JP2001341122A - 工作物の切断方法 - Google Patents
工作物の切断方法Info
- Publication number
- JP2001341122A JP2001341122A JP2000162700A JP2000162700A JP2001341122A JP 2001341122 A JP2001341122 A JP 2001341122A JP 2000162700 A JP2000162700 A JP 2000162700A JP 2000162700 A JP2000162700 A JP 2000162700A JP 2001341122 A JP2001341122 A JP 2001341122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- cutting
- energy beam
- density energy
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
物の切断時における挫屈の発生とを抑制することができ
る工作物の切断方法を提供する。 【解決手段】 圧力容器の圧力室の中心付近において、
内部に複数の破砕領域9が形成された工作物6を配置
し、工作物6の外周には側圧伝達筒を配置し、側圧伝達
筒の軸方向の両端部と圧力容器との間にはOリングを配
置する。この工作物6の側面には平面6aを形成し、こ
の平面6a側から高密度エネルギービーム8aを照射す
ることによって破砕領域9を形成してある。そして、圧
力室内に圧力媒体を導入することにより、側圧伝達筒を
介して工作物6を加圧し、破砕領域9において工作物6
を切断する。
Description
ファイア、炭化珪素等の脆性材料からなる工作物を、分
離切断する方法に関するものである。
的に用いられている方法は、砥石を用いて機械的に切断
する方法である。この方法は、砥石の種類、大きさ、加
工条件を任意に変えることで幅広い適応性がある。しか
し、砥石幅分の切断代が必要であるため、切断代分の工
作物が無駄になるという欠点がある。また、硬度の高い
工作物は加工性が著しく悪く、砥石の寿命が短くなる等
の問題がある。
作物は脆性材に限られるが、側圧による切断方法が知ら
れている。この切断方法では、まず、例えば棒形状にし
た脆性材である工作物の被切断部位に、ダイヤモンド等
の工具を用いて工作物の表面を微少に砕く、或は引っ掻
く等して微細な切欠(切欠)を形成する。そして、工作
物のうちの切欠を形成した部位を含む部分に、樹脂等で
できた側圧伝達筒を被せる。その後、工作物がその軸方
向に変形自在な状態で、側圧伝達筒の外周から加圧圧縮
することにより切欠部位において切断する。この切断方
法の利点としては、切断代が全く無いこと、割断のため
加工時間が著しく短いこと等があげられる。
た側圧による切断方法では、切欠を形成する際に工具等
の固体が工作物と接触するため、接触条件によっては接
触時に工作物に過大な応力が加わるという問題がある。
また、切断の起点となる切欠のみを形成した状態で側圧
を加えて切断するため、切断面における最も突出した部
分と最も窪んだ部分の差であるうねりが大きくなってし
まう。また、切断するにはかなり大きな側圧を加える必
要があるため、工作物を薄い部材に切断しようとすると
切断されたウェハ状の薄い部材が挫屈する恐れがある。
側圧の印加方向と切断面の法線とが直角の位置関係に無
い平面で工作物を切断(以下、斜めの切断という)した
り、切断面が3次元形状になるように切断したりするこ
とは非常に難しい。
切断において工作物に切欠を形成する際に工作物に過大
な応力が加わることを抑制できる工作物の切断方法を提
供することを目的とする。また、工作物の切断面におけ
るうねりの発生と工作物の切断時における挫屈の発生と
を抑制することができる工作物の切断方法を提供するこ
とを目的とする。また、任意の切断面を形成することが
できる工作物の切断方法を提供することを目的とする。
め、請求項1に記載の発明では、脆性材からなる工作物
(6)の外表面に高密度エネルギービーム(8a)を照
射することにより、工作物のうちの切断する部位を指定
する切欠(7)を形成する工程と、工作物のうちの少な
くとも切欠を含む部位を側圧伝達筒(4)で覆う工程
と、側圧伝達筒の外周に沿って側圧を加えて工作物に側
圧を伝達することにより、工作物を切断する工程とを含
むことを特徴としている。
触させずに切欠を形成することができるため、工作物に
切欠を形成する際に、工作物に過大な応力が加わること
を抑制することができる。
に、切欠を工作物の切断面となる領域における外縁部の
うちの一部分に形成すると、工作物を回転させる必要が
無く、効率良く切断部位を指定することができる。
工作物(6)の内部に高密度エネルギービーム(8a)
を照射することにより、工作物のうちの切断する部位を
指定する破砕領域(9)を形成する工程と、破砕領域に
おいて工作物を切断する工程とを含むことを特徴として
いる。
物における切断する部位を指定しているため、工作物の
切断面におけるうねりの発生を抑制することができる。
また、予め破砕領域を形成しているため工作物を切断す
る際に大きな応力を必要としない。その結果、工作物の
挫屈の発生を抑制することができる。また、工作物の内
部において切断する部位を指定しているため、工作物を
斜めに切断するなど、任意の切断面を形成することがで
きる。
の発明において、側圧伝達筒(4)を用いて工作物
(6)の切断を行うものであり、脆性材からなる工作物
の内部に高密度エネルギービーム(8a)を照射するこ
とにより、工作物のうちの切断する部位を指定する破砕
領域(9)を形成する工程と、工作物のうちの少なくと
も破砕領域を含む部位を側圧伝達筒で覆う工程と、側圧
伝達筒の外周に沿って側圧を加えて工作物に側圧を伝達
することにより、破砕領域において工作物を切断する工
程とを含むことを特徴としている。これにより、請求項
