JP2001326196A - 基板の研削装置 - Google Patents
基板の研削装置Info
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- JP2001326196A JP2001326196A JP2000141037A JP2000141037A JP2001326196A JP 2001326196 A JP2001326196 A JP 2001326196A JP 2000141037 A JP2000141037 A JP 2000141037A JP 2000141037 A JP2000141037 A JP 2000141037A JP 2001326196 A JP2001326196 A JP 2001326196A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 表面に渦巻状の条痕が残らない基板を与える
研削・ラップ装置の提供。 【解決手段】 基板収納カセット3,4、基板搬送ロボ
ット5、仮置台6、洗浄機構7、ロ−ディング/アンロ
−ディングゾ−ンS1、第一研削ゾ−ンS2、第二研削
ゾ−ンS3およびラップゾ−ンS4に区画振り分けされ
たインデックステ−ブル8、4基の基板チャック機構9
a,9b,9c,9d、第一研削ゾ−ンに位置するカッ
プホイ−ル型粗研削砥石を備えた第一研削手段11、第
二研削ゾ−ンに位置するカップホイ−ル型中仕上研削砥
石を備えた第二研削手段12およびラップゾ−ンに位置
する揺動可能な軸に軸承された仕上用平砥石を備えるラ
ップ手段13、チャック洗浄機構14、ドレッシング機
構15、および前記仮置台上の基板をロ−ディング/ア
ンロ−ディングゾ−ンに位置するチャック機構上に搬送
する第二搬送手段16、を備える基板の研削装置。
研削・ラップ装置の提供。 【解決手段】 基板収納カセット3,4、基板搬送ロボ
ット5、仮置台6、洗浄機構7、ロ−ディング/アンロ
−ディングゾ−ンS1、第一研削ゾ−ンS2、第二研削
ゾ−ンS3およびラップゾ−ンS4に区画振り分けされ
たインデックステ−ブル8、4基の基板チャック機構9
a,9b,9c,9d、第一研削ゾ−ンに位置するカッ
プホイ−ル型粗研削砥石を備えた第一研削手段11、第
二研削ゾ−ンに位置するカップホイ−ル型中仕上研削砥
石を備えた第二研削手段12およびラップゾ−ンに位置
する揺動可能な軸に軸承された仕上用平砥石を備えるラ
ップ手段13、チャック洗浄機構14、ドレッシング機
構15、および前記仮置台上の基板をロ−ディング/ア
ンロ−ディングゾ−ンに位置するチャック機構上に搬送
する第二搬送手段16、を備える基板の研削装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面に渦巻
状の螺旋状痕が残らない研削基板を与える研削・ラップ
装置に関する。
状の螺旋状痕が残らない研削基板を与える研削・ラップ
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】砥石粒度の粗いカップホイ−ル型砥石に
よりスライシングされたウエハを研削して厚みを減らす
ことは行われている(特開平11−307489号)。
研削加工における基板のスル−プット時間を短縮するた
めに複数の基板チャックを備えたインデックステ−ブ
ル、カップホイ−ル型第一研削砥石、カップホイ−ル型
第二研削砥石を備えた研削装置が提案、実用化されてい
る(特開平10−172932号、同11−30748
9号)。このインデックステ−ブル型研削装置におい
て、第一研削砥石に#300〜600番の砥石粒度の粗
い砥石を、第二研削砥石に#800〜2000番の細か
い砥石を用いている。
よりスライシングされたウエハを研削して厚みを減らす
ことは行われている(特開平11−307489号)。
研削加工における基板のスル−プット時間を短縮するた
めに複数の基板チャックを備えたインデックステ−ブ
ル、カップホイ−ル型第一研削砥石、カップホイ−ル型
第二研削砥石を備えた研削装置が提案、実用化されてい
る(特開平10−172932号、同11−30748
9号)。このインデックステ−ブル型研削装置におい
て、第一研削砥石に#300〜600番の砥石粒度の粗
い砥石を、第二研削砥石に#800〜2000番の細か
い砥石を用いている。
【0003】しかしながら、カップホイ−ル型砥石を用
いる研削方法は、ウエハの研削面に螺旋条痕が残り、ウ
エハの強度が低い。この条痕をなくすために研削面を弾
性平砥石を用いて梨地面にしたり、研削表面をエッチン
グして平坦化したり、研磨パッドで研磨加工して鏡面化
することが行われている。これら梨地加工、エッチング
加工、研磨加工は研削装置とは別の装置で行われる。
いる研削方法は、ウエハの研削面に螺旋条痕が残り、ウ
エハの強度が低い。この条痕をなくすために研削面を弾
性平砥石を用いて梨地面にしたり、研削表面をエッチン
グして平坦化したり、研磨パッドで研磨加工して鏡面化
することが行われている。これら梨地加工、エッチング
加工、研磨加工は研削装置とは別の装置で行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】研削装置にこれらの加
工手段のすくなくとも1つを組み込めば、これら条痕を
残さない基板が得られ、別据え付けの研削装置やエッチ
ング装置や研磨装置を設ける必要がなく、装置のプリン
トフットが小さく済む。
工手段のすくなくとも1つを組み込めば、これら条痕を
残さない基板が得られ、別据え付けの研削装置やエッチ
ング装置や研磨装置を設ける必要がなく、装置のプリン
トフットが小さく済む。
【0005】本発明は、第一研削と第二研削にカップホ
イ−ル型砥石を用い、最終研削仕上の砥石として円板状
砥石(平板砥石)を用い、基板をラップ加工することに
より裏面に条痕を残さない基板を与える研削装置の提供
を目的とする。
イ−ル型砥石を用い、最終研削仕上の砥石として円板状
砥石(平板砥石)を用い、基板をラップ加工することに
