JP2001326196A - 基板の研削装置 - Google Patents

基板の研削装置

Info

Publication number
JP2001326196A
JP2001326196A JP2000141037A JP2000141037A JP2001326196A JP 2001326196 A JP2001326196 A JP 2001326196A JP 2000141037 A JP2000141037 A JP 2000141037A JP 2000141037 A JP2000141037 A JP 2000141037A JP 2001326196 A JP2001326196 A JP 2001326196A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
substrate
zone
chuck
lapping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000141037A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Ide
悟 井出
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okamoto Machine Tool Works Ltd
Original Assignee
Okamoto Machine Tool Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okamoto Machine Tool Works Ltd filed Critical Okamoto Machine Tool Works Ltd
Priority to JP2000141037A priority Critical patent/JP2001326196A/ja
Publication of JP2001326196A publication Critical patent/JP2001326196A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 表面に渦巻状の条痕が残らない基板を与える
研削・ラップ装置の提供。 【解決手段】 基板収納カセット3,4、基板搬送ロボ
ット5、仮置台6、洗浄機構7、ロ−ディング/アンロ
−ディングゾ−ンS1、第一研削ゾ−ンS2、第二研削
ゾ−ンS3およびラップゾ−ンS4に区画振り分けされ
たインデックステ−ブル8、4基の基板チャック機構9
a,9b,9c,9d、第一研削ゾ−ンに位置するカッ
プホイ−ル型粗研削砥石を備えた第一研削手段11、第
二研削ゾ−ンに位置するカップホイ−ル型中仕上研削砥
石を備えた第二研削手段12およびラップゾ−ンに位置
する揺動可能な軸に軸承された仕上用平砥石を備えるラ
ップ手段13、チャック洗浄機構14、ドレッシング機
構15、および前記仮置台上の基板をロ−ディング/ア
ンロ−ディングゾ−ンに位置するチャック機構上に搬送
する第二搬送手段16、を備える基板の研削装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面に渦巻
状の螺旋状痕が残らない研削基板を与える研削・ラップ
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】砥石粒度の粗いカップホイ−ル型砥石に
よりスライシングされたウエハを研削して厚みを減らす
ことは行われている(特開平11−307489号)。
研削加工における基板のスル−プット時間を短縮するた
めに複数の基板チャックを備えたインデックステ−ブ
ル、カップホイ−ル型第一研削砥石、カップホイ−ル型
第二研削砥石を備えた研削装置が提案、実用化されてい
る(特開平10−172932号、同11−30748
9号)。このインデックステ−ブル型研削装置におい
て、第一研削砥石に#300〜600番の砥石粒度の粗
い砥石を、第二研削砥石に#800〜2000番の細か
い砥石を用いている。
【0003】しかしながら、カップホイ−ル型砥石を用
いる研削方法は、ウエハの研削面に螺旋条痕が残り、ウ
エハの強度が低い。この条痕をなくすために研削面を弾
性平砥石を用いて梨地面にしたり、研削表面をエッチン
グして平坦化したり、研磨パッドで研磨加工して鏡面化
することが行われている。これら梨地加工、エッチング
加工、研磨加工は研削装置とは別の装置で行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】研削装置にこれらの加
工手段のすくなくとも1つを組み込めば、これら条痕を
残さない基板が得られ、別据え付けの研削装置やエッチ
ング装置や研磨装置を設ける必要がなく、装置のプリン
トフットが小さく済む。
【0005】本発明は、第一研削と第二研削にカップホ
イ−ル型砥石を用い、最終研削仕上の砥石として円板状
砥石(平板砥石)を用い、基板をラップ加工することに
より裏面に条痕を残さない基板を与える研削装置の提供
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1は、基
板収納カセット、該収納カセットの前に配置された基板
搬送ロボット、該搬送ロボットの左右に配置された仮置