3の発明と同様の効果を発揮することができる。
請求項5に記載の発明のように、高密度エネルギービー
ムを、工作物の外表面のうち該工作物の切断面となる領
域における外縁部が位置する面から照射することができ
る。また、請求項6に記載の発明のように、高密度エネ
ルギービームを、工作物の外表面のうち該工作物の切断
面となる領域における外縁部を含む面以外の面から照射
することもできる。
物の内部に最も効率良く進入するのは、高密度エネルギ
ービームの入射角が0度のときであるため、請求項7に
記載の発明のように、工作物の外表面のうち高密度エネ
ルギービームを照射する部位に平面(6a、6b)を形
成し、該平面から高密度エネルギービームを照射すると
良い。
作物の内部に破砕領域を形成することにより、請求項8
に記載の発明のように、破砕領域を3次元形状にするこ
とができる。
ギービームを工作物に照射する際は、請求項9に記載の
発明のように、破砕領域の法線に平行な方向を中心軸と
して工作物を回動させることにより破砕領域を形成する
ことができる。
の全面に設けても良いが、請求項10に記載の発明のよ
うに、工作物の切断面となる領域のうちの一部に対して
形成しても工作物を切断することができる。
破砕領域を複数形成する場合は、破砕領域は高密度エネ
ルギービームの透過が悪いため、高密度エネルギービー
ムを照射する側から距離が遠い部位から順に破砕領域を
形成すると良い。
高密度エネルギービームが工作物の内部に入射するよう
に、請求項12に記載の発明のように、工作物は透過性
の物質からなることが必要である。
工作物の外表面のうち、高密度エネルギービームを照射
する部位が鏡面であると、高密度エネルギービームが透
過し易く、より安定した切断面を得ることができる。
ームの入射角が0度の場合が最も安定した破砕領域を形
成することができるが、請求項14に記載の発明のよう
に、工作物に対する高密度エネルギービームの入射角が
0度以上45度以下であれば、好適に破砕領域を形成す
ることができる。
折率が異なるため、請求項15に記載の発明のように、
工作物の屈折率を考慮して高密度エネルギービームを照
射すると好適である。
請求項1又は2の発明では、高密度エネルギービームと
して、電子ビームを用いることができる。
請求項1〜15の発明では、高密度エネルギービームと
してはレーザを用いることができ、請求項18に記載の
発明のように、このレーザの波長を1.064μm以下
にすると好適である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
実施形態について説明する。図1に本実施形態に係る側
圧切断装置を概略断面図にて示す。まず、本実施形態の
側圧切断方法で用いる側圧切断装置の構成を図1を参照
して説明する。圧力容器1は高圧に耐え得る材質で構成
された中空形状の部材からなり、圧力容器1の中空部に
よって円柱形状の圧力室1aが形成されている。また、
圧力容器1には、圧力室1aの内部と外部とを連通する
圧力媒体進入孔1bが形成されている。また、圧力媒体
進入孔1bには、配管2を介して圧力装置3が接続され
ている。この圧力装置3は、後述のように圧力容器1に
対して圧力媒体を導入するためのものである。
ている。この側圧伝達筒4は、アクリル樹脂等からな
り、後述のように工作物を切断する際に、工作物の側面
に圧力を加えるためのものである。側圧伝達筒4の軸方
向の両端部と圧力容器1との間には、Oリング5が配置
されている。このOリング5は、後述のように圧力媒体
を圧力容器1内に充填する際に、圧力媒体が漏れて工作
物の両端部にまでおよび、圧力媒体によって工作物に対
して軸方向に縮むような圧力が加えられることを防止す
るためのものである。
おける側圧伝達筒4内に、脆性材からなる工作物6を配
置してこの工作物6の切断を行う。この工作物6として
は、例えば棒状のものを適用することができ、本実施形
態では、直径が25mm、長さが30mmの円柱形状の
ソーダガラスを切断する。
する部分を指定する切欠(ノッチ)7が形成されてい
る。切欠7は、工作物6の切断面となる領域における外
縁部のうちの一部分に形成されており、本実施形態では
2mm間隔で10本形成されている。以下に、工作物6
に切欠7を形成する方法について説明する。図2は、こ
の切欠7の形成に係る高密度エネルギービーム装置8及
び工作物6の模式的な斜視図である。
ム装置8から高密度エネルギービーム(以下、単にビー
ムという)8aを照射する。ビーム8aとしては、高調
波YAGレーザを用いている。このレーザの波長は、
1.064μm以下であることが好ましい。これは、波
長が1.064μmより大きいと工作物6が割れる可能
性があるためである。また、好ましくは、0.532μ
m、0.266μmなどの短波長レーザを用いると良
く、本実施形態では、0.532μmの波長を採用して
いる。
点が合うようにして、出力1W、送り速度を300mm
/minの条件で、図2中の矢印の方向に工作物6を移
動させながらビーム8aを照射する。このようにして、
工作物6の側面に工作物6の軸と直交するように、長さ
が約5mmの切欠7を形成する。
る。図1に示すように、上述のようにして全ての切欠7
が形成された工作物6を切断装置の側圧伝達筒4内に配
置して、切欠7を含む部位を側圧伝達筒4で覆う。そし
て圧力容器1に対して、圧力装置3を用いて圧力媒体進
入孔1bから圧力媒体を導入して圧力容器1と側圧伝達
筒4との間に圧力媒体を充填する。この圧力媒体によっ
て側圧伝達筒4の外周部が加圧圧縮され、工作物6に応
力が加えられて切欠7を起点として工作物6が切断され
る。
700kg/cm2にした結果、ガラスを2mm間隔で
9枚に切断することができた。この切断面の法線は、工
作物6の軸と平行になっており、工作物6の側面におけ
る母線に対して直交する面で工作物6が切断された。切
断後に切断面を観察したところ、切欠7が形成されてい
た部位には欠け等は見受けられず、良好な切断が行われ
ていた。
用いて行っているため、ダイヤモンドカッター等の工具
