JP2001328263A - インクジェットヘッド及び該インクジェットヘッドを搭載したインクジェット記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インクと接するシリコン表面にシリコン−ボ
ロン化合物層を形成してインクによるシリコンの溶解を
防止し、長年にわたり安定した吐出性能が得られるイン
クジェットプリンタを提供する。 【解決手段】 インク液滴を吐出する単一または複数の
ノズル孔と、該ノズル孔のそれぞれに連通する吐出室６
と、インクを吐出するための圧力発生手段（振動板）５
を備え、少なくとも吐出室６の一部あるいは少なくとも
圧力発生手段５の一部がシリコンにより形成されてい
る。インクに接するシリコン表面にシリコン−ボロン化
合物層３５が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットヘ
ッド及び該インクジェットを用いたインクジェット記録
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】インクジェット記録装置は、記録時の騒
音が極めて小さいこと、高速印字が可能であること、イ
ンクの自由度が高く安価な普通紙を使用できることなど
多くの利点を有する。この中でも記録が必要な時にのみ
インク液滴を吐出する、いわゆるインク・オン・デマン
ド方式が、記録に不要なインク液滴の回収を必要としな
いため、現在主流となってきている。

【０００３】このインク・オン・デマンド方式のインク
ジェットヘッド記録装置には、インクを吐出させる方法
として、図８に示すような、駆動手段に静電気力を利用
したインクジェット記録装置がある（特開平６−７１８
８２号公報）。図８において、１は液室基板、２は電極
基板、５は液室基板１に形成された振動板、６は吐出
室、１３は電極基板２に設けられた電極で、該電極１３
は振動板５に対してギャップＧをもって配設され、該振
動板５と対向電極１３との間には発信回路１９より駆動
電圧が印加されるようになっており、これら振動板５と
対向電極１３との間に働く静電力により振動板５を撓ま
せ、その復元力により吐出液室６内のインクを加圧し、
図示しないノズル孔より吐出するものである。この方式
のインクジェット記録装置は小型高密度・高印字品質及
び長寿命であるという利点を有している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述のごとき、静電気
力を駆動源とするインクジェットヘッドにおいて、振動
板５、吐出室６などはシリコン基板１の異方性エッチン
グにより形成される。インクジェットプリンタに用いら
れるインクはほとんどがアルカリ性のものであり、シリ
コンはアルカリ液に対して耐久性が小さい。吐出室や共
通インク室隔壁などは、シリコンにより形成されている
のでインクに溶出し、とくに振動板に関しては、もとも
との板厚が非常に薄いのでインクへわずかに溶出して板
厚が変化しても、振動板の振動特性に大きく影響を与え
る。それによって、インク吐出特性が変化していき、印
字品質が低下するという問題が生じる。また、シリコン
表面は濡れ性が悪いため、吐出室や共通インク室内に気
泡がたまり、吐出不良をおこす場合があった。

【０００５】振動板５が形成されている基板１の全面に
酸化膜を形成することによって、かなりインクへの溶出
は少なくなる。しかし、インクの種類によってはプリン
タとしての耐用年数の間、特性を維持するためには十分
ではない場合があった。

【０００６】本発明は、上述のごとき課題を解決するた
めのもので、その目的とするところは、インク処方の自
由度を大きくし、かつ、振動板の厚みあるいは吐出室、
共通液室形状の経時変化を防止し、また吐出室や共通イ
ンク室内に気泡が滞留するのを防止し、安定したインク
吐出性能で優れた印字品質のインクジェットヘッド及び
該インクジェットヘッドを用いたインクジェット機録装
置を提供するところにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、イン
ク液滴を吐出する単一または複数のノズル孔と、前記ノ
ズル孔のそれぞれに連通する吐出室と、インクを吐出す
るための圧力発生手段を備え、少なくとも吐出室の一部
あるいは少なくとも圧力発生手段の一部がシリコンによ
り形成されたインクジェットヘッドにおいて、少なくと
もインクに接するシリコン表面の少なくとも一部にシリ
コン−ボロン化合物層が形成されていることを特徴とし
たものである。

【０００８】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記シリコン−ボロン化合物層が不純物拡散法によ
り形成されたことを特徴としたものである。

【０００９】請求項３の発明は、請求項１あるいは２の
発明において、前記圧力発生手段の一部が振動板より構
成され、該振動板が高濃度にボロンをドープされたシリ
コンよりなることを特徴としたものである。