より裏面に条痕を残さない基板を与える研削装置の提供
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1は、基
板収納カセット、該収納カセットの前に配置された基板
搬送ロボット、該搬送ロボットの左右に配置された仮置
台とスピン洗浄機構、前記搬送ロボットと仮置台と洗浄
機構の前に配置され、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ン、第一研削ゾ−ン、第二研削ゾ−ンおよびラップ
ゾ−ンに区画振り分けされたインデックステ−ブル、該
インデックステ−ブルの回転軸に対し同一円周上にかつ
90度の等間隔に設けられた水平方向に回動可能な4基
の基板チャック機構、前記インデックステ−ブルの上方
に設けられ、第一研削ゾ−ンに位置するチャック機構に
対向して設けられたカップホイ−ル型粗研削砥石をスピ
ンドル軸に備えた第一研削手段、第二研削ゾ−ンに位置
するチャック機構に対向して設けられたカップホイ−ル
型中仕上研削砥石をスピンドル軸に備えた第二研削手段
およびラップゾ−ンに位置するチャック機構上の基板を
ラップ加工する揺動可能な軸に軸承された仕上用平砥石
を備えるラップ手段、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ンに位置するチャック機構を洗浄するチャック洗浄
機構、ラップ手段の仕上用平砥石のドレッシング機構、
および前記仮置台上の基板をロ−ディング/アンロ−デ
ィングゾ−ンに位置するチャック機構上に搬送する第二
搬送手段、を備える基板の研削装置を提供するものであ
る。
板収納カセット、該収納カセットの前に配置された基板
搬送ロボット、該搬送ロボットの左右に配置された仮置
台とスピン洗浄機構、前記搬送ロボットと仮置台と洗浄
機構の前に配置され、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ン、第一研削ゾ−ン、第二研削ゾ−ンおよびラップ
ゾ−ンに区画振り分けされたインデックステ−ブル、該
インデックステ−ブルの回転軸に対し同一円周上にかつ
90度の等間隔に設けられた水平方向に回動可能な4基
の基板チャック機構、前記インデックステ−ブルの上方
に設けられ、第一研削ゾ−ンに位置するチャック機構に
対向して設けられたカップホイ−ル型粗研削砥石をスピ
ンドル軸に備えた第一研削手段、第二研削ゾ−ンに位置
するチャック機構に対向して設けられたカップホイ−ル
型中仕上研削砥石をスピンドル軸に備えた第二研削手段
およびラップゾ−ンに位置するチャック機構上の基板を
ラップ加工する揺動可能な軸に軸承された仕上用平砥石
を備えるラップ手段、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ンに位置するチャック機構を洗浄するチャック洗浄
機構、ラップ手段の仕上用平砥石のドレッシング機構、
および前記仮置台上の基板をロ−ディング/アンロ−デ
ィングゾ−ンに位置するチャック機構上に搬送する第二
搬送手段、を備える基板の研削装置を提供するものであ
る。
【0007】インデックステ−ブル型の研削装置とする
ことにより基板のスル−プット時間が短縮される。ま
た、基板裏面の鏡面仕上げを揺動タイプのラップ砥石を
用いることにより条痕が消滅し、梨地面の裏面を有する
加工基板が得られる。
ことにより基板のスル−プット時間が短縮される。ま
た、基板裏面の鏡面仕上げを揺動タイプのラップ砥石を
用いることにより条痕が消滅し、梨地面の裏面を有する
加工基板が得られる。
【0008】本発明の請求項2は、前記基板の研削装置
において、ラップ手段の円板状平砥石は、砥石粒度が#
600〜2000番のものであり、基板をラップ加工す
る表面側に幅0.3〜2mmの溝が平砥石の外周に通じ
るように設けられた平砥石であることを特徴とする。
において、ラップ手段の円板状平砥石は、砥石粒度が#
600〜2000番のものであり、基板をラップ加工す
る表面側に幅0.3〜2mmの溝が平砥石の外周に通じ
るように設けられた平砥石であることを特徴とする。
【0009】平砥石表面に設けた溝により研削・ラップ
加工された屑が研削液とともに基板表面から容易に排出
される。
加工された屑が研削液とともに基板表面から容易に排出
される。
【0010】本発明の請求項3は、前記の基板の研削装
置において、第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥
石の砥石粒度は#300〜800番のものであり、第二
研削手段のカップホイ−ル型中仕上研削砥石の砥石粒度
は第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥石の砥石粒
度よりも大きい値であって、#600〜2400番のも
のであることを特徴とする。
置において、第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥
石の砥石粒度は#300〜800番のものであり、第二
研削手段のカップホイ−ル型中仕上研削砥石の砥石粒度
は第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥石の砥石粒
度よりも大きい値であって、#600〜2400番のも
のであることを特徴とする。
【0011】基板のスル−プット時間を短くするため、
第一研削ゾ−ンでは粗い目のカップホイ−ル型砥石を用
いて基板の研削速度(基板が研削により厚み方向におい
て減る速度)を大きくし、加工時間全体のスル−プット
時間を短くするとともに、第二研削ゾ−ンにおいては目
の細かいカップホイ−ル型砥石を用いてスクラッチ傷の
深さを薄くし、次工程のラップ加工時間を短くすること
ができる。
第一研削ゾ−ンでは粗い目のカップホイ−ル型砥石を用
いて基板の研削速度(基板が研削により厚み方向におい
て減る速度)を大きくし、加工時間全体のスル−プット
時間を短くするとともに、第二研削ゾ−ンにおいては目