によって砕いたり、引っ掻いたりして切欠を形成する場
合のように固体が工作物6と接触する必要が無く、工作
物6に過大な応力が加わることを防止することができ
る。その結果、切欠7を形成する際に、切欠7部位の周
囲が欠けることを防止できる。また、割れやひび等の無
い良好な切欠7を形成することができるため、特に、工
作物6を薄い部材に切断しようとして切欠7の間隔が狭
い場合にも、工作物6を切断する際に切欠7部位におい
て挫屈が発生することを防止できる。ただし、工作物6
の側面に切欠7を形成して大きな側圧を加えることによ
り切断しているため、切断面におけるうねりは0.1m
m以上であった。
における外縁部の全て(全周囲)に切欠を形成した状態
で切断を行うと、切断が複数の起点から起こることがあ
る。その場合、切断面には段差が現れる。従って、本実
施形態のように工作物6の切断面となる領域における外
縁部のうちの一部分に切欠7を形成することが好まし
い。また、このように一部分に切欠7を形成すると切欠
7を形成する際に工作物6を回転させる必要が無く、効
率良く切断部位を指定することができる。
は、ビーム8aとして電子ビーム8aを用いると好適で
ある。
の切断方法では、切欠7の周辺における工作物6の欠け
を防ぐことはできるが、切断面におけるうねりを低減す
ることはできない。また、側圧の印加方向と切断面の法
線とが直交し、切断面が平面である切断はできても、側
圧の印加方向と切断面の法線とが任意の角度をなす切断
を行うことは難しい。本実施形態は、このような不具合
を改善するものである。
る。図3に本実施形態に係る側圧切断装置を概略断面図
にて示す。本実施形態における側圧切断装置は第1実施
形態と同様であり、側圧切断装置に配置される工作物6
のみ異なるため、側圧切断装置の構成については、図中
図1と同一符号を付して説明を省略する。
サイズ、材質のものを切断する例について説明する。ま
た、本実施形態は、斜めの切断(工作物6における切断
面の法線と工作物6の軸とが平行になっていない切断)
を行う例である。また、切断面は平面である。図3に示
すように、工作物6には切断する部位を指定する破砕領
域9が形成されている。破砕領域9は工作物6内に平面
で形成され、破砕領域9の面における法線と工作物6の
軸とのなす角αが10度になっている。
を用いて説明する。図4は、破砕領域9の形成に係る高
密度エネルギービーム装置8及び工作物6の模式的な斜
視図である。図4に示すように、工作物6の外表面のう
ち工作物6の切断面となる領域における外縁部が位置す
る面である側面の一部には平面6aが形成されている。
ることが望ましい。これは、表面が荒れている面にビー
ム8aを照射した場合、ビーム8aが散乱して工作物6
の内部への透過を妨げるため、後述のようにビーム8a
をこの平面6aに照射したときにビーム8aの透過が好
適に行われるようにするためである。本実施形態では、
平面6aの表面粗さはRz0.01μm以下に仕上げて
ある。また、ビーム8aの散乱を防ぐため、側面におけ
る平面6aの端部と側面における曲面との接続部分にお
いて、面取りを行わないか微少にすることが望ましい。
更に、工作物6の表面に汚れが付着していないように、
ビーム8aを照射する前に工作物6の洗浄を行う。
6aが高密度エネルギービーム装置8側に向くような状
態でXYZテーブル上に配置する。そして、ビーム8a
が工作物6の側面における平面6a側から照射され、ビ
ーム8aの焦点が工作物6の内部に位置するように、工
作物6及び高密度エネルギービーム装置8を位置決めす
る。その後、高密度エネルギービーム装置8からビーム
8aを照射することにより、ビーム8aが焦点を結んだ
点で微細破壊が起こる。
域の全面に破砕領域9を形成するために、工作物6の母
線が常に平行な状態で工作物6とビーム8aとを相対移
動する。具体的には、工作物6の軸と平行な方向を中心
軸として工作物6を回転したり揺動したり(回動)す
る。または、工作物6における切断面となる領域を含む
平面に対して平行となるようにして工作物6とビーム8
aとを相対移動させても良い。具体的には、切断面とな
る領域の法線に平行な方向を中心軸として工作物6を回
転したり揺動したりする。なお、安定した微細破砕を形
成するためには、ビーム8aの入射角度が0度であるこ
とが好ましいが、入射角度が0度以上45度以下であれ
ば微細破砕を形成することができる。
YZテーブルを利用した工作物6のXYZ方向への移動
とを調節して微細破壊を連続的に形成する。この際、所
望の位置において微細破壊が起こるように工作物6の屈
折率を考慮すると良い。このようにして、工作物6の切
断面となる領域において破砕領域9を形成する。この破
砕領域9は、例えば、工作物6の内部で工作物6が割れ
ているような状態になっており、後述の工作物6の切断
の際に、この破砕領域9で切断される。
1実施形態と同様であり、レーザの波長は1.064μ
m以下であることが望ましい。これは、波長が1.06
4μmより大きいと、レーザを工作物に照射することに
より形成される破砕領域が大きくなって切断面における
表面粗さが大きくなったり、工作物が割れたりする不具
合が生じるためである。
域9のうち、ビーム8aを照射する側、つまり、工作物
6の側面における平面6a側から距離が遠い部位から順
に形成するようにする。これは、工作物6において工作
物6が破砕された点(以下、単に破砕点という)はビー
ム8aの透過性が悪いため、ビーム8aの照射軸上に破
砕点が存在し、この破砕点よりも遠い部位に他の破砕点
を形成することは困難であるためである。
おいて破砕領域9を形成した後、第1実施形態と同様に
して、工作物6を切断装置における側圧伝達筒4内に配
置して切断を行う。本実施形態では、圧力媒体による液
圧を約300kg/cm2にした結果、工作物6を破砕
領域9において切断することができた。そして、切断面
を観察したところ、うねりが0.1mm以下であった。
内部に破砕領域9を形成することにより斜めの切断を行