【００１０】請求項４の発明は、請求項１乃至３のいず
れかの発明のインクジェットヘッドを搭載したインクジ
ェット記録装置を特徴とするものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明によるインクジェ
ットヘッドの一実施例を説明するための分解斜視図で、
一部断面図で示してある。本実施例のインクジェットヘ
ッドは、３枚の基板１・２・３を重ねて接合した積層構
造となっている。図２は組み立てられた全体装置の側面
の断面図、図３は図２のIII−III線矢視図である。な
お、本実施例はインク液滴を基板３の面部に設けたノズ
ル孔１７から吐出させるサイドシュータタイプの例を示
すものである。

【００１２】図１（Ｂ）に示す中間の第１の基板１は、
Ｓｉ基板であり、底壁を振動板５とする吐出室６と、各
々の吐出室６にインクを供給するための共通インク室１
０を有する。

【００１３】第１の基板１の下面に接合される第２の基
板２も、Ｓｉ基板を使用し、このＳｉ基板２には酸化膜
１１が２μｍ形成されている。この酸化膜１１に電極１
３を装着するための凹部１４を０.３ミクロンエッチン
グすることにより、振動板５とこれに対向して配置され
る電極１３との対向間隔、すなわち、ギャップＧを形成
している。この凹部１４はその内部に、電極１３、リー
ド部１５及び端子部１６を装着できるように電極部形状
に類似したやや大きめの形状にパターン形成している。
電極１３は凹部１４内に窒化チタンを０.１ミクロンス
パッタし、窒化チタンパターンを形成することで作製す
る。したがって、本実施例における第１の基板１と第２
の基板２を直接接合した後のギャップＧは０.２ミクロ
ンとなっている。さらに、端子部１６を除きシリコン酸
化膜を全面に０.１μｍ被覆して絶縁層１２とし、イン
クジェットヘッド駆動時の絶縁破壊、ショートを防止す
るための膜を形成している。

【００１４】また、第１の基板１の上面に接合される第
３の基板３には、厚さ５０ミクロンのＳＵＳ基板を用
い、基板３の面部に、吐出室６と連通するようにそれぞ
れノズル孔１７を設け、また、共通インク室１０と連通
するようにインク供給口１８を設ける。

【００１５】次に、上述のように構成されたインクジェ
ットヘッドの動作を説明する。電極１３に発信回路１９
により０Ｖから３５Ｖのパルス電位を印加し、電極１３
の表面をプラスに帯電すると、対応する振動板５の下面
はマイナス電位に帯電する。したがって、振動板５は静
電気の吸引作用により下方へたわむ。次に、電極１３の
電圧をＯＦＦにすると、振動板５は復元する。そのた
め、吐出室６内の圧力が急激に上昇し、ノズル孔１７よ
りインク液滴２０を記録紙２１に向けて吐出する。次
に、振動板５が再び下方へたわむことにより、インクが
共通インク室１０より流体抵抗流路８を通じて吐出室６
内に補給される。

【００１６】本実施例のインクジェットヘッドにおける
基板１はＳＯＩ基板からなっている。ＳＯＩ基板のベー
ス基板は、後に、吐出室６や共通液室１０の隔壁となる
ものであり、ＳＯＩ基板の活性層は後に振動板５を形成
するものである。活性層の厚さは振動板の厚さとなるも
ので、ここでは活性層の厚さが３μｍのものを用いた。

【００１７】図４は、上記本実施例におけるインクジェ
ットヘッドの製造方法を説明するための工程図で、図４
は、図３におけるIV−IV線における断面を示すものであ
る。図４（Ａ）において、ＳＯＩ基板３０は、ベース基
板３１が（１１０）を面方位とする厚さ４００μｍの基
板であり、活性層３２が（１００）を面方位とする厚さ
３μｍのシリコンであり、ベース基板３１と活性層３２
の間に厚さ５０００Åの酸化膜層３３が存在する基板で
ある。このＳＯＩ基板３０と、凹部１４、電極１３、端
子部１６などを形成した基板２を直接接合する。ここで
は減圧下においてプリボンドしたものを、９００℃、２
時間の熱処理をすることにより接合した。

