の脂肪酸との部分エステルが
挙げられる。脂肪酸としては、カプリン酸，ウンデカン
酸，ラウリン酸，トリデカン酸，ミリスチン酸，ペンタ
デカン酸，パルミチン酸，マルガリン酸，ステアリン
酸，ノナデカン酸，エイコサン酸，ベヘン酸等が挙げら
れる。具体的には、グリセリンモノステアレート，グリ
セリンモノパルミテート，グリセリンモノミリステー
ト，グリセリンモノラウレート等のグリセリンモノエス
テル、ペンタエリスリトールジステアレート，ペンタエ
リスリトールトリステアレート，ペンタエリスリトール
モノパルミテート，ペンタエリスリトールジパルミテー
ト，メソエリスリトールトリラウレート，キシリトール
ジステアレート，キシリトールトリステアレート，キシ
リトールテトラステアレート等が用いられる。これらの
エステルは単独でも、二種以上を併用することもでき
る。

【００２０】リン系酸化防止剤として、例えば、トリメ
チルホスファイト，トリエチルホスファイト，トリブチ
ルホスファイト，トリオクチルホスファイト，トリノニ
ルホスファイト，トリデシルホスファイト，トリオクタ
デシルホスファイト，ジステアリルペンタエリスチルジ
ホスファイト，トリス（２−クロロエチル）ホスファイ
ト，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスファイト
などのトリアルキルホスファイト；トリシクロヘキシル
ホスファイトなどのトリシクロアルキルホスファイト；
トリフェニルホスファイト，トリクレジルホスファイ
ト，トリス（エチルフェニル）ホスファイト，トリス
（ブチルフェニル）ホスファイト，トリス（ノニルフェ
ニル）ホスファイト，トリス（ヒドロキシフェニル）ホ
スファイトなどのトリアリールホスファイト；２−エチ
ルヘキシルジフェニルホスファイトなどのモノアルキル
ジアリールホスファイト；トリメチルホスフェート，ト
リエチルホスフェート，トリブチルホスフェート，トリ
オクチルホスフェート，トリデシルホスフェート，トリ
オクタデシルホスフェート，ジステアリルペンタエリス
リチルジホスフェート，トリス（２−クロロエチル）ホ
スフェート，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホス
フェートなどのトリアルキルホスフェート；トリシクロ
ヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフ
ェート；トリフェニルホスフェート，トリクレジルホス
フェート，トリス（ノニルフェニル）ホスフェート，２
−エチルフェニルジフェニルホスフェートなどのトリア
リールホスフェートなどが挙げられる。これらは単独で
も、二種以上を併用することもできる。

【００２１】上述したように、ポリカーボネート樹脂
は、ペレットの状態で、粘度平均分子量を１０，０００
〜１７，０００、水酸基末端分率を７モル％未満とする
必要がある。水酸基末端分率が大きすぎると、バリによ
る欠陥が多く発生する。また、遊離トータルフェノール
量が８０ｐｐｍ以下の方がバリによる欠陥の発生防止の
点で好ましい。また、粘度平均分子量が１０，０００未
満であると、成形品の機械的強度が低下し、１７，００
０を超えると、成形時の流動性不足により成形品に歪み
が残り、光学的特性が低下し好ましくない。

