JP2001332537A - Ｓｏｇ塗布装置 - Google Patents
Ｓｏｇ塗布装置Info
- Publication number
- JP2001332537A JP2001332537A JP2000153285A JP2000153285A JP2001332537A JP 2001332537 A JP2001332537 A JP 2001332537A JP 2000153285 A JP2000153285 A JP 2000153285A JP 2000153285 A JP2000153285 A JP 2000153285A JP 2001332537 A JP2001332537 A JP 2001332537A
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- Japan
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- sog
- water
- support stand
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機溶剤を用いずにウェハ裏面を洗浄するバッ
クリンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供する。 【解決手段】支持台１１は、ウェハＷＦをチャックして
駆動部１２で回転可能である。駆動部１２は、支持台１
１を所定の回転数で回転させる。支持台１１のウェハチ
ャック部分及びウェハＷＦの外周に沿うように金属製の
ドレーンカップ１３が配設されている。支持台１１の上
方には、ウェハＷＦ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ
液供給部１４が配備されている。ウェハＷＦ裏面側下方
のドレーンカップ１３底部にバックリンス用Ｏ3 水供給
ノズル１５が配設されている。このバックリンス用Ｏ3
水供給ノズル１５からウェハＷＦ裏面部分にＯ3 水（オ
ゾン水）が供給されるようになっている。
クリンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供する。 【解決手段】支持台１１は、ウェハＷＦをチャックして
駆動部１２で回転可能である。駆動部１２は、支持台１
１を所定の回転数で回転させる。支持台１１のウェハチ
ャック部分及びウェハＷＦの外周に沿うように金属製の
ドレーンカップ１３が配設されている。支持台１１の上
方には、ウェハＷＦ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ
液供給部１４が配備されている。ウェハＷＦ裏面側下方
のドレーンカップ１３底部にバックリンス用Ｏ3 水供給
ノズル１５が配設されている。このバックリンス用Ｏ3
水供給ノズル１５からウェハＷＦ裏面部分にＯ3 水（オ
ゾン水）が供給されるようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に半導体ウェハ表面にＳＯＧ（Spin OnGlass）
膜を形成するＳＯＧ塗布装置に関する。
係り、特に半導体ウェハ表面にＳＯＧ（Spin OnGlass）
膜を形成するＳＯＧ塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程（ウェハ工程）の一つに
ＳＯＧ（Spin On Glass）塗布工程がある。ＳＯＧ膜
は、層間の絶縁に利用する酸化膜の代替えとして広く用
いられている。一般に、ＳＯＧ塗布工程に用いられるＳ
ＯＧ塗布装置は、スピンコート方式である。すなわち、
固定されたウェハの中央部にＳＯＧ液を滴下した後、そ
のウェハを所定の回転数で回転させ、ＳＯＧ液を振り切
る。これにより、ウェハ主表面に所望の膜厚を有するＳ
ＯＧ膜を得る。その後、ベークすることで、所望の絶縁
膜となる。
ＳＯＧ（Spin On Glass）塗布工程がある。ＳＯＧ膜
は、層間の絶縁に利用する酸化膜の代替えとして広く用
いられている。一般に、ＳＯＧ塗布工程に用いられるＳ
ＯＧ塗布装置は、スピンコート方式である。すなわち、
固定されたウェハの中央部にＳＯＧ液を滴下した後、そ
のウェハを所定の回転数で回転させ、ＳＯＧ液を振り切
る。これにより、ウェハ主表面に所望の膜厚を有するＳ
ＯＧ膜を得る。その後、ベークすることで、所望の絶縁
膜となる。
【０００３】上記スピンコート方式によれば、振り切ら
れたＳＯＧ液の一部がウェハ端面を回り込んで裏面周縁
に付着したままになることがある。ウェハ裏面に回り込
んだＳＯＧ液は、放置しておけばパーティクル汚染を招
く。従って、スピンコート時に低速のステップを入れる
など、ＳＯＧ液がウェハ裏面に回り込まないよう工夫す
るＳＯＧ塗布装置もある。しかし、信頼性を得るために
はウェハ裏面を洗浄する方が確実である。
れたＳＯＧ液の一部がウェハ端面を回り込んで裏面周縁
に付着したままになることがある。ウェハ裏面に回り込
んだＳＯＧ液は、放置しておけばパーティクル汚染を招
く。従って、スピンコート時に低速のステップを入れる
など、ＳＯＧ液がウェハ裏面に回り込まないよう工夫す
るＳＯＧ塗布装置もある。しかし、信頼性を得るために
はウェハ裏面を洗浄する方が確実である。
【０００４】そこで、ウェハ裏面側を洗浄するバックリ
ンスというステップが導入されている。バックリンス液
には一般に有機溶剤が用いられている。有機溶剤として
は、メタノール、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等
が使用される。揮発成分を含み、ケミカル汚染に繋がる
恐れがある。
ンスというステップが導入されている。バックリンス液
には一般に有機溶剤が用いられている。有機溶剤として
は、メタノール、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等
が使用される。揮発成分を含み、ケミカル汚染に繋がる
恐れがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した有機溶剤は、
完全に回収されるはずもなく、ドレーンカップ内に残留
する。これがクリーンルーム内で悪影響を及ぼす。例え
ばＩＰＡのウェハ残留は有機物汚染になる可能性が高
い。今後、デバイスの微細化やプロセス雰囲気の完全な
クリーン化が進めば、問題になる。すなわち、有機溶剤
の一部の成分がクリーンルーム内で飛散し、パーティク
ル汚染源となる。この結果、製品歩留りを低下させると
共に、環境、人体への悪影響に及ぶ問題となる。
完全に回収されるはずもなく、ドレーンカップ内に残留