【００１８】次に、厚さ４００μｍのベース基板３１を
厚さ１００μｍまで研磨によって薄くする（図４
（Ｂ））。つづいて、接合した基板にＬＰ−ＣＶＤによ
りシリコン窒化膜２２を形成する（図４（Ｃ））。次
に、ベース基板３１上のシリコン窒化膜２２にレジスト
をコートし、露光、現像により吐出室６や共通インク室
１０などの形状のレジストパターンを得る。このとき、
基板２の電極１３と吐出室のパターンの位置が一致する
ようにＩＲ光によりアライメントする。次に、レジスト
の開口部のシリコン窒化膜をドライエッチによりエッチ
ング除去し、レジストを除去する（図４（Ｄ））。次
に、２５ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液によって温度８
０℃にて異方性エッチングを行う。このエッチング液で
は（１１０）面のエッチングは２.８μｍ／分の速さで
進行する。エッチングが進行し酸化膜層３３に達する
と、酸化膜のエッチレートが非常に小さいのでエッチン
グが停止しする（図４（Ｅ））。その後、フッ酸系エッ
チング液によってエッチングストップした面の酸化膜３
３を除去する（図４（Ｆ））。

【００１９】以上の工程により厚さ３μｍの振動板５が
得られた。次に、１８０℃に加熱したリン酸によって表
面のシリコン窒化膜２２を除去する（図４（Ｇ））。次
に、全面に熱酸化膜３７を１０００Å形成した後、吐出
室６を形成した側に、ボロンをイオン注入する。注入エ
ネルギーは１００ｋｅＶ、ドーズ量１Ｅ１６／cm²の条
件で行った。その後、９００℃で１時間のドライブを行
った。その結果、イオン注入した側にはボロン拡散層
（図示せず）が形成され、ボロン拡散層と酸化膜３７と
の間にごく薄く（３００〜５００Å）シリコンとボロン
が合金化したＳｉＢ₄（シリコン−ボロン）化合物層３
５が形成される（図４（Ｈ））。次に、フッ酸系エッチ
ング液により酸化膜３７をエッチング除去する。ここで
ＳｉＢ₄化合物層３５はフッ酸系エッチング液ではエッ
チングされないので除去されずに残る（図４（Ｉ））。

【００２０】上述のようにして形成したＳｉＢ₄化合物
層をインクに浸漬実験を行った。インクは下記組成のビ
ヒクルを作製し、その後、下記に示すブラック、シア
ン、マゼンタ、イエローの染料を加えて作製した。

【００２１】ビヒクル： ジエチレングリコール……１５.０ｗｔ％ グリセリン …… ５.０ｗｔ％ デヒドロ酢酸ナトリウム… ０.１ｗｔ％ 水 ……７６.９ｗｔ％

【００２２】 染料： Ｃ．Ｉ．Ａｃｉｄ Ｂｌａｃｋ １７ ……５.０ｗｔ％ Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １８５……２.０ｗｔ％ Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ８０ ……４.０ｗｔ％ Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ８６…５.０ｗｔ％

【００２３】上記４種のインクを５０℃に加熱して反応
促進し、浸漬実験を１ヶ月間行った。その後、ＳＥＭに
よってサンプルを観察した結果、振動板の厚さが減って
いたり、穴があいたりというのは見られなかった。ま
た、ノズルプレートを接合し、それそれにおいてインク
吐出評価を行った結果、吐出の不良は見られなかった。
この加速試験は常温における５年に相当するもので、イ
ンクジェットプリンタの耐久年数を満足するものであ
る。また、ＳｉＢ₄層は、シリコン表面に比べ、濡れ性
が良いため、吐出室や共通インク室内に気泡が発生しづ
らく、気泡による吐出不良も低減できた。

【００２４】本実施例において、振動板５の隔壁の側面
にはＳｉＢ₄化合物層が形成されないが、側面は異方性
エッチングによって形成された（１１１）面なので、ア
ルカリ液には溶解しづらくほとんど影響なかった。

【００２５】ＳｉＢ₄化合物層を振動板表面に形成する
ことにより、インクによるシリコンの溶解を防止するこ
とができ、長年にわたり安定した吐出性能の得られるイ
ンクジェットプリンタを提供することができる。

【００２６】図５は、本発明の別の実施例を説明するた
めの工程図で、本実施例は、ＳｉＢ ₄化合物層を固体拡
散法で作製したものであるが、図５（Ｇ）までの工程は
前記実施例の図４（Ｇ）までと同様なので説明を省く。