台とスピン洗浄機構、前記搬送ロボットと仮置台と洗浄
機構の前に配置され、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ン、第一研削ゾ−ン、第二研削ゾ−ンおよびラップ
ゾ−ンに区画振り分けされたインデックステ−ブル、該
インデックステ−ブルの回転軸に対し同一円周上にかつ
90度の等間隔に設けられた水平方向に回動可能な4基
の基板チャック機構、前記インデックステ−ブルの上方
に設けられ、第一研削ゾ−ンに位置するチャック機構に
対向して設けられたカップホイ−ル型粗研削砥石をスピ
ンドル軸に備えた第一研削手段、第二研削ゾ−ンに位置
するチャック機構に対向して設けられたカップホイ−ル
型中仕上研削砥石をスピンドル軸に備えた第二研削手段
およびラップゾ−ンに位置するチャック機構上の基板を
ラップ加工する揺動可能な軸に軸承された仕上用平砥石
を備えるラップ手段、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ンに位置するチャック機構を洗浄するチャック洗浄
機構、ラップ手段の仕上用平砥石のドレッシング機構、
および前記仮置台上の基板をロ−ディング/アンロ−デ
ィングゾ−ンに位置するチャック機構上に搬送する第二
搬送手段、を備える基板の研削装置を提供するものであ
る。
【0007】インデックステ−ブル型の研削装置とする
ことにより基板のスル−プット時間が短縮される。ま
た、基板裏面の鏡面仕上げを揺動タイプのラップ砥石を
用いることにより条痕が消滅し、梨地面の裏面を有する
加工基板が得られる。
【0008】本発明の請求項2は、前記基板の研削装置
において、ラップ手段の円板状平砥石は、砥石粒度が#
600〜2000番のものであり、基板をラップ加工す
る表面側に幅0.3〜2mmの溝が平砥石の外周に通じ
るように設けられた平砥石であることを特徴とする。
【0009】平砥石表面に設けた溝により研削・ラップ
加工された屑が研削液とともに基板表面から容易に排出
される。
【0010】本発明の請求項3は、前記の基板の研削装
置において、第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥
石の砥石粒度は#300〜800番のものであり、第二
研削手段のカップホイ−ル型中仕上研削砥石の砥石粒度
は第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥石の砥石粒
度よりも大きい値であって、#600〜2400番のも
のであることを特徴とする。
【0011】基板のスル−プット時間を短くするため、
第一研削ゾ−ンでは粗い目のカップホイ−ル型砥石を用
いて基板の研削速度(基板が研削により厚み方向におい
て減る速度)を大きくし、加工時間全体のスル−プット
時間を短くするとともに、第二研削ゾ−ンにおいては目
の細かいカップホイ−ル型砥石を用いてスクラッチ傷の
深さを薄くし、次工程のラップ加工時間を短くすること
ができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明をさら
に詳細に説明する。図1は、本発明の研削・ラップ装置
の平面図、図2は図1におけるI−I線より見た正面
図、図3は平砥石の平面図である。
【0013】図1において、1は基板の研削・ラップ装
置、2は基台、3,4は基板収納カセット、5は基板搬
送ロボットで前記収納カセット3,4の前列に配置され
る。6は仮置台、7は洗浄機構で、両者は前記搬送ロボ
ットの左右に線上に配置される。8はインデックステ−
ブルで、前記搬送ロボットと仮置台とスピン洗浄機構の
前に配置され、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ン
S1、第一研削ゾ−ンS2、第二研削ゾ−ンS3および
ラップゾ−ンS4に区画振り分けされる。
【0014】該インデックステ−ブル8には、該インデ
ックステ−ブルの回転軸8aに対し同一円周上にかつ9
0度の等間隔に設けられた水平方向に回動可能な4基の
基板チャック機構9a,9b,9c,9dが設けられて
いる。このインデックステ−ブル8の上方には3基の加
工手段11,12,13が設けられている。1つは第一
研削ゾ−ンS2に位置するチャック機構に対向して設け
られたカップホイ−ル型粗研削砥石11aをスピンドル
軸11bに備えた第一研削手段11、第二研削ゾ−ンS
3に位置するチャック機構に対向して設けられたカップ
ホイ−ル型中仕上研削砥石12aをスピンドル軸12b
に備えた第二研削手段12およびラップゾ−ンS4に位
置するチャック機構上の基板をラップ加工する揺動可能
な軸13bに軸承された仕上用平砥石13aを備えるラ
ップ手段13である。
【0015】14はチャック洗浄機構で、ロ−ディング
/アンロ−ディングゾ−ンS1に位置するチャック機構
を洗浄する。15はドレッシング機構で、ラッピング手
段13の仕上用平砥石の表面をドレシングする。16は
第二搬送手段で、前記仮置台6上の基板をロ−ディング
/アンロ−ディングゾ−ンS1に位置するチャック機構
上に搬送する。
【0016】カップホイ−ル型砥石は、例えば特開平1
1−188644号、特開2000−94342号、特
許第2867380号公報に開示されるように環状の台