する。これがクリーンルーム内で悪影響を及ぼす。例え
ばＩＰＡのウェハ残留は有機物汚染になる可能性が高
い。今後、デバイスの微細化やプロセス雰囲気の完全な
クリーン化が進めば、問題になる。すなわち、有機溶剤
の一部の成分がクリーンルーム内で飛散し、パーティク
ル汚染源となる。この結果、製品歩留りを低下させると
共に、環境、人体への悪影響に及ぶ問題となる。
【０００６】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、有機溶剤を用いずにウェハ裏面を洗浄するバックリ
ンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供しようとするもので
ある。
で、有機溶剤を用いずにウェハ裏面を洗浄するバックリ
ンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供しようとするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＳＯＧ塗布装置
は、半導体ウェハが載置され回転可能な支持台と、前記
支持台を所定の回転数で回転させる駆動部と、前記ウェ
ハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部と、前記
駆動部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面側下方か
らウェハ裏面部分にオゾン水を供給するオゾン水供給部
とを具備したことを特徴とする。
は、半導体ウェハが載置され回転可能な支持台と、前記
支持台を所定の回転数で回転させる駆動部と、前記ウェ
ハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部と、前記
駆動部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面側下方か
らウェハ裏面部分にオゾン水を供給するオゾン水供給部
とを具備したことを特徴とする。
【０００８】本発明のＳＯＧ塗布装置によれば、オゾン
水供給部がバックリンスの役割を果たす。オゾン水は周
囲の環境及び人体に与える影響について、懸念すべきも
のとはなり難い。
水供給部がバックリンスの役割を果たす。オゾン水は周
囲の環境及び人体に与える影響について、懸念すべきも
のとはなり難い。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
るＳＯＧ塗布装置の要部構成を示す概観図である。スピ
ンコート方式のＳＯＧ（Spin On Glass）塗布装置であ
る。図示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷＦの
支持台１１が配備されている。支持台１１は、ウェハＷ
Ｆをチャックして駆動部１２で回転可能である。駆動部
１２は、支持台１１を所定の回転数で回転させる。ウェ
ハＷＦのチャックは、図示のようなウェハ裏面の真空吸
着によるものを用いている。支持台１１のウェハチャッ
ク部分及びウェハＷＦの外周に沿うように金属製のドレ
ーンカップ１３が配設されている。
るＳＯＧ塗布装置の要部構成を示す概観図である。スピ
ンコート方式のＳＯＧ（Spin On Glass）塗布装置であ
る。図示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷＦの
支持台１１が配備されている。支持台１１は、ウェハＷ
Ｆをチャックして駆動部１２で回転可能である。駆動部
１２は、支持台１１を所定の回転数で回転させる。ウェ
ハＷＦのチャックは、図示のようなウェハ裏面の真空吸
着によるものを用いている。支持台１１のウェハチャッ
ク部分及びウェハＷＦの外周に沿うように金属製のドレ
ーンカップ１３が配設されている。
【００１０】支持台１１の上方には、ウェハＷＦ主表面
にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部１４が配備されて
いる。ウェハＷＦ裏面側下方のドレーンカップ１３底部
にバックリンス用Ｏ3 水供給ノズル１５が配設されてい
る。このバックリンス用Ｏ3水供給ノズル１５からウェ
ハＷＦ裏面部分にＯ3 水（オゾン水）が供給されるよう
になっている。
にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部１４が配備されて
いる。ウェハＷＦ裏面側下方のドレーンカップ１３底部
にバックリンス用Ｏ3 水供給ノズル１５が配設されてい
る。このバックリンス用Ｏ3水供給ノズル１５からウェ
ハＷＦ裏面部分にＯ3 水（オゾン水）が供給されるよう
になっている。
【００１１】ウェハの洗浄技術において、ＳＰＭ洗浄
（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液による洗浄）の代り
に、Ｏ3 水によって有機物を除去する技術が知られてい
る。本発明はこれをＳＯＧ塗布装置のバックリンスに応
用した。Ｏ3 水により、ＳＯＧ剥離のための反応（ＣＯ
2 化）を加速させることが可能となる。
（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液による洗浄）の代り
に、Ｏ3 水によって有機物を除去する技術が知られてい
る。本発明はこれをＳＯＧ塗布装置のバックリンスに応
用した。Ｏ3 水により、ＳＯＧ剥離のための反応（ＣＯ
2 化）を加速させることが可能となる。
【００１２】バックリンス用Ｏ3 供給ノズル１５は、例
えば、脱イオン水、すなわち純水とＯ3 ガスが混合され
たバックリンス液を吐出する。その他、図示しないが純
水とＯ3 ガスの供給用ノズルを別々に設けてウェハ裏面
部分に供給するようにしてもよい。バックリンス用Ｏ3
供給ノズル１５は、ウェハ領域に応じて移動可能とする
機構を有していてもよい。
えば、脱イオン水、すなわち純水とＯ3 ガスが混合され
たバックリンス液を吐出する。その他、図示しないが純
水とＯ3 ガスの供給用ノズルを別々に設けてウェハ裏面
部分に供給するようにしてもよい。バックリンス用Ｏ3
供給ノズル１５は、ウェハ領域に応じて移動可能とする
機構を有していてもよい。
【００１３】図１を参照して、ウェハＷＦのＳＯＧ液塗
布及びバックリンスの工程を説明する。まず、支持台１
１にチャックされたウェハＷＦの中央付近にＳＯＧ液を
滴下する。次に、所定のＳＯＧ膜厚が得られるように所
定の回転数でウェハＷＦを回転させる。その間、バック
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からウェハＷＦ裏面の周縁
部にＯ3 水が適当な水流で当てられ、回り込もうとする
ＳＯＧ液を排除する。ＳＯＧ膜として適当な膜厚にな
り、余分なＳＯＧ液が振り切られた後、ウェハの回転を
停止させると共にバックリンス用Ｏ3 供給ノズル１５か
らのＯ3 水供給も停止される。
布及びバックリンスの工程を説明する。まず、支持台１
１にチャックされたウェハＷＦの中央付近にＳＯＧ液を
滴下する。次に、所定のＳＯＧ膜厚が得られるように所
定の回転数でウェハＷＦを回転させる。その間、バック
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からウェハＷＦ裏面の周縁
部にＯ3 水が適当な水流で当てられ、回り込もうとする
ＳＯＧ液を排除する。ＳＯＧ膜として適当な膜厚にな
り、余分なＳＯＧ液が振り切られた後、ウェハの回転を
停止させると共にバックリンス用Ｏ3 供給ノズル１５か
らのＯ3 水供給も停止される。
【００１４】上記実施形態によれば、バックリンス用Ｏ
3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給により、有機溶剤を
用いずにＳＯＧが塗布されたウェハのバックリンスが行
える。この結果、クリーンルーム内での汚染源が減少す
る。また、このＯ3 水供給のバックリンスにおいて環
境、人体への影響の懸念が解消される。
3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給により、有機溶剤を
用いずにＳＯＧが塗布されたウェハのバックリンスが行
える。この結果、クリーンルーム内での汚染源が減少す
る。また、このＯ3 水供給のバックリンスにおいて環
境、人体への影響の懸念が解消される。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
ックリンスはオゾン水によって行われ、ウェハ裏面側に
回り込もうとするＳＯＧ液を容易に除去する。この結
果、有機溶剤を用いずにウェハ裏面を洗浄するバックリ
ンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供することができる。
オゾン水は環境及び人体に悪影響は与えず、有機溶剤に
比べてクリーンな洗浄である。従って、クリーンルーム
内のパーティクル汚染も大幅に減少し、製品歩留りの向
上に寄与する。
ックリンスはオゾン水によって行われ、ウェハ裏面側に
回り込もうとするＳＯＧ液を容易に除去する。この結
果、有機溶剤を用いずにウェハ裏面を洗浄するバックリ
ンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供することができる。
オゾン水は環境及び人体に悪影響は与えず、有機溶剤に
比べてクリーンな洗浄である。従って、クリーンルーム
内のパーティクル汚染も大幅に減少し、製品歩留りの向
上に寄与する。
【図１】本発明の一実施形態に係るＳＯＧ塗布装置の要
部構成を示す概観図である。
部構成を示す概観図である。
１１…支持台 １２…駆動部 １３…ドレーンカップ １４…ＳＯＧ液供給部 １５…バックリンス用Ｏ3 水供給ノズル ＷＦ…ウェハ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハが載置され回転可能な支持
台と、 前記支持台を所定の回転数で回転させる駆動部と、 前記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部
と、 前記駆動部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面側下
方からウェハ裏面部分にオゾン水を供給するオゾン水供
給部と、を具備したことを特徴とするＳＯＧ塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000153285A JP2001332537A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｓｏｇ塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000153285A JP2001332537A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｓｏｇ塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332537A true JP2001332537A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18658570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000153285A Withdrawn JP2001332537A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｓｏｇ塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001332537A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8091504B2 (en) * | 2006-09-19 | 2012-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning spin coater |
| CN102489464A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-06-13 | 深圳深爱半导体股份有限公司 | 匀胶清洗装置及匀胶清洗方法 |
-
2000
- 2000-05-24 JP JP2000153285A patent/JP2001332537A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8091504B2 (en) * | 2006-09-19 | 2012-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning spin coater |
| CN102489464A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-06-13 | 深圳深爱半导体股份有限公司 | 匀胶清洗装置及匀胶清洗方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070807 |