【００２７】図５（Ｈ）に示すように、吐出室６などを
形成した側に、ボロンの固体拡散源によりＢ₂Ｏ₃層３４
を形成する。基板３６の吐出室６などを形成した面と固
体拡散源を向かい合わせて並べ７５０℃の炉の中にセッ
トする。炉の中には１％の酸素を混入した窒素を流して
おく。炉の温度を７℃／分のレートで９５０℃まで上昇
させ、その状態で１時間保持した後、７℃／分のレート
で７５０℃まで下げサンプルを取り出し、固体拡散源と
向かい合っていた面にＢ₂Ｏ₃層３４が形成される。同時
にシリコン中にボロンが拡散しボロン拡散層（図示せ
ず）が形成される。Ｂ₂Ｏ₃層３４とボロン拡散層のあい
だに前記実施例同様シリコンとボロンが合金化したＳｉ
Ｂ₄化合物３５層がごく薄く（２００Å〜５００Å程
度）形成されている（図５（Ｈ））。次に、フッ酸系エ
ッチング液によりＢ₂Ｏ₃層３４をエッチング除去する。
ここでＳｉＢ₄化合物層３５はフッ酸系エッチング液で
はエッチングされないので除去されずに残る（図５
（Ｉ））。

【００２８】本実施例でも前記実施例同様インクに耐性
のあるＳｉＢ₄化合物層３５が振動板５の表面に形成さ
れるが、本実施例では固体拡散法を用いているので、振
動板表面に加え吐出室６や共通インク室の隔壁の側面に
も形成される。従って、前記実施例に比べ隔壁側面の対
インク性が向上し、より耐久性のあるインクジェットヘ
ッドが得られる。

【００２９】図４におけるボロンドープされた酸化膜３
７あるいは図５におけるＢ₂Ｏ₃層３４は、インクの組成
によっては熱酸化膜よりも対インク性が高い。そのよう
な場合には、酸化膜３７あるいはＢ₂Ｏ₃層３４を除去せ
ずにそのまま対インク膜として用いても良い。

【００３０】図６は、本発明の他の実施例におけるイン
クジェットヘッドの製造方法を説明するための工程図
で、前記実施例ではＳＯＩ基板を使って振動板の厚さを
制御していたが、本実施例では高濃度ボロン層において
エッチレートが低下する現象を用いて振動板の厚さを制
御するものである。

【００３１】まず、図６（Ａ）において、（１１０）を
面方位とする厚さ５００μｍのＳｉ基板２０に固体拡散
法によりボロンを拡散し、高濃度ボロン拡散層２１を形
成する。Ｓｉ基板２０と固体拡散源を向かい合わせて並
べ７５０℃の炉の中にセットする。炉の中には０.２５
％の酸素を混入した窒素を流しておく。炉の温度を７℃
／分のレートで１１５０℃まで上昇させ、その状態で５
０分保持した後、７℃／分のレートで７５０℃まで下げ
サンプルを取り出し、高濃度ボロン拡散層２１が形成さ
れる。この条件により、図７に示すボロン濃度プロファ
イルが得られた。

【００３２】その後、Ｓｉ基板表面に形成されたＢ₂Ｏ₃
層をフッ酸により除去する。Ｂ₂Ｏ₃層の下にシリコンと
ボロンの化合物層が形成されており、これを除去する場
合は、酸化することによってフッ酸で除去できるように
なる。しかし、このように酸化してフッ酸で化合物層を
除去してもボロンの拡散されたシリコン表面には荒れが
生じているので、後に行う直接接合で接合できない。そ
こで、ＣＭＰ研磨により化合物層ごと除去してしまい直
接接合可能な表面性（Ｒａ：５ｎｍ以下）を得た。ＣＭ
Ｐ研磨では、最表面を１０００Å以下、面内均一に研磨
することができるので、高濃度ボロン拡散層２１の変化
は微量であり、また、研磨量を見込んで拡散条件を決め
ればよい。また、酸化してフッ酸処理して化合物層を除
去してからＣＭＰ研磨してもよい。

【００３３】次に、凹部１４、電極１３、端子部１６な
どを形成した第２の基板２に、前述のＳｉ基板２０を直
接接合する。ここでは減圧下においてプリボンドしたも
のを、９００℃、２時間の熱処理をすることにより接合
した（以上、図６（Ａ））。