うことができる。また、破砕領域9を形成して切断面を
指定しているため、工作物6の外表面に切欠を設け、こ
の切欠を起点として切断する場合と比較してうねりの発
生を抑制することができる。ただし、切断面におけるう
ねりよりもミクロな凹凸である表面粗さを観察したとこ
ろ、破砕領域9を形成した分悪くなっている。しかし、
この凹凸は研削で除去することができる。
工を施す等して切断面を平面にするが、切断面のうねり
が大きいと、この加工によるウェハ(切断された工作物
6)の除去量が多くなる。このため、ウェハの内部にク
ラックや破砕層が入りやすくなる。その結果、特に工作
物6として半導体を用いる場合は、そのクラック等が生
じた領域に素子等を形成すると、その素子に不具合が生
じる。しかし、本実施形態の切断方法では切断面におけ
るうねりを小さくすることができるため、研磨等による
負荷の小さな加工で後工程を行うことが可能となり、ウ
ェハ内部へのダメージを抑制することができ、信頼性の
高いウェハを提供することができる。
め、小さい側圧力で工作物6を切断することができる。
その結果、工作物6の切断間隔が小さい場合も工作物6
の挫屈の発生を抑制することができる。また、工作物6
に対するビーム8aの入射角が大きいと工作物6の内部
にビーム8aの焦点を結ぶことが困難であるが、工作物
6に平面6aを形成しているためビーム8aを好適に工
作物6の内部に導くことができる。
を照射することが望ましいが、曲面にビーム8aを照射
しても工作物6の内部にビーム8aを導くことはでき
る。その場合は、ビーム8aの乱反射を防ぐために工作
物6の側面の頂点にビーム8aを照射するようにすると
良い。また、切断面となる領域の全面に破砕領域9を設
けるためには、工作物6を回転させながらビーム8aを
照射すれば良い。ただし、この場合は工作物6の回転軸
を決定するなどの段取りが必要になるため、一般には、
上述のように工作物6の側面に平面6aを形成してビー
ム8aを照射する方が容易である。
用いるときは、インゴットにおけるオリエンテーション
フラット加工された部位を上記側面における平面6aと
して利用すると好適である。
6の側面側から内部にビーム8aを照射する例について
示したが、本実施形態では、工作物6の外表面のうち工
作物6の切断面となる領域における外縁部を含む面以外
の面である端面側からビーム8aを照射する例について
示す。本実施形態における側圧切断装置は第2実施形態
と同様であるため説明を省略する。以下、主として工作
物6に対する破砕領域9の形成方法について、第2実施
形態と異なる点について述べる。
ネルギービーム装置8及び工作物6の模式的な斜視図で
ある。本実施形態は、工作物6に対して斜めの切断を行
う例であり、切断面は平面である。具体的には、第2実
施形態と同様に、工作物6の軸と切断面となる領域の法
線とのなす角αが10度になった平面で切断する。
端面6bが高密度エネルギービーム装置8側に向くよう
な状態でXYZテーブル上に配置する。そして、この端
面6b側からビーム8aを照射する。このビーム8aが
照射される端面6bは、ビーム8aの散乱を防止するた
めに鏡面であることが望ましく、本実施形態では表面粗
さがRz0.01μm以下になっている。
部にビーム8aの焦点が結ばれて微細破砕が形成される
ように位置決めして行う。そして、XYZテーブル上に
工作物6を載せて操作を行うことにより連続的に微細破
砕を形成し破砕領域9とする。この場合、第2実施形態
と同様に、破砕領域9のうちビーム8aを照射する側か
ら遠い部位から順に破砕領域9を形成する。
る工作物6の斜視図であって、(a)は切断する前の破
砕領域9を形成した状態であり、(b)は切断後の状態
を示す。上述のようにして全ての破砕領域9を形成した
結果、図6(a)のように、複数(図示例では7部位)
の破砕領域9が形成された状態になる。
工作物6を切断装置の側圧伝達筒4内に配置して切断を
行うことにより破砕領域9における工作物6の切断を行
う。その結果、本実施形態では、図6(b)に示すよう
に、斜めの切断を良好に行うことができた。切断面は、
第2実施形態と同様に、うねりは0.1mm以下であっ
て良好であり、表面粗さは破砕されている分悪くなって
いる。
の端面6b側からビーム8aを照射する場合も、第2実
施形態と同様の効果を発揮することができる。また、切
断面となる領域の全面に破砕領域9を形成する際に、工
作物6を回転したり揺動したりする必要が無く、容易に
破砕領域9を形成することができる。また、特に、予め
端面が平面である工作物6を用いれば、側面に平面を形
成しなくてもビーム8aの乱反射を防止して良好に破砕
領域9を形成することができる。
態では、切断面となる領域の全面に破砕領域9を設ける
例について示したが、切断面となる領域の一部に対して
破砕領域9を形成し(以下、このような破砕領域を部分
的破砕領域という)ても良い。以下、工作物6の側面側
からビーム8aを照射する場合について図7を用いて説
明する。図7は、部分的破砕領域9を形成する際の工作
物6の模式図であり、(a)は斜視図、(b)は(a)
における白抜き矢印方向から見た透視図である。
に平面6aを形成している。そして、図7(b)に示す
ように、工作物6の側面における平面6aをこの平面6
aの法線方向に延長した領域内に部分的破砕領域9を形
成している。そして、切断する際には、この部分的破砕
領域9を起点として切断が始まり、切断面となる領域に
切断が広がっていく。これにより、部分的破砕領域9を
形成する際に工作物6を回転したり揺動したりする必要
が無いため、効率良く部分的破砕領域9を形成すること
ができる。
を切断する方法は、特に、結晶が規則的に層状に形成さ
れた工作物6、例えば、単結晶の炭化珪素を層状の面に
沿って切断する場合に適している。
その形成位置によっては第2実施形態の様に工作物6を
回転又は揺動させても良い。
面が平面である例について示したが、工作物を載せたX
YZテーブルを適宜移動させて3次元の破砕領域を形成