座上に特定の目番の砥石片を隙間(スリット)を設けて
並べたもので、台座の内側に設けた溝に研削液が供給さ
れ、溝底に斜めに設けた孔より基板上に供給され、基板
の回転により遠心力を受けて基板表面上を流れ、スリッ
トより基板外周方向へと供給される。砥石片は砥粒を樹
脂で固めて成型したもので、その砥石粒度は第一研削に
おいては#300〜800番と目が粗いものが研削速度
を速めるために用いられる。第二研削においては第一研
削に用いたものよりも目の細かい#600〜2400番
のものが使用され、スクラッチ傷の深さを小さくし、ラ
ップ工程で研削する厚みを少なくする。
【0017】平砥石としては、例えば砥石粒度#600
〜2000番のレジンボンド砥石が使用される。厚みは
3〜35mmが一般で、基板をラップ加工する表面側に
幅0.3〜2mmの溝13cが平砥石の外周に通じるよ
うに設けられたものが好ましい(図3参照)。ラップ加
工屑は、該溝を通じて基板表面より外周へと追いやられ
る。溝と研削液の流路を形成するために分割砥石片を合
わせて平砥石としてもよい。
【0018】第一研削手段、第二研削手段のスピンドル
軸は上下に昇降可能である。ラップ加工手段の平砥石は
揺動可能である。図1では弧状に揺動する例を示した
が、ボ−ルネジ、ボ−ルネジに螺合しラップ加工手段を
支持する移動体、モ−タを利用して直線上にラップ加工
手段を往復移動するように設計してもよい。ラップ加工
により研削基板の螺旋条痕が消滅する。
【0019】基板のチャック機構9a,9b,9c,9
dは、インデックステ−ブル8の回転とは独立して各々
回転可能な中空軸にポ−ラスセラミック板が軸承された
もので、公知のように中空軸は減圧、加圧空気、あるい
は洗浄水が供給できるようになっている。中空軸を減圧
することにより基板をチャック機構に吸着できる。加圧
空気、洗浄水の供給は研削あるいはラップ加工された基
板のチャック機構からの剥離を容易とする。
【0020】インデックステ−ブル8は、前述のように
ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ン、第一研削ゾ−
ン、第二研削ゾ−ンおよびラップゾ−ンに区画振り分け
され、90度ずつ回転される。インデックステ−ブルの
回転軸8aの外側に各チャック機構のポ−ラスセラミッ
ク板を軸承する回転軸9e,9eが支持枠により固定さ
れているのでインデックステ−ブルの90度の回転とと
もに各チャック機構も90度移動する。
【0021】ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンS
1では、チャック洗浄機構14によるチャック機構9の
洗浄と、仮置台6からの基板の搬入が行われる。基板の
ロ−ディングは、収納カセット3に収納されている基板
を搬送ロボット5のア−ムにより搬出し、一旦、仮置台
6に置き、チャック機構の洗浄やインデックステ−ブル
の90度回転の間、待機させ、その後、第二搬送手段1
6の吸着パッドにより仮置台6上の基板はロ−ディング
/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構9に移送
され、チャック機構9のポ−ラスセラミックス板に吸着
されることにより行われる。
【0022】チャック洗浄機構14は、前後方向(Y軸
方向)に往復移動可能で、チャック機構9上に到達した
ら軸14aが下降し、セラミック製砥石14bをチャッ
ク機構上に接触させ、ついでチャック機構9上に洗浄水
を供給しながら軸14aを回転させるとともにチャック
機構の軸9eも回転させてチャック機構表面の洗浄を行
う。チャック機構洗浄が終了したら軸14aは上昇し、
チャック洗浄機構は後退される。
【0023】第一研削ゾ−ンS2では、基板は粗研削さ
れる。チャック機構の回転数は100〜1000rp
m、カップホイ−ル型砥石11aの回転数は600〜6
000rpmである。第二研削ゾ−ンS3では基板は中
仕上げ研削される。チャック機構の回転数は100〜6
00rpm、カップホイ−ル型砥石12aの回転数は2
00〜2000rpmである。ラップ加工ゾ−ンS4で
は基板の螺旋条痕の消滅が行われ、基板表面は梨地面に
仕上げられる。チャック機構の回転数は20〜100r
pm、平砥石13aの回転数は40〜200rpmであ
る。
【0024】基板のラップ加工が終了すると、基板は搬
送ロボット5により基板洗浄機構7に移送される。スピ
ナ台に載置された基板は、スピナを回転させることによ
り回転し、ブラシ、洗浄水を用いて表面はスクラブ洗浄
され、ついで、リンス洗浄、スピン乾燥される。スクラ
ブ洗浄の際、超音波を照射してもよい。一方、ラップ加
工された基板が搬出された後、ラップ加工手段13は回
動されてドレッシング機構15上に移動し、平砥石13
aを回転させながら回転しているドレッシング機構15
に接触させ、ドレッシングを行う。
【0025】基板チャック機構9において、90は純水
供給パイプ、91はポンプ、92はポ−ラスセラミック
板の支持台でその中央には円筒状凹部部93が形成さ
れ、さらにその中心部には鉛直方向に流体通路94が設
けられている。流体通路94には電磁チャック機能を有
するスリ−ブ95を介してパイプ90に接続されてお
り、切替弁96に連結されており、一方のパイプ97は
真空ポンプに、他方のパイプ98は純水供給タンクに接