【００３４】次に、厚さ５００μｍのＳｉ基板２０を厚
さ１００μｍまで研磨によって薄くする（図６
（Ｂ））。つづいて、接合した基板にＬＰ−ＣＶＤによ
りシリコン窒化膜２２を形成する（図６（Ｃ））。次
に、Ｓｉ基板２０上のシリコン窒化膜２２上にレジスト
をコートし、露光、現像により吐出室６や共通インク室
１０などの形状のレジストパターンを得る。このとき、
基板２の電極１３と吐出室のパターンの位置が一致する
ようにＩＲ光によりアライメントする。次に、レジスト
の開口部のシリコン窒化膜をドライエッチによりエッチ
ング除去し、レジストを除去する（図６（Ｄ））。

【００３５】次に、１０ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液
によって温度８０℃にて異方性エッチングを行う。エッ
チングが進行し高濃度ボロン層２１に達すると、エッチ
ングが自発的に停止し、２μｍの振動板が得られた（図
６（Ｅ））。１０ｗｔ％程度の低濃度水酸化カリウム水
溶液では、高濃度にボロンがドープされた領域において
極度にエッチレートが低下する。この現象を用いて振動
板の厚さを制御したものである。次に１８０℃に加熱し
たリン酸によって表面のシリコン窒化膜２２を除去する
（図６（Ｆ））。

【００３６】次に、吐出室６などを形成した側に、前記
実施例同様ボロンの固体拡散源によりＢ₂Ｏ₃層３４を形
成する。同時にシリコン中にボロンが拡散しボロン拡散
層（図示せず）が形成される。Ｂ₂Ｏ₃層３４とボロン拡
散層のあいだに前記実施例同様シリコンとボロンが化合
物化したＳｉＢ₄化合物層３５がごく薄く（２００Å〜
５００Å程度）形成されている（図６（Ｇ））。次に、
フッ酸系エッチング液によりＢ₂Ｏ₃層３４をエッチング
除去する。ここでＳｉＢ₄化合物層３５はフッ酸系エッ
チング液ではエッチングされないので除去されずに残る
（図６（Ｈ））。

【００３７】本実施例でも前記実施例同様インクに耐性
のあるＳｉＢ₄化合物層３５が振動板５の表面および吐
出室６や共通インク室に形成される。従って、前記実施
例に比べ隔壁側面の対インク性が向上し、より耐久性の
あるインクジェットヘッドが得られる。また、本実施例
では高濃度にボロンを拡散された振動板を用いており、
ボロン濃度は、図７に示したようになっており、振動板
５の厚さが２μｍとなったので、振動板の厚さ方向断面
のボロン濃度分布は非対称となり、吐出室側はボロン濃
度が低く、電極側はボロン濃度が高い。

【００３８】周知のごとく、ボロンがドープされると、
ボロン濃度に伴い引っ張り応力が働く。そのため、振動
板は吐出室側に凸の形状に変形しようとする力が働く。
そのため、設計した通りのギャップが得られなかった
り、時には振動板の駆動時に振動変位に異常が生じたり
する。本実施例では、吐出室側からＳｉＢ₄化合物層を
形成するためにボロンをドープしているので、振動板の
厚さ方向断面のボロン濃度分布は対称形に近づき、振動
板に働く応力を小さくでき、安定した振動変位が得ら
れ、そのためインク吐出性能も安定する。

【００３９】イオン注入、固体拡散の他にも塗布拡散や
ＢＳＧのデポによってもＳｉＢ₄化合物層の形成が可能
である。塗布拡散では、液状である拡散源をスピンコー
トで塗布するのが一般的であるが、構造体の場合には細
部まで塗布できないことがある。そこで、ディッピング
やスプレーなどにより細部まで拡散源を塗布し、ＳｉＢ
₄化合物層を形成することもできる。

【００４０】以上に本発明をサイドシュータタイプのイ
ンクジェットヘッドに適用した場合を例として説明した
が、本発明はノズル孔が基板１の側面に形成され、基板
３が単なる蓋部材となったエッジシュータタイプのイン
クジェットヘッドにも適用可能である。また、サイドシ
ュータタイプにおけるノズル孔が形成された基板３、あ
るいは、エッジシュータタイプの蓋部材をシリコンで形
成した場合においても、シリコン表面にＳｉＢ₄化合物
層を形成して対インク性を向上することも可能である。

【００４１】更に、以上に本発明を駆動方法に静電気力
を用いたインクジェットヘッドを例として説明したが、
静電気力以外にもサーマルインクジェットや、圧電素子
によりインクを吐出させるものでシリコンを用いるイン
クジェットヘッドにおいても同様に適用可能である。

【００４２】また、ＳｉＢ₄化合物層は、フッ酸、硫
酸、硝酸、塩酸、りん酸などの種々の物質を溶解する強
酸、あるいは水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム
水溶液、水酸化リチウム水溶液などの強アルカリ液、あ
るいはエタノール、アセトン、キシレン、トリクレンな
どの有機溶剤などでも侵されることはなかった。また、
ＳｉＢ₄化合物層は、対摩耗性が非常に高い。よって、
シリコンを用いたフィルタ、マイクロポンプ、流量計、
圧力計、加速度センサなど各種デバイスにおいても、対
薬液性膜、対腐食ガス性膜、あるいは対摩耗性膜として
用いることができる。

【００４３】

【発明の効果】インクと接するシリコン表面にシリコン
−ボロン化合物層が形成されているのでインクによるシ
リコンの溶解を防止することができ、長年にわたり安定
した吐出性能の得られるインクジェットプリンタを提供
することができる。また、シリコンに比べ濡れ性が向上
するので、吐出室や共通インク室内に気泡が発生しづら
く、気泡による吐出不良を低減でき、安定した印字品質
のインクジェットヘッドが得られる。

【００４４】シリコン−ボロン化合物層が固体拡散法に
より形成されているので、構造体を形成したものに対し
てもカバレージがよく、振動板表面に加え吐出室や共通
インク室の隔壁の側面にも形成され、隔壁側面の対イン
ク性も向上し、より耐久性の高いインクジェットヘッド
が得られる。

【００４５】振動板が高濃度にボロンをドープされたシ
リコンよりなり、ＳｉＢ₄化合物層の形成により振動板
厚さ方向断面のボロン濃度分布が対称形に近づき、振動
板に発生する内部応力を小さくできる。そのため、安定
した振動変位が得られ、インク吐出性能も向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明によるインクジェットヘッドの一実施
例を説明するための分解斜視図である。

【図２】 図１の部材にて組み立てられた全体装置の側
面の断面図である。

【図３】 図２のIII−III線矢視図である。

【図４】 本発明におけるインクジェットヘッドの製造
方法を説明するための工程図、図３のIV−IV線断面図で
ある。

【図５】 本発明の別の実施例におけるインクジェット
ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。

【図６】 本発明の他の実施例におけるインクジェット
ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。

【図７】 ボロン濃度のプロファイルの一例を示す図で
ある。

【図８】 静電気力を利用したインクジェットヘッドの
一例を説明するための要部断面構成図である。

【符号の説明】

１…液室基板、２…電極基板、３…ノズル基板、５…振
動板、６…吐出室、８…流体抵抗流路、１０…共通イン
ク室、１１…酸化膜、１２…絶縁層、１３…電極、１４
…凹部、１５…リード部、１６…端子部、１７…ノズル
孔、１８…インク供給口、１９…発信回路、２０…イン
ク液滴、２１…記録紙、２２…シリコン窒化膜。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 インク液滴を吐出する単一または複数の
   ノズル孔と、前記ノズル孔のそれぞれに連通する吐出室
   と、インクを吐出するための圧力発生手段を備え、少な
   くとも吐出室の一部あるいは少なくとも圧力発生手段の
   一部がシリコンにより形成されたインクジェットヘッド
   において、少なくともインクに接するシリコン表面の少
   なくとも一部シリコン−ボロン化合物層が形成されてい
   ることを特徴とするインクジェットヘッド。
2. 【請求項２】 請求項１記載のインクジェットヘッドに
   おいて、前記シリコン−ボロン化合物層が不純物拡散法
   により形成されたことを特徴とするインクジェットヘッ
   ド。
3. 【請求項３】 請求項１あるいは２記載のインクジェッ
   トヘッドにおいて、前記圧力発生手段の一部が振動板よ
   り構成され、該振動板が高濃度にボロンをドープされた
   シリコンよりなることを特徴とするインクジェットヘッ
   ド。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のイン
   クジェットヘッドを搭載したことを特徴とするインクジ
   ェット記録装置。