することもできる。これにより、切断面が3次元形状の
切断を行うこともできる。特に、従来、ガラスレンズを
製作する場合ガラスの切断面は平面であったため、切断
した後に研削でレンズ形状にしていた。しかし、レンズ
形状の3次元の破砕領域を形成することにより、研削で
レンズ形状にする工程を省くことができる。このよう
に、ビームを用いて工作物の内部に破砕領域を形成する
ことにより、任意の切断面を形成することができる。
方法では、ガラス以外にも、SiやSiC等の半導体イ
ンゴットや、セラミック、水晶、サファイア等の脆性材
料を切断することができる。ただし、第2〜第4実施形
態の様に、工作物6の内部に破砕領域9を形成する場合
は、ビーム8aが内部に焦点を結ぶことができるよう
に、工作物6が透過性の物質からなることが必要であ
る。
円柱が望ましいが、円筒形状や六角柱など、様々な形状
のものを用いることができる。また、必ずしも棒状の工
作物を用いる必要は無く、側圧伝達筒の軸方向、つまり
切断面となる領域における外縁部が位置する面である側
面の母線方向に短く、ウェハに近い形状の工作物を用い
ても良い。また、複数の工作物を同時に側圧伝達筒内に
嵌入しても良い。
物6の内部に破砕領域9を形成する場合は、側圧切断装
置を用いずに他の方法で工作物6に応力を加えても、工
作物6を切断することができる。具体的には、工作物6
の側面に金属物等を用いて衝撃を与えたり、超音波等の
振動を与えたり、加熱による熱膨張に起因する応力を利
用したりすることができる。この方法は、場合によって
は、第4実施形態のように部分的破砕領域9を形成する
場合も可能である。
の切断を行う例について示したが、工作物の軸と切断面
の法線とが平行になるように切断しても良い。また、第
2〜第4実施形態においては、破砕領域を形成する際に
XYZの方向に移動可能なNCコントローラを利用して
行うことにより、自動で破砕領域を形成することができ
る。このとき、予め工作物の屈折率を入力しておけば、
自動で屈折率を考慮した補正を行って所望の位置におい
てビームの焦点を好適に結ぶことができる。
である。
エネルギービーム装置及び工作物の模式的な斜視図であ
る。
である。
密度エネルギービーム装置及び工作物の模式的な斜視図
である。
密度エネルギービーム装置及び工作物の模式的な斜視図
である。
である。
である。
面、7…切欠、8a…ビーム、9…破砕領域。
Claims (18)
- 【請求項1】 脆性材からなる工作物(6)の外表面に
高密度エネルギービーム(8a)を照射することによ
り、前記工作物のうちの切断する部位を指定する切欠
(7)を形成する工程と、 前記工作物のうちの少なくとも前記切欠を含む部位を側
圧伝達筒(4)で覆う工程と、 前記側圧伝達筒の外周に沿って側圧を加えて前記工作物
に側圧を伝達することにより前記工作物を切断する工程
とを含むことを特徴とする工作物の切断方法。 - 【請求項2】 前記切欠を、前記工作物の切断面となる
領域における外縁部のうちの一部分に形成することを特
徴とする請求項1に記載の工作物の切断方法。 - 【請求項3】 脆性材からなる工作物(6)の内部に高
密度エネルギービーム(8a)を照射することにより、
前記工作物のうちの切断する部位を指定する破砕領域
(9)を形成する工程と、 前記破砕領域において前記工作物を切断する工程とを含
むことを特徴とする工作物の切断方法。 - 【請求項4】 脆性材からなる工作物(6)の内部に高
密度エネルギービーム(8a)を照射することにより、
前記工作物のうちの切断する部位を指定する破砕領域
(9)を形成する工程と、 前記工作物のうちの少なくとも前記破砕領域を含む部位
を側圧伝達筒(4)で覆う工程と、 前記側圧伝達筒の外周に沿って側圧を加えて前記工作物
に側圧を伝達することにより、前記破砕領域において前
記工作物を切断する工程とを含むことを特徴とする工作
物の切断方法。 - 【請求項5】 前記高密度エネルギービームを、前記工
作物の外表面のうち該工作物の切断面となる領域におけ
る外縁部が位置する面から照射することを特徴とする請
求項3又は4に記載の工作物の切断方法。 - 【請求項6】 前記高密度エネルギービームを、前記工
作物の外表面のうち該工作物の切断面となる領域におけ
る外縁部を含む面以外の面から照射することを特徴とす
る請求項3又は4に記載の工作物の切断方法。 - 【請求項7】 前記工作物の外表面のうち前記高密度エ
ネルギービームを照射する部位に平面(6a、6b)を
形成し、該平面から前記高密度エネルギービームを照射
することを特徴とする請求項5又は6に記載の工作物の
切断方法。 - 【請求項8】 前記破砕領域が3次元形状であることを
特徴とする請求項3乃至7のいずれか1つに記載の工作
物の切断方法。 - 【請求項9】 前記破砕領域が平面であり、前記高密度
エネルギービームを照射する際に、前記破砕領域の法線
に平行な方向を中心軸として前記工作物を回動させるこ
とを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1つに記載の
工作物の切断方法。 - 【請求項10】 前記工作物の切断面となる領域のうち
の一部に対して、前記破砕領域を形成することを特徴と
する請求項3乃至9のいずれか1つに記載の工作物の切
断方法。 - 【請求項11】 前記破砕領域を複数形成し、前記高密
度エネルギービームを照射する側から距離が遠い部位か
ら順に、前記破砕領域を形成することを特徴とする請求
項3乃至10のいずれか1つに記載の工作物の切断方
法。 - 【請求項12】 前記工作物は透過性の物質からなるこ
とを特徴とする請求項3乃至11のいずれか1つに記載
の工作物の切断方法。 - 【請求項13】 前記工作物の外表面のうち前記高密度
エネルギービームを照射する部位が鏡面であることを特
徴とする請求項3乃至12のいずれか1つに記載の工作
物の切断方法。 - 【請求項14】 前記工作物に対する前記高密度エネル
ギービームの入射角が0度以上45度以下であることを