の細かいカップホイ−ル型砥石を用いてスクラッチ傷の
深さを薄くし、次工程のラップ加工時間を短くすること
ができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明をさら
に詳細に説明する。図1は、本発明の研削・ラップ装置
の平面図、図2は図1におけるI−I線より見た正面
図、図3は平砥石の平面図である。
に詳細に説明する。図1は、本発明の研削・ラップ装置
の平面図、図2は図1におけるI−I線より見た正面
図、図3は平砥石の平面図である。
【0013】図1において、1は基板の研削・ラップ装
置、2は基台、3,4は基板収納カセット、5は基板搬
送ロボットで前記収納カセット3,4の前列に配置され
る。6は仮置台、7は洗浄機構で、両者は前記搬送ロボ
ットの左右に線上に配置される。8はインデックステ−
ブルで、前記搬送ロボットと仮置台とスピン洗浄機構の
前に配置され、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ン
S1、第一研削ゾ−ンS2、第二研削ゾ−ンS3および
ラップゾ−ンS4に区画振り分けされる。
置、2は基台、3,4は基板収納カセット、5は基板搬
送ロボットで前記収納カセット3,4の前列に配置され
る。6は仮置台、7は洗浄機構で、両者は前記搬送ロボ
ットの左右に線上に配置される。8はインデックステ−
ブルで、前記搬送ロボットと仮置台とスピン洗浄機構の
前に配置され、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ン
S1、第一研削ゾ−ンS2、第二研削ゾ−ンS3および
ラップゾ−ンS4に区画振り分けされる。
【0014】該インデックステ−ブル8には、該インデ
ックステ−ブルの回転軸8aに対し同一円周上にかつ9
0度の等間隔に設けられた水平方向に回動可能な4基の
基板チャック機構9a,9b,9c,9dが設けられて
いる。このインデックステ−ブル8の上方には3基の加
工手段11,12,13が設けられている。1つは第一
研削ゾ−ンS2に位置するチャック機構に対向して設け
られたカップホイ−ル型粗研削砥石11aをスピンドル
軸11bに備えた第一研削手段11、第二研削ゾ−ンS
3に位置するチャック機構に対向して設けられたカップ
ホイ−ル型中仕上研削砥石12aをスピンドル軸12b
に備えた第二研削手段12およびラップゾ−ンS4に位
置するチャック機構上の基板をラップ加工する揺動可能
な軸13bに軸承された仕上用平砥石13aを備えるラ
ップ手段13である。
ックステ−ブルの回転軸8aに対し同一円周上にかつ9
0度の等間隔に設けられた水平方向に回動可能な4基の
基板チャック機構9a,9b,9c,9dが設けられて
いる。このインデックステ−ブル8の上方には3基の加
工手段11,12,13が設けられている。1つは第一
研削ゾ−ンS2に位置するチャック機構に対向して設け
られたカップホイ−ル型粗研削砥石11aをスピンドル
軸11bに備えた第一研削手段11、第二研削ゾ−ンS
3に位置するチャック機構に対向して設けられたカップ
ホイ−ル型中仕上研削砥石12aをスピンドル軸12b
に備えた第二研削手段12およびラップゾ−ンS4に位
置するチャック機構上の基板をラップ加工する揺動可能
な軸13bに軸承された仕上用平砥石13aを備えるラ
ップ手段13である。
【0015】14はチャック洗浄機構で、ロ−ディング
/アンロ−ディングゾ−ンS1に位置するチャック機構
を洗浄する。15はドレッシング機構で、ラッピング手
段13の仕上用平砥石の表面をドレシングする。16は
第二搬送手段で、前記仮置台6上の基板をロ−ディング
/アンロ−ディングゾ−ンS1に位置するチャック機構
上に搬送する。
/アンロ−ディングゾ−ンS1に位置するチャック機構
を洗浄する。15はドレッシング機構で、ラッピング手
段13の仕上用平砥石の表面をドレシングする。16は
第二搬送手段で、前記仮置台6上の基板をロ−ディング
/アンロ−ディングゾ−ンS1に位置するチャック機構
上に搬送する。
【0016】カップホイ−ル型砥石は、例えば特開平1
1−188644号、特開2000−94342号、特
許第2867380号公報に開示されるように環状の台
座上に特定の目番の砥石片を隙間(スリット)を設けて
並べたもので、台座の内側に設けた溝に研削液が供給さ
れ、溝底に斜めに設けた孔より基板上に供給され、基板
の回転により遠心力を受けて基板表面上を流れ、スリッ
トより基板外周方向へと供給される。砥石片は砥粒を樹
脂で固めて成型したもので、その砥石粒度は第一研削に
おいては#300〜800番と目が粗いものが研削速度
を速めるために用いられる。第二研削においては第一研
削に用いたものよりも目の細かい#600〜2400番
のものが使用され、スクラッチ傷の深さを小さくし、ラ
ップ工程で研削する厚みを少なくする。
1−188644号、特開2000−94342号、特
許第2867380号公報に開示されるように環状の台
座上に特定の目番の砥石片を隙間(スリット)を設けて
並べたもので、台座の内側に設けた溝に研削液が供給さ
れ、溝底に斜めに設けた孔より基板上に供給され、基板
の回転により遠心力を受けて基板表面上を流れ、スリッ
トより基板外周方向へと供給される。砥石片は砥粒を樹
脂で固めて成型したもので、その砥石粒度は第一研削に
おいては#300〜800番と目が粗いものが研削速度
を速めるために用いられる。第二研削においては第一研
削に用いたものよりも目の細かい#600〜2400番
のものが使用され、スクラッチ傷の深さを小さくし、ラ
ップ工程で研削する厚みを少なくする。
【0017】平砥石としては、例えば砥石粒度#600
〜2000番のレジンボンド砥石が使用される。厚みは
3〜35mmが一般で、基板をラップ加工する表面側に
幅0.3〜2mmの溝13cが平砥石の外周に通じるよ
うに設けられたものが好ましい(図3参照)。ラップ加
工屑は、該溝を通じて基板表面より外周へと追いやられ
る。溝と研削液の流路を形成するために分割砥石片を合