続されている。99はハウジング、100はクラッチ機
構、101はモ−タ−である。モ−タ−101をエア−
シリンダ−102で持ち上げ、チャック14,14aを
結合し、モ−タ−101を駆動することによりポ−ラス
セラミック板を水平方向に回転させることができる。
【0026】円板状平砥石による基板のラップ加工が終
了したら、弁96を切り替え、流体通路94に純水を供
給し、基板wをポ−ラスセラミック板より浮かし、基板
のチャック機構9からの剥離を容易にする。
【0027】平砥石の揺動は、図1では軸を中心に振り
子回動する例を示したが、平砥石が前後方向に往復移動
するものであってもよい。具体的にはボ−ルネジを利用
し、スピンドル軸に中心が軸承された平砥石と、この円
板状砥石をボ−ルネジの回転により前後方向に移動させ
る機構と、平砥石の昇降機構を備えるものである。前記
平砥石の揺動は、平砥石によりラップ加工された基板表
面に渦巻状の条痕が残らないようにするためであり、基
板の中心点を平砥石の外周が通過するように行なう。平
砥石の左右方向の送りは0.1〜1m/分が好ましい。
【0028】ラップ加工された基板は搬送ロボット5に
より洗浄機構7に移送される。その移送は、搬送ロボッ
ト5の代わりに第3の搬送ロボットまたは搬送パッドを
用いる方が好ましい。または搬送ロボット5として2ア
−ム式のロボットを用い、一方のア−ムは収納カセット
3から仮置台6へのロ−ディングおよび洗浄機構7から
収納カセット4へのきれいなウエハの搬送のみに用い、
他方のア−ムはラップ加工ゾ−ンS4から洗浄機構7へ
の汚れた基板の搬送のみに用いる。洗浄された基板は、
収納カセット4内へ搬送され、アンロ−ディングが行わ
れる。
【0029】
【実施例】実施例1 図1に示す研削・ラップ装置を用い、スライシングされ
た厚み220μm、直径200mmのシリコンウエハを
次ぎの工程を経て研削・ラップ加工して厚み約194μ
mの表面が梨地を呈するウエハを得た。 第一工程:第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥石
は、砥石の砥石粒度が#325番のものを、第二研削手
段のカップホイ−ル型中仕上研削砥石は、砥石の砥石粒
度が#2000番のものを、ラップ手段の円板状平砥石
は、砥石粒度が#1500番のもので表面側に幅1.2
mmの溝が平砥石の外周に通じるように設けられた組み
合わせの平砥石を用いた。
【0030】収納カセットに収納されているシリコンウ
エハを第一搬送ロボットのア−ムにより搬出し、ア−ム
を反転し、一旦、仮置台に置き待機させた。ロ−ディン
グ/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構をチャ
ック洗浄機構により洗浄し、チャック洗浄機構を後退さ
せた後、第二搬送パッドにより仮置台上のウエハを吸着
し、第二搬送パッドを回動させてロ−ディング/アンロ
−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動させ、置
いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス板を減
圧することにより吸着させてウエハのロ−ディングを行
なった。
【0031】第二工程:インデックステ−ブルを時計回
り方向に90度回転させて、ウエハを第一研削ゾ−ンに
移動させた後、ウエハを吸着しているチャック機構を6
00rpmで回転させるとともに、ウエハの表面部分に
3000rpmで回転しているカップホイ−ル型粗研削
砥石を下降させ、2分間粗研削を行い、約20μmの厚
みを研削し、カップホイ−ル型粗研削砥石を上昇させ
た。その間、前述と同様、カセットより新しいシリコン
ウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置させ、ロ−
ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構
をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗浄機構を
後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウエハを吸
着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/アンロ−
ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動させ、置い
たのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス板を減圧
することにより吸着させてウエハのロ−ディングを行な
った。
【0032】第三工程:インデックステ−ブルを時計回
り方向に90度回転させて、第一研削されたウエハを第
二研削ゾ−ンに移動させ、ロ−ディング/アンロ−ディ
ングゾ−ンS1のチャック機構上のウエハを第一研削ゾ
−ンに移動させた。第二研削ゾ−ンでは、ウエハを吸着
しているチャック機構を400rpmで回転させるとと
もに、ウエハの表面部分に2000rpmで回転してい
るカップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を下降させ、1.