特徴とする請求項3乃至13のいずれか1つに記載の工
作物の切断方法。 - 【請求項15】 前記高密度エネルギービームを、前記
工作物の屈折率を考慮して照射することを特徴とする請
求項3乃至14のいずれか1つに記載の工作物の切断方
法。 - 【請求項16】 前記高密度エネルギービームとして、
電子ビームを用いることを特徴とする請求項1又は2に
記載の工作物の切断方法。 - 【請求項17】 前記高密度エネルギービームとして、
レーザを用いることを特徴とする請求項1乃至15のい
ずれか1つに記載の工作物の切断方法。 - 【請求項18】 前記レーザの波長が1.064μm以
下であることを特徴とする請求項17に記載の工作物の
切断方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000162700A JP4399960B2 (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 工作物の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000162700A JP4399960B2 (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 工作物の切断方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008144757A Division JP2008201143A (ja) | 2008-06-02 | 2008-06-02 | 工作物の切断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001341122A true JP2001341122A (ja) | 2001-12-11 |
JP4399960B2 JP4399960B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=18666568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000162700A Expired - Lifetime JP4399960B2 (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 工作物の切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4399960B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277136A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sharp Corp | 基板製造方法および基板製造装置 |
JP2006041430A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
EP2221138A1 (de) * | 2009-01-16 | 2010-08-25 | BIAS Bremer Institut für angewandte Strahltechnik GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Separieren eines Halbleiter-Wafers von einem Halbleiterkristall durch Erzeugung von Schwachstellen in dem Halbleiterkristall |
JP2010267639A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法 |
WO2014117890A1 (de) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | Fraunhofer-Ges. Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Verfahren zum ablösen eines scheibenförmigen einkristalls von einem grundkörper unter anwendung eines elektronstrahles |
ITAN20130232A1 (it) * | 2013-12-05 | 2015-06-06 | Munoz David Callejo | Metodo per ottenere una pluralita' di lamine da un lingotto di materiale con struttura monocristallina |
CN107009032A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-08-04 | 北京航空航天大学 | 一种原子气室尾管熔断装置及原子气室尾管熔断方法 |
US10388526B1 (en) | 2018-04-20 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
US10468304B1 (en) | 2018-05-31 | 2019-11-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
US10896815B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-01-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate singulation systems and related methods |