わせて平砥石としてもよい。
〜2000番のレジンボンド砥石が使用される。厚みは
3〜35mmが一般で、基板をラップ加工する表面側に
幅0.3〜2mmの溝13cが平砥石の外周に通じるよ
うに設けられたものが好ましい(図3参照)。ラップ加
工屑は、該溝を通じて基板表面より外周へと追いやられ
る。溝と研削液の流路を形成するために分割砥石片を合
わせて平砥石としてもよい。
【0018】第一研削手段、第二研削手段のスピンドル
軸は上下に昇降可能である。ラップ加工手段の平砥石は
揺動可能である。図1では弧状に揺動する例を示した
が、ボ−ルネジ、ボ−ルネジに螺合しラップ加工手段を
支持する移動体、モ−タを利用して直線上にラップ加工
手段を往復移動するように設計してもよい。ラップ加工
により研削基板の螺旋条痕が消滅する。
軸は上下に昇降可能である。ラップ加工手段の平砥石は
揺動可能である。図1では弧状に揺動する例を示した
が、ボ−ルネジ、ボ−ルネジに螺合しラップ加工手段を
支持する移動体、モ−タを利用して直線上にラップ加工
手段を往復移動するように設計してもよい。ラップ加工
により研削基板の螺旋条痕が消滅する。
【0019】基板のチャック機構9a,9b,9c,9
dは、インデックステ−ブル8の回転とは独立して各々
回転可能な中空軸にポ−ラスセラミック板が軸承された
もので、公知のように中空軸は減圧、加圧空気、あるい
は洗浄水が供給できるようになっている。中空軸を減圧
することにより基板をチャック機構に吸着できる。加圧
空気、洗浄水の供給は研削あるいはラップ加工された基
板のチャック機構からの剥離を容易とする。
dは、インデックステ−ブル8の回転とは独立して各々
回転可能な中空軸にポ−ラスセラミック板が軸承された
もので、公知のように中空軸は減圧、加圧空気、あるい
は洗浄水が供給できるようになっている。中空軸を減圧
することにより基板をチャック機構に吸着できる。加圧
空気、洗浄水の供給は研削あるいはラップ加工された基
板のチャック機構からの剥離を容易とする。
【0020】インデックステ−ブル8は、前述のように
ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ン、第一研削ゾ−
ン、第二研削ゾ−ンおよびラップゾ−ンに区画振り分け
され、90度ずつ回転される。インデックステ−ブルの
回転軸8aの外側に各チャック機構のポ−ラスセラミッ
ク板を軸承する回転軸9e,9eが支持枠により固定さ
れているのでインデックステ−ブルの90度の回転とと
もに各チャック機構も90度移動する。
ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ン、第一研削ゾ−
ン、第二研削ゾ−ンおよびラップゾ−ンに区画振り分け
され、90度ずつ回転される。インデックステ−ブルの
回転軸8aの外側に各チャック機構のポ−ラスセラミッ
ク板を軸承する回転軸9e,9eが支持枠により固定さ
れているのでインデックステ−ブルの90度の回転とと
もに各チャック機構も90度移動する。
【0021】ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンS
1では、チャック洗浄機構14によるチャック機構9の
洗浄と、仮置台6からの基板の搬入が行われる。基板の
ロ−ディングは、収納カセット3に収納されている基板
を搬送ロボット5のア−ムにより搬出し、一旦、仮置台
6に置き、チャック機構の洗浄やインデックステ−ブル
の90度回転の間、待機させ、その後、第二搬送手段1
6の吸着パッドにより仮置台6上の基板はロ−ディング
/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構9に移送
され、チャック機構9のポ−ラスセラミックス板に吸着
されることにより行われる。
1では、チャック洗浄機構14によるチャック機構9の
洗浄と、仮置台6からの基板の搬入が行われる。基板の
ロ−ディングは、収納カセット3に収納されている基板
を搬送ロボット5のア−ムにより搬出し、一旦、仮置台
6に置き、チャック機構の洗浄やインデックステ−ブル
の90度回転の間、待機させ、その後、第二搬送手段1
6の吸着パッドにより仮置台6上の基板はロ−ディング
/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構9に移送
され、チャック機構9のポ−ラスセラミックス板に吸着
されることにより行われる。
【0022】チャック洗浄機構14は、前後方向(Y軸
方向)に往復移動可能で、チャック機構9上に到達した
ら軸14aが下降し、セラミック製砥石14bをチャッ
ク機構上に接触させ、ついでチャック機構9上に洗浄水
を供給しながら軸14aを回転させるとともにチャック
機構の軸9eも回転させてチャック機構表面の洗浄を行
う。チャック機構洗浄が終了したら軸14aは上昇し、
チャック洗浄機構は後退される。
方向)に往復移動可能で、チャック機構9上に到達した
ら軸14aが下降し、セラミック製砥石14bをチャッ
ク機構上に接触させ、ついでチャック機構9上に洗浄水
を供給しながら軸14aを回転させるとともにチャック
機構の軸9eも回転させてチャック機構表面の洗浄を行
う。チャック機構洗浄が終了したら軸14aは上昇し、
チャック洗浄機構は後退される。
【0023】第一研削ゾ−ンS2では、基板は粗研削さ
れる。チャック機構の回転数は100〜1000rp
m、カップホイ−ル型砥石11aの回転数は600〜6
000rpmである。第二研削ゾ−ンS3では基板は中
仕上げ研削される。チャック機構の回転数は100〜6
00rpm、カップホイ−ル型砥石12aの回転数は2
00〜2000rpmである。ラップ加工ゾ−ンS4で
は基板の螺旋条痕の消滅が行われ、基板表面は梨地面に
仕上げられる。チャック機構の回転数は20〜100r
pm、平砥石13aの回転数は40〜200rpmであ
る。
れる。チャック機構の回転数は100〜1000rp
m、カップホイ−ル型砥石11aの回転数は600〜6
000rpmである。第二研削ゾ−ンS3では基板は中
仕上げ研削される。チャック機構の回転数は100〜6
00rpm、カップホイ−ル型砥石12aの回転数は2
00〜2000rpmである。ラップ加工ゾ−ンS4で
は基板の螺旋条痕の消滅が行われ、基板表面は梨地面に
仕上げられる。チャック機構の回転数は20〜100r
pm、平砥石13aの回転数は40〜200rpmであ
る。
【0024】基板のラップ加工が終了すると、基板は搬
送ロボット5により基板洗浄機構7に移送される。スピ
ナ台に載置された基板は、スピナを回転させることによ
り回転し、ブラシ、洗浄水を用いて表面はスクラブ洗浄
され、ついで、リンス洗浄、スピン乾燥される。スクラ
ブ洗浄の際、超音波を照射してもよい。一方、ラップ加
工された基板が搬出された後、ラップ加工手段13は回
動されてドレッシング機構15上に移動し、平砥石13
aを回転させながら回転しているドレッシング機構15
に接触させ、ドレッシングを行う。
送ロボット5により基板洗浄機構7に移送される。スピ
ナ台に載置された基板は、スピナを回転させることによ
り回転し、ブラシ、洗浄水を用いて表面はスクラブ洗浄
され、ついで、リンス洗浄、スピン乾燥される。スクラ
ブ洗浄の際、超音波を照射してもよい。一方、ラップ加
工された基板が搬出された後、ラップ加工手段13は回
動されてドレッシング機構15上に移動し、平砥石13
aを回転させながら回転しているドレッシング機構15
に接触させ、ドレッシングを行う。
【0025】基板チャック機構9において、90は純水
供給パイプ、91はポンプ、92はポ−ラスセラミック
板の支持台でその中央には円筒状凹部部93が形成さ
れ、さらにその中心部には鉛直方向に流体通路94が設
けられている。流体通路94には電磁チャック機能を有
するスリ−ブ95を介してパイプ90に接続されてお
り、切替弁96に連結されており、一方のパイプ97は
真空ポンプに、他方のパイプ98は純水供給タンクに接
続されている。99はハウジング、100はクラッチ機
構、101はモ−タ−である。モ−タ−101をエア−
シリンダ−102で持ち上げ、チャック14,14aを
結合し、モ−タ−101を駆動することによりポ−ラス
セラミック板を水平方向に回転させることができる。
供給パイプ、91はポンプ、92はポ−ラスセラミック
板の支持台でその中央には円筒状凹部部93が形成さ
れ、さらにその中心部には鉛直方向に流体通路94が設
けられている。流体通路94には電磁チャック機能を有
するスリ−ブ95を介してパイプ90に接続されてお
り、切替弁96に連結されており、一方のパイプ97は
真空ポンプに、他方のパイプ98は純水供給タンクに接
続されている。99はハウジング、100はクラッチ機
構、101はモ−タ−である。モ−タ−101をエア−
シリンダ−102で持ち上げ、チャック14,14aを
結合し、モ−タ−101を駆動することによりポ−ラス
セラミック板を水平方向に回転させることができる。
【0026】円板状平砥石による基板のラップ加工が終
了したら、弁96を切り替え、流体通路94に純水を供
給し、基板wをポ−ラスセラミック板より浮かし、基板
のチャック機構9からの剥離を容易にする。
了したら、弁96を切り替え、流体通路94に純水を供
給し、基板wをポ−ラスセラミック板より浮かし、基板
のチャック機構9からの剥離を容易にする。
【0027】平砥石の揺動は、図1では軸を中心に振り
子回動する例を示したが、平砥石が前後方向に往復移動
するものであってもよい。具体的にはボ−ルネジを利用
し、スピンドル軸に中心が軸承された平砥石と、この円
板状砥石をボ−ルネジの回転により前後方向に移動させ
る機構と、平砥石の昇降機構を備えるものである。前記
平砥石の揺動は、平砥石によりラップ加工された基板表
面に渦巻状の条痕が残らないようにするためであり、基
板の中心点を平砥石の外周が通過するように行なう。平
砥石の左右方向の送りは0.1〜1m/分が好ましい。
子回動する例を示したが、平砥石が前後方向に往復移動
するものであってもよい。具体的にはボ−ルネジを利用
し、スピンドル軸に中心が軸承された平砥石と、この円
板状砥石をボ−ルネジの回転により前後方向に移動させ
る機構と、平砥石の昇降機構を備えるものである。前記
平砥石の揺動は、平砥石によりラップ加工された基板表
面に渦巻状の条痕が残らないようにするためであり、基
板の中心点を平砥石の外周が通過するように行なう。平
砥石の左右方向の送りは0.1〜1m/分が好ましい。
【0028】ラップ加工された基板は搬送ロボット5に
より洗浄機構7に移送される。その移送は、搬送ロボッ
ト5の代わりに第3の搬送ロボットまたは搬送パッドを
用いる方が好ましい。または搬送ロボット5として2ア
−ム式のロボットを用い、一方のア−ムは収納カセット
3から仮置台6へのロ−ディングおよび洗浄機構7から
収納カセット4へのきれいなウエハの搬送のみに用い、
他方のア−ムはラップ加工ゾ−ンS4から洗浄機構7へ
の汚れた基板の搬送のみに用いる。洗浄された基板は、
収納カセット4内へ搬送され、アンロ−ディングが行わ
れる。
より洗浄機構7に移送される。その移送は、搬送ロボッ
ト5の代わりに第3の搬送ロボットまたは搬送パッドを
用いる方が好ましい。または搬送ロボット5として2ア
−ム式のロボットを用い、一方のア−ムは収納カセット
3から仮置台6へのロ−ディングおよび洗浄機構7から
収納カセット4へのきれいなウエハの搬送のみに用い、
他方のア−ムはラップ加工ゾ−ンS4から洗浄機構7へ
の汚れた基板の搬送のみに用いる。洗浄された基板は、
収納カセット4内へ搬送され、アンロ−ディングが行わ
れる。
【0029】
【実施例】実施例1 図1に示す研削・ラップ装置を用い、スライシングされ
た厚み220μm、直径200mmのシリコンウエハを
次ぎの工程を経て研削・ラップ加工して厚み約194μ
mの表面が梨地を呈するウエハを得た。 第一工程:第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥石
は、砥石の砥石粒度が#325番のものを、第二研削手
段のカップホイ−ル型中仕上研削砥石は、砥石の砥石粒
度が#2000番のものを、ラップ手段の円板状平砥石
は、砥石粒度が#1500番のもので表面側に幅1.2
mmの溝が平砥石の外周に通じるように設けられた組み
合わせの平砥石を用いた。
た厚み220μm、直径200mmのシリコンウエハを
次ぎの工程を経て研削・ラップ加工して厚み約194μ
mの表面が梨地を呈するウエハを得た。 第一工程:第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥石
は、砥石の砥石粒度が#325番のものを、第二研削手
段のカップホイ−ル型中仕上研削砥石は、砥石の砥石粒
度が#2000番のものを、ラップ手段の円板状平砥石
は、砥石粒度が#1500番のもので表面側に幅1.2
mmの溝が平砥石の外周に通じるように設けられた組み
合わせの平砥石を用いた。
【0030】収納カセットに収納されているシリコンウ
エハを第一搬送ロボットのア−ムにより搬出し、ア−ム
を反転し、一旦、仮置台に置き待機させた。ロ−ディン
グ/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構をチャ
ック洗浄機構により洗浄し、チャック洗浄機構を後退さ
せた後、第二搬送パッドにより仮置台上のウエハを吸着
し、第二搬送パッドを回動させてロ−ディング/アンロ
−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動させ、置
いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス板を減
圧することにより吸着させてウエハのロ−ディングを行
なった。
エハを第一搬送ロボットのア−ムにより搬出し、ア−ム
を反転し、一旦、仮置台に置き待機させた。ロ−ディン
グ/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構をチャ
ック洗浄機構により洗浄し、チャック洗浄機構を後退さ
せた後、第二搬送パッドにより仮置台上のウエハを吸着
し、第二搬送パッドを回動させてロ−ディング/アンロ
−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動させ、置
いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス板を減
圧することにより吸着させてウエハのロ−ディングを行
なった。
【0031】第二工程:インデックステ−ブルを時計回
り方向に90度回転させて、ウエハを第一研削ゾ−ンに
移動させた後、ウエハを吸着しているチャック機構を6
00rpmで回転させるとともに、ウエハの表面部分に
3000rpmで回転しているカップホイ−ル型粗研削
砥石を下降させ、2分間粗研削を行い、約20μmの厚
みを研削し、カップホイ−ル型粗研削砥石を上昇させ
た。その間、前述と同様、カセットより新しいシリコン
ウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置させ、ロ−
ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構
をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗浄機構を
後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウエハを吸
着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/アンロ−
ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動させ、置い
たのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス板を減圧
することにより吸着させてウエハのロ−ディングを行な
った。
り方向に90度回転させて、ウエハを第一研削ゾ−ンに
移動させた後、ウエハを吸着しているチャック機構を6
00rpmで回転させるとともに、ウエハの表面部分に
3000rpmで回転しているカップホイ−ル型粗研削
砥石を下降させ、2分間粗研削を行い、約20μmの厚
みを研削し、カップホイ−ル型粗研削砥石を上昇させ
た。その間、前述と同様、カセットより新しいシリコン
ウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置させ、ロ−
ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構
をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗浄機構を
後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウエハを吸
着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/アンロ−
ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動させ、置い
たのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス板を減圧
することにより吸着させてウエハのロ−ディングを行な
った。
【0032】第三工程:インデックステ−ブルを時計回
り方向に90度回転させて、第一研削されたウエハを第
二研削ゾ−ンに移動させ、ロ−ディング/アンロ−ディ
ングゾ−ンS1のチャック機構上のウエハを第一研削ゾ
−ンに移動させた。第二研削ゾ−ンでは、ウエハを吸着
しているチャック機構を400rpmで回転させるとと
もに、ウエハの表面部分に2000rpmで回転してい
るカップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を下降させ、1.
5分間粗研削を行い、約5μmの厚みを研削し、カップ
ホイ−ル型中仕上げ研削砥石を上昇させた。第一研削ゾ
−ンでは、チャック機構を600rpmで回転させると
ともに、ウエハの表面部分に3000rpmで回転して
いるカップホイ−ル型粗研削砥石を下降させ、2分間粗
研削を行い、約20μmの厚みを研削し、カップホイ−
ル型粗研削砥石を上昇させた。
り方向に90度回転させて、第一研削されたウエハを第
二研削ゾ−ンに移動させ、ロ−ディング/アンロ−ディ
ングゾ−ンS1のチャック機構上のウエハを第一研削ゾ
−ンに移動させた。第二研削ゾ−ンでは、ウエハを吸着
しているチャック機構を400rpmで回転させるとと
もに、ウエハの表面部分に2000rpmで回転してい
るカップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を下降させ、1.
5分間粗研削を行い、約5μmの厚みを研削し、カップ
ホイ−ル型中仕上げ研削砥石を上昇させた。第一研削ゾ
−ンでは、チャック機構を600rpmで回転させると
ともに、ウエハの表面部分に3000rpmで回転して
いるカップホイ−ル型粗研削砥石を下降させ、2分間粗
研削を行い、約20μmの厚みを研削し、カップホイ−
ル型粗研削砥石を上昇させた。
【0033】その間、前述と同様、カセットより新しい
シリコンウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置さ
せ、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャ
ック機構をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗
浄機構を後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウ
エハを吸着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/
アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動さ
せ、置いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス
板を減圧することにより吸着させてウエハのロ−ディン
グを行なった。
シリコンウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置さ
せ、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャ
ック機構をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗
浄機構を後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウ
エハを吸着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/
アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動さ
せ、置いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス
板を減圧することにより吸着させてウエハのロ−ディン
グを行なった。
【0034】第四工程:インデックステ−ブルを時計回
り方向に90度回転させて、第二研削されたウエハをラ
ップゾ−ンに移動させ、第一研削されたウエハを第二研
削ゾ−ンに移動させ、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ンS1のチャック機構上のウエハを第一研削ゾ−ン
に移動させた。ラップゾ−ンでは、60rpmで回転す
る中仕上げ研削されたデバイスウエハの表面を100r
pmで回転する平砥石で2分間ラップ加工して厚み約1
μm減じさせた(ラップ工程)。ついで、平砥石を上昇
させた後、第3搬送パッドでラップ加工されたウエハを
吸着し、回動させて洗浄機構のスピナ台上に置いた。洗
浄機構上でウエハをブラシスクラブ洗浄し、ついでリン
ス洗浄、スピン乾燥を行った(洗浄工程)。
り方向に90度回転させて、第二研削されたウエハをラ
ップゾ−ンに移動させ、第一研削されたウエハを第二研
削ゾ−ンに移動させ、ロ−ディング/アンロ−ディング
ゾ−ンS1のチャック機構上のウエハを第一研削ゾ−ン
に移動させた。ラップゾ−ンでは、60rpmで回転す
る中仕上げ研削されたデバイスウエハの表面を100r
pmで回転する平砥石で2分間ラップ加工して厚み約1
μm減じさせた(ラップ工程)。ついで、平砥石を上昇
させた後、第3搬送パッドでラップ加工されたウエハを
吸着し、回動させて洗浄機構のスピナ台上に置いた。洗
浄機構上でウエハをブラシスクラブ洗浄し、ついでリン
ス洗浄、スピン乾燥を行った(洗浄工程)。
【0035】ついで、第一搬送ロボットで乾燥された研
削・ラップ加工ウエハをカセット内に搬入した(アンロ
−ディング工程)。一方、第二研削ゾ−ンでは、ウエハ
を吸着しているチャック機構を400rpmで回転させ
るとともに、ウエハの表面部分に2000rpmで回転
しているカップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を下降さ
せ、1.5分間粗研削を行い、約5μmの厚みを研削
し、カップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を上昇させた
(第二研削工程)。
削・ラップ加工ウエハをカセット内に搬入した(アンロ
−ディング工程)。一方、第二研削ゾ−ンでは、ウエハ
を吸着しているチャック機構を400rpmで回転させ
るとともに、ウエハの表面部分に2000rpmで回転
しているカップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を下降さ
せ、1.5分間粗研削を行い、約5μmの厚みを研削
し、カップホイ−ル型中仕上げ研削砥石を上昇させた
(第二研削工程)。
【0036】第一研削ゾ−ンでは、チャック機構を60
0rpmで回転させるとともに、ウエハの表面部分に3
000rpmで回転しているカップホイ−ル型粗研削砥
石を下降させ、2分間粗研削を行い、約20μmの厚み
を研削し、カップホイ−ル型粗研削砥石を上昇させた
(第一研削工程)。
0rpmで回転させるとともに、ウエハの表面部分に3
000rpmで回転しているカップホイ−ル型粗研削砥
石を下降させ、2分間粗研削を行い、約20μmの厚み
を研削し、カップホイ−ル型粗研削砥石を上昇させた
(第一研削工程)。
【0037】その間、前述と同様、カセットより新しい
シリコンウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置さ
せ、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャ
ック機構をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗
浄機構を後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウ
エハを吸着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/
アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動さ
せ、置いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス
板を減圧することにより吸着させてウエハのロ−ディン
グを行なった(ロ−ディング工程)。
シリコンウエハを搬送ロボットにより仮置台上に載置さ
せ、ロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンS1のチャ
ック機構をチャック洗浄機構により洗浄し、チャック洗
浄機構を後退させた後、搬送パッドにより仮置台上のウ
エハを吸着し、搬送パッドを回動させてロ−ディング/
アンロ−ディングゾ−ンS1のチャック機構上に移動さ
せ、置いたのち、チャック機構のポ−ラスセラミックス
板を減圧することにより吸着させてウエハのロ−ディン
グを行なった(ロ−ディング工程)。
【0038】以下、同様にして第四工程と同一の動作、
すなわち、インデックステ−ブルの90度回動、アンロ
−ディング工程、ロ−ディング工程、第一研削工程、第
二研削工程、ラップ工程、洗浄工程を繰り返えす。な
お、これら研削加工、ラップ加工の間にウエハ表面には
研削液が供給され、ウエハ、砥石の温度上昇を防いだ。
すなわち、インデックステ−ブルの90度回動、アンロ
−ディング工程、ロ−ディング工程、第一研削工程、第
二研削工程、ラップ工程、洗浄工程を繰り返えす。な
お、これら研削加工、ラップ加工の間にウエハ表面には
研削液が供給され、ウエハ、砥石の温度上昇を防いだ。
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、ラップ加工手段を研削
装置に組み込んだので、装置の設置面積が小さく、コン
パクトである。
装置に組み込んだので、装置の設置面積が小さく、コン
パクトである。
【図1】 本発明の研削・ラップ装置の平面図である。
【図2】 図1におけるI−I線から見た正面図であ
る。
る。
【図3】 平砥石の平面図である。
1 研削・ラップ装置 w 基板 2 基台 3,4 カセット 5 搬送ロボット 6 仮置台 7 洗浄機構 8 インデックステ−ブル 9 チャック機構 11 第一研削手段 12 第二研削手段 13 ラップ加工手段 14 チャック洗浄機構 15 ドレッシング機構 16 第二搬送手段
Claims (3)
- 【請求項1】 基板収納カセット、該収納カセットの前
に配置された基板搬送ロボット、該搬送ロボットの左右
に配置された仮置台と洗浄機構、前記搬送ロボットと仮
置台とスピン洗浄機構の前に配置され、ロ−ディング/
アンロ−ディングゾ−ン、第一研削ゾ−ン、第二研削ゾ
−ンおよびラップゾ−ンに区画振り分けされたインデッ
クステ−ブル、該インデックステ−ブルの回転軸に対し
同一円周上にかつ90度の等間隔に設けられた水平方向
に回動可能な4基の基板チャック機構、前記インデック
ステ−ブルの上方に設けられ、第一研削ゾ−ンに位置す
るチャック機構に対向して設けられたカップホイ−ル型
粗研削砥石をスピンドル軸に備えた第一研削手段、第二
研削ゾ−ンに位置するチャック機構に対向して設けられ
たカップホイ−ル型中仕上研削砥石をスピンドル軸に備
えた第二研削手段およびラップゾ−ンに位置するチャッ
ク機構上の基板をラップ加工する揺動可能な軸に軸承さ
れた仕上用平砥石を備えるラップ手段、ロ−ディング/
アンロ−ディングゾ−ンに位置するチャック機構を洗浄
するチャック洗浄機構、ラップ手段の仕上用平砥石のド
レッシング機構、および前記仮置台上の基板をロ−ディ
ング/アンロ−ディングゾ−ンに位置するチャック機構
上に搬送する第二搬送手段、を備える基板の研削装置。 - 【請求項2】 ラップ手段の円板状平砥石は、砥石粒度
が#600〜2000番のものであり、基板をラップ加
工する表面側に幅0.3〜2mmの溝が平砥石の外周に
通じるように設けられた平砥石であることを特徴とす
る、請求項1に記載の基板の研削装置。 - 【請求項3】 第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削
砥石の砥石粒度は#300〜800番のものであり、第
二研削手段のカップホイ−ル型中仕上研削砥石の砥石粒
度は第一研削手段のカップホイ−ル型粗研削砥石の砥石
粒度よりも大きい値であって、#600〜2400番の
ものであることを特徴とする、請求項2に記載の基板の
研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000141037A JP2001326196A (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | 基板の研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000141037A JP2001326196A (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | 基板の研削装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001326196A true JP2001326196A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18648215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000141037A Pending JP2001326196A (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | 基板の研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001326196A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194556A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2009061511A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法及び研削装置 |
JP2011212820A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Disco Corp | 硬質基板の研削方法および研削装置 |
-
2000
- 2000-05-15 JP JP2000141037A patent/JP2001326196A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194556A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2009061511A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法及び研削装置 |
JP2011212820A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Disco Corp | 硬質基板の研削方法および研削装置 |
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