5分間粗研削を行い、約5μmの厚みを研削し、カップ
ホイ−ル型中仕上げ研削砥石を上昇させた。第一研削ゾ
−ンでは、チャック機構を600rpmで回転させると
ともに、ウエハの表面部分に3000rpmで回転して
いるカップホイ−ル型粗研削砥石を下降させ、2分間粗
研削を行い、約20μmの厚みを研削し、カップホイ−
ル型粗研削砥石を上昇させた。
【0033】その間、前述と同様、カセットより新しい
シリコンウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置さ
せ、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャ
ック機構をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗
浄機構を後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウ
エハを吸着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/
アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動さ
せ、置いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス
板を減圧することにより吸着させてウエハのロ−ディン
グを行なった。
【0034】第四工程:インデックステ−ブルを時計回
り方向に90度回転させて、第二研削されたウエハをラ
ップゾ−ンに移動させ、第一研削されたウエハを第二研
削ゾ−ンに移動させ、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ンS1のチャック機構上のウエハを第一研削ゾ−ン
に移動させた。ラップゾ−ンでは、60rpmで回転す
る中仕上げ研削されたデバイスウエハの表面を100r
pmで回転する平砥石で2分間ラップ加工して厚み約1
μm減じさせた(ラップ工程)。ついで、平砥石を上昇
させた後、第3搬送パッドでラップ加工されたウエハを
吸着し、回動させて洗浄機構のスピナ台上に置いた。洗
浄機構上でウエハをブラシスクラブ洗浄し、ついでリン
ス洗浄、スピン乾燥を行った(洗浄工程)。
【0035】ついで、第一搬送ロボットで乾燥された研
削・ラップ加工ウエハをカセット内に搬入した(アンロ
−ディング工程)。一方、第二研削ゾ−ンでは、ウエハ
を吸着しているチャック機構を400rpmで回転させ
るとともに、ウエハの表面部分に2000rpmで回転
しているカップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を下降さ
せ、1.5分間粗研削を行い、約5μmの厚みを研削
し、カップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を上昇させた
(第二研削工程)。
【0036】第一研削ゾ−ンでは、チャック機構を60
0rpmで回転させるとともに、ウエハの表面部分に3
000rpmで回転しているカップホイ−ル型粗研削砥
石を下降させ、2分間粗研削を行い、約20μmの厚み
を研削し、カップホイ−ル型粗研削砥石を上昇させた
(第一研削工程)。
【0037】その間、前述と同様、カセットより新しい
シリコンウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置さ
せ、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャ
ック機構をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗
浄機構を後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウ
エハを吸着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/
アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動さ
せ、置いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス
板を減圧することにより吸着させてウエハのロ−ディン
グを行なった(ロ−ディング工程)。
【0038】以下、同様にして第四工程と同一の動作、
すなわち、インデックステ−ブルの90度回動、アンロ
−ディング工程、ロ−ディング工程、第一研削工程、第
二研削工程、ラップ工程、洗浄工程を繰り返えす。な
お、これら研削加工、ラップ加工の間にウエハ表面には
研削液が供給され、ウエハ、砥石の温度上昇を防いだ。
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、ラップ加工手段を研削
装置に組み込んだので、装置の設置面積が小さく、コン
パクトである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の研削・ラップ装置の平面図である。
【図2】 図1におけるI−I線から見た正面図であ
る。
【図3】 平砥石の平面図である。
【符号の説明】
1 研削・ラップ装置 w 基板 2 基台 3,4 カセット 5 搬送ロボット 6 仮置台 7 洗浄機構 8 インデックステ−ブル 9 チャック機構 11 第一研削手段 12 第二研削手段 13 ラップ加工手段 14 チャック洗浄機構 15 ドレッシング機構 16 第二搬送手段

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板収納カセット、該収納カセットの前
    に配置された基板搬送ロボット、該搬送ロボットの左右
    に配置された仮置台と洗浄機構、前記搬送ロボットと仮
    置台とスピン洗浄機構の前に配置され、ロ−ディング/
    アンロ−ディングゾ−ン、第一研削ゾ−ン、第二研削ゾ
    −ンおよびラップゾ−ンに区画振り分けされたインデッ
    クステ−ブル、該インデックステ−ブルの回転軸に対し
    同一円周上にかつ90度の等間隔に設けられた水平方向
    に回動可能な4基の基板チャック機構、前記インデック
    ステ−ブルの上方に設けられ、第一研削ゾ−ンに位置す
    るチャック機構に対向して設けられたカップホイ−ル型
    粗研削砥石をスピンドル軸に備えた第一研削手段、第二
    研削ゾ−ンに位置するチャック機構に対向して設けられ
    たカップホイ−ル型中仕上研削砥石をスピンドル軸に備
    えた第二研削手段およびラップゾ−ンに位置するチャッ
    ク機構上の基板をラップ加工する揺動可能な軸に軸承さ
    れた仕上用平砥石を備えるラップ手段、ロ−ディング/
    アンロ−ディングゾ−ンに位置するチャック機構を洗浄
    するチャック洗浄機構、ラップ手段の仕上用平砥石のド
    レッシング機構、および前記仮置台上の基板をロ−ディ
    ング/アンロ−ディングゾ−ンに位置するチャック機構
    上に搬送する第二搬送手段、を備える基板の研削装置。
  2. 【請求項2】 ラップ手段の円板状平砥石は、砥石粒度
    が#600〜2000番のものであり、基板をラップ加
    工する表面側に幅0.3〜2mmの溝が平砥石の外周に
    通じるように設けられた平砥石であることを特徴とす
    る、請求項1に記載の基板の研削装置。
  3. 【請求項3】 第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削
    砥石の砥石粒度は#300〜800番のものであり、第
    二研削手段のカップホイ−ル型中仕上研削砥石の砥石粒
    度は第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥石の砥石
    粒度よりも大きい値であって、#600〜2400番の
    ものであることを特徴とする、請求項2に記載の基板の
    研削装置。
JP2000141037A 2000-05-15 2000-05-15 基板の研削装置 Pending JP2001326196A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000141037A JP2001326196A (ja) 2000-05-15 2000-05-15 基板の研削装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000141037A JP2001326196A (ja) 2000-05-15 2000-05-15 基板の研削装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001326196A true JP2001326196A (ja) 2001-11-22

Family

ID=18648215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000141037A Pending JP2001326196A (ja) 2000-05-15 2000-05-15 基板の研削装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001326196A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007194556A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Sumco Techxiv株式会社 半導体ウェーハの製造方法
JP2009061511A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法及び研削装置
JP2011212820A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Disco Corp 硬質基板の研削方法および研削装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007194556A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Sumco Techxiv株式会社 半導体ウェーハの製造方法
JP2009061511A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法及び研削装置
JP2011212820A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Disco Corp 硬質基板の研削方法および研削装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4838614B2 (ja) 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JP4758222B2 (ja) ウエーハの加工方法および装置
TWI386989B (zh) 研磨裝置及研磨方法
JP2010023119A (ja) 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JPH11156711A (ja) 研磨装置
TWI790319B (zh) 基板處理系統及基板處理方法
JP2009285738A (ja) 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JP5037974B2 (ja) 研磨加工ステージにおける半導体基板の監視機器および監視方法
JP4755425B2 (ja) ポ−ラスセラミック製チャックの洗浄方法およびその洗浄装置
JP2008036744A (ja) 研磨装置
JPH10166259A (ja) サファイア基板研削研磨方法および装置
US12030157B2 (en) Processing method
JP2001326196A (ja) 基板の研削装置
JP2007044786A (ja) 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JP2001018161A (ja) 研磨装置
CN111037457B (zh) 晶圆的研磨装置及研磨方法
JP4824883B2 (ja) 基板の研磨装置および基板の研磨・洗浄・乾燥方法
JPH11207594A (ja) モジュール式ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法
JP2006086240A (ja) 半導体基板の平面研削・研磨装置および研削・研磨方法
JP4705387B2 (ja) 半導体基板の受け渡し方法およびそれに用いる搬送機器
JP2001347452A (ja) ウエハの研磨装置およびウエハの研磨方法
JP4732597B2 (ja) 基板の研磨装置
JP2003273055A (ja) スピンナー洗浄装置
JP4773650B2 (ja) ウエハのスピン洗浄・乾燥方法および洗浄・乾燥装置
JPH11156712A (ja) 研磨装置