DE102019122827A1 (de) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | Photonic Sense GmbH | Vorrichtung und Verfahren zum Ausschneiden einer Teilgeometrie aus einem Materialblock |
US11121035B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-09-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate processing methods |
US11830771B2 (en) | 2018-05-31 | 2023-11-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
US11854889B2 (en) | 2018-05-24 | 2023-12-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Die cleaning systems and related methods |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000162700A patent/JP4399960B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277136A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sharp Corp | 基板製造方法および基板製造装置 |
JP2006041430A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP4604594B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2011-01-05 | 株式会社デンソー | 半導体基板の製造方法 |
EP2221138A1 (de) * | 2009-01-16 | 2010-08-25 | BIAS Bremer Institut für angewandte Strahltechnik GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Separieren eines Halbleiter-Wafers von einem Halbleiterkristall durch Erzeugung von Schwachstellen in dem Halbleiterkristall |
JP2010267639A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法 |
WO2014117890A1 (de) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | Fraunhofer-Ges. Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Verfahren zum ablösen eines scheibenförmigen einkristalls von einem grundkörper unter anwendung eines elektronstrahles |
EP2768012A1 (de) * | 2013-01-30 | 2014-08-20 | Fraunhofer-ges. zur Förderung der Angewandten Forschung E.V. | Verfahren zum ablösen eines scheibenförmigen einkristalls von einem grundkörper unter anwendung eines elektronstrahles |
ITAN20130232A1 (it) * | 2013-12-05 | 2015-06-06 | Munoz David Callejo | Metodo per ottenere una pluralita' di lamine da un lingotto di materiale con struttura monocristallina |
CN107009032A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-08-04 | 北京航空航天大学 | 一种原子气室尾管熔断装置及原子气室尾管熔断方法 |
US10388526B1 (en) | 2018-04-20 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
US11152211B2 (en) | 2018-04-20 | 2021-10-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
US10665458B2 (en) | 2018-04-20 | 2020-05-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
US11121035B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-09-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate processing methods |
US10896815B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-01-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate singulation systems and related methods |