【００２２】なお、ビスフェノールＡ中の各不純物量及
びポリカーボネート樹脂の水酸基末端分率、遊離トータ
ルフェノール量の測定法は下記のとおりである。（１）ビスフェノールＡ中の不純物量試料をアセトニトリルに溶かし、既存物質をリファレン
スとして用い液体クロマトグラフィーにて定量分析を行
う。（２）水酸基末端分率（末端停止剤にｐ−ｔ−ブチルフ
ェノールを使用した場合）試料を重クロロホルムに溶かし、¹ＨＮＭＲを測定す
る。ＯＨ基に対しオルト位のプロトンＡ量と、末端基の
ｐ−ｔ−ブチルフェニル基のブチル基のプロトン量Ｂを
求め、下記式より算出する。水酸基末端分率（モル％）＝１００×（Ａ／２）／
〔（Ａ／２）＋（Ｂ／９）〕（３）遊離トータルフェノール量原料モノマーの二価フェノール、末端停止剤の一価フェ
ノール等のトータルのフェノール類の量であり、下記の
方法で分析する。試料１０ｇを円筒濾紙に入れる。平底フラスコにアセトン１２０ｃｃとガラス沸石を２
〜３個入れる。ソックスレー抽出を行う。抽出時間は１回目のアセト
ンリフラックスが終了する時点より、ペレットの場合は
４時間である。アセトン溶液をロータリーエバポレーターにセット
し、アセトンを留去し濃縮乾固する。乾燥器で１０５℃で１時間乾燥させる。室温になるまで放冷する。１０ｃｃの塩化メチレンを加えて内容物を溶解させ
る。０．１規定の水酸化ナトリウム水溶液を５０ｃｃ加
え、スターラーで１５分間攪拌する。静置分離し、水層（上層）の水酸化ナトリウム溶液を
約２５ｃｃ採取し、５Ａの濾紙で濾過した後、濾液のト
ータルフェノール量を分光光度計で測定する。

【００２３】本発明の光学式ディスク基板は、上記ポリ
カーボネートペレットを射出成形法，圧縮成形法，押出
成形法など任意の方法で成形することにより得ることが
できる。なかでも、スタンパを使用した射出成形法が好
ましい。

【００２４】

【実施例】次に、実施例および比較例により、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例によっ
て何ら限定されるものではない。〔実施例１〕フェノール１，０００ｋｇとアセトン１０
０ｋｇを混合し、これに塩酸を加えて６５℃で４時間縮
合反応を行った。反応生成液を蒸留し、塩酸と水と若干
のフェノールを塔頂から回収した。塔底物には、ビスフ
ェノールＡが３２．０質量％、フェノールが６４．４質
量％、その他の化合物が３．６質量％含まれていた。こ
のビスフェノールＡのフェノール溶液を５５℃まで冷却
した状態で２時間放置した。溶液はビスフェノールＡの
フェノール付加物を含むスラリー状態になっていた。こ
れを濾過器で吸引濾過し、得られた結晶をフェノールで
洗浄し、結晶サンプル（イ）を得た。この結晶サンプル
（イ）を１６５℃で溶融し、減圧下でフェノールを留去
してビスフェノールＡ（ロ）を得た。このビスフェノー
ルＡ（ロ）の不純物濃度については、２，４−ビスフェ
ノールＡが１，２００ｐｐｍ、環状ＩＰＰダイマーが２
００ｐｐｍ、トリスフェノールが１６０ｐｐｍであっ
た。

【００２５】上記結晶サンプル（イ）を得る過程で得ら
れたビスフェノールＡのフェノール付加物結晶１００ｋ
ｇにフェノール１００ｋｇを加え９５℃に加温して溶解
させた。このビスフェノールＡのフェノール溶液を５５
℃まで冷却した状態で２時間放置したところ、該溶液は
ビスフェノールＡのフェノール付加物結晶を含むスラリ
ー状態になっていた。これを吸引濾過し、得られた結晶
をフェノールで洗浄して、結晶サンプル（ハ）を作製し
た。この結晶サンプル（ハ）を１６５℃で溶融し、減圧
下でフェノールを留去後、攪拌下冷却し、フレーク状の
ビスフェノールＡ（ニ）を得た。このビスフェノールＡ
（ニ）の不純物濃度については、２，４−ビスフェノー
ルＡが１８０ｐｐｍ、環状ＩＰＰダイマーが１０ｐｐ
ｍ、トリスフェノールが２０ｐｐｍであった。

【００２６】上記ビスフェノールＡ（ニ）を用いて下記
の条件でホスゲン法にて重合した。（１）ポリカーボネートオリゴマーの調製５質量％水酸化ナトリウム水溶液４００リットルに、ビ
スフェノールＡ６０ｋｇを溶解させ、ビスフェノールＡ
の水酸化ナトリウム溶液を調製した。次いで、室温に保
持したこのビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液
を１３８リットル／ｈｒの流量で、またメチレンクロラ
イドを６９リットル／ｈｒの流量で、内径１０ｍｍ、管
長１０ｍの管型反応器にオリフィス板を通して導入し、
これにホスゲンを１０ｋｇ／ｈｒの流量で吹き込み、３
時間連続的に反応させた。ここで用いた管型反応器は二
重管になっており、ジャケット部分には冷却水を通して
反応液の排出温度を２５℃に保った。また、排出液のｐ
Ｈは１０〜１１を示すように調整した。このようにして
得られた反応液を静置することにより、水相を分離除去
し、メチレンクロライド相（２２０リットル）を採取
し、ポリカーボネートオリゴマー溶液を得た。

【００２７】（２）ポリカーボネートの製造上記（１）で得られたポリカーボネートオリゴマー溶液
１０リットルに、ｐ−ｔ−ブチルフェノール１１８ｇを
溶解させ、これに水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ；
７５ｇ，水；１リットル）とトリエチルアミン１．１７
ミリリットルを加え、３００ｒｐｍで常温にて３０分間
攪拌した。次いで、メチレンクロライド８リットル及び
ビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液（ビスフェ
ノールＡ；６０７ｇ，ＮａＯＨ；３２０ｇ，水；５リッ
トル）を加え、５００ｒｐｍで常温にて１時間攪拌し
た。その後、メチレンクロライド５リットルを加え、５
００ｒｐｍで常温にて１０分間攪拌した。攪拌停止後、
静置分離し、有機相を得た。この有機相を０．０３規定
の水酸化ナトリウム水溶液５リットルでアルカリ洗浄、
０．２規定の塩酸５リットルで酸洗浄及び水５リットル
で水洗（２回）を順次行った後、メチレンクロライドを
留去し、フレーク状のポリカーボネートを得た。得られ
たポリカーボネートフレークを１２０℃で４８時間真空
乾燥し、粘度平均分子量１４，５００のポリカーボネー
トフレークを得た。同様な操作により約５０ｋｇのボリ
カーボネートフレークを得た。

【００２８】得られたフレーク状のポリカーボネートに
離型剤としてグリセリンモノステアレートを３００ｐｐ
ｍ、リン系酸化防止剤としてトリス（２，４−ジ−ｔ−
ブチルフェニル）ホスファイトを４０ｐｐｍ添加した
後、押出し機でペレット化した。そのペレットの水酸基
末端分率は４モル％であり、遊離トータルフェノール量
は４０ｐｐｍ、グリセリンモノステアレート含有量は２
８０ｐｐｍであった。このペレットを射出成形機（住友
重機械社製：ＤＩＳＫ５）に供給し、下記の条件で径１
３０ｍｍ、厚み１．２ｍｍのディスク基板を６００枚製
造した。・シリンダー温度：３２５℃ ・金型温度：９０℃（スタンパ側）／８５℃ ・スタンパー：ＣＤ−ＲＯＭ用得られたディスク基板を傷欠検査機で検査した結果、バ
リによる欠陥品は４．５％であった。また、ディスク基
板を９０℃、９０％の恒温恒湿下で３００時間加速劣化
させた後、電気特性検査機を用いて測定したところ、ブ
ロックエラーレートが５であった。

【００２９】〔比較例１〕実施例１にて製造したビスフ
ェノールＡ（ニ）を用いて実施例１と同様にして重合
し、粘度平均分子量１４，５００のポリカーボネートフ
レークを得た。得られたフレーク状のポリカーボネート
に離型剤としてグリセリンモノステアレートを３０ｐｐ
ｍ、リン系酸化防止剤としてトリス（２，４−ジ−ｔ−
ブチルフェニル）ホスファイトを４０ｐｐｍ添加した
後、押出し機でペレット化した。そのペレットの水酸基
末端分率は４モル％であり、遊離トータルフェノール量
は４０ｐｐｍ、グリセリンモノステアレート含有量は２
０ｐｐｍであった。このペレットを実施例１と同様にし
てディスク基板を６００枚製造した。得られたディスク
基板を傷欠検査機で検査した結果、バリによる欠陥品は
１１．０％であった。

【００３０】〔比較例２〕実施例１にて製造したビスフ
ェノールＡ（ニ）を用いてホスゲン法にて重合し、粘度
平均分子量１４，５００のポリカーボネートフレークを
得た。得られたフレーク状のポリカーボネートに離型剤
としてグリセリンモノステアレートを６００ｐｐｍ、リ
ン系酸化防止剤としてトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチル
フェニル）ホスファイトを４０ｐｐｍ添加した後、押出
し機でペレット化した。そのペレットの水酸基末端分率
は４モル％であり、遊離トータルフェノール量は４０ｐ
ｐｍ、グリセリンモノステアレート含有量は５６０ｐｐ
ｍであった。このペレットを実施例１と同様にしてディ
スク基板を６００枚製造した。得られたディスク基板を
傷欠検査機で検査した結果、バリによる欠陥品は４．０
％であったが、ディスク基板を９０℃、９０％の恒温恒
湿下で３００時間加速劣化させた後、電気特性検査機を
用いて測定したところ、ブロックエラーレートが２６で
あった。

【００３１】〔比較例３〕実施例１の途中で得られたビ
スフェノールＡ（ロ）を用いて実施例１同様に重合し、
粘度平均分子量１４，５００のポリカーボネートフレー
クを得た。得られたフレーク状のポリカーボネートに離
型剤としてグリセリンモノステアレートを３００ｐｐ
ｍ、リン系酸化防止剤としてトリス（２，４−ジ−ｔ−
ブチルフェニル）ホスファイトを４０ｐｐｍ添加した
後、押出し機でペレット化した。そのペレットの水酸基
末端分率は８モル％であり、遊離トータルフェノール量
は９０ｐｐｍ、ステアリルアルコールモノグリセリド含
有量は２８０ｐｐｍであった。このペレットを実施例１
と同様にしてのディスク基板を６００枚製造した。得ら
れたディスク基板を傷欠検査機で検査した結果、バリに
よる欠陥品は１５．０％であった。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、離型剤の添加量を必要
以上増やすことなく、バリによる欠陥が少ない光学式デ
ィスク基板の素材として適したポリカーボネート樹脂及
び該樹脂からなる光学式ディスク基板を提供することが
できる。

フロントページの続きＦターム(参考） 4J002 CG011 EH046 EH056 FD070 FD166 GS02 4J029 AA09 AB07 AC01 AD01 AE05 BB13A FA07 FC33 FC35 FC36 HA01 HC01 HC02 HC04A HC05A KA03 KE08 KE09 5D029 KA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２−（２−ヒドロキシフェニル）−２−
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン量が１，０００ｐ
ｐｍ以下であり、下記式（Ｉ）【化１】で表されるＰ−イソプロペニルフェノールの環状二量体
量が１５０ｐｐｍ以下であり、及び下記式（II）【化２】で表されるトリスフェノール化合物量が１５０ｐｐｍ以
下である２，２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
を原料として製造されたものであり、粘度平均分子量が
１０，０００〜１７，０００であって、水酸基末端分率
が７モル％未満で、かつ離型剤を１００〜５００ｐｐｍ
含有することを特徴とする光学式ディスク基板用ポリカ
ーボネート樹脂。
【請求項２】遊離トータルフェノール量が８０ｐｐｍ
以下である請求項１記載の光学式ディスク基板用ポリカ
ーボネート樹脂。
【請求項３】離型剤を１５０〜３５０ｐｐｍ含有する
ものである請求項１又は２に記載の光学式ディスク基板
用ポリカーボネート樹脂。
【請求項４】離型剤が多価アルコール脂肪酸エステル
である請求項１〜３のいずれかに記載の光学式ディスク
基板用ポリカーボネート樹脂。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の光学式
ディスク基板用ポリカーボネート樹脂からなる光学式デ
ィスク基板。