US11373859B2 (en) | 2018-05-22 | 2022-06-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate singulation systems and related methods |
US11823953B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-11-21 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate processing methods |
US11854889B2 (en) | 2018-05-24 | 2023-12-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Die cleaning systems and related methods |
US10770351B2 (en) | 2018-05-31 | 2020-09-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
US10468304B1 (en) | 2018-05-31 | 2019-11-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
US11830771B2 (en) | 2018-05-31 | 2023-11-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
DE102019122827A1 (de) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | Photonic Sense GmbH | Vorrichtung und Verfahren zum Ausschneiden einer Teilgeometrie aus einem Materialblock |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4399960B2 (ja) | 2010-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008201143A (ja) | 工作物の切断方法 | |
KR100874246B1 (ko) | 웨이퍼 제품 및 그 가공 방법 | |
TWI278027B (en) | Substrate slicing method | |
JP2001341122A (ja) | 工作物の切断方法 | |
KR101252884B1 (ko) | 레이저 가공방법 | |
US7410831B2 (en) | Method and device for dividing plate-like member | |
KR20170055909A (ko) | SiC 기판의 분리 방법 | |
JP2004111606A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR20170021730A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2006525874A (ja) | 2焦点への光ビームの集束 | |
JP2005294325A (ja) | 基板製造方法及び基板製造装置 | |
JP6032789B2 (ja) | 単結晶加工部材の製造方法、および、単結晶基板の製造方法 | |
JP2012109357A (ja) | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 | |
JP2019012849A (ja) | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム | |
JP5894754B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2000117471A (ja) | ガラスの加工方法及びその装置 | |
JP2007160920A (ja) | ウェハおよびウェハの加工方法 | |
JP6081006B2 (ja) | ウェハ割断方法及びウェハ割断装置 | |
JPH0616440A (ja) | 透明板表面の欠陥修正方法 | |
JPH0434931A (ja) | 半導体ウエハおよびその処理方法 | |
JP2015074003A (ja) | 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法 | |
RU2404931C1 (ru) | Способ резки пластин из хрупких материалов | |
JP7233816B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6593663B2 (ja) | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム | |
JP2017038092A (ja) | ウェハ加工装置及びウェハ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080422 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091006 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4399960 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091019 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